JP2006098075A

JP2006098075A - 放射線画像変換パネル及びその製造方法

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Publication number: JP2006098075A
Application number: JP2004281152A
Authority: JP
Inventors: Sunao Arimoto; 直有本; Takafumi Yanagida; 貴文柳多
Original assignee: Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Current assignee: Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority date: 2004-09-28
Filing date: 2004-09-28
Publication date: 2006-04-13

Abstract

【課題】支持体と輝尽性蛍光体層との接着性が向上し、かつ構造モトルの良好な放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】支持体上に、気相堆積法により形成した輝尽性蛍光体層及び保護層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該輝尽性蛍光体層の形成前に支持体表面をエネルギー照射処理する。
【選択図】なし

Description

本発明は、支持体と輝尽性蛍光体層との接着性が向上し、かつ構造モトルの良好な放射線画像変換パネル及びその製造方法に関する。

Ｘ線画像のような放射線画像は、病気診断用等の分野で多く用いられている。このＸ線画像を得る方法としては、被写体を通過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これにより可視光を生じさせた後、この可視光を通常の写真を撮るときと同様にして、ハロゲン化銀写真感光材料に照射し、次いで現像処理を施して可視銀画像を得る、いわゆる放射線写真方式が広く利用されている。

しかしながら、近年では、ハロゲン化銀塩を有するハロゲン化銀写真感光材料による画像形成方法に代わり、蛍光体層から直接画像を取り出す新たな方法が提案されている。

この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、しかる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を検出し画像化する方法がある。

具体的には、例えば、米国特許第３，８５９，５２７号及び特開昭５５−１２１４４号等に記載されているような輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換方法が知られている。

この方法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて、その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線等の電磁波（励起光）で時系列的に走査・励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して、電気信号を得て、この信号をハロゲン化銀写真感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等の表示装置上に可視像として再生するものである。

上記の放射線画像の再生方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せによる放射線写真法と比較して、はるかに少ない被曝線量で、かつ情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点を有している。

このように輝尽性蛍光体は、放射線を照射した後、励起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的には、波長が４００〜９００ｎｍの範囲にある励起光によって、３００〜５００ｎｍの波長範囲の輝尽発光を示す蛍光体が一般的に利用される。

これらの輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後、励起光の走査によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後に再度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能である。つまり従来の放射線写真法では、一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線画像変換方法では放射線画像変換パネルを繰り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有利である。

放射線画像変換パネルを使用した放射線画像変換方式の優劣は、放射線画像変換パネルの輝尽性発光輝度及びパネルの発光均一性に大きく左右され、特に、これらの特性は用いる輝尽性蛍光体の特性が大きく支配されていることが知られている。

また、さまざま条件下で用いられる放射線画像変換パネルにおいて、支持体と蛍光体層との接着性が重要な特性の１つであり、特許文献１では支持体と蛍光体層間に架橋剤を含有する下引き層を設ける方法が開示されているが、単に下引き層を設けるだけでは、その上に塗設される蛍光体層の乾燥過程で、蛍光体層に含まれる溶剤の拡散により、下引き層が溶解したり、あるいは変形により蛍光体層の面質が不均一となり、画像ムラを招く結果となる。

また、蛍光体シートの製造過程において、支持体上に下引き層を形成後、一旦ロール状に積層した状態で巻き取ったり、あるいは規定のサイズのシート状とし、それらを積層して保存させる場合、積層された状態で一定期間保存されると下引き層と上部の支持体裏面とでブロッキング現象を起こし、接着してしまう故障がしばしば発生する。

このように、放射線画像変換パネルにおいては、支持体との接着性が改良された放射線画像変換パネルの開発が切望されている。

一方、正確な診断のためにより高画質画像を得ることができる放射線画像変換パネル、ひいてはその放射線画像変換パネルを実現するための輝尽性蛍光体への要求が高まっている。特に被爆線量を減少させつつ、有効な画像を得るために、高輝度の輝尽性蛍光体への要求が高い。また診断上画質特性の良好な輝尽性蛍光体への要求も高い。とりわけ、粒状性に大きく影響を与える蛍光体層の構造的乱れからくる、構造モトルの向上が切望されている。

上記の液相で製造される輝尽性蛍光体は輝度、粒状性の点で有利であるが、液相にて輝尽性蛍光体を得る場合、例えば、特許文献２、３に記載の方法では、収率が低く生産性が悪いという問題点を有している。収率を上げるために母液中の沃化バリウム濃度を下げると、粒子の肥大化を招き、これは画質特性上好ましくない。

輝尽性蛍光体、特にアルカリ土類金属弗化沃化物系輝尽性蛍光体の収率を上げる試みとしては、特許文献４に反応母液の濃度とフッ素源を添加した後、濃縮することにより基本組成式ＢａＦＩ：ｘＬｎ（Ｌｎ：Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の希土類元素）を満たす希土類含有角状弗化沃化バリウム結晶を得る方法が開示されている。本発明者らが追試を行った結果、記載どおりＢａＦＩ角状結晶は生成したものの、自然蒸発による濃縮を用いているため著しく生産性が低く、工業的には現実的ではないことが分かった。また、得られる角状結晶も粒径が大きく、かつ粒径分布が広いため、画像特性、特に構造モトルが悪く、実用に供することができないことが分かった。
特公平４−４４９５９号公報特開平１０−８８１２５号公報特開平９−２９１２７８号公報特開平１１−２９３２４号公報

本発明の目的は、支持体と輝尽性蛍光体層との接着性が向上し、かつ構造モトルの良好な放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することにある。

本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。

（請求項１）
支持体上に、気相堆積法により形成した輝尽性蛍光体層及び保護層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該輝尽性蛍光体層の形成前に支持体表面をエネルギー照射処理することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。

（請求項２）
前記エネルギー照射処理がプラズマ処理であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。

（請求項３）
前記支持体がアルミニウムを主成分とする金属基板またはガラスであることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。

（請求項４）
前記エネルギー照射処理後における支持体表面の炭素量が２０ａｔｍ％以下であることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。

（請求項５）
請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法により得られることを特徴とする放射線画像変換パネル。

（請求項６）
前記輝尽性蛍光体層が下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項５に記載の放射線画像変換パネル。

一般式（１）
Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｅＡ
（式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＭ¹以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ³はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ、Ｘ′及びＸ″は各々Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ及びＹからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。）
（請求項７）
前記輝尽性蛍光体層が下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項６に記載の放射線画像変換パネル。

一般式（２）
ＣｓＸ：Ａ
（式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＧａまたはＣｅを表す。）

本発明により、支持体と輝尽性蛍光体層との接着性が向上し、かつ構造モトルの良好な放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することができる。

本発明者は鋭意研究の結果、支持体上に、気相堆積法により形成した輝尽性蛍光体層及び保護層を有する放射線画像変換パネルの製造において、該輝尽性蛍光体層の形成前に支持体表面をエネルギー照射処理することにより、支持体と輝尽性蛍光体層との接着性が向上し、かつ構造モトルの良好な放射線画像変換パネルが得られることを見出した。

以下、本発明を詳細に説明する。

〔支持体〕
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる支持体としては、各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられ、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラス、また、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シートまたは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが挙げられる。中でもアルミニウムを主成分とする金属基板またはガラスが好ましい。これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。

また、本発明においては、支持体と輝尽性蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて支持体の表面に予め接着層を設けてもよい。これら支持体の厚みは用いる支持体の材質等によって異なるが、一般的には８０〜２０００μｍであり、取り扱い上の観点からさらに好ましいのは８０〜１０００μｍである。

〔支持体のエネルギー照射処理〕
本発明は、輝尽性蛍光体層の形成前に前処理として支持体表面をエネルギー照射処理することが特徴である。製造に用いられる支持体（基板）は、通常表面に有機物等の汚染があり、また取り扱い中に汚染されることがあるため、この上に輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を形成すると、汚染（皮膜または粒子状）上に輝尽性蛍光体層が形成されるため、結果として、基板と蒸着膜が剥離したり、あるいは輝尽性蛍光体層内部に亀裂等の構造的乱れが発生すると推定される。このことは、支持体と蛍光体層との接着性を低下させ、また、蛍光体層の構造的乱れが粒状性に大きく影響し、得られる放射線画像の画質（構造モトル）を低下させることになる。

輝尽性蛍光体層の形成前に支持体をエネルギー照射処理することにより、支持体表面の汚れ、特に有機物が除去され、また表面が改質される。

本発明において、エネルギー照射処理とは、コロナ放電、火焔処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、プラズマ処理、レーザー処理、オゾン酸化処理等の表面処理をいう。

この表面処理のうち、コロナ放電処理は、例えば、特公昭４８−５０４３号、同４７−５１９０５号、特開昭４７−２８０６７号、同４９−８３７６７号、同５１−４１７７０号、同５１−１３１５７６号等に開示された方法により達成することができる。放電周波数は５０〜５０００ＫＨＺ、好ましくは５〜数１００ＫＨＺが適当である。放電周波数が小さすぎると、安定な放電が得られずかつ被処理物にピンホールが生じ、好ましくない。また周波数が高すぎると、インピーダンスマッチングのための特別な装置が必要となり、装置の価格が高くなり好ましくない。被処理物の処理強度に関しては、０．００１〜５ｋＶ・Ａ・分／ｍ²、好ましくはは０．０１〜１ｋＶ・Ａ・分／ｍ²が適当である。電極と誘電体ロールのギャップクリアランスは０．５〜２．５ｍｍ、好ましくは１．０〜２．０ｍｍが適当である。

表面処理であるグロー放電処理は、例えば特公昭３５−７５７８号、同３６−１０３３６号、同４５−２２００４号、同４５−２２００５号、同４５−２４０４０号、同４６−４３４８０号、米国特許３，０５７，７９２号、同３，０５７，７９５号、同３，１７９，４８２号、同３，２８８，６３８号、同３，３０９，２９９号、同３，４２４，７３５号、同３，４６２，３３５号、同３，４７５，３０７号、同３，７６１，２９９号、英国特許９９７，０９３号、特開昭５３−１２９２６２号等を用いることができる。グロー放電処理条件は、一般に圧力は０．６５〜２．３×１０³Ｐａ、好ましくは２．６〜２６０が適当である。圧力が低すぎると表面処理効果が低下し、また圧力が高すぎると過大電流が流れ、スパークが起こりやすく、危険でもあるし、被処理物を破壊する恐れもある。放電は、真空タンク中で１対以上の空間を置いて配置された金属板または金属棒間に高電圧を印加することにより生じる。この電圧は、雰囲気気体の組成、圧力により色々な値をとり得るものであるが、通常上記圧力範囲内では、５００〜５０００Ｖの間で安定な定常グロー放電が起こる。接着性を向上せしめるのに特に好適な電圧範囲は、２０００〜４０００Ｖである。

また、放電周波数として、従来技術に見られるように、直流から数１０００ＭＨｚ、好ましくは５０〜２０ＭＨｚが適当である。放電処理強度に関しては、所望の接着性能が得られることから０．０１〜５ｋＶ・Ａ・分／ｍ²、好ましくは０．１５〜１ｋＶ・Ａ・分／ｍ²が適当である。

グロー放電処理する際の放電雰囲気ガス組成は、好ましくは水蒸気分圧が、１０〜１００％が好ましく、さらに好ましくは４０〜９０％である。水蒸気以外のガスは酸素、窒素等からなる空気である。このようなグロー放電の処理雰囲気中に水蒸気を定量的に導入する方法は、グロー放電処理装置に取り付けたサンプリングチューブからガスを４極子型質量分析器（日本真空製ＭＳＱ−６１５０）に導き、組成を定量しながら行うことで達成できる。

表面処理すべき支持体を予め加熱した状態でグロー放電処理を行うと、短時間の処理で汚染物が除去され、また支持体の黄色化を大幅に減少させることができる。予熱温度は５０〜ガラス転移温度（Ｔｇ）以下が好ましく、７０〜Ｔｇがより好ましく、９０〜Ｔｇがさらに好ましい。真空中でポリマー表面温度を上げる具体的方法としては、赤外線ヒータによる加熱、熱ロールに接触させることによる加熱等がある。

グロー放電処理は、冷媒流路となる中間部を持つ電極をフィルムの幅方向に複数対向させて設置し、支持体を搬送しながら処理するのが好ましい。

グロー放電処理時の真空度は０．６５〜２．３×１０³Ｐａが好ましく、より好ましくは２．６〜２６０Ｐａが適当である。また、電圧は５００〜５０００Ｖの間が好ましく、より好ましくは５００〜３０００Ｖである。

使用する放電周波数は、直流から数千ＭＨｚ、より好ましくは５０Ｈｚ〜２０ＭＨｚ、さらに好ましくは１ＫＨｚ〜１ＭＨｚである。

放電処理強度は、０．０１〜５ｋＶ・Ａ・分／ｍ²が好ましく、より好ましくは０．１５〜１ｋＶ・Ａ・分／ｍ²である。

グロー放電処理を施した支持体は、直ちに特開平３−３９１０６号記載の方法で冷却ロールを用いて温度を下げることが好ましい。

紫外線照射処理は特公昭４３−２６０３号、同４３−２６０４号、同４５−３８２８号記載の処理方法によって行われるのが好ましい。水銀灯は石英管からなる高圧水銀灯で、紫外線の波長が１８０〜３８０ｎｍの間であるものが好ましい。

紫外線処理は、従来知られているいずれの方法、例えば特公昭３９−１４５３４号、同３９−１６０９４号、同４５−３８２８号等を用いることができる。

紫外線照射の方法については、光源は被支持体の表面温度が１５０℃前後にまで上昇することが支持体性能上問題なければ、主波長が３６５ｎｍの高圧水銀灯ランプを使用することができる。低温処理が必要とされる場合には主波長が２５４ｎｍの低圧水銀灯が好ましい。またオゾンレスタイプの高圧水銀ランプ、及び低圧水銀ランプを使用することも可能である。

好ましい実施方法としては３６５ｎｍを主波長とする高圧水銀ランプで、照射光量２０〜１００００ｍＪ／ｃｍ²がよく、より好ましくは５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ²である。２５４ｎｍを主波長とする低圧水銀ランプの場合には、照射光量１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ²がよく、より好ましくは３００〜１５００ｍＪ／ｃｍ²である。特公昭３９−１２８３８号、特開昭４７−１９８２４号、特開昭４８−２８０６７号、特開昭５２−４２１１４号記載等の処理方法によって行うことができる。

火災処理に用いるガスは天然ガス、液化プロパンガス、都市ガスのいずれでもかまわないが、空気との混合比が重要である。なぜなら、火炎処理による表面処理の効果は活性な酸素を含むプラズマによってもたらされると考えられるからであり、火炎の重要な性質であるプラズマの活性（温度）と酸素がどれだけ多くあるかがポイントである。このふたつを決めているのはガス／酸素比であり、過不足なく反応する場合がエネルギー密度が最も高くなりプラズマの活性が高くなる。具体的には、天然ガス／空気の好ましい混合比は容積比で１／６〜１／１０、好ましくは１／７〜１／９である。また、液化プロパンガス／空気の場合は１／１４〜１／２２、好ましくは１／１６〜１／１９、都市ガス／空気の場合は１／２〜１／８、好ましくは１／３〜１／７である。

また、火炎処理量は４〜２００ｋＪ／ｍ²、より好ましくは８〜８０ｋＪ／ｍ²の範囲で行うとよい。またバーナーの内炎の先端と支持体の距離は３〜７ｃｍ、より好ましくは４〜６ｃｍにするとよい。バーナーのノズル形状は、フリンバーナー社（米国）のリボン式、ワイズ社（米国）の多穴式、エアロジェン（英国）のリボン式、春日電機（日本）の千鳥型多穴式、小池酸素（日本）の千鳥型多穴式が好ましい。火炎処理の支持体を支えるバックアップロールは中空型ロールであり、冷却水を通して水冷し、常に２０〜５０℃の一定温度で処理するのがよい。

プラズマ処理はオゾンの発生もなく、非常に効果的であり、本発明ではプラズマ処理が好ましい。

プラズマ処理の時間等は条件により異なるので一概にはいえないが、プラズマ処理の条件にはプラズマ処理ガス条件（ガス種、ガス濃度、ガス封入条件、圧力等）、電界強度、放電条件等がある。これらは適宜コントロールすることができる。

一般的にプラズマ処理用ガスとしては、酸素、水素、フッ素、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の他、フッ化炭素（例えば、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆等）やハイドロカーボン類（例えば、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆等）、シラン類（例えば、テトラメチルシラン等）のガスを使用することができる。またこれらのガスの内、２種以上を混合して使用してもよい。本発明においては、アルゴンを単独もしくは混合して用いることが特に好ましい。

プラズマ処理モードとしては、高周波印加電極と接地電極間でプラズマを発生させるＤＰ（ＤｉｒｅｃｔＰｌａｓｍａ）またはＰＥ（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ）方式、あるいは試料を高周波印加電極上に置くことにより、電極でのマイナス電位のセルフバイアス電圧を利用して、プラスイオンをこの電圧により加速させて試料面上に衝突させるＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）方式等が知られている。ＤＰまたはＰＥ方式では化学反応が主体であり、ＲＩＥ方式では物理的スパッタリング効果が主体である。

本発明においては、必要に応じていずれの処理モードを使用してもよい。

支持体として、各種のガラス、金属、特にアルミニウムを主成分とする金属基板等を用いる場合には、エネルギー照射処理後における支持体表面の炭素量が２０ａｔｍ％以下であることが好ましい。エネルギー照射処理が過剰になると基材がダメージを受けるので、これが支持体表面の炭素量の下限である。

各種のガラス、金属、特にアルミニウムを主成分とする金属基板表面の炭素量は、炭素原子の原子数％（ａｔｍ％）はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）表面分析装置により測定することができる。以下にその方法を説明する。

まず、ＸＰＳ表面分析装置を以下の条件にセットする。

Ｘ線アノード：Ｍｇ
Ｘ線出力：６００Ｗ
光電子取り込み角：３０〜６０度
分解能：１．５〜１．７ｅＶ（分解能は清浄なＡｇの３ｄ５／２ピークの半値巾で規定する）
なお、試料の固定には、いわゆる粘着テープは使用しない。ＸＰＳ表面分析装置の機種としては特に限定はなく、種々の装置を使用することができるが、本願においては、ＶＧ社製ＥＳＣＡＬＡＢ−２００Ｒを用いた。測定は、まずワイドスキャンで元素の定性を行い、検出された元素についてさらにナロースキャンを行い各元素のスペクトルを測定した。この時、データの取り込み間隔は０．２ｅＶとした。次に、各元素についてＣｏｕｎｔＳｃａｌｅのキャリブレーションを行い、５ポイントのスムージング処理を行う。さらに、各元素についてピークエリア強度（ｃｐｓ×ｅＶ）を求め、感度係数で補正し、各元素の原子数％を求めた。ただし、感度係数は測定装置により異なるため、基準物質で補正した値を用いることが望ましい。また、測定箇所のばらつきを抑えるために各試料で５点以上測定してその平均値を用いる。

〔輝尽性蛍光体〕
気相堆積法に用いることのできる輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭４８−８０４８７号に記載されているＢａＳＯ₄：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ₄：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ₄：Ａｘで表される蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されているＮａ₂ＳＯ₄、ＣａＳＯ₄及びＢａＳＯ₄等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂの中少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ、ＭｇＳＯ₄及びＣａＦ₂等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されているＬｉ₂Ｂ₄Ｏ₇：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬｉ₂Ｏ・（Ｂｅ₂Ｏ₂）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、米国特許第３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ及び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎｘで表される蛍光体が挙げられる。また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘＡｌ₂Ｏ₃：Ｅｕで挙げられるアルミン酸バリウム蛍光体、及び、一般式がＭ（II）Ｏ・ｘＳｉＯ₂：Ａで表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。

また、特開昭５５−１２１４３号に記載されている一般式が（Ｂａ_1-xー_yＭｇ_xＣａ_y）Ｆ_x：Ｅｕ²⁺で表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式がＬｎＯＸ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されている一般式が（Ｂａ_1-xＭ（II）_x）Ｆ_x：ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されている一般式がＭ（II）ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表される希土類元素賦活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ＺｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Ｘで表される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載されている下記いずれかの一般式
ｘＭ₃（ＰＯ₄）₂・ＮＸ₂：ｙＡ
ｘＭ₃（ＰＯ₄）₂：ｙＡ
で表される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載されている下記いずれかの一般式
ｎＲｅＸ₃・ｍＡＸ′₂：ｘＥｕ
ｎＲｅＸ₃・ｍＡＸ′₂：ｘＥｕ，ｙＳｍ
で表される蛍光体、特開昭６１−７２０８７号に記載されている下記一般式
Ｍ（Ｉ）Ｘ・ａＭ（II）Ｘ′₂・ｂＭ（III）Ｘ″₃：ｃＡ
で表されるアルカリハライド蛍光体、及び特開昭６１−２２８４００号に記載されている一般式Ｍ（Ｉ）Ｘ：ｘＢｉで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。

本発明では、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体粒子が好ましい。

一般式（１）
Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｅＡ
一般式（１）において、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属であり、Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ、Ｘ′及びＸ″は各々Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。

さらに、前記一般式（１）においては、Ｍ¹がＫ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であること、ＸがＢｒ及びＩから選ばれる少なくとも１種のハロゲンであること、Ｍ²がＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくとも１種の２価金属であること、Ｍ³がＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属であること、ｂが０≦ｂ≦１０^-2であること、Ａが、Ｅｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることが好ましい。

また、本発明においては、輝尽性蛍光体が柱状結晶を有することが好ましく、柱状結晶が、主成分として下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。

一般式（２）
ＣｓＸ：ｙＡ
一般式（２）において、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＴｂまたはＣｅを表す。ｙは１×１０^-7〜１×１０^-2までの数値を表す。

〔輝尽性蛍光体層の形成〕
はじめに、気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成について説明する。

輝尽性蛍光体を気相堆積させる方法としては蒸着法、スパッタ法及びＣＶＤ法等がある。

蒸着法は、支持体を気相堆積装置内に設置し、装置内を排気して一旦１．３３×１０^-4Ｐａ程度の真空とした後、調圧ガスを導入して気相堆積装置内の真空度を１．３３×１０^-2〜１．３３Ｐａ程度の真空とし、次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも１つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて支持体表面に輝尽性蛍光体層を所望の厚みに堆積させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成される。

スパッタ法は、前記蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３×１０^-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを装置内に導入して１．３３×１０^-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより支持体表面に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに堆積させる。

スパッタ法では、複数の輝尽性蛍光体原料をターゲットとして用い、これを同時または順次スパッタリングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成するものであり、必要に応じてＯ₂、Ｈ₂等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよい。さらに、スパッタ法においては、スパッタ時必要に応じて被蒸着物を冷却または加熱してもよい。また、スパッタ終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。

ＣＶＤ法は、目的とする輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解することにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得るものであり、いずれも輝尽性蛍光体層を支持体の法線方向に対して特定の傾きをもって独立した細長い結晶に気相成長させることが可能である。

本発明においては、これら気相堆積法により輝尽性蛍光体層を形成するが、複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することもできる。

本発明においては、気相堆積法として蒸着法が好ましく用いられる。以下、蒸着法による輝尽性蛍光体層の形成について詳しく説明する。なお、以下においては柱状結晶を成長させる場合について説明する。

蒸着法によって輝尽性蛍光体層を形成する方法としては、気相堆積装置内の真空度を１．３３×１０^-2〜１．３３Ｐａになるように調圧ガスを導入しながら、支持体上にある入射角で輝尽性蛍光体の蒸気または原料を供給し、結晶を気相成長（気相堆積法と呼ぶ）させる方法によって独立した細長い柱状結晶構造を有する輝尽性蛍光体層を得ることができる。

真空度を１．３３×１０^-2〜１．３３Ｐａになるようにする調圧ガスの流量は０．００１〜１０００ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄｃｃ／ｍｉｎ、１×１０^-6ｍ³／ｍｉｎ）であることがこのましい。調圧ガスの流量が１０００ｓｃｃｍを越えると、ガスの流れにより蒸気流が乱れ蛍光体の成長に悪影響を与える。また、調圧ガスの流量が０．００１ｓｃｃｍ未満では付着性低下が発生する。

真空度の調整に用いる調圧ガスは窒素またはアルゴンが好ましい。

輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料の蒸気流を支持体面に対しある入射角をつけて供給する方法には、支持体を蒸発源を仕込んだ坩堝に対し互いに傾斜させる配置を取る、または、支持体と坩堝を互いに平行に設置し、蒸発源を仕込んだ坩堝の蒸発面からスリット等により斜め成分のみ支持体上に蒸着させるよう規制する等の方法を採ることができる。これらの場合において、支持体と坩堝との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね１０〜６０ｃｍに設置するのが好ましい。

これらの柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層において変調伝達関数（ＭＴＦ）をよくするためには、柱状結晶の大きさ（柱状結晶を支持体と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶を視野中に含む顕微鏡写真から計算する）は１〜５０μｍ程度がよく、さらに好ましくは１〜３０μｍである。即ち、柱状結晶が１μｍより細い場合は、柱状結晶により輝尽励起光が散乱されるためにＭＴＦが低下するし、柱状結晶が５０μｍを越える場合も輝尽励起光の指向性が低下し、ＭＴＦは低下する。

また各柱状結晶間の間隙の大きさは３０μｍ以下がよく、さらに好ましくは５μｍ以下がよい。即ち、間隙が３０μｍを越える場合は蛍光体層中の蛍光体の充填率が低くなり、感度が低下してしまう。

上記方法により形成した輝尽性蛍光体層の膜厚は、目的とする放射線画像変換パネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、１０〜１０００μｍが好ましく、さらに好ましくは２０〜８００μｍである。

また、上記気相堆積法を用いて輝尽性蛍光体層の作製時、蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃により発した電子ビームの走査により行われるが、これ以外の方法で蒸発させることもできる。

また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。

また、賦活剤は母体（ｂａｓｉｃｓｕｂｓｔａｎｃｅ）に対して賦活剤（ａｃｔｉｂａｔｏｒ）を混合したものを蒸着してもよいし、母体のみを蒸着した後に賦活剤をドープしてもよい。例えば、母体であるＲｂＢｒのみを蒸着した後、例えば賦活剤であるＴｌをドープしてもよい。即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからである。ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によって行うことができる。

また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となる。また高光吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全に防止できる。

高光反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい、例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属等、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。

白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として、ＴｉＯ₂（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ₃・Ｐｂ（ＯＨ）₂、ＢａＳＯ₄、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも１種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒのうちの少なくとも１種である。）、ＣａＣＯ₃、ＺｎＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、リトポン（ＢａＳＯ₄・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウム等が挙げられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させ得る。

また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄等及び青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発光も吸収する。

また、色材は、有機または無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ₂−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料が挙げられる。

〔保護層〕
本発明に係る放射線画像変換パネルは輝尽性蛍光体層の上に保護層を有していてもよい。

保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることもできる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃等の無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には０．１〜２０００μｍ程度が好ましい。

本発明の実施の形態を図をもって説明する。

図１は輝尽性蛍光体プレートの断面図である。１０は支持体、１１は輝尽性蛍光体層であり、柱状結晶を示している。なお、１２は柱状結晶間に形成された間隙を示している。

図２は、本発明の放射線画像変換パネルの使用例を示す概略図である。

図２において２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、２４は放射線画像変換パネル２３の放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起光源、２５は放射線画像変換パネル２３より放出された輝尽発光を検出する光電変換装置、２６は光電変換装置２５で検出された光電変換信号を画像として再生する装置、２７は再生された画像を表示する装置、２８は光源２４からの反射光をカットし、放射線画像変換パネル２３より放出された光のみを透過させるためのフィルタである。なお、図２は被写体の放射線透過像を得る場合の例であるが、被写体２２自体が放射線を放射する場合には、放射線発生装置２１は特に必要ない。また、光電変換装置２５以降は放射線画像変換パネル２３からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、前記に限定されない。

輝尽励起光源２４としては、放射線画像変換パネル２３に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、また、輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率を上げることができ、より好ましい結果が得られる。

レーザとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、Ｎ₂レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はＨｅ−ＮｅレーザやＡｒイオンレーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。また、フィルタ２８を用いずに特開昭５９−２２０４６号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好ましい。

上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。

実施例１
以下の方法に従って、輝尽性蛍光体層を有する蛍光体プレートを作製した。

（支持体の作製）
表１記載の支持体についてバッチ式の大気圧プラズマ処理装置、Ｖ１０００（ヤマト科学製）を用いて、高周波出力が５００Ｗ、周波数が１３．５６ＭＨｚ、表１記載のガス流量と処理時間でプラズマ処理を行った。

プラズマ処理前後の支持体上の炭素量を前記ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）表面分析装置により測定した。炭素量の測定結果を表１に示す。

（蛍光体プレートの作製）
図３は蒸着型の気相堆積装置の概略図である。上記作製した支持体（プラズマ未処理品を含む）を図３に示す気相堆積装置の真空チャンバ中に設置し、加熱ランプ（図示せず）を用いて１２０℃に加熱した。その後、真空ポンプを用いて排気しながら、窒素ガスを調圧ガス流量調節装置（図示せず）を経てガス導入部から１０００ｓｃｃｍの流量で導入して真空度を１．３３Ｐａとし、支持体の一方の面に、ＣｓＢｒ：０．０００１Ｅｕからなるアルカリハライド蛍光体を支持体表面の法線方向から、アルミニウム製のスリットを用いて、支持体と蒸発源の距離を６０ｃｍとして、支持体と平行な方向に支持体を搬送しながら蒸着を行ない、４００μｍ厚の柱状結晶構造を有する蛍光体層を形成し、蛍光体プレート１〜８を作製した。

得られた各蛍光体プレートの蛍光体層と支持体との接着性を下記の方法で評価した。

（接着性の評価）
上記作製した各蛍光体プレートの蛍光体層と支持体との接着性を下記のスクラッチ試験により評価を行った。評価の結果を表１に示す。

作製した蛍光体プレートを２３℃、ＲＨ５５％の条件下で２４時間調湿し、先端の曲率半径が０．１５ｍｍのサファイア針を直角にあてがい、６０ｃｍ／ｍｉｎで試料を移動させながら、サファイア針にかかる荷重を０ｇから２００ｇまで徐々に増加させ、傷がポリエステル支持体まで到達するときの加重を耐スクラッチ性の指標とし、１５０ｇ以上が良好なレベル、１００ｇ以下は実用上、使用不可レベルである。

（放射線画像変換パネルの作製）
次に、下記のようにして、上記作製した蛍光体プレート１〜８を用い、それぞれ放射線画像変換パネル１〜８を作製した。

上記作製した蛍光体プレートの蛍光体層側の保護フィルムとして下記構成のものを使用した。

ＮＹ１５／／／ＶＭＰＥＴ１２／／／ＶＭＰＥＴ１２／／／ＰＥＴ１２／／／ＣＰＰ２０
ＮＹ：ナイロン
ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート
ＣＰＰ：キャスティングポリスチレン
ＶＭＰＥＴ：アルミナ蒸着ＰＥＴ（市販品、東洋メタライジング社製）
各樹脂名の後ろに記載の数字は樹脂層の膜厚（μｍ）を示す。

上記「／／／」はドライラミネーション接着層で、接着層の厚みは３．０μｍである。使用したドライラミネーション用の接着剤は２液反応型のウレタン系接着剤を用いた。

また、蛍光体プレートの支持体裏面側の保護フィルムは、ＣＰＰ３０μｍ／アルミフィルム９μｍ／ポリエチレンテレフタレート１８８μｍの構成のドライラミネーションフィルムとした。またこの場合の接着層の厚みは１．５μｍで、２液反応型のウレタン系接着剤を用いた。

前記作製した蛍光体プレートを上記作製した防湿性保護フィルムを用いて、減圧下で周辺部をインパルスシーラーを用いて融着、封止して、放射線画像変換パネルを作製した。なお、融着部から蛍光体シート周辺部までの距離は１ｍｍとなるように融着した。融着に使用したインパルスシーラーのヒーターは３ｍｍ幅のものを使用した。

上記作製した放射線画像変換パネルの鮮鋭性について、下記のようにして評価した。評価の結果を表１に示す。

（鮮鋭性の評価）
放射線画像変換パネルに鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射した後、放射線画像変換パネルを半導体レーザー光（６９０ｎｍ）で走査して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を上記と同じ受光器で受光して電気信号に変換し、これをアナログ／デジタル変換してハードディスクに記録し、記録をコンピューターで分析してハードディスクに記録されているＸ線像の変調伝達関数（ＭＴＦ）を調べた。空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値（％）を測定した。ＭＴＦ値が高いほど良好な鮮鋭性が得られるので好ましい。また、放射線画像変換パネルとして実用するための鮮鋭性としては６５％を越えることが好ましい。

表１より本発明の放射線画像変換パネルは比較例に比べ、接着性及び鮮鋭性、特に接着性が優れることが分かる。

輝尽性蛍光体プレートの断面図である。本発明の放射線画像変換パネルの使用例を示す概略図である。蒸着型の気相堆積装置の概略図である。

符号の説明

１０支持体
１１輝尽性蛍光体層
１２柱状結晶間に形成された間隙
２１放射線発生装置
２２被写体
２３放射線画像変換パネル
２４輝尽励起光源
２５光電変換装置
２６画像再生装置
２７画像表示装置
２８フィルタ

Claims

支持体上に、気相堆積法により形成した輝尽性蛍光体層及び保護層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該輝尽性蛍光体層の形成前に支持体表面をエネルギー照射処理することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
前記エネルギー照射処理がプラズマ処理であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
前記支持体がアルミニウムを主成分とする金属基板またはガラスであることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
前記エネルギー照射処理後における支持体表面の炭素量が２０ａｔｍ％以下であることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法により得られることを特徴とする放射線画像変換パネル。
前記輝尽性蛍光体層が下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項５に記載の放射線画像変換パネル。
一般式（１）
Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｅＡ
（式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＭ¹以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ³はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ、Ｘ′及びＸ″は各々Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ及びＹからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。）
前記輝尽性蛍光体層が下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項６に記載の放射線画像変換パネル。
一般式（２）
ＣｓＸ：Ａ
（式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＧａまたはＣｅを表す。）