JP2005322721A - Information storage method and information use method - Google Patents
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Abstract
【課題】 低コストで特別な知識を有しなくとも露光装置等で用いられる膨大な情報を効率的且つ容易に管理することができるように保存する情報保存方法、及び当該情報を露光装置等で使用する情報使用方法を提供する。
【解決手段】 記憶部53には、露光装置の装置状態を示す状態情報、露光装置の各種設定値及び装置性能を示す装置情報、露光装置で行う露光処理に関するプロセス情報、及び各種計測情報が逐次記憶される。これらの情報に対して、システムコントローラ55の作成プログラムはMPEG−7に則ったメタデータを作成する。検索プログラムによるメタデータの使用頻度等に応じてメタデータに対して重み付けを行い、重みに応じて上記の情報を選別するとともにメタデータの更新を行う。
【選択図】 図3PROBLEM TO BE SOLVED: To save an enormous amount of information used in an exposure apparatus etc. at low cost without having special knowledge so that it can be managed efficiently and easily, and to store the information in the exposure apparatus etc. Provide information usage methods to be used.
In a storage unit 53, status information indicating the apparatus status of the exposure apparatus, apparatus information indicating various setting values and apparatus performance of the exposure apparatus, process information relating to exposure processing performed by the exposure apparatus, and various measurement information are sequentially stored. Remembered. For these pieces of information, the creation program of the system controller 55 creates metadata according to MPEG-7. The metadata is weighted according to the usage frequency of the metadata by the search program, etc., and the above information is selected according to the weight and the metadata is updated.
[Selection] Figure 3
Description
本発明は、計測により得られた物体の位置に関する情報又はマスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置の動作に関連する動作情報を保存する情報保存方法、及び当該情報を位置計測装置又は上記露光装置で使用する情報使用方法に関する。 The present invention relates to an information storage method for storing information related to the position of an object obtained by measurement or operation information related to the operation of an exposure apparatus that transfers a pattern formed on a mask onto a substrate, and the position measurement apparatus. Alternatively, the present invention relates to a method for using information used in the exposure apparatus.
半導体素子、液晶表示素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド、その他のデバイスの製造工程の1つであるフォトリソグラフィ工程においては、露光処理、現像処理、及び各種の基板処理が繰り返し行われる。上記の露光処理は、露光装置を用いてマスクやレチクル(以下、これらを総称する場合にはマスクという)に形成されたパターンを、フォレジスト等の感光剤が塗布されたウェハやガラスプレート等(以下、これらを総称する場合は、基板という)に転写する処理であり、現像処理は露光処理を終えた基板上の感光剤を現像して基板上にレジストパターンを形成する処理である。また、上記の基板処理は、例えばレジストパターンの形状に基板をエッチングする処理、基板に不純物をドープする処理、基板上に配線を形成する処理、その他の処理である。 In a photolithography process which is one of manufacturing processes of a semiconductor element, a liquid crystal display element, an imaging element, a thin film magnetic head, and other devices, an exposure process, a development process, and various substrate processes are repeatedly performed. The above-described exposure processing is performed by using a pattern formed on a mask or reticle (hereinafter referred to as a mask when these are collectively called) using an exposure apparatus, a wafer or a glass plate coated with a photoresist or other photosensitive agent ( Hereinafter, these are collectively referred to as a substrate), and the development process is a process of developing a photosensitive agent on the substrate after the exposure process to form a resist pattern on the substrate. The above-described substrate processing is, for example, processing for etching the substrate into the shape of a resist pattern, processing for doping impurities into the substrate, processing for forming wiring on the substrate, and other processing.
上記の露光処理、現像処理、及び各種の基板処理を行うことにより基板上には1つの層(レイヤ)が形成される。上述した各種デバイスは、複数のマスクを交換しながら上記露光処理、現像処理、及び各種の基板処理を数回〜数十回程度繰り返し行い、複数のレイヤを重ね合わせることにより製造される。露光装置を用いた露光処理においては、各レイヤを形成する度に、マスク及び基板の位置計測並びにマスクと基板との位置合わせ(以下、これらをアライメントという)を行うアライメント工程、露光光をマスクに照射してマスクを介した露光光で基板を露光する露光工程が行われる。 A single layer is formed on the substrate by performing the exposure process, the development process, and various substrate processes. The various devices described above are manufactured by repeatedly performing the exposure process, the developing process, and the various substrate processes several times to several tens of times while exchanging a plurality of masks, and overlapping a plurality of layers. In an exposure process using an exposure apparatus, each time a layer is formed, an alignment process for measuring the position of the mask and the substrate and aligning the mask and the substrate (hereinafter referred to as alignment), and using the exposure light as a mask An exposure process is performed in which the substrate is exposed with exposure light through the mask through irradiation.
上記のアライメント工程は、基板の大まかな位置合わせを行うプリアライメント工程、基板に設けられた位置計測用マークの大まかな位置情報を計測するサーチアライメント工程、上記位置計測用マークの位置情報を高精度に計測し、この計測結果に基づいて精確に基板の位置合わせを行うファインアライメント工程が設けられている、これらの各々の工程においては、マスク及び基板の位置情報の計測及び位置合わせを行うために、各種の制御情報が必要になる。また、上記の露光工程においても、基板上に塗布された感光剤の感光特性を示す情報及びマスクの照明条件を設定する情報等の各種制御情報が必要になる。 The alignment process described above is a pre-alignment process that roughly aligns the substrate, a search alignment process that measures rough position information of the position measurement marks provided on the substrate, and the position information of the position measurement marks is highly accurate. In order to measure and align the position information of the mask and the substrate in each of these steps, a fine alignment process is provided to accurately position the substrate based on the measurement result. Various control information is required. Also in the above exposure step, various control information such as information indicating the photosensitive characteristics of the photosensitive agent applied on the substrate and information for setting the illumination conditions of the mask is required.
また、露光装置においては、保守及び管理を行うために各種動作を実行した際の動作結果又は装置状態を示す装置情報及び上記位置計測用マークの計測結果を示す計測情報等の各種情報が一定期間ログファイルとして記録装置に記録される。露光装置に問題が生じたときには、このログファイルに記録された内容を参照することで原因究明が行われる。このように、露光装置においては、露光装置に所定の動作を行わしめるための各種制御情報、及び動作結果又は装置状態等を示す各種情報が用いられている。 In the exposure apparatus, various information such as operation information when performing various operations for maintenance and management or apparatus information indicating the apparatus state and measurement information indicating the measurement result of the position measurement mark is stored for a certain period. It is recorded in the recording device as a log file. When a problem occurs in the exposure apparatus, the cause is investigated by referring to the contents recorded in the log file. Thus, in the exposure apparatus, various control information for causing the exposure apparatus to perform a predetermined operation, and various information indicating the operation result or the apparatus state are used.
これらの情報を露光装置の保守等に活用するためには、記録装置に記録された情報の管理が重要になる。つまり、記録装置内において、どの情報が何処に記録されているかを全て把握する必要がある。かかる情報の管理が不十分である場合には、記録装置に記録された情報から必要な情報を得ることができず、保守等のために情報を有効活用することができない。また、露光装置で用いられる各種制御情報並びに装置情報及び計測情報は膨大な量であり、しかも露光装置は24時間連続稼働されることが多いため、管理すべき情報量は極めて膨大なものになる。このため、従来は露光装置で用いられる各種情報の管理は十分な知識を有する者のみによって行われていた。 In order to utilize such information for maintenance of the exposure apparatus, it is important to manage the information recorded in the recording apparatus. That is, it is necessary to grasp all the information where the information is recorded in the recording apparatus. If such information management is insufficient, necessary information cannot be obtained from the information recorded in the recording device, and the information cannot be effectively used for maintenance or the like. In addition, since various kinds of control information, apparatus information and measurement information used in the exposure apparatus are enormous, and the exposure apparatus is often operated continuously for 24 hours, the amount of information to be managed becomes extremely enormous. . For this reason, conventionally, management of various types of information used in the exposure apparatus has been performed only by those who have sufficient knowledge.
尚、以下の特許文献1には、露光装置に設けられたログファイルを参照してエラーの発生状況を示す情報のみを集計することで、エラーに関する格別な知識を必要とすることなく露光装置におけるエラーの発生状況を把握することができるようにした技術が開示されている。
ところで、露光装置の保守等を行う場合には、エラーの発生状況を示す情報のみならず、露光装置の装置情報及び計測情報が必要になることがある。このような情報から必要な情報を得るためには、上述した通り露光装置の記録装置に記録された情報を管理するための十分な知識が必要であるため、この知識を有しない者は必要な情報を得ることができないという問題があった。 By the way, when performing maintenance or the like of the exposure apparatus, apparatus information and measurement information of the exposure apparatus may be required as well as information indicating an error occurrence state. In order to obtain necessary information from such information, sufficient knowledge for managing the information recorded in the recording apparatus of the exposure apparatus is necessary as described above, and therefore a person who does not have this knowledge is necessary. There was a problem that information could not be obtained.
かかる問題を解決すべく、記録装置に記録された情報のデータベースを作成して管理することも考えられる。しかしながら、露光装置で用いられる各種情報は膨大な量であるため、記録装置の記録容量の制限から記憶装置に記録される情報は直近の所定期間のもののみであり、所定期間よりも過去の情報は破棄(消去又は上書き)されるという特殊性を有する。このような特殊性を有する情報の管理を市販のデータベース管理プログラムで行うことは困難であるという問題がある。 In order to solve such a problem, it is conceivable to create and manage a database of information recorded in the recording device. However, since various kinds of information used in the exposure apparatus are enormous, the information recorded in the storage device is only for the most recent predetermined period due to the limitation of the recording capacity of the recording apparatus. Has the special property of being destroyed (erased or overwritten). There is a problem that it is difficult to manage such information with special characteristics using a commercially available database management program.
また、情報の特殊性に合わせたデータベース管理プログラムを独自に開発することも考えられるが、開発及び維持にはコスト及び時間がかかるという問題がある。更に、独自に開発したデータベースは独自の規格であるが故に変更が困難であり、変更が必要な場合には再度新たなデータベースの作成が必要になり、管理が極めて煩雑になるという問題があった。 Although it is conceivable to independently develop a database management program tailored to the particularity of information, there is a problem that development and maintenance take cost and time. Furthermore, since the database developed independently is an original standard, it is difficult to change the database. If a change is necessary, a new database must be created again, which makes management extremely complicated. .
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、低コストで特別な知識を有しなくとも露光装置等で用いられる膨大な情報を効率的且つ容易に管理することができるように保存する情報保存方法、及び当該情報を露光装置等で使用する情報使用方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and stores information so as to be able to efficiently and easily manage enormous information used in an exposure apparatus or the like at low cost and without special knowledge. It is an object to provide a storage method and an information use method for using the information in an exposure apparatus or the like.
上記課題を解決するために、本発明の情報保存方法は、物体(W)の位置に関する情報を保存する情報保存方法であって、物体上に検出ビームを照射し、該検出ビームの照射により該物体の表面上で発生したビームを受光して、該物体の表面を測定して測定データ情報を得る第1工程と、前記第1工程で測定された測定データ情報を第1規則に従って管理するために、該第1規則を定義する参照用データ(MD)を作成する第2工程と、前記測定データ情報を前記第1規則に従って保存し、且つ該測定データ情報とは別に前記参照用データを保存する第3工程と、前記第2工程で作成された前記参照用データの内容を、前記第1規則とは異なる第2規則を定義する内容に更新する第4工程と、前記測定データ情報を前記第2規則に従って保存し、且つ該測定データ情報とは別に前記第4工程で更新された参照用データを保存する第5工程とを含むことを特徴としている。
また、本発明の情報保存方法は、マスク(R)上に形成されたパターンを基板(W)上に転写露光する露光装置(EX)の動作に関連する動作情報を保存する情報保存方法であって、前記動作情報を得る第1工程と、前記第1工程で得られた動作情報を第1規則に従って管理するために、該第1規則を定義する参照用データを作成する第2工程と、前記動作情報を前記第1規則に従って保存し、且つ該動作情報とは別に前記参照用データを保存する第3工程と、前記第2工程で作成された前記参照用データの内容を、前記第1規則とは異なる第2規則を定義する内容に更新する第4工程と、前記動作情報を前記第2規則に従って保存し、且つ該動作情報とは別に前記第4工程で更新された参照用データを保存する第5工程とを含むことを特徴としている。
これらの発明によると、物体表面の測定データ情報又は露光装置の動作情報が得られると、これらを管理する第1規則を定義する参照用データが作成されて各々が個別に保存される。また、参照用データが第1規則とは異なる第2規則に変更されると、測定データ情報又は露光装置の動作情報が第2規則に従って保存され、更新された参照量データはこれらとは個別に保存される。
上記課題を解決するために、本発明の情報使用方法は、物体(W)の位置に関する情報を取得する位置計測装置(44)において、該情報を使用する情報使用方法であって、物体上に検出ビームを照射し、該検出ビームの照射により該物体の表面上で発生したビームを受光して、該物体の表面を測定して測定データ情報を得る第1工程と、前記第1工程で測定された測定データ情報を管理する参照用データとして、該測定データ情報に対して所定の演算処理を施して該測定データ情報の特徴を代表的に示す数値データ情報を作成する第2工程と、前記数値データ情報と、前記第2工程後に前記第1工程を行って得られた前記測定データ情報とを比較して、両者間の変化量を求める第3工程と、前記第3工程で得られた前記変化量が所定の許容値以上であれば、該変化量に基づいて前記位置計測装置に所定の動作を実行せしめる第4工程とを有することを特徴としている。
また、本発明の情報使用方法は、マスク(R)上に形成されたパターンを、投影光学系(PL)を介して基板(W)上に転写露光する露光装置(EX)の動作に関連する動作情報を使用する情報使用方法であって、前記動作情報を得る第1工程と、前記第1工程で得られた前記動作情報を管理する参照用データとして、該動作情報に対して所定の演算処理を施して該動作情報の特徴を代表的に示す数値データ情報を作成する第2工程と、前記数値データ情報と、前記第2工程後に前記第1工程を行って得られた前記動作情報とを比較して、両者間の変化量を求める第3工程と、前記第3工程で得られた前記変化量に基づいて前記露光装置に所定の動作を実行せしめる第4工程とを有することを特徴としている。
これらの発明によると、物体表面の測定データ情報又は露光装置の動作情報が得られると、測定データ情報又は動作情報に対して所定の演算処理が施されて測定データ情報又は動作情報の特徴を代表的に示す数値データ情報が参照用データとして作成される。この参照用データを作成した後で測定データ情報又は動作情報が得られると、この測定データ情報又は動作情報と数値データ情報とが比較されて両者間の変化量が求められ、変化量が所定の許容値以上であればこの変化量に基づいて位置計測装置又は露光装置において所定の動作が実行される。
In order to solve the above-described problem, an information storage method of the present invention is an information storage method for storing information on the position of an object (W), which irradiates a detection beam on the object, and irradiates the detection beam with the detection beam. A first step of receiving a beam generated on the surface of an object, measuring the surface of the object to obtain measurement data information, and managing the measurement data information measured in the first step according to a first rule And a second step of creating reference data (MD) defining the first rule, storing the measurement data information according to the first rule, and storing the reference data separately from the measurement data information A third step, a fourth step of updating the content of the reference data created in the second step to a content defining a second rule different from the first rule, and the measurement data information Save according to the second rule It is characterized in that and and a fifth step of the said measurement data information to store the reference data updated separately by the fourth step.
The information storage method of the present invention is an information storage method for storing operation information related to the operation of an exposure apparatus (EX) that transfers and exposes a pattern formed on a mask (R) onto a substrate (W). A first step of obtaining the operation information; a second step of creating reference data defining the first rule in order to manage the operation information obtained in the first step according to the first rule; A third step of storing the operation information in accordance with the first rule and storing the reference data separately from the operation information, and a content of the reference data created in the second step A fourth step of updating the content to define a second rule different from the rule, storing the operation information in accordance with the second rule, and storing the reference data updated in the fourth step separately from the operation information Including a fifth step of storage It is.
According to these inventions, when the measurement data information on the object surface or the operation information of the exposure apparatus is obtained, the reference data defining the first rule for managing them is created and stored individually. Further, when the reference data is changed to the second rule different from the first rule, the measurement data information or the operation information of the exposure apparatus is stored according to the second rule, and the updated reference amount data is separately from these. Saved.
In order to solve the above problems, an information use method according to the present invention is an information use method that uses the information in a position measurement device (44) that obtains information related to the position of the object (W), and is provided on the object. A first step of irradiating a detection beam, receiving a beam generated on the surface of the object by the irradiation of the detection beam, measuring the surface of the object, and obtaining measurement data information; and measuring in the first step A second step of creating numerical data information representatively representing the characteristics of the measurement data information by performing a predetermined calculation process on the measurement data information as reference data for managing the measured measurement data information; The numerical data information was compared with the measurement data information obtained by performing the first step after the second step, and the change amount between them was obtained in the third step and the third step. The amount of change is a predetermined tolerance If more, is characterized by a fourth step of allowed to perform a predetermined operation to the position measuring device on the basis of the variation amount.
The information use method of the present invention relates to the operation of an exposure apparatus (EX) that transfers and exposes a pattern formed on a mask (R) onto a substrate (W) via a projection optical system (PL). An information usage method using motion information, wherein a first operation for obtaining the motion information, and a predetermined calculation for the motion information as reference data for managing the motion information obtained in the first step A second step of processing to create numerical data information representative of the characteristics of the motion information; the numerical data information; and the motion information obtained by performing the first step after the second step; And a fourth step of causing the exposure apparatus to perform a predetermined operation based on the amount of change obtained in the third step. It is said.
According to these inventions, when the measurement data information on the object surface or the operation information of the exposure apparatus is obtained, a predetermined calculation process is performed on the measurement data information or the operation information to represent the characteristics of the measurement data information or the operation information. Numerical data information is generated as reference data. When measurement data information or operation information is obtained after creating this reference data, the measurement data information or operation information is compared with numerical data information to determine the amount of change between them, and the amount of change is a predetermined amount. If it is equal to or greater than the allowable value, a predetermined operation is executed in the position measuring apparatus or the exposure apparatus based on the change amount.
本発明によれば、物体表面の測定データ情報又は露光装置の動作情報に対し参照用データをこれらとは別に作成し、この参照用データを用いて測定データ情報又は動作情報を管理しているため、特別な知識を有しない者でも膨大な情報から必要な情報を効率的且つ容易に得ることができるという効果がある。また、参照用データの変更に合わせて測定データ又は露光動作が参照用データの規則に従って保存されるため、これらのデータの保存領域の制限から保存することができる情報量が制限される場合であっても測定データ情報又は動作情報と参照用データとの間に不整合が生ずることがなく、管理を効率的且つ容易に行うことができる。
また、本発明によれば、物体表面の測定データ情報又は露光装置の動作情報を代表的に示す数値データ情報を作成し、この数値データ情報と新たに得られる測定データ情報又は動作情報とを比較して変化量を求め、この変化量に応じて位置計測装置又は露光装置において所定の動作を実行しているため、位置計測装置又は露光装置の動作を止めることなく動作中に装置状況を変えることができるという効果がある。この結果、位置計測装置又は露光装置の装置状態を調整する工程を省略することができるため、装置の稼働時間を向上させることができる。
According to the present invention, the reference data is created separately from the measurement data information on the object surface or the operation information of the exposure apparatus, and the measurement data information or the operation information is managed using the reference data. There is an effect that even a person who does not have special knowledge can efficiently and easily obtain necessary information from a vast amount of information. In addition, since the measurement data or the exposure operation is stored according to the reference data rules in accordance with the change of the reference data, the amount of information that can be stored is limited due to the limitation of the storage area of these data. However, there is no inconsistency between the measurement data information or the operation information and the reference data, and management can be performed efficiently and easily.
Further, according to the present invention, numerical data information representatively representing measurement data information on the object surface or operation information of the exposure apparatus is created, and this numerical data information is compared with newly obtained measurement data information or operation information. Since the position measurement device or the exposure apparatus performs a predetermined operation according to the change amount, the apparatus status can be changed during the operation without stopping the operation of the position measurement device or the exposure apparatus. There is an effect that can be. As a result, since the process of adjusting the apparatus state of the position measuring apparatus or the exposure apparatus can be omitted, the operation time of the apparatus can be improved.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による情報保存方法及び情報使用方法について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態による情報保存方法及び情報使用方法が用いられる露光装置EXの全体構成の概略を示す図である。図1に示す露光装置EXは、図1中の投影光学系PLに対してマスクとしてのレチクルRと基板としてのウェハWとを相対的に移動させつつ、レチクルRに形成されたパターンをウェハWに逐次転写して半導体素子を製造するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。 Hereinafter, an information storage method and an information use method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an outline of the overall configuration of an exposure apparatus EX in which an information storage method and information use method according to an embodiment of the present invention are used. The exposure apparatus EX shown in FIG. 1 moves the pattern formed on the reticle R to the wafer W while moving the reticle R as a mask and the wafer W as a substrate relative to the projection optical system PL in FIG. Is a step-and-scan exposure apparatus that manufactures a semiconductor element by sequentially transferring to a semiconductor device.
尚、以下の説明においては、必要であれば図中にXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図1に示すXYZ直交座標系は、X軸及びY軸がウェハWに対して平行となるよう設定され、Z軸がウェハWに対して直交する方向に設定されている。図1中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。また、本実施形態ではレチクルR及びウェハWを同期移動させる方向(同期移動方向SD)をY方向に設定している。 In the following description, if necessary, an XYZ orthogonal coordinate system is set in the drawing, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The XYZ orthogonal coordinate system shown in FIG. 1 is set so that the X axis and the Y axis are parallel to the wafer W, and the Z axis is set in a direction orthogonal to the wafer W. In the XYZ coordinate system in FIG. 1, the XY plane is actually set to a plane parallel to the horizontal plane, and the Z axis is set to the vertically upward direction. In this embodiment, the direction in which the reticle R and the wafer W are moved synchronously (synchronous movement direction SD) is set in the Y direction.
図1において、1は断面が略長方形状の平行光束である露光光ILを射出する露光光源であり、例えばArFエキシマレーザ光源(波長193nm)である。露光光源1からの波長193nmの紫外パルスよりなる露光光ILは、ビームマッチングユニット(BMU)2を通り、光アッテネータとしての可変減光器3に入射する。露光光源1の発光の開始及び停止、並びに出力(発振周波数、パルスエネルギー、パルス数)は、主制御系24が制御する。また、主制御系24は、可変減光器3における減光率を段階的、又は連続的に調整する。
In FIG. 1,
可変減光器3を通った露光光ILは、レンズ系4a,4bよりなるビーム成形系5を経て第1段のオプティカル・インテグレータ(ユニフォマイザ、又はホモジナイザ)としての第1フライアイレンズ6に入射する。この第1フライアイレンズ6から射出された露光光ILは、第1レンズ系7a、光路折り曲げ用のミラー8、及び第2レンズ系7bを介して第2段のオプティカル・インテグレータとしての第2フライアイレンズ9に入射する。第2フライアイレンズ9の射出面、即ちレチクルRのパターン面に対する光学的なフーリエ変換面(照明系の瞳面、投影光学系PLの瞳面と光学的に共役な面)には複数の開口絞りを備えた開口絞り板10が、駆動モータ10eによって回転自在に配置されている。開口絞り板10は駆動モータ10eの回転軸に接続されており、駆動モータ10eを駆動して開口絞り板10を回転させることにより、第2フライアイレンズ9の射出面に配置する開口絞りを切り替えることができる。駆動モータ10eの駆動は露光装置EXの全体の動作を統括制御する主制御系24が制御する。
The exposure light IL passing through the variable dimmer 3 enters a first fly-eye lens 6 as a first-stage optical integrator (a homogenizer or a homogenizer) through a
第2フライアイレンズ9から射出されて開口絞り板10に形成された開口絞りの何れかを通過した露光光ILは、透過率が高く反射率が低いビームスプリッタ11に入射する。ビームスプリッタ11で反射された露光光は、集光用のレンズ21を介して光電検出器よりなるインテグレータセンサ22に入射する。インテグレータセンサ22の検出信号は、主制御系24に供始されている。インテグレータセンサ22の検出信号とウェハW上での露光光ILの照度との関係は予め高精度に計測されて、主制御系24内の記憶部(不図示)に記憶されている。主制御系24は、インテグレータセンサ22の検出信号に基づいて、ウェハWに対する露光量を制御する。
The exposure light IL that has been emitted from the second fly-
ビームスプリッタ11を透過した露光光ILは、光軸IAXに沿ってレンズ系12,13を順次経て、固定ブラインド(固定照明視野絞り)14及び可動ブラインド(可動照明視野絞り)15に入射する。固定ブラインド14は、後述する投影光学系PLの円形視野内の中央で同期移動方向SDと直交した方向に伸びた直線スリット状、又は矩形状(以下、まとめて「スリット状」という)の照明視野を形成する開口部を有する。可動ブラインド15は、光軸IAXに直交する面内において移動可能に構成されており、例えばウェハW上の各ショット領域への走査露光の開始時及び終了時の不要な露光を防止するために、照明視野領域の走査方向の幅を可変するために使用される。また、走査方向SDと直交した方向(非走査方向)に関してレチクルRのパターン領域のサイズに合わせて、照明視野の幅を可変するために使用される。
The exposure light IL transmitted through the beam splitter 11 sequentially enters the fixed blind (fixed illumination field stop) 14 and the movable blind (movable illumination field stop) 15 through the
固定ブラインド14は、レチクルRのパターンが形成されている面(以下、レチクル面という)に対する共役面から光軸IAX方向に所定量だけデフォーカスした面に配置されている。このように、固定ブラインド14をデフォーカスさせて配置するのは、ウェハW上の任意の点での露光量(DOSE量)のばらつきを防止するため、ウェハW上に照射される露光光ILの同期移動方向SDにおける照度分布を台形形状とするためである。露光時に可動ブラインド15を通過した露光光ILは、光路折り曲げ用のミラー17、結像用のレンズ系18、コンデンサレンズ19、及び主コンデンサレンズ系20を順次介して、マスクとしてのレチクルRのパターン面(下面)の照明フィールド(照明視野領域)IAを照明する。
The fixed blind 14 is disposed on a surface defocused by a predetermined amount in the optical axis IAX direction from the conjugate surface with respect to the surface on which the pattern of the reticle R is formed (hereinafter referred to as the reticle surface). In this way, the fixed blind 14 is defocused and arranged in order to prevent variations in the exposure amount (DOSE amount) at an arbitrary point on the wafer W in order to prevent the exposure light IL irradiated on the wafer W from being irradiated. This is because the illuminance distribution in the synchronous movement direction SD has a trapezoidal shape. The exposure light IL that has passed through the movable blind 15 during exposure passes through a
尚、以上説明した露光光源1、ビームマッチングユニット2、可変減光器3、レンズ系4a,4bよりなるビーム成形系5、第1フライアイレンズ6、第1レンズ系7a、光路折り曲げ用のミラー8、第2レンズ系7b、第2フライアイレンズ9、開口絞り板10、ビームスプリッタ11、レンズ系12,13、固定ブラインド14、可動ブラインド15、光路折り曲げ用のミラー17、結像用のレンズ系18、コンデンサレンズ19、及び主コンデンサレンズ系20は、照明光学系ISを構成している。
The exposure
露光光ILのもとで、レチクルRの照明フィールドIA内の回路パターンの像が両側テレセントリックな投影光学系PLを介して所定の投影倍率β(βは例えば1/4又は1/5等)で、投影光学系PLの結像面に配置された基板としてのウェハW上のスリット状の露光フィールドEAに転写される。尚、投影光学系PLは片側テレセントリックであっても良い。本実施形態の投影光学系PLは、ジオプトリック系(屈折系)であるが、カタジオプトリック系(反射屈折系)や反射系も使用できることはいうまでもない。また、本実施形態では露光光ILが真空紫外光であるため、通常の空気中の酸素、二酸化炭素、水蒸気等によって大きく吸収されてしまう。これを避けるために、図1に示した露光光源1からウェハWまでの露光光ILの光路には、真空紫外光に対しても高透過率の高純度のパージガス(ヘリウム、ネオン等の希ガス、又は窒素ガス等の所謂不活性ガス)が供給されている。更に、投影光学系PLを構成する屈折部材の硝材としては、例えば合成石英又は蛍石(フッ化カルシウム:CaF2)が用いられる。
Under the exposure light IL, the image of the circuit pattern in the illumination field IA of the reticle R passes through the bilateral telecentric projection optical system PL at a predetermined projection magnification β (β is, for example, 1/4 or 1/5). Then, the image is transferred to a slit-like exposure field EA on the wafer W as a substrate disposed on the image plane of the projection optical system PL. The projection optical system PL may be one-side telecentric. Although the projection optical system PL of the present embodiment is a dioptric system (refractive system), it goes without saying that a catadioptric system (catadioptric system) and a reflective system can also be used. In the present embodiment, since the exposure light IL is vacuum ultraviolet light, it is largely absorbed by oxygen, carbon dioxide, water vapor, etc. in normal air. In order to avoid this, the optical path of the exposure light IL from the exposure
レチクルRは、マスクステージとしてのレチクルステージ31上に吸着保持され、レチクルステージ31は、レチクルベース32上でY方向に等速移動できると共に、X方向にも微小移動でき、更にZ軸を中心とした回転移動もできるように載置されている。レチクルステージ31の一端には移動鏡33が取り付けられており、移動鏡33の鏡面に対面してレーザ干渉計34が設けられている。尚、図1では図示を簡略化しているが、移動鏡33はX軸に垂直な鏡面を有する移動鏡及びY軸に垂直な鏡面を有する移動鏡から構成されている。
The reticle R is sucked and held on a
また、レーザ干渉計34は、Y軸に沿って移動鏡33にレーザ光を照射する2個のY軸用のレーザ干渉計及びX軸に沿って移動鏡33にレーザ光を照射するX軸用のレーザ干渉計より構成され、Y軸用の1個のレーザ干渉計及びX軸用の1個のレーザ干渉計によりレチクルステージ31のX座標及びY座標が計測される。また、Y軸用の2個のレーザ干渉計の計測値の差により、レチクルステージ31のZ軸回りの回転角が計測される。レーザ干渉計34によって検出されたレチクルステージ31のX座標、Y座標、及び回転角の情報は主制御系24に供給される。主制御系24は供給されたステージ位置情報をモニターしつつレチクルステージ31の位置決め動作を制御する。
The
一方、ウェハWは、ウェハホルダ36を介して基板ステージ(移動ステージ)としてのウェハステージ37上に吸着保持され、ウェハステージ37は、ウェハベース38上で投影光学系PLの像面と平行なXY平面に沿って2次元移動する。即ち、ウェハステージ37は、ウェハベース38上でY方向に一定速度で移動すると共に、X方向、Y方向にステップ移動する。更に、ウェハステージ37には、ウェハWのZ方向の位置(フォーカス位置)、並びにX軸及びY軸の回りの傾斜角を制御するZレベリング機構も組み込まれている。
On the other hand, the wafer W is sucked and held on a
ウェハステージ37の一端には移動鏡39が取り付けられており、移動鏡39の鏡面に対面してレーザ干渉計40が設けられている。尚、図1では図示を簡略化しているが、移動鏡39はX軸に垂直な鏡面を有する移動鏡及びY軸に垂直な鏡面を有する移動鏡から構成されている。また、レーザ干渉計40は、Y軸に沿って移動鏡39にレーザビームを照射する2個のY軸用のレーザ干渉計及びX軸に沿って移動鏡39にレーザビームを照射するX軸用のレーザ干渉計より構成され、Y軸用の1個のレーザ干渉計及びX軸用の1個のレーザ干渉計によりウェハステージ37のX座標及びY座標が計測される。また、Y軸用の2個のレーザ干渉計の計測値の差により、ウェハステージ37の回転角が計測される。レーザ干渉計40によって計測されたウェハステージ37のX座標、Y座標、及び回転角の情報は主制御系24に供給される。主制御系24は供給されたステージ位置情報をモニターしつつウェハステージ37の位置決め動作を制御する。
A
また、ウェハステージ37上の一端には、ウェハステージ37の基準位置を定める基準部材45が設けられている。この基準部材45は、ウェハステージ37の座標系の基準位置を定めるものであり、ウェハステージ37の座標系に対するレチクルRの相対的な位置を計測する場合、及びベースラインを計測する場合に用いられる。ここで、ベースラインとは、例えばレチクルRに形成されたパターンの投影光学系PLによる投影像の中心位置と後述するウェハ・アライメントセンサ44の計測視野中心との距離をいう。この基準部材45には基準マークとして、例えば光透過性の5組のL字状パターンから成るスリットパターンと、光反射性のクロムで形成された2組の基準パターン(デューティ比は1:1)とが設けられている。
A
また、本実施形態においては、投影光学系PLの結像面に向けてピンホール又はスリット状の像を形成するための結像光束を、投影光学系PLの光軸AXに対して斜め方向から供給する照射光学系43aと、その結像光束のウェハW表面での反射光束を受光する受光光学系43bとからなる斜入射方式の焦点位置検出系43が設けられている。この焦点位置検出系43により、ウェハW表面の結像面に対するZ方向の位置ずれを検出することで、ウェハWと投影光学系PLとの合焦状態を検出することができるようになっている。
In the present embodiment, the imaging light beam for forming a pinhole or slit-shaped image toward the imaging surface of the projection optical system PL is obliquely oriented with respect to the optical axis AX of the projection optical system PL. An oblique incidence type focal
更に、本実施形態の露光装置は、オフ・アクシス方式のウェハ・アライメントセンサ44を投影光学系PLの側方に備える。このウェハ・アライメントセンサ44は、FIA(Field Image Alignment)方式のアライメントセンサである。ウェハ・アライメントセンサ44は、例えばハロゲンランプから射出される広帯域波長の光束を検出ビームとしてウェハW上に形成されたウェハマークに照射し、ウェハWから得られる反射光をCCD(Charge Coupled Device)等の撮像素子で撮像し、撮像した画像信号を主制御系24に供給する。
Further, the exposure apparatus of this embodiment includes an off-axis type
また更に、本実施形態の露光装置は、レチクルステージ31の上方に配置されたレチクル・アライメントセンサ46を備える。このレチクル・アライメントセンサ46は、レチクルRの外周付近に形成された位置検出用のレチクルマークと投影光学系PLを介してウェハステージ37上に形成された基準部材45とを同時に観察し、レチクルRとウェハステージ37との相対的な位置関係を直接的に計測(観察)する。
Furthermore, the exposure apparatus of this embodiment includes a
レチクル・アライメントセンサ46の計測結果は主制御系24へ出力され、画像処理、演算処理、フィルタリング処理等の処理が施されてレチクルRとウェハステージ37の相対的な位置ずれ量が求められる。そして、主制御系24は、この位置ずれ量に応じてレチクルステージ31を微動させ、レチクルRとウェハステージ37との相対的な位置合わせを行う。このレチクル・アライメントセンサ46は、TTL(スルー・ザ・レンズ)方式のアライメントセンサの一種であるTTR(スルー・ザ・レチクル)方式のアライメントセンサである。
The measurement result of the reticle /
また、上述した主制御系24には、キーボード又はマウス等のポインティングデバイスからなる入力装置及びCRT(Cathode Ray Tube)又は液晶表示装置からなる表示装置等を備える端末装置47が接続されている。この端末装置47にはGUI(Graphical User Interface)が実装されており(図3参照)、オペレータの操作内容に応じた各種の指令を主制御系24に与えるとともに、与えた指令に基づいて主制御系24で行われる各種処理の処理結果を表示するためのものである。
The
次に、主制御系24の構成について説明する。図2は、主制御系24の内部構成の要部を示すブロック図である。図2に示す通り、主制御系24は、FIA演算ユニット50、画像処理ユニット51、EGA演算ユニット52、記憶部53、照明条件設定部54、システムコントローラ55、レチクルステージ制御部56、ウェハステージ制御部57、インターフェイス部58、及び露光データファイル格納部59を含んで構成されている。
Next, the configuration of the
FIA演算ユニット50は、ウェハ・アライメントセンサ44から出力される画像信号に対して、画像処理、演算処理、フィルタリング処理等の処理を行い、ウェハWに形成されたウェハマークの位置情報を求める。この、FIA演算ユニット50で行われる処理の具体例としては、ウェハマークの輪郭を求める処理、得られた輪郭からウェハマークをなすマーク要素各々のエッジ位置を検出する処理、検出したエッジ位置からウェハマークのマーク中心を求める処理等がある。
The FIA
また、ウェハ・アライメントセンサ44から得られる画像信号は、ウェハマークの形状が変化しなくても、ウェハマークに対する検出ビームの照明具合又はウェハWの表面状態に応じて変化することがある。このため、FIA演算ユニット50には、ウェハマークの位置情報を求めるためのアルゴリズムが予め複数用意されており、システムコントローラ55が何れのアルゴリズムを用いて位置情報を求めるかを設定する。FIA演算ユニット50はシステムコントローラ55に対して、求めたウェハマークの位置情報、ウェハ・アライメントセンサ44から得られる画像信号そのもの、又はウェハマークの位置情報を算出する際の途中計算結果を示す情報(例えば、マーク要素各々のエッジ位置、コントラスト等)を出力する。何れの情報を出力させるかはシステムコントローラ55によって設定される。尚、本実施形態においては、説明の簡単化のために、上記の情報の全てが出力されるとする。
Further, the image signal obtained from the
画像処理ユニット51は、レチクル・アライメントセンサ46から出力される画像信号に対して、画像処理、演算処理、フィルタリング処理等の処理を行い、レチクルRに形成されたレチクルマークとウェハステージ37上の基準部材45に形成された基準マークとの相対位置を求め、その結果をシステムコントローラ55へ出力する。
The
EGA演算ユニット52は、ウェハW上に予め設定された代表的な数個(3〜9個)のショット領域の各々に付随して形成されたアライメントマーク(以下、ウェハマークという)の、ウェハ・アライメントセンサ44及びFIA演算ユニット50によって計測された位置情報と、その設計上の位置情報とに基づいてEGA(エンハンスト・グローバル・アライメント)演算を行い、ウェハW上に設定された全てのショット領域の配列の規則性を統計的な手法で決定する。
The EGA
記憶部53は、例えばハードディスク等の外部記憶装置で構成され、図3に示す通り、露光装置EXの装置状態を示す状態情報、露光装置EXの各種設定値及び装置性能を示す装置情報、露光装置EXで行う露光処理に関するプロセス情報、及び各種計測情報、並びにこれらの情報を管理するための管理情報であるメタデータ及び重みデータを記憶する。図3は、端末装置47、システムコントローラ55、及び記憶部53の内部構成を示すブロック図である。尚、メタデータの詳細については後述する。ここで、上記の状態情報としては、例えば露光装置EXの装置名、露光装置EXの稼働中に生じたエラー状況、露光装置EXの各部からの各種データが主制御系24に入力された日時がある。
The
上記の装置情報としては、例えばウェハステージ37、レチクルステージ31、及び焦点位置検出系43に設定したオフセット値、主制御系24にインストールされている露光装置EXの動作を制御する制御プログラムのバージョン、露光装置EXを修理又は改造した履歴を示す装置変更履歴、投影光学系PLの収差、開口数、及び組み立て時期を示すレンズ情報、並びに露光光源1の種類、露光光ILの波長、露光光源1の使用時間、光源の納入時期がある。
As the apparatus information, for example, offset values set in the
上記プロセス情報としては、例えばウェハWに対して行っている露光処理が何番目のレイヤに対するものであるか及びそのレイヤがどのような目的で作成しているレイヤであるかを示すレイヤ情報、並びにCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理の有無、ウェハW表面の段差を示す情報、及びウェハWの表面に現れている層の材料を示す情報を示す工程に関する情報がある。 As the process information, for example, the layer information indicating what layer the exposure processing performed on the wafer W is for, and what purpose the layer is created for, and There is information on a process indicating information indicating presence / absence of CMP (Chemical Mechanical Polishing) processing, information indicating a step on the surface of the wafer W, and information indicating a material of a layer appearing on the surface of the wafer W.
上記各種計測情報としては、例えばウェハステージ37及びレチクルステージ31各々の位置を示すステージ位置情報、アライメント時(プリアライメント、サーチアライメント、ファインアライメント、及びEGA演算時を含む)における画像信号、アライメント時に用いるアルゴリズムの種類及びパラメータを示す情報、及びFIA演算ユニット50によって求められたウェハマークの位置情報及びその途中計算結果を示す情報である計算情報がある。
As the various measurement information, for example, stage position information indicating the positions of the
照明条件設定部54は、システムコントローラ55の制御の下で、露光光ILの照明条件を設定する。具体的には、インテグレータセンサ22の検出結果に応じて露光光源1のパルス数及び露光光源1から射出される露光光ILの強度を制御するとともに、可変減光器3における減光率を制御する。また、駆動モータ10eを駆動して輪帯変形照明、照明のコヒーレンシィσ(σ値=照明光学系の射出側開口数/投影光学系の入射側開口数)を変化した照明、又は多極(例えば4極)状に照明光を分割した多重極照明等に設定し、更には可動ブラインド15の制御を行う。
The illumination
レチクルステージ制御部56は、システムコントローラ55の制御の下で、レーザ干渉計34の検出結果をモニタしつつ、レチクルステージ31を駆動してレチクルRの位置調整を行うとともに、走査方向SDにおけるレチクルRの移動制御を行う。同様に、ウェハステージ制御部57は、システムコントローラ55の制御の下で、レーザ干渉計40の検出結果をモニタしつつ、ウェハステージ37を駆動してウェハW上の各ショット領域の位置調整を行うとともに、走査方向SDにおけるウェハWの移動制御を行う。
The
インターフェイス部58は、端末装置47からのオペレータの指示内容をシステムコントローラ55に受け渡すとともに、システムコントローラ55から出力される情報(例えば、装置状態の一部を示す情報又は警告を示す情報)を端末装置47に出力する。露光データファイル格納部59は、ウェハWの露光を行う上で必要となる処理及びその処理順が記憶されており、この処理毎にウェハW上に塗布されているレジストに関する情報(例えば、レジスト感度)、必要となる解像度、使用するレチクルRに関する情報等(所謂、レシピ)が含まれている。
The
システムコントローラ55は、図3に示す通り、内部に制御プログラムを記憶しており、この制御プログラムと露光データファイル格納部59に記憶されているレシピとに基づいて露光装置EXの各部を制御し、露光装置EX全体の動作を制御する。具体的には、FIA演算ユニット50で用いるアルゴリズムを設定するとともに、FIA演算ユニット50から出力させる情報の設定を行う。
As shown in FIG. 3, the
必要に応じてFIA演算ユニット50内に設けられる不図示の増幅器のゲイン調整及びFIA演算ユニット50を介してウェハ・アライメントセンサ44内に設けられるハロゲンランプの交換も行う。また、上記のEGA演算ユニット52の演算アルゴリズムも予め複数設けられており、演算に用いるパラメータ必要なことから、システムコントローラ55は何れのアルゴリズムを用いてEGA演算を行うかを設定するとともにパラメータの設定を行う。更に、照明条件設定部54に対して制御信号を出力して照明条件を設定する。
If necessary, gain adjustment of an amplifier (not shown) provided in the
また、システムコントローラ55は、一連の露光処理を行っている最中にFIA演算ユニット50から出力される各種情報、焦点位置検出系43の検出結果等の各種計測結果を記憶部53に記憶させる。また、記憶部53に記憶されている情報のうち、FIA演算ユニット50で求められたウェハマークの位置情報を読み出してEGA演算ユニット52に出力し、EGA演算部52にショット領域の配列を決定させる。前述したウェハW上の各ショット領域の位置調整は、システムコントローラ55がEGA演算部52で決定された配列に基づいた制御信号をウェハステージ制御部57に出力することにより行う。
Further, the
更に、システムコントローラ55は、図3に示す通り、記憶部53に記憶された情報(状態情報、装置情報、プロセス情報、及び各種計測情報)に対して、管理情報としてのメタデータを作成する処理を行う作成プログラム及びメタデータを検索する検索プログラムを内部に記憶している。露光装置EXは、24時間連続稼働されることが多いため、露光装置EX内の各部から出力される情報量は極めて膨大になる。この膨大な情報を十分な知識がないオペレータでも容易に管理することができるように、メタデータを作成することで管理している。メタデータの作成は、例えば本実施形態では世界標準規格であるMPEG−7に則って行われる。
Further, the
ここで、MPEG−7とは、通称MPEG(Moving Picture Experts Group)として知られるISO/IEC JTC1 SC29/WG11において策定されたマルチメディア・コンテンツに対するメタデータの表記方法に関する国際標準規格であり、正式名称をMultimedia Content Description Interfaceという。これまでWG11ではMPEG−1、MPEG−2、MPEG−4といった規格が策定されているが、これらは主に映像音声データ等のデータ圧縮に関する規格であった。これに対し、MPEG−7は、文字データ、画像データ、動画データ、音声データ等の各種データの検索の際に直接の検索対象となる特徴データを表現するための規格である。 Here, MPEG-7 is an international standard regarding the metadata notation method for multimedia contents established in ISO / IEC JTC1 SC29 / WG11 known as MPEG (Moving Picture Experts Group). Is called Multimedia Content Description Interface. Until now, standards such as MPEG-1, MPEG-2, and MPEG-4 have been established in WG11. These standards are mainly related to data compression such as video / audio data. On the other hand, MPEG-7 is a standard for expressing feature data that is a direct search target when searching various data such as character data, image data, moving image data, and audio data.
MPEG−7を代表とするメタデータ技術は、上記の対象とする各種データそのものを検索対象とする訳ではなく、対象とする各種データから「特徴」を予め抽出した特徴データを作成しておき、この特徴データを直接の検索対象とすることで、対象とする各種データの管理を代替する技術である。ここで作成される特徴データは、対象とする各種データに対するデータであることから、一般にメタデータと言われる。 The metadata technology typified by MPEG-7 does not target the above-described various data itself, but creates feature data obtained by extracting “features” from the various target data in advance. This feature data is a technique for substituting the management of various types of target data by using the feature data as a direct search target. Since the feature data created here is data for various target data, it is generally called metadata.
本実施形態では、記憶部53に記憶される状態情報、装置情報、プロセス情報、及び各種計測情報に対してメタデータを作成している。図4は、本実施形態において作成されるメタデータの構成を示す図である。図4に示す通り、メタデータMDは第1階層〜第4階層から構成され、第1階層は例えば一つの半導体素子が製造される全工程がセグメント化され、第2階層は各レイヤ毎にセグメント化され、第3階層はレイヤを作成する工程(ウェハロード、プリアライメント、サーチアライメント、ファインアライメント等)毎にセグメント化され、第4階層は各工程で行われる処理毎にセグメント化された構成である。
In the present embodiment, metadata is created for status information, device information, process information, and various measurement information stored in the
尚、上記第4階層では、エラーが生じた場合には、そのエラーが1つのセグメントとされる。また、第4階層のセグメントには、各処理で用いたデータを記述したスキーム(Scheme)が格納される。このスキームの内容は、各処理を行う上で入力される入力信号、計算出力、計算に用いた変数に関する情報(例えば、ウェハマークの形状に関する情報等)、セグメントが出力した情報又は受け取った情報である。これは、情報そのものではなく、その情報を保存している場所を示す情報であっても良い。尚、上記のメタデータは、計測値(例えば、コントラスト)そのもの以外に対して生成する以外に、計測値を加工したもの(例えば、コントラストの平均値)に対しても生成することができる。 In the fourth hierarchy, if an error occurs, the error is regarded as one segment. Further, a segment describing data used in each process is stored in the segment of the fourth layer. The contents of this scheme are input signals, calculation outputs, information about variables used in the calculation (for example, information about the shape of the wafer mark), information output by the segment, or received information. is there. This may be information indicating the location where the information is stored, not the information itself. The metadata described above can be generated not only for the measurement value (for example, contrast) itself but also for the processed measurement value (for example, the average value of contrast).
MPEG−7に則ったメタデータは手動で作成することができ、また自動的に作成することもできる。本実施形態においては、露光装置EXが24時間連続稼働されるため、メタデータMDはシステムコントローラ55によって自動的に作成されるものとする。メタデータMDは、作成プログラムの一部として設けられたテンプレート(予め抽出する特徴を示すテンプレート)の内容に応じた規則で作成される。尚、メタデータMDの作成には以下の4つの記述ツールが用いられる。
Metadata that complies with MPEG-7 can be created manually or automatically. In this embodiment, since the exposure apparatus EX is operated continuously for 24 hours, the metadata MD is automatically created by the
(1)記述子(Descriptor:D):マルチメディア・コンテンツにおいて、ある単一の特徴を記述するための基本ツールである。
(2)記述スキーム(Description Scheme:DS):複数の記述ツール間の構造、意味的関係を規定した枠組みである。
(3)データ型(Data type):特徴記述ツールの中でも特にマルチメディア領域の特徴を記述するものではなく、他の記述子又は記述スキームの構成部品として使われるツールである。
(4)記述定義言語(Description Definition Language:DDL):記述子及び記述スキームの表記方法を規定するための言語である。
(1) Descriptor (D): A basic tool for describing a single feature in multimedia content.
(2) Description Scheme (DS): A framework that defines the structure and semantic relationship between multiple description tools.
(3) Data type: Among the feature description tools, it does not describe the features of the multimedia area, but is a tool used as a component of another descriptor or description scheme.
(4) Description Definition Language (DDL): A language for defining the notation method of descriptors and description schemes.
上記構成において、露光処理が開始されると、システムコントローラ55は露光データファイル格納部59に格納されているレシピを読み込み、不図示のレチクルローダを制御してレシピで規定されたレチクルRを搬入させてレチクルステージ31上に保持させる。次に、ウェハステージ制御部57を介してウェハステージ37を駆動して基準部材45を所定位置に配置する。
In the above configuration, when the exposure process is started, the
基準部材の配置が完了すると、レチクル・アライメントセンサ46を用いてレチクルRに形成されたレチクルマークと基準部材45に形成された基準マークとを同時に観察する。レチクル・アライメントセンサ46の観察結果(画像信号)は主制御系24内に設けられた画像処理ユニット51に出力され、画像処理、演算処理、フィルタリング処理等の処理が施される。これらの処理によって、レチクルマークと基準マークとの相対位置が求められる。この相対位置を示す情報はシステムコントローラ55に出力され、システムコントローラ55はこの情報に基づいてレチクルステージ制御部56を介してレチクルステージ31の位置を微動させ、レチクルRとウェハステージ37との相対的な位置合わせを行う。
When the arrangement of the reference member is completed, the reticle mark formed on the reticle R and the reference mark formed on the
次に、システムコントローラ55は不図示のウェハローダを制御してウェハWを搬入させてウェハホルダ36上に保持させる。尚、ウェハローダによるウェハWの搬入の途中でウェハWのプリアライメントが行われる。ウェハホルダ36上にウェハWが保持されると、ウェハW上の所定位置にウェハマークの一種として形成された所定数(例えば、2個)のサーチマークの位置情報を計測してウェハWの大まかな位置情報を計測するサーチアライメントが行われる。
Next, the
サーチアライメントでは、ウェハステージ37を移動させてサーチマークの各々を順にウェハ・アライメントセンサ44の計測視野内に配置させて撮像する。各々のサーチマークを撮像して得られる画像信号は、主制御系24内に設けられたFIA演算ユニット50において、画像処理、演算処理、フィルタリング処理等の処理が施され、サーチマークの位置情報が求められる。尚、サーチアライメントにおいて、ウェハ・アライメントセンサ44から得られる画像信号、サーチマークの位置情報、並びに位置情報を求める際に用いたアルゴリズムの種類及びパラメータを示す情報等の各種情報は、計測情報として記憶部53に記憶される。
In the search alignment, the
サーチアライメントが完了すると、次にファインアライメントが行われる。ファインアライメントでは、ウェハW上に予め設定された代表的な数個(3〜9個)のショット領域の各々に付随して形成されたウェハマークの各々をウェハ・アライメントセンサ44で計測する。このとき、ウェハ・アライメントセンサ44の光学倍率はサーチアライメントのときに比べて高倍率に設定されるため、ウェハマークをウェハ・アライメントセンサ44の計測視野内に配置すべくシステムコントローラ55はサーチマークの計測結果を考慮しつつウェハステージ37の移動を順次行う。
When the search alignment is completed, fine alignment is performed next. In fine alignment, each wafer mark formed in association with each of several typical (3 to 9) shot areas preset on the wafer W is measured by the
代表的な数個のウェハマークの計測結果(画像信号)は、順次ウェハ・アライメントセンサ44から主制御系24に入力され、FIA演算ユニット50で画像処理、演算処理、フィルタリング処理等の処理が施されて各々の位置情報が求められる。これらの位置情報は、システムコントローラ55を介してEGA演算ユニット52に出力され、EGA演算が行われて、ウェハW上に設定された全てのショット領域の配列が求められる。
The measurement results (image signals) of several representative wafer marks are sequentially input from the
尚、ファインアライメントにおいて、ウェハ・アライメントセンサ44から得られる画像信号、ウェハマークの位置情報、ウェハマークの位置情報を求める際に用いたアルゴリズムの種類及びパラメータを示す情報等、並びにEGA演算によって得られたショット領域の配列を示す情報等の情報は、計測情報として記憶部53に記憶される。また、ウェハマークの位置情報を求めている間に、システムコントローラ55は読み込んだレシピに従い、照明条件設定部54に対して照明光学系ISの照明条件を設定する制御信号を出力する。
In fine alignment, the image signal obtained from the
ショット領域の配列が求められると、システムコントローラ55はウェハステージ37を移動させてショット領域の1つを投影光学系PLの露光領域近傍の所定位置に配置するとともに、レチクルステージ31を移動させてレチクルRを走査開始位置に配置する。ウェハW及びレチクルRの配置が完了すると、走査方向SDへのウェハステージ37及びレチクルステージ31の移動を開始させる。ウェハステージ37及びレチクルステージ31の加速期間が経過して各々の速度が一定になった時点でシステムコントローラ55は、露光光源1に対して制御信号を出力して露光光ILを射出させる。
When the arrangement of the shot areas is obtained, the
露光光ILは照明光学系ISで照度が均一化されてスリット状に整形された後、レチクルRを照明する。レチクルRを透過した露光光ILは投影光学系PLを介してウェハW上に投影される。このとき、レチクルRとウェハWとが走査方向SDに相対的に移動しているため、レチクルRのパターンが逐次ウェハWのショット領域に転写される。1つのショット領域に対する露光処理が完了すると、システムコントローラ55はウェハステージ37をX方向又はY方向にステップ移動させて、次のショット領域に対して同様に露光処理を行う。
The exposure light IL illuminates the reticle R after the illuminance is made uniform by the illumination optical system IS and shaped into a slit shape. The exposure light IL transmitted through the reticle R is projected onto the wafer W through the projection optical system PL. At this time, since the reticle R and the wafer W are relatively moved in the scanning direction SD, the pattern of the reticle R is sequentially transferred to the shot area of the wafer W. When the exposure process for one shot area is completed, the
尚、以上説明した処理を行っている間に、レーザ干渉計34,40で検出されたレチクルステージ31及びウェハステージ37の位置情報を示す検出結果は、計測情報として記憶部53に記憶される。また、前述した露光装置EXの装置状態を示す状態情報、露光装置EXの各種設定値及び装置性能を示す装置情報、及び露光装置EXで行う露光処理に関するプロセス情報も記憶部53に記憶される。
During the processing described above, detection results indicating the position information of the
以上説明した通り、露光処理を行っている最中に状態情報、装置情報、プロセス情報、及び各種計測情報が記憶部53に順次格納される。システムコントローラ55は作成プログラムに従って、記憶部53に記憶された状態情報、装置情報、プロセス情報、及び各種計測情報を読み出し、作成プログラムの一部として設けられているテンプレートの内容に応じた規則でメタデータMDを作成する。作成されたメタデータは主制御系24内の記憶部53に保存される。新たに状態情報、装置情報、プロセス情報、及び各種計測情報が追加された場合には、これらの情報に対するメタデータが作成され、記憶部53に保存されているメタデータMDに追加される(メタデータMDが更新される)。
As described above, status information, apparatus information, process information, and various measurement information are sequentially stored in the
メタデータMDが作成された後、オペレータが端末装置47を操作して検索キーワードを入力すると、システムコントローラ55は検索プログラムに従って記憶部53に記憶されているメタデータMDを検索し、入力された検索キーワードに合致するメタデータのみを抽出する。検索時には、システムコントローラ55はメタデータMDのみを検索し、記憶部53に記憶されている状態情報、装置情報、プロセス情報、及び各種計測情報を検索しない。このように、オペレータは特別な知識を有しなくとも膨大な情報から必要な情報を効率的且つ容易に得ることができる。
After the metadata MD is created, when the operator operates the
以上のメタデータMDを作成することで、トラブルの原因を容易に調査することができる。例えば、図4に示したメタデータMDの第4階層における「処理1」でトラブルが発生したとする。このトラブルの原因を調査するためには、「処理1」に関わる情報が必要になるが、必要な情報及びその格納位置を知ることができない場合には、トラブルの原因を調査することができない。記憶部53に記憶されている状態情報、装置情報、プロセス情報、及び各種計測情報の全てを検索すれば必要な情報を得ることができるかもしれないが、長時間及び多大な労力が必要になる。また、必要な情報の漏れが生ずる可能性もある。
By creating the above metadata MD, the cause of the trouble can be easily investigated. For example, it is assumed that a trouble has occurred in “
これに対し、メタデータMDを作成しておき、「処理1」を検索キーワードに設定してメタデータMDを検索すれば、「処理1」のセグメントを短時間で容易に検索することができ、またこのセグメントに格納されているスキームを参照すれば、「処理1」で用いたデータも即座に得ることができる。更に、「処理1」を解析した結果、トラブルの原因が「処理2」にも関係していると判明した場合には、即座に「処理2」に関するデータも容易に検索することができる。また更に、同様のトラブルが他のレイヤで生じているか否かを調査する場合には、調査するレイヤを検索キーワードとして入力し、同様にして必要なデータを得ることができる。
On the other hand, if the metadata MD is created, and the metadata MD is searched by setting “
また、メタデータMDを用いることで、新規に開発したアルゴリズム(例えば、FIA演算ユニット50で用いられるアルゴリズム)を検証することもできる。アルゴリズムを検証するには、入力データと出力データ(入力データに対する演算結果)が必要となる。入力データとして多種類のデータが必要となる場合には、それらを全て新たに作成するよりは露光装置EXの稼働中に得られたデータを使用する方が簡単で、実環境に基づいており検証を行う上で有用である。 Further, by using the metadata MD, a newly developed algorithm (for example, an algorithm used in the FIA arithmetic unit 50) can be verified. In order to verify the algorithm, input data and output data (calculation results for the input data) are required. When many types of data are required as input data, it is easier to use the data obtained while the exposure apparatus EX is operating than to create all of them, and it is based on the actual environment and verified. It is useful in doing.
しかしながら、膨大な情報の中から必要なデータのみを収集するのは困難である。かかる場合に、メタデータを用いることで、必要な条件にのみ適合したデータを容易に収集することができる。このとき、検証目的に応じたメタデータを使用することで、検索効率を向上させることができる。例えば、マーク形状に関しての検証であるならば、マーク形状に基づいて作成したメタデータを、特定プロセスに対応した検証ならばプロセス種類に基づいて作成したメタデータをそれぞれ使用する。 However, it is difficult to collect only necessary data from a vast amount of information. In such a case, by using the metadata, it is possible to easily collect data that meets only the necessary conditions. At this time, search efficiency can be improved by using the metadata according to the verification purpose. For example, if the verification is related to the mark shape, the metadata created based on the mark shape is used, and if the verification is compatible with a specific process, the metadata created based on the process type is used.
また、記憶部53に記憶された状態情報、装置情報、プロセス情報、及び各種計測情報に対して操作(変更等)を行わずにメタデータを作成した場合には、用途にあったメタデータを作成することができる。これは、メタデータの作成においては上記の各種情報に対しては何ら影響を与えないからである。仮に、上記の各種情報に対して変更を行ってメタデータに相当するデータを作成する場合には、そのデータの作成の度に各種情報が変更されてしまい、整合性が取れなくなる可能性がある。本実施形態では上記のメタデータを作成することで、このような不具合は生じない。
In addition, when metadata is created without performing operations (changes, etc.) on the state information, device information, process information, and various measurement information stored in the
更に、メタデータを世界標準規格であるMPEG−7に則って作成しているため、記憶部53に記憶された各種情報及びメタデータに対して規格に基づいた操作を適用しておけば、メタデータを更新する場合に整合性が取れなくなるといった問題はない。また、MPEG−7は世界標準規格であるため、規格に準じた信頼性の高いアプリケーション(作成プログラム、検索プログラム)を用いることで、システムの安定性及び操作性の向上を図ることができる。更に、MPEG−7に則ってメタデータを作成すれば、記憶部53に記憶される各種情報及びメタデータの作成、管理、及び運用するアプリケーションを一から構築する必要はなくなり、コストの低減を図ることができる。
Furthermore, since the metadata is created in accordance with MPEG-7, which is a global standard, if operations based on the standard are applied to various information and metadata stored in the
ところで、記憶部53の容量は有限であるため、過去に得られた各種情報を漏れなく保存しておくことは物理的にできない。このため、記憶部53の容量が不足した場合には、新たに得られる各種情報を記憶部53に保存するために、一定期間保存された情報を削除するか、又は一定期間保存された情報を新たにな情報に上書きする必要がある。かかる操作を行うと、記憶部53に保存されている情報とメタデータとの間に不整合が生ずることになる。この不整合を解消すべく本実施形態では、以下の方法で各種情報の保存を行っている。
By the way, since the capacity of the
図5は、本発明の一実施形態による情報保存方法の一例を示すフローチャートである。尚、図5に示すフローチャートは、ウェハ・アライメントセンサ44の計測結果を保存するときに行われる処理を示すフローチャートであり、新たなウェハWがウェハホルダ36上に載置される毎に行われる。この図5に示す処理が行われる前に、レチクル・アライメントセンサ46を用いたレチクルマークと基準マークとの観察及びレチクルRとウェハステージ37との相対的な位置合わせが行われ、更にウェハWがウェハホルダ36上に保持される。
FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of an information storage method according to an embodiment of the present invention. The flowchart shown in FIG. 5 is a flowchart showing a process performed when the measurement result of the
ウェハステージ36上にウェハWが保持されると、ウェハ・アライメントセンサ44を用いてウェハWに形成されたウェハマークに関する情報が計測される(ステップS11)。ここで、ウェハマークに関する情報とは、ウェハマークの画像信号、この画像信号に対してFIA演算ユニット50でフィルタリング処理を施したもの、又はFIA演算ユニット50で得られたウェハマークの位置情報等の情報である。
When the wafer W is held on the
次に、得られた情報からメタデータが作成される(ステップS12)。ここで作成されるメタデータは、MPEG−7に則って、且つ作成プログラムの一部として設けられたテンプレート(予め抽出する特徴を示すテンプレート)の内容に応じた規則で作成され、図4に示した階層構造を有する。この規則は、例えば図4に示すメタデータMD中の第1レイヤに関して「サーチ計測結果」と「EGA計測結果」とをメタデータとして作成し、対応するデータ(ステップS11で得られた情報に含まれるデータ)をそれぞれそのメタデータに割り当てて保存する、といったものである。 Next, metadata is created from the obtained information (step S12). The metadata created here is created in accordance with MPEG-7 and according to the rules according to the contents of a template (a template indicating features to be extracted in advance) provided as a part of the creation program, and is shown in FIG. Have a hierarchical structure. For example, this rule creates “search measurement result” and “EGA measurement result” as metadata for the first layer in the metadata MD shown in FIG. 4 and includes the corresponding data (included in the information obtained in step S11). Data) is assigned to the metadata and stored.
ステップS12で作成されたメタデータは、具体的には、ウェハマークの形状毎にウェハマークの画像信号及び位置情報等を分類し、又は計測エラーの内容毎にウェハマークの画像信号及び位置情報等を分類して表示したものであって、互いに異なる複数種類の特徴を表示する複数の表示形態データ(ウェハマーク形状毎のデータ及びエラーの内容毎のデータ等)を含んでいる。 Specifically, the metadata created in step S12 classifies the wafer mark image signal and position information for each wafer mark shape, or the wafer mark image signal and position information for each measurement error. , And includes a plurality of display form data (data for each wafer mark shape, data for each error content, etc.) for displaying a plurality of different types of features.
メタデータの作成が完了すると、ステップS11で得られた情報及びステップS12で作成したメタデータを保存する領域が記憶部53にあるか否かの判断がシステムコントローラ55で行われる(ステップS13)。この判断結果が「YES」の場合には、ステップS11で得られたウェハマークに関する情報と、ステップS12で作成したメタデータとが記憶部53に保存され(ステップS14)、処理は終了する。
When the creation of metadata is completed, the
以上の処理が完了すると、オペレータが端末装置47を操作して検索キーワードを入力することで、メタデータを用いた検索が可能になる。記憶部53に記憶された各種情報(図3に示す状態情報、装置情報、プロセス情報、各種計測情報)のうち、検索時に全ての情報が偏り無く使用されることは希であり、特定の情報のみが頻繁に使用されることが多い。例えば、ウェハ・アライメントセンサ44の計測結果は、露光処理時の重ね合わせ精度が悪化したときに得られたものが参照されることが多い。
When the above processing is completed, the operator operates the
本実施形態では、記憶部53の限りある保存領域を有効利用するため、このような使用頻度(参照、使用される回数)が高いデータを優先的に保存するようにしている。かかるデータ操作を可能とするため、図3に示す通り、記憶部53に各種情報(表示形態データ)の使用頻度の大小を表す重みデータを記憶部53に記憶しており、検索プログラムが各情報の使用頻度に応じて重みを逐次更新するようにしている。ここでは、使用頻度の大きいものほど大きな重みとされ、また各種計測情報のうちの計測不能となったことを示すものの重みほど大きな重みとされる。
In the present embodiment, in order to effectively use a limited storage area of the
図5に戻り、新たなウェハステージ36上にウェハWが保持されると、ウェハ・アライメントセンサ44を用いて同様にウェハマークに関する情報が計測され(ステップS11)、得られた情報からメタデータが作成される(ステップS12)。メタデータの作成が完了すると、ステップS11で得られた情報及びステップS12で作成したメタデータを保存する領域が記憶部53にあるか否かの判断がシステムコントローラ55で行われる(ステップS13)。
Returning to FIG. 5, when the wafer W is held on the
この判断結果が「NO」の場合には、作成プログラムは記憶部53に記憶された重みデータを参照し、記憶部53に記憶された各種情報から削除する情報の候補を算出する(ステップS15)。この処理では、使用頻度の小さなものが削除すべき情報として候補に挙げられる。削除すべき情報の候補が挙げられると、メタデータを更新する処理が行われる(ステップS16)。ここでは、ステップS12で求められたメタデータが新たに付されるとともに、ステップ15で候補に挙げられた情報に関して付されているメタデータが除去されることでメタデータが更新される。このようにして、メタデータは重みデータを加味した新たな規則で作成される。
When the determination result is “NO”, the creation program refers to the weight data stored in the
次に、ステップS15で候補に挙げられた情報が記憶部53から削除されるとともに、新たにステップS11で計測された情報が記憶部53に保存され、更にステップS16で更新されたメタデータがステップS11で計測された情報とは個別に保存される。ここで、メタデータを記憶部53に保存する場合には、重みデータの大きさに応じて記憶領域のサイズを可変しながら(重みの大きなものにはサイズを大きくし、重みの小さなものみはサイズを小さくする)保存することが望ましい。
Next, the information listed as candidates in step S15 is deleted from the
例えば、ウェハステージ36の位置情報に対する重み付けが大きく、ウェハ・アライメントセンサ44の計測結果に対する重み付けが小さい場合には、ウェハステージ36の位置情報を記憶する領域のサイズを大きくし、ウェハ・アライメントセンサ44の計測結果を記憶する領域のサイズを小さくする。かかる操作を行うことで、記憶部53の記憶領域を有効に利用することができる。尚、以上の説明においては、ウェハ・アライメントセンサ44の計測結果を保存する場合を例に挙げて説明したが、他の計測結果及び露光装置EXの各種動作情報及びこの動作情報に対するメタデータも同様の方法で保存することができる。
For example, when the weight for the position information of the
以上説明した通り、本実施形態では、記憶部53に記憶された各種情報とメタデータとの間に不整合が生じないように、各種情報が削除されるとともにメタデータの更新が行われる。従って、記憶部53に記憶された各種情報に対して操作を行っても、何ら問題なく検索を行うことができる。また、記憶部53に記憶された各種情報に対して操作を行うときに、使用頻度の大きなものを優先的に保存し、又は各種計測情報のうちの計測不能となったことを示すものを優先的に保存しているため、利用価値の低い情報を省いて利用価値の高い情報を多く残すことができる。また、利用価値の低い情報が省かれることから、検索の高効率化及び高速化を図ることもできる。
As described above, in the present embodiment, various information is deleted and metadata is updated so that inconsistency does not occur between the various information stored in the
尚、上記実施形態では、記憶部53に保存された各種情報に対して1つのメタデータを作成していたが、複数のメタデータを作成するようにしても良い。例えば、エラーが生じたときのメタデータ、位置計測精度が悪く所定の精度以下であるときのメタデータ、及び異常が生じていないときのメタデータといった具合である。このような複数のメタデータを作成することで目的毎のメタデータを作成することができるとともに、系統だった重要なデータを保存することができる。
In the above embodiment, one piece of metadata is created for various types of information stored in the
以上、本発明の一実施形態による情報保存方法について説明したが、単にメタデータを保存するのみならず、保存したメタデータを露光装置EXの制御に使用することもできる。次に、本発明の一実施形態による情報使用方法について説明する。本実施形態では図5に示すステップS16において、メタデータを更新する際にメタデータの変化量を求め、この変化量を露光装置EXにフィードバックしている。ここで、メタデータは、記憶部53に記憶される各種情報から特徴抽出したものとみなせるので、種々のパラメータの時間変化を取得することができる。
Although the information storage method according to the embodiment of the present invention has been described above, the stored metadata can be used not only for storing metadata but also for controlling the exposure apparatus EX. Next, a method for using information according to an embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, in step S16 shown in FIG. 5, when the metadata is updated, a change amount of the metadata is obtained, and this change amount is fed back to the exposure apparatus EX. Here, since the metadata can be regarded as features extracted from various information stored in the
以下の説明では、ウェハ・アライメントセンサ44のコントラストの制御を行う場合を例に挙げて説明する。この場合には、ウェハ・アライメントセンサ44で撮像される画像信号から得られるコントラスト(FIA演算ユニット50で求められる)に対してメタデータを作成するテンプレートを予め用意しておく。図5に示す処理と同様の処理によってメタデータの作成及び更新が行われているときに、更新前のメタデータと更新予定のメタデータとの値が大幅に異なるときに、システムコントローラ55の制御プログラムはコントラストを改善する処理を行う。
In the following description, the case where the contrast of the
具体的には、FIA演算ユニット50を介してウェハ・アライメントセンサ44に制御信号を出力して、ハロゲンランプの交換を行い、又はFIA演算ユニット50に対して制御信号を出力して、ウェハ・アライメントセンサ44からの画像信号に対するゲイン調整を行う。このときに、警告処理を行ってオペレータにその旨を通知する異望ましい。尚、メタデータの値が大幅に変化したか否かは、例えば予め閾値を設定しておき、その閾値を超えたときに大幅に変化したと判断するよう生成プログラムをプログラミングしておくことが望ましい。
Specifically, a control signal is output to the
また、露光装置EXでは、焦点位置検出系43の検出結果に応じてウェハWの表面を投影光学系PLの像面に合わせる、所謂オートフォーカス処理が行われる。オートフォーカス時のウェハステージ37のZ方向の移動量をメタデータとして保存しておけば、メタデータが逐次更新される際に移動量が大きければ、そこからフォーカスオフセットを求めることもできる。このフォーカスオフセットが得られれば、オートフォーカス時のウェハステージ37のZ方向の移動量を少なくすることができるため、ウェハWの表面を投影光学系PLの像面に合わせ込む時間が短縮され、その結果としてスループットの向上を図ることができる。
In the exposure apparatus EX, so-called autofocus processing is performed in which the surface of the wafer W is matched with the image plane of the projection optical system PL in accordance with the detection result of the focal
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態においては、説明の簡単化のためにシステムコントローラ55がメタデータを作成する場合を例に挙げて説明したが、システムコントローラ55の負荷を軽減するために、システムコントローラ55とは別途にメタデータを作成する装置を設けた構成とすることが望ましい。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to the said embodiment, It can change freely within the scope of the present invention. For example, in the above embodiment, the case where the
また、上記実施形態では、露光装置EX内においてメタデータを作成して保存するようにしていた。しかしながら、本発明はこの構成に制限されず、複数の露光装置EXをネットワークで接続し、各露光装置EXからの状態情報、装置情報、プロセス情報、各種計測情報、及び動作情報をホストコンピュータで収集し、ホストコンピュータ各露光装置EX毎のメタデータを作成して保存し、更には各露光装置EXを制御するようにしてもよい。かかる構成にすることで、露光装置EX間の相関をも考慮した管理を行うことができる。 In the above embodiment, metadata is created and stored in the exposure apparatus EX. However, the present invention is not limited to this configuration, and a plurality of exposure apparatuses EX are connected by a network, and status information, apparatus information, process information, various measurement information, and operation information from each exposure apparatus EX are collected by a host computer. Then, metadata for each exposure apparatus EX of the host computer may be created and stored, and further, each exposure apparatus EX may be controlled. With such a configuration, it is possible to perform management in consideration of the correlation between the exposure apparatuses EX.
また、上記実施形態では露光光源1として、ArFエキシマレーザ光源の場合を例に挙げて説明したが、これ以外に露光光源1としては、例えばg線(波長436nm)、i線(波長365nm)を射出する超高圧水銀ランプ、又はKrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2レーザ(波長157nm)、Kr2レーザ(波長146nm)、YAGレーザの高周波発生装置、若しくは半導体レーザの高周波発生装置を用いることができる。更に、上記実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、勿論ステップ・アンド。リピート方式の露光装置にも適用することができる。
In the above-described embodiment, an ArF excimer laser light source has been described as an example of the exposure
また、本発明は半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、液晶表示素子(LCD)等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。 The present invention is not limited to an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor element, but also used for manufacturing a display including a liquid crystal display element (LCD) or the like, and an exposure apparatus for transferring a device pattern onto a glass plate, a thin film magnetic head The present invention can also be applied to an exposure apparatus that is used for manufacturing and transfers a device pattern onto a ceramic wafer, and an exposure apparatus that is used to manufacture an image sensor such as a CCD.
更には、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(遠紫外)光やVUV(真空紫外)光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウェハなどが用いられる。なお、このような露光装置は、WO99/34255号、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。 Furthermore, in an exposure apparatus that transfers a circuit pattern onto a glass substrate or a silicon wafer in order to manufacture a reticle or mask used in an optical exposure apparatus, EUV exposure apparatus, X-ray exposure apparatus, electron beam exposure apparatus, or the like. The present invention can also be applied. Here, in an exposure apparatus using DUV (far ultraviolet) light, VUV (vacuum ultraviolet) light, or the like, a transmission type reticle is generally used. As a reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, Magnesium fluoride or quartz is used. Further, in a proximity type X-ray exposure apparatus or an electron beam exposure apparatus, a transmission mask (stencil mask, membrane mask) is used, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate. Such an exposure apparatus is disclosed in WO99 / 34255, WO99 / 50712, WO99 / 66370, JP-A-11-194479, JP-A2000-12453, JP-A-2000-29202, and the like. .
次に、上記の露光装置EXをリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図6は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造工程の一例を示すフローチャートである。図6に示すように、まず、ステップS40(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS41(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS42(ウェハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。 Next, an embodiment of a microdevice manufacturing method using the exposure apparatus EX in the lithography process will be described. FIG. 6 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of a microdevice (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc.). As shown in FIG. 6, first, in step S40 (design step), the function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of the microdevice is performed, and the pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S41 (mask manufacturing step), a mask (reticle) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S42 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using a material such as silicon.
次に、ステップS43(ウェハ処理ステップ)において、ステップS40〜ステップS42で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS44(デバイス組立ステップ)において、ステップS43で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップS44には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS45(検査ステップ)において、ステップS44で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。 Next, in step S43 (wafer processing step), using the mask and wafer prepared in steps S40 to S42, an actual circuit or the like is formed on the wafer by lithography or the like as will be described later. Next, in step S44 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step S43. Step S44 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S45 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S44 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.
図7は、半導体デバイスの場合における、図6のステップS43の詳細なフローの一例を示す図である。図7において、ステップS51(酸化ステップ)においてはウェハの表面を酸化させる。ステップS52(CVDステップ)においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS53(電極形成ステップ)においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS54(イオン打込みステップ)においてはウェハにイオンを打ち込む。以上のステップS51〜ステップS54のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。 FIG. 7 is a diagram showing an example of a detailed flow of step S43 in FIG. 6 in the case of a semiconductor device. In FIG. 7, in step S51 (oxidation step), the surface of the wafer is oxidized. In step S52 (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. In step S53 (electrode formation step), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step S54 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. Each of the above steps S51 to S54 constitutes a pre-processing process at each stage of the wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.
ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS55(レジスト形成ステップ)において、ウェハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS56(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップS57(現像ステップ)においては露光されたウェハを現像し、ステップS58(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS59(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。 At each stage of the wafer process, when the above-described pre-processing step is completed, the post-processing step is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S55 (resist formation step), a photosensitive agent is applied to the wafer. Subsequently, in step S56 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the wafer by the lithography system (exposure apparatus) and the exposure method described above. Next, in step S57 (development step), the exposed wafer is developed, and in step S58 (etching step), the exposed members other than the portion where the resist remains are removed by etching. In step S59 (resist removal step), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
以上説明したマイクロデバイス製造方法を用いれば、露光工程(ステップS56)において、主制御系24の処理の効率が行われて露光処理が実行されており、露光処理に要する時間を短縮することができるため、結果的に微細なパターンを有し、高集積度のデバイスを歩留まり良く且つ高スループットで生産することができる。
If the micro device manufacturing method described above is used, in the exposure step (step S56), the processing efficiency of the
44 ウェハ・アライメントセンサ(位置計測装置)
EX 露光装置
MD メタデータ(参照用データ)
PL 投影光学系
R レチクル(マスク)
W ウェハ(物体、基板)
44 Wafer alignment sensor (position measuring device)
EX exposure system MD metadata (data for reference)
PL projection optical system R reticle (mask)
W wafer (object, substrate)
Claims (12)
物体上に検出ビームを照射し、該検出ビームの照射により該物体の表面上で発生したビームを受光して、該物体の表面を測定して測定データ情報を得る第1工程と、
前記第1工程で測定された測定データ情報を第1規則に従って管理するために、該第1規則を定義する参照用データを作成する第2工程と、
前記測定データ情報を前記第1規則に従って保存し、且つ該測定データ情報とは別に前記参照用データを保存する第3工程と、
前記第2工程で作成された前記参照用データの内容を、前記第1規則とは異なる第2規則を定義する内容に更新する第4工程と、
前記測定データ情報を前記第2規則に従って保存し、且つ該測定データ情報とは別に前記第4工程で更新された参照用データを保存する第5工程と
を含むことを特徴とする情報保存方法。 An information storage method for storing information about the position of an object,
A first step of irradiating a detection beam on the object, receiving a beam generated on the surface of the object by irradiation of the detection beam, and measuring the surface of the object to obtain measurement data information;
A second step of creating reference data defining the first rule in order to manage the measurement data information measured in the first step according to the first rule;
Storing the measurement data information according to the first rule, and storing the reference data separately from the measurement data information;
A fourth step of updating the content of the reference data created in the second step to a content defining a second rule different from the first rule;
A fifth step of storing the measurement data information in accordance with the second rule, and storing the reference data updated in the fourth step separately from the measurement data information.
前記第1規則を定義する前記参照用データは、互いに異なる複数種類の特徴を表示する複数の表示形態データを含み、
前記第4工程において、前記参照用データを、前記第1規則を定義した参照用データから前記第2規則を定義する参照用データに更新する際には、前記複数種類の表示形態データに対してそれぞれ使用頻度又は重要度に応じた重みを付与した上で、該第2規則を定義する参照用データへ更新することを特徴とする請求項1記載の情報保存方法。 The reference data is obtained by extracting and displaying a predetermined feature from the measurement data information,
The reference data defining the first rule includes a plurality of display form data for displaying a plurality of different types of features,
In the fourth step, when the reference data is updated from the reference data that defines the first rule to the reference data that defines the second rule, The information storage method according to claim 1, wherein a weight corresponding to each use frequency or importance is assigned, and then updated to reference data that defines the second rule.
又は前記表示形態データに対する重みのうち、計測不能となったことを示す表示形態データの重みほど他の表示形態データに比して該重みを大きくする
ことを特徴とする請求項2記載の情報保存方法。 Among the weights for the display form data, the larger the usage frequency, the larger the weight,
The information storage according to claim 2, wherein the weight of the display form data indicating that measurement is impossible among the weights for the display form data is increased as compared with other display form data. Method.
物体上に検出ビームを照射し、該検出ビームの照射により該物体の表面上で発生したビームを受光して、該物体の表面を測定して測定データ情報を得る第1工程と、
前記第1工程で測定された測定データ情報を管理する参照用データとして、該測定データ情報に対して所定の演算処理を施して該測定データ情報の特徴を代表的に示す数値データ情報を作成する第2工程と、
前記数値データ情報と、前記第2工程後に前記第1工程を行って得られた前記測定データ情報とを比較して、両者間の変化量を求める第3工程と、
前記第3工程で得られた前記変化量が所定の許容値以上であれば、該変化量に基づいて前記位置計測装置に所定の動作を実行せしめる第4工程と
を有することを特徴とする位置計測装置の情報使用方法。 In a position measurement device that acquires information related to the position of an object, an information use method that uses the information,
A first step of irradiating a detection beam on the object, receiving a beam generated on the surface of the object by irradiation of the detection beam, and measuring the surface of the object to obtain measurement data information;
As reference data for managing the measurement data information measured in the first step, predetermined measurement processing is performed on the measurement data information to create numerical data information representatively showing the characteristics of the measurement data information A second step;
A third step in which the numerical data information is compared with the measurement data information obtained by performing the first step after the second step, and a change amount between them is obtained;
And a fourth step of causing the position measuring device to perform a predetermined operation based on the amount of change if the amount of change obtained in the third step is equal to or greater than a predetermined allowable value. How to use information on measuring devices.
前記動作情報を得る第1工程と、
前記第1工程で得られた動作情報を第1規則に従って管理するために、該第1規則を定義する参照用データを作成する第2工程と、
前記動作情報を前記第1規則に従って保存し、且つ該動作情報とは別に前記参照用データを保存する第3工程と、
前記第2工程で作成された前記参照用データの内容を、前記第1規則とは異なる第2規則を定義する内容に更新する第4工程と、
前記動作情報を前記第2規則に従って保存し、且つ該動作情報とは別に前記第4工程で更新された参照用データを保存する第5工程と
を含むことを特徴とする情報保存方法。 An information storage method for storing operation information related to the operation of an exposure apparatus that transfers and exposes a pattern formed on a mask onto a substrate,
A first step of obtaining the operation information;
A second step of creating reference data defining the first rule in order to manage the operation information obtained in the first step according to the first rule;
Storing the operation information according to the first rule, and storing the reference data separately from the operation information;
A fourth step of updating the content of the reference data created in the second step to a content defining a second rule different from the first rule;
A fifth step of storing the operation information in accordance with the second rule, and storing the reference data updated in the fourth step separately from the operation information.
前記参照用データは、前記測定情報に対して所定の演算処理を施して得られた、該測定情報の特徴を代表的に示す数値データを含むことを特徴とする請求項9記載の情報保存方法。 The operation information includes measurement information relating to a moving amount or a moving position of a moving stage that moves while holding the substrate,
10. The information storage method according to claim 9, wherein the reference data includes numerical data representatively representing characteristics of the measurement information obtained by performing predetermined calculation processing on the measurement information. .
前記動作情報を得る第1工程と、
前記第1工程で得られた前記動作情報を管理する参照用データとして、該動作情報に対して所定の演算処理を施して該動作情報の特徴を代表的に示す数値データ情報を作成する第2工程と、
前記数値データ情報と、前記第2工程後に前記第1工程を行って得られた前記動作情報とを比較して、両者間の変化量を求める第3工程と、
前記第3工程で得られた前記変化量に基づいて前記露光装置に所定の動作を実行せしめる第4工程と
を有することを特徴とする露光装置の情報使用方法。 An information use method using operation information related to operation of an exposure apparatus that transfers and exposes a pattern formed on a mask onto a substrate via a projection optical system,
A first step of obtaining the operation information;
As reference data for managing the motion information obtained in the first step, a second arithmetic operation is performed on the motion information to generate numerical data information representatively representing the characteristics of the motion information. Process,
A third step of comparing the numerical data information with the operation information obtained by performing the first step after the second step, and determining a change amount between them;
And a fourth step of causing the exposure apparatus to perform a predetermined operation based on the amount of change obtained in the third step.
前記第4工程では、前記露光装置に、前記変化量に基づく前記移動ステージの前記フォーカス方向における移動動作を行わしめることを特徴とする請求項11記載の情報使用方法。
The operation information includes measurement information relating to a moving amount or a moving position of the moving stage that holds and moves the substrate in the focus direction of the projection optical system,
12. The information use method according to claim 11, wherein in the fourth step, the exposure apparatus is caused to move the moving stage in the focus direction based on the amount of change.
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|---|---|---|---|---|
| JP2010212301A (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Canon Inc | Information processing system, information processing method, and program |
| JP2018124557A (en) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Exposure equipment |
| JP2021026019A (en) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | キヤノン株式会社 | Determination device |
| JP2021128206A (en) * | 2020-02-12 | 2021-09-02 | キヤノン株式会社 | Exposure device, exposure method, exposure system, information processor, and article manufacturing method |
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212301A (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Canon Inc | Information processing system, information processing method, and program |
| JP2018124557A (en) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Exposure equipment |
| JP2018156100A (en) * | 2017-02-03 | 2018-10-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Exposure apparatus |
| JP2019015989A (en) * | 2017-02-03 | 2019-01-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Exposure apparatus |
| US11092903B2 (en) | 2017-02-03 | 2021-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus |
| US12265337B2 (en) | 2017-02-03 | 2025-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus |
| JP2021026019A (en) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | キヤノン株式会社 | Determination device |
| JP7366626B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-10-23 | キヤノン株式会社 | judgment device |
| JP2021128206A (en) * | 2020-02-12 | 2021-09-02 | キヤノン株式会社 | Exposure device, exposure method, exposure system, information processor, and article manufacturing method |
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