JP2005274640A - 液晶パネルおよび液晶パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させ、耐湿性および耐光性にも優れた液晶パネルおよびその製造方法液晶パネルの製造方法および液晶パネルを提供する。
【解決手段】表面に配向膜３２が形成された一対の基板Ｓ間に液晶層３３を封止してなる液晶パネルおよびその製造方法であって、配向膜３２は、疎水性の無機材料で形成されており、少なくとも一方の基板Ｓと配向膜３２との間に、親水性の無機材料からなる吸着層３１が設けられていることを特徴とする液晶パネルおよびその製造方法である。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶パネルおよび液晶パネルの製造方法に関するものであって、特には、投射型液晶表示装置に好適に用いられる液晶パネルおよびその製造方法に関する。

近年、液晶パネルを備えた表示装置は、直視型のみではなく、プロジェクションテレビ等の投射型表示装置としても需要が高まってきている。そして、ＡＶ機器としての需要の高まりとともに、長寿命、高信頼性に対する要求も強まってきている。

このような液晶パネルは、表面に配向膜が形成された一対の基板間に液晶層が封入されて構成されている。これら一対の基板は、配向膜を対向させて配置され、これらの基板の周縁部に設けられたシール層により貼り合わされている。そして、シール層に設けられた液晶を注入するための注入口から基板間に液晶層が充填され、注入口を封止剤で塞ぐことで、配向膜間に液晶層が挟持された状態となっている。

上述したような液晶パネルの寿命および信頼性の向上において、従来からの課題の１つに、液晶パネル内への水分の侵入があり、液晶パネル内に水分が浸入すると、液晶層に含まれる液晶分子の配向異常が生じ、画像表示が悪化することが知られている。

そこで、シール層の幅を広くする、または、シール層の厚みを薄くする等の様々な手法により、液晶パネルの表示領域内への水分の浸入を防止することが検討されている。さらに、シール層から水分やイオン成分が侵入することを防止するために、表示領域の周辺部分に水分やイオン成分を吸着するイオン吸着層を備えた液晶表示装置（例えば、特許文献１参照）が報告されている。

また、液晶パネル内に水分が浸入した場合であっても、水分による影響を抑制するために、基板と配向膜との間に吸水性有機物質を含む層構造を有する液晶表示装置（例えば、特許文献２参照）や、基板上に形成した無機配向膜の上に吸湿性の低い有機配向膜を有する液晶表示装置（例えば、特許文献３参照）等が報告されている。

特開２００１−２０１７３４号公報 特開２００３−２９２４６号公報 特開２００３−１６５１７５号公報

しかし、液晶パネルへの水分の浸入を確実に防止することは、長期間湿度の高い場所に液晶パネルを保存した場合には、困難であった。さらに、表示領域の周辺部分にイオン吸着層を備えた液晶表示装置では、表示領域の外側の周辺部分が狭くなる傾向にあり、イオン吸着層を設ける領域が確保し難いという問題があった。

また、液晶パネル内に侵入した水分による影響を抑制するために、基板と配向膜との間に吸水性有機物質を含む層構造を有する液晶表示装置では、吸水性有機物質における化学反応を利用した吸湿作用であるために、液晶パネルが乾燥と高湿を繰り返すような環境で保存された場合に、吸水性有機物質の吸湿力が顕著に低下するといった問題があった。

さらに、基板上に形成した無機配向膜の上に吸湿性の低い有機配向膜を有する液晶表示装置であっても、水分による液晶分子の配向異常を十分に低減することは困難であった。また、無機配向膜上に有機配向膜を形成することから、成膜する際のそれぞれの材料のコンタミネーションを避けるために、無機配向膜と有機配向膜とで成膜装置を変える必要があり、製造工程が煩雑であった。

また、液晶パネル内に上述したような吸水性有機物質、または有機配向膜層等の有機層が設けられることで、上述した液晶表示装置を、プロジェクター等の投射型液晶表示装置として使用した場合には、強い読み出し光に曝されるため、有機物が分解するといった問題が生じていた。

したがって、液晶パネル内に侵入した水分による液晶分子の配向異常が防止されることで、表示品質を向上させ、耐湿性および耐光性にも優れるとともに、生産性にも優れた液晶パネルおよびその製造方法が要望されていた。

上述した課題を解決するために、本発明の液晶パネルは、表面に配向膜が形成された一対の基板間に液晶層を封止してなる液晶パネルであって、配向膜は、疎水性の無機材料で形成されている。そして、特に、少なくとも一方の基板と配向膜との間に、親水性の無機材料からなる吸着層が設けられていることを特徴としている。

このような液晶パネルによれば、少なくとも一方の基板と疎水性の無機材料からなる配向膜との間に、親水性の無機材料からなる吸着層が設けられている。これにより、液晶パネル内に水分が侵入したとしても、この水分が配向膜に吸着することなく、吸着層に保持される。このため、水分による液晶分子の配向異常が防止されることで、画像表示の悪化が防止される。さらに、配向膜と吸着層が無機材料で形成されていることにより、この液晶パネルが強い光に曝されたとしても、配向膜および吸着層の破壊が防止される。

また、本発明の液晶パネルの製造方法は、表面に配向膜が形成された一対の基板間に液晶層を封止してなる液晶パネルの製造方法であって、少なくとも一方の基板上に、親水性の無機材料からなる吸着層を形成した後、吸着層上に、疎水性の無機材料からなる配向膜を形成することを特徴としている。

このような液晶パネルの製造方法によれば、少なくとも一方の基板と疎水性の無機材料からなる配向膜との間に、親水性の無機材料からなる吸着層が設けられた上記構成の液晶パネルが得られる。また、吸着層と配向膜を無機材料で形成することで、吸着層と配向膜を同一の成膜装置を用いて連続的に形成することができる。

以上説明したように、本発明の液晶パネルおよびその製造方法によれば、液晶パネル内に水分が浸入したとしても、水分による液晶分子の配向異常が防止されるため、画像表示の悪化が防止され、液晶パネルの耐湿性を向上させることができる。また、液晶パネルが強い光に曝されたとしても、配向膜および吸着層の破壊が防止されることで、液晶パネルの耐光性も向上できる。したがって、液晶パネルの表示品質および長期信頼性を向上させることができ、歩留まりを向上させることができる。さらに、吸着層と配向膜を同一の成膜装置を用いて形成可能であるため、生産性にも優れている。

以下、本発明の液晶パネルおよび液晶パネルの製造方法に係わる実施の形態の一例を、詳細に説明する。ここでは、図１に示すように、負の誘電異方性を有するとともに、常温下でネマティック層を呈する垂直配向（Vertically Aligned（ＶＡ））の透過型の液晶パネルを用いて説明する。

この液晶パネルは、一対の基板間に液晶層が封入された構成であり、これら一対の基板は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor（ＴＦＴ））が配列形成されたＴＦＴ基板Ｓ１と、これに対向配置された対向基板Ｓ２とで構成されている。

ＴＦＴ基板Ｓ１は、光透過性の例えばガラスからなる絶縁基板１１の中央部となる表示領域１１ａ上に、ＴＦＴ１２とこれに接続された配線１３および透明導電性膜からなる画素電極１４とを備えている。一方、対向基板Ｓ２は、光透過性の例えばガラスからなる絶縁基板２１を用いて構成され、その一主面側に透明導電膜からなる共通電極２２が形成されている。絶縁基板２１もその中央部が表示領域２１ａとなる。

そして、ＴＦＴ基板Ｓ１および対向基板Ｓ２においては、上記電極形成面側の表示領域１１ａ上および表示領域２１ａ上に、親水性の無機材料からなる吸着層３１がそれぞれ設けられている。この吸着層３１は、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ₂）からなる親水性の無機材料からなり、このような親水性の無機材料としては、二酸化珪素（ＳｉＯ₂）の他に、一酸化珪素（ＳｉＯ）や、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）等の金属酸化物がある。これにより、液晶パネルに水分が侵入した場合であっても、水分が吸着層３１に保持される。

また、この吸着層３１上には、疎水性の無機材料からなる配向膜３２が設けられている。この配向膜３２は、例えばフッ化マグネシウムＭｇＦ₂からなる疎水性の無機材料からなり、このような疎水性の無機材料としては、ＭｇＦ₂の他に、フッ化セリウム（ＣｅＦ₃）、フッ化ランタン（ＬａＦ₃）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）、フッ化ネオジウム（ＮｄＦ₃）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）等のフッ素含有化合物や、ダイヤモンドライクカーボン等がある。これにより、水分の配向膜３２への吸着が防止される。

なお、ここでは、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２に吸着層３１がそれぞれ設けられることとするが、吸着層３１はどちらか一方に設けられていればよい。ただし、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２の両方に吸着層３１が設けられていた方が、液晶パネルに侵入した水分が吸着層３１で確実に保持されるため、好ましい。

ここで、上述した吸着層３１と配向膜３２の合計膜厚は、１５０ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以下とすることで、電圧降下が防止されるため、電圧保持率の低下が抑制され、画像表示における焼きつきの発生、すなわち、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２との間に封入される液晶層３３の液晶分子３４の応答速度が遅くなることによる画像表示の悪化が防止される。また、より高い電圧保持率と焼きつき特性を加味すると、１００ｎｍ程度までが最適となる。これにより、吸着層３１と配向膜３２の各膜厚の上限が決定される。

そして、吸着層３１の膜厚は、２０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上であれば、吸着層３１を均一な膜厚で形成することが可能であり、液晶パネル内に侵入した水分を十分に吸着することができる。また、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、３０ｎｍ以上であれば、量産におけるマージンをとり、より確実に均一な膜厚で形成することができる。

また、配向膜３２の膜厚は、２０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることが好ましい。配向膜３２の膜厚が２０ｎｍ以上であることで、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２との間に封入される液晶層３３の液晶分子３４を安定に配向させることができるとともに、リーク電流の発生も防止されるため、画像表示の悪化が防止される。また、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、３０ｎｍ以上であれば、量産におけるマージンをとり、より確実な配向特性を得ることができる。

なお、吸着層３１がＴＦＴ基板Ｓ１および対向基板Ｓ２のどちらか一方の基板のみに形成される場合には、他方の基板上には配向膜３２のみが形成されるが、この場合の配向膜３２の膜厚は２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であればさらに好ましい。

以上のような構成のＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２とは、配向膜３２を対向させて、表示領域１１ａと表示領域２１ａとを平面視的に重ね合わせた状態で対向配置される。これらの基板の周縁部にはシール層３５が設けられ、このシール層３５により、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２とが貼り合わせられる。そして、シール層３５に設けられた液晶層３３を注入するための注入口（図示省略）から上記基板間に液晶層３３が充填され、注入口を封止剤で塞ぐことで、配向膜３２間に液晶層３３が挟持された状態となっている。

このような液晶パネルによれば、ＴＦＴ基板Ｓ１または対向基板Ｓ２と、疎水性の無機材料からなる配向膜３２との間に、親水性の無機材料からなる吸着層３１が設けられている。これにより、液晶パネル内に水分が侵入した場合であっても、この水分が配向膜３２に吸着することなく、吸着層３１に保持される。これにより、高湿度下に本実施形態の液晶パネルを保存した場合であっても、水分による液晶分子３４の配向異常が防止される。したがって、液晶パネルの画像表示の悪化を防止することができるとともに、液晶パネルの耐湿性を向上させることができる。

また、配向膜３２と吸着層３１が無機材料で形成されていることにより、この液晶パネルが強い光に曝されたとしても、配向膜３２および吸着層３１の破壊が防止されるため、液晶パネルの耐光性も向上できる。これにより、プロジェクターのような強力な読み出し光に曝される投射型液晶表示装置にも好適に用いることができる。

以上のことから、液晶パネルの表示品質および長期信頼性を向上させることができ、歩留まりを向上させることができる。

次に、この液晶パネルの製造方法について説明する。まず、一対のガラスからなる絶縁基板１１を用意する。そして、一方の絶縁基板１１の中央部の表示領域１１ａ上に、ＴＦＴ１２およびこれに接続された配線１３および画素電極１４を形成し、これをＴＦＴ基板Ｓ１とする。また、他方の絶縁基板２１の一主面上には、共通電極２２を形成し、これを対向基板Ｓ２とする。ここで、絶縁基板２１もその中央部が表示領域２１ａとなる。また、上述したＴＦＴ基板Ｓ１および対向基板Ｓ２を基板Ｓとする。

次に、これらの基板Ｓの一主面側、すなわち、ＴＦＴ基板Ｓ１および対向基板Ｓ２における電極形成面側の表示領域１１ａ上および表示領域２１ａ上に、蒸着法によりＳｉＯ₂からなる吸着層３１を形成する。続いて、この吸着層３１上に、斜方蒸着法によりＭｇＦ₂からなる配向膜３２を形成する。

ここで、本実施形態における垂直蒸着法による吸着層３１の形成および斜方蒸着法による配向膜３２の形成に用いられる真空蒸着装置について、図２を用いて詳細に説明する。

この図に示す真空蒸着装置４０は、装置内の底部に設けられるとともに加熱可能に構成された蒸着源４１と、蒸着源４１の上方に配置され、基板Ｓを保持する基板保持部材４２とを備えている。この基板保持部材４２は、蒸着源４１に対する基板装着面４２ａの傾きを変更可能に設けられている。また、真空蒸着装置４０内の蒸着源４１と基板保持部材４２との間には、蒸着源４１を覆う位置と、蒸着源４１からの蒸着方向から外れる位置とに移動自在なシャッター４３が設けられている。さらに、真空蒸着装置４０には、基板Ｓを搬入、搬出するための開閉扉４４が設けられており、装置内を脱気することで真空度を調整するための排気口４５が設けられている。

このような真空蒸着装置４０を用いて、基板Ｓの電極形成面側に真空蒸着法により吸着層３１（前記図１参照）を形成するには、まず、装置内に基板Ｓを搬入し、基板保持部材２２に電極形成面を下方に向けた状態で基板Ｓを装着する。

次に、蒸着源４１となる「るつぼ」内に、親水性の無機材料として、上述したＳｉＯ₂の粉末を投入する。ここでは、例えばリボルバー式の「るつぼ」を用いることとする。このようには、リボルバー式の「るつぼ」を用いることで、真空蒸着装置４０の開閉扉４４を開閉することなく、蒸着源４１を遠隔操作で取り替えられる機能を有することが可能となり、好ましい。

また「るつぼ」内に投入する粉末の平均粒径は０．１ｍｍ以上５．０ｍｍ以下が好ましく、１．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下であることがさらに好ましい。粒径が５．０ｍｍより大きいと、十分に溶解するまでに時間がかかる。また、０．１ｍｍ未満のものはコストがかかり実用的でない。粒形には特に制限はなく、不定形、球状などのものを用いることができる。また、この粉末の平均粒径差は、±２．０ｍｍ以内程度が好ましい。粒径差が２．０ｍｍより大きいと溶解速度が不均一となり、基板Ｓ表面に形成する吸着層３１の膜厚に差が生じるなど、膜の均一性が低下する。

次いで、真空蒸着装置４０の開閉扉４４を閉じ、密閉状態とした後、所定の真空度に達するまで排気口４５から真空脱気装置（図示省略）により十分な真空度になるまで脱気する。真空脱気装置としては、特に制限はないが、クライオポンプ、ドライポンプ、油回転ポンプ、水封式ポンプ等を使用することができる。

次に、シャッター４３により蒸着源４１を覆った状態で、イオンビーム（ＥＢ）源４６などにより蒸着源４１を加熱し、シャッター４３を蒸着方向から外れた位置に移動させた状態で蒸着を開始する。この蒸着源４１の加熱方式としては特に制限はなく、上述したイオンビームによる加熱の他に、高周波誘導加熱、抵抗加熱、電子線加熱などの従来公知の加熱方法を用いることができる。

ここでの蒸着における蒸着時の温度に関しては本発明において規定するものではないが、２０℃以上２００℃未満であって、２５℃以上１５０℃以下であることが好ましい。２０℃未満に蒸着時の温度を設定する場合には、冷却装置など、装置に多くの費用がかかるうえに、生産において毎回常温以下に蒸着装置を冷却することは効率的ではない。また、一般に蒸着時の温度をあげることは、蒸着機内の真空度や水分などを制御する面で効果があるが、１５０℃程度まででその効果は十分であり、２００℃以上とすることに配向膜の特性および生産性の利点はみられない。

以上のようにして、基板Ｓ上に吸着層３１を形成する。続いて、装置内の真空雰囲気を維持した状態で、斜方蒸着法により、吸着層３１上にＭｇＦ₂からなる配向膜３２（前記図１参照）を形成する。

具体的には、まず、基板Ｓが基板保持部材４２に装着された状態で、基板Ｓ表面の法線Ｌｖに対して蒸着角度θから蒸着分子が供給されるように、基板装着面４２ａを傾ける。次に、遠隔操作によりＭｇＦ₂の粉末が投入された、蒸着源４１となる「るつぼ」を装置の底部に配置する。

次に、シャッター４３により蒸着源４１を覆った状態で、ＥＢ源４６などにより蒸着源４１を加熱し、シャッター４３を蒸着方向から外れた位置に移動させた状態で蒸着を開始する。

このようにして、図３（ａ）に示すように、基板Ｓ上に設けられた吸着層３１上に配向膜３２を形成する。これにより、配向膜３２の蒸着分子３２’が基板Ｓに対して斜めに蒸着されることで、配向性が付与され、後工程で基板Ｓ間に封入される液晶層３３に含まれる液晶分子３４が所定のプレチルト角で配向される。

なお、ここでは、斜方蒸着法により配向膜３２を形成することとしたが、液晶分子３４に配向性を付与することが可能な成膜方法であれば、斜方蒸着法でなくてもよい。このような方法としては、指向性スパッタ法、イオンビーム照射法がある。ただし、斜方蒸着法を用いる方が、汎用性が高いため好ましい。また、ここでは、るつぼ方式の真空蒸着装置４０を用いて吸着層３１と配向膜３２を形成することとしたが、原料連続供給機構を有するフラッシュ蒸着装置を用いてもよい。

次に、再び図１に示すように、これらの基板Ｓ、すなわち、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２とを用いて、透過型の液晶パネルを組み立てる。

この際、まず、ＴＦＴ基板Ｓ１における画素電極１３および上述の配向膜３２の形成面側、または対向基板Ｓ２における共通電極２２および上述の配向膜３２の形成面側にスペーサ（図示省略）を散布するとともに、その周囲にシール層３５を土手状に形成する。その後、これらのＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２とを配向膜３２を対向させて、表示領域１１ａと表示領域２１ａとを平面視的に重ね合わせた状態で配置し、シール層３５により、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２とを貼り合わる。この際、ＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２における配向膜３２の配向方向がアンチパラレルとなるようにする。

このような状態で、シール剤３５に設けられた液晶層３３を注入するための注入口（図示省略）からＴＦＴ基板Ｓ１と対向基板Ｓ２との間に液晶分子３４を含む液晶層３３を充填する。その後、シール剤３５の注入口を塞ぎ、透過型の液晶パネルを完成させる。

以上の液晶パネルの製造方法によれば、図１を用いて説明した構成の液晶パネルを製造することが可能となる。また、吸着層３１と配向膜３２を無機材料で形成することにより、同一の成膜装置を用いて連続的に形成することができるため、コンタミネーションを防ぐとともに、生産効率がよく生産性に優れている。

なお、本実施形態では、吸着層３１を単なる蒸着法により形成することとしたが、配向膜３２と同様に、基板Ｓの一主面の法線Ｌｖに対して蒸着角度θから蒸着分子を供給する斜方蒸着法により、吸着層３１を形成してもよい。これにより、図３（ｂ）に示すように、基板Ｓ表面に対して、吸着層３１の蒸着分子３１’を配向膜３２の蒸着分子３２’と同一の方向に傾斜させることができる。したがって、吸着層３１によっても、液晶分子３４に配向性を付与することが可能となり、液晶分子３４への配向力を強化することが可能である。したがって、吸着層３１と配向膜３２の合計膜厚の薄膜化することが可能となるため、電圧保持率を向上させることができ、画像の焼き付きをより確実に防止することができる。

さらに、蒸着角度θを変えずに吸着層３１とその上層に形成する配向膜３２を斜方蒸着する場合には、吸着層３１を形成した後、図２に示す真空蒸着装置４０における基板保持部材４２の基板装着面４２ａの角度は維持した状態で、蒸着源４１のみを変更すればよく、吸着層３１と配向膜３２との形成工程が容易である。また、吸着層３１を指向性スパッタ法、イオンビーム照射法のような、後工程で基板Ｓ間に封入される液晶分子３４に配向性を付与可能な成膜方法で形成してもよい。

なお、上記実施形態では、図１に示すような各画素電極にそれぞれＴＦＴを接続させたアクティブ型の液晶表示素子について述べたが、これに限らず、単純マトリクス型の液晶パネルにも適用することができ、斜方蒸着法により形成する配向膜３２により液晶分子３４を配向規制する種々の液晶パネルに広く適用することができる。

また、本実施形態ではＴＦＴ基板Ｓ１に形成される画素電極１３と、対向基板Ｓ２に形成される共通電極２２を透明電極とすることで、透過型の液晶パネルの例について説明したが、画素電極１３または共通電極２２に反射性の材料を用いた、反射型の液晶パネルであっても、本発明は適用可能である。

さらに、本実施形態の液晶パネルは、この液晶パネルを挟む状態で配置された入射側偏光板と出射側偏光板を備えるとともに、入射側偏光板に光を入射する光源と、出射側偏光板から出射した光を投射させる投射レンズとを備えた、プロジェクター等の投射型液晶表示装置に、特に好適に適用することができる。

また、この投射型液晶表示装置には、光源と入射側偏光板との間の光路中に、光源からの光を、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光に分解する色分解部と、出射側偏光板と投射レンズとの光路中に各色の光を１つの光軸に合成する色合成部とを有していてもよい。

上述したような投射型液晶表示装置に、本実施形態の液晶パネルを用いる場合には、吸着層３１および配向膜３２に無機材料を用いていることから、ポリイミド等の有機材料を配向膜に用いる場合および吸着層３１に有機材料を用いる場合と比較して、プロジェクターに用いる強い光に対する耐光性に優れ、吸着層３１および配向膜３２の破壊が防止される。また、高湿度下での保存または駆動に対しても、液晶パネル内に浸入した水分が吸着層３１に保持されるため、水分による液晶分子３４の配向異常が防止され、画像表示の悪化が防止される。したがって、投射型液晶表示装置の表示品質および長期信頼性を向上させることができ、歩留まりを向上させることができる。

上述した実施形態の製造方法により、図１に示す液晶パネルを製造した。この際、吸湿層３１を垂直蒸着法により、約５０ｎｍの膜厚で形成し、配向膜３２を斜方蒸着法により約５０ｎｍの膜厚で形成した。

一方、これに対する比較例として、吸着層３１を形成せずに配向膜３２に有機系材料であるポリイミドを用いた液晶パネル（比較例１）と、吸着層３１を形成せずに配向膜３２に親水性の無機材料であるＳｉＯ₂を用いた液晶パネル（比較例２）を製造した。

そして、実施例、比較例１および比較例２の液晶パネルを用いて、耐光性試験および耐湿性試験を行った。耐光性試験については、光源として２００ＷのＵＨＰランプを用い、上記の３種類の液晶パネルを光速密度５０ｌｍ／ｍｍ²にて曝露した場合の画像表示を経時的に目視評価した。耐湿性試験については、高温高湿度下の恒温機内に上記の３種類の液晶パネルを保存した場合の画像表示を経時的に目視評価した。

この結果、耐光性試験については、配向膜３２に有機系材料を用いた比較例１の液晶パネルと比較して、吸着層３１および配向膜３２に無機材料を用いた実施例の液晶パネルおよび配向膜３２に親水性の無機材料を用いた比較例２の液晶パネルは、経時的な画像表示の悪化が抑制され、優れた耐光性を示すことが確認された。

また、耐湿性試験については、実施例の液晶パネルは、比較例１の液晶パネルと比較して画像表示の悪化が抑制された。また、実施例の液晶パネルは、比較例２の液晶パネルと比較した場合に、顕著に画像表示の悪化が抑制され、優れた耐湿性を示すことが確認された。

本発明の半導体装置の製造方法に係る実施形態を説明するための液晶パネルの構成図である。 本発明の半導体装置の製造方法に係る実施形態に用いる真空蒸着装置の構成図である。 本発明の半導体装置の製造方法に係る実施形態を説明するための液晶パネルの拡大模式図である。

符号の説明

Ｓ…基板、Ｓ１…ＴＦＴ基板、Ｓ２…対向基板、３１…吸着層、３２…配向膜、３３…液晶層

Claims (7)

1. 表面に配向膜が形成された一対の基板間に液晶層を封止してなる液晶パネルであって、
   前記配向膜は、疎水性の無機材料で形成されており、
   少なくとも一方の前記基板と前記配向膜との間に、親水性の無機材料からなる吸着層が設けられている
   ことを特徴とする液晶パネル。
2. 前記配向膜は、斜方蒸着法により形成されたものである
   ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネル。
3. 前記吸着層は、配向性を有して形成されている
   ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネル。
4. 前記吸着層は、斜方蒸着法により形成されたものである
   ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネル。
5. 表面に配向膜が形成された一対の基板間に液晶層を封止してなる液晶パネルの製造方法であって、
   少なくとも一方の前記基板上に、親水性の無機材料からなる吸着層を形成した後、当該吸着層上に、疎水性の無機材料からなる配向膜を形成する
   ことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
6. 前記配向膜を、斜方蒸着法により形成する
   ことを特徴とする請求項５記載の液晶パネルの製造方法。
7. 前記吸着層を、斜方蒸着法により形成する
   ことを特徴とする請求項５記載の液晶パネルの製造方法。
   

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