JP2006030057A - Calibration method for shearing interference measurement apparatus, shearing interference measurement method, shearing interference measurement apparatus, projection optical system manufacturing method, projection optical system, projection exposure apparatus manufacturing method, projection exposure apparatus, microdevice manufacturing method, and microdevice - Google Patents
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Abstract
【課題】シアリング干渉測定装置のシア方向のデータを高精度に取得する。
【解決手段】被検光学系(0)を通過する測定光束の波面を、互いの関係が既知の2方向にシアすることの可能な波面分割手段(41)と、前記波面分割手段によりシアされた波面同士が所定面上に成す干渉縞を検出する撮像素子(15)とを備えたシアリング干渉測定装置の校正方法であって、前記シアリング干渉測定装置に任意の被検光学系又は基準光学系をセットした状態で、前記2方向の一方にシアされた波面同士が成す干渉縞のデータと、前記2方向の他方にシアされた波面同士が成す干渉縞のデータとをそれぞれ取得する校正用測定手順と、前記取得された2つの干渉縞のデータと前記関係とに基づき、前記撮像素子を基準とした前記波面分割手段のシア方向のデータを取得する演算手順とを含むことを特徴とする。
【選択図】 図1
Data of shear direction of a shearing interference measuring apparatus is obtained with high accuracy.
A wavefront splitting means (41) capable of shearing a wavefront of a measurement light beam passing through a test optical system (0) in two directions whose relations are known, and shearing by the wavefront splitting means. A calibration method for a shearing interference measurement apparatus comprising an image pickup element (15) for detecting interference fringes formed on the predetermined plane by the wave fronts, wherein an arbitrary test optical system or reference optical system is included in the shearing interference measurement apparatus. The calibration measurement for obtaining the interference fringe data formed by the wavefronts sheared in one of the two directions and the interference fringe data formed by the wavefronts sheared in the other of the two directions. And a calculation procedure for acquiring shear direction data of the wavefront dividing means with reference to the imaging device based on the acquired two interference fringe data and the relationship.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、EUVL(極端紫外線露光技術,Extreme Ultra Violet Lithography)用の投影光学系の波面収差測定などに適用されるシアリング干渉測定装置の校正方法、シアリング干渉測定方法、シアリング干渉測定装置に関する。
また、本発明は、シアリング干渉測定方法が適用された投影光学系の製造方法、投影光学系、投影露光装置の製造方法、投影露光装置、マイクロデバイスの製造方法、及びマイクロデバイスに関する。
The present invention relates to a calibration method of a shearing interference measurement apparatus, a shearing interference measurement method, and a shearing interference measurement apparatus applied to measurement of wavefront aberration of a projection optical system for EUVL (Extreme Ultra Violet Lithography).
The present invention also relates to a projection optical system manufacturing method, a projection optical system, a projection exposure apparatus manufacturing method, a projection exposure apparatus, a microdevice manufacturing method, and a microdevice to which a shearing interference measurement method is applied.
EUVL用の投影光学系の波面収差の測定には、その使用波長と同じ波長の光源(EUV光(極端紫外線))が用いられるので、ミラーや回折格子などを組み合わせたシアリング干渉測定装置が有効と考えられる(特許文献1,特許文献2,特許文献3など)。
このシアリング干渉測定装置には、被検光学系を透過した測定光束の波面(透過波面)をシア(分割)する回折格子と、シアされた波面同士が成す干渉縞を検出する撮像素子とが備えられる。撮像素子が検出した干渉縞の輝度分布のデータはコンピュータにおいて解析され、被検光学系の透過波面が復元される。
For measuring the wavefront aberration of the projection optical system for EUVL, a light source having the same wavelength as the wavelength used (EUV light (extreme ultraviolet)) is used. Therefore, a shearing interferometer that combines a mirror and a diffraction grating is effective. Possible (
This shearing interferometer includes a diffraction grating that shears (divides) the wavefront (transmitted wavefront) of a measurement light beam that has passed through a test optical system, and an image sensor that detects interference fringes formed by the sheared wavefronts. It is done. The data on the luminance distribution of the interference fringes detected by the image sensor is analyzed by a computer, and the transmitted wavefront of the test optical system is restored.
その解析には、シアリング干渉測定装置の校正データが用いられる。回折格子による波面のシア量(撮像素子上の座標系で表されたシア量)、回折格子による波面のシア方向(撮像素子上の座標系で表されたシア方向)などのデータである。
従来、シア方向のデータは、以下の校正方法により取得されていた。
すなわち、シア前の測定光束中に指標を配置する。この状態で、回折格子がシアした一方の波面と他方の波面とが個別に形成する像の位置を撮像素子にてそれぞれ検出する。それらの像の位置ずれの方向をシア方向とみなす。
Conventionally, shear direction data has been acquired by the following calibration method.
That is, an index is arranged in the measurement light beam before shear. In this state, the positions of the images formed individually by the one wavefront sheared by the diffraction grating and the other wavefront are detected by the image sensor. The direction of displacement of these images is regarded as the shear direction.
しかし、この方法では、撮像素子の解像度がそのままシア方向の検知精度に影響するのでシア方向のデータの取得精度が低く、EUVL用の投影光学系などの高精度な測定には不向きである。
そこで本発明は、シア方向のデータを高精度に取得することのできるシアリング干渉測定装置の校正方法を提供することを目的とする。
However, with this method, since the resolution of the image sensor directly affects the detection accuracy in the shear direction, the data acquisition accuracy in the shear direction is low, and is not suitable for high-accuracy measurement such as a projection optical system for EUVL.
Therefore, an object of the present invention is to provide a calibration method for a shearing interferometer that can acquire shear direction data with high accuracy.
また、本発明は、被検光学系の透過波面を高精度に測定することのできるシアリング干渉測定方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、シア方向のデータを高精度に取得することのできるシアリング干渉測定装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、高性能な投影光学系を製造することのできる投影光学系の製造方法を提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a shearing interference measurement method capable of measuring a transmitted wavefront of a test optical system with high accuracy.
It is another object of the present invention to provide a shearing interference measuring apparatus that can acquire shear direction data with high accuracy.
Another object of the present invention is to provide a projection optical system manufacturing method capable of manufacturing a high-performance projection optical system.
また、本発明は、高性能な投影光学系を提供することを目的とする。
また、本発明は、高性能な投影露光装置を製造することのできる投影露光装置の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、高性能な投影露光装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、高性能なマイクロデバイスを製造することのできるマイクロデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
Another object of the present invention is to provide a high-performance projection optical system.
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a projection exposure apparatus that can manufacture a high-performance projection exposure apparatus.
Another object of the present invention is to provide a high-performance projection exposure apparatus.
Another object of the present invention is to provide a microdevice manufacturing method capable of manufacturing a high-performance microdevice.
また、本発明は、高性能なマイクロデバイスを提供することを目的とする。 Another object of the present invention is to provide a high-performance microdevice.
請求項1に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法は、被検光学系を通過する測定光束の波面を、互いの関係が既知の2方向にシアすることの可能な波面分割手段と、前記波面分割手段によりシアされた波面同士が所定面上に成す干渉縞を検出する撮像素子とを備えたシアリング干渉測定装置の校正方法であって、前記シアリング干渉測定装置に任意の被検光学系又は基準光学系をセットした状態で、前記2方向の一方にシアされた波面同士が成す干渉縞のデータと、前記2方向の他方にシアされた波面同士が成す干渉縞のデータとをそれぞれ取得する校正用測定手順と、前記取得された2つの干渉縞のデータと前記関係とに基づき、前記撮像素子を基準とした前記波面分割手段のシア方向のデータを取得する演算手順とを含むことを特徴とする。
A calibration method for a shearing interferometer according to
請求項2に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法は、請求項1に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法において、前記演算手順では、前記被検光学系の波面収差が前記干渉縞の位相分布の一次成分に与える影響を除去する所定の演算式が用いられることを特徴とする。
請求項3に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法は、請求項2に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法において、前記波面分割手段は、互いに直交するX方向及びY方向に前記波面を等量ずつシアすることが可能であり、前記所定の演算式は、前記X方向にシアされた波面同士が成す前記干渉縞の位相分布の一次成分の方向ベクトルの前記Y方向成分と、前記Y方向にシアされた波面同士が成す前記干渉縞の位相分布の一次成分の方向ベクトルの前記X方向成分との差をとる演算式であることを特徴とする。
The calibration method for the shearing interference measurement apparatus according to claim 2 is the calibration method for the shearing interference measurement apparatus according to
The calibration method of the shearing interferometer according to claim 3 is the calibration method of the shearing interferometer according to claim 2, wherein the wavefront dividing means equalizes the wavefront in the X and Y directions orthogonal to each other. The predetermined arithmetic expression is obtained by calculating the Y direction component of the direction vector of the primary component of the phase distribution of the interference fringes formed by the wave fronts sheared in the X direction, and the Y direction. It is an arithmetic expression that takes the difference between the direction vector of the primary component of the phase distribution of the interference fringes formed by sheared wavefronts and the X direction component.
請求項4に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法は、請求項1〜請求項3の何れか一項に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法において、前記波面分割手段は、刻線方向の関係が既知の2つの回折格子を有し、前記測定光束に挿入される回折格子を、前記関係を維持したままそれら2つの回折格子の間で切り替えることが可能であることを特徴とする。
The calibration method of the shearing interferometer according to claim 4 is the calibration method of the shearing interferometer according to any one of
請求項5に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法は、請求項1〜請求項3の何れか一項に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法において、前記波面分割手段は、回折格子を有し、かつその回折格子の前記測定光束に対する光軸周りの配置方向を、既知の関係の2方向に切り替えることが可能であることを特徴とする。
請求項6に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法は、請求項1〜請求項5の何れか一項に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法において、前記被検光学系は、EUVL用の投影光学系であり、前記測定光束は、波長50nm以下のEUV光からなることを特徴とする。
The calibration method of the shearing interference measurement apparatus according to claim 5 is the calibration method of the shearing interference measurement apparatus according to any one of
The calibration method for the shearing interference measurement apparatus according to claim 6 is the calibration method for the shearing interference measurement apparatus according to any one of
請求項7に記載のシアリング干渉測定方法は、請求項1〜請求項6の何れか一項に記載のシアリング干渉測定装置の校正方法によりシアリング干渉測定装置の前記シア方向のデータを取得する校正手順と、前記シアリング干渉測定装置に被検光学系をセットして干渉縞のデータを取得する測定手順と、前記測定データと前記シア方向のデータとに基づき被検光学系の透過波面を復元する測定手順とを含むことを特徴とする。
The shearing interference measurement method according to claim 7 is a calibration procedure for acquiring the shear direction data of the shearing interference measurement device by the calibration method of the shearing interference measurement device according to any one of
請求項8に記載のシアリング干渉測定装置は、被検光学系を通過する測定光束の波面を、互いの関係が既知の2方向にシアすることの可能な波面分割手段と、前記波面分割手段によりシアされた波面同士が所定面上に成す干渉縞を検出する撮像素子と、前記シアリング干渉測定装置に任意の被検光学系又は基準光学系がセットされた状態で、前記2方向の一方にシアされた波面同士が成す干渉縞のデータと、前記2方向の他方にシアされた波面同士が成す干渉縞のデータとそれぞれ取得する制御手段と、前記取得された2つの干渉縞のデータと前記関係とに基づき、前記撮像素子を基準とした前記波面分割手段のシア方向のデータを取得する演算手段とを備えたことを特徴とする。 The shearing interference measuring apparatus according to claim 8 includes: a wavefront dividing unit capable of shearing a wavefront of a measurement light beam passing through a test optical system in two directions whose relations are known; and the wavefront dividing unit. An image sensor that detects interference fringes formed by sheared wavefronts on a predetermined plane, and an arbitrary test optical system or reference optical system set in the shearing interference measurement device, are sheared in one of the two directions. The interference fringe data formed by the wavefronts formed, the interference fringe data formed by the wavefronts sheared in the other of the two directions and the control means for acquiring the data, and the acquired two interference fringe data and the relationship And an arithmetic means for acquiring data in the shear direction of the wavefront dividing means with reference to the image sensor.
請求項9に記載のシアリング干渉測定装置は、請求項8に記載のシアリング干渉測定装置において、前記演算手段は、前記被検光学系の波面収差が前記干渉縞の位相分布の一次成分に与える影響を除去する所定の演算式を用いることを特徴とする。
請求項10に記載のシアリング干渉測定装置は、請求項9に記載のシアリング干渉測定装置において、前記波面分割手段は、互いに直交するX方向及びY方向に前記波面を等量ずつシアすることが可能であり、前記所定の演算式は、前記X方向にシアされた波面同士が成す前記干渉縞の位相分布の一次成分の方向ベクトルの前記Y方向成分と、前記Y方向にシアされた波面同士が成す前記干渉縞の位相分布の一次成分の方向ベクトルの前記X方向成分との差をとる演算式であることを特徴とする。
The shearing interferometer according to claim 9 is the shearing interferometer according to claim 8, wherein the calculation unit is configured to affect the wavefront aberration of the optical system to be measured on a primary component of the phase distribution of the interference fringes. It is characterized by using a predetermined arithmetic expression for removing.
The shearing interferometer according to claim 10 is the shearing interferometer according to claim 9, wherein the wavefront dividing means can shear the wavefront in equal amounts in the X and Y directions orthogonal to each other. The predetermined arithmetic expression is that the Y direction component of the direction vector of the primary component of the phase distribution of the interference fringes formed by the wave fronts sheared in the X direction and the wave fronts sheared in the Y direction are It is an arithmetic expression that takes the difference between the direction vector of the primary component of the phase distribution of the interference fringe formed and the X direction component.
請求項11に記載のシアリング干渉測定装置は、請求項8〜請求項10の何れか一項に記載のシアリング干渉測定装置において、前記波面分割手段は、刻線方向の関係が既知の2つの回折格子を有し、前記測定光束に挿入される回折格子を、前記関係を維持したままそれら2つの回折格子の間で切り替えることが可能であることを特徴とする。
請求項12に記載のシアリング干渉測定装置は、請求項8〜請求項10の何れか一項に記載のシアリング干渉測定装置において、前記波面分割手段は、回折格子を有し、かつその回折格子の前記測定光束に対する光軸周りの配置方向を、既知の関係の2方向に切り替えることが可能であることを特徴とする。
The shearing interferometer according to
The shearing interference measuring apparatus according to claim 12 is the shearing interference measuring apparatus according to any one of claims 8 to 10, wherein the wavefront dividing means includes a diffraction grating, and The arrangement direction of the measurement light beam around the optical axis can be switched to two known relations.
請求項13に記載のシアリング干渉測定装置は、請求項8〜請求項12の何れか一項に記載のシアリング干渉測定装置において、前記被検光学系は、EUVL用の投影光学系であり、前記測定光束は、波長50nm以下のEUV光からなることを特徴とする。
請求項14に記載の投影光学系の製造方法は、請求項7に記載のシアリング干渉測定方法により投影光学系の透過波面を測定し、前記測定の結果に基づき前記投影光学系の調整を行うことを特徴とする。
The shearing interference measuring apparatus according to claim 13 is the shearing interference measuring apparatus according to any one of claims 8 to 12, wherein the optical system to be measured is a projection optical system for EUVL, The measurement light beam is composed of EUV light having a wavelength of 50 nm or less.
According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a projection optical system manufacturing method comprising: measuring a transmitted wavefront of the projection optical system by the shearing interference measurement method according to the seventh aspect; and adjusting the projection optical system based on the measurement result. It is characterized by.
請求項15に記載の投影光学系は、請求項14記載の投影光学系の製造方法により製造されたことを特徴とする。
請求項16に記載の投影露光装置の製造方法は、請求項14に記載の投影光学系の製造方法により投影光学系を製造する手順を含むことを特徴とする。
請求項17に記載の投影露光装置は、請求項16に記載の投影露光装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided a projection optical system manufactured by the projection optical system manufacturing method according to the fourteenth aspect.
According to a sixteenth aspect of the present invention, there is provided a projection exposure apparatus manufacturing method including a procedure of manufacturing a projection optical system by the projection optical system manufacturing method according to the fourteenth aspect.
A projection exposure apparatus according to a seventeenth aspect is manufactured by the method for manufacturing a projection exposure apparatus according to the sixteenth aspect.
請求項18に記載の投影露光装置は、請求項8〜請求項13の何れか一項に記載のシアリング干渉測定装置を備えたことを特徴とする。
請求項19に記載のマイクロデバイスの製造方法は、請求項17又は請求項18に記載の投影露光装置によりマイクロデバイスを製造することを特徴とする。
請求項20に記載のマイクロデバイスは、請求項19に記載のマイクロデバイスの製造方法により製造されたことを特徴とする。
A projection exposure apparatus according to an eighteenth aspect includes the shearing interference measuring apparatus according to any one of the eighth to thirteenth aspects.
According to a nineteenth aspect of the present invention, there is provided a microdevice manufacturing method in which a microdevice is manufactured by the projection exposure apparatus according to the seventeenth or eighteenth aspect.
A microdevice according to claim 20 is manufactured by the method for manufacturing a microdevice according to claim 19.
本発明によれば、シア方向のデータを高精度に取得することのできるシアリング干渉測定装置の校正方法が実現する。
また、本発明によれば、被検光学系の透過波面を高精度に測定することのできるシアリング干渉測定方法が実現する。
また、本発明によれば、シア方向のデータを高精度に取得することのできるシアリング干渉測定装置が実現する。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the calibration method of the shearing interference measuring apparatus which can acquire the data of a shear direction with high precision is implement | achieved.
Further, according to the present invention, a shearing interference measuring method capable of measuring the transmitted wavefront of the test optical system with high accuracy is realized.
In addition, according to the present invention, a shearing interference measuring apparatus capable of acquiring shear direction data with high accuracy is realized.
また、本発明によれば、高性能な投影光学系を製造することのできる投影光学系の製造方法が実現する。
また、本発明によれば、高性能な投影光学系が実現する。
また、本発明によれば、高性能な投影露光装置を製造することのできる投影露光装置の製造方法が実現する。
Further, according to the present invention, a method for manufacturing a projection optical system capable of manufacturing a high-performance projection optical system is realized.
Further, according to the present invention, a high-performance projection optical system is realized.
In addition, according to the present invention, a method of manufacturing a projection exposure apparatus that can manufacture a high-performance projection exposure apparatus is realized.
また、本発明によれば、高性能な投影露光装置が実現する。
また、本発明によれば、高性能なマイクロデバイスを製造することのできるマイクロデバイスの製造方法が実現する。
また、本発明によれば、高性能なマイクロデバイスが実現する。
Moreover, according to the present invention, a high-performance projection exposure apparatus is realized.
In addition, according to the present invention, a method of manufacturing a microdevice that can manufacture a high-performance microdevice is realized.
Further, according to the present invention, a high-performance micro device is realized.
[第1実施形態]
図1、図2、図3、図4、図5を参照して本発明の第1実施形態を説明する。
本実施形態は、波面分割手段として回折光学部材を用いたシアリング干渉測定装置の実施形態である。
本測定装置の被検光学系は、EUVL用の投影露光装置に搭載される投影光学系である。この投影光学系の使用光は、EUV光(波長50nm以下、例えば波長13.4nmの光)である。
[First Embodiment]
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, 3, 4, and 5.
The present embodiment is an embodiment of a shearing interference measuring apparatus using a diffractive optical member as a wavefront dividing unit.
The test optical system of this measuring apparatus is a projection optical system mounted on a projection exposure apparatus for EUVL. The light used by this projection optical system is EUV light (light having a wavelength of 50 nm or less, for example, light having a wavelength of 13.4 nm).
図1は、本測定装置の構成図である。
先ず、本測定装置の構成を説明する。
本測定装置には、照明光学系11、反射型のピンホール板22、被検光学系0、回折光学部材41、マスク42、撮像素子15が順に配置される。また、本測定装置には、回折光学部材41を移動させるステージ16、各部を制御する制御回路17、及びコンピュータ18が備えられる。
FIG. 1 is a configuration diagram of the measurement apparatus.
First, the configuration of this measuring apparatus will be described.
In this measuring apparatus, an illumination
反射型のピンホール板22及びマスク42は、被検光学系0の物体面及び像面にそれぞれ配置される。回折光学部材41は、被検光学系0と像面との間に配置される。
次に、本測定装置の基本動作を説明する。
照明光学系11は、制御回路17からの指示に従い、被検光学系0の使用波長と同じ波長の光(ここではEUV光)を出射する。その光は、反射型のピンホール板22を照明する。反射型のピンホール板22のピンホールHでは、理想的球面波が発生する。
The reflection
Next, the basic operation of this measuring apparatus will be described.
The illumination
この理想的球面波は、測定光束として被検光学系0に入射し、被検光学系0の収差に応じてその波面を変形させて被検光学系0を射出する。
被検光学系0を射出した測定光束は、回折光学部材41に入射する。
図2(a)には、回折光学部材41の周辺の様子を拡大して示した。図2(a)において符号W0で示すのは、被検光学系0を透過した測定光束の波面(透過波面)である。
The ideal spherical wave enters the test optical system 0 as a measurement light beam, and the wave front is deformed in accordance with the aberration of the test optical system 0 and is emitted from the test optical system 0.
The measurement light beam emitted from the test optical system 0 enters the diffractive
FIG. 2A shows an enlarged view of the periphery of the diffractive
測定光束は、回折光学部材41に入射すると、+1次回折光と−1次回折光とにシアされる。
これらの+1次回折光及び−1次回折光はマスク42を通過する。一方、回折光学部材41にて生じたその他の余分な光(0次回折光など)は、マスク42にてカットされる。
マスク42を通過した+1次回折光及び−1次回折光は、撮像素子15の撮像面15a上に所定量だけずれて入射し、両者の重複部分に干渉縞を生起させる。
When the measurement light beam enters the diffractive
These + 1st order diffracted light and −1st order diffracted light pass through the
The + 1st order diffracted light and the −1st order diffracted light that have passed through the
なお、マスク42の開口パターンの配置の仕方により、干渉に寄与させるべき2つの回折光を、+1次回折光及び−1次回折光以外の組み合わせ(0次回折光及び+1次回折光など)とすることもできるが、ここでは、+1次回折光及び−1次回折光の組み合わせとして説明する。
このように、+1次回折光と−1次回折光とが生起させた干渉縞は、制御回路17からの指示を受けた撮像素子15によって撮像される。
Note that the two diffracted lights to be contributed to interference can be a combination other than the + 1st order diffracted light and the −1st order diffracted light (such as the 0th order diffracted light and the + 1st order diffracted light) depending on the arrangement of the opening pattern of the
In this way, the interference fringes caused by the + 1st order diffracted light and the −1st order diffracted light are imaged by the
CDD撮像素子15が取得したデータ(干渉縞の輝度分布のデータ)は、制御回路17を介してコンピュータ18に取り込まれる。
コンピュータ18は、輝度分布データを解析し、干渉縞の位相分布を求める。
この位相分布は、図2(a)に示した+1次回折光の波面W1と−1次回折光の波面W-1との差分を、撮像面15a上の座標系(XY座標系)で表すものである。
Data acquired by the CDD image sensor 15 (interference fringe luminance distribution data) is taken into the
The
This phase distribution represents the difference between the wavefront W 1 of the + 1st order diffracted light and the wavefront W −1 of the −1st order diffracted light shown in FIG. 2A in a coordinate system (XY coordinate system) on the
ここで、+1次回折光と−1次回折光との間のずれの方向を「シア方向」と称し、+1次回折光と−1次回折光との間のずれの量を「シア量」と称する。
次に、本測定装置のシア方向の切り換えを説明する。
図2(b)は、回折光学部材41を光軸方向から見た様子を示す図である。
図2(b)に示すとおり、回折光学部材41には、刻線方向の互いに直交する少なくとも1組の回折格子41X,41Yが並べて形成されている。なお、図2(b)の点線円は、回折光学部材41に入射する測定光束の断面の大凡のサイズを示している。
Here, the direction of deviation between the + 1st order diffracted light and the −1st order diffracted light is referred to as “shear direction”, and the amount of deviation between the + 1st order diffracted light and −1st order diffracted light is referred to as “shear amount”.
Next, switching of the shear direction of this measuring apparatus will be described.
FIG. 2B is a diagram illustrating a state in which the diffractive
As shown in FIG. 2B, the diffractive
回折部材41は、測定光束の光路に挿入(設定)される回折格子が回折格子41Xと回折格子41Yとの間で切り替えられる方向(図2(b)の矢印方向)に移動可能である。その移動は、制御回路17からの指示を受けたステージ16(図1参照)により行われる。
また、回折格子41Xと回折格子41Yとの間の刻線方向は、正確に直交しており、回折格子41Xと回折格子41Yとの間の刻線間隔は、正確に一致している。
The
In addition, the engraving direction between the
このとき、回折格子41Xと回折格子41Yとが切り替えられると、シア量は変化せずに、シア方向だけが正確に90°だけ変化する。
次に、回折格子41X,41Yによるシア方向と撮像面15a上のXY座標系との関係を図3に基づき説明する。
図3において、回折格子41Xによるシア方向をDX、回折格子41Yによるシア方向をDYとした。
At this time, when the
Next, the relationship between the shear direction by the
In FIG. 3, the shear direction by the
図3に示すように、シア方向DXとシア方向DYとは、正確に90°だけずれている。
但し、回折光学部材41と撮像素子15との間には若干の配置ずれ(光軸周りの回転ずれ)が生じているので、撮像面15a上のXY座標系のX軸とシア方向DXとは、若干の角度αだけずれており、撮像面15a上のXY座標系のY軸とシア方向DYとは、同じ角度αだけずれている。
As shown in FIG. 3, the shear direction D X and the shear direction D Y are accurately shifted by 90 °.
However, since there is a slight misalignment (rotational deviation around the optical axis) between the diffractive
この角度αが、撮像面15a上のXY座標系で見た実際のシア方向を示す。以下、座標軸とシア方向とのずれを示すこの角度αを、「シア方向のずれα」という。
なお、説明上、図3ではシア方向のずれαを実際よりも大きく表したが、実際のずれαは、微少量である(以下の図4、図5も同様)。
次に、本測定装置の校正を説明する。
This angle α indicates the actual shear direction viewed in the XY coordinate system on the
For the sake of explanation, in FIG. 3, the shear direction deviation α is shown to be larger than actual, but the actual deviation α is very small (the same applies to FIGS. 4 and 5 below).
Next, calibration of this measuring apparatus will be described.
校正は、シア方向のずれαを校正データとして取得するものである。
校正では、任意の被検光学系0(又は任意の基準光学系)が本測定装置にセットされる。反射型のピンホール22のピンホールHは、被検光学系0の任意の物点に配置される。つまり、測定光束の入射位置は任意である。この状態で、2回の校正用測定が行われる。
第1の校正用測定では、制御回路17は、ステージ16を介して回折格子41Xを設定する。
In the calibration, the shear direction deviation α is acquired as calibration data.
In calibration, an arbitrary test optical system 0 (or an arbitrary reference optical system) is set in the present measurement apparatus. The pinhole H of the
In the first calibration measurement, the
このときの撮像面15a上の様子は、図4(aX)のとおりであり、シア方向DXは、撮像面15a上のX方向(図の左右方向)に近い方向である。
このときに生じる干渉縞IXは、Y方向(図の上下方向)に近い方向に延びる略ストライプ状のパターンとなる。
制御回路17は、この干渉縞IXの輝度分布データを撮像素子15を介して取得し、コンピュータ18に送出する。
The state on the
The interference fringes I X generated at this time are substantially striped patterns extending in a direction close to the Y direction (vertical direction in the figure).
The
第2の校正用測定では、制御回路17は、ステージ16を介して回折格子41Yを設定する。
このときの撮像面15a上の様子は、図4(aY)のとおりであり、シア方向DYは、撮像面15a上のY方向(図の上下方向)に近い方向である。
このときに生じる干渉縞IYは、X方向(図の左右方向)に近い方向に延びる略ストライプ状のパターンとなる。
In the second calibration measurement, the
The state on the
The interference fringes I Y generated at this time are substantially striped patterns extending in a direction close to the X direction (left and right direction in the figure).
制御回路17は、この干渉縞IYの輝度分布データを撮像素子15を介して取得し、コンピュータ18に送出する。
次に、コンピュータ18は、第1の校正用測定で取得された輝度分布データから干渉縞IXの位相分布ΨX(X,Y)を求め((aX)下部参照。)、その一次成分ΨX1(X,Y)の方向ベクトルVXを抽出する。図4(bX)に、抽出された方向ベクトルVXを示した。
The
Next, the
また、コンピュータ18は、第2の校正用測定で取得された輝度分布データから干渉縞IYの位相分布ΨY(X,Y)を求め((aY)下部参照。)、その一次成分ΨY1(X,Y)の方向ベクトルVYを抽出する。図4(bY)に、抽出された方向ベクトルVYを示した。
ここで、仮に、被検光学系0が無収差であれば、方向ベクトルVXはシア方向DXを示し、方向ベクトルVYはシア方向DYを示すはずである。この場合、方向ベクトルVXと方向ベクトルVYとのずれは正確に90°になる。
Further, the
Here, if, as long as the optical system to be measured 0 no aberration, the direction vector V X represents a shear direction D X, the direction vector V Y should show shear direction D Y. In this case, the deviation between the direction vector V X and the direction vector V Y is exactly 90 °.
しかし、実際には、被検光学系0には収差があり、干渉縞IX,IYのパターンが収差の影響を受けるので、方向ベクトルVX,VYも収差の影響を受ける。このため、方向ベクトルVX,VYは、シア方向DX,DYからずれた方向を示す。
因みに、方向ベクトルVXの影響の受け方と、方向ベクトルVYの影響の受け方とは互いに異なるので、方向ベクトルVXと方向ベクトルVYとのずれは90°から外れる(図4(bX),(bY)参照)。
However, in reality, the test optical system 0 has an aberration, and the patterns of the interference fringes I X and I Y are affected by the aberration. Therefore, the direction vectors V X and V Y are also affected by the aberration. Therefore, the direction vectors V X and V Y indicate directions shifted from the shear directions D X and D Y.
Incidentally, since the influence of the direction vector V X and the influence of the direction vector V Y are different from each other, the deviation between the direction vector V X and the direction vector V Y deviates from 90 ° (FIG. 4 (bX), (See (bY)).
本測定装置のコンピュータ18は、それらの影響を除去するために、方向ベクトルVX,VYを次式(1)に当てはめてシア方向のずれαを求める。
α=(VXY−VYX)/(2VXX)
or
α=(VXY−VYX)/(2VYY) ・・・(1)
但し、
VXX:方向ベクトルVXのX成分、
VXY:方向ベクトルVXのY成分、
VYY:方向ベクトルVYのY成分、
VYX:方向ベクトルVYのX成分である。
In order to remove these influences, the
α = (V XY −V YX ) / (2V XX )
or
α = (V XY −V YX ) / (2V YY ) (1)
However,
V XX : X component of the direction vector V X ,
V XY : Y component of direction vector V X ,
V YY : Y component of direction vector V Y ,
V YX : X component of the direction vector V Y.
因みに、この式(1)の演算は、方向ベクトルVX,VYの全成分を必要とする訳ではないので、コンピュータ18が一次成分ΨX1(X,Y),ΨX1(X,Y)から抽出するのは、3つの成分(VXY,VYX,VXX)又は(VXY,VYX,VYY)のみでよい。
この式(1)の意味については後述する。コンピュータ18は、求めたずれαのデータを校正データとして記憶し、校正を終了する。
Incidentally, since the calculation of the equation (1) does not require all the components of the direction vectors V X and V Y , the
The meaning of this formula (1) will be described later. The
なお、コンピュータ18は、シア方向のずれαのデータと共に、「シア量S」のデータについても校正データとして記憶する。
このシア量Sは、別途測定されたものであることが望ましいが、本測定装置内の各光学設計値に基づき求められたものであってもよい(以上、校正)。
次に、校正の後に行われる測定(被検光学系0の測定)を説明する。
The
The shear amount S is preferably measured separately, but may be obtained based on each optical design value in the measuring apparatus (the above is calibration).
Next, measurement performed after calibration (measurement of the optical system 0 to be tested) will be described.
被検光学系0の測定では、測定対象となる被検光学系0が本測定装置にセットされる。反射型のピンホール板22のピンホールHは、被検光学系0の測定対象物点に配置される。つまり、測定光束の入射位置は測定対象物点に合わせられる。この状態で、被検光学系0の測定が2回行われる(なお、測定者の必要に応じて1回のみとしてもよいが、ここでは2回の場合を説明する。)。
In the measurement of the test optical system 0, the test optical system 0 to be measured is set in the measurement apparatus. The pinhole H of the reflection
第1の測定では、制御回路17は、ステージ16を介して回折格子41Xを設定し、このときに生じる干渉縞IXの輝度分布データを撮像素子15を介して取得し、コンピュータ18に送出する。
第2の測定では、制御回路17は、ステージ16を介して回折格子41Yを設定し、このときに生じる干渉縞IYの輝度分布データを撮像素子15を介して取得し、コンピュータ18に送出する。
In the first measurement, the
In the second measurement, the
コンピュータ18は、第1の測定で取得された輝度分布データから干渉縞IXの位相分布ΨX(X,Y)を求め、第2の測定で取得された輝度分布データから干渉縞IYの位相分布ΨY(X,Y)を求める。
さらに、コンピュータ18は、上述した校正にて記憶したシア方向のずれαのデータを参照し、求めた位相分布ΨX(X,Y),ΨY(X,Y)をαの値に応じて座標変換し、回折光学部材41上のxy座標系で表す。
The
Further, the
コンピュータ18は、座標変換された位相分布ΨX(x,y),ΨX(x,y)を、シア量Sを考慮した公知の演算式に当てはめ、被検光学系0を透過した測定光束の波面(透過波面)W0の位相分布Ψ0(x,y)を復元する。
例えば、その演算式は、ΨX(x,y),ΨX(x,y)をx方向及びy方向に亘り積分する積分式である。或いは、ΨX(X,Y),ΨX(X,Y)を所定の多項式にフィッティングする演算式である(以上、測定)。
The
For example, the arithmetic expression is an integral expression that integrates Ψ X (x, y) and Ψ X (x, y) in the x direction and the y direction. Alternatively, it is an arithmetic expression for fitting Ψ X (X, Y) and Ψ X (X, Y) to a predetermined polynomial (measured above).
次に、本測定装置の効果を説明する。
本測定装置の校正では、シア方向のデータ(ここではシア方向のずれα)を取得するに当たり、測定装置にて生じる干渉縞の位相分布を参照している。
この位相分布は干渉縞の輝度分布データを解析して得られるものなので、仮に、被検光学系0が無収差であれば、撮像素子15の解像度よりも高い解像度でシア方向を検知することができる。
Next, the effect of this measuring apparatus will be described.
In the calibration of this measuring device, the phase distribution of the interference fringes generated in the measuring device is referred to when acquiring the data in the shear direction (here, the shift α in the shear direction).
Since this phase distribution is obtained by analyzing the luminance distribution data of the interference fringes, if the optical system 0 to be tested has no aberration, the shear direction can be detected with a resolution higher than the resolution of the
但し、実際の被検光学系0には収差があるので、本測定装置の校正では、その収差の影響を除去するために、シア方向を正確に90°だけ変化させて2種類の干渉縞IX,IYの位相分布ΨX(X,Y),ΨY(X,Y)を取得する。そして、その取得した位相分布ΨX(X,Y),ΨY(X,Y)の一次成分ΨX1(X,Y),ΨY1(X,Y)の方向ベクトルVX,VXを、式(1)に当てはめる。 However, since there is an aberration in the actual optical system to be tested 0, in the calibration of this measuring apparatus, in order to remove the influence of the aberration, the shear direction is changed by exactly 90 °, and two kinds of interference fringes I are obtained. X, the phase distribution [psi X of I Y (X, Y), Ψ Y (X, Y) acquired. Then, the direction vectors V X and V X of the primary components Ψ X1 (X, Y) and Ψ Y1 (X, Y) of the obtained phase distributions Ψ X (X, Y) and Ψ Y (X, Y) are Apply to equation (1).
ここで、式(1)の意味を説明する。
(式(1)中のVXX,VXYについて)
先ず、被検光学系0の透過波面W0の位相分布Ψ0は、理想球面の成分の他に、被検光学系0の波面収差の成分を含んでいるので、撮像面15a上のXY座標系により式(2)で表される。
Here, the meaning of the formula (1) will be described.
(V XX and V XY in formula (1))
First, the phase distribution Ψ 0 of the transmitted wavefront W 0 of the test optical system 0 includes the wavefront aberration component of the test optical system 0 in addition to the ideal spherical component. It is represented by the formula (2) depending on the system.
Ψ0(X,Y)
=AZ5(X2−Y2)+2AZ6XY+b(X2+Y2)+ΣAZiZi(X,Y) ・・・(2)
但し、式(2)の第1項及び第2項が波面収差のアス成分、第3項が理想球面の成分、第4項が波面収差のアス成分以外の成分(i=0,1,・・・4,7,8,・・・)である。
Ψ 0 (X, Y)
= A Z5 (X 2 −Y 2 ) + 2A Z6 XY + b (X 2 + Y 2 ) + ΣA Zi Z i (X, Y) (2)
However, the first and second terms of the equation (2) are the astigmatic components of the wavefront aberration, the third term is the ideal spherical component, and the fourth term is a component other than the astigmatic component of the wavefront aberration (i = 0, 1,. .. 4,7,8, ...)
一方、撮像面15a上の座標(X,Y)と回折光学部材41上の座標(x,y)との間の座標変換式は、シア方向のずれαによって式(3)で表される。
X=x−yα
Y=y+xα ・・・(3)
なお、ここでは、回折光学部材41上のxy座標系として、シア方向DXにx軸、シア方向DYにy軸をそれぞれ配したxy座標系を採用した。
On the other hand, a coordinate conversion equation between the coordinates (X, Y) on the
X = x−yα
Y = y + xα (3)
Here, as the xy coordinate system on the diffractive
また、αは微少量なので、式(3)の座標変換式には、cosα=1,sinα=αの近似が適用されている。
この式(3)を用い、透過波面W0の位相分布Ψ0を回折光学部材41上のxy座標系で表すと、式(4)となる。
Ψ0(x,y)
=AZ5(x−yα)2+2AZ6(x−yα)(y+xα)−AZ5(y+xα)2
+b[(x−yα)2+(y+xα)2)] +ΣAZiZi(x,y)・・・(4)
但し、式(4)においてZi(x,y)は、Zi(X,Y)を座標変換したものである。
Further, since α is very small, the approximation of cos α = 1 and sin α = α is applied to the coordinate conversion equation of Equation (3).
Using this equation (3), to represent the phase distribution [psi 0 transmitted wavefront W 0 in the xy coordinate system on the diffractive
Ψ 0 (x, y)
= A Z5 (x−yα) 2 + 2A Z6 (x−yα) (y + xα) −A Z5 (y + xα) 2
+ B [(x−yα) 2 + (y + xα) 2 )] + ΣA Zi Z i (x, y) (4)
However, in the equation (4), Z i (x, y) is a coordinate transformation of Z i (X, Y).
よって、透過波面W0をシアしてできる干渉縞IXの位相分布ΨXは、シア量をSとおくと、回折光学部材41上のxy座標系により次式(5)で表される。
ΨX(x,y)
=2AZ5xS−2AZ5yαS+2AZ6yS+4AZ6xαS−2AZ5yαS
+2b(x−yα)S+2b(y+xα)αS+ΣAZiΔZi(x,y)・・・(5)
なお、式(4)においてΔZi(x,y)は、Zi(x,y)をシア量Sだけx方向にずらし差分をとったものである。
Therefore, the phase distribution Ψ X of the interference fringes I X formed by shearing the transmitted wavefront W 0 is expressed by the following equation (5) by the xy coordinate system on the diffractive
Ψ X (x, y)
= 2A Z5 xS-2A Z5 yαS + 2A Z6 yS + 4A Z6 xαS-2A Z5 yαS
+ 2b (x−yα) S + 2b (y + xα) αS + ΣA Zi ΔZ i (x, y) (5)
In Expression (4), ΔZ i (x, y) is obtained by shifting Z i (x, y) by the shear amount S in the x direction.
よって、干渉縞IXの位相分布ΨXの一次成分ΨX1は、回折光学部材41上のxy座標系により式(6)で表される。
ΨX1(x,y)
=2AZ5xS−2AZ5yαS+2AZ6yS+4AZ6xαS−2AZ5yαS
+2b(x−yα)S+2b(y+xα)αS ・・・(6)
なお、式(5)の最終項ΣAZiΔZi(x,y)の次数は、「1」にはならないので、一次成分ΨX1(x,y)からは消去されている。つまり、波面収差のアス成分以外の成分は、一次成分ΨX1(x,y)に何の影響も及ぼさない。
Therefore, the first-order component Ψ X1 of the phase distribution Ψ X of the interference fringe I X is expressed by Expression (6) by the xy coordinate system on the diffractive
Ψ X1 (x, y)
= 2A Z5 xS-2A Z5 yαS + 2A Z6 yS + 4A Z6 xαS-2A Z5 yαS
+ 2b (x−yα) S + 2b (y + xα) αS (6)
Note that the order of the final term ΣA Zi ΔZ i (x, y) in the equation (5) does not become “1”, and thus is eliminated from the primary component Ψ X1 (x, y). That is, components other than the as-component of the wavefront aberration have no effect on the primary component Ψ X1 (x, y).
よって、方向ベクトルVX(撮像面15a上のXY座標系で表された方向ベクトルVX)は、次式(7)のとおり近似することができる。
VX=(VXX,VXY)≒(2bS,2bSα+2AZ6S) ・・・(7)
なお、近似は、αは微少量であるという前提と、被検光学系0の透過波面W0の理想球面の成分は波面収差のアス成分よりも大きい(bはAZ5,AZ6よりも十分に大きい)という前提とに基づいて行った。
Therefore, the direction vector V X (direction vector V X represented by XY coordinate system on the
V X = (V XX , V XY ) ≈ (2bS, 2bSα + 2A Z6 S) (7)
Note that the approximation is based on the assumption that α is very small, and the ideal spherical component of the transmitted wavefront W 0 of the optical system 0 to be tested is larger than the as-component of the wavefront aberration (b is sufficiently larger than A Z5 and A Z6. It was based on the premise that
式(7)が示していることを図5に基づき説明する。
方向ベクトルVXは、被検光学系0の波面収差のアス成分が仮にゼロであった(AZ6=0)ならば、図5(aX)に示すように、シア方向DXを示すベクトル(2bS,2bSα)になるはずである。
しかし、実際にはアス成分はゼロでないので(AZ6≠0)、方向ベクトルVXは、図5(bX)に示すように、Y成分VXYの大きさが2AZ6Sだけ増す方向(太線矢印の方向)に回転し、ベクトル(2bS,2bSα+2AZ6S)になっている。
(式(1)中のVYY,VYXについて)
同様に、方向ベクトルVY(撮像面15a上のXY座標系で表現された方向ベクトルVY)は、次式(8)のとおり近似できる。
What equation (7) shows will be described with reference to FIG.
The direction vector V X is a vector indicating the shear direction D X as shown in FIG. 5 (aX) if the astigmatism component of the wavefront aberration of the test optical system 0 is zero (A Z6 = 0). 2bS, 2bSα).
However, since the as component is not actually zero (A Z6 ≠ 0), the direction vector V X has a direction (thick line) in which the magnitude of the Y component V XY increases by 2A Z6 S as shown in FIG. 5 (bX). It rotates in the direction of the arrow and becomes a vector (2bS, 2bSα + 2A Z6 S).
(V YY and V YX in formula (1))
Similarly, the direction vector V Y (direction vector V Y expressed in XY coordinate system on the
VY=(VYX,VYY)≒(−2bSα+2AZ6S,2bS) ・・・(8)
式(8)が示していることを図5に基づき考える。
方向ベクトルVYは、被検光学系0の波面収差のアス成分が仮にゼロであった(AZ6=0)ならば、図5(aY)に示すように、シア方向DYを示すベクトル(−2bSα,2bS)になるはずである。
V Y = (V YX , V YY ) ≈ (−2bSα + 2A Z6 S, 2bS) (8)
What equation (8) shows is considered based on FIG.
The direction vector V Y is a vector indicating the shear direction D Y as shown in FIG. 5A if the as-component of the wavefront aberration of the test optical system 0 is zero (A Z6 = 0). -2bSα, 2bS).
しかし、実際にはアス成分はゼロでないので(AZ6≠0)、方向ベクトルVYは、図5(bY)に示すように、X成分VYXの大きさが2AZ6Sだけ減る方向(太線矢印の方向)に回転し、ベクトル(−2bSα+2AZ6S,2bS)になっている。
その回転量は方向ベクトルVXの回転量と同じであり、その回転方向は方向ベクトルVXの回転方向とは反対である。つまり、ベクトルVXがアス成分から受けた影響と、ベクトルVYがアス成分から受けた影響とは、反対である。
However, since the as component is not actually zero (A Z6 ≠ 0), the direction vector V Y has a direction (thick line) in which the magnitude of the X component V YX decreases by 2A Z6 S as shown in FIG. It rotates in the direction of the arrow, and becomes a vector (-2bSα + 2A Z6 S, 2bS).
The rotation amount is the same as the rotation amount of the direction vector V X , and the rotation direction is opposite to the rotation direction of the direction vector V X. That is, the effect of vector V X from the as component is opposite to the effect of vector V Y from the as component.
このような方向ベクトルVX,VYを表す式(7),(8)を、式(1)の右辺(方向ベクトルVXのY成分VXYと方向ベクトルVYのX成分VYXとの差とる式)に代入してみると、方向ベクトルVXに対するアス成分の影響(2AZ6S)と、方向ベクトルVYに対するアス成分の影響(2AZ6S)とが相殺されることがわかる。
したがって、式(1)によると、シア方向のずれαのみがアス成分に依らずに求まる(以上、式(1)の意味の説明)。
Such direction vector V X, expression for the V Y (7), (8), equation (1) on the right side (in the direction of the vector V X Y component V XY and the direction vector V Y of the X component V YX Substituting into the difference equation), it can be seen that the influence of the as component on the direction vector V X (2A Z6 S) and the influence of the as component on the direction vector V Y (2A Z6 S) cancel each other.
Therefore, according to the equation (1), only the shear direction shift α is obtained without depending on the ass component (the explanation of the meaning of the equation (1)).
以上、本測定装置の校正では、被検光学系0の波面収差の影響を何ら受けることなく高精度にシア方向のデータを取得することができる。
また、本測定装置の測定では、そのデータを用いるので、被検光学系0の透過波面W0を高精度に復元することができる。
なお、本実施形態の測定装置では、第1の校正用測定と第2の校正用測定との間でシア方向を正確に90°だけ変化させたが、既知のずれ量であれば、多少90°からずれていてもよい。但し、その場合に用いられる演算式は、式(1)を既知のずれ量に応じて変形したものが用いられる。因みに、シア方向の変化角度を正確に90°にした方が、演算式を式(1)のとおりシンプルにすることができる。
As described above, in the calibration of this measuring apparatus, the shear direction data can be obtained with high accuracy without being affected by the wavefront aberration of the optical system 0 to be tested.
In addition, since the data is used in the measurement of this measuring apparatus, the transmitted wavefront W 0 of the optical system 0 to be measured can be restored with high accuracy.
In the measurement apparatus according to the present embodiment, the shear direction is accurately changed by 90 ° between the first calibration measurement and the second calibration measurement. It may deviate from °. However, the arithmetic expression used in that case is obtained by modifying Expression (1) according to a known deviation amount. Incidentally, if the change angle in the shear direction is precisely 90 °, the arithmetic expression can be simplified as shown in Expression (1).
また、本実施形態の測定装置では、第1の校正用測定と第2の校正用測定との間でシア量を変化させなかったが、既知の変化量であれば、変化させてもよい。但し、その場合に用いられる演算式は、式(1)をシア量の既知の変化量に応じて変形したものが用いられる。因みに、シア量を変化させない方が、演算式を式(1)のとおりシンプルにすることができる。 In the measurement apparatus of the present embodiment, the shear amount is not changed between the first calibration measurement and the second calibration measurement, but may be changed as long as it is a known change amount. However, the arithmetic expression used in that case is obtained by modifying Expression (1) in accordance with the known change amount of the shear amount. Incidentally, the calculation formula can be simplified as shown in the formula (1) when the shear amount is not changed.
また、本実施形態の測定装置では、校正と測定とが全て自動化されているが、上述した校正と測定との一部が手動で行われてもよい。
[第2実施形態]
図6を参照して本発明の第2実施形態を説明する。
本実施形態は、波面分割手段として回折光学部材を用いたシアリング干渉測定装置の実施形態である。ここでは、第1実施形態の測定装置との相違点のみ説明する。
Moreover, in the measuring apparatus of this embodiment, calibration and measurement are all automated, but part of the calibration and measurement described above may be performed manually.
[Second Embodiment]
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The present embodiment is an embodiment of a shearing interference measuring apparatus using a diffractive optical member as a wavefront dividing unit. Here, only differences from the measurement apparatus of the first embodiment will be described.
図6は、本測定装置の構成図である。
相違点は、シア方向の切り換え方にある。
本測定装置の回折光学部材41’には、刻線方向の互いに直交する回折格子41X,41Yが並べて形成される必要は無く、少なくとも1種類の回折格子41Xが形成されていればよい。その代わりに、回折光学部材41’は、光軸の周りを回動可能である。その回動は、制御回路17からの指示を受けたステージ16’により行われる。
FIG. 6 is a configuration diagram of the measurement apparatus.
The difference lies in how the shear direction is switched.
In the diffractive
そして、第1の校正用測定と第2の校正用測定との間、及び第1測定と第2の測定との間におけるシア方向の切り換えでは、制御回路17は、ステージ16を介して回折光学部材41’を正確に90°だけ回転させる。このとき、シア量は変化せずに、シア方向だけが正確に90°だけ変化する。
以上の本測定装置においても、第1実施形態の測定装置と同じ効果が得られる。
When the shear direction is switched between the first calibration measurement and the second calibration measurement and between the first measurement and the second measurement, the
Also in the above measuring apparatus, the same effect as the measuring apparatus of the first embodiment can be obtained.
なお、本実施形態の測定装置においても、シア方向の変化角度は、既知のずれ量であれば、多少90°からずれていてもよい。但し、その場合に用いられる演算式は、式(1)を既知のずれ量に応じて変形したものが用いられる。因みに、シア方向の変化角度を正確に90°にした方が、演算式を式(1)のとおりシンプルにすることができる。
また、本実施形態の測定装置において、校正と測定との一部が手動で行われてもよい。
In the measurement apparatus of the present embodiment, the change angle in the shear direction may be slightly shifted from 90 ° as long as it is a known shift amount. However, the arithmetic expression used in that case is obtained by modifying Expression (1) according to a known deviation amount. Incidentally, if the change angle in the shear direction is precisely 90 °, the arithmetic expression can be simplified as shown in Expression (1).
Moreover, in the measuring apparatus of this embodiment, a part of calibration and measurement may be performed manually.
[その他]
なお、上述した実施形態では、EUVL用の投影露光装置に搭載される投影光学系を測定するシアリング干渉測定装置を説明したが、使用波長の異なる他の投影光学系や、投影光学系以外の光学系を測定するシアリング干渉測定装置を同様に構成してもよい。因みに、使用波長が50nmよりも長い場合には、反射型のピンホール板22に代えて透過型のピンホール板を用いることができる。
[Others]
In the above-described embodiment, the shearing interference measuring apparatus that measures the projection optical system mounted on the EUVL projection exposure apparatus has been described. However, other projection optical systems having different wavelengths to be used, and optical systems other than the projection optical system. A shearing interferometer for measuring the system may be configured similarly. Incidentally, when the wavelength used is longer than 50 nm, a transmissive pinhole plate can be used instead of the
[第3実施形態]
本実施形態は、第1実施形態の測定装置と同じ機能が搭載されたEUVL用の投影露光装置の実施形態である。
本投影露光装置には、図7に示すとおり、照明光学系101、反射型のレチクルR、レチクルステージ102、レチクルステージ102の駆動回路102c、反射型のピンホール板22、投影光学系PL、ウエハW、ウエハステージ106、ウエハステージ106の駆動回路106c、測定用のユニット50、制御部109などが配置される。
[Third Embodiment]
The present embodiment is an embodiment of a projection exposure apparatus for EUVL equipped with the same function as the measurement apparatus of the first embodiment.
As shown in FIG. 7, the projection exposure apparatus includes an illumination
投影光学系PLは、EUVL用の投影光学系であり、照明光学系101は、露光用の照明光としてEUV光を出射する。この照明光束は、投影光学系PLを測定するときの測定光束としても用いられる。
反射型のピンホール板22は、投影光学系PLの測定時にのみ、レチクルRに代わり投影光学系PLの物体面に挿入される。
The projection optical system PL is a projection optical system for EUVL, and the illumination
The
なお、図7では、レチクルRと反射型のピンホール板22とが共にレチクルステージ102によって支持された様子を示した。レチクルステージ102の移動により、レチクルRと反射型のピンホール板22とが入れ替わる。
測定用のユニット50には、第1実施形態の測定装置の回折光学部材41、ステージ16、マスク42、撮像素子15が所定の位置関係で配置されている。
FIG. 7 shows a state in which the reticle R and the
In the
測定用のユニット50は、投影光学系PLの測定時にのみ、ウエハWに代わり被検光学系PLの像側の光路にセットされる。
なお、図6では、ウエハWと測定用のユニット50とが共にウエハステージ106によって支持された様子を示した。ウエハステージ106の移動により、ウエハWと測定用のユニット50とが入れ替わり、被検光学系10を光路に挿入することができる。
The
FIG. 6 shows a state in which the wafer W and the
制御部109は、このような測定用ユニット50を利用し、第1実施形態と同様に校正及び測定を実行する。
この制御部109の動作によれば、投影光学系PLの透過波面を高精度に測定することができる。
したがって、本投影露光装置は、投影光学系PLの自己測定を高精度に行うことのできる高性能な投影露光装置となる。
The
According to the operation of the
Therefore, the projection exposure apparatus is a high-performance projection exposure apparatus that can perform self-measurement of the projection optical system PL with high accuracy.
なお、本実施形態では、第1実施形態の測定装置と同じ機能が搭載されたEUVL用の投影露光装置を説明したが、使用波長の異なる他の投影露光装置や、第2実施形態の測定装置と同じ機能が搭載された投影露光装置を構成することもできる。
[第4実施形態]
図8を参照して本発明の第4実施形態を説明する。
In the present embodiment, the EUVL projection exposure apparatus having the same function as that of the measurement apparatus of the first embodiment has been described. However, other projection exposure apparatuses having different operating wavelengths and the measurement apparatus of the second embodiment are described. A projection exposure apparatus equipped with the same function can be configured.
[Fourth Embodiment]
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
本実施形態は、投影光学系の製造方法の実施形態である。この投影光学系は、EUVL用の投影光学系であっても、その他の投影光学系であってもよい。
図8は、投影光学系の製造方法の手順を示すフローチャートである。
投影光学系の光学設計をする(ステップS101)。このステップS101において、投影光学系内の各光学部材の各面形状が決定される。
The present embodiment is an embodiment of a method for manufacturing a projection optical system. This projection optical system may be a projection optical system for EUVL or other projection optical system.
FIG. 8 is a flowchart showing the procedure of the method for manufacturing the projection optical system.
The optical design of the projection optical system is performed (step S101). In step S101, each surface shape of each optical member in the projection optical system is determined.
各光学部材が加工される(ステップS102)。
加工された各光学部材の面形状を測定しつつその面精度誤差が小さくなるまで加工が繰り返される(ステップS102,S103,S104)。
その後、全ての光学部材の面精度誤差が許容範囲内に収まると(ステップS104OK)、光学部材を完成させ、それら光学部材によって投影光学系を組み立てる(ステップS105)。
Each optical member is processed (step S102).
While measuring the surface shape of each processed optical member, the processing is repeated until the surface accuracy error is reduced (steps S102, S103, S104).
After that, when the surface accuracy errors of all the optical members are within the allowable range (Step S104 OK), the optical members are completed, and the projection optical system is assembled with these optical members (Step S105).
組み立て後、投影光学系の透過波面を、上述した実施形態の何れかの測定装置にて測定しつつ(ステップS106)、各光学部材の間隔調整や偏心調整などを行い(ステップS108)、投影光学系の波面収差が許容範囲内に収まった時点(ステップS107OK)で投影光学系PLを完成させる(以上、製造方法の手順)。
次に、本製造方法の効果を説明する。
After assembling, the transmission wavefront of the projection optical system is measured by any of the measurement apparatuses of the above-described embodiments (step S106), and the distance between the optical members is adjusted and the eccentricity is adjusted (step S108). When the wavefront aberration of the system falls within the allowable range (step S107OK), the projection optical system PL is completed (the procedure of the manufacturing method).
Next, the effect of this manufacturing method will be described.
本製造方法では、投影光学系の測定に上述した実施形態の何れかの測定装置が用いられる。この測定装置によれば、投影光学系を高精度に測定することができるので、本製造方法によれば、高性能な投影光学系を製造することができる。
さらに、本製造方法を利用すれば、レチクルのパターンをウエハに高精度に転写できる高性能な投影露光装置を製造することもできる。
In the present manufacturing method, any of the measurement apparatuses of the above-described embodiments is used for measurement of the projection optical system. According to this measuring apparatus, the projection optical system can be measured with high accuracy. Therefore, according to this manufacturing method, a high-performance projection optical system can be manufactured.
Furthermore, by using this manufacturing method, a high-performance projection exposure apparatus that can transfer a reticle pattern onto a wafer with high accuracy can be manufactured.
[第5実施形態]
図9を参照して本発明の第5実施形態を説明する。
本実施形態は、上述した実施形態の何れかの投影露光装置により、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造する製造方法の実施形態である。
[Fifth Embodiment]
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The present embodiment is an embodiment of a manufacturing method for manufacturing a micro device (a semiconductor element, an image sensor, a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, etc.) by any of the projection exposure apparatuses of the above-described embodiments.
本製造方法は、図9に示す手順からなる。
1ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される(ステップS301)。
その1ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される(ステップS302)。
上述した実施形態の何れかの投影露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその1ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される(ステップS303)。
This manufacturing method consists of the procedure shown in FIG.
A metal film is deposited on one lot of wafers (step S301).
A photoresist is applied on the metal film on the wafer of one lot (step S302).
Using the projection exposure apparatus of any of the above-described embodiments, the pattern image on the mask is sequentially exposed and transferred to each shot area on the wafer of one lot (step S303).
その1ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後(ステップS304)、ステップ305において、その1ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングが行われる。それにより、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。その後、上のレイヤの回路パターンの形成等が行われ、マイクロデバイスが完成する。 After developing the photoresist on the one lot of wafers (step S304), in step 305, etching is performed on the one lot of wafers using the resist pattern as a mask. Thereby, a circuit pattern corresponding to the pattern on the mask is formed in each shot area on each wafer. Thereafter, the upper layer circuit pattern is formed and the microdevice is completed.
このように、本製造方法では、ステップ303において上述した実施形態の何れかの投影露光装置が用いられるので、高性能なマイクロデバイスを製造することができる。 As described above, in this manufacturing method, since any one of the projection exposure apparatuses of the above-described embodiments is used in Step 303, a high-performance microdevice can be manufactured.
11 照明光学系
22 反射型のピンホール板
41 回折光学部材
42 マスク
15 撮像素子
16 ステージ
17 制御回路
18 コンピュータ
41X 回折格子
41Y 回折格子
15a 撮像面
11
Claims (20)
前記波面分割手段によりシアされた波面同士が所定面上に成す干渉縞を検出する撮像素子と
を備えたシアリング干渉測定装置の校正方法であって、
前記シアリング干渉測定装置に任意の被検光学系又は基準光学系をセットした状態で、前記2方向の一方にシアされた波面同士が成す干渉縞のデータと、前記2方向の他方にシアされた波面同士が成す干渉縞のデータとをそれぞれ取得する校正用測定手順と、
前記取得された2つの干渉縞のデータと前記関係とに基づき、前記撮像素子を基準とした前記波面分割手段のシア方向のデータを取得する演算手順と
を含むことを特徴とするシアリング干渉測定装置の校正方法。 Wavefront dividing means capable of shearing the wavefront of the measurement light beam passing through the optical system to be measured in two directions whose relations are known;
An image sensor for detecting interference fringes formed by wavefronts sheared by the wavefront dividing means on a predetermined plane, and a calibration method for a shearing interference measuring apparatus comprising:
In the state where any test optical system or reference optical system is set in the shearing interference measuring apparatus, data of interference fringes formed by wavefronts sheared in one of the two directions and sheared in the other of the two directions. A calibration measurement procedure for acquiring data of interference fringes formed by wavefronts;
A shearing interference measuring apparatus, comprising: a calculation procedure for acquiring data in the shear direction of the wavefront dividing means based on the image sensor based on the acquired two interference fringe data and the relationship. Calibration method.
前記演算手順では、
前記被検光学系の波面収差が前記干渉縞の位相分布の一次成分に与える影響を除去する所定の演算式が用いられる
ことを特徴とするシアリング干渉測定装置の校正方法。 In the calibration method of the shearing interference measuring apparatus according to claim 1,
In the calculation procedure,
A method for calibrating a shearing interferometer, wherein a predetermined arithmetic expression is used to remove the influence of the wavefront aberration of the optical system to be measured on the primary component of the phase distribution of the interference fringes.
前記波面分割手段は、
互いに直交するX方向及びY方向に前記波面を等量ずつシアすることが可能であり、
前記所定の演算式は、
前記X方向にシアされた波面同士が成す前記干渉縞の位相分布の一次成分の方向ベクトルの前記Y方向成分と、前記Y方向にシアされた波面同士が成す前記干渉縞の位相分布の一次成分の方向ベクトルの前記X方向成分との差をとる演算式である
ことを特徴とするシアリング干渉測定装置の校正方法。 In the calibration method of the shearing interference measuring apparatus according to claim 2,
The wavefront dividing means is
It is possible to shear the wavefront in equal amounts in the X and Y directions orthogonal to each other,
The predetermined arithmetic expression is
The Y direction component of the direction vector of the primary component of the phase distribution of the interference fringe formed by the wavefronts sheared in the X direction and the primary component of the phase distribution of the interference fringe formed by the wavefronts sheared in the Y direction. A calibration method for a shearing interference measuring apparatus, characterized in that an arithmetic expression for calculating a difference between the directional vector and the X direction component is used.
前記波面分割手段は、
刻線方向の関係が既知の2つの回折格子を有し、前記測定光束に挿入される回折格子を、前記関係を維持したままそれら2つの回折格子の間で切り替えることが可能である
ことを特徴とするシアリング干渉測定装置の校正方法。 In the calibration method of the shearing interference measuring apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The wavefront dividing means is
It has two diffraction gratings whose relationship between the engraving directions is known, and the diffraction grating inserted into the measurement light beam can be switched between the two diffraction gratings while maintaining the relationship. Calibration method of shearing interference measuring apparatus.
前記波面分割手段は、
回折格子を有し、かつその回折格子の前記測定光束に対する光軸周りの配置方向を、既知の関係の2方向に切り替えることが可能である
ことを特徴とするシアリング干渉測定装置の校正方法。 In the calibration method of the shearing interference measuring apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The wavefront dividing means is
A method for calibrating a shearing interferometer, comprising a diffraction grating and capable of switching the direction of arrangement of the diffraction grating around the optical axis with respect to the measurement light beam to two directions having a known relationship.
前記被検光学系は、
EUVL用の投影光学系であり、
前記測定光束は、
波長50nm以下のEUV光からなる
ことを特徴とするシアリング干渉測定装置の校正方法。 In the calibration method of the shearing interference measuring apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The test optical system is:
A projection optical system for EUVL;
The measurement luminous flux is
A calibration method for a shearing interference measuring apparatus, comprising EUV light having a wavelength of 50 nm or less.
前記シアリング干渉測定装置に被検光学系をセットして干渉縞のデータを取得する測定手順と、
前記測定データと前記シア方向のデータとに基づき被検光学系の透過波面を復元する測定手順と
を含むことを特徴とするシアリグ干渉測定方法。 A calibration procedure for acquiring the shear direction data of the shearing interference measurement device by the calibration method of the shearing interference measurement device according to any one of claims 1 to 6,
A measurement procedure for obtaining interference fringe data by setting a test optical system in the shearing interference measurement device;
A shearing interference measurement method comprising: a measurement procedure for restoring a transmitted wavefront of a test optical system based on the measurement data and the shear direction data.
前記波面分割手段によりシアされた波面同士が所定面上に成す干渉縞を検出する撮像素子と、
前記シアリング干渉測定装置に任意の被検光学系又は基準光学系がセットされた状態で、前記2方向の一方にシアされた波面同士が成す干渉縞のデータと、前記2方向の他方にシアされた波面同士が成す干渉縞のデータとそれぞれ取得する制御手段と、
前記取得された2つの干渉縞のデータと前記関係とに基づき、前記撮像素子を基準とした前記波面分割手段のシア方向のデータを取得する演算手段と
を備えたことを特徴とするシアリング干渉測定装置。 Wavefront dividing means capable of shearing the wavefront of the measurement light beam passing through the optical system to be measured in two directions whose relations are known;
An image sensor for detecting interference fringes formed on the predetermined plane by wavefronts sheared by the wavefront dividing means;
With any test optical system or reference optical system set in the shearing interference measuring apparatus, interference fringe data formed by wavefronts sheared in one of the two directions and sheared in the other of the two directions. Control means for acquiring the interference fringe data formed by the wave fronts, respectively,
Shearing interference measurement, comprising: arithmetic means for acquiring data in the shear direction of the wavefront dividing means based on the image sensor based on the acquired two interference fringe data and the relationship apparatus.
前記演算手段は、
前記被検光学系の波面収差が前記干渉縞の位相分布の一次成分に与える影響を除去する所定の演算式を用いる
ことを特徴とするシアリング干渉測定装置。 The shearing interference measurement apparatus according to claim 8,
The computing means is
A shearing interference measuring apparatus using a predetermined arithmetic expression that removes the influence of the wavefront aberration of the optical system to be measured on the primary component of the phase distribution of the interference fringes.
前記波面分割手段は、
互いに直交するX方向及びY方向に前記波面を等量ずつシアすることが可能であり、
前記所定の演算式は、
前記X方向にシアされた波面同士が成す前記干渉縞の位相分布の一次成分の方向ベクトルの前記Y方向成分と、前記Y方向にシアされた波面同士が成す前記干渉縞の位相分布の一次成分の方向ベクトルの前記X方向成分との差をとる演算式である
ことを特徴とするシアリング干渉測定装置。 In the shearing interference measuring apparatus according to claim 9,
The wavefront dividing means is
It is possible to shear the wavefront in equal amounts in the X and Y directions orthogonal to each other,
The predetermined arithmetic expression is
The Y direction component of the direction vector of the primary component of the phase distribution of the interference fringe formed by the wavefronts sheared in the X direction and the primary component of the phase distribution of the interference fringe formed by the wavefronts sheared in the Y direction. A shearing interference measuring apparatus, characterized by being an arithmetic expression that takes a difference between the direction vector of the X direction component and the X direction component.
前記波面分割手段は、
刻線方向の関係が既知の2つの回折格子を有し、前記測定光束に挿入される回折格子を、前記関係を維持したままそれら2つの回折格子の間で切り替えることが可能である
ことを特徴とするシアリング干渉測定装置。 In the shearing interference measuring device according to any one of claims 8 to 10,
The wavefront dividing means is
It has two diffraction gratings whose relationship between the engraving directions is known, and the diffraction grating inserted into the measurement light beam can be switched between the two diffraction gratings while maintaining the relationship. Shearing interference measuring device.
前記波面分割手段は、
回折格子を有し、かつその回折格子の前記測定光束に対する光軸周りの配置方向を、既知の関係の2方向に切り替えることが可能である
ことを特徴とするシアリング干渉測定装置。 In the shearing interference measuring device according to any one of claims 8 to 10,
The wavefront dividing means is
A shearing interference measuring apparatus having a diffraction grating and capable of switching the arrangement direction of the diffraction grating around the optical axis with respect to the measurement light beam to two known relations.
前記被検光学系は、
EUVL用の投影光学系であり、
前記測定光束は、
波長50nm以下のEUV光からなる
ことを特徴とするシアリング干渉測定装置。 In the shearing interference measuring device according to any one of claims 8 to 12,
The test optical system is:
A projection optical system for EUVL;
The measurement luminous flux is
A shearing interference measuring device comprising EUV light having a wavelength of 50 nm or less.
前記測定の結果に基づき前記投影光学系の調整を行う
ことを特徴とする投影光学系の製造方法。 A transmitted wavefront of the projection optical system is measured by the shearing interference measuring method according to claim 7,
The projection optical system is adjusted based on a result of the measurement.
ことを特徴とする投影光学系。 A projection optical system manufactured by the method for manufacturing a projection optical system according to claim 14.
ことを特徴とする投影露光装置の製造方法。 A method for manufacturing a projection exposure apparatus, comprising a step of manufacturing a projection optical system by the method for manufacturing a projection optical system according to claim 14.
ことを特徴とする投影露光装置。 A projection exposure apparatus manufactured by the method for manufacturing a projection exposure apparatus according to claim 16.
ことを特徴とする投影露光装置。 A projection exposure apparatus comprising the shearing interference measuring apparatus according to any one of claims 8 to 13.
ことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 A microdevice is manufactured by the projection exposure apparatus according to claim 17 or 18.
ことを特徴とするマイクロデバイス。
A microdevice manufactured by the method for manufacturing a microdevice according to claim 19.
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007180209A (en) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Canon Inc | Measuring method and apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2010206033A (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Nikon Corp | Wavefront aberration measuring device, method of calibrating the same, and aligner |
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| JP2010206033A (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Nikon Corp | Wavefront aberration measuring device, method of calibrating the same, and aligner |
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