[go: up one dir, main page]

JP2005280179A - Inkjet head substrate and inkjet head - Google Patents

Inkjet head substrate and inkjet head Download PDF

Info

Publication number
JP2005280179A
JP2005280179A JP2004099292A JP2004099292A JP2005280179A JP 2005280179 A JP2005280179 A JP 2005280179A JP 2004099292 A JP2004099292 A JP 2004099292A JP 2004099292 A JP2004099292 A JP 2004099292A JP 2005280179 A JP2005280179 A JP 2005280179A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
heat transfer
heating resistor
layer
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004099292A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Yabe
賢治 矢部
Mineo Kaneko
峰夫 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2004099292A priority Critical patent/JP2005280179A/en
Publication of JP2005280179A publication Critical patent/JP2005280179A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

【課題】 発熱抵抗体の保護膜表面の劣化を抑えて、動作信頼性を向上し、寿命を延ばす。
【解決手段】 支持基板1と、インクを加熱するための発熱抵抗体と、この発熱抵抗体に電気的に接続された個別電極配線8と、発熱抵抗体の発熱領域7aと支持基板1との間に電気的に絶縁するために設けられる第1および第2の層間絶縁膜4,6と、発熱抵抗体および個別電極配線8を覆うように設けられ発熱抵抗体および個別電極配線8を保護する保護膜9とを備え、第2の層間絶縁膜6が、支持基板1よりも熱伝導率が小さい蓄熱層をなしている。そして、第2の層間絶縁膜6の内部には、第2の層間絶縁膜6よりも熱伝導率が大きい伝熱層15が設けられている。また、この伝熱層15は、発熱領域7aに対向した伝熱領域15aが発熱領域7aよりも大きく形成される。
【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the operational reliability and extend the life by suppressing the deterioration of the protective film surface of a heating resistor.
SOLUTION: A support substrate 1, a heating resistor for heating ink, an individual electrode wiring 8 electrically connected to the heating resistor, a heating region 7a of the heating resistor, and the support substrate 1 are provided. Provided to cover the first and second interlayer insulating films 4 and 6 provided for electrical insulation therebetween, the heating resistor and the individual electrode wiring 8, and protects the heating resistor and the individual electrode wiring 8. The second interlayer insulating film 6 includes a protective film 9, and forms a heat storage layer having a thermal conductivity smaller than that of the support substrate 1. A heat transfer layer 15 having a thermal conductivity higher than that of the second interlayer insulating film 6 is provided inside the second interlayer insulating film 6. Further, the heat transfer layer 15 is formed such that the heat transfer region 15a facing the heat generating region 7a is larger than the heat generating region 7a.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、例えば記録紙等にインクを吐出して記録を行うためのインクジェットヘッド用基板およびインクジェットヘッドに関する。   The present invention relates to an inkjet head substrate and an inkjet head for performing recording by discharging ink onto, for example, recording paper.

インクジェット記録ヘッドのインクを吐出するエネルギーを発生する発熱抵抗体が形成されているインクジェットヘッド基板は、発熱抵抗体で発生した余剰の熱をすばやく拡散するために、熱伝導性が高い方が望ましい。しかし、発熱抵抗体の加熱開始からインクが沸騰するまでの間は、熱を効率的にインクに加えるために、発熱抵抗体と基板の間にはある程度熱伝導性が低い層(蓄熱層)が存在することが好ましく、このような蓄熱層として、通常は駆動回路形成時の絶縁膜が使われている。しかしながら、基板上に集積回路を有する多層配線基板の場合には、層間絶縁膜が複数になり、蓄熱層が厚くなってしまう。これに対して個々の膜を薄く形成したり、発熱領域のみ除去したりすることは、絶縁性の低下や発熱領域の平面性の低下を招くといった懸念がある。   An inkjet head substrate on which a heating resistor that generates energy for ejecting ink of the inkjet recording head is formed preferably has a high thermal conductivity in order to quickly diffuse excess heat generated by the heating resistor. However, during the period from the start of heating of the heating resistor to the boiling of the ink, in order to efficiently apply heat to the ink, a layer (heat storage layer) having a low thermal conductivity is present between the heating resistor and the substrate. It is preferable to exist, and as such a heat storage layer, an insulating film at the time of forming a drive circuit is usually used. However, in the case of a multilayer wiring board having an integrated circuit on the substrate, there are a plurality of interlayer insulating films, and the heat storage layer becomes thick. On the other hand, forming individual films thinly or removing only the heat generation region may cause a decrease in insulation and a decrease in planarity of the heat generation region.

従来の層間絶縁膜の構成としては、発熱抵抗体の下層にある蓄熱部のうちで、熱作用部の下部に、熱伝導率が低い層が最小限に設けられ、熱作用部の周囲に、熱伝導性が高い蓄熱層が設けられる構成が開示されている(特許文献1参照。)。   As a configuration of the conventional interlayer insulating film, among the heat storage parts in the lower layer of the heating resistor, a layer having a low thermal conductivity is provided at the bottom of the heat acting part, and around the heat acting part, The structure by which the thermal storage layer with high heat conductivity is provided is disclosed (refer patent document 1).

また、従来の他の構成としては、電気熱変換体の下部の一部に熱伝導率が大きい層を設けることにより、電気熱変換体の一部のピーク温度を他の部分に対して下げる構成が開示されている(特許文献2参照。)。
特開平03−73351号公報 特開平02−111552号公報
Further, as another conventional configuration, by providing a layer having a high thermal conductivity in a part of the lower part of the electrothermal converter, a configuration in which the peak temperature of a part of the electrothermal converter is lowered with respect to the other parts. Is disclosed (see Patent Document 2).
Japanese Patent Laid-Open No. 03-73351 Japanese Patent Laid-Open No. 02-111152

インクジェットヘッドでは、上述したように保護膜および層間絶縁膜の構成が、インクジェットヘッドの寿命および性能を決定づける重要な要素になっている。   In the inkjet head, as described above, the configuration of the protective film and the interlayer insulating film is an important factor that determines the life and performance of the inkjet head.

しかしながら、特許文献1に開示された技術では、より一層の保護膜の絶縁性、保護膜の平面性を得るが困難であった。また、熱伝導率が大きい層が発熱抵抗体の周囲に設けられているため、発熱抵抗体の中央部の表面温度を下げることが十分にできなかった。   However, with the technique disclosed in Patent Document 1, it is difficult to obtain further insulation of the protective film and flatness of the protective film. In addition, since a layer having a high thermal conductivity is provided around the heating resistor, the surface temperature of the central portion of the heating resistor cannot be lowered sufficiently.

また、特許文献2に開示された技術では、電気熱変換体の一部とその周囲との温度差が小さく、より一層の放熱効果が得られないことと、下部層の存在により電気熱変換体の表面に段差が生じるので、確実なる保護膜の被覆が得られ難いことがあった。   Moreover, in the technique disclosed in Patent Document 2, the temperature difference between a part of the electrothermal converter and its surroundings is small, and a further heat dissipation effect cannot be obtained, and the presence of the lower layer causes the electrothermal converter. Since there is a step on the surface, it may be difficult to obtain a reliable protective film coating.

また、発熱抵抗体の蓄熱を低減する手段としては、蓄熱層を単純に薄く形成する方法が考えられる。しかし、この場合、発泡時における発熱抵抗体からの熱を効率的にインクに伝えることができなくなるので、発泡に必要な投入エネルギーが増大してしまうという課題があった。   Further, as a means for reducing the heat storage of the heating resistor, a method of simply forming a thin heat storage layer can be considered. However, in this case, since heat from the heating resistor during foaming cannot be efficiently transmitted to the ink, there is a problem that input energy required for foaming increases.

そこで、本発明は、発熱抵抗体の蓄熱を低減し、発熱領域にインクが流入するときの保護膜の表面温度を下げることを可能とし、発熱抵抗体の保護膜表面の劣化を抑えることで、動作信頼性を向上し寿命を延ばすことができるインクジェットヘッド用基板およびその製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention reduces the heat storage of the heat generating resistor, makes it possible to lower the surface temperature of the protective film when ink flows into the heat generating region, and suppresses the deterioration of the surface of the protective film of the heat generating resistor, An object of the present invention is to provide an ink jet head substrate that can improve operational reliability and extend its life, and a method of manufacturing the same.

また、本発明は、発泡のための消費電力を抑え、かつ吐出性能の安定化を図ることができるインクジェットヘッドを提供することを目的とする。   Another object of the present invention is to provide an ink jet head that can suppress power consumption for foaming and can stabilize ejection performance.

上述した目的を達成するため、本発明に係るインクジェットヘッド用基板は、支持基板と、インクを加熱するための発熱抵抗体と、この発熱抵抗体に電気的に接続された配線と、発熱抵抗体の発熱領域と支持基板との間に電気的に絶縁するために設けられる絶縁層と、発熱抵抗体および配線を覆うように設けられ発熱抵抗体および配線を保護する保護膜とを備え、絶縁層が支持基板よりも熱伝導率が小さい蓄熱層をなしている。そして、蓄熱層の内部には、この蓄熱層よりも熱伝導率が大きい伝熱層が設けられている。また、この伝熱層は、発熱領域に対向した伝熱領域が発熱領域よりも大きく形成される。   In order to achieve the above object, an inkjet head substrate according to the present invention includes a support substrate, a heating resistor for heating ink, wiring electrically connected to the heating resistor, and a heating resistor. An insulating layer provided to electrically insulate between the heat generating region and the support substrate, and a protective film provided so as to cover the heat generating resistor and the wiring, and to protect the heat generating resistor and the wiring. However, it forms a heat storage layer having a lower thermal conductivity than the support substrate. And the heat-transfer layer whose heat conductivity is larger than this heat storage layer is provided inside the heat storage layer. The heat transfer layer is formed such that the heat transfer area facing the heat generation area is larger than the heat generation area.

以上のように構成された本発明に係るインクジェットヘッド用基板によれば、発熱抵抗体の発熱領域の熱が、蓄熱層の内部の伝熱層によって放熱されるため、発熱抵抗体の保護膜表面の放熱が速くなる。このため、このインクジェットヘッド用基板によれば、発熱抵抗体の蓄熱が減らされ、発熱抵抗体の発熱領域にインクが流入するときにおける発熱抵抗体の保護膜の表面温度を下げることが可能になる。したがって、保護膜は、熱ストレスによる保護膜表面の劣化が抑えられるので、信頼性が向上され、発熱抵抗体の耐久性、すなわちインクジェットヘッドの寿命を延ばすことが可能となる。   According to the inkjet head substrate according to the present invention configured as described above, the heat of the heat generating region of the heat generating resistor is dissipated by the heat transfer layer inside the heat storage layer. Radiates heat faster. For this reason, according to this inkjet head substrate, the heat storage of the heating resistor is reduced, and the surface temperature of the protective film of the heating resistor when the ink flows into the heating region of the heating resistor can be lowered. . Therefore, since the protective film can suppress the deterioration of the surface of the protective film due to thermal stress, the reliability is improved, and the durability of the heating resistor, that is, the life of the inkjet head can be extended.

また、本発明に係るインクジェットヘッドは、上述した本発明のインクジェットヘッド用基板を用いてインクを吐出する。   The ink jet head according to the present invention ejects ink using the above-described ink jet head substrate of the present invention.

上述したように本発明によれば、発熱抵抗体の保護膜表面の劣化が抑えられ、動作信頼性を向上し、寿命を延ばすことができる。   As described above, according to the present invention, deterioration of the protective film surface of the heating resistor can be suppressed, the operation reliability can be improved, and the life can be extended.

以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施形態のインクジェットヘッド用基板は、を作製する際は、Si基板あるいは既に駆動用のICが作り込まれたSi基板が支持基板として用いられている。   When the inkjet head substrate of the present embodiment is manufactured, a Si substrate or a Si substrate in which a driving IC has already been formed is used as a support substrate.

(第1の実施形態)
図1に示すように、本実施形態のインクジェットヘッド用基板は、支持基板1上に熱酸化等で蓄熱層2が形成されている。この蓄熱層2上には、CVD(chemical vapor deposition)法等によって層間絶縁層4が形成され、この層間絶縁層4上に、例えばAl,Cu,Al−Si,Al−Cu等からなる下部配線層をスパッタリング法によって形成されている。この下部配線層には、フォトリソグラフィー法によって所望の配線パタ−ンが形成され、反応性イオンエッチング法等でエッチングを行うことで、下部配線5が形成されている。
(First embodiment)
As shown in FIG. 1, in the inkjet head substrate of the present embodiment, a heat storage layer 2 is formed on a support substrate 1 by thermal oxidation or the like. An interlayer insulating layer 4 is formed on the heat storage layer 2 by a CVD (chemical vapor deposition) method or the like, and a lower wiring made of, for example, Al, Cu, Al-Si, Al-Cu or the like is formed on the interlayer insulating layer 4. The layer is formed by sputtering. In this lower wiring layer, a desired wiring pattern is formed by a photolithography method, and the lower wiring 5 is formed by etching by a reactive ion etching method or the like.

この下部配線5上には、例えばスパッタリング法やプラズマCVD法によって、SiO2等からなる第2の層間絶縁膜6が形成されている。この第2の層間絶縁膜6には、フォトリソグラフィー法等によって、スルーホール用パターンが形成され、ドライエッチング法等でエッチングを行うことで、スルーホール部11およびワイヤーボンディング用パッド穴部(不図示)が形成されている。 A second interlayer insulating film 6 made of SiO 2 or the like is formed on the lower wiring 5 by, for example, a sputtering method or a plasma CVD method. A through-hole pattern is formed in the second interlayer insulating film 6 by a photolithography method or the like, and etching is performed by a dry etching method or the like, whereby a through-hole portion 11 and a wire bonding pad hole portion (not shown) ) Is formed.

また、第2の層間絶縁膜6上には、反応性スパッタリング法によって、例えばTaN,TaSiN等からなる発熱抵抗層7と、例えばAl、Cu、Al−Cu、Al−Si等からなる個別電極配線層8とがそれぞれ形成されている。   On the second interlayer insulating film 6, a heating resistance layer 7 made of, for example, TaN, TaSiN or the like and an individual electrode wiring made of, for example, Al, Cu, Al—Cu, Al—Si, or the like, are formed by reactive sputtering. Each of the layers 8 is formed.

個別電極配線層8には、フォトリソグラフィー法によって所望の配線パターンが形成され、反応性イオンエッチング法等で、発熱抵抗層7のAl膜と、個別電極配線層8のTaN膜とを連続的にエッチングが行われる。発熱抵抗層7には、再度フォトリソグラフィー法によって所望のパターンが形成され、ウエットエッチングによって発熱抵抗層7の一部のAl膜が除去されることで、この発熱抵抗層7の一部が露出されて、発熱抵抗体がなす略正方形状の発熱領域7aが形成されている。   A desired wiring pattern is formed on the individual electrode wiring layer 8 by a photolithography method, and an Al film of the heating resistor layer 7 and a TaN film of the individual electrode wiring layer 8 are continuously formed by a reactive ion etching method or the like. Etching is performed. A desired pattern is formed again on the heating resistor layer 7 by photolithography, and a part of the Al film of the heating resistor layer 7 is removed by wet etching, so that a part of the heating resistor layer 7 is exposed. Thus, a substantially square heat generating region 7a formed by the heat generating resistor is formed.

発熱抵抗層7上には、プラズマCVD法によって、SiN膜からなる保護膜9が形成されている。この保護膜9上には、スパッタリング法によって、Ta膜からなる耐キャビテーション膜10が形成されている。   A protective film 9 made of a SiN film is formed on the heating resistance layer 7 by plasma CVD. On the protective film 9, a cavitation resistant film 10 made of a Ta film is formed by sputtering.

そして、本実施形態のインクジェットヘッド用基板には、第2の層間絶縁膜6の内部に、発熱領域7aで発生した熱を放熱するための略正方形状の伝熱層15が形成されている。この伝熱層15は、発熱領域7aにほぼ平行に対向した伝熱領域15aが、発熱領域7aの全周にわたって距離aだけ大きく形成されている。   In the inkjet head substrate of the present embodiment, a substantially square heat transfer layer 15 for radiating heat generated in the heat generating region 7 a is formed inside the second interlayer insulating film 6. In the heat transfer layer 15, a heat transfer region 15a facing the heat generating region 7a substantially parallel to the heat generating region 7a is formed larger by a distance a over the entire circumference of the heat generating region 7a.

以上のように構成されたインクジェットヘッド用基板の製造方法について、各製造工程を説明する。   Each manufacturing process is demonstrated about the manufacturing method of the board | substrate for inkjet heads comprised as mentioned above.

図1に示すように、支持基板1は、例えばSiによって厚さ625μmで形成され、この支持基板1上に、熱酸化膜からなる蓄熱層2が膜厚8000Åで形成される。この蓄熱層2上に、CVD法等によってSiO2膜等からなる第1の層間絶縁膜4を膜厚7000Åで形成する。 As shown in FIG. 1, the support substrate 1 is formed of, for example, Si with a thickness of 625 μm, and the heat storage layer 2 made of a thermal oxide film is formed on the support substrate 1 with a thickness of 8000 mm. A first interlayer insulating film 4 made of a SiO 2 film or the like is formed on the heat storage layer 2 by a CVD method or the like with a film thickness of 7000 mm.

この第1の層間絶縁膜4上に、スパッタリング法によってAl膜で下部配線層を形成する。次に、フォトリソグラフィー法によって下部配線層を所望の配線パタ−ンに形成し、この下部配線層を反応性イオンエッチング法等でエッチング処理を行うことで、下部配線5を形成する。   On the first interlayer insulating film 4, a lower wiring layer is formed with an Al film by sputtering. Next, a lower wiring layer is formed in a desired wiring pattern by photolithography, and the lower wiring 5 is formed by etching the lower wiring layer by a reactive ion etching method or the like.

このように下部配線5の形成工程で、図1および図2に示すように、発熱抵抗体7の発熱領域7aに対応する下方に、第2の層間絶縁膜6の内部に、下部配線5として用いられない略正方形状のAl膜のパターンからなる伝熱層15を形成する。この伝熱層15の伝熱領域15aは、発熱抵抗体7の発熱領域7aよりも大きく形成する。   Thus, in the formation process of the lower wiring 5, as shown in FIGS. 1 and 2, the lower wiring 5 is formed inside the second interlayer insulating film 6 below the heat generating region 7a corresponding to the heat generating area 7a. A heat transfer layer 15 made of a substantially square Al film pattern that is not used is formed. The heat transfer area 15 a of the heat transfer layer 15 is formed larger than the heat generation area 7 a of the heat generating resistor 7.

次に、この伝熱層15上に、プラズマCVD法等によってSiO2膜等からなる第2の層間絶縁膜6を膜厚14000Åで形成する。続いて、フォトリソグラフィー法等によって、第2の層間絶縁膜6にスルーホール用パターンを形成し、ドライエッチング法等によって、第2の層間絶縁膜6のエッチングを行い、スルーホール部11およびワイヤーボンディング用パッド穴部(不図示)をそれぞれ形成する。 Next, a second interlayer insulating film 6 made of a SiO 2 film or the like is formed on the heat transfer layer 15 by a plasma CVD method or the like with a film thickness of 14000 mm. Subsequently, a through hole pattern is formed in the second interlayer insulating film 6 by a photolithography method or the like, and the second interlayer insulating film 6 is etched by a dry etching method or the like, so that the through hole portion 11 and the wire bonding are performed. Pad hole portions (not shown) are respectively formed.

続いて、反応性スパッタリング法によって、TaSiN膜からなる発熱抵抗層7、およびAl膜からなる個別電極配線層8を膜厚500Åで形成する。次に、フォトリソグラフィー法を用いて配線パターンを形成し、反応性イオンエッチング法等で、Al,TaNと連続的にエッチングを行う。再びフォトリソグラフィー法によって発熱領域を露出させるために、ウエットエッチングによってAlを除去する。この部分が発熱抵抗体となる。   Subsequently, the heating resistance layer 7 made of a TaSiN film and the individual electrode wiring layer 8 made of an Al film are formed with a thickness of 500 mm by reactive sputtering. Next, a wiring pattern is formed using a photolithography method, and etching is continuously performed with Al and TaN by a reactive ion etching method or the like. In order to expose the heat generation region again by photolithography, Al is removed by wet etching. This part becomes a heating resistor.

そして、保護膜9として、プラズマCVD法によってSiN膜を膜厚3000Åで形成する。最後に、保護膜9上に、スパッタリング法によって、耐キャビテーション膜10としてTa膜を膜厚2300Åで形成する。   Then, as the protective film 9, a SiN film is formed with a thickness of 3000 mm by plasma CVD. Finally, a Ta film is formed as a cavitation resistant film 10 on the protective film 9 with a film thickness of 2300 mm by sputtering.

以上のように構成されたインクジェットヘッド用基板を備えるインクジェットヘッドについて簡単に説明する。   An inkjet head including the inkjet head substrate configured as described above will be briefly described.

図3(a)〜図3(c)に示すように、インクジェットヘッドは、上述したインクジェットヘッド用基板21と、このインクジェットヘッド用基板21上に設けられたノズル基板22とを備えている。ノズル基板22には、発熱抵抗体の発熱領域7aに対応する位置に、インク23が供給されて気泡24が発生される発泡室25が設けられている。この発泡室25には、発熱抵抗体の発熱領域7aに対向する位置に、発熱領域7aの主面に対する垂直方向に貫通して吐出口26が設けられている。   As shown in FIGS. 3A to 3C, the ink jet head includes the above-described ink jet head substrate 21 and a nozzle substrate 22 provided on the ink jet head substrate 21. The nozzle substrate 22 is provided with a foaming chamber 25 in which ink 23 is supplied and bubbles 24 are generated at positions corresponding to the heat generating region 7a of the heat generating resistor. The foaming chamber 25 is provided with a discharge port 26 penetrating in a direction perpendicular to the main surface of the heat generating region 7a at a position facing the heat generating region 7a of the heat generating resistor.

また、インクジェットヘッドには、複数の吐出口26が配列して設けられており、これら各吐出口26から各発熱抵抗体の発熱領域7aの主面と垂直方向にインク滴23aがそれぞれ吐出される。   Further, the inkjet head is provided with a plurality of ejection openings 26, and ink droplets 23 a are ejected from the ejection openings 26 in a direction perpendicular to the main surface of the heat generation region 7 a of each heating resistor. .

上述したインクジェットヘッドについて、耐キャビテーション膜10上にインクが接触する際の状況を、図3および図4を参照して説明する。   With respect to the above-described ink jet head, the situation when the ink contacts the anti-cavitation film 10 will be described with reference to FIGS.

図3(a)〜図3(c)に、発熱抵抗体に電圧を印加した後の気泡の成長、収縮過程を示す。さらに、図4には、気泡の成長、収縮過程における経過時間[s]と、耐キャビテーション膜10上の表面温度[℃]との関係を示す。なお、図4中に示す各時期A,B,Cは、図3(a),(b),(c)に示す状態にそれぞれほぼ対応している。また、図4中において、時期B以降では、本実施形態の発熱抵抗体を実線L1で示し、従来の発熱抵抗体を破線L2で示す。   FIG. 3A to FIG. 3C show bubble growth and contraction processes after a voltage is applied to the heating resistor. Further, FIG. 4 shows the relationship between the elapsed time [s] in the bubble growth and contraction process and the surface temperature [° C.] on the anti-cavitation film 10. Each time A, B, and C shown in FIG. 4 substantially corresponds to the states shown in FIGS. 3 (a), (b), and (c). In FIG. 4, after time B, the heating resistor of this embodiment is indicated by a solid line L1, and the conventional heating resistor is indicated by a broken line L2.

図3(a)に示すように、発熱抵抗体に電圧を印加し、発熱領域が加熱されるのに伴って気泡が発生し、気泡によってインクが吐出口に向かって移動される。続いて、図3(b)に示すように、更に成長した気泡によってインク滴が吐出口から押し出される。   As shown in FIG. 3A, when a voltage is applied to the heating resistor and the heating region is heated, bubbles are generated, and the ink is moved toward the ejection port by the bubbles. Subsequently, as shown in FIG. 3B, ink droplets are pushed out from the ejection openings by the further grown bubbles.

最後に、図3(c)に示すように、気泡収縮過程で、発泡領域に流入してきたインクが耐キャビテーション膜10上に接触する。このとき、耐キャビテーション膜10の表面温度は、図4中の時期Cに破線L2で示すように、従来の発熱抵抗体ではまだ高温状態にある。このような高温下でインクと金属材からなる耐キャビテーション膜10とが高速で接触することによって、耐キャビテーション膜10には、物理的ダメージ、さらには熱化学的ダメージが及ぼされ、結果的にインクジェットヘッドの耐久性を低下させてしまう。   Finally, as shown in FIG. 3C, the ink that has flowed into the foaming region comes into contact with the anti-cavitation film 10 during the bubble contraction process. At this time, the surface temperature of the anti-cavitation film 10 is still at a high temperature in the conventional heating resistor, as indicated by the broken line L2 at time C in FIG. When the ink and the anti-cavitation film 10 made of a metal material are brought into contact with each other at a high temperature at such a high temperature, the anti-cavitation film 10 is physically damaged and further subjected to thermochemical damage. This will reduce the durability of the head.

一方、本発明に係るインクジェットヘッドは、発熱抵抗体と支持基板1との間に形成されその支持基板1より熱伝導率が小さい蓄熱層である第1の層間絶縁膜6の内部に、伝熱層12として、第1の層間絶縁膜6をなすSiO2膜よりも熱伝導率が大きいAl膜が設けられている。 On the other hand, the ink jet head according to the present invention transfers heat to the inside of the first interlayer insulating film 6 that is formed between the heating resistor and the support substrate 1 and is a heat storage layer having a lower thermal conductivity than the support substrate 1. As the layer 12, an Al film having a higher thermal conductivity than the SiO 2 film forming the first interlayer insulating film 6 is provided.

そして、本発明に係るインクジェットヘッドは、この伝熱層12の伝熱領域12aが、発熱抵抗体の発熱領域7aよりも大きく形成されていることによって、発熱抵抗体の蓄熱を減らして、図4中の時期Cに実線で示すように、時期Cにおける耐キャビテーション膜10の表面温度を、破線で示す従来の発熱抵抗体よりも下げることが可能となり、物理的ダメージおよび熱化学的ダメージを軽減することができる。   In the ink jet head according to the present invention, the heat transfer region 12a of the heat transfer layer 12 is formed to be larger than the heat generation region 7a of the heat generation resistor, thereby reducing the heat storage of the heat generation resistor. As indicated by the solid line at the middle period C, the surface temperature of the anti-cavitation film 10 at the period C can be made lower than that of the conventional heating resistor indicated by the broken line, thereby reducing physical damage and thermochemical damage. be able to.

本実施形態の発熱部を有するインクジェットヘッド用基板を用いて、インクジェットヘッドを製造し、耐久性試験を行った。その結果、耐キャビテーション膜10上にインクが接触することで断線が生じることなく、伝熱層が設けられていない構成の従来のインクジェットヘッドに比較して耐久性が向上された。   An inkjet head was manufactured using the inkjet head substrate having the heat generating portion of the present embodiment, and a durability test was performed. As a result, the ink contacted with the anti-cavitation film 10 did not cause a disconnection, and the durability was improved as compared with a conventional inkjet head having no heat transfer layer.

なお、上述した伝熱層12は、その高い熱伝導性によって、上部の蓄熱層である第2の層間絶縁膜6側から伝えられた熱を平面方向に拡散し、さらに、下部の蓄熱層である第1の層間絶縁膜4へ伝えることによって、いわば放熱面積を広げる役割を果たす効果がある。したがって、正方形状をなす伝熱層12の伝熱領域12aの一辺の幅Wは、発熱抵抗体の発熱領域の幅Whと比べて大きく、伝熱層12の外周と発熱領域の外周との間の距離をaとすれば、
W=Wh+2a ・・・(式1)
の関係を満たしている。
Note that the heat transfer layer 12 described above diffuses heat transferred from the second interlayer insulating film 6 side, which is the upper heat storage layer, in the plane direction due to its high thermal conductivity, and further, in the lower heat storage layer. By transmitting to a certain first interlayer insulating film 4, there is an effect of expanding the heat radiation area. Therefore, the width W of one side of the heat transfer region 12a of the heat transfer layer 12 having a square shape is larger than the width Wh of the heat generation region of the heating resistor, and is between the outer periphery of the heat transfer layer 12 and the outer periphery of the heat generation region. If the distance is a,
W = Wh + 2a (Formula 1)
Meet the relationship.

ただし、距離aの値を大きくした場合には、発熱領域7aの外周縁部の温度が低下し、実質的な発泡に寄与する有効発泡領域が狭くなるという弊害がある。したがって、例えば伝熱層15を支持基板1全面にわたって形成する構成は好ましくなく、複数の伝熱領域に分割して設けられる構成が望ましい。   However, when the value of the distance a is increased, the temperature of the outer peripheral edge of the heat generating region 7a is lowered, and there is an adverse effect that the effective foaming region contributing to substantial foaming becomes narrow. Therefore, for example, a configuration in which the heat transfer layer 15 is formed over the entire surface of the support substrate 1 is not preferable, and a configuration in which the heat transfer layer 15 is divided into a plurality of heat transfer regions is desirable.

そして、距離aの値は、発熱抵抗体において、有効発泡領域を狭めること無く、かつ発熱領域7aにインクが流入するリフィール時の保護膜9の表面温度、すなわち耐キャビテーション膜10の表面温度が十分に下がっているような最適な値に設定されている。具体的には、距離aは、各蓄熱層の熱的性質、すなわち熱伝導率および層厚、伝熱層の熱伝導率および膜厚、ヘッド駆動時の駆動パルス印加時間を含む加熱条件等の各種パラメータを考慮して最適に設定されている。   The value of the distance a is such that, in the heating resistor, the surface temperature of the protective film 9 at the time of refilling without flowing the effective foaming area into the heating area 7a, that is, the surface temperature of the anti-cavitation film 10 is sufficient. It is set to an optimal value that falls to. Specifically, the distance a is the thermal properties of each heat storage layer, that is, the heat conductivity and the layer thickness, the heat conductivity and the film thickness of the heat transfer layer, the heating conditions including the drive pulse application time when driving the head, etc. It is set optimally considering various parameters.

なお、図示しないが、発熱抵抗体の発熱領域7aおよび伝熱層15の伝熱領域15aは、円形状にそれぞれ形成されて、同心円上に配置されてもよいことは勿論である。   Although not shown, the heat generating region 7a of the heat generating resistor and the heat transfer region 15a of the heat transfer layer 15 may be formed in a circular shape and arranged concentrically.

上述したように、本実施形態のインクジェットヘッド用基板によれば、伝熱層15が存在している位置に対応する保護膜9の表面の平面性を維持しつつ、保護膜9の上層である耐キャビテーション膜10表面の放熱が速やかになり、発熱抵抗体の発熱領域7aにインクが流入する際の保護膜9の表面温度を下げることが可能になり、熱ストレスに対して影響を受けにくく、例えば100kHz以上の高周波駆動帯域であっても、発熱抵抗体の個別電極配線8等に断線が発生することを抑制することができる。   As described above, according to the inkjet head substrate of the present embodiment, the upper layer of the protective film 9 is maintained while maintaining the planarity of the surface of the protective film 9 corresponding to the position where the heat transfer layer 15 exists. Radiation of the surface of the anti-cavitation film 10 becomes quicker, it becomes possible to lower the surface temperature of the protective film 9 when the ink flows into the heat generating region 7a of the heat generating resistor, and it is less susceptible to thermal stress, For example, even in a high-frequency drive band of 100 kHz or higher, it is possible to suppress the occurrence of disconnection in the individual electrode wiring 8 of the heating resistor.

(第2の実施形態)
図5に示すように、第2の実施形態のインクジェットヘッド用基板は、下部配線5として用いられないAl膜からなる上述の伝熱層15の代わりに、第1の層間絶縁膜4の内部に、伝熱層16が設けられている。このインクジェットヘッド用基板は、伝熱層16が、発熱抵抗体の発熱領域7aの下方に、第1の層間絶縁膜4をなすSiO2膜よりも熱伝導率が大きいpoly−Si膜を略正方形状の領域だけ残して設けられている構成以外、第1の実施形態のインクジェットヘッド用基板と同様に構成されている。また、伝熱層16は、上述した伝熱層15と同様に、伝熱領域が発熱領域7aよりも大きく形成されている。
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 5, the substrate for the inkjet head of the second embodiment is provided inside the first interlayer insulating film 4 instead of the above-described heat transfer layer 15 made of an Al film that is not used as the lower wiring 5. A heat transfer layer 16 is provided. In this ink jet head substrate, the heat transfer layer 16 is formed by forming a poly-Si film having a higher thermal conductivity than the SiO 2 film forming the first interlayer insulating film 4 below the heating region 7a of the heating resistor in a substantially square shape. The configuration is the same as that of the ink jet head substrate of the first embodiment except for the configuration in which only the region is left. Moreover, the heat transfer layer 16 is formed so that the heat transfer region is larger than the heat generation region 7a, similarly to the heat transfer layer 15 described above.

そして、この第2の実施形態のインクジェットヘッド用基板を用いて、インクジェットヘッドを作製し、上述の評価を同様に行ったところ、第1の実施形態と同様の効果が得られた。   When an inkjet head was manufactured using the inkjet head substrate of the second embodiment and the above-described evaluation was performed in the same manner, the same effects as those of the first embodiment were obtained.

(第3の実施形態)
図6に示すように、第3の実施形態のインクジェットヘッド用基板は、上述の伝熱層16に加えて、第2の層間絶縁膜4の内部に、下部配線5として用いられないAl膜からなる略正方形状の伝熱層17が設けられている。このインクジェットヘッド用基板は、各第1および第2の層間絶縁膜4,6の内部に伝熱層16,17がそれぞれ設けられている構成以外、第1の実施形態のインクジェットヘッド用基板と同様に構成されている。また、伝熱層17は、第1の層間絶縁膜4に形成されたスルーホール部を介して伝熱層16に連結されており、熱伝導性の向上が図られている。
(Third embodiment)
As shown in FIG. 6, the substrate for the ink jet head according to the third embodiment includes an Al film that is not used as the lower wiring 5 in the second interlayer insulating film 4 in addition to the heat transfer layer 16 described above. A substantially square heat transfer layer 17 is provided. The ink jet head substrate is the same as the ink jet head substrate of the first embodiment, except that the heat transfer layers 16 and 17 are provided in the first and second interlayer insulating films 4 and 6, respectively. It is configured. In addition, the heat transfer layer 17 is connected to the heat transfer layer 16 through a through-hole portion formed in the first interlayer insulating film 4, thereby improving the thermal conductivity.

そして、この第3の実施形態のインクジェットヘッド用基板を用いて、インクジェットヘッドを作製し、上述の評価を同様に行ったところ、第1の実施形態と同様の効果が更に良好に得られた。   And when the inkjet head was produced using the substrate for inkjet heads of this 3rd embodiment and the above-mentioned evaluation was performed similarly, the same effect as a 1st embodiment was obtained more satisfactorily.

(第4の実施形態)
図7に示すように、第4の実施形態のインクジェットヘッド用基板は、1つの発泡室25内に設けられる発熱領域が、第1および第2の発熱領域27a,27bからなる。このインクジェットヘッド用基板には、発熱抵抗体の各発熱領域27a,27bの下方に、第3の実施形態と同様に、第1および第2の層間絶縁膜4,6の内部に伝熱層16,17がそれぞれ設けられている構成以外、第1の実施形態と同様に構成されている。
(Fourth embodiment)
As shown in FIG. 7, in the ink jet head substrate of the fourth embodiment, the heat generation area provided in one foaming chamber 25 is composed of first and second heat generation areas 27a and 27b. In the substrate for the ink jet head, the heat transfer layer 16 is provided below the heat generating regions 27a and 27b of the heat generating resistor and inside the first and second interlayer insulating films 4 and 6, as in the third embodiment. , 17 are configured in the same manner as in the first embodiment except for the configuration in which each is provided.

そして、この第4の実施形態のインクジェットヘッド用基板を用いて、インクジェットヘッドを作製し、上述の評価を同様に行ったところ、第1の実施形態と同様の効果が得られた。   And when the inkjet head was produced using the substrate for inkjet heads of this 4th embodiment and the above-mentioned evaluation was performed similarly, the same effect as a 1st embodiment was acquired.

(第5の実施形態)
第5の実施形態のインクジェットヘッド用基板は、図8(a)に示すように、第2の層間絶縁膜6の内部に、下部配線5として用いられないAlパターンからなる、複数の伝熱領域18a〜18cを有する伝熱層18が設けられている構成、あるいは図8(b)に示すように、第1の層間絶縁膜4の内部に、poly−Si膜からなる、複数の伝熱領域19a〜19cを有する伝熱層19が設けられている構成以外、第1の実施形態と同様に構成されている。
(Fifth embodiment)
As shown in FIG. 8A, the substrate for an ink jet head according to the fifth embodiment has a plurality of heat transfer regions made of an Al pattern that is not used as the lower wiring 5 inside the second interlayer insulating film 6. A structure in which the heat transfer layer 18 having 18a to 18c is provided, or a plurality of heat transfer regions made of a poly-Si film inside the first interlayer insulating film 4 as shown in FIG. 8B. Except for the configuration in which the heat transfer layer 19 having 19a to 19c is provided, the configuration is the same as in the first embodiment.

伝熱層18は、第2の層間絶縁膜6の内部に、各伝熱領域18a〜18cが互いに所定の間隔をあけて配設されており、各伝熱領域18a〜18cからなる全伝熱領域が、発熱領域7aよりも大きく形成されている。同様に、伝熱層19は、第1の層間絶縁膜4の内部に、各伝熱領域19a〜19cが互いに所定の間隔をあけて配設されており、各伝熱領域19a〜19cからなる全伝熱領域が、発熱領域7aよりも大きく形成されている。   In the heat transfer layer 18, the heat transfer regions 18a to 18c are arranged in the second interlayer insulating film 6 with a predetermined interval therebetween, and the total heat transfer composed of the heat transfer regions 18a to 18c. The region is formed larger than the heat generating region 7a. Similarly, in the heat transfer layer 19, the heat transfer regions 19a to 19c are arranged at predetermined intervals in the first interlayer insulating film 4, and are composed of the heat transfer regions 19a to 19c. The entire heat transfer area is formed larger than the heat generation area 7a.

そして、この第5の実施形態のインクジェットヘッド用基板を用いて、インクジェットヘッドを作製し、上述の評価を同様に行ったところ、第1の実施形態と同様の効果が得られた。   And when the inkjet head was produced using the substrate for inkjet heads of this 5th embodiment and the above-mentioned evaluation was performed similarly, the same effect as a 1st embodiment was acquired.

(第6の実施形態)
図9に示すように、第6の実施形態のインクジェットヘッド用基板を示す断面図である。
(Sixth embodiment)
As shown in FIG. 9, it is sectional drawing which shows the board | substrate for inkjet heads of 6th Embodiment.

本実施形態では、インクへの熱伝達を向上するために、保護膜9を非常に薄く形成できる構成を示している。すなわち、個別電極配線層8と第2の層間絶縁膜6が形成された面は、CMP(ケミカルメカニカルポリッシング)加工によって非常に平坦に加工され、この平坦化された面上に発熱抵抗体7およびその保護膜9が形成される。このような工程を施すことによって、個別電極配線層8による段差が存在しなくなるので、保護膜9を極めて薄く形成することができる。   In the present embodiment, a configuration is shown in which the protective film 9 can be formed very thin in order to improve heat transfer to the ink. That is, the surface on which the individual electrode wiring layer 8 and the second interlayer insulating film 6 are formed is processed to be very flat by CMP (Chemical Mechanical Polishing), and the heating resistors 7 and 7 are formed on the flattened surface. The protective film 9 is formed. By performing such a process, there is no step due to the individual electrode wiring layer 8, and therefore the protective film 9 can be formed extremely thin.

ただし、このような工程を施すことで、CMP加工によって支持基板1全面にわたって均一に平坦化されるため、支持基板1からの層厚が最も厚い部分に揃えられる。従来の工程では、駆動回路部分が多層配線であることで各配線層を絶縁する層間絶縁膜を設ける必要があるため、単層配線である発熱抵抗体部に比べて層厚が厚くなってしまう。加えて、この工程では、発熱抵抗体部も駆動回路部と同じ層厚に形成されるので、絶縁膜の膜厚みが厚くなり、支持基板1への熱伝達が低下してしまう不都合があった。   However, by performing such a step, the entire surface of the support substrate 1 is uniformly planarized by CMP processing, so that the layer thickness from the support substrate 1 is aligned to the thickest portion. In the conventional process, since the drive circuit portion is a multilayer wiring, it is necessary to provide an interlayer insulating film that insulates each wiring layer, so that the layer thickness becomes thicker than that of the heating resistor portion that is a single-layer wiring. . In addition, in this process, since the heating resistor portion is also formed with the same layer thickness as the drive circuit portion, there is a disadvantage that the film thickness of the insulating film is increased and heat transfer to the support substrate 1 is reduced. .

一方で、本実施形態のインクジェットヘッド用基板は、図9に示すように、発熱抵抗体の発熱領域7aに隣接して下方に、Al膜からなる伝熱層20が設けられている。また、このインクジェットヘッド用基板には、第1の実施形態と同様に、第2の層間絶縁膜6の内部に、伝熱層15が設けられている。   On the other hand, as shown in FIG. 9, the ink jet head substrate of the present embodiment is provided with a heat transfer layer 20 made of an Al film below and adjacent to the heat generating region 7a of the heat generating resistor. In addition, the ink jet head substrate is provided with a heat transfer layer 15 inside the second interlayer insulating film 6 as in the first embodiment.

このように伝熱層20,15を備えることで、本実施形態のインクジェットヘッド用基板は、発熱抵抗体から支持基板1への熱伝達を低下させること無く放熱し、個別電極配線層の段差を無くした構成によって保護膜9が比較的薄く形成されることでインクへの熱伝達が向上するので、エネルギー効率の向上と、耐久性の向上とを両立することができる。   By providing the heat transfer layers 20 and 15 in this manner, the inkjet head substrate of the present embodiment dissipates heat without reducing heat transfer from the heating resistor to the support substrate 1, and steps in the individual electrode wiring layers are reduced. Since the protective film 9 is formed to be relatively thin due to the eliminated configuration, heat transfer to the ink is improved, so that both energy efficiency and durability can be improved.

第1の実施形態のインクジェットヘッド用基板を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate for inkjet heads of 1st Embodiment. 第1の実施形態のインクジェットヘッド用基板における発熱抵抗体の発熱領域体と伝熱層の配置関係を模式的に平面図である。FIG. 3 is a plan view schematically showing the arrangement relationship between the heat generating region of the heat generating resistor and the heat transfer layer in the ink jet head substrate of the first embodiment. インクを吐出する際の気泡の挙動を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the behavior of the bubble at the time of discharging ink. 発熱抵抗体に電圧を印加した後の耐キャビテーション膜の表面温度と経過時間との関係を本発明と従来技術とで比較して示す図である。It is a figure which shows the relationship between the surface temperature of the anti-cavitation film after applying a voltage to a heat generating resistor, and elapsed time by this invention and a prior art. 第2の実施形態のインクジェットヘッド用基板を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate for inkjet heads of 2nd Embodiment. 第3の実施形態のインクジェットヘッド用基板を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate for inkjet heads of 3rd Embodiment. 第4の実施形態のインクジェットヘッド用基板を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the board | substrate for inkjet heads of 4th Embodiment. 第5の実施形態のインクジェットヘッド用基板を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate for inkjet heads of 5th Embodiment. 第6の実施形態のインクジェットヘッド用基板を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the board | substrate for inkjet heads of 6th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1 支持基板(Si)
2 蓄熱層(熱酸化膜)
3 配線
4 第1の層間絶縁膜(SiO2膜)
5 下部配線
6 第2の層間絶縁膜(SiO2膜)
7 発熱抵抗層
7a 発熱領域
8 個別電極配線
9 保護膜(SiN膜)
10 耐キャビテーション膜(Ta膜)
15 伝熱層(poly−Si膜)
15a 伝熱領域
16 伝熱層(Al膜)
21 インクジェットヘッド用基板
22 ノズル基板
23 インク
1 Support substrate (Si)
2 Thermal storage layer (thermal oxide film)
3 Wiring 4 First interlayer insulating film (SiO 2 film)
5 Lower wiring 6 Second interlayer insulating film (SiO 2 film)
7 Heat generation resistance layer 7a Heat generation area 8 Individual electrode wiring 9 Protective film (SiN film)
10 Anti-cavitation film (Ta film)
15 Heat transfer layer (poly-Si film)
15a Heat transfer area 16 Heat transfer layer (Al film)
21 Substrate for inkjet head 22 Nozzle substrate 23 Ink

Claims (12)

支持基板と、インクを加熱するための発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に電気的に接続された配線と、前記発熱抵抗体の発熱領域と前記支持基板との間に電気的に絶縁するために設けられる絶縁層と、前記発熱抵抗体および前記配線を覆うように設けられ前記発熱抵抗体および前記配線を保護する保護膜とを備え、前記絶縁層が前記支持基板よりも熱伝導率の小さい蓄熱層をなしているインクジェットヘッド用基板であって、
前記蓄熱層の内部には、前記蓄熱層よりも熱伝導率が大きい伝熱層が設けられ、前記発熱領域に対向した前記伝熱層の伝熱領域が前記発熱領域よりも大きく形成されていることを特徴とするインクジェットヘッド用基板。
In order to electrically insulate between the support substrate, the heating resistor for heating the ink, the wiring electrically connected to the heating resistor, and the heating region of the heating resistor and the support substrate And an insulating layer provided so as to cover the heating resistor and the wiring, and a protective film for protecting the heating resistor and the wiring, wherein the insulating layer has a lower thermal conductivity than the support substrate. An ink jet head substrate that forms a heat storage layer,
A heat transfer layer having a higher thermal conductivity than the heat storage layer is provided inside the heat storage layer, and the heat transfer region of the heat transfer layer facing the heat generation region is formed larger than the heat generation region. An ink-jet head substrate.
前記伝熱層の前記伝熱領域は、前記発熱抵抗体の前記発熱領域の全周にわたって一定距離だけ大きく形成されている請求項1に記載のインクジェットヘッド用基板。   2. The inkjet head substrate according to claim 1, wherein the heat transfer area of the heat transfer layer is formed to be larger by a certain distance over the entire circumference of the heat generation area of the heating resistor. 前記発熱抵抗体の前記発熱領域は、複数の発熱抵抗体からなる請求項1に記載のインクジェットヘッド用基板。   The substrate for an inkjet head according to claim 1, wherein the heat generating region of the heat generating resistor includes a plurality of heat generating resistors. 前記伝熱層は、前記蓄熱層内で複数の前記伝熱領域に分割されて形成されている請求項1に記載のインクジェットヘッド用基板。   The inkjet head substrate according to claim 1, wherein the heat transfer layer is divided into a plurality of the heat transfer regions in the heat storage layer. 前記伝熱層は、前記発熱領域に対応して前記複数の蓄熱層にそれぞれ形成されている請求項1に記載のインクジェットヘッド用基板。   2. The inkjet head substrate according to claim 1, wherein the heat transfer layer is formed on each of the plurality of heat storage layers corresponding to the heat generation region. 前記伝熱層は、前記発熱抵抗体の前記発熱領域に隣接して形成されている請求項1に記載のインクジェットヘッド用基板。   The inkjet head substrate according to claim 1, wherein the heat transfer layer is formed adjacent to the heat generating region of the heat generating resistor. 前記発熱抵抗体は、平坦化処理された前記配線上に形成されている請求項1に記載のインクジェットヘッド用基板。   The inkjet head substrate according to claim 1, wherein the heating resistor is formed on the planarized wiring. 前記支持基板は、Siからなる請求項1ないし7のいずれか1項に記載のインクジェットヘッド用基板。   The inkjet head substrate according to claim 1, wherein the support substrate is made of Si. 請求項1ないし8のいずれか1項に記載のインクジェットヘッド用基板を用いてインクを吐出するインクジェットヘッド。   An ink jet head for discharging ink using the ink jet head substrate according to claim 1. 前記発熱抵抗体の前記発熱領域の主面に対して垂直方向にインクを吐出するための吐出口が設けられている請求項9に記載のインクジェットヘッド。   The ink jet head according to claim 9, wherein an ejection port for ejecting ink in a direction perpendicular to a main surface of the heat generating area of the heat generating resistor is provided. 支持基板と、インクを加熱するための発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に電気的に接続された配線と、前記発熱抵抗体の発熱領域と前記支持基板との間に電気的に絶縁するために設けられる絶縁層と、前記発熱抵抗体および前記配線を覆うように設けられ前記発熱抵抗体および前記配線を保護する保護膜とを備え、前記絶縁層が前記支持基板よりも熱伝導率の小さい蓄熱層をなし、前記蓄熱層の内部に、前記蓄熱層よりも熱伝導率が大きい伝熱層が設けられ、前記発熱領域に対向した前記伝熱層の伝熱領域が前記発熱領域よりも大きく形成されているインクジェットヘッド用基板の製造方法であって、
前記伝熱層を形成する工程と、
前記伝熱層の前記伝熱領域内に対応する位置に前記発熱抵抗体の前記発熱領域を形成する工程と
を有することを特徴とするインクジェットヘッド用基板の製造方法。
In order to electrically insulate between the support substrate, the heating resistor for heating the ink, the wiring electrically connected to the heating resistor, and the heating region of the heating resistor and the support substrate And an insulating layer provided so as to cover the heating resistor and the wiring, and a protective film for protecting the heating resistor and the wiring, wherein the insulating layer has a lower thermal conductivity than the support substrate. A heat storage layer is provided, and a heat transfer layer having a higher thermal conductivity than the heat storage layer is provided inside the heat storage layer, and a heat transfer region of the heat transfer layer facing the heat generation region is larger than the heat generation region. A method for manufacturing a formed inkjet head substrate, comprising:
Forming the heat transfer layer;
Forming the heat generation region of the heat generating resistor at a position corresponding to the heat transfer region of the heat transfer layer.
前記配線をなす配線層を平坦化する加工を行う工程を有する請求項11に記載のインクジェットヘッド用基板の製造方法。   The manufacturing method of the board | substrate for inkjet heads of Claim 11 which has the process of planarizing the wiring layer which makes the said wiring.
JP2004099292A 2004-03-30 2004-03-30 Inkjet head substrate and inkjet head Pending JP2005280179A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004099292A JP2005280179A (en) 2004-03-30 2004-03-30 Inkjet head substrate and inkjet head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004099292A JP2005280179A (en) 2004-03-30 2004-03-30 Inkjet head substrate and inkjet head

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005280179A true JP2005280179A (en) 2005-10-13

Family

ID=35179069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004099292A Pending JP2005280179A (en) 2004-03-30 2004-03-30 Inkjet head substrate and inkjet head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005280179A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009248517A (en) * 2008-04-09 2009-10-29 Canon Inc Recording head, liquid discharge apparatus, and method for manufacturing of recording head
JP2012000921A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Canon Inc Substrate for liquid discharge head and liquid discharge head
CN102431302A (en) * 2010-09-29 2012-05-02 佳能株式会社 Liquid discharge head and manufacturing method of the same
CN103035716A (en) * 2011-09-29 2013-04-10 国际联合科技股份有限公司 Ink jet head heating chip and its manufacturing method
US9120310B2 (en) 2009-03-25 2015-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Recording element substrate, method of manufacturing the recording element substrate, and liquid ejection head

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009248517A (en) * 2008-04-09 2009-10-29 Canon Inc Recording head, liquid discharge apparatus, and method for manufacturing of recording head
US9120310B2 (en) 2009-03-25 2015-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Recording element substrate, method of manufacturing the recording element substrate, and liquid ejection head
JP2012000921A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Canon Inc Substrate for liquid discharge head and liquid discharge head
CN102431302A (en) * 2010-09-29 2012-05-02 佳能株式会社 Liquid discharge head and manufacturing method of the same
US8434850B2 (en) 2010-09-29 2013-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid discharge head and manufacturing method of the same
CN103035716A (en) * 2011-09-29 2013-04-10 国际联合科技股份有限公司 Ink jet head heating chip and its manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4787365B2 (en) Inkjet printer head manufacturing method
JP2004017652A (en) INK JET PRINT HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD
JPH09109392A (en) Inkjet recording head manufacturing method, inkjet recording head manufactured by the same method, and inkjet recording apparatus
US7758168B2 (en) Inkjet printhead and method of manufacturing the same
JP2005035281A (en) Method for manufacturing liquid discharge head
JP2005343171A (en) Method for manufacturing substrate for ink jet recording head and method for manufacturing recording head using the substrate manufactured by the method
JP2002079679A (en) Ink jet printing head and method of fabricating the same
JP5355223B2 (en) Liquid discharge head
JPH10109421A (en) Heating substrate for liquid jet recording head
KR100452850B1 (en) Print head of ink-jet printer and fabrication method therefor
JP2005280179A (en) Inkjet head substrate and inkjet head
JP2010221660A (en) Recording substrate, method for manufacturing the recording substrate, and liquid discharge head
JP2008296572A (en) Ink jet print head and manufacturing method thereof
KR100499132B1 (en) Inkjet printhead and manufacturing method thereof
US20050052501A1 (en) Heater for inkjet printer head and method for production thereof
US20090141083A1 (en) Inkjet printhead and method of manufacturing the same
JP7191669B2 (en) SUBSTRATE FOR LIQUID EJECTION HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
JP2017001217A (en) Liquid discharge head and method of manufacturing liquid discharge head
JP2019136960A (en) Substrate for liquid discharge head, method for production thereof, and liquid discharge head
US20080122899A1 (en) Inkjet print head and method of manufacturing the same
JP3397532B2 (en) Base for liquid jet recording head and method of manufacturing the same
JP2000177135A (en) Substrate for inkjet recording head, inkjet recording head, and method of manufacturing the same
US20060284935A1 (en) Inkjet printer head and fabrication method thereof
KR100438726B1 (en) Ink jet print head and manufacturing method thereof
KR100497389B1 (en) Inkjet printhead and method of manufacturing thereof