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JP2006019525A - Substrate processing equipment - Google Patents

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JP2006019525A
JP2006019525A JP2004196045A JP2004196045A JP2006019525A JP 2006019525 A JP2006019525 A JP 2006019525A JP 2004196045 A JP2004196045 A JP 2004196045A JP 2004196045 A JP2004196045 A JP 2004196045A JP 2006019525 A JP2006019525 A JP 2006019525A
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JP
Japan
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substrate
unit
liquid
processing
processing apparatus
Prior art date
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Pending
Application number
JP2004196045A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiko Yamaguchi
和彦 山口
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Future Vision Inc
Original Assignee
Future Vision Inc
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Publication date
Application filed by Future Vision Inc filed Critical Future Vision Inc
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Priority to TW094120163A priority patent/TWI275141B/en
Priority to CNB2005100809799A priority patent/CN100377297C/en
Priority to KR1020050059085A priority patent/KR100764683B1/en
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Abstract

【課題】 基板処理装置のさらなるコンパクト化を実現することができるようにする。
【解決手段】 搬送路171に沿って略水平姿勢で搬送されつつある基板Bに所定の処理を施す基板処理装置10であって、搬送中の基板Bに所定の処理液を供給する処理液供給装置としての、供給した処理液を基板Bから回収可能に構成された液回収型ノズル装置20と、前記処理液が供給された後の基板B上に残留している処理液を除去する処理液除去装置としての、基板B上の残留処理液を気流によって吹き飛ばすように構成されたエアナイフ30とが搬送路171に沿って直列に配設されている。
【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To realize further downsizing of a substrate processing apparatus.
A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate B being transported in a substantially horizontal posture along a transport path 171 and supplying a predetermined processing liquid to the substrate B being transported. A liquid recovery type nozzle device 20 configured to recover the supplied processing liquid from the substrate B, and a processing liquid for removing the processing liquid remaining on the substrate B after the processing liquid is supplied. An air knife 30 configured to blow off the residual processing liquid on the substrate B by an air current as a removing device is arranged in series along the transport path 171.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、液晶や各種の電子部品等がマウントされるガラス基板を含む各種の基板を製造するに際し、これら基板に所定の処理を施す基板処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate including a glass substrate on which a liquid crystal, various electronic components, and the like are mounted.

液晶ディスプレイ等に用いられる基板は、その製造に際し処理液の種類毎に複数設けられた処理槽内に当該基板を順番に装入していき、各処理槽内で所定の処理液が供給されることによりそれぞれ独自の処理が施されるのが一般的である。基板に対してかかる処理を施すべく、各処理槽を貫通した搬送路が設けられるとともに、この搬送路に沿って複数の搬送ローラ等の搬送手段が配設され、基板はこの搬送手段に搬送されつつ各処理槽内に順番に送り込まれることになる。   Substrates used for liquid crystal displays or the like are manufactured by sequentially loading the substrates into a plurality of processing tanks provided for each type of processing liquid, and a predetermined processing liquid is supplied in each processing tank. In general, each of them has its own processing. In order to perform such a process on the substrate, a conveyance path that passes through each processing tank is provided, and conveyance means such as a plurality of conveyance rollers are arranged along the conveyance path, and the substrate is conveyed to the conveyance means. However, it will be sent in order into each processing tank.

基板に処理液が異なる複数の処理を施すときは、上流側の処理液が基板に同伴して下流側の処理槽に持ち込まれるのを防止するべく、処理槽間の距離を十分に確保することが行われるが、これによって基板処理のための占有空間が大きくなり、製造空間の有効利用が阻まれるという不都合が存在する。   When performing multiple treatments with different treatment liquids on the substrate, ensure a sufficient distance between the treatment tanks to prevent the upstream treatment liquid from being brought into the substrate and brought into the downstream treatment tank. However, this occupies a large space for substrate processing, and there is an inconvenience that the effective use of the manufacturing space is hindered.

かかる不都合を解消するべく、搬送路に沿って搬送中の基板に処理液を噴霧ノズルから噴霧する方式が採用される場合がある。かかる処理液噴霧方式によれば、前記のような基板全体に満遍なく処理液を付与することができ、浸漬方式に比べて処理時間が短縮される。   In order to eliminate such inconvenience, there is a case where a method of spraying the processing liquid from the spray nozzle onto the substrate being transported along the transport path may be employed. According to such a treatment liquid spraying method, the treatment solution can be uniformly applied to the entire substrate as described above, and the treatment time is shortened compared to the immersion method.

ところで、近年、特許文献1に記載されたような、搬送方向の下流側で基板に供給した処理液を上流側で基板上から回収するようにした液回収型ノズル装置が提案されている。
特開2002−280340号公報
By the way, in recent years, there has been proposed a liquid recovery type nozzle device as described in Patent Document 1 in which a processing liquid supplied to a substrate on the downstream side in the transport direction is recovered from the substrate on the upstream side.
JP 2002-280340 A

従来の噴霧ノズル方式では、処理後の基板上に多量の処理液が残留することから、この残留処理液を確実に液切りするために所要の処理長が必要となり、例えば残留処理液がある程度基板上から滴り落ちてから液切り部材で確実に液切りするといった形態が必要であった。また、噴霧ノズル装置が適用された基板処理装置に特許文献1に記載の液回収型ノズル装置を適用しても、両ノズル装置のタイプが大きく異なること、および液回収型ノズル装置は処理液の多くを回収するという相違点があることから、単純に置き換えて適用することは困難である。   In the conventional spray nozzle method, since a large amount of processing liquid remains on the substrate after processing, a required processing length is necessary to surely remove the residual processing liquid. A form in which the liquid was reliably drained by the liquid draining member after dripping from above was necessary. Further, even when the liquid recovery type nozzle device described in Patent Document 1 is applied to the substrate processing apparatus to which the spray nozzle device is applied, the types of the two nozzle devices are greatly different, and the liquid recovery type nozzle device is different in the processing liquid. Due to the difference of recovering much, it is difficult to simply replace and apply.

本発明は、かかる状況に鑑みなされたものであって、処理液の効率的な使用を確保した上で、基板処理空間のさらなるコンパクト化を図ることができ、加えて基板処理の効率化をも図り得る基板処理装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of such a situation, and it is possible to further reduce the size of the substrate processing space while ensuring the efficient use of the processing liquid, and also to increase the efficiency of the substrate processing. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can be realized.

請求項1記載の発明は、搬送路に沿って略水平姿勢で搬送中の基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、前記搬送中の基板に向けて処理液を供給して基板処理を施すとともに処理後の処理液を基板から回収する液回収型ノズル部と、前記液回収型ノズル部の基板搬送路の直ぐ下流側に基板上の処理液をエアを吹き付けて液切りを行う液切り部とが前記搬送路に沿って直列に配設されていることを特徴とするものである。   The invention described in claim 1 is a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate being transferred in a substantially horizontal posture along a transfer path, and supplying a processing liquid toward the substrate being transferred to perform substrate processing. And a liquid recovery type nozzle part for recovering the processed processing liquid from the substrate, and a liquid for blowing off the processing liquid on the substrate immediately downstream of the substrate recovery path of the liquid recovery type nozzle part The cutting part is arranged in series along the conveyance path.

かかる構成を採用したことにより、基板処理装置内に導入された基板は、搬送されつつ、まず液回収型ノズル部から供給された処理液によって処理され、多くの処理液が回収される。そして、処理後の基板は液切り部に到達し、この液切り部によって残りの処理液に対する液切り処理が施される。このため、液回収型ノズル装置の直ぐ下流側の位置に液切り部を配設しても的確な液切り処理が行われる。したがって、液回収型ノズル部と、液切り部とを基板搬送方向に対してコンパクトに配置することができ、かつ、処理効率を高め得る。   By adopting such a configuration, the substrate introduced into the substrate processing apparatus is first processed by the processing liquid supplied from the liquid recovery type nozzle unit while being transported, and a large amount of processing liquid is recovered. Then, the processed substrate reaches the liquid draining section, and the liquid draining process is performed on the remaining processing liquid by the liquid draining section. For this reason, even if a liquid draining part is provided at a position immediately downstream of the liquid recovery type nozzle device, an accurate liquid draining process is performed. Therefore, the liquid recovery type nozzle part and the liquid draining part can be arranged compactly in the substrate transport direction, and the processing efficiency can be improved.

請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記液回収型ノズル部と、前記液切り部とで1単位の基板処理部が形成され、複数単位の基板処理部が前記搬送路に沿って直列に配設され、各単位の基板処理部で異なる種類の処理液が使用されることを特徴とするものである。   According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, one unit of the substrate processing unit is formed by the liquid recovery type nozzle unit and the liquid draining unit, and a plurality of units of the substrate processing unit are provided in the transport path. And different types of processing liquids are used in the substrate processing units of each unit.

かかる構成によれば、基板は、搬送路に沿って搬送されることにより、各単位の基板処理部を通過することで複数種類の処理液による処理が施される。しかも、上流側の基板処理部の処理液が基板に同伴して下流側の基板処理部に持ち込まれる量を従来に比べて少なくすることができるため、各基板処理部間の距離を従来に比べて可能な限り短くすることが可能になる。   According to such a configuration, the substrate is transported along the transport path, so that it is processed by a plurality of types of processing liquids by passing through the substrate processing unit of each unit. In addition, since the amount of the processing liquid in the upstream substrate processing unit accompanying the substrate and brought into the downstream substrate processing unit can be reduced as compared with the conventional one, the distance between the substrate processing units is compared with the conventional one. Can be as short as possible.

請求項3記載の発明は、請求項2記載の発明において、前記各基板処理部として搬送路の上流側からエッチング部、洗浄部および乾燥部が設けられ、前記エッチング部は、基板にエッチング処理を施すべく処理液としてエッチング液を使用するものであり、前記洗浄部は、基板を洗浄するべく処理液として純水を使用するものであり、前記乾燥部は、前記液切り部が乾燥用として使用されることを特徴とするものである。   According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, an etching unit, a cleaning unit, and a drying unit are provided from the upstream side of the conveyance path as the substrate processing units, and the etching unit performs an etching process on the substrate. Etching solution is used as a processing solution to be applied, the cleaning unit uses pure water as a processing solution to clean the substrate, and the drying unit is used for drying the liquid draining unit. It is characterized by that.

かかる構成によれば、搬送路に沿って搬送されつつある基板は、まずエッチング部においてエッチング液が供給されたエッチング処理が施され、ついで洗浄部において純水が供給されることによる洗浄処理が施され、最後に乾燥部において液切り部から供給される気流により乾燥処理が施されたのち次工程へ向けて排出される。   According to such a configuration, the substrate being transported along the transport path is first subjected to an etching process in which an etching solution is supplied in the etching unit, and then subjected to a cleaning process in which pure water is supplied in the cleaning unit. Finally, after the drying process is performed by the air flow supplied from the liquid draining unit in the drying unit, the product is discharged to the next process.

請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の発明において、前記液回収型ノズル部および液切り部は、互いに対向した壁面に基板搬入口と基板搬出口とを有するとともに、これら基板搬入口と基板搬出口との間に前記搬送路が形成されてなる処理装置本体内に配設され、前記処理装置本体内に清浄空気を導入する空気導入手段と、前記処理装置本体内の空気を排気する排気手段とを備えて構成されていることを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the invention, in the invention according to any one of the first to third aspects, the liquid recovery type nozzle portion and the liquid draining portion have a substrate carry-in port and a substrate carry-out port on opposite wall surfaces. An air introducing means for introducing clean air into the processing apparatus main body, the air introducing means being disposed in the processing apparatus main body in which the transfer path is formed between the substrate carry-in port and the substrate carry-out port; And an exhaust means for exhausting the air inside.

かかる構成によれば、搬送路に沿って基板搬入口から処理装置本体内に導入された基板は、処理装置本体内に設けられた液回収型ノズル部および液切り部へ順次搬送され、各ノズル装置による所定の処理が施されたのち基板搬出口から系外に排出される。そして、処理装置本体内には空気導入手段からの清浄空気が常に導入されるとともに、処理装置本体内の空気は排気手段によって常に排気されるため、たとえ処理装置本体内に処理液の飛沫や浮遊パーティクルが存在しても排気に同伴して系外に排出され、これによって処理装置本体内は、常に清浄な雰囲気が維持される。   According to such a configuration, the substrate introduced into the processing apparatus main body from the substrate carry-in entrance along the transport path is sequentially transported to the liquid recovery type nozzle section and the liquid cutting section provided in the processing apparatus main body, and each nozzle After a predetermined process is performed by the apparatus, it is discharged out of the system from the substrate carry-out port. In addition, since clean air from the air introduction means is always introduced into the processing apparatus main body and air in the processing apparatus main body is always exhausted by the exhaust means, even if the processing liquid splashes or floats in the processing apparatus main body. Even if particles are present, they are accompanied by exhaust and discharged out of the system, whereby a clean atmosphere is always maintained in the processing apparatus main body.

請求項1記載の発明によれば、基板処理装置内に導入された基板は、搬送されつつ、まず液回収型ノズル部から供給された処理液によって処理され、引き続き液濡れ状態で液切り部に到達し、この液切り部によって液切り処理が施され、これによって濡れた基板に同伴して下流側に持ち込まれる処理液の量を極力少なくすることができるため、基板処理装置の前後長を従来のものに比べて極力短くすることがができる。   According to the first aspect of the present invention, the substrate introduced into the substrate processing apparatus is first processed by the processing liquid supplied from the liquid recovery type nozzle unit while being transported, and subsequently in the liquid wet state to the liquid draining unit. Since the liquid draining process is performed by the liquid draining unit and the amount of the processing liquid brought to the downstream side along with the wetted substrate can be reduced as much as possible, the longitudinal length of the substrate processing apparatus is conventionally increased. Can be made as short as possible.

したがって、基板処理装置のコンパクト化およびランニングコストの低減化のために液回収型ノズル部を採用したにも拘らず、処理液の次工程への持ち込みを極力抑えるために次工程までの距離を長めにせざるを得ない従来の不都合が解消され、基板処理装置のコンパクト化による装置コストおよびランニングコストの低減化に貢献することができる。   Therefore, despite the adoption of a liquid recovery type nozzle to reduce the size and running cost of the substrate processing equipment, the distance to the next process is increased to minimize the introduction of the processing liquid into the next process. The conventional inconvenience that must be avoided can be eliminated, and the substrate processing apparatus can be made compact, thereby contributing to reduction in apparatus cost and running cost.

請求項2記載の発明によれば、基板は、搬送路に沿って搬送されることにより、各単位の基板処理部を通過することで複数種類の処理液による処理が施され、しかも上流側の基板処理部の処理液が基板に同伴して下流側の基板処理部に持ち込まれる量を従来に比べて少なくすることができるため、各基板処理部間の距離を従来に比べて可能な限り短くして1つの装置本体内で、かつ、仕切りのない状態で基板を処理することが可能になり、複数種類の処理液を用いて基板を処理する基板処理装置の装置コストおよびランニングコストの低減化に貢献することができる。   According to the second aspect of the present invention, the substrate is transported along the transport path so that the substrate is processed by a plurality of types of processing liquids by passing through the substrate processing unit of each unit, and the upstream side. Since the amount of the processing liquid of the substrate processing unit accompanying the substrate and brought into the downstream substrate processing unit can be reduced compared to the conventional one, the distance between the substrate processing units is made as short as possible compared to the conventional one. Thus, it becomes possible to process the substrate in one apparatus main body and without partitioning, and the apparatus cost and running cost of the substrate processing apparatus for processing the substrate using a plurality of types of processing liquids can be reduced. Can contribute.

請求項3記載の発明によれば、搬送路に沿って搬送されつつある基板は、まずエッチング部においてエッチング液が供給されたエッチング処理が施され、ついで洗浄部において純水が供給されることによる洗浄処理が施され、最後に乾燥部において液切り部から供給される気流により乾燥処理が施されるため、基板にこれら各処理部を通過させることで洗浄および乾燥も含めた一連のエッチング処理を施すことができる。   According to the third aspect of the present invention, the substrate being transported along the transport path is first subjected to the etching process in which the etching solution is supplied in the etching unit, and then the pure water is supplied in the cleaning unit. Since the cleaning process is performed, and finally the drying process is performed by the air flow supplied from the liquid draining unit in the drying unit, a series of etching processes including cleaning and drying are performed by passing each processing unit through the substrate. Can be applied.

請求項4記載の発明によれば、処理装置本体内には空気導入手段からの清浄空気が常に導入されるとともに、処理装置本体内の空気は排気手段によって常に排気されるため、たとえ処理装置本体内にパーティクルや処理液の飛沫が浮遊していても、これらパーティクルや飛沫は排気に同伴して系外に排出され、これによって処理装置本体内の雰囲気を常に清浄に維持することができ、基板が処理装置本体内の汚染された雰囲気に起因して汚染されるような不都合を確実に防止することができる。   According to the fourth aspect of the present invention, clean air from the air introducing means is always introduced into the processing apparatus main body, and air in the processing apparatus main body is always exhausted by the exhaust means. Even if particles and droplets of processing liquid are floating inside, these particles and droplets are discharged to the outside of the system along with the exhaust, and thus the atmosphere inside the processing device main body can always be kept clean. However, it is possible to reliably prevent inconveniences such as contamination due to a contaminated atmosphere in the processing apparatus main body.

図1は、本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す断面視の説明図であり、図2は、その平面視の説明図である。この実施形態においては、基板処理装置10として基板にエッチング処理を施すエッチング処理装置を例に挙げている。図1に示すように、基板処理装置10は、直方体状を呈した処理装置本体11内に、基板Bに対してエッチング処理を施すエッチング部12と、このエッチング部12から導出された基板Bに対して洗浄処理を施す洗浄部13と、この洗浄部13から導出された基板Bに対して乾燥処理を施す乾燥部14とを備えて構成されている。   FIG. 1 is an explanatory view in cross-sectional view showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is an explanatory view in plan view. In this embodiment, an example of an etching processing apparatus that performs an etching process on a substrate is given as the substrate processing apparatus 10. As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 includes an etching unit 12 that performs an etching process on a substrate B in a processing unit main body 11 that has a rectangular parallelepiped shape, and a substrate B that is derived from the etching unit 12. A cleaning unit 13 that performs a cleaning process on the substrate B and a drying unit 14 that performs a drying process on the substrate B derived from the cleaning unit 13 are provided.

前記処理装置本体11の上流側壁111(図1における右方)には、基板搬入口15が開口されているとともに、下流側壁112には、前記基板搬入口15と対向した位置に基板搬出口16が開口されている。そして、これら基板搬入口15と基板搬出口16との間には、基板搬送方向(図1において左方へ向う方向)に等ピッチで複数の搬送ローラ17が並設され、これら複数の搬送ローラ17上に処理装置本体11内で基板Bを搬送するための搬送路171が形成されている。各搬送ローラ17は、図略の駆動モータの駆動で図1における反時計方向に駆動回転するようになっている。   A substrate carry-in port 15 is opened on the upstream side wall 111 (right side in FIG. 1) of the processing apparatus main body 11, and the substrate carry-out port 16 is located on the downstream side wall 112 at a position facing the substrate carry-in port 15. Is open. Between the substrate carry-in port 15 and the substrate carry-out port 16, a plurality of carry rollers 17 are arranged in parallel at an equal pitch in the substrate carrying direction (the direction toward the left in FIG. 1). A transport path 171 for transporting the substrate B in the processing apparatus main body 11 is formed on the substrate 17. Each transport roller 17 is driven to rotate counterclockwise in FIG. 1 by driving of a drive motor (not shown).

したがって、系外から基板搬入口15を介して処理装置本体11内に導入された基板Bは、各搬送ローラ17の駆動回転により搬送路171を下流側へ向けて搬送され、エッチング部12でエッチング処理が施された後、洗浄部13で洗浄処理が施され、最後に乾燥部14で乾燥処理が施された後、基板搬出口16を介して系外に排出されるようになっている。   Therefore, the substrate B introduced from outside the system into the processing apparatus main body 11 through the substrate carry-in port 15 is transported toward the downstream side of the transport path 171 by the driving rotation of each transport roller 17 and is etched by the etching unit 12. After the processing, the cleaning unit 13 performs the cleaning process, and finally the drying unit 14 performs the drying process, and then the substrate is discharged out of the system via the substrate carry-out port 16.

前記洗浄部13は、上流側(図1の右方)の第1洗浄部130と、下流側で第1洗浄部130に隣設された第2洗浄部130′とからなっている。第1洗浄部130は、エッチング部12から導出された基板Bに対して通常の洗浄処理を施すものであるのに対し、第2洗浄部130′は、さらに高度の仕上げ洗浄処理を基板Bに施すものである。   The cleaning unit 13 includes a first cleaning unit 130 on the upstream side (right side in FIG. 1) and a second cleaning unit 130 ′ adjacent to the first cleaning unit 130 on the downstream side. The first cleaning unit 130 performs a normal cleaning process on the substrate B derived from the etching unit 12, whereas the second cleaning unit 130 ′ performs a further advanced cleaning process on the substrate B. It is something to apply.

前記処理装置本体11内におけるエッチング部12の下方位置には第1ホッパ121が設けられ、同第1洗浄部130の下方位置には第2ホッパ131が設けられ、同第2洗浄部130′の下方位置には第3ホッパ132が設けられ、同乾燥部14の下方位置には第4ホッパ141が設けられている。そして、搬送路171に沿って搬送中の基板Bから滴り落ちた処理液がこれら第1〜第4ホッパ121,131,132,141によって受けられた後、底部の開口から後述する気液分離器181を通って適宜排出されるようになっている。   A first hopper 121 is provided at a position below the etching unit 12 in the processing apparatus main body 11, a second hopper 131 is provided at a position below the first cleaning unit 130, and the second cleaning unit 130 ′. A third hopper 132 is provided at a lower position, and a fourth hopper 141 is provided at a lower position of the drying unit 14. Then, after the processing liquid dripped from the substrate B being transported along the transport path 171 is received by the first to fourth hoppers 121, 131, 132, 141, a gas-liquid separator to be described later from the opening at the bottom. 181 is appropriately discharged.

また、エッチング部12および洗浄部13における搬送路171より上方空間には、各部を仕切る仕切り壁が設けられていないのに対し、第2洗浄部130′と乾燥部14との境界位置には、処理装置本体11の天板113から搬送路171の直上方位置まで垂下された上部仕切り壁114が設けられ、この上部仕切り壁114によってエッチング部12および洗浄部13内で生じた水滴等が乾燥部14内に侵入するのを防止するようになされている。   In addition, in the space above the conveyance path 171 in the etching unit 12 and the cleaning unit 13, no partition wall is provided to partition each unit, whereas at the boundary position between the second cleaning unit 130 ′ and the drying unit 14, An upper partition wall 114 suspended from the top plate 113 of the processing apparatus main body 11 to a position directly above the conveyance path 171 is provided, and water droplets and the like generated in the etching unit 12 and the cleaning unit 13 are dried by the upper partition wall 114. 14 is prevented from entering.

また、第2洗浄部130′は、基板搬送方向の長さ寸法が第1洗浄部130の長さ寸法より長尺に設定されている。このようにされるのは、最終的な洗浄処理が施された後の基板Bに対しさらに後述の液保持用ノズル装置40によるパーティクル形成防止処置を施すための空間を確保するためである。   Further, the length of the second cleaning unit 130 ′ in the substrate transport direction is set to be longer than the length of the first cleaning unit 130. The reason for this is to secure a space for performing a particle formation preventing process by the liquid holding nozzle device 40 described later on the substrate B after the final cleaning process.

そして、処理装置本体11内に導入された基板Bに対し、前記エッチング部12においてエッチング液によるエッチング処理が施され、第1洗浄部130において第1段階の洗浄処理が施され、第2洗浄部130′において仕上げの洗浄処理が施された後、乾燥部14において洗浄処理済の基板Bに対し乾燥処理が施されるようになっている。   Then, the substrate B introduced into the processing apparatus main body 11 is subjected to an etching process using an etching solution in the etching unit 12, a first-stage cleaning process is performed in the first cleaning unit 130, and a second cleaning unit. After the finishing cleaning process is performed in 130 ′, the drying process is performed on the substrate B that has been cleaned in the drying unit 14.

前記洗浄処理等のために、エッチング部12、第1洗浄部130および第2洗浄部130′には、搬送路171を挟むように上下で対向した一対の液回収型ノズル装置(液回収型ノズル部)20がそれぞれ設けられているとともに、エッチング部12および第1洗浄部130には、液回収型ノズル装置20の直下流側に搬送路171を挟んで上下一対のエアナイフ(液切り部)30がそれぞれ設けられている。これに対し、第2洗浄部130′においては液回収型ノズル装置20の下流側に搬送路171を挟んだ状態で上下一対の液保持用ノズル装置40が設けられている。   For the cleaning process and the like, a pair of liquid recovery type nozzle devices (liquid recovery type nozzles) facing the etching unit 12, the first cleaning unit 130, and the second cleaning unit 130 ′ vertically opposite to each other with the transport path 171 interposed therebetween. Part) 20 and a pair of upper and lower air knives (liquid cutting parts) 30 in the etching part 12 and the first cleaning part 130 with the conveyance path 171 sandwiched immediately downstream of the liquid recovery type nozzle device 20. Are provided. On the other hand, in the second cleaning unit 130 ′, a pair of upper and lower liquid holding nozzle devices 40 are provided in a state where the conveyance path 171 is sandwiched downstream of the liquid recovery nozzle device 20.

第2洗浄部130′に液保持用ノズル装置40が設けられているのは、エアナイフ30による本格的な乾燥処理は、乾燥部14によって行われるため、第2洗浄部130′では基板Bを乾燥させる必要はなく、エアナイフ30による乾燥処理を行う必要がないことによる。   The liquid cleaning nozzle device 40 is provided in the second cleaning unit 130 ′ because the full drying process by the air knife 30 is performed by the drying unit 14, so that the substrate B is dried in the second cleaning unit 130 ′. This is because there is no need to perform a drying process with the air knife 30.

また、第2洗浄部130′にエアナイフ30が設けられていないのは、液回収型ノズル装置20により最終的な洗浄処理が施された基板Bは、乾燥部14に到達するまでの間に自然乾燥してしまうことがあり、そうなると、基板Bの表裏面にパーティクルが固着したり、ウォータマークが付いた状態になる場合があるため、これを防止するべくさらなる最終的な洗浄処理として液保持用ノズル装置40が設けられているのである。この液保持用ノズル装置40から超純水が基板Bの表裏面に向けて吐出されることによって、乾燥部14における乾燥処理で基板B上にパーティクルやウォータマークが生じないようにすることができる。   Further, the air knife 30 is not provided in the second cleaning unit 130 ′ because the substrate B that has been subjected to the final cleaning process by the liquid recovery type nozzle device 20 is naturally in the period until it reaches the drying unit 14. In such a case, the particles may adhere to the front and back surfaces of the substrate B or may have a watermark. A nozzle device 40 is provided. By discharging ultrapure water from the liquid holding nozzle device 40 toward the front and back surfaces of the substrate B, it is possible to prevent particles and watermarks from being generated on the substrate B by the drying process in the drying unit 14. .

そして、基板処理装置10の近傍には液回収型ノズル装置20および液保持用ノズル装置40に処理液を供給するための処理液供給源50が設置されている。この処理液供給源50は、エッチング部12の液回収型ノズル装置20にフッ酸を主成分とするエッチング液を供給するエッチング液供給源51と、第1洗浄部130の液回収型ノズル装置20に洗浄水を供給する第1洗浄水供給源52と、第2洗浄部130′の液回収型ノズル装置20に超純水を供給する第2洗浄水供給源53とからなっている。   In the vicinity of the substrate processing apparatus 10, a processing liquid supply source 50 for supplying a processing liquid to the liquid recovery type nozzle apparatus 20 and the liquid holding nozzle apparatus 40 is installed. The processing liquid supply source 50 includes an etching liquid supply source 51 that supplies an etching liquid mainly composed of hydrofluoric acid to the liquid recovery nozzle apparatus 20 of the etching unit 12, and a liquid recovery type nozzle apparatus 20 of the first cleaning unit 130. The first cleaning water supply source 52 supplies cleaning water to the second cleaning water supply source 53, and the second cleaning water supply source 53 supplies ultrapure water to the liquid recovery nozzle device 20 of the second cleaning unit 130 '.

前記乾燥部14には、搬送路171を挟むように配設された上下一対のエアナイフ30が上流側と下流側とにそれぞれ設けられている。かかる各エアナイフ30は、その吐出口が搬送路171に向うように上流側に向けて斜めに配設されている。かかるエアナイフ30に清浄化処理された加圧エアを供給するエア供給装置60が装置本体11の近傍に設けられている。このエア供給装置60からの加圧エアは、エッチング部12および洗浄部13のエアナイフ30へも供給されるようになっている。   In the drying unit 14, a pair of upper and lower air knives 30 disposed so as to sandwich the conveyance path 171 are provided on the upstream side and the downstream side, respectively. Each of the air knives 30 is disposed obliquely toward the upstream side so that the discharge port faces the transport path 171. An air supply device 60 that supplies the compressed air to the air knife 30 is provided in the vicinity of the apparatus main body 11. The pressurized air from the air supply device 60 is also supplied to the air knife 30 of the etching unit 12 and the cleaning unit 13.

そして、乾燥部14に導入された基板Bは、上流側のエアナイフ30によってまず液切りが行われ、引き続き下流側のエアナイフ30によって十分な乾燥処理が施されるようになっている。ここでは、エアナイフ30を斜めに配置することによって、液切りと乾燥とが効果的に行われる。かかる乾燥部14での乾燥処理が完了した基板Bは、基板搬出口16を通って系外に排出され、つぎの工程へ向わせられることになる。なお、この乾燥部14でのエアナイフ30は、上流側の上下一対のものだけで十分に乾燥することができる場合には、下流側のエアナイフ30は設けなくてもよい。   Then, the substrate B introduced into the drying unit 14 is first drained by the upstream air knife 30 and then sufficiently dried by the downstream air knife 30. Here, by disposing the air knife 30 obliquely, liquid draining and drying are effectively performed. The substrate B that has been dried by the drying unit 14 is discharged out of the system through the substrate carry-out port 16 and is sent to the next step. In addition, the air knife 30 in this drying part 14 does not need to provide the downstream air knife 30, when it can fully dry only with a pair of upper and lower upstream.

図3は、液回収型ノズル装置20、エアナイフ30および液保持用ノズル装置40を説明するための斜視図であり、液回収型ノズル装置20および液保持用ノズル装置40が第2洗浄部130′に、エアナイフ30が乾燥部14にそれぞれ設けられた状態を示している。図3に示すように、液回収型ノズル装置20は、搬送路171の上方側に設けられる上部ノズル装置201と、同下方側に上部ノズル装置201と対向配置された下部ノズル装置202とからなっている。   FIG. 3 is a perspective view for explaining the liquid recovery type nozzle device 20, the air knife 30, and the liquid holding nozzle device 40. The liquid recovery type nozzle device 20 and the liquid holding nozzle device 40 are the second cleaning unit 130 ′. In addition, the air knife 30 is shown in a state provided in the drying unit 14 respectively. As shown in FIG. 3, the liquid recovery nozzle device 20 includes an upper nozzle device 201 provided on the upper side of the transport path 171 and a lower nozzle device 202 disposed on the lower side so as to face the upper nozzle device 201. ing.

かかる液回収型ノズル装置20は、図4に示すように、基板搬送方向に直交する基板幅方向(図4の紙面に直交する方向)に長尺の直方体状を呈した上下一対のノズル本体21と、各ノズル本体21の基板搬送方向下流側の端部に接続された導入管22と、同基板搬送方向上流側の端部に接続された導出管23と、上下一対のノズル本体21の各対向面に導入管22と連通するように形成された基板搬送方向に直交する基盤幅方向に長尺の細長い液導入口24と、同導出管23と連通するように前記導入口24と対向配置された液導出口25とを備えて構成されている。   As shown in FIG. 4, the liquid recovery type nozzle device 20 includes a pair of upper and lower nozzle bodies 21 having a rectangular parallelepiped shape that is long in the substrate width direction orthogonal to the substrate transport direction (direction orthogonal to the paper surface of FIG. 4). Each of the inlet pipe 22 connected to the downstream end of the nozzle body 21 in the substrate transport direction, the outlet pipe 23 connected to the upstream end of the substrate transport direction, and the pair of upper and lower nozzle bodies 21. A long and narrow liquid inlet 24 that is formed in the opposite surface so as to communicate with the inlet tube 22 and that is elongated in the width direction of the substrate perpendicular to the substrate transport direction, and is arranged opposite to the inlet 24 so as to communicate with the outlet tube 23. The liquid outlet port 25 is provided.

一方、第2洗浄水供給源53の下流側には、図3に示すように、この第2洗浄水供給源53の超純水を送出する送出ポンプ531が設けられている。この送出ポンプ531は前記各導入管22に接続されているとともに、前記各導出管23は処理装置本体11の近傍に設けられた吸引ポンプ532に接続されている。したがって、送出ポンプ531の駆動で第2洗浄水供給源53からの超純水が各導入管22へ導入されると、この超純水は、上下のノズル装置201,202間に挟持された状態の基板Bの表裏面と上下のノズル本体21の対向面との間に液導入口24を介して供給され、毛細管現象によって基板Bとノズル本体21の隙間から外部に漏洩することなく液導出口25の方向へ向って移動することになる。そして、液導出口25に到達した超純水は、吸引ポンプ532の駆動で導出管23を介して吸引され、系外へ排出される。   On the other hand, on the downstream side of the second cleaning water supply source 53, as shown in FIG. 3, a delivery pump 531 for sending the ultrapure water of the second cleaning water supply source 53 is provided. The delivery pump 531 is connected to the introduction pipes 22, and the outlet pipes 23 are connected to a suction pump 532 provided in the vicinity of the processing apparatus main body 11. Therefore, when the ultrapure water from the second cleaning water supply source 53 is introduced into each introduction pipe 22 by driving the delivery pump 531, the ultrapure water is sandwiched between the upper and lower nozzle devices 201 and 202. The liquid lead-out port is supplied between the front and back surfaces of the substrate B and the opposing surfaces of the upper and lower nozzle bodies 21 via the liquid introduction port 24 and does not leak outside through the gap between the substrate B and the nozzle body 21 due to capillary action. It will move in the direction of 25. Then, the ultrapure water that has reached the liquid outlet 25 is sucked through the outlet pipe 23 by the driving of the suction pump 532 and discharged out of the system.

また、下部のノズル本体21の上面側には、基板Bを支持する複数の支持コロ26が設けられ、基板Bがこれらの支持コロ26に支持されることにより、当該基板Bと下部のノズル本体21の上面との間に超純水を通過させる通路が形成されるようになっている。   Further, a plurality of support rollers 26 that support the substrate B are provided on the upper surface side of the lower nozzle body 21, and the substrate B is supported by these support rollers 26, thereby the substrate B and the lower nozzle body. A passage through which ultrapure water passes is formed between the upper surface of 21.

このような液回収型ノズル装置20を採用することにより、基板Bには必要最小限の超純水を供給することで確実な洗浄処理が実現するため、高価な超純水を用いた基板洗浄処理のランニングコストの低減化に貢献することができる。   By adopting such a liquid recovery type nozzle device 20, a reliable cleaning process is realized by supplying the necessary minimum amount of ultrapure water to the substrate B. Therefore, substrate cleaning using expensive ultrapure water is performed. It can contribute to reduction of the running cost of processing.

前記エアナイフ30は、図3に示すように、側面視で五角形状を呈した基板幅方向に長尺のエアナイフ本体31と、このエアナイフ本体31の先端側に形成された先細りのノズル部32と、エアナイフ本体31の基端側に接続されたエア導入管33とを備えている。ノズル部32の先端には、基板幅方向に長尺のエア吹付けスリット321が設けられている。したがって、エア供給装置60の駆動で送出された加圧エアは、エア導入管33を介してエアナイフ本体31内に導入されたのちエア吹付けスリット321から基板Bへ向けて吹き付けられ、これによる加圧気流で基板Bの表裏面に付着している超純水が吹き飛ばされるようになっている。   As shown in FIG. 3, the air knife 30 has a pentagonal shape in a side view and is elongated in the substrate width direction, and a tapered nozzle portion 32 formed on the front end side of the air knife body 31. An air introduction pipe 33 connected to the proximal end side of the air knife body 31 is provided. An air blowing slit 321 that is long in the substrate width direction is provided at the tip of the nozzle portion 32. Therefore, the pressurized air delivered by driving the air supply device 60 is introduced into the air knife body 31 through the air introduction pipe 33 and then blown toward the substrate B from the air blowing slit 321. The ultrapure water adhering to the front and back surfaces of the substrate B is blown off by the pressurized airflow.

かかるエアナイフ30は、基板Bの搬送方向に対して斜めになるように姿勢設定されている。こうすることでエア吹付けスリット321から吐出された吹き付けエアは、その押圧力が基板Bに付着した洗浄水に対して基板幅方向に向かう分力として作用するため、エア吹付けスリット321が基板搬送方向に対して直交している場合に比較し、基板Bに付着した洗浄水の除去が効率的に行われる。   The air knife 30 is set so as to be inclined with respect to the transport direction of the substrate B. By doing so, the blowing air discharged from the air blowing slit 321 acts as a component force of the pressing force on the cleaning water adhering to the substrate B in the substrate width direction. Compared to the case where the direction is perpendicular to the transport direction, the cleaning water adhering to the substrate B is efficiently removed.

前記液保持用ノズル装置40は、図3に示すように、液回収型ノズル装置20とエアナイフ30との間にあって搬送路171を挟むように上下一対で設けられるものであり、円筒状のノズル管41と、このノズル管41の一端部に接続され、前記送出ポンプ531の駆動で第2洗浄水供給源53からの超純水が導入される導入管42と、各ノズル管41における基板Bに対向した面に長手方向の略全長に亘って等ピッチで穿設された複数のノズル孔43とを備えて構成されている。   As shown in FIG. 3, the liquid holding nozzle device 40 is provided between the liquid recovery type nozzle device 20 and the air knife 30 and is provided in a pair of upper and lower sides so as to sandwich the conveyance path 171. 41, an introduction pipe 42 connected to one end of the nozzle pipe 41, and introduced with ultrapure water from the second cleaning water supply source 53 by driving the delivery pump 531, and a substrate B in each nozzle pipe 41. A plurality of nozzle holes 43 drilled at an equal pitch over substantially the entire length in the longitudinal direction are provided on the opposed surfaces.

搬送路171を挟んで上下一対で設けられたかかる液保持用ノズル装置40のノズル孔43から超純水が基板Bの表裏面に噴霧されることにより、液回収型ノズル装置20によって洗浄処理された基板Bは、エアナイフ30に到達するまでに乾燥することが防止されるとともに、液保持用ノズル装置40からの噴霧水によってさらに最終段階の洗浄処理が施されるため、エアナイフ30による基板Bの乾燥処理が実行された状態で、基板Bの表裏面にパーティクルが固着するような不都合の発生が確実に防止される。   Ultrapure water is sprayed on the front and back surfaces of the substrate B from the nozzle holes 43 of the liquid holding nozzle device 40 provided in a pair of upper and lower sides with the transport path 171 interposed therebetween, so that the liquid recovery nozzle device 20 performs the cleaning process. The substrate B is prevented from drying before reaching the air knife 30 and is further subjected to a final cleaning process by the spray water from the liquid holding nozzle device 40. In the state where the drying process is performed, it is possible to reliably prevent the occurrence of inconvenience that particles adhere to the front and back surfaces of the substrate B.

そして、本実施形態においては、かかる液保持用ノズル装置40は、液回収型ノズル装置20とエアナイフ30との間の中間位置より液回収型ノズル装置20寄りの位置であって、可能な限り液回収型ノズル装置20に接近した位置に設けられている。このようにされるのは、液回収型ノズル装置20では必要最小限の超純水しか基板Bに接触しないため付着水の量が少なく、したがって、基板Bの洗浄されていた部分が液回収型ノズル装置20から外れた瞬間から速やかに自然乾燥が進行してしまうため、これを避けるべく液保持用ノズル装置40は可能な限り液回収型ノズル装置20に近づけて設置されるのである。   In the present embodiment, the liquid holding nozzle device 40 is located closer to the liquid recovery type nozzle device 20 than the intermediate position between the liquid recovery type nozzle device 20 and the air knife 30, and as much as possible. It is provided at a position close to the recovery type nozzle device 20. The reason for this is that the liquid recovery type nozzle device 20 has only a minimum amount of ultrapure water coming into contact with the substrate B, so that the amount of adhering water is small. Therefore, the cleaned part of the substrate B is the liquid recovery type. Since natural drying proceeds immediately from the moment when the nozzle device 20 is detached, the liquid holding nozzle device 40 is installed as close to the liquid recovery type nozzle device 20 as possible to avoid this.

一方、第1〜第4ホッパ121,131,132,141の低部には、図1に示すように、処理装置本体11内の気液の導出を案内する案内管18が設けられている。各案内管18は、下端部が開放されて処理装置本体11の底部に臨まされているとともに、案内管18の途中には排気管19が分岐されている。案内管18の排気管19に対する分岐位置には、所定の気液分離器181が設けられ、案内管18に集められた清浄空気および処理液は、これらの気液分離器181によって分離された後、処理液は案内管18の下端開口から処理装置本体11の底部へ導出される一方、エッチング部12、洗浄部13および乾燥部14を通過した用済み空気は排気管19へ向わせられるようになっている。   On the other hand, as shown in FIG. 1, a guide tube 18 that guides the derivation of gas-liquid in the processing apparatus main body 11 is provided in the lower part of the first to fourth hoppers 121, 131, 132, 141. Each guide tube 18 has its lower end opened to face the bottom of the processing apparatus body 11, and an exhaust tube 19 is branched in the middle of the guide tube 18. A predetermined gas-liquid separator 181 is provided at a branching position of the guide pipe 18 with respect to the exhaust pipe 19, and the clean air and the processing liquid collected in the guide pipe 18 are separated by the gas-liquid separator 181. The processing liquid is led out from the lower end opening of the guide tube 18 to the bottom of the processing apparatus main body 11, while the used air that has passed through the etching unit 12, the cleaning unit 13, and the drying unit 14 is directed to the exhaust pipe 19. It has become.

前記各排気管19は、その下流端が基板処理装置10の近傍に配設された、工場内各所の排気を吸引するための集中排気管(排気手段)74に接続されている。したがって、気液分離器181で分離された排気管19内の用済み空気は集中排気管74へ集められ、工場内に設置された図略の集塵装置で所定の集塵処理が施された後、系外に排出されることになる。   Each exhaust pipe 19 is connected at its downstream end to a central exhaust pipe (exhaust means) 74 disposed in the vicinity of the substrate processing apparatus 10 for sucking exhaust from various places in the factory. Therefore, the spent air in the exhaust pipe 19 separated by the gas-liquid separator 181 is collected in the centralized exhaust pipe 74 and subjected to a predetermined dust collection process by a dust collector (not shown) installed in the factory. Later, it will be discharged out of the system.

そして、各排気管19内には、吸引風量を調節するための調節ダンパー191がそれぞれ設けられている。この調節ダンパー191は、エッチング部12、第1洗浄部130および乾燥部14においてエアナイフ30から加圧エアが吐出されている場合と吐出されていない場合とで開度を調節するものであり、これによって処理装置本体11内の圧力を常に予め設定された負圧環境にすることができる。   Each exhaust pipe 19 is provided with an adjustment damper 191 for adjusting the amount of suction air. The adjustment damper 191 adjusts the opening degree when the pressurized air is discharged from the air knife 30 in the etching unit 12, the first cleaning unit 130, and the drying unit 14, and when the compressed air is not discharged. Thus, the pressure in the processing apparatus main body 11 can always be set to a preset negative pressure environment.

すなわち、エアナイフ30から加圧エアが吐出される場合には、このことが所定のセンサによって検出され、この検出信号が図略の制御装置に入力されることにより、当該制御装置からの制御信号が調節ダンパー191へ向けて出力され、この制御信号に基づく調節ダンパー191の開度増大で調節ダンパー191への用済み空気の吸引量が増加される一方、エアナイフ30からの加圧エアの吐出が停止されると、このことが所定のセンサによって検出され、この検出信号に基づく制御装置からの制御信号によって調節ダンパー191の開度が小さくされ、用済み空気の吸引量が減少されるようになっている。   That is, when pressurized air is discharged from the air knife 30, this is detected by a predetermined sensor, and this detection signal is input to a control device (not shown), whereby a control signal from the control device is received. The amount of used air sucked into the adjustment damper 191 is increased by increasing the opening of the adjustment damper 191 based on this control signal, and the discharge of pressurized air from the air knife 30 is stopped. Then, this is detected by a predetermined sensor, and the opening degree of the adjustment damper 191 is reduced by a control signal from the control device based on this detection signal, and the amount of suction of used air is reduced. Yes.

かかる調節ダンパー191の開度制御によって、エアナイフ30からの加圧エアの吐出および吐出停止に拘らず、エッチング部12、洗浄部13および乾燥部14内の圧力が常に一定になるようにしている。   By controlling the opening degree of the adjustment damper 191, the pressures in the etching unit 12, the cleaning unit 13, and the drying unit 14 are always constant regardless of the discharge and stoppage of pressurized air from the air knife 30.

以上詳述したように、本発明に係る基板処理装置10は、搬送路171に沿って略水平姿勢で搬送されつつある基板Bに所定の処理を施すものであり、搬送中の基板Bに所定の処理液を供給する処理液供給装置としての、供給した処理液を基板Bから回収可能に構成された液回収型ノズル装置20と、前記処理液が供給された後の基板B上に残留している処理液を除去する処理液除去装置としての、基板B上の残留処理液を気流によって吹き飛ばすように構成されたエアナイフ30とが搬送路171に沿って直列に配設されているため、基板処理装置10内に導入された基板Bは、搬送されつつ、まず液回収型ノズル装置20から供給された処理液によって処理され、引き続き液濡れ状態でエアナイフ30に到達し、このエアナイフ30によって液切り処理が施され、これによってエッチング部12と洗浄部130のように隣接して異種の液を使用する部分で処理液を分離し、濡れた基板Bに同伴して下流側に持ち込まれる処理液の量を極力少なくすることができる。   As described above in detail, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention performs predetermined processing on the substrate B being transported in a substantially horizontal posture along the transport path 171, and performs predetermined processing on the substrate B being transported. As a processing liquid supply device for supplying the processing liquid, a liquid recovery type nozzle device 20 configured to recover the supplied processing liquid from the substrate B and the substrate B after the processing liquid is supplied remain on the substrate B. Since the air knife 30 configured to blow off the residual processing liquid on the substrate B by an air flow is disposed in series along the transport path 171 as a processing liquid removing device that removes the processing liquid that is being removed. The substrate B introduced into the processing apparatus 10 is first processed by the processing liquid supplied from the liquid recovery type nozzle apparatus 20 while being transported, and subsequently reaches the air knife 30 in a liquid wet state. As a result, the processing liquid is separated, and the processing liquid is separated at a portion where different types of liquid are used adjacently, such as the etching section 12 and the cleaning section 130, and is brought downstream along with the wet substrate B. The amount of processing liquid can be reduced as much as possible.

したがって、基板処理装置10のコンパクト化およびランニングコストの低減化のために液回収型ノズル装置20を採用したにも拘らず、処理液の次工程への持ち込みを極力抑えるために次工程までの距離を長めにせざるを得ない従来の不都合が解消され、基板処理装置10のコンパクト化による装置コストおよびランニングコストの低減化に貢献することができる。   Therefore, despite the adoption of the liquid recovery type nozzle device 20 for downsizing the substrate processing apparatus 10 and reducing the running cost, the distance to the next process is minimized in order to minimize the introduction of the processing liquid into the next process. The conventional inconvenience that must be lengthened is resolved, and the substrate processing apparatus 10 can be reduced in size and contribute to reduction in running cost.

また、液回収型ノズル装置20と、エアナイフ30とで1単位の基板処理部(本実施形態においてはエッチング部12および第1洗浄部130)が形成されるようにし、複数単位の基板処理部が搬送路171に沿って直列に配設され(本実施形態ではエッチング部12と洗浄部13とが直列に配設され)、しかも各単位の基板処理部で異なる種類の処理液が採用されているため(本実施形態ではエッチング部12では処理液としてエッチング液が採用され、第1洗浄部130では処理液として洗浄水が採用されているため)、基板Bは、搬送路171に沿って搬送されることにより、各単位の基板処理部(エッチング部12および第1洗浄部130)を通過することで複数種類の処理液による処理を実行することができる。しかも、処理液供給装置として液回収型ノズル装置20が採用されているため、上流側の基板処理部の処理液が基板Bに同伴して下流側の基板処理部に持ち込まれる量を従来に比べて少なくすることができ、これによって各基板処理部間の距離を従来に比べて可能な限り短くすることが可能になり、複数種類の処理液を用いて基板Bを処理する基板処理装置10の装置コストおよびランニングコストの低減化に貢献することができる。   Further, the liquid recovery nozzle device 20 and the air knife 30 form one unit of substrate processing unit (in this embodiment, the etching unit 12 and the first cleaning unit 130). Arranged in series along the transfer path 171 (in this embodiment, the etching unit 12 and the cleaning unit 13 are arranged in series), and different types of processing liquids are employed in the substrate processing units of each unit. Therefore, in this embodiment, since the etching liquid is used as the processing liquid in the etching unit 12 and the cleaning water is used as the processing liquid in the first cleaning unit 130, the substrate B is transported along the transport path 171. Thus, processing with a plurality of types of processing liquids can be performed by passing through the substrate processing units (etching unit 12 and first cleaning unit 130) of each unit. Moreover, since the liquid recovery type nozzle device 20 is employed as the processing liquid supply device, the amount of the processing liquid in the upstream substrate processing unit accompanying the substrate B is brought into the downstream substrate processing unit compared to the conventional amount. As a result, the distance between the substrate processing units can be made as short as possible compared to the conventional one, and the substrate processing apparatus 10 that processes the substrate B using a plurality of types of processing liquids can be used. It can contribute to reduction of apparatus cost and running cost.

また、本実施形態においては、各基板処理部として搬送路171の上流側からエッチング部12、洗浄部13および乾燥部14が設けられ、エッチング部12では、基板Bにエッチング処理を施すべく処理液としてエッチング液が使用され、洗浄部13では、基板Bを洗浄するべく処理液として純水が使用され、乾燥部14では、エアナイフ30が乾燥用として使用されるため、搬送路171に沿って搬送されつつある基板Bは、まずエッチング部12においてエッチング液が供給されたエッチング処理が施され、ついで洗浄部13において純水が供給されることによる洗浄処理が施され、最後に乾燥部14においてエアナイフ30から供給される気流により乾燥処理が施される。したがって、基板Bにこれら各処理部(エッチング部12、洗浄部13および乾燥部14)を通過させることで基板Bに対して洗浄および乾燥も含めた一連のエッチング処理を施すことができる。   In the present embodiment, an etching unit 12, a cleaning unit 13 and a drying unit 14 are provided as upstream of the transport path 171 as each substrate processing unit, and the etching unit 12 uses a processing liquid to perform an etching process on the substrate B. In the cleaning unit 13, pure water is used as a processing solution for cleaning the substrate B, and in the drying unit 14, the air knife 30 is used for drying, so that the substrate is transported along the transport path 171. The substrate B being processed is first subjected to an etching process in which an etching solution is supplied in the etching unit 12, then subjected to a cleaning process in which pure water is supplied in the cleaning unit 13, and finally in the drying unit 14 to an air knife. The drying process is performed by the airflow supplied from 30. Therefore, a series of etching processes including cleaning and drying can be performed on the substrate B by passing each of the processing units (the etching unit 12, the cleaning unit 13, and the drying unit 14) through the substrate B.

また、液回収型ノズル装置20およびエアナイフ30は、互いに対向した上流側壁111および下流側壁112にそれぞれ開口された基板搬入口15と基板搬出口16とを有するとともに、これら基板搬入口15と基板搬出口16との間に搬送路171が形成されてなる処理装置本体11内に配設されているため、搬送路171に沿って基板搬入口15から処理装置本体11内に導入された基板Bは、処理装置本体11内に設けられた液回収型ノズル装置20およびエアナイフ30へ順次搬送され、各ノズル装置による所定の処理が施されたのち基板搬出口16から系外に排出される。しかも、処理装置本体11内には、清浄空気を導入する清浄空気用ブロア61と、処理装置本体11内の空気を排気する集中排気管74とが備えられているため、処理装置本体11内には清浄空気用ブロア61からの清浄空気が常に導入されるとともに、処理装置本体11内の空気は集中排気管74を介して常に排気される。したがって、たとえ処理装置本体11内に処理液の飛沫や浮遊パーティクルが存在しても排気に同伴して系外に排出され、これによって処理装置本体11内の雰囲気を常に清浄に維持することができ、基板Bが処理装置本体11内の汚染された雰囲気に起因して汚染されるような不都合を確実に防止することができる。   Further, the liquid recovery type nozzle device 20 and the air knife 30 have a substrate carry-in port 15 and a substrate carry-out port 16 respectively opened on the upstream side wall 111 and the downstream side wall 112 facing each other. Since the transport path 171 is formed between the outlet 16 and the processing apparatus main body 11, the substrate B introduced into the processing apparatus main body 11 from the substrate carry-in entrance 15 along the transport path 171 is Then, it is sequentially transported to the liquid recovery type nozzle device 20 and the air knife 30 provided in the processing apparatus main body 11, and after being subjected to predetermined processing by each nozzle device, it is discharged out of the system from the substrate carry-out port 16. In addition, the processing apparatus main body 11 is provided with a clean air blower 61 for introducing clean air and a centralized exhaust pipe 74 for exhausting the air in the processing apparatus main body 11. The clean air from the clean air blower 61 is always introduced, and the air in the processing apparatus main body 11 is always exhausted through the central exhaust pipe 74. Therefore, even if there are droplets or floating particles of the processing liquid in the processing apparatus main body 11, they are accompanied by exhaust and discharged out of the system, so that the atmosphere in the processing apparatus main body 11 can always be kept clean. The problem that the substrate B is contaminated due to the contaminated atmosphere in the processing apparatus main body 11 can be reliably prevented.

本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下の内容をも包含するものである。   The present invention is not limited to the above embodiment, and includes the following contents.

(1)上記の実施形態においては、基板処理装置10として基板Bにエッチング処理を施すものを例として挙げているが、本発明は、基板処理装置10がエッチング処理用のものであることに限定されるものではなく、基板処理装置10の全体を洗浄処理用のものとしてもよい。この場合には、エッチング液供給源51は洗浄水処理源に代えられる。   (1) In the above embodiment, the substrate processing apparatus 10 is exemplified as one that performs the etching process on the substrate B. However, the present invention is limited to the substrate processing apparatus 10 that is used for the etching process. Instead, the entire substrate processing apparatus 10 may be used for cleaning processing. In this case, the etching solution supply source 51 is replaced with a cleaning water treatment source.

(2)上記の実施形態においては、エッチング部12および第1洗浄部130に液保持用ノズル装置40が設けられていないが、本発明は、エッチング部12および第1洗浄部130に液保持用ノズル装置40を設けないことに限定されるものではなく、基板処理の種類や状況に応じてこれらの基板処理部にも液保持用ノズル装置40を設けてもよい。こうすることによって、エッチング部12および第1洗浄部130内での処理が液回収型ノズル装置20と液保持用ノズル装置40との2段処理になるため、より効果的な基板処理を実現することができる。   (2) In the above-described embodiment, the liquid holding nozzle device 40 is not provided in the etching unit 12 and the first cleaning unit 130. However, in the present invention, the etching unit 12 and the first cleaning unit 130 are used for liquid holding. The nozzle device 40 is not limited to being provided, and the liquid holding nozzle device 40 may also be provided in these substrate processing units according to the type and situation of the substrate processing. By doing so, since the processing in the etching unit 12 and the first cleaning unit 130 is a two-stage process of the liquid recovery type nozzle device 20 and the liquid holding nozzle device 40, more effective substrate processing is realized. be able to.

(3)上記の実施形態においては、第2洗浄部130′における液回収型ノズル装置20を用いた超純水による基板Bの洗浄処理で液回収型ノズル装置20から排出された洗浄処理後の超純水を系外に排出するようにしているが、こうする代わりに、洗浄処理後の超純水を第1洗浄部130へ戻して再利用に供してもよい。   (3) In the above embodiment, after the cleaning process discharged from the liquid recovery type nozzle device 20 in the cleaning process of the substrate B with ultrapure water using the liquid recovery type nozzle device 20 in the second cleaning unit 130 ′. Although the ultrapure water is discharged out of the system, instead of this, the ultrapure water after the cleaning process may be returned to the first cleaning unit 130 for reuse.

(4)上記の実施形態においては、液保持用ノズル装置40に洗浄水を吐出するための円形のノズル孔43がノズル管41に穿設されているが、本発明は、洗浄水を吐出する部分が円形のノズル孔43であることに限定されるものではなく、角孔や多角形状の孔、あるいは星型孔等であってもよいし、孔に代えてスリットを採用してもよいし、所定のノズル部材を取り付けてもよい。   (4) In the above embodiment, the circular nozzle hole 43 for discharging the cleaning water to the liquid holding nozzle device 40 is formed in the nozzle tube 41, but the present invention discharges the cleaning water. The portion is not limited to the circular nozzle hole 43, but may be a square hole, a polygonal hole, a star hole, or the like, or a slit may be employed instead of the hole. A predetermined nozzle member may be attached.

(6)上記の実施形態においては、第2洗浄部130′において液保持用ノズル装置40は、液回収型ノズル装置20とエアナイフ30との略中間位置に設けられているが、本発明は、液保持用ノズル装置40が前記中間位置に設けられることに限定されるものではなく、基板Bの種類や操業条件など基板処理に関する各種の状況に基づき適宜設置位置を設定すればよい。   (6) In the above embodiment, the liquid holding nozzle device 40 in the second cleaning unit 130 ′ is provided at a substantially intermediate position between the liquid recovery type nozzle device 20 and the air knife 30. The liquid holding nozzle device 40 is not limited to being provided at the intermediate position, and the installation position may be set as appropriate based on various conditions relating to substrate processing such as the type of substrate B and operating conditions.

本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す断面視の説明図である。It is explanatory drawing of the cross sectional view which shows one Embodiment of the substrate processing apparatus which concerns on this invention. 図1に示す基板処理装置の平面視の説明図である。It is explanatory drawing of planar view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 液回収型ノズル装置、エアナイフおよび液保持用ノズル装置が第2洗浄部に、エアナイフが乾燥部にそれぞれ設けられた状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state by which the liquid collection | recovery type nozzle apparatus, the air knife, and the nozzle apparatus for liquid holding were each provided in the 2nd washing | cleaning part, and the air knife in the drying part. 図3に示す液回収型ノズル装置の側面視の断面図である。It is sectional drawing of the side view of the liquid collection | recovery type nozzle apparatus shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10 基板処理装置 11 処理装置本体
111 上流側壁 112 下流側壁
113 天板 114 仕切り壁
12 エッチング部 121 第1ホッパ
13 洗浄部 130 第1洗浄部
130′ 第2洗浄部 131 第2ホッパ
132 第3ホッパ 14 乾燥部
141 第4ホッパ 15 基板搬入口
16 基板搬出口 17 搬送ローラ
171 搬送路 18 案内管
181 気液分離器 19 排気管
191 調節ダンパー 20 液回収型ノズル装置(液回収型ノズル部)
201 上部ノズル装置 202 下部ノズル装置
21 ノズル本体 22 導入管
23 導出管 24 液導入口
25 液導出口 30 エアナイフ(液切り部)
31 エアナイフ本体 32 ノズル部
321 エア吹付けスリット 33 エア導入管
40 液保持用ノズル装置 41 ノズル管
42 導入管 43 ノズル孔
50 処理液供給源 51 エッチング液供給源
52 第1洗浄水供給源 53 第2洗浄水供給源
531 送出ポンプ 532 吸引ポンプ
60 エア供給装置 61 清浄空気用ブロア(空気導入手段)
74 集中排気管(排気手段)
B 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate processing apparatus 11 Processing apparatus main body 111 Upstream side wall 112 Downstream side wall 113 Top plate 114 Partition wall 12 Etching part 121 First hopper 13 Cleaning part 130 First cleaning part 130 'Second cleaning part 131 Second hopper 132 Third hopper 14 Drying unit 141 Fourth hopper 15 Substrate carry-in port 16 Substrate carry-out port 17 Transport roller 171 Transport path 18 Guide tube 181 Gas-liquid separator 19 Exhaust tube 191 Adjustment damper 20 Liquid recovery type nozzle device (liquid recovery type nozzle unit)
201 Upper Nozzle Device 202 Lower Nozzle Device 21 Nozzle Body 22 Introducing Pipe 23 Outlet Pipe 24 Liquid Inlet 25 Liquid Outlet 30 Air Knife (Liquid Cutting Section)
31 Air knife body 32 Nozzle portion 321 Air blowing slit 33 Air introduction pipe 40 Liquid holding nozzle device 41 Nozzle pipe 42 Introduction pipe 43 Nozzle hole 50 Treatment liquid supply source 51 Etching liquid supply source 52 First cleaning water supply source 53 Second Washing water supply source 531 Delivery pump 532 Suction pump 60 Air supply device 61 Clean air blower (air introduction means)
74 Central exhaust pipe (exhaust means)
B board

Claims (4)

搬送路に沿って略水平姿勢で搬送中の基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、前記搬送中の基板に向けて処理液を供給して基板処理を施すとともに処理後の処理液を基板から回収する液回収型ノズル部と、前記液回収型ノズル部の基板搬送路の直ぐ下流側に基板上の処理液をエアを吹き付けて液切りを行う液切り部とが前記搬送路に沿って直列に配設されていることを特徴とする基板処理装置。   A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate being transported in a substantially horizontal posture along a transport path, supplying a processing liquid toward the substrate being transported to perform substrate processing, and processing liquid after processing A liquid recovery type nozzle part for recovering the liquid from the substrate, and a liquid draining part for blowing off the processing liquid on the substrate by blowing air on the downstream side of the substrate transfer path of the liquid recovery type nozzle part in the transfer path. A substrate processing apparatus which is arranged in series along the substrate. 前記液回収型ノズル部と、前記液切り部とで1単位の基板処理部が形成され、複数単位の基板処理部が前記搬送路に沿って直列に配設され、各単位の基板処理部で異なる種類の処理液が使用されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。   One unit of substrate processing unit is formed by the liquid recovery type nozzle unit and the liquid draining unit, and a plurality of units of substrate processing units are arranged in series along the transport path. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein different types of processing liquids are used. 前記各基板処理部として搬送路の上流側からエッチング部、洗浄部および乾燥部が設けられ、前記エッチング部は、基板にエッチング処理を施すべく処理液としてエッチング液を使用するものであり、前記洗浄部は、基板を洗浄するべく処理液として純水を使用するものであり、前記乾燥部は、前記液切り部が乾燥用として使用されることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。   Each substrate processing unit is provided with an etching unit, a cleaning unit, and a drying unit from the upstream side of the conveyance path, and the etching unit uses an etching solution as a processing solution for performing an etching process on the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the unit uses pure water as a processing liquid to clean the substrate, and the drying unit uses the liquid draining unit for drying. 前記液回収型ノズル部および液切り部は、互いに対向した壁面に基板搬入口と基板搬出口とを有するとともに、これら基板搬入口と基板搬出口との間に前記搬送路が形成されてなる処理装置本体内に配設され、前記処理装置本体内に清浄空気を導入する空気導入手段と、前記処理装置本体内の空気を排気する排気手段とを備えて構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。   The liquid recovery nozzle unit and the liquid draining unit have a substrate carry-in port and a substrate carry-out port on opposite wall surfaces, and a process in which the transport path is formed between the substrate carry-in port and the substrate carry-out port. 2. An apparatus according to claim 1, further comprising: an air introduction unit that is disposed in the apparatus main body and introduces clean air into the processing apparatus main body; and an exhaust unit that exhausts the air in the processing apparatus main body. Item 4. The substrate processing apparatus according to any one of Items 1 to 3.
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