JP2005340198A - 有機電界発光表示素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ピクセル不良を防止できる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の有機電界発光表示素子160は、基板上に形成された薄膜トランジスタアレー174と、該薄膜トランジスターに接続された第1電極200と、該第1電極を露出させると共にそれぞれの画素を分離するための少なくとも一つの絶縁膜180,182と、前記第1電極200に重なる有機発光層178と、該有機発光層上に形成された第2電極170を備えることを特徴とする。
【選択図】 図６

Description

本発明は有機電界発光表示素子に関し、特に、有機発光層の損傷を防止することができる能動型有機電界発光表示素子およびその製造方法に関する。

最近、陰極線管の短所である重さと嵩を減らすことができる各種の平板表示装置らが開発されている。このような平板表示装置は液晶表示装置(以下"LCD"という)、電界放出表示装置（以下"FED"という)、プラズマディスプレイパネル(以下"PDP"という)およびエレクトロルミネセンス(以下"ELという)素子などがある。このような平板表示装置の表示品質を高め、大画面化を指向する研究が活発に進められている。

これらのうちPDPは、構造と製造工程が単純であるため軽薄短小でありながらも大画面化に最も有利な表示装置として注目を受けているが、発光効率と輝度が低く消費電力が多大な短所がある。これに比べて、スイッチング素子で薄膜トランジスタ(以下"TFT"という)が適用されたアクティブマトリックスLCDは半導体工程を利用するため大画面化が難しく、バックライトユニットに因り消費電力が多大な短所があり、偏光フィルター、プリズムシート、拡散板などの光学素子により光損失が多く視野角が狭い特性がある。

これに比べて、EL素子は発光層の材料によって無機EL素子と有機EL素子に大別され、自ら発光する自発光素子で応答速度が早く、発光効率と輝度が高く視野角が広い長所がある。無機EL素子は有機EL素子に比べて電力の消耗が多大であり、高輝度を得られなく、R・G・Bの多様な色を発光させることができない。反面に、有機EL素子は数10ボルトの低い直流電圧で駆動できると共に、早い応答速度を有し、高輝度を得ることができ、R・G・Bの多様な色を発光させることができるため、次世代の平板ディスプレイ素子に適合する。

このような有機EL素子を駆動する方式は受動マトリックス型と能動マトリックス型に分けられる。
受動マトリックス型の有機EL表示素子は、その構成が単純であるため製造方法もまた単純であるが、多大な消費電力と表示素子の大画面化に難点があり、配線の数が増加するほど開口率が低下する短所がある。反面に、能動マトリックス型の有機EL表示素子は、高い発光効率と高画質を提供し得る長所がある。

図１は、従来の能動型有機EL表示素子の構成を概略的に示した図面である。
図１に図示された有機EL表示素子は、透明な基板52の上部に薄膜トランジスタTアレー部74と、該薄膜トランジスタTアレー部74の上部に第1電極100、各ピクセルを分離するための絶縁膜(図示せず)、有機発光層78および第2電極70が構成される。

この際、有機発光層78は、赤R・緑G・青Bのカラーを表現するようになるが、一般的な方法では、各ピクセル毎に有機物および赤・緑・青色を発光する別途の有機物質がパターニングされることにより形成される。

このような有機EL表示素子は、図２に図示された通り、第1電極100と第2電極70との間に電圧が印加されると、第2電極70から発生した電子は、電子注入層78aおよび電子輸送層78bを通じて発光層78c側へ移動する。また、第1電極100から発生した正孔は、正孔注入層78ｄおよび正孔輸送層78ｄを通じて発光層18ｃ側へ移動する。これによって、発光層18cでは、電子輸送層78bと正孔輸送層78dから供給された電子と正孔が衝突して再結合することにより光が発生するようになり、この光は、第1電極100を通じて外部へ放出されて画像が表示されるようになる。

このような有機EL表示素子には、水分および酸素によって容易に劣化する特性がある。このような問題を解決するためにカプセル被覆(Encapsulation)工程が施行されることにより、有機ELアレー60が形成された基板52とキャップ65は、シーラント76を通じて接合される。

キャップ65は、発光時に発生する熱を放出すると共に外力や大気中の酸素および水分から有機ELアレー60を保護するようになる。

ゲッター72は、パッケージング板78の一部がエッチングされた後、エッチングされた部分に詰められ半透膜75により固定される。

このような能動型有機EL表示素子は、図３に図示された通り、ゲートラインGLとデータラインDLの交差部分に形成される領域にそれぞれ配列されたピクセル150を備えている。ピクセル150の各々は、ゲートラインGLにゲートパルスが供給されるとき、データラインDLからのデータ信号の供給を受けてそのデータ信号に相応する光を発生するようになる。

このために、ピクセル150の各々は、基底電圧源GNDに陰極が接続されたELセルOELと、ゲートラインGLおよびデータラインDLと供給電圧源VDDに接続されELセルOELの両極に接続されて、そのELセルOELを駆動するためのセル駆動部151を備えている。セル駆動部152は、スイッチング用薄膜トランジスタT1、駆動用薄膜トランジスタT2およびキャパシターCを備えている。

スイッチング用薄膜トランジスタT1は、ゲートラインGLにスキャンパルスが供給されると、ターン−オンしてデータラインDLに供給されたデータ信号を、第1ノードN1に供給する。第1ノードN1に供給されたデータ信号は、キャパシターCに充填されると共に駆動用薄膜トランジスタT2のゲート端子に供給される。駆動用薄膜トランジスタT2は、ゲート端子に供給されるデータ信号に応答して供給電圧源VDDからELセルOELに供給される電流量Iを制御することにより、ELセルOELの発光量を調節するようになる。そして、スイッチング用薄膜トランジスタT1がターン−オフされても、キャパシターCからデータ信号が放電されるため、駆動用薄膜トランジスタT２は、次のフレームのデータ信号が供給されるときまで、供給電圧源VDDからの電流IをELセルOELに供給してELセルOELが発光を維持するようにする。

図4A〜図4Eは、従来の能動型有機EL表示素子の製造方法を説明するための図面である。

先ず、図4Aに図示された通り、基板52上に薄膜トランジスタTアレー部74が形成される。ここで、薄膜トランジスタTアレー部74は、ゲート電極、ドレーン電極、ソース電極、半導体パターンなどで構成される薄膜トランジスタTと、ゲートラインなどの信号ラインとを含む。

薄膜トランジスタTアレー部７４が形成された基板52に、スパッタリングなどの蒸着方法により透明電極物質が全面蒸着された後、フォトリソグラフィー工程およびエッチング工程により、透明電極物質がパターニングされる。これによって、図4Bに図示された通り、トランジスタTと接続されると共に発光領域P1に位置する第1電極100が形成される。ここで、透明電極物質としてはインジウム錫酸化物(ITO)や錫酸化物(TO)またはインジウム亜鉛酸化物(IZO)が利用される。

ポリイミドなどの感光性絶縁物質が蒸着された後、第1電極100が形成された基板52上にフォトリソグラフィー工程によって絶縁物質がパターニングされることにより、図4Cに図示された通り、発光領域P1の第1電極100を露出させる絶縁膜80が形成される。

絶縁膜80が形成された基板52上に、真空蒸着、加熱蒸着（thermal growing deposition
)などの蒸着方法を利用して赤R・緑G・青色Bの有機物が蒸着されることにより、図4Dに図示された通り、有機発光層78が形成される。この際、前記有機発光層78は、正孔輸送層、正孔注入層、発光層、電子輸送層、電子注入層などで構成される。

次に、スパッタリングなどの蒸着方法によって、有機発光層78の上部に導電性金属物質が蒸着されることにより、図4Eに図示された通り、第2電極70が形成される。ここで、導電性金属物質としては、アルミニウムAlとカルシウムCaとマグネシウムMgのうち選択されたいずれ一つで形成するか、フッ化リチウム／アルミニウム(LiF／Al)の二重金属層で形成することができる。

このように、薄膜トランジスタTアレー部74乃至第2電極70などが形成された基板52が、シーラント76を通じてキャップ65と結合することにより、能動型有機EL表示素子が形成される。

一方、このような能動型有機EL表示素子は、有機発光層78の形成時にシャドーマスクの表面に付着する有機物が第1電極100上の有機物にスクラッチを加えると共に第1電極100を露出させることにより、第1および第2電極100,70が互いに電気的に導通することが頻繁に起こる。これを図５Aと５Bを参照して具体的に説明すると次の通りである。

先ず、第1電極100が形成された基板52上に、共通マスク35が整列された後、正孔注入層および正孔輸送層(以下"第1有機物"という)79が、有機ELアレー60の全面に形成される。ここで、共通マスク35は有機ELアレー60の領域を全面露出させることにより、図５Aに図示された通り、第1有機物79が第1電極100の形成された発光領域P1だけでなく非発光領域P2の上にも蒸着される。

以後、基板2上部にシャドーマスク45が整列されマスク45の透過部46を通じて露出された領域に、特定発光層78c、例えば、図５Bに図示された通り、赤色Rを生じる発光層78cが形成される。以後、同一のマスク45を順次に移動させて緑色Gを生じる発光層78ｃおよび青色Bを生じる発光層78ｃを形成する。ここで、シャドーマスク45は、例えば、赤色Rを生じる発光層78ｃの形成時に、非発光領域P2に形成された第1有機物79と接続することにより、小さい衝撃および工程マージンなどによって第1有機物79が裂けてシャドーマスク45に付着するようになる。このような第1有機物79が付着しているシャドーマスク45を順次に移動させて青色・緑色の発光層78cを形成する場合、シャドーマスク45に付着していた第1有機物79が発光領域P１に形成された有機物に損傷を加えるようになる。これによって、発光領域P1にはスクラッチが発生し、甚だしい場合、第1電極100が露出されることにより、以後に形成される第2電極70と第1電極100が電気的に導通するなどのピクセル不良問題が発生する。

従って、本発明の目的は、有機発光層の損傷を防止することによりピクセル不良の発生を防止できる有機電界発光表示素子およびその製造方法を提供することにある。

前記目的を達成するために、本発明による有機電界発光表示素子は、基板上に形成された薄膜トランジスタアレーと；該薄膜トランジスタに接続された第1電極と；該第1電極を露出させると共にそれぞれの画素を分離するための少なくとも一つの絶縁膜と；前記第1電極に重なる有機発光層と；該有機発光層上に形成された第2電極とを備えることを特徴とする。

前記少なくとも一つの絶縁膜は、それぞれの画素を分離するための第1絶縁膜と；該第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜を含むことを特徴とする。
前記第1および第2絶縁膜の高さは、それぞれ約1〜5μmであることを特徴とする。
前記絶縁膜上に形成されたスペーサーを更に備えることを特徴とする。

前記スペーサーの高さは、約2〜7μmであることを特徴とする。
前記有機発光層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層を含むことを特徴とする。

本発明による有機電界発光表示素子の製造方法は、基板上に薄膜トランジスタアレーを形成する段階と；該薄膜トランジスタに接続される第1電極を形成する段階と；該第1電極を露出させると共にそれぞれの画素を分離するための少なくとも一つの絶縁膜を形成する段階と；前記第1電極に重なる有機発光層を形成する段階と；該有機発光層上に第2電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。

前記少なくとも一つの絶縁膜を形成する段階は、それぞれの画素を分離するための第1絶縁膜を形成する段階と；該第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する段階を含むことを特徴とする。

前記第1および第2絶縁膜は、それぞれ約１〜5μmの高さを有するように形成されることを特徴とする。
前記絶縁膜上にスペーサーを形成する段階を更に含むことを特徴とする。
前記スペーサーは、約2〜7μmの高さを有するように形成されることを特徴とする。

前記有機発光層を形成する段階は、共通マスクを利用して正孔注入層および正孔輸送層を形成する段階と；該正孔輸送層上にシャドーマスクを順次に移動させて赤色・緑色および青色を生じる発光層を形成する段階と；前記共通マスクを利用して電子輸送層および電子注入層を形成する段階を含むことを特徴とする。

本発明による有機電界発光表示素子およびその製造方法は、絶縁膜を二重層に形成するか絶縁膜上にスペーサーを形成することによりマスクと電極間の距離を充分に遠くする。これによって、有機発光層の損傷、第1および第2電極の導通などによるピクセル不良を防止することができるようになる。

以下、添付図面を参照して本発明による有機電界発光表示素子について詳細に説明する。以下、図６〜図10Dを参照しながら本発明の望ましい実施例について説明することにする。

図６は、本発明の第１実施例による能動型有機EL表示素子の有機ELアレーを示した図面である。
能動型有機EL表示素子は、図６に図示された有機ELアレー160と、有機ELアレー160をパッケージングするためのキャップ(図示せず)を備えている。

図６に図示された能動型有機EL表示素子の有機ELアレー160は、透明な基板152の上部にスイッチングおよび駆動のための薄膜トランジスタTなどを含むアレー部174と、該薄膜トランジスタTアレー部174の上部に第1電極200、各ピクセルを分離するための第1および第2絶縁膜180，182、有機発光層178と第2電極170が構成されている。

有機発光層178は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層で構成されている。

このような有機ELアレー160の第1電極と第2電極170との間に電圧が印加されると、第2電極170から発生した電子は電子注入層および電子輸送層を通じて発光層側へ移動する。また、第1電極200から発生した正孔は、正孔注入層および正孔輸送層を通じて発光層側へ移動する。これによって、発光層では電子輸送層と正孔輸送層から供給された電子と正孔が衝突して再結合することによって光が発生するようになり、この光は、第1電極200を通じて外部へ放出されて画像が表示されるようになる。

一方、有機ELアレー160の第1絶縁膜180は、第1電極200を露出させると共にそれぞれのピクセルPを分離する役割をする。

第2絶縁膜182は、第１絶縁膜180上に所定の高さを有するように形成されることにより、それぞれのピクセルを分離すると共に有機発光層178の形成時にピクセル不良を防止する役割をする。

これを具体的に説明すると、第1電極200が形成された基板152上に共通マスクを利用して、有機ELアレー160の全面に、正孔注入層及び正孔輸送層(以下"第1有機物"という)が形成された後、シャドーマスクを順次に移動させて、赤色・緑色および青色を生じる発光層を形成するようになる。この際、シャドーマスクは、非発光領域の第2絶縁膜182上に形成された第1有機物と接続することにより、第1有機物がシャドーマスクに付着するようになる。以後、このシャドーマスクを順次に移動させて、例えば、緑色および青色の発光層を形成する場合、所定の高さを有する第2絶縁膜182が、第1絶縁膜180上に形成されることにより、従来に比べてシャドーマスクと第1電極間の距離を充分に遠くすることができるようになる。

これによって、第1有機物が付着したシャドーマスクを移動させてもシャドーマスクの第1電極200上の距離が充分に遠いため、第1有機物が第1電極200上に位置する有機物と接続することが発生しないようになる。これによって、有機発光層178の損傷が防止されることにより、第1電極200と第2電極170が導通するなどのピクセル不良が起こらないようになる。ここで、第1絶縁膜180および第2絶縁膜182の高さd1，d2は、それぞれ約1〜5μm、望ましくは約2〜3μmである。

以下、図7A〜図7Fは、本発明の第1実施例による能動型有機EL表示素子の製造方法を説明するための図面である。

先ず、図7Aに図示された通り、基板152上に薄膜トランジスタTアレー部174が形成される。ここで、薄膜トランジスタTアレー部174は、ゲート電極、ドレーン電極、ソース電極、半導体パターンなどで構成される薄膜トランジスタT、ゲートラインなどの信号ラインなどを含む。

薄膜トランジスタTアレー部174が形成された基板152は、スパッタリングなどの蒸着方法により透明電極物質が全面蒸着された後、フォトリソグラフィー工程およびエッチング工程により透明電極物質がパターニングされる。これによって、図7Bに図示された通り、薄膜トランジスタTと接続されると共に発光領域P1に位置する第1電極200が形成される。ここで、透明電極物質としてはインジウム錫酸化物(ITO)や錫酸化物(TO)またはインジウム亜鉛酸化物(IZO)が利用される。

第1電極200が形成された基板152上にポリイミドなどの感光性絶縁物質が蒸着された後、フォトリソグラフィー工程により絶縁物質がパターニングされることにより、図７Cに図示された通り、発光領域P1の第1電極200を露出させる第1絶縁膜180が形成される。

第1絶縁膜180が形成された基板152上にポリイミドなどの感光性絶縁物質が蒸着された後、フォトリソグラフィー工程によって絶縁物質がパターニングされることにより、図7Dに図示された通り、第1絶縁膜180上に第2絶縁膜182が形成される。ここで、第1絶縁膜180および第2絶縁膜182の高さd1，d2は、それぞれ約1〜5μm、望ましくは約2〜3μmである。

真空蒸着、加熱蒸着などの蒸着方法を利用して、第1および第2絶縁膜180，182が形成された基板152上に赤R・緑G・青色Bの有機物が蒸着されることにより、図７Eに図示された通り、有機発光層178が形成される。この際、前記有機発光層178は、正孔輸送層、正孔注入層、発光層、電子輸送層、電子注入層などで構成される。ここで、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層を形成する場合には、有機ELアレーを全面露出させる共通マスクが利用され、発光層を形成する場合には、特定発光領域だけを露出させるシャドーマスクが利用される。

次に、前記有機発光層178の上部にスパッタリングなどの蒸着方法によって導電性金属物質が蒸着されることにより、図7Fに図示された通り、第2電極170が形成される。ここで、導電性金属物質としては、アルミニウムAlとカルシウムCaとマグネシウムMgのうち選択されたいずれ一つで形成するか、フッ化リチウム／アルミニウム(LiF／Al)の二重金属層で形成することができる。これによって、有機ELアレー160が形成される。

このように、薄膜トランジスタTアレー部174乃至第2電極170などの有機ELアレー160が、キャップ(図示せず)によってパッケージングされることにより、有機EL表示素子が形成される。

このように、本発明の第1実施例による有機EL表示素子およびその製造方法は、第1絶縁膜180上に所定の高さを有する第2絶縁膜182が形成される。第2絶縁膜182は、有機発光層178の形成時にシャドーマスクと第1電極200上に有機物間の距離を充分に離隔する役割をするようになる。これによって、有機発光層178の形成時にシャドーマスクに付着する第1有機物による有機発光層の損傷を防止することができることにより、第1および第2電極が導通するなどのピクセル不良を防止することができるようになる。

図８は、本発明の第2実施例による有機EL表示素子の有機ELアレー160を示した図面であり、図９は、図８に図示された有機ELアレーを示した平面図である。

図９に図示された有機ELアレー160は、図６に図示された有機ELアレー160と対比して見れば、第2絶縁膜182の代わりにスペーサー183が形成されることを除いては同一の構成要素らを有しているため、図８と同一の構成要素らに対しては同一の番号を付与し詳細な説明は省略することにする。

図８に図示された有機ELアレー160は、第1絶縁膜180上に所定の高さを有するスペーサー183が形成される。このスペーサー183は、2〜7μm、望ましくは約3〜6μmの高さd3に形成される。即ち、第1実施例における第2絶縁膜183よって相対的に高い高さに形成することにより、有機発光層178および第2電極170は、スペーサー183が形成された領域で部分的に断線されるようになる。このようなスペーサー183は、図９に図示された通り、第1絶縁膜180上に無作為的に少なくとも一つ以上形成されることにより、有機発光層178の形成時に、シャドーマスクと第1電極200上に有機物間の距離を充分に遠くする役割をするようになる。これによって、有機発光層178の形成時にシャドーマスクに付着する第1有機物による有機発光層178の損傷を防止することができることにより、第1および第2電極200，178が導通するなどのピクセル不良を防止することができる。

以下、図10A〜図10Cは、本発明の第2実施例による能動型有機EL表示素子の製造方法を説明するための図面である。

先ず、本発明の第1実施例を図示した図7A〜図7Cの説明と同一の方式で、図10Aに図示された通り、基板152上に薄膜トランジスタTアレー部174、第1電極200および第1絶縁膜180が形成される。以後、ポリイミドなどの感光性絶縁物質が蒸着された後、フォトリソグラフィー工程によって絶縁物質がパターニングされることにより、図10Bに図示された通り、第1絶縁膜180上にスペーサー183が形成される。ここで、スペーサー183は本発明の第2実施例の第2絶縁膜182とは異に第1絶縁膜182上に無作為的に少なくとも一つ以上、高さd3は2〜7μm、望ましくは約3〜6μmを有するように形成される。

真空蒸着、加熱蒸着などの蒸着方法を利用して、スペーサー183が形成された基板152上に赤R・緑G・青色Bの有機物が蒸着されることにより、図10Cに図示された通り、有機発光層178が形成される。この有機発光層178は、正孔輸送層、正孔注入層、発光層、電子輸送層、電子注入層などで構成されると共にスペーサー183が形成された領域では、スペーサー183の端子に因り部分的に断線されるように形成される。ここで、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層を形成する場合には、有機ELアレー160を全面露出させる共通マスクが利用され、発光層を形成する場合には、特定発光領域だけを露出させるシャドーマスクが利用される。

次に、有機発光層178の上部にスパッタリングなどの蒸着方法によって導電性金属物質が蒸着されることにより、図10Dに図示された通り、第2電極170が形成される。ここで、導電性金属物質としては、アルミニウムAlとカルシウムCaとマグネシウムMgのうち選択されたいずれ一つで形成するか、フッ化リチウム／アルミニウム(LiF／Al)の二重金属層で形成することができる。これによって、有機ELアレー160が形成される。

このように、薄膜トランジスタTアレー部174乃至第2電極170などの有機ELアレー160がキャップ(図示せず)によりパッケージングされることにより有機EL表示素子が形成される。

このように、本発明による有機EL表示素子およびその製造方法は、第1絶縁膜180上に所定の高さを有する第2絶縁膜182およびスペーサー183のうち少なくともいずれ一つが形成される。第2絶縁膜182およびスペーサー183は、有機発光層178の形成時にシャドーマスクと第1電極200上に有機物を充分に離隔する役割をするようになる。これによって、有機発光層178の形成時にシャドーマスクに付着する第1有機物による有機発光層178の損傷を防止することができることにより、第1および第2電極200，170が導通するなどのピクセル不良を防止することができる。

従来の能動型有機電界発光表示素子を示した断面図である。 従来の有機電界発光表示素子の発光原理を説明するためのダイヤグラムを示した図面である。 従来の能動型有機電界発光表示素子のピクセルを示した回路図である。 従来の有機電界発光表示素子の製造方法の第１工程を示した図面である。 従来の有機電界発光表示素子の製造方法の第２工程を示した図面である。 従来の有機電界発光表示素子の製造方法の第３工程を示した図面である。 従来の有機電界発光表示素子の製造方法の第４工程を示した図面である。 従来の有機電界発光表示素子の製造方法の第５工程を示した図面である。 有機発光層の形成を具体的に説明するための図面である。 有機発光層の形成を具体的に説明するための図面である。 本発明の第1実施例による有機電界発光表示素子の有機電界発光アレーを示した断面図である。 図６に図示された有機電界発光アレーの製造方法の第１工程を示した図面である。 図６に図示された有機電界発光アレーの製造方法の第２工程を示した図面である。 図６に図示された有機電界発光アレーの製造方法の第３工程を示した図面である。 図６に図示された有機電界発光アレーの製造方法の第４工程を示した図面である。 図６に図示された有機電界発光アレーの製造方法の第５工程を示した図面である。 図６に図示された有機電界発光アレーの製造方法の第６工程を示した図面である。 本発明の第2実施例による有機電界発光表示素子の有機電界発光アレーを示した断面図である。 図８に図示された有機電界発光アレーを示した平面図である。 図８に図示された有機電界発光アレーの製造方法の第１工程を示した図面である。 図８に図示された有機電界発光アレーの製造方法の第２工程を示した図面である。 図８に図示された有機電界発光アレーの製造方法の第３工程を示した図面である。 図８に図示された有機電界発光アレーの製造方法の第４工程を示した図面である。

符号の説明

52，152 基板
60，100 有機電界発光アレー
65 キャップ
70，170 第2電極
76 シーラント
78，178 有機発光層
100，200 第1電極
174 トランジスタTアレー部
180,182 絶縁層

Claims (10)

1. 基板上に形成された薄膜トランジスタアレーと；
   前記薄膜トランジスタに接続された第１電極と；
   前記第１電極を露出させると共にそれぞれの画素を分離するための少なくとも一つの絶縁膜と；
   前記第１電極に重なる有機発光層と；
   前記有機発光層上に形成された第２電極とを備えることを特徴とする有機電界発光表示素子。
2. 前記少なくとも一つの絶縁膜は、
   それぞれの画素を分離するための第1絶縁膜と；
   前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜を含むことを特徴とする請求項1記載の有機電界発光表示素子。
3. 前記第1および第2絶縁膜の高さは、それぞれ約1〜5μmであることを特徴とする請求項2記載の有機電界発光表示素子。
4. 前記絶縁膜上に形成されたスペーサーを更に備えることを特徴とする請求項1記載の有機電界発光表示素子。
5. 前記スペーサーの高さは、約2〜7μmであることを特徴とする請求項4記載の有機電界発光表示素子。
6. 基板上に薄膜トランジスタアレーを形成する段階と；
   前記薄膜トランジスタに接続される第1電極を形成する段階と；
   前記第1電極を露出させると共にそれぞれの画素を分離するための少なくとも一つの絶縁膜を形成する段階と；
   前記第1電極に重なる有機発光層を形成する段階と；
   前記有機発光層上に第2電極を形成する段階とを含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。
7. 前記少なくとも一つの絶縁膜を形成する段階は、
   それぞれの画素を分離するための第1絶縁膜を形成する段階と；
   前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項6記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
8. 前記第1および第2絶縁膜は、それぞれ約1〜5μmの高さを有するように形成されることを特徴とする請求項7記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
9. 前記絶縁膜上にスペーサーを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項6記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
10. 前記スペーサーは、約2〜7μmの高さを有するように形成されたことを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
    
    

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