JP2006032799A - シリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ボロンドープによる抵抗率０．０１８Ω・ｃｍ以下のｐ^＋ＣＺ基板を使用するとともに、酸素析出物が観察困難な寸法となっているにも関わらず、ＩＧ効果は十分に確保でき、かつ、基板の反りや変形などの問題も生じ難くなるよう、該酸素析出物の形成状態を適性化できるシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】 シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。シリコンエピタキシャルウェーハ１００を構成するシリコン単結晶基板１中には、密度１×１０^８ｃｍ^−３以上３×１０^９ｃｍ^−３以下のバルク積層欠陥１３を有する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、比較的高濃度のボロン（硼素）が添加されたシリコン単結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層を気相成長してなるシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法に関する。

特開平９−２８３５２９号公報 特開平１０−２７０４５５号公報 国際公開ＷＯ０１／０５６０７１号公報

抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下の低抵抗率となるように、チョクラルスキー法（Czochralski法；以下、単にＣＺ法という）により高濃度のボロンが添加されて製造されたシリコン単結晶基板（以下、ｐ^＋ＣＺ基板という）上に、シリコンエピタキシャル層を気相成長して得られるシリコンエピタキシャルウェーハは、例えばラッチアップ防止のため、あるいは、素子形成領域を無欠陥化するために広く用いられている。

ｐ^＋ＣＺ基板には、結晶引上げ工程において結晶が固化してから室温まで冷却される間に、多数の酸素析出核が形成されている。酸素析出核の寸法は通常１ｎｍ以下と極めて小さい。析出核は、上記の核形成温度以上であってシリコン単結晶バルクへの再固溶に係るある臨界温度以下に保持された場合、酸素析出物へと成長する。この酸素析出物はＢＭＤ（Bulk Micro Defect）の１つであり、耐圧低下や電流リークなどの不良要因となるため、デバイス形成領域には極力形成されていないことが望ましい。しかし、素子形成に利用されない基板領域においては、該酸素析出物を、デバイス工程での重金属成分のゲッターとして有効活用することができるので、シリコンエピタキシャルウェーハにおいても、成長用のシリコン単結晶基板には、反りなどの不具合が生じない範囲で酸素析出物を積極形成することが行なわれている。このような酸素析出物による重金属のゲッタリング効果は、いわゆるＩＧ（Intrinsic Gettering）効果の１つである。

ところで、酸素析出物の析出核は、上記の臨界温度よりも高温に保持すれば、シリコン単結晶バルクに再固溶して消滅することが知られている。シリコンエピタキシャルウェーハでは、シリコンエピタキシャル層の気相成長工程が、核消滅する１１００℃以上の高温熱処理に相当するために、気相成長前に多数存在していた酸素析出核も、該気相成長の熱履歴によって大幅に減少することになる。析出核が減少すると、使用するシリコン単結晶基板の初期酸素濃度が高くても、半導体デバイス製造工程での酸素析出物の形成は抑制され、ＩＧ効果はあまり期待できなくなる。

そこで、この問題を解決するために、シリコンエピタキシャルウェーハに４５０℃以上７５０℃以下の低温熱処理を施して、ｐ^＋ＣＺ基板中に新たに酸素析出核を形成させ、その後に中温熱処理（低温熱処理と高温熱処理の間の温度範囲）を施して酸素析出物を成長させる方法が提案されている（特許文献１、２、３）。また、特許文献１には、ｐ^＋ＣＺ基板中に酸素析出核あるいは酸素析出物を形成した後にシリコンエピタキシャル層を気相成長することにより、シリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法も提案されている。

ところで、ボロンドープによるｐ^＋ＣＺ基板においては、特許文献１〜３に開示されているごとく、基板の抵抗率が小さくなるほど（つまり、ボロン濃度が高くなるほど）、酸素析出核の形成密度、ひいては中温熱処理後の酸素析出物の形成密度が高くなる傾向にある。これは、ｐ^＋ＣＺ基板に添加されている多量のボロン（ドーパント）がシリコンバルク中で負イオン化し、これが、酸素析出を阻害する正に帯電した格子間シリコン原子と結合して、その移動を抑制するのが原因であると考えられている。

前述のＩＧ効果の観点においては、一般には、酸素析出物の形成密度は多ければ多いほど有利になると考えられている。しかし、酸素析出物の形成密度は、ある上限値を超えるとＩＧ効果自体は頭打ちとなり、それ以上に過度に酸素析出物の形成密度が増大することは、基板の反りや変形などを招きやすくなるため、却って望ましくないことがわかっている。

他方、基板中の初期酸素濃度がほぼ同じであれば、酸素析出物の総析出体積はほぼ同じになると考えられるから、酸素析出物の形成密度（より正確には、数形成密度）が多くなれば、得られる酸素析出物の組織形態がより微細化することは明らかである。最終的に得られるＩＧ効果を適正化するためには、基板中の酸素析出物の形成密度を制御パラメータとすることがより直接的であり、従来の量産工程では、基板断面の光学顕微鏡観察や赤外散乱トモグラフ法により酸素析出物密度の測定を行なっていた。しかし、ボロンドープによるｐ^＋ＣＺ基板（抵抗率０．０１８Ω・ｃｍ以下）では、酸素析出物の寸法がサブミクロンオーダーとなり、光学顕微鏡観察を用いる場合は、５００倍〜１０００倍の高倍率で観察を行う必要が生ずる。光学顕微鏡を用いてこのような高倍率で観察を行うと非常に焦点が合わせ辛いので、酸素析出物密度の測定に長時間を要する。また、酸素析出物を見やすくするために一般には基板表面に選択エッチングを施して観察を行なうが、その選択エッチングにより面荒れが発生すると、微細な酸素析出物は見づらくなる。赤外散乱トモグラフ法は、装置間で測定値の相関を取ることが難しい。

さらに、酸素析出物を観察可能とするための選択エッチングにも、実は従来の方法には大きな問題がある。例えば、ＪＩＳ：Ｈ０６０９（１９９９）には、結晶欠陥観察用の選択エッチング液として弗酸／硝酸／酢酸／水の容積比を規定した混酸水溶液が開示されているが、本発明者等の検討によれば、ボロンドープによる抵抗率０．０１８Ω・ｃｍ以下のｐ^＋ＣＺ基板に対して、この液では酸素析出物を観察可能となるようにエッチングすることが非常に難しい。また、透過型電子顕微鏡では試料作成等に多大な労力を要する上、観察視野も限られているために、量産用としての酸素析出物の計数方法には全く向かない。

従って、以上のような要因により、従来開示されているｐ^＋ＣＺ基板の酸素析出物密度は、より多くの酸素析出物が形成されているにも関わらず、上記光学的手法による分解能の限界や選択エッチング条件の不適性などにより、実際よりも低い値に計数されている可能性が高い。その結果、真の酸素析出物の形成密度が現実には過多となり、基板の反りや変形などの問題も生じ易くなる。

本発明の課題は、ボロンドープによる抵抗率０．０１８Ω・ｃｍ以下のｐ^＋ＣＺ基板を使用するとともに、酸素析出物が観察困難な寸法となっているにも関わらず、ＩＧ効果を十分に確保でき、かつ、基板の反りや変形などの問題も生じ難くなるよう、該酸素析出物の形成状態を適性化できるシリコンエピタキシャルウェーハと、その製造方法とを提供することにある。

課題を解決するための手段及び発明の効果

本発明のシリコンエピタキシャルウェーハは、上記課題を解決するためになされたものであり、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板（ｐ^＋ＣＺ基板）上に、シリコンエピタキシャル層を形成してなるシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、シリコンエピタキシャルウェーハを構成する前記シリコン単結晶基板中に、密度１×１０^８ｃｍ^−３以上３×１０^９ｃｍ^−３以下のバルク積層欠陥を有することを特徴とする。

本発明者らは、上記ボロンドープｐ^＋ＣＺ基板を用いたシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、従来の手法では検出が困難となるほど酸素析出物が微細化する点に鑑み、ＩＧ効果は十分に確保でき、かつ、基板の反りや変形などの問題も生じ難くなる範囲を、酸素析出物の形成密度とは別のパラメータにより適性化することを検討した。その結果、酸素析出物を熱処理することによって導入されるバルク積層欠陥が、微細化した酸素析出物の形成密度と良好な相関を有してなり、かつ、そのバルク積層欠陥の形成密度が、１×１０^８ｃｍ^−３以上３×１０^９ｃｍ^−３以下のときの、ボロンドープｐ^＋ＣＺ基板を用いたシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、上記所期の特性が充足可能となることを見出して、本発明を完成するに至った。

従来は、微細な酸素析出物の形成密度を光学的手法により無理に測定しようとしていたために、その測定値には誤差も多く、ボロンドープｐ^＋ＣＺ基板を用いたシリコンエピタキシャルウェーハに限っていえば、一般に認知されている酸素析出物形成密度の適正数値範囲も、必ずしも信頼できるものとはいえない。これに対し、本発明にて採用するバルク積層欠陥は、酸素析出物と比較して光学顕微鏡観察による検出がはるかに容易であり、計数ミスも生じにくい。従って、酸素析出物の計数精度に拘泥することなく、当該バルク積層欠陥の形成密度を用いて適正範囲を規定することで、実際に形成される酸素析出物が相当微細化していても、ＩＧ効果確保と基板の反り防止とを両立させた特性を確実に実現できる。

バルク積層欠陥は、酸素析出物を熱処理することによって導入される結晶欠陥であり、熱処理済のシリコンエピタキシャルウェーハを選択エッチングすることにより、光学顕微鏡下で５０倍〜１００倍の倍率でも観察することができる。バルク積層欠陥の密度は、光学顕微鏡下で観察したバルク積層欠陥の個数にエッチング代を乗じて求めることができる。例えば、シリコンエピタキシャルウェーハをエッチング代０．５μｍで選択エッチングし、倍率１０００倍の光学顕微鏡下で撮影した７ｃｍ×９ｃｍの写真に２３個のＢＳＦが観察された場合、バルク積層欠陥の密度は、
２３×（１０００）^２／（７×９）／０．５×１０^４＝７．３×１０^９ｃｍ^−３
として算出される。

バルク積層欠陥の密度が１×１０^８ｃｍ^−３未満になると、酸素析出物の形成密度が不十分となり、ＩＧ効果を十分に確保できなくなる。他方、バルク積層欠陥の密度が３×１０^９ｃｍ^−３を超えると、酸素析出物の形成密度が過剰となり、基板の反り等を生じやすくなる。バルク積層欠陥の密度は、より望ましくは、５×１０^８ｃｍ^−３以上２×１０^９ｃｍ^−３以下とするのがよい。

また、基板の抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍより高くなると、酸素析出を促進するボロンの濃度が小さすぎ、酸素析出物が微細化することによる問題がそもそも生じないし、酸素析出核の個数も減少するから、ＩＧ効果を十分に確保するにたる酸素析出物の形成密度を確保できなくなる。該観点において、基板の抵抗率は０．０１４Ω・ｃｍ未満に設定することがより望ましい。他方、酸素析出物の形成密度が過度に増加して基板の反り等を生じ難くする観点からは、基板の抵抗率は０．０１１Ω・ｃｍ以上となるように設定することが望ましい。

また、シリコン単結晶基板中の初期酸素濃度は、６×１０^１７ｃｍ^−３以上１０×１０^１７ｃｍ^−３以下であることが好ましい。初期酸素濃度が６×１０^１７／ｃｍ^３未満では、酸素析出物の形成密度を十分に確保できなくなり、ＩＧ効果が十分に期待できない。逆に、初期酸素濃度が１０×１０^１７／ｃｍ^３を超えると、酸素析出物の形成密度が過多となり、反り等のウェーハの変形が急に大きくなる可能性が高くなる。なお本明細書において酸素濃度の単位は、ＪＥＩＤＡ（社団法人日本電子工業振興会の略称。現在はＪＥＩＴＡ（社団法人電子情報技術産業協会）に改称された）の基準を用いて示すものとする。

また、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、
ＣＺ法により製造され、かつ抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層を気相成長する気相成長工程と、
気相成長工程後に、４５０℃以上７５０℃以下の範囲内で、酸素析出核を形成する低温熱処理工程と、低温熱処理の温度よりも高く、気相成長の温度よりも低い範囲内の中温熱処理を施し、シリコン単結晶基板中のバルク積層欠陥密度を１×１０^８ｃｍ^−３以上３×１０^９ｃｍ^−３以下とする中温熱処理工程と、をこの順に行うことを特徴とする。
ＩＧ効果を十分に確保するにたる酸素析出物の形成密度を確保するためには、基板の抵抗率を０．０１４Ω・ｃｍ未満に設定することがより望ましい。

気相成長工程後に上記温度範囲内での低温熱処理を施すことにより、該気相成長工程中に消滅・減少した酸素析出核を、ＩＧ効果確保の上で必要な形成密度となるように復元することができる。その後、低温熱処理の温度よりも高く気相成長の温度よりも低い範囲内の温度、より具体的には、８００℃以上１１００℃未満の中温熱処理をさらに施すことにより、酸素析出核を酸素析出物とすることができ、同時に、その一部がバルク積層欠陥となる。

本発明のシリコンエピタキシャルウェーハは、低抵抗率のボロンドープｐ^＋ＣＺ基板を用いるため、酸素析出物は、選択エッチング後に比較的大きいものが光学顕微鏡を用いて５００倍〜１０００倍の高倍率でやっと見える程度（平均寸法で３００ｎｍ以下と思われる）の微細なものが主体となるから、正確な析出核の密度は結局のところ推定できない。そこで、本発明の製造方法においては、中温熱処理後はバルク積層欠陥密度であれば容易に観察可能である点に着目し、シリコン単結晶基板中のバルク積層欠陥密度が前述の適正数値範囲内となるような条件で、気相成長後に低温熱処理と中温熱処理とを行なうようにする。これにより、ＩＧ効果確保と基板の反り防止とを両立させた本発明のエピタキシャルウェーハを確実に得ることができる。

上記の通り、本発明が適用対象とするボロンドープｐ^＋ＣＺ基板では、酸素析出核の個数を直接特定することは困難であるから、これに代えてバルク積層欠陥の形成密度が上記の範囲内のものとなるように、ボロン濃度に応じて低温熱処理の温度及び時間を随時適正化する必要がある。しかし、４５０℃未満ではバルク積層欠陥（あるいは酸素析出核）の形成数が極端に少なくなり、逆に７５０℃を超えると格子間酸素の過飽和度が低すぎるために、バルク積層欠陥（あるいは酸素析出核）の形成数は不十分となる。それ故、上記低温熱処理の温度は４５０℃以上７５０℃以下の範囲内にて設定する。

以下に、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハ１００を示す概略図である。本発明のシリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により抵抗率が０．００９Ω・ｃｍ以上０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、１１００℃以上の温度でシリコンエピタキシャル層２を気相成長してなる。シリコンエピタキシャルウェーハ１００には気相成長後に４５０℃以上７５０℃以下の低温熱処理がなされており、さらに低温熱処理の温度より高く気相成長温度より低い範囲内の中温熱処理を施すことにより、シリコン単結晶基板１に、酸素析出物１２と密度１×１０^８ｃｍ^−３以上３×１０^９ｃｍ^−３以下のバルク積層欠陥（以下、「ＢＳＦ」と記載する）１３とが形成される。酸素析出物１２は非常に微細であるが、概ねＢＳＦ１３の１０倍前後の密度にて形成され、ＩＧ効果を発現する。

シリコン単結晶基板１中の格子間酸素濃度は、６×１０^１７／ｃｍ^３以上１０×１０^１７／ｃｍ^３以下に制御されている。格子間酸素濃度が６×１０^１７／ｃｍ^３に達していないと、気相成長後に例えば３時間未満の短時間で行う４５０℃以上７５０℃以下の低温熱処理では、シリコン単結晶基板１中に十分な密度の酸素析出核１１（図２）が形成しづらく、その後の中温熱処理で十分な密度の酸素析出物１２も形成しにくくなり、ゲッタリング効果が十分に期待できない。逆に、格子間酸素濃度が１０×１０^１７／ｃｍ^３を超えると、低温熱処理で多量の酸素析出核１１が形成されるために中温熱処理により酸素析出物１２が過多となり、ウェーハの変形が急に大きくなる可能性が高くなる。なお、ウェーハの変形を抑制するためには、酸素析出物１２の密度を１×１０^１１ｃｍ^−３未満とすることが好ましい。

図２は、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハ１００の製造方法を示す概略工程図である。まず、ボロンを添加して抵抗率が０．００９Ω・ｃｍ以上０．０１８Ω・ｃｍ以下、初期酸素濃度が６×１０^１７ｃｍ^−３以上１０×１０^１７ｃｍ^−３以下に調整されたｐ^＋型ＣＺシリコン単結晶基板１（以下、単に基板１という）を準備する（図２ａ）。基板１中には、結晶引上げ工程においてシリコン単結晶が固化してから室温まで冷却される間に形成された酸素析出核１１が存在する。

次に、基板１上に１１００℃以上の温度でシリコンエピタキシャル層２を気相成長する気相成長工程を行い、シリコンエピタキシャルウェーハ５０を得る（図２ｂ）。気相成長工程は１１００℃以上の高温で行われるため、結晶引上げ工程で形成された基板１中の酸素析出核１１の殆どが溶体化する。

気相成長工程後、シリコンエピタキシャルウェーハ５０を図示しない熱処理炉に投入し、酸化性雰囲気中、４５０℃以上７５０℃以下の低温熱処理を所定時間施し、前記基板１中に酸素析出核１１を再び形成し、シリコンエピタキシャルウェーハ６０とする（図２ｃ）。酸化性雰囲気は、例えば乾燥酸素が窒素等の不活性ガスで希釈されてなる雰囲気であるが、乾燥酸素１００％の雰囲気でもよい。低温熱処理は、４５０℃未満の温度で行うと格子間酸素の拡散が極端に遅くなり、酸素析出核１１が形成されにくい。また、低温熱処理温度が７５０℃を超えると、格子間酸素の過飽和度が低くなるため、やはり酸素析出核１１が形成されにくくなる。

酸素析出核１１は、８００℃以上１１００℃未満の中温熱処理をさらに施すことにより酸素析出物１２となる（図２ｄ）と同時に、その一部がＢＳＦ１３となり、シリコンエピタキシャルウェーハ１００が得られる。このとき観察されるＢＳＦの密度が１×１０^８ｃｍ^−３以上３×１０^９ｃｍ^−３以下となるように、前述の低温熱処理と中温熱処理の温度及び時間を調整する。

以下に、実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明する。なお、本実施例に記載されるシリコン単結晶基板１の初期酸素濃度は、不活性ガス融解法による測定値を、通常抵抗率（１〜２０Ω・ｃｍ）の基板を用いて求められたフーリエ変換赤外分光法と不活性ガス融解法との相関関係に基づいて換算したものである。また、酸素析出物密度とＢＳＦ密度は、酸素析出核１１の形成されたシリコンエピタキシャルウェーハ６０に中温熱処理をさらに施すことにより酸素析出物１２とＢＳＦ１３を形成させた後に、フッ酸（４９〜５０ｗｔ％）：硝酸（６０〜６２ｗｔ％）：酢酸（９９〜１００ｗｔ％）：水＝１：１５：６：６（容量比）からなるエッチング液を用いて選択エッチングし、倍率１０００倍の光学顕微鏡を用いて測定する。この組成のエッチング液を使用すると、前記ＪＩＳに開示されているエッチング液と比較して、ＢＳＦ１３だけでなく、微細な酸素析出物１２も明瞭に観察することができるようになる。図４は、その例を示す光学顕微鏡観察画像であり、比較的細長く棒状に表れているのがＢＳＦ１３，散点状に微細に認められるのが酸素析出物１２である。

まず、抵抗率０．０１２Ω・ｃｍ、初期酸素濃度６．８×１０^１７／ｃｍ^３（１３．６ｐｐｍａ）のボロンドープシリコン単結晶基板１を用意し、該基板１の（１００）主表面上に、抵抗率２０Ω・ｃｍ、厚さ５μｍのシリコンエピタキシャル層２を１１００℃の温度で気相成長させ、シリコンエピタキシャルウェーハ５０を得る。

次に、シリコンエピタキシャルウェーハ５０に対し、酸素３％、窒素９７％の酸化性雰囲気中、酸素析出核形成用の低温熱処理を６５０℃の温度で１時間行い、シリコンエピタキシャルウェーハ６０を得る。その後、８００℃／４時間＋１０００℃／１６時間の中温熱処理を行って酸素析出物１２とＢＳＦ１３とを成長させ、得られたシリコンエピタキシャルウェーハ１００を構成する基板１中の酸素析出物密度とＢＳＦ密度を評価したところ、酸素析出物密度が１．３×１０^１０／ｃｍ^３、ＢＳＦ密度が１．６×１０^９／ｃｍ^３であった。

なお、比較のため、抵抗率０．０１６Ω・ｃｍ、初期酸素濃度６．０×１０^１７／ｃｍ^３（１２．０ｐｐｍａ）のボロンドープシリコン単結晶基板１を用い、低温熱処理を施さずに中温熱処理を行った以外は、実施例１と同じ条件で気相成長と熱処理を行ったところ、酸素析出物１２とＢＳＦ１３のいずれの形成も確認することができなかった。

図３は、基板抵抗率を種々に設定したｐ^＋ＣＺ基板１を用いて上記のごとく製造したシリコンエピタキシャルウェーハ５０に対し、６５０℃で１時間の低温熱処理と８００℃／４時間＋１０００℃／１６時間の中温熱処理とをこの順に行なったときの、酸素析出物１２とＢＳＦ１３との形成密度の関係を示すものである。両者には明らかに正の相関があり、基板抵抗率が０．０１１Ω・ｃｍ以上０．０１８Ω・ｃｍ以下の範囲内で、酸素析出物１２の密度はＢＳＦ１３の密度の概ね１０倍の値を示していることがわかる。なお、この酸素析出物密度は、前述のエッチング液を用いることで、はじめて正確な測定が可能となったものである。また、抵抗率が０．０１４Ω・ｃｍ未満のシリコン単結晶基板を用いることにより、より確実に酸素析出物１２の密度を、ＩＧ効果の十分に確保できる１×１０^９ｃｍ^−３以上とすることができることがわかる（ＢＳＦ１３の密度は、今回の測定では３×１０^８ｃｍ^−３以上となっている）。

本発明のシリコンエピタキシャルウェーハを示した概略図。 本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を示した説明工程図。 バルク積層欠陥密度と酸素析出物密度との関係を示した図。 倍率１０００倍の光学顕微鏡で撮影したバルク積層欠陥と酸素析出物。

符号の説明

１ シリコン単結晶基板
２ シリコンエピタキシャル層
１１ 酸素析出核
１２ 酸素析出物
１３ バルク積層欠陥
５０、６０、１００ シリコンエピタキシャルウェーハ

Claims (6)

1. ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層を形成してなるシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、
   前記シリコンエピタキシャルウェーハを構成する前記シリコン単結晶基板中に、密度１×１０^８ｃｍ^−３以上３×１０^９ｃｍ^−３以下のバルク積層欠陥を有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
2. 前記シリコン単結晶基板の抵抗率が０．０１４Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載のシリコンエピタキシャルウェーハ。
3. 前記シリコン単結晶基板の抵抗率が０．０１１Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のシリコンエピタキシャルウェーハ。
4. 前記シリコン単結晶基板中の初期酸素濃度が、６×１０^１７ｃｍ^−３以上１０×１０^１７ｃｍ^−３以下であることを特徴とする請求項１に記載のシリコンエピタキシャルウェーハ。
5. ＣＺ法により製造され、かつ抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層を気相成長する気相成長工程と、
   前記気相成長工程後に、４５０℃以上７５０℃以下の範囲内で、酸素析出核を形成する低温熱処理工程と、前記低温熱処理の温度よりも高く、前記気相成長の温度よりも低い範囲内の中温熱処理を施し、前記シリコン単結晶基板中のバルク積層欠陥密度を１×１０^８ｃｍ^−３以上３×１０^９ｃｍ^−３以下とする中温熱処理工程と、
   をこの順に行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
6. 前記シリコン単結晶基板の抵抗率が０．０１４Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする請求項５に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
   

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