JP2005301738A - Method for manufacturing inlet for electronic tag - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、非接触型電子タグ用インレットの製造技術に関し、特に、アンテナのパターニング工程に適用して有効な技術に関するものである。 The present invention relates to a manufacturing technique for an inlet for a non-contact type electronic tag, and more particularly to a technique effective when applied to an antenna patterning process.
たとえば、樹脂フィルムからなる基材に接着したアルミニウム箔上に回路パターンのレジストパターンをグラビア印刷し、そのレジストパターンをマスクとしてアルミニウム箔をエッチングすることにより回路パターンを形成することにより、回路パターンを安価に形成することのできる技術がある(たとえば、特許文献1参照)。 For example, a circuit pattern resist pattern is gravure-printed on an aluminum foil bonded to a resin film substrate, and the circuit pattern is formed by etching the aluminum foil using the resist pattern as a mask. There is a technique that can be formed (see, for example, Patent Document 1).
また、基材上に導体インキを用いて細線配線部を含む回路パターンの形成をグラビア印刷法により行う場合において、印刷版の形成をダイレクト印刷方式により行い、かつ細線配線部のパターンをドクターの方向に対して垂直方向または斜め方向に面付けした刷版を形成し、この版を用いて被加工材上に細線配線部を含む回路パターンのレジストパターンをグラビア印刷することにより、細線配線部を含む回路パターンを安価に形成することのできる技術がある(たとえば、特許文献2参照)。
非接触型の電子タグは、半導体チップ内のメモリ回路に所望のデータを記憶させ、マイクロ波を使ってこのデータを読み取るようにしたタグであり、リードフレームで構成したアンテナに半導体チップを実装した構造を有している。 A non-contact type electronic tag is a tag in which desired data is stored in a memory circuit in a semiconductor chip, and this data is read using a microwave. A semiconductor chip is mounted on an antenna constituted by a lead frame. It has a structure.
電子タグは、半導体チップ内のメモリ回路にデータを記憶させるため、バーコードを利用したタグなどに比べて大容量のデータを記憶できる利点がある。また、メモリ回路に記憶させたデータは、バーコードに記憶させたデータに比べて不正な改竄が困難であるという利点もある。 Since the electronic tag stores data in a memory circuit in the semiconductor chip, there is an advantage that a large amount of data can be stored as compared with a tag using a barcode. In addition, the data stored in the memory circuit has an advantage that unauthorized tampering is difficult as compared with the data stored in the barcode.
しかしながら、この種の電子タグは、バーコードを利用したタグなどに比べて構造が複雑であることから、その製造コストが高く、これが電子タグの普及を妨げる一因となっている。本発明者らは、特にアンテナの製造工程に着目し、検討を進めている。本発明者らが検討したアンテナの製造工程の一例では、ポリイミド樹脂の基材に接着剤にて貼付された銅箔をフォトリソグラフィ技術によってパターニングされたレジスト膜をマスクとしてケミカルエッチング(ウエットエッチング)することでアンテナのパターンを形成している。この技術は、ポリイミド樹脂および銅の材料コストが高く、レジスト膜のパターニングに要するTAT(Turn Around Time)が長くなってしまうことから加工コストが高いという問題がある。 However, since this type of electronic tag has a more complicated structure than a tag using a barcode or the like, its manufacturing cost is high, which is one factor hindering the spread of the electronic tag. The inventors of the present invention are focusing their attention on the manufacturing process of the antenna and are proceeding with their studies. In an example of an antenna manufacturing process investigated by the present inventors, a copper foil affixed to a polyimide resin base material with an adhesive is chemically etched (wet etching) using a resist film patterned by photolithography as a mask. Thus, an antenna pattern is formed. This technique has a problem that the processing cost is high because the material cost of polyimide resin and copper is high and the TAT (Turn Around Time) required for patterning the resist film becomes long.
そこで、本発明者らは、基材としてPEN(polyethylene naphthalate)もしくはPET(polyethylene terephthalate)を用い、この基材にアルミニウム箔を接着剤により貼付し、そのアルミニウム箔上にグラビア印刷法によってアンテナのパターンと同じ平面形状のレジスト膜のパターンを転写し、そのレジスト膜をマスクとしてケミカルエッチングすることでアンテナのパターンを形成する技術について検討した。この技術によれば、PENおよびPETはポリイミド樹脂に比べて安価であり、アルミニウム箔は銅箔より安価であることから、材料コストの低減が期待できる。また、グラビア印刷法は、フォトリソグラフィ技術に比較して、露光工程および現像工程などが省略できることから短いTATでレジスト膜のパターンを転写でき、加工コストの低減が期待できる。しかしながら、グラビア印刷法を用いた場合には、フォトリソグラフィ技術に比べて形成されるパターンが粗くなってしまうことから、パターン間の溝が埋まってしまったり広がり過ぎたりしてしまう問題を本発明者らは見出した。 Accordingly, the present inventors use PEN (polyethylene naphthalate) or PET (polyethylene terephthalate) as a base material, and an aluminum foil is attached to the base material with an adhesive, and an antenna pattern is formed on the aluminum foil by gravure printing. We studied a technique to form an antenna pattern by transferring a pattern of a resist film having the same planar shape as in Fig. 1, and chemically etching the resist film as a mask. According to this technology, since PEN and PET are cheaper than polyimide resin, and aluminum foil is cheaper than copper foil, a reduction in material cost can be expected. Further, in the gravure printing method, the exposure process and the development process can be omitted as compared with the photolithography technique. Therefore, the resist film pattern can be transferred with a short TAT, and a reduction in processing cost can be expected. However, when the gravure printing method is used, since the pattern formed becomes rough as compared with the photolithography technique, the inventor has a problem that the groove between the patterns is filled or spread too much. Found.
本発明の目的は、電子タグ用インレットのアンテナのパターンを精度よく、かつ安価に形成できる技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a technique capable of forming an antenna pattern of an inlet for an electronic tag accurately and inexpensively.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
本発明は、絶縁フィルムの主面に形成された導体膜からなるアンテナと、前記アンテナの一部に形成され、一端が前記アンテナの外縁に延在し、第1パターンおよび前記第1パターンより狭い幅を有する第2パターンから形成されたスリットと、複数のバンプ電極を介して前記アンテナに電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂とを備えた電子タグ用インレットの製造方法であり、
(a)前記絶縁フィルムおよび前記半導体チップを用意する工程、
(b)前記絶縁フィルムの前記主面に前記導体膜を形成する工程、
(c)前記導体膜に前記第1パターンを形成する工程、
(d)ダイシングブレードもしくはレーザーを用いて前記導体膜を加工することにより、前記第2パターンを形成する工程、
(e)前記(d)工程後、前記複数のバンプ電極を、前記導体膜の主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
(f)前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
(g)前記(a)〜(f)工程後、前記導体膜および前記絶縁フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むものである。
The present invention includes an antenna formed of a conductor film formed on a main surface of an insulating film, and formed on a part of the antenna, one end extending to an outer edge of the antenna, and being narrower than the first pattern and the first pattern An inlet for an electronic tag, comprising: a slit formed from a second pattern having a width; a semiconductor chip electrically connected to the antenna through a plurality of bump electrodes; and a resin for sealing the semiconductor chip. Manufacturing method,
(A) preparing the insulating film and the semiconductor chip;
(B) forming the conductor film on the main surface of the insulating film;
(C) forming the first pattern on the conductor film;
(D) forming the second pattern by processing the conductor film using a dicing blade or a laser;
(E) After the step (d), the plurality of bump electrodes are connected to corresponding positions of the respective bump electrodes on the main surface of the conductor film, and the semiconductor chip and the conductor film are electrically connected. Process,
(F) sealing the semiconductor chip with the resin;
(G) After the steps (a) to (f), the step of cutting the conductor film and the insulating film at a cutting region to form the antenna;
Is included.
また、本発明は、導体膜からなるアンテナと、前記アンテナの一部に形成され、一端が前記アンテナの外縁に延在し、第1パターンおよび前記第1パターンより狭い幅を有する第2パターンから形成されたスリットと、複数のバンプ電極を介して前記アンテナに電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂とを備えた電子タグ用インレットの製造方法であり、
(a)前記導体膜からなる第1フィルムを用意する工程、
(b)前記第1フィルムに前記第1パターンを形成する工程、
(c)前記複数のバンプ電極を、前記第1フィルムの主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
(d)前記(c)工程後、前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
(e)前記(d)工程後、ダイシングブレードもしくはレーザーを用いて前記第1フィルムを裏面から加工することにより、前記第2パターンを形成する工程、
(f)前記(a)〜(e)工程後、前記第1フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むものである。
The present invention also includes an antenna made of a conductor film and a second pattern formed on a part of the antenna, one end extending to the outer edge of the antenna, and having a narrower width than the first pattern. A manufacturing method of an inlet for an electronic tag comprising a formed slit, a semiconductor chip electrically connected to the antenna via a plurality of bump electrodes, and a resin for sealing the semiconductor chip,
(A) preparing a first film comprising the conductor film;
(B) forming the first pattern on the first film;
(C) connecting the plurality of bump electrodes to corresponding positions of the respective bump electrodes on the main surface of the first film, and electrically connecting the semiconductor chip and the conductor film;
(D) After the step (c), the step of sealing the semiconductor chip with the resin,
(E) After the step (d), a step of forming the second pattern by processing the first film from the back surface using a dicing blade or a laser;
(F) After the steps (a) to (e), the step of cutting the first film at a cutting region to form the antenna;
Is included.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。 Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
すなわち、電子タグ用インレットのアンテナのパターンを精度よく、かつ安価に形成できる。 That is, the antenna pattern of the electronic tag inlet can be formed accurately and inexpensively.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.
(実施の形態1)
本実施の形態1の電子タグ用インレット(以下、単にインレットと記す)は、マイクロ波受信用のアンテナを備えた非接触型電子タグの主要部を構成するものである。
(Embodiment 1)
The electronic tag inlet of the first embodiment (hereinafter simply referred to as “inlet”) constitutes a main part of a non-contact type electronic tag provided with an antenna for receiving microwaves.
図1は本実施の形態1のインレットの製造に用いる絶縁フィルム1を示す平面図であり、図2は図1の一部を拡大して示す平面図である。また、図3は、図2中のAで示す領域(アンテナ3のほぼ中央部)における断面を図示したものである。
FIG. 1 is a plan view showing an
図1および図2に示すように、絶縁フィルム1は、リール2に巻き取られた状態で本実施の形態1のインレットの製造工程に搬入される。この絶縁フィルム1の一面には、予め多数のアンテナ3が所定の間隔で形成されている。本実施の形態において、絶縁フィルム1は、たとえばPENまたはPETから形成されており、アンテナ3は、たとえばAl(アルミニウム)膜(導体膜)から形成されている。またアンテナ3は、たとえばウレタン系樹脂からなる接着剤SCZによって絶縁フィルム1に貼付されている。このように、絶縁フィルム1の材料としてPENまたはPETを用い、アンテナ3の材料としてAlを用いることにより、たとえば絶縁フィルム1の材料としてポリイミド樹脂を用い、アンテナ3の材料としてCu(銅)を用いた場合に比べてインレットの材料コストを低減することができる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
上記絶縁フィルム1は、フィルムキャリアテープの規格に沿ったもので、たとえば幅48mm程度または70mm程度、厚さ50μm程度で形成されており、両側部には絶縁フィルム1を搬送するためのスプロケットホール4が所定の間隔で形成されている。このスプロケットホール4は、たとえば絶縁フィルム1の一部をパンチで打ち抜くことによって形成することができる。
The
上記アンテナ3の長辺方向の長さは、たとえば51mm程度であり、周波数2.45GHzのマイクロ波を効率よく受信できるように最適化されている。また、アンテナ3の幅は1.5mm程度であり、インレットの小型化と強度の確保とが両立できるように最適化されている。
The length of the
次に、上記アンテナ3を形成する工程について、図4〜図12を用いて説明する。
Next, the process of forming the
図4および図5は、それぞれ図2中のAで示す領域(アンテナ3のほぼ中央部)の斜視図および平面図である。まず、図4および図5に示すように、絶縁フィルム1の一面に厚さ18μm程度のAl箔3Aを接着剤SCZによって接着する。続いて、そのAl箔を選択的にケミカルエッチングし、スリットパターン(第1パターン)5Aを形成する。本実施の形態1においては、このケミカルエッチング時のマスクとなるレジスト膜のパターンは、図6に示すようなグラビア印刷機を用いたグラビア印刷法によって形成する。このグラビア印刷機は、表面にレジスト膜のパターンに対応する凹凸が形成されたグラビア版11、絶縁フィルム1のAl箔が接着された一面をグラビア版11の表面に押さえ付ける押さえロール12、レジスト樹脂液13を保持するレジスト樹脂液槽14、およびドクター(ドクターブレード)15などから形成されている。グラビア版11は、たとえばFe(鉄)またはAlからなる材料の表面にCu(銅)のめっきを施した状態でその表面に凹状の加工を施し、さらにCr(クロム)のめっきを施すことで形成されている。ドクター15は、薄い鋼鉄から形成された刃である。グラビア版11が回転することにより、レジスト樹脂液13がグラビア版11の表面に付着し、その表面の凹部を埋め込む。次いで、ドクター15がグラビア版11の表面を擦り、グラビア版11の表面の余分なレジスト樹脂液13を掻き落とし、その凹部にレジスト樹脂液13を残す。さらにグラビア版11が回転し、押さえロール12よって押さえ付けられた絶縁フィルム1とグラビア版11の表面の凹部に残っているレジスト樹脂液13が接することにより、その凹部に残っているレジスト樹脂液13が絶縁フィルム1へ転移される。この転移されたレジスト樹脂液13が上記ケミカルエッチング時のマスクとなるレジスト膜となる。
4 and 5 are a perspective view and a plan view, respectively, of the region indicated by A in FIG. 2 (substantially the central portion of the antenna 3). First, as shown in FIGS. 4 and 5, an
このようなグラビア印刷機を用いてレジスト膜のパターンを形成することにより、たとえばフォトリソグラフィ技術を用いたパターニングによってレジスト膜のパターンを形成する場合に比べると露光工程および現像工程などが省略できる。それにより、フォトリソグラフィ技術を用いた場合に比べると短いTATでレジスト膜のパターンを絶縁フィルム1へ転写することが可能となり、加工コストを低減できる。
By forming a resist film pattern using such a gravure printing machine, for example, the exposure process and the development process can be omitted as compared with the case where the resist film pattern is formed by patterning using a photolithography technique. Thereby, it becomes possible to transfer the pattern of the resist film to the insulating
次に、図7〜図9に示すように、後の工程で半導体チップ(以下、単にチップと記す)が搭載される領域のAl箔3AをダイシングブレードDBを用いて切削する。なお、図9は、図8中のB−B線に沿った断面を示したものである。これにより、図10〜図12に示すように、幅W1がスリットパターン5Aの幅より狭く、最大で150μm以下となるスリットパターン(第2パターン)5Bを形成し、スリットパターン5A、5Bからなるスリットが完成される。また、このスリットを形成することにより、アンテナ3が形成される。スリットパターン5Bは、接着剤SCZおよび絶縁フィルム1まで達する深さで形成してもよいが、絶縁フィルム1を貫かないようにする。それにより、絶縁フィルムの機械的強度を維持することができる。また、このスリットパターン5A、5Bからなるスリットは、その一端がアンテナ3の外縁に達する。
Next, as shown in FIGS. 7 to 9, the
ところで、グラビア印刷法を用いてパターニングされたレジスト膜をマスクとし、ケミカルエッチングによりスリットパターン5Bも形成した場合には、フォトリソグラフィ技術に比べて形成されるレジスト膜のパターンが粗くなってしまうことから、スリットがスリットパターン5B内で途切れてしまったり、逆にスリットパターン5Bの幅W1が広くなりすぎたりしてしまうことが懸念される。一方、本実施の形態1によれば、スリットパターン5Bの幅W1が所望の寸法となるような厚さを有するダイシングブレードDBを選択することにより、スリットパターン5Bの幅W1の寸法を確実に制御することができる。たとえば、スリットパターン5Bの幅W1を30μm程度まで小さくすることもできる。すなわち、本実施の形態1によれば、スリットがスリットパターン5B内で途切れてしまったり、スリットパターン5Bの幅W1が広くなりすぎたりしてしまう不具合を確実に防ぐことが可能となる。
By the way, when the
また、ダイシングブレードDBを用いて上記スリットを形成する場合には、スリットにおける屈曲部のパターンはダイシングブレードDBでは形成し難くなる。そこで、本実施の形態1のように、ケミカルエッチングによるスリットパターン5Aの形成と、ダイシングブレードDBによる最小幅のスリットパターン5Bの形成とを組み合わせることにより、スリットを容易かつ加工精度良く形成することが可能となる。
Further, when the slit is formed using the dicing blade DB, it is difficult to form the pattern of the bent portion in the slit with the dicing blade DB. Therefore, as in the first embodiment, by combining the formation of the
上記のような手段によってアンテナ3を形成した後、図13に示すようなチップCHPを用意する。チップCHPは、厚さ=0.15mm程度の単結晶シリコン基板からなり、その主面には、後述するような整流・送信、クロック抽出、セレクタ、カウンタ、ROMなどからなる回路が形成されている。ROMは、128ビットの記憶容量を有しており、バーコードなどの記憶媒体に比べて大容量のデータを記憶することができる。また、ROMに記憶させたデータは、バーコードに記憶させたデータに比べて不正な改竄が困難であるという利点がある。
After the
上記回路が形成されたチップCHPの主面上には、たとえばAu(金)からなる4個のバンプ電極BMP1〜BMP4が形成されている。これら4個のバンプ電極BMP1〜BMP4は、図13の二点鎖線で示す一対の仮想的な対角線上に位置し、かつこれらの対角線の交点(チップCHIPの主面の中心)からの距離がほぼ等しくなるようにレイアウトされている。このようなレイアウトとすることにより、チップCHPのアンテナ3への接続時の加重に対してバランスを取りやすくすることができる。これらのバンプ電極BMP1〜BMP4は、たとえば周知の電解めっき法を用いて形成されたもので、その高さは、たとえば15μm程度である。また、隣接するバンプ電極(同一対角線上での隣接は除く)間の距離W2は、たとえば200μmである。このようなチップCHPを後の工程で上記スリットパターン5Bを含むアンテナ3上に実装した時に、バンプ電極BMP1〜BMP4がスリットパターン5B内へ落下しないようにするために、本実施の形態1においては、バンプ電極BMP1〜BMP4の接続位置の合わせ余裕を絶縁フィルム1(アンテナ3)上における各方向で25μm程度とすることを例示できる。
On the main surface of the chip CHP on which the circuit is formed, four bump electrodes BMP1 to BMP4 made of, for example, Au (gold) are formed. These four bump electrodes BMP1 to BMP4 are located on a pair of virtual diagonal lines indicated by a two-dot chain line in FIG. 13, and the distance from the intersection of these diagonal lines (the center of the main surface of the chip CHIP) is approximately They are laid out to be equal. By adopting such a layout, it is possible to easily balance the weight when the chip CHP is connected to the
次に、図14〜図16に示すように、アンテナ3に形成されたスリットの中で最も幅が狭くなるスリットパターン5Bを跨ぐようにチップCHPをアンテナ3に実装する。チップCHPをアンテナ3に実装するには、図17に示すように、ボンディングステージ21と超音波ボンディングツール22とを備えたボンダ23にリール2を装着し、ボンディングステージ21の上面に沿って絶縁フィルム1を移動させながら、アンテナ3にチップCHPを接続する。ここで、図18および図19は、図13に示したバンプ電極BMP1〜BMP4およびその近傍の断面図である。バンプ電極BMP1〜BMP4のうち、たとえばバンプ電極BMP1は、後述する回路の入力端子を構成し、バンプ電極BMP2は、GND端子を構成している。また、残り2個のバンプ電極BMP3、BMP4は、上記回路には続されていないダミーのバンプを構成している。図18に示すように、回路の入力端子を構成するバンプ電極BMP1は、チップCHPの主面を覆うパッシベーション膜25とポリイミド樹脂膜26とをエッチングして露出させた最上層メタル配線27の上に形成されている。また、バンプ電極BMP1と最上層メタル配線27との間には、両者の密着力を高めるためのバリアメタル膜28が形成されている。パッシベーション膜25は、たとえば酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜で構成され、最上層メタル配線27は、たとえばAl合金膜で構成されている。また、バリアメタル膜28は、たとえばAl合金膜に対する密着力が高いTi膜と、バンプ電極BMP1に対する密着力が高いPd(パラジウム)膜との積層膜で構成されている。図示は省略するが、回路のGND端子を構成するバンプ電極BMP2と最上層メタル配線27との接続部も、上記と同様の構成になっている。一方、図19に示すように、ダミーのバンプを構成するバンプ電極BMP3(およびBMP4)は、上記最上層メタル配線27と同一配線層に形成されたメタル層29に接続されているが、このメタル層29は、前記回路に接続されていない。
Next, as shown in FIGS. 14 to 16, the chip CHP is mounted on the
アンテナ3にチップCHPを接続するには、図20(図17の要部拡大図)に示すように、100℃程度に加熱したボンディングステージ21上にアンテナ3を設置し、超音波ボンディングツール22の先端にチップCHPを搭載する。次いで、チップCHPとアンテナ3とを位置決めした後、チップCHPをアンテナ3の上面に押し当て、バンプ電極(BMP1〜BMP4)とアンテナ3とを接触させる。この時、超音波ボンディングツール22に所定の荷重および超音波を0.3秒程度印加することにより、アンテナ3とバンプ電極(BMP1〜BMP4)とが界面で金属間結合し、バンプ電極(BMP1〜BMP4)とアンテナ3とが接着する。
In order to connect the chip CHP to the
ここで、図21は、チップCHP(図13参照)に形成された回路のブロック図である。前述したように、チップCHPの主面には、整流・送信、クロック抽出、セレクタ、カウンタ、ROMなどからなる回路が形成されている。本実施の形態1のインレットは、絶縁フィルム1の一面に形成したアンテナ3の一部に、その一端がアンテナ3の外縁に達するスリット5を設け、このスリット5によって2分割されたアンテナ3の一方にチップCHPの入力端子(バンプ電極BMP1)を接続し、他方にチップCHPのGND端子(バンプ電極BMP2)を接続する。この構成により、アンテナ3の実効的な長さを長くすることができるので、必要なアンテナ長を確保しつつ、インレットの小型化を図ることができる。
Here, FIG. 21 is a block diagram of a circuit formed in the chip CHP (see FIG. 13). As described above, a circuit including rectification / transmission, clock extraction, a selector, a counter, a ROM, and the like is formed on the main surface of the chip CHP. In the inlet according to the first embodiment, a part of the
次に、ボンディングステージ21の上に新たなチップCHPを搭載し、続いて絶縁フィルム1をアンテナ3の1ピッチ分だけ移動させた後、上記と同様の操作を行うことによって、このチップCHPをアンテナ3に接続する。以後、上記と同様の操作を繰り返すことによって、絶縁フィルム1に形成された全てのアンテナ3にチップCHPを接続する。チップCHPとアンテナ3の接続作業が完了した絶縁フィルム1は、リール2に巻き取られた状態で次の樹脂封止工程に搬送される。
Next, a new chip CHP is mounted on the
次に、図22〜図24に示すように、チップCHPの下面と絶縁フィルム1(およびアンテナ3)との隙間にディスペンサ30などを使ってアンダーフィル樹脂31を充填した後、このアンダーフィル樹脂31を加熱炉内で硬化させる。アンダーフィル樹脂31を加熱炉内で硬化させる際は、まずアンダーフィル樹脂31を半硬化させて絶縁フィルム1をリール2に巻き取り、次に、このリール2を加熱炉内に搬入してアンダーフィル樹脂31を完全硬化する。また、アンダーフィル樹脂31を半硬化させた後、絶縁フィルム1をリール2に巻き取る工程に先立ち、アンテナ3とチップCHPとの接続の良否を判定する検査を行ってもよい。絶縁フィルム1に形成された多数のアンテナ3は、互いに電気的に分離された状態になっているので、個々のアンテナ3とチップCHPの導通試験は、容易に実施することができる。その後、図25に示すように、絶縁フィルム1の一面(アンテナ3が形成された面)にカバーフィルム32をラミネートすることにより、本実施の形態1のインレット33の製造工程が完了する。
Next, as shown in FIGS. 22 to 24, the
上記のようにして製造されたインレット33は、図26に示すように、リール2に巻き取られた状態で梱包され、顧客先に出荷される。
As shown in FIG. 26, the
上記インレット33を購入した顧客は、絶縁フィルム1を切断領域で切断することによって、図27に示すような個片化されたインレット33を得た後、このインレット33と他の部材とを組み合わせて電子タグを作製する。たとえば図28は、インレット33の裏面に両面接着テープなどを貼り付けて電子タグを作製し、これを伝票34などの物品の表面に貼り付けた例を示している。
A customer who has purchased the
(実施の形態2)
次に、本実施の形態2のインレットの製造工程について図29および図30を用いて説明する。
(Embodiment 2)
Next, the manufacturing process of the inlet of this
本実施の形態2のインレットの製造工程は、スリットパターン5B(図7〜図12参照)を形成する工程以外は前記実施の形態1とほぼ同様である。
The inlet manufacturing process of the second embodiment is substantially the same as that of the first embodiment except for the process of forming the
本実施の形態2においては、前記実施の形態1と同様の工程でスリットパターン5Aまで形成した後、レーザー照射器LIによるレーザー光LBの照射によってスリットパターン5Bが形成される領域のAl箔3Aを除去し、スリットパターン5Bを形成する。前記実施の形態1と同様に、本実施の形態2においてもスリットパターン5Bは、接着剤SCZおよび絶縁フィルム1まで達する深さで形成してもよいが、絶縁フィルム1を貫かないようにする。
In the second embodiment, after forming up to the
上記の本実施の形態2のように、レーザー光LBの照射によってスリットパターン5Bを形成する場合には、前記実施の形態1で説明したようなダイシングブレードDBを用いてAl箔3Aを切削することによってスリットパターン5Bを形成する場合に比べて、スリットパターン5Bの幅W1を小さくすることができ、その幅W1を10μm程度まで小さくすることができる。すなわち、アンテナ3上に実装するチップCHP(図14〜図16参照)の小型化が進んだ場合でも、チップCHPがスリットパターン5Bを跨ぐように実装することが可能となる。
When the
また、レーザー光LBの照射によってスリットパターン5Bを形成する場合には、レーザー照射器LIによってレーザー光LBを照射する工程をインラインに組み込み、インレットの製造工程を一貫化することが用意となる。そのため、前記実施の形態1に比べて短いTATでインレットを製造することが可能となる。また、スリットパターン5Aについてもレーザー光LBの照射によって形成してもよく、その場合にはスリットパターン5A、5Bを一括して形成することが可能となるので、さらに短いTATでインレットを製造することが可能となる。
Further, when the
このような本実施の形態2によっても、前記実施の形態1と同様の効果を得ることができる。 According to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
(実施の形態3)
次に、本実施の形態3のインレットの製造工程について図31〜図44を用いて説明する。
(Embodiment 3)
Next, the manufacturing process of the inlet of this
図31は本実施の形態3のインレットの製造に用いるAl箔(第1フィルム)3Aを示す平面図であり、図32は図31の一部を拡大して示す平面図である。また、図33は、図32中のC−C線における断面を図示したものである。 FIG. 31 is a plan view showing an Al foil (first film) 3A used for manufacturing the inlet of the third embodiment, and FIG. 32 is a plan view showing a part of FIG. 31 in an enlarged manner. FIG. 33 shows a cross section taken along the line CC in FIG.
図31に示すように、本実施の形態3では、前記実施の形態1で用いた絶縁フィルムを省略している。すなわち、厚さ20μm程度のAl箔3Aのみがリール2に巻き取られた状態で本実施の形態3のインレットの製造工程に搬入される。図32に示すように、Al箔32には、後の工程で切断して個々のアンテナへ分割するための切断領域3Cが設けられている。本実施の形態3において、この切断領域3Cの幅W3は、0.7mm程度とすることを例示できる。
As shown in FIG. 31, in
このようなAl箔3Aを用いてアンテナを形成するには、まず、図34〜図36に示すように、前記実施の形態1で示したスリットパターン5Aと同様のスリットパターン5Aを形成する。なお、図34は、スリットパターン5A形成時のAl箔3Aを示す平面図であり、図35は図34の一部を拡大して示す平面図である。また、図36は、図35中のD−D線における断面を図示したものである。本実施の形態3においても、スリットパターン5Aは、グラビア印刷法によって形成されたレジスト膜のパターンをマスクとしたケミカルエッチングによって形成することができる。また、本実施の形態3においては、そのようなケミカルエッチングの代わりに、パンチでAl箔3Aを打ち抜くことによってスリットパターン5Aを形成してもよい。
In order to form an antenna using such an
次に、図37〜図39に示すように、Al箔3Aの主面にチップCHPを実装する。なお、図39は、図38中のB−B線に沿った断面を示したものである。チップCHPは、前記実施の形態1において図14〜図20を用いて説明した工程と同様に工程によってAl箔3Aの主面に実装することができる。この時、チップCHPが実装される位置は、各アンテナ形成領域において、2つのスリットパターン5Aの間とし、チップCHPがスリットパターン5Aを跨がないようにする。
Next, as shown in FIGS. 37 to 39, a chip CHP is mounted on the main surface of the
次に、図40に示すように、チップCHPの下面とAl箔3Aの主面との隙間にディスペンサ30などを使ってアンダーフィル樹脂31を充填した後、このアンダーフィル樹脂31を加熱炉内で硬化させる。
Next, as shown in FIG. 40, the
次に、図41に示すように、バンプ電極BMP1とバンプ電極BMP2との間(バンプ電極BMP3とバンプ電極BMP4との間)のAl箔3Aの裏面をダイシングブレードDBで切削する。この時、カメラCMRによってチップCHPの実装位置を確認することでAl箔3Aの位置決めをすることによって、Al箔3Aの裏面からでもダイシングブレードDBによって正確な切削位置で切削することができる。これにより、図42に示すように、前記実施の形態1におけるスリットパターン5B(図10〜図12参照)と同様のスリットパターン5Bを形成することができる。本実施の形態3において、チップCHPの実装前にこのスリットパターン5Bを形成すると、Al箔3Aの機械的強度が低下してしまい、チップCHPの実装時にAl箔3Aが変形してしまったり、バンプ電極BMP1〜BMP4とAl箔3Aとの接続強度が低下してしまったりする不具合の発生が懸念される。そのため、前述のように、スリットパターン5Bは、チップCHPの実装後に形成することが好ましい。
Next, as shown in FIG. 41, the back surface of the
次に、Al箔3Aの主面(チップCHPが実装された面)にカバーフィルムをラミネートした後、図43に示すように、Al箔3Aはリール2に巻き取られた状態で梱包され、顧客先に出荷される。顧客は、Al箔3Aを切断領域3Cで切断することによって、図44に示すような個片化されたインレット33を得ることができる。また、Al箔3Aを切断することによってアンテナ3が完成する。
Next, after laminating a cover film on the main surface of
上記のような本実施の形態3によれば、前記実施の形態1で用いたような絶縁テープ1(図3参照)および接着剤SCZ(図3参照)を省略することができる。それにより、本実施の形態3のインレットの製造コストを低減することが可能となる。 According to the third embodiment as described above, the insulating tape 1 (see FIG. 3) and the adhesive SCZ (see FIG. 3) used in the first embodiment can be omitted. Thereby, the manufacturing cost of the inlet of the third embodiment can be reduced.
このような本実施の形態3によっても、前記実施の形態1と同様の効果を得ることができる。 According to the third embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
(実施の形態4)
次に、本実施の形態4のインレットの製造工程について図45を用いて説明する。
(Embodiment 4)
Next, the manufacturing process of the inlet of this
本実施の形態4のインレットの製造工程は、スリットパターン5B(図41および図42参照)を形成する工程以外は前記実施の形態3とほぼ同様である。
The manufacturing process of the inlet of the fourth embodiment is substantially the same as that of the third embodiment except for the process of forming the
本実施の形態4においては、レーザー照射器LIによるレーザー光LBの照射によってスリットパターン5Bが形成される領域のAl箔3Aを裏面から除去し、スリットパターン5Bを形成する。
In the fourth embodiment, the
上記の本実施の形態2のように、レーザー光LBの照射によってスリットパターン5Bを形成する場合には、前記実施の形態3で説明したようなダイシングブレードDBを用いてAl箔3Aを切削することによってスリットパターン5Bを形成する場合に比べて、スリットパターン5Bの幅を小さくすることができ、その幅を10μm程度まで小さくすることができる。すなわち、アンテナ3上に実装するチップCHPの小型化が進んだ場合でも、チップCHPがスリットパターン5Bを跨ぐように実装することが可能となる。
When the
また、レーザー光LBの照射によってスリットパターン5Bを形成する場合には、レーザー照射器LIによってレーザー光LBを照射する工程をインラインに組み込み、インレットの製造工程を一貫化することが用意となる。そのため、前記実施の形態3に比べて短いTATでインレットを製造することが可能となる。また、スリットパターン5Aについてもレーザー光LBの照射によって形成してもよく、その場合にはスリットパターン5A、5Bを一括して形成することが可能となるので、さらに短いTATでインレットを製造することが可能となる。
Further, when the
このような本実施の形態4によっても、前記実施の形態3と同様の効果を得ることができる。 According to the fourth embodiment, the same effect as that of the third embodiment can be obtained.
(実施の形態5)
次に、本実施の形態5のインレットの製造工程について図46〜図51を用いて説明する。
(Embodiment 5)
Next, an inlet manufacturing process according to the fifth embodiment will be described with reference to FIGS.
本実施の形態5においても、前記実施の形態3と同様のAl箔3Aを用いてアンテナを形成する。まず、図46および図47に示すように、Al箔3Aの表面(主面および裏面)に膜厚1μm〜2μm程度のレジスト材料からなり、Al箔3Aの裏面において溝41を有する樹脂皮膜(第1皮膜)42を成膜する。なお、図47は、図46中のE−E線に沿った断面を示したものである。溝41の中途部上には、後の工程でチップCHPが実装される領域Fが設けられている。溝41の幅は、この領域Fと重複する部分において最も狭くなっている。この溝41下のAl箔3Aに後の工程でスリットが形成され、そのスリットを跨ぐようにチップが実装されることから、溝41の幅を領域Fと重複する部分において最も狭くすることにより、領域Fの拡大を防ぐことが可能となり、領域Fに実装されるチップCHPの大型化を防ぐことが可能となる。
Also in the fifth embodiment, an antenna is formed using the
上記樹脂皮膜42は、たとえば前記実施の形態1において図6を用いて説明したグラビア印刷機を用いて形成することができる。また、本実施の形態5では、グラビア版11の表面の凹凸部を図48および図49に示すような設計ルールで形成する。なお、図48および図49は、グラビア版11の表面の要部を示す説明図であり、1つの溝41に対応する凸部43を示したものである。
The
図48および図49に示すように、凸部43の表面は、溝41の平面形状を鏡映した形状となっている。また、凸部43は、領域43A(図48および図49中で着色を施して図示)、43B(図48および図49中で斜線のハッチングを施して図示)、43C(図48および図49中で着色を施して図示)、43D(図48および図49中で斜線のハッチングを施して図示)から形成されており、それぞれの領域は重複する部分を含んでいる。領域43Cのうち、領域43B、43Dと重複していない部分の形状は、前述した溝41のうちの領域Fと重複する部分の平面形状と対応しており、凸部43の幅(領域43Cの幅WC)は、この部分で最小となっている。このような凸部43は、周囲を凹部44で取り囲まれており、凸部43の一端を含んでいる領域43C、43Dは、グラビア版11の回転方向Cとは反対向き(グラビア版11から見たドクター15(図6参照)の相対的な進行方向)に延在し、その端部が後の工程で形成されるアンテナ3の外縁に対応する位置Dを超えて延在している。また、領域43Aはグラビア版11の回転方向Cと交差する方向に延在し、領域43Bは複数箇所(図48および図49中では3箇所)の屈曲部を有している。
As shown in FIGS. 48 and 49, the surface of the
上記のように凸部43における最小の幅WCを有する領域43Cの延在方向をグラビア版11の回転方向Cとほぼ平行とすることにより、ドクター15がグラビア版11の表面の余分な樹脂液(硬化することによって上記樹脂皮膜42となる)を掻き落とす際に、凸部43における最も幅の狭い領域43Cにおいても表面に樹脂液が残ってしまうことを良好に防ぐことができる。すなわち、Al箔3Aの裏面においては、所望の寸法の溝5を有する樹脂皮膜42を加工精度よく形成することができる。
By making the extending direction of the
また、本実施の形態5においては、上記領域43Bにおける屈曲部の内周の曲率半径を外周の曲率半径より大きくする。すなわち、図48に示すように、R4を内周の曲率半径としR5を外周の曲率半径とする屈曲部においてはR4がR5より大きくなるようにし、R1を内周の曲率半径としR3を外周の曲率半径とする屈曲部においてはR1がR3より大きくなるようにし、R1を内周の曲率半径としR2を外周の曲率半径とする屈曲部においてはR1がR2より大きくなるようにするものである。それにより、ドクター15がグラビア版11の表面の余分な樹脂液を掻き落とす際に、ドクター15とグラビア版11の接触部における凸部43の形状の変化を緩やかにすることができ、R4では樹脂液の滲みを極力抑えることができ、かつR5との間隔が広いため、滲み出しによりR4とR5とで樹脂液が繋がってしまう現象を防ぐことができる。また、R3とR2とで樹脂液の滲み出しが発生しても、R1と間隔が広いため、樹脂液が繋がってしまう現象を防ぐことができる。すなわち、Al箔3Aの裏面においては、所望の寸法の溝5を有する樹脂皮膜42を加工精度よく形成することができる。
In the fifth embodiment, the radius of curvature of the inner periphery of the bent portion in the
また、本実施の形態においては、凸部43の一端が達する位置Dにて領域43Dの幅WDが領域43Cの幅WCよりも大きくなるように、領域43Dの外縁を位置Dに向かって順テーパー状となるように形成している。ここで、溝41において領域43Dに対応する領域は、チップCHPが実装される領域Fとは重複していない。そのため、領域43Dの幅を領域43Cの幅WCよりも大きくしておくことにより、上部にチップCHPが配置されない領域において溝41の幅を広く確保できるので、樹脂皮膜41がAl箔3Aの裏面に形成された際に溝5が途中で塞がってしまう可能性を低くすることができる。さらに、領域43Dの外縁を位置Dに向かって順テーパー状となるように形成することにより、領域43Dでは屈曲部を無くすことができるので、領域43Dの外縁において樹脂液の滲み出しを防ぐことができ、余分な樹脂液が凸部43の表面に残ってしまうことを防ぐことができる。
In the present embodiment, the outer edge of the
また、本実施の形態5においては、領域43Cの延在方向における中心線CLと、グラビア版11から見たドクター15の相対的な進行方向Eとが、ほぼ平行になる場合について説明したが、溝41の形状を良好とし、溝41が途切れてしまう問題を回避するためには、中心線CLと、ドクター15の進行方向Eとの間の角度のずれ(角θ)が最大でも15°以内となるようにするのが好ましい。また、レジストパターン形状の寸法誤差を考慮した場合には、前記角度のずれを7°以内とすることにより、溝41の途切れる問題をより確実に防ぐことができる。
In the fifth embodiment, the center line CL in the extending direction of the
次に、図50に示すように、Al箔3Aの主面にチップCHPを実装する。チップCHPは、前記実施の形態1において図14〜図20を用いて説明した工程と同様に工程によってAl箔3Aの主面に実装することができる。この時、バンプ電極BMP1〜BMP4とAl箔3Aとの間には樹脂皮膜42が介在するが、前述したようにこの樹脂皮膜42は膜厚1μm〜2μm程度であることから、チップCHPの実装時に加えられるの常温下での超音波振動で破くことができる。そのため、チップCHPの実装後においては、バンプ電極BMP1〜BMP4とAl箔3Aとを電気的に接続することができる。また、樹脂皮膜42は、チップCHPの実装時の超音波振動で破くことができるので、電極BMP1〜BMP4下の樹脂皮膜42を除去する工程を省略することができる。それにより、本実施の形態5のインレットを短いTATで製造することが可能となる。また、電極BMP1〜BMP4下の樹脂皮膜42を除去する工程を省略することができることから、本実施の形態5のインレットの製造コストを低減することができる。
Next, as shown in FIG. 50, a chip CHP is mounted on the main surface of the
続いて、チップCHPの下面とAl箔3Aの主面との隙間にディスペンサ30(図24参照)などを使ってアンダーフィル樹脂31を充填した後、このアンダーフィル樹脂31を加熱炉内で硬化させる。
Subsequently, after filling the gap between the lower surface of the chip CHP and the main surface of the
次に、図51に示すように、樹脂皮膜42をマスクとしてAl箔3Aをケミカルエッチングすることにより、溝41とほぼ同じ平面形状を有するスリット5Cを形成し、アンテナ3が完成する。この時、Al箔3Aの主面側の樹脂皮膜42がエッチングストッパとなるので、エッチング液によってチップCHPが汚染されてしまうことを防ぐことができる。
Next, as shown in FIG. 51, by chemically etching the
次に、Al箔3Aの主面(チップCHPが実装された面)にカバーフィルムをラミネートした後、前記実施の形態3において図43および図44を用いて説明した工程を経て本実施の形態5のインレットを製造する。
Next, after laminating a cover film on the main surface (surface on which the chip CHP is mounted) of the
上記の本実施の形態5によれば、樹脂皮膜42を除去する必要がないので、樹脂皮膜42を除去する際に用いる剥離液によってアンテナ3を形成するAl箔3Aが浸食されてしまう不具合を防ぐことができる。それにより、スリット5Cの幅が広がってしまうことを防ぐことが可能となる。
According to the above-described fifth embodiment, since it is not necessary to remove the
(実施の形態6)
次に、本実施の形態6のインレットの製造工程について図52〜図55を用いて説明する。
(Embodiment 6)
Next, the manufacturing process of the inlet according to the sixth embodiment will be described with reference to FIGS.
図52に示すように、本実施の形態6においては、前記実施の形態1と同様に絶縁フィルム1を用い、まず、その絶縁フィルム1の一面(主面)にAl箔3Aを接着剤SCZによって接着する。続いて、Al箔3A上に溝41を有する樹脂皮膜42を成膜する。この樹脂皮膜42は、前記実施の形態5において示した樹脂皮膜42と同様のものであり、溝41についても前記実施の形態5において示した溝41と同様の平面形状を有するものである。本実施の形態6においても、樹脂皮膜42は、たとえば前記実施の形態1において図6を用いて説明したグラビア印刷機を用いて形成することができ、グラビア版11の表面の凹凸部、グラビア版11の回転方向C,およびグラビア版11から見たドクター15の相対的な進行方向についても前記実施の形態5で図48および図49に示したな設計ルールで形成されたものである。
As shown in FIG. 52, in the sixth embodiment, the insulating
次に、図53に示すように、樹脂皮膜42をマスクとしてAl箔3Aをケミカルエッチングすることにより、溝41とほぼ同じ平面形状を有するスリット5Cを形成し、アンテナ3が完成する。
Next, as shown in FIG. 53, the
次に、図54に示すように、Al箔3Aの主面にチップCHPを実装する。チップCHPは、前記実施の形態1において図14〜図20を用いて説明した工程と同様に工程によってAl箔3Aの主面に実装することができる。この時、前記実施の形態5と同様にバンプ電極BMP1〜BMP4とAl箔3Aとの間には樹脂皮膜42が介在するが、前述したようにこの樹脂皮膜42は膜厚1μm〜2μm程度であることから、チップCHPの実装時に加えられるの常温下での超音波振動で破くことができる。すなわち、チップの実装時に、バンプ電極BMP1〜BMP4に超音波振動および圧力が加えられることによって、バンプ電極BMP1〜BMP4が樹脂皮膜42を貫く。そのため、チップCHPの実装後においては、バンプ電極BMP1〜BMP4とAl箔3Aとを電気的に接続することができる。
Next, as shown in FIG. 54, a chip CHP is mounted on the main surface of the
続いて、チップCHPの下面とAl箔3Aの主面との隙間にディスペンサ30(図24参照)などを使ってアンダーフィル樹脂31を充填した後、このアンダーフィル樹脂31を加熱炉内で硬化させる。この時の熱により、アンテナ3を形成するAl原子とバンプ電極BMP1〜BMP4を形成するAu原子とが相互に拡散するので、アンテナ3とバンプ電極BMP1〜BMP4との接合をより強固にすることができる。
Subsequently, after filling the gap between the lower surface of the chip CHP and the main surface of the
次に、Al箔3Aの主面(チップCHPが実装された面)にカバーフィルムをラミネートした後、前記実施の形態3において図43および図44を用いて説明した工程を経て本実施の形態6のインレットを製造する。
Next, after laminating a cover film on the main surface (surface on which the chip CHP is mounted) of the
上記のような本実施の形態6によっても、前記実施の形態5と同様の効果を得ることができる。 According to the sixth embodiment as described above, the same effects as those of the fifth embodiment can be obtained.
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
前記実施の形態では、絶縁フィルムの材質としてPETまたはPENを選択し、アンテナの材質としてAlを選択した場合について説明したが、たとえば絶縁フィルムの材質としてポリイミド樹脂を選択し、アンテナの材質としてCu(銅)を選択するように、他の材質を選択してもよい。 In the above embodiment, the case where PET or PEN is selected as the material of the insulating film and Al is selected as the material of the antenna has been described. For example, polyimide resin is selected as the material of the insulating film, and Cu ( Other materials may be selected such as (copper).
本発明の電子タグ用インレットの製造方法は、たとえば電子タグ用インレットにおけるアンテナの製造工程に適用することができる。 The electronic tag inlet manufacturing method of the present invention can be applied, for example, to an antenna manufacturing process in an electronic tag inlet.
1 絶縁フィルム
2 リール
3 アンテナ
3A Al箔(第1フィルム)
3C 切断領域
4 スプロケットホール
5A スリットパターン(第1パターン)
5B スリットパターン(第2パターン)
5C スリット
11 グラビア版
12 押さえロール
13 レジスト樹脂液
14 レジスト樹脂液槽
15 ドクター(ドクターブレード)
21 ボンディングステージ
22 超音波ボンディングツール
23 ボンダ
25 パッシベーション膜
26 ポリイミド樹脂膜
27 最上層メタル配線
28 バリアメタル膜
29 メタル層
30 ディスペンサ
31 アンダーフィル樹脂
32 カバーフィルム
33 インレット
34 伝票
41 溝
42 樹脂皮膜(第1皮膜)
43 凸部
43A、43B、43C、43D 領域
44 凹部
CHP チップ
CMR カメラ
DB ダイシングブレード
F 領域
LB レーザー光
LI レーザー照射器
SCZ 接着剤
DESCRIPTION OF
5B Slit pattern (second pattern)
5C slit 11
21
43
Claims (24)
(a)前記絶縁フィルムおよび前記半導体チップを用意する工程、
(b)前記絶縁フィルムの前記主面に前記導体膜を形成する工程、
(c)前記導体膜に前記第1パターンを形成する工程、
(d)ダイシングブレードもしくはレーザーを用いて前記導体膜を加工することにより、前記第2パターンを形成する工程、
(e)前記(d)工程後、前記複数のバンプ電極を、前記導体膜の主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
(f)前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
(g)前記(a)〜(f)工程後、前記導体膜および前記絶縁フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 An antenna composed of a conductor film formed on the main surface of the insulating film, and a first pattern formed on a part of the antenna, one end extending to the outer edge of the antenna, and having a width narrower than that of the first pattern and the first pattern. An electronic tag inlet manufacturing method comprising: a slit formed from two patterns; a semiconductor chip electrically connected to the antenna via a plurality of bump electrodes; and a resin for sealing the semiconductor chip. And
(A) preparing the insulating film and the semiconductor chip;
(B) forming the conductor film on the main surface of the insulating film;
(C) forming the first pattern on the conductor film;
(D) forming the second pattern by processing the conductor film using a dicing blade or a laser;
(E) After the step (d), the plurality of bump electrodes are connected to corresponding positions of the respective bump electrodes on the main surface of the conductor film, and the semiconductor chip and the conductor film are electrically connected. Process,
(F) sealing the semiconductor chip with the resin;
(G) After the steps (a) to (f), the step of cutting the conductor film and the insulating film at a cutting region to form the antenna;
The manufacturing method of the inlet for electronic tags characterized by including this.
前記スリットの幅は、前記第2パターンが形成された位置において前記半導体チップが跨ぐことができる長さで形成されることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 1,
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein the slit has a width that allows the semiconductor chip to straddle at a position where the second pattern is formed.
前記第2パターンの幅は、150μm以下であることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 2,
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein the width of the second pattern is 150 μm or less.
前記第1パターンは、
(c1)前記第1パターンに対応する凸パターンとそれ以外の凹パターンが形成されたグラビア版を用いたグラビア印刷法により、前記導体膜の前記主面上に前記凹パターンに対応した形状のマスキングパターンを形成し、前記マスキングパターンをマスクとして前記導体膜をエッチングする工程、
によって形成することを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 1,
The first pattern is:
(C1) Masking a shape corresponding to the concave pattern on the main surface of the conductor film by a gravure printing method using a gravure plate in which a convex pattern corresponding to the first pattern and a concave pattern other than that are formed Forming a pattern and etching the conductive film using the masking pattern as a mask,
The manufacturing method of the inlet for electronic tags characterized by forming by these.
前記(d)工程は、前記(c)工程に含まれ、
前記第1パターンおよび前記第2パターンは、前記レーザーによる加工によって一括して形成することを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 1,
The step (d) is included in the step (c).
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein the first pattern and the second pattern are collectively formed by processing with the laser.
前記絶縁フィルムは、ポリエチレンナフタレートまたはポリエチレンテレフタレートを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 1,
The method for producing an inlet for an electronic tag, wherein the insulating film contains polyethylene naphthalate or polyethylene terephthalate as a main component.
前記導体膜は、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 1,
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein the conductor film contains aluminum as a main component.
(a)前記導体膜からなる第1フィルムを用意する工程、
(b)前記第1フィルムに前記第1パターンを形成する工程、
(c)前記複数のバンプ電極を、前記第1フィルムの主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
(d)前記(c)工程後、前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
(e)前記(d)工程後、ダイシングブレードもしくはレーザーを用いて前記第1フィルムを裏面から加工することにより、前記第2パターンを形成する工程、
(f)前記(a)〜(e)工程後、前記第1フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 An antenna formed of a conductor film; a slit formed in a part of the antenna, one end extending to an outer edge of the antenna, and a first pattern and a second pattern having a narrower width than the first pattern; A method for producing an inlet for an electronic tag comprising a semiconductor chip electrically connected to the antenna via a plurality of bump electrodes, and a resin for sealing the semiconductor chip,
(A) preparing a first film comprising the conductor film;
(B) forming the first pattern on the first film;
(C) connecting the plurality of bump electrodes to corresponding positions of the respective bump electrodes on the main surface of the first film, and electrically connecting the semiconductor chip and the conductor film;
(D) After the step (c), the step of sealing the semiconductor chip with the resin,
(E) After the step (d), a step of forming the second pattern by processing the first film from the back surface using a dicing blade or a laser;
(F) After the steps (a) to (e), the step of cutting the first film at a cutting region to form the antenna;
The manufacturing method of the inlet for electronic tags characterized by including this.
前記スリットの幅は、前記第2パターンが形成された位置において前記半導体チップが跨ぐことができる長さで形成されることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 8,
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein the slit has a width that allows the semiconductor chip to straddle at a position where the second pattern is formed.
前記第2パターンの幅は、150μm以下であることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 9,
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein the width of the second pattern is 150 μm or less.
前記第1パターンは、
(c1)前記第1パターンに対応する凸パターンとそれ以外の凹パターンが形成されたグラビア版を用いたグラビア印刷法により、前記第1フィルムの前記主面上に前記凹パターンに対応した形状のマスキングパターンを形成し、前記マスキングパターンをマスクとして前記第1フィルムをエッチングする工程、
もしくは、
(c2)前記第1フィルムの前記第1パターンに対応する位置をパンチによって打ち抜く工程、
のいずれか一方によって形成することを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 8,
The first pattern is:
(C1) By a gravure printing method using a gravure plate in which a convex pattern corresponding to the first pattern and a concave pattern other than that are formed, the shape corresponding to the concave pattern on the main surface of the first film Forming a masking pattern and etching the first film using the masking pattern as a mask;
Or
(C2) a step of punching a position corresponding to the first pattern of the first film with a punch;
The manufacturing method of the inlet for electronic tags characterized by forming by any one of these.
前記(b)工程は、前記(e)工程に含まれ、
前記第1パターンおよび前記第2パターンは、前記レーザーによる加工によって一括して形成することを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 8,
The step (b) is included in the step (e).
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein the first pattern and the second pattern are collectively formed by processing with the laser.
前記第1フィルムは、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 8,
The method for producing an inlet for an electronic tag, wherein the first film contains aluminum as a main component.
(a)前記導体膜からなる第1フィルムを用意する工程、
(b)前記第1フィルムの主面に前記導体膜と異なるエッチング選択比を有する第1皮膜を形成し、前記第1フィルムの裏面に前記スリットに対応する形状の開口部を有する前記第1皮膜を形成する工程、
(c)前記複数のバンプ電極を、前記第1フィルムの主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
(d)前記(c)工程後、前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
(e)前記(d)工程後、前記第1フィルムの裏面の前記第1皮膜をマスクとし、前記第1フィルムの主面の前記第1皮膜をエッチングストッパとして前記第1フィルムをエッチングし、前記スリットを形成する工程、
(f)前記(a)〜(e)工程後、前記第1フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 An antenna formed of a conductive film; a slit formed on a part of the antenna; one end extending to an outer edge of the antenna; a semiconductor chip electrically connected to the antenna via a plurality of bump electrodes; A method for manufacturing an inlet for an electronic tag comprising a resin for sealing a semiconductor chip,
(A) preparing a first film comprising the conductor film;
(B) The first film having a first film having an etching selectivity different from that of the conductor film on the main surface of the first film, and having an opening having a shape corresponding to the slit on the back surface of the first film. Forming a process,
(C) connecting the plurality of bump electrodes to corresponding positions of the respective bump electrodes on the main surface of the first film, and electrically connecting the semiconductor chip and the conductor film;
(D) After the step (c), the step of sealing the semiconductor chip with the resin,
(E) After the step (d), the first film on the back surface of the first film is used as a mask, the first film on the main surface of the first film is used as an etching stopper, and the first film is etched. Forming a slit;
(F) After the steps (a) to (e), the step of cutting the first film at a cutting region to form the antenna;
The manufacturing method of the inlet for electronic tags characterized by including this.
前記スリットの幅は、前記半導体チップ下において前記半導体チップが跨ぐことができる長さで形成されることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 14,
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein the slit has a width that allows the semiconductor chip to straddle under the semiconductor chip.
前記スリットの幅は、前記半導体チップ下において150μm以下であることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 15,
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein a width of the slit is 150 μm or less under the semiconductor chip.
前記(b)工程は、
(b1)前記スリットに対応する凸パターンとそれ以外の凹パターンが形成されたグラビア版を用いたグラビア印刷法により、前記第1フィルムの前記裏面上に前記凹パターンに対応した形状の前記第1皮膜を形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 14,
The step (b)
(B1) The first of the shape corresponding to the concave pattern on the back surface of the first film by a gravure printing method using a gravure plate having a convex pattern corresponding to the slit and a concave pattern other than that. Forming a film;
The manufacturing method of the inlet for electronic tags characterized by including this.
前記第1フィルムは、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 14,
The method for producing an inlet for an electronic tag, wherein the first film contains aluminum as a main component.
(a)前記絶縁フィルムおよび前記半導体チップを用意する工程、
(b)前記絶縁フィルムの前記主面に前記導体膜を形成する工程、
(c)前記導体膜の主面に、前記スリットに対応する形状の開口部を有し前記導体膜と異なるエッチング選択比を有する第1皮膜を形成する工程、
(d)前記第1皮膜をマスクとして前記導体膜をエッチングし、前記スリットを形成する工程、
(e)前記(d)工程後、前記複数のバンプ電極を、前記導体膜の主面におけるそれぞれのバンプ電極の対応する位置に接続し、前記半導体チップと前記導体膜とを電気的に接続する工程、
(f)前記半導体チップを前記樹脂によって封止する工程、
(g)前記(a)〜(f)工程後、前記導体膜および前記絶縁フィルムを切断領域にて切断し、前記アンテナを形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 An antenna made of a conductive film formed on the main surface of the insulating film, a slit formed on a part of the antenna, one end extending to the outer edge of the antenna, and a plurality of bump electrodes are electrically connected to the antenna. A manufacturing method of an inlet for an electronic tag, comprising: a semiconductor chip connected to the semiconductor chip; and a resin that seals the semiconductor chip,
(A) preparing the insulating film and the semiconductor chip;
(B) forming the conductor film on the main surface of the insulating film;
(C) forming a first film having an opening having a shape corresponding to the slit on the main surface of the conductor film and having an etching selectivity different from that of the conductor film;
(D) etching the conductor film using the first film as a mask to form the slit;
(E) After the step (d), the plurality of bump electrodes are connected to corresponding positions of the respective bump electrodes on the main surface of the conductor film, and the semiconductor chip and the conductor film are electrically connected. Process,
(F) sealing the semiconductor chip with the resin;
(G) After the steps (a) to (f), the step of cutting the conductor film and the insulating film at a cutting region to form the antenna;
The manufacturing method of the inlet for electronic tags characterized by including this.
前記スリットの幅は、前記半導体チップ下において前記半導体チップが跨ぐことができる長さで形成されることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 19,
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein the slit has a width that allows the semiconductor chip to straddle under the semiconductor chip.
前記スリットの幅は、前記半導体チップ下において150μm以下であることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 19,
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein a width of the slit is 150 μm or less under the semiconductor chip.
前記(c)工程は、
(c1)前記スリットに対応する凸パターンとそれ以外の凹パターンが形成されたグラビア版を用いたグラビア印刷法により、前記導体膜の前記主面上に前記凹パターンに対応した形状の前記第1皮膜を形成する工程、
を含むことを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 19,
The step (c)
(C1) The first shape having a shape corresponding to the concave pattern on the main surface of the conductor film by a gravure printing method using a gravure plate in which a convex pattern corresponding to the slit and other concave patterns are formed. Forming a film;
The manufacturing method of the inlet for electronic tags characterized by including this.
前記絶縁フィルムは、ポリエチレンナフタレートまたはポリエチレンテレフタレートを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。 In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 19,
The method for producing an inlet for an electronic tag, wherein the insulating film contains polyethylene naphthalate or polyethylene terephthalate as a main component.
前記導体膜は、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする電子タグ用インレットの製造方法。
In the manufacturing method of the inlet for electronic tags of Claim 19,
The method of manufacturing an inlet for an electronic tag, wherein the conductor film contains aluminum as a main component.
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|---|---|---|---|
| JP2004117913A JP2005301738A (en) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | Method for manufacturing inlet for electronic tag |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1993170A4 (en) * | 2006-03-06 | 2011-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | RFID LABEL, RFID LABEL MANUFACTURING METHOD, AND RFID LABEL SETTING METHOD |
| JP2019120972A (en) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 大阪シーリング印刷株式会社 | Method for manufacturing antenna for rfid, and method for manufacturing rfid inlet |
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2004
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1993170A4 (en) * | 2006-03-06 | 2011-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | RFID LABEL, RFID LABEL MANUFACTURING METHOD, AND RFID LABEL SETTING METHOD |
| US8368512B2 (en) | 2006-03-06 | 2013-02-05 | Mitsubishi Electric Corporation | RFID tag, method of manufacturing the RFID tag, and method of mounting the RFID tag |
| JP2019120972A (en) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 大阪シーリング印刷株式会社 | Method for manufacturing antenna for rfid, and method for manufacturing rfid inlet |
| JP7191444B2 (en) | 2017-12-28 | 2022-12-19 | 大阪シーリング印刷株式会社 | RFID antenna manufacturing method and RFID inlet manufacturing method |
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