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JP2006067190A - クロック生成回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】
所望の分数逓倍、分周クロックを出力し、面積、電力の増大を抑止するクロック生成回路の提供。
【解決手段】
複数段の遅延回路10A〜10Aを備え、入力される信号の遅延を測定する第1の遅延回路列と、第1の遅延回路列に対し信号伝播方向が逆向きに配置され、複数段の遅延回路10B〜10Bを備えた遅延再現用の第2の遅延回路列と、を備え、第1の遅延回路列で遅延が検出された位置の遅延回路から出力される信号に基づき、前記遅延が検出された位置に対応する、前記第2の遅延回路列の遅延回路において、遅延回路の出力端子が入力端子に帰還されて閉ループを構成しリング発振回路を構成し、リング発振回路の発振出力が、第2の遅延回路列の出力端子から取り出される。第1の遅延回路列の前段には、制御信号に基づき、入力信号に対する出力信号の位相が可変に制御する位相補間器20、20を備え、第1の遅延回路列は、位相補間器20、20の出力信号の位相差を測定する。
【選択図】
図1

Description

本発明は、クロック生成回路に関し、特に、消費電力の低減に好適なクロック生成回路に関する。
近時、半導体集積回路は、微細化の進展に伴い、高集積度化、大規模化、高速化の傾向が著しい。回路が大規模となるほど、回路素子を駆動するクロック信号のずれ(スキュー)が大きくなり、その修正のため、あるいは、半導体集積回路内の各機能ブロックにおいて、任意のタイミングのクロック信号の供給が要求されるようになってきている。
半導体集積回路における内部クロック信号を生成するクロック生成回路として、従来より、PLL(Phase Locked Loop)、DLL(Delay Locked Loop)等が用いられている。これらの帰還回路は、制御が複雑であり、ロックに時間を要し(収束時間が長い)、回路規模、消費電力が大きい。参考までに、周知の一般的なPLL回路の構成を図7に示しておく。入力クロック信号と、分周回路106の位相を比較する位相比較器101と、位相比較器101の出力に基づき容量を充電、放電し、比較結果に応じた電圧を出力するチャージポンプ102と、チャージポンプ102の出力を平滑化するループフィルタ103と、ループフィルタ103の出力を制御電圧として受け発振周波数を可変する電圧制御発振器(VCO)104と、電圧制御発振器104の発振出力クロックを分周するプリスケーラ105と、プリスケーラ105の出力を分周する分周回路106を備えている(プリスケーラ105を含まない構成もある)。なお、例えば分数分周を実現する回路では、分周回路106は、プリスケーラ105の出力に基づき、カウント周期(カウント数)を可変とするパルススワローカウンタ等で構成される。電圧制御発振器104は、例えばインバータ(不図示)を奇数段環状に接続したリングオシレータで構成され、各インバータと電源間に制御電圧に基づきバイアス電圧が可変され出力電流を可変させるトランジスタ素子(不図示)を直列に挿入し、該制御電圧に基づき、リングオシレータを構成するインバータの駆動電流を可変し伝播遅延時間tpdを可変させる(ゲインを可変させる)ことで、発振周波数が可変制御される。
周期又は遅延測定用の第1の遅延回路列(Measure Line)と、測定された遅延を再現する第2の遅延回路列(Replay Line)を備えた同期式遅延回路(シンクロナスミラーディレイ(Synchronous Mirror Delay);「SMD」ともいう)としては、例えば特許文献1等が参照される。また、同期式遅延回路を用いたクロック逓倍回路としては、特許文献2、3等が参照される。
制御信号に基づき入力信号に対する出力信号の位相が可変制御されるインターポレータを用いたクロック逓倍回路としては、特許文献4、5等が参照される。特許文献4には、分周回路と、分周クロックを入力とする複数のインターポレータ(タイミング差分割器)と、インターポレータの出力を合成する回路を備えたクロック逓倍回路が開示されている。特許文献4等に記載された回路においては、インターポレータにより重み付けを行い、それらの論理をとることにより逓倍クロックを生成している。
図8は、遅延(クロック周期)測定用の第1の遅延回路列201(Measure Line)と、測定された遅延を再現する第2の遅延回路列202(Replay Line)と備えた同期式遅延回路と、組み合わせ回路203を用いたクロック逓倍回路の構成を模式的に示す図である。入力周期を第1の遅延回路列で測定し、遅延再現用の遅延回路202で、入力の1/N、2/N、…のタイミングを作り出し、組み合わせ回路203で所定の論理をとることで、所望の逓倍数を実現している。図9は、図8のタイミング動作を説明するための図である。図9において、IN1、IN2は、入力クロック信号を分周回路204で分周(図8に示す例では4分周)した信号と、これを、遅延回路205で例えば1クロック周期T遅らせせた信号である。遅延回路205は、入力クロック信号の立ち上がりで、分周回路204の分周クロック信号をサンプル出力するフリップフロップよりなる。図9に示す例では、図8の遅延回路205を構成するフリップフロップは、入力クロック信号の立ち上がりで、データ信号の反転信号を出力している。
特開平11−112309号公報 特開平10−303713号公報 特開平10−335994号公報 特開平11−4145号公報 特開2002−163034号公報
ところで、上記したインターポレータを用いたクロック逓倍回路には、いくつかの問題がある。
第1の問題点は、入力クロック信号に対して出力が、非同期である、ということである。この問題が発生する原因は、インターポレータの動作時間が、不定なことに起因する。
第2の問題点は、インターポレータの精度いかんによって、出力クロック信号のデューティに誤差が生じる、ということである。
また、図8等に示した同期式遅延回路を用いたクロック逓倍回路は、インターポレータを用いたクロック逓倍回路ともに、以下のような共通の問題点がある。
逓倍数に比例して、回路規模が増加する、ということである。高逓倍になるにつれ、遅延回路、または、タイミング差回路(インターポレータ)の数が増えることに起因する。このため、高逓倍のクロック信号を生成することが実質的に不可能となっている。
したがって、本発明の目的は、高逓倍を実現し、消費電力、面積の増大の抑止または削減するクロック生成回路を提供することにある。
また本発明の他の目的は、簡単な構成により、分数の逓倍、分周を実現するクロック生成回路をを提供することにある。
本願で開示される発明は、上記目的を達成するため、概略以下の構成とされる。
本発明の1つのアスペクトに係るクロック生成回路は、複数段の遅延回路を備え、入力信号を入力し、入力された前記入力信号が所定の遅延時間進行した位置の遅延回路から信号を出力する、遅延測定用の第1の遅延回路列と、前記第1の遅延回路列に対し信号伝播方向が逆向きに配置され、複数段の遅延回路を備えた遅延再現用の第2の遅延回路列と、を備え、前記第1の遅延回路列で前記遅延が検出された位置の遅延回路から出力される前記信号に基づき、前記第1の遅延回路列の前記遅延が検出された位置に対応する、前記第2の遅延回路列の遅延回路において、前記遅延回路の出力端子が前記遅延回路の入力端子に帰還されて閉ループの発振回路を構成し、前記第2の遅延回路列の出力端子より、前記発振回路からの発振出力信号が取り出される。
本発明において、前記遅延が検出された位置に対応する前記第2の遅延回路列の遅延回路以外の遅延回路は、後段の遅延回路に信号を伝達しない構成とされている。
本発明において、前記第1の遅延回路列の前段に、制御信号に基づき、入力信号に対する出力信号の位相が可変に制御する位相補間器を備え、前記遅延測定用の第1の遅延回路列に入力される信号の遅延が可変に設定される構成としてもよい。
本発明の他のアスペクトに係るクロック発生回路は、入力クロック信号を分周する分周回路と、前記分周クロック信号を入力信号として入力し、制御信号に基づき、入力信号に対する出力信号の位相を可変に補間して出力する第1の位相補間器と、前記分周クロック信号を入力し、前記入力クロック信号に基づきサンプル出力する保持回路と、前記保持回路から出力されるクロック信号を入力信号として入力し、制御信号に基づき、入力信号に対する出力信号の位相を可変に補間して出力する第2の位相補間器と、前記第1及び第2の位相補間器からの第1及び第2の出力信号を入力し、複数段の遅延ユニットが縦続形態に接続されている第1の遅延回路列と、前記第1の遅延回路に対し信号伝播方向が逆向きに配置され、複数段の遅延ユニットが縦続形態に接続されている第2の遅延回路列と、を備え、前記第1の遅延回路列の各遅延ユニットは、前記遅延ユニットが初段の場合、前記第1の位相補間器から前記第1の遅延回路列へ入力される第1の出力信号を受け、それ以外の場合、前段の遅延ユニットの出力を受ける遅延回路と、前記遅延回路の出力を前記第2の位相補間器の前記第2の出力信号に基づきサンプル出力する保持回路と、を備え、前記第2の遅延回路列のそれぞれの遅延ユニットは、一つの入力端子に、前記遅延ユニットが初段の場合には、前記第1の遅延回路列の出力、それ以外の場合、前段の遅延ユニットからの出力を受け、他の入力端子に、前記第1の遅延回路列の対応する遅延ユニットの保持回路からの出力を受け、前記一つの入力端子には、前記第2の遅延回路列の出力端子が接続される、論理回路と、前記論理回路の出力を入力とする遅延回路と、を備えている。
本発明においては、前記位相補間器の内分比と第1と第2の遅延回路列の遅延の比との組み合わせで、分数逓倍、分数分周倍を可変に生成される。
本発明によれば、本発明のクロック生成回路が発振器を構成し、前記発振器の出力を分周する分周回路と、前記分周回路の出力と入力信号の位相を比較する位相比較器と、前記第1の位相比較器の出力を入力とし平滑化するデジタルフィルタと、前記クロック生成回路の位相補間器が、前記フィルタの出力を、制御信号として受ける。
本発明に係るクロック生成回路によって発振器を構成し、前記発振器の出力を分周する分周回路と、前記分周回路の出力と入力信号の位相を比較する位相比較器と、前記第1の位相比較器の出力を受け、容量を充放電するチャージポンプと、前記チャージポンプの出力を平滑化するフィルタと、前記クロック生成回路の第2の遅延回路列が、前記フィルタの出力に基づき遅延が可変制御される構成としてもよい。
本発明によれば、同期式遅延回路の遅延再現用の遅延回路をリングオシレータとして用いており、高逓倍を実現し、消費電力、面積の増大の抑止または削減する。
さらに本発明によれば、位相補間器の補正量と、第1、第2の遅延回路列における遅延比の設定という簡単な構成により、分数の逓倍、分数分周を容易に実現することができる。
本発明を実施するための最良の形態について説明する。本発明に係るクロック生成回路は、複数段の遅延回路を備え、入力信号を入力し、入力された前記入力信号が所定の遅延時間進行した位置の遅延回路から信号を出力する、遅延測定用の第1の遅延回路列と、前記第1の遅延回路列に対し信号伝播方向が逆向きに配置され、複数段の遅延回路を備えた遅延再現用の第2の遅延回路列と、を備え、前記第1の遅延回路列で前記遅延が検出された位置の遅延回路から出力される前記信号に基づき、前記第1の遅延回路列の前記遅延が検出された位置に対応する、前記第2の遅延回路列の遅延回路において、前記遅延回路の出力端子が前記遅延回路の入力端子に帰還されて閉ループの発振回路を構成し、前記第2の遅延回路列の出力端子より、前記発振回路からの発振出力信号が取り出される。本発明の実施の形態によれば、第1の遅延回路列の前段に位相補間器を備えた構成としてもよい。より詳しくは、入力クロック信号を分周する分周回路(30)と、分周クロック信号を入力信号として入力し、制御信号に基づき、入力信号に対する出力信号の位相を可変に補間して出力する第1の位相補間器(20)と、分周クロック信号を入力し、前記入力クロック信号に基づきサンプル出力する保持回路(31)と、保持回路(31)から出力されるクロック信号を入力信号として入力し、制御信号に基づき、入力信号に対する出力信号の位相を可変に補間して出力する第2の位相補間器(20)と、第1及び第2の位相補間器(20、20)とからの第1及び第2の出力信号(IP1、IP2)を入力し、複数段の遅延ユニット(10A〜10A)が縦続形態に接続されている第1の遅延回路列と、前記第1の遅延回路列に対し信号伝播方向が逆向きに配置され、複数段の遅延ユニット(10B〜10B)が縦続形態に接続されている第2の遅延回路列と、を備えている。
第1の遅延回路列の各遅延ユニット(10A〜10A)は、遅延ユニットが初段の場合(10A)、第1の位相補間器(20)から第1の遅延回路列へ入力される第1の出力信号(IP1)を受け、それ以外の場合、前段の遅延ユニットの出力を受ける遅延回路(11A)と、遅延回路(11A)の出力を、第2の位相補間器(20)から出力される第2の出力信号(IP2)に基づきサンプル出力する保持回路(12)と、を備えている。第1の遅延回路列は、第1の出力信号(IP1)と第2の出力信号(IP2)の位相差(遅延)を測定し、例えば、第1の出力信号(IP1)が、該遅延分、第1の遅延回路列を進行した時点に対応する位置の遅延ユニットの保持回路(12)を境に、該位置より前段と後段の遅延ユニットの保持回路(12)の出力の論理値が異なることになる。
第2の遅延回路列のそれぞれの遅延ユニットは、一つの入力端子に、前記遅延ユニットが初段の場合には、第1の遅延回路列の出力、それ以外の場合、前段の遅延ユニットからの出力を受け、他の入力端子に、前記第1の遅延回路列の対応する遅延ユニットの保持回路(12)からの出力を受け、前記一つの入力端子には、前記第2の遅延回路列の出力端子が接続される、論理回路(13)と、前記論理回路(13)の出力を入力とする遅延回路(11B)と、を備えている。
第2の遅延回路列の遅延ユニットの論理回路(13)は、前記他の入力端子に入力される、前記第1の遅延回路列の対応する遅延ユニットの保持回路(12)からの出力が、前記対応する遅延ユニットが、第1の出力信号(IP1)と第2の出力信号(IP2)の間の遅延に相当する位置にあることを示しているときに、活性化され、前記論理回路(13)の前記他の入力端子に入力される信号が活性状態のとき、論理回路(13)は、前記一つの入力端子に入力された信号を、前記遅延回路に伝達し、前記論理回路(13)の前記他の入力端子に入力される信号が非活性状態のときは、前記論理回路は固定値を出力し、前記一つの入力端子に入力された信号を、遅延回路(11B)に伝達しない構成とされる。第1の出力信号(IP1)と第2の出力信号(IP2)の位相差(遅延)と、第1、第2の遅延回路列の遅延回路(11A、11B)の遅延時間の比の設定により、逓倍数、分周数を、任意の分数あるいは整数値に設定することができる。
本発明の実施例について説明する。図1は、本発明の一実施の形態の構成を示す図である。図1を参照すると、制御信号により入力信号に対する出力信号の位相が可変制御される位相補間器(インターポレータ)20、20と、遅延測定用の第1の遅延回路列(遅延回路10A〜10A)と、遅延再現用の第2の遅延回路列(遅延回路10B〜10B)を備えている。位相補間器(インターポレータ)20、20は、公知の任意の構成が用いられる。遅延再現用の第2の遅延回路列は、信号の進行方向が、測定用の第1の遅延回路列と逆向きとされる。
図1において、IN1、IN2は、図9のIN1、IN2と同様、IN1は分周クロック信号、IN2は、分周クロック信号から、入力クロック信号CLKの1周期(T)分遅れたタイミングで遷移する信号である。図1に示す例では、入力クロック信号CLKを分周回路30で分周した信号をIN1とし、フリップフロップ(エッジトリガー型レジスタ)31にてIN1を入力クロック信号CLKの立ち上がりエッジでサンプルした信号(反転出力端子の出力)をIN2としている。位相補間器20、20は、信号IN1、IN2の位相を調整した信号IP1、IP2を出力する。この実施例では、遅延測定用の第1の遅延回路列(遅延回路10A〜10A)は、実質的に信号IP1、IP2間の遅延差を測定する。
第2の遅延回路列の出力端子OUTは、第2の遅延回路列の各遅延回路10B〜10Bの入力ゲート回路に帰還接続され、出力端子OUTは、それぞれの遅延回路の出力端子と接続される。測定用の第1の遅延回路列で1クロック周期が検出された位置の遅延回路から出力される信号に基づき、第1の遅延回路列の当該位置に対応する第2の遅延回路列の遅延回路のゲート回路がオンし、出力端子OUTが該遅延回路の入力に帰還接続され発振回路を構成し、前記第2の遅延回路列の他の遅延回路のゲート回路はオフし信号を伝達しない構成とされている。
図2は、図1に示した遅延回路の構成の一例を示す図である。図2を参照すると、遅延測定用の第1の遅延回路列を構成する遅延回路10A〜10Aのそれぞれは、遅延回路(遅延素子)11Aと、遅延回路11Aの出力をデータ端子Dに受け、位相補間器20の出力信号IP2をクロック入力端子CKに受け、出力信号IP2の立ち上がりエッジでデータ端子Dの信号をサンプル出力するフリップフロップ12とを備えている。初段の遅延回路10Aの遅延回路11Aは、位相相補間器20から信号IP1を受けて遅延させた信号を出力し、2段以降の遅延回路10A〜10Aの遅延回路11は、前段の遅延回路の出力を入力する。
遅延再現用の第2の遅延回路列を構成する遅延回路10B〜10Bのそれぞれは、NAND回路13と、NAND回路13の出力を受ける遅延回路(遅延素子)11Bとを備えている。遅延回路10B〜10BのNAND回路13は、遅延測定用の第1の遅延回路列(遅延回路10A〜10A)における、対応する段の遅延回路と次の段の遅延回路の2つのフリップフロップ12の出力と、遅延再現用の第2の遅延回路列の前段の遅延回路の出力とを受ける。遅延再現用の第2の遅延回路列の出力端子OUT(遅延回路10Bの出力)は、遅延再現用の第2の遅延回路列(遅延回路10B〜10B)のNAND回路13に帰還接続されている。
本実施例では、遅延回路10BのNAND回路13の第1、第2、第3の入力端子は、遅延回路10Aのフリップフロップ12の出力と、遅延回路10Aのフリップフロップ12の出力(反転信号)と、遅延回路10Bの遅延回路11Bの出力と出力端子OUTとの接続点とに接続されている。遅延回路10BのNAND回路13の第1、第2、第3の入力端子は、遅延回路10Aのフリップフロップ12の出力と、遅延回路10Aのフリップフロップ12の出力(反転信号)と、遅延回路10Bの遅延回路11Bの出力と出力端子OUTとの接続点とに接続されている。第2の遅延回路列の最終段の遅延回路10BのNAND回路13の第1、第2、第3の入力端子は、第1の遅延回路列の最終段の遅延回路10Aのフリップフロップ12の出力と、ロウレベル固定、出力端子OUTとに接続されている。
出力端子OUT(遅延回路10Bの遅延回路11Bの出力)と、遅延回路10B〜10Bの遅延回路11Bの出力とがワイヤード(wired)接続されて、それぞれの遅延回路10B〜10BのNAND回路13の入力端子に接続される。
遅延再現用の遅延回路列内の遅延回路がリングオシレータを構成し、所望の周波数で発振することができる。かかる構成により、測定周期の圧縮による、測定用遅延素子の縮小、消費電力の低減を可能としている。
例えば、第1の遅延回路列で測定された、信号IP1に対する信号IP2の遅延時間が、遅延測定用の第1の遅延回路列の2段の遅延回路の遅延分に相当する場合、遅延回路10Aのフリップフロップ12が、信号IP2の立ち上がりでハイレベルを出力し、遅延回路10Aのフリップフロップ12は、信号IP2の立ち上がりでロウレベルとされる(パルスが伝播していない)。
遅延再現用の第2の遅延回路列の遅延回路10BのNAND回路13の第1、第2の入力端子がそれぞれハイレベル、ロウレベルとなり、NAND回路13は、遅延回路11Bを伝播する信号を反転するインバータとして機能する。
一方、遅延再現用の第2の遅延回路列の遅延回路10BのNAND回路13の第2の入力端子がハイレベルとなり、このNAND回路はハイレベル固定となり、信号をマスクする。
すなわち、遅延再現用の第2の遅延回路列の遅延回路のうち、遅延回路10B以外の遅延回路のNAND回路13の出力は、ハイレベル固定(対応するフリップフロップ12の出力がロウレベル)であり、信号は伝播しない。
遅延再現用の第2の遅延回路列において遅延回路のNAND回路13がインバータとして機能する段は、遅延測定用の第1の遅延回路列(遅延回路10B〜10B)において入力信号IP1が1周期分伝播した段に対応する。
遅延測定用の第1の遅延回路列(遅延回路10A〜10A)において入力信号IP1がIP2との位相差(遅延)分伝播した段と、次の段のフリップフロップ12の出力は、ハイレベル(1)とロウレベル(0)の境目となり、遅延再現用の第1の遅延回路列において当該段よりも、前段のNAND回路の出力と後段のNAND回路の出力は、ハイレベル固定となる。
遅延回路10BのNAND回路13は、第1、第2の入力端子がハイ、ロウレベルであり、第3の入力端子がハイレベルであるため、ロウレベルを出力し、遅延回路10Bの遅延回路11Bは、ロウレベルを出力する。遅延回路11Bと、インバータとして機能するNAND回路13のループが、遅延型の発振回路(リングオシレータ)を構成している。この発振周期は、遅延回路11Bの遅延時間に依存する。リングオシレータの閉ループ(遅延回路11BとNAND回路13の閉ループ)の遅延時間をtとすると、発振周期は2tで与えられる。
上記の通り、本発明によれば、図8等に示した複雑な組み合わせ回路は不必要とされ、入力クロックに同期したクロック信号を生成できる。さらに、入力信号の位相の補間値と、遅延回路11A、11Bの遅延の比の組み合わせにより、任意の分数逓信数のクロックを作り出すことが出来る。
すなわち、従来のインターポレータ、SMD(シンクロナスミラーディレイ)を用いたクロック逓倍回路では、逓倍用の組み合わせ回路(図8の203)が必要となる。これに対して、本発明によれば、第1、第2の遅延回路列よりなるSMD(シンクロナスミラーディレイ)において、リングオシレータを、直接に発振させる構成とされており、逓倍出力に、SMDの出力の組み合わせのシーケンス等が不要とされる。
また、本実施例によれば、逓倍数を大幅に拡大することができる。
そして、従来のインターポレータ、SMDを用いた逓倍回路では、高逓倍数に伴い面積が増大する。これに対して、本発明によれば、逓倍数を高くする場合にも、遅延素子段数を減らすことができる。また、面積も、同じ逓倍数である場合には、従来の構成よりも、削減することができる。
さらに、本発明によれば、遅延回路11Aと遅延回路11Bの遅延時間の比の設定により、分数逓倍、あるいは、分周クロックを高速で提供することができる。第1の遅延回路列で、1クロック周期Tを測定するものとした場合、遅延回路11Bの遅延時間を、遅延回路11Aの遅延時間のm倍(m>1)とすれば、分周回路が構成され、遅延回路11Aの遅延時間を、遅延回路11Bの遅延時間のn倍(n>1)とすれば、逓倍回路が構成される。
SMD(シンクロナスミラーディレイ)回路の遅延測定用の第1の遅延回路列と、遅延再現用の第2の遅延回路列回路の遅延回路(遅延単位素子)は、それぞれ、インバータで構成されている。
図1に示した逓倍回路の動作シーケンスは以下の通りである。入力クロック信号(周期T)に対して、位相補間器(インターポレータ)20、20において、所望の逓倍数をNとすると、T/(2N)の遅延を作り出す。
SMD(シンクロナスミラーディレイ)回路を構成する遅延測定用の第1の遅延回路列において、T/(2N)の遅延を測る。遅延測定用の第1の遅延回路列では、逓倍数ごとに、インバータが並んでおり(インバータ列)、遅延測定用の遅延回路11Aの信号を受けるフリップフロップ12(図2参照)にて、第1の遅延回路列を進行する入力信号であるIP1信号を、これよりもT/(2N)遅れのIP2信号でラッチする仕組みとなっている。
第1の遅延回路列で測定した期間(遅延)を基に、第2の遅延回路列の復元遅延時間(Replay Line)長が決定される。第2の遅延回路列の遅延回路11Bをどこまで(何段まで)使うかが決定される。
第2の遅延回路列において形成されたリングオシレータの出力を、復元遅延時間(Replay Line)にフィードバックする。
リングオシレータは、遅延回路11BとNAND回路13(インバータとして機能する)よりなる反転閉ループ(奇数段縦続形態に接続されたインバータ)からなり、閉ループの伝播遅延時間をtとすると、2tで発振する。したがって、リングオシレータの発振周期は2t=T/Nとなり、入力クロック(周期=T)に対して、N逓倍となる。
1.25逓倍を得る場合、位相補間器(IP)20、20と、第1の遅延回路列、第2の遅延回路列よりなるSMD(シンクロナスミラーディレイ)にて、1/2.5となるような組み合わせとして、
IP=1/5、SMD=2;
IP=1/10、SMD=4;
などとする。
すなわち、位相補間器(IP)で1/5逓倍(5分周)、SMDで2逓倍とすることで、分数分周1/2.5を実現することができる。
4.7逓倍の時は1/9.4となる組み合わせで
IP=10/47、SMD=1/2
などと設定すればよい。
このように、第1の遅延回路列への入力信号の遅延を調整する位相補間器20、20の位相補間値と、第1、第2の遅延回路列よりなるSMD(シンクロナスミラーディレイ)における遅延値の戻り値(第2の遅延回路列の遅延回路の遅延値)の組み合わせにより、分数倍(周期)の発振が行える。
すなわち、本実施例によれば、入力されたクロックに対し所望の分数、整数倍のクロックに変換することができる。図7に示したパルススワーローカウンタを設ける等の複雑な制御を行う必要はない。
位相補間器(インターポレータ)20、20で、位相差が、入力クロック信号CLKのクロック周期TのF/M倍となる信号IP1、INP2を作成し、さらにそのクロックIP1、IP2を、図1の回路構成により、G/N倍の位相差に圧縮することにより、第2の遅延回路列の遅延回路11BとNAND回路13で構成されるリングオシレータにおいて、入力クロック信号CLKの周波数のFG/(2MN)倍の周波数で発振させることができる。ただし、F、G、M、Nは、任意の整数である。なお、位相補間器20、20におけるF/MのMは、インターポレータの位相内分比の分解能(ステップ)であり、Fは整数であり、制御信号により設定される。G/Nは、例えば遅延回路11Aと遅延回路11Bの遅延時間の比により決定される。
図3は、本発明の別の実施例の構成を示す図であり、入力クロックに対し上記の逓倍回路の動作で逓倍クロック(Fosc)を出力する構成を示す図である。図3において、SMD(シンクロナスミラーディレイ)回路によるリングオシレータ(ROSC)2は、図1、図2を参照して説明した本発明の実施例のクロック生成回路である。図3の位相補間器1は、図1の位相補間器20、20に対応する。SMD(シンクロナスミラーディレイ)回路によるリングオシレータ(ROSC)2は、図1の第1の遅延回路列(遅延回路10A〜10A)と第2の遅延回路列(遅延回路10B〜10B)よりなる。
分周回路3は、SMD回路によるリングオシレータ(ROSC)2の出力を分周する。ここでの分周回路3は、SMD(シンクロナスミラーディレイ)回路によるリングオシレータ(ROSC)2内部にインターポレータとSMDでのN逓倍分の逆の周期Tでの発振回路を用いることも出来る。
図3に示した回路の動作シーケンスは以下の通りである。
SMD回路によるリングオシレータ(ROSC)2にて、入力クロック信号に対して、前記実施例で説明した逓倍回路の動作にしたがって逓倍クロックFoscを出力する。
分周回路3にて位相比較用の入力周波数と同程度のクロックをFsigを生成する。
位相比較器4により入力クロック信号と分周回路3の出力Fsigを比較し、誤差量を発生させる。
ディジタルフィルタ5において誤差量を定量化し(積分し)、位相補間器1の位相補間量F/MのFをプラスマイナス制御する。ただし、Mは位相補間器1の分解能であり、例えば16あるいは256とされる。
以上のシーケンスを繰り返し、設定の誤差量以下となったときに、入力クロック信号と同期したN逓倍、あるいは分周のクロック信号が生成出力される。
5逓倍を作るときは、位相補間器1で、入力クロックの周期の20/100(1/5相当)とし、SMD(シンクロナスミラーディレイ)で、さらに、1/2すると、シンクロナスミラーディレイ(SMD)回路によるリングオシレータ(ROSC)2のリングオシレータは、周期
20/100×1/2×2×T=T/5
で発振する。
出力クロックと別の位相比較用の信号Fsigは、Foscを5分周したクロックで、これを位相比較器4に戻す。位相比較器4で比較した誤差量をディジタルフィルタ5にて定量化し、位相補間器(インターポレータ)1の分子をプラスマイナスする。つまり位相補間器(インターポレータ)1で、1クロック周期Tの19/100、や22/100という具合に、位相補間量を制御する。
図4は、本発明の別の実施例の構成を示す図である。図6に示すように、チャージポンプ6、ループフィルタ7を用いてループフィルタ出力を、シンクロナスミラーディレイ(SMD)回路によるリングオシレータ(ROSC)2内部の、クロックドゲートの入力に戻す構成としてもよい。図4の位相補間器1は、図1の位相補間器20、20に対応する。図4のSMD(シンクロナスミラーディレイ)回路によるリングオシレータ(ROSC)2は、図1の第1の遅延回路列(遅延回路10A〜10A)と第2の遅延回路列(遅延回路10B〜10B)よりなる。
位相誤差量をチャージポンプ6、ループフィルタ7により電圧に変換し、リングオシレータ回路2のゲインをコントロールすることで発振周波数を可変制御する。
図5は、図1において、入力クロックCLKを分周回路30で分周した信号IN1をフリップフロップ31でラッチした信号IN2をそれぞれ入力とする位相補間器(インターポレータ)20、20において、IP2はIP1に対して位相差T/2Nだけ遅れている。第2の遅延回路列のリングオシレータの発振周期はT/Nとなり、入力クロック(周期=T)に対して、第2の遅延回路列の出力端子OUTからは、逓倍数Nのクロックが出力される。
図6は、位相補間器(インターポレータ)1を用いた場合のシンクロナスミラーディレイ(SMD)回路によるリングオシレータ(ROSC)2のタイミング図である。図1において、位相補間器(インターポレータ)20、20において位相制御を、(F/M)Tとし、信号IP2はIP1に対して位相差(F/M)T(ただし、Tは入力クロック信号CLKの周期)だけ遅れ、シンクロナスミラーディレイ(SMD)で、G/N倍の位相差に圧縮し、リングオシレータをして、入力クロック信号の周期TのFG/(2MN)倍の周期で発振させることができる。ただし、F、G、M、Nは、任意の整数である。なお、位相補間器20、20におけるF/MのMは、インターポレータの位相内分比の分解能(ステップ)、Fは制御信号により設定される。
以上本発明を上記実施例に即して説明したが、本発明は、上記実施例の構成にのみ限定されるものでなく、本発明の範囲内で当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
本発明の一実施例の構成を示す図である。 本発明の一実施例の詳細構成を示す図である。 本発明の他の実施例の構成を示す図である。 本発明の他の実施例の構成を示す図である。 本発明の一実施例の動作例を説明するためのタイミング図である。 本発明の一実施例の別の動作例を説明するためのタイミング図である。 PLL回路の構成の一例を示す図である。 従来のSMDを用いたクロック逓倍回路の構成を示す図である。 従来のSMDを用いたクロック逓倍回路の動作を説明するための図である。
符号の説明
1 位相補間器(インターポレータ)
2 SMD回路によるリングオシレータ(ROSC)
3 分周回路
4 位相比較器
5 ディジタルフィルタ
6 チャージポンプ
7 ループフィルタ
10A〜10A、10B〜10B 遅延回路
11A、11B 遅延回路
12 フリップフロップ
13 NAND回路
20 位相補間器(インターポレータ)
30 分周回路
31 フリップフロップ
101 位相比較器
102 チャージポンプ
103 ループフィルタ
104 電圧制御発振器(VCO)
105 プリスケーラ
106 分周回路
201 測定用の遅延回路列
202 遅延再現用の遅延回路列
203 組み合わせ回路
204 分周回路
205 フリップフロップ(1周期遅延回路)

Claims (11)

  1. 複数段の遅延回路を備え、入力信号を入力し、前記入力信号が所定の遅延時間進行した位置の遅延回路から信号を出力する、遅延測定用の第1の遅延回路列と、
    前記第1の遅延回路列に対し信号伝播方向が逆向きに配置され、複数段の遅延回路を備えた遅延再現用の第2の遅延回路列と、
    を備え、
    前記第1の遅延回路列で前記遅延が検出された位置の遅延回路から出力される前記信号に基づき、前記第1の遅延回路列の前記遅延が検出された位置に対応する、前記第2の遅延回路列の遅延回路において、前記遅延回路の出力端子が前記遅延回路の入力端子に帰還されて閉ループの発振回路を構成し、前記第2の遅延回路列の出力端子より、前記発振回路からの発振出力信号が取り出される、ことを特徴とするクロック生成回路。
  2. 前記遅延が検出された位置に対応する前記第2の遅延回路列の遅延回路以外の遅延回路は、後段の遅延回路に信号を伝達しない構成とされている、ことを特徴とする請求項1記載のクロック生成回路。
  3. 前記第1の遅延回路列の前段に、制御信号に基づき、入力信号に対する出力信号の位相が可変に制御する位相補間器を備え、前記第1の遅延回路列に入力される前記入力信号の遅延が可変に設定される、ことを特徴とする請求項1記載のクロック生成回路。
  4. 入力クロック信号を分周する分周回路と、
    前記分周クロック信号を入力信号として入力し、制御信号に基づき、前記入力信号に対する出力信号(「第1の出力信号」という)の位相を可変に補間して出力する第1の位相補間器と、
    前記分周クロック信号を入力し、前記入力クロック信号に基づきサンプル出力する保持回路と、
    前記保持回路から出力されるクロック信号を入力信号として入力し、制御信号に基づき、前記入力信号に対する出力信号(「第2の出力信号」という)の位相を可変に補間して出力する第2の位相補間器と、
    前記第1の位相補間器及び前記第2の位相補間器からそれぞれ出力される前記第1の出力信号及び前記第2の出力信号を入力し、複数段の遅延ユニットが縦続形態に接続されている第1の遅延回路列と、
    前記第1の遅延回路列に対し信号伝播方向が逆向きに配置され、複数段の遅延ユニットが縦続形態に接続されている第2の遅延回路列と、
    を備え、
    前記第1の遅延回路列の各遅延ユニットは、
    前記遅延ユニットが初段の場合、前記第1の位相補間器から前記第1の遅延回路列へ入力される前記第1の出力信号を受け、それ以外の場合、前段の遅延ユニットの出力を受ける遅延回路と、
    前記遅延回路の出力を、前記第2の位相補間器から出力される前記第2の出力信号に基づきサンプル出力する保持回路と、
    を備え、
    前記第2の遅延回路列のそれぞれの遅延ユニットは、
    一つの入力端子に、前記遅延ユニットが初段の場合には、前記第1の遅延回路列の出力、それ以外の場合、前段の遅延ユニットからの出力を受け、
    他の入力端子に、前記第1の遅延回路列の対応する遅延ユニットの保持回路からの出力を受け、前記一つの入力端子には、前記第2の遅延回路列の出力端子が接続される、論理回路と、
    前記論理回路の出力を入力とする遅延回路と、
    を備えている、ことを特徴とするクロック生成回路。
  5. 前記第2の遅延回路列の遅延ユニットの前記論理回路は、前記他の入力端子に入力される、前記第1の遅延回路列の対応する遅延ユニットの保持回路からの出力が、前記対応する遅延ユニットが、前記第1の出力信号と第2の出力信号の間の遅延に相当する位置にあることを示しているときに、活性化され、
    前記論理回路の前記他の入力端子に入力される信号が活性状態のとき、前記論理回路は、前記一つの入力端子に入力された信号を、前記遅延回路に伝達し、前記論理回路の前記他の入力端子に入力される信号が非活性状態のときは、前記論理回路は固定値を出力し、前記一つの入力端子に入力された信号を、前記遅延回路に伝達しない、ことを特徴とする請求項4記載のクロック生成回路。
  6. 前記論理回路は、活性状態のときは、前記一つの入力端子に入力された信号を反転する反転回路として機能し、前記遅延回路と前記論理回路とでリング発振器を構成する、ことを特徴とする請求項4記載のクロック生成回路。
  7. 前記論理回路は、第1の入力端子に、前記遅延ユニットが初段の場合には、前記第1の遅延回路列の出力、それ以外の場合、前段の遅延ユニットからの出力を受け、
    第2の入力端子に、前記第1の遅延回路列の対応する遅延ユニットの保持回路からの出力を受け、
    第3の入力端子に、前記第1の遅延回路列の対応する遅延ユニットの次の段の保持回路からの出力の反転信号を受ける3入力否定論理積(NAND)回路よりなり、
    前記第1の入力端子には、前記第2の遅延回路列の出力端子が帰還接続される、ことを特徴とする請求項4記載のクロック生成回路。
  8. 前記位相補間器における位相の補間値と、前記第1及び第2の遅延回路列における遅延回路の遅延時間の比との組み合わせで、分数逓倍、分数分周倍を可変に生成する、ことを特徴とする請求項3記載のクロック生成回路。
  9. 請求項1記載のクロック生成回路で構成された発振器と、
    前記発振器の出力を分周する分周回路と、
    前記分周回路の出力と入力信号の位相を比較する位相比較器と、
    前記第1の位相比較器の出力を入力とし平滑化するデジタルフィルタと、
    前記フィルタの出力を、制御信号として受け制御信号に基づき、入力信号に対する出力信号の位相が可変に制御する位相補間器と、
    前記位相補間器の出力が第1の遅延回路列に入力される、ことを特徴とするクロック生成回路。
  10. 請求項3又は4記載のクロック生成回路で構成された発振器と、
    前記発振器の出力を分周する分周回路と、
    前記分周回路の出力と入力信号の位相を比較する位相比較器と、
    前記第1の位相比較器の出力を入力とし平滑化するデジタルフィルタと、
    前記クロック生成回路の位相補間器が、前記フィルタの出力を、制御信号として受ける、ことを特徴とするクロック生成回路。
  11. 請求項3又は4記載のクロック生成回路で構成された発振器と、
    前記発振器の出力を分周する分周回路と、
    前記分周回路の出力と入力信号の位相を比較する位相比較器と、
    前記第1の位相比較器の出力を受け、容量を充放電するチャージポンプと、
    前記チャージポンプの出力を平滑化するフィルタと、
    前記クロック生成回路の第2の遅延回路列が、前記フィルタの出力に基づき遅延が可変制御される、ことを特徴とするクロック生成回路。
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