JP2006190840A - 半導体パッケージ、そのｉｄ化装置、そのｉｄ認識装置及びそのｉｄ認識方法、並びに半導体集積回路チップ、そのｉｄ化装置、そのｉｄ認識装置及びそのｉｄ認識方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体パッケージ等に偽造できないランダムな固有ＩＤを付与できるようにすると共に不良品の固有ＩＤを確実に抽出できるようにする。
【解決手段】 半導体パッケージのＩＤ化装置は、半導体パッケージが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する機能と、選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する機能と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成する機能とを備えている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体パッケージ又は半導体集積回路チップの識別に関する分野に属する。

従来、半導体集積回路チップ（以下、単に半導体チップという場合もある）に固有の番号を持たせたり又は割り当てることが、製造工程管理の観点から検討されてきた。その理由は、ウェハレベルで半導体集積回路の形成（つまり拡散工程）を行なった後、当該ウェハを分割して複数の半導体チップを取り出した場合において、例えば半導体チップの出荷後に、ある半導体チップがどの時期の拡散工程で形成されたものか、どのロットから得られたものか、どのウェハから得られたものか、又はウェハのどの位置から取り出されたものかという情報を得る必要が生じるからである。同様に、半導体チップをパッケージ化した後に、それぞれのパッケージに固有の番号を持たせたり又は割り当てることは非常に重要となる。

そこで、半導体チップにバーコードを作製する等の従来技術（特許文献１参照）が利用されてきた。当該従来技術は、ウェハレベルでの半導体集積回路の拡散工程における例えばアルミニウム層のパターンニング工程でステッパー露光を行なう際に、各半導体集積回路チップ領域にそれぞれ固有の認識コードを作成することによって、製造における生産効率の向上を図っている。具体的には、半導体ウェハ上に設けた各チップ領域の周辺（コード領域）にもアルミニウム層を設けて、アルミニウム層をパターンニングする際に、ステッパー露光によりコード領域のアルミニウム層をバーコードパターンにパターンニングすることにより、各々のチップに対する個体識別コードをコード領域内に作製する。

また、半導体チップに固有の番号を持たせる従来技術として、プロセスばらつきに対応した識別要素の物理量の相互の大小関係に基づいて、半導体集積回路装置の固有の識別情報を設定する技術が提案されている（特許文献２参照）。当該技術においては、プロセス揺らぎに起因するトランジスタ特性のばらつきから生じるＦＦ（フリップフロップ）の立ち上がりの癖をそれぞれのチップの固有識別情報として活用しようとするものである。
特開平５−１３５２９号公報 国際公開第０２／４５１３９号パンフレット

上述のように、半導体チップ（又は半導体チップを含むパッケージ）自体に固有の番号を持たせることは、製造工程管理の観点（半導体チップがどの時期の拡散工程で形成されたものか、どのロットから得られたものか、どのウェハから得られたものか、又はウェハのどの位置から取り出されたものか等の情報）においても非常に重要となる。

しかしながら、人為的に半導体チップ等に固有番号を割り振りした場合、情報セキュリティーの観点で固有番号の偽造等が問題となる。従って、近年のICマネー、ICタグ又はICカード等への応用を考えると、外部から変更不可能な固有番号を半導体チップ（又は半導体チップを含むパッケージ）自体に付加することが非常に重要となる。すなわち、人為的に偽造不可能な半導体チップを提供することが非常に重要となる。また、この固有番号を半導体チップ等に付加する際にはコスト低減の観点から可能な限り簡便な方法が望まれる。

また、市場に出荷された半導体チップが使用段階で不良（以下、市場不良という）となった場合には当該半導体チップを回収すると共に当該半導体チップに割り当てられていた固有番号（情報セキュリティーに守られた固有番号）を再度認識することによって、不良原因の調査を短期間に実施し、製造メーカーとして顧客の信頼を得ることも重要である。

以上のように、半導体チップ（又は半導体チップを含む半導体パッケージ）への固有番号の割り振りにおいては、情報セキュリティーに守られた偽造できない番号を割り振ること、及び市場不良時に顧客思考の点で早期に対策を講じるために不良半導体チップの固有番号を容易に抽出できることが望まれる。

ところが、半導体チップにバーコードを作製する等の従来技術（特許文献１参照）においては、バーコードを半導体チップに人為的に割り振るため、情報セキュリティーの観点で固有番号の偽造等が問題となる。

また、プロセスばらつきに対応した識別要素の物理量の相互の大小関係に基づいて半導体集積回路装置に固有の識別情報を設定する従来技術（特許文献２参照）においては、プロセスばらつきを固有識別情報の設定に利用するため、人為的に割り振った値ではない固有識別情報、つまり情報セキュリティーに守られた固有識別情報が得られる。しかし、前述のようにＦＦ（フリップフロップ）回路の作製を追加的に行なう必要があるという問題、また、プロセスばらつきに対応した識別要素の電気特性のばらつきを固有識別情報の設定に応用するためにランダムな固有識別情報を得ることがやや困難になるという問題がある。また、固有識別情報の設定及び抽出に際して識別要素の電気特性を評価する必要があるが、半導体チップを市場に出荷するときと半導体チップが市場不良となって回収されたときとの間で、電気特性劣化に起因する固有識別情報の劣化又は変化が生じる可能性があるという問題がある。最悪の場合には、市場不良後の半導体チップの固有識別情報を得るために電気特性を評価しようとしても、当該半導体チップが電気的に不良となっており、回路自体が動作しない結果、当該半導体チップの固有識別情報を取得できないという問題が起こる。

前記に鑑み、本発明は、半導体チップ（又は半導体チップを含む半導体パッケージ）等への固有識別情報の割り振りにおいて、情報セキュリティーに守られた偽造できないランダムな固有識別情報を提供できること、及び半導体チップ等の市場不良時に顧客思考の点で早期に対策を講じるために不良半導体チップ等の固有識別情報を確実に抽出できるようにすることを目的とする。

前記に鑑み、本発明に係る半導体パッケージのＩＤ化装置は、半導体パッケージが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する機能と、選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する機能と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成する機能とを備えている。

本発明に係る半導体集積回路チップのＩＤ化装置は、半導体集積回路チップが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する機能と、選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する機能と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成する機能とを備えている。

本発明に係る半導体パッケージのＩＤ認識装置は、半導体パッケージが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する機能と、選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する機能と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成する機能と、生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する機能と、選択された前記形状特性を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する機能とを備えている。

本発明に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識装置は、半導体集積回路チップが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する機能と、選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する機能と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成する機能と、生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する機能と、選択された前記形状特性を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する機能とを備えている。

本発明に係る第１の半導体パッケージのＩＤ認識方法は、半導体パッケージが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する工程と、選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する工程と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成する工程と、生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、選択された前記形状特性を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えている。

本発明に係る第１の半導体集積回路チップのＩＤ認識方法は、半導体集積回路チップが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する工程と、選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する工程と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成する工程と、生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、選択された前記形状特性を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えている。

本発明に係る半導体パッケージは、識別用ＩＤを生成するための固有情報としてパッケージ表面の凹凸形状を測定するための固有情報読み取り領域を備え、前記固有情報読み取り領域内に測定時の起点となるパターンが設けられている。

本発明の半導体パッケージにおいて、前記固有情報読み取り領域のパッケージ表面が物理的に保護されていてもよい。

本発明に係る第２の半導体パッケージのＩＤ認識方法は、半導体パッケージの表面における凹凸形状を固有情報として測定する工程と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、前記凹凸形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えている。

本発明に係る第３の半導体パッケージのＩＤ認識方法は、半導体パッケージ内に設けられたボンディングワイヤの引き出し角度を固有情報として測定する工程と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、前記引き出し角度を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えている。

本発明に係る第４の半導体パッケージのＩＤ認識方法は、半導体パッケージ内に設けられたボンディング部の形状を固有情報として測定する工程と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、前記ボンディング部の形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えている。

本発明に係る第５の半導体パッケージのＩＤ認識方法は、半導体パッケージ内に設けられたバンプの形状を固有情報として測定する工程と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、前記バンプの形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えている。

本発明に係る第１の半導体集積回路チップは、識別用ＩＤを生成するための固有情報として構成要素の形状特性を測定するための固有情報読み取り領域を表面、側面又は裏面に備えている。

第１の半導体集積回路チップにおいて、前記構成要素は金属膜であり、前記形状特性は前記金属膜のグレイン境界の形状であり、前記固有情報読み取り領域において前記金属膜の少なくとも一部分が露出していてもよい。

第１の半導体集積回路チップにおいて、前記構成要素は配線であり、前記形状特性は前記配線のエッジ形状であり、前記固有情報読み取り領域において前記配線の少なくとも一部分が露出していてもよい。

第１の半導体集積回路チップにおいて、前記固有情報読み取り領域は、ボンディングワイヤが接続されるボンディングパッドの形成領域以外の他の領域に設けられていてもよい。

第１の半導体集積回路チップにおいて、前記金属膜又は前記配線は、銅、アルミニウム、タングステン又はそれらの合金であってもよい。

本発明に係る第２の半導体集積回路チップのＩＤ認識方法は、半導体集積回路チップ内に設けられた金属膜のグレイン境界の形状を固有情報として測定する第１の工程と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する第２の工程と、前記グレイン境界の形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する第３の工程とを備えている。

第２の半導体集積回路チップにおいて、前記第１の工程は、前記金属膜のグレインの画像を取得した後、該画像に対して画像処理を行なうことにより前記金属膜のグレイン境界の形状を抽出する工程を含み、前記第２の工程は、前記第１の工程で抽出されたグレイン境界同士が結合する点を抽出し、抽出された点の位置を前記識別用ＩＤとして前記データベースに蓄積する工程を含めてもよい。

本発明に係る第３の半導体集積回路チップのＩＤ認識方法は、半導体集積回路チップ内に設けられた配線のエッジ形状を固有情報として測定する工程と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、前記エッジ形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えている。

本発明に係る第４の半導体集積回路チップのＩＤ認識方法は、半導体集積回路チップの側面にチップ切断時に生じた凹凸又はあれの形状を固有情報として測定する工程と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、前記凹凸又は前記あれの形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えている。

本発明に係る第２の半導体集積回路チップは、識別用ＩＤを生成するための固有情報として裏面形状を測定するための固有情報読み取り領域を裏面に備え、前記固有情報読み取り領域内に測定時の起点となるパターンが設けられている。

本発明に係る第５の半導体集積回路チップのＩＤ認識方法は、半導体集積回路チップの裏面形状を固有情報として測定する工程と、測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、前記裏面形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えている。

本発明によると、半導体パッケージ又は半導体チップ（以下、「チップ等」と称することもある）が有する形状特性をチップ等の固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能な識別用ＩＤ（以下、「チップＩＤ等」と称することもある）をチップ等に割り振ることができる。また、半導体チップの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、チップ等が持つランダムな固有情報を再度測定してチップＩＤ等を再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しないチップ等についても、ランダムな固有情報である形状特性をチップＩＤ等として用いているため、チップ等の電気回路動作とは無関係にチップＩＤ等の再抽出が可能となるので、本発明の効果は非常に大きい。

（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ化装置について図面を参照しながら説明する。

図１は、第１の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ化装置の概略構成の一例を示す図である。図１に示すように、本実施形態のＩＤ化装置１００は、半導体パッケージ（具体的には半導体集積回路チップを含んだ半導体パッケージ）が有する複数の形状特性の中から固有情報として取り扱う形状特性を選択すると共に半導体パッケージにおける選択された形状特性（つまり固有情報）の測定箇所を指定する評価測定部／評価情報設定機１０１と、固有情報の測定・抽出に用いられる測定機１０２と、測定された固有情報をＩＤ化して半導体パッケージの識別用ＩＤ（以下、パッケージＩＤという）を生成する固有ＩＤ化機（本実施形態では画像処理機）１０３とを備えている。評価測定部／評価情報設定機１０１は、例えば主制御部（ＣＰＵ：central processing unit ）と記憶装置とから構成されており、メモリ中のプログラムの指令によりＣＰＵが上述した機能を実行すると共に記憶装置との間で必要なデータの入出力を行なう。尚、評価測定部／評価情報設定機１０１は、上述した機能以外に、選択された形状特性の種類つまり固有情報の種類に応じて、使用する測定機１０２を決定する機能を有していてもよい。また、評価測定部／評価情報設定機１０１と測定機１０２と画像処理機１０３とは互いにネットワーク１０４を介して接続されている。

ここで、本実施形態の特徴は、半導体パッケージが有する形状特性を固有情報に設定するため、物理的にランダムな固有情報が得られることである。

以下、本実施形態のＩＤ化装置による半導体パッケージのＩＤ化方法について説明する。図２は、本実施形態のＩＤ化方法のフローを示している。

本実施形態においては、まず、ステップＳ１０１において、評価測定部／評価情報設定機１０１を用いて、物理的にランダムな固有情報として取り扱う半導体パッケージの形状特性を選択すると共に選択された形状特性（つまり固有情報）の測定箇所を設定する。尚、半導体パッケージの形状特性とは、例えば、パッケージ表面部が有する凹凸（一般的にパッケージ用の樹脂としては、シリコンフィラーを混入したプラスチック樹脂が用いられているため、パッケージ表面部には凹凸が存在する）、パッケージ内の半導体チップと接続されるリード線（ボンディングワイヤ）の角度、リード線を半導体チップのボンディングパッドに接続するボンディング部の形状、又はリード線に代えて用いられるバンプ（バンプ接続部）の形状等のことであって、物理的にランダムな固有情報として取り扱えるものであれば特に限定されない。

次に、ステップＳ１０２において、測定機１０２を用いて、ステップＳ１０１で選択された形状特性つまり物理的にランダムな固有情報の測定・抽出を半導体パッケージに対して行なう。本実施形態の測定機１０２として、例えばパッケージ表面部が有する凹凸の形状の観察には、表面ＳＥＭ（scanning electron microscope）、ＡＦＭ（atomic force microscope ）又は顕微鏡等を用いることができる。また、リード線の角度、ボンディング部の形状又はバンプの形状等の観察には、Ｘ線を用いて透視観察等を行なえる測定機等を用いることができる。

最後に、ステップＳ１０３において、画像処理機（固有ＩＤ化機）１０３を用いて、ステップＳ１０２で測定抽出した情報（データ）のＩＤ化を行ない、それによって、対象となる半導体パッケージに固有のＩＤ（パッケージＩＤ）を作成する。具体的には、測定機１０２により測定された、物理的にランダムな固有情報に関するデータ（例えば表面ＳＥＭによる観察により得られた写真等の画像）に対して、画像処理機１０３による画像処理を行ない、それによって得られたデータをパッケージＩＤとする。これにより、半導体パッケージの固有ＩＤ化が行なわれる。

尚、半導体パッケージの固有ＩＤ化に画像処理を用いた場合、データ圧縮（縮小）が可能になるという重要な効果が得られ、これによって、多大な評価対象の半導体パッケージが多数ある場合にも各半導体パッケージの固有ＩＤ化を効率的に実施することができる。

また、以上のように得られたパッケージＩＤは、該当半導体パッケージの製造情報（製造工場、製造ライン、製造日時、ロット番号、ウェハ番号、チップ番号）と共に例えばコンピュータの記憶装置に蓄積される。

以上のように、本実施形態によると、半導体パッケージが有する形状特性を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なパッケージＩＤを半導体パッケージに割り振ることができる。また、半導体パッケージの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、半導体パッケージが持つランダムな固有情報を再度測定してパッケージＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体パッケージについても、本実施形態のパッケージＩＤは半導体パッケージの形状特性に基づいて設定されているため、半導体パッケージの電気回路動作とは無関係にパッケージＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態において、測定機１０２により測定抽出された、物理的にランダムな固有情報をそのままパッケージＩＤとして用いてもよいことは言うまでもない。また、当該固有情報のＩＤ化方法として、画像処理以外の他の方法を用いてもよいことは言うまでもない。

（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ化装置について図面を参照しながら説明する。

図３は、第２の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ化装置の概略構成の一例を示す図である。図３に示すように、本実施形態のＩＤ化装置２００は、半導体集積回路チップが有する複数の形状特性の中から固有情報として取り扱う形状特性を選択すると共に半導体チップにおける選択された形状特性（つまり固有情報）の測定箇所を指定する評価測定部／評価情報設定機２０１と、固有情報の測定・抽出に用いられる測定機２０２と、測定された固有情報をＩＤ化してチップＩＤを生成する固有ＩＤ化機（本実施形態では画像処理機）２０３とを備えている。評価測定部／評価情報設定機２０１は、例えば主制御部（ＣＰＵ）と記憶装置とから構成されており、メモリ中のプログラムの指令によりＣＰＵが上述した機能を実行すると共に記憶装置との間で必要なデータの入出力を行なう。尚、評価測定部／評価情報設定機２０１は、上述した機能以外に、選択された形状特性の種類つまり固有情報の種類に応じて、使用する測定機２０２を決定する機能を有していてもよい。また、評価測定部／評価情報設定機２０１と測定機２０２と画像処理機２０３とは互いにネットワーク２０４を介して接続されている。

ここで、本実施形態の特徴は、半導体集積回路チップが有する形状特性を固有情報に設定するため、物理的にランダムな固有情報が得られることである。

以下、本実施形態のＩＤ化装置による半導体集積回路チップのＩＤ化方法について説明する。図４は、本実施形態のＩＤ化方法のフローを示している。

本実施形態においては、まず、ステップＳ２０１において、評価測定部／評価情報設定機２０１を用いて、物理的にランダムな固有情報として取り扱う半導体集積回路チップの形状特性を選択すると共に選択された形状特性（つまり固有情報）の測定箇所を設定する。尚、半導体集積回路チップの形状特性とは、例えば、金属層表面部のグレイン境界、金属配線のエッジ形状、半導体集積回路チップの切断面の形状、又は半導体集積回路チップ裏面の凹凸の形状等のことであって、物理的にランダムな固有情報として取り扱えるものであれば特に限定されない。

次に、ステップＳ２０２において、測定機２０２を用いて、ステップＳ２０１で選択された形状特性つまり物理的にランダムな固有情報の測定・抽出を半導体集積回路チップに対して行なう。本実施形態の測定機２０２として、金属層表面部のグレイン境界及び半導体集積回路チップ裏面の凹凸形状の観察には例えば表面ＳＥＭ又はＡＦＭを用いることができる。また、金属配線のエッジ形状及び半導体集積回路チップの切断面の形状の観察には例えば表面ＳＥＭを用いることができる。

最後に、ステップＳ２０３において、画像処理機（固有ＩＤ化機）２０３を用いて、ステップＳ２０２で測定抽出した情報（データ）のＩＤ化を行ない、それによって、対象となる半導体集積回路チップに固有のＩＤ（チップＩＤ）を作成する。具体的には、測定機２０２により測定された、物理的にランダムな固有情報に関するデータ（例えば表面ＳＥＭによる観察により得られた写真等の画像）に対して、画像処理機２０３による画像処理を行ない、それによって得られたデータをチップＩＤとする。これにより、半導体集積回路チップの固有ＩＤ化が行なわれる。

尚、半導体集積回路チップの固有ＩＤ化に画像処理を用いた場合、データ圧縮（縮小）が可能になるという重要な効果が得られ、これによって、評価対象の半導体集積回路チップが多数ある場合にも各チップの固有ＩＤ化を効率的に実施することができる。

また、以上のように得られたチップＩＤは、該当半導体集積回路チップの製造情報（製造工場、製造ライン、製造日時、ロット番号、ウェハ番号、チップ番号）と共に例えばコンピュータの記憶装置に蓄積される。

以上のように、本実施形態によると、半導体集積回路チップが有する形状特性を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なチップＩＤを半導体集積回路チップに割り振ることができる。また、半導体集積回路チップの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、半導体集積回路チップが持つランダムな固有情報を再度測定してチップＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体集積回路チップについても、本実施形態のチップＩＤは半導体集積回路チップの形状特性に基づいて設定されているため、半導体集積回路チップの電気回路動作とは無関係にチップＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態において、測定機２０２により測定抽出された、物理的にランダムな固有情報をそのままチップＩＤとして用いてもよいことは言うまでもない。また、当該固有情報のＩＤ化方法として、画像処理以外の他の方法を用いてもよいことは言うまでもない。

（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法及びＩＤ認識装置について図面を参照しながら説明する。

図５は第３の実施形態に係る半導体パッケージ（具体的には半導体集積回路を含む半導体パッケージ）のＩＤ認識方法のフローを示している。

本実施形態においては、まず、ステップＳ３０１において、物理的にランダムな固有情報として取り扱う半導体パッケージの形状特性を選択すると共に選択された形状特性（つまり固有情報）の測定箇所を設定する。尚、半導体パッケージの形状特性とは、例えば、パッケージ表面部が有する凹凸（一般的にパッケージ用の樹脂としては、シリコンフィラーを混入したプラスチック樹脂が用いられているため、パッケージ表面部には凹凸が存在する）、パッケージ内の半導体チップと接続されるリード線（ボンディングワイヤ）の角度、リード線を半導体チップのボンディングパッドに接続するボンディング部の形状、又はリード線に代えて用いられるバンプ（バンプ接続部）の形状等のことであって、物理的にランダムな固有情報として取り扱えるものであれば特に限定されない。

次に、ステップＳ３０２において、ステップＳ３０１で選択された形状特性つまり物理的にランダムな固有情報の測定・抽出を半導体パッケージに対して行なう。ここで、物理的にランダムな固有情報の測定機として、例えばパッケージ表面部が有する凹凸形状の観察には、表面ＳＥＭ、ＡＦＭ又は顕微鏡等を用いることができる。また、リード線の角度、ボンディング部の形状又はバンプの形状等の観察には、Ｘ線を用いて透視観察等を行なえる測定機等を用いることができる。

次に、ステップＳ３０３において、例えば画像処理機を用いて、ステップＳ３０２で測定抽出した情報（データ）のＩＤ化を行ない、それによって、対象となる半導体パッケージに固有のＩＤ（パッケージＩＤ）を作成する。具体的には、前述の測定機により測定された、物理的にランダムな固有情報に関するデータ（例えば表面ＳＥＭによる観察により得られた写真等の画像）に対して、画像処理機による画像処理を行ない、それによって得られたデータをパッケージＩＤとする。これにより、半導体パッケージの固有ＩＤ化が行なわれる。

尚、半導体パッケージの固有ＩＤ化に画像処理を用いた場合、データ圧縮（縮小）が可能になるという重要な効果が得られ、これによって、評価対象の半導体パッケージが多数ある場合にも各半導体パッケージの固有ＩＤ化を効率的に実施することができる。

また、以上のように得られたパッケージＩＤは、該当半導体パッケージの製造情報（製造工場、製造ライン、製造日時、ロット番号、ウェハ番号、チップ番号）と共にコンピュータの記憶装置に設けられたデータベースに蓄積される。

その後、ステップＳ３０４において、パッケージＩＤが設定された半導体パッケージは製品として市場に出荷され、一般的な電気機器に使用される。

尚、従来の半導体パッケージには、製品番号や製造メーカー等がパッケージ表面に印字される場合が多いが、物理的にランダムな固有情報がパッケージＩＤとして設定された本実施形態の半導体パッケージにおいても製品番号や製造メーカー等をパッケージ表面に印字しても全く問題ない。この場合、印字に加えて、物理的にランダムな固有情報をパッケージＩＤとして用いていることが半導体パッケージの特徴となる。もちろん、本実施形態において、パッケージ表面の印字を行なわずに、物理的にランダムな固有情報をパッケージＩＤとして用いるだけでもよい。すなわち、従来の半導体パッケージの表面における製品番号や製造メーカー等の印字は非常に簡単に偽造されてしまうため、半導体集積回路チップを含む半導体パッケージの偽造防止のために全く役立たないのに対して、物理的にランダムな固有情報を用いた本発明のパッケージＩＤによると、半導体パッケージの偽造を確実に防止することができる。

次に、製品として市場に出荷された半導体パッケージが市場不良となった場合、その製造履歴を調査するため、ステップＳ３０５において、当該半導体パッケージを回収する。

次に、ステップＳ３０６において、ステップＳ３０１で選択された形状特性つまり物理的にランダムな固有情報の測定・抽出を、市場不良となって回収された半導体パッケージに対して再度行なう。続いて、測定抽出された、物理的にランダムな固有情報を、前記のデータベースに製品出荷前に蓄積されているパッケージＩＤと照合することによって、当該半導体パッケージのパッケージＩＤを再取得する。以上のように、市場不良となって回収された半導体パッケージのパッケージＩＤが再確認されるため、当該半導体パッケージの製造履歴等を簡単に調査することができるので、早急な不良原因究明が可能となる。

以上のように、本実施形態によると、半導体パッケージが有する形状特性を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なパッケージＩＤを半導体パッケージに割り振ることができる。また、半導体パッケージの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、半導体パッケージが持つランダムな固有情報を再度測定してパッケージＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体パッケージについても、本実施形態のパッケージＩＤは半導体パッケージの形状特性に基づいて設定されているため、半導体パッケージの電気回路動作とは無関係にパッケージＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法を実施するためのＩＤ認識装置は、図１に示す第１の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ化装置に、パッケージＩＤをデータベースに蓄積する機能と、例えば第１の実施形態の測定機１０２により再測定された固有情報を、前記データベースの蓄積内容と照合することによって、半導体パッケージのパッケージＩＤを再取得する機能とを付加することによって構成することができる。ここで、両機能は、第１の実施形態の評価測定部／評価情報設定機１０１と同様に、ＣＰＵと記憶装置とによって実現することができる。すなわち、メモリ中のプログラムの指令によりＣＰＵが両機能を実行すると共に記憶装置との間で必要なデータの入出力を行なうのである。

また、本実施形態において、測定機により測定抽出された、物理的にランダムな固有情報をそのままパッケージＩＤとして用いてもよいことは言うまでもない。また、当該固有情報のＩＤ化方法として、画像処理以外の他の方法を用いてもよいことは言うまでもない。

（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法及びＩＤ認識装置について図面を参照しながら説明する。

図６は第４の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法のフローを示している。

本実施形態においては、まず、ステップＳ４０１において、物理的にランダムな固有情報として取り扱う半導体集積回路チップの形状特性を選択すると共に選択された形状特性（つまり固有情報）の測定箇所を設定する。尚、半導体集積回路チップの形状特性とは、例えば、金属層表面部のグレイン境界、金属配線のエッジ形状、半導体集積回路チップの切断面の形状、又は半導体集積回路チップ裏面の凹凸形状等のことであって、物理的にランダムな固有情報として取り扱えるものであれば特に限定されない。

次に、ステップＳ４０２において、ステップＳ３０１で選択された形状特性つまり物理的にランダムな固有情報の測定・抽出を半導体集積回路チップに対して行なう。ここで、物理的にランダムな固有情報の測定機として、金属層表面部のグレイン境界及び半導体集積回路チップ裏面の凹凸形状の観察には例えば表面ＳＥＭ又はＡＦＭを用いることができる。また、金属配線のエッジ形状及び半導体集積回路チップの切断面の形状の観察には例えば表面ＳＥＭを用いることができる。

次に、ステップＳ４０３において、例えば画像処理機を用いて、ステップＳ４０２で測定抽出した情報（データ）のＩＤ化を行ない、それによって、対象となる半導体集積回路チップに固有のＩＤ（チップＩＤ）を作成する。具体的には、前述の測定機により測定された、物理的にランダムな固有情報に関するデータ（例えば表面ＳＥＭによる観察により得られた写真等の画像）に対して、画像処理機による画像処理を行ない、それによって得られたデータをチップＩＤとする。これにより、半導体集積回路チップの固有ＩＤ化が行なわれる。

尚、半導体集積回路チップの固有ＩＤ化に画像処理を用いた場合、データ圧縮（縮小）が可能になるという重要な効果が得られ、これによって、評価対象の半導体集積回路チップが多数ある場合にも各チップの固有ＩＤ化を効率的に実施することができる。

また、以上のように得られたチップＩＤは、該当半導体集積回路チップの製造情報（製造工場、製造ライン、製造日時、ロット番号、ウェハ番号、チップ番号）と共にコンピュータの記憶装置に設けられたデータベースに蓄積される。

その後、ステップＳ４０４において、チップＩＤが設定された半導体集積回路チップは製品として市場に出荷され、一般的な電気機器に使用される。

尚、従来の半導体集積回路チップにおいては、チップ同士の間で認識できる番号、例えば製造番号等の設定が個々のチップ毎には行なわれていなかった。また、従来例として、半導体集積回路チップにバーコードを作製する等の方法が実施されているが（特許文献１参）、このような人為的に作製された番号は、半導体集積回路チップの偽造防止には全く役立たない。それに対して、物理的にランダムな固有情報を用いた本発明のチップＩＤによると、半導体集積回路チップの偽造を確実に防止することができる。

次に、製品として市場に出荷された半導体集積回路チップが市場不良となった場合、その製造履歴を調査するため、ステップＳ４０５において、当該半導体集積回路チップを回収する。

次に、ステップＳ４０６において、ステップＳ４０１で選択された形状特性つまり物理的にランダムな固有情報の測定・抽出を、市場不良となって回収された半導体集積回路チップに対して再度行なう。続いて、測定抽出された、物理的にランダムな固有情報を、前記のデータベースに製品出荷前に蓄積されているチップＩＤと照合することによって、当該半導体集積回路チップのチップＩＤを再取得する。以上のように、市場不良となって回収された半導体集積回路チップのチップＩＤが再確認されるため、当該半導体集積回路チップの製造履歴等を簡単に調査することができるので、早急な不良原因究明が可能となる。

以上のように、本実施形態によると、半導体集積回路チップが有する形状特性を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なチップＩＤを半導体集積回路チップに割り振ることができる。また、半導体集積回路チップの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、半導体集積回路チップが持つランダムな固有情報を再度測定してチップＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体集積回路チップについても、本実施形態のチップＩＤは半導体集積回路チップの形状特性に基づいて設定されているため、半導体集積回路チップの電気回路動作とは無関係にチップＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法を実施するためのＩＤ認識装置は、図３に示す第２の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ化装置に、チップＩＤをデータベースに蓄積する機能と、例えば第２の実施形態の測定機２０２により再測定された固有情報を、前記データベースの蓄積内容と照合することによって、半導体集積回路チップのチップＩＤを再取得する機能とを付加することによって構成することができる。ここで、両機能は、第２の実施形態の評価測定部／評価情報設定機２０１と同様に、ＣＰＵと記憶装置とによって実現することができる。すなわち、メモリ中のプログラムの指令によりＣＰＵが両機能を実行すると共に記憶装置との間で必要なデータの入出力を行なうのである。

また、本実施形態において、測定機により測定抽出された、物理的にランダムな固有情報をそのままチップＩＤとして用いてもよいことは言うまでもない。また、当該固有情報のＩＤ化方法として、画像処理以外の他の方法を用いてもよいことは言うまでもない。

（第５の実施形態）
以下、本発明の第５の実施形態に係る半導体パッケージについて図面を参照しながら説明する。

図７（ａ）は第５の実施形態に係る半導体パッケージ（半導体集積回路チップを含む半導体パッケージ）の断面構成の一例を示す図である。最近の半導体パッケージの実装技術としては、複数の半導体チップを積層して実装するＳＥＰ（System-Embedded-Package ）やチップサイズの小面積での実装が可能なＣＳＰ（Chip-Size-Package ）等があるが、図７（ａ）に示す本実施形態の半導体パッケージ１０は、ＣＳＰの１つであるLead Frame CSPである。尚、本実施形態においては、Lead Frame CSPを例として説明するが、その他のパッケージ技術を用いた半導体パッケージに本発明を適用できることは言うまでもない。

図７（ａ）に示すように、半導体チップ１１はリードフレームのダイパッド部１２の上に接着層１３を介して搭載されている。半導体チップ１１とリードフレームの外部端子部１４とはボンディングワイヤ（リード線）１５を介して電気的に接続されている。半導体チップ１１、ダイパッド部１２、接着層１３、外部端子部１４及びボンディングワイヤ（リード線）１５は樹脂パッケージ１６によって覆われている。

図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す本実施形態の半導体パッケージを裏面側から見た様子を示している。図７（ｂ）に示すように、パッケージ裏面には、電気機器に接続するための外部端子部１４が露出している。尚、本実施形態のLead Frame CSPでは半導体チップ（半導体集積回路チップ）１１の全体が樹脂によって覆われている。樹脂としては一般的に、強度等を確保するためにシリコンフィラーが混入されたプラスチック樹脂が用いられている。

図７（ｃ）は、図７（ａ）に示す本実施形態の半導体パッケージを表面側から見た様子を示している。図７（ｃ）に示すように、半導体パッケージの表面には、製品番号及び製造メーカー等が印字された印字部１７が設けられている。本実施形態の特徴は、製品番号等の印字部１７以外に、物理的にランダムな固有情報（パッケージＩＤを生成するために用いられる）としてパッケージ表面の凹凸形状を読み取るための固有情報読み取り領域１８が半導体パッケージの表面に設けられていることである。ここで、樹脂パッケージ１６の表面の凹凸は、樹脂パッケージ１６を構成するプラスチック樹脂がシリコンフィラーを含有しているために生じる物理的にランダムな凹凸である。

図７（ｄ）は、図７（ｃ）の一点鎖線で囲んだ領域（固有情報読み取り領域１８）を拡大した図である。図７（ｄ）に示すように、本実施形態においては、パッケージ表面の凹凸形状の測定起点が明確になるように固有情報読み取り領域１８内に起点パターン１９が設けられている。

本実施形態によると、例えば起点パターン１９をＸ−Ｙ軸の原点として、例えばＳＥＭ観察等によってパッケージ表面の凹凸形状を測定評価することにより、各半導体パッケージ毎に異なった固有情報を得ることが可能になる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なパッケージＩＤを半導体パッケージに割り振ることができる。また、半導体パッケージの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、半導体パッケージが持つランダムな固有情報を再度測定してパッケージＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体パッケージについても、本実施形態のパッケージＩＤは半導体パッケージの形状特性に基づいて設定されているため、半導体パッケージの電気回路動作とは無関係にパッケージＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

（第６の実施形態）
以下、本発明の第６の実施形態に係る半導体パッケージについて図面を参照しながら説明する。

本実施形態が第５の実施形態と異なっている点は、固有情報読み取り領域１８のパッケージ表面が保護膜によって覆われている点である。

図８（ａ）は、第５の実施形態に係る半導体パッケージを表面側から見た様子を示し、図８（ｂ）は、本実施形態に係る半導体パッケージを表面側から見た様子を示している。尚、図８（ａ）及び（ｂ）において、図７（ａ）〜（ｄ）に示す第５の実施形態に係る半導体パッケージと同一の構成要素には同一の符号を付している。図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る半導体パッケージにおいては、第５の実施形態と異なり、固有情報読み取り領域１８のパッケージ表面が保護膜２０によって覆われている。

本実施形態によると、第５の実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果が得られる。すなわち、半導体パッケージが市場に出回った際にも、固有情報読み取り領域１８のパッケージ表面が人手に触れて汚れることを保護膜２０によって防止できる。

尚、本実施形態において、保護膜２０を例えばプラスチック等によって形成することができるが、固有情報読み取り領域１８のパッケージ表面への外部からの接触を防止できる材料であれば、保護膜２０の材料として、プラスチック以外の他の材料を用いてもよい。

（第７の実施形態）
以下、本発明の第７の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法について図面を参照しながら説明する。

図９（ａ）は、本実施形態で用いられている半導体パッケージを表面側から見た様子を示している。尚、本実施形態で用いられている半導体パッケージは、基本的に第５の実施形態に係る半導体パッケージと同様であり、図９（ａ）において、図７（ａ）〜（ｄ）に示す第５の実施形態に係る半導体パッケージと同一の構成要素には同一の符号を付している。図９（ａ）に示すように、半導体パッケージの表面には、製品番号及び製造メーカー等が印字された印字部１７、及び物理的にランダムな固有情報（パッケージＩＤを生成するために用いられる）としてパッケージ表面の凹凸形状を読み取るための固有情報読み取り領域２１が設けられている。

図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す固有情報読み取り領域２１を拡大した図である。図９（ｂ）に示すように、パッケージ表面の凹凸形状の測定起点が明確になるように固有情報読み取り領域２１内に起点パターン２２が設けられている。本実施形態では、固有情報読み取り領域２１内のパッケージ表面の凹凸形状の測定を起点パターン２２から開始する。

本実施形態においては、半導体パッケージ表面の凹凸形状を例えば表面ＳＥＭ分析（２次電子走査電子顕微鏡による分析）により評価し、それによって例えば図９（ｃ）に示すような画像を得る。図９（ｃ）は、図９（ｂ）に示す固有情報読み取り領域２１内における太線に囲まれた領域のパッケージ表面の凹凸形状を示す平面図であり、図９（ｄ）は、図９（ｃ）におけるＡ−Ａ’線の断面図である。本実施形態では、樹脂パッケージ１６が、シリコンフィラーを含んだプラスチック樹脂から構成されているため、図９（ｃ）及び（ｄ）に示すように、パッケージ表面にはミクロレベル（μｍオーダー）で凹凸２３が生じるので、この凹凸２３の様子を表面ＳＥＭにより画像として取得する。

また、本実施形態においては、前述のように取得された、物理的にランダムな固有情報である半導体パッケージ表面の凹凸形状の画像に対して、画像処理によるエッジ抽出を実施し、その結果をパッケージＩＤとして用いる。図９（ｅ）は、図９（ｃ）に示す画像に対してエッジ抽出を行なうことにより得られたデータ（凹凸２３のエッジ２３ａの形状をＸＹ座標上で表したデータ）を示している。

尚、本実施形態において、表面ＳＥＭにより得られた画像（以下、表面ＳＥＭ画像という）に対してさらにエッジ抽出を実施する理由は、次の通りである。すなわち、物理的にランダムな固有情報を個々の半導体パッケージのＩＤとして用いる場合、表面ＳＥＭ画像自体をＩＤとして用いることも可能であるが、この場合、画像データの量が増加する。それに対して、表面ＳＥＭ画像に対してエッジ抽出等の手法を適用して得られたデータをＩＤとして用いる場合、データ量を縮小（圧縮）できるので、パッケージＩＤの保存及び照合を効率的に行なうことができる。

本実施形態においては、前述のように、エッジ抽出により得られた、例えば図９（ｅ）に示すようなデータを、測定評価対象の半導体パッケージ独自の物理的にランダムで且つ新たな固有情報、つまりパッケージＩＤとして用いる。

図１０は第７の実施形態に係る半導体パッケージ（具体的には半導体集積回路を含む半導体パッケージ）のＩＤ認識方法のフローを示している。

まず、ステップＳ７０１において、前述のように、個々の半導体パッケージの固有情報を測定抽出してＩＤ化した後、得られたパッケージＩＤを、コンピュータの記憶装置に設けられたデータベースに保存する。このとき、パッケージＩＤと共に、該当半導体パッケージの製造情報（製造工場、製造ライン、製造日時、ロット番号、ウェハ番号、チップ番号）又は該当半導体パッケージにパッケージングされている半導体チップの情報（当該半導体チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）がデータベースに保存される。

その後、ステップＳ７０２において、パッケージＩＤが設定された半導体パッケージは通常通り製品として市場に出荷される。

次に、製品として市場に出荷された半導体パッケージが正常に動作している場合は全く問題ないが、市場不良となった場合には、ステップＳ７０３において、当該不良半導体パッケージを回収して、不良原因の究明を実施する。すなわち、不良原因を早期に究明してその対策を講じることは、顧客が最大限に重要である現在の企業にとって当然の義務であると共に責任でもあるからである。

具体的には、ステップＳ７０４において、図９（ａ）に示す半導体パッケージの固有情報読み取り領域２１に対して、再度、物理的にランダムな固有情報であるパッケージ表面の凹凸形状の測定（本実施形態では表面ＳＥＭを用いた再評価）を実施する。続いて、測定抽出された、パッケージ表面の凹凸の形状を、前記のデータベースに製品出荷前に蓄積されているパッケージＩＤと照合することによって、当該半導体パッケージのパッケージＩＤを再取得する。これにより、再取得されたパッケージＩＤに基づいて、当該半導体パッケージにパッケージングされている半導体チップの情報（当該半導体チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）を早期に入手することができるので、早急な不良原因究明が可能となる。また、物理的にランダムな固有情報を用いてパッケージＩＤを設定しているので、当該半導体パッケージの製造企業のみが、パッケージＩＤを含む当該半導体パッケージが有する種々の情報を再取得できる。

以上のように、本実施形態によると、半導体パッケージの表面の凹凸形状を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なパッケージＩＤを半導体パッケージに割り振ることができる。言い換えると、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能な半導体パッケージ（半導体集積回路チップを含む半導体パッケージ）を提供することができる。また、半導体パッケージの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、ランダムな固有情報であるパッケージ表面の凹凸形状を再度測定してパッケージＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体パッケージについても、本実施形態のパッケージＩＤは半導体パッケージの形状特性に基づいて設定されているため、半導体パッケージの電気回路動作とは無関係にパッケージＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態において、パッケージ表面の凹凸形状をＩＤ化する方法が、画像処理によるエッジ抽出に限られないことは言うまでもない。

（第８の実施形態）
以下、本発明の第８の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法について図面を参照しながら説明する。

本実施形態の特徴は、半導体パッケージ内のリード線（ボンディングワイヤ）の引き出し角度（ボンディングパッドからボンディングワイヤが延びる方向）を物理的にランダムな固有情報として設定することである。

図１１（ａ）は、本実施形態で用いられている半導体パッケージにパッケージングされている半導体集積回路チップを表面側から見た様子を示している。

図１１（ａ）に示すように、半導体集積回路チップ３０の表面には、ボンディングワイヤ３３が接続されるボンディングパッド３１が設けられている。ボンディングワイヤ３３の一端は、ボンディング部３２を介してボンディングパッド３１に取り付けられている。図示は省略しているが、ボンディングワイヤ３３の他端は、半導体パッケージの外部端子に接続されている。

本実施形態では、ボンディングワイヤ３３の引き出し角度を物理的にランダムな固有情報として取り扱うと共に、該固有情報の設計値からのずれに基づいてパッケージＩＤの設定を行なう。

具体的には、図１１（ｂ）に示すように、ボンディング部３２から見てボンディングワイヤ３３が設計角度よりも左側に延びている場合には「０」を設定すると共に、ボンディング部３２から見てボンディングワイヤ３３が設計角度よりも右側に延びている場合には「１」を設定する。最近の一般的な半導体集積回路チップにおけるパッド数は１００〜３００程度であり、本実施形態で例えばパッド数が１００であるとすると、前述の「０」、「１」の設定方法によって１０³⁰通り以上の数値を生成できるため、物理的にランダムな固有情報であるボンディングワイヤの引き出し角度に基づいてパッケージＩＤを設定することが可能になる。

本実施形態においては、まず、各ボンディングワイヤの引き出し角度をＸ線透視法を用いて測定する。図１２は、ボンディングワイヤのＸ線透視写真の一例を示している。続いて、得られたボンディングワイヤの引き出し角度の画像情報に基づいて、図１１（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤの引き出し角度の設計値からのずれを数値化することによって、パッケージＩＤを設定する。

以上のように個々の半導体パッケージについてパッケージＩＤの設定を行なった後、第７の実施形態と同様に、得られたパッケージＩＤを、コンピュータの記憶装置に設けられたデータベースに保存する。このとき、パッケージＩＤと共に、該当半導体パッケージの製造情報（製造工場、製造ライン、製造日時、ロット番号、ウェハ番号、チップ番号）又は該当半導体パッケージにパッケージングされている半導体チップの情報（当該半導体チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）がデータベースに保存される。

その後、パッケージＩＤが設定された半導体パッケージは通常通り製品として市場に出荷される。

次に、製品として市場に出荷された半導体パッケージが市場不良となった場合には、当該不良半導体パッケージを回収して、不良原因の究明を実施する。具体的には、当該不良半導体パッケージに対して、再度、物理的にランダムな固有情報であるボンディングワイヤの引き出し角度の測定（本実施形態ではＸ線透視法を用いた再評価）を実施する。続いて、測定抽出された、ボンディングワイヤの引き出し角度を図１１（ｂ）に示すように数値化し、その結果を、前記のデータベースに製品出荷前に蓄積されているパッケージＩＤと照合することによって、当該半導体パッケージのパッケージＩＤを再取得する。これにより、再取得されたパッケージＩＤに基づいて、当該半導体パッケージにパッケージングされている半導体チップの情報（当該半導体チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）を早期に入手することができるので、早急な不良原因究明が可能となる。また、物理的にランダムな固有情報を用いてパッケージＩＤを設定しているので、当該半導体パッケージの製造企業のみが、パッケージＩＤを含む当該半導体パッケージが有する種々の情報を再取得できる。

以上のように、本実施形態によると、半導体パッケージ内のボンディングワイヤの引き出し角度を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なパッケージＩＤを半導体パッケージに割り振ることができる。言い換えると、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能な半導体パッケージ（半導体集積回路チップを含む半導体パッケージ）を提供することができる。また、半導体パッケージの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、ランダムな固有情報であるボンディングワイヤの引き出し角度を再度測定してパッケージＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体パッケージについても、本実施形態のパッケージＩＤは半導体パッケージの形状特性に基づいて設定されているため、半導体パッケージの電気回路動作とは無関係にパッケージＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態において、ボンディングワイヤの引き出し角度をＩＤ化する方法が、図１１（ｂ）に示すような数値化に限られないことは言うまでもない。例えば、図１２に示すような、複数のボンディングワイヤの引き出し角度を示す画像情報をそのままパッケージＩＤとして用いてもよいことは言うまでもない。

（第９の実施形態）
以下、本発明の第９の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法について図面を参照しながら説明する。

本実施形態の特徴は、半導体パッケージ内のボンディング部（ボンディングワイヤとボンディングパッドとの接続部分）の形状を物理的にランダムな固有情報としていることである。

図１３（ａ）は、本実施形態で用いられている半導体パッケージにパッケージングされている半導体集積回路チップ上のボンディング部（複数）の平面形状を示している。図１３（ａ）に示すように、ボンディングワイヤ３３はボンディング部３２を介してボンディングパッド３１に取り付けられている。

本実施形態においては、まず、固有情報であるボンディング部の形状を顕微鏡又は表面ＳＥＭ等を用いて撮影し、当該撮影画像に対して画像処理を行なうことによって、例えば図１３（ｂ）に示すように、ボンディング部３２のエッジ形状３２ａを抽出する。本実施形態では、このように抽出したデータ（ボンディング部のエッジ形状）をパッケージＩＤとして用いる。

以上のように個々の半導体パッケージについてパッケージＩＤの設定を行なった後、第７の実施形態と同様に、得られたパッケージＩＤを、コンピュータの記憶装置に設けられたデータベースに保存する。このとき、パッケージＩＤと共に、該当半導体パッケージの製造情報（製造工場、製造ライン、製造日時、ロット番号、ウェハ番号、チップ番号）又は該当半導体パッケージにパッケージングされている半導体チップの情報（当該半導体チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）がデータベースに保存される。

その後、パッケージＩＤが設定された半導体パッケージは通常通り製品として市場に出荷される。

次に、製品として市場に出荷された半導体パッケージが市場不良となった場合には、当該不良半導体パッケージを回収して、不良原因の究明を実施する。具体的には、当該不良半導体パッケージに対して、再度、物理的にランダムな固有情報であるボンディング部の形状の測定（本実施形態では顕微鏡又は表面ＳＥＭを用いた再評価）を実施する。続いて、測定抽出されたボンディング部の形状を、前記のデータベースに製品出荷前に蓄積されているパッケージＩＤと照合することによって、当該半導体パッケージのパッケージＩＤを再取得する。これにより、再取得されたパッケージＩＤに基づいて、当該半導体パッケージにパッケージングされている半導体チップの情報（当該半導体チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）を早期に入手することができるので、早急な不良原因究明が可能となる。また、物理的にランダムな固有情報を用いてパッケージＩＤを設定しているので、当該半導体パッケージの製造企業のみが、パッケージＩＤを含む当該半導体パッケージが有する種々の情報を再取得できる。

以上のように、本実施形態によると、半導体パッケージ内のボンディング部の形状を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なパッケージＩＤを半導体パッケージに割り振ることができる。言い換えると、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能な半導体パッケージ（半導体集積回路チップを含む半導体パッケージ）を提供することができる。また、半導体パッケージの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、ランダムな固有情報であるボンディング部の形状を再度測定してパッケージＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体パッケージについても、本実施形態のパッケージＩＤは半導体パッケージの形状特性に基づいて設定されているため、半導体パッケージの電気回路動作とは無関係にパッケージＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態において、ボンディング部の形状をＩＤ化する方法が、画像処理によるエッジ抽出に限られないことは言うまでもない。

（第１０の実施形態）
以下、本発明の第１０の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法について図面を参照しながら説明する。

本実施形態の特徴は、半導体パッケージ内のバンプの形状を物理的にランダムな固有情報としていることである。

図１４（ａ）は、本実施形態で用いられている半導体パッケージ、具体的にはセラミックＣＳＰ（Ｃ−ＣＳＰ）と呼ばれるパッケージの断面構造を示している。図１４（ａ）に示すように、本実施形態のＣ−ＣＳＰ４０においては、パッケージの縮小化を目的として、セラミックインタポーザ４１と半導体集積回路チップ４２とをバンプ４３を用いて接続している。すなわち、リード線を使用していない。尚、セラミックインタポーザ４１と半導体集積回路チップ４２との間には樹脂４４が充填されている。また、セラミックインタポーザ４１における半導体集積回路チップ４２の搭載面の反対面には外部端子４５が設けられている。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示すＣ−ＣＳＰを裏面側（外部端子側）から見た様子を示している。図１４（ｃ）及び（ｄ）は、セラミックインタポーザ４１と半導体集積回路チップ４２との間のバンプ４３の詳細構造を示している。本実施形態ではバンプ４３は金（Ａｕ）からなる。具体的には、図１４（ｃ）及び（ｄ）に示すように、半導体集積回路チップ４２上のパッド（図示省略）にＡｕバンプ４３ａを形成した後、レベリングを実施して全てのＡｕバンプ４３ａの高さをそろえ、その後、個々のＡｕバンプ４３ａにＡｇ−Ｐｄペースト４３ｂを付着させることによって、セラミックインタポーザ４１と半導体集積回路チップ４２とをバンプ４３により接続する。その後、セラミックインタポーザ４１と半導体集積回路チップ４２との間に樹脂４４を流し込んで半導体集積回路チップ４２を固定する。

本実施形態では、以上のように形成されたＣ−ＣＳＰにおいて、バンプ４３（Ａｕバンプ４３ａ）の形状を物理的にランダムな固有情報として取り扱う。その理由は、図１４（ｄ）に示すように、各Ａｕバンプ４３ａの形状は個々にランダムであって互いに異なるからである。

本実施形態においては、まず、物理的にランダムな固有情報であるＡｕバンプ４３ａの形状をＸ線透視法を用いて測定評価する。Ｘ線透視法によると、パッケージの側面からＸ線透視を実施できるため、Ｃ−ＣＳＰの完成後においてもバンプの形状を測定することが可能となる。本実施形態では、このように抽出したバンプ形状のデータ又はそれに画像処理を施したデータをパッケージＩＤとして用いる。

以上のように個々の半導体パッケージについてパッケージＩＤの設定を行なった後、第７の実施形態と同様に、得られたパッケージＩＤを、コンピュータの記憶装置に設けられたデータベースに保存する。このとき、パッケージＩＤと共に、該当半導体パッケージの製造情報（製造工場、製造ライン、製造日時、ロット番号、ウェハ番号、チップ番号）又は該当半導体パッケージにパッケージングされている半導体チップの情報（当該半導体チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）がデータベースに保存される。

次に、製品として市場に出荷された半導体パッケージが市場不良となった場合には、当該不良半導体パッケージを回収して、不良原因の究明を実施する。具体的には、当該不良半導体パッケージに対して、再度、物理的にランダムな固有情報であるバンプの形状の測定（本実施形態ではＸ線透視法を用いた再評価）を実施する。続いて、測定抽出されたバンプの形状を、前記のデータベースに製品出荷前に蓄積されているパッケージＩＤと照合することによって、当該半導体パッケージのパッケージＩＤを再取得する。これにより、再取得されたパッケージＩＤに基づいて、当該半導体パッケージにパッケージングされている半導体チップの情報（当該半導体チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）を早期に入手することができるので、早急な不良原因究明が可能となる。また、物理的にランダムな固有情報を用いてパッケージＩＤを設定しているので、当該半導体パッケージの製造企業のみが、パッケージＩＤを含む当該半導体パッケージが有する種々の情報を再取得できる。

以上のように、本実施形態によると、半導体パッケージ内のバンプの形状を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なパッケージＩＤを半導体パッケージに割り振ることができる。言い換えると、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能な半導体パッケージ（半導体集積回路チップを含む半導体パッケージ）を提供することができる。また、半導体パッケージの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、ランダムな固有情報であるバンプの形状を再度測定してパッケージＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体パッケージについても、本実施形態のパッケージＩＤは半導体パッケージの形状特性に基づいて設定されているため、半導体パッケージの電気回路動作とは無関係にパッケージＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

（第１１の実施形態）
以下、本発明の第１１の実施形態に係る半導体集積回路チップ（半導体装置）について図面を参照しながら説明する。尚、第５〜第１０の実施形態においては、半導体パッケージを対象としたパッケージＩＤの割り振りについて説明してきたが、本実施形態及び以降の実施形態においては、半導体集積回路チップを対象としたチップＩＤの割り振りについて説明する。具体的には、半導体集積回路チップ自体が持つ形状特性を物理的にランダムな固有情報として取り扱う。

図１５（ａ）〜（ｃ）は、第１１の実施形態に係る半導体集積回路チップのバリエーションの斜視図である。

図１５（ａ）に示す半導体集積回路チップ５０においては、チップＩＤを生成するための固有情報としてチップ表面部分の形状特性を測定するための固有情報読み取り領域５１がチップ表面に設けられている。

図１５（ｂ）に示す半導体集積回路チップ５０においては、チップＩＤを生成するための固有情報としてチップ側面部分の形状特性を測定するための固有情報読み取り領域５１がチップ側面に設けられている。

図１５（ｃ）に示す半導体集積回路チップ５０においては、チップＩＤを生成するための固有情報としてチップ裏面部分の形状特性を測定するための固有情報読み取り領域５１がチップ裏面に設けられている。

図１５（ａ）〜（ｃ）に示す本実施形態の半導体集積回路チップ（半導体装置）を提供することにより、第１２の実施形態以降で説明するように、半導体集積回路チップが有する形状特性を固有情報として容易に取得することができる。

（第１２の実施形態）
以下、本発明の第１２の実施形態に係る半導体集積回路チップ（半導体装置）について図面を参照しながら説明する。

図１６（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、第１２の実施形態に係る半導体集積回路チップの断面図及び平面図である。尚、図１６（ａ）は図１６（ｂ）におけるＢ−Ｂ’線の断面図である。

図１６（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体集積回路チップとなる基板５０Ａの表面は、ポリイミド等からなるパッシベーション膜５２によって覆われている。パッシベーション膜５２には、基板５０Ａ上のボンディングパッド５３が露出する開口部が設けられている。尚、半導体集積回路チップの実装時には、図１６（ａ）に示すように、ボンディングパッド５３にボンディング部５４を介してボンディングワイヤ５５が取り付けられるか、又はボンディングパッド５３上にバンプが設けられる。

本実施形態の特徴は、基板５０Ａ上で配線を構成する金属膜（例えはＣｕ膜又はＡｌ膜等）５６の表面のグレイン境界を観察できるように、金属膜５６の少なくとも一部分が露出する開口部がパッシベーション膜５２に設けられていることである。すなわち、本実施形態の半導体集積回路チップにおいては、チップＩＤを生成するための固有情報として金属膜５６のグレイン境界の形状を測定するための固有情報読み取り領域５１がチップ表面に設けられている。尚、固有情報読み取り領域５１に露出する金属膜５６、つまりグレイン境界観察用のパターンに、リード線（ボンディングワイヤ）やバンプが接続されることはない。

すなわち、本実施形態によると、半導体集積回路チップのランダムな固有情報として金属膜５６のグレイン境界を測定し、該測定結果に基づいて固有のチップＩＤの割り当てを行なう際に、グレイン境界観察用のパターンである金属膜５６を固有情報読み取り領域５１に露出させているので、グレイン境界の測定を簡単に行なうことができる。

尚、本実施形態において、金属膜５６の材料は特に限定されないが、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）又はこれらの金属を２つ以上含む合金等を用いることができる。

また、本実施形態において、固有情報読み取り領域５１を、チップ表面におけるボンディングパッド５３の形成領域以外の他の領域に設けると、グレイン境界の測定をより簡単に行なうことができる。

（第１３の実施形態）
以下、本発明の第１３の実施形態に係る半導体集積回路チップ（半導体装置）について図面を参照しながら説明する。

図１７（ａ）は、第１３の実施形態に係る半導体集積回路チップの断面図である。

第１２の実施形態と同様に、図１７（ａ）に示すように、半導体集積回路チップとなる基板５０Ａの表面は、ポリイミド等からなるパッシベーション膜５２によって覆われている。パッシベーション膜５２には、基板５０Ａ上のボンディングパッド５３が露出する開口部が設けられている。尚、半導体集積回路チップの実装時には、図１７（ａ）に示すように、ボンディングパッド５３にボンディング部５４を介してボンディングワイヤ５５が取り付けられるか、又はボンディングパッド５３上にバンプが設けられる。

本実施形態の特徴は、配線を形成する際に、エッチング後の配線のエッジ部の形状を観察するための配線５７が形成されていることと、配線５７のエッジ部分の形状を観察できるように、配線５７の少なくとも一部分が露出する開口部がパッシベーション膜５２に設けられていることである。すなわち、本実施形態の半導体集積回路チップにおいては、チップＩＤを生成するための固有情報として配線５７のエッジ形状を測定するための固有情報読み取り領域５１がチップ表面に設けられている。図１７（ｂ）は、固有情報読み取り領域（配線エッジ観察領域）５１に露出する配線５７を拡大して示す平面図である。

すなわち、本実施形態によると、半導体集積回路チップのランダムな固有情報として配線５７のエッジ形状を測定し、該測定結果に基づいて固有のチップＩＤの割り当てを行なう際に、配線エッジ観察用のパターンである配線５７を固有情報読み取り領域５１に露出させているので、エッジ形状の測定を簡単に行なうことができる。

尚、本実施形態において、配線５７の材料は特に限定されないが、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ又はこれらの金属を２つ以上含む合金等を用いることができる。

また、本実施形態において、固有情報読み取り領域５１を、チップ表面におけるボンディングパッド５３の形成領域以外の他の領域に設けると、エッジ形状の測定をより簡単に行なうことができる。

（第１４の実施形態）
以下、本発明の第１４の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法について図面を参照しながら説明する。

尚、本実施形態で用いられる半導体集積回路チップ（半導体装置）は、第１２の実施形態で説明した、金属膜５６の表面が露出した固有情報読み取り領域５１を有する半導体集積回路チップ（図１６（ａ）及び（ｂ）参照）である。

図１８（ａ）は、金属膜５６、具体的には、半導体集積回路チップにおいて配線材料として使用されているＣｕ（銅）膜の表面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察した結果を示している。尚、Ｃｕは物理的にランダムなグレイン境界を持つ。また、Ｃｕ以外の配線材料として用いられるＡｌやＰｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）等も物理的にランダムなグレイン境界を持つ。

本実施形態においては、第１２の実施形態で説明した半導体集積回路チップ（図１６（ａ）及び（ｂ）参照）における固有情報読み取り領域５１に露出する金属膜５６の観察を表面ＳＥＭによって行なった。図１８（ｂ）は、金属膜５６となるＣｕ膜を表面ＳＥＭにより観察した結果（写真）を示している。図１８（ｂ）に示すように、表面ＳＥＭを用いた場合にもＣｕのグレイン境界が明確に観察されていることがわかる。尚、Ｃｕ膜の表面に対して希釈ＨＦ溶液を用いて表面処理を行なうことによって、Ｃｕのグレイン境界をより明瞭に観察することができる。また、本実施形態において、表面ＳＥＭに代えて、例えばＡＦＭ等によりグレイン境界（正確にはグレイン境界上の段差）を測定してもよい。

本実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法においては、半導体集積回路チップ内に設けられた金属膜５６のグレイン境界を物理的にランダムな固有情報として測定した後、当該測定値に基づいて当該半導体集積回路チップにチップＩＤを割り振る。

具体的には、まず、前述したように、表面ＳＥＭ観察を行なうことによって、半導体集積回路チップの固有情報である、金属（Ｃｕ）膜５６のグレイン境界の表面ＳＥＭ写真を取得する。その後、該表面ＳＥＭ写真に対して画像処理を行なうことによって、図１８（ｃ）に示すように、金属（Ｃｕ）膜５６のグレイン境界５６ａを抽出する。さらに、本実施形態においては、図１８（ｄ）に示すように、抽出されたグレイン境界５６ａ同士が結合する点５６ｂを抽出し、図１８（ｅ）に示す点５６ｂの位置情報をチップＩＤとして用いる。

以上のように個々の半導体集積回路チップについてチップＩＤの設定を行なった後、第７の実施形態と同様に、得られたチップＩＤを、コンピュータの記憶装置に設けられたデータベースに保存する。このとき、チップＩＤと共に、当該チップの情報（当該チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）がデータベースに保存される。

その後、チップＩＤが設定された半導体集積回路チップは通常通り製品として市場に出荷される。

次に、製品として市場に出荷された半導体集積回路チップが市場不良となった場合には、当該不良チップを回収して、不良原因の究明を実施する。具体的には、当該不良チップに対して、再度、物理的にランダムな固有情報である金属膜５６のグレイン境界の測定（本実施形態では表面ＳＥＭを用いた再評価）を実施する。続いて、測定抽出されたグレイン境界を、前記のデータベースに製品出荷前に蓄積されているチップＩＤと照合することによって、当該半導体集積回路チップのチップＩＤを再取得する。これにより、再取得されたチップＩＤに基づいて、当該チップの情報（当該チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）を早期に入手することができるので、早急な不良原因究明が可能となる。また、物理的にランダムな固有情報を用いてチップＩＤを設定しているので、当該チップの製造企業のみが、チップＩＤを含む当該チップが有する種々の情報を再取得できる。

以上のように、本実施形態によると、半導体集積回路チップ内の金属膜のグレイン境界を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なチップＩＤを半導体集積回路チップに割り振ることができる。言い換えると、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能な半導体集積回路チップを提供することができる。また、半導体集積回路チップの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、ランダムな固有情報である金属膜のグレイン境界を再度測定してチップＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体集積回路チップについても、本実施形態のチップＩＤは半導体集積回路チップの形状特性に基づいて設定されているため、半導体集積回路チップの電気回路動作とは無関係にチップＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態において、金属膜のグレイン境界をＩＤ化する方法が、画像処理による方法に限られないことは言うまでもない。

（第１５の実施形態）
以下、本発明の第１５の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法について図面を参照しながら説明する。

尚、本実施形態で用いられる半導体集積回路チップ（半導体装置）は、第１３の実施形態で説明した、配線５７が露出した固有情報読み取り領域５１を有する半導体集積回路チップ（図１７（ａ）及び（ｂ）参照）である。

図１９（ａ）は、固有情報読み取り領域５１に露出する配線５７の平面構成を示している。また、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）に示す配線５７のうちの配線エッジ観察領域（図中の一点鎖線で囲まれた領域）を示している。

すなわち、本実施形態においては、配線（金属配線）５７のエッジ形状（エッジ部分の凹凸形状）を物理的にランダムな固有情報として取り扱い、該エッジ形状の測定値に基づいてチップＩＤを設定する。

尚、本実施形態で用いられる第１３の実施形態の半導体集積回路チップにおいては、配線を形成する際に、エッチング後の配線のエッジ部の形状を観察するための配線５７が形成されていると共に配線５７のエッジ部分の形状を観察できるように、配線５７の少なくとも一部分が露出する開口部がパッシベーション膜５２に設けられている。すなわち、チップＩＤを生成するための固有情報として配線５７のエッジ形状を測定するための固有情報読み取り領域５１がチップ表面に設けられている。

本実施形態においては、第１３の実施形態で説明した半導体集積回路チップ（図１７（ａ）及び（ｂ）参照）における固有情報読み取り領域５１に露出する配線５７の観察を表面ＳＥＭによって行なう。その後、該表面ＳＥＭ画像（図１９（ｂ）参照）に対して画像処理を行なうことによって、図１９（ｃ）に示すように、配線５７のエッジ形状５７ａを抽出し、抽出されたエッジ形状５７ａをチップＩＤとして用いる。

以上のように個々の半導体集積回路チップについてチップＩＤの設定を行なった後、第７の実施形態と同様に、得られたチップＩＤを、コンピュータの記憶装置に設けられたデータベースに保存する。このとき、チップＩＤと共に、当該チップの情報（当該チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）がデータベースに保存される。

その後、チップＩＤが設定された半導体集積回路チップは通常通り製品として市場に出荷される。

次に、製品として市場に出荷された半導体集積回路チップが市場不良となった場合には、当該不良チップを回収して、不良原因の究明を実施する。具体的には、当該不良チップに対して、再度、物理的にランダムな固有情報である配線５７のエッジ形状の測定（本実施形態では表面ＳＥＭを用いた再評価）を実施する。続いて、測定抽出されたエッジ形状を、前記のデータベースに製品出荷前に蓄積されているチップＩＤと照合することによって、当該半導体集積回路チップのチップＩＤを再取得する。これにより、再取得されたチップＩＤに基づいて、当該チップの情報（当該チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）を早期に入手することができるので、早急な不良原因究明が可能となる。また、物理的にランダムな固有情報を用いてチップＩＤを設定しているので、当該チップの製造企業のみが、チップＩＤを含む当該チップが有する種々の情報を再取得できる。

以上のように、本実施形態によると、半導体集積回路チップ内の配線のエッジ形状を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なチップＩＤを半導体集積回路チップに割り振ることができる。言い換えると、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能な半導体集積回路チップを提供することができる。また、半導体集積回路チップの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、ランダムな固有情報である配線のエッジ形状を再度測定してチップＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体集積回路チップについても、本実施形態のチップＩＤは半導体集積回路チップの形状特性に基づいて設定されているため、半導体集積回路チップの電気回路動作とは無関係にチップＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態において、配線のエッジ形状を抽出する方法が、画像処理による方法に限られないことは言うまでもない。

（第１６の実施形態）
以下、本発明の第１６の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法について図面を参照しながら説明する。

図２０（ａ）は、本実施形態で用いられている半導体パッケージ、具体的には図１４（ａ）に示す第１０の実施形態と同様のＣ−ＣＳＰと呼ばれるパッケージの断面構造を示している。また、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）に示す半導体パッケージの表面部を斜め上から見た図である。尚、図２０（ａ）及び（ｂ）において、図１４（ａ）と同一の部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。

図２０（ｂ）に示すように、半導体集積回路チップ４２は、その裏面が半導体パッケージの表面部に現れるようにセラミックインタポーザ４１上に搭載されている。また、半導体集積回路チップ４２の製品番号等の印字部４６は、このチップ裏面に設けられている。

本実施形態の特徴は、図２０（ｃ）に示すように、半導体集積回路チップ４２の側面４２ａにチップ切断時に生じた凹凸、あれ又はキズ等（以下、凹凸等と称する）の形状を物理的にランダムな固有情報として取り扱い、該凹凸等の形状の測定値に基づいてチップＩＤを設定することである。これらの凹凸等は、実装前の半導体集積回路チップがダイシングによりウェハから取り出された際に生じたものであり、ダイシング面であるチップ側面の状態は、顕微鏡や表面ＳＥＭ等を用いて観察可能である。

本実施形態においては、チップ側面を表面ＳＥＭにより観察した後、それにより得られたＳＥＭ画像に対して画像処理を行なうことによって、チップ側面の凹凸等のエッジ形状を抽出し、抽出されたエッジ形状をチップＩＤとして用いる。

以上のように個々の半導体集積回路チップについてチップＩＤの設定を行なった後、第７の実施形態と同様に、得られたチップＩＤを、コンピュータの記憶装置に設けられたデータベースに保存する。このとき、チップＩＤと共に、当該チップの情報（当該チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）がデータベースに保存される。

その後、チップＩＤが設定された半導体集積回路チップは通常通り製品として市場に出荷される。

次に、製品として市場に出荷された半導体集積回路チップが市場不良となった場合には、当該不良チップを回収して、不良原因の究明を実施する。具体的には、当該不良チップに対して、再度、物理的にランダムな固有情報であるチップ側面の凹凸等のエッジ形状の測定（本実施形態では表面ＳＥＭを用いた再評価）を実施する。続いて、測定抽出されたエッジ形状を、前記のデータベースに製品出荷前に蓄積されているチップＩＤと照合することによって、当該半導体集積回路チップのチップＩＤを再取得する。これにより、再取得されたチップＩＤに基づいて、当該チップの情報（当該チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）を早期に入手することができるので、早急な不良原因究明が可能となる。また、物理的にランダムな固有情報を用いてチップＩＤを設定しているので、当該チップの製造企業のみが、チップＩＤを含む当該チップが有する種々の情報を再取得できる。

以上のように、本実施形態によると、半導体集積回路チップ側面にチップ切断時に生じた凹凸等のエッジ形状を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なチップＩＤを半導体集積回路チップに割り振ることができる。言い換えると、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能な半導体集積回路チップを提供することができる。また、半導体集積回路チップの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、ランダムな固有情報であるチップ側面の凹凸等のエッジ形状を再度測定してチップＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体集積回路チップについても、本実施形態のチップＩＤは半導体集積回路チップの形状特性に基づいて設定されているため、半導体集積回路チップの電気回路動作とは無関係にチップＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態において、チップ側面の凹凸等のエッジ形状を抽出する方法が、画像処理による方法に限られないことは言うまでもない。また、凹凸等におけるエッジ形状以外の他の形状特性をランダムな固有情報として取り扱ってもよいことは言うまでもない。

（第１７の実施形態）
以下、本発明の第１７の実施形態に係る半導体集積回路チップ（半導体装置）について図面を参照しながら説明する。

図２１（ａ）は、本実施形態の半導体集積回路チップ（半導体集積回路チップ４２）が、図１４（ａ）に示す第１０の実施形態と同様のＣ−ＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージに搭載されている様子を示す断面図である。また、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）に示す半導体パッケージの表面部を斜め上から見た図である。尚、図２１（ａ）及び（ｂ）において、図１４（ａ）と同一の部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。

図２１（ｂ）に示すように、本実施形態の半導体集積回路チップ４２は、その裏面が半導体パッケージの表面部に現れるようにセラミックインタポーザ４１上に搭載されている。また、半導体集積回路チップ４２の裏面には、製品番号等の印字部４６が設けられていると共に、物理的にランダムな固有情報である裏面形状を測定するための固有情報読み取り領域４７が本実施形態の特徴として設けられている。さらに、図２１（ｃ）に示すように、半導体集積回路チップ４２の裏面の固有情報読み取り領域４７には、裏面形状の測定基準が明確となるように起点パターン４８が設けられている。

本実施形態の半導体集積回路チップによると、次に説明する、第１８の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法を実施することができる。

（第１８の実施形態）
以下、本発明の第１８の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法について図面を参照しながら説明する。

図２２（ａ）は、本実施形態で用いられている半導体集積回路チップ、具体的には図２１（ｃ）に示す第１７の実施形態と同様の半導体集積回路チップ（Ｃ−ＣＳＰと呼ばれる半導体パッケージに搭載される半導体集積回路チップ）の裏面の様子を示している。図２２（ａ）に示すように、半導体集積回路チップ４２の裏面には、製品番号等の印字部４６が設けられていると共に、物理的にランダムな固有情報である裏面形状を測定するための固有情報読み取り領域４７が設けられている。また、半導体集積回路チップ４２の裏面の固有情報読み取り領域４７には、裏面形状の測定基準が明確となるように起点パターン４８が設けられている。尚、図２２（ａ）において、起点パターン４８を基準とする、裏面形状観察領域を太線で示している。

ところで、半導体集積回路チップ４２の裏面全体には、当該チップ４２の実装前に実施される当該チップ４２の裏面に対するバックグラインドによって生じたキズ４９が存在する。

本実施形態では、半導体集積回路チップ４２の裏面形状のうち、特にこのキズ４９の形状を物理的にランダムな固有情報として取り扱い、該キズ４９の形状の測定値に基づいてチップＩＤを設定する。尚、キズ４９は、顕微鏡や表面ＳＥＭ等を用いて容易に検出される。

本実施形態においては、チップ裏面におけるバックグラインドによるキズ４９を顕微鏡又は表面ＳＥＭにより観察した後、それにより得られた画像に対して例えば画像処理を行なうことによって、図２２（ｂ）に示すように、キズ４９の形状を抽出し、抽出されたキズ４９の形状をチップＩＤとして用いる。

以上のように個々の半導体集積回路チップについてチップＩＤの設定を行なった後、第７の実施形態と同様に、得られたチップＩＤを、コンピュータの記憶装置に設けられたデータベースに保存する。このとき、チップＩＤと共に、当該チップの情報（当該チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）がデータベースに保存される。

その後、チップＩＤが設定された半導体集積回路チップは通常通り製品として市場に出荷される。

次に、製品として市場に出荷された半導体集積回路チップが市場不良となった場合には、当該不良チップを回収して、不良原因の究明を実施する。具体的には、当該不良チップに対して、再度、物理的にランダムな固有情報であるチップ裏面のキズ（バックグラインド時に生じたキズ）の形状の測定（本実施形態では表面ＳＥＭを用いた再評価）を実施する。続いて、測定抽出されたキズの形状を、前記のデータベースに製品出荷前に蓄積されているチップＩＤと照合することによって、当該半導体集積回路チップのチップＩＤを再取得する。これにより、再取得されたチップＩＤに基づいて、当該チップの情報（当該チップの拡散工程の実施時期、ロット番号、ウェハ番号、ウェハ内におけるチップ位置等）を早期に入手することができるので、早急な不良原因究明が可能となる。また、物理的にランダムな固有情報を用いてチップＩＤを設定しているので、当該チップの製造企業のみが、チップＩＤを含む当該チップが有する種々の情報を再取得できる。

以上のように、本実施形態によると、半導体集積回路チップ裏面にバックグラインド時に生じたキズの形状を固有情報として取り扱うため、ランダムな固有情報を得ることができる。従って、当該固有情報に基づいて、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能なチップＩＤを半導体集積回路チップに割り振ることができる。言い換えると、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能な半導体集積回路チップを提供することができる。また、半導体集積回路チップの市場不良時に顧客思考の点で迅速な対応が求められていることに対しては、ランダムな固有情報であるチップ裏面のキズの形状を再度測定してチップＩＤを再抽出することによって、早期の不良原因究明も可能となる。さらに、市場不良に起因して電気的に動作しない半導体集積回路チップについても、本実施形態のチップＩＤは半導体集積回路チップの形状特性に基づいて設定されているため、半導体集積回路チップの電気回路動作とは無関係にチップＩＤの再抽出が可能となるので、本実施形態の効果は非常に大きい。

尚、本実施形態において、チップ裏面のキズの形状を抽出する方法が、画像処理による方法に限られないことは言うまでもない。また、バックグラインド時に生じたキズの形状以外の他の裏面形状特性をランダムな固有情報として取り扱ってもよいことは言うまでもない。

本発明を半導体パッケージ又は半導体集積回路チップの識別に利用した場合、非常に強い情報セキュリティーを有する偽造不可能な識別用ＩＤを提供でき、非常に有用である。

図１は本発明の第１の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ化装置の概略構成の一例を示す図である。 図２は本発明の第１の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ化方法のフロー図である。 図３は本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ化装置の概略構成の一例を示す図である。 図４は本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ化方法のフロー図である。 図５は本発明の第３の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法のフロー図である。 図６は本発明の第４の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法のフロー図である。 図７（ａ）〜（ｄ）は本発明の第５の実施形態に係る半導体パッケージを説明するための図である。 図８（ａ）及び（ｂ）は本発明の第６の実施形態に係る半導体パッケージを説明するための図である。 図９（ａ）〜（ｅ）は本発明の第７の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法を説明するための図である。 本発明の第７の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法のフロー図である。 図１１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第８の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法を説明するための図である。 図１２は本発明の第８の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法において得られたボンディングワイヤのＸ線透視写真の一例を示す図である。 図１３（ａ）及び（ｂ）は本発明の第９の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法を説明するための図である。 図１４（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１０の実施形態に係る半導体パッケージのＩＤ認識方法を説明するための図である。 図１５（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１１の実施形態に係る半導体集積回路チップのバリエーションの斜視図である。 図１６（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１２の実施形態に係る半導体集積回路チップの断面図及び平面図である。 図１７（ａ）は本発明の第１３の実施形態に係る半導体集積回路チップの断面図であり、図１７（ｂ）は本発明の第１３の実施形態に係る半導体集積回路チップの固有情報読み取り領域に露出する配線を拡大して示す平面図である。 図１８（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１４の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法を説明するための図である。 図１９（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１５の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法を説明するための図である。 図２０（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１６の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法を説明するための図である。 図２１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１７の実施形態に係る半導体集積回路チップを説明するための図である。 図２２（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１８の実施形態に係る半導体集積回路チップのＩＤ認識方法を説明するための図である。

符号の説明

１０ 半導体パッケージ
１１ 半導体チップ
１２ ダイパッド部
１３ 接着層
１４ 外部端子部
１５ ボンディングワイヤ
１６ 樹脂パッケージ
１７ 印字部
１８ 固有情報読み取り領域
１９ 起点パターン
２０ 保護膜
２１ 固有情報読み取り領域
２２ 起点パターン
２３ 凹凸
２３ａ 凹凸２３のエッジ
３０ 半導体集積回路チップ
３１ ボンディングパッド
３２ ボンディング部
３２ａ ボンディング部３２のエッジ形状
３３ ボンディングワイヤ
４０ 半導体パッケージ（Ｃ−ＣＳＰ）
４１ セラミックインタポーザ
４２ 半導体集積回路チップ
４２ａ 半導体集積回路チップ４２の側面
４３ バンプ
４３ａ Ａｕバンプ
４３ｂ Ａｇ−Ｐｄペースト
４４ 樹脂
４５ 外部端子
４６ 印字部
４７ 固有情報読み取り領域
４８ 起点パターン
４９ キズ
５０ 半導体集積回路チップ
５０Ａ 基板
５１ 固有情報読み取り領域
５２ パッシベーション膜
５３ ボンディングパッド
５４ ボンディング部
５５ ボンディングワイヤ
５６ 金属膜
５６ａ 金属膜５６のグレイン境界
５６ｂ グレイン境界５６ａ同士が結合する点
５７ 配線
５７ａ 配線５７のエッジ形状
１００ ＩＤ化装置
１０１ 評価測定部／評価情報設定機
１０２ 測定機
１０３ 画像処理機
２００ ＩＤ化装置
２０１ 評価測定部／評価情報設定機
２０２ 測定機
２０３ 画像処理機

Claims (23)

1. 半導体パッケージが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する機能と、
   選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する機能と、
   測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成する機能とを備えていることを特徴とする半導体パッケージのＩＤ化装置。
2. 半導体集積回路チップが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する機能と、
   選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する機能と、
   測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成する機能とを備えていることを特徴とする半導体集積回路チップのＩＤ化装置。
3. 半導体パッケージが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する機能と、
   選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する機能と、
   測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成する機能と、
   生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する機能と、
   選択された前記形状特性を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する機能とを備えていることを特徴とする半導体パッケージのＩＤ認識装置。
4. 半導体集積回路チップが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する機能と、
   選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する機能と、
   測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成する機能と、
   生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する機能と、
   選択された前記形状特性を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する機能とを備えていることを特徴とする半導体集積回路チップのＩＤ認識装置。
5. 半導体パッケージが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する工程と、
   選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する工程と、
   測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成する工程と、
   生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、
   選択された前記形状特性を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えていることを特徴とする半導体パッケージのＩＤ認識方法。
6. 半導体集積回路チップが有する少なくとも１つの形状特性の中から、固有情報として取り扱う形状特性を選択する工程と、
   選択された前記形状特性を前記固有情報として測定する工程と、
   測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成する工程と、
   生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、
   選択された前記形状特性を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路チップのＩＤ認識方法。
7. 識別用ＩＤを生成するための固有情報としてパッケージ表面の凹凸形状を測定するための固有情報読み取り領域を備え、
   前記固有情報読み取り領域内に測定時の起点となるパターンが設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
8. 請求項７に記載の半導体パッケージにおいて、
   前記固有情報読み取り領域のパッケージ表面が物理的に保護されていることを特徴とする半導体パッケージ。
9. 半導体パッケージの表面における凹凸形状を固有情報として測定する工程と、
   測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、
   前記凹凸形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えていることを特徴とする半導体パッケージのＩＤ認識方法。
10. 半導体パッケージ内に設けられたボンディングワイヤの引き出し角度を固有情報として測定する工程と、
    測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、
    前記引き出し角度を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えていることを特徴とする半導体パッケージのＩＤ認識方法。
11. 半導体パッケージ内に設けられたボンディング部の形状を固有情報として測定する工程と、
    測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、
    前記ボンディング部の形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えていることを特徴とする半導体パッケージのＩＤ認識方法。
12. 半導体パッケージ内に設けられたバンプの形状を固有情報として測定する工程と、
    測定された前記固有情報に基づいて前記半導体パッケージの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、
    前記バンプの形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体パッケージの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えていることを特徴とする半導体パッケージのＩＤ認識方法。
13. 識別用ＩＤを生成するための固有情報として構成要素の形状特性を測定するための固有情報読み取り領域を表面、側面又は裏面に備えていることを特徴とする半導体集積回路チップ。
14. 請求項１３に記載の半導体集積回路チップにおいて、
    前記構成要素は金属膜であり、
    前記形状特性は前記金属膜のグレイン境界の形状であり、
    前記固有情報読み取り領域において前記金属膜の少なくとも一部分が露出していることを特徴とする半導体集積回路チップ。
15. 請求項１３に記載の半導体集積回路チップにおいて、
    前記構成要素は配線であり、
    前記形状特性は前記配線のエッジ形状であり、
    前記固有情報読み取り領域において前記配線の少なくとも一部分が露出していることを特徴とする半導体集積回路チップ。
16. 請求項１４又は１５に記載の半導体集積回路チップにおいて、
    前記固有情報読み取り領域は、ボンディングワイヤが接続されるボンディングパッドの形成領域以外の他の領域に設けられていることを特徴とする半導体集積回路チップ。
17. 請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の半導体集積回路チップにおいて、
    前記金属膜又は前記配線は、銅、アルミニウム、タングステン又はそれらの合金であることを特徴とする半導体集積回路チップ。
18. 半導体集積回路チップ内に設けられた金属膜のグレイン境界の形状を固有情報として測定する第１の工程と、
    測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する第２の工程と、
    前記グレイン境界の形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する第３の工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路チップのＩＤ認識方法。
19. 請求項１８に記載の半導体集積回路チップのＩＤ認識方法において、
    前記第１の工程は、前記金属膜のグレインの画像を取得した後、該画像に対して画像処理を行なうことにより前記金属膜のグレイン境界の形状を抽出する工程を含み、
    前記第２の工程は、前記第１の工程で抽出されたグレイン境界同士が結合する点を抽出し、抽出された点の位置を前記識別用ＩＤとして前記データベースに蓄積する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路チップのＩＤ認識方法。
20. 半導体集積回路チップ内に設けられた配線のエッジ形状を固有情報として測定する工程と、
    測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、
    前記エッジ形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路チップのＩＤ認識方法。
21. 半導体集積回路チップの側面にチップ切断時に生じた凹凸又はあれの形状を固有情報として測定する工程と、
    測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、
    前記凹凸又は前記あれの形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路チップのＩＤ認識方法。
22. 識別用ＩＤを生成するための固有情報として裏面形状を測定するための固有情報読み取り領域を裏面に備え、
    前記固有情報読み取り領域内に測定時の起点となるパターンが設けられていることを特徴とする半導体集積回路チップ。
23. 半導体集積回路チップの裏面形状を固有情報として測定する工程と、
    測定された前記固有情報に基づいて前記半導体集積回路チップの識別用ＩＤを生成すると共に生成された前記識別用ＩＤをデータベースに蓄積する工程と、
    前記裏面形状を前記固有情報として再測定し、再測定された前記固有情報を、前記データベースの蓄積データと照合することによって、前記半導体集積回路チップの前記識別用ＩＤを再取得する工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路チップのＩＤ認識方法。