JP2005340770A - 電光変換モジュール及び光電変換モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 生産性が高くかつ高精度の光実装が可能な電光変換モジュール及び光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】 電気信号を光信号へ変換する面発光レーザ11と、面発光レーザ11の電極に接続される電気配線121を備え面発光レーザ11との光結合を行うために成形レンズ122が一体形成された成形体12とを有する電光変換モジュール1であって、成形体12は、面発光レーザ11との接合部に、面発光レーザ11に対する相対位置が所定値以上の精度に規定された接続位置決め用の突起部123が一体形成されており、電気配線121に接続された電極パッド124を突起部123上に設けられ、電極パッド124と面発光レーザ11上の電極とが、投影面積が突起部123の先端部以上であるバンプ13を介し電気的に接続されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 電気信号を光信号へ変換する面発光レーザ11と、面発光レーザ11の電極に接続される電気配線121を備え面発光レーザ11との光結合を行うために成形レンズ122が一体形成された成形体12とを有する電光変換モジュール1であって、成形体12は、面発光レーザ11との接合部に、面発光レーザ11に対する相対位置が所定値以上の精度に規定された接続位置決め用の突起部123が一体形成されており、電気配線121に接続された電極パッド124を突起部123上に設けられ、電極パッド124と面発光レーザ11上の電極とが、投影面積が突起部123の先端部以上であるバンプ13を介し電気的に接続されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、光伝送に用いる光を入出射するための電光変換モジュール及び光電変換モジュールに関する。
電光変換素子又は光電変換素子と電気回路素子さらには光結合素子をパッケージした電光変換モジュール、光電変換モジュール又はマルチチップモジュールとなる光電変換素子パッケージ(OE−MCMとも呼ばれる)は、電光変換素子又は光電変換素子、光結合素子、光実装基板、発光光電変換素子用ドライバ電子回路素子、受光光電変換素子用増幅回路電子素子、論理電子回路素子、さらにはこれら全体を封止するパッケージ、端子、MCM基板から形成される。
特許文献1や特許文献2、特許文献3には、従来の光電変換素子パッケージの構成が開示されており、光電変換素子、電気回路素子及び周辺部品が同一部品に実装されている。
従来技術による光電変換パッケージの一例として、図15aに、特許文献2に開示される光電変換素子パッケージの構成を示す。この光電変換素子パッケージは、外部の光ファイバ72とのコネクタ構成を有する部品113と、電気回路素子114及び周辺部品116がモールド樹脂100によってモールドされている。図15bに示すように、部品113の内部には、光電変換素子(PD)67や電光変換素子(LD)65などが、光ファイバ72に対して位置調整されて設置されている。このような樹脂モールドのパッケージは、金属ハーメチック封止による光電変換素子パッケージよりも、小型化低価格化が可能である。
特開2002−202438号公報
特開2000−228555号公報
特開平9−101435号公報
しかしながら、上記構成の光電変換モジュールでは、光ファイバ72と光電変換素子67とを高効率で光結合させるためには、高精度の光実装が必要となる。このため、光ファイバ72の一部をモールド樹脂100に直接挿入して一体化している。このため、外部の光ファイバ72の着脱は不可能である。
よって、この光電変換素子パッケージをプリント基板へ実装する際には、電気接合のためのはんだリフロー炉を量産で用いることは困難であり、ロボットや手作業によってはんだ付けを行わなければならないため生産性が低くなる。また、機器内光伝送におけるボード間光伝送のように機器内組み付けの時にコネクタによる接続が必須の装置には用いることができない。
よって、この光電変換素子パッケージをプリント基板へ実装する際には、電気接合のためのはんだリフロー炉を量産で用いることは困難であり、ロボットや手作業によってはんだ付けを行わなければならないため生産性が低くなる。また、機器内光伝送におけるボード間光伝送のように機器内組み付けの時にコネクタによる接続が必須の装置には用いることができない。
また、光ファイバ72の代わりに光コネクタをモールド部材に直接挿入して一体化すれば、光電変換素子パッケージと外部の光ファイバとを着脱できるようにはなるが、実際には、光コネクタ自体が部品として高価であるため低コスト化できないだけでなく、光コネクタという大きな部材を高精度に光実装しなければならなくなるため、組み付けコストが増大する。
また、成形レンズを透明高分子含有材料で別途生成する構成の場合には、不透明材料を用いた成形体に予め光電変換素子をバンプ実装した後に、成形レンズを形成した透明高分子基板や、またはこれらの成形レンズを形成した基板を接着した別の透明高分子基板を、光実装として高精度の位置合わせをした後に、接着によって貼り合わせたり、組み付けによって嵌合したりしており、実装コストが非常に高くなっていた。
特許文献1や特許文献3に開示される発明も、光ファイバを直接固定しているという点は特許文献2に開示される発明と同様であり、特許文献2に開示される発明と同様に高精度の実装が難しく、実装精度を上げようとすると生産コストが上昇してしまうという問題があった。
このように、従来は、生産性が高くかつ高精度の光実装が可能な電光変換モジュール及び光電変換モジュールは提供されていなかった。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、生産性が高くかつ高精度の光実装が可能な電光変換モジュール及び光電変換モジュールを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、第1の態様として、電気信号を光信号へ変換する電光変換素子と、該電光変換素子の電極に接続される電気配線を備え電光変換素子からの光を平行光化するための光平行化手段が一体形成された成形体とを有する電光変換モジュールであって、成形体は、電光変換素子との接合部に突起が一体形成されており、電気配線に接続された電極パッドを突起上に設けられ、該電極パッドと電光変換素子上の電極とが、投影面積が突起の先端部以上であるバンプを介し電気的に接続されていることを特徴とする電光変換モジュールを提供するものである。このようにすれば、電光変換素子と光結合素子との相対位置の精度を高められる。また、材料コスト及び成形コストとして経済性に優れる材料を用いたとしても、組み付けの高精度化や組み付け工程の簡略化による製造コストの低減を図ることができる。しかも、型を用いた整形技術をベースとすれば、低コストで大量生産が可能となる。
上記本発明の第1の態様においては、電光変換素子と成形体との間には、成形体と電光変換素子とを接合した後で、該電光変換素子に用いられる光の波長に対して略透明で、該成形体と該電光変換素子とに対して接着力を備えた樹脂含有材料が充填されることが好ましい。このようにすれば、電光変換素子及び成形体のそれぞれの熱膨張率が異なっていても、温度変化による接続不良の発生を抑えることができる。
上記本発明の第1の態様においては、光平行化手段が成形レンズであることが好ましい。光結合素子に成形レンズを用いる場合には、非球面化が容易であるため収差を発生させることなくレーザ光をコリメート化(平行光化)したり、集光したりできる。成形レンズでコリメートした光は、光軸と垂直方向の位置ずれに強く、光コネクタなどの接続ユニットの精度を緩和でき、光コネクタの低コスト化が図れる。また、型を用いた成形技術をベースとすれば、モジュールを低コストで大量生産できる。
または、光平行化手段が光導波路であることが好ましい。光結合素子に光導波路を用いる場合には、成形体形成時に導波路の外枠を形成しておき、枠内に紫外線硬化樹脂を充填し、硬化させてコア部とすることで、光結合素子を容易かつ低コストに形成できる。さらに、電光変換素子と光結合素子との相対位置を高精度に位置決めできる。
または、光平行化手段が光導波路であることが好ましい。光結合素子に光導波路を用いる場合には、成形体形成時に導波路の外枠を形成しておき、枠内に紫外線硬化樹脂を充填し、硬化させてコア部とすることで、光結合素子を容易かつ低コストに形成できる。さらに、電光変換素子と光結合素子との相対位置を高精度に位置決めできる。
上記本発明の第1の態様のいずれの構成においても、成形体は、電光変換素子に用いられる光の波長に対して透明な材料で形成されていることが好ましい。このようにすれば、成形体に光結合素子を直接形成できるため、光結合素子としての機能と、光結合素子を保持する構造体としての機能と、光結合素子と電光変換素子との相対位置の位置出しをする機能とを成形体に兼ね備えさせることができる。
または、成形体は、電光変換素子に用いられる光の波長に対して不透明で耐熱性が高く、かつ熱膨張の小さい高分子含有材料で形成され、該電光変換素子と対向する部分に貫通孔が形成された第1成形体と、電光変換素子に用いられる光の波長に対して透明な材料からなり、光結合素子が形成される第2成形体とが一体となって構成されたことが好ましく、これに加えて、第1成形体と第2成形体とが、少なくとも一つの型を共用して連続成形されることがより好ましい。このようにすれば、材料コスト及び成形コストとして経済性に優れる材料を用いたとしても、組み付けの高精度化や組み付け工程の簡略化による製造コストの低減を図ることができる。また、バンプ実装時の熱による変形を原因とする位置ずれを低減でき、プリント基板との電気的な接続のための後工程としてリフローによるバンプ実装を行える。また、型を共用して連続成形することによって、成形体と光結合素子とを、成形体の形成と同時に位置合わせできるため、組み立て工程が不要になり、製造コストが低減される。
または、成形体は、電光変換素子に用いられる光の波長に対して不透明で耐熱性が高く、かつ熱膨張の小さい高分子含有材料で形成され、該電光変換素子と対向する部分に貫通孔が形成された第1成形体と、電光変換素子に用いられる光の波長に対して透明な材料からなり、光結合素子が形成される第2成形体とが一体となって構成されたことが好ましく、これに加えて、第1成形体と第2成形体とが、少なくとも一つの型を共用して連続成形されることがより好ましい。このようにすれば、材料コスト及び成形コストとして経済性に優れる材料を用いたとしても、組み付けの高精度化や組み付け工程の簡略化による製造コストの低減を図ることができる。また、バンプ実装時の熱による変形を原因とする位置ずれを低減でき、プリント基板との電気的な接続のための後工程としてリフローによるバンプ実装を行える。また、型を共用して連続成形することによって、成形体と光結合素子とを、成形体の形成と同時に位置合わせできるため、組み立て工程が不要になり、製造コストが低減される。
また、上記目的を達成するため、本発明は、第2の態様として、光信号を電気信号へ変換する光電変換素子と、該光電変換素子の電極に接続される電気配線を備え光電変換素子との光結合を行うために光結合素子が一体形成された成形体とを有する光電変換モジュールであって、成形体は、光電変換素子との接合部に突起が一体形成されており、電気配線に接続された電極パッドを突起上に設けられ、該電極パッドと光電変換素子上の電極とが、投影面積が突起の先端部以上であるバンプを介し電気的に接続されていることを特徴とする光電変換モジュールを提供するものである。このようにすれば、光電変換素子と光結合素子との相対位置の精度を高められる。また、材料コスト及び成形コストとして経済性に優れる材料を用いたとしても、組み付けの高精度化や組み付け工程の簡略化による製造コストの低減を図ることができる。しかも、型を用いた整形技術をベースとすれば、低コストで大量生産が可能となる。
上記本発明の第2の態様においては、光電変換素子と成形体との間には、成形体と光電変換素子とを接合した後で、該光電変換素子に用いられる光の波長に対して略透明で、該成形体と該光電変換素子とに対して接着力を備えた樹脂含有材料が充填されることが好ましい。このようにすれば、光電変換素子及び成形体のそれぞれの熱膨張率が異なっていても、温度変化による接続不良の発生を抑えることができる。
上記本発明の第2の態様においては、光結合素子が成形レンズであることが好ましい。光結合素子に成形レンズを用いる場合には、非球面化が容易であるため収差を発生させることなくレーザ光をコリメート化(平行光化)したり、集光したりできる。成形レンズでコリメートした光は、光軸と垂直方向の位置ずれに強く、光コネクタなどの接続ユニットの精度を緩和でき、光コネクタの低コスト化が図れる。また、型を用いた成形技術をベースとすれば、モジュールを低コストで大量生産できる。
又は、光結合素子が光導波路であることが好ましい。光結合素子に光導波路を用いる場合には、成形体形成時に導波路の外枠を形成しておき、枠内に紫外線硬化樹脂を充填し、硬化させてコア部とすることで、光結合素子を容易かつ低コストに形成できる。さらに、光電変換素子と光結合素子との相対位置を高精度に位置決めできる。
又は、光結合素子が光導波路であることが好ましい。光結合素子に光導波路を用いる場合には、成形体形成時に導波路の外枠を形成しておき、枠内に紫外線硬化樹脂を充填し、硬化させてコア部とすることで、光結合素子を容易かつ低コストに形成できる。さらに、光電変換素子と光結合素子との相対位置を高精度に位置決めできる。
上記本発明の第2の態様のいずれの構成においても、成形体は、光電変換素子に用いられる光の波長に対して透明な材料で形成されていることが好ましい。このようにすれば、成形体に光結合素子を直接形成できるため、光結合素子としての機能と、光結合素子を保持する構造体としての機能と、光結合素子と光電変換素子との相対位置の位置出しをする機能とを成形体に兼ね備えさせることができる。
又は、成形体は、光電変換素子に用いられる光の波長に対して不透明で耐熱性が高く、かつ熱膨張の小さい高分子含有材料で形成され、該光電変換素子と対向する部分に貫通孔が形成された第1成形体と、光電変換素子に用いられる光の波長に対して透明な材料からなり、光結合素子が形成される第2成形体とが一体となって構成されることが好ましく、これに加えて、第1成形体と第2成形体とが、少なくとも一つの型を共用して連続成形されることがより好ましい。このようにすれば、材料コスト及び成形コストとして経済性に優れる材料を用いたとしても、組み付けの高精度化や組み付け工程の簡略化による製造コストの低減を図ることができる。また、バンプ実装時の熱による変形を原因とする位置ずれを低減でき、プリント基板との電気的な接続のための後工程としてリフローによるバンプ実装を行える。また、型を共用して連続成形することによって、成形体と光結合素子とを、成形体の形成と同時に位置合わせできるため、組み立て工程が不要になり、製造コストが低減される。
又は、成形体は、光電変換素子に用いられる光の波長に対して不透明で耐熱性が高く、かつ熱膨張の小さい高分子含有材料で形成され、該光電変換素子と対向する部分に貫通孔が形成された第1成形体と、光電変換素子に用いられる光の波長に対して透明な材料からなり、光結合素子が形成される第2成形体とが一体となって構成されることが好ましく、これに加えて、第1成形体と第2成形体とが、少なくとも一つの型を共用して連続成形されることがより好ましい。このようにすれば、材料コスト及び成形コストとして経済性に優れる材料を用いたとしても、組み付けの高精度化や組み付け工程の簡略化による製造コストの低減を図ることができる。また、バンプ実装時の熱による変形を原因とする位置ずれを低減でき、プリント基板との電気的な接続のための後工程としてリフローによるバンプ実装を行える。また、型を共用して連続成形することによって、成形体と光結合素子とを、成形体の形成と同時に位置合わせできるため、組み立て工程が不要になり、製造コストが低減される。
本発明によれば、生産性が高くかつ高精度の光実装が可能な電光変換モジュール及び光電変換モジュールを提供できる。
〔第1の実施形態〕
本発明を好適に実施した第1の実施形態について説明する。図1に、本実施形態にかかる電光変換モジュールの構成を示す。
電光変換モジュール1は電光変換素子として面発光レーザ11(=VCSEL)を備えており、その発光部は素子の中央にある。モジュールの側面及び天面は、高分子含有材料からなる成形体12で覆われている。
本発明を好適に実施した第1の実施形態について説明する。図1に、本実施形態にかかる電光変換モジュールの構成を示す。
電光変換モジュール1は電光変換素子として面発光レーザ11(=VCSEL)を備えており、その発光部は素子の中央にある。モジュールの側面及び天面は、高分子含有材料からなる成形体12で覆われている。
成形体12には、面発光レーザ11の表面側に配置される電気配線121、光結合素子である成形レンズ122、バンプ13(はんだや金など)を介して面発光レーザ素子上面の電極111と成形体12上の電極とを接続するための突起123及び電極パッド124が一体的に設けられている。
また、レーザ駆動回路14は、電極を接続している突起とは別の突起125によって中間基板15上の電極パッド151とバンプ16を介して接続されることによって、面発光レーザ11と電気的に接続されている。中間基板15は、バンプ17を介してプリント基板18と接続されており、プリント基板18上に形成されている信号処理回路との間で信号のやりとりをする。成形体12はバンプ19を介してプリント基板18と物理的に固定されている。
また、レーザ駆動回路14は、電極を接続している突起とは別の突起125によって中間基板15上の電極パッド151とバンプ16を介して接続されることによって、面発光レーザ11と電気的に接続されている。中間基板15は、バンプ17を介してプリント基板18と接続されており、プリント基板18上に形成されている信号処理回路との間で信号のやりとりをする。成形体12はバンプ19を介してプリント基板18と物理的に固定されている。
なお、面発光レーザ11からの放熱をスムーズに行うために、必要に応じて、面発光レーザ11の裏面と中間基板15との間に伝熱部材10を挿入して、面発光レーザ11からの発熱を中間基板15へ熱伝導させるようにすると良い。
面発光レーザ11から発せられたビームは、成形体12と一体化されている成形レンズ122によってコリメート化(平行光化)され、平行ビームとなってモジュール外へ出射する。平行光となったビームは、不図示のレンズ付き光ファイバに結合されて外部へと伝送される。
電光変換モジュール1においては、成形レンズ122と面発光レーザ11との配置精度は、特に面発光レーザ11の面内方向で高精度が要求される。このため、従来は、面発光レーザ11を発光させて出射ビームを観察しながらレンズとの相対位置決めを行うアクティブアライメントを行われていたが、この方法は調整に時間がかかるため低コストで大量生産が可能な方法ではない。
本実施形態においては、成形体12に一体成形された成形レンズ122と、接合用突起部123との相対位置精度は、金型作成時に用いる高精度切削機の切削精度で高精度に規定されている。またフリップチップ接合法のバンプによる接合は、セルフアライメント的に相対位置を高精度に位置出しできるため、成形体12に突起部123を設置することで、アクティブアライメントを行わずとも面発光レーザ11と成形レンズ122との相対位置出しが可能である。
図2に、成形体12の突起部123を拡大して示す。面発光レーザ11の接続部と成形体突起部123の上面とには、フリップチップ接続によるバンプ13を介しての接続のための電極パッド111及び126がそれぞれ形成されている。成形体12の突起部123の上面の電極パッド126は、成形体12の表面に形成された電気配線121を介してレーザ駆動回路14と電気的に接続されている。成形体12上の成形レンズ122と位置精度が出ている突起部123においてバンプ13を介して面発光レーザ11と相対位置精度を確保するためにバンプ接続のセルフアライメント効果を利用するが、これを高精度化するためには電極パッド126が形成されている突起部123の面積がバンプ13の投影面積(図2の面発光レーザ11基板面に投影した面積)と同等以下に設定する必要がある。バンプによる接続は、実装のリフロー工程で溶けたはんだバンプが表面張力で球状となり、かつ接続する両面の電極パッド111及び126に吸着して上下の電極が同軸となるようにセルフアライン効果が働く。このとき、突起部123の電極面積が大きいと図2の上側に示す成形体12側でのセルフアライン効果が弱くなってしまう。これを高精度化するためには、突起部123上面の面積をリフロー工程で球形になったバンプ13の投影面積と同等かそれ以下に設定して、突起上面の電極パッド126の大きさを制限することが必要である。
〔第2の実施形態〕
本発明を好適に実施した第2の実施形態について説明する。図3に、本実施形態にかかる電光変換モジュール1の構成を示す。本実施形態においては、面発光レーザ11だけでなくレーザ駆動回路14も成形体12上に一体に実装されている。
本発明を好適に実施した第2の実施形態について説明する。図3に、本実施形態にかかる電光変換モジュール1の構成を示す。本実施形態においては、面発光レーザ11だけでなくレーザ駆動回路14も成形体12上に一体に実装されている。
面発光レーザ11は、成形体突起部123とバンプ13を介して電気的に接続され、成形体12上の電気配線121とレーザ駆動回路14とはバンプ16によって電気的に接続される。また、プリント基板18上の信号処理回路とは成形体12周縁部のバンプ19で対応するプリント基板18上の電気配線に接続される。この構成ような構成とすることによって、第1の実施形態における中間基板15のような仲介が不要となり、シンプルな構造となる。
なお、図4に示すように、面発光レーザ11と成形体12とを突起部123を介してバンプ13によって接合したのち、面発光レーザ11と成形体12との間に樹脂含有材料(樹脂)20を充填して固化し、面発光レーザ11と成形体12とが樹脂20によって接着されるようにするとよい。
このようにすれば、電光変換素子である面発光レーザ11と高分子含有材料である成形体12とのように熱膨張係数が異なるもの同士をフリップチップ技術によるバンプで接続する場合でも、熱変化に対する電気的接続の信頼性を向上させることができる。
このようにすれば、電光変換素子である面発光レーザ11と高分子含有材料である成形体12とのように熱膨張係数が異なるもの同士をフリップチップ技術によるバンプで接続する場合でも、熱変化に対する電気的接続の信頼性を向上させることができる。
面発光レーザ11と成形体12との間に樹脂含有材料20を充填しない場合には、素子温度及び周囲温度の上下に伴い、熱膨張率の差によってバンプ13に剪断力がかかって、最悪の場合にはバンプ13が破壊されて電気的導通がとれなくなってしまう。この時、樹脂含有材料によって両者が接着されていれば、温度が上下してもバンプ13に剪断力が作用しないためバンプ13による電気的接続の信頼性が大幅に向上する。
面発光レーザ11と成形体12との間に充填する樹脂含有材料としては、エポキシ樹脂、フィラー(シリカなど)が入ったエポキシ樹脂などがある。充填される樹脂含有材料は、面発光レーザ11に使われる光の波長に対して透明であることが好ましい。なお、充填層の厚さは数十ミクロンから数百ミクロンであるので、材料において多少の光の吸収や散乱があっても略透明体と見なすことができれば良い。
面発光レーザ11と成形体12との間に充填する樹脂含有材料としては、エポキシ樹脂、フィラー(シリカなど)が入ったエポキシ樹脂などがある。充填される樹脂含有材料は、面発光レーザ11に使われる光の波長に対して透明であることが好ましい。なお、充填層の厚さは数十ミクロンから数百ミクロンであるので、材料において多少の光の吸収や散乱があっても略透明体と見なすことができれば良い。
なお、面発光レーザ11と成形体12とを高精度に位置決めするためには、面発光レーザ11と成形体12とを成形突起部123を介してバンプ13によって接合した後に樹脂含有材料20を充填する必要がある。これはフリップチップ実装で、接合時に溶融したバンプの表面張力を利用したセルフアライメント効果によって成形突起部123に対して面発光レーザ11の高精度位置出し接合するためには、面発光レーザ11は周囲に樹脂含有材料などがない状態で自重のみでバンプ13と接し、バンプ13の表面張力が有効に働くことが必要だからである。このため、本実施形態においては、面発光レーザ11と成形突起部123との間をフリップチップ接合した後に樹脂含有材料20を充填して、バンプ13の融点以下の温度で樹脂含有材料20を固化させている。
なお、受光素子を備える光電変換モジュールの場合、すなわち受光素子とプリアンプとの成形体への一体実装の場合には、図3や図4の構成で面発光レーザ11の代わりに受光素子、レーザ駆動回路14の代わりにプリアンプを成形体12にバンプ実装すれば良い。
〔第3の実施形態〕
本発明を好適に実施した第3の実施形態について説明する。図5に本実施形態にかかる光電変換モジュールの構成を示す。本実施形態にかかる光電変換モジュール2は、第1の実施形態にかかる電光変換モジュール1とほぼ同様の構成であるが、面発光レーザ11の代わりに受光素子21を備えており、光結合素子としては成形体12中に一体形成された光導波路127を成形レンズ122の代わりに備えている。また、中間基板15上には受光信号を増幅するプリアンプ22が実装されている。
本発明を好適に実施した第3の実施形態について説明する。図5に本実施形態にかかる光電変換モジュールの構成を示す。本実施形態にかかる光電変換モジュール2は、第1の実施形態にかかる電光変換モジュール1とほぼ同様の構成であるが、面発光レーザ11の代わりに受光素子21を備えており、光結合素子としては成形体12中に一体形成された光導波路127を成形レンズ122の代わりに備えている。また、中間基板15上には受光信号を増幅するプリアンプ22が実装されている。
光導波路127は、透明な成形体12中に円筒状のコア部に相当する孔が成形時に形成され、その孔に成形体よりも屈折率の僅かに高い樹脂材料を充填することにより光導波路として機能するように形成されている。
具体的には、未硬化の紫外線硬化樹脂を成形後の円筒状コア部に充填し、これに紫外光を照射してコア部を固める。硬化したコア部の周りは成形体よりも屈折率が僅かに高くなり、円筒状光導波路として機能する。
光導波路127は、受光素子21の受光部に端面が近接して配置され、直接結合によって光信号を伝達する。例えば、不図示の光コネクタを成形体12に密着接続して外部光ファイバから送られてきた光信号を光導波路127を伝達させて受光素子21において受光する。
光信号が広帯域になってくると受光素子21の受光部面積を縮小して帯域を広くする必要がでてくるが、この場合にも光導波路127と受光部との相対位置を高精度に出す必要がある。本実施形態においては、成形体12に相対位置出し用の突起部123を形成しているため、調整を行うことなく光導波路127と受光部との相対位置を高精度に定めることができる。
なお、図6に示すように、受光素子21と成形体12との間に樹脂含有材料20を充填すれば、熱膨張率の違いがあっても接続の信頼性を確保できる。
なお、図6に示すように、受光素子21と成形体12との間に樹脂含有材料20を充填すれば、熱膨張率の違いがあっても接続の信頼性を確保できる。
〔第4の実施形態〕
本発明を好適に実施した第4の実施形態について説明する。本実施形態においては、上記第1〜第3の実施形態(図1〜6に示す構成)と同様の電光変換モジュール又は光電変換モジュールを、面発光レーザ11又は受光素子21で使用する光の波長に対して透明な高分子材料で形成された成形体12を用いて構成する。これにより、直接、成形によって光学素子を形成できるため、光結合素子(成形レンズ122や光導波路127)としての役割と、面発光レーザ11や受光素子21の実装基板構造としての役割と、光結合素子と面は面発光レーザ11や受光素子21との相対位置出しの機能とを同時に成形体12に持たせることができる。
本発明を好適に実施した第4の実施形態について説明する。本実施形態においては、上記第1〜第3の実施形態(図1〜6に示す構成)と同様の電光変換モジュール又は光電変換モジュールを、面発光レーザ11又は受光素子21で使用する光の波長に対して透明な高分子材料で形成された成形体12を用いて構成する。これにより、直接、成形によって光学素子を形成できるため、光結合素子(成形レンズ122や光導波路127)としての役割と、面発光レーザ11や受光素子21の実装基板構造としての役割と、光結合素子と面は面発光レーザ11や受光素子21との相対位置出しの機能とを同時に成形体12に持たせることができる。
〔第5の実施形態〕
本発明を好適に実施した第5の実施形態について説明する。図7に本実施形態にかかる電光変換モジュールの構成を示す。本実施形態にかかる電光変換モジュール1は、第1の実施形態とほぼ同様の構成ではあるが、成形体12は第1成形体12a及び第2成形体12bから構成されている。面発光レーザ11が実装されている第1成形体12aは、面発光レーザ11の使用光波長に対して不透明な高分子含有材料で形成されており、光結合素子(成形レンズ122)を含む第2成形体12bは、透明な高分子含有材料で形成されており、複合一体化成形体となっている。
本発明を好適に実施した第5の実施形態について説明する。図7に本実施形態にかかる電光変換モジュールの構成を示す。本実施形態にかかる電光変換モジュール1は、第1の実施形態とほぼ同様の構成ではあるが、成形体12は第1成形体12a及び第2成形体12bから構成されている。面発光レーザ11が実装されている第1成形体12aは、面発光レーザ11の使用光波長に対して不透明な高分子含有材料で形成されており、光結合素子(成形レンズ122)を含む第2成形体12bは、透明な高分子含有材料で形成されており、複合一体化成形体となっている。
面発光レーザ11と第1成形体12aとの実装は、不透明な成形体に設けられた接続位置決め用の突起部123を介してバンプ13で高精度に電気接続される。
第1成形体12aの材料である不透明な高分子含有材料としては、半導体封止材料として用いられているエポキシ材料、ポリイミド材料、エンジニアリングプラスチックとして用いられているポリカーボネート材料、ポリフェニレンスルフィド材料、液晶ポリマー材料等及びこれらと無機フィラー物質との複合材料を用いることができる。これらの材料は、耐熱性が高く、また熱膨張率も光電変換素子などの半導体材料と比較的近いため、光電変換素子をバンプ接続する時の熱処理(リフロー工程)における耐熱性、及び熱膨張差による応力発生が抑えられ高精度で高信頼の実装が可能となる。
第1成形体12aの材料である不透明な高分子含有材料としては、半導体封止材料として用いられているエポキシ材料、ポリイミド材料、エンジニアリングプラスチックとして用いられているポリカーボネート材料、ポリフェニレンスルフィド材料、液晶ポリマー材料等及びこれらと無機フィラー物質との複合材料を用いることができる。これらの材料は、耐熱性が高く、また熱膨張率も光電変換素子などの半導体材料と比較的近いため、光電変換素子をバンプ接続する時の熱処理(リフロー工程)における耐熱性、及び熱膨張差による応力発生が抑えられ高精度で高信頼の実装が可能となる。
光結合素子である成形レンズ122は、不透明材料からなる第1成形体12aの貫通孔部分に、第1成形体12aと一体化した透明材料で形状作成してあるため、面発光レーザ11と不透明成形体からなる第1成形体12aとを1回のバンプ実装をするだけで、成形レンズ122と面発光レーザ11との間の光実装工程を不要とすることができ、実装工程を簡略化できる。
また、耐熱性に優れる不透明成形材料を使用した第1成形体12aと一体化しているので、バンプ実装時の熱による変形による位置ずれを低減でき、プリント基板18との電気的接続を行う後工程としてリフロー工程でバンプ実装を行うことができる。
なお。図8に示すように、図7に示した構成において面発光レーザ11と成形体12との間に樹脂含有材料20を充填すれば、熱膨張率に僅かな違いがあっても接続の信頼性をさらに向上させられる。
〔第6の実施形態〕
本発明を好適に実施した第6の実施形態について説明する。
図9に、本実施形態にかかる光電変換モジュールの構成を示す。本実施形態にかかる電光変換モジュール1においては、複合成形体12は、耐熱性の高い不透明高分子含有材料で成形され、下部に接合位置決め用突起部が形成された第1成形体12aと、透明な高分子含有材料によって上部に光導波路を形成した第2成形体12bとで形成されている。
本発明を好適に実施した第6の実施形態について説明する。
図9に、本実施形態にかかる光電変換モジュールの構成を示す。本実施形態にかかる電光変換モジュール1においては、複合成形体12は、耐熱性の高い不透明高分子含有材料で成形され、下部に接合位置決め用突起部が形成された第1成形体12aと、透明な高分子含有材料によって上部に光導波路を形成した第2成形体12bとで形成されている。
本実施形態にかかる電光変換モジュール1の製造方法について説明する。本実施形態にかかる光電変換モジュール1を製造する際に用いるモールドの構成を図10に示す。
不透明な高分子材料を用いた第1成形体12aを成形するために下側金型30及び第1の上側金型40aを組み合わせて用いる。なお、下側金型30には、射出成形又はトランスファ成形時の成形用不透明材料の注入口となる第1の注入成形口31が設けられている。
下側金型30と第1の上側金型40aとの間に、第1の成形注入口31から材料を注入して第1成形体12aを形成した状態を図11に示す。
その後、図12に示すように、下側金型30はそのままに第1の上型金型40aを別の金型(第2の上側金型40b)に交換する。なお、第2の上側金型40bには射出成形又はトランスファ成形時の注入口となる第2の注入成形口41が設けられている。その後、図13に示すように、第2の注入成形口41から透明成形材料を注入して、光結合素子である成形レンズ122を含む第2成形体12bを形成する。その後、下側金型と第2の上側金型とを分離することにより、図14に示すような不透明な第1成形体12aと透明な第2成形体12bとからなる複合成形体12が形成される。
不透明な高分子材料を用いた第1成形体12aを成形するために下側金型30及び第1の上側金型40aを組み合わせて用いる。なお、下側金型30には、射出成形又はトランスファ成形時の成形用不透明材料の注入口となる第1の注入成形口31が設けられている。
下側金型30と第1の上側金型40aとの間に、第1の成形注入口31から材料を注入して第1成形体12aを形成した状態を図11に示す。
その後、図12に示すように、下側金型30はそのままに第1の上型金型40aを別の金型(第2の上側金型40b)に交換する。なお、第2の上側金型40bには射出成形又はトランスファ成形時の注入口となる第2の注入成形口41が設けられている。その後、図13に示すように、第2の注入成形口41から透明成形材料を注入して、光結合素子である成形レンズ122を含む第2成形体12bを形成する。その後、下側金型と第2の上側金型とを分離することにより、図14に示すような不透明な第1成形体12aと透明な第2成形体12bとからなる複合成形体12が形成される。
第2の上側金型40bは、下側金型30と型同士の精度で高精度で位置決めすることができるため、光電変換素子の実装基板となり、接合位置決め用の突起が形成されている不透明な第1成形体12aと光結合素子とを一体成形した透明な第2成形体12bとを光結合素子の実装工程を行うことなく高精度に位置決めできる。
これにより、実装基板となる不透明な第1成形体と光電変換素子とをバンプを用いて接続するだけで、光電変換素子と光結合素子との相対位置を高精度に位置決めできる。バンプ実装は、高精度なセルフアライン効果があるため、電気実装を行うのみで(アクティブアライメント等を行うことなく)簡単に位置決めできる。また、一つの型から複数の成形体を形成できるため、成形体及び光結合素子を容易に量産でき、材料コストのみならず作業時間の短縮による製造コスト低減を図れる。
なお、成形は、熱可塑性樹脂を用いた射出成形に限定されることはなく、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いても良い。
なお、成形は、熱可塑性樹脂を用いた射出成形に限定されることはなく、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いても良い。
上記各実施形態は本発明の好適な実施の一例であり本発明はこれに限定されることは無い。
例えば、上記各実施形態においては、成形レンズ及び光導波路を光結合素子として備える構成を例に説明したが、これに限定されることはなく、成形で形成できる回折レンズ、マイクロフレネルレンズ、中空導波路(コア部が空気で、導波路壁面が高反射率の金属の導波路)などでも良い。
また、光電変換素子(面発光レーザ、受光素子)は、単一の素子である場合を例に説明したが、複数個が同一基板にアレイ状に配列されたアレイ素子であっても同様に適用可能である。なお、アレイ素子を適用する場合その配列方向は、各実施形態とも図示した構成において紙面に垂直に配列される。
また、上記各実施形態においては、電光変換素子として面発光レーザを用いる構成を例に説明したが、端面発光の半導体レーザ、面発光LED、端面発光LEDでも良い。
さらに、本発明は電光変換素子と光導波路との組合せや、電光変換素子と成形レンズとの組合せでも良いことは言うまでもない。
このように本発明は様々な変形が可能である。
例えば、上記各実施形態においては、成形レンズ及び光導波路を光結合素子として備える構成を例に説明したが、これに限定されることはなく、成形で形成できる回折レンズ、マイクロフレネルレンズ、中空導波路(コア部が空気で、導波路壁面が高反射率の金属の導波路)などでも良い。
また、光電変換素子(面発光レーザ、受光素子)は、単一の素子である場合を例に説明したが、複数個が同一基板にアレイ状に配列されたアレイ素子であっても同様に適用可能である。なお、アレイ素子を適用する場合その配列方向は、各実施形態とも図示した構成において紙面に垂直に配列される。
また、上記各実施形態においては、電光変換素子として面発光レーザを用いる構成を例に説明したが、端面発光の半導体レーザ、面発光LED、端面発光LEDでも良い。
さらに、本発明は電光変換素子と光導波路との組合せや、電光変換素子と成形レンズとの組合せでも良いことは言うまでもない。
このように本発明は様々な変形が可能である。
1 電光変換モジュール
11 面発光レーザ
12 成形体
12a 第1成形体
12b 第2成形体
13、16、17、19 バンプ
14 レーザ駆動回路
15 中間基板
18 プリント基板
20 樹脂含有材料(樹脂)
21 受光素子
30 下側金型
31 第1の注入成形口
40a 第1の上側金型
40b 第2の上側金型
41 第2の注入成形口
121 電気配線
122 光結合素子
123 突起部
124、126、151 電極パッド
127 光導波路
11 面発光レーザ
12 成形体
12a 第1成形体
12b 第2成形体
13、16、17、19 バンプ
14 レーザ駆動回路
15 中間基板
18 プリント基板
20 樹脂含有材料(樹脂)
21 受光素子
30 下側金型
31 第1の注入成形口
40a 第1の上側金型
40b 第2の上側金型
41 第2の注入成形口
121 電気配線
122 光結合素子
123 突起部
124、126、151 電極パッド
127 光導波路
Claims (14)
- 電気信号を光信号へ変換する電光変換素子と、該電光変換素子の電極に接続される電気配線を備え前記電光変換素子からの光を平行光化するための光平行化手段が一体形成された成形体とを有する電光変換モジュールであって、
前記成形体は、前記電光変換素子との接合部に突起が一体形成されており、
前記電気配線に接続された電極パッドを前記突起上に設けられ、該電極パッドと前記電光変換素子上の電極とが、投影面積が前記突起の先端部以上であるバンプを介し電気的に接続されていることを特徴とする電光変換モジュール。 - 前記電光変換素子と前記成形体との間には、前記成形体と前記電光変換素子とを接合した後で、該電光変換素子に用いられる光の波長に対して略透明で、該成形体と該電光変換素子とに対して接着力を備えた樹脂含有材料が充填されたことを特徴とする請求項1記載の電光変換モジュール。
- 前記光平行化手段が成形レンズであることを特徴とする請求項1又は2記載の電光変換モジュール。
- 前記光平行化手段が光導波路であることを特徴とする請求項1又は2記載の電光変換モジュール。
- 前記成形体は、前記電光変換素子に用いられる光の波長に対して透明な材料で形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の電光変換モジュール。
- 前記成形体は、前記電光変換素子に用いられる光の波長に対して不透明で耐熱性が高く、かつ熱膨張の小さい高分子含有材料で形成され、該電光変換素子と対向する部分に貫通孔が形成された第1成形体と、前記電光変換素子に用いられる光の波長に対して透明な材料からなり、前記光結合素子が形成される第2成形体とが一体となって構成されたことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の電光変換モジュール。
- 前記第1成形体と前記第2成形体とが、少なくとも一つの型を共用して連続成形されたことを特徴とする請求項6記載の電光変換モジュール。
- 光信号を電気信号へ変換する光電変換素子と、該光電変換素子の電極に接続される電気配線を備え前記光電変換素子との光結合を行うために光結合素子が一体形成された成形体とを有する光電変換モジュールであって、
前記成形体は、前記光電変換素子との接合部に突起が一体形成されており、
前記電気配線に接続された電極パッドを前記突起上に設けられ、該電極パッドと前記光電変換素子上の電極とが、投影面積が前記突起の先端部以上であるバンプを介し電気的に接続されていることを特徴とする光電変換モジュール。 - 前記光電変換素子と前記成形体との間には、前記成形体と前記光電変換素子とを接合した後で、該光電変換素子に用いられる光の波長に対して略透明で、該成形体と該光電変換素子とに対して接着力を備えた樹脂含有材料が充填されたことを特徴とする請求項8記載の光電変換モジュール。
- 前記光結合素子が成形レンズであることを特徴とする請求項8又は9項記載の光電変換モジュール。
- 前記光結合素子が光導波路であることを特徴とする請求項8又は9記載の光電変換モジュール。
- 前記成形体は、前記光電変換素子に用いられる光の波長に対して透明な材料で形成されていることを特徴とする請求項8から11のいずれか1項記載の光電変換モジュール。
- 前記成形体は、前記光電変換素子に用いられる光の波長に対して不透明で耐熱性が高く、かつ熱膨張の小さい高分子含有材料で形成され、該光電変換素子と対向する部分に貫通孔が形成された第1成形体と、前記光電変換素子に用いられる光の波長に対して透明な材料からなり、前記光結合素子が形成される第2成形体とが一体となって構成されたことを特徴とする請求項8から11のいずれか1項記載の光電変換モジュール。
- 前記第1成形体と前記第2成形体とが、少なくとも一つの型を共用して連続成形されたことを特徴とする請求項13記載の光電変換モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005036157A JP2005340770A (ja) | 2004-04-30 | 2005-02-14 | 電光変換モジュール及び光電変換モジュール |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004135603 | 2004-04-30 | ||
| JP2005036157A JP2005340770A (ja) | 2004-04-30 | 2005-02-14 | 電光変換モジュール及び光電変換モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005340770A true JP2005340770A (ja) | 2005-12-08 |
Family
ID=35493932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005036157A Withdrawn JP2005340770A (ja) | 2004-04-30 | 2005-02-14 | 電光変換モジュール及び光電変換モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005340770A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009001461A1 (ja) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Fujitsu Limited | 光サブアセンブリの製造方法、光サブアセンブリ、光インタコネクト用デバイス、wdm発振器および受信回路 |
| EP2416372A4 (en) * | 2009-03-30 | 2014-03-26 | Autonetworks Technologies Ltd | OPTICAL COMMUNICATION MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| EP2416368A4 (en) * | 2009-03-30 | 2014-04-02 | Autonetworks Technologies Ltd | OPTICAL COMMUNICATION MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| JP2017204541A (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | 株式会社リコー | 光源ユニット及びレーザユニット |
-
2005
- 2005-02-14 JP JP2005036157A patent/JP2005340770A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009001461A1 (ja) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Fujitsu Limited | 光サブアセンブリの製造方法、光サブアセンブリ、光インタコネクト用デバイス、wdm発振器および受信回路 |
| US8162547B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-04-24 | Fujitsu Limited | Optical subassembly manufacturing method |
| EP2416372A4 (en) * | 2009-03-30 | 2014-03-26 | Autonetworks Technologies Ltd | OPTICAL COMMUNICATION MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| EP2416368A4 (en) * | 2009-03-30 | 2014-04-02 | Autonetworks Technologies Ltd | OPTICAL COMMUNICATION MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| JP2017204541A (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | 株式会社リコー | 光源ユニット及びレーザユニット |
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|---|---|---|---|
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