JP2005274161A - 欠陥検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明の目的は、多層の被検体を検査する際に、対象の層のみの欠陥を検出し得る欠陥検査装置を提供することである。
【解決手段】 欠陥検査装置１は、光源を備えており、前記光源からの光束を略平行光束にして、複数の層を有する被検体を照明する照明手段と、前記被検体に照射された光束の正反射光並びに回折光の少なくとも一方を、互いに直交する２つの偏光成分に分岐させ、それぞれの被検体の像を結像する結像手段と、前記結像手段により結像された像の夫々を撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像された２つの画像から、前記被検体の複数の層のうち１つの層の欠陥を抽出する画像処理手段とを具備している。
【選択図】 図１

Description

本発明は、被検査対象物の欠陥を検出する欠陥検査装置に関している。

従来、半導体等の基板を製造する際に、前記基板上には、種々の原因により欠陥が形成される場合がある。例えば、フォトリソグラフィ・プロセスにおいての基板表面に塗布されたレジストの膜厚むらや、前記レジストに付着した塵埃は、エッチング後の基板上のパターンの線幅不良や、前記パターン内のピンホールなどの欠陥の原因となる。また、パターンの露光においての合焦不良は、現像後のレジストの断面形状の形成不良の欠陥の原因となり、この結果、後工程においての不良の原因となる。

このように、前記欠陥は製品不良の原因であるため、前記基板等の被検体に対して欠陥検出を行うとともに、この欠陥を修正する処理が、一般的に行われている。なお、前記欠陥を検出するために、欠陥検査装置が、一般的に用いられている。

例えば、前記従来の欠陥検査装置は、特許文献１に示されている。この特許文献１の従来の欠陥検査装置を、以下で、図７を参照して説明する。

特許文献１の欠陥検査装置は、光源を有する照明部１０２と、照明部１０２により照射された光束を平行光束にするコリメートレンズ１０３とを具備している。照明部１０２とコリメートレンズ１０３とは、被検体表面の法線に対して入射角度θｉで被検体を照明する。さらに、前記欠陥検査装置は、コリメートレンズ１０４と、結像レンズ１０６と、ラインイメージセンサ１０７とを具備している。コリメートレンズ１０４は、被検体である基板１０１により、基板１０１の表面の法線に対して、検査角度θで被検体１０１により反射、回折、散乱した光束を、収束させ、結像レンズ１０６に入射させる。

この欠陥検査装置は、ラインイメージセンサ１０７の幅方向と直交する方向（図７中において、矢印ＡＡで示される）に、基板１０１を前記欠陥検査装置に対して相対的に移動させる。この移動により、前記欠陥検査装置は、基板１０１全体を撮像し、検査画像を取得する。

この検査画像において、前記欠陥は、基板１０１により反射された光（反射光）の明暗により観察し得る。具体的には、膜厚むら等の欠陥は、前記正反射光の明暗となって現れる。また、合焦不良による欠陥は、回折光の明暗となって観察される。このように、上記欠陥は、正反射光並びに回折光の明暗により検出するため、最も明暗が明瞭な検査角度θｄで基板１０１を撮像し得るように、複数の検査角度θｄで基板１０１を撮像する。

そして、上述のように撮像された複数の検査画像は、欠陥を有していない基板を撮像した際の画像である参照画像と比較され、参照画像と検査画像との輝度の異なる部分を欠陥として抽出する。
特開平９−６１３６５号公報

一般的に、フォトリソグラフィ・プロセスにより、基板１０１の表面には、多層のパターンが形成されるとともに、これらのパターンのさらに上層に、レジスト層が形成される。従来の欠陥検査装置は、上層のレジスト層における欠陥の検査を行うことを目的としているが、上層のレジスト層より下層に欠陥がある場合、上層のレジスト層の欠陥と同時に下層の欠陥も検出してしまう。例えば、下層に膜厚むらがある場合、この膜厚むらがレジスト層を含めた下層との薄膜干渉により、照射された光の正反射光並びに回折光の強度に影響を与える。従って、検査画像において、上層のレジスト層の欠陥のみならず、下層の欠陥も、輝度の異なる部分として表出する虞を有している。即ち、従来の欠陥検査装置は、前記下層の欠陥の影響により、レジスト層の欠陥を、前記反射光の明暗を用いて検出することが困難になる場合がある。

上記課題を鑑みて、本発明の目的は、多層の被検体を検査する際に、対象の層のみの欠陥を検出出来る欠陥検査装置を提供することである。

本発明の欠陥検査装置は、上記課題を鑑みて、以下の構成を有している。

本発明の一態様の欠陥検査装置は、光源を備えており、前記光源からの光束を略平行光束にして、複数の層を有する被検体を照明する照明手段と、前記被検体に照射された光束の正反射光並びに回折光の少なくとも一方を、互いに直交する２つの偏光成分に分岐させ、それぞれの被検体の像を結像する結像手段と、前記結像手段により結像された像の夫々を撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像された２つの画像から、前記被検体の複数の層のうち１つの層の欠陥を抽出する画像処理手段とを具備している。

本発明は、多層の被検体を検査する際に、対象の層のみの欠陥を検出し得る欠陥検査装置を提供し得る。

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
本発明の一つの実施の形態に従った欠陥検査装置について図１及び図２を用いて説明する。図１は、本実施の形態に従った欠陥検査装置１を示す概略的な側面図である。図２は、図１中の欠陥検査装置１の制御系を示す概略的なブロック図である。なお、本実施の形態の欠陥検査装置１は、被検体として多層の基板１０１を検査する。なお、基板１０１は、最上層に、複数の周期パターンを有するレジスト層が形成されている。

欠陥検査装置１は、ステージ２と、照明部３と、結像部４と、撮像部７，７’と、制御系２００とを具備している。
本実施の形態において、ステージ２は基板１０１を吸着保持してＸ軸線に沿って移動させ得るように構成されている。また、本明細書中において、Ｘ、Ｚ軸は、ステージ２に支持された基板１０１の表面の法線方向と実質的に一致する。なお、本実施の形態において、ステージ２は、基板１０１を、この基板１０１の長手方向がＸ軸と平行で幅方向がＹ軸と平行であるように支持している。また、本欠陥検出装置は、検査対象となる半導体ウエハの基板やＦＰＤ用ガラス基板をステージ２上に搬送する基板搬送ロボットを備えた図示しない被検体搬送部が並設されている。この被検体搬送部には、検査前の被検体である基板１０１を格納しているストッカー（カセット）と検査後の基板１０１に格納するストッカー（カセット）を有している。

照明部３は、被検体である基板１０１を照明する照明手段であり、光源３１と、コリメートレンズ３２とを有している。このコリメートレンズ３２は、自身を通過した光を線状の平行光に成形する。なお、コリメートレンズ３２の形状は任意であるが、本実施の形態において、球面レンズの光軸に平行な２平面で切り出した形状を有している。また照明部３は、コリメートレンズ３の光軸と基板１０１の法線（Ｚ軸）とのなす角度（入射角度）θｉが変更可能なように図示しない回転機構を有する回転支持部により支持されている。また、このコリメートレンズ３２は、光軸と交差する基板１０１の幅方向に沿った線状の領域を照明する。

光源３１は、公知の構成の照明装置であり、本実施の形態において、ハロゲンランプとファイバー束とから構成されており、このファイバー束の出射端が上記回転支持部に支持される。光源３１と出射点即ちファイバー束の出射端は、コリメートレンズ３２の焦点上に配置される。 照明部３は、上述の光源３１とコリメートレンズ３２により、基板１０１の幅方向（Ｙ方向）に対して、線状の照明光を照明する。本明細書中において、この照明部３により照明する領域を照明領域とする。

結像部４は、コリメートレンズ４１と、偏光ビームスプリッタ４２と、結像レンズ４３，４３’と撮像部７，７’を具備している。
結像部４は、コリメートレンズ４１の光軸と基板１０１の法線（Ｚ軸）とのなす角度（検査角度）θｄが変更可能なように、図示しない回転機構を有する回転支持部により支持されている。コリメートレンズ４１は、基板１０１の照明領域から発生した光（正反射光、回折光、拡散光等）を偏光ビームスプリッタ４２に導く。

偏光ビームスプリッタ４２は、コリメートレンズ４１の光軸上に配置されており、コリメートレンズ４１からの光束を、互いに直交する２つの偏光成分（ｐ偏光とｓ偏光）に分岐する。また、偏光ビームスプリッタ４２は、分岐した夫々の偏光成分を、結像レンズ４３、４３’に導く。結像レンズ４３，４３’は、偏光ビームスプリッタ４２の各光路上に配置され、結像レンズ４３，４３’は、入射瞳がコリメートレンズ４１の略焦点位置に配置される。また、結像レンズ４３，４３’は、コリメートレンズ４１からの光束を、対応する撮像部７，７’上に結像させる。

撮像部７，７’は、公知の撮像装置であり、本実施の形態においては、ラインイメージセンサである。撮像部７，７’は、対応する結像レンズ４３，４３’による像を撮像する。この撮像部７，７’は、制御系２００と接続されており、撮像した像を、制御系２００に送る。 上記構成により、欠陥検査装置１は、照明部３を回転させることにより任意の入射角度θｉで基板１０１を照明することができる。また欠陥検査装置１は、結像部４を回転させることにより任意の検査角度θｄに設定し、前記照明領域で検査角度θｄに発生した光を撮像部７，７’で撮影することができる。撮像部７は、偏光ビームスプリッタ４２を透過した一方の偏光成分（例えば、Ｓ偏光）による前記照明領域の像を撮像し、撮像部７’は、偏光ビームスプリッタにより反射された他方の偏光成分による前記照明領域の像を撮像し得る。

続いて、制御系２００について、図２を参照して説明する。なお、図２中において、図面を簡略化するため、制御系２００に接続されている撮像部として、撮像部７のみが示されている。なお撮像部７’も、上記撮像部７と同様に接続されている。

制御系２００は、ステージ制御部２０１と、駆動回路２０２と、光学系制御部２０３と、基板搬送制御部２０４と、画像インターフェース（画像Ｉ／Ｆ）２０５と、画像処理装置２０６と、モニタ２０７，２１０と、画像記憶装置２０８と、ホストコンピュータ２０９と、キーボード２１１と、メモリ２１２と、シーケンサ２１３と、を有している。

ステージ制御部２０１は、ステージ２と接続されており、ステージ２の駆動を制御する。
駆動回路２０２は、撮像部７，７’に接続されており、ステージ制御部２０１の制御と同期して撮像部７，７’の駆動を制御する。
光学系制御部２０３は、照明部３並びに結像部４と接続されており、これらの駆動を制御する。より具体的には、光学系制御部２０３は、照明部３の光量並びに位置等を制御するとともに、照明部３並びに結像部４の基板に対する角度（入射角度θｉ並びに検査角度θｄ）を制御する。

基板搬送制御部２０４は、前述の被検体搬送部と接続されており、被検体搬送部の駆動を制御する。
画像Ｉ／Ｆ２０５は、撮像部７、７’並びに画像処理装置２０６に接続されている。撮像部７，７’により取得された画像は、この画像Ｉ／Ｆ２０３を介して、画像処理装置２０６に転送される。

画像処理装置２０６は、撮像部７，７’により取得された画像を画像処理し、後述する検査画像を作成する。なお、画像処理装置２０６は、ホストコンピュータ２０９と接続されており、ホストコンピュータ２０９により駆動が制御される。この画像処理装置２０６は、ホストコンピュータ２０９の制御に従って、前記検査画像から合焦不良などの欠陥を抽出する。また、画像処理装置２０６は、抽出した欠陥に関する欠陥の種類、数、位置、面積などの無欠陥データをホストコンピュータ２０９に送る。
また、本実施の形態のおいて、撮像部７，７’は、ラインイメージセンサである。このため、画像処理装置２０６は、撮像部７，７’から送られている１ラインづつの画像を再構成し、撮像部７，７’の夫々に対応した２つの検査画像を作成する。この画像処理装置２０６は、さらに、モニタ２０７と、画像記憶装置２０８と接続されている。

モニタ２０７は、画像処理装置２０６により作成された処理画像と検査画像を表示する画像表示装置である。
画像記憶装置２０８は、処理画像並びに検査画像を格納するデータ格納装置である。

ホストコンピュータ２０９は、画像処理装置２０６、モニタ２１０、キーボード２１１、メモリ２１２，及びシーケンサ２１３と接続されている。ホストコンピュータ２０９は、画像処理装置２０６並びにシーケンサ２１３の駆動を制御し、この制御のための必要な設定を、モニタ２１０に制御メニューを表示する。

キーボード２１１は、前記制御メニュー及び／又はその他の制御に必要な命令並びに情報を、ホストコンピュータ２０９に対して入力するための入力装置である。

メモリ２１２は、前記制御に必要な制御情報を格納する記憶部である。前記制御情報とは、例えば、被検体の種類毎の検査条件（光学系の設定、検査面積、画像処理条件など）、検査データ、前記被検体と同一構成でかつ欠陥を有していない被検体を撮像した参照画像、製品不良を判定する際の不良判定基準、キーボードより入力された命令並びに情報などである。

シーケンサ２１３は、ステージ制御部２０１、駆動回路２０２、光学系制御部２０３、及び、基板搬送制御部２０４に接続されており、これらが制御する制御対象の駆動シーケンスを、これらに送る。また、シーケンサ２１３は、ホストコンピュータ２０９からの駆動命令を、これらに送る。

以下に、上記構成の欠陥検査装置１の動作について説明する。
欠陥検査装置１が被検体である基板１０１の検査を行う際に、まず、ユーザーが、キーボード２１１から基板１０１の種類と、検査開始の命令とを入力する。これらの入力されると、ホストコンピュータ２０９は、メモリ２１２中の制御情報の検査条件（レシピ）から、入力された基板１０１の種類に基づいて、該当する基板１０１に対応した検査条件を取得する。この基板１０１に対応した検査条件の取得後、ホストコンピュータ２０９は、前記取得した検査条件に基づいて、シーケンサ２１３を介して光学系制御部２０３に制御命令を出す。前記制御命令を受けた光学系制御部２０３は、前記取得した検査条件に応じた設定を、照明部３並びに結像部４に対して行う。なお、本実施の形態において、欠陥検査装置１は、基板１０１のレジスト層に対して、欠陥検出を行う。

また、ホストコンピュータ２０９は、前記検査条件の取得の前、途中、又は後において、シーケンサ２１３を介して、基板搬送制御部２０４並びにステージ制御部２０１に対して駆動命令を出す。この駆動命令を受けた基板搬送制御部２０４は、前記被検体搬送部を駆動させ、前記ストッカから基板１０１を１枚取り出すとともに、ステージ２上に配置する。また、ステージ２上に基板１０１が配置された際に、ステージ２は、ステージ制御部２０１の制御により、基板１０１を吸着保持するとともに、照明部３並びに結像部４に対して位置合わせを行う。

このようにして、基板１０１に対応した検査条件の設定並びに基板１０１の位置合わせが行われる。これらが行われた後、ホストコンピュータ２０９は、撮像開始の命令をステージ制御部２０１，駆動回路２０２，及び光学系制御部２０３に出力する。

ステージ２は、撮像開始の命令に従って、基板１０１をＸ軸に沿って一定速度で移動させる。また、駆動回路２０２が、ステージ２の移動と同期して、撮像部７，７’により、１ラインづつの画像を撮像していき、この画像のデータを画像Ｉ／Ｆ２０５を介して、画像処理装置２０６に転送する。このステージ２並びに撮像部７，７’の撮像動作は、基板１０１の全面に亘って検査し得るように設定されており、基板１０１を全面に亘って撮像した際に完了する。

上記撮像動作が完了した後、続いて画像処理装置２０６は、画像Ｉ／Ｆ２０５から転送されてきた画像データから、撮像部７，７’の夫々に対応したＰ偏光成分とＳ偏光成分の検査画像を作成する。これら２つの検査画像は、基板１０１の表面のレジスト層及びその下層の構造を反映した輝度分布を有する画像である。なお、これらの２つの検査画像は、互い異なる偏光成分により撮像された画像であるため、上記構造を反映して、互いに異なる輝度分布を有している。この原因は、界面における反射率や、周期パターンの平均屈折率が、偏光の方向に依存して変化するためである。

例えば、検査画像は、異なる偏向成分ごとに、図３並びに図４のように形成される。図３並びに図４中において、領域Ａ１は、欠陥以外の領域である。領域Ａ２並びにＡ３は、欠陥を示す領域である。また、領域Ａ３は、基板１０１における最上層のレジスト層における欠陥を示す領域であり、図３並びに図４中において、実質的に同一な輝度値を有している。これに対して、領域Ａ１とＡ２とは、上記偏向方向に依存した反射率等の変化により、図３並びに図４において、明暗が実質的に反転した輝度値になっている。

続いて、画像処理装置２０６は、２つの検査画像を合成して、欠陥検査に用いられる合成検査画像を形成する。具体的には、合成検査画像は、２つの検査画像の互いに対応する位置のドット同士の輝度値を合成することにより形成される。なお、上述のように、２つの検査画像においてレジスト層の欠陥は、実質的に同一な輝度値を有しており、それら以外の領域は、明暗が実質的に反転した輝度値になっている。従って、形成された合成検査画像は、図５中に示すように、検査対象のレジスト層の欠陥と、それ以外の領域とが異なる輝度になるように、形成される。

このように合成検査画像が形成された後、ホストコンピュータ２０９は、画像処理装置２０６に欠陥検査命令を出す。画像処理装置２０６は、欠陥検査命令を受けると、メモリ２１２から、前記参照画像を取得する。続いて、画像処理装置２０６は、前記合成検査画像と、前記参照画像とを比較し、欠陥を抽出する。画像処理装置２０６は、この抽出により、欠陥の位置、面積、並びに種類などの欠陥関連データを取得し、欠陥関連データをこのホストコンピュータ２０９に送る。

ホストコンピュータ２０９は、前記欠陥関連データを取得した際に、前記制御情報中の不良判定基準と、このデータとを比較し、基板１０１の良否を判定する。この判定後、被検体搬送部は、上記判定に従って、基板１０１を、良否に区分けし、前記ストッカに格納する。このようにして、基板１０１の検査は、終了する。

このようにして、本実施の形態の欠陥検査装置１は、順次基板１０１の検査を行う。
本実施の形態の欠陥検査装置１は、上記構成並びに動作に示されるように、被検体から正反射並びに回折された少なくとも一方の光を、偏光ビームスプリッタ４２により、互いに直交する２つの偏光成分の光に分割し得る。これとともに欠陥検査装置１は、上述のようにして分岐された互いに直交する２つの偏光成分の光により結像された夫々の像を撮像し得る。即ち、欠陥検査装置１は、１つの検査領域に対して互いに異なるＰ偏光成分とＳ偏光成分による２つの検査画像を取得し得る。なお、これらの検査画像は、偏光成分の特徴の差により、検査対象の層の欠陥のみを実質的に同一な輝度値で表す。これにより欠陥検査装置１は、異なる偏光成分の検査画像の利用し下層の欠陥に影響されることなく、上層のレジスト層の欠陥のみを抽出することが出来る。

また、画像処理装置２０６は、２つの偏光成分が異なる検査画像を合成して１つの合成検査画像を形成し得る。これにより、検査対象の層の欠陥のみを抽出した１つの合成検査画像を取得し得る。従って、より容易に、欠陥の検出を行い得る。

また、画像処理装置２０６は、前記参照画像を取得し、前記参照画像と前記合成検査画像とを比較し得る。これにより画像処理装置２０６は、この比較により各欠陥の種類などの前記欠陥関連データを取得し得る。

また画像処理装置２０６は、偏光成分が異なる検査画像を、互いに対応する位置の各ドットの輝度値を合成することにより、合成検査画像を形成し得る。これにより、レジスト層の欠陥以外の領域は、互いに明暗が反転しているため、輝度値が平均化され、実質的に輝度値が一様な値になる。また、検査対象となる上層のレジスト層の欠陥は、２つの異なる偏光成分の検査画像において実質的に輝度値が同一であるため、これら２つの検査画像を合成することにより、上層のレジスト層の欠陥が他の領域に対して輝度値が増し、より容易に欠陥の検出を行い得る。

なお、本実施の形態の欠陥検査装置１は、照明角度θｉ並びに検査角度θｄを任意に変更可能である。このため、欠陥検査装置１は、照明角度θｉ並びに検査角度θｄの少なくとも一方を任意に変更することにより、他の層の影響を受けず、レジスト層の欠陥をより確実に検出し得る。

また、本実施の形態の欠陥検査装置１は、基板１０１の最上層の欠陥を抽出したが、照明角度θｉ並びに検査角度θｄを任意に変更することにより、他の層の欠陥のみを抽出することもの可能である。即ち、欠陥検査装置１は、検査対象の任意の層の欠陥を、他の層の欠陥に影響することなく検出し得る。

また、本実施の形態の欠陥検査装置１は、図１中に示すように、結像部４の偏光ビームスプリッタ４２により、コリメートレンズ４１を通過した光束を互いに異なる偏光成分毎に分岐されている。しかしながら、本実施の形態の欠陥検査装置１において、前記偏光成分毎の分岐は、上記以外の構成においても実現可能である。例えば、図６中の欠陥検査装置１’は、ハーフミラー１０８と、偏光板１０９、１０９’により、これを実現している。具体的には、ハーフミラー１０８は、コリメートレンズ４１の光軸上の配置されおり、コリメートレンズ４１からの光束を２つに分岐する光学素子である。偏光板１０９，１０９’は夫々、ハーフミラー１０８により分岐された光路上に配置されており、互いに直交する偏光成分を透過するように設定されている。これにより、上記図６中の欠陥検査装置１’は、被検体から正反射並びに回折された少なくとも一方の光束を、ハーフミラー１０８により分岐し、そして、偏光板１０９，１０９’により、分岐後の光束の偏光方向を互いに直交させ得る。このように、基板１０１から光の分岐と、分岐後の光束の偏光方向の設定とを１つの光学部材で行う必要がない。従って、この欠陥検査装置１’は、偏光ビームスプリッターに比べて有効波長帯域の広い光学素子であるハーフミラー１０８と、偏光板１０９，１０９’とにより、図１中の欠陥検査装置１と同様な機能をもつ結像部を構成させ得る。

なお、本実施の形態の欠陥検査装置１は、基板１０１からの光を２つの偏光成分に分岐させ、対応する撮像部７，７’により撮像させ得るならば、任意に前記結像手段の構成を変更し得る。

これまで、いくつかの実施の形態について図面を参照しながら具体的に説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で行なわれるすべての実施を含む。

図１は、本発明の一実施の形態に従った欠陥修正装置を示す概略的な側面図である。 図２は、図１中の欠陥修正装置の制御系を示す概略的なブロック図である。 図３は、２つの原画像の一方を示す概略図である。 図４は、２つの原画像の他方を示す概略図である。 図５は、２つの原画像により形成された検査画像を示す概略図である。 図６は、本発明の一実施の形態に従った欠陥修正装置の変形例を示す概略的な側面図である。 図７は、従来の欠陥修正装置を示す概略的な斜視図である。

符号の説明

θｉ…照明角度；θｄ…検査角度；Ａ１、Ａ２、Ａ３…領域；１、１’…欠陥検査装置；２…ステージ；３…照明部；４…結像部；７、７’…撮像部；３１…光源；３２…コリメートレンズ；４１…コリメートレンズ；４２…偏光ビームスプリッタ；４３、４３’…結像レンズ；１０１…基板；１０８…ハーフミラー；１０９，１０９’…偏光板；２００…制御系；２０１…ステージ制御部；２０２…駆動回路；２０３…光学系制御部；２０４…基板搬送制御部；２０５…画像インターフェース；２０６…画像処理装置；２０７、２１０…モニタ；２０８…画像記憶装置；２０９…ホストコンピュータ；２１１…キーボード；２１２…メモリ；２１３…シーケンサ

Claims (5)

1. 光源を備えており、前記光源からの光束を略平行光束にして、複数の層を有する被検体を照明する照明手段と、
   前記被検体に照射された光束の正反射光並びに回折光の少なくとも一方を、互いに直交する２つの偏光成分に分岐させ、それぞれの被検体の像を結像する結像手段と、
   前記結像手段により結像された像の夫々を撮像する撮像手段と、
   前記撮像手段により撮像された２つの画像から、前記被検体の複数の層のうち１つの層の欠陥を抽出する画像処理手段とを具備する欠陥検査装置。
2. 前記結像手段は、前記被検体に照射された光束の正反射光並びに回折光の少なくとも一方を、２つの光路に分岐させる光学素子と、前記光学素子により分岐された光路の夫々に配置された偏光板と、を備え、
   一方の光路上の前記偏光板は、他方の光路上の偏光板を透過する偏光成分に対して、直交する偏光成分を透過するように設定されている請求項１に記載の欠陥検査装置。
3. 前記画像処理手段は、前記撮像された２つの画像を合成して１つの検査画像を形成する、請求項１又は２に記載の欠陥検査装置。
4. 前記画像処理手段は、前記被検体と同一構成でかつ欠陥を有していない被検体を撮像した参照画像を有しているとともに、前記参照画像と前記検査画像を比較する請求項３に記載の欠陥検査装置。
5. 前記画像処理手段は、前記撮像された２つの画像を、互いに対応する位置の各ドットの輝度値を合成することにより、前記検査画像を形成する請求項３に記載の欠陥検査装置。

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