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JP2006005193A - System for purging gas in vessel and gas purging method - Google Patents

System for purging gas in vessel and gas purging method Download PDF

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JP2006005193A
JP2006005193A JP2004180545A JP2004180545A JP2006005193A JP 2006005193 A JP2006005193 A JP 2006005193A JP 2004180545 A JP2004180545 A JP 2004180545A JP 2004180545 A JP2004180545 A JP 2004180545A JP 2006005193 A JP2006005193 A JP 2006005193A
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container
gas
purge
supply
foup
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JP2004180545A
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Akiyoshi Toyoda
哲慶 豊田
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Hirata Corp
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Hirata Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To simply and efficiently replace oxidizing gas atmosphere in a vessel with nonoxidizing gas atmosphere with a samll amount of inert gas in the vessel mounted on the mounting table of a vessel opening/closing device. <P>SOLUTION: A gas purging system 20 for replacing oxidizing gas atmosphere with nonoxidizing gas atmosphere in a vessel 1 mounted on the mounting table of an opening/closing device 10 of the vessel 1 for a semiconductor wafer or the like comprises a gas purging system 20 in the vessel, an inert gas supplying path 21, an oxidizing gas exhausting path 22 in the vessel 1, and a bypassing path 23 for connecting these. A charging nozzle 24 connected to a purging port 3 for charging provided in the vessel 1 is provided at one end of the charging path 21, and a first valve 26 is provided at an upper stream more than the connection part between the supplying path 21 and the byupassing path 23. A charging/exhausting nozzle 25 coupled to the purging port 4 for charging and exhausting provided in the vessel 1 is provided at one end of the exhausting path 22, a second valve 27 is provided at the downstream side more than the connection part between the exhausting path 22 and the bypassing path 23, and a third valve 28 is provided in the bypassing path 23. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本願の発明は、容器内ガスパージシステム及びガスパージ方法に関し、特に半導体ウエ
ハ等の被処理材を密閉した状態で収容して搬送される容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化
性ガス雰囲気に簡単に、効率よく置換することができる容器内ガスパージシステム及びガ
スパージ方法に関する。
The invention of the present application relates to a gas purge system and a gas purge method in a container, and in particular, an oxidizing gas atmosphere in a container that is accommodated and transported in a sealed state, such as a semiconductor wafer, is easily converted into a non-oxidizing gas atmosphere. The present invention relates to an in-vessel gas purge system and a gas purge method that can be efficiently replaced.

FOUP(Front Opening Unified Pod )は、半導体ウエハ等の被処理物を処理装置間
で搬送するに際して、被処理物が外部環境により汚染されるのを防ぐために、被処理物を
制御された空間に収容して搬送するのに用いられる前方開放型の容器である。FOUPオ
ープナは、FOUP内環境と処理装置内のウェハ転送空間との間を、外部環境に被処理物
を曝すことなく、連通させ、被処理物を処理装置内に配置されたロボット等で転送するこ
とができるようにする役割を担うFOUPの開閉装置である。これらのFOUP及びFO
UPオープナを用いて被処理物が処理装置間で搬送され、また、処理装置内に転送される
ことにより、高い製品歩留りが達成される。
FOUP (Front Opening Unified Pod) accommodates a workpiece in a controlled space in order to prevent the workpiece from being contaminated by the external environment when the workpiece such as a semiconductor wafer is transported between processing devices. It is a forward-opening type container used for transporting. The FOUP opener communicates between the environment in the FOUP and the wafer transfer space in the processing apparatus without exposing the object to be processed to the external environment, and transfers the object to be processed by a robot or the like disposed in the processing apparatus. It is a FOUP opening and closing device that plays a role of enabling the above. These FOUPs and FOs
By using the UP opener, the object to be processed is transported between the processing apparatuses and transferred into the processing apparatus, whereby a high product yield is achieved.

ところで、近年、半導体ウエハは、高微細化が一層進み、オングストロームオーダーで
の膜厚コントロールが求められるようになってきている。このため、従来のように、パー
ティクルの管理に重点を置いてクリーンな雰囲気に保持されたFOUP内にウエハを収容
して搬送するだけでは、FOUP内のウエハに自然酸化膜が形成されてしまい、その後の
工程でのウエハの膜厚コントロールに支障が生じる虞がある。
By the way, in recent years, semiconductor wafers have been further miniaturized, and film thickness control on the order of angstroms has been demanded. For this reason, if the wafer is housed and transported in the FOUP held in a clean atmosphere with emphasis on particle management as in the prior art, a natural oxide film is formed on the wafer in the FOUP. There is a possibility that the film thickness control of the wafer in the subsequent process may be hindered.

そこで、FOUP内のウエハに自然酸化膜が形成されるのを回避するために、FOUP
内の雰囲気を、酸化性の雰囲気から、窒素ガス等の不活性ガスで満たされた非酸化性の雰
囲気に置換することが提案され、そのための種々の工夫がなされている。
Therefore, in order to avoid the formation of a natural oxide film on the wafer in the FOUP, the FOUP
It has been proposed to replace the inner atmosphere with an non-oxidizing atmosphere filled with an inert gas such as nitrogen gas from an oxidizing atmosphere, and various contrivances have been made for this purpose.

これらの工夫は、いずれも、FOUPオープナの載置台上にFOUPを載置し、不活性
ガスの供給路および酸化性ガスの排出路上にあるバルブを切り替えるだけで、FOUP内
の酸化性ガスを不活性ガスで置換することができる簡便なパージシステムを提案するが、
FOUP内のガス置換を、FOUPドアの開閉の状態等をも考慮しながら、いかに少ない
不活性ガス量で、いかに短時間で、効率的に行なうかという点については、十分に配慮が
なされたものとなっていない。
特開平08−203993号公報 特開平11−121602号公報 特開平11−307623号公報
In any of these devices, the FOUP is mounted on the mounting table of the FOUP opener, and the oxidizing gas in the FOUP is inactivated by simply switching the valves on the inert gas supply path and the oxidizing gas discharge path. We propose a simple purge system that can be replaced with active gas.
Full consideration has been given to how efficiently gas can be replaced in the FOUP with a small amount of inert gas and in a short time, taking into account the state of opening and closing of the FOUP door. It is not.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-203993 Japanese Patent Laid-Open No. 11-121602 Japanese Patent Laid-Open No. 11-307623

本願の発明は、従来の容器内ガスパージシステムが有する前記のような問題点を解決し
て、容器開閉装置の容器載置台上に載置された当該容器に対し、容器のドアの開閉の状態
等をも考慮しながら、簡単に、少ない不活性ガス量で、短時間で、効率的に容器内の酸化
性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換することができる容器内ガスパージシステム及
びガスパージ方法を提供することを課題とする。
The invention of the present application solves the above-mentioned problems of the conventional gas purge system in a container, and opens / closes the door of the container with respect to the container mounted on the container mounting table of the container opening / closing device. An in-container gas purge system and gas purge method capable of efficiently replacing an oxidizing gas atmosphere in a container with a non-oxidizing gas atmosphere in a short time with a small amount of inert gas The issue is to provide.

前記のような課題は、本願の各請求項に記載された次のような発明により解決される。
すなわち、その請求項1に記載された発明は、半導体ウエハ等の被処理材を密閉した状
態で収容して搬送される容器の開閉装置の容器載置台上に載置された当該容器内の酸化性
ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気で置換するための容器内ガスパージシステムであって、
不活性ガスの供給路と、容器内の酸化性ガスの排出路と、前記供給路と前記排出路とをそ
れぞれの途中で接続するバイパス路とを備え、前記供給路の容器側の一端には、容器に設
けられた給気用パージポートに接合する給気ノズルが設けられ、前記供給路と前記バイパ
ス路との接続部よりも上流側には、第1のバルブが設けられ、前記排出路の容器側の一端
には、容器に設けられた給排気用パージポートに接合する給排気ノズルが設けられ、前記
排出路と前記バイパス路との接続部よりも下流側には、第2のバルブが設けられ、前記バ
イパス路には、第3のバルブが設けられていることを特徴とする容器内ガスパージシステ
ムである。
The above problems can be solved by the following invention described in each claim of the present application.
That is, the invention described in claim 1 relates to the oxidation in the container placed on the container mounting table of the opening / closing device of the container that is accommodated and transported in a sealed state, such as a semiconductor wafer. An in-vessel gas purge system for replacing an oxidizing gas atmosphere with a non-oxidizing gas atmosphere,
An inert gas supply path, an oxidizing gas discharge path in the container, and a bypass path connecting the supply path and the discharge path in the middle of each, and at one end of the supply path on the container side An air supply nozzle joined to an air supply purge port provided in the container; a first valve is provided upstream of a connection portion between the supply path and the bypass path; and the discharge path A supply / exhaust nozzle joined to a supply / exhaust purge port provided in the container is provided at one end on the container side, and a second valve is provided downstream of the connection portion between the discharge path and the bypass path. And the bypass passage is provided with a third valve.

請求項1に記載された発明は、前記のように構成されているので、容器を容器開閉装置
の容器載置台上に載置するだけで、容器に設けられた給気用パージポートを不活性ガス供
給路の一端に設けられた給気ノズルに接合し、また、容器に設けられた給排気用パージポ
ートを酸化性ガス排出路の一端に設けられた給排気ノズルに接合するように構成すること
が可能になる。これにより、容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換する
作業を簡単に行なうことができる。
Since the invention described in claim 1 is configured as described above, the air supply purge port provided in the container is inactivated simply by placing the container on the container mounting table of the container opening / closing device. It is configured to be joined to an air supply nozzle provided at one end of the gas supply path, and to be connected to an air supply / exhaust nozzle provided at one end of the oxidizing gas discharge path. It becomes possible. Thereby, the operation | work which replaces the oxidizing gas atmosphere in a container with a non-oxidizing gas atmosphere can be performed easily.

また、第1ないし第3のバルブの各開閉動作の組合せを種々に変えることにより、容器
の開閉状態等に応じた最適のパージパターンを選択して、容器内のガス置換を行なうこと
ができ、少ない不活性ガス量で、短時間で、効率的に容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化
性ガス雰囲気に置換することが可能になる。
In addition, by changing the combination of the opening and closing operations of the first to third valves in various ways, it is possible to select the optimum purge pattern according to the open / closed state of the container and perform gas replacement in the container. It is possible to efficiently replace the oxidizing gas atmosphere in the container with a non-oxidizing gas atmosphere in a short time with a small amount of inert gas.

また、その請求項2に記載された発明は、請求項1に記載の発明において、第1のバル
ブの開、第3のバルブの開及び第2のバルブの閉動作により、給気ノズル及び給気用パー
ジポートを介して容器内に不活性ガスを供給するとともに、給排気ノズル及び給排気用パ
ージポートを介して容器内に不活性ガスを供給する第1のパージパターンと、第1のバル
ブの開、第3のバルブの閉及び第2のバルブの開動作により、給気ノズル及び給気用パー
ジポートを介して容器内に不活性ガスを供給するとともに、給排気用パージポート及び給
排気ノズルを介して容器内の酸化性ガスを排出する第2のパージパターンとが選択可能に
されており、容器のドアが開いて、開放された状態にある容器のドアが閉じ始め、容器が
閉鎖されるまでの間は、第1のパージパターンが選択され、容器が閉鎖された後は、第2
のパージパターンが選択されることを特徴としている。
Further, the invention described in claim 2 is the invention described in claim 1, in which the supply nozzle and the supply valve are controlled by opening the first valve, opening the third valve, and closing the second valve. A first purge pattern for supplying an inert gas into the container through the gas purge port and supplying an inert gas into the container through the supply / exhaust nozzle and the supply / exhaust purge port, and a first valve By opening the third valve, closing the third valve, and opening the second valve, the inert gas is supplied into the container through the supply nozzle and the supply purge port, and the supply / exhaust purge port and supply / exhaust are supplied. The second purge pattern for discharging the oxidizing gas in the container through the nozzle can be selected, the container door opens, the opened container door starts to close, and the container closes Until the first Jipatan is selected, after the container is closed, the second
This purge pattern is selected.

これにより、容器のドアが開いて、開放された状態にある容器のドアが閉じ始め、容器
が閉鎖されるまでの間は、2つのパージポート(給気用パージポート、給排気用パージポ
ート)から多量の不活性ガスを供給して、迅速に酸化性ガスを追い出し、容器が閉じると
、1つのパージポート(給気用パージポート)から少量の不活性ガスを供給し、残りの1
つのパージポート(給排気用パージポート)から酸化性ガスを排出するようにし、容器内
において不活性ガスの一方向流れを作って、酸化性ガスの滞留域をなくし、容器内を迅速
に不活性ガスで満たすようにすることができ、全体として、少ない不活性ガス量で、短時
間で、効率的に容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換することが可能に
なる。
As a result, the container door is opened, the container door in the opened state begins to close, and the two purge ports (the supply purge port and the supply / exhaust purge port) are closed until the container is closed. A large amount of inert gas is supplied from the exhaust gas to quickly expel the oxidizing gas, and when the container is closed, a small amount of inert gas is supplied from one purge port (purge port for supply air), and the remaining 1
Oxidizing gas is discharged from one purge port (supply / exhaust purge port), creating a one-way flow of inert gas in the container, eliminating the resident area of oxidizing gas, and quickly inerting the container As a whole, it is possible to efficiently replace the oxidizing gas atmosphere in the container with a non-oxidizing gas atmosphere in a short time with a small amount of inert gas.

特に、容器のドアが開いて、開放された状態にある容器のドアが閉じ始め、容器が閉鎖
されるまでの間は、酸化性ガスは、容器から追い出され易い状態にあり、この時点で、第
1のパージパターンが実行されて、2つのパージポートから多量の不活性ガスが供給され
ることにより、酸化性ガスを追い出す処理が、不活性ガスの無駄な消費なくして、迅速に
行なわれる。
In particular, until the container door is opened and the container door in the opened state begins to close and until the container is closed, the oxidizing gas is easily expelled from the container. When the first purge pattern is executed and a large amount of inert gas is supplied from the two purge ports, the process of expelling the oxidizing gas is performed quickly without wasteful consumption of the inert gas.

さらに、その請求項3に記載された発明は、請求項1又は請求項2に記載の発明におい
て、その給気用パージポート及び給排気用パージポートが、容器の底壁の容器開口側の両
端寄りにそれぞれ設けられ、これらのパージポートを介して容器内に不活性ガスを供給す
る方向が、容器の奥側に向けられていることを特徴としている。
Furthermore, the invention described in claim 3 is the invention described in claim 1 or 2, wherein the supply purge port and the supply / exhaust purge port are arranged at both ends of the container bottom wall on the container opening side. It is characterized in that the direction of supplying the inert gas into the container through these purge ports is directed to the back side of the container.

この結果、容器内に供給された不活性ガスは、容器内を残すところなく巡って一方向に
流れて、そこに残存していた酸化性ガスを容器の外に追い出すので、容器内の酸化性ガス
雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換する作業を一層効率的に行なうことができる。
As a result, the inert gas supplied into the container flows in one direction without leaving the inside of the container, and the remaining oxidizing gas is driven out of the container. The operation of replacing the gas atmosphere with a non-oxidizing gas atmosphere can be performed more efficiently.

また、その請求項4に記載された発明は、半導体ウエハ等の被処理材を密閉した状態で
収容して搬送される容器の開閉装置の容器載置台上に載置された当該容器内の酸化性ガス
雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換するための容器内ガスパージ方法であって、容器のド
アが開いて、開放された状態にある容器のドアが閉じ始めてから、容器内に不活性ガスを
供給して、容器内の酸化性ガスを排出するようにしたことを特徴とする容器内ガスパージ
方法である。
Further, the invention described in claim 4 is directed to the oxidation in the container placed on the container mounting table of the opening / closing device of the container that is accommodated and transported in a sealed state such as a semiconductor wafer. In-vessel gas purging method for replacing an oxidizing gas atmosphere with a non-oxidizing gas atmosphere, wherein an inert gas is introduced into the container after the container door is opened and the opened container door starts to close. A container internal gas purging method characterized by supplying and discharging the oxidizing gas in the container.

請求項4に記載された発明は、前記のように構成されているので、容器のドアが開いて
、開放された状態にある容器のドアが閉じ始めてから、不活性ガスを供給して、迅速に酸
化性ガスを追い出し、容器内を迅速に不活性ガスで満たすようにすることができ、全体と
して、少ない不活性ガス量で、短時間で、効率的に容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性
ガス雰囲気に置換することが可能になる。
Since the invention described in claim 4 is configured as described above, after the container door is opened and the container door in the opened state starts to close, an inert gas is supplied to quickly As a result, the inside of the container can be efficiently filled in a short time with a small amount of inert gas. Replacement with an oxidizing gas atmosphere becomes possible.

特に、容器のドアが開いて、開放された状態にある容器のドアが閉じ始める段階では、
酸化性ガスは、容器から追い出され易い状態にあり、この時点で、不活性ガスが供給され
ることにより、酸化性ガスを追い出す処理が、不活性ガスの無駄な消費なくして、迅速に
行なわれる。
In particular, at the stage where the container door opens and the container door in the open state begins to close,
The oxidizing gas is in a state where it can easily be expelled from the container. At this point, the inert gas is supplied, so that the processing for expelling the oxidizing gas is performed quickly without wasteful consumption of the inert gas. .

前記のとおり、本願の発明の容器内ガスパージシステムによれば、容器を容器開閉装置
の容器載置台上に載置するだけで、容器に設けられた給気用パージポートを不活性ガス供
給路の一端に設けられた給気ノズルに接合し、また、容器に設けられた給排気用パージポ
ートを酸化性ガス排出路の一端に設けられた給排気ノズルに接合するように構成すること
が可能になり、容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気で置換する作業を簡単に
行なうことができる。
As described above, according to the in-container gas purge system of the present invention, simply by placing the container on the container mounting table of the container opening / closing device, the purge port for supplying air provided in the container is connected to the inert gas supply path. It is possible to connect to an air supply nozzle provided at one end, and to connect an air supply / exhaust purge port provided in the container to an air supply / exhaust nozzle provided at one end of the oxidizing gas discharge path. Thus, the operation of replacing the oxidizing gas atmosphere in the container with a non-oxidizing gas atmosphere can be easily performed.

また、第1ないし第3のバルブの各開閉動作の組合せを種々に変えることにより、容器
の開閉状態等に応じて最適のパージパターンを選択して、容器内のガス置換を行なうこと
ができ、少ない不活性ガス量で、短時間で、効率的に容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化
性ガス雰囲気に置換することが可能になる。
In addition, by changing the combination of the opening and closing operations of the first to third valves in various ways, the optimum purge pattern can be selected according to the open / closed state of the container, and the gas in the container can be replaced. It is possible to efficiently replace the oxidizing gas atmosphere in the container with a non-oxidizing gas atmosphere in a short time with a small amount of inert gas.

また、本願の発明の容器内ガスパージ方法によれば、容器のドアが開いて、開放された
状態にある容器のドアが閉じ始めてから、不活性ガスを供給して、迅速に酸化性ガスを追
い出し、容器内を迅速に不活性ガスで満たすようにすることができ、全体として、少ない
不活性ガス量で、短時間で、効率的に容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に
置換することが可能になる。
Further, according to the gas purging method in the container of the present invention, the container door is opened and the container door in the opened state starts to close, and then the inert gas is supplied to expel the oxidizing gas quickly. The container can be quickly filled with an inert gas, and as a whole, the oxidizing gas atmosphere in the container can be efficiently replaced with a non-oxidizing gas atmosphere with a small amount of inert gas. It becomes possible to do.

半導体ウエハ等の被処理材を密閉した状態で収容して搬送される容器の開閉装置の容器
載置台上に載置された当該容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換するた
めの容器内ガスパージシステムにおいて、不活性ガスの供給路と、容器内の酸化性ガスの
排出路と、これら供給路と排出路とをそれぞれの途中で接続するバイパス路とを具備せし
める。そして、供給路の容器側の一端には、容器に設けられた給気用パージポートに接合
する給気ノズルを設け、供給路とバイパス路との接続部よりも上流側には、第1のバルブ
が設ける。また、排出路の容器側の一端には、容器に設けられた給排気用パージポートに
接合する給排気ノズルを設け、排出路とバイパス路との接続部よりも下流側には、第2の
バルブを設ける。さらに、バイパス路には、第3のバルブを設ける。
In order to replace the oxidizing gas atmosphere in the container mounted on the container mounting table of the opening / closing device of the container that is accommodated and transported in a sealed state with the processing object such as a semiconductor wafer with a non-oxidizing gas atmosphere In the in-vessel gas purge system, an inert gas supply path, an oxidizing gas discharge path in the container, and a bypass path that connects the supply path and the discharge path in the middle of each other are provided. An air supply nozzle that is joined to an air supply purge port provided in the container is provided at one end of the supply path on the container side, and the first side is provided upstream of the connection portion between the supply path and the bypass path. A valve is provided. In addition, a supply / exhaust nozzle connected to a supply / exhaust purge port provided in the container is provided at one end of the discharge path on the container side, and a second side is provided downstream of the connection part between the discharge path and the bypass path. Provide a valve. Furthermore, a third valve is provided in the bypass path.

このようにして、第1ないし第3のバルブの各開閉動作の組合せを種々に変えることを
可能にして、容器の開閉状態等に応じ、最適のガスパージパターンを選択することができ
るようにする。
In this way, the combination of the opening and closing operations of the first to third valves can be changed in various ways, and the optimum gas purge pattern can be selected according to the opening and closing state of the container.

また、給気用パージポート及び給排気用パージポートは、容器の底壁の容器開口側の両
端寄りにそれぞれ設けるようにし、これらのパージポートを介して容器内に不活性ガスを
供給する方向は、容器の奥側に向くように構成する。
In addition, the air supply purge port and the air supply / exhaust purge port are provided near both ends of the container opening side of the bottom wall of the container, and the direction in which the inert gas is supplied into the container through these purge ports is It is configured to face the inner side of the container.

次に、本願の発明の一実施例について説明する。
図1は、本実施例の容器内ガスパージシステム及びガスパージ方法が適用される容器及
び容器開閉装置の概略側面図、図2は、同容器及び容器開閉装置の概略背面図(図1の左
方から見た図)であって、ドックプレートを省略して示す図、図3は、同容器及び容器開
閉装置の概略平面図、図4は、同容器内ガスパージシステムの構成図である。
Next, an embodiment of the present invention will be described.
1 is a schematic side view of a container and a container opening / closing device to which the gas purge system and gas purging method of the present embodiment are applied, and FIG. 2 is a schematic rear view of the container and the container opening / closing device (from the left side of FIG. 1). FIG. 3 is a schematic plan view of the container and the container opening / closing device, and FIG. 4 is a configuration diagram of the gas purge system in the container.

本実施例の容器内ガスパージシステムは、容器がFOUPであり、容器開閉装置がFO
UPを開閉するFOUPオープナである場合の、これらFOUP及びFOUPオープナに
適用されるものとして、以下、説明される。また、本実施例において、FOUP内に密閉
した状態で収容して搬送される被処理材は、半導体ウエハとされている。
In the container gas purge system of this example, the container is FOUP, and the container opening / closing device is FO.
In the case of a FOUP opener that opens and closes a UP, it will be described below as applied to these FOUPs and FOUP openers. In this embodiment, the material to be processed that is accommodated and transported in a sealed state in the FOUP is a semiconductor wafer.

図1ないし図3には、複数枚の半導体ウエハ2を上下方向に多段に積層して、密閉した
状態で収容したFOUP1が、FOUPオープナ10のFOUP載置台(ドックプレート
と呼ばれる)11上に載置されて、後で詳しく説明されるFOUP内ガスパージシステム
20の配管系統と接続された状態が図示されている。
1 to 3, a FOUP 1 in which a plurality of semiconductor wafers 2 are stacked in multiple stages in the vertical direction and accommodated in a sealed state is placed on a FOUP mounting table (called a dock plate) 11 of a FOUP opener 10. It is shown that it is installed and connected to the piping system of the FOUP gas purge system 20 which will be described in detail later.

FOUPオープナ10は、処理装置の室壁の一部を構成するポートプレート40の処理装置とは反対側の空間内に配置され、該ポートプレート40に一体に取り付けられている。図1において、ポートプレート40より右側の空間が処理装置の室内Aをなし、この室内Aには、窒素Nガスが充填されていて、室内Aは、非酸化性のクリーンな環境に保持されている。 The FOUP opener 10 is disposed in a space opposite to the processing device of the port plate 40 constituting a part of the chamber wall of the processing device, and is integrally attached to the port plate 40. In FIG. 1, the space on the right side of the port plate 40 forms a room A of the processing apparatus, and this room A is filled with nitrogen N 2 gas, and the room A is maintained in a non-oxidative clean environment. ing.

FOUPオープナ10は、処理装置の室内A側にポートドア開閉装置12を有し、この
ポートドア開閉装置12に備えられたポートドア13は、ポートプレート40に形成され
た開口41を開閉し、その内部にFOUP1のドア(図示されず)をFOUP本体から着
脱して保持する機構を備えている。そして、FOUP1がドックプレート11に載置され
た状態でポートプレート40方向に前進して、その開口側端面がポートプレート40に近
接した状態においては、ポートドア13のFOUPドア着脱・保持機構がFOUPドアを
FOUP本体から外してこれを保持し、次いで、ポートドア開閉装置12がポートドア1
3を開口41から離脱させ、ポートプレート40から後退させて、室内A内の下方領域に
退避させる。
The FOUP opener 10 has a port door opening / closing device 12 on the room A side of the processing device, and the port door 13 provided in the port door opening / closing device 12 opens and closes an opening 41 formed in the port plate 40. A mechanism for holding a door (not shown) of the FOUP 1 detachably from the FOUP main body is provided inside. When the FOUP 1 moves forward in the direction of the port plate 40 while being placed on the dock plate 11 and the opening side end face is close to the port plate 40, the FOUP door attaching / detaching / holding mechanism of the port door 13 is FOUP. The door is removed from the FOUP body and held, and then the port door opening and closing device 12 is connected to the port door 1.
3 is removed from the opening 41, retracted from the port plate 40, and retracted to a lower region in the room A.

このようにして、開口41及びFOUP1の開口が開けられ、FOUPドアは室内A内
に収容されて、FOUP1内のウエハ2を処理装置内に転送する準備が整えられる。そし
て、処理装置内において、ウエハ2に所定の処理が施されると、処理済みのウエハ2は、
先とは逆に転送されて、FOUP1内に収容される。次いで、FOUPドアが、ポートド
ア開閉装置12及びポートドア13のFOUPドア着脱・保持機構の作動により、先とは
逆の順序にて、FOUP1の開口に結着されて、FOUP1は密閉される。
Thus, the opening 41 and the opening of the FOUP 1 are opened, the FOUP door is accommodated in the room A, and preparations for transferring the wafer 2 in the FOUP 1 into the processing apparatus are prepared. When a predetermined process is performed on the wafer 2 in the processing apparatus, the processed wafer 2 is
The data is transferred in the reverse direction and stored in the FOUP 1. Next, the FOUP door is attached to the opening of the FOUP 1 in the reverse order by the operation of the FOUP door attaching / detaching / holding mechanism of the port door opening / closing device 12 and the port door 13, and the FOUP 1 is sealed.

ポートドア開閉装置12の駆動部は、FOUPオープナ10内に収容されており、ポー
トプレート40に形成された縦長の開口(図示されず)を介してポートドア開閉装置12
を操作し、これを進退・昇降動させる。
The drive unit of the port door opening / closing device 12 is accommodated in the FOUP opener 10 and is connected to the port door opening / closing device 12 through a vertically long opening (not shown) formed in the port plate 40.
Operate and move it back and forth and up and down.

前記のとおり、室内Aには窒素Nガスが充填されていて、室内Aは、非酸化性のクリーンな環境に保持されているので、FOUP1を開放して内部のウエハ2を処理装置内に転送するに先立っては、FOUP1内にも窒素Nガスを充填して、その内部を不活性ガス(非酸化性ガス)で満たされたクリーンな環境に保持しておく必要がある。また、処理済みのウエハ2をFOUP1内に収容して、FOUP1を密閉するに先立っては、ウエハ2の処理が完了するまでの待機中に、FOUP1の内部に水蒸気が滲出したり、パーティクルが発生したりして、それらが残留している可能性があるので、改めてFOUP1内に窒素Nガスを充填して、その内部を非酸化性のクリーンな環境に保持しておく必要がある。 As described above, since the room A is filled with nitrogen N 2 gas and the room A is maintained in a non-oxidative clean environment, the FOUP 1 is opened and the internal wafer 2 is placed in the processing apparatus. Prior to the transfer, it is necessary to fill the FOUP 1 with nitrogen N 2 gas and keep the inside in a clean environment filled with an inert gas (non-oxidizing gas). Further, before the processed wafer 2 is accommodated in the FOUP 1 and the FOUP 1 is sealed, during the standby until the processing of the wafer 2 is completed, water vapor oozes out or particles are generated inside the FOUP 1. However, since they may remain, it is necessary to refill the FOUP 1 with nitrogen N 2 gas and keep the inside in a non-oxidative clean environment.

これらの必要に応えるために、FOUPオープナ10には、FOUP内ガスパージシス
テム20の配管系が付設されている。
この配管系は、図4に図示されるように、不活性ガス(窒素Nガス)の供給路21と、FOUP1内の酸化性ガスの排出路22と、これら供給路21と排出路22とをそれぞれの途中で接続するバイパス路23とを備えている。
In order to meet these needs, the FOUP opener 10 is provided with a piping system of the gas purge system 20 in the FOUP.
As shown in FIG. 4, the piping system includes an inert gas (nitrogen N 2 gas) supply path 21, an oxidizing gas discharge path 22 in the FOUP 1, and the supply path 21 and the discharge path 22. Are provided in the middle of each of them.

供給路21のFOUP1側の一端には、FOUP1に設けられた給気用パージポート3
に接合する給気ノズル24が設けられ、供給路21とバイパス路23との接続部よりも上
流側には、第1のバルブ26が設けられている。また、排出路22のFOUP1側の一端
には、FOUP1に設けられた給排気用パージポート4に接合する給排気ノズル25が設
けられ、排出路22とバイパス路23との接続部よりも下流側には、第2のバルブ27が
設けられている。さらに、バイパス路23には、第3のバルブ28が設けられている。
At one end of the supply path 21 on the FOUP 1 side, an air supply purge port 3 provided in the FOUP 1 is provided.
An air supply nozzle 24 is provided to be joined to the first gas valve 26, and a first valve 26 is provided on the upstream side of the connection portion between the supply passage 21 and the bypass passage 23. In addition, at one end of the discharge path 22 on the FOUP 1 side, a supply / exhaust nozzle 25 that is joined to the purge port 4 for supply / exhaust provided in the FOUP 1 is provided, and downstream of the connection portion between the discharge path 22 and the bypass path 23. Is provided with a second valve 27. Further, a third valve 28 is provided in the bypass path 23.

また、供給路21とバイパス路23との接続部よりも下流側の供給路21には、第1のフィルタ29が設けられ、バイパス路23の第3のバルブ28よりも下流側には、第2のフィルタ30が設けられている。これらのフィルタ29、30は、窒素Nガス中の微細な浮遊物を除去する。 In addition, a first filter 29 is provided in the supply passage 21 downstream of the connection portion between the supply passage 21 and the bypass passage 23, and the first filter 29 is provided downstream of the third valve 28 in the bypass passage 23. Two filters 30 are provided. These filters 29 and 30 remove fine suspended matters in the nitrogen N 2 gas.

供給路21の他端は、窒素Nガスの供給源に接続され、排出路22の他端は、排気装置により特別の処理装置に導かれ、排気は、最終的には、無害処理が施されて、工場外に廃棄される。窒素Nガスの供給源は、本実施例においては、処理装置の室内Aとされている。この室内Aは、本実施例のFOUP内ガスパージシステム20に比べて大容量であり、窒素Nガスが充填された状態で、正圧に維持されており、室内Aには、窒素Nガスのダウンフローが形成されているので、窒素NガスをFOUP1内に供給するのには、ポンプは必ずしも必要とされず、供給路21の窒素Nガス導入口31は、ポートプレート40の下方部の壁を貫通した部位に設けられている。 The other end of the supply path 21 is connected to a nitrogen N 2 gas supply source, and the other end of the discharge path 22 is led to a special processing device by an exhaust device, and the exhaust is finally subjected to harmless processing. And discarded outside the factory. The supply source of nitrogen N 2 gas is the room A of the processing apparatus in this embodiment. The room A has a larger capacity than the gas purge system 20 in the FOUP of this embodiment, and is maintained at a positive pressure in a state filled with nitrogen N 2 gas. The room A contains nitrogen N 2 gas. Therefore, a pump is not necessarily required to supply nitrogen N 2 gas into the FOUP 1, and the nitrogen N 2 gas inlet 31 of the supply path 21 is located below the port plate 40. It is provided in the site | part which penetrated the wall of the part.

給気用パージポート3、給排気用パージポート4は、詳細には図示されないが、FOU
P1の底壁5(図1参照)であって、そのFOUP1の開口側の両端寄りの部分に、それ
ぞれ設けられている。そして、それらの内部には逆止弁が備えられ、これらの逆止弁は、
所定圧以上のガス流により開放されて、当該ガスの一方向流れを許す。なお、給排気用パ
ージポート4の内部には、給気・排気両用の逆止弁が備えられている。
The purge port 3 for supply air and the purge port 4 for supply and exhaust are not shown in detail, but FOU
The bottom wall 5 of P1 (see FIG. 1) is provided at each of the portions near the both ends of the FOUP 1 on the opening side. And check valves are provided inside them, and these check valves are
It is opened by a gas flow above a predetermined pressure, allowing a one-way flow of the gas. The supply / exhaust purge port 4 is provided with a check valve for both supply and exhaust.

したがって、今、供給路21を通して給気ノズル24にまで導かれた窒素Nガスは、給気ノズル24が給気用パージポート3に接合され、給排気ノズル25が給排気用パージポート4に接合されることにより、給気用パージポート3内の逆止弁を開いて、FOUP1内に噴出し、FOUP1内に供給される。同時に、FOUP1内に残存していた酸化性ガスは、この窒素Nガスにより追い出されて、給排気用パージポート4内の逆止弁を開き、給排気ノズル25を経て、排出路22を通り、FOUP1外に排出、廃棄される。 Therefore, the nitrogen N 2 gas led to the supply nozzle 24 through the supply path 21 is now joined to the supply purge port 3 and the supply / exhaust nozzle 25 to the supply / exhaust purge port 4. As a result of the joining, the check valve in the purge port 3 for supplying air is opened, ejected into the FOUP 1 and supplied into the FOUP 1. At the same time, the oxidizing gas remaining in the FOUP 1 is expelled by the nitrogen N 2 gas, opens the check valve in the purge port 4 for supply / exhaust, passes through the supply / exhaust nozzle 25 and passes through the discharge path 22. , Discharged outside FOUP1 and discarded.

窒素Nガスが給気用パージポート3からFOUP1内に噴出されるとき、その噴出の向きは、FOUP1の開口側とは反対の奥側に向けられている(図1参照)。また、後述するように、窒素Nガスが給排気用パージポート4からFOUP1内に噴出されるようにFOUP内ガスパージシステム20が使用されることもあり、このため、そこからの噴出の向きも、同様に、FOUP1の開口側とは反対の奥側に向けられている。後者の場合の窒素Nガスの噴出の向きは、酸化性ガスがFOUP1内から給排気用パージポート4内に排出されるときの排出の向きとは逆になる。 When nitrogen N 2 gas is ejected from the supply purge port 3 into the FOUP 1, the direction of the ejection is directed to the back side opposite to the opening side of the FOUP 1 (see FIG. 1). Further, as will be described later, the FOUP gas purge system 20 may be used so that nitrogen N 2 gas is ejected from the supply / exhaust purge port 4 into the FOUP 1. Similarly, it is directed to the back side opposite to the opening side of the FOUP 1. The direction of nitrogen N 2 gas ejection in the latter case is opposite to the direction of discharge when oxidizing gas is discharged from the FOUP 1 into the supply / exhaust purge port 4.

給気ノズル24と給気用パージポート3との接合、給排気ノズル25と給排気用パージ
ポート4との接合は、FOUP1がFOUPオープナ10のFOUP載置台(ドックプレ
ート)11上に載置されることにより、自動的に行なわれるように構成することができる
。供給路21、排出路22は、弾力性のあるホースにより形成されているので、FOUP
1が、ドックプレート11の進退動により、ポートプレート40に近づけられたり、遠ざ
けられたりするときに、これらの両接合部は、これと一体になって、進退動が可能であり
、使い勝手が良い。
The FOUP 1 is placed on the FOUP mounting table (dock plate) 11 of the FOUP opener 10 for joining the air supply nozzle 24 and the air supply purge port 3 and joining the air supply / exhaust nozzle 25 and the air supply / exhaust purge port 4. Therefore, it can be configured to be performed automatically. Since the supply path 21 and the discharge path 22 are formed by elastic hoses, FOUP
When 1 is moved closer to or away from the port plate 40 due to the forward / backward movement of the dock plate 11, these two joint portions can be moved forward / backward together with this, which is convenient. .

次に、本実施例のFOUP内ガスパージシステム20の使用形態について説明する。
本実施例のFOUP内ガスパージシステム20によれば、FOUP1の開閉状態等に応
じて、次の2つのパージパターンの選択が可能である。
Next, the usage pattern of the gas purge system 20 in the FOUP of this embodiment will be described.
According to the gas purge system 20 in the FOUP of this embodiment, the following two purge patterns can be selected according to the open / close state of the FOUP 1 and the like.

第1のパージパターンでは、第1のバルブ26の開、第3のバルブ28の開及び第2のバルブ27の閉動作により、給気ノズル24及び給気用パージポート3を介してFOUP1内に窒素Nガスを供給するとともに、給排気ノズル25及び給排気用パージポート4を介しても、FOUP1内に窒素Nガスを供給する。 In the first purge pattern, the opening of the first valve 26, the opening of the third valve 28, and the closing operation of the second valve 27 cause the FOUP 1 to enter the FOUP 1 through the supply nozzle 24 and the supply purge port 3. supplies the nitrogen N 2 gas, even through the supply and exhaust nozzle 25 and the supply and exhaust purge port 4, for supplying nitrogen N 2 gas into the FOUP 1.

また、第2のパージパターンでは、第1のバルブ26の開、第3のバルブ28の閉及び第2のバルブ27の開動作により、給気ノズル24及び給気用パージポート3を介してFOUP1内に窒素Nガスを供給するとともに、給排気用パージポート4及び給排気ノズル25を介してFOUP1内の酸化性ガスを排出する。 In the second purge pattern, the first valve 26 is opened, the third valve 28 is closed, and the second valve 27 is opened, so that the FOUP 1 is supplied via the supply nozzle 24 and the supply purge port 3. Nitrogen N 2 gas is supplied to the inside, and the oxidizing gas in the FOUP 1 is discharged through the supply / exhaust purge port 4 and the supply / exhaust nozzle 25.

そして、FOUP1のドアが開いて、開放された状態にあるFOUP1のドアが閉じ始
め、FOUP1が閉鎖されるまでの間は、第1のパージパターンを選択し、FOUP1が
閉鎖された後は、第2のパージパターンを選択して、FOUP内ガスのパージを行なうよ
うに、FOUP内ガスパージシステム20を使用することができる。
Then, the first purge pattern is selected until the door of FOUP1 is opened, the door of FOUP1 in the opened state begins to close, and FOUP1 is closed. After the FOUP1 is closed, The FOUP gas purge system 20 can be used to select two purge patterns to purge the FOUP gas.

このような使用形態によれば、FOUP1のドアが開いて、開放された状態にあるFOUP1のドアが閉じ始め、FOUP1が閉鎖されるまでの間は、2つのパージポート(給気用パージポート3、給排気用パージポート4)から多量の窒素Nガスを供給して、迅速に酸化性ガスを追い出し、FOUP1が閉じると、1つのパージポート(給気用パージポート3)から少量の窒素Nガスを供給し、残りの1つのパージポート(給排気用パージポート4)から酸化性ガスを排出するようにして、FOUP1内において窒素Nガスの一方向流れを作って、酸化性ガスの滞留域をなくし、FOUP1内を迅速に窒素Nガスで満たすようにすることができ、全体として、少ない窒素Nガス量で、短時間で、効率的にFOUP1内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換することが可能になる。 According to such a form of use, the two FOUP 1 doors open, the FOUP 1 door in the opened state begins to close, and until the FOUP 1 is closed, the two purge ports (supply purge port 3 When a large amount of nitrogen N 2 gas is supplied from the supply / exhaust purge port 4), the oxidizing gas is quickly expelled, and when the FOUP 1 is closed, a small amount of nitrogen N is supplied from one purge port (supply purge port 3). 2 gas is supplied, and the oxidizing gas is discharged from the remaining one purge port (supply / exhaust purge port 4) to create a one-way flow of nitrogen N 2 gas in the FOUP 1. eliminate stagnation zone, it is possible to satisfy rapidly nitrogen N 2 gas within the FOUP 1, as a whole, with a small nitrogen N 2 gas amount, short time, efficiently oxidized in FOUP 1 It is possible to replace the gas atmosphere in a non-oxidizing gas atmosphere.

特に、FOUP1のドアが開いて、開放された状態にあるFOUP1のドアが閉じ始め、FOUP1が閉鎖されるまでの間は、酸化性ガスは、FOUP1から追い出され易い状態にあり、この時点で、第1のパージパターンが実行されて、2つのパージポート3、4から多量の窒素Nガスが供給されることにより、酸化性ガスを追い出す処理が、不活性ガスの無駄な消費なくして、迅速に行なわれる。 Particularly, the FOUP 1 door is opened, the FOUP 1 door in the opened state begins to close, and until the FOUP 1 is closed, the oxidizing gas is in a state that is easily expelled from the FOUP 1. Since the first purge pattern is executed and a large amount of nitrogen N 2 gas is supplied from the two purge ports 3 and 4, the process of expelling the oxidizing gas can be performed quickly without wasteful consumption of inert gas. To be done.

本実施例のFOUP内ガスパージシステムは、前記のように構成されているので、次の
ような効果を奏することができる。
FOUP1をFOUPオープナ10のFOUP載置台(ドックプレート)11上に載置するだけで、FOUP1に設けられた給気用パージポート3を窒素Nガス供給路21の一端に設けられた給気ノズル24に接合し、また、FOUP1に設けられた給排気用パージポート4を酸化性ガス排出路22の一端に設けられた給排気ノズル25に接合するように構成することが可能になるので、FOUP1内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換する作業を簡単に行なうことができる。
Since the FOUP gas purge system of the present embodiment is configured as described above, the following effects can be obtained.
An air supply nozzle provided at one end of a nitrogen N 2 gas supply path 21 is provided with an air supply purge port 3 provided on the FOUP 1 simply by placing the FOUP 1 on the FOUP mounting table (dock plate) 11 of the FOUP opener 10. 24, and the supply / exhaust purge port 4 provided in the FOUP 1 can be joined to the supply / exhaust nozzle 25 provided at one end of the oxidizing gas discharge path 22. The operation of replacing the oxidizing gas atmosphere inside with the non-oxidizing gas atmosphere can be easily performed.

また、第1ないし第3のバルブ26、27、28の各開閉動作の組合せを種々に変えることにより、FOUP1の開閉状態に応じた最適のパージパターンを選択して、FOUP1内のガス置換を行なうことができ、少ない窒素Nガスで、短時間で、効率的にFOUP1内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換することができる。 Further, by changing various combinations of opening / closing operations of the first to third valves 26, 27, and 28, an optimum purge pattern corresponding to the opening / closing state of the FOUP 1 is selected, and gas replacement in the FOUP 1 is performed. The oxidizing gas atmosphere in the FOUP 1 can be efficiently replaced with the non-oxidizing gas atmosphere in a short time with a small amount of nitrogen N 2 gas.

また、給気用パージポート3及び給排気用パージポート4が、FOUP1の底壁5のFOUP開口側の両端寄りにそれぞれ設けられ、これらのパージポート3、4を介してFOUP1内に窒素Nガスを供給する方向が、FOUP1の奥側に向けられているので、FOUP1内に供給された窒素Nガスは、FOUP1内を残すところなく巡って一方向に流れて、そこに残存していた酸化性ガスをFOUP1の外に追い出すので、FOUP1内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換する作業を一層効率的に行なうことができる。 An air supply purge port 3 and an air supply / exhaust purge port 4 are provided near both ends of the bottom wall 5 of the FOUP 1 on the FOUP opening side, and nitrogen N 2 is introduced into the FOUP 1 through these purge ports 3 and 4. Since the gas supply direction is directed to the back side of the FOUP 1, the nitrogen N 2 gas supplied into the FOUP 1 flows in one direction without leaving the FOUP 1 and remains there. Since the oxidizing gas is driven out of the FOUP 1, the work of replacing the oxidizing gas atmosphere in the FOUP 1 with a non-oxidizing gas atmosphere can be performed more efficiently.

さらに、本実施例のFOUP内ガスパージシステムを使用して行なわれる本実施例のF
OUP内ガスパージ方法によれば、次のような効果を奏することができる。
FOUP1のドアが開いて、開放された状態にあるFOUP1のドアが閉じ始めてから
、2つのパージポート(給気用パージポート3、給排気用パージポート4)から多量の不
活性ガスを供給して、迅速に酸化性ガスを追い出し、FOUP1内を迅速に不活性ガスで
満たすようにすることができ、全体として、少ない不活性ガス量で、短時間で、効率的に
FOUP1内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換することが可能になる。
Further, the F of the present embodiment is performed using the gas purge system in the FOUP of the present embodiment.
According to the OUP gas purge method, the following effects can be obtained.
After the door of FOUP1 is opened and the door of FOUP1 in the opened state starts to close, a large amount of inert gas is supplied from two purge ports (supply purge port 3 and supply / exhaust purge port 4). The FOUP 1 can be quickly expelled and the FOUP 1 can be quickly filled with the inert gas. As a whole, the oxidizing gas atmosphere in the FOUP 1 can be efficiently produced in a short time with a small amount of inert gas. Can be replaced with a non-oxidizing gas atmosphere.

特に、FOUP1のドアが開いて、開放された状態にあるFOUP1のドアが閉じ始め
る段階では、酸化性ガスは、FOUP1から追い出され易い状態にあり、この時点で、2
つのパージポート3、4から多量の不活性ガスが供給されることにより、酸化性ガスを追
い出す処理が、不活性ガスの無駄な消費なくして、迅速に行なわれる。
その他、前記したような種々の効果を奏することができる。
In particular, at the stage where the door of the FOUP 1 is opened and the door of the opened FOUP 1 begins to close, the oxidizing gas is easily expelled from the FOUP 1.
By supplying a large amount of inert gas from the two purge ports 3, 4, the process of expelling the oxidizing gas is performed quickly without wasteful consumption of the inert gas.
In addition, various effects as described above can be achieved.

本願の発明は、以上の実施例に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
例えば、FOUP1、FOUPオープナ10、半導体ウエハ2は、下方開口型のSMIFポッド、SMIFポッドオープナ、ガラス基板とされてもよい。また、窒素Nガスは、他の不活性ガスに変えられてもよい。
The invention of the present application is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
For example, the FOUP 1, the FOUP opener 10, and the semiconductor wafer 2 may be a lower opening type SMIF pod, an SMIF pod opener, and a glass substrate. Further, the nitrogen N 2 gas may be changed to another inert gas.

また、FOUP内ガスパージシステム20の使用形態において、FOUP1のドアが開
いて、開放された状態にあるFOUP1のドアが閉じ始め、FOUP1が閉鎖されるまで
の間であっても、FOUP1内に残留する酸化性ガス量が少ない場合には、第2のパージ
パターンを選択して、FOUP内ガスのパージを行なうように、FOUP内ガスパージシ
ステム20を使用することが可能である。このようにしても、FOUP1内に残留する酸
化性ガスを迅速に排出することができる。
Further, in the usage form of the gas purge system 20 in the FOUP, the door of the FOUP 1 is opened, the door of the opened FOUP 1 starts to be closed, and remains in the FOUP 1 even until the FOUP 1 is closed. When the amount of oxidizing gas is small, the FOUP gas purge system 20 can be used to select the second purge pattern and purge the FOUP gas. Even in this case, the oxidizing gas remaining in the FOUP 1 can be quickly discharged.

さらに、処理装置の室内Aに窒素Nガスが充填されない場合もあり、この場合には、FOUP1内に供給される窒素Nガスの供給源は、通常、工場設備として配備される窒素Nガスの供給配管系から得られることになる。 Furthermore, in some cases nitrogen N 2 gas into the chamber A of the processing apparatus is not filled, in this case, the source of nitrogen N 2 gas supplied into the FOUP1 typically nitrogen N 2 which is deployed as factory equipment It will be obtained from the gas supply piping system.

本実施例の容器内ガスパージシステム及びガスパージ方法が適用される容器及び容器開閉装置の概略側面図である。1 is a schematic side view of a container and a container opening / closing device to which an in-container gas purge system and a gas purge method of the present embodiment are applied. 同容器及び容器開閉装置の概略背面図(図1の左方から見た図)であって、ドックプレートを省略して示す図である。It is a schematic rear view (figure seen from the left side of FIG. 1) of the container and the container opening / closing device, and is a view in which the dock plate is omitted. 同容器及び容器開閉装置の概略平面図である。It is a schematic plan view of the container and the container opening / closing device. 同容器内ガスパージシステムの構成図である。It is a block diagram of the gas purge system in the container.

符号の説明Explanation of symbols

1…FOUP(容器)、2…半導体ウエハ、3…給気用パージポート、4…給排気用パ
ージポート、5…底壁、10…FOUPオープナ(容器開閉装置)、11…FOUP載置
台(ドックプレート)、12…ポートドア開閉装置、13…ポートドア、20…FOUP
内ガスパージシステム、21…供給路、22…排出路、23…バイパス路、24…給気ノ
ズル、25…給排気ノズル、26…第1のバルブ、27…第2のバルブ、28…第3のバ
ルブ、29…第1のフィルタ、30…第2のフィルタ、31…ガス導入口、40…ポート
プレート、41…開口。

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... FOUP (container), 2 ... Semiconductor wafer, 3 ... Supply purge port, 4 ... Supply / exhaust purge port, 5 ... Bottom wall, 10 ... FOUP opener (container opening / closing device), 11 ... FOUP mounting table (dock) Plate), 12 ... port door opening and closing device, 13 ... port door, 20 ... FOUP
Internal gas purge system, 21 ... supply path, 22 ... discharge path, 23 ... bypass path, 24 ... air supply nozzle, 25 ... air supply / exhaust nozzle, 26 ... first valve, 27 ... second valve, 28 ... third Valve, 29 ... 1st filter, 30 ... 2nd filter, 31 ... Gas inlet, 40 ... Port plate, 41 ... Opening.

Claims (4)

半導体ウエハ等の被処理材を密閉した状態で収容して搬送される容器の開閉装置の容器
載置台上に載置された当該容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換するた
めの容器内ガスパージシステムであって、
不活性ガスの供給路と、
容器内の酸化性ガスの排出路と、
前記供給路と前記排出路とをそれぞれの途中で接続するバイパス路と
を備え、
前記供給路の容器側の一端には、容器に設けられた給気用パージポートに接合する給気
ノズルが設けられ、
前記供給路と前記バイパス路との接続部よりも上流側には、第1のバルブが設けられ、
前記排出路の容器側の一端には、容器に設けられた給排気用パージポートに接合する給
排気ノズルが設けられ、
前記排出路と前記バイパス路との接続部よりも下流側には、第2のバルブが設けられ、
前記バイパス路には、第3のバルブが設けられている
ことを特徴とする容器内ガスパージシステム。
In order to replace the oxidizing gas atmosphere in the container mounted on the container mounting table of the opening / closing device of the container that is accommodated and transported in a sealed state with the processing object such as a semiconductor wafer with a non-oxidizing gas atmosphere In-vessel gas purge system,
An inert gas supply path;
A discharge path for the oxidizing gas in the container;
A bypass path connecting the supply path and the discharge path in the middle of each;
At one end on the container side of the supply path, an air supply nozzle that is joined to an air supply purge port provided in the container is provided,
A first valve is provided on the upstream side of the connection portion between the supply passage and the bypass passage,
A supply / exhaust nozzle connected to a supply / exhaust purge port provided in the container is provided at one end of the discharge path on the container side,
A second valve is provided on the downstream side of the connection portion between the discharge passage and the bypass passage,
A gas purge system in a container, wherein the bypass passage is provided with a third valve.
前記第1のバルブの開、前記第3のバルブの開及び前記第2のバルブの閉動作により、
前記給気ノズル及び前記給気用パージポートを介して容器内に不活性ガスを供給するとと
もに、前記給排気ノズル及び前記給排気用パージポートを介して容器内に不活性ガスを供
給する第1のパージパターンと、
前記第1のバルブの開、前記第3のバルブの閉及び前記第2のバルブの開動作により、
前記給気ノズル及び前記給気用パージポートを介して容器内に不活性ガスを供給するとと
もに、前記給排気用パージポート及び前記給排気ノズルを介して容器内の酸化性ガスを排
出する第2のパージパターンと
が選択可能にされており、
容器のドアが開いて、開放された状態にある容器のドアが閉じ始め、容器が閉鎖される
までの間は、前記第1のパージパターンが選択され、容器が閉鎖された後は、前記第2の
パージパターンが選択される
ことを特徴とする請求項1に記載の容器内ガスパージシステム。
By opening the first valve, opening the third valve, and closing the second valve,
First, an inert gas is supplied into the container through the supply nozzle and the supply purge port, and an inert gas is supplied into the container through the supply / exhaust nozzle and the supply / exhaust purge port. Purge pattern of
By opening the first valve, closing the third valve, and opening the second valve,
The inert gas is supplied into the container through the air supply nozzle and the air supply purge port, and the oxidizing gas in the container is discharged through the air supply / exhaust purge port and the air supply / exhaust nozzle. And a purge pattern of
The first purge pattern is selected until the container door is opened, the container door in the opened state begins to close, and the container is closed.After the container is closed, the first purge pattern is selected. The in-vessel gas purge system according to claim 1, wherein two purge patterns are selected.
前記給気用パージポート及び前記給排気用パージポートは、容器の底壁の容器開口側の
両端寄りにそれぞれ設けられ、
これらのパージポートを介して容器内に不活性ガスを供給する方向は、容器の奥側に向
けられている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の容器内ガスパージシステム。
The air supply purge port and the air supply / exhaust purge port are provided near both ends on the container opening side of the bottom wall of the container,
The in-container gas purge system according to claim 1 or 2, wherein a direction in which the inert gas is supplied into the container through the purge port is directed to the back side of the container.
半導体ウエハ等の被処理材を密閉した状態で収容して搬送される容器の開閉装置の容器
載置台上に載置された当該容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換するた
めの容器内ガスパージ方法であって、
容器のドアが開いて、開放された状態にある容器のドアが閉じ始めてから、容器内に不
活性ガスを供給して、容器内の酸化性ガスを排出するようにした
ことを特徴とする容器内ガスパージ方法。













In order to replace the oxidizing gas atmosphere in the container mounted on the container mounting table of the opening / closing device of the container that is accommodated and transported in a sealed state with the processing object such as a semiconductor wafer with a non-oxidizing gas atmosphere A gas purging method in the container,
A container characterized in that an inert gas is supplied into the container and an oxidizing gas in the container is discharged after the container door is opened and the container door in the opened state begins to close. Internal gas purge method.













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