JP2005351691A - Semiconductor device measuring apparatus and measuring method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の測定装置および測定方法に関し、特に電圧、電流、容量、インダクタ等の高速測定を実現する手法に関する。 The present invention relates to a measurement apparatus and measurement method for a semiconductor device, and more particularly to a technique for realizing high-speed measurement of voltage, current, capacitance, inductor, and the like.
近年、特に半導体集積回路装置の高集積化および高機能化に伴って、半導体素子の評価項目が多様化し、それに対応するため、例えば電流測定では、微小電流評価から大電流評価まで、測定レンジを自動的に変化させながら測定する技術が提案されている(例えば、非特許文献1)。 In recent years, in particular, with the higher integration and higher functionality of semiconductor integrated circuit devices, the evaluation items of semiconductor elements have diversified, and in response to this, for example, in current measurement, the measurement range has been extended from minute current evaluation to large current evaluation. A technique for measuring while automatically changing is proposed (for example, Non-Patent Document 1).
従来提案されている半導体装置の測定装置およびその測定方法、特に測定レンジの設定の一例について、図4、図5を参照しながら、説明する。 With reference to FIGS. 4 and 5, an example of a conventionally proposed semiconductor device measuring apparatus and method for measuring the same, particularly an example of setting a measurement range, will be described.
図4に示すように、従来の半導体装置の測定装置では、測定試料の測定条件を、入力インターフェース1を介して測定装置10内に入力し、入力した測定条件を基に電気特性測定部2によって電気特性の測定を行っている。この場合の測定レンジの設定は、自動設定の測定レンジとなっている。
As shown in FIG. 4, in a conventional semiconductor device measurement apparatus, measurement conditions of a measurement sample are input into the
図4のような構成では、測定レンジを自動設定する手法として、図5に示すように、ある測定点を測定する場合に最小レンジから矢印の軌跡を辿ることにより、最適なレンジを見つけて測定を行う。これにより、正しい測定を行うことができるとともに、評価素子が多様化していろいろな測定レンジの使用が必要となっても1つのレンジ設定で任意の測定値が評価可能となる。
しかしながら、近年、半導体集積回路装置の微細化に伴ってチップ内、ウェハ内の測定データのばらつきが非常に顕著になり、その結果、同一素子あるいは多様な素子を多数測定することが必要となってきている。 However, in recent years, with the miniaturization of semiconductor integrated circuit devices, variations in measurement data within a chip and within a wafer have become very significant, and as a result, it has become necessary to measure a large number of the same element or various elements. ing.
その場合、前述のような自動レンジ設定手法では評価素子ごとに毎回最低レンジから最適な測定点までレンジをスイープすることになり、多数の測定を行った場合に膨大な測定時間が必要となってしまう。 In such a case, the automatic range setting method as described above sweeps the range from the lowest range to the optimum measurement point for each evaluation element every time, and enormous measurement time is required when many measurements are performed. End up.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、様々な素子をそれぞれ最適な測定レンジを用いて、多数測定を行った場合でも短時間で測定を行うことを可能とすることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to enable measurement in a short time even when various elements are measured using an optimum measurement range. To do.
本発明の半導体装置の測定装置は、測定試料の測定条件および測定予測値を入力する入力インターフェース部と、測定条件および測定予測値をもとに、各測定試料に対して最適な測定レンジを計算する最適レンジ計算部と、測定条件および測定レンジをもとに、各測定試料の電気特性を測定する電気特性測定部を備えたものである。 The measurement apparatus of the semiconductor device of the present invention calculates an optimum measurement range for each measurement sample based on the input interface unit for inputting measurement conditions and measurement prediction values of the measurement sample and the measurement conditions and measurement prediction values. And an electrical property measurement unit for measuring electrical properties of each measurement sample based on the measurement conditions and the measurement range.
上記構成において、入力された測定条件を記憶する測定条件記憶部と、入力された測定予測値を記憶する測定予測値記憶部とをさらに備えている。 The above configuration further includes a measurement condition storage unit that stores the input measurement condition, and a measurement prediction value storage unit that stores the input measurement prediction value.
上記構成において、最適レンジ計算部で計算された測定レンジを記憶する最適レンジ記憶部をさらに備えている。 The above configuration further includes an optimum range storage unit that stores the measurement range calculated by the optimum range calculation unit.
本発明の別の半導体装置の測定装置は、測定試料の測定条件を入力する入力インターフェース部と、測定条件を用いてサンプル試料の電気特性を測定する副電気特性測定部と、サンプル試料の測定値からサンプル試料に対応する各測定試料の最適な測定レンジを計算する最適レンジ計算部と、測定条件および測定レンジをもとに、各測定試料の電気特性を測定する主電気特性測定部を備えたものである。 Another measurement apparatus for a semiconductor device according to the present invention includes an input interface unit for inputting measurement conditions of a measurement sample, a sub-electric characteristic measurement unit for measuring electric characteristics of the sample sample using the measurement conditions, and a measurement value of the sample sample Equipped with an optimal range calculation unit that calculates the optimal measurement range of each measurement sample corresponding to the sample sample, and a main electrical property measurement unit that measures the electrical characteristics of each measurement sample based on the measurement conditions and measurement range Is.
上記構成において、入力された測定条件を記憶する測定条件記憶部と、サンプル試料の測定値を記憶するサンプル測定値記憶部とをさらに備えている。 The above configuration further includes a measurement condition storage unit that stores the input measurement conditions and a sample measurement value storage unit that stores measurement values of the sample specimen.
上記構成において、最適レンジ計算部で計算された、各測定試料の最適測定レンジを記憶する最適レンジ記憶部をさらに備えている。 The said structure WHEREIN: The optimal range memory | storage part which memorize | stores the optimal measurement range of each measurement sample calculated by the optimal range calculation part is further provided.
本発明の半導体装置の測定方法は、測定試料の測定条件および測定予測値を入力する工程と、測定条件および測定予測値をもとに、各測定試料に対して最適な測定レンジを計算する工程と、測定条件および最適測定レンジをもとに、各測定試料の電気特性を測定する工程とを含むものである。 The method for measuring a semiconductor device according to the present invention includes a step of inputting measurement conditions and measurement predicted values of a measurement sample, and a step of calculating an optimum measurement range for each measurement sample based on the measurement conditions and measurement predicted values. And a step of measuring the electrical characteristics of each measurement sample based on the measurement conditions and the optimum measurement range.
本発明の別の半導体装置の測定方法は、測定試料の測定条件を入力する工程と、測定条件を用いてサンプル試料の電気特性を測定する工程と、サンプル試料の測定値からサンプル試料に対応する各測定試料の最適な測定レンジを計算する工程と、測定条件および測定レンジをもとに、各測定試料の電気特性を測定する工程とを含むものである。 Another measurement method of a semiconductor device according to the present invention corresponds to a sample sample from a step of inputting measurement conditions of a measurement sample, a step of measuring electrical characteristics of the sample sample using the measurement conditions, and a measurement value of the sample sample The method includes a step of calculating an optimum measurement range of each measurement sample and a step of measuring electrical characteristics of each measurement sample based on the measurement conditions and the measurement range.
本発明に係る半導体装置の測定装置および測定方法によれば、測定試料ごとに測定レンジを最適測定レンジに最初から固定することができ、自動設定の測定レンジを使用する必要がなく、その結果、多数の測定を行っても測定レンジの切り替わりがないので高速な測定を実現できる。 According to the measurement apparatus and the measurement method of the semiconductor device according to the present invention, the measurement range can be fixed to the optimum measurement range from the beginning for each measurement sample, and it is not necessary to use the automatic measurement range. Even if a large number of measurements are performed, the measurement range does not change, so high-speed measurement can be realized.
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の測定装置およびその測定方法について、図面を参照しながら説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, a semiconductor device measuring apparatus and a measuring method thereof according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置の測定装置は、入力インターフェース部1、電気特性測定部2、測定条件記憶部3、測定予測値記憶部4、最適レンジ計算部5および最適レンジ記憶部6を備えている。ここで、従来の測定装置と異なる点は、測定予測値記憶部4、最適レンジ計算部5および最適レンジ記憶部6によって、測定前に測定レンジの中で最適レンジを決定することである。
First, as shown in FIG. 1, the semiconductor device measurement apparatus according to the present embodiment includes an
また、本実施形態に係る半導体装置の測定方法は、まず、測定試料の測定条件およびその試料の測定予測値を、入力インターフェース部1を介して測定装置に入力する。ここで試料の測定予測値は、例えば、過去からの試料の測定データをデータベース化しておき、入力インターフェース部1とデータベースを接続し、測定項目、測定条件決定時に、測定条件に該当する試料の測定予測値をデータベースから自動的に抽出し、入力インターフェース部1を介して測定装置に自動的に送り込む等の仕組みを用いる。
In the semiconductor device measurement method according to the present embodiment, first, the measurement conditions of the measurement sample and the predicted measurement value of the sample are input to the measurement device via the
次に、入力された測定条件は測定条件記憶部3に、測定予測値は測定予測値記憶部4にそれぞれ記憶される。次に、測定条件記憶部3および測定予測値記憶部4に記憶された測定条件および測定予測値をもとに最適レンジ計算部5によって、各試料に最適な測定レンジを計算し、その結果を最適レンジ記憶部6に記憶する。 Next, the input measurement conditions are stored in the measurement condition storage unit 3, and the measurement prediction values are stored in the measurement prediction value storage unit 4. Next, based on the measurement conditions and the predicted measurement values stored in the measurement condition storage unit 3 and the predicted measurement value storage unit 4, the optimal range calculation unit 5 calculates the optimal measurement range for each sample, and the result is Store in the optimum range storage unit 6.
次に、測定条件記憶部3及び最適レンジ記憶部6に記憶されている各試料の測定条件、最適な測定レンジを基に電気特性測定部2によって、各試料の電気特性測定を行う。 Next, the electrical property measurement of each sample is performed by the electrical property measurement unit 2 based on the measurement conditions and the optimum measurement range of each sample stored in the measurement condition storage unit 3 and the optimum range storage unit 6.
次に、図2に示すように、具体的な試料測定時には、測定条件と測定予測値からあらかじめ計算した最適な測定レンジで試料の電気特性評価を行う。 Next, as shown in FIG. 2, at the time of a specific sample measurement, the electrical characteristics of the sample are evaluated in an optimal measurement range calculated in advance from the measurement conditions and the predicted measurement values.
例えば、測定条件として、印加電圧1V、被測定対象物の測定予測値が28KΩの場合、測定レンジは、1÷28000=35.7μAとなり、最適測定レンジとしては、35.7μAの次のケタである100μAとなる。 For example, when the applied voltage is 1V and the predicted measurement value of the measurement target is 28 KΩ as the measurement conditions, the measurement range is 1 ÷ 28000 = 35.7 μA, and the optimum measurement range is the next digit of 35.7 μA. It becomes a certain 100 μA.
このような方法で最適測定レンジを設定すると、測定点のサーチは、設定したレンジ内のみで行われ、レンジの切り替えが発生しない。 When the optimum measurement range is set by such a method, the search of the measurement point is performed only within the set range, and the range is not switched.
第1の実施形態によると、各試料に対する最適な測定レンジを測定条件および予測測定値を用いて測定前に確定しているので、測定中に測定レンジの切り替えが発生しない。従って、多数の素子を測定した場合でも高速な測定が可能となる。 According to the first embodiment, since the optimal measurement range for each sample is determined before measurement using the measurement conditions and the predicted measurement value, switching of the measurement range does not occur during measurement. Therefore, even when a large number of elements are measured, high-speed measurement is possible.
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の測定装置およびその測定方法について、図面を参照しながら説明する。
(Second Embodiment)
Hereinafter, a semiconductor device measuring apparatus and a measuring method thereof according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、図3に示すように、本実施形態に係る半導体装置の測定装置は、入力インターフェース部1、測定条件記憶部3、最適レンジ計算部5、最適レンジ記憶部6、主電気特性測定部8および副電気特性測定部9を備えている。ここで、従来の測定装置と異なる点は、副電気特性測定部9、最適レンジ計算部5および最適レンジ記憶部6によって、測定前にサンプル測定に基づいて、測定レンジの中で最適レンジを決定することである。
First, as shown in FIG. 3, the semiconductor device measurement apparatus according to the present embodiment includes an
また、本実施形態に係る半導体装置の測定方法は、まず、測定試料の測定条件を、入力インターフェース部1を介して測定装置に入力する。次に、入力された測定条件は、測定条件記憶部3に記憶される。次に、測定条件記憶部3に記憶された測定条件をもとに副電気特性測定部9によって、各サンプルの電気特性を、自動設定レンジ手法を用いて測定する。次に、測定した結果をサンプル測定値記憶部7に記憶し、測定条件記憶部3とサンプル測定値記憶部7に記憶した測定条件およびサンプル測定値から最適レンジ計算部5によって、各試料に最適な測定レンジを計算し、その結果を最適レンジ記憶部6に記憶する。
In the semiconductor device measurement method according to the present embodiment, first, the measurement conditions of the measurement sample are input to the measurement apparatus via the
次に、測定条件記憶部3および最適レンジ記憶部6に記憶されている各試料の測定条件および最適測定レンジを基に主電気特性測定部8によって、各試料の電気特性測定を行う。 Next, based on the measurement conditions and the optimum measurement range of each sample stored in the measurement condition storage unit 3 and the optimum range storage unit 6, the main electrical property measurement unit 8 measures the electrical characteristics of each sample.
具体的な試料測定時には、最初1回のサンプル測定を、自動設定レンジ手法を用いて行い、そのとき実際に測定されたレンジを最適な測定レンジとして記憶する。そして、2回目以降の各試料の測定時には、サンプル測定によって決定された最適な測定レンジで各試料の電気特性評価を行う。従って、2回目以降の測定の測定点のサーチは、設定したレンジ内のみで行われ、レンジの切り替えが発生しない。 At the time of concrete sample measurement, the first sample measurement is performed using the automatic setting range method, and the range actually measured at that time is stored as the optimum measurement range. Then, at the time of measuring each sample for the second time and thereafter, the electrical characteristics of each sample are evaluated in the optimum measurement range determined by the sample measurement. Therefore, the search of the measurement points for the second and subsequent measurements is performed only within the set range, and no range switching occurs.
第2の実施形態によると、各試料に対する最適な測定レンジを最初1回のサンプル測定により2回目以降の測定前に確定しているので、最初の1回目の測定以外は測定中に測定レンジの切り替えが発生しない。従って、多数の素子を測定した場合でも高速な測定が可能となる。 According to the second embodiment, since the optimum measurement range for each sample is determined by the first sample measurement before the second and subsequent measurements, the measurement range is changed during the measurement except for the first measurement. Switching does not occur. Therefore, even when a large number of elements are measured, high-speed measurement is possible.
なお、第1の実施の形態および第2の実施の形態において、各記憶部はなくてもよく、条件等を入力して計算後、電気特性を測定するようにしてもよい。 In the first embodiment and the second embodiment, each storage unit may not be provided, and electric characteristics may be measured after inputting and calculating conditions.
本発明にかかる半導体装置の測定装置およびその測定方法は、半導体装置の多数測定を行った場合でも短時間で測定を行うことを可能とするものであり、半導体装置の測定装置およびその測定方法等として有用であり、特に、電圧、電流、容量、インダクタ等の高速測定に有用である。 A semiconductor device measuring apparatus and a measuring method thereof according to the present invention enable measurement in a short time even when a large number of semiconductor devices are measured, such as a semiconductor device measuring apparatus and a measuring method thereof. And is particularly useful for high-speed measurement of voltage, current, capacitance, inductor, and the like.
1 入力インターフェース部
2 電気特性測定部
3 測定条件記憶部
4 測定予測値記憶部
5 最適レンジ計算部
6 最適レンジ記憶部
7 測定値記憶部
8 主電気特性測定部
9 副電気特性測定部
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2022003696A (en) * | 2017-08-28 | 2022-01-11 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | Semiconductor device |
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2004
- 2004-06-09 JP JP2004170847A patent/JP2005351691A/en not_active Withdrawn
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