JP2005165082A

JP2005165082A - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP2005165082A
Application number: JP2003405568A
Authority: JP
Inventors: Tomomasa Nakaya; 知眞仲谷
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2003-12-04
Filing date: 2003-12-04
Publication date: 2005-06-23

Abstract

【課題】液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に対し、セル厚を規定する突出部を高精度且つ容易に形成する。
【解決手段】液晶表示装置１は、基板３１の上に設けられたＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４を覆うように基板３１の上に設けられた層間絶縁膜３８と、層間絶縁膜３８の上に設けられてＴＦＴ２４に接続された画素電極２１とを有するアクティブマトリクス基板１１と、アクティブマトリクス基板１１に対向して設けられた対向基板１２と、対向基板１２とアクティブマトリクス基板１１との間に設けられた液晶層１３とを備えている。
アクティブマトリクス基板１１は、液晶層１３側に突出することにより対向基板１２との間隔であるセル厚を規定する突出部２８を備えている。そして、突出部２８は、層間絶縁膜３８の一部により構成されると共に、画素電極２１よりも液晶層１３側に突出している。
【選択図】図２

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily and accurately form a protrusion for defining a cell thickness on an active matrix substrate of a liquid crystal display device.
A liquid crystal display device 1 is provided on a TFT 24 provided on a substrate 31, an interlayer insulating film 38 provided on the substrate 31 so as to cover the TFT 24, and an interlayer insulating film 38. An active matrix substrate 11 having a pixel electrode 21 connected to the TFT 24, a counter substrate 12 provided to face the active matrix substrate 11, and a liquid crystal layer provided between the counter substrate 12 and the active matrix substrate 11 13.
The active matrix substrate 11 includes projecting portions 28 that project toward the liquid crystal layer 13 to define a cell thickness that is a distance from the counter substrate 12. The protruding portion 28 is constituted by a part of the interlayer insulating film 38 and protrudes to the liquid crystal layer 13 side from the pixel electrode 21.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、高精度なセル厚制御に適した液晶表示装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device suitable for highly accurate cell thickness control and a method for manufacturing the same.

近年、液晶表示装置（Liquid Crystal Display）は、薄型で低消費電力であるという特徴を有するために需要が飛躍的に増大している。それに伴い、表示品位の向上が強く求められている。 2. Description of the Related Art In recent years, demand for a liquid crystal display (Liquid Crystal Display) has been drastically increased due to its thinness and low power consumption. Accordingly, there is a strong demand for improved display quality.

液晶表示装置は、一般に、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する）を有するアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に対向して設けられた対向基板と、上記対向基板及びアクティブマトリクス基板の間に設けられた液晶層とを備えている。上記アクティブマトリクス基板と対向基板との間の間隔であるセル厚は、表示のコントラストや視野角等に大きな影響を与える。したがって、表示品位の向上させるためには、上記セル厚を高精度に制御することが必要となる。 In general, a liquid crystal display device includes an active matrix substrate having a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switching element, a counter substrate provided opposite to the active matrix substrate, and a space between the counter substrate and the active matrix substrate. And a liquid crystal layer provided on the surface. The cell thickness, which is the distance between the active matrix substrate and the counter substrate, greatly affects the display contrast and viewing angle. Therefore, in order to improve display quality, it is necessary to control the cell thickness with high accuracy.

図３は、アクティブマトリクス基板１００の構成を示す回路図である。図３に示すように、アクティブマトリクス基板１００には、複数の画素電極１０１がマトリクス状に配置されており、各画素電極１０１には、ＴＦＴ１０２がそれぞれ接続されている。上記各画素電極１０１の周囲には、走査配線であるゲート信号配線１０３と、信号配線であるソース信号配線１０４とが互いに直交するように配置されている。 FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of the active matrix substrate 100. As shown in FIG. 3, a plurality of pixel electrodes 101 are arranged in a matrix on the active matrix substrate 100, and a TFT 102 is connected to each pixel electrode 101. Around each pixel electrode 101, a gate signal wiring 103 as a scanning wiring and a source signal wiring 104 as a signal wiring are arranged so as to be orthogonal to each other.

上記ＴＦＴ１０２のゲート電極にはゲート信号配線１０３が接続され、ゲート信号配線１０３からゲート電極に入力されるゲート信号により、ＴＦＴ１０２が駆動制御されるようになっている。一方、ＴＦＴ１０２のソース電極にはソース信号配線１０４が接続されている。そして、ゲート信号が入力されてＴＦＴ１０２が駆動している時に、データ（表示）信号がソース信号配線１０４からＴＦＴ１０２を介して画素電極１０１に入力されるようになっている。 A gate signal wiring 103 is connected to the gate electrode of the TFT 102, and the TFT 102 is driven and controlled by a gate signal input from the gate signal wiring 103 to the gate electrode. On the other hand, a source signal wiring 104 is connected to the source electrode of the TFT 102. A data (display) signal is input from the source signal wiring 104 to the pixel electrode 101 via the TFT 102 when the gate signal is input and the TFT 102 is driven.

また、ＴＦＴ１０２のドレイン電極には、画素電極１０１及び付加容量１０５が接続されている。付加容量１０５の対向電極は、共通配線１０６に接続されている。 Further, the pixel electrode 101 and the additional capacitor 105 are connected to the drain electrode of the TFT 102. The counter electrode of the additional capacitor 105 is connected to the common wiring 106.

図４は、ＴＦＴ１０２の断面図である。図４に示すように、透明絶縁性の基板１１１上には、ゲート信号配線１０３に接続されたゲート電極１１２が形成されている。ゲート電極１１２は、ゲート絶縁膜１１３により覆われている。ゲート絶縁膜１１３の上には、ゲート電極１１２と重畳するように、半導体層１１４が形成されている。半導体層１１４の中央部の上には、チャネル保護層１１５が形成されている。 FIG. 4 is a cross-sectional view of the TFT 102. As shown in FIG. 4, a gate electrode 112 connected to the gate signal wiring 103 is formed on the transparent insulating substrate 111. The gate electrode 112 is covered with a gate insulating film 113. A semiconductor layer 114 is formed on the gate insulating film 113 so as to overlap with the gate electrode 112. A channel protective layer 115 is formed on the central portion of the semiconductor layer 114.

半導体層１１４の上には、ｎ＋Ｓｉ層であるソース電極１１６ａ及びドレイン電極１１６ｂが、チャネル保護層１１５の一部を覆うように設けられている。ソース電極１１６ａの上には、ソース信号配線１０４に接続される金属層１１７ａが形成される一方、ドレイン電極１１６ｂの上には、ドレイン電極１１６ｂと画素電極１０１とを接続する金属層１１７ｂが形成されている。 On the semiconductor layer 114, a source electrode 116 a and a drain electrode 116 b which are n + Si layers are provided so as to cover a part of the channel protective layer 115. A metal layer 117a connected to the source signal wiring 104 is formed on the source electrode 116a, while a metal layer 117b connecting the drain electrode 116b and the pixel electrode 101 is formed on the drain electrode 116b. ing.

上記ゲート絶縁膜１１３の上には、ＴＦＴ１０２を覆う層間絶縁膜１１８が設けられている。層間絶縁膜１１８の上には、透明導電膜である画素電極１０１が形成されている。画素電極１０１は、層間絶縁膜１１８を上下に貫通するコンタクトホール１１９を介して、金属層１７ｂに接続されている。つまり、画素電極１０１は、ＴＦＴ１０２のドレイン電極１１６ｂに接続されている。層間絶縁膜１１８は、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の無機膜をＣＶＤ法によって膜厚０．５μｍ程度に形成されている。 On the gate insulating film 113, an interlayer insulating film 118 covering the TFT 102 is provided. A pixel electrode 101 that is a transparent conductive film is formed on the interlayer insulating film 118. The pixel electrode 101 is connected to the metal layer 17b through a contact hole 119 that penetrates the interlayer insulating film 118 vertically. That is, the pixel electrode 101 is connected to the drain electrode 116 b of the TFT 102. The interlayer insulating film 118 is formed of an inorganic film such as silicon nitride (SiN) to a thickness of about 0.5 μm by the CVD method.

図５は、従来の液晶表示装置の断面図である。図５に示すように、従来より、セル厚を規定するために、球状の粒子である複数のスペーサ１４２を、アクティブマトリクス基板１００と対向基板１３０との間に散布して設けることが知られている。 FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device. As shown in FIG. 5, it has been conventionally known that a plurality of spacers 142, which are spherical particles, are dispersed and provided between the active matrix substrate 100 and the counter substrate 130 in order to define the cell thickness. Yes.

対向基板１３０は、例えば、透明絶縁性の基板１３１に積層されたカラーフィルタ１４４及び透明導電膜１４０を備えている。さらに、対向基板１３０には、セル厚に応じたシール材１４１が設けられると共に、スペーサ１４２が散布されている。そして、対向基板１３０と上記アクティブマトリクス基板１００とを貼り合わせ、その間に液晶１４３を注入し、当該注入部をシール材１４１によって封止することにより、液晶表示装置を製造する。 The counter substrate 130 includes, for example, a color filter 144 and a transparent conductive film 140 stacked on a transparent insulating substrate 131. Further, the counter substrate 130 is provided with a sealing material 141 corresponding to the cell thickness, and spacers 142 are dispersed. Then, the counter substrate 130 and the active matrix substrate 100 are bonded together, a liquid crystal 143 is injected therebetween, and the injection portion is sealed with a sealant 141, whereby a liquid crystal display device is manufactured.

しかしながら、上記従来のように、球状粒子のスペーサ１４２によりセル厚を規定すると、表示品位を向上させることが難しいという問題がある。スペーサ１４２を均一に対向基板１３０上に散布することが困難である上、表示領域に設けられたスペーサ１４２の影響によって光散乱が生じ、表示光の輝度が低下してしまうためである。 However, when the cell thickness is defined by the spherical particle spacer 142 as in the conventional case, it is difficult to improve the display quality. This is because it is difficult to evenly distribute the spacers 142 on the counter substrate 130, and light scattering occurs due to the influence of the spacers 142 provided in the display region, so that the luminance of the display light is reduced.

この問題に対し、図６に示すように、定点配置型の樹脂スペーサ（以下、ＰＳと称する）を設けることが知られている。図６において、ＰＳ１４５以外の液晶表示装置の構成は、図５と同じになっている。 To solve this problem, it is known to provide a fixed-point arrangement type resin spacer (hereinafter referred to as PS) as shown in FIG. In FIG. 6, the configuration of the liquid crystal display device other than PS145 is the same as that in FIG.

ＰＳ１４５は、例えば、対向基板１３０の透明導電膜１４０の上に、必要なセル厚を確保できる程度のＰＳ形成用感光性樹脂を塗布した後に、露光及び現像工程を行うことにより、セル厚と同じ高さを有する所定の形状に形成する。 PS145 is the same as the cell thickness, for example, by applying a photosensitive resin for forming PS that can secure a necessary cell thickness on the transparent conductive film 140 of the counter substrate 130 and then performing exposure and development processes. A predetermined shape having a height is formed.

また、従来より、図７に示すように、突出部であるＰＳ１５０を、アクティブマトリクス基板１００上の画素電極１０１以外の領域に、画素電極１０１の表面から所定の高さの段差を有し、且つ、側面壁の傾きが画素電極１０１の表面に対して４５°以下の角度を有する凸部１５０により構成することが知られている（例えば、特許文献１参照）。 Further, conventionally, as shown in FIG. 7, the PS 150 which is a protrusion has a step of a predetermined height from the surface of the pixel electrode 101 in a region other than the pixel electrode 101 on the active matrix substrate 100, and In addition, it is known that the side wall is configured by a convex portion 150 having an angle of 45 ° or less with respect to the surface of the pixel electrode 101 (see, for example, Patent Document 1).

ＰＳ１５０は、画素電極１０１及びＴＦＴ１０２が既に形成されて成膜工程が終了した後に、ＴＦＴ１０２の上方位置に別途塗布されたレジストをパターニングすることにより形成されている。こうして、ＰＳ１５０の側壁の傾斜をなだらかに形成することにより、ＰＳ１５０の表面に配向膜を容易に均一に塗布できるようになる。そのことにより、液晶分子の配向状態の乱れを抑制するようにしている。
特開平６−２７３７３５号公報 The PS 150 is formed by patterning a resist separately applied above the TFT 102 after the pixel electrode 101 and the TFT 102 are already formed and the film forming process is completed. Thus, by gently forming the side wall of the PS 150, the alignment film can be easily and uniformly applied to the surface of the PS 150. As a result, the disorder of the alignment state of the liquid crystal molecules is suppressed.
JP-A-6-273735

しかし、上記従来の液晶表示装置では、画素電極やＴＦＴが既に形成されたアクティブマトリクス基板に対してＰＳ形成工程を行うようにしているが、このＰＳ形成工程は、清浄度が高められた雰囲気中で行われる成膜工程の終了後に行われている。そのため、ＰＳ形成工程では、基板の上に塗布されたＰＳに雰囲気中の異物が混入することが避けられない。すなわち、従来の液晶表示装置では、ＰＳを高精度に形成することが難しいため、表示品位を高度に向上させるには限界がある。また、別部材であるＰＳを形成するために、ＰＳ形成工程が別途必要となるため、工数が増加してコストが嵩むという問題もある。 However, in the conventional liquid crystal display device, the PS forming process is performed on the active matrix substrate on which the pixel electrodes and the TFTs are already formed. This PS forming process is performed in an atmosphere with an increased cleanliness. This is performed after the film forming process performed in step 1 is completed. For this reason, in the PS formation process, it is inevitable that foreign substances in the atmosphere are mixed in PS applied on the substrate. That is, in the conventional liquid crystal display device, since it is difficult to form PS with high accuracy, there is a limit in improving display quality to a high degree. In addition, since a PS forming step is separately required to form PS as a separate member, there is a problem that the number of steps increases and the cost increases.

さらに、ＴＦＴ自体が高精度に形成されていても、その後工程で形成されるＰＳの精度が低下することにより、全体として、アクティブマトリクス基板の歩留まりが低下してしまうという問題もある。 Furthermore, even if the TFT itself is formed with high accuracy, there is a problem that the yield of the active matrix substrate as a whole decreases due to the decrease in accuracy of PS formed in the subsequent process.

一方、ＰＳを対向基板に形成することも考えられるが、アクティブマトリクス基板に対する対向基板の貼り合わせ位置がずれると、コントラストが低下するため、高度な貼り合せ精度が必要となる。その結果、液晶表示装置の生産性が低下してしまうという問題が生じる。 On the other hand, it is conceivable to form PS on the counter substrate. However, when the bonding position of the counter substrate with respect to the active matrix substrate is deviated, the contrast is lowered, so that high bonding accuracy is required. As a result, there arises a problem that the productivity of the liquid crystal display device is lowered.

本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に対し、セル厚を規定する突出部を高精度且つ容易に形成できるようにすることにある。 The present invention has been made in view of such various points, and an object of the present invention is to make it possible to easily and accurately form a protrusion that defines a cell thickness on an active matrix substrate of a liquid crystal display device. There is to do.

上記の目的を達成するために、この発明では、突出部を、アクティブマトリクス基板の層間絶縁膜の一部により構成するようにした。 In order to achieve the above object, in the present invention, the projecting portion is constituted by a part of the interlayer insulating film of the active matrix substrate.

具体的に、本発明に係る液晶表示装置は、基板の上に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆うように上記基板の上に設けられた層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の上に設けられて上記スイッチング素子に接続された画素電極とを有するアクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して設けられた対向基板と、上記対向基板とアクティブマトリクス基板との間に設けられた液晶層とを備える液晶表示装置であって、上記アクティブマトリクス基板は、上記液晶層側に突出することにより対向基板との間隔を規定する突出部を備え、上記突出部は、上記層間絶縁膜の一部により構成されると共に、上記画素電極よりも液晶層側に突出している。 Specifically, a liquid crystal display device according to the present invention includes a switching element provided on a substrate, an interlayer insulating film provided on the substrate so as to cover the switching element, and an upper surface of the interlayer insulating film. An active matrix substrate having a pixel electrode connected to the switching element, a counter substrate provided opposite to the active matrix substrate, and provided between the counter substrate and the active matrix substrate A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal layer, wherein the active matrix substrate includes a protrusion that defines a distance from the counter substrate by protruding toward the liquid crystal layer, and the protrusion includes the interlayer insulating film. It is configured by a part and protrudes closer to the liquid crystal layer than the pixel electrode.

上記突出部は、該突出部周りの層間絶縁膜の表面からの高さが、１μｍ以上且つ１０μｍ以下であるようにしてもよい。 The protrusion may have a height from the surface of the interlayer insulating film around the protrusion of 1 μm or more and 10 μm or less.

上記層間絶縁膜は、感光性材料により構成されていることが好ましい。 The interlayer insulating film is preferably made of a photosensitive material.

上記層間絶縁膜は、アクリル系の感光性樹脂により構成されていてもよい。 The interlayer insulating film may be made of an acrylic photosensitive resin.

上記層間絶縁膜は、分子量が１００００以上であるポリシランにより構成されていてもよい。 The interlayer insulating film may be made of polysilane having a molecular weight of 10,000 or more.

上記層間絶縁膜において突起部が設けられていない領域の膜厚は、１．５μｍ以上であることが好ましい。 In the interlayer insulating film, the thickness of the region where no protrusion is provided is preferably 1.5 μm or more.

また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、スイッチング素子を備えるアクティブマトリクス基板を形成する第１工程と、上記アクティブマトリクス基板に対向して設けられる対向基板を形成する第２工程と、上記対向基板とアクティブマトリクス基板とを貼り合わせると共に、該各基板同士の隙間に液晶層を介在させる第３工程と備える液晶表示装置の製造方法であって、上記第１工程は、基板の上に上記スイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、上記スイッチング素子を覆うように層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、上記層間絶縁膜の上に画素電極を形成する画素電極形成工程とを備え、上記層間絶縁膜形成工程は、上記基板の上にスイッチング素子を覆うように感光性材料を成膜する成膜工程と、上記感光性材料に対し、マスクを介して露光する露光工程と、露光された上記感光性材料を現像することにより、層間絶縁膜を上下に貫通するコンタクトホールと、上記液晶層側に突出する突出部とを形成する現像工程とを備えている。 The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes a first step of forming an active matrix substrate including a switching element, a second step of forming a counter substrate provided to face the active matrix substrate, A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a third step of bonding a counter substrate and an active matrix substrate and interposing a liquid crystal layer in a gap between the substrates, wherein the first step is performed on the substrate. A switching element forming step for forming the switching element; an interlayer insulating film forming step for forming an interlayer insulating film so as to cover the switching element; and a pixel electrode forming step for forming a pixel electrode on the interlayer insulating film. The interlayer insulating film forming step includes forming a photosensitive material on the substrate so as to cover the switching element, An exposure process for exposing a light-sensitive material through a mask; a contact hole penetrating through an interlayer insulating film by developing the exposed photosensitive material; and a protrusion protruding toward the liquid crystal layer And a developing step for forming

上記感光性材料は、ポジ型の感光性材料により構成されていることが好ましい。 The photosensitive material is preferably composed of a positive photosensitive material.

上記第１工程は、上記現像工程で現像された層間絶縁膜を焼成する焼成工程を備えていてもよい。 The first step may include a baking step of baking the interlayer insulating film developed in the developing step.

−作用−
すなわち、本発明によると、アクティブマトリクス基板が液晶層側に突出する突出部を備えているため、アクティブマトリクス基板と対向基板との間の間隔であるセル厚は、上記突出部により規定される。 -Action-
That is, according to the present invention, since the active matrix substrate includes the protrusions protruding toward the liquid crystal layer, the cell thickness, which is the distance between the active matrix substrate and the counter substrate, is defined by the protrusions.

突出部は、清浄度が高い雰囲気中で行われる層間絶縁膜の成膜工程中に、層間絶縁膜と同時に成膜されるため、異物が混入する虞れがない。言い換えれば、突出部は、層間絶縁膜の製造工程を利用して形成される。その結果、突出部は高精度に形成されるため、セル厚は高精度に規定される。さらに、突出部は、従来のようにそれ自体別部材として形成されるものではないため、層間絶縁膜と同じ工程で容易に形成される。 Since the protruding portion is formed at the same time as the interlayer insulating film during the interlayer insulating film forming process performed in an atmosphere with a high cleanliness, there is no possibility that foreign matter is mixed. In other words, the protruding portion is formed using a manufacturing process of the interlayer insulating film. As a result, since the protruding portion is formed with high accuracy, the cell thickness is defined with high accuracy. Furthermore, since the protruding portion is not formed as a separate member as in the prior art, it is easily formed in the same process as the interlayer insulating film.

また、層間絶縁膜が感光性材料により構成されることにより、突出部の高さや層間絶縁膜自体の厚さは、露光量や現像量により好適に制御される。 Further, since the interlayer insulating film is made of a photosensitive material, the height of the protruding portion and the thickness of the interlayer insulating film itself are suitably controlled by the exposure amount and the development amount.

本発明によれば、アクティブマトリクス基板が対向基板との間の間隔を規定する突出部を備え、突出部を層間絶縁膜の一部により構成することにより、清浄度が高い雰囲気中で行われる層間絶縁膜の成膜工程中に、層間絶縁膜と同時に突出部を形成できるため、異物の混入を防止して高精度に突出部を形成することができる。その結果、アクティブマトリクス基板と対向基板との間隔を、突出部により高精度に規定できるため、液晶表示装置のコントラストの低下や、視野角の縮小を防止して、表示品位の向上を図ることができる。 According to the present invention, the active matrix substrate is provided with the protruding portion that defines the distance between the active matrix substrate and the protruding portion is constituted by a part of the interlayer insulating film, so that the interlayer is performed in a highly clean atmosphere. Since the protruding portion can be formed at the same time as the interlayer insulating film during the insulating film formation step, the protruding portion can be formed with high accuracy by preventing the entry of foreign matters. As a result, the distance between the active matrix substrate and the counter substrate can be defined with high accuracy by the protruding portion, so that the display quality can be improved by preventing the contrast of the liquid crystal display device from being lowered and the viewing angle from being reduced. it can.

さらに、突出部は、従来のようにそれ自体別部材として形成されるものではないため、層間絶縁膜と同じ工程で容易に形成することが可能となる。すなわち、液晶表示装置の製造コストの低減を図ることができる。 Furthermore, since the protruding portion is not formed as a separate member as in the prior art, it can be easily formed in the same process as the interlayer insulating film. That is, the manufacturing cost of the liquid crystal display device can be reduced.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiment.

《発明の実施形態１》
図１及び図２は、本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法の実施形態１を示している。本実施形態の液晶表示装置は、背面側の光源の光を透過して表示を行う透過型液晶表示装置である。 Embodiment 1 of the Invention
1 and 2 show Embodiment 1 of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to the present invention. The liquid crystal display device of the present embodiment is a transmissive liquid crystal display device that performs display by transmitting light from a light source on the back side.

図１は、液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を拡大して示す平面図である。図２は、図１のII−II線断面を含む液晶表示装置の断面図である。 FIG. 1 is an enlarged plan view showing a configuration of one pixel portion of an active matrix substrate in a liquid crystal display device. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device including a cross section taken along line II-II in FIG.

図２に示すように、液晶表示装置１は、アクティブマトリクス基板１１と、対向基板１２と、液晶層１３とを備えている。 As shown in FIG. 2, the liquid crystal display device 1 includes an active matrix substrate 11, a counter substrate 12, and a liquid crystal layer 13.

上記対向基板１２は、アクティブマトリクス基板１１に対向して設けられ、透明な絶縁性の基板１５と、基板１５の表面に積層された透明電極である透明導電膜１６と、透明導電膜１６の表面に積層された配向膜１７とを備えている。そして、上記液晶層１３は、対向基板１２とアクティブマトリクス基板１１との間に設けられている。 The counter substrate 12 is provided to face the active matrix substrate 11, and is a transparent insulating substrate 15, a transparent conductive film 16 that is a transparent electrode laminated on the surface of the substrate 15, and a surface of the transparent conductive film 16. And an alignment film 17 stacked on each other. The liquid crystal layer 13 is provided between the counter substrate 12 and the active matrix substrate 11.

上記アクティブマトリクス基板１１は、透明な絶縁性の基板３１と、基板３１の上に設けられたスイッチング素子であるＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４を覆うように上記基板３１の上に設けられた層間絶縁膜３８と、層間絶縁膜３８の上に設けられてＴＦＴ２４に接続された画素電極２１とを有している。 The active matrix substrate 11 includes a transparent insulating substrate 31, a TFT 24 as a switching element provided on the substrate 31, and an interlayer insulating film 38 provided on the substrate 31 so as to cover the TFT 24. The pixel electrode 21 is provided on the interlayer insulating film 38 and connected to the TFT 24.

また、アクティブマトリクス基板１１は、図１に示すように、基板３１の上に互いに平行に設けられた複数のゲート信号配線２２と、基板３１の上に互いに平行に設けられると共に各ゲート信号配線２２に交差する複数のソース信号配線２３とを有している。 Further, as shown in FIG. 1, the active matrix substrate 11 is provided with a plurality of gate signal wirings 22 provided in parallel with each other on the substrate 31 and with each gate signal wiring 22 provided in parallel with each other on the substrate 31. And a plurality of source signal wirings 23 intersecting with each other.

上記画素電極２１は、図１に示すように、基板３１の上に複数設けられ、マトリクス状に配置されている。そして、上記ゲート信号配線２２及びソース信号配線２３は、各画素電極２１の周囲を通り、互いに直交して格子状に設けられている。ゲート信号配線２２及びソース信号配線２３は、その一部が画素電極２１の外周部分とオーバーラップしている。その重なり幅は、１μｍ以上であることが好ましい。 As shown in FIG. 1, a plurality of the pixel electrodes 21 are provided on a substrate 31 and arranged in a matrix. The gate signal lines 22 and the source signal lines 23 pass through the periphery of each pixel electrode 21 and are provided in a lattice shape orthogonal to each other. Part of the gate signal wiring 22 and the source signal wiring 23 overlaps with the outer peripheral portion of the pixel electrode 21. The overlapping width is preferably 1 μm or more.

このように、画素電極２１と配線２２，２３とをオーバーラップさせることにより、画素開口率を向上させることができる。また、層間絶縁膜３８を設けることにより、ＴＦＴ２４や各配線２２，２３の段差による液晶の配向不良を防止することができる。 Thus, the pixel aperture ratio can be improved by overlapping the pixel electrode 21 and the wirings 22 and 23. Further, by providing the interlayer insulating film 38, it is possible to prevent liquid crystal alignment defects due to the steps of the TFT 24 and the wirings 22 and 23.

また、基板３１の上には、図１に示すように、後述の容量電極２５ａと共に付加容量を構成する共通電極２７が、ゲート信号配線２２と平行に並んで設けられている。 On the substrate 31, as shown in FIG. 1, a common electrode 27 that constitutes an additional capacitor together with a capacitor electrode 25 a described later is provided in parallel with the gate signal wiring 22.

上記ＴＦＴ２４は、基板３１の表面に形成され、ゲート信号配線２２とソース信号配線２３との交差部分の近傍位置に配置されている。ＴＦＴ２４は、画素電極２１に接続されることにより、画素電極２１をスイッチングするように構成されている。そして、ＴＦＴ２４は、ゲート電極３２と、半導体層３４と、ソース電極３６ａと、ドレイン電極３６ｂとを備えている。 The TFT 24 is formed on the surface of the substrate 31 and is disposed in the vicinity of the intersection between the gate signal wiring 22 and the source signal wiring 23. The TFT 24 is configured to switch the pixel electrode 21 by being connected to the pixel electrode 21. The TFT 24 includes a gate electrode 32, a semiconductor layer 34, a source electrode 36a, and a drain electrode 36b.

ゲート電極３２は、図１に示すようにゲート信号配線２２から分岐して形成され、図２に示すように基板３１の上に設けられている。ゲート電極３２は、ゲート絶縁膜３３により覆われている。 The gate electrode 32 is formed to branch from the gate signal wiring 22 as shown in FIG. 1, and is provided on the substrate 31 as shown in FIG. The gate electrode 32 is covered with a gate insulating film 33.

半導体層３４は、ゲート絶縁膜３３の上に設けられ、少なくとも一部がゲート電極３３と重なっている。半導体層３４におけるゲート電極３３と重なる領域は、チャネル領域（図示省略）に形成されている。チャネル領域の上方には、チャネル保護層３５が設けられている。また、半導体層３４におけるチャネル領域の両側には、ソース領域（図示省略）又はドレイン領域（図示省略）が形成されている。 The semiconductor layer 34 is provided on the gate insulating film 33 and at least partially overlaps the gate electrode 33. A region overlapping the gate electrode 33 in the semiconductor layer 34 is formed in a channel region (not shown). A channel protective layer 35 is provided above the channel region. A source region (not shown) or a drain region (not shown) is formed on both sides of the channel region in the semiconductor layer 34.

半導体層３４のソース領域の上には、ｎ＋Ｓｉ層であるソース電極３６ａが設けられる一方、ドレイン領域の上には、同じくｎ＋Ｓｉ層であるドレイン電極３６ｂが設けられている。チャネル保護層３５の一部は、ソース電極３６ａ及びドレイン電極３６ｂにより覆われている。 A source electrode 36a that is an n + Si layer is provided on the source region of the semiconductor layer 34, while a drain electrode 36b that is also an n + Si layer is provided on the drain region. A part of the channel protective layer 35 is covered with a source electrode 36a and a drain electrode 36b.

ソース電極３６ａの端部には、透明導電膜３７ａと金属層３７ｂとが設けられて２層構造のソース信号配線２３を構成している。一方、ドレイン電極３６ｂの端部には、透明導電膜４１ａと金属層４１ｂとが設けられている。透明導電膜４１ａは、図１に示すように、接続配線２５を介して容量電極２５ａに接続されている。接続配線２５は、透明導電膜により構成されている。 At the end of the source electrode 36a, a transparent conductive film 37a and a metal layer 37b are provided to constitute a source signal wiring 23 having a two-layer structure. On the other hand, a transparent conductive film 41a and a metal layer 41b are provided at the end of the drain electrode 36b. As shown in FIG. 1, the transparent conductive film 41 a is connected to the capacitor electrode 25 a via the connection wiring 25. The connection wiring 25 is made of a transparent conductive film.

上記層間絶縁膜３８は、図２に示すように、ＴＦＴ２４、ゲート信号配線２２、ソース信号配線２３、及び接続配線２５を覆うように設けられている。層間絶縁膜３８は、感光性材料により構成されている。感光性材料としては、例えば分子量が１００００以上であるポリシランが好ましい。層間絶縁膜３８には、接続電極２５の上方位置で、層間絶縁膜３８を上下に貫通するコンタクトホール２６が形成されている。コンタクトホール２６は、ゲート信号配線２２の上方位置に形成されていてもよい。また、図示は省略するが、コンタクトホール２６の底には、接続配線２５と画素電極２１とを接続するための金属窒化物が設けられている。 As shown in FIG. 2, the interlayer insulating film 38 is provided so as to cover the TFT 24, the gate signal wiring 22, the source signal wiring 23, and the connection wiring 25. The interlayer insulating film 38 is made of a photosensitive material. As the photosensitive material, for example, polysilane having a molecular weight of 10,000 or more is preferable. In the interlayer insulating film 38, a contact hole 26 penetrating vertically through the interlayer insulating film 38 is formed at a position above the connection electrode 25. The contact hole 26 may be formed above the gate signal wiring 22. Although not shown, a metal nitride for connecting the connection wiring 25 and the pixel electrode 21 is provided at the bottom of the contact hole 26.

上記画素電極２１は、層間絶縁膜３８及びコンタクトホール２６の表面に形成されている。画素電極２１の配列は、図１に示すように、一方向に長い縦ストライプ状に形成されている。このとき、画素電極２１の長辺は、ソース信号配線２３に沿って延びるように形成されている。 The pixel electrode 21 is formed on the surface of the interlayer insulating film 38 and the contact hole 26. As shown in FIG. 1, the array of pixel electrodes 21 is formed in a vertical stripe shape that is long in one direction. At this time, the long side of the pixel electrode 21 is formed to extend along the source signal wiring 23.

層間絶縁膜３８の上に形成された画素電極２１は、コンタクトホール２６を介して接続電極２５に接続されている。言い換えれば、画素電極２１は、コンタクトホール２６を介してＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂに接続されている。画素電極２１の上には、液晶分子の初期配向を規定する配向膜３９が設けられている。配向膜３９の表面は、平坦に形成されている。 The pixel electrode 21 formed on the interlayer insulating film 38 is connected to the connection electrode 25 through the contact hole 26. In other words, the pixel electrode 21 is connected to the drain electrode 36 b of the TFT 24 through the contact hole 26. An alignment film 39 that defines the initial alignment of liquid crystal molecules is provided on the pixel electrode 21. The surface of the alignment film 39 is formed flat.

こうして、ＴＦＴ２４は、ゲート信号がゲート信号配線２２からゲート電極３２へ入力されることにより駆動する。ＴＦＴ２４の駆動時に、データ信号がソース信号配線２３からＴＦＴ２４のソース電極３６ａに入力されることにより、そのデータ信号は、ドレイン電極３６ｂを介して画素電極２１へ入力される。このとき、ドレイン電極３６ｂから接続電極２５を介して容量電極２５ａへ電荷が供給されることにより、容量電極２５ａと共通電極２７との間で所定の付加容量が形成される。 Thus, the TFT 24 is driven when the gate signal is input from the gate signal wiring 22 to the gate electrode 32. When the TFT 24 is driven, a data signal is input from the source signal wiring 23 to the source electrode 36a of the TFT 24, so that the data signal is input to the pixel electrode 21 via the drain electrode 36b. At this time, a predetermined additional capacitance is formed between the capacitance electrode 25 a and the common electrode 27 by supplying electric charge from the drain electrode 36 b to the capacitance electrode 25 a via the connection electrode 25.

そして、データ信号が供給された画素電極２１と、対向基板１２の透明導電膜１６との間で所定の電位差を生じさせることにより、液晶層１３を駆動して表示を行うようになっている。 A predetermined potential difference is generated between the pixel electrode 21 to which the data signal is supplied and the transparent conductive film 16 of the counter substrate 12, thereby driving the liquid crystal layer 13 to perform display.

そして、本発明の特徴として、アクティブマトリクス基板１１は、層間絶縁膜２１の一部により構成されて液晶層１３側に突出する突出部２８を備えている。突出部２８は、先端が対向基板１２に当接することにより、アクティブマトリクス基板１１と、対向基板１２との間隔であるセル厚を規定するように構成されている。 As a feature of the present invention, the active matrix substrate 11 includes a protruding portion 28 that is formed by a part of the interlayer insulating film 21 and protrudes toward the liquid crystal layer 13 side. The protruding portion 28 is configured to define a cell thickness that is a distance between the active matrix substrate 11 and the counter substrate 12 when the tip abuts against the counter substrate 12.

突出部２８は、図１に示すように、例えば基板３１に平行な方向の断面が円形であり、図２に示すように、基板３１側から基板１５側へ向かうに連れて、断面の径が徐々に小さくなるように形成されている。突出部２８の断面の直径は、例えば８μｍ以上且つ１５μｍ以下程度に形成することが好ましい。尚、突出部２８の断面形状は、円形に限らず、正方形等の他の形状であってもよい。 As shown in FIG. 1, the protrusion 28 has a circular cross section in a direction parallel to the substrate 31, for example. As shown in FIG. 2, the diameter of the cross section increases from the substrate 31 side to the substrate 15 side. It is formed to become gradually smaller. The diameter of the cross section of the protruding portion 28 is preferably formed to be, for example, about 8 μm to 15 μm. Note that the cross-sectional shape of the protruding portion 28 is not limited to a circle, and may be other shapes such as a square.

そして、突出部２８は、図２に示すように、画素電極２１及び配向膜３９を厚さ方向に貫通している。つまり、突出部２８は、画素電極２１よりも液晶層１３側に突出している。突出部２８周りの層間絶縁膜３８の表面からの高さは、１μｍ以上且つ１０μｍ以下であることが好ましい。尚、層間絶縁膜３８において突起部２８が設けられていない領域の膜厚は、１．５μｍ以上であることが好ましい。 And the protrusion part 28 has penetrated the pixel electrode 21 and the alignment film 39 in the thickness direction, as shown in FIG. That is, the protruding portion 28 protrudes closer to the liquid crystal layer 13 than the pixel electrode 21. The height from the surface of the interlayer insulating film 38 around the protruding portion 28 is preferably 1 μm or more and 10 μm or less. In the interlayer insulating film 38, the thickness of the region where the protrusions 28 are not provided is preferably 1.5 μm or more.

また、突出部２８は、図１に示すように、例えば各画素毎に１つずつ設けられており、上記ＴＦＴ２４と並んで画素の周縁領域に形成されている。このことにより、突出部２８が表示品位に与える影響を小さくすることができる。尚、本発明はこれに限らず、各画素毎に複数設けるようにしてもよい。 Further, as shown in FIG. 1, for example, one protrusion 28 is provided for each pixel, and is formed in the peripheral region of the pixel along with the TFT 24. Thereby, the influence which the protrusion part 28 has on the display quality can be reduced. The present invention is not limited to this, and a plurality of pixels may be provided for each pixel.

−製造方法−
次に、本実施形態の液晶表示装置１の製造方法について説明する。 -Manufacturing method-
Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device 1 of the present embodiment will be described.

本実施形態の液晶表示装置１の製造方法は、アクティブマトリクス基板１１を形成する第１工程と、対向基板１２を形成する第２工程と、上記対向基板１２とアクティブマトリクス基板１１とを貼り合わせると共に、該各基板１１，１２同士の隙間に液晶層１３を介在させる第３工程と備えている。 The manufacturing method of the liquid crystal display device 1 according to this embodiment includes a first step of forming the active matrix substrate 11, a second step of forming the counter substrate 12, and bonding the counter substrate 12 and the active matrix substrate 11 together. And a third step of interposing the liquid crystal layer 13 in the gap between the substrates 11 and 12.

上記第１工程は、基板３１の上にＴＦＴ２４を形成するＴＦＴ形成工程と、ＴＦＴ２４を覆うように層間絶縁膜３８を形成する層間絶縁膜形成工程と、層間絶縁膜３８を焼成する焼成工程と、層間絶縁膜３８の上に画素電極２１を形成する画素電極形成工程とを備えている。 The first step includes a TFT forming step for forming the TFT 24 on the substrate 31, an interlayer insulating film forming step for forming the interlayer insulating film 38 so as to cover the TFT 24, a firing step for firing the interlayer insulating film 38, A pixel electrode forming step of forming the pixel electrode 21 on the interlayer insulating film 38.

ＴＦＴ形成工程では、基板３１の上にゲート電極３２をフォトリソグラフィ等により成膜してパターン形成する。続いて、ゲート絶縁膜３３を一様に積層した後に、半導体層３４を形成する。半導体層３４には、マスクを介して不純物を注入することにより、ソース領域及びドレイン領域をチャネル領域の両側に形成する。続いて、半導体層１４の上に、チャネル保護層３５と、ソース電極３６ａ及びドレイン電極３６ｂとをそれぞれパターン形成する。その後、ソース電極３６ａの端部に接続される透明導電膜３７ａ及び金属層３７ｂと、ドレイン電極３６ｂの端部に接続される透明導電膜４１ａ及び金属層４１ｂとを、スパッタ法により順次成膜して所定形状にパターニングする。 In the TFT forming step, the gate electrode 32 is formed on the substrate 31 by photolithography or the like to form a pattern. Subsequently, after the gate insulating film 33 is uniformly stacked, the semiconductor layer 34 is formed. A source region and a drain region are formed on both sides of the channel region by implanting impurities into the semiconductor layer 34 through a mask. Subsequently, the channel protective layer 35, the source electrode 36a, and the drain electrode 36b are respectively formed on the semiconductor layer 14 by patterning. Thereafter, a transparent conductive film 37a and a metal layer 37b connected to the end of the source electrode 36a, and a transparent conductive film 41a and a metal layer 41b connected to the end of the drain electrode 36b are sequentially formed by sputtering. To pattern into a predetermined shape.

層間絶縁膜形成工程は、成膜工程と、露光工程と、現像工程とを備えている。 The interlayer insulating film forming process includes a film forming process, an exposure process, and a developing process.

成膜工程は、基板３１の上に上記ＴＦＴ２４を覆うように感光性材料を成膜する。上記感光性材料は、例えば、ポリシラン等の透明度の高い有機薄膜からなるポジ型の感光性材料が好ましく、スピン塗布法により例えば乾燥後に７μｍの膜厚になるように形成する。 In the film forming step, a photosensitive material is formed on the substrate 31 so as to cover the TFT 24. The photosensitive material is preferably a positive photosensitive material made of a highly transparent organic thin film such as polysilane, and is formed by spin coating so as to have a thickness of 7 μm after drying, for example.

露光工程は、上記感光性材料に対し、マスクを介して露光する。アクティブマトリクス基板１１の表示部領域の外部（図示せず）と、コンタクトホール２６とに対する露光量は、２０００ｍＪ／ｃｍ²とし、表示画素部に対する露光量は、４００ｍＪ／ｃｍ²とする。典型的には、突出部２８を形成する領域を露光しないことができる。 In the exposure step, the photosensitive material is exposed through a mask. The exposure amount for the outside (not shown) of the display area of the active matrix substrate 11 and the contact hole 26 is 2000 mJ / cm ^2, and the exposure amount for the display pixel section is 400 mJ / cm ² . Typically, the region where the protrusion 28 is formed can be unexposed.

この場合、例えばコンタクトホール２６及び表示画素部用の第１フォトマスクで４００ｍＪ／ｃｍ²だけ露光し、その後、コンタクトホール２６用の、第２フォトマスク（第１フォトマスクよりも少し寸法が異なる）で、コンタクトホール２６用の残り１６００ｍＪ／ｃｍ²だけ露光するようにしてもよい。このことにより、なだらかなコンタクトホール２６を形成することができる。また、その前後は逆であってもよい。 In this case, for example, the contact hole 26 and the first photomask for the display pixel portion are exposed by 400 mJ / cm ² , and then the second photomask for the contact hole 26 (the dimensions are slightly different from those of the first photomask). Thus, the remaining 1600 mJ / cm ² for the contact hole 26 may be exposed. As a result, the gentle contact hole 26 can be formed. Moreover, the front and back may be reversed.

現像工程では、露光された感光性材料をアルカリ性の溶液により現像する。このことにより、露光された部分のみがアルカリ性の溶液によってエッチングされるため、層間絶縁膜３８を上下に貫通するコンタクトホール２６と、液晶層１３側に突出する突出部２８とがそれぞれ形成される。 In the development step, the exposed photosensitive material is developed with an alkaline solution. As a result, only the exposed portion is etched by the alkaline solution, so that the contact hole 26 that vertically penetrates the interlayer insulating film 38 and the protruding portion 28 that protrudes toward the liquid crystal layer 13 are formed.

焼成工程では、現像工程でコンタクトホール２６及び突出部２８が形成された層間絶縁膜３８を加熱して焼成する。 In the baking process, the interlayer insulating film 38 in which the contact holes 26 and the protrusions 28 are formed in the developing process is heated and baked.

画素電極形成工程では、画素電極２１となる透明導電膜を、上記層間絶縁膜３８の上にスパッタ法により形成してパターニングする。このことにより、画素電極２１は、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホール２６及び透明導電膜４１ａを介して、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂに接続されることとなる。その後、突出部２８の上の透明導電膜は除去される。したがって、対向基板１２側とのリークは起こらない。続いて、この画素電極２１の上に、表面が平坦になるように配向膜３９を形成する。 In the pixel electrode forming step, a transparent conductive film to be the pixel electrode 21 is formed on the interlayer insulating film 38 by sputtering and patterned. Thus, the pixel electrode 21 is connected to the drain electrode 36b of the TFT 24 through the contact hole 26 that penetrates the interlayer insulating film 38 and the transparent conductive film 41a. Thereafter, the transparent conductive film on the protrusion 28 is removed. Therefore, there is no leakage with the counter substrate 12 side. Subsequently, an alignment film 39 is formed on the pixel electrode 21 so as to have a flat surface.

一方、第２工程では、基板１５に対し、透明導電膜１６をスパッタ法により積層することにより、透明電極である透明導電膜１６を形成する。その後、透明導電膜１６に対して配向膜１７を積層し、その表面が平坦となるように形成する。また、第３工程では、第２工程で形成した対向基板１２と、第１工程で形成したアクティブマトリクス基板１１を貼り合わせる。このとき、アクティブマトリクス基板１１の突出部２８先端が、対向基板１２の配向膜１７の表面に当接することにより、セル厚が所定の大きさに規定される。以上のようにして、液晶表示装置１は製造される。 On the other hand, in the second step, the transparent conductive film 16 that is a transparent electrode is formed on the substrate 15 by laminating the transparent conductive film 16 by sputtering. Thereafter, an alignment film 17 is laminated on the transparent conductive film 16, and the surface thereof is formed to be flat. In the third step, the counter substrate 12 formed in the second step is bonded to the active matrix substrate 11 formed in the first step. At this time, the tip of the protruding portion 28 of the active matrix substrate 11 is brought into contact with the surface of the alignment film 17 of the counter substrate 12, whereby the cell thickness is defined to a predetermined size. The liquid crystal display device 1 is manufactured as described above.

−実施形態１の効果−
したがって、この実施形態１によると、突出部２８を層間絶縁膜３８の一部により構成するようにしたので、清浄度が高い雰囲気中で行われる層間絶縁膜３８の成膜工程中に、層間絶縁膜３８と同時に突出部２８を形成できるため、異物の混入を防止して高精度に突出部２８を形成することができる。その結果、アクティブマトリクス基板１１と対向基板１２との間隔であるセル厚を、突出部２８により高精度に規定できるため、液晶表示装置１のコントラストの低下や、視野角の縮小を防止して、表示品位の向上を図ることができる。 -Effect of Embodiment 1-
Therefore, according to the first embodiment, since the projecting portion 28 is constituted by a part of the interlayer insulating film 38, the interlayer insulating film is formed during the process of forming the interlayer insulating film 38 performed in a highly clean atmosphere. Since the protruding portion 28 can be formed simultaneously with the film 38, the protruding portion 28 can be formed with high accuracy by preventing foreign matter from entering. As a result, since the cell thickness, which is the distance between the active matrix substrate 11 and the counter substrate 12, can be defined with high accuracy by the protrusions 28, the contrast of the liquid crystal display device 1 and the viewing angle are prevented from being reduced. The display quality can be improved.

さらに、突出部２８は、従来のようにそれ自体別部材として形成されるものではないため、層間絶縁膜３８と同じ工程で容易に形成することができる。すなわち、液晶表示装置１の製造コストの低減を図ることができる。また、突出部２８を透明な層間絶縁膜３８の一部により形成したので、画素開口部を透過する光を有効に利用して、輝度を向上させることができる。 Furthermore, since the protrusion 28 is not formed as a separate member as in the prior art, it can be easily formed in the same process as the interlayer insulating film 38. That is, the manufacturing cost of the liquid crystal display device 1 can be reduced. Further, since the protruding portion 28 is formed by a part of the transparent interlayer insulating film 38, the luminance can be improved by effectively using the light transmitted through the pixel opening.

また、層間絶縁膜３８が感光性材料により構成されることにより、突出部２８の高さや層間絶縁膜３８自体の厚さは、露光量や現像量により好適に制御することができる。 In addition, since the interlayer insulating film 38 is made of a photosensitive material, the height of the protrusion 28 and the thickness of the interlayer insulating film 38 can be suitably controlled by the exposure amount and the development amount.

さらに、突出部２８を対向基板１２ではなくアクティブマトリクス基板１１に形成するようにしたので、各基板１１，１２同士の貼り合わせズレによる不良を防止できると共に、セル厚の厚みムラを抑制できるため、均一な表示を得ることができる。 Furthermore, since the protruding portion 28 is formed not on the counter substrate 12 but on the active matrix substrate 11, it is possible to prevent defects due to bonding misalignment between the substrates 11 and 12, and to suppress uneven thickness of the cell thickness. A uniform display can be obtained.

また、層間絶縁膜３８を形成後に焼成するようにしたので、層間絶縁膜３８の密着性を向上させて、製造プロセス中の処理に対して安定なデバイスを実現することができる。 Further, since the interlayer insulating film 38 is baked after being formed, the adhesion of the interlayer insulating film 38 can be improved, and a device that is stable with respect to processing during the manufacturing process can be realized.

《その他の実施形態》
上記実施形態１では、層間絶縁膜３８をポリシランにより構成したが、本発明はこれに限られるものではなく、その他に例えば、透明度の高いアクリル系の感光性樹脂等の有機薄膜により構成してもよい。 << Other Embodiments >>
In the first embodiment, the interlayer insulating film 38 is made of polysilane. However, the present invention is not limited to this, and for example, the interlayer insulating film 38 may be made of an organic thin film such as a highly transparent acrylic photosensitive resin. Good.

以上説明したように、本発明は、アクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置及びその製造方法について有用であり、特に、基板間のセル厚を高精度に制御する場合に適している。 As described above, the present invention is useful for a liquid crystal display device having an active matrix substrate and a manufacturing method thereof, and is particularly suitable for controlling the cell thickness between substrates with high accuracy.

実施形態１の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を示す平面図である。3 is a plan view showing an active matrix substrate of the liquid crystal display device of Embodiment 1. FIG. 図１のII−II線断面を含む液晶表示装置の断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section of the liquid crystal display device containing the II-II line cross section of FIG. 従来の液晶表示装置の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the conventional liquid crystal display device. 従来のＴＦＴの断面を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the cross section of the conventional TFT. 従来の球状粒子のスペーサを有する液晶表示装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the liquid crystal display device which has the spacer of the conventional spherical particle. 従来の対向基板に形成されたＰＳを有する液晶表示装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the liquid crystal display device which has PS formed in the conventional counter substrate. 従来のアクティブマトリクス基板に形成されたＰＳを有する液晶表示装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the liquid crystal display device which has PS formed in the conventional active matrix substrate.

Explanation of symbols

１液晶表示装置
１１アクティブマトリクス基板
１２対向基板
１３液晶層
２１画素電極
２４ＴＦＴ（スイッチング素子）
２８突出部
３１基板
３８層間絶縁膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal display device 11 Active matrix substrate 12 Opposite substrate 13 Liquid crystal layer 21 Pixel electrode 24 TFT (switching element)
28 Projection 31 Substrate 38 Interlayer Insulating Film

Claims

A switching element provided on the substrate, an interlayer insulating film provided on the substrate so as to cover the switching element, and a pixel electrode provided on the interlayer insulating film and connected to the switching element An active matrix substrate having
A counter substrate provided facing the active matrix substrate;
A liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer provided between the counter substrate and the active matrix substrate,
The active matrix substrate includes a protruding portion that defines a distance from the counter substrate by protruding toward the liquid crystal layer side,
The protrusion is constituted by a part of the interlayer insulating film and protrudes closer to the liquid crystal layer than the pixel electrode.

In claim 1,
The liquid crystal display device, wherein the protrusion has a height from the surface of the interlayer insulating film around the protrusion that is not less than 1 μm and not more than 10 μm.

In claim 1,
The liquid crystal display device, wherein the interlayer insulating film is made of a photosensitive material.

In claim 3,
The liquid crystal display device, wherein the interlayer insulating film is made of an acrylic photosensitive resin.

In claim 1,
The liquid crystal display device, wherein the interlayer insulating film is made of polysilane having a molecular weight of 10,000 or more.

In claim 1,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a film thickness of a region where no protrusion is provided in the interlayer insulating film is 1.5 μm or more.

A first step of forming an active matrix substrate comprising switching elements;
A second step of forming a counter substrate provided to face the active matrix substrate;
A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising the third step of bonding the counter substrate and the active matrix substrate together and interposing a liquid crystal layer in a gap between the substrates,
The first step includes a switching element forming step for forming the switching element on a substrate, an interlayer insulating film forming step for forming an interlayer insulating film so as to cover the switching element, and a pixel on the interlayer insulating film. A pixel electrode forming step of forming an electrode,
The interlayer insulating film forming step includes a film forming step for forming a photosensitive material on the substrate so as to cover a switching element, an exposure step for exposing the photosensitive material through a mask, and an exposure step. A liquid crystal display comprising: a developing step for forming a contact hole penetrating an interlayer insulating film vertically and a projecting portion projecting toward the liquid crystal layer by developing the photosensitive material Device manufacturing method.

In claim 7,
The method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein the photosensitive material is composed of a positive photosensitive material.

In claim 7,
The method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the first step includes a baking step of baking the interlayer insulating film developed in the developing step.