JP2006004976A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）から成る半導体の結晶成長基板上に III族窒化物系化合物半導体より成るバッファ層とバリア層とを有し、前記バッファ層の前記バリア層に対する界面側にチャネルが形成された電界効果トランジスタの製造方法において、
   前記バッファ層の少なくとも一部分を、ノンドープのＡｌ _x Ｇａ _1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）から成る高抵抗半導体層Ａにより形成し、
   少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
   前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長温度は、
   １１２０℃以上、１１６０℃以下である
   ことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
2. 少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
   前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長速度は、
   ６５ｎｍ／ｍｉｎ以上である
   ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
3. 前記高抵抗半導体層Ａは、
   ノンドープのＧａＮ結晶から成る
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
4. 少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
   前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長速度は、
   １００ｎｍ／ｍｉｎ以下である
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
5. 少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
   前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長速度は、
   ７０ｎｍ／ｍｉｎ以上、９０ｎｍ／ｍｉｎ以下である
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
6. 少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
   前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長温度は、
   １１３０℃以上、１１５０℃以下である
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
7. 少なくとも前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長初期段階において、
   前記高抵抗半導体層Ａの結晶成長工程において、反応室内に供給する結晶材料ガスのＶ／III 比は、
   １４００以上、１５５０以下である
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
8. 前記高抵抗半導体層Ａは、１×１０⁸ Ωｃｍ以上の抵抗率を有することを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
9. 結晶成長基板上に III族窒化物系化合物半導体より成るバッファ層とバリア層とを有し、前記バッファ層の前記バリア層に対する界面側にチャネルが形成される電界効果トランジスタにおいて、
   前記バッファ層の少なくとも一部分は、
   ノンドープのＡｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）から形成された、抵抗率が１×１０⁸ Ωｃｍ以上の高抵抗半導体層Ａを用いて形成されている
   ことを特徴とする電界効果トランジスタ。
10. 結晶成長基板上に III族窒化物系化合物半導体より成る複数の半導体層を積層することにより形成される半導体デバイスにおいて、
    電流漏れを阻止又は抑制する高抵抗層を有し、
    前記高抵抗層は、
    ノンドープのＡｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）から形成された、抵抗率が１×１０⁸ Ωｃｍ以上の高抵抗半導体層Ａを用いて形成されている
    ことを特徴とする半導体デバイス。