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JP2006060228A - ウェハベーキング装置 - Google Patents

ウェハベーキング装置 Download PDF

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JP2006060228A JP2005239259A JP2005239259A JP2006060228A JP 2006060228 A JP2006060228 A JP 2006060228A JP 2005239259 A JP2005239259 A JP 2005239259A JP 2005239259 A JP2005239259 A JP 2005239259A JP 2006060228 A JP2006060228 A JP 2006060228A
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瞳 雨 李
Jin-Sung Lee
晉 成 李
Jong-Kill Lim
鍾 吉 林
Bang-Weon Lee
邦 元 李
Taiso Boku
泰 相 朴
Tae-Gyu Kim
兌 圭 金
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Abstract

【課題】加熱プレートに対するウェハアップ/ダウン時に、ウェハ周辺の空気流動を調節することにより、周辺空気抵抗によるウェハ設置時の位置ずれ及びウェハ変形などを防止できるウェハベーキング装置を提供する。
【解決手段】ウェハ乗降ユニット30と連動して動きながらウェハW及び加熱プレート20間に所定の空気流動を誘発させる空圧シリンダ構造の空気流動調節ユニット100を含む。
【選択図】図4

Description

本発明は、ウェハベーキング装置に関する。
一般に、ウェハベーキング装置はウェハ上に塗布されたフォトレジストの溶剤を揮発させる。
半導体の製作工程は、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、薄膜形成工程、リソグラフィ工程及び平坦化工程に大分される。このうち、前記リソグラフィ工程は、フォトレジストを塗布する工程から始まり、パターン露光、現像、エッチング、フォトレジスト除去に至る一連のプロセスである。前記パターン露光は、レチクルと呼ばれるマスク基板によりウェハ表面に必要とするパターンを縮小投影して転写させる。この工程は全てのプロセスの技術の核であり、半導体工場でも最も多い金額を投資する装置である。パターン形成後、エッチング工程が行われる。これには、形成されたフォトレジストパターンをマスクにして処理が行われる。
ウェハ上にパターン形成のためのフォトレジストを塗布する前には、ウェハ表面に存する水分を除去しなければならない。このため、ウェハを所定の温度で加熱する。図1はウェハを所定の温度で加熱するためのウェハベーキング装置を概略的に示す図である。
同図に示すように、一般に、ウェハベーキング装置はチャンバ1、加熱プレート2、ウェハ(W)をベーキング位置及びアンローディングに移動させるウェハ乗降ユニット3を含む。ウェハ(W)はベーキング位置で加熱プレート2に設けられた多数のスペーサ4の上に設置される。チャンバ1はカバー5を備え、ウェハ乗降ユニット3は加熱プレート2に形成された複数の貫通孔2aに挿入される乗降ピン3aを備える。
このように、ウェハベーキング装置においてウェハ(W)はロボット(図示せず)により加熱プレート2の上部へ突出されている乗降ピン3aに載せられ、このような状態でウェハ乗降ユニット3が下降することによりウェハ(W)がベーキング位置、即ち加熱プレート2のスペーサ5上に設置された状態でウェハベーキングが行われる。(図2参照)
図3に示すように、ベーキングが完了した前記ウェハ(W)はウェハ乗降ユニット3により上昇する乗降ピン3aによりアンローディング位置に移動し、ロボット(図示せず)によりアンローディングされる。
一般的なウェハベーキング装置では、ウェハのサイズが大きくなる一方で、加熱プレート2とウェハとの間隔が100μm以下に維持されている。そのため、ウェハ乗降ユニット3によるウェハ(W)のアップ/ダウン時に、外部空気の抵抗によってウェハの搬送不良及び破損が生じやすい傾向にある。
即ち、図2に示すように、ウェハ(W)をベーキング位置に設置する時、加熱プレート2及びウェハ(W)間の空気抵抗によるウェハの設置位置がずれてしまい、図3に示すように、ベーキングの完了したウェハ(W)をアンローディング位置に移動させる時、ウェハ(W)上部の空気抵抗によりウェハが変形される恐れがある。
本発明は、前記のような問題点を鑑みてなされたものであって、その目的は加熱プレートに対するウェハアップ/ダウン時にウェハの周辺の空気の流動を調節することにより、周辺の空気抵抗によるウェハの設置時の位置ずれ及びウェハの変形を防止できるウェハベーキング装置を提供することにある。
前記目的を達成するために、発明1は、下記の構成要素を有するウェハベーキング装置を提供する。
・チャンバ、
・前記チャンバ内に設けられ、貫通孔が形成されているウェハ加熱プレート、
・前記加熱プレートに近接したベーキング位置と前記加熱プレートから離隔したアンローディング位置とにウェハを移動させる乗降ユニット、
・前記ウェハ乗降ユニットによるウェハ移動時に、空気の流動を誘発させる空気流動調節ユニット。
空気流動調節ユニットによりウェハ周辺の空気抵抗を減らすため、ベーキング位置へのウェハ設置時に生じる位置ずれ及びアンローディング位置へのウェハ移動時に生じるウェハ変形などを防止できる。
発明2は、前記発明1において、前記空気流動調節ユニット画家記の構成要素を有するウェハベーキング装置を提供する。
・前記加熱プレートを貫通する少なくとも一つのシリンダ、
・前記シリンダに沿って往復運動し、前記加熱プレート及びウェハ間の空気の流動を調節するピストン。
発明3は、前記発明2において、前記ピストンが前記ウェハ乗降ユニットの動作に連動するウェハベーキング装置を提供する。
発明4は、発明3において、前記ピストンは前記ウェハ乗降ユニットと一体に構成されているウェハベーキング装置を提供する。
発明5は、前記発明3において、前記ピストンはシリンダ内で往復運動するウェハベーキング装置を提供する。
発明6は、前記発明1において、前記チャンバは開閉可能なカバーを備えるウェハベーキング装置を提供する。
発明7は、前記発明1において、前記ベーキング位置と前記加熱プレートとの間隔は70〜100μmの範囲であり、前記加熱プレートは前記間隔を維持するためのスペーサを有するウェハベーキング装置を提供する。
発明8は、前記発明1において、前記ウェハ乗降ユニットが、前記加熱プレートの貫通孔内を往復運動可能に配置された乗降ピンを有するウェハベーキング装置を提供する。
本発明によると、ウェハ乗降ユニットと連動して動きながら、ウェハ及び加熱プレート間に所定の空気流動を誘発させる空圧シリンダ構造の空気流動調節ユニットを備えているので、ベーキング位置へのウェハ設置時に生じる位置ずれ及びアンローディング位置へのウェハ移動時に生じるウェハ変形などを防止できる。
以下、添付した図面に基づいて本発明の好適な実施形態を詳説する。
図4は本発明によるウェハベーキング装置を概略的に示す図である。
同図に示すように、本発明によるウェハベーキング装置は、チャンバ10、加熱プレート20、ウェハ乗降ユニット30及び空気流動調節ユニット100を含む。
チャンバ10は開閉可能なカバー11を備え、ベーキング工程において必要な環境、即ち熱が外部に放出されることを防止するため密閉といった工程環境を作る。
加熱プレート20は、チャンバ10内に設けられる。加熱プレート20には、加熱プレート20を貫通する複数の貫通孔22が適所に形成されている。加熱プレート20には、複数の加熱体(図示せず)が内設されており、その上部面21にはウェハ(W)をベーキング位置へ支持するスペーサ23が設けられている。前記ベーキング位置は加熱プレート20から70〜100μmほど離隔した位置である。
ウェハ乗降ユニット30は、加熱プレート20に近接したベーキング位置と加熱プレート20から離隔したアンローディング位置とにウェハ(W)を移動させるものであり、貫通孔22に挿入される乗降ピン31を備える。
空気流動調節ユニット100はシリンダ110とピストン120を含む。
シリンダ110は加熱プレート20を貫通するように形成される。本発明の好適な実施形態によれば、複数の貫通孔22よりも加熱プレート20の中心側に位置する各々のシリンダ110が、一定間隔で離隔するよう形成されることが好ましい。
ピストン120は、シリンダ110に沿って上下運動しながら、加熱プレート20及びウェハ(W)間の空気流動を調節する。ピストン120は、ウェハ乗降ユニット30の動作に連動する。ピストン120は図5及び図6に示すように、ウェハ乗降ユニット30と一体に構成されることもできる。また、図7及び図8に示すように、ウェハ乗降ユニット30と別に構成されることもできる。
ピストン120の最大上昇位置と下降位置はシリンダ110内に存することが好ましい。即ち、ピストン120の最大上昇位置は加熱プレート20の上部面21を超えず、ピストン120の最大下降位置は加熱プレート20の下部面を越えないことが好ましい。つまり、ピストン120は、シリンダ110内で往復運動することが好ましい。
以下、本発明によるウェハベーキング装置の動作を図4〜8を参照しながら説明する。
ウェハ(W)が生産されれば、生産過程時の残留水分などを除去するため高温加熱の工程が必要となる。このため、ロボット(図示せず)が生産されたウェハを把持して、チャンバ10上に搬送する。
前記ロボットにより搬送されたウェハ(W)は図5に示すように、カバー11(図4参照)が開放されたチャンバ10の上で、加熱プレート20上に一定の高さで突出した乗降ピン31に載せられて支持される。乗降ピン31上に載せられたウェハ(W)は、乗降ピン31の下降動作に伴って下降し、上部面21に突出形成されたスペーサ23上に設置される。このとき、ウェハ(W)が下降しながらウェハ(W)及び加熱プレート20間の空気を押し出し、その空気はシリンダ110内部で下降するピストン120の下降動作によりシリンダ110内部に流入される。従って、ベーキング位置にウェハ(W)が設置される時、ウェハ(W)に空気抵抗が作用しないのでウェハ(W)の位置ずれも生じない。
また、ピストン120の下降により前記シリンダ内部に空気が吸入されることによって、ウェハ(W)及び加熱プレート20間の気圧がウェハ(W)上部側の気圧に比べ低くなるため、ウェハ(W)上部側の空気がウェハ(W)を押すようになる。従って、ウェハ(W)は乗降ピン31に密着した状態で下降するので、予定されたスペーサ23上に設定されたベーキング位置に正確に設置できる。
また、ウェハ(W)のベーキングが終了すれば、図6に示すように、乗降ピン31が上昇する時にウェハ(W)をアンローディング位置に移動させる。このとき、ピストン120はウェハ乗降ユニット30の上昇動作に連動され共に上昇する。すると、シリンダ110内部の空気はピストン120により押し出され、ウェハ(W)の中心付近に圧力を加える。
このように、シリンダ110から排出される空気により、ウェハ(W)の中心付近の圧力は、ウェハ(W)が乗降ピン31により上昇する時、ウェハ(W)の上側に位置している空気抵抗と対応(バランスする)されるので、空気抵抗によりウェハ(W)が変更されることを防止できる。
一方、図7及び図8には本発明の他の実施形態としてピストン120がウェハ乗降ユニット30と別に乗降できることを示す図であり、動作の原理や効果は前述したとおりである。
本発明は上述した特定の実施形態に限定されるものではない。実際、当業者であれば、上記の説明に基づき、特許請求の範囲に記載されている本発明の技術的範囲を逸脱することなく、本発明の実施形態に対し、種々の変更及び修正を施すことが可能であろう。従って、そのような変更及び修正は当然に、本発明の技術的範囲に含まれるべきである。
一般のウェハベーキング装置の概略図 図1に示したウェハベーキング装置でウェハがベーキング位置に設置される状態を示す図 ベーキングが完了した図2のウェハがアンローディング位置に移動することを示す図 本発明の一実施形態によるウェハベーキング装置を概略的に示す図 図4に示したウェハベーキング装置でウェハがベーキング位置に設置された状態を示す図 ベーキングが完了した図5のウェハがアンローディング位置に移動した状態を示す図 本発明の他の実施形態によるウェハベーキング装置でウェハがベーキング位置に設置された状態を示す図 ベーキングが完了した図7のウェハがアンローディング位置に移動した状態を示す図
符号の説明
10 チャンバ
11 カバー
20 加熱プレート
30 ウェハ乗降ユニット
100 空気流動調節ユニット
110 シリンダ
120 ピストン


Claims (8)

  1. チャンバと、
    前記チャンバ内に設けられ、貫通孔が形成されているウェハ加熱プレートと、
    前記加熱プレートに近接したベーキング位置と前記加熱プレートから離隔したアンローディング位置とにウェハを移動させる乗降ユニットと、
    前記ウェハ乗降ユニットによるウェハ移動時に、空気の流動を誘発させる空気流動調節ユニットと、
    を有することを特徴とするウェハベーキング装置。
  2. 前記空気流動調節ユニットは、
    前記加熱プレートを貫通する少なくとも一つのシリンダと、
    前記シリンダに沿って往復運動し、前記加熱プレート及びウェハ間の空気の流動を調節するピストンと、
    を有することを特徴とする、請求項1に記載のウェハベーキング装置。
  3. 前記ピストンは前記ウェハ乗降ユニットの動作に連動することを特徴とする、請求項2に記載のウェハベーキング装置。
  4. 前記ピストンは前記ウェハ乗降ユニットと一体に構成されていることを特徴とする、請求項3に記載のウェハベーキング装置。
  5. 前記ピストンはシリンダ内で往復運動することを特徴とする、請求項3に記載のウェハベーキング装置。
  6. 前記チャンバは開閉可能なカバーを備えることを特徴とする、請求項1に記載のウェハベーキング装置。
  7. 前記ベーキング位置と前記加熱プレートとの間隔は70〜100μmの範囲であり、前記加熱プレートは前記間隔を維持するためのスペーサを有することを特徴とする、請求項1に記載のウェハベーキング装置。
  8. 前記ウェハ乗降ユニットは、前記加熱プレートの貫通孔内を往復運動可能に配置された乗降ピンを有することを特徴とする、請求項1に記載のウェハベーキング装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7980003B2 (en) * 2006-01-25 2011-07-19 Tokyo Electron Limited Heat processing apparatus and heat processing method
JP7681200B1 (ja) * 2024-02-28 2025-05-21 キヤノン株式会社 基板保持装置、基板処理装置、基板保持方法、基板処理方法、および物品製造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7432028B2 (en) * 2003-03-31 2008-10-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Polymeric charge transport compositions
JP6130703B2 (ja) * 2013-04-01 2017-05-17 キヤノン株式会社 ホルダ、ステージ装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
CN107534010A (zh) * 2015-05-29 2018-01-02 罗斯柯公司 部件处理组件
US9536759B2 (en) * 2015-05-29 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Baking apparatus and method
US9929029B2 (en) * 2015-10-15 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system
CN106054541B (zh) * 2016-08-12 2019-09-20 武汉华星光电技术有限公司 预烘烤设备
CN108732876A (zh) * 2018-05-18 2018-11-02 厦门乾照光电股份有限公司 光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法
CN110828342A (zh) * 2019-10-25 2020-02-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 烘烤装置及基板烘烤方法
KR102310317B1 (ko) * 2019-12-30 2021-10-08 주식회사 맥스텍 포토레지스트 베이크 장치의 핫 플레이트 및 이를 이용한 웨이퍼 안착 모니터링 방법
US20240170307A1 (en) * 2022-11-17 2024-05-23 Tokyo Electron Limited High Heat Capacity Hot Plate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0679140U (ja) * 1993-04-09 1994-11-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
JPH08313855A (ja) * 1995-05-12 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JPH11297789A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2001237155A (ja) * 2000-02-21 2001-08-31 Tokyo Electron Ltd 加熱処理方法及び加熱処理装置
JP2002261087A (ja) * 2001-02-27 2002-09-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2003045944A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板保持装置、基板受渡し方法とこれを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3333135B2 (ja) * 1998-06-25 2002-10-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
KR20030003471A (ko) * 2001-07-02 2003-01-10 삼성전자 주식회사 반도체 소자 제조용 베이크 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0679140U (ja) * 1993-04-09 1994-11-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
JPH08313855A (ja) * 1995-05-12 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JPH11297789A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2001237155A (ja) * 2000-02-21 2001-08-31 Tokyo Electron Ltd 加熱処理方法及び加熱処理装置
JP2002261087A (ja) * 2001-02-27 2002-09-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2003045944A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板保持装置、基板受渡し方法とこれを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7980003B2 (en) * 2006-01-25 2011-07-19 Tokyo Electron Limited Heat processing apparatus and heat processing method
US8782918B2 (en) 2006-01-25 2014-07-22 Tokyo Electron Limited Heat processing apparatus and heat processing method
JP7681200B1 (ja) * 2024-02-28 2025-05-21 キヤノン株式会社 基板保持装置、基板処理装置、基板保持方法、基板処理方法、および物品製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7115840B2 (en) 2006-10-03
US20060049168A1 (en) 2006-03-09
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CN1737693A (zh) 2006-02-22
KR100574058B1 (ko) 2006-04-27

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