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JP2005303004A - Method for manufacturing printed circuit board - Google Patents

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JP2005303004A
JP2005303004A JP2004116969A JP2004116969A JP2005303004A JP 2005303004 A JP2005303004 A JP 2005303004A JP 2004116969 A JP2004116969 A JP 2004116969A JP 2004116969 A JP2004116969 A JP 2004116969A JP 2005303004 A JP2005303004 A JP 2005303004A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
printed circuit
insulating layer
varnish
manufacturing
Prior art date
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Pending
Application number
JP2004116969A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Kondo
隆 近藤
Kei Nakamura
圭 中村
Takami Hikita
貴巳 疋田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2004116969A priority Critical patent/JP2005303004A/en
Publication of JP2005303004A publication Critical patent/JP2005303004A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the manufacturing method of a wiring circuit substrate which can effectively prevent warpage and variation in dimensions even if it is used under high humidity. <P>SOLUTION: A metallic reinforcing plate 1 is prepared, and a varnish 2 comprising polyamic acid and triethylenediamine is cast on the metallic reinforcing plate 1. The varnish 2 is heated and dried at 80 to 150°C, for example, and then it is heated and hardened for about 2 hours at 250 to 500°C, for example. Consequently, an insulating layer 3 is formed. A tape carrier 8 for TAB having such an insulating layer 3 effectively prevents warpage and variation in dimensions even if it is used under high humidity. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、TAB用テープキャリアなどの製造に用いることのできる、配線回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a printed circuit board, and more particularly to a method for manufacturing a printed circuit board that can be used for manufacturing a TAB tape carrier or the like.

フレキシブル配線回路基板などの絶縁層には、可撓性および耐熱性に優れるポリイミドが広く用いられている。このようなポリイミドからなる絶縁層は、ポリアミック酸を硬化(イミド化)することによって得られている。   Polyimides having excellent flexibility and heat resistance are widely used for insulating layers such as flexible printed circuit boards. Such an insulating layer made of polyimide is obtained by curing (imidizing) polyamic acid.

例えば、ポリイミド樹脂前駆体(ポリアミック酸)および三級アミン化合物を含有する基材用樹脂組成物が、金属箔上に塗布されてなる、配線回路基板用基材が提案されている(特許文献1参照。)。この配線回路基板用基材では、配線回路パターンの形成時において、反りや寸法変化が生じることを防止することができる。   For example, a substrate for a printed circuit board in which a resin composition for a substrate containing a polyimide resin precursor (polyamic acid) and a tertiary amine compound is applied on a metal foil has been proposed (Patent Document 1). reference.). With this printed circuit board substrate, it is possible to prevent warping and dimensional changes from occurring during formation of the printed circuit pattern.

また、例えば、7〜30重量%の良溶媒を含むポリアミック酸のフィルムを、酸無水物とエーテル類および/またはケトン類を含む浸漬液に浸漬してイミド化させることが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。この方法では、トリエチレンジアミンなどのアミン系触媒を用いることにより、ポリアミック酸のフィルムの形状を維持しながら、低温で、高いイミド化率のポリイミドフィルムを製造することができる。
特開2003−8157号公報 特開平6−9801号公報
Further, for example, it has been proposed to imidize a polyamic acid film containing 7 to 30% by weight of a good solvent by immersing it in an immersion liquid containing an acid anhydride and ethers and / or ketones (for example, , See Patent Document 2). In this method, by using an amine catalyst such as triethylenediamine, a polyimide film having a high imidization ratio can be produced at a low temperature while maintaining the shape of the polyamic acid film.
JP 2003-8157 A JP-A-6-9801

しかるに、配線回路基板は、上記したような、配線回路パターンの形成時における反りや寸法変化の防止のみならず、例えば、電子部品を実装する場合には、電子部品の実装時における反りや寸法変化の防止も必要であり、とりわけ、配線回路基板を高湿度下で用いる場合における、反りや寸法変化の防止が、要求されている。   However, the printed circuit board is not only prevented from warping and dimensional change during the formation of the wiring circuit pattern as described above. For example, when mounting an electronic component, the warpage or dimensional change during mounting of the electronic component is not necessary. In particular, it is required to prevent warpage and dimensional change when the printed circuit board is used under high humidity.

本発明の目的は、高湿度下で用いても、反りや寸法変化の発生を有効に防止することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a printed circuit board that can effectively prevent warpage and dimensional change even when used under high humidity.

上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層を含む配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁層を形成する工程は、ポリアミック酸およびトリエチレンジアミンを含有するワニスを、キャスティングする工程、および、キャスティングされたワニスを乾燥し、その乾燥に続いて、加熱硬化させる工程を含んでいることを特徴としている。   In order to achieve the above object, a method for manufacturing a wired circuit board according to the present invention is a method for manufacturing a wired circuit board including an insulating layer, and the step of forming the insulating layer includes polyamic acid and triethylenediamine. The method includes a step of casting the varnish, and a step of drying the cast varnish, followed by heat-curing subsequent to the drying.

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記トリエチレンジアミンの含有割合は、前記ポリアミック酸100重量部に対して、0.5〜5重量部であることが好適である。   Moreover, in the manufacturing method of the wired circuit board of this invention, it is suitable that the content rate of the said triethylenediamine is 0.5-5 weight part with respect to 100 weight part of said polyamic acids.

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記ポリアミック酸は、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と、パラフェニレンジアミンとを、重縮合することにより、得られることが好適である。   In the method for producing a printed circuit board according to the present invention, the polyamic acid is obtained by polycondensation of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine. It is preferred that

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、さらに、金属補強板を用意する工程を備え、前記絶縁層を形成する工程では、前記金属補強板の上に、前記絶縁層を形成することが好適である。   The method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention further includes a step of preparing a metal reinforcing plate, and in the step of forming the insulating layer, the insulating layer may be formed on the metal reinforcing plate. Is preferred.

また、本発明の配線回路基板の製造方法は、TAB用テープキャリアを製造するために用いられることが好適である。   Moreover, it is preferable that the manufacturing method of the printed circuit board of this invention is used in order to manufacture the TAB tape carrier.

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、絶縁層を形成する工程において、ポリアミック酸およびトリエチレンジアミンを含有するワニスを、キャスティングした後、乾燥に続いて、加熱硬化させる。これによって、高湿度下で用いても、反りや寸法変化の発生を有効に防止することができる。   According to the method for manufacturing a printed circuit board of the present invention, in the step of forming the insulating layer, the varnish containing polyamic acid and triethylenediamine is cast and then heated and cured following drying. Thereby, even if it uses under high humidity, generation | occurrence | production of a curvature and a dimensional change can be prevented effectively.

本発明の配線回路基板の製造方法では、ポリアミック酸およびトリエチレンジアミンを含有するワニスを、キャスティングした後、乾燥し、その乾燥に続いて、加熱硬化させることにより、絶縁層を形成する。   In the method for producing a printed circuit board according to the present invention, a varnish containing polyamic acid and triethylenediamine is cast, dried, and subsequently heated and cured to form an insulating layer.

本発明の配線回路基板の製造方法において、ポリアミック酸は、特に限定されないが、通常、下記一般式(1)で示される繰り返し単位構造を有し、例えば、その重量平均分子量が、5000〜200000程度、好ましくは、10000〜100000程度のものが挙げられる。   In the method for producing a printed circuit board of the present invention, the polyamic acid is not particularly limited, but usually has a repeating unit structure represented by the following general formula (1), and for example, its weight average molecular weight is about 5000 to 200000. Preferably, the thing of about 10,000-100,000 is mentioned.

Figure 2005303004
Figure 2005303004

(式中、R1は4価の有機基を示し、R2は2価の有機基を示す。)
上記式(1)中、R1で示される4価の有機基としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、ペリレン、ジフェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルスルホン、ジフェニルプロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパン、ベンゾフェノン、ブタン、シクロブタンなどの骨格を有する、芳香族、芳香脂肪族、脂肪族、脂環族の4価の有機基が挙げられる。好ましくは、ベンゼン、ジフェニル、ジフェニルヘキサフルオロプロパン、ベンゾフェノンの骨格を有する4価の有機基が挙げられる。なお、これら4価の有機基は、1種類のみであってもよく、また、2種類以上であってもよい。
(In the formula, R1 represents a tetravalent organic group, and R2 represents a divalent organic group.)
In the above formula (1), examples of the tetravalent organic group represented by R1 include skeletons such as benzene, naphthalene, perylene, diphenyl, diphenyl ether, diphenylsulfone, diphenylpropane, diphenylhexafluoropropane, benzophenone, butane, and cyclobutane. An aromatic, araliphatic, aliphatic, and alicyclic tetravalent organic group having Preferably, a tetravalent organic group having a skeleton of benzene, diphenyl, diphenylhexafluoropropane, or benzophenone is used. Note that these tetravalent organic groups may be of only one type, or may be two or more types.

また、上記式(1)中、R2で示される2価の有機基としては、例えば、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパン、ジフェニルスルホキシド、ジフェニルスルホン、ジフェニル、ベンゼン、ジフェノキシベンゼンなどの骨格を有する、芳香族、芳香脂肪族、脂肪族、脂環族の2価の有機基が挙げられる。好ましくは、ジフェニルエーテル、ベンゼン、ジフェノキシベンゼンの骨格を有する2価の有機基が挙げられる。なお、これら2価の有機基は、1種類のみであってもよく、また、2種類以上であってもよい。   In the above formula (1), examples of the divalent organic group represented by R2 include diphenyl ether, benzophenone, diphenylmethane, diphenylpropane, diphenylhexafluoropropane, diphenylsulfoxide, diphenylsulfone, diphenyl, benzene, and diphenoxybenzene. Aromatic, araliphatic, aliphatic, and alicyclic divalent organic groups having a skeleton such as Preferably, a divalent organic group having a skeleton of diphenyl ether, benzene, or diphenoxybenzene is used. In addition, these divalent organic groups may be only one kind, and may be two or more kinds.

このようなポリアミック酸は、より具体的には、有機テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させることによって得ることができる。有機テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン酸二無水物などが挙げられる。また、それらは、単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   More specifically, such a polyamic acid can be obtained by reacting an organic tetracarboxylic dianhydride with a diamine. Examples of the organic tetracarboxylic dianhydride include 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride, and 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl). ) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoro Propane dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfonic acid And dianhydrides. Moreover, they may be used independently and may use 2 or more types together.

また、ジアミンとしては、例えば、パラフェニレンジアミン(p−フェニレンジアミン)、m−フェニレンジアミン、3,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、2,2−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル、2,2−ビス(トリフルオロメチル)−4,4'−ジアミノビフェニル、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、3,3'−ジアミノジフェニルスルホン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,4−ジアミノトルエン、2,6−ジアミノトルエン、ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノ−2,2−ジメチルビフェニルなどが挙げられる。また、それらは、単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the diamine include paraphenylene diamine (p-phenylene diamine), m-phenylene diamine, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 2,2-dimethyl-4,4'-. Diaminobiphenyl, 2,2-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 2,2-bis (4-aminophenoxy) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,4- Diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, diaminodiphenylmethane, 4,4′-di Examples include amino-2,2-dimethylbiphenyl. Moreover, they may be used independently and may use 2 or more types together.

また、これら有機テトラカルボン酸二無水物のうち、好ましくは、3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物が挙げられ、さらに好ましくは、3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。また、これらジアミンのうち、好ましくは、パラフェニレンジアミンが挙げられる。   Of these organic tetracarboxylic dianhydrides, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and pyromellitic dianhydride are preferable. 3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride is mentioned. Of these diamines, paraphenylenediamine is preferable.

そして、ポリアミック酸は、これら有機テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを、実質的に等モル比となるような割合で、適宜の有機溶媒、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミドなどの極性溶媒中で、通常、0〜80℃で1〜48時間重縮合させることよって、ワニス(ポリアミック酸の溶液)として得るようにすればよい。   The polyamic acid is an appropriate organic solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N, in such a ratio that the organic tetracarboxylic dianhydride and diamine are substantially equimolar. -In a polar solvent such as dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphoramide, usually varnish (polyamic acid solution) by polycondensation at 0-80 ° C for 1-48 hours You can get it as

ワニス中のポリアミック酸の濃度(固形分濃度)は、例えば、10〜25重量%、好ましくは、12〜20重量%である。ポリアミック酸の濃度がこれより低いと、乾燥後、十分な膜厚でポリアミック酸の膜が得られない場合があり、濃度がこれより高いと、キャスティング時にむらを生じる場合がある。   The concentration (solid content concentration) of the polyamic acid in the varnish is, for example, 10 to 25% by weight, preferably 12 to 20% by weight. If the concentration of the polyamic acid is lower than this, a polyamic acid film may not be obtained with a sufficient film thickness after drying. If the concentration is higher than this, unevenness may occur during casting.

そして、本発明の配線回路基板の製造方法では、上記により得られたワニスに、トリエチレンジアミン(1,4−ジアザビシクロ〔2,2,2〕オクタン)を配合する。   And in the manufacturing method of the wired circuit board of this invention, triethylenediamine (1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane) is mix | blended with the varnish obtained by the above.

トリエチレンジアミンの配合割合(含有割合)は、ポリアミック酸100重量部に対して、例えば、0.5〜5重量部、好ましくは、1〜4重量部である。配合割合がこれより少ないと、反りや寸法変化を有効に防止し得ない場合があり、一方、配合割合がこれより多いと、硬化後のポリイミドの湿度膨張率を有効に低減し得ない場合や、ポリイミドの耐熱性が低下する場合がある。   The blending ratio (content ratio) of triethylenediamine is, for example, 0.5 to 5 parts by weight, preferably 1 to 4 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid. If the blending ratio is less than this, it may not be possible to effectively prevent warping and dimensional changes, while if the blending ratio is more than this, it may not be possible to effectively reduce the humidity expansion coefficient of the polyimide after curing or The heat resistance of polyimide may be reduced.

また、このようなワニスには、例えば、1,4−ジヒドロピロジン誘導体などの感光剤を配合して、感光性のワニスとして調製してもよい。感光性のワニスとして調製すれば、露光および現像することによって、所定のパターンとして形成することができる。なお、感光剤は、ポリアミック酸1モルに対して、通常、0.1〜1.0モルの範囲で配合することが好ましい。また、例えば、ポリアミック酸の骨格に、感光性を有する官能基を導入することによって、感光性のワニスを調製することもできる。   Further, such a varnish may be prepared as a photosensitive varnish by, for example, blending a photosensitive agent such as a 1,4-dihydropyrrolidine derivative. If it is prepared as a photosensitive varnish, it can be formed as a predetermined pattern by exposure and development. In addition, it is preferable to mix | blend a photosensitive agent normally in 0.1-1.0 mol with respect to 1 mol of polyamic acids. Further, for example, a photosensitive varnish can be prepared by introducing a functional group having photosensitivity into the skeleton of polyamic acid.

さらに、このようなワニスには、必要により、エポキシ樹脂、ビスアリルナジックイミド、マレイミドなどを配合してもよい。   Furthermore, you may mix | blend an epoxy resin, bisallyl nadic imide, maleimide etc. with such a varnish as needed.

そして、本発明の配線回路基板の製造方法では、このようにして調製されたワニスを、基材の上にキャスティングした後、乾燥し、浸漬液に浸漬することなく、その乾燥に引き続いて加熱硬化することによって絶縁層を形成する工程を含んでいる。   In the method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention, the varnish thus prepared is cast on a base material, then dried, and without being immersed in a dipping solution, followed by drying and heat curing. A step of forming an insulating layer.

基材としては、特に限定されないが、例えば、金属箔や金属板などが挙げられる。金属箔や金属板は、例えば、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、ニッケル/鉄合金、鉄、ステンレス、アルミニウム、銅−ベリリウム、リン青銅などから形成される。   Although it does not specifically limit as a base material, For example, metal foil, a metal plate, etc. are mentioned. The metal foil or metal plate is made of, for example, copper, copper alloy, nickel, nickel alloy, nickel / iron alloy, iron, stainless steel, aluminum, copper-beryllium, phosphor bronze, or the like.

また、キャスティングは、スピンコート法、バーコート法などの公知の方法が用いられる。   For casting, a known method such as spin coating or bar coating is used.

また、乾燥は、上記した溶媒を気散させることができれば、特に限定されないが、例えば、80〜150℃、好ましくは、90〜120℃で加熱すればよい。   In addition, the drying is not particularly limited as long as the above-described solvent can be diffused. For example, the drying may be performed at 80 to 150 ° C., preferably 90 to 120 ° C.

さらに、加熱硬化は、ポリアミック酸をイミド化することができれば、特に限定されないが、例えば、250〜500℃、好ましくは、350〜450℃で加熱すればよい。   Further, the heat curing is not particularly limited as long as the polyamic acid can be imidized. For example, the heat curing may be performed at 250 to 500 ° C., preferably 350 to 450 ° C.

これによって、ポリアミック酸がイミド化されて、ポリイミドからなる絶縁層が基材上に形成される。   Thereby, the polyamic acid is imidized, and an insulating layer made of polyimide is formed on the substrate.

絶縁層の厚さは、例えば、3〜50μm、好ましくは、5〜40μmである。   The thickness of the insulating layer is, for example, 3 to 50 μm, preferably 5 to 40 μm.

このようにして形成される絶縁層を含む配線回路基板は、高湿度下で用いても、反りや寸法変化が生じにくく、信頼性の向上を図ることができる。   A printed circuit board including an insulating layer formed in this way is less likely to warp or change in dimensions even when used under high humidity, and can improve reliability.

そして、本発明の配線回路基板の製造方法は、特に限定されることなく、例えば、フレキシブル配線回路基板などの絶縁層を含む配線回路基板の製造に用いることができ、より具体的には、TAB用テープキャリアを製造するために好適に用いられる。この場合、ワニスがキャスティングされる基材としては、金属補強板が用いられる。金属補強板は、例えば、ステンレス(SUS303、SUS430など)、42アロイなどから形成される。   And the manufacturing method of the wired circuit board of this invention is not specifically limited, For example, it can be used for manufacture of the wired circuit board containing insulating layers, such as a flexible printed circuit board, More specifically, it is TAB. It is suitably used for manufacturing a tape carrier for use. In this case, a metal reinforcing plate is used as the base material on which the varnish is cast. The metal reinforcing plate is made of, for example, stainless steel (SUS303, SUS430, etc.), 42 alloy, or the like.

次に、図1を参照して、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を、TAB用テープキャリアを製造する場合を例として、より具体的に説明する。   Next, with reference to FIG. 1, an embodiment of a method for manufacturing a wired circuit board according to the present invention will be described more specifically by taking as an example the case of manufacturing a TAB tape carrier.

まず、図1(a)に示すように、上記した金属補強板1を用意する。金属補強板1の厚みは、例えば、5〜50μm、好ましくは、10〜30μmである。   First, as shown to Fig.1 (a), the above-mentioned metal reinforcement board 1 is prepared. The thickness of the metal reinforcing plate 1 is, for example, 5 to 50 μm, or preferably 10 to 30 μm.

次いで、図1(b)に示すように、この金属補強板1の上に、上記したワニス2をキャスティングする。ワニス2のキャスティングは、例えば、スピンコータ、バーコータなどのアプリケータを用いる上記した公知の方法が用いられる。   Next, as shown in FIG. 1B, the varnish 2 described above is cast on the metal reinforcing plate 1. For the casting of the varnish 2, for example, the above-described known method using an applicator such as a spin coater or a bar coater is used.

次いで、図1(c)に示すように、キャスティングされたワニスを、加熱乾燥し、続いて、加熱硬化する。より具体的には、ワニス2を、例えば、80〜150℃で、熱風乾燥などの加熱乾燥をした後、例えば、250〜500℃で、例えば、約2時間加熱硬化させる。   Next, as shown in FIG. 1C, the cast varnish is heat-dried and subsequently heat-cured. More specifically, the varnish 2 is heated and cured, for example, at 80 to 150 ° C., such as hot air drying, and then heated and cured at, for example, 250 to 500 ° C. for about 2 hours.

これにより、ポリアミック酸がイミド化されて、ポリイミドからなる絶縁層3が、金属補強板1の上に形成される。   Thereby, polyamic acid is imidized and the insulating layer 3 made of polyimide is formed on the metal reinforcing plate 1.

絶縁層3の厚みは、例えば、3〜50μm、好ましくは、5〜40μmである。絶縁層3の厚みがこれより小さいと、電気的絶縁性が不十分となる場合があり、また、絶縁層3の厚みがこれより大きいと、屈曲性が低下する場合がある。   The thickness of the insulating layer 3 is 3-50 micrometers, for example, Preferably, it is 5-40 micrometers. If the thickness of the insulating layer 3 is smaller than this, the electrical insulating property may be insufficient, and if the thickness of the insulating layer 3 is larger than this, the flexibility may be lowered.

なお、ワニス2を、上記したように、感光性のワニスとして調製すれば、図1(b)に示すワニスをキャスティングした後に、フォトマスクを介して活性光線を照射し、その後、必要により加熱することによって潜像を形成し、これを現像することによって、ワニスを所定のパターンとして形成することができ、これを加熱硬化すれば、所定のパターンで形成される絶縁層が金属補強板1上に形成される。   If the varnish 2 is prepared as a photosensitive varnish as described above, after casting the varnish shown in FIG. 1 (b), it is irradiated with actinic rays through a photomask, and then heated as necessary. By forming the latent image and developing the latent image, the varnish can be formed as a predetermined pattern. When this is heated and cured, an insulating layer formed in the predetermined pattern is formed on the metal reinforcing plate 1. It is formed.

そして、この方法では、この絶縁層3の上に、公知の方法により配線回路パターンを形成する。以下、アディティブ法により、配線回路パターンを形成する場合について説明するが、配線回路パターンは、サブトラクティブ法により形成してもよい。   In this method, a wiring circuit pattern is formed on the insulating layer 3 by a known method. Hereinafter, the case where the wiring circuit pattern is formed by the additive method will be described. However, the wiring circuit pattern may be formed by the subtractive method.

すなわち、この方法では、図1(d)に示すように、まず、絶縁層3の上に、種膜としての金属薄膜4を形成する。金属薄膜4の形成には、無電解めっき、真空蒸着法などの公知の薄膜形成方法が用いられる。好ましくは、スパッタ蒸着法が用いられる。また、金属薄膜4となる導体は、クロム、ニッケル、銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、絶縁層3の上に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成する。なお、このような金属薄膜4の形成において、クロム薄膜の厚みは、例えば、300〜1000Å、銅薄膜の厚みは、例えば、700〜1000Åである。   That is, in this method, as shown in FIG. 1D, first, a metal thin film 4 as a seed film is formed on the insulating layer 3. For forming the metal thin film 4, a known thin film forming method such as electroless plating or vacuum deposition is used. Preferably, a sputter deposition method is used. Moreover, chromium, nickel, copper, etc. are preferably used for the conductor used as the metal thin film 4. More specifically, for example, a chromium thin film and a copper thin film are sequentially formed on the insulating layer 3 by sputtering deposition. In forming the metal thin film 4, the thickness of the chromium thin film is, for example, 300 to 1000 mm, and the thickness of the copper thin film is, for example, 700 to 1000 mm.

次いで、この方法では、図1(e)に示すように、絶縁膜3の上に形成された金属薄膜4の上に、めっきレジスト5を配線回路パターンの反転パターンで形成する。   Next, in this method, as shown in FIG. 1E, a plating resist 5 is formed on the metal thin film 4 formed on the insulating film 3 in an inverted pattern of the wiring circuit pattern.

めっきレジスト5は、例えば、金属薄膜4の表面に、ドライフィルムレジストをラミネートして、露光および現像する公知の方法により、配線回路パターンの反転パターンとして形成する。   The plating resist 5 is formed, for example, as a reverse pattern of the wiring circuit pattern by a known method of laminating a dry film resist on the surface of the metal thin film 4 and exposing and developing.

次いで、この方法では、図1(f)に示すように、めっきレジスト5から露出する金属薄膜4の上に、導体層6を配線回路パターンで形成する。導体層6を形成する導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属が用いられる。好ましくは、銅が用いられる。また、導体層6の形成は、特に限定されないが、好ましくは、電解めっき、より好ましくは、電解銅めっきが用いられる。導体層6の厚みは、例えば、5〜10μm、好ましくは、6〜9μmである。   Next, in this method, as shown in FIG. 1 (f), the conductor layer 6 is formed in a wiring circuit pattern on the metal thin film 4 exposed from the plating resist 5. As the conductor forming the conductor layer 6, for example, a metal such as copper, nickel, gold, solder, or an alloy thereof is used. Preferably, copper is used. Moreover, although formation of the conductor layer 6 is not specifically limited, Preferably, electrolytic plating is used, More preferably, electrolytic copper plating is used. The thickness of the conductor layer 6 is, for example, 5 to 10 μm, or preferably 6 to 9 μm.

その後、必要により、めっきレジスト5から露出する導体層6の上に、錫めっき層などを形成してもよい。   Thereafter, if necessary, a tin plating layer or the like may be formed on the conductor layer 6 exposed from the plating resist 5.

次いで、この方法では、図1(g)に示すように、めっきレジスト5を除去し、続いて、図1(h)に示すように、めっきレジスト5が形成されていた部分の金属薄膜4を除去する。めっきレジスト5および金属薄膜4の除去は、例えば、化学エッチング(ウェットエッチング)などの公知のエッチング方法が用いられる。   Next, in this method, as shown in FIG. 1 (g), the plating resist 5 is removed, and subsequently, as shown in FIG. 1 (h), the portion of the metal thin film 4 on which the plating resist 5 has been formed is removed. Remove. For removing the plating resist 5 and the metal thin film 4, for example, a known etching method such as chemical etching (wet etching) is used.

そして、この方法では、図1(i)に示すように、導体層6を被覆するように、被覆層7を形成し、必要により、金属補強板1を所定のパターンにエッチングして、TAB用テープキャリア8を得る。被覆層7は、耐熱性レジストからなるソルダレジストなどを用いて、公知の方法により形成する。   In this method, as shown in FIG. 1 (i), a covering layer 7 is formed so as to cover the conductor layer 6, and the metal reinforcing plate 1 is etched into a predetermined pattern, if necessary, for TAB. A tape carrier 8 is obtained. The covering layer 7 is formed by a known method using a solder resist made of a heat resistant resist.

なお、被覆層7は、導体層6の配線回路パターンの一部を被覆するように形成してもよく、あるいは、導体層6の配線回路パターンのすべてを被覆するように形成してもよい。   The covering layer 7 may be formed so as to cover a part of the wiring circuit pattern of the conductor layer 6, or may be formed so as to cover all of the wiring circuit pattern of the conductor layer 6.

このようにして得られた絶縁層3を有するTAB用テープキャリア8は、高湿度下で用いても、反りや寸法変化の発生を有効に防止することができる。   The TAB tape carrier 8 having the insulating layer 3 thus obtained can effectively prevent warpage and dimensional change even when used under high humidity.

以下に、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to the examples and comparative examples.

実施例1
金属補強板として、厚み25μmのステンレス(SUS430)箔を用意した(図1(a)参照)。
Example 1
A stainless steel (SUS430) foil having a thickness of 25 μm was prepared as a metal reinforcing plate (see FIG. 1A).

また、ワニスを以下のようにして調製した。すなわち、N−メチル−2−ピロリドン中で、等モル量の3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとを反応させて、重縮合することによりポリアミック酸溶液からなるワニスを得た。このワニス中のポリアミック酸の濃度は、18重量%であった。   Moreover, the varnish was prepared as follows. That is, polyamic acid is obtained by reacting an equimolar amount of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride with paraphenylenediamine in N-methyl-2-pyrrolidone and polycondensation. A varnish consisting of a solution was obtained. The concentration of polyamic acid in the varnish was 18% by weight.

次いで、得られたワニスに、ポリアミック酸100重量部に対して0.5重量部のトリエチレンジアミンを添加し、混合溶解した。   Next, 0.5 parts by weight of triethylenediamine was added to 100 parts by weight of the polyamic acid, and the resulting varnish was mixed and dissolved.

このワニスを、上記したステンレス箔の上に、アプリケータを用いてキャスティングし(図1(b)参照)、100℃で15分乾燥し、さらに400℃で2時間加熱することにより、厚み25μmのポリイミドからなる絶縁層を形成した(図1(c)参照)。   This varnish was cast on the above stainless steel foil using an applicator (see FIG. 1 (b)), dried at 100 ° C. for 15 minutes, and further heated at 400 ° C. for 2 hours to have a thickness of 25 μm. An insulating layer made of polyimide was formed (see FIG. 1C).

次に、この絶縁層の上に、アディティブ法により、所定の配線回路パターンの導体層(銅配線)を形成した(図1(d)〜図1(h)参照)。   Next, a conductor layer (copper wiring) having a predetermined wiring circuit pattern was formed on the insulating layer by an additive method (see FIGS. 1D to 1H).

そして、ステンレス箔を所定のパターンにエッチングして、TAB用テープキャリアを得た。   Then, the stainless steel foil was etched into a predetermined pattern to obtain a TAB tape carrier.

実施例2
トリエチレンジアミンを、ポリアミック酸100重量部に対して2重量部添加した以外は、実施例1と同様の操作により、TAB用テープキャリアを得た。
Example 2
A TAB tape carrier was obtained by the same operation as in Example 1 except that 2 parts by weight of triethylenediamine was added to 100 parts by weight of polyamic acid.

実施例3
トリエチレンジアミンを、ポリアミック酸100重量部に対して5重量部添加した以外は、実施例1と同様の操作により、TAB用テープキャリアを得た。
Example 3
A TAB tape carrier was obtained in the same manner as in Example 1 except that 5 parts by weight of triethylenediamine was added to 100 parts by weight of polyamic acid.

比較例1
トリエチレンジアミンの代わりに、イミダゾールをポリアミック酸100重量部に対して2重量部添加した以外は、実施例1と同様の操作により、TAB用テープキャリアを得た。
Comparative Example 1
A TAB tape carrier was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2 parts by weight of imidazole was added to 100 parts by weight of polyamic acid instead of triethylenediamine.

比較例2
ステンレス箔の上に、ワニスをキャスティングし、100℃で15分乾燥した後、ジエチルエーテル、無水酢酸およびピリジンを含む混合溶媒(体積比として、ジエチルエーテル:無水酢酸:ピリジン=9:1:2)に常温で12時間浸漬し、その後、200℃で2時間加熱することにより、絶縁層を形成した以外は、実施例1と同様の操作により、TAB用テープキャリアを得た。
Comparative Example 2
After casting varnish on stainless steel foil and drying at 100 ° C. for 15 minutes, mixed solvent containing diethyl ether, acetic anhydride and pyridine (volume ratio, diethyl ether: acetic anhydride: pyridine = 9: 1: 2) A TAB tape carrier was obtained in the same manner as in Example 1 except that the insulating layer was formed by immersing the substrate in normal temperature for 12 hours and then heating at 200 ° C. for 2 hours.

評価
実施例および比較例により得られた各TAB用テープキャリアについて、湿度膨張率および反り量を測定した。
Evaluation The humidity expansion coefficient and the amount of warpage of each TAB tape carrier obtained in Examples and Comparative Examples were measured.

湿度膨張率は、各TAB用テープキャリアについて、温度30℃で、相対湿度を2%から95%に変化させたときの寸法変化率として測定した。各TAB用テープキャリアの寸法は、ステンレス箔および導体層がない部分、つまり、ポリイミドからなる絶縁層のみの部分について測定した。   The humidity expansion coefficient was measured as a dimensional change rate when the relative humidity was changed from 2% to 95% at a temperature of 30 ° C. for each TAB tape carrier. The dimensions of each TAB tape carrier were measured for a portion without the stainless steel foil and the conductor layer, that is, a portion having only an insulating layer made of polyimide.

また、反り量は、各配線回路基板を50mm×50mmの大きさにカットした試験片を120℃で1時間乾燥後、温度25℃、相対湿度60%で、24時間放置した後、図2に概略的に示すように、各試験片を水平板上に設置して、その水平板の表面から、試験片の裏面における4つの角部までのそれぞれの距離を測定し、これらの距離を各試験片について平均することにより求めた。   In addition, the amount of warping is as shown in FIG. As shown schematically, each test piece is placed on a horizontal plate and the distances from the surface of the horizontal plate to the four corners on the back of the test piece are measured, and these distances are measured for each test. It was determined by averaging the pieces.

これらの結果を表1に示す。   These results are shown in Table 1.

Figure 2005303004
Figure 2005303004

湿度膨張率は、実施例1〜3では、いずれも10%未満であるのに対して、比較例1および比較例2では、10%以上を示した。   In each of Examples 1 to 3, the humidity expansion coefficient was less than 10%, while Comparative Example 1 and Comparative Example 2 showed 10% or more.

反り量は、実施例1〜3では、いずれも0mmであるのに対して、比較例1および比較例2では、2mmを示した。   The amount of warpage was 0 mm in each of Examples 1 to 3, whereas 2 mm was shown in Comparative Examples 1 and 2.

本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、(a)は、金属補強板を用意する工程、(b)は、金属補強板の上にワニスをキャスティングする工程、(c)は、キャスティングされたワニスを乾燥し、その乾燥に続いて、加熱硬化させて絶縁層を形成する工程、(d)は、絶縁層の上に金属薄膜を形成する工程、(e)は、金属薄膜の上に、めっきレジストを配線回路パターンの反転パターンで形成する工程、(f)は、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、導体層を配線回路パターンで形成する工程、(g)は、めっきレジストを除去する工程、(h)は、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を除去する工程、(i)は、導体層を被覆するように、被覆層を形成する工程を示す。It is process drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the printed circuit board of this invention, Comprising: (a) The process of preparing a metal reinforcement board, (b) The process of casting a varnish on a metal reinforcement board (C) is a step of drying the cast varnish, followed by heat-curing to form an insulating layer, (d) is a step of forming a metal thin film on the insulating layer, (e) ) Is a step of forming a plating resist on the metal thin film with a reversal pattern of the wiring circuit pattern, (f) is a step of forming a conductor layer on the metal thin film exposed from the plating resist with a wiring circuit pattern, (g) is a step of removing the plating resist, (h) is a step of removing the metal thin film where the plating resist was formed, and (i) is a coating layer formed so as to cover the conductor layer. The process to perform is shown. 実施例において、反り量の測定方法を説明するための概略説明図である。In an Example, it is a schematic explanatory drawing for demonstrating the measuring method of curvature amount.

符号の説明Explanation of symbols

1 金属補強板
2 ワニス
3 絶縁層
8 TAB用テープキャリア
1 Metal reinforcing plate 2 Varnish 3 Insulating layer 8 Tape carrier for TAB

Claims (5)

絶縁層を含む配線回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層を形成する工程は、
ポリアミック酸およびトリエチレンジアミンを含有するワニスを、キャスティングする工程、および、キャスティングされたワニスを乾燥し、その乾燥に続いて、加熱硬化させる工程を含んでいることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
A method of manufacturing a printed circuit board including an insulating layer,
The step of forming the insulating layer includes
Production of a printed circuit board comprising a step of casting a varnish containing polyamic acid and triethylenediamine, and a step of drying the cast varnish, followed by heating and curing. Method.
前記トリエチレンジアミンの含有割合が、前記ポリアミック酸100重量部に対して、0.5〜5重量部であることを特徴とする、請求項1に記載の配線回路基板の製造方法。 2. The method of manufacturing a printed circuit board according to claim 1, wherein a content ratio of the triethylenediamine is 0.5 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamic acid. 前記ポリアミック酸は、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と、パラフェニレンジアミンとを、重縮合することにより、得られることを特徴とする、請求項1または2に記載の配線回路基板の製造方法。 The polyamic acid is obtained by polycondensation of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, according to claim 1 or 2. The manufacturing method of the printed circuit board of description. さらに、金属補強板を用意する工程を備え、
前記絶縁層を形成する工程では、前記金属補強板の上に、前記絶縁層を形成することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
Furthermore, a process for preparing a metal reinforcing plate is provided,
The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 1, wherein the insulating layer is formed on the metal reinforcing plate in the step of forming the insulating layer.
TAB用テープキャリアを製造するために用いられる、請求項1〜4のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。 The manufacturing method of the printed circuit board in any one of Claims 1-4 used in order to manufacture the tape carrier for TAB.
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