JP2005227110A - 振動型ジャイロセンサ素子の製造方法及び振動型ジャイロセンサ素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 小型で感度の高い、片持ち梁形状の振動子を有する振動型ジャイロセンサ素子を製造する。
【解決手段】 一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板１の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、第１の開口部に対して振動子１１の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、下部電極４ａ、圧電薄膜５a、上部電極６ａ，６ｂ，６ｃが形成された他方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、振動子１１を片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、第２の開口部に対して反応性イオンエッチングを行うことで、振動子１１を形成する。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば、ビデオカメラの手振れ検知や、バーチャルリアリティ装置における動作検知や、カーナビゲーションシステムにおける方向検知などに用いられる角速度センサに関し、詳しくは、片持ち梁の振動子を有する小型の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法及び振動型ジャイロセンサ素子に関する。

従来より、民生用の角速度センサとしては、片持ち梁の振動子を所定の共振周波数で振動させておき、角速度の影響によって生じるコリオリ力を圧電素子などで検出することによって角速度を検出する、いわゆる振動型のジャイロセンサ（以下、振動型ジャイロセンサと呼ぶ。）が、広く使用されている。

振動型ジャイロセンサは、単純な機構、短い起動時間、安価で製造可能といった利点を有しており、例えば、ビデオカメラ、バーチャルリアリティ装置、カーナビゲーションシステムなどの電子機器に搭載され、それぞれ手振れ検知、動作検知、方向検知などをする際のセンサとして活用されている。

振動型ジャイロセンサは、搭載される電子機器の小型化、高性能化に伴い、小型化、高性能化が要求されている。例えば、電子機器の多機能化のため、他の用途で用いる各種センサと組み合わせて、振動型ジャイロセンサを一基板上に搭載させ、小型化を図るといった要請がある。

ところが、振動型ジャイロセンサは、圧電材料を機械加工によって切り出し、整形をすることで振動子を作製していたため、上述したような小型化を行うのに加工精度に限界があり、所望の性能を得ることができないといった問題があった。

そこで、振動子を、単結晶シリコン基板上に圧電材料で薄膜を形成することで作製し、小型化した圧電振動角速度計、つまり振動型ジャイロセンサが考案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。

この、特許文献１、特許文献２で示されている圧電振動角速度計では、圧電薄膜を形成した単結晶シリコン基板から片持ち梁の振動子を削り出すために、結晶異方性エッチングのみを行って振動子周りの空隙部分を確保している。

この特許文献１、特許文献２では、シリコン単結晶基板として、シリコン（１００）面ウエハを用い、当該ウエハのオリエンテーションフラットに対し、平行または垂直にマスクパターンを作ることで振動子を形成する手法が開示されている。また、特許文献１、特許文献２では、シリコン単結晶基板として、シリコン（１１０）面ウエハを用い、当該ウエハのオリエンテーションフラットに対し５５度または１４５度の角度のマスクパターンを作ることで振動子を形成する手法が開示されている。

しかしながら、シリコン（１００）面ウエハに上記マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングのみで、振動子を形成すると、振動子の側面は、表面の（１００）面に対して５５度を有する（１１１）面となる。

したがって、振動子の形状は、断面形状が直角四辺形の四角柱とはならず、このようにして形成された振動型ジャイロセンサは、上記角度の傾斜によって振動子の周りの空隙部分が狭くなるためセンサ感度が低下してしまうといった問題や、小型化に制限があるといった問題、振動子を振動させる効率が非常に悪くなってしまうといった問題などを生じてしまう。

一方、シリコン（１１０）面ウエハに上記マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングのみで、振動子を形成すると、振動子の側面は、表面の（１００）面に対して垂直となる（１１１）面となる。

この場合、振動子の形状を上述したような四角柱形状とすることはできるが、互いに直交する二方向の角速度を同時に検出する、いわゆる二軸の振動型ジャイロセンサを形成しようとした場合、面方位の異方性により振動子を直交するように空隙を形成できないといった問題がある。

シリコン加工プロセスを利用し、断面形状が直角四辺形の四角柱である振動子を同一平面内に直交するように形成することで作製した二軸の振動型ジャイロセンサが考案されている（例えば、特許文献３参照。）。

しかしながら、特許文献３では、単にシリコン加工プロセスとのみ記述しているに過ぎず、具体的な製造方法の開示がなされていない。したがって、上述したように、結晶異方性エッチングのみにより、同一平面内に、断面形状が直角四辺形の四角柱である振動子を直交させて形成することはできないため、２軸の振動型ジャイロセンサを作製する手法については未だ開示されていない。

特開平８−２６１７６３号公報 特開平８−３２７３６４号公報 特開平７−１９０７８３号公報

そこで、本発明は、上述したような問題を解決するために案出されたものであり、断面形状が直角四辺形の四角柱となる振動子を有する振動型ジャイロセンサ素子の製造方法及び上記製造方法によって製造された振動型ジャイロセンサ素子、さらには、上記振動子を同一平面内に互いに直交するように備えることで、二方向の角速度を同時に検出する、２軸の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法及び上記製造方法によって製造された振動型ジャイロセンサ素子を提供することを目的とする。

上述の目的を達成するために、本発明に係る振動型ジャイロセンサ素子の製造方法は、下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子の製造方法において、一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記振動子となる領域に、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで、上記振動子を形成することを特徴とする。

上述の目的を達成するために、本発明に係る振動型ジャイロセンサ素子は、下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子において、一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記振動子となる領域に、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで、形成された上記振動子を備えることを特徴とする。

上述の目的を達成するために、本発明に係る振動型ジャイロセンサ素子の製造方法は、下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する直交する２つの片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して直交する２方向の角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子の製造方法において、一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記直交する２つの振動子となる領域にそれぞれ、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を直交する２つの上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで、直交する２つの振動子を形成することを特徴とする。

上述の目的を達成するために、本発明に係る振動型ジャイロセンサ素子は、下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する直交する２つの片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して直交する２方向の角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子において、一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記直交する２つの振動子となる領域にそれぞれ、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を直交する２つの上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで形成された直交する２つの振動子を備えることを特徴とする。

本発明は、｛１００｝面を主面とする単結晶シリコン基板に対して、｛１１０｝面に垂直又は平行な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを用いて結晶異方性エッチングを行い、第２の保護膜パターンを用いて反応性イオンエッチングにより振動子の周りに空隙を設けることで振動子を形成する。

このようにして形成された振動型ジャイロセンサ素子の振動子は、当該振動子を片持ち梁として固定する固定端部が、結晶異方性エッチングにより、他方主面の｛１００｝面に対して、５５度の角度をなす｛１１１｝面を有する。これにより、上記固定端部と振動子との境界線と、反応性イオンエッチングによって規定される振動子の根元線との差が３０μｍ以内であれば離調度が非常に小さいままで一定となるため、非常に感度の高い振動型ジャイロセンサ素子とすることが可能となる。

また、上述した面方位で、結晶異方性エッチングを行い、直交する２方向の振動子を形成するよう空隙を型取った第２の開口部有する第２の保護膜パターンとして用い、反応性イオンエッチングをすることで、直交する２方向の角速度を検出する小型で高性能な２軸の振動型ジャイロセンサ素子を製造することが可能となる。

さらにまた、保護膜パターンを形成する際の位置決めの基準となる貫通穴を、単結晶シリコン基板の表裏面から結晶異方性エッチングをして形成することで、表裏面に保護膜パターンを形成する際の位置決めが簡単に、精度よく行えるため、高価な装置を用いなくとも、大幅に製造コストを下げて振動型ジャイロセンサ素子を製造することを可能とする。

以下、本発明に係る振動型ジャイロセンサ素子の製造方法及び振動型ジャイロセンサ素子を実施するための最良の形態を図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明を適用した角速度センサ５０が備える振動型ジャイロセンサ素子１０の外観斜視図であり、図２は、角速度センサ５０の回路構成の一例を示した図である。なお、説明のため、図１に示す振動型ジャイロセンサ素子１０は、一部を透過して示している。

図１に示すように、振動型ジャイロセンサ素子１０は、いわゆる片持ち梁の振動子１１を備えている。振動子１１は、シリコン単結晶基板から切り出される厚みｔ１、長さｔ２、幅ｔ３の素子から振動子１１の周囲に周囲空間１２を設けることで他端が固定された梁として形成される。振動子１１は、長手方向と垂直な方向にｔ７ｂ及びｔ７ｃの空間幅、長手方向にｔ７ａの空間幅が確保される。なお、ｔ７ｂと、ｔ７ｃとは、同じ長さである。

このような振動子１１は、長手方向に対して垂直な平面で切断したときの断面形状が直角四辺形となる四角柱状に形成されている。

振動型ジャイロセンサ素子１０の大きさは、例えば、上述したように素子の厚みをｔ１、素子の長さをｔ２、素子の幅をｔ３とすると、ｔ１＝３００μｍ、ｔ２＝３ｍｍ、ｔ３＝１ｍｍとすることができる。また、この時の振動子１１の大きさは、図３に示すように振動子の厚みをｔ４、振動子の長さをｔ５、振動子の幅をｔ６とすると、例えば、ｔ４＝１００μｍ、ｔ５＝２．５ｍｍ、ｔ６＝１００μｍとすることができる。

図４に、振動型ジャイロセンサ素子１０の平面図を示す。図４に示すように、振動子１１の上部には、基準電極４ａ、圧電体５ａが順に積層され、さらに圧電体５ａ上に駆動電極６ａと、駆動電極６ａを挟む形で一対の検出電極６ｂ，６ｃとが、振動子１１の長手方向に沿って互いに平行に、且つ接触しないように形成されている。駆動電極６ａ，検出電極６ｂ，６ｃ、基準電極４ａには、それぞれ配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄが設けられている。

圧電体５ａは、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの圧電セラミックスや、水晶、ＬａＴａＯ_３などの圧電単結晶などからなる薄膜である。

このような、振動型ジャイロセンサ素子１０は、図２に示すＩＣ回路４０に接続されることで動作し、角速度に応じて発生するコリオリ力を検出する角速度センサ５０として機能する。

ＩＣ回路４０は、加算回路４１と、増幅回路４２と、移相回路４３と、ＡＧＣ（Automatic Gain Control）４４と、差動増幅回路４５と、同期検波回路４６と、平滑回路４７とを備えている。

振動型ジャイロセンサ素子１０の１対の検出電極６ｂ，６ｃは、それぞれ配線接続端子Ｂ，Ｃを介して、加算回路４１と、差動増幅回路４５に接続される。また、振動型ジャイロセンサ素子１０の駆動電極６ａは、配線接続端子Ａを介して、ＡＧＣ４４の出力端と接続される。

角速度センサ５０では、加算回路４１、増幅回路４２、移相回路４３、ＡＧＣ４４及び振動型ジャイロセンサ素子１０によっていわゆる移相発振回路が構成されており、この移相発振回路によって振動型ジャイロセンサ素子１０の基準電極４ａ、駆動電極６ａ間に電圧が印加され振動子１１を自励振動させる。振動子１１の振動方向は、当該振動子１１の厚み方向となる。

また、角速度センサ５０では、１対の検出電極６ｂ，６ｃが配線接続端子Ｂ，Ｃを介して接続された加算回路４１、差動増幅回路４５の出力端が、同期検波回路４６に接続され、この同期検波回路４６が平滑回路４７に接続されており、これらと、圧電体５ａとで、振動子１１の角速度を検出する検出部として機能する。

すなわち、図２に示す角速度センサ５０では、振動型ジャイロセンサ素子１０の振動子１１を上述した移相発振回路で自励振動させている際に、振動子１１の長手方向に角速度が加えられることで振動方向に垂直な方向に発生するコリオリ力を、圧電体５ａで検出し、検出電極６ｂ，６ｃから互いに逆極性の信号として出力し、差動増幅回路４５に入力する。差動増幅回路４５にて増幅された出力は、同期検波回路４６に入力され、同期検波が行われる。このとき、同期検波回路４６には、同期検波を行うために、加算器４１からの出力が同期信号として供給される。そして、同期検波回路４６からの出力が、平滑回路４７を介して、振動子１１に生じたコリオリ力を検出することにより得られた直流信号である角速度信号として出力される。

以上のように、角速度センサ５０では、圧電体５ａを用いて振動子１１を振動させるとともに、振動子１１に生じるコリオリ力を圧電体５ａによって検出し、この圧電体５ａによって検出されたコリオリ力に基づいて角速度を検出することができる。

（実施例）
続いて、実施例として、上述した振動型ジャイロセンサ素子１０を実際に作製し、その製造方法について説明をする。

上述したように、図１に示した振動型ジャイロセンサ素子１０は、単結晶シリコン基板を加工することで形成される。

図５は、振動型ジャイロセンサ素子１０を形成する際に用いる単結晶シリコン基板１の平面図であり、図６は、図５に示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した断面図である。上記単結晶シリコン基板１の一方主面１Ｂ、他方主面１Ａは、熱酸化されて、後述する結晶異方性エッチング時の保護膜とするＳｉＯ_２膜が形成されている。

振動型ジャイロセンサ素子１０で使用する単結晶シリコン基板１は、図５に示すように、当該単結晶シリコン基板１の一方主面１Ｂの面方位が｛１００｝、図６に示すように側面１Ｃの面方位が｛１１０｝となるように切り出されている。なお、他方主面１Ａは一方主面１Ｂと平行であるため、他方主面１Ａの面方位も｛１００｝となっている。

但し、“｛ ｝”は、方向が異なる等価な面方位を総称して表すための記号であり、例えば、｛１００｝は、（１００），（０１０），（００１）などを総称しているものとする。

このように結晶面方位を規定して切り出される単結晶シリコン基板１の大きさは、加工プロセスのラインに設けられた装置に応じて任意に設定される。例えば、本実施例では、縦×横が３ｃｍ×３ｃｍ角の単結晶シリコン基板１を用いている。

また、単結晶シリコン基板１の厚みは、作業性や、当該基板の値段により決定されるが、少なくとも振動型ジャイロセンサ素子１０に形成する振動子１１の厚み以上であればよい。例えば、本実施例では、図３を用いて示したように振動子１１の厚みｔ４を１００μｍとしているので、単結晶シリコン基板１の厚みを３倍の３００μｍとしている。

図６に示すように、単結晶シリコン基板１の他方主面１Ａ及び一方主面１Ｂには、熱酸化することでＳｉＯ_２膜である熱酸化膜２Ａ，２Ｂを形成する。この熱酸化膜２Ａ，２Ｂは、後述する結晶異方性エッチングを行う際の保護膜として機能する。熱酸化膜２Ａ，２Ｂの厚みは、任意であるが、本実施例では、０．１μｍとしている。また、本実施例で用いる、単結晶シリコン基板１は、伝導型としてＮ型を採用しているが、任意に決めることができる。

なお、以下の説明において、単結晶シリコン基板１において、熱酸化膜２Ａが形成された他方主面１Ａ側を表面とし、熱酸化膜２Ｂが形成された一方主面１Ｂ側を裏面とする。

このような単結晶シリコン基板１を用いて、まず、当該単結晶シリコン基板１の裏面において、結晶異方性エッチングを行う個所に形成されている熱酸化膜２Ｂをフォトエッチングにより除去する。

フォトエッチングは、熱酸化膜２Ｂ上に、上記除去する個所が開口したレジスト膜パターンを形成する工程（フォトリソグラフィー）と、上記パターンを用いて熱酸化膜２Ｂを除去する工程（エッチング）とに大別される。

図７は、単結晶シリコン基板１の熱酸化膜２Ｂ上にレジスト膜パターン３が形成された様子を示した平面図であり、図８は、図７で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。

図７に示すように、熱酸化膜２Ｂ上に形成されたレジスト膜パターン３は、｛１１０｝面と垂直な方向の長さをｔ８とし、｛１１０｝面と平行な方向の長さをｔ９とするｔ８×ｔ９のサイズ長方形状をした開口部３ａが所定の間隔を持って規則的に配列されたパターンとなっている。本実施例では、３×５個の開口部３ａが形成されたパターンとしている。開口部３ａの、それぞれが１つの振動型ジャイロセンサ素子１０となる。

このレジスト膜パターン３は、半導体加工プロセスで利用されているフォトリソグラフィーと全く同様にして、熱酸化膜２Ｂ上をマイクロ波で加熱して水分を除去するプレベーキングを行ってから、感光性樹脂であるフォトレジスト膜を塗布し、上記開口部３ａを形成するための上記パターンが形成されたマスクをフォトレジスト膜に露光し、現像をするという工程を経ることで形成される。

開口部３ａの大きさを決めるｔ８、ｔ９は、振動型ジャイロセンサ素子１０の振動子１１の形状と、単結晶シリコン基板１０の厚みｔ１、図１で示した振動子の空間幅ｔ７ａ，ｔ７ｂ，ｔ７ｃによって決定される。なお、ｔ８，ｔ９の具体的な数値については、後で詳細に説明をする。

このようにして、図８に示すように、単結晶シリコン基板１の熱酸化膜２Ｂ上には、レジスト膜パターン３が形成されることになる。

続いて、レジスト膜パターン３によって形成された開口部３ａの熱酸化膜２Ｂをエッチングにより除去する。図９は、レジスト膜パターン３によって形成された開口部３ａの個所の熱酸化膜２Ｂのみが除去された単結晶シリコン基板１の様子を示した平面図であり、図１０は、図９で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。

熱酸化膜２Ｂの除去する場合のエッチングは、イオンエッチング等の物理的エッチングでもよいし、湿式エッチングでもよいが、単結晶シリコン基板１の界面の平滑性を考慮すると熱酸化膜２Ｂのみが除去される湿式エッチングが好適である。

本実施例では、湿式エッチングの薬液としてフッ化アンモニウムを用いた。ただし、湿式エッチングの場合、長時間エッチングを行うと開口部分の側面からエッチングが進行する、いわゆるサイドエッチングが大きくなるため、熱酸化膜２Ｂの開口部分３ａのみが除去された時点で終了するようエッチング時間を正確に制御する。

このようにして、レジスト膜パターン３の開口部３ａに位置する熱酸化膜２Ｂは、図１０に示すように除去される。

続いて、上述したエッチングにより、熱酸化膜２Ｂが除去されることで、レジスト膜パターン３の開口部３ａと同じ大きさのｔ８×ｔ９の開口部２Ｂａで｛１００｝面が露出した単結晶シリコン基板１に対して、湿式エッチングを施し、単結晶シリコン基板１の厚みを振動子１１の厚みであるｔ４まで削り取る。

図１１は、単結晶シリコン基板１において、熱酸化膜２Ｂが除去され、｛１００｝面が露出したｔ８×ｔ９の大きさの開口部２Ｂａのみがエッチングされた様子を示した平面図であり、図１２は、図１１で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。また、図１３は、図１２に示す領域Ａを拡大して示した図である。

ここで、単結晶シリコン基板１に対して施される湿式エッチングは、結晶方向にエッチング速度が依存する性質を利用した結晶異方性エッチングである。熱酸化膜２Ｂが除去され、｛１００｝面が露出した上記開口部２Ｂａに対して、結晶異方性エッチングをすると、図１３に示すように｛１００｝面に対して約５５度の角度の面方位となる｛１１１｝面が現れ、振動子１１の厚みであるｔ４分を確保するようにエッチングを終了することで、いわゆるダイヤフラム形状となる。

一般に、単結晶シリコンは、その結晶構造から、｛１１１｝面が、｛１００｝面に較べ、非常にエッチングされにくいという結晶方向に対するエッチング速度依存性がある。具体的には、単結晶シリコンの｛１００｝面のエッチング速度は、｛１１１｝面のエッチング速度の２００倍程度となっている。

単結晶シリコンに対して結晶異方性エッチングを施す際に使用可能なエッチング液は、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＥＤＰ（エチレンジアミン-ピロカテコール-水）、ヒトラジンなどである。

本実施例では、エッチング液として熱酸化膜２Ａと、熱酸化膜２Ｂとのエッチングレートの選択比がより大きくなるＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）２０％溶液を使用した。エッチング時には、エッチング液を攪拌しながら温度を８０℃に保ち、６時間かけてダイヤフラムの深さｔ１０が２００μｍ、つまりエッチングすることで残る単結晶シリコン基板１の厚みｔ１１が、振動子１１の厚みｔ４と同じ、１００μｍとなるまでエッチングした。

ここで、結晶異方性エッチングを施すために、図７を用いて説明したレジスト膜パターン３によって形成した開口部３ａのサイズを規定するｔ８、ｔ９の数値について具体的に説明をする。

開口部３ａの幅ｔ９、つまりエッチング後のダイヤフラムの幅は、図１３に示すようにｔ９＝ｔ９ａ＋ｔ９ｂ＋ｔ９ｃとなっている。

ｔ９ｃは、図３で示した振動子１１の幅ｔ６と、図１で示した振動子１１の周辺に形成する周囲空間１２の空間幅ｔ７ｂ、ｔ７ｃを用いて、ｔ９ｃ＝ｔ６＋ｔ７ｂ＋ｔ７ｃと表すことができる。

また、ｔ９ａ，ｔ９ｂは、それぞれ同じ長さであり、図１３に示すように、結晶異方性エッチングを施した際に現れる｛１１１｝面と、単結晶シリコン基板１の裏面である｛１００｝面とが５５度の角度をなしていることから、ダイヤフラムの深さｔ１０を用いてｔ９ａ＝ｔ９ｂ＝ｔ１０×１／ｔａｎ５５°と表すことができる。

したがって、開口部３ａの幅ｔ９は、ｔ９＝｛ｔ１０×１／ｔａｎ５５°｝×２＋（ｔ６＋ｔ７ｂ＋ｔ７ｃ）となる。ここで、ｔ６＝１００μｍ、ｔ７ｂ＝ｔ７ｃ＝２００μｍ、ｔ１０＝２００μｍとすると、ｔ９＝７８０μｍとなる。

上述したような結晶性異方エッチングを行うと、レジスト膜パターン３の開口部３ａにおけるｔ８方向にもｔ９方向と同様に、｛１００｝面と５５度の角度をなす｛１１１｝面が現れる。したがって、開口部の長さｔ８、つまりエッチング後のダイヤフラムの長さは、図３で示した振動子１１の長さｔ５、図１で示した振動子１１の周辺に形成する周囲空間１２の空間幅ｔ７ａを用いて、ｔ８＝｛ｔ１０×１／ｔａｎ５５°｝×２＋（ｔ５＋ｔ７ａ）となる。ここで、ｔ５＝２．５ｍｍ、ｔ７ａ＝２００μｍ、ｔ１０＝２００μｍとすると、ｔ８＝２９８０μｍとなる。

上述までの説明では、単結晶シリコン基板１全体を図示しながら説明をしたが、説明の都合上、以下の説明においては、図１１に領域Ｗとして示すダイヤフラムが形成された単結晶シリコン基板１のみを用いて説明をする。また、以下の説明では、熱酸化膜２Ａ側に対する加工工程となるため、表面である熱酸化膜２Ａ側を上面にした平面図、及びこの平面図を所定の位置で切断した断面図を用いて説明をする。

具体的には、図１１に示す領域Ｗのダイヤフラムが形成された単結晶シリコン基板１を、熱酸化膜２Ａを上面とすると、図１４のような平面図となり、ＸＸ線で切断される断面図は、図１５のようになる。

続いて、熱酸化膜２Ａ上に、図１で示した基準電極４ａ、圧電体５ａ、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃを形成するために下部電極膜、圧電膜、上部電極膜を成膜する。単結晶シリコン基板１の熱酸化膜２Ａ上に、下部電極膜４、圧電膜５、上部電極膜６を順に成膜すると、その平面図は図１６のようになり、図１６に示すＸＸ線で切断した断面図は図１７に示すようになる。

本実施例では、下部電極膜４、圧電膜５、上部電極膜６を、全て、マグネトロンスパッタ装置を用いて成膜した。

まず、熱酸化膜２Ａ上に、下部電極膜４を成膜する。本実施例では、まず、マグネトロンスパッタ装置の条件を、ガス圧：０．５Ｐａ、ＲＦパワー：１ｋＷとして、熱酸化膜２Ａ上にチタン（Ｔｉ）を膜厚が５０ｎｍとなるように成膜した。続いて、成膜したチタン（Ｔｉ）の上に、装置の条件をガス圧：０．５Ｐａ、ＲＦパワー：０．５ｋＷとして、プラチナ（Ｐｔ）を膜厚が２００ｎｍとなるように成膜した。つまり、チタンと、プラチナとを上記膜厚となるように成膜して下部電極膜４を形成している。

次に、下部電極膜４上に圧電膜５を成膜する。本実施例では、まず、Ｐｂ_{（１＋ｘ）}（Ｚｒ_０．５３Ｔｉ_０．４７）Ｏ_３−ｙ酸化物をターゲットとして用い、マグネトロンスパッタ装置の条件を、常温、ガス圧：０．７Ｐａ、ＲＦパワー：０．５ｋＷとして、下層電極４として成膜されたプラチナ（Ｐｔ）上にチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）の圧電体薄膜を膜厚が１μｍとなるように成膜した。続いて、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を成膜した単結晶シリコン基板１を電気炉に入れ、酸素雰囲気下、７００℃、１０分間という条件で結晶化熱処理を行うことで圧電膜５を形成した。

最後に、圧電膜５上に上部電極膜６を成膜する。本実施例では、マグネトロンスパッタ装置の条件を、ガス圧０．５Ｐａ、ＲＦパワー：０．５ｋＷとして、圧電膜５上にプラチナ（Ｐｔ）を膜圧が２００ｎｍとなるように成膜した。

次に、上部電極膜６を加工して駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃを形成する。図１８は、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃが形成された単結晶シリコン基板１の様子を示した平面図であり、図１９は、図１８で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。

駆動電極６ａは、上述したように振動子１１を駆動するための電圧を印加する電極であり、振動子１１の中心となるように形成される。また、検出電極６ｂ，６ｃは、上述したように振動子１１に発生したコリオリ力を検出するための電極であり、駆動電極６aを挟むように駆動電極６ａと平行に、且つ接触しないように、振動子１１に形成される。

また、図１８に示すように、駆動電極６ａ，検出電極６ｂ，６ｃは、その一方端部が、振動子１１の根元である根元ラインＲと一致するように形成され、各電極の上記一方端部には、それぞれ端子接合部６ａ_１，６ｂ_１，６ｃ_１が形成される。

本実施例では、駆動電極６ａの幅ｔ１３を５０μｍ、検出電極６ｂ，６ｃの幅ｔ１４を１０μｍ、駆動電極６ａ及び検出電極６ｂ，６ｃの長さｔ１２を２ｍｍ、検出電極６ｂ，６ｃの駆動電極６ａとの間隔ｔ１５をそれぞれ５μｍとした。この駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃは、振動子１１上に形成される範囲であれば、任意の大きさに設計することができる。また、本実施例では、端子接合部６ａ_１，６ｂ_１，６ｃ_１のそれぞれの長さｔ１６を５０μｍ、幅ｔ１７を５０μｍとした。

本実施例では、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃ及び端子接合部６ａ_１，６ｂ_１，６ｃ_１を、フォトリソグラフィー技術を用いて、上部電極膜６上にレジスト膜パターンを形成した後、イオンエッチングにより不要な部分の電極膜６を除去することで形成した。

本発明は、この駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃ及び端子接合部６ａ_１，６ｂ_１，６ｃ_１を形成する際の手法に限定されるものではなく、上述した手法以外にも様々な手法を適用することができる。

次に、圧電膜５を加工して振動子１１上に圧電体５ａを形成する。図２０は、圧電膜５を加工して圧電体５ａが形成された単結晶シリコン基板１の様子を示した平面図であり、図２１は、図２０で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。

圧電体５ａは、上部電極膜６を加工して形成した駆動電極６ａ，検出電極６ｂ，６ｃを完全に覆うような形状であればどのような形状であってもかまわない。

本実施例では、圧電体５ａの長さｔ１８を２．２ｍｍ、幅ｔ１９を９０μｍとした。このような大きさの圧電体５aは、その中心が振動子１１の中心と一致し、一方端部が、振動子１１の根元である根元ラインＲと一致させるようにする。

圧電体５aの幅ｔ１８は、振動子１１の幅ｔ４以下の幅である必要がある。また、本実施例では、上述した端子接合部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１の下に圧電膜５を、端子接合部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１の各外周より５μｍの幅を持たせて残してある。この端子接合部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１の下に残される圧電膜５は、振動型ジャイロセンサ素子１０全体の形状サイズにより任意に設定されることになる。

本実施例では、フォトリソグラフィー技術を用いて、圧電体５ａ及び端子接合部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１の下に残す圧電膜５の形状のレジスト膜パターンを形成した後、フッ硝酸溶液による湿式エッチングにより不要な部分の圧電膜５を除去することで、圧電体５ａを形成した。

上述したように、本実施例では、圧電体５ａを形成するために圧電膜５の不要部分を除去する手法を湿式エッチングとしているが、本発明にはこれに限定されるものではなく、物理的なエッチングであるイオンエッチングによる除去方法や、化学的な作用と物理的な作用でエッチングする反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）による除去方法などを適用することができる。

次に、下部電極膜４を加工して、振動子１１上に基準電極４ａを形成する。図２２は、下部電極膜４を加工して基準電極４ａが形成された単結晶シリコン基板１の様子を示した平面図であり、図２３は、図２２で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した際の断面図である。

基準電極４ａは、圧電膜５を加工して形成した圧電体５ａを完全に覆うような形状であればどのような形状であってもかまわない。

本実施例では、基準電極４ａの長さｔ２０を２．３ｍｍとし、幅ｔ２１を９４μｍとした。このような基準電極４aは、その中心が振動子１１の中心と一致し、一方端部を、振動子１１の根元である根元ラインＲと一致させるようにする。

基準電極４ａの幅ｔ２０は、振動子１１の幅ｔ４以下の幅である必要がある。また、本実施例では、上述したように除去しなかった圧電膜５の下の下部電極膜４を、上記圧電膜５の外周より５μｍの幅を持たせて残してある。この幅に関しては振動型ジャイロセンサ素子１０全体の形状サイズにより任意に設定されることになる。

また、基準電極４ａと、外部との電気的接合を図るため、図２２に示すように下部電極膜４によって配線接続端子Ｄが形成されている。上述したように、圧電膜５の下に残された下部電極膜４を介して基準電極４ａと、配線接続端子Ｄとは、電気的に接続されている。

本実施例では、振動型ジャイロセンサ素子１０と、外部との電気的な接続は、ワイヤーボンディングにより行うことを前提としているため、配線接続端子Ｄの実際に配線される端子部をワイヤーボンディング時に必要となる面積分だけ確保する。

本実施例では、配線接続端子Ｄの端子部の長さｔ２２を２００μｍ、幅ｔ２３を１００μｍとした。振動型ジャイロセンサ素子１０の外部との接合に関しては、接合方法も含めて任意であり、採用する接合方法に応じて、配線接続端子Ｄの形状を最適となるように設定する。

本実施例では、フォトリソグラフィー技術を用いて、図２２に示すような形状となるレジスト膜パターンを形成した後、イオンエッチングにより不要な部分の下部電極膜４を除去することで基準電極４ａ、配線接続端子Ｄ、基準電極４ａと配線接続端子Ｄとを電気的に接続する下部電極膜４を形成した。

上述したように、本実施例では、基準電極４ａを形成するために下部電極膜４の不要部分を除去する手法を、物理的なエッチングであるイオンエッチングとしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、化学的なエッチングである湿式エッチングや、化学的な作用と物理的な作用でエッチングする反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）による除去方法を適用することができる。

次に、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃの一方端部側にそれぞれ形成されている端子接合部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１と、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃとの電気的接合を円滑にするために平坦化レジスト膜７を形成する。

図２４は、平坦化レジスト膜７が形成された単結晶シリコン基板１の様子を示した平面図であり、図２５は、図２４に示す単結晶シリコン基板１をＹＹ線で切断した際の断面図である。

上述した図２２に示すように、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃと、端子接合部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１とをそれぞれ物理的に接合する際には、圧電体５ａを形成する際に残された圧電膜５の端部と、基準電極４ａを形成する際に残された下部電極膜４の端部とをそれぞれ通過しなくてはならない。

本実施例において、圧電体５ａは、圧電膜５を湿式エッチングによってエッチングすることで形成されており、エッチングされた端部は、単結晶シリコン基板１方向へ、逆テーパ形状、あるいは、垂直形状となっている。そのため、平坦化レジスト膜７を形成せずに、端子接合部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１と、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃとをそれぞれ電気的に接続するように配線膜を形成すると、上記端部の段差により電気的接続が断たれてしまう虞がある。

また、基準電極４ａと電気的に接続されている下部電極膜４の端部が露出しているため、平坦化レジスト膜７を形成しないと、駆動電極６ａ，検出電極６ｂ，６ｃと、基準電極４ａとが短絡してしまうことになる。

以上の理由により、図２４に示すように、端子接合部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１上に、平坦化レジスト膜７を形成し、上記圧電膜５の端部の段差をなくし、上記下部電極膜４の端部が露出しないようにする。

平坦化レジスト膜７の形状は、上述したように上記圧電膜５の端部の段差をなくし、上記下部電極膜４の端部が露出しない形状であれば任意に設定できる。本実施例では、平坦化レジスト膜７の幅ｔ２４を２００μｍ、長さｔ２５を５０μｍとした。

平坦化レジスト膜７は、フォトリソグラフィー技術により、図２４に示す個所に所望の形状でパターニングしたレジスト膜を、２８０〜３００℃程度の熱処理を加えることで硬化させる。本実施例では、レジスト膜の厚みを２μｍ程度としたが、この厚みに関しては、圧電膜５、下部電極膜４の厚みに応じて変化させ、両者の合計の厚み以上とすることが望ましい。本実施例では、レジスト膜を用いて平坦化レジスト膜７を形成しているが、上記理由を回避することの可能な、非導電性の材料であれば、その形成方法も含めて任意である。

次に、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃを外部に接続するための配線処理を施す際に用いる配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃを形成する。図２６は、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃを形成した単結晶シリコン基板１の様子を示す平面図であり、図２７は、図２６に示した単結晶シリコン基板１をＹＹ線で切断した際の断面図である。

図２６に示す配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃは、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃの端子接合部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１とそれぞれ接続されている。本実施例では、振動型ジャイロセンサ素子１０と、外部との電気的な接続は、ワイヤーボンディングにより行うことを前提としているため、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃの実際に配線される端子部を、上述した配線接続端子Ｄと同様に、ワイヤーボンディング時に必要となる面積分だけ確保する。

各配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃは、平坦化レジスト膜７の上面を通り、端子接合部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１とそれぞれ接触するように、熱酸化膜２Ａ上に形成される。配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃと、端子接続部６ａ_１，６ｂ_１、６ｃ_１との接合個所である各電極接合部の形状は、任意であるが電気的な接触抵抗を減少させるために５μｍ四方以上の大きさが望ましい。

配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃにおいて、実際に配線が接続される端子部は、上述したようにワイヤーボンディング接合を行うのに必要な面積分を確保可能な形状となる。

本実施例では、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃ、それぞれの端子部の長さｔ２６を２００μｍ、幅ｔ２７を１００μｍとした。振動型ジャイロセンサ素子１０の外部との接合に関しては、接合方法も含めて任意であり、採用する接合方法に応じて、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃの形状を最適となるように設定する。

本実施例では、フォトリソグラフィー技術を用いて、図２６に示すような形状となるレジスト膜パターンを形成した後、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃをスパッタリングにより形成した。スパッタリングした際に、不要な部分に付着した膜は、レジスト膜パターンを除去する際に、同時に除去する、いわゆるリフトオフの手法にて除去した。

具体的には、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃは、付着力を向上させるためのチタン（Ｔｉ）を２０ｎｍだけ堆積させ、電気抵抗が低く、低コストである銅（Ｃｕ）を３００ｎｍ堆積させ、さらに、ワイヤーボンディングとの接合を容易にするため、金（Ａｕ）を３００ｎｍ堆積させることで形成した。なお、この配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃを形成する際に用いる材料及び配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃの形成方法は任意であり、本発明は、上記材料及び形成方法に限定されるものではない。

続いての工程は、図１で示したように振動型ジャイロセンサ１０に対して周囲空間１２を形成することで片持ち梁の振動子１１を作製する工程である。図２８は、単結晶シリコン基板１に周囲空間１２を形成することで片持ち梁の振動子１１が形成された様子を示した平面図であり、図２９は、図２８で示す単結晶シリコン基板１をＹＹ線で切断した様子を示した断面図であり、図３０は、図２８で示す単結晶シリコン基板１をＸＸ線で切断した様子を示した断面図である。

図２８に示すように周囲空間１２は、検出電極６ｂ，６ｃが形成されている側の振動子１１の側面から左右の方向にそれぞれｔ７ｂ及びｔ７ｃの幅を有する空間と、振動子１１の長手方向で振動子１１の根元ラインＲと反対の端部側にｔ７ａの幅を有する空間とによって構成された、いわゆる“コ”の字型の形状をした空間となっている。

本実施例では、ｔ７ｂ、ｔ７ｃを、それぞれ２００μｍとしている。このｔ７ｂ、ｔ７ｃは、周囲空間１２内の気体の状態や、要求される振動子１１の振動の質を示すＱ値などによって決定されることになる。

本実施例では、まず、フォトリソグラフィー技術を用いて、図２８に示すような“コ”の字型の形状のレジスト膜パターンを熱酸化膜２Ａ上に形成した後、熱酸化膜２Ａをイオンエッチングで除去する。熱酸化膜２Ａを除去するには、湿式エッチングでも可能であるが、サイドエッチングが発生することによる寸法誤差を考慮するとイオンエッチングが好適である。

続いて、熱酸化膜２Ａが除去された“コ”の字型の単結晶シリコン基板１を、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）にてエッチングして貫通させることで周囲空間１２を形成する。

本実施例では、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を備えたエッチング装置を用いて、エッチング工程と、エッチングした個所に側壁保護のための側壁保護膜を成膜する工程とを繰り返すＢｏｓｃｈプロセス（Ｂｏｓｃｈ社）にて、垂直な側壁面を有する振動子１１を形成した。

このＢｏｓｃｈプロセスを用いることで、ＩＣＰにより高密度なプラズマを生成し、エッチングのためのＳＦ_６と、側壁保護のためのＣ_４Ｆ_８のガスを交互に導入することで、毎分１０μｍ程の速度でエッチングしながら、垂直な側壁面を有する振動子１１を形成することができる。

以上のプロセスにより、振動型ジャイロセンサ素子１０の形成に関する、圧電素子形成、形状形成、配線形成の主要工程が終了し、例えば、図３１に示すように、単結晶シリコン基板１内に、振動型ジャイロセンサ素子１０が複数個、ここでは、５×３個、形成されることになる。

１枚の単結晶シリコン基板１内に形成される振動型ジャイロセンサ素子１０の数は、図３１に示すように５×３個に限らず、設計する振動型ジャイロセンサ素子１０の大きさ、及び形成する際のそれぞれのピッチにより決定されることになる。

次の工程では、このように単結晶シリコン基板１に形成された複数の振動型ジャイロセンサ素子１０を、切断し単一の素子とする。単結晶シリコン基板１から、振動型ジャイロセンサ素子１０を分断する際の手法や、寸法は、特に決められたものではなく、分断後の形状も任意である。

本実施例においては、図３２に示す素子分断線２０をなぞるように、ダイヤモンドカッターで分断傷を付けた後、手で直接、単結晶シリコン基板１を折り、振動型ジャイロセンサ素子１０を取り出した。なお、単結晶シリコン基板１を分断する手法も任意の手法が適用可能であり、例えば、砥石による研削や単結晶シリコン基板１の面方位を利用して切断する手法などでもよい。

続いて、図３３に示すように、個々に分断した振動型ジャイロセンサ素子１０を、ＩＣ基板２１に貼り付ける。振動型ジャイロセンサ素子１０と、ＩＣ基板２１との貼り付け手法は任意であるが、本実施例では、嫌気性接着剤を用いて貼り付けた。

ＩＣ基板２１に、振動型ジャイロセンサ素子１０を貼り付けた後、電気的な接続を行う。ＩＣ基板２１上には、冒頭の図２を用いて説明したＩＣ回路４０が搭載されている。また、ＩＣ基板２１には、図２で示したＡＧＣ４４の端部と接続された基板端子２２ａ、同期検波回路４５に接続された基板端子２２ｂ，２２ｃ、図示しない基準電極と接続された基板端子２２ｄが形成されている。

本実施例では、振動型ジャイロセンサ素子１０の配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄと、ＩＣ基板２１内の基板端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄとをそれぞれワイヤーボンディングによる結線方法を用いて電気的接続を行った。この結線方法に関しても任意であり、半導体で用いられる導電性バンプを形成する手法も利用可能である。

次に、図３４に示すように、振動型ジャイロセンサ素子１０及びＩＣ基板２１上の回路と、外部との接触をなくすためカバー材３０を取り付け、保護をする。カバー材３０の材料は、任意であるが外部のノイズの影響を考慮してＳＵＳなど、シールド効果のあるものが望ましい。また、カバー材３０は、振動子１１の振動を妨げない形状とする必要がある。このようにして、角速度センサ５０が形成されることになる。

このように角速度センサ５０を構成する振動型ジャイロセンサ素子１０が備える振動子１１の駆動電極６ａに、電圧を印加して所定の共振周波数で振動させた場合、振動子１１は、振動子１１の厚み方向である縦方向に縦共振周波数で共振すると共に、振動子１１の幅方向である横方向に横共振周波数で共振することになる。

このとき、縦共振周波数と、横共振周波数との差である離調度が小さい程、振動型ジャイロセンサ素子１０の感度が高くなる。したがって、振動型ジャイロセンサ素子１０の感度を高めるためには、この離調度が小さくなるように振動子１１を設計する必要がある。例えば、振動子１１の長さ、つまり図３で示したｔ５は、縦共振周波数に影響を与えやすく、図３５（a）に示す振動子１１の長さを決める根元ラインＲが、図３５（ｂ），図３５（ｃ）に示すように結晶異方性エッチングを施した際に形成されたダイヤフラムの｛１００｝面と５５度の角度をなす傾斜面である｛１１１｝面と、平坦面との境界線である境界線Ｋに対してずれてしまった場合、このずれ量に応じて離調度が大きくなってしまうといった問題がある。

図３５（ｂ）に示す境界線Ｋは、根元ラインＲに対して、Ｙ軸のプラス方向、つまり、振動子１１の根元側方向にずれていることを示し、また、図３５（ｃ）に示す境界線Ｋは、Ｙ軸のマイナス方向、つまり、振動子１１の根元とは反対側方向にずれていることを示している。

図３５（ｂ）に示すように、境界線Ｋが、根元ラインＲに対してＹ軸のプラス方向にずれた場合、振動型ジャイロセンサ素子１０は、図３６に斜視図で示すような形状となる。また、図３５（ｃ）に示すように、境界線Ｋが、根元ラインＲに対してＹ軸のマイナス方向にずれた場合、振動型ジャイロセンサ素子１０は、図３７に斜視図で示すような形状となる。

このような、根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれは、結晶異方性エッチングをする際に、単結晶シリコン基板１の裏面側の熱酸化膜２Ｂ上に形成するレジスト膜パターン３の位置と、反応性イオンエッチングをする際に表面側に形成するレジスト膜パターンの位置とがずれてしまうことが原因となっている。

単結晶シリコン基板１の表裏面に形成されたレジスト膜パターンの位置ずれは、例えば、単結晶シリコン基板１の表裏面を同時に観察できる両面アライナー装置や、単結晶シリコン基板１の片面のパターンやマーカーを基準として、もう一面の位置規整を行うアライメント装置によって多少の改善をすることができる。しかしながら、このような装置を使った場合でも、根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれを完全になくすことは非常に困難である。

図３８に、振動型ジャイロセンサ素子１０において、根元ラインＲからの境界線Ｋのずれ量に対する縦共振周波数と、横共振周波数との関係を示す。

図３８に示すように、振動型ジャイロセンサ素子１０において、根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれ量が０μｍ〜３０μｍまでの範囲では、縦共振周波数と、横共振周波数とが、３５ｋＨｚでほぼ一致しており、離調度が小さいことが分かる。根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれが３０μｍを越えてしまうと、徐々に縦共振周波数のみが低くなり、離調度が高くなってしまうことが分かる。同様に、根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれ量が−３０μｍ〜０μｍまでの範囲では、縦共振周波数と、横共振周波数とが、３５ｋＨｚでほぼ一致しており、離調度が小さい事が分かる。根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれが−３０μｍを越えてしまうと、徐々に縦共振周波数のみが高くなり、離調度が高くなってしまうことが分かる。

これは、根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれが±３０μｍを越えた場合、つまり根元ラインＲと、境界線Ｋとの差が３０μｍを越えた場合に、振動子１１の根元ラインＲ側での拘束が、振動子１１を支える基体からはずれてしまうことによるものと考えられる。

また、図３８には比較例として、図３９，図４０に示すような、振動型ジャイロセンサ素子１０では形成されていたダイヤフラムの｛１００｝面と５５度の角度をなす傾斜面である｛１１１｝面が形成されず、振動子を支える基体の側面が垂直となっている振動型ジャイロセンサ素子１００において、根元ラインＲからの境界線Ｋのずれ量に対する縦共振周波数と、横共振周波数との関係を示した。なお、図３９は、境界線Ｋが、根元ラインＲに対してＹ軸のプラス方向にずれた振動型ジャイロセンサ素子１００の斜視図であり、図４０は、境界線Ｋが、根元ラインＲに対してＹ軸のマイナス方向にずれた振動型ジャイロセンサ素子１００の斜視図である。

図３８に示すように、振動型ジャイロセンサ素子１００において、根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれ量が０μｍ〜３０μｍまでの範囲では、縦共振周波数と、横共振周波数とが、３５ｋＨｚでほぼ一致しており、離調度が小さいことが分かる。根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれが３０μｍを越えてしまうと、徐々に縦共振周波数のみが低くなり、離調度が高くなってしまうことが分かる。一方、根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれ量がマイナス方向に変化すると、途端に、縦共振周波数のみが高くなり離調度が高くなってしまうことが分かる。

したがって、上述したように、結晶異方性エッチング、反応性イオンエッチングを施すことで単結晶シリコン基板１から振動子１１を形成して製造された振動型ジャイロセンサ素子１０は、根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれ量（差）を３０μｍまでは許容範囲とすることができるため、上述した高価な装置を使用しなくとも非常に感度の高いジャイロセンサとなる。

一方、図３９、図４０に示した、基体に傾斜面が形成されていない振動型ジャイロセンサ素子１００では、根元ラインＲに対して境界線Ｋがマイナス方向にずれた場合に関しては、上記ずれ量に全く許容範囲がない。したがって、製作工程において、かなりの精度が要求され、量産のしにくさ、製造コストの増加など多くの問題を残してしまうことが明白である。

ところで、上述したように、本発明の実施の形態として示す振動型ジャイロセンサ素子１０を作製するには、単結晶シリコン基板１の表面と、裏面とにレジスト膜パターンを用いて、それぞれの面に対するいくつかの加工工程が必要となる。具体的には、単結晶シリコン基板１の熱酸化膜２Ｂが形成された裏面側に対して、レジスト膜パターン３を用いて異方性エッチングを行い、熱酸化膜２Ａが形成された表面側に対して、レジスト膜パターンを用いて、基準電極４ａ、圧電体５、駆動電極６ａ、検出電極６ｂ，６ｃの形成や、周囲空間１２を形成するための反応性エッチングなどを行っている。

これらのレジスト膜パターンを単結晶シリコン基板１の表面、裏面に形成する場合には、双方に形成するレジスト膜パターンがずれないようにするため、上述した両面アライナー装置やアライメント装置といった高価な装置が必要となっていた。

振動型ジャイロセンサ素子１０を試作段階で作製する場合などには、上述したように、３ｃｍ×３ｃｍの角形の単結晶シリコン基板１を用い、基板端部を基準とすることで、このような高価な装置を用いずとも、レジスト膜パターンの位置合わせを両面において行うことは可能である。しかしながら、このような角形の単結晶シリコン基板１を用いる場合でも、角形形状に切り出す際に生じる誤差によって、表面、裏面に形成するレジスト膜パターンにずれが生じてしまう可能性は非常に高い。

また、量産化する場合には、シリコンインゴットをスライスした円形のシリコンウェハを単結晶シリコン基板として用いており、既に構築され稼働している円形形状の単結晶シリコン基板に対応した製造ラインを利用することが、コスト、製造時間の面でも最も効率がよいことになる。

したがって、角形形状に切り出した単結晶シリコン基板１を量産化工程で使用すると、製造ラインの見直しや、角形に切り出す際の工程増加によるコストアップとった様々な問題が生じてしまうことになる。

そこで、本発明の実施の形態として示す振動型ジャイロセンサ素子１０を製造する際に、単結晶シリコン基板１の表面と、裏面とにレジスト膜パターンを形成する工程において、単結晶シリコン基板１として位置合わせの基準を設けることが困難な円形の単結晶シリコン基板を用いた場合でも、上述した両面アライナー装置などの高価な装置を用いずに、正確に表面と、裏面とに形成するレジスト膜パターンの位置合わせをする手法を以下に示す。

図４１は、熱酸化膜が表面及び裏面に形成された単結晶シリコン基板５１の様子を示した平面図であり、図４２は、図４１に示す単結晶シリコン基板５１のオリエンテーションフラット面５３と平行なＸＸ線で切断した際の断面図である。図４１に示す単結晶シリコン基板５１は、直径が４インチ、厚さが０．３ｍｍであり、表面、裏面の面方位が｛１００｝となるように切り出されている。また、図４１，４２に示すオリエンテーションフラット面（以下、オリフラ面と呼ぶ。）５３の面方位が｛１１０｝となっている。

単結晶シリコン基板５１の表面、裏面は、それぞれ熱酸化処理されて、ＳｉＯ_２膜である熱酸化膜５２Ａ，５２Ｂがそれぞれ形成されている。単結晶シリコン基板５１の表面、裏面に形成された熱酸化膜５２Ａ，５２Ｂは、それぞれ１００ｎｍである。

このように、単結晶シリコン基板５１は、振動型ジャイロセンサ素子１０を作製する際に用いた、上述した単結晶シリコン基板１と大きさ、形状のみが異なるだけであって、切り出された面方位など全く同じであり、上述した製造手法を用いて、同様に振動型ジャイロセンサ素子１０を作製することができる。

このとき、単結晶シリコン基板５１の表面と、裏面とに形成するレジスト膜パターンの位置合わせをするための基準として、単結晶シリコン基板５１を貫通するように穴を形成し、位置合わせの基準となる目印にする。単結晶シリコン基板５１を貫通する穴は、単結晶シリコン基板５１の表面である熱酸化膜５２Ａ側から見た場合でも、裏面である熱酸化膜５２Ｂ側から見た場合でも当然、全く同じ位置に形成されるため、この穴を基準としてレジスト膜パターンを表面、裏面に形成することで、ずれを完全に排除することができる。

この単結晶シリコン基板５１を貫通させる貫通穴は、結晶異方性エッチングによって形成するため、上述したレジスト膜パターン３によって結晶異方性エッチングをし、ダイヤフラムを形成する工程と同時に行う。

図４３は、熱酸化膜５２Ａ上に、開口部５４ａ，５４ｂを有するレジスト膜パターン５４を形成した単結晶シリコン基板５１の様子を示す平面図であり、図４４は、図４３に示した単結晶シリコン基板５１をオリフラ面５３と平行なＸＸ線で切断した際の断面図である。

レジスト膜パターン５４の、開口部５４ａ，５４ｂは、一辺が１５０μｍの正方形とし、少なくとも一辺が｛１１０｝面であるオリフラ面５３に平行に形成されている。レジスト膜パターン５４は、上述した図７で示したレジスト膜パターン３と同じものであり、図示しないが振動型ジャイロセンサ素子１０を形成するための複数の開口部も形成されている。したがって、開口部５４ａ，５４ｂは、振動型ジャイロセンサ素子１０を形成する際に邪魔にならない位置に形成される必要がある。

このとき、振動型ジャイロセンサ素子１０を形成するための複数の開口部は、開口部５４ａ，５４ｂを基準としながら、形成される位置が決定されることになる。

開口部５４ａ，５４ｂの形状は、任意であるが、表面と、裏面とに形成するレジスト膜パターンを正確に一致させるためには、開口部５４ａ，５４ｂの一辺を少なくとも｛１１０｝面と平行にすることが望ましい。また、開口部は、表面、裏面における相対的な位置を決めるための基準であるから、開口部５４ａ，５４ｂのように、必ずしも２つ用意する必要はなく、少なくとも１つ以上形成されればよい。

次に、レジスト膜パターン５４の開口部５４ａ，５４ｂによって露出されている熱酸化膜５２Ａをエッチングして除去する。図４５は、開口部５４ａ，５４ｂによって露出した熱酸化膜５２Aを除去し、開口部５２Ａａ，５２Ａｂが形成された単結晶シリコン基板５１の様子を示す平面図であり、図４６は、図４５に示す単結晶シリコン基板５１をオリフラ面５３と平行なＸＸ線で切断した際の断面図である。熱酸化膜５２Ａは、フッ化アンモニウム溶液によって除去される。

続いて、熱酸化膜５２Ｂ側に結晶性異方エッチングを施すための開口部を設ける。図４７は、熱酸化膜５２Ｂ上に、開口部５５ａ，５５ｂを有するレジスト膜パターン５５を形成した単結晶シリコン基板５１の様子を示す平面図であり、図４８は、図４７に示した単結晶シリコン基板５１をオリフラ面５３と平行なＸＸ線で切断した際の断面図である。

レジスト膜パターン５５の開口部５５ａ，５５ｂは、単結晶シリコン基板５１をエッチングした際に、上述した熱酸化膜５２Ａ上に形成された開口部５２Ａａ，５２Ａｂからのエッチングにより形成される穴と貫通するような位置に形成する必要がある。

例えば、図４７，４８に示すように、レジスト膜パターン５５の開口部５５ａ，５５ｂを、開口部５２Ａａ，５２Ａｂを形成するために用いたレジスト膜パターン５４の開口部５４ａ，５４ｂよりも大きくし、開口部５５ａ，５５ｂ内に、開口部５２Ａａ，５２Ａｂが収まるようにすると、結晶異方性エッチングによってエッチングされる熱酸化膜５２Ｂ側の面積が大きくなるため、確実に貫通穴を形成することができる。

したがって、レジスト膜パターン５５の開口部５５ａ，５５ｂも上記条件を満たす限りでは、形状、形成位置は任意である。また、レジスト膜パターン５５の開口部５５ａ，５５ｂも、レジスト膜パターン５４の開口部５４ａ，５４ｂと同様に、一辺を少なくとも｛１１０｝面と平行にすることが望ましい。

次に、レジスト膜パターン５５の開口部５５ａ，５５ｂによって露出されている熱酸化膜５２Ｂをエッチングして除去する。図４９は、開口部５５ａ，５５ｂによって露出した熱酸化膜５２Ｂを除去し、開口部５２Ｂａ，５２Ｂｂが形成された単結晶シリコン基板５１の様子を示す平面図であり、図５０は、図４９に示す単結晶シリコン基板５１をオリフラ面５３と平行なＸＸ線で切断した際の断面図である。熱酸化膜５２Ｂは、フッ化アンモニウム溶液によって除去される。

続いて、熱酸化膜５２Ａ、熱酸化膜５２Ｂが一部除去され、開口部５２Ａａ，５２Ａｂ，５２Ｂａ，５２Ｂｂの大きさで｛１００｝面が露出した単結晶シリコン基板５２に対して、結晶異方性エッチングを施し、貫通穴が形成されるまで削り取る。

図５１は、結晶異方性エッチングにより貫通穴５１ａ，５１ｂが形成された単結晶シリコン基板５１の様子を示す平面図であり、図５２は、図５１に示す単結晶シリコン基板５１をオリフラ面５３と平行なＸＸ線で切断した際の断面図である。

単結晶シリコンに対して結晶異方性エッチングを施す際に使用可能なエッチング液は、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＥＤＰ（エチレンジアミン-ピロカテコール-水）、ヒトラジンなどである。

このようにして、形成された貫通穴５１ａ，５１ｂを基準として、単結晶シリコン基板５１の表面である熱酸化膜５２Ａ側に、振動型ジャイロセンサ素子１０の基準電極４ａ，駆動電極６ａ，検出電極６ｂ，６ｃ、さらには、平坦化レジスト膜７、配線接続端子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを形成する際のレジスト膜パターンの位置合わせを行うことで、裏面である熱酸化膜５２Ｂ側に形成したレジスト膜パターンと正確に整合させることができる。つまり、図３５（ａ），（ｂ）を用いて説明した振動型ジャイロセンサ素子１０の、振動子１１の根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれを、高価な両面アライナー装置を用いずに抑制することができる。

この手法を用いて振動型ジャイロセンサ素子１０を形成した場合、振動子１１の根元ラインＲと、境界線Ｋとのずれは、例えば、図３８で説明した縦共振周波数と、横共振周波数とがほぼ一致する±３０μｍ以内、つまり３０μｍの差に収まり、非常に高い感度のジャイロセンサを作製することができる。

上述したように、単結晶シリコン基板１を結晶異方性エッチング、反応性イオンエッチングを行うことで、断面形状が直角四辺形の四角柱である片持ち梁の振動子１１を形成し、振動子１１の長手方向に加えられた一方向の角速度を検出することができる振動型ジャイロセンサ１０を製造することができる。

また、上述した振動型ジャイロセンサ１０を製造する手法を用いて、図５３に示すような振動子６１、振動子６２を直交するように備えた二方向の角速度を同時に検出する振動型ジャイロセンサ素子６０を形成することもできる。

振動型ジャイロセンサ素子６０の製造工程は、振動型ジャイロセンサ素子１０の製造工程と全く同じであるが、結晶性異方エッチングする際の開口部、つまりエッチング後に形成されるダイヤフラムのサイズを図５３に示すｔ６１、ｔ６２のようにし、振動子６１，６２を直交に配した場合でも、振動子６１，６２の振動を妨げることなく、所望の共振周波数での振動を可能とする周囲空間６３を形成できるサイズとする。

このように、振動型ジャイロセンサ素子１０を製造するのと、同様の手法で製造された２軸の振動型ジャイロセンサ素子６０は、結晶異方性エッチングによって振動子６１，６２の厚みが全く同じになり、振動子６１，６２の形状を均一にすることができ、さらに、結晶異方性エッチングによって形成される振動の起点となる、振動子６１，６２のそれぞれの根元ラインＲ１、Ｒ２が完全に直交しているため、非常に高い精度で直角な２方向の角速度を検出することができる。

例えば、２つの振動型ジャイロセンサ素子を個別に作製し、後から振動子が直交方向となるように配して角速度センサを構築した場合、完全に直交させることは困難であるため、検出される角速度は、誤差を多分に含んでいる。

したがって、上述した製造手法により作製された振動型ジャイロセンサ素子６０を用いることで高精度の２軸の角速度センサを構築することができる。

本発明を実施するための最良の形態として示す振動型ジャイロセンサ素子について説明するための斜視図である。 同振動型ジャイロセンサ素子を備えた角速度センサの構成について説明するための図である。 同振動型ジャイロセンサ素子が備える振動子について説明するための斜視図である。 同振動型ジャイロセンサ素子について説明するための平面図である。 同振動型ジャイロセンサ素子を製造する際に用いる単結晶シリコン基板について説明するための平面図である。 図５に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 単結晶シリコン基板にレジスト膜パターンを形成した様子を示す平面図である。 図６に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 単結晶シリコン基板の熱酸化膜を除去した際の様子を示す平面図である。 図９に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 単結晶シリコン基板に結晶異方性エッチングを施した様子を示す平面図である。 図１１に示す単結晶シリコン基板ＸＸ線で切断した際の断面図である。 図１２に示す領域Ａを拡大して示した断面図である。 単結晶シリコン基板の表面側の様子を示した平面図である。 図１４に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 下部電極膜、圧電膜、上部電極膜が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。 図１６に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 駆動電極、検出電極が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。 図１８に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 圧電体が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。 図２０に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 基準電極が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。 図２２に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 平坦化レジスト膜が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。 図２４に示す単結晶シリコン基板をＹＹ線で切断した際の断面図である。 配線接続端子が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。 図２６に示す単結晶シリコン基板をＹＹ線で切断した際の断面図である。 振動子の周辺に反応性イオンエッチングにより周囲空間が形成された単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。 図２８に示す単結晶シリコン基板をＹＹ線で切断した際の断面図である。 図２８に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 複数の振動型ジャイロセンサ素子が形成された単結晶シリコン基板を示す平面図である。 単結晶シリコン基板に形成された複数の振動型ジャイロセンサ素子を切断する際の切断線を示した単結晶シリコン基板の様子を示す平面図である。 振動型ジャイロセンサ素子をＩＣ基板上に貼り付けた際の様子を示す平面図である。 振動型ジャイロセンサ素子を備える角速度センサにカバー材を取り付けた際の様子を示す平面図である。 （ａ）は、振動型ジャイロセンサ素子の振動子の根元ラインを示した平面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、（ａ）に示す振動型ジャイロセンサ素子をＹＹ線で切断した、根元ラインと境界線とのずれについて説明するための断面図である。 振動子の根元ラインに対して、境界線がＹ軸のプラス方向にずれた場合の振動型ジャイロセンサ素子の斜視図である。 振動子の根元ラインに対して、境界線がＹ軸のマイナス方向にずれた場合の振動型ジャイロセンサ素子の断面図である。 振動子の根元ラインと、境界線とのずれ量に対する振動子の縦共振周波数と、横共振周波数とを示した図である。 基体に傾斜面が形成されていない、振動型ジャイロセンサ素子において、振動子の根元ラインに対して、境界線がＹ軸のプラス方向にずれた場合について示した斜視図である。 基体に傾斜面が形成されていない、振動型ジャイロセンサ素子において、振動子の根元ラインに対して、境界線がＹ軸のマイナス方向にずれた場合について示した斜視図である。 単結晶シリコン基板の表裏面にレジスト膜パターンを形成する際の基準となる貫通穴を形成する手法について説明するために用いる単結晶シリコン基板の様子を示した平面図である。 図４１に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 単結晶シリコン基板の表面にレジスト膜パターンを形成した際の様子を示す平面図である。 図４３に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 単結晶シリコン基板の表面の熱酸化膜を一部除去した際の様子を示す平面図である。 図４５に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 単結晶シリコン基板の裏面にレジスト膜パターンを形成した際の様子を示す平面図である。 図４７に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 単結晶シリコン基板の裏面の熱酸化膜を一部除去した際の様子を示す平面図である。 図４９に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 熱酸化膜を一部除去した単結晶シリコン基板に結晶異方性エッチングを施した際の様子を示す平面図である。 図５１に示す単結晶シリコン基板をＸＸ線で切断した際の断面図である。 直交する２方向に振動子を形成した振動型ジャイロセンサ素子について説明するための平面図である。

符号の説明

１，５１ 単結晶シリコン基板、４ａ 基準電極、５ａ 圧電体、６ａ 駆動電極、６ｂ，６ｃ 検出電極、１０，６０，１００ 振動型ジャイロセンサ素子、１１，６１，６２ 振動子、１２，６３ 周囲空間、Ｒ，Ｒ１，Ｒ２ 根元ライン

Claims (18)

1. 下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子の製造方法において、
   一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、
   上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記振動子となる領域に、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、
   上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで、上記振動子を形成すること
   を特徴とする振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
   但し、“｛ ｝”は、方向が異なる等価な面方位を総称して表すための記号である。
2. 上記上部電極を、上記振動子を振動させる電圧を印加する上記振動子の長手方向に形成された駆動電極と、
   上記駆動電極を挟む形で、上記駆動電極と接触することなく平行に上記振動子の長手方向に形成された一対の検出電極とからなるように形成すること
   を特徴とする請求項１記載の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
3. 上記単結晶シリコン基板の上記一方主面上に、少なくとも１つ以上の第３の開口部を有する第３の保護膜パターンを形成し、
   上記単結晶シリコン基板の上記他方主面上の、上記一方主面上に形成された上記第３の保護膜パターンが有する上記第３の開口部と対向する位置に、第４の開口部を配した第４の保護膜パターンを形成して、上記第３の開口部及び上記第４の開口部に対して結晶異方性エッチングを行い、
   上記一方主面及び上記他方主面に保護膜パターンを形成する際の位置決めの基準として用いる貫通穴を形成すること、
   を特徴とする請求項１記載の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
4. 上記第３の保護膜パターンが有する上記第３の開口部を、上記第１の開口部を有する上記第１の保護膜パターンに形成し、
   上記第１の開口部に対する結晶異方性エッチング時に、上記第３の開口部及び上記４の開口部に対する結晶異方性エッチングを行うこと
   を特徴とする請求項３記載の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
5. 下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子において、
   一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、
   上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記振動子となる領域に、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、
   上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで、形成された上記振動子を備えること
   を特徴とする振動型ジャイロセンサ素子。
   但し、“｛ ｝”は、方向が異なる等価な面方位を総称して表すための記号である。
6. 上記上部電極は、上記振動子を振動させる電圧を印加する上記振動子の長手方向に形成された駆動電極と、
   上記駆動電極を挟む形で、上記駆動電極と接触することなく平行に上記振動子の長手方向に形成された一対の検出電極とからなるように形成されていること
   を特徴とする請求項５記載の振動型ジャイロセンサ素子。
7. 上記振動子の断面形状が直角四辺形であること
   を特徴とする請求項５記載の振動型ジャイロセンサ素子。
8. 上記片持ち梁形状の上記振動子を固定する固定端部は、上記結晶異方性エッチングによって形成された上記他方主面の｛１００｝面に対して、５５度の角度をなす｛１１１｝面を有すること
   を特徴とする請求項５記載の振動型ジャイロセンサ素子。
9. 上記第１の保護膜パターンを用いた結晶異方性エッチングによって形成された、上記｛１１１｝面を有し上記片持ち梁形状の上記振動子を固定する上記固定端部と、上記振動子との境界線と、
   上記第２の保護膜パターンを用いた反応性イオンエッチングによって規定される上記片持ち梁形状の上記振動子の根元線との差が３０μｍ以下であること
   を特徴とする請求項８記載の振動型ジャイロセンサ素子。
10. 下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する直交する２つの片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して直交する２方向の角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子の製造方法において、
    一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、
    上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記直交する２つの振動子となる領域にそれぞれ、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、
    上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を直交する２つの上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで、直交する２つの振動子を形成すること
    を特徴とする振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
    但し、“｛ ｝”は、方向が異なる等価な面方位を総称して表すための記号である。
11. 上記上部電極を、上記振動子を振動させる電圧を印加する上記振動子の長手方向に形成された駆動電極と、
    上記駆動電極を挟む形で、上記駆動電極と接触することなく平行に上記振動子の長手方向に形成された一対の検出電極とからなるように形成すること
    を特徴とする請求項１０記載の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
12. 上記単結晶シリコン基板の上記一方主面上に、少なくとも１つ以上の第３の開口部を有する第３の保護膜パターンを形成し、
    上記単結晶シリコン基板の上記他方主面上の、上記一方主面上に形成された上記第３の保護膜パターンが有する上記第３の開口部と対向する位置に、第４の開口部を配した第４の保護膜パターンを形成して、上記第３の開口部及び上記第４の開口部に対して結晶異方性エッチングを行い、
    上記一方主面及び上記他方主面に保護膜パターンを形成する際の位置決めの基準として用いる貫通穴を形成すること、
    を特徴とする請求項１０記載の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
13. 上記第３の保護膜パターンが有する上記第３の開口部を、上記第１の開口部を有する上記第１の保護膜パターンに形成し、
    上記第１の開口部に対する結晶異方性エッチング時に、上記第３の開口部及び上記４の開口部に対する結晶異方性エッチングを行うこと
    を特徴とする請求項１２記載の振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
14. 下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する直交する２つの片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して直交する２方向の角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子において、
    一方主面及び他方主面の面方位が｛１００｝である単結晶シリコン基板の一方主面上に、｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成された第１の開口部を有する第１の保護膜パターンを形成し、上記第１の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、
    上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記直交する２つの振動子となる領域にそれぞれ、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、
    上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記｛１１０｝面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を直交する２つの上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第２の開口部を有する第２の保護膜パターンを形成し、上記第２の開口部に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を行うことで形成された直交する２つの振動子を備えること
    を特徴とする振動型ジャイロセンサ素子。
    但し、“｛ ｝”は、方向が異なる等価な面方位を総称して表すための記号である。
15. 上記上部電極は、上記振動子を振動させる電圧を印加する上記振動子の長手方向に形成された駆動電極と、
    上記駆動電極を挟む形で、上記駆動電極と接触することなく平行に上記振動子の長手方向に形成された一対の検出電極とからなるように形成されていること
    を特徴とする請求項１４記載の振動型ジャイロセンサ素子。
16. 上記振動子の断面形状が直角四辺形であること
    を特徴とする請求項１４記載の振動型ジャイロセンサ素子。
17. 上記片持ち梁形状の上記振動子を固定する固定端部は、上記結晶異方性エッチングによって形成された上記他方主面の｛１００｝面に対して、５５度の角度をなす｛１１１｝面を有すること
    を特徴とする請求項１４記載の振動型ジャイロセンサ素子。
18. 上記第１の保護膜パターンを用いた結晶異方性エッチングによって形成された、上記｛１１１｝面を有し上記片持ち梁形状の上記振動子を固定する上記固定端部と、上記振動子との境界線と、
    上記第２の保護膜パターンを用いた反応性イオンエッチングによって規定される上記片持ち梁形状の上記振動子の根元線との差が３０μｍ以下であること
    を特徴とする請求項１７記載の振動型ジャイロセンサ素子。
    

Images