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JP2006154080A - Liquid crystal display - Google Patents

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JP2006154080A
JP2006154080A JP2004342234A JP2004342234A JP2006154080A JP 2006154080 A JP2006154080 A JP 2006154080A JP 2004342234 A JP2004342234 A JP 2004342234A JP 2004342234 A JP2004342234 A JP 2004342234A JP 2006154080 A JP2006154080 A JP 2006154080A
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JP
Japan
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liquid crystal
capacitor
line
pixel
active matrix
Prior art date
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Pending
Application number
JP2004342234A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junichi Morinaga
潤一 森永
Toru Sonoda
通 園田
Masahiro Yoshida
昌弘 吉田
Masakatsu Tominaga
真克 冨永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2004342234A priority Critical patent/JP2006154080A/en
Publication of JP2006154080A publication Critical patent/JP2006154080A/en
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Abstract

【課題】広視野角を有する液晶表示装置において、補助容量を形成しても、画素の開口率を低下させないようにする。
【解決手段】スリット7fを有する複数の画素電極7がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、対向基板と、両基板に挟持された垂直配向型の液晶層と、アクティブマトリクス基板に形成され、画素電極7の電位を保持するための補助容量と、各画素電極7毎に規定された画素と、その画素を構成すると共に、スリット7fに沿って分割された複数のドメインと、その各ドメイン毎に対向基板の液晶層側に突出して形成されたリベット13aとを備えた液晶表示装置であって、電極4cからなる補助容量は、スリット7fに重なるように形成されている。
【選択図】図1
In a liquid crystal display device having a wide viewing angle, the aperture ratio of a pixel is not lowered even if an auxiliary capacitor is formed.
An active matrix substrate in which a plurality of pixel electrodes having slits are provided in a matrix, a counter substrate, a vertically aligned liquid crystal layer sandwiched between both substrates, and an active matrix substrate are formed. Auxiliary capacitor for holding the potential of the pixel electrode 7, a pixel defined for each pixel electrode 7, a plurality of domains constituting the pixel and divided along the slit 7f, and for each domain The auxiliary capacitor formed of the electrode 4c is formed so as to overlap the slit 7f.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、広視野角を有する垂直配向型の液晶表示装置に関するものである。   The present invention relates to a vertical alignment type liquid crystal display device having a wide viewing angle.

近年、ディスプレイとして注目されている液晶表示装置は、薄型で低消費電力であるという特徴を生かして、パーソナルコンピュータ等のOA機器、携帯電話やPDA(Personal Digital Assistant)の携帯情報機器等に広く用いられている。   2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices that are attracting attention as displays are widely used for OA devices such as personal computers, portable information devices such as mobile phones and PDAs (Personal Digital Assistants), taking advantage of their thinness and low power consumption. It has been.

特に、アクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置は、画像の最小単位である画素毎にTFT(Thin Film Transistor)等のスイッチング素子を備えているため、精細な画像表示が可能である。   In particular, an active matrix liquid crystal display device includes a switching element such as a thin film transistor (TFT) for each pixel, which is the minimum unit of an image, and thus can display a fine image.

このアクティブマトリクス型の液晶表示装置では、コントラストが高い、応答速度が比較的高い、駆動電圧が低い、階調表示が容易である等、ディスプレイとして基本的に必要とされる諸特性がバランスよく具備されているため、TN(Twisted Nematic)型の表示方式がよく用いられている。このTN型の液晶表示装置は、液晶分子により形成された液晶層に接する上下2枚の配向膜の配向方向を変え、液晶分子が電圧無印加であるときに、捻れた状態になるように構成されている。   This active matrix type liquid crystal display device has a well-balanced characteristic that is basically required for a display, such as high contrast, relatively high response speed, low drive voltage, and easy gradation display. Therefore, a TN (Twisted Nematic) type display method is often used. This TN type liquid crystal display device is configured to change the alignment direction of two upper and lower alignment films in contact with a liquid crystal layer formed of liquid crystal molecules so that the liquid crystal molecules are twisted when no voltage is applied. Has been.

しかしながら、上記TN型の液晶表示装置では、視角特性が見る方向によって異なり、視野角が狭いという問題を有している。この視野角の問題を解決するために、負の誘電異方率(Δε<0)を有する液晶分子を用いた垂直配向型の表示方式が提案されている(例えば、特許文献1、2及び3等参照)。   However, the TN liquid crystal display device has a problem that the viewing angle characteristic varies depending on the viewing direction and the viewing angle is narrow. In order to solve this viewing angle problem, vertical alignment type display systems using liquid crystal molecules having a negative dielectric anisotropy (Δε <0) have been proposed (for example, Patent Documents 1, 2, and 3). Etc.).

例えば、図12は、特許文献1及び2に開示された液晶表示装置に対応する液晶表示装置150aの平面模式図であり、図13は、その図12中のXIII-XIII線断面図であり、図14は、その図12中のXIV-XIV線断面図である。   For example, FIG. 12 is a schematic plan view of a liquid crystal display device 150a corresponding to the liquid crystal display device disclosed in Patent Documents 1 and 2, and FIG. 13 is a sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG.

この液晶表示装置150aは、アクティブマトリクス基板120aと、対向基板130aと、それら両基板120a及び130aの間に挟持された液晶層140とにより構成されている。   The liquid crystal display device 150a includes an active matrix substrate 120a, a counter substrate 130a, and a liquid crystal layer 140 sandwiched between the substrates 120a and 130a.

アクティブマトリクス基板120aは、1つの画素を構成する画素電極107がマトリクス状に配置されたものである。その画素電極107は、切欠部107d及び開口部107eからなるスリット107fを有しており、縦6列及び横2行の計12個のサブ電極107aと、各サブ電極107aの間を連結する連結部107bとにより構成されている。   The active matrix substrate 120a is obtained by arranging pixel electrodes 107 constituting one pixel in a matrix. The pixel electrode 107 has slits 107f each having a notch 107d and an opening 107e. A total of 12 sub-electrodes 107a in 6 columns and 2 rows are connected to each other and the sub-electrodes 107a are connected to each other. Part 107b.

また、アクティブマトリクス基板120aでは、互いに平行に延びる複数のゲート線101、及びゲート線101と直交する方向に延びる複数のソース線104が、画素電極107の周端に沿ってそれぞれ設けられている。そして、各ゲート線101の間には、ゲート線101と平行に延びる容量線101bが、ゲート線101及びソース線104の各交差部分には、TFT109がそれぞれ設けられている。   In the active matrix substrate 120a, a plurality of gate lines 101 extending in parallel to each other and a plurality of source lines 104 extending in a direction orthogonal to the gate lines 101 are provided along the peripheral edge of the pixel electrode 107, respectively. A capacitor line 101 b extending in parallel with the gate line 101 is provided between the gate lines 101, and a TFT 109 is provided at each intersection of the gate line 101 and the source line 104.

対向基板130aは、絶縁基板110上に、カラーフィルター層111、共通電極112及び配向膜108が順に積層された多層積層構造となっている。そして、共通電極112と配向膜108との層間には、アクティブマトリクス基板120a上の各サブ電極107aに対応して、島状に突出したリベット状の配向規制材(以下、「リベット」と称する)113aが設けられている。ここで、リベット113aは、各サブ電極107aにおいて配向中心を形成するためのものである。   The counter substrate 130a has a multilayer stacked structure in which a color filter layer 111, a common electrode 112, and an alignment film 108 are stacked in this order on an insulating substrate 110. Between the common electrode 112 and the alignment film 108, a rivet-shaped alignment regulating material (hereinafter referred to as “rivet”) protruding in an island shape corresponding to each sub-electrode 107a on the active matrix substrate 120a. 113a is provided. Here, the rivet 113a is for forming an alignment center in each sub-electrode 107a.

液晶層140は、電気光学特性を有するネマチック液晶であり、Δε<0の液晶分子等により構成されている。   The liquid crystal layer 140 is a nematic liquid crystal having electro-optical characteristics, and is composed of liquid crystal molecules having Δε <0.

この液晶表示装置150aでは、液晶層140に電圧が印加されていないときには、各リベット113aの付近の液晶分子だけがリベット113aを中心として放射状に傾斜配向すると共に、それ以外の各リベット113aから離れた液晶分子がアクティブマトリクス基板120a(対向基板130a)の表面に対し実質的に垂直に配向し、液晶層140に電圧が印加されているときには、各リベット113aから離れた液晶分子も上記放射状傾斜配向に整合するように配向すると考えられている。また、画素がスリット107fに沿って複数のドメインに分割されているため、各ドメイン毎に液晶分子の配向が分割するようになっている。そのため、画像表示の際の視角特性が全方位に亘って均等になり、視野角が広くなる。   In this liquid crystal display device 150a, when no voltage is applied to the liquid crystal layer 140, only the liquid crystal molecules in the vicinity of each rivet 113a are radially inclined and centered around the rivet 113a and separated from the other rivets 113a. When the liquid crystal molecules are aligned substantially perpendicular to the surface of the active matrix substrate 120a (counter substrate 130a) and a voltage is applied to the liquid crystal layer 140, the liquid crystal molecules separated from the rivets 113a are also in the above-mentioned radial tilt alignment. It is thought to be oriented to match. Further, since the pixel is divided into a plurality of domains along the slit 107f, the alignment of liquid crystal molecules is divided for each domain. Therefore, the viewing angle characteristics during image display are uniform over all directions, and the viewing angle is widened.

別の例として、図15は、特許文献3に開示された液晶表示装置に対応する液晶表示装置150bの平面模式図であり、図16は、その図15中のXVI-XVI線断面図である。   As another example, FIG. 15 is a schematic plan view of a liquid crystal display device 150b corresponding to the liquid crystal display device disclosed in Patent Document 3, and FIG. 16 is a sectional view taken along line XVI-XVI in FIG. .

この液晶表示装置150bは、上記液晶表示装置150aと同様に、アクティブマトリクス基板120bと、対向基板130bと、それら両基板120b及び130bの間に挟持された液晶層140とにより構成されている。   As with the liquid crystal display device 150a, the liquid crystal display device 150b includes an active matrix substrate 120b, a counter substrate 130b, and a liquid crystal layer 140 sandwiched between the substrates 120b and 130b.

アクティブマトリクス基板120bは、各TFT109に対応して設けられる画素電極107が、図15中の斜め方向(上側半分の領域では左上〜右下の方向、及び下側半分の領域では左下〜右上の方向)に延びるスリット107fを有している点が、上記アクティブマトリクス基板120aの構成とは異なっている。   In the active matrix substrate 120b, the pixel electrodes 107 provided corresponding to the respective TFTs 109 are arranged in an oblique direction in FIG. 15 (upper left to lower right direction in the upper half region and lower left to upper right direction in the lower half region. ) Is different from the configuration of the active matrix substrate 120a.

対向基板130bは、上記対向基板130aと同様に多層積層構造になっており、共通電極112と配向膜108との層間には、アクティブマトリクス基板120b上の各スリット107fの間に延びるように配向規制材113bが設けられている。   The counter substrate 130b has a multi-layered structure like the counter substrate 130a, and the alignment control is performed between the common electrode 112 and the alignment film 108 so as to extend between the slits 107f on the active matrix substrate 120b. A material 113b is provided.

ここで、配向規制材113bは、横断面が半月形の蒲鉾状に突出した突出部であり、スリット107fに沿って分割された各ドメインにおいて配向中心を形成するためのものである。   Here, the orientation regulating member 113b is a protruding portion that protrudes in the shape of a half-moon having a transverse cross section, and is for forming an alignment center in each domain divided along the slit 107f.

そして、この液晶表示装置150bでは、液晶層140に電圧が印加されていないときには、各配向規制材113bの付近の液晶分子だけが配向規制材113bの延びる方向に直交する面内で傾斜配向すると共に、それ以外の各配向規制材113bから離れた液晶分子がアクティブマトリクス基板120b(対向基板130b)の表面に対し実質的に垂直に配向し、液晶層140に電圧が印加されているときには、各配向規制材113bから離れた液晶分子も上記傾斜配向に整合するように配向すると考えられている。また、画素がスリット107fに沿って複数のドメインに分割されているため、各ドメイン毎に液晶分子の配向が分割するようになっている。そのため、画像表示の際には、スリット107fと直交する方向、即ち、図15中の斜め方向(左上、左下、右上及び右下)からの視角特性が改善され、視野角が広くなる。
特開2003−228073号公報 特開2003−167253号公報 特開平11−242225号公報
In the liquid crystal display device 150b, when no voltage is applied to the liquid crystal layer 140, only the liquid crystal molecules in the vicinity of each alignment control material 113b are inclined and aligned in a plane orthogonal to the direction in which the alignment control material 113b extends. When the liquid crystal molecules separated from the other alignment regulating materials 113b are aligned substantially perpendicular to the surface of the active matrix substrate 120b (opposing substrate 130b) and a voltage is applied to the liquid crystal layer 140, the alignment is performed. It is considered that liquid crystal molecules separated from the regulating material 113b are aligned so as to match the tilted alignment. Further, since the pixel is divided into a plurality of domains along the slit 107f, the alignment of liquid crystal molecules is divided for each domain. Therefore, when displaying an image, the viewing angle characteristics from the direction orthogonal to the slit 107f, that is, the oblique directions (upper left, lower left, upper right, and lower right) in FIG. 15 are improved, and the viewing angle is widened.
JP 2003-228073 A JP 2003-167253 A Japanese Patent Laid-Open No. 11-242225

しかし、上記のような液晶表示装置では、視野角が広くなるものの、印加電圧を保持するための補助容量を画素内に形成すると、画素の開口率が低下してしまうという問題があった。   However, although the liquid crystal display device as described above has a wide viewing angle, there is a problem in that the aperture ratio of the pixel is lowered when an auxiliary capacitor for holding the applied voltage is formed in the pixel.

具体的に、液晶表示装置150aについては、補助容量114を構成する容量線101b(容量電極104c)と重なった2つのサブ電極107aが、画像表示の際の光透過に利用することができない。これは、容量線101b及び容量電極104cが、一般に金属薄膜等の遮光性材料により形成されるので、容量線101b及び容量電極104cが配設された領域は常に光を遮断してしまうためである。その結果、画素内に補助容量114を形成することにより、画素の開口率が低下することになる。   Specifically, in the liquid crystal display device 150a, the two sub-electrodes 107a overlapping with the capacitor line 101b (capacitor electrode 104c) constituting the auxiliary capacitor 114 cannot be used for light transmission during image display. This is because the capacitor line 101b and the capacitor electrode 104c are generally formed of a light-shielding material such as a metal thin film, so that the region where the capacitor line 101b and the capacitor electrode 104c are disposed always blocks light. . As a result, by forming the auxiliary capacitor 114 in the pixel, the aperture ratio of the pixel is lowered.

また、液晶表示装置150bについても同様に、遮光性の容量線101b(容量電極104c)と重なった領域の画素電極107が、画像表示の際の光透過に利用できないので、画素の開口率が低下することになる。   Similarly, in the liquid crystal display device 150b, the pixel electrode 107 in the region overlapping with the light-shielding capacitor line 101b (capacitor electrode 104c) cannot be used for light transmission at the time of image display. Will do.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、広視野角を有する液晶表示装置において、補助容量を形成しても、画素の開口率を低下させないようにすることにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to prevent a reduction in the aperture ratio of a pixel even when an auxiliary capacitor is formed in a liquid crystal display device having a wide viewing angle. There is.

本発明は、画素電極のスリットと重なるように補助容量を形成するようにしたものである。   In the present invention, the auxiliary capacitor is formed so as to overlap with the slit of the pixel electrode.

具体的に、本発明に係る液晶表示装置は、開口部及び切欠部の少なくとも一方であるスリットを有する複数の画素電極がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記アクティブマトリクス基板及び上記対向基板の間に挟持された垂直配向型の液晶層と、上記アクティブマトリクス基板に形成され、上記画素電極の電位を保持するための補助容量と、上記各画素電極毎に規定された画素と、上記画素を構成すると共に、上記スリットに沿って分割された複数のドメインとを備えた液晶表示装置であって、上記補助容量は、上記スリットに対して、上記アクティブマトリクス基板の法線方向に重なるように形成されていることを特徴とする。   Specifically, the liquid crystal display device according to the present invention includes an active matrix substrate in which a plurality of pixel electrodes each having a slit that is at least one of an opening and a notch are provided in a matrix, and the active matrix substrate facing the active matrix substrate. A counter substrate disposed; a vertical alignment type liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate; and an auxiliary capacitor formed on the active matrix substrate for holding the potential of the pixel electrode; A liquid crystal display device comprising a pixel defined for each pixel electrode, and a plurality of domains constituting the pixel and divided along the slit, wherein the auxiliary capacitor is provided in the slit. On the other hand, the active matrix substrate is formed so as to overlap with the normal direction.

上記対向基板の上記液晶層側には、上記各ドメイン毎に突出して形成された突出部が設けられていてもよい。   On the liquid crystal layer side of the counter substrate, a protruding portion that protrudes for each of the domains may be provided.

上記アクティブマトリクス基板は、上記各画素電極の間に相互に平行に延びる複数のゲート線と、上記各画素電極の間で上記複数のゲート線に直交する複数のソース線と、該ソース線と上記画素電極との電気的接続をスイッチングするスイッチング素子とを備え、上記スリットは、上記ゲート線及び上記ソース線の双方に沿って形成され、上記補助容量は、上記スイッチング素子に接続された容量電極と、該容量電極に対向して配置された容量線とを有し、上記容量線は、上記ゲート線に沿って延びる容量幹線と、該容量幹線から延設され、上記ゲート線及び上記ソース線の双方に沿って延びる容量支線とにより構成されていてもよい。   The active matrix substrate includes a plurality of gate lines extending in parallel with each other between the pixel electrodes, a plurality of source lines orthogonal to the plurality of gate lines between the pixel electrodes, the source lines, and the A switching element that switches an electrical connection with the pixel electrode, the slit is formed along both the gate line and the source line, and the auxiliary capacitor includes a capacitor electrode connected to the switching element, A capacitive line disposed opposite to the capacitive electrode, the capacitive line extending from the capacitive trunk line, and extending from the capacitive trunk line, the gate line and the source line You may be comprised by the capacity | capacitance branch line extended along both.

上記アクティブマトリクス基板は、上記各画素電極の間に相互に平行に延びる複数のゲート線と、上記各画素電極の間に上記複数のゲート線に直交するように相互に平行に延びる複数のソース線と、該ソース線と上記画素電極との電気的接続をスイッチングするスイッチング素子とを備え、上記スリットは、上記ゲート線及び上記ソース線に対して斜め方向に延びるように形成され、上記補助容量は、上記スイッチング素子に接続された容量電極と、該容量電極に対向して配置された容量線とを有し、上記容量線は、上記ゲート線に沿って延びる容量幹線と、該容量幹線から延設され、上記スリットに沿って延びる容量支線とにより構成されていてもよい。   The active matrix substrate includes a plurality of gate lines extending in parallel with each other between the pixel electrodes, and a plurality of source lines extending in parallel with each other so as to be orthogonal to the plurality of gate lines between the pixel electrodes. And a switching element for switching electrical connection between the source line and the pixel electrode, the slit is formed to extend obliquely with respect to the gate line and the source line, and the auxiliary capacitance is A capacitance electrode connected to the switching element, and a capacitance line disposed opposite to the capacitance electrode, the capacitance line extending along the gate line, and extending from the capacitance trunk line. And a capacity branch line that extends along the slit.

次に、本発明の作用について説明する。   Next, the operation of the present invention will be described.

本発明に係る液晶表示装置によると、液晶層が垂直配向型であるので、液晶層に電圧が印加されているときには、例えば、突出部を中心として液晶分子が放射状傾斜配向の状態をとる。そして、液晶層に印加された電圧の大きさに応じて、液晶層の配向状態が変わることにより、多階調の表示が可能になる。この放射状傾斜配向状態の各ドメインでは、液晶分子の配向方向は全方位角方向に分布しているので、広視野角特性が得られる。   According to the liquid crystal display device of the present invention, since the liquid crystal layer is of the vertical alignment type, when a voltage is applied to the liquid crystal layer, for example, the liquid crystal molecules are in a radially inclined alignment state around the protrusion. A multi-tone display is possible by changing the alignment state of the liquid crystal layer in accordance with the magnitude of the voltage applied to the liquid crystal layer. In each domain in this radially inclined alignment state, the alignment direction of the liquid crystal molecules is distributed in all azimuth directions, so that a wide viewing angle characteristic can be obtained.

また、液晶分子の配向力は、配向規制材として機能する突出部から離れると弱くなるので、配向力の弱い突出部から離れた領域では、応答速度の低下や光漏れ等が発生して、表示品位が低下する恐れがある。しかしながら、本発明では、各画素電極のスリット(開口部及び切欠部の少なくとも一方)によって1つの画素が複数のドメインに分割されているので、表示品位の低下が抑制される。   In addition, since the alignment force of the liquid crystal molecules becomes weaker when they are separated from the protrusions that function as the alignment regulating material, the response speed is reduced and light leakage occurs in the region away from the protrusions with weak alignment force. There is a risk of degrading the quality. However, in the present invention, since one pixel is divided into a plurality of domains by the slits (at least one of the opening and the cutout) of each pixel electrode, the degradation of display quality is suppressed.

さらに、画素電極の電位を保持するための補助容量が、画素電極のスリットに重なるように形成されていると共に、そのスリットが形成された領域は、画像表示の際の光透過に利用されないので、補助容量を形成することにより、画素の開口率の低下を招くことがない。従って、広視野角を有する液晶表示装置において、補助容量を形成しても、画素の開口率が低下しない。   Further, the auxiliary capacitor for holding the potential of the pixel electrode is formed so as to overlap the slit of the pixel electrode, and the region where the slit is formed is not used for light transmission at the time of image display. By forming the auxiliary capacitor, the aperture ratio of the pixel is not lowered. Therefore, in the liquid crystal display device having a wide viewing angle, the aperture ratio of the pixel does not decrease even if an auxiliary capacitor is formed.

また、スリットがゲート線及びソース線の双方に沿って形成された場合には、そのスリットを介して1つの画素が分割されているので、複数のドメインを形成することにより、1つの画素内で液晶層の配向を複数に分割することが可能になる。そして、その各ドメインは、ゲート線及びソース線の双方に沿ってマトリクス状に形成されているので、視角特性が全方向に亘って均等になる。   In addition, when the slit is formed along both the gate line and the source line, one pixel is divided through the slit. Therefore, by forming a plurality of domains, one pixel is formed. It becomes possible to divide the alignment of the liquid crystal layer into a plurality. Since each domain is formed in a matrix along both the gate line and the source line, the viewing angle characteristics are uniform in all directions.

さらに、スリットがゲート線及びソース線に対して斜め方向に延びるように形成された場合には、そのスリットを介して1つの画素が分割されているので、複数のドメインを形成することにより、1つの画素内で液晶層の配向を複数に分割することが可能になる。そして、その各ドメインは、ゲート線及びソース線に対して斜め方向に連続して形成されているので、ゲート線及びソース線に対して斜め方向から、具体的には、スリットの延びる方向に対して直交する斜め方向からの視角特性が改善される。   Further, in the case where the slit is formed so as to extend obliquely with respect to the gate line and the source line, one pixel is divided through the slit. Therefore, by forming a plurality of domains, 1 The alignment of the liquid crystal layer can be divided into a plurality of pixels within one pixel. Since each domain is formed continuously in an oblique direction with respect to the gate line and the source line, from the oblique direction with respect to the gate line and the source line, specifically, in the direction in which the slit extends. Thus, the viewing angle characteristics from the oblique direction orthogonal to each other are improved.

本発明によれば、画素電極のスリットと重なるように補助容量が形成されているので、補助容量を形成しても、画素の開口率を低下させないようにすることができる。   According to the present invention, since the auxiliary capacitance is formed so as to overlap with the slit of the pixel electrode, it is possible to prevent the aperture ratio of the pixel from being lowered even if the auxiliary capacitance is formed.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、他の構成であってもよい。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited to the following embodiment, Other structures may be sufficient.

《発明の実施形態1》
図1は、本発明の実施形態1に係る液晶表示装置50aの1つの画素を示す平面模式図であり、図3は、図1中のIII−III線断面図である。なお、図2は、図1中のII-II線断面図である。
Embodiment 1 of the Invention
FIG. 1 is a schematic plan view showing one pixel of a liquid crystal display device 50a according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.

液晶表示装置50aは、図2及び図3に示すように、アクティブマトリクス基板20aと、そのアクティブマトリクス基板20aに対向して配置された対向基板30aと、それら両基板20a及び30aの間に挟持された液晶層40とを有している。   As shown in FIGS. 2 and 3, the liquid crystal display device 50a is sandwiched between an active matrix substrate 20a, a counter substrate 30a disposed to face the active matrix substrate 20a, and both the substrates 20a and 30a. And a liquid crystal layer 40.

アクティブマトリクス基板20aは、1つの画素を構成する画素電極7がマトリクス状に設けられたものである。ここで、画素電極7は、図1中の縦方向及び横方向に延びる切欠部7d及び開口部7eからなるスリット7fを有しており、縦6列及び横2行の計12個のサブ電極7aと、各サブ電極7aの間を連結する連結部7bとにより構成されている。   The active matrix substrate 20a is a substrate in which pixel electrodes 7 constituting one pixel are provided in a matrix. Here, the pixel electrode 7 has slits 7f including notches 7d and openings 7e extending in the vertical and horizontal directions in FIG. 1, and a total of 12 sub-electrodes in 6 columns and 2 rows. 7a and a connecting portion 7b that connects the sub-electrodes 7a.

以下に、アクティブマトリクス基板20aの構成を詳しく説明する。   Hereinafter, the configuration of the active matrix substrate 20a will be described in detail.

アクティブマトリクス基板20aは、絶縁基板10上に、ゲート絶縁膜2、第1層間絶縁膜5、第2層間絶縁膜6及び配向膜8が順に積層された多層積層構造になっている。   The active matrix substrate 20a has a multilayer laminated structure in which a gate insulating film 2, a first interlayer insulating film 5, a second interlayer insulating film 6, and an alignment film 8 are sequentially stacked on an insulating substrate 10.

絶縁基板10とゲート絶縁膜2との層間には、複数のゲート線1と、ゲート電極1aと、容量幹線1b及び容量支線1cにより構成された容量線1dとを有している。   Between the insulating substrate 10 and the gate insulating film 2, there are a plurality of gate lines 1, a gate electrode 1 a, and a capacitor line 1 d composed of a capacitor trunk line 1 b and a capacitor branch line 1 c.

ゲート線1は、画素電極7の周端に沿って図1中の横方向に互いに平行に延びるように設けられ、側方に突き出た突出部がゲート電極1aとなっている。容量幹線1bは、各ゲート線1の間で、図1中の横方向に延びるスリット7fに重なるように設けられている。容量支線1cは、容量幹線1bから延設されたものであり、図1中の縦方向及び横方向に延びるスリット7fに重なるように設けられている。   The gate line 1 is provided so as to extend in parallel with each other in the horizontal direction in FIG. 1 along the peripheral edge of the pixel electrode 7, and a protruding portion protruding to the side is a gate electrode 1 a. The capacity trunk line 1b is provided between the gate lines 1 so as to overlap the slit 7f extending in the horizontal direction in FIG. The capacity branch line 1c extends from the capacity trunk line 1b, and is provided so as to overlap with the slits 7f extending in the vertical direction and the horizontal direction in FIG.

ゲート絶縁膜2と第1層間絶縁膜5との層間には、ゲート電極1aに対応する位置に島状に形成された半導体層3と、複数のソース線4と、その半導体層3上に形成されると共に、互いに対峙するように設けられたソース電極4a及びドレイン電極4bと、ドレイン電極4bが延設された容量電極4cとを有している。そして、上記ゲート電極1a、ゲート絶縁膜2、半導体層3、ソース電極4a及びドレイン電極4bによってスイッチング素子であるTFT9が構成されている。   Between the gate insulating film 2 and the first interlayer insulating film 5, a semiconductor layer 3 formed in an island shape at a position corresponding to the gate electrode 1a, a plurality of source lines 4, and formed on the semiconductor layer 3 In addition, a source electrode 4a and a drain electrode 4b provided so as to face each other, and a capacitor electrode 4c in which the drain electrode 4b is extended. The gate electrode 1a, the gate insulating film 2, the semiconductor layer 3, the source electrode 4a, and the drain electrode 4b constitute a TFT 9 that is a switching element.

ソース線4は、画素電極7の周端に沿って図1中の縦方向に互いに平行に延びるように設けられ、側方に突き出た突出部がソース電極4aとなっている。容量電極4cは、容量線1d(容量幹線1b及び容量支線1c)と対向して配置するように設けられている。   The source line 4 is provided so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in FIG. 1 along the peripheral edge of the pixel electrode 7, and a protruding portion protruding to the side is a source electrode 4 a. The capacitive electrode 4c is provided so as to be opposed to the capacitive line 1d (the capacitive trunk line 1b and the capacitive branch line 1c).

第2層間絶縁膜6と配向膜8との間には、ドレイン電極4bにコンタクトホール7cを介して接続された画素電極7が設けられている。   Between the second interlayer insulating film 6 and the alignment film 8, the pixel electrode 7 connected to the drain electrode 4b through the contact hole 7c is provided.

次に、対向基板30a及び液晶層40について説明する。   Next, the counter substrate 30a and the liquid crystal layer 40 will be described.

対向基板30aは、図2及び図3に示すように、絶縁基板10上に、カラーフィルター層11、共通電極12及び配向膜8が順に積層された積層構造になっている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the counter substrate 30 a has a stacked structure in which the color filter layer 11, the common electrode 12, and the alignment film 8 are sequentially stacked on the insulating substrate 10.

カラーフィルター層11には、各画素に対応して赤、緑及び青のうちの1色の着色層11aが設けられ、各着色層11aの間にはブラックマトリクス11bが設けられている。このブラックマトリクス11bは、アクティブマトリクス基板20a上のTFT9を覆うように設けられている。   The color filter layer 11 is provided with a colored layer 11a of one color of red, green, and blue corresponding to each pixel, and a black matrix 11b is provided between the colored layers 11a. The black matrix 11b is provided so as to cover the TFT 9 on the active matrix substrate 20a.

共通電極12と配向膜8との層間には、アクティブマトリクス基板20a上の各サブ電極7aに対応して、島状に突出したリベット13aが設けられている。ここで、リベット13aは、各サブ電極7aにおいて配向中心を形成するためのものである。   Between the common electrode 12 and the alignment film 8, rivets 13a protruding in an island shape are provided corresponding to the sub-electrodes 7a on the active matrix substrate 20a. Here, the rivet 13a is for forming an alignment center in each sub-electrode 7a.

液晶層40は、負の誘電率異方性(Δε<0)を有し、垂直配向型のネマチック液晶である。   The liquid crystal layer 40 has a negative dielectric anisotropy (Δε <0) and is a vertically aligned nematic liquid crystal.

この垂直配向型の液晶層40では、液晶層40に電圧が印加されていないときには、各リベット13aの付近の液晶分子だけがリベット13aを中心として放射状に傾斜配向すると共に、それ以外の各リベット13aから離れた液晶分子がアクティブマトリクス基板20a(対向基板30a)の表面に対し実質的に垂直に配向し、液晶層40に電圧が印加されているときには、各リベット13aから離れた液晶分子も上記放射状傾斜配向に整合するように配向すると考えられている。   In this vertical alignment type liquid crystal layer 40, when no voltage is applied to the liquid crystal layer 40, only the liquid crystal molecules in the vicinity of each rivet 13a are radially inclined with the rivet 13a as a center, and each of the other rivets 13a. When the liquid crystal molecules separated from the rivets 13a are aligned substantially perpendicular to the surface of the active matrix substrate 20a (opposing substrate 30a) and a voltage is applied to the liquid crystal layer 40, the liquid crystal molecules separated from the rivets 13a are also radially It is considered to be aligned to match the tilted alignment.

このような構成の液晶表示装置50aでは、ゲート線1にはゲート信号(アドレス信号)が供給され、ソース線4にはソース信号(表示信号)が供給されることになる。この表示信号は、アドレス信号でオンオフ制御されるTFT9を介して、各画素電極7に書き込まれる。これによって、画素電極7と共通電極12との間で電位差が生じることになり、液晶層40により構成された液晶容量と、容量線1d(容量幹線1b及び容量支線1c)、容量電極4c及びそれらに挟持されたゲート絶縁膜2により構成された補助容量14とに所定の電圧が印加される。そして、液晶表示装置50aでは、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。   In the liquid crystal display device 50 a having such a configuration, a gate signal (address signal) is supplied to the gate line 1, and a source signal (display signal) is supplied to the source line 4. This display signal is written to each pixel electrode 7 through the TFT 9 which is ON / OFF controlled by the address signal. As a result, a potential difference is generated between the pixel electrode 7 and the common electrode 12, and the liquid crystal capacitance formed by the liquid crystal layer 40, the capacitor line 1d (capacitor main line 1b and capacitor branch line 1c), the capacitor electrode 4c, and these A predetermined voltage is applied to the auxiliary capacitor 14 constituted by the gate insulating film 2 sandwiched between the two. In the liquid crystal display device 50a, an image is displayed by adjusting the transmittance of light incident from the outside by utilizing the fact that the alignment state of liquid crystal molecules changes according to the magnitude of the applied voltage.

次に、液晶表示装置50aの製造方法について一例を挙げて説明する。   Next, an example is given and demonstrated about the manufacturing method of the liquid crystal display device 50a.

<アクティブマトリクス基板作製工程>
以下に、アクティブマトリクス基板の作製工程について説明する。
<Active matrix substrate manufacturing process>
Hereinafter, a manufacturing process of the active matrix substrate will be described.

ここで、図4、図5及び図6は、アクティブマトリクス基板を作製する各工程を示す平面模式図である。なお、図中のハッチング模様の領域は、各工程で形成されたパターンの形状を示す。   Here, FIG. 4, FIG. 5 and FIG. 6 are schematic plan views showing respective steps for producing an active matrix substrate. In addition, the area | region of the hatching pattern in a figure shows the shape of the pattern formed at each process.

まず、ガラス基板等の絶縁基板10上の基板全体に、チタン膜(厚さ30nm程度)、アルミニウム膜(厚さ100nm程度)及び窒化チタン膜(厚さ50nm程度)を順にスパッタリング法により成膜し、その後、PEP技術によりパターン形成して、図4に示すように、ゲート線1と、ゲート電極1aと、容量線1d(容量幹線1b及び容量支線1c)とを有するゲート層を形成する。   First, a titanium film (thickness of about 30 nm), an aluminum film (thickness of about 100 nm), and a titanium nitride film (thickness of about 50 nm) are sequentially formed on the entire substrate on the insulating substrate 10 such as a glass substrate by a sputtering method. Thereafter, a pattern is formed by the PEP technique to form a gate layer having the gate line 1, the gate electrode 1a, and the capacitor line 1d (capacitor trunk line 1b and capacitor branch line 1c) as shown in FIG.

次いで、ゲート層が形成された基板全体に、プラズマCVD法により窒化シリコン膜(厚さ400nm程度)等を成膜し、ゲート絶縁膜2を形成する。   Next, a silicon nitride film (having a thickness of about 400 nm) or the like is formed on the entire substrate on which the gate layer has been formed by plasma CVD, and the gate insulating film 2 is formed.

次いで、ゲート絶縁膜2上の基板全体に、プラズマCVD法により真性アモルファスシリコン膜(厚さ130nm程度)と、リンがドープされたn+アモルファスシリコン膜(厚さ40nm程度)とを連続して成膜する。その後、PEP技術によりゲート電極1a上に島状にパターン形成して、真性アモルファスシリコン層とn+アモルファスシリコン層とにより構成された半導体層3を形成する。   Next, an intrinsic amorphous silicon film (thickness of about 130 nm) and a phosphorus-doped n + amorphous silicon film (thickness of about 40 nm) are successively formed on the entire substrate on the gate insulating film 2 by plasma CVD. To do. Thereafter, an island pattern is formed on the gate electrode 1a by the PEP technique to form the semiconductor layer 3 constituted by an intrinsic amorphous silicon layer and an n + amorphous silicon layer.

ここで、半導体層3は、上記のようにアモルファスシリコン膜から形成させてもよいが、ポリシリコン膜を成膜させてもよく、また、アモルファスシリコン膜及びポリシリコン膜にレーザーアニール処理を行って結晶性を向上させてもよい。   Here, although the semiconductor layer 3 may be formed from an amorphous silicon film as described above, a polysilicon film may be formed, or laser annealing is performed on the amorphous silicon film and the polysilicon film. Crystallinity may be improved.

次いで、半導体層3が形成されたゲート絶縁膜2上の基板全体に、チタン膜(厚さ30nm)及びアルミニウム膜(厚さ100nm程度)を順にスパッタリング法により成膜する。その後、PEP技術によりパターン形成して、図5に示すように、ソース線4、ソース電極4a、ドレイン電極4b及び容量電極4cを有するソース層を形成する。   Next, a titanium film (thickness: 30 nm) and an aluminum film (thickness: about 100 nm) are sequentially formed by sputtering on the entire substrate on the gate insulating film 2 on which the semiconductor layer 3 is formed. Thereafter, a pattern is formed by a PEP technique to form a source layer having a source line 4, a source electrode 4a, a drain electrode 4b, and a capacitor electrode 4c, as shown in FIG.

次いで、ソース電極4a及びドレイン電極4bをマスクとして半導体層3のn+アモルファスシリコン層をエッチング除去することにより、チャネル部3aを形成する。   Next, the n + amorphous silicon layer of the semiconductor layer 3 is removed by etching using the source electrode 4a and the drain electrode 4b as a mask, thereby forming the channel portion 3a.

次いで、ソース層が形成された基板全体に、プラズマCVD法を用いて、窒化シリコン膜(厚さ300nm程度)等を成膜した後、スピンコーティング法によりアクリル系樹脂膜(厚さ3000nm程度)を成膜して、第1層間絶縁膜5及び第2層間絶縁膜6を順に形成する。   Next, a silicon nitride film (thickness of about 300 nm) or the like is formed on the entire substrate on which the source layer is formed using a plasma CVD method, and then an acrylic resin film (thickness of about 3000 nm) is formed by spin coating. The first interlayer insulating film 5 and the second interlayer insulating film 6 are formed in this order.

次いで、第1層間絶縁膜5及び第2層間絶縁膜6のドレイン電極4bに対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホール7cを形成する。   Next, portions of the first interlayer insulating film 5 and the second interlayer insulating film 6 corresponding to the drain electrode 4b are removed by etching to form contact holes 7c.

次いで、第2層間絶縁膜6上の基板全体に、ITO(Indium Tin Oxide)膜からなる透明導電膜(厚さ100nm程度)をスパッタリング法により成膜する。その後、PEP技術により開口部7e及び切欠部7d(スリット7f)をパターン形成して、図6に示すように、サブ画素7a及び連結部7bにより構成された画素電極7を形成する。   Next, a transparent conductive film (thickness of about 100 nm) made of an ITO (Indium Tin Oxide) film is formed on the entire substrate on the second interlayer insulating film 6 by a sputtering method. Thereafter, the opening 7e and the notch 7d (slit 7f) are patterned by the PEP technique to form the pixel electrode 7 constituted by the sub-pixel 7a and the connecting portion 7b as shown in FIG.

次いで、画素電極7上の基板全体に、印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布して配向膜8を形成する。   Next, an alignment film 8 is formed on the entire substrate on the pixel electrode 7 by applying a polyimide resin by a printing method.

以上のようにして、本発明を構成するアクティブマトリクス基板20aを作製することができる。   As described above, the active matrix substrate 20a constituting the present invention can be manufactured.

<対向基板作製工程>
以下に、対向基板の作製工程について説明する。
<Opposite substrate manufacturing process>
Hereinafter, a manufacturing process of the counter substrate will be described.

まず、ガラス基板等の絶縁基板10上の基板全体に、クロム薄膜を厚さ100nm程度で成膜した後、PEP技術によりパターン形成してブラックマトリクス11bを形成する。   First, after forming a chromium thin film with a thickness of about 100 nm on the entire substrate on the insulating substrate 10 such as a glass substrate, the black matrix 11b is formed by pattern formation by the PEP technique.

次いで、各ブラックマトリクス11bの間に、2μm程度の厚さで、赤、緑及び青の何れかの着色層11aをパターン形成してカラーフィルター層11を形成する。   Next, a color filter layer 11 is formed by patterning any one of red, green, and blue colored layers 11a with a thickness of about 2 μm between the black matrices 11b.

次いで、カラーフィルター層11上の基板全体に、ITO膜を厚さ150nm程度で成膜して共通電極12を形成する。   Next, an ITO film is formed with a thickness of about 150 nm on the entire substrate on the color filter layer 11 to form the common electrode 12.

次いで、共通電極12上の基板全体に、感光性アクリル樹脂等を塗布し、その後、PEP技術により、アクティブマトリクス基板20a上のサブ電極7aに対応するようにパターン形成して、リベット13aを形成する。   Next, a photosensitive acrylic resin or the like is applied to the entire substrate on the common electrode 12, and then a pattern is formed by the PEP technique so as to correspond to the sub-electrode 7a on the active matrix substrate 20a, thereby forming the rivet 13a. .

次いで、印刷法により、ポリイミド系樹脂を塗布して配向膜8を形成する。   Subsequently, the alignment film 8 is formed by applying a polyimide resin by a printing method.

以上のようにして、本発明を構成する対向基板30aを作製することができる。   As described above, the counter substrate 30a constituting the present invention can be manufactured.

<液晶表示装置作製工程>
まず、アクティブマトリクス基板20a及び対向基板30aのうちの一方にスクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂等からなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布し、他方の基板に液晶層の厚さに相当する直径を持ち、樹脂からなる球状のスペーサーを散布する。
<Liquid crystal display device manufacturing process>
First, a seal material made of a thermosetting epoxy resin or the like is applied to one of the active matrix substrate 20a and the counter substrate 30a in a frame-like pattern lacking a liquid crystal injection port by screen printing, and a liquid crystal is applied to the other substrate. A spherical spacer made of resin having a diameter corresponding to the thickness of the layer is dispersed.

なお、上記球状のスペーサーを散布する代わりに、対向基板30a上に樹脂からなる柱状のスペーサーを形成してもよい。   Instead of spraying the spherical spacers, columnar spacers made of resin may be formed on the counter substrate 30a.

次いで、アクティブマトリクス基板20aと対向基板30aとを貼り合わせ、シール材料を硬化させ、空セルを形成する。   Next, the active matrix substrate 20a and the counter substrate 30a are bonded together, the sealing material is cured, and empty cells are formed.

次いで、空セルのアクティブマトリクス基板20a及び対向基板30aの基板間に、減圧法により液晶材料を注入し液晶層40を形成する。その後、液晶注入口にUV硬化樹脂を塗布し、UV照射によりそのUV硬化樹脂を硬化し、液晶注入口を封止する。   Next, a liquid crystal material is injected between the active matrix substrate 20a and the counter substrate 30a of the empty cell by a decompression method to form the liquid crystal layer 40. Thereafter, a UV curable resin is applied to the liquid crystal injection port, the UV curable resin is cured by UV irradiation, and the liquid crystal injection port is sealed.

以上のようにして、本発明の液晶表示装置50aを製造することができる。   As described above, the liquid crystal display device 50a of the present invention can be manufactured.

液晶表示装置50aによれば、液晶層40が垂直配向型であるので、液晶層40に電圧が印加されているときには、リベット13aを中心として液晶分子が放射状傾斜配向の状態をとる。そして、液晶層40に印加された電圧の大きさに応じて、液晶層40の配向状態が変わることにより、多階調の表示が可能になる。この放射状傾斜配向状態の各ドメインでは、液晶分子の配向方向が全方位角方向に分布しているので、広視野角特性が得られる。   According to the liquid crystal display device 50a, since the liquid crystal layer 40 is a vertical alignment type, when a voltage is applied to the liquid crystal layer 40, the liquid crystal molecules are in a radially inclined alignment state around the rivet 13a. The multi-tone display can be performed by changing the alignment state of the liquid crystal layer 40 in accordance with the magnitude of the voltage applied to the liquid crystal layer 40. In each domain in this radially inclined alignment state, the alignment direction of the liquid crystal molecules is distributed in all azimuth directions, so that a wide viewing angle characteristic can be obtained.

一般に、液晶分子の配向力は、リベット13aから離れると弱くなるので、配向力の弱いリベット13aから離れた領域では、応答速度の低下や光漏れ等が発生して、表示品位が低下する恐れがある。しかしながら、本発明の液晶表示装置50aでは、各画素電極7のスリット7f(開口部7e及び切欠部7d)によって1つの画素が複数のドメインに分割されているので、表示品位の低下を抑制することができる。また、その各ドメインは、ゲート線1及びソース線4の双方に沿ってマトリクス状に形成されているので、視角特性が全方向に亘って均等になる。   In general, the alignment force of the liquid crystal molecules becomes weaker when they are separated from the rivet 13a. Therefore, in a region away from the rivet 13a having a weak alignment force, the response speed may decrease, light leakage, etc., and the display quality may decrease. is there. However, in the liquid crystal display device 50a of the present invention, since one pixel is divided into a plurality of domains by the slits 7f (openings 7e and notches 7d) of each pixel electrode 7, it is possible to suppress deterioration in display quality. Can do. Further, since each domain is formed in a matrix along both the gate line 1 and the source line 4, the viewing angle characteristics are uniform in all directions.

さらに、画素電極7の電位を保持するための補助容量14が、スリット7fに重なるように形成されている、具体的には、補助容量14を構成する容量線1d及び容量電極4cがスリット7fを構成する開口部7e及び切欠部7dに、アクティブマトリクス基板20a(対向基板30a)の法線方向に重なるように形成されているので、画像表示の際の光透過に利用されないスリット7fが形成された領域を有効利用することになり、遮光性の補助容量14を形成しても、画素の開口率が低下することがない。   Furthermore, the auxiliary capacitor 14 for holding the potential of the pixel electrode 7 is formed so as to overlap the slit 7f. Specifically, the capacitor line 1d and the capacitor electrode 4c constituting the auxiliary capacitor 14 pass through the slit 7f. Since the opening 7e and the cutout 7d are formed so as to overlap with the normal direction of the active matrix substrate 20a (counter substrate 30a), a slit 7f that is not used for light transmission during image display is formed. The area is effectively used, and even if the light-shielding auxiliary capacitor 14 is formed, the aperture ratio of the pixel does not decrease.

また、従来の液晶表示装置150aのような配向分割によって広視野角を有する液晶表示装置では、各サブ電極107aの間は、スリット107fとなっているため、液晶層140に直接的に電圧を印加するための電極が存在せず、液晶分子の配向が十分に制御されない領域である。そのため、各サブ電極107aの周端付近において液晶分子の配向制御に乱れが生じて、表示品位の低下を招く恐れがある。しかしながら、本発明を構成するアクティブマトリクス基板20aでは、サブ電極7aの間に、ゲート層が配置しているので、このサブ画素電極7aの周端付近での配向乱れ領域をゲート層で遮光することが可能になり、表示品位が向上する。また、スリット107fの製造ばらつきによる製品間及び製品内の表示ばらつきを軽減する効果も得ることができる。   Further, in a liquid crystal display device having a wide viewing angle by alignment division like the conventional liquid crystal display device 150a, a slit 107f is formed between the sub-electrodes 107a, so that a voltage is directly applied to the liquid crystal layer 140. This is a region where there is no electrode for controlling the orientation of the liquid crystal molecules. For this reason, the alignment control of the liquid crystal molecules is disturbed in the vicinity of the peripheral edge of each sub-electrode 107a, and there is a possibility that the display quality is deteriorated. However, in the active matrix substrate 20a constituting the present invention, since the gate layer is disposed between the sub-electrodes 7a, the alignment disorder region near the peripheral edge of the sub-pixel electrode 7a is shielded by the gate layer. And display quality is improved. In addition, it is possible to obtain an effect of reducing display variations between products and within products due to manufacturing variations of the slit 107f.

さらに、各サブ電極107aの周端では、電界が集中しやすく、長時間、同じ画像を表示することにより、焼き付け現象が発生する恐れがある。しかしながら、本発明を構成するアクティブマトリクス基板20aでは、焼付の発生しやすいサブ電極7aの周端に、ゲート層が配置して遮光しているため、焼付のレベルを低下させることができる。   Furthermore, the electric field tends to concentrate at the peripheral edge of each sub-electrode 107a, and there is a possibility that a printing phenomenon may occur by displaying the same image for a long time. However, in the active matrix substrate 20a constituting the present invention, since the gate layer is arranged and shielded from light at the peripheral edge of the sub-electrode 7a where the seizure is likely to occur, the level of the seizure can be lowered.

以上説明したように、広視野角を有する本発明の液晶表示装置50aでは、補助容量14を形成しても、画素の開口率を低下させないようにすることができる。   As described above, in the liquid crystal display device 50a of the present invention having a wide viewing angle, the aperture ratio of the pixel can be prevented from being lowered even if the auxiliary capacitor 14 is formed.

《発明の実施形態2》
図7は、本発明の実施形態2に係る液晶表示装置50bの1つの画素を示す平面模式図であり、図8は、図7中のVIII−VIII線断面図である。なお、図1、図2及び図3と同じ部分については、同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
<< Embodiment 2 of the Invention >>
FIG. 7 is a schematic plan view showing one pixel of the liquid crystal display device 50b according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 8 is a sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. The same parts as those in FIGS. 1, 2, and 3 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

液晶表示装置50bは、アクティブマトリクス基板20bと、そのアクティブマトリクス基板20bに対向して配置された対向基板30bと、それら両基板20b及び30bの間に挟持された液晶層40とを備えている。   The liquid crystal display device 50b includes an active matrix substrate 20b, a counter substrate 30b disposed to face the active matrix substrate 20b, and a liquid crystal layer 40 sandwiched between the substrates 20b and 30b.

アクティブマトリクス基板20bは、1つの画素を構成する画素電極7がマトリクス状に設けられたものである。   The active matrix substrate 20b is a substrate in which pixel electrodes 7 constituting one pixel are provided in a matrix.

ここで、画素電極7は、図7中の斜め縦方向に延びるスリット7fを有している。このスリット7fは、図7中の上側半分の領域では左上から右下に延びるように、図7中の下側半分の領域では左下から右上に延びるように形成されている。   Here, the pixel electrode 7 has a slit 7f extending in the diagonally vertical direction in FIG. The slit 7f is formed so as to extend from the upper left to the lower right in the upper half region in FIG. 7, and to extend from the lower left to the upper right in the lower half region in FIG.

以下に、アクティブマトリクス基板20bの構成について、実施形態1に記載のアクティブマトリクス基板20aとの相違点を中心に詳しく説明する。   Hereinafter, the configuration of the active matrix substrate 20b will be described in detail focusing on differences from the active matrix substrate 20a described in the first embodiment.

アクティブマトリクス基板20bは、絶縁基板10上に、ゲート絶縁膜2、第1層間絶縁膜5、第2層間絶縁膜6及び配向膜8が順に積層された多層積層構造になっている。   The active matrix substrate 20b has a multilayer stacked structure in which a gate insulating film 2, a first interlayer insulating film 5, a second interlayer insulating film 6, and an alignment film 8 are sequentially stacked on an insulating substrate 10.

絶縁基板10とゲート絶縁膜2との層間には、実施形態1と同様に、複数のゲート線1と、ゲート電極1aと、容量幹線1b及び容量支線1cにより構成された容量線1dとを有している。   Between the insulating substrate 10 and the gate insulating film 2, as in the first embodiment, there are a plurality of gate lines 1, a gate electrode 1a, and a capacitor line 1d composed of a capacitor trunk line 1b and a capacitor branch line 1c. is doing.

容量支線1cは、容量幹線1bから延設されたものであり、図7中の斜め方向に延びるスリット7fに重なるように設けられている。   The capacity branch line 1c is extended from the capacity trunk line 1b, and is provided so as to overlap the slit 7f extending in the oblique direction in FIG.

ゲート絶縁膜2と第1層間絶縁膜5との層間には、実施形態1と同様に、ゲート電極1aに対応する位置に島状に形成された半導体層3と、複数のソース線4と、その半導体層3上に形成されると共に、互いに対峙するように設けられたソース電極4a及びドレイン電極4bと、ドレイン電極4bが延設された容量電極4cとを有している。   As in the first embodiment, between the gate insulating film 2 and the first interlayer insulating film 5, a semiconductor layer 3 formed in an island shape at a position corresponding to the gate electrode 1a, a plurality of source lines 4, A source electrode 4a and a drain electrode 4b are formed on the semiconductor layer 3 so as to be opposed to each other, and a capacitor electrode 4c in which the drain electrode 4b is extended.

第2層間絶縁膜6と配向膜8との間には、実施形態1と同様に、ドレイン電極4bにコンタクトホール7cを介して接続された画素電極7が設けられている。   As in the first embodiment, the pixel electrode 7 connected to the drain electrode 4b via the contact hole 7c is provided between the second interlayer insulating film 6 and the alignment film 8.

次に、対向基板30bについて説明する。   Next, the counter substrate 30b will be described.

対向基板30bは、絶縁基板10上に、カラーフィルター層11、共通電極12及び配向膜8が順に積層された積層構造になっている。   The counter substrate 30 b has a stacked structure in which the color filter layer 11, the common electrode 12, and the alignment film 8 are sequentially stacked on the insulating substrate 10.

共通電極12と配向膜8との層間には、アクティブマトリクス基板20b上の各スリット7fの間に延びるように配向規制材13bが設けられている。   An alignment regulating material 13b is provided between the common electrode 12 and the alignment film 8 so as to extend between the slits 7f on the active matrix substrate 20b.

ここで、配向規制材13bは、横断面が半月形のリブ状に突出した突出部であり、スリット7fに沿って分割された各ドメインにおいて配向中心を形成するためのものである。   Here, the orientation regulating member 13b is a protruding portion that protrudes in a rib shape having a semicircular cross section, and is for forming an alignment center in each domain divided along the slit 7f.

この垂直配向型の液晶層40では、液晶層40に電圧が印加されていないときには、配向規制材13bの延びる方向に直交する面内で傾斜配向すると共に、それ以外の各配向規制材13bから離れた液晶分子がアクティブマトリクス基板20b(対向基板30b)の表面に対し実質的に垂直に配向し、液晶層40に電圧が印加されているときには、各配向規制材13bから離れた液晶分子も上記傾斜配向に整合するように配向すると考えられている。   In the vertical alignment type liquid crystal layer 40, when no voltage is applied to the liquid crystal layer 40, the liquid crystal layer 40 is tilted and aligned in a plane orthogonal to the direction in which the alignment control material 13b extends, and is separated from the other alignment control materials 13b. When the liquid crystal molecules are aligned substantially perpendicular to the surface of the active matrix substrate 20b (counter substrate 30b) and a voltage is applied to the liquid crystal layer 40, the liquid crystal molecules separated from the alignment regulating members 13b are also inclined. It is considered that the alignment is aligned with the alignment.

液晶表示装置50bの製造方法については、実施形態1に記載された液晶表示装置50aの製造方法において、具体的には、アクティブマトリクス基板作製工程において、ゲート層を図9に示すように、ソース層を図10に示すように、画素電極7を図11に示すように形成すると共に、対向基板作製工程において、リベット13aのパターン形状を変更すればよいので、その説明を省略する。   As for the manufacturing method of the liquid crystal display device 50b, in the manufacturing method of the liquid crystal display device 50a described in the first embodiment, specifically, in the active matrix substrate manufacturing step, the gate layer is formed as a source layer as shown in FIG. As shown in FIG. 10, the pixel electrode 7 is formed as shown in FIG. 11, and the pattern shape of the rivet 13a may be changed in the counter substrate manufacturing step, and the description thereof is omitted.

液晶表示装置50bによれば、実施形態1と同様に、液晶層40が垂直配向型であるので、液晶層40に電圧が印加されているときには、配向規制材13bを中心として液晶分子が傾斜配向の状態をとる。そして、液晶層40に印加された電圧の大きさに応じて、液晶層40の配向状態が変わることにより、多階調の表示が可能になる。この傾斜配向状態の各ドメインを有する画素において、液晶分子の配向方向が全方位角方向に分布しているので、広視野角特性が得られる。   According to the liquid crystal display device 50b, as in the first embodiment, since the liquid crystal layer 40 is a vertical alignment type, when a voltage is applied to the liquid crystal layer 40, the liquid crystal molecules are tilted with the alignment regulating material 13b as the center. Take the state. The multi-tone display can be performed by changing the alignment state of the liquid crystal layer 40 in accordance with the magnitude of the voltage applied to the liquid crystal layer 40. In a pixel having each domain in this inclined alignment state, the alignment direction of the liquid crystal molecules is distributed in all azimuth directions, so that a wide viewing angle characteristic can be obtained.

一般に、液晶分子の配向力は、配向規制材13bから離れると弱くなるので、配向力の弱い配向規制材13bから離れた領域では、応答速度の低下や光漏れ等が発生して、表示品位が低下する恐れがある。しかしながら、本発明の液晶表示装置50bでは、各画素電極7のスリット7fによって1つの画素が複数のドメインに分割されているので、表示品位の低下を抑制することができる。また、その各ドメインは、ゲート線1及びソース線4に対して斜め方向に連続して形成されているので、ゲート線1及びソース線4に対して斜め方向から、具体的には、スリット7fの延びる方向に対して直交する斜め方向から、より具体的には、図7中の斜め方向(左上、左下、右上及び右下)からの視角特性が改善される。   In general, the alignment force of the liquid crystal molecules becomes weaker when they are separated from the alignment restricting material 13b. Therefore, in a region away from the alignment restricting material 13b having a weak alignment force, a response speed is reduced, light leaks, etc., resulting in a display quality. May fall. However, in the liquid crystal display device 50b of the present invention, since one pixel is divided into a plurality of domains by the slits 7f of each pixel electrode 7, it is possible to suppress deterioration in display quality. Further, each domain is formed continuously in an oblique direction with respect to the gate line 1 and the source line 4, and specifically, from the oblique direction with respect to the gate line 1 and the source line 4, specifically, the slit 7 f. The viewing angle characteristics from the oblique direction orthogonal to the extending direction of the image, more specifically, from the oblique directions (upper left, lower left, upper right and lower right) in FIG. 7 are improved.

さらに、画素電極7の電位を保持するための補助容量14が、実施形態1と同様に、スリット7fに重なるように形成されている、具体的には、補助容量14を構成する容量線1d及び容量電極4cがスリット7fに、アクティブマトリクス基板20b(対向基板30b)の法線方向に重なるように形成されているので、画像表示の際の光透過に利用されないスリット7fが形成された領域を有効利用することになり、遮光性の補助容量14を形成しても、画素の開口率を低下させないようにすることができる。   Further, the auxiliary capacitor 14 for holding the potential of the pixel electrode 7 is formed so as to overlap the slit 7f as in the first embodiment. Specifically, the capacitor line 1d constituting the auxiliary capacitor 14 and Since the capacitor electrode 4c is formed so as to overlap the slit 7f in the normal direction of the active matrix substrate 20b (counter substrate 30b), the region where the slit 7f that is not used for light transmission at the time of image display is formed is effective. Therefore, even if the light-shielding auxiliary capacitor 14 is formed, the aperture ratio of the pixel can be prevented from being lowered.

なお、上記実施形態では、液晶分子の配向中心として、対向基板上に突出したリベット13a又は配向規制材13bを形成したものを例示したが、アクティブマトリクス基板上の画素電極や対向基板上の共通電極に電界制御を目的とした開口部を形成することにより、液晶分子の配向中心としてもよい。   In the above embodiment, the alignment center of the liquid crystal molecules is exemplified by the rivet 13a or the alignment regulating member 13b protruding on the counter substrate. However, the pixel electrode on the active matrix substrate or the common electrode on the counter substrate is exemplified. It is also possible to form the opening for the purpose of controlling the electric field to make the alignment center of the liquid crystal molecules.

以上説明したように、本発明は、画素の開口率を低下させることなく補助容量を形成することができるので、広視野角の液晶パネルについて有用である。   As described above, the present invention is useful for a liquid crystal panel having a wide viewing angle because an auxiliary capacitor can be formed without reducing the aperture ratio of the pixel.

本発明の実施形態1に係る液晶表示装置50aの平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the liquid crystal display device 50a which concerns on Embodiment 1 of this invention. 図1中のII−II線断面図である。It is the II-II sectional view taken on the line in FIG. 図1中のIII−III線断面図である。It is the III-III sectional view taken on the line in FIG. アクティブマトリクス基板20aの作製工程を示す平面模式図(ゲート層)である。It is a plane schematic diagram (gate layer) which shows the manufacturing process of the active matrix substrate 20a. アクティブマトリクス基板20aの作製工程を示す平面模式図(ソース層)である。It is a schematic plan view (source layer) showing a manufacturing process of the active matrix substrate 20a. アクティブマトリクス基板20aの作製工程を示す平面模式図(画素電極)である。It is a plane schematic diagram (pixel electrode) showing a manufacturing process of the active matrix substrate 20a. 本発明の実施形態2に係る液晶表示装置50bの平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the liquid crystal display device 50b which concerns on Embodiment 2 of this invention. 図7中のVIII−VIII線断面図である。It is the VIII-VIII sectional view taken on the line in FIG. アクティブマトリクス基板20bの作製工程を示す平面模式図(ゲート層)である。It is a plane schematic diagram (gate layer) which shows the manufacturing process of the active matrix substrate 20b. アクティブマトリクス基板20bの作製工程を示す平面模式図(ソース層)である。It is a plane schematic diagram (source layer) which shows the manufacturing process of the active matrix substrate 20b. アクティブマトリクス基板20bの作製工程を示す平面模式図(画素電極)である。It is a plane schematic diagram (pixel electrode) showing the manufacturing process of the active matrix substrate 20b. 従来の液晶表示装置150aの平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the conventional liquid crystal display device 150a. 図12中のXIII−XIII線断面図である。It is the XIII-XIII sectional view taken on the line in FIG. 図12中のXIV−XIV線断面図である。It is the XIV-XIV sectional view taken on the line in FIG. 従来の液晶表示装置150bの平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the conventional liquid crystal display device 150b. 図15中のXVI−XVI線断面図である。It is the XVI-XVI sectional view taken on the line in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 ゲート線
1b 容量幹線
1c 容量支線
1d 容量線
4 ソース線
4c 容量電極
7 画素電極
7d 切欠部
7e 開口部
7f スリット
9 TFT(スイッチング素子)
13a リベット(突出部)
13b 配向規制材(突出部)
14 補助容量
20a,20b アクティブマトリクス基板
30a,30b 対向基板
40 液晶層
50a,50b 液晶表示装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gate line 1b Capacity | capacitance trunk line 1c Capacity | capacitance branch line 1d Capacity line 4 Source line 4c Capacity electrode 7 Pixel electrode 7d Notch part 7e Opening part 7f Slit 9 TFT (switching element)
13a Rivet (protruding part)
13b Orientation regulating material (protrusion)
14 Auxiliary capacitors 20a and 20b Active matrix substrates 30a and 30b Counter substrate 40 Liquid crystal layers 50a and 50b Liquid crystal display device

Claims (4)

開口部及び切欠部の少なくとも一方であるスリットを有する複数の画素電極がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、
上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、
上記アクティブマトリクス基板及び上記対向基板の間に挟持された垂直配向型の液晶層と、
上記アクティブマトリクス基板に形成され、上記画素電極の電位を保持するための補助容量と、
上記各画素電極毎に規定された画素と、
上記画素を構成すると共に、上記スリットに沿って分割された複数のドメインとを備えた液晶表示装置であって、
上記補助容量は、上記スリットに対して、上記アクティブマトリクス基板の法線方向に重なるように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
An active matrix substrate in which a plurality of pixel electrodes each having a slit that is at least one of an opening and a notch are provided in a matrix;
A counter substrate disposed opposite to the active matrix substrate;
A vertically aligned liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate;
An auxiliary capacitor formed on the active matrix substrate for holding the potential of the pixel electrode;
A pixel defined for each pixel electrode;
A liquid crystal display device that constitutes the pixel and includes a plurality of domains divided along the slit,
The liquid crystal display device, wherein the auxiliary capacitor is formed so as to overlap with the slit in a normal direction of the active matrix substrate.
請求項1に記載された液晶表示装置において、
上記対向基板の上記液晶層側には、上記各ドメイン毎に突出して形成された突出部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a protruding portion that protrudes for each of the domains is provided on the liquid crystal layer side of the counter substrate.
請求項1又は2に記載された液晶表示装置において、
上記アクティブマトリクス基板は、上記各画素電極の間に相互に平行に延びる複数のゲート線と、上記各画素電極の間で上記複数のゲート線に直交する複数のソース線と、該ソース線と上記画素電極との電気的接続をスイッチングするスイッチング素子とを備え、
上記スリットは、上記ゲート線及び上記ソース線の双方に沿って形成され、
上記補助容量は、上記スイッチング素子に接続された容量電極と、該容量電極に対向して配置された容量線とを有し、
上記容量線は、上記ゲート線に沿って延びる容量幹線と、該容量幹線から延設され、上記ゲート線及びソース線の双方に沿って延びる容量支線とにより構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1 or 2,
The active matrix substrate includes a plurality of gate lines extending in parallel with each other between the pixel electrodes, a plurality of source lines orthogonal to the plurality of gate lines between the pixel electrodes, the source lines, and the A switching element for switching electrical connection with the pixel electrode,
The slit is formed along both the gate line and the source line,
The auxiliary capacitor has a capacitor electrode connected to the switching element, and a capacitor line disposed to face the capacitor electrode,
The capacitor line is composed of a capacitor main line extending along the gate line and a capacitor branch line extending from the capacitor main line and extending along both the gate line and the source line. Display device.
請求項1又は2に記載された液晶表示装置において、
上記アクティブマトリクス基板は、上記各画素電極の間に相互に平行に延びる複数のゲート線と、上記各画素電極の間に上記複数のゲート線に直交するように相互に平行に延びる複数のソース線と、該ソース線と上記画素電極との電気的接続をスイッチングするスイッチング素子とを備え、
上記スリットは、上記ゲート線及び上記ソース線に対して斜め方向に延びるように形成され、
上記補助容量は、上記スイッチング素子に接続された容量電極と、該容量電極に対向して配置された容量線とを有し、
上記容量線は、上記ゲート線に沿って延びる容量幹線と、該容量幹線から延設され、上記スリットに沿って延びる容量支線とにより構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1 or 2,
The active matrix substrate includes a plurality of gate lines extending in parallel with each other between the pixel electrodes, and a plurality of source lines extending in parallel with each other so as to be orthogonal to the plurality of gate lines between the pixel electrodes. And a switching element for switching electrical connection between the source line and the pixel electrode,
The slit is formed to extend in an oblique direction with respect to the gate line and the source line,
The auxiliary capacitor has a capacitor electrode connected to the switching element, and a capacitor line disposed to face the capacitor electrode,
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the capacitor line includes a capacitor trunk extending along the gate line, and a capacitor branch extending from the capacitor trunk and extending along the slit.
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