JP2006148175A - レーザ加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 表面３に複数の回路部２が形成された基板１の内部に集光点Ｐを合わせて基板１の裏面２１側からレーザ光Ｌを照射することにより、基板１の厚さ方向から見て、隣り合う回路部２の間を通るように基板１に対して設定された複数の切断予定ライン５のそれぞれに沿って、切断の起点となる溶融処理領域１３を基板１の内部に形成する。
【選択図】 図１７

Description

本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の基板の切断に使用されるレーザ加工方法に関する。

レーザ応用の一つに切断があり、レーザによる一般的な切断は次の通りである。例えば半導体ウェハやガラス基板のような基板の切断する箇所に、基板が吸収する波長のレーザ光を照射し、レーザ光の吸収により切断する箇所において基板の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて基板を切断する。しかし、この方法では基板の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶融される。よって、基板が半導体ウェハの場合、半導体ウェハの表面に形成された半導体素子のうち、上記領域周辺に位置する半導体素子が溶融する恐れがある。

基板の表面の溶融を防止する方法として、例えば、下記の特許文献１や特許文献２に開示されたレーザによる切断方法がある。これらの文献に開示された切断方法では、基板の切断する箇所をレーザ光により加熱し、そして基板を冷却することにより、基板の切断する箇所に熱衝撃を生じさせて基板を切断する。
特開２０００−２１９５２８号公報 特開２０００−１５４６７号公報

しかし、これらの文献に開示された切断方法では、基板に生じる熱衝撃が大きいと、基板の表面に、切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射していない先の箇所までの割れ等の不必要な割れが発生することがある。よって、これらの切断方法では精密切断をすることができない。特に、基板が半導体ウェハ、液晶表示装置が形成されたガラス基板、電極パターンが形成されたガラス基板の場合、この不必要な割れにより半導体チップ、液晶表示装置、電極パターンが損傷することがある。また、これらの切断方法では平均入力エネルギーが大きいので、半導体チップ等に与える熱的ダメージも大きい。

本発明の目的は、基板の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供することである。

本発明に係るレーザ加工方法は、表面に複数の電子デバイス又は複数の電極パターンが形成された基板の内部に集光点を合わせて基板の裏面側からレーザ光を照射することにより、基板の厚さ方向から見て、隣り合う電子デバイスの間又は隣り合う電極パターンの間を通るように基板に対して設定された複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、切断の起点となる改質領域を基板の内部に形成することを特徴とする。

本発明に係るレーザ加工方法においては、基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、基板の内部に改質領域を形成している。基板の切断する箇所に何らかの起点があると、基板を比較的小さな力で割って切断することができる。本発明に係るレーザ加工方法によれば、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って基板が割れることにより、基板を切断することができる。よって、比較的小さな力で基板を切断することができるので、基板の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく基板の切断が可能となる。

また、本発明に係るレーザ加工方法においては、基板の内部に局所的に改質領域を形成している。よって、基板の表面や裏面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、基板の表面が溶融することはない。なお、集光点とはレーザ光が集光した箇所のことである。切断予定ラインは基板の表面や裏面もしくは内部に実際に引かれた線でもよいし、仮想の線でもよい。

さらに、本発明に係るレーザ加工方法においては、基板の裏面側からレーザ光を照射する。よって、基板の表面に形成された電子デバイス又は電極パターンをレーザ光から保護することが可能となる。なお、電子デバイスとは、半導体素子、液晶等の表示装置、圧電素子等を意味する。

本発明に係るレーザ加工方法によれば、基板の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、基板を切断することができる。よって、基板を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ加工方法は、多光子吸収により改質領域を形成している。多光子吸収はレーザ光の強度を非常に大きくした場合に発生する現象である。まず、多光子吸収について簡単に説明する。

材料の吸収のバンドギャップＥ_Ｇよりも光子のエネルギーｈνが小さいと光学的に透明となる。よって、材料に吸収が生じる条件はｈν＞Ｅ_Ｇである。しかし、光学的に透明でも、レーザ光の強度を非常に大きくするとｎｈν＞Ｅ_Ｇの条件（ｎ＝２，３，４，・・・である）で材料に吸収が生じる。この現象を多光子吸収という。パルス波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光点のピークパワー密度（Ｗ／ｃｍ^２）で決まり、例えばピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上の条件で多光子吸収が生じる。ピークパワー密度は、（集光点におけるレーザ光の１パルス当たりのエネルギー）÷（レーザ光のビームスポット断面積×パルス幅）により求められる。また、連続波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光点の電界強度（Ｗ／ｃｍ^２）で決まる。

このような多光子吸収を利用する本実施形態に係るレーザ加工の原理について図１〜図６を用いて説明する。図１はレーザ加工中の基板１の平面図であり、図２は図１に示す基板１のII−II線に沿った断面図であり、図３はレーザ加工後の基板１の平面図であり、図４は図３に示す基板１のIV−IV線に沿った断面図であり、図５は図３に示す基板１のV−V線に沿った断面図であり、図６は切断された基板１の平面図である。

図１及び図２に示すように、基板１の表面３には切断予定ライン５がある。切断予定ライン５は直線状に延びた仮想線である。本実施形態に係るレーザ加工は、多光子吸収が生じる条件で基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを基板１に照射して改質領域７を形成する。なお、集光点とはレーザ光Ｌが集光した箇所のことである。

レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち矢印Ａ方向に沿って）相対的に移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより、図３〜図５に示すように改質領域７が切断予定ライン５に沿って基板１の内部にのみ形成される。本実施形態に係るレーザ加工方法は、基板１がレーザ光Ｌを吸収することにより基板１を発熱させて改質領域７を形成するのではない。基板１にレーザ光Ｌを透過させ基板１の内部に多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よって、基板１の表面３や裏面２１ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、基板１の表面３や裏面２１が溶融することはない。

基板１の切断において、切断する箇所に起点があると基板１はその起点から割れるので、図６に示すように比較的小さな力で基板１を切断することができる。よって、基板１の表面３や裏面２１に不必要な割れを発生させることなく基板１の切断が可能となる。

なお、改質領域を起点とした基板の切断は、次の二通りが考えられる。一つは、改質領域形成後、基板に人為的な力が印加されることにより、改質領域を起点として基板が割れ、基板が切断される場合である。これは、例えば基板の厚みが大きい場合の切断である。人為的な力が印加されるとは、例えば、基板の切断予定ラインに沿って基板に曲げ応力やせん断応力を加えたり、基板に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることである。他の一つは、改質領域を形成することにより、改質領域を起点として基板の断面方向（厚さ方向）に向かって自然に割れ、結果的に基板が切断される場合である。これは、例えば基板の厚みが小さい場合、改質領域が１つでも可能であり、基板の厚みが大きい場合、厚さ方向に複数の改質領域を形成することで可能となる。なお、この自然に割れる場合も、切断する箇所において、改質領域が形成されていない部分上の表面もしくは裏面まで割れが先走ることがなく、改質領域を形成した部分上のみを割断することができるので、割断を制御よくすることができる。近年、シリコンウェハ等の半導体ウェハの厚みは薄くなる傾向にあるので、このような制御性のよい割断方法は大変有効である。

さて、本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域として、次の（１）〜（３）がある。

（１）改質領域が一つ又は複数のクラックスポットを含むクラック領域の場合
レーザ光を基板（例えばガラスやＬｉＴａＯ_３からなる圧電材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で照射する。このパルス幅の大きさは、多光子吸収を生じさせつつ基板に余計なダメージを与えずに、基板の内部にクラック領域を形成できる条件である。これにより、基板の内部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により基板の内部に熱ひずみが誘起され、これにより基板の内部にクラック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば１×１０^１２（Ｗ／ｃｍ^２）である。パルス幅は例えば１ｎｓ〜２００ｎｓが好ましい。なお、多光子吸収によるクラック領域の形成は、例えば、第４５回レーザ熱加工研究会論文集（１９９８年．１２月）の第２３頁〜第２８頁の「固体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」に記載されている。

本発明者は、電界強度とクラックの大きさとの関係を実験により求めた。実験条件は次ぎの通りである。

（Ａ）基板：パイレックス（登録商標）ガラス（厚さ７００μｍ）
（Ｂ）レーザ
光源：半導体レーザ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
波長：１０６４ｎｍ
レーザ光スポット断面積：３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：出力＜１ｍＪ／パルス
レーザ光品質：ＴＥＭ_００
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）基板が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒

なお、レーザ光品質がＴＥＭ_００とは、集光性が高くレーザ光の波長程度まで集光可能を意味する。

図７は上記実験の結果を示すグラフである。横軸はピークパワー密度であり、レーザ光がパルスレーザ光なので電界強度はピークパワー密度で表される。縦軸は１パルスのレーザ光により基板の内部に形成されたクラックスポットの大きさを示している。クラックスポットの大きさは、クラックスポットの形状のうち最大の長さとなる部分の大きさである。グラフ中の黒丸で示すデータは集光用レンズ（Ｃ）の倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８０の場合である。一方、グラフ中の白丸で示すデータは集光用レンズ（Ｃ）の倍率が５０倍、開口数（ＮＡ）が０．５５の場合である。ピークパワー密度が１０^１１（Ｗ／ｃｍ^２）程度では基板の内部にクラックスポットが発生し、ピークパワー密度が大きくなるに従いクラックスポットも大きくなることが分かる。

次に、本実施形態に係るレーザ加工において、クラック領域形成による基板の切断のメカニズムについて図８〜図１１を用いて説明する。図８に示すように、多光子吸収が生じる条件で基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを基板１に照射して切断予定ラインに沿って内部にクラック領域９を形成する。クラック領域９は一つ又は複数のクラックスポットを含む領域である。図９に示すようにクラック領域９を起点としてクラックがさらに成長し、図１０に示すようにクラックが基板１の表面３と裏面２１に到達し、図１１に示すように基板１が割れることにより基板１が切断される。基板の表面と裏面に到達するクラックは自然に成長する場合もあるし、基板に力が印加されることにより成長する場合もある。

（２）改質領域が溶融処理領域の場合
レーザ光を基板（例えばシリコンのような半導体材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で照射する。これにより基板の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により基板の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。電界強度の上限値としては、例えば１×１０^１２（Ｗ／ｃｍ^２）である。パルス幅は例えば１ｎｓ〜２００ｎｓが好ましい。

本発明者は、シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることを実験により確認した。実験条件は次ぎの通りである。

（Ａ）基板：シリコンウェハ（厚さ３５０μｍ、外径４インチ）
（Ｂ）レーザ
光源：半導体レーザ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
波長：１０６４ｎｍ
レーザ光スポット断面積：３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザ光品質：ＴＥＭ_００
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ
倍率：５０倍
Ｎ．Ａ．：０．５５
レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）基板が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒

図１２は上記条件でのレーザ加工により切断されたシリコンウェハの一部における断面の写真を表した図である。シリコンウェハ１１の内部に溶融処理領域１３が形成されている。なお、上記条件により形成された溶融処理領域１３の厚さ方向の大きさは１００μｍ程度である。

溶融処理領域１３が多光子吸収により形成されたことを説明する。図１３は、レーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を示すグラフである。ただし、シリコン基板の表面側と裏面側それぞれの反射成分を除去し、内部のみの透過率を示している。シリコン基板の厚みｔが５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ、５００μｍ、１０００μｍの各々について上記関係を示した。

例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの波長である１０６４ｎｍにおいて、シリコン基板の厚みが５００μｍ以下の場合、シリコン基板の内部ではレーザ光が８０％以上透過することが分かる。図１２に示すシリコンウェハ１１の厚さは３５０μｍであるので、多光子吸収による溶融処理領域１３はシリコンウェハの中心付近、つまり表面から１７５μｍの部分に形成される。この場合の透過率は、厚さ２００μｍのシリコンウェハを参考にすると、９０％以上なので、レーザ光がシリコンウェハ１１の内部で吸収されるのは僅かであり、ほとんどが透過する。このことは、シリコンウェハ１１の内部でレーザ光が吸収されて、溶融処理領域１３がシリコンウェハ１１の内部に形成（つまりレーザ光による通常の加熱で溶融処理領域が形成）されたものではなく、溶融処理領域１３が多光子吸収により形成されたことを意味する。多光子吸収による溶融処理領域の形成は、例えば、溶接学会全国大会講演概要第６６集（２０００年４月）の第７２頁〜第７３頁の「ピコ秒パルスレーザによるシリコンの加工特性評価」に記載されている。

なお、シリコンウェハは、溶融処理領域を起点として断面方向に向かって割れを発生させ、その割れがシリコンウェハの表面と裏面に到達することにより、結果的に切断される。シリコンウェハの表面と裏面に到達するこの割れは自然に成長する場合もあるし、基板に力が印加されることにより成長する場合もある。なお、溶融処理領域からウェハの表面と裏面に割れが自然に成長する場合において、溶融処理領域が溶融の状態から割れが成長するか、もしくは溶融の状態から再固化する際に割れが成長する場合のいずれもある。ただし、これらの場合も溶融処理領域はウェハの内部のみに形成され、切断後の切断面は図１２のように内部にのみ溶融処理領域が形成されている。基板の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。

（３）改質領域が屈折率変化領域の場合
レーザ光を基板（例えばガラス）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件で照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を基板の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、基板の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば１×１０^１２（Ｗ／ｃｍ^２）である。パルス幅は例えば１ｎｓ以下が好ましく、１ｐｓ以下がさらに好ましい。多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、例えば、第４２回レーザ熱加工研究会論文集（１９９７年．１１月）の第１０５頁〜第１１１頁の「フェムト秒レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に記載されている。

次に、本実施形態の具体例を説明する。

本実施形態に係るレーザ加工装置について説明する。図１４はこのレーザ加工装置１００の概略構成図である。レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、レーザ光Ｌの反射機能を有しかつレーザ光Ｌの光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される基板１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ１０９と、載置台１０７をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ１１１と、載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３と、これら三つのステージ１０９，１１１，１１３の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備える。

基板１はシリコンウェハであり、その表面３には複数の回路部２（電子デバイス）が形成されている。基板１は、その裏面２１にダイシングフィルム４（粘着シート）が貼り付けられ、裏面２１がレーザ光Ｌの照射側となるように載置台１０７に載置されている。なお、本実施形態ではダイシングフィルム４として、基材がポリオレフィン系の材質で、粘着剤がアクリル系の材質のものを用いたが、例えば基材がポリ塩化ビニール系の材質で、粘着剤がアクリル系の材質のものを用いてもよい。

Ｚ軸方向は基板１の裏面２１と直交する方向なので、基板１に入射するレーザ光Ｌの焦点深度の方向となる。よって、Ｚ軸ステージ１１３をＺ軸方向に移動させることにより、基板１の内部にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせることができる。また、この集光点ＰのＸ（Ｙ）軸方向の移動は、基板１をＸ（Ｙ）軸ステージ１０９（１１１）によりＸ（Ｙ）軸方向に移動させることにより行う。

レーザ光源１０１としては、パルスレーザ光を発生する、波長が１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザを用いた。ダイシングフィルム４に対して透過性を有するからである。図１５はダイシングフィルム４の分光透過率特性を示すグラフである。図示するように、ダイシングフィルム４は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの波長が１０６４ｎｍのとき、７０％を超える透過率があることが分かる。レーザ光源１０１に用いることができるレーザとして、この他、Ｎｄ：ＹＶＯ_４レーザやＮｄ：ＹＬＦレーザがある。レーザ光源は、クラック領域、溶融処理領域を形成する場合、前述のレーザ光源を用いるのが好適であり、屈折率変化領域を形成する場合、チタンサファイアレーザを用いるのが好適である。

レーザ加工装置１００はさらに、載置台１０７に載置された基板１を可視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９と、を備える。ビームスプリッタ１１９と集光用レンズ１０５との間にダイクロイックミラー１０３が配置されている。ビームスプリッタ１１９は、可視光線の約半分を反射し残りの半分を透過する機能を有しかつ可視光線の光軸の向きを９０°変えるように配置されている。観察用光源１１７から発生した可視光線はビームスプリッタ１１９で約半分が反射され、この反射された可視光線がダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５を透過し、基板１の切断予定ライン５等を含む裏面３を照明する。なお、基板１をその表面３に形成された複数の回路部２毎に切断するため、切断予定ライン５は、互いに隣接する回路部２間の間隙（すなわち裏面２１上）、及び、それに臨む基板１の裏面２１上に設定される。

レーザ加工装置１００はさらに、ビームスプリッタ１１９、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結像レンズ１２３を備える。撮像素子１２１としては例えばＣＣＤ（charge-coupled device）カメラがある。切断予定ライン５等を含む裏面２１を照明した可視光線の反射光は、集光用レンズ１０５、ダイクロイックミラー１０３、ビームスプリッタ１１９を透過し、結像レンズ１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され、撮像データとなる。

レーザ加工装置１００はさらに、撮像素子１２１から出力された撮像データが入力される撮像データ処理部１２５と、レーザ加工装置１００全体を制御する全体制御部１２７と、モニタ１２９と、を備える。撮像データ処理部１２５は、撮像データを基にして観察用光源１１７で発生した可視光の焦点が裏面２１上に合わせるための焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部１１５がＺ軸ステージ１１３を移動制御することにより、可視光の焦点が裏面２１に合うようにする。よって、撮像データ処理部１２５はオートフォーカスユニットとして機能する。なお、可視光の焦点はレーザ光Ｌの集光点に一致している。また、撮像データ処理部１２５は、撮像データを基にして裏面２１の拡大画像等の画像データを演算する。この画像データは全体制御部１２７に送られ、全体制御部で各種処理がなされ、モニタ１２９に送られる。これにより、モニタ１２９に拡大画像等が表示される。

全体制御部１２７には、ステージ制御部１１５からのデータ、撮像データ処理部１２５からの画像データ等が入力され、これらのデータも基にしてレーザ光源制御部１０２、観察用光源１１７及びステージ制御部１１５を制御することにより、レーザ加工装置１００全体を制御する。よって、全体制御部１２７はコンピュータユニットとして機能する。

次に、本実施形態に係るレーザ加工方法を説明する。図１６は、このレーザ加工方法を説明するためのフローチャートである。

まず、基板１及びダイシングフィルム４の光吸収特性を図示しない分光光度計等により測定する。この測定結果に基づいて、基板１及びダイシングフィルム４に対して透明な波長又は吸収の少ない波長のレーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１を選定する（Ｓ１０１）。次に、基板１及びダイシングフィルム４の厚さを測定する。厚さの測定結果と基板１及びダイシングフィルム４の屈折率とを基にして、基板１のＺ軸方向の移動量を決定する（Ｓ１０３）。これは、レーザ光Ｌの集光点Ｐを基板１の内部に位置させるために、基板１の裏面２１に貼り付けられたダイシングフィルム４の表面６（レーザ光Ｌの照射側の面）に位置するレーザ光Ｌの集光点を基準とした基板１のＺ軸方向の移動量である。この移動量を全体制御部１２７に入力する。

基板１の裏面２１にダイシングフィルム４を貼り付け、基板１を裏面２１がレーザ光Ｌの照射側となるようにレーザ加工装置１００の載置台１０７に載置する。そして、観察用光源１１７から可視光を発生させて基板１を照明する（Ｓ１０５）。照明された切断予定ライン５を含む基板１の裏面２１を撮像素子１２１により撮像する。この撮像データは撮像データ処理部１２５に送られる。この撮像データに基づいて撮像データ処理部１２５は観察用光源１１７の可視光の焦点がダイシングフィルム４の表面に位置するような焦点データを演算する（Ｓ１０７）。

この焦点データはステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５は、この焦点データを基にしてＺ軸ステージ１１３をＺ軸方向の移動させる（Ｓ１０９）。これにより、観察用光源１１７の可視光の焦点がダイシングフィルム４の表面６に位置する。なお、撮像データ処理部１２５は撮像データに基づいて、切断予定ライン５を含む基板１の裏面２１の拡大画像データを演算する。この拡大画像データは全体制御部１２７を介してモニタ１２９に送られ、これによりモニタ１２９に切断予定ライン５付近の拡大画像が表示される。

全体制御部１２７には予めステップＳ１０３で決定された移動量データが入力されており、この移動量データがステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが基板１の内部となる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により基板１をＺ軸方向に移動させる（Ｓ１１１）。

次に、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを基板１の裏面２１の切断予定ライン５に照射する。図１７はレーザ加工中の溶融処理領域１３を含む基板１の断面図である。図示するように、レーザ光Ｌは、ダイシングフィルム４に対して透過性を有するため、ダイシングフィルム４ではほとんど吸されずダイシングフィルム４を介して基板１の裏面２１から入射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは基板１の内部に位置しているので、溶融処理領域１３は基板１の内部にのみ形成される。このとき、回路部２は基板１の表面３に形成されているため、回路部２をレーザ光Ｌから保護することが可能となる。また、ダイシングフィルム４の変形や溶融等も防止される。そして、裏面２１の切断予定ライン５に沿うように（すなわち矢印Ａ方向に沿うように）Ｘ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域１３を切断予定ライン５に沿うように基板１の内部に形成する（Ｓ１１３）。

そして、基板１を切断予定ライン５に沿って曲げることにより、基板１を切断する（Ｓ１１５）。これにより、基板１を、回路部２を備えたシリコンチップに分割する。このとき、各シリコンチップはダイシングフィルム４に貼り付けられているため、チップ飛びを防止して安定したピックアップを行うことが可能となる。

本実施形態の効果を説明する。これによれば、多光子吸収を起こさせる条件でかつ基板１の内部に集光点Ｐを合わせて、パルスレーザ光Ｌを切断予定ライン５に照射している。そして、Ｘ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させている。これにより、改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域）を切断予定ライン５に沿うように基板１の内部に形成している。基板の切断する箇所に何らかの起点があると、基板を比較的小さな力で割って切断することができる。よって、改質領域を起点として切断予定ライン５に沿って基板１を割ることにより、比較的小さな力で基板１を切断することができる。これにより、基板１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要な割れを発生させることなく基板１を切断することができる。

また、本実施形態によれば、基板１に多光子吸収を起こさせる条件でかつ基板１の内部に集光点Ｐを合わせて、パルスレーザ光Ｌを切断予定ライン５に照射している。よって、パルスレーザ光Ｌは基板１を透過し、基板１の表面３及び裏面２１ではパルスレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、改質領域形成が原因で表面３が溶融等のダメージを受けることはない。

以上説明したように本実施例によれば、基板１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、基板１を切断することができる。よって、基板１が例えば半導体ウェハの場合、半導体チップに切断予定ラインから外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップを半導体ウェハから切り出すことができる。表面に電極パターンが形成されている基板や、圧電素子ウェハや液晶等の表示装置が形成されたガラス基板のような表面に電子デバイスが形成されている基板についても同様である。よって、本実施形態によれば、基板を切断することにより作製される製品（例えば半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりを向上させることができる。

また、本実施形態によれば、基板１の切断予定ライン５沿った箇所は溶融しないので、切断予定ライン５の幅（この幅は、例えば半導体ウェハの場合、半導体チップとなる領域同士の間隔である。）を小さくできる。これにより、一枚の基板１から作製される製品の数が増え、製品の生産性を向上させることができる。

また、本実施形態によれば、基板１の切断加工にレーザ光を用いるので、ダイヤモンドカッタを用いたダイシングよりも複雑な加工が可能となる。例えば、図１８に示すように切断予定ライン５が複雑な形状であっても、本実施形態によれば切断加工が可能となる。

本実施形態に係るレーザ加工方法によってレーザ加工中の基板の平面図である。 図１に示す基板のII−II線に沿った断面図である。 本実施形態に係るレーザ加工方法によるレーザ加工後の基板の平面図である。 図３に示す基板のIV−IV線に沿った断面図である。 図３に示す基板のV−V線に沿った断面図である。 本実施形態に係るレーザ加工方法によって切断された基板の平面図である。 本実施形態に係るレーザ加工方法における電界強度とクラックスポットの大きさとの関係を示すグラフである。 本実施形態に係るレーザ加工方法の第１工程における基板の断面図である。 本実施形態に係るレーザ加工方法の第２工程における基板の断面図である。 本実施形態に係るレーザ加工方法の第３工程における基板の断面図である。 本実施形態に係るレーザ加工方法の第４工程における基板の断面図である。 本実施形態に係るレーザ加工方法により切断されたシリコンウェハの一部における断面の写真を表した図である。 本実施形態に係るレーザ加工方法におけるレーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を示すグラフである。 本実施形態に係るレーザ加工装置の概略構成図である。 本実施形態に係るダイシングフィルムの分光透過率特性を示すグラフである。 本実施形態に係るレーザ加工方法を説明するためのフローチャートである。 本実施形態に係るレーザ加工方法によってレーザ加工中の溶融処理領域を含む基板の断面図である。 本実施形態に係るレーザ加工方法により切断可能なパターンを説明するための基板の平面図である。

符号の説明

１…基板、２…回路部、３…表面、５…切断予定ライン、２１…裏面、Ｌ…レーザ光、Ｐ…集光点。

Claims (9)

1. 表面に複数の電子デバイス又は複数の電極パターンが形成された基板の内部に集光点を合わせて前記基板の裏面側からレーザ光を照射することにより、前記基板の厚さ方向から見て、隣り合う前記電子デバイスの間又は隣り合う前記電極パターンの間を通るように前記基板に対して設定された複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って、切断の起点となる改質領域を前記基板の内部に形成することを特徴とするレーザ加工方法。
2. 前記改質領域を切断の起点として前記基板を前記切断予定ラインに沿って切断することを特徴とする請求項１記載のレーザ加工方法。
3. 前記改質領域は溶融処理領域であることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ加工方法。
4. 前記改質領域はクラック領域であることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ加工方法。
5. 前記改質領域は屈折率変化領域であることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ加工方法。
6. 前記基板は半導体材料基板であることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ加工方法。
7. 前記基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ加工方法。
8. 前記基板は圧電材料基板であることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ加工方法。
9. 前記改質領域は、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域であることを特徴とする請求項６記載のレーザ加工方法。

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