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JP2005164651A - Light guide and its manufacturing method - Google Patents

Light guide and its manufacturing method Download PDF

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JP2005164651A
JP2005164651A JP2003399794A JP2003399794A JP2005164651A JP 2005164651 A JP2005164651 A JP 2005164651A JP 2003399794 A JP2003399794 A JP 2003399794A JP 2003399794 A JP2003399794 A JP 2003399794A JP 2005164651 A JP2005164651 A JP 2005164651A
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JP
Japan
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acid
bis
resin
group
optical waveguide
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2003399794A
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Japanese (ja)
Inventor
Keizo Takahama
啓造 高浜
Kenji Miyao
憲治 宮尾
Koji Nagaki
浩司 長木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2003399794A priority Critical patent/JP2005164651A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light guide having high heat resistance and low optical loss, and to provide a method for manufacturing the light guide at a high productivity in an easily fabricating procss. <P>SOLUTION: The light guide has a core layer and/or a clad layer formed by using a photosensitive resin composition containing 0.001 to 5 pts.wt. of a photoacid generating agent with respect to 100 pts.wt. of a polyamide resin having a repeating unit expressed by general formula (1). The method for manufacturing the light guide is also presented. In formula (1), each of X and Y represents an organic group, Z is selected from ≤10C organic groups and hydrogen with ≥10% proportion of ≤10C organic groups, and n is an integer 5 to 10,000. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、光導波路およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to an optical waveguide and a method for manufacturing the same.

従来、光導波路用材料としては、ガラス(石英)やプラスチックなどの材料が検討されており、それらのうち、石英で構成した光導波路は、低損失および高耐熱性などを有することから、光ファイバーや光インターコネクション・光通信デバイスなどの分野に用いられている。しかし従来の石英光導波路では、作製に長い工程を要するため、生産性に問題があり、また、製作プロセスにおいて、1000℃前後の高熱処理を要するため、電気回路基板上に形成する際に基板に悪影響を与えると共に、大面積化が困難である問題があった。   Conventionally, materials such as glass (quartz) and plastic have been studied as materials for optical waveguides. Among them, optical waveguides made of quartz have low loss and high heat resistance. Used in fields such as optical interconnection and optical communication devices. However, the conventional quartz optical waveguide has a problem in productivity because a long process is required for manufacturing, and a high heat treatment at around 1000 ° C. is required in the manufacturing process. In addition to adverse effects, there are problems that it is difficult to increase the area.

一方、プラスチックで構成された光導波路は、石英光導波路よりも作製および大面積化が容易であり、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートおよび紫外線硬化型樹脂などのポリマーを用いたプラスチック光導波路が検討されている。これらプラスチック光導波路では、その構成材料の耐熱性は、100℃前後であるため使用環境が限定されると共に、実装回路として組み込む場合に、数百℃のハンダ工程を通過することが必要となり、プラスチック光導波路の耐熱性に問題があった。   On the other hand, optical waveguides made of plastic are easier to fabricate and increase in area than quartz optical waveguides, and plastic optical waveguides using polymers such as polymethyl methacrylate, polycarbonate, and UV-curable resins are being investigated. . In these plastic optical waveguides, the heat resistance of the constituent material is around 100 ° C., so the usage environment is limited, and when incorporated as a mounting circuit, it is necessary to pass a soldering process of several hundred ° C. There was a problem with the heat resistance of the optical waveguide.

そこで、プラスチック材料でありながら300℃以上の耐熱性を有するポリイミド樹脂をプラスチック光導波路に用いようとする試みもなされているが現状のポリイミドでは、その特異な分子構造のため、構造に起因する吸収による光損失がはなはだ大きかった。また、ポリイミド樹脂において、その構造から結晶性の高い樹脂を用いた場合、膜厚が薄い場合は影響が少ないが、光導波路に使用する膜厚になると、膜が脆くなる場合や、屈折率が変化することがあった。   Therefore, an attempt has been made to use a polyimide resin having a heat resistance of 300 ° C. or more although it is a plastic material for a plastic optical waveguide. However, in the current polyimide, due to its unique molecular structure, absorption caused by the structure. The optical loss due to was very large. In addition, in the case of using a resin having high crystallinity in the polyimide resin, there is little influence when the film thickness is thin, but when the film thickness used for the optical waveguide is reached, the film becomes brittle or the refractive index is low. There was a change.

ポリベンゾオキサゾール樹脂はポリイミド樹脂をしのぐ耐熱性、低吸湿性から耐熱用途、電子用途に向けた研究開発がなされているが、近年これを光導波路材料として適用する試みがなされている(例えば、特許文献1参照。)。しかしながら、その製造方法として大量生産に向かないドライエッチングによる加工が使用されていて、量産コスト面での問題があった。
特開平2002−173532号公報(第8−10頁)
Polybenzoxazole resins have been researched and developed for heat resistance applications and electronic applications from heat resistance and low hygroscopicity that surpass polyimide resins. Recently, attempts have been made to apply them as optical waveguide materials (for example, patents). Reference 1). However, as the manufacturing method, processing by dry etching that is not suitable for mass production is used, and there is a problem in terms of mass production cost.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-173532 (page 8-10)

本発明は、上記従来の問題点に鑑み、鋭意検討の結果なされたもので、高耐熱性で、光損失が小さい光導波路および該光導波路を加工が容易で生産性良く製造する方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made as a result of intensive studies in view of the above-described conventional problems, and provides an optical waveguide having high heat resistance and low optical loss, and a method for manufacturing the optical waveguide with ease and high productivity. For the purpose.

即ち、本発明は、
1.一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミド樹脂100重量部に対し光酸発生剤0.001〜5重量部の割合で含む感光性樹脂組成物を用いて形成されたコア層および/またはクラッド層を有する光導波路、
That is, the present invention
1. A core layer formed using a photosensitive resin composition containing 0.001 to 5 parts by weight of a photoacid generator with respect to 100 parts by weight of a polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (1) and / or Or an optical waveguide having a cladding layer,

Figure 2005164651
(式(1)中、XおよびYはそれぞれ有機基を示し、Zは炭素数10以下の有機基および水素から選ばれるものであり、前記炭素数10以下の有機基である割合は10%以上であり、nは5〜10,000の整数である。)
Figure 2005164651
(In the formula (1), X and Y each represents an organic group, Z is selected from an organic group having 10 or less carbon atoms and hydrogen, and the proportion of the organic group having 10 or less carbon atoms is 10% or more. And n is an integer of 5 to 10,000.)

2.一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミド樹脂100重量部に対し光酸発生剤0.001〜5重量部の割合で含む感光性樹脂組成物を用いて樹脂層を形成する工程、前記樹脂層上にフォトマスク層を形成し光照射により光導波路のパターニングを行う工程、前記パターニングされた樹脂層を現像液により除去する工程および前記樹脂層を加熱硬化する工程を含む光導波路の製造方法を提供するものである。 2. A step of forming a resin layer using a photosensitive resin composition containing 0.001 to 5 parts by weight of a photoacid generator with respect to 100 parts by weight of a polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (1), Production of optical waveguide including a step of forming a photomask layer on the resin layer and patterning the optical waveguide by light irradiation, a step of removing the patterned resin layer with a developer, and a step of heat curing the resin layer A method is provided.

本発明によれば、耐熱性、電気特性、機械特性および無色透明性に優れ、光損失が小さ光導波路を提供でき、しかも簡便かつ生産性良く製造できる。   According to the present invention, an optical waveguide having excellent heat resistance, electrical characteristics, mechanical characteristics, and colorless transparency, having a small optical loss can be provided, and can be manufactured simply and with high productivity.

本発明は、一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミド樹脂100重量部に対し光酸発生剤0.001〜5重量部の割合で含む感光性樹脂組成物を用いてコア層および/またはクラッド層を形成してなる光導波路である。前記ポリアミド樹脂は、その10%以上のヒドロキシル基が有機基で保護された構造を有するものであり、前記光酸発生剤は、光照射を受けて酸を発生するものである。本発明の光導波路の製造において、光照射により、コア層及びクラッド層のパターニングを行う際に、光酸発生剤より発生した酸がポリアミド樹脂のヒドロキシル基の保護基を解離させることでアルカリ性現像液への溶解性が発現し、パターニングを可能とするものである。   The present invention provides a core layer using a photosensitive resin composition containing 0.001 to 5 parts by weight of a photoacid generator with respect to 100 parts by weight of a polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (1). An optical waveguide formed by forming a cladding layer. The polyamide resin has a structure in which 10% or more of the hydroxyl groups are protected with an organic group, and the photoacid generator generates acid upon receiving light irradiation. In the production of the optical waveguide of the present invention, when patterning the core layer and the clad layer by light irradiation, the acid generated from the photoacid generator dissociates the protecting group of the hydroxyl group of the polyamide resin, thereby causing an alkaline developer. Solubility is expressed and patterning is possible.

本発明に用いる一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミド樹脂は、ポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体であるポリヒドロキシアミド樹脂の有するヒドロキシル基の10%以上が炭素数10以下の有機基によって保護されてなるものである。その合成方法は特に限定されるものではないが、予め重合したポリヒドロキシアミド樹脂のヒドロキシル基をエステル化する方法などを例示できる。
また保護基の結合様式はエステル結合のほかエーテル結合やカーボネート結合なども適用可能である。
The polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (1) used in the present invention is an organic group in which 10% or more of the hydroxyl groups of the polyhydroxyamide resin which is a polybenzoxazole resin precursor is 10 or less carbon atoms. It is protected. The synthesis method is not particularly limited, and examples thereof include a method of esterifying a hydroxyl group of a prepolymerized polyhydroxyamide resin.
In addition to the ester bond, an ether bond, a carbonate bond, or the like can be applied as the protective group.

本発明において保護基となる前記有機基としては、炭素数10以下の有機基であり、メチル基、エチル基、イソプロピル基などのアルキル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基、フェニル基、p−トルイル基などのアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基などのアラルキル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基などのアルキルカルボニル基、テトラヒドロフラニル基などのオキサシクロアルキル基、メトキシメチル基、1−メトキシエチル基などのアルコシキアルキル基、シクロヘキシルカルボニル基などのシクロアルキルカルボニル基、ベンゾイル基などのアリールカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基やアクリロイル基、メタクロイル基、シンナモイル基等が挙げられる。これらの保護基は、単独、または複数を組み合わせて使用することができる。   In the present invention, the organic group serving as a protective group is an organic group having 10 or less carbon atoms, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group, a cycloalkyl group such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group, Aryl group such as phenyl group, p-toluyl group, aralkyl group such as benzyl group and phenylethyl group, alkylcarbonyl group such as acetyl group, propionyl group, butyryl group, oxacycloalkyl group such as tetrahydrofuranyl group, methoxymethyl group Alkoxyalkyl groups such as 1-methoxyethyl group, cycloalkylcarbonyl groups such as cyclohexylcarbonyl group, arylcarbonyl groups such as benzoyl group, alkoxycarbonyl groups such as isopropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group and acrylic groups. Yl group, methacryloyl group, cinnamoyl group and the like. These protecting groups can be used alone or in combination.

本発明に用いるポリアミド樹脂において、ヒドロキシル基の水素から保護基への置換率としては、10%以上であるが、溶解性および露光後の現像性を考慮すると20〜50%の置換率が好ましい。置換率が、10%未満だと十分な溶解阻止効果が得られず好ましくない。   In the polyamide resin used in the present invention, the substitution rate of the hydroxyl group to hydrogen to the protecting group is 10% or more, but considering the solubility and developability after exposure, a substitution rate of 20 to 50% is preferable. If the substitution rate is less than 10%, a sufficient dissolution inhibiting effect cannot be obtained, which is not preferable.

本発明に用いるポリヒドロキシアミド樹脂は、ビスアミノフェノール化合物もしくはジアミノジヒドロキシ化合物と、ジカルボン酸とから、酸クロリド法、活性化エステル法などにより合成して得ることができる。   The polyhydroxyamide resin used in the present invention can be obtained by synthesis from a bisaminophenol compound or diaminodihydroxy compound and a dicarboxylic acid by an acid chloride method, an activated ester method, or the like.

本発明に用いるビスアミノフェノール化合物およびジアミノヒドロキシ化合物としては、例えば、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、3,4’−ジアミノ−4,3’−ジヒドロキシビフェニル、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)メタン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(2−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−2−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、4,4’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ビフェニル、3,4’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ビフェニル、3,4’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ビフェニル、3,3’−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ビフェニル、3,3’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ビフェニル、1,3−ジアミノ−4,6−ジヒドロキシベンゼン、1,4−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシベンゼン、2,7−ジアミノ−3,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジアミノ−3,7−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシナフタレン、3,6−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシナフタレン、2,7−ジアミノ−1,8−ジヒドロキシナフタレン、1,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、9,9−ビス−((4−アミノ−3−ヒドロキシ)フェニル)フルオレン、9,9−ビス−((3−アミノ−4−ヒドロキシ)フェニル)フルオレン等やこれらの化合物のベンゼン環上の任意の水素原子をフッ素原子、塩素原子、炭素数10以下のアルキル基、炭素数10以下のアルコキシ基、ビニル基、アリル基、エチニル基、フェニルエチニル基、炭素数10以下のパーフルオロアルキル基のいずれかに置換したものを挙げることができるがこれらに限定されるものではない。これらのジアミノジヒドロキシ化合物およびビスアミノフェノール化合物は単独、または複数を組み合わせて使用することができる。   Examples of the bisaminophenol compound and diaminohydroxy compound used in the present invention include 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, and 3,4. '-Diamino-4,3'-dihydroxybiphenyl, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) ether, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) ether, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfide Bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfide, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) ) Ketone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) ketone, (3-amino-4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) methane, bis (3-amino-4-hydroxy-5-methylphenyl) methane, 2,2-bis (3 -Amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-5-methylphenyl) propane, 2, 2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (2-amino-3-hydroxyphenyl) ) Hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-2-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 4,4′-bis ( -Amino-3-hydroxyphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3-amino-4-hydroxyphenoxy) biphenyl, 3,4'-bis (4-amino-3-hydroxyphenoxy) biphenyl, 3,4 ' -Bis (3-amino-4-hydroxyphenoxy) biphenyl, 3,3'-bis (4-amino-3-hydroxyphenoxy) biphenyl, 3,3'-bis (3-amino-4-hydroxyphenoxy) biphenyl, 1,3-diamino-4,6-dihydroxybenzene, 1,4-diamino-3,6-dihydroxybenzene, 2,7-diamino-3,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-diamino-3,7-dihydroxy Naphthalene, 1,6-diamino-2,5-dihydroxynaphthalene, 3,6-diamino-2,5-dihydroxynaphth Talen, 2,7-diamino-1,8-dihydroxynaphthalene, 1,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenoxy) benzene, 1,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenoxy) benzene, , 3-bis (4-amino-3-hydroxyphenoxy) benzene, 1,3-bis (3-amino-4-hydroxyphenoxy) benzene, 1,4-bis (4-amino-3-hydroxyphenoxy) benzene, 1,4-bis (3-amino-4-hydroxyphenoxy) benzene, 9,9-bis-((4-amino-3-hydroxy) phenyl) fluorene, 9,9-bis-((3-amino-4 -Hydroxy) phenyl) fluorene etc. and any hydrogen atom on the benzene ring of these compounds is a fluorine atom, a chlorine atom, an alkyl group having 10 or less carbon atoms, carbon Although what was substituted by any of the alkoxy group of several tens or less, a vinyl group, an allyl group, an ethynyl group, a phenyl ethynyl group, and a C10 or less perfluoroalkyl group can be mentioned, It is not limited to these. . These diaminodihydroxy compounds and bisaminophenol compounds can be used alone or in combination.

また、本発明に用いるジカルボン酸としては、例えば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、1,9−ノナンジカルボン酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、1,12−ドデカンジカルボン酸、テトラフルオロコハク酸、ヘキサフルオログルタル酸、オクタフルオロアジピン酸、パーフルオロピメリン酸、パーフルオロスベリン酸、パーフルオロアゼライン酸、パーフルオロセバシン酸、1,9−パーフルオロノナンジカルボン酸、パーフルオロドデカン二酸、パーフルオロトリデカン二酸、1,12−パーフルオロドデカンジカルボン酸、テトラクロロコハク酸、ヘキサクロログルタル酸、オクタクロロアジピン酸、パークロロピメリン酸、パークロロスベリン酸、パークロロアゼライン酸、パークロロセバシン酸、1,9−パークロロノナンジカルボン酸、パークロロドデカン二酸、パークロロトリデカン二酸、1,12−パークロロドデカンジカルボン酸、1,4−パーフルオロシクロヘキサンジカルボン酸、1,3−パーフルオロシクロヘキサンジカルボン酸、1,2−パーフルオロシクロヘキサンジカルボン酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、1,3−シクロヘキサンジカルボン酸、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、1,4−パークロロシクロヘキサンジカルボン酸、1,3−パークロロシクロヘキサンジカルボン酸、1,2−パークロロヘキサンジカルボン酸、4,4’−ジカルボキシビフェニル、3,3’−ジカルボキシビフェニル、3,4’−ジカルボキシビフェニル、4,4’−オキシビス安息香酸、3,3’−オキシビス安息香酸、3,4’−オキシビス安息香酸、2,4’−オキシビス安息香酸、3,4’−オキシビス安息香酸、2,3’−オキシビス安息香酸、ビス(4−カルボキシフェニル)−スルフィド、ビス(3−カルボキシフェニル)−スルフィド、ビス(4−カルボキシフェニル)−スルホン、ビス(3−カルボキシフェニル)−スルホン、ビス(4−カルボキシフェニル)−ケトン、ビス(3−カルボキシフェニル)−ケトン、ビス(4−カルボキシフェニル)−メタン、ビス(3−カルボキシフェニル)−メタン、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)−プロパン、2,2−ビス(3−カルボキシフェニル)−プロパン、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−カルボキシフェニル)−ヘキサフルオロプロパン、4,4’−ビス(4−カルボキシフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(3−カルボキシフェノキシ)ビフェニル、3,4’−ビス(4−カルボキシフェノキシ)ビフェニル、3,4’−ビス(3−カルボキシフェノキシ)ビフェニル、3,3’−ビス(4−カルボキシフェノキシ)ビフェニル、3,3’−ビス(3−カルボキシフェノキシ)ビフェニル、1,4−ジカルボキシナフタレン、1,5−ジカルボキシナフタレン、1,6−ジカルボキシナフタレン、1,7−ジカルボキシナフタレン、1,8−ジカルボキシナフタレン、2,5−ジカルボキシナフタレン、2,6−ジカルボキシナフタレン、2,7−ジカルボキシナフタレン、1,2−ビス(4−カルボキシフェノキシ)ベンゼン、1,2−ビス(3−カルボキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−カルボキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−カルボキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−カルボキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−カルボキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−カルボキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(3−カルボキシプロピル)テトラフェニルジシロキサン、α,ω−ビス(3−カルボキシプロピル)ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス(3−カルボキシプロピル)ポリジフェニルシロキサン等やこれらの化合物のベンゼン環上の任意の水素原子をフッ素原子、塩素原子、炭素数10以下のアルキル基、炭素数10以下のアルコキシ基、ビニル基、アリル基、エチニル基、フェニルエチニル基、炭素数10以下のパーフルオロアルキル基のいずれかに置換したものを挙げることができるがこれらに限定されるものではない。これらのジカルボン酸は単独、または複数を組み合わせて使用することができる。   Examples of the dicarboxylic acid used in the present invention include phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, and 1,9-nonanedicarboxylic acid. , Dodecanedioic acid, tridecanedioic acid, 1,12-dodecanedicarboxylic acid, tetrafluorosuccinic acid, hexafluoroglutaric acid, octafluoroadipic acid, perfluoropimelic acid, perfluorosuberic acid, perfluoroazeline acid, perfluoro Sebacic acid, 1,9-perfluorononanedicarboxylic acid, perfluorododecanedioic acid, perfluorotridecanedioic acid, 1,12-perfluorododecanedicarboxylic acid, tetrachlorosuccinic acid, hexachloroglutaric acid, octachloroadipic acid, Perchloropimelic acid, -Chlorosuberic acid, perchloroazelineic acid, perchlorosebacic acid, 1,9-perchlorononanedicarboxylic acid, perchlorododecanedioic acid, perchlorotridecanedioic acid, 1,12-perchlorododecanedicarboxylic acid, 1,4- Perfluorocyclohexanedicarboxylic acid, 1,3-perfluorocyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-perfluorocyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-perchlorocyclohexanedicarboxylic acid, 1,3-perchlorocyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-perchlorohexanedicarboxylic acid, 4,4′-dicarboxybiphenyl, 3,3′-dicarboxybiphenyl, 3, 4'-Zical Xibibiphenyl, 4,4′-oxybisbenzoic acid, 3,3′-oxybisbenzoic acid, 3,4′-oxybisbenzoic acid, 2,4′-oxybisbenzoic acid, 3,4′-oxybisbenzoic acid, 2, 3′-oxybisbenzoic acid, bis (4-carboxyphenyl) -sulfide, bis (3-carboxyphenyl) -sulfide, bis (4-carboxyphenyl) -sulfone, bis (3-carboxyphenyl) -sulfone, bis (4 -Carboxyphenyl) -ketone, bis (3-carboxyphenyl) -ketone, bis (4-carboxyphenyl) -methane, bis (3-carboxyphenyl) -methane, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) -propane 2,2-bis (3-carboxyphenyl) -propane, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) -Hexafluoropropane, 2,2-bis (3-carboxyphenyl) -hexafluoropropane, 4,4'-bis (4-carboxyphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3-carboxyphenoxy) biphenyl, 3, , 4′-bis (4-carboxyphenoxy) biphenyl, 3,4′-bis (3-carboxyphenoxy) biphenyl, 3,3′-bis (4-carboxyphenoxy) biphenyl, 3,3′-bis (3- Carboxyphenoxy) biphenyl, 1,4-dicarboxynaphthalene, 1,5-dicarboxynaphthalene, 1,6-dicarboxynaphthalene, 1,7-dicarboxynaphthalene, 1,8-dicarboxynaphthalene, 2,5-di Carboxynaphthalene, 2,6-dicarboxynaphthalene, 2,7-dicarboxynaphthalene 1,2-bis (4-carboxyphenoxy) benzene, 1,2-bis (3-carboxyphenoxy) benzene, 1,3-bis (4-carboxyphenoxy) benzene, 1,3-bis (3-carboxyphenoxy) ) Benzene, 1,4-bis (4-carboxyphenoxy) benzene, 1,4-bis (3-carboxyphenoxy) benzene, 1,3-bis (3-carboxypropyl) tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (3-carboxypropyl) tetraphenyldisiloxane, α, ω-bis (3-carboxypropyl) polydimethylsiloxane, α, ω-bis (3-carboxypropyl) polydiphenylsiloxane and the like on the benzene ring of these compounds Arbitrary hydrogen atoms are fluorine atoms, chlorine atoms, alkyl groups having 10 or less carbon atoms, carbon atoms having 10 or less carbon atoms Although the thing substituted by any of the following alkoxy groups, a vinyl group, an allyl group, an ethynyl group, a phenylethynyl group, and a C10 or less perfluoroalkyl group can be mentioned, It is not limited to these. These dicarboxylic acids can be used alone or in combination.

また本発明に用いるポリアミド樹脂において、前記保護基を形成するために用いる化合物としては、例えば、硫酸ジメチル、p−トルエンスルホン酸エチル、メタンスルホン酸イソプロピル、p−トルエンスルホン酸シクロブチル、メタンスルホン酸シクロヘキシル、p−トルエンスルホン酸フェニル、メタンスルホン酸ベンジル、p−トルエンスルホン酸フェニル、メタンスルホン酸メトキシメチル、p−トルエンスルホン酸テトラヒドロフリル、アセチルクロライド、プロピオニルクロライド、塩化ブチリル、シクロヘキシルカルボン酸クロライド、ベンゾイルクロライド、ジイソプロピルジカーボネート、ジ−t−ブチルジカーボネート、塩化アクリロイル、塩化メタクロイル、塩化シンナモイル等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これらの原料は単独、または複数を組み合わせて使用することができる。   In the polyamide resin used in the present invention, examples of the compound used for forming the protective group include dimethyl sulfate, ethyl p-toluenesulfonate, isopropyl methanesulfonate, cyclobutyl p-toluenesulfonate, and cyclohexyl methanesulfonate. , Phenyl p-toluenesulfonate, benzyl methanesulfonate, phenyl p-toluenesulfonate, methoxymethyl methanesulfonate, tetrahydrofuryl p-toluenesulfonate, acetyl chloride, propionyl chloride, butyryl chloride, cyclohexylcarboxylic acid chloride, benzoyl chloride , Diisopropyl dicarbonate, di-t-butyl dicarbonate, acryloyl chloride, methacryloyl chloride, cinnamoyl chloride, and the like. Not intended to be constant. These raw materials can be used alone or in combination.

本発明に用いるポリヒドロキシアミド樹脂の製造方法の一例として、例えば、酸クロリド法では、まず、前記ジカルボン酸を、N,N−ジメチルホルムアミド等の触媒存在下、過剰量の塩化チオニルと、室温から75℃で反応させ、過剰の塩化チオニルを加熱及び減圧により、留去する。その後、残査をヘキサン等の溶媒で再結晶することにより、ジカルボン酸クロリドを得ることができる。次いで、前記ビスアミノフェノール化合物もしくはジアミノジヒドロキシ化合物を、N−メチル−2−ピロリドン等の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、上記で得たジカルボン酸クロリドと、−30℃から室温で反応することにより、ポリヒドロキシアミド樹脂を得ることができる。   As an example of a method for producing a polyhydroxyamide resin used in the present invention, for example, in the acid chloride method, first, the dicarboxylic acid is first mixed with an excess amount of thionyl chloride in the presence of a catalyst such as N, N-dimethylformamide from room temperature. The reaction is carried out at 75 ° C., and excess thionyl chloride is distilled off by heating and reduced pressure. Then, dicarboxylic acid chloride can be obtained by recrystallizing the residue with a solvent such as hexane. Next, the bisaminophenol compound or diaminodihydroxy compound is dissolved in a polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone, and in the presence of an acid acceptor such as pyridine, the dicarboxylic acid chloride obtained above and −30 ° C. The polyhydroxyamide resin can be obtained by reacting at room temperature.

次いで、ポリヒドロキシアミド樹脂の有するヒドロキシル基の水素の10%以上を炭素数10以下の有機基で置換する方法としては、上記で得たポリヒドロキシアミド樹脂をテトラヒドロフラン等の有機溶媒に溶解し、ピリジン、トリエチルアミンなどの塩基性触媒存在下で、上記ジカルボン酸の酸クロリドの製造方法と同様にして得た前記保護基を形成するために用いる化合物の酸クロリドと、−30℃から室温で反応させることで、ヒドロキシル基の水素をエステル結合で保護した構造のポリアミド樹脂を合成することができる。この例のように、ポリヒドロキシアミド樹脂と保護基を形成するために用いる化合物との反応により、一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミド樹脂を合成できるが、保護基を形成するために用いる化合物は酸クロリドのほかに活性エステルや酸無水物等も使用できる。   Next, as a method for replacing 10% or more of the hydrogen of the hydroxyl group of the polyhydroxyamide resin with an organic group having 10 or less carbon atoms, the polyhydroxyamide resin obtained above is dissolved in an organic solvent such as tetrahydrofuran, and pyridine is used. In the presence of a basic catalyst such as triethylamine, the reaction is carried out at −30 ° C. to room temperature with the acid chloride of the compound used to form the protecting group obtained in the same manner as in the method for producing the acid chloride of the dicarboxylic acid. Thus, a polyamide resin having a structure in which the hydrogen of the hydroxyl group is protected by an ester bond can be synthesized. As in this example, a polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (1) can be synthesized by a reaction between a polyhydroxyamide resin and a compound used to form a protective group, but a protective group is formed. As the compound used for the purpose, an active ester or an acid anhydride can be used in addition to the acid chloride.

本発明に用いる光酸発生剤としては、光のエネルギーを吸収してブレンステッド酸あるいはルイス酸を生成するものであれば良く、例えば、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス(4−t−ブチルフェニル)スルホニウム−トリフルオロメタンスルホネートなどのスルホニウム塩類、p−ニトロフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのジアゾニウム塩類、アンモニウム塩類、ホスホニウム塩類、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、(トリキュミル)ヨードニウム−テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートなどのヨードニウム塩類、キノンジアジド類、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタンなどのジアゾメタン類、1−フェニル−1−(4−メチルフェニル)スルホニルオキシ−1−ベンゾイルメタン、N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンサルホネートなどのスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジスルホン類、トリス(2,4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3.4−メチレンジオキシフェニル)−4,6−ビス−(トリクロロメチル)−s−トリアジンなどのトリアジン類などの化合物を挙げることができる。これらの光酸発生剤は、単独、または複数を組み合わせて使用することができる。   The photoacid generator used in the present invention is not particularly limited as long as it can generate Bronsted acid or Lewis acid by absorbing light energy. For example, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, tris (4-t-butyl) can be used. Sulfonium salts such as phenyl) sulfonium-trifluoromethanesulfonate, diazonium salts such as p-nitrophenyldiazonium hexafluorophosphate, ammonium salts, phosphonium salts, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, (triccumyl) iodonium-tetrakis (pentafluorophenyl) borate, etc. Iazonium salts, quinonediazides, diazomethanes such as bis (phenylsulfonyl) diazomethane, 1-phenyl-1- (4-methylpheny ) Sulfonic acid esters such as sulfonyloxy-1-benzoylmethane and N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonate, disulfones such as diphenyldisulfone, tris (2,4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2 Examples include compounds such as triazines such as-(3.4-methylenedioxyphenyl) -4,6-bis- (trichloromethyl) -s-triazine. These photoacid generators can be used alone or in combination.

本発明に用いる感光性樹脂組成物における光酸発生剤の添加量としては、ポリアミド樹脂100重量部に対し、0.001〜5重量部の範囲で使用できる。これより少ないとアルカリ性現像液への溶解性が得られないし、多すぎると光損失値が大きくなってしまい好ましくない。光導波路製造工程における樹脂層の現像性および光導波路の光損失値のバランスから、前記添加量は、0.1〜3重量部が好ましい。   The addition amount of the photoacid generator in the photosensitive resin composition used in the present invention can be in the range of 0.001 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamide resin. If it is less than this, solubility in an alkaline developer cannot be obtained, and if it is too much, the light loss value increases, which is not preferable. In view of the balance between the developability of the resin layer and the optical loss value of the optical waveguide in the optical waveguide manufacturing process, the addition amount is preferably 0.1 to 3 parts by weight.

本発明に用いる感光性樹脂組成物には、上記成分の他に必要に応じて、増感剤、溶解阻害剤、溶解促進剤、密着助剤、酸化防止剤、消泡剤、レベリング剤などの添加剤を添加することができる。   In addition to the above components, the photosensitive resin composition used in the present invention includes a sensitizer, a dissolution inhibitor, a dissolution accelerator, an adhesion assistant, an antioxidant, an antifoaming agent, a leveling agent, and the like as necessary. Additives can be added.

本発明に用いる感光性樹脂組成物は、上記成分を、攪拌機、ブレンダー、スタティックミキサー、ニーダーなどの混合機を用いて混合することにより製造することができる。   The photosensitive resin composition used for this invention can be manufactured by mixing the said component using mixers, such as a stirrer, a blender, a static mixer, a kneader.

本発明の光導波路の製造において、上記感光性樹脂組成物は、有機溶媒に溶解して溶液として用いることが好ましい。前記有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、2−メトキシエタノール、2−ブトキシエタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−シクロヘキシル−2−ピロリドン、ジクロロメタン、クロロホルム等が挙げられる。これらの溶媒は単独で用いてもよいし、複数を混合して用いても良い。これらの溶媒の中でも、前記ポリアミド樹脂の溶解性に優れたテトラヒドロフラン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンが好ましい。   In the production of the optical waveguide of the present invention, the photosensitive resin composition is preferably dissolved in an organic solvent and used as a solution. Examples of the organic solvent include methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, acetone, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dioxane, 2-methoxyethanol, 2-butoxyethanol, propylene glycol monomethyl ether acetate, Examples include diethylene glycol monomethyl ether, ethyl acetate, γ-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, dichloromethane, and chloroform. It is done. These solvents may be used alone or in combination. Among these solvents, tetrahydrofuran, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone, which are excellent in solubility of the polyamide resin, are preferable.

本発明の光導波路の製造において、上記で得た感光性樹脂組成物を用いた光導波路のパターニング方法について、図1を参照しつつ説明する。
本発明の光導波路のパターニング方法の例としては、まず、基材1の上に、上記で得た感光性樹脂組成物の溶液を流延塗布して樹脂層2を形成する。前記流延塗布する方法としては、例えば、ドクターブレードなどを用いたバーコーティング法、スピンコーティング法、スクリーンやステンシルを用いた印刷法などが挙げられる。前記基材1としては、例えば、シリコンウエハ、ガラス板、セラミック板、光学結晶板、銅張り積層板、フレキシブル回路板、銅箔、ポリイミド樹脂フィルム、ポリベンゾオキサゾール樹脂フィルムなどが挙げられる。
ここで、基材1上に形成した樹脂層2をそのままパターニングし光導波路として用いる場合、基材1はクラッドとして機能する屈折率および透明性を有しているものか、あるいは別の基材の上に予めクラッド層を積層してあるものを用いることができる。
In the production of the optical waveguide of the present invention, an optical waveguide patterning method using the photosensitive resin composition obtained above will be described with reference to FIG.
As an example of the optical waveguide patterning method of the present invention, first, the resin layer 2 is formed on the substrate 1 by casting the solution of the photosensitive resin composition obtained above. Examples of the casting application method include a bar coating method using a doctor blade or the like, a spin coating method, a printing method using a screen or a stencil, and the like. Examples of the substrate 1 include a silicon wafer, a glass plate, a ceramic plate, an optical crystal plate, a copper-clad laminate, a flexible circuit board, a copper foil, a polyimide resin film, and a polybenzoxazole resin film.
Here, when the resin layer 2 formed on the base material 1 is patterned as it is and used as an optical waveguide, the base material 1 has a refractive index and transparency functioning as a clad, or another base material. A film on which a clad layer is previously laminated can be used.

次いで、基材1上の樹脂層2を、室温から150℃の温度で乾燥しタックフリーの樹脂層2とする。前記乾燥方法としては、例えば、オーブン、ホットプレート、セラミックヒーターなどを用いる方法が挙げられる。それぞれ連続式の装置やバッチ式の装置が使用できる。   Next, the resin layer 2 on the substrate 1 is dried at a temperature of room temperature to 150 ° C. to obtain a tack-free resin layer 2. Examples of the drying method include a method using an oven, a hot plate, a ceramic heater, and the like. Each can use a continuous apparatus or a batch apparatus.

次いで、上記で乾燥された樹脂層2上に、光導波路のパターンが形成されたフォトマスク3を通して、露光機4により光照射を行い、樹脂層2に光導波路のパターニングを行う(図1(a))。フォトマスクのパターンとしては、前記樹脂層2の未露光部をコア部分として残し、後で、さらに上部クラッドを積層する方法に用いるためのパターンと、未露光部をクラッド部分として残し、さらにコア層、上部クラッド層を順次積層する方法に用いるためのパターンの2種類が使用できる。前記光照射における光源としては、例えば、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、ディープUVランプ、メタルハライドランプ、半導体レーザ、エキシマレーザなどを使用できる。   Next, light exposure is performed by the exposure machine 4 through the photomask 3 on which the optical waveguide pattern is formed on the resin layer 2 dried as described above, and the optical waveguide is patterned on the resin layer 2 (FIG. 1A). )). As a photomask pattern, the unexposed portion of the resin layer 2 is left as a core portion, and a pattern for later use in a method of laminating an upper clad, and the unexposed portion is left as a clad portion, and further a core layer Two types of patterns for use in the method of sequentially laminating the upper cladding layer can be used. As the light source in the light irradiation, for example, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a low pressure mercury lamp, a deep UV lamp, a metal halide lamp, a semiconductor laser, an excimer laser, or the like can be used.

また、上記でパターニングした樹脂層2は、必要に応じて、現像前に加熱処理を行っても良い。
次いで、パターニングした樹脂層2をアルカリ性現像液で現像すると露光した部分のみが溶解し、光導波路のパターンが得られる(図1(b))。前記アルカリ性現像液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドライドなどの4級アンモニウム化合物類、水酸化ナトリウムなどの無機塩基類、炭酸カリウムなどの無機塩類、トリエチルアミンなどのアミン類などの水溶液や、必要に応じてさらにアルコールやケトンなどの有機溶媒を加えたものを使用することができる。現像の方法としてはパドル法、ディップ法、スプレー法などを挙げることができる。
Further, the resin layer 2 patterned as described above may be subjected to heat treatment before development, if necessary.
Next, when the patterned resin layer 2 is developed with an alkaline developer, only the exposed portion is dissolved, and an optical waveguide pattern is obtained (FIG. 1B). Examples of the alkaline developer include aqueous solutions of quaternary ammonium compounds such as tetramethylammonium hydride, inorganic bases such as sodium hydroxide, inorganic salts such as potassium carbonate, amines such as triethylamine, and the like. Further, an organic solvent such as alcohol or ketone can be used. Examples of the development method include a paddle method, a dip method, and a spray method.

次いで、現像して得られたパターンは、水洗、乾燥後に、最終硬化のための加熱処理を行うが、この工程の前に、必要に応じて全面に光照射を行っても良い。最終硬化は溶媒の除去、脱水閉環によるポリベンゾオキサゾール樹脂の生成を目的として行うが、加熱の最高温度は280〜400℃の範囲で行うことができる。温度が低すぎると閉環が不十分になるし、高すぎると光損失値が大きくなり好ましくない。   Next, the pattern obtained by development is subjected to heat treatment for final curing after washing with water and drying. Before this step, the entire surface may be irradiated with light as necessary. Final curing is performed for the purpose of removing the solvent and producing a polybenzoxazole resin by dehydration ring closure, and the maximum heating temperature can be in the range of 280 to 400 ° C. If the temperature is too low, the ring closure is insufficient, and if it is too high, the light loss value increases, which is not preferable.

以上が本発明の骨子となる感光性樹脂組成物を用いた光導波路パターンのパターニングの方法であるが、次に3層構造の埋め込み型光導波路の製造例を図2を参照しつつ説明する。
まず、シリコンウエハ5上に、下部クラッドとなるポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体であるポリヒドロキシアミド樹脂の溶液を、スピンコーティング法で塗布し、予備乾燥後、加熱硬化して下部クラッド層6を形成する。その上に、上記の感光性樹脂組成物の溶液を、スピンコーティグして樹脂層(コア層)7を形成し(図2(c))、予備乾燥し、上記の光導波路パターンのパターニングの方法と同様にして、前記樹脂層に導波路をパターニングした後、加熱硬化し、現像されずに残った部分の樹脂層7をコアとする(図2(d))。さらに、その上に、下部クラッド層と同じ材料を塗布して、予備乾燥後、加熱硬化して上部クラッド層8を形成して(図2(e))、3層構造の埋め込み型導波路を製造することができる。
The above is the patterning method of the optical waveguide pattern using the photosensitive resin composition as the gist of the present invention. Next, an example of manufacturing a three-layer embedded optical waveguide will be described with reference to FIG.
First, a polyhydroxyamide resin solution, which is a polybenzoxazole resin precursor to be a lower clad, is applied onto a silicon wafer 5 by spin coating, pre-dried, and then heat-cured to form the lower clad layer 6. . On top of that, a solution of the photosensitive resin composition is spin-coated to form a resin layer (core layer) 7 (FIG. 2C), pre-dried, and a method for patterning the optical waveguide pattern. In the same manner as described above, after patterning the waveguide on the resin layer, the resin layer 7 is cured by heating and left undeveloped as a core (FIG. 2D). Further, the same material as that of the lower cladding layer is applied thereon, preliminarily dried and then heat-cured to form the upper cladding layer 8 (FIG. 2E), and a three-layer buried waveguide is formed. Can be manufactured.

本発明において、クラッド層及びコア層を形成するための材料としては、樹脂層の最終硬化後において、クラッド層よりもコア層のほうが高屈折率となる材料が選択される。例えば、シングルモード光導波路では、それぞれの屈折率差を0.3〜1.5%、マルチモード光導波路では1%以上にするのが一般的である。屈折率の調整方法は特に限定しないが、ポリベンゾオキサゾール樹脂の原料モノマーの構成比でコントロールすることが可能である。   In the present invention, as a material for forming the clad layer and the core layer, a material is selected in which the core layer has a higher refractive index than the clad layer after the resin layer is finally cured. For example, in a single mode optical waveguide, the refractive index difference is generally 0.3 to 1.5%, and in a multimode optical waveguide, it is generally 1% or more. The method for adjusting the refractive index is not particularly limited, but can be controlled by the composition ratio of the raw material monomers of the polybenzoxazole resin.

以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらによりなんら限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in more detail, this invention is not limited at all by these.

尚、実施例および比較例で使用する原料は、下記の略号で示した。
B−AP :1,4−ビス(トリフルオロメチル)−2,5−ジアミノ−3,6−ヒドロキシベンゼン
6F−AP:2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
BF−AP:3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル
I−CC :イソフタル酸ジクロリド
O−CC :4,4’−オキシビス安息香酸ジクロリド
6F−CC:2,2’−ビス(4−カルボキシフェニル)−ヘキサフルオロプロパンのジカルボン酸クロリド
B−C :ベンゾイルクロライド
BU−C :塩化ブチリル
TB−CA:ジ−t−ブチルジカーボネート
TC−I :(トリキュミル)ヨードニウム−テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート
TT−S :トリス(4−t−ブチルフェニル)スルホニウム−トリフルオロメタンスルホネート
NI−S :N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンサルホネート
TEA :トリエチルアミン
NMP :N−メチル−2−ピロリドン
GBL :ガンマブチロラクトン
THF :テトラヒドロフラン
In addition, the raw material used by an Example and a comparative example was shown with the following abbreviation.
B-AP: 1,4-bis (trifluoromethyl) -2,5-diamino-3,6-hydroxybenzene 6F-AP: 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane BF -AP: 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl I-CC: isophthalic acid dichloride O-CC: 4,4'-oxybisbenzoic acid dichloride 6F-CC: 2,2'-bis (4- Carboxyphenyl) -hexafluoropropane dicarboxylic acid chloride
BC: benzoyl chloride BU-C: butyryl chloride TB-CA: di-t-butyl dicarbonate TC-I: (triccumyl) iodonium-tetrakis (pentafluorophenyl) borate TT-S: tris (4-t-butyl Phenyl) sulfonium-trifluoromethanesulfonate NI-S: N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonate TEA: triethylamine NMP: N-methyl-2-pyrrolidone GBL: gamma butyrolactone THF: tetrahydrofuran

(ポリヒドロキシアミド樹脂 PHA−1Aの合成)
B−AP 276.1重量部(1.0mol)を乾燥したNMP 1104重量部に溶解し、ピリジン 197.8部(2.5mol)を添加後、乾燥窒素下、−15℃で、NMP 1528重量部にI−CC 38.6重量部(0.19mol)および6F−CC 343.3重量部(0.8mol)を溶解したものを30分間かけて滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で5時間攪拌した。その後、反応溶液を、大量のイオン交換水に滴下し、再沈殿し、沈殿物を集め、乾燥することにより、ポリヒドロキシアミド樹脂PHA−1A 575重量部を得た。ゲル・パーミエイション・クロマトグラフィ(以下GPCと略記)を用いて得られた前駆体の分子量を測定したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は32000であった。
(Synthesis of polyhydroxyamide resin PHA-1A)
276.1 parts by weight (1.0 mol) of B-AP was dissolved in 1104 parts by weight of dried NMP, 197.8 parts (2.5 mol) of pyridine was added, and then NMP of 1528 parts by weight at −15 ° C. under dry nitrogen. A solution prepared by dissolving 38.6 parts by weight (0.19 mol) of I-CC and 343.3 parts by weight (0.8 mol) of 6F-CC was added dropwise over 30 minutes. After completion of the dropping, the temperature was returned to room temperature and stirred at room temperature for 5 hours. Thereafter, the reaction solution was dropped into a large amount of ion-exchanged water, re-precipitated, and the precipitate was collected and dried to obtain 575 parts by weight of a polyhydroxyamide resin PHA-1A. When the molecular weight of the precursor obtained using gel permeation chromatography (hereinafter abbreviated as GPC) was measured, the weight average molecular weight in terms of polystyrene was 32,000.

(ポリヒドロキシアミド樹脂 PHA−1B〜PHA−3Bの合成)
前記ポリヒドロキシアミド樹脂PHA−1Aの合成と同様の方法で、表1に示す配合にて、ポリヒドロキシアミド樹脂PHA−1B〜PHA−3Bの合成を行った。なお、溶媒は、全てNMPを使用し、PHA−1Aの場合と同様に、モノマーの濃度が20%になるような量比で溶解して合成を行った。また、ピリジンの添加量はジカルボン酸クロリドモノマーの2.5倍モルの量比となるように添加した。得られた前駆体のGPCで測定した重量平均分子量も表1に合わせて示した。
(Synthesis of polyhydroxyamide resins PHA-1B to PHA-3B)
Polyhydroxyamide resins PHA-1B to PHA-3B were synthesized in the same manner as the synthesis of the polyhydroxyamide resin PHA-1A with the formulation shown in Table 1. In addition, all the solvents used NMP, and it synthesize | combined by melt | dissolving in the quantity ratio which makes the density | concentration of a monomer 20% similarly to the case of PHA-1A. Moreover, the addition amount of pyridine was added so that it might become the amount ratio of 2.5 times mole of a dicarboxylic acid chloride monomer. The weight average molecular weight measured by GPC of the obtained precursor was also shown in Table 1.

Figure 2005164651
Figure 2005164651

(ポリアミド樹脂 PA−1Aの合成)
ポリヒドロキシアミド樹脂PHA−1A 292.9重量部を乾燥したTHF 1172重量部に溶解し、TEA 33.4部(0.33mol)を添加後、乾燥窒素下、−15℃で、THF 168.8重量部にB−C 42.2重量部(0.3mol)を溶解したものを15分間かけて滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で8時間攪拌した。その後、反応溶液を大量のイオン交換水に滴下し再沈殿し、沈殿物を集め、乾燥することによりポリアミド樹脂PA−1A 313重量部を得た。
(Synthesis of polyamide resin PA-1A)
292.9 parts by weight of the polyhydroxyamide resin PHA-1A was dissolved in 1172 parts by weight of dry THF, 33.4 parts (0.33 mol) of TEA was added, and then THF was dried at −15 ° C. at −15 ° C. 168.8 What melt | dissolved 42.2 weight part (0.3 mol) of BC in the weight part was dripped over 15 minutes. After completion of the dropwise addition, the temperature was returned to room temperature and stirred at room temperature for 8 hours. Thereafter, the reaction solution was dropped into a large amount of ion-exchanged water and re-precipitated, and the precipitate was collected and dried to obtain 313 parts by weight of polyamide resin PA-1A.

(ポリアミド樹脂 PA−2A〜PA−3Aの合成)
前記ポリアミド樹脂PA−1Aの合成と同様の方法で、表2に示す配合にて、ポリアミド樹脂 PA−2A〜PA−3Aの合成を行った。なお、溶媒は表2に示したものを使用し、PA−1Aの場合と同様に、原料の濃度が20%になるような量比で溶解して合成を行った。また触媒のアミン化合物の種類、添加量も表2に示した。
(Synthesis of polyamide resins PA-2A to PA-3A)
Polyamide resins PA-2A to PA-3A were synthesized in the same manner as the synthesis of the polyamide resin PA-1A with the formulation shown in Table 2. In addition, the solvent shown in Table 2 was used, and the synthesis was performed by dissolving in a quantitative ratio such that the concentration of the raw material was 20%, as in the case of PA-1A. Table 2 also shows the type and amount of the amine compound of the catalyst.

Figure 2005164651
Figure 2005164651

(樹脂組成物 R−1Aの調整)
前記ポリアミド樹脂PA−1A 100重量部およびTC−I 1重量部を236重量部のNMPに投入し、遮光下、マグネティックスターラーを用い約5時間攪拌して淡黄色透明の樹脂組成物R−1Aの溶液336重量部を得た。
(Adjustment of resin composition R-1A)
100 parts by weight of the polyamide resin PA-1A and 1 part by weight of TC-I were put into 236 parts by weight of NMP and stirred for about 5 hours using a magnetic stirrer under light shielding to prepare a pale yellow transparent resin composition R-1A. 336 parts by weight of solution were obtained.

(樹脂組成物 R−1C〜R−3Aの調整)
前記樹脂組成物R−1Aの調整と同様の方法で、表3に示す配合にて、樹脂組成物R−1C〜R−3Aの調整を行った。なお、溶媒は全てNMPを使用しR−1Aの場合と同様に組成物の濃度が30%となるように配合した。全ての配合で均一な溶液を得た。
(Adjustment of resin compositions R-1C to R-3A)
In the same manner as the adjustment of the resin composition R-1A, the resin compositions R-1C to R-3A were adjusted by the formulation shown in Table 3. In addition, all the solvents used NMP and mix | blended so that the density | concentration of a composition might be 30% similarly to the case of R-1A. A uniform solution was obtained for all formulations.

Figure 2005164651
Figure 2005164651

(ポリヒドロキシアミド樹脂PHA−1Aの硬化物の特性評価)
ポリヒドロキシアミド樹脂 PHA−1A 30重量部を、70重量部のNMPに溶解した。得られた溶液を、シリコン基板上に、スピンコート法で塗布し、350℃で1時間加熱し、厚さ約3μmのフィルムを得た。このフィルムの1300nmの光における屈折率を、メトリコン社製プリズムカプラにて測定したところ、屈折率は1.520であった。次に、このサンプルを2%のフッ化水素酸水溶液に浸漬し、シリコン基板から剥離、水洗、乾燥することで、単体のフィルムを得た。得られたフィルムは、無色透明の均一なフィルムであった。この単体のフィルムについて、TG/DTA測定機を用い、昇温速度10℃/分で、窒素中の5%減量温度(T−5%)を測定したところ、525℃であった。
(Characteristic evaluation of cured product of polyhydroxyamide resin PHA-1A)
30 parts by weight of polyhydroxyamide resin PHA-1A was dissolved in 70 parts by weight of NMP. The obtained solution was applied on a silicon substrate by a spin coating method and heated at 350 ° C. for 1 hour to obtain a film having a thickness of about 3 μm. When the refractive index of this film at 1300 nm light was measured with a prism coupler manufactured by Metricon, the refractive index was 1.520. Next, this sample was immersed in a 2% aqueous hydrofluoric acid solution, peeled off from the silicon substrate, washed with water, and dried to obtain a single film. The obtained film was a colorless and transparent uniform film. With respect to this single film, a 5% weight loss temperature (T-5%) in nitrogen was measured at a heating rate of 10 ° C./min using a TG / DTA measuring machine, and it was 525 ° C.

(ポリヒドロキシアミド樹脂PHA−1B〜PHA−3Bの硬化物の特性評価)
前記PHA−1Aの場合と同様の方法で、表4に示したポリヒドロキシアミド樹脂を使用してフィルムを作製し同様の評価を行った結果を、表4に合わせて示した。
(Characteristic evaluation of cured products of polyhydroxyamide resins PHA-1B to PHA-3B)
The results of producing a film by using the polyhydroxyamide resin shown in Table 4 and performing the same evaluation in the same manner as in the case of the PHA-1A are shown together in Table 4.

Figure 2005164651
Figure 2005164651

(樹脂組成物R−1A〜R−3Aの硬化物の特性評価)
前記PHA−1Aの場合と同様の方法で、表5に示した前記の樹脂組成物溶液を使用してフィルムを作製し同様の評価を行った結果を、表5に合わせて示した。なお全ての作業は遮光下で行った。どの配合も屈折率、無色透明性、耐熱性においてポリヒドロキシアミド樹脂を用いた場合と遜色ない結果であった。
(Characteristic evaluation of cured products of resin compositions R-1A to R-3A)
The results of producing a film using the resin composition solution shown in Table 5 and performing the same evaluation in the same manner as in the case of PHA-1A are shown in Table 5. All operations were performed under light shielding. All of the blending results were inferior to those using a polyhydroxyamide resin in terms of refractive index, colorless transparency, and heat resistance.

Figure 2005164651
Figure 2005164651

(実施例1)
ポリヒドロキシアミド樹脂PHA−1Bを、前記と同様の方法で濃度30%のNMP溶液とし、スピンコート法により、シリコン基板上に塗布し、350℃で1時間加熱してフィルム化し、下部クラッド層とした。次いで、前記下部クラッド層上に、樹脂組成物R−1Aを、スピンコーティングし100℃のホットプレートで4分間プリベークを行った。次に、パターン形成用のフォトマスク(Ti)を配置し、超高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射した後さらに120℃のホットプレートで約5分間の露光後ベーキングを行った。得られたサンプルをアルカリ性現像液(TMAH:テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、濃度2.38%)を用いて現像した後、最高温度350℃、1時間で硬化した。これにより、線幅6μmを有する直線状の導波路のコア層のパターンが得られた。その上に、ポリヒドロキシアミド樹脂PHA−1Bを下部クラッド層と同様の方法でフィルム化し、上部クラッド層とした。最後に光導波路の両端を、ダイシングソーで切り落として、光の入出射端面を形成した。このようにして、シリコン基板上に埋め込み型シングルモード光導波路が得られた。
(Example 1)
The polyhydroxyamide resin PHA-1B is made into an NMP solution having a concentration of 30% by the same method as described above, applied onto a silicon substrate by spin coating, and heated to 350 ° C. for 1 hour to form a film. did. Next, the resin composition R-1A was spin-coated on the lower clad layer, and prebaked on a hot plate at 100 ° C. for 4 minutes. Next, a photomask (Ti) for pattern formation was placed, irradiated with ultraviolet rays using an ultra-high pressure mercury lamp, and then subjected to post-exposure baking for about 5 minutes on a 120 ° C. hot plate. The obtained sample was developed using an alkaline developer (TMAH: tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, concentration 2.38%), and then cured at a maximum temperature of 350 ° C. for 1 hour. As a result, a pattern of a core layer of a linear waveguide having a line width of 6 μm was obtained. On top of that, polyhydroxyamide resin PHA-1B was formed into a film by the same method as that for the lower clad layer to form an upper clad layer. Finally, both ends of the optical waveguide were cut off with a dicing saw to form light incident / exit end faces. Thus, a buried single mode optical waveguide was obtained on the silicon substrate.

上記で得られた埋め込み型シングルモード光導波路の光伝搬損失を、カットバック法で測定したところ、波長1.3μmで0.2dB/cm、1.55μmで0.3dB/cmであった。また、光伝搬損失の偏波依存性は波長1.3μmでも波長1.55μmでも0.5dB/cm以下であった。さらに、この光導波路の光伝搬損失は、75℃/相対湿度90%の条件以下においても1ヶ月以上変動しなかった。   The light propagation loss of the buried single-mode optical waveguide obtained above was measured by a cutback method, and found to be 0.2 dB / cm at a wavelength of 1.3 μm and 0.3 dB / cm at 1.55 μm. Further, the polarization dependence of the light propagation loss was 0.5 dB / cm or less regardless of whether the wavelength was 1.3 μm or 1.55 μm. Further, the light propagation loss of this optical waveguide did not change for more than one month even under the condition of 75 ° C./90% relative humidity.

(実施例2〜3)
実施例1と同様の方法で、表6に示した各原料を、コア層およびクラッド層に用いて、光導波路を作成し、実施例1と同様の評価を行った結果を表6に合わせて示した。全ての系で、光伝搬損失が小さく優れた性能の光導波路が得られていることが分かる。
(Examples 2-3)
In the same manner as in Example 1, each raw material shown in Table 6 was used for the core layer and the cladding layer to create an optical waveguide, and the results of the same evaluation as in Example 1 were shown in Table 6. Indicated. It can be seen that in all systems, optical waveguides having excellent optical performance with small optical propagation loss are obtained.

Figure 2005164651
Figure 2005164651

(比較例1〜3)
実施例1と同様の方法で、表7に示した各原料を、コア層およびクラッド層に用いて、光導波路の作成を試みた。しかしながら比較例1および3の組み合わせではコア層をアルカリ現像液で現像する際にきれいなパターンが得られず、評価に進むことができなかった。これは比較例1では光酸発生剤が少なすぎるために光照射部の溶解性が不十分であり、比較例3ではポリヒドロキシアミド樹脂の水酸基の保護が不十分であるために未照射部が溶解したためであると考えられる。比較例2についてはパターンが得られたため評価を行ったが光損失値が大きく問題があった。これは光酸発生剤の添加量が多いため光損失に悪影響を及ぼしたものと考えられる。
(Comparative Examples 1-3)
In the same manner as in Example 1, each material shown in Table 7 was used for the core layer and the clad layer, and an optical waveguide was created. However, in the combination of Comparative Examples 1 and 3, when developing the core layer with an alkaline developer, a clean pattern was not obtained, and the evaluation could not be proceeded. This is because the comparative example 1 has too little photoacid generator, so the solubility of the light irradiated part is insufficient, and in comparative example 3, the hydroxyl group of the polyhydroxyamide resin is insufficiently protected, so This is considered to be because of dissolution. Comparative Example 2 was evaluated because a pattern was obtained, but there was a problem with a large optical loss value. This is thought to have had an adverse effect on light loss due to the large amount of photoacid generator added.

Figure 2005164651
Figure 2005164651

本発明によれば、従来法による高価なドライエッチングの装置を用いることなく高性能の光導波路を作製することができ、大面積のパターンを有する光導波路への適用も可能となり、光インターコネクションや光デバイスの分野で広範に利用できる。   According to the present invention, a high-performance optical waveguide can be produced without using an expensive dry etching apparatus according to the conventional method, and it can be applied to an optical waveguide having a large area pattern. Widely used in the field of optical devices.

本発明の樹脂組成物を用いた光導波路のパターニング方法の説明図Explanatory drawing of the patterning method of the optical waveguide using the resin composition of this invention 本発明の樹脂組成物を用いた埋め込み型光導波路の製造例の説明図Explanatory drawing of the manufacture example of the embedded optical waveguide using the resin composition of this invention

符号の説明Explanation of symbols

1 基材
2 樹脂層
3 フォトマスク
4 露光機
5 シリコンウエハ
6 下部クラッド層
7 樹脂層(コア層)
8 上部クラッド層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Resin layer 3 Photomask 4 Exposure machine 5 Silicon wafer 6 Lower clad layer 7 Resin layer (core layer)
8 Upper cladding layer

Claims (2)

一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミド樹脂100重量部に対し光酸発生剤0.001〜5重量部の割合で含む感光性樹脂組成物を用いて形成されたコア層および/またはクラッド層を有する光導波路。
Figure 2005164651
(式(1)中、XおよびYはそれぞれ有機基を示し、Zは炭素数10以下の有機基および水素から選ばれるものであり、前記炭素数10以下の有機基である割合は10%以上であり、nは5〜10,000の整数である。)
A core layer formed using a photosensitive resin composition containing 0.001 to 5 parts by weight of a photoacid generator with respect to 100 parts by weight of a polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (1) and / or Or an optical waveguide having a cladding layer.
Figure 2005164651
(In the formula (1), X and Y each represents an organic group, Z is selected from an organic group having 10 or less carbon atoms and hydrogen, and the proportion of the organic group having 10 or less carbon atoms is 10% or more. And n is an integer of 5 to 10,000.)
一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミド樹脂100重量部に対し光酸発生剤0.001〜5重量部の割合で含む感光性樹脂組成物を用いて樹脂層を形成する工程、前記樹脂層上にフォトマスク層を形成し光照射により光導波路のパターニングを行う工程、前記パターニングされた樹脂層を現像液により除去する工程および前記樹脂層を加熱硬化する工程を含む光導波路の製造方法。   A step of forming a resin layer using a photosensitive resin composition containing 0.001 to 5 parts by weight of a photoacid generator with respect to 100 parts by weight of a polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (1), Production of optical waveguide including a step of forming a photomask layer on the resin layer and patterning the optical waveguide by light irradiation, a step of removing the patterned resin layer with a developer, and a step of heat curing the resin layer Method.
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