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JP2006179718A - Blue optical element package and optical element package manufacturing method - Google Patents

Blue optical element package and optical element package manufacturing method Download PDF

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JP2006179718A
JP2006179718A JP2004371989A JP2004371989A JP2006179718A JP 2006179718 A JP2006179718 A JP 2006179718A JP 2004371989 A JP2004371989 A JP 2004371989A JP 2004371989 A JP2004371989 A JP 2004371989A JP 2006179718 A JP2006179718 A JP 2006179718A
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JP
Japan
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light
optical element
resin layer
optical
blue
Prior art date
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Pending
Application number
JP2004371989A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Narikazu Ishii
成和 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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    • H10W74/00
    • H10W90/754
    • H10W90/756

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  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
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Abstract

【課題】 小型で高精度かつコスト低減を図った青色光学素子パッケージを得る。
【解決手段】 硬化状態でも柔軟性を保持する特性の青色光透過性樹脂材により青色光透過性樹脂層4を形成し、入出力面4aを除いて全体を遮光性樹脂層5により封止する。青色光透過性樹脂層4の入出力面4aを成形金型24の内面に突き当てた状態で遮光樹脂材をキャビティ25内に充填して光遮光性樹脂層5を形成する。
【選択図】 図9
PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a blue optical element package which is small in size and high in accuracy and cost reduction.
A blue light transmissive resin layer 4 is formed of a blue light transmissive resin material having a characteristic of maintaining flexibility even in a cured state, and the whole is sealed with a light shielding resin layer 5 except for an input / output surface 4a. . The light shielding resin layer 5 is formed by filling the cavity 25 with a light shielding resin material in a state where the input / output surface 4 a of the blue light transmitting resin layer 4 is abutted against the inner surface of the molding die 24.
[Selection] Figure 9

Description

本発明は、青色光学素子パッケージ、すなわち青色光信号を受光して電気信号に変換する青色受光素子パッケージ或いは電気信号を青色光信号に変換して出射する青色発光素子パッケージ及び、光学素子パッケージ、すなわち光信号を受光して電気信号に変換する受光素子パッケージ或いは電気信号を光信号に変換して出射する発光素子パッケージの製造方法に関する。   The present invention relates to a blue optical element package, that is, a blue light receiving element package that receives a blue light signal and converts it into an electric signal, or a blue light emitting element package that converts an electric signal into a blue light signal and emits it, and an optical element package, The present invention relates to a method of manufacturing a light receiving element package that receives an optical signal and converts it into an electric signal, or a light emitting element package that converts an electric signal into an optical signal and emits it.

各種の電子機器等においては、光学信号と電気信号とを変換する光学素子パッケージが搭載されている。従来の光学素子パッケージ100は、図12に示すように、光学素子チップ101をチップ基板(配線基板)102の主面102a上に搭載して構成され、このチップ基板102を介して実装ボード上にフリップチップ実装法等によって実装される。光学素子チップ101は、半導体基板103の主面103a上に、薄膜技術によって光信号を電気信号に変換したり電気信号を光信号に変換して出射する機能を有する所定の層構造を有する素子機能層104や、この素子機能層104と図示しない適宜の回路パターンを介して接続された入出力電極105とが形成されて構成される。   In various electronic devices and the like, an optical element package for converting an optical signal and an electric signal is mounted. As shown in FIG. 12, the conventional optical element package 100 is configured by mounting an optical element chip 101 on a main surface 102a of a chip substrate (wiring substrate) 102, and is mounted on a mounting board via the chip substrate 102. Mounting is performed by a flip chip mounting method or the like. The optical element chip 101 has an element function having a predetermined layer structure on the main surface 103a of the semiconductor substrate 103, which has a function of converting an optical signal into an electric signal or converting an electric signal into an optical signal by a thin film technique and emitting the signal. The layer 104 and the input / output electrode 105 connected to the element function layer 104 through an appropriate circuit pattern (not shown) are formed.

光学素子パッケージ100は、光学素子チップ101がチップ基板102に対して、その主面102a上に半導体基板103を接合した状態でワイヤボンデイング工程により入出力電極105とチップ基板102に形成した接続用ランド106とをワイヤ107で接続して搭載される。光学素子パッケージ100は、素子機能層104の表面が光信号を受光する光学入力部或いは光信号を出射する光学出力部となる機能面104aを構成することから、この機能面104aを例えばガラス板108等によって被覆して保護する。光学素子パッケージ100は、外周部への露光を抑制して光効率を高めるとともにガラス板108を保持する遮光樹脂層109が、光学素子チップ101を囲むようにしてチップ基板102の主面102a上に設けられる。   The optical element package 100 includes a connection land formed on the input / output electrode 105 and the chip substrate 102 by a wire bonding process in a state where the optical element chip 101 is bonded to the main surface 102a of the optical element chip 101 with respect to the chip substrate 102. 106 is connected by a wire 107 and mounted. In the optical element package 100, the surface of the element functional layer 104 constitutes a functional surface 104a that serves as an optical input unit that receives an optical signal or an optical output unit that emits an optical signal. Cover and protect with etc. In the optical element package 100, a light shielding resin layer 109 that suppresses exposure to the outer peripheral portion to increase light efficiency and holds the glass plate 108 is provided on the main surface 102a of the chip substrate 102 so as to surround the optical element chip 101. .

従来の光学素子パッケージ100においては、遮光樹脂層109が、チップ基板102の主面102a上において接続用ランド106の外周部に位置して形成されることから、光学素子チップ101の外形に対して大きな外形となり小型化の実現が困難であった。また、従来の光学素子パッケージ100においては、ガラス板108を有するとともに微小なガラス板108を遮光樹脂層109の開口縁に接合する工程が必要となることでコスト低減の実現が困難であった。   In the conventional optical element package 100, the light shielding resin layer 109 is formed on the outer surface of the connection land 106 on the main surface 102 a of the chip substrate 102. It was difficult to achieve downsizing due to the large external shape. Further, in the conventional optical element package 100, it is difficult to realize cost reduction because a process of having the glass plate 108 and joining the minute glass plate 108 to the opening edge of the light shielding resin layer 109 is required.

例えば、特許文献1には、絶縁基板にセンサ層とセンサ電極端子とを形成したセンサを支持材上に固着し、センサ電極端子と支持材上の電極とをワイヤボンディングした後にエポキシ樹脂を滴下してワイヤを固定したセンサが開示されている。センサは、センサ層の表面を絶縁層で被覆した後にホトエッチングによって必要箇所を残し、さらにトランスファーモールド工程によって絶縁層を開口させて樹脂封止する。   For example, in Patent Document 1, a sensor in which a sensor layer and a sensor electrode terminal are formed on an insulating substrate is fixed on a support material, and the epoxy resin is dropped after wire bonding the sensor electrode terminal and the electrode on the support material. A sensor with a fixed wire is disclosed. In the sensor, the surface of the sensor layer is covered with an insulating layer, and a necessary portion is left by photoetching. Further, the insulating layer is opened by a transfer molding process and sealed with resin.

特開昭61−32535号公報JP 61-32535 A

電子機器等においては、小型軽量化や多機能化或いは高機能化が図られるとともに低コストが求められており、実装ボード上に実装する光学素子パッケージもその実現が求められている。上述した特許文献1の技術は、モールド樹脂層がワイヤ及びその接合箇所を保持することから小型化に有効である。しかしながら、かかる先願技術においては、センサの微小化に伴って、センサ層上への絶縁層の形成工程或いはセンサ層の必要箇所のみを開口させるモールド樹脂層の形成工程がより高精度化を要求され、面倒でかつ歩留りも悪くなってコスト低減が図られないといった問題がある。   In electronic devices and the like, miniaturization and weight reduction, multi-functionality, and high functionality are achieved, and low cost is required, and an optical element package mounted on a mounting board is also required to be realized. The technique of Patent Document 1 described above is effective for miniaturization because the mold resin layer holds the wire and the joint portion. However, in this prior application technology, with the miniaturization of the sensor, the process of forming the insulating layer on the sensor layer or the process of forming the mold resin layer that opens only the necessary portions of the sensor layer requires higher precision. However, there is a problem that it is troublesome and the yield is poor and the cost cannot be reduced.

ところで、光学素子パッケージにおいては、ガラス板に代えて光学入力部や光学出力部上に特定波長の光を透過させる光透過型樹脂を直接滴下した後に硬化させる、いわゆるポッティング技術によって光透過型樹脂層を形成し、半導体パッケージ等と同様に全体を遮光樹脂で封装したものも提供されている。一般的な赤色・赤外光系光学素子パッケージにおいては、例えば日東電工製の赤色・赤外光透過用樹脂NT−8000シリーズが用いられている。かかる光学素子パッケージは、赤色・赤外光に対する光損失も小さいことで良好な特性を有し、簡易な工程により量産化されて比較的低コストで提供されている。   By the way, in an optical element package, instead of a glass plate, a light-transmitting resin layer is applied by a so-called potting technique in which a light-transmitting resin that transmits light of a specific wavelength is directly dropped onto an optical input unit or optical output unit and then cured. In the same manner as a semiconductor package or the like, the whole is sealed with a light shielding resin. In a general red / infrared light optical element package, for example, a red / infrared light transmitting resin NT-8000 series manufactured by Nitto Denko is used. Such an optical element package has good characteristics because it has a small optical loss with respect to red / infrared light, is mass-produced by a simple process, and is provided at a relatively low cost.

しかしながら、かかる光学素子パッケージにおいては、当該光透過型樹脂の光学素子チップへの密着特性がさほど良くないことから、剥離やコンタミネーション等が生じて歩留りが低いといった問題があった。また、かかる光学素子パッケージにおいては、当該光透過型樹脂の耐熱性が低いことから、実装ボードへの実装工程等に際してより低温条件での半田付けが必要であった。   However, such an optical element package has a problem in that the yield characteristics are low due to peeling or contamination due to the poor adhesion characteristics of the light transmitting resin to the optical element chip. Further, in such an optical element package, since the heat resistance of the light-transmitting resin is low, it is necessary to perform soldering under a lower temperature condition during the mounting process on the mounting board.

一方、光学素子パッケージにおいては、波長が400n程度の青色発光ダイオードの実用化に伴い、例えばブルー−レイ・ディスク(Blu-rayDisc)用の光学系に採用されて小型化、高性能化を実現している。かかる青色系光学素子パッケージにおいてにおいても、上述した赤色・赤外光系光学素子パッケージと同様に青色光学素子チップ上にポッティング技術によって光透過型樹脂層を形成することが好ましい。しかしながら、現状において提供されている青色光透過型樹脂は、硬化状態であっても柔軟性が保持される特性を有しており、パッケージ樹脂として用いることは適当で無いために実用化が図られていない。なお、青色光透過型樹脂としては、例えば東レ・ダウコーニング・シリコーン製の青色光透過型樹脂EG6301が提供されている。   On the other hand, in the optical element package, with the practical use of blue light emitting diodes with a wavelength of about 400n, it has been adopted in, for example, the optical system for Blue-ray Disc (Blu-ray Disc) to achieve miniaturization and high performance. ing. Also in such a blue optical element package, it is preferable to form a light transmission type resin layer on the blue optical element chip by a potting technique as in the above-described red / infrared light optical element package. However, the currently available blue light transmission type resin has the property of maintaining flexibility even in a cured state, and is not suitable for use as a package resin, so it has been put to practical use. Not. As a blue light transmission resin, for example, a blue light transmission resin EG6301 made of Toray Dow Corning Silicone is provided.

したがって、本発明は、小型で高精度かつ低廉な青色光学素子パッケージを提供することを目的とする。また、本発明は、コスト低減と生産性の向上を図った小型で高精度の光学素子パッケージの製造方法を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a blue optical element package that is small, highly accurate, and inexpensive. It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a small and highly accurate optical element package that is intended to reduce costs and improve productivity.

上述した目的を達成する本発明にかかる青色光学素子パッケージは、青色光学素子チップと青色光透過性樹脂層と遮光性樹脂層とから構成される。光学素子パッケージは、青色光学素子チップが、半導体基板の主面上に、光学入力部又は光学出力部と入出力電極とを有し光学入力部で受光した青色光を電気信号に変換し又は光学出力部から電気信号に基づく青色光を出射させる所定の素子機能層を形成して構成される。光学素子パッケージは、青色光透過性樹脂層が、硬化状態でも柔軟性が保持される青色光透過性樹脂によって、光学入力部又は光学出力部を被覆して青色光学素子チップの素子機能層上に形成される。光学素子パッケージは、遮光性樹脂層が、青色光透過性樹脂層を外方に臨ませるとともに入出力電極と接続されたワイヤを保持して光学素子チップを封装する。光学素子パッケージは、光遮光性樹脂層が、青色光透過性樹脂層を内面に押圧させて光学素子チップがキャビティ内に装填される成形金型のキャビティ内に射出される光遮光性樹脂によって成形される。   The blue optical element package according to the present invention that achieves the above-described object includes a blue optical element chip, a blue light transmitting resin layer, and a light shielding resin layer. In the optical element package, a blue optical element chip has an optical input unit or an optical output unit and an input / output electrode on the main surface of a semiconductor substrate, and converts blue light received by the optical input unit into an electrical signal or optically. A predetermined element functional layer that emits blue light based on an electrical signal from the output unit is formed. In the optical element package, the blue light transmissive resin layer covers the optical input part or the optical output part with a blue light transmissive resin that retains flexibility even in a cured state, and is on the element functional layer of the blue optical element chip. It is formed. In the optical element package, the light-shielding resin layer faces the blue light-transmitting resin layer to the outside and holds the wires connected to the input / output electrodes to encapsulate the optical element chip. In the optical element package, the light-shielding resin layer is molded from the light-shielding resin that is injected into the cavity of the molding die in which the optical element chip is loaded in the cavity by pressing the blue light-transmissive resin layer on the inner surface. Is done.

以上のように構成された青色光学素子パッケージにおいては、硬化状態でも柔軟性が保持される特性からパッケージ用樹脂としては好適ではない青色光透過性樹脂を用いるが、その特性を巧に利用して光学入力部又は光学出力部に対して簡易な工程により高精度の青色光透過性樹脂層を形成する。青色光学素子パッケージにおいては、光学入力部又は光学出力部を青色光透過性樹脂層によって被覆することから、青色光の透過率の向上が図られるとともに、ゴミや埃等の付着が防止される。青色光学素子パッケージにおいては、青色光透過性樹脂層を除く全体を光学素子チップよりもやや大きな外形の遮光樹脂層によって封止して光学素子チップやワイヤを機械的かつ電気的に保護することで、信頼性が向上されるとともに光学素子チップとほぼ同等の小型化が図られる。青色光学素子パッケージにおいては、青色光透過性樹脂層が光学入力部又は光学出力部に対して密着性を保持されることで、後工程において低温プロセスを条件付けすることが無く実装ボード等への実装を可能とする。   In the blue optical element package configured as described above, a blue light transmitting resin that is not suitable as a resin for a package is used because of its flexibility in a cured state. A highly accurate blue light-transmitting resin layer is formed on the optical input unit or the optical output unit by a simple process. In the blue optical element package, the optical input portion or the optical output portion is covered with the blue light transmissive resin layer, so that the blue light transmittance is improved and the adhesion of dust, dust and the like is prevented. In the blue optical element package, the entire optical element chip and wires are mechanically and electrically protected by sealing the whole except the blue light transmitting resin layer with a light shielding resin layer having a slightly larger outer shape than the optical element chip. Thus, the reliability is improved and the size can be reduced to be almost the same as that of the optical element chip. In the blue optical element package, the blue light-transmitting resin layer maintains adhesion to the optical input part or the optical output part, so that it can be mounted on a mounting board without conditioning the low-temperature process in the subsequent process. Is possible.

また、上述した目的を達成する本発明にかかる光学素子パッケージの製造方法は、光学素子チップ形成工程と、光透過性樹脂層形成工程と、遮光性樹脂層成形工程とを有し、光透過性樹脂層を外方に臨ませるとともに入出力電極と接続されたワイヤを保持する遮光性樹脂層によって光学素子チップを封止した光学素子パッケージを製造する。光学素子パッケージの製造方法は、光学素子チップ形成工程において、半導体基板の主面上に、光信号を受光する光学入力部又は光信号を出射する光学出力部と入出力電極とを上面に形成し、光学入力部で受光した光信号を電気信号に変換し又は電気信号に基づく光信号を光学出力部から出射させる所定の素子機能層を形成してなる光学素子チップを形成する。光学素子パッケージの製造方法は、光透過性樹脂層形成工程において、光学素子チップの素子機能層上に形成した樹脂層に対して光学入力部又は光学出力部を開口させるパターニング処理を施すとともに開口部に液状の光透過性樹脂を充填して硬化させることにより、光学入力部又は光学出力部を被覆する光透過性樹脂層を形成する。光学素子パッケージの製造方法は、遮光性樹脂層成形工程において、光学素子チップを封装する遮光性樹脂層を成形する成形金型が用いられ、この成形金型のキャビティ内に光透過性樹脂層を内面に押圧させて光学素子チップを装填した状態で遮光性樹脂をキャビティ内に射出して遮光性樹脂層を成形する。   Moreover, the manufacturing method of the optical element package according to the present invention that achieves the above-described object includes an optical element chip forming step, a light-transmitting resin layer forming step, and a light-blocking resin layer forming step. An optical element package is manufactured in which the optical element chip is sealed with a light-shielding resin layer that holds the wires connected to the input / output electrodes while facing the resin layer outward. In the optical element package manufacturing method, in the optical element chip forming step, an optical input part that receives an optical signal or an optical output part that emits an optical signal and an input / output electrode are formed on the top surface of the semiconductor substrate. Then, an optical element chip is formed by converting a light signal received by the optical input unit into an electric signal or forming a predetermined element function layer that emits an optical signal based on the electric signal from the optical output unit. In the optical element package manufacturing method, in the light transmissive resin layer forming step, the resin layer formed on the element functional layer of the optical element chip is subjected to a patterning process for opening the optical input portion or the optical output portion, and the opening portion. A light transmissive resin layer that covers the optical input portion or the optical output portion is formed by filling and curing a liquid light transmissive resin. In the optical element package manufacturing method, in the light shielding resin layer molding step, a molding die for molding the light shielding resin layer for sealing the optical element chip is used, and the light transmitting resin layer is placed in the cavity of the molding die. The light shielding resin is injected into the cavity in a state in which the optical element chip is loaded while being pressed against the inner surface, thereby forming a light shielding resin layer.

上述した工程を有する本発明にかかる光学素子パッケージの製造方法においては、光透過性樹脂層をキャビティ内面に押圧した状態で遮光性樹脂層を形成する簡易な工程によって、光学入力部又は光学出力部に対する密着性が保持されて後工程において低温プロセスを条件付けすることが無い高精度の光透過性樹脂層を有する光学素子パッケージを効率よく製造する。光学素子パッケージの製造方法においては、光透過性樹脂層を除く全体を光学素子チップよりもやや大きな外形の遮光性樹脂層によって封止して光学素子チップやワイヤを機械的かつ電気的に保護することで、信頼性が向上されるとともに光学素子チップとほぼ同等の外形を有する小型化が図られた光学素子パッケージを効率よく製造する。   In the method of manufacturing the optical element package according to the present invention having the above-described steps, the optical input unit or the optical output unit is formed by a simple process of forming the light-shielding resin layer in a state where the light-transmitting resin layer is pressed against the cavity inner surface. Thus, an optical element package having a highly accurate light-transmitting resin layer that does not condition a low-temperature process in a subsequent process is maintained. In the method of manufacturing an optical element package, the entire optical element chip and wires are mechanically and electrically protected by sealing the whole except the light-transmitting resin layer with a light-shielding resin layer having a slightly larger outer shape than the optical element chip. As a result, an optical element package that is improved in reliability and reduced in size and having an outer shape substantially equivalent to that of the optical element chip is efficiently manufactured.

本発明にかかる青色光学素子パッケージによれば、パッケージ樹脂材として好適では無い青色光透過性樹脂を用いて光学入力部又は光学出力部に対して密着性を保持されて被覆する高精度の青色光透過性樹脂層を形成するとともに、この青色光透過性樹脂層を除いて全体を光学素子チップよりもやや大きな外形で封止する遮光樹脂層とを有することから、優れた青色光の透過特性を有するとともに信頼性の向上が図られ、光学素子チップとほぼ同等の外形を有する小型化と、生産性の向上によるコスト低減とが図られる。   According to the blue optical element package of the present invention, high-accuracy blue light that covers and adheres to the optical input unit or the optical output unit using a blue light transmitting resin that is not suitable as a package resin material. Since it has a transparent resin layer and has a light-shielding resin layer that seals the whole with a slightly larger outer shape than the optical element chip except this blue light transparent resin layer, it has excellent blue light transmission characteristics In addition, the reliability can be improved, and the size can be reduced and the cost can be reduced by improving the productivity.

また、本発明にかかる光学素子パッケージの製造方法によれば、光透過性樹脂層をキャビティ内面に押圧した状態で遮光性樹脂層を形成することで、光学入力部又は光学出力部に対する密着性が保持されて信頼性の向上を図った高精度の光透過性樹脂層を有する光学素子パッケージを効率よく製造することが可能となる。光学素子パッケージの製造方法においては、光透過性樹脂層を除く全体を光学素子チップよりもやや大きな外形の遮光性樹脂層によって封止して光学素子チップやワイヤを機械的かつ電気的に保護することで、信頼性が向上されるとともに光学素子チップとほぼ同等の外形を有する小型化を図った光学素子パッケージを効率よく製造することが可能となる。   Further, according to the method for manufacturing an optical element package according to the present invention, the light-shielding resin layer is formed in a state where the light-transmitting resin layer is pressed against the inner surface of the cavity, so that the adhesion to the optical input unit or the optical output unit is improved. It is possible to efficiently manufacture an optical element package having a highly accurate light-transmitting resin layer that is held and improved in reliability. In the method of manufacturing an optical element package, the entire optical element chip and wires are mechanically and electrically protected by sealing the whole except the light-transmitting resin layer with a light-shielding resin layer having a slightly larger outer shape than the optical element chip. As a result, it is possible to improve the reliability and efficiently manufacture a miniaturized optical element package having an outer shape substantially equivalent to that of the optical element chip.

以下、本発明の実施の形態として示す光学素子パッケージ1及びその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。光学素子パッケージ1は、例えばBlu−ray・discレコーダの光学ヘッドに搭載されて青色発光ダイオードから出射されてBlu−ray・discの記録面で反射された戻り光を受光する青色受光素子パッケージである。なお、光学素子パッケージ1は、光信号導波路に設けられて光ファイバー等を伝送される光信号を受信する光学素子パッケージや、光信号を出射する発光素子パッケージであってもよい。   Hereinafter, an optical element package 1 shown as an embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof will be described in detail with reference to the drawings. The optical element package 1 is a blue light receiving element package that is mounted on, for example, an optical head of a Blu-ray disc recorder and receives return light emitted from a blue light emitting diode and reflected by a recording surface of the Blu-ray disc. . The optical element package 1 may be an optical element package that is provided in an optical signal waveguide and receives an optical signal transmitted through an optical fiber or the like, or a light emitting element package that emits an optical signal.

光学素子パッケージ1は、図1に示すように、従来一般に提供されている青色光学素子チップ(以下、チップと略称する。)2と、このチップ2を搭載したチップ基板3と、青色光透過樹脂層(以下、光透過樹脂層と略称する。)4と、遮光樹脂層5等とから構成される。チップ2は、適宜の光信号伝送路を伝送される青色光信号を受光して電気信号に変換して、チップ基板3側へと出力する機能を有している。チップ2は、詳細を省略するが半導体基板6の主面6a上に半導体技術によって上述した光信号−電気信号変換機能を奏する多層構成の素子機能層7が形成されるとともに、この素子機能層7の外周領域に位置して図示しない配線パターンを介して多数個の外部入出力電極8が形成されている。   As shown in FIG. 1, an optical element package 1 includes a conventionally provided blue optical element chip (hereinafter abbreviated as a chip) 2, a chip substrate 3 on which the chip 2 is mounted, and a blue light transmitting resin. A layer (hereinafter abbreviated as a light-transmitting resin layer) 4, a light shielding resin layer 5, and the like. The chip 2 has a function of receiving a blue light signal transmitted through an appropriate optical signal transmission path, converting it into an electric signal, and outputting it to the chip substrate 3 side. In the chip 2, although not described in detail, an element function layer 7 having a multilayer structure that performs the above-described optical signal-electric signal conversion function is formed on the main surface 6 a of the semiconductor substrate 6 by a semiconductor technique. A large number of external input / output electrodes 8 are formed through a wiring pattern (not shown) located in the outer peripheral region of the first electrode.

光学素子パッケージ1は、チップ基板3が、有機配線基板やセラミック配線基板等により上述したチップ2の半導体基板6よりも大きな外形に形成される。チップ基板3には、第1主面3aにチップ2を搭載し、このチップ2の搭載領域を囲んで図示しない適宜の配線パターンが形成されるとともに多数個の接続用ランド9が形成されている。チップ基板3には、第2主面3b側に図示しない適宜の配線パターンが形成されるとともに多数個の実装用電極10が形成されている。チップ基板3は、第1主面3a側の配線パターン或いは接続用ランド9と第2主面3b側の配線パターン或いは実装用電極10が図示しないビアによって適宜層間接続されている。なお、チップ基板3は、多層配線基板であってもよいことは勿論である。   In the optical element package 1, the chip substrate 3 is formed in an outer shape larger than the semiconductor substrate 6 of the chip 2 described above by an organic wiring substrate, a ceramic wiring substrate, or the like. On the chip substrate 3, the chip 2 is mounted on the first main surface 3 a, an appropriate wiring pattern (not shown) is formed surrounding the mounting area of the chip 2, and a large number of connection lands 9 are formed. . On the chip substrate 3, an appropriate wiring pattern (not shown) is formed on the second main surface 3b side, and a large number of mounting electrodes 10 are formed. In the chip substrate 3, the wiring pattern or connection land 9 on the first main surface 3 a side and the wiring pattern or mounting electrode 10 on the second main surface 3 b side are appropriately interlayer-connected by vias (not shown). Needless to say, the chip substrate 3 may be a multilayer wiring substrate.

光学素子パッケージ1は、チップ基板3に対してチップ2が、第1主面3aの接続用ランド9に囲まれた領域内に位置して、半導体基板6の第2主面6bを接合面としてダイボンドされ、加熱硬化処理を施して接合される。チップ基板3には、接合したチップ2とにワイヤボンディング工程が施されて、接続用ランド9に対して相対する外部入出力電極8をワイヤ11によって接続することによって、チップ2を第1主面3a上に実装する。チップ基板3は、光学素子パッケージ1を図示しない実装ボード等に実装する場合に、第2主面3b側の実装用電極10によってフリップチップ実装される。   In the optical element package 1, the chip 2 is positioned in a region surrounded by the connection lands 9 on the first main surface 3 a with respect to the chip substrate 3, and the second main surface 6 b of the semiconductor substrate 6 is used as a bonding surface. It is die-bonded and bonded by heat curing. The chip substrate 3 is subjected to a wire bonding process to the bonded chip 2, and the external input / output electrode 8 facing the connection land 9 is connected by the wire 11, so that the chip 2 is attached to the first main surface. Mount on 3a. The chip substrate 3 is flip-chip mounted by the mounting electrode 10 on the second main surface 3b side when the optical element package 1 is mounted on a mounting board or the like (not shown).

光学素子パッケージ1は、光透過層4が、青色光の透過特性を有するとともに硬化状態であっても柔軟性が保持される特性を有する上述した東レ・ダウコーニング・シリコーン製の青色光透過型樹脂EG6301が用いられ、詳細を後述する光透過層形成工程によって半導体基板6の主面6a上に所定の厚みを有して形成される。光透過層4は、機能素子層7を被覆するとともに上述した各外部入出力電極8を外方に露出させるように半導体基板6の主面6a上にパターニングされて形成される。なお、光透過層4については、青色光の透過特性を有する適宜のシリコン系透明樹脂或いはエポキシ系透明樹脂が用いられるが、これらはいずれも上述した特性を有している。   The optical element package 1 includes the above-mentioned Toray Dow Corning Silicone blue light transmissive resin in which the light transmissive layer 4 has a blue light transmissive characteristic and has a property of maintaining flexibility even in a cured state. EG6301 is used, and is formed to have a predetermined thickness on the main surface 6a of the semiconductor substrate 6 by a light transmission layer forming process described in detail later. The light transmission layer 4 is formed by patterning on the main surface 6a of the semiconductor substrate 6 so as to cover the functional element layer 7 and to expose the external input / output electrodes 8 described above. For the light transmission layer 4, an appropriate silicon-based transparent resin or epoxy-based transparent resin having blue light transmission characteristics is used, both of which have the characteristics described above.

光学素子パッケージ1は、遮光樹脂層5が、一般的な半導体パッケージの封止樹脂として用いられる光を遮光するとともに素子を封止するために用いられる黒色エポキシ樹脂等によって後述するインジェクションモールド工程によって成形される。遮光樹脂層5は、図1に示すようにチップ基板3の主面3a上に、光透過層4の受光面4aを外方に臨ませてその外周部に一体化されるようにして成形される。遮光樹脂層5は、素子機能層7に対して周囲からの乱光の受光を防止させるとともに各外部入出力電極8と相対する接続用ランド9とを接続するワイヤ11を固定して保持することによって、チップ2をチップ基板3上に封止する。   The optical element package 1 is molded by an injection molding process, which will be described later, using a black epoxy resin or the like used to seal the element, while the light shielding resin layer 5 blocks light used as a sealing resin for a general semiconductor package. Is done. As shown in FIG. 1, the light shielding resin layer 5 is formed on the main surface 3a of the chip substrate 3 so that the light receiving surface 4a of the light transmitting layer 4 faces outward and is integrated with the outer periphery thereof. The The light-shielding resin layer 5 prevents the element function layer 7 from receiving irregular light from the surroundings, and fixes and holds the wires 11 that connect the external input / output electrodes 8 to the opposing connection lands 9. Thus, the chip 2 is sealed on the chip substrate 3.

以上のように構成された光学素子パッケージ1においては、Blu−ray・discの記録面で反射された青色光からなる戻り光を光透過層4の受光面4aから受光してチップ2の素子機能層7に導光する。光学素子パッケージ1においては、チップ2が、素子機能層7において受光した戻り光に対して所定の光−電気変換処理を施して電気信号を生成する。光学素子パッケージ1においては、電気信号が光透過層4から外部入出力電極8とワイヤ11とを介してチップ基板3の接続用電極9へと伝送されて、ビアを経由して実装用電極10から実装基板側へと伝送する。   In the optical element package 1 configured as described above, the return light composed of blue light reflected by the recording surface of the Blu-ray disc is received from the light receiving surface 4a of the light transmission layer 4 to receive the element function of the chip 2. Guide to layer 7. In the optical element package 1, the chip 2 performs a predetermined photoelectric conversion process on the return light received by the element function layer 7 to generate an electrical signal. In the optical element package 1, an electric signal is transmitted from the light transmission layer 4 to the connection electrode 9 of the chip substrate 3 through the external input / output electrode 8 and the wire 11, and the mounting electrode 10 through the via. To the mounting board side.

光学素子パッケージ1においては、素子機能層7を従来パッケージ用樹脂として用いられていない青色光透過型樹脂で成形した光透過樹脂層4によって被覆することから、小型化が図られるとともに材料費や製造工程の簡易化と生産性の向上とによるコスト低減が図られる。光学素子パッケージ1においては、素子機能層7を光透過樹脂層4によって被覆した状態で遮光樹脂層5によってチップ2を封止することで、信頼性の向上と青色光の受光特性の向上が図られるようになる。   In the optical element package 1, the element functional layer 7 is covered with the light transmissive resin layer 4 formed of a blue light transmissive resin that has not been used as a conventional package resin. Cost reduction is achieved by simplifying the process and improving productivity. In the optical element package 1, the chip 2 is sealed with the light-shielding resin layer 5 in a state where the element functional layer 7 is covered with the light-transmitting resin layer 4, thereby improving the reliability and the blue light receiving characteristics. Be able to.

光学素子パッケージ1においては、受光面4aを構成する光透過樹脂層4を除く全体を遮光樹脂層5によって封止することで、素子機能層7や内部回路部等に対する塵埃や湿気等の侵入を確実に防止して信頼性の向上が図られる。光学素子パッケージ1においては、遮光樹脂層5がチップ基板3の反りを規制するとともにワイヤ11を保持することにより信頼性の向上が図られる。光学素子パッケージ1においては、遮光樹脂層5によって光透過樹脂層4における乱光の影響を抑制して受光効率の向上が図られるようになる。   In the optical element package 1, the entire portion excluding the light transmitting resin layer 4 constituting the light receiving surface 4 a is sealed with the light shielding resin layer 5, so that intrusion of dust, moisture, or the like into the element function layer 7 or the internal circuit portion is performed. The reliability is improved by surely preventing. In the optical element package 1, the light shielding resin layer 5 regulates the warp of the chip substrate 3 and holds the wires 11, thereby improving the reliability. In the optical element package 1, the light-shielding resin layer 5 suppresses the influence of irregular light in the light-transmitting resin layer 4, thereby improving the light receiving efficiency.

なお、本発明は、上述した実施の形態として示した青色受光素子パッケージに限定されないことは勿論であり、例えばを示したが、光透過樹脂層4を例えば日東電工製の赤色・赤外光透過用樹脂NT−8000シリーズで成形した赤色受光素子パッケージにも適用される。かかる赤色受光素子パッケージにおいても、光透過樹脂層4と素子機能層7との密着性の向上が図られることから、信頼性の向上や実装基板等への実装工程等における低温プロセス化を可能とする。   Note that the present invention is not limited to the blue light receiving element package shown as the above-described embodiment. For example, the light transmitting resin layer 4 is made of, for example, a red / infrared light transmitting material manufactured by Nitto Denko. It is also applied to a red light receiving element package molded with resin NT-8000 series. In such a red light receiving element package, since the adhesion between the light transmitting resin layer 4 and the element functional layer 7 is improved, the reliability can be improved and a low temperature process can be realized in a mounting process on a mounting substrate or the like. To do.

上述した光学素子パッケージ1の製造工程は、大判のウエーハ15上で多数子のチップ2を一括して制作するチップ形成工程と、各チップ2に対してそれぞれに光透過樹脂層4を形成する光透過樹脂層形成工程と、各チップ2を個々に切り分けるウエーハ切断工程とを有する。光学素子パッケージ1の製造工程は、各チップ2を大判の配線基板材16上にダイボンドするチップ実装工程と、ワイヤボンディング工程と、チップ封止工程と、光学素子パッケージ1を1個ずつに切り分ける切り分け工程を有する。チップ形成工程は、ウエーハ15の主面15a上に、所定の間隔を以って薄膜技術により光信号−電気信号変換機能を奏する多層構成の素子機能層7を形成するとともに各素子機能層7に対応してそれぞれ外部入出力電極8を形成する。   The manufacturing process of the optical element package 1 described above includes a chip forming process for producing a plurality of chips 2 on a large wafer 15 and a light for forming a light transmitting resin layer 4 on each chip 2. A transparent resin layer forming step, and a wafer cutting step of cutting each chip 2 individually. The manufacturing process of the optical element package 1 includes a chip mounting process in which each chip 2 is die-bonded on a large-sized wiring board material 16, a wire bonding process, a chip sealing process, and an optical element package 1 that is divided into pieces. Process. In the chip formation process, the element function layer 7 having a multilayer structure that performs an optical signal-electric signal conversion function is formed on the main surface 15a of the wafer 15 by a thin film technique at a predetermined interval. Correspondingly, external input / output electrodes 8 are formed respectively.

光透過樹脂層形成工程は、図2に示すように素子機能層7を形成したウエーハ15の主面15a上に感光性樹脂層17を形成する感光性樹脂層形成工程を有する。感光性樹脂層17は、各チップ2に形成する光透過樹脂層4に対応して開口部18を形成するために形成する樹脂層であり、やや厚みを有して形成される。感光性樹脂層17は、層厚をコントロールすることを考慮して例えばシート状樹脂膜を接合して形成するが、樹脂層を形成する際に一般的に適用されるスピンコート法等により形成するようにしてもよい。   The light transmissive resin layer forming step includes a photosensitive resin layer forming step of forming a photosensitive resin layer 17 on the main surface 15a of the wafer 15 on which the element functional layer 7 is formed as shown in FIG. The photosensitive resin layer 17 is a resin layer formed to form the opening 18 corresponding to the light-transmitting resin layer 4 formed on each chip 2 and is formed with a slight thickness. The photosensitive resin layer 17 is formed by bonding, for example, a sheet-like resin film in consideration of controlling the layer thickness, and is formed by a spin coat method or the like generally applied when forming the resin layer. You may do it.

光透過樹脂層形成工程は、図3に示すように感光性樹脂層17上に、各素子機能層7に対向する部位にそれぞれ開口部19を設けたマスク20を重ね合わせるマスキング工程を有する。マスク20は、各素子機能層7に対して開口部19の対向部位のみを露光可能とさせるように他の部位を遮光する。   The light transmissive resin layer forming step includes a masking step of superimposing a mask 20 provided with an opening 19 at a portion facing each element functional layer 7 on the photosensitive resin layer 17 as shown in FIG. The mask 20 shields other parts so that only the part facing the opening 19 can be exposed to each element functional layer 7.

光透過樹脂層形成工程は、感光性樹脂層17に対してフォトリソグラフ処理を施して開口部18をパターニングする工程を有する。フォトリソグラフ処理は、周知のようにマスク20の開口部19に対向する感光性樹脂層17を露光させた後に現像処理を施すことによって露光部位の感光性樹脂を除去し、図4に示すように各素子機能層7を外方に露出させる開口部18を形成する。   The light transmissive resin layer forming step includes a step of patterning the opening 18 by performing a photolithography process on the photosensitive resin layer 17. In the photolithography process, as is well known, the photosensitive resin layer 17 facing the opening 19 of the mask 20 is exposed and then developed to remove the photosensitive resin at the exposed portion, as shown in FIG. An opening 18 that exposes each element functional layer 7 to the outside is formed.

光透過樹脂層形成工程は、図5に示すように各開口部18に例えばディスペンサ等によって上述した液状の東レ・ダウコーニング・シリコーン製の青色光透過型樹脂EG6301等の青色光透過型樹脂液21を充填する青色光透過型樹脂液充填工程を有する。青色光透過型樹脂液充填工程においては、感光性樹脂層17の層厚がさほど精密ではなく各開口部18の深さに多少のバラツキがある場合でも、青色光透過型樹脂液21の充填量を制御することによって所定の厚みの光透過樹脂層4を形成することが可能である。なお、青色光透過型樹脂液充填工程においては、精密な層形成工程により感光性樹脂層17を形成した場合に、例えば印刷法等によって各開口部18内に青色光透過型樹脂液21を充填することも可能である。   As shown in FIG. 5, the light transmissive resin layer forming step is performed by using a blue light transmissive resin liquid 21 such as the above-described liquid Toray Dow Corning silicone blue light transmissive resin EG6301 in each opening 18 using, for example, a dispenser. A blue light transmissive resin liquid filling step. In the blue light transmissive resin liquid filling step, even if the thickness of the photosensitive resin layer 17 is not so precise and there is some variation in the depth of each opening 18, the filling amount of the blue light transmissive resin liquid 21 It is possible to form the light-transmitting resin layer 4 having a predetermined thickness by controlling the above. In the blue light transmissive resin liquid filling process, when the photosensitive resin layer 17 is formed by a precise layer forming process, the blue light transmissive resin liquid 21 is filled in each opening 18 by, for example, a printing method or the like. It is also possible to do.

光透過樹脂層形成工程においては、加熱処理を施すことにより感光性樹脂層17の各開口部18内において青色光透過型樹脂21を硬化させて光透過樹脂層4を形成する。光透過樹脂層4は、青色光透過型樹脂の特性から、硬化状態においても固く硬化することなく柔軟性が保持されている。光透過樹脂層形成工程においては、エッチング除理を施してウエーハ15の主面15a上から感光性樹脂層17を除去することによって、図6に示すように各素子機能層7を光透過樹脂層4によって封止するとともに各外部入出力電極8を露出させる多数個のチップ2をウエーハ15の主面15a上に形成する。なお、光透過樹脂層形成工程においては、精密な素子機能層7を光透過樹脂層4によって封止した状態でエッチング処理が施こされることから、エッチング液による素子機能層7への影響が防止される。   In the light transmitting resin layer forming step, the light transmitting resin layer 4 is formed by curing the blue light transmitting resin 21 in each opening 18 of the photosensitive resin layer 17 by performing heat treatment. The light transmissive resin layer 4 retains flexibility without being hardened even in a cured state due to the characteristics of the blue light transmissive resin. In the light transmissive resin layer forming step, etching is performed to remove the photosensitive resin layer 17 from the main surface 15a of the wafer 15, so that each element functional layer 7 is formed into a light transmissive resin layer as shown in FIG. On the main surface 15 a of the wafer 15, a large number of chips 2 that are sealed by 4 and expose the external input / output electrodes 8 are formed. In the light transmitting resin layer forming step, since the etching process is performed in a state where the precise element function layer 7 is sealed with the light transmitting resin layer 4, there is an influence on the element function layer 7 by the etching solution. Is prevented.

ウエーハ切断工程は、詳細を省略するダイサ22により隣り合う各外部入出力電極8間においてウエーハ15を半導体基板6の大きさに切断して、図7に示すように各チップ2を1個ずつに切り分ける。各チップ2は、上述したように素子機能層7が光透過樹脂層4によって封止されることで、ウエーハ15を切断する際に供給される冷却水の影響やチップ基板3への実装工程におけるハンドリング性の向上が図られる。各チップ2は、同図に示すように半導体基板6の主面6a上において素子機能層7が光透過樹脂層4によって封止されるとともに、この光透過樹脂層4の周辺部に多数個の外部入出力電極8が形成されてなる。   In the wafer cutting step, the wafer 15 is cut into the size of the semiconductor substrate 6 between the adjacent external input / output electrodes 8 by the dicer 22 which omits the details, and each chip 2 is made one by one as shown in FIG. Carve out. In each chip 2, the element functional layer 7 is sealed with the light-transmitting resin layer 4 as described above, so that the influence of the cooling water supplied when the wafer 15 is cut or the mounting process on the chip substrate 3 is performed. The handling property is improved. In each chip 2, as shown in the figure, the element functional layer 7 is sealed by the light transmitting resin layer 4 on the main surface 6 a of the semiconductor substrate 6, and a large number of chips 2 are formed around the light transmitting resin layer 4. External input / output electrodes 8 are formed.

以上の工程を経て製作された各チップ2は、チップ実装工程により大判の配線基板16にそれぞれダイボンドされる。配線基板16には、詳細を省略するが各チップ2の接合領域を囲んでそれぞれ多数個の接続用ランド9が形成されるとともに、これら接続用ランド9が内層に形成したビアを介して底面側にそれぞれ多数個の実装用電極10が形成されている。チップ実装工程は、半導体基板6の第2主面6aに例えば熱硬化型の接着剤を塗布して配線基板16の実装領域上にダイボンドし、接着剤を加熱して硬化させることにより各チップ2を固定する。   Each chip 2 manufactured through the above processes is die-bonded to a large-sized wiring board 16 by a chip mounting process. Although not described in detail, a large number of connection lands 9 are formed on the wiring board 16 so as to surround the bonding region of each chip 2, and the connection lands 9 are formed on the bottom side via vias formed in the inner layer. In addition, a large number of mounting electrodes 10 are formed respectively. In the chip mounting process, for example, a thermosetting adhesive is applied to the second main surface 6a of the semiconductor substrate 6 and die-bonded onto the mounting region of the wiring board 16, and the adhesive is heated and cured to cure each chip 2. To fix.

ワイヤダイボンド工程は、各チップ2と配線基板16との電気的接続を行う。ワイヤダイボンド工程は、半導体基板6の主面6aに形成されたの外部入出力電極8と相対する接続用ランド9とをそれぞれワイヤ11で接続することにより、図8に示したパッケージ中間体23を製作する。   In the wire die bonding process, each chip 2 and the wiring board 16 are electrically connected. In the wire die bonding process, the external input / output electrodes 8 formed on the main surface 6a of the semiconductor substrate 6 and the connecting lands 9 facing each other are connected by wires 11, respectively, so that the package intermediate body 23 shown in FIG. To manufacture.

チップ封止工程は、パッケージ中間体23を成形金型24のキャビティ25内に装填して、各チップ2を封止する遮光樹脂層5をインジェクションモールドする。成形金型24は、詳細を省略するが例えば固定金型24Aのキャビティ25内にパッケージ中間体23を位置決めした状態で可動金型24Bの型締め動作が行われる。成形金型24は、キャビティ25がその高さをパッケージ中間体23の厚みと等しく製作されており、型締め状態において図9に示すように可動金型24Bの内面24bに光透過樹脂層4の受光面4bが押し当てられるようにする。   In the chip sealing step, the package intermediate 23 is loaded into the cavity 25 of the molding die 24, and the light shielding resin layer 5 that seals each chip 2 is injection molded. Although the details of the molding die 24 are omitted, for example, the mold clamping operation of the movable die 24B is performed in a state where the package intermediate body 23 is positioned in the cavity 25 of the stationary die 24A. In the molding die 24, the cavity 25 is manufactured so that its height is equal to the thickness of the package intermediate body 23, and the light transmitting resin layer 4 is formed on the inner surface 24 b of the movable die 24 </ b> B in the clamped state as shown in FIG. 9. The light receiving surface 4b is pressed.

チップ封止工程においては、成形金型24のキャビティ25内にノズル25aから例えば黒色エポキシ樹脂等の遮光樹脂材の射出動作が行われ、所定の硬化時間を経て固定金型24Aに対する可動金型24Bの型開き動作が行われる。チップ封止工程においては、配線基板16の主面上に、各チップ2の透過樹脂層4をその受光面4bのみを外方に臨ませて外周部を封止する遮光樹脂層5を成形する。遮光樹脂層5は、外部入出力電極8と相対する接続用ランド9とをそれぞれ接続したワイヤ11を封止して硬化することで、接続部位での剥離等の発生を防止する。   In the chip sealing step, a light-blocking resin material such as black epoxy resin is injected from the nozzle 25a into the cavity 25 of the molding die 24, and the movable die 24B with respect to the stationary die 24A is passed through a predetermined curing time. The mold opening operation is performed. In the chip sealing step, the light-shielding resin layer 5 is formed on the main surface of the wiring board 16 so that the transparent resin layer 4 of each chip 2 faces only the light-receiving surface 4b outward and seals the outer periphery. . The light-shielding resin layer 5 seals and hardens the wires 11 that connect the external input / output electrodes 8 and the connecting lands 9 facing each other, thereby preventing the occurrence of peeling or the like at the connection site.

チップ封止工程においては、青色光透過型樹脂材の特性を巧に利用して簡易な成形金型によって精度の高い遮光樹脂層5を成形する。チップ封止工程においては、上述したように硬化状態でも柔軟性が保持される青色光透過型樹脂材によって成形された光透過樹脂層4が可動金型24Bの内面24bに受光面4bを押し当てて弾性変形した状態で、キャビティ25内に射出した遮光樹脂材により遮光樹脂層5を成形される。したがって、チップ封止工程においては、各チップ2が、光透過樹脂層4の受光面4bに遮光樹脂材のバリ発生を確実に防止されて遮光樹脂層5が成形される。チップ封止工程においては、各光透過樹脂層4を高精度に形成したり配線基板16に対して高さ位置を厳しく管理してダイボンドする必要も無く工程の簡易化と生産性の向上が図られるようにする。   In the chip sealing step, the light-shielding resin layer 5 with high accuracy is molded by a simple molding die by skillfully utilizing the characteristics of the blue light transmission resin material. In the chip sealing step, as described above, the light transmitting resin layer 4 formed of the blue light transmitting resin material that retains flexibility even in the cured state presses the light receiving surface 4b against the inner surface 24b of the movable mold 24B. The light shielding resin layer 5 is molded by the light shielding resin material injected into the cavity 25 while being elastically deformed. Therefore, in the chip sealing process, each chip 2 is reliably prevented from generating burr of the light shielding resin material on the light receiving surface 4b of the light transmitting resin layer 4, and the light shielding resin layer 5 is formed. In the chip sealing process, it is not necessary to form each light-transmitting resin layer 4 with high precision or to strictly control the height position with respect to the wiring substrate 16 and die-bond, thereby simplifying the process and improving productivity. To be able to.

切り分け工程は、成形金型24から取り出したパッケージ中間体23に対して、図10に示すように詳細を省略するダイサ22によって隣り合う各チップ2間において配線基板16をそれぞれチップ基板3の大きさに切断して1個ずつに切り分けることにより、光学素子パッケージ1を製造する。   In the cutting process, the wiring substrate 16 is sized between the adjacent chips 2 by the dicer 22 whose details are omitted as shown in FIG. 10 with respect to the package intermediate body 23 taken out from the molding die 24. The optical element package 1 is manufactured by cutting into pieces one by one.

なお、上述した光学素子パッケージ1の製造工程は、青色光透過型樹脂を用いた青色受光素子パッケージの製造工程について説明したが、赤色・赤外光系光学素子パッケージの製造工程にも適用されることは勿論である。光学素子パッケージ1の製造工程は、光透過樹脂層4の受光面4bを成形金型24の内面24bに押し当てた状態で遮光樹脂層5を成形することで、半導体基板6に対する光透過樹脂層4の密着性を向上させるとともに受光面4bに遮光樹脂材のバリ発生が防止された光学素子パッケージ1を製造する。   The manufacturing process of the optical element package 1 described above has been described with respect to the manufacturing process of the blue light receiving element package using the blue light transmitting resin, but is also applied to the manufacturing process of the red / infrared light optical element package. Of course. The optical element package 1 is manufactured by forming the light-shielding resin layer 5 in a state where the light-receiving surface 4b of the light-transmitting resin layer 4 is pressed against the inner surface 24b of the molding die 24, so that the light-transmitting resin layer with respect to the semiconductor substrate 6 is formed. 4 is manufactured, and the light receiving surface 4b is prevented from generating burr of the light shielding resin material.

光学素子パッケージ1の製造工程においては、簡易な工程と簡易な成形金型24を用いて遮光樹脂層5と一体化された光透過樹脂層4を有する光学素子パッケージ1を製造することから、部材費や製造コストを低減して廉価な光学素子パッケージ1を得る。光学素子パッケージ1の製造工程においては、ウエーハ15上において素子機能層7を封止する光透過樹脂層4を形成することから、後工程における取り扱いを簡便化して生産性の向上が図られるようになる。   In the manufacturing process of the optical element package 1, the optical element package 1 having the light-transmitting resin layer 4 integrated with the light-shielding resin layer 5 is manufactured using a simple process and a simple molding die 24. Costs and manufacturing costs are reduced, and an inexpensive optical element package 1 is obtained. In the manufacturing process of the optical element package 1, the light transmitting resin layer 4 that seals the element functional layer 7 is formed on the wafer 15, so that the handling in the subsequent process is simplified and the productivity is improved. Become.

上述した実施の形態においては、チップ2をチップ基板3の第1主面3a上に設けた光学素子パッケージ1について説明したが、チップ基板3に代えて例えば多数個の端子片を有する金属フレームとチップ2とを一体化した光学素子パッケージにも適用可能である。図11に示した光学素子パッケージ30は、いわゆるガルウイング型光学素子パッケージであり、上述した工程を経て製作されたチップ2と、リードフレーム31と、封止樹脂層32とから構成される。   In the embodiment described above, the optical element package 1 in which the chip 2 is provided on the first main surface 3a of the chip substrate 3 has been described. However, instead of the chip substrate 3, for example, a metal frame having a large number of terminal pieces and The present invention can also be applied to an optical element package in which the chip 2 is integrated. The optical element package 30 shown in FIG. 11 is a so-called gull-wing type optical element package, and includes a chip 2 manufactured through the above-described steps, a lead frame 31, and a sealing resin layer 32.

光学素子パッケージ30は、リードフレーム31が、詳細を省略するがそれぞれチップ2をダイボンドするダイボンド部33を有するとともに、これらダイボンド部33をそれぞれ囲みかつそれぞれの先端部を図示しない連結部により一体化された多数個の端子片34とを有している。光学素子パッケージ30は、チップ2がダイボンド部33上に配置されて外部入出力電極8と相対する端子片34との間をワイヤ11によって接続して組み付ける。光学素子パッケージ30は、チップ2を組み付けたリードフレーム31を図示しない成形金型のキャビティ内に装着して、封止樹脂層32が成形される。光学素子パッケージ30は、所定の硬化時間を経て成形金型から取り出した後に、リードフレーム31に対して封止樹脂層32から突出された各端子片34をそれぞれ分離する連結部の切断工程を施して製造される。   In the optical element package 30, the lead frame 31 has a die bond portion 33 for die-bonding the chip 2, although details thereof are omitted, and surrounds the die bond portion 33 and each tip portion is integrated by a connecting portion (not shown). And a large number of terminal pieces 34. The optical element package 30 is assembled by connecting the external input / output electrode 8 and the terminal piece 34 facing the chip 2 with the wire 11 on the die bonding portion 33. In the optical element package 30, the lead frame 31 assembled with the chip 2 is mounted in a cavity of a molding die (not shown), and the sealing resin layer 32 is molded. After the optical element package 30 is taken out from the molding die after a predetermined curing time, the optical element package 30 is subjected to a connecting portion cutting step for separating the terminal pieces 34 protruding from the sealing resin layer 32 from the lead frame 31. Manufactured.

光学素子パッケージ30においても、各チップ2がウエーハ15上において素子機能層7を封止する光透過樹脂層4が形成されており、それぞれの光透過樹脂層4の受光面4aをキャビティの内面に押し当てるようにしてリードフレーム31が成形金型に装填されて封止樹脂層32の成形が行われる。したがって、光学素子パッケージ30は、図に示すように光透過樹脂層4の受光面4aのみを外方に臨ませて全体が封止樹脂層32によって封止される。なお、光学素子パッケージ30は、封止樹脂層32が上述した遮光樹脂層5と同様に遮光樹脂材によって成形される。   Also in the optical element package 30, each chip 2 is formed with a light transmitting resin layer 4 that seals the element functional layer 7 on the wafer 15, and the light receiving surface 4 a of each light transmitting resin layer 4 is formed on the inner surface of the cavity. The lead frame 31 is loaded into a molding die so as to be pressed, and the sealing resin layer 32 is molded. Therefore, the entire optical element package 30 is sealed by the sealing resin layer 32 with only the light receiving surface 4a of the light transmitting resin layer 4 facing outward as shown in the figure. In the optical element package 30, the sealing resin layer 32 is formed of a light shielding resin material in the same manner as the light shielding resin layer 5 described above.

以上のように構成された光学素子パッケージ30においても、素子機能層7を従来パッケージ用樹脂として用いられていない青色光透過型樹脂で成形した光透過樹脂層4によって被覆することから、小型化が図られるとともに材料費や製造工程の簡易化と生産性の向上とによるコスト低減が図られる。光学素子パッケージ30においても、素子機能層7を光透過樹脂層4によって被覆した状態で封止樹脂層32によってチップ2を封止することで、信頼性の向上と青色光の受光特性の向上が図られるようになる。   Also in the optical element package 30 configured as described above, the element functional layer 7 is covered with the light-transmitting resin layer 4 formed of a blue light-transmitting resin that has not been used as a conventional resin for a package. In addition, the cost can be reduced by simplifying material costs and manufacturing processes and improving productivity. Also in the optical element package 30, the chip 2 is sealed with the sealing resin layer 32 in a state where the element functional layer 7 is covered with the light transmitting resin layer 4, thereby improving the reliability and the blue light receiving characteristics. Become figured.

光学素子パッケージ30においては、受光面4aを構成する光透過樹脂層4と各端子片34を除く全体を遮光樹脂層5によって封止することで、素子機能層7や内部回路部等に対する塵埃や湿気等の侵入を確実に防止して信頼性の向上が図られる。光学素子パッケージ30においては、封止樹脂層32がワイヤ11を保持することにより信頼性の向上が図られる。光学素子パッケージ30においては、封止樹脂層32によって光透過樹脂層4における乱光の影響を抑制して受光効率の向上が図られるようになる。光学素子パッケージ30においても、青色受光素子パッケージに限定されないことは勿論であり、赤色受光素子パッケージにも適用される。   In the optical element package 30, the entire portion excluding the light transmitting resin layer 4 and each terminal piece 34 constituting the light receiving surface 4 a is sealed with the light shielding resin layer 5, so that dust or dirt on the element function layer 7, the internal circuit portion, etc. Reliability is improved by reliably preventing intrusion of moisture and the like. In the optical element package 30, the sealing resin layer 32 holds the wire 11, thereby improving the reliability. In the optical element package 30, the sealing resin layer 32 suppresses the influence of the scattered light in the light transmitting resin layer 4, thereby improving the light receiving efficiency. Of course, the optical element package 30 is not limited to the blue light receiving element package, and is also applicable to the red light receiving element package.

光学素子パッケージの断面図である。It is sectional drawing of an optical element package. 光学素子パッケージの製造工程図であり、素子機能層や外部出力電極を形成したウエーハの主面上に感光性樹脂層を形成する感光性樹脂層形成工程の説明図である。It is a manufacturing process figure of an optical element package, and is explanatory drawing of the photosensitive resin layer formation process which forms the photosensitive resin layer on the main surface of the wafer in which the element function layer and the external output electrode were formed. 感光性樹脂層上にマスクを重ね合わせたマスキング工程の説明図である。It is explanatory drawing of the masking process which piled up the mask on the photosensitive resin layer. 感光性樹脂層に開口部をパターニングするパターニング工程の説明図である。It is explanatory drawing of the patterning process of patterning an opening part in the photosensitive resin layer. 感光性樹脂層の各開口部に光透過型樹脂液を充填する光透過型樹脂液充填工程の説明図である。It is explanatory drawing of the light transmissive resin liquid filling process which fills each opening part of the photosensitive resin layer with a light transmissive resin liquid. 感光性樹脂層の除去工程の説明図である。It is explanatory drawing of the removal process of the photosensitive resin layer. ウエーハの切断工程の説明図である。It is explanatory drawing of the cutting process of a wafer. 配線基板へのチップ素子のダイボンド工程の説明図である。It is explanatory drawing of the die-bonding process of the chip element to a wiring board. ダイボンド工程とワイヤボンディング工程を経たパッケージ中間体を成形金型に装填して遮光樹脂層を成形する工程の説明図である。It is explanatory drawing of the process of loading the package intermediate body which passed through the die-bonding process and the wire bonding process to a shaping die, and shape | molding the light shielding resin layer. 配線基板の切断工程の説明図である。It is explanatory drawing of the cutting process of a wiring board. 他の実施の形態として示すガルウイング型光学素子パッケージの断面図である。It is sectional drawing of the gull wing type | mold optical element package shown as other embodiment. 従来の光学素子パッケージの断面図である。It is sectional drawing of the conventional optical element package.

符号の説明Explanation of symbols

1 光学素子パッケージ、2 チップ(青色光学素子チップ)、3 チップ基板(配線基板)、4 光透過樹脂層、5 遮光樹脂層、6 半導体基板(ウエーハ)、7 素子機能層、8 外部入出力電極、9 接続用ランド、10 実装用電極、11 ワイヤ、15 ウエーハ、16 配線基板、17 感光性樹脂層、18 開口部、19 開口部、20 マスク、21 青色光透過型樹脂液、22 ダイサ、23 パッケージ中間体、24 成形金型、25 キャビティ、30 光学素子パッケージ、31 リードフレーム、32 封止樹脂層、33 ダイボンド部、34 端子片
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical element package, 2 chip | tip (blue optical element chip | tip), 3 chip | tip board | substrate (wiring board), 4 light transmission resin layer, 5 light shielding resin layer, 6 semiconductor substrate (wafer), 7 element functional layer, 8 external input / output electrode , 9 Connection land, 10 Mounting electrode, 11 Wire, 15 Wafer, 16 Wiring board, 17 Photosensitive resin layer, 18 Opening, 19 Opening, 20 Mask, 21 Blue light transmitting resin liquid, 22 Dicer, 23 Package intermediate, 24 Mold, 25 Cavity, 30 Optical element package, 31 Lead frame, 32 Sealing resin layer, 33 Die bond part, 34 Terminal piece

Claims (8)

半導体基板の主面上に、光学入力部又は光学出力部と入出力電極とを有し上記光学入力部で受光した青色光信号を電気信号に変換し又は上記光学出力部から電気信号に基づく青色光信号を出射させる所定の素子機能層を形成してなる青色光学素子チップと、
硬化状態でも柔軟性が保持される液状の青色光透過性樹脂を硬化させることにより成形され、上記光学入力部又は光学出力部を被覆して上記青色光学素子チップの上記素子機能層上に形成された青色光透過性樹脂層と、
上記青色光透過性樹脂層を外方に臨ませるとともに上記入出力電極と接続されたワイヤを保持して上記青色光学素子チップを封装する遮光性樹脂層とから構成され、
上記光遮光性樹脂層が、上記青色光透過性樹脂層を内面に押圧させて上記青色光学素子チップがキャビティ内に装填される成形金型の上記キャビティ内に射出される光遮光性樹脂によって成形されることを特徴とする青色光学素子パッケージ。
A blue light signal that has an optical input unit or an optical output unit and an input / output electrode on the main surface of the semiconductor substrate and that is received by the optical input unit is converted into an electrical signal or blue based on the electrical signal from the optical output unit A blue optical element chip formed with a predetermined element functional layer for emitting an optical signal;
It is formed by curing a liquid blue light transmissive resin that retains flexibility even in a cured state, and is formed on the element functional layer of the blue optical element chip so as to cover the optical input part or the optical output part. A blue light-transmitting resin layer,
A light-shielding resin layer that faces the blue light-transmitting resin layer and holds the wires connected to the input / output electrodes and seals the blue optical element chip;
The light-shielding resin layer is molded by a light-shielding resin that is injected into the cavity of a molding die in which the blue optical element chip is loaded into the cavity by pressing the blue light-transmissive resin layer on the inner surface. A blue optical element package.
上記青色光学素子チップが、上記半導体基板を配線基板の主面上に接合されるとともに上記入出力電極を上記配線基板に形成した接続用ランドとワイヤボンディングされた状態で、上記配線基板の主面上に上記成形金型によって成形される上記遮光性樹脂層によって封止されることを特徴とする請求項1に記載の青色光学素子パッケージ。   The blue optical element chip is bonded to the main surface of the wiring board while the semiconductor substrate is bonded to the main surface of the wiring board and the input / output electrodes are wire-bonded to a connection land formed on the wiring board. The blue optical element package according to claim 1, wherein the blue optical element package is sealed with the light-shielding resin layer formed on the molding die. 上記青色光学素子チップが、上記入出力電極をリードフレームに形成した各端子片とワイヤボンディングされた状態で、全体が上記成形金型の上記キャビティ内に装填されて上記遮光性樹脂層が成形されることによって封止されることを特徴とする請求項1に記載の青色光学素子パッケージ。   In a state where the blue optical element chip is wire-bonded to each terminal piece having the input / output electrodes formed on the lead frame, the whole is loaded into the cavity of the molding die, and the light-shielding resin layer is molded. The blue optical element package according to claim 1, wherein the blue optical element package is sealed. 半導体基板の主面上に、光学入力部又は光学出力部と入出力電極とを有し上記光学入力部で受光した光信号を電気信号に変換し又は上記光学出力部から電気信号に基づく光信号を出射させる所定の素子機能層を形成してなる光学素子チップを形成する光学素子チップ形成工程と、
上記光学素子チップの上記素子機能層上に形成した樹脂層に対して上記光学入力部又は光学出力部を開口させるパターニング処理を施すとともに上記開口部に液状の光透過性樹脂を充填して硬化させることにより、上記光学入力部又は光学出力部を被覆する光透過性樹脂層を形成する光透過性樹脂層形成工程と、
上記光学素子チップを封装する遮光性樹脂層を成形する成形金型が用いられ、この成形金型のキャビティ内に上記光透過性樹脂層を内面に押圧させて上記光学素子チップを装填した後に遮光性樹脂をキャビティ内に射出して遮光性樹脂層を成形する遮光性樹脂層成形工程とを有し、
上記光透過性樹脂層を外方に臨ませるとともに上記入出力電極と接続されたワイヤを保持する上記遮光性樹脂層によって上記光学素子チップを封止した光学素子パッケージを製造することを特徴とする光学素子パッケージの製造方法。
An optical signal having an optical input unit or an optical output unit and an input / output electrode on the main surface of the semiconductor substrate, converted into an electrical signal from the optical input unit, or based on the electrical signal from the optical output unit An optical element chip forming step of forming an optical element chip formed by forming a predetermined element functional layer that emits light;
The resin layer formed on the element functional layer of the optical element chip is subjected to a patterning process for opening the optical input portion or the optical output portion, and the opening portion is filled with a liquid light-transmitting resin and cured. A light transmissive resin layer forming step of forming a light transmissive resin layer covering the optical input part or the optical output part,
A molding die for molding the light-shielding resin layer for sealing the optical element chip is used. After the optical element chip is loaded by pressing the light-transmitting resin layer into the cavity of the molding die, the light shielding is performed. A light-shielding resin layer molding step of injecting a light-sensitive resin into the cavity to mold a light-shielding resin layer,
An optical element package in which the optical element chip is sealed with the light-shielding resin layer that holds the wires connected to the input / output electrodes while facing the light-transmitting resin layer outward is manufactured. Manufacturing method of optical element package.
上記光学素子チップ形成工程と上記光透過性樹脂層形成工程とが、ウェーハの主面上で多数個の上記光学素子チップを一括して形成するとともに、各光学素子チップに対してそれぞれ上記光透過性樹脂層を形成する工程であり、
上記光透過性樹脂層形成工程の後工程として、上記ウェーハを切断して上記光学素子チップを1個ずつに切り分けるウェーハ切断工程と、切り分けた上記各光学素子チップを配線基板の主面上にそれぞれ実装してこの配線基板に形成した接続用ランドと上記入出力電極とを接続するワイヤボンディング工程とを施した後に、
上記配線基板上において多数個の上記光学素子チップを一括して遮光性樹脂層により封止する遮光性樹脂層成形工程と、
上記配線基板と上記遮光性樹脂層とを切断して光学素子パッケージを1個ずつずつに切り分ける配線基板切断工程とを経て
上記光透過性樹脂層を外方に臨ませるとともに上記入出力電極と上記接続用ランドとを接続したワイヤを保持する上記遮光性樹脂層によって上記光学素子チップを封止した光学素子パッケージを製造することを特徴とする請求項4に記載の光学素子パッケージの製造方法。
The optical element chip forming step and the light-transmitting resin layer forming step collectively form a large number of the optical element chips on the main surface of the wafer, and each of the optical element chips transmits the light transmitting material. A step of forming a functional resin layer,
As a post-process of the light transmissive resin layer forming step, a wafer cutting step of cutting the wafer and cutting the optical element chips one by one, and each of the cut optical element chips on the main surface of the wiring board, respectively. After performing a wire bonding step for connecting the connection land formed on the wiring board and connecting the input / output electrode,
A light-shielding resin layer molding step for collectively sealing a plurality of the optical element chips with the light-shielding resin layer on the wiring board;
The wiring board and the light-shielding resin layer are cut and a wiring board cutting step for cutting the optical element packages one by one is performed. 5. The method of manufacturing an optical element package according to claim 4, wherein an optical element package in which the optical element chip is sealed with the light-shielding resin layer that holds the wire connected to the connection land is manufactured.
上記光学素子チップが上記光学入力部で受光した青色光信号を上記素子機能層において電気信号に変換する機能又は上記素子機能層において電気信号に基づく青色光信号を生成して上記光学出力部から出射させる機能を有する青色光学素子チップであり、
上記光透過性樹脂層が硬化状態でも柔軟性が保持される青色光透過性樹脂によって成形され、
上記遮光性樹脂層成形工程において、上記各光学素子チップが上記成形金型のキャビティ内に、それぞれに形成した上記光透過性樹脂層を内面に押圧させて装填した状態で遮光性樹脂をキャビティ内に射出して上記遮光性樹脂層を成形することを特徴とする請求項4に記載の光学素子パッケージの製造方法。
The optical element chip has a function of converting a blue light signal received by the optical input unit into an electric signal in the element function layer, or a blue light signal based on the electric signal is generated in the element function layer and emitted from the optical output unit. A blue optical element chip having a function of
The light transmissive resin layer is molded by a blue light transmissive resin that retains flexibility even in a cured state,
In the light-shielding resin layer molding step, the light-shielding resin is placed in the cavity in a state in which each optical element chip is loaded into the cavity of the molding die by pressing the light-transmitting resin layer formed on the inner surface. The method for manufacturing an optical element package according to claim 4, wherein the light shielding resin layer is molded by injection.
上記光透過性樹脂層形成工程が、
上記半導体基板の主面上に、上記素子機能層を被覆して感光性樹脂層を全面に亘って形成する感光性樹脂層形成工程と、
上記感光性樹脂層に対してフォトリソグラフ法により上記光学入力部又は光学出力部の対向部位に開口部を形成するパターニング工程と、
上記各開口部に対して液状の光透過性樹脂を充填する光透過性樹脂充填工程と、
上記各光透過性樹脂を硬化させる光透過性樹脂硬化工程と、
上記半導体基板の主面上から上記感光性樹脂層絶縁層を除去する感光性樹脂層除去工程とを有することを特徴とする請求項4に記載の光学素子パッケージの製造方法。
The light-transmitting resin layer forming step
A photosensitive resin layer forming step of covering the element functional layer on the main surface of the semiconductor substrate and forming a photosensitive resin layer over the entire surface;
A patterning step of forming an opening in the opposite portion of the optical input portion or the optical output portion by a photolithographic method with respect to the photosensitive resin layer;
A light transmissive resin filling step of filling the liquid transmissive resin into each of the openings;
A light transmissive resin curing step of curing each of the light transmissive resins;
The method for manufacturing an optical element package according to claim 4, further comprising a photosensitive resin layer removing step of removing the photosensitive resin layer insulating layer from the main surface of the semiconductor substrate.
上記光透過性樹脂層形成工程の後工程として、
上記ウェーハを切断して上記光学素子チップを1個ずつに切り分けるウェーハ切断工程と、切り分けた上記各光学素子チップをそれぞれの上記入出力電極をリードフレームの端子片に接続するワイヤボンディング工程とを施した後に、
上記リードフレームを上記成形金型のキャビティ内に装填して多数個の上記光学素子チップを一括して光遮光性樹脂層により封止する光遮光性樹脂層成形工程と、
上記光遮光性樹脂層と上記リードフレームのリード部とを切断して光学素子パッケージを1個ずつずつに切り分ける切断工程とを経て
上記光透過性樹脂層を外方に臨ませるとともに、上記入出力電極と上記端子片とを接続したワイヤを保持しかつ上記端子片を突出させる上記光遮光性樹脂層によって上記光学素子チップを封止した光学素子パッケージを製造することを特徴とする請求項4に記載の光学素子パッケージの製造方法。
As a subsequent step of the light transmissive resin layer forming step,
A wafer cutting step of cutting the wafer to cut the optical element chips one by one and a wire bonding step of connecting the cut optical element chips to the input / output electrodes of the lead frame terminal pieces. After
A light-shielding resin layer molding step in which the lead frame is loaded into a cavity of the molding die, and a large number of the optical element chips are collectively sealed with a light-shielding resin layer;
The light-transmitting resin layer is exposed to the outside through a cutting step of cutting the light-shielding resin layer and the lead portion of the lead frame and cutting the optical element packages one by one. 5. The optical element package in which the optical element chip is sealed with the light-shielding resin layer that holds the wire connecting the electrode and the terminal piece and protrudes the terminal piece. The manufacturing method of the optical element package of description.
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