JP2005158944A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
【課題】 外部端子のスクリーニングの精度を向上し、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止する。
【解決手段】 半導体装置本体1aのテープ基板3のバンプランドに外部端子としての半田ボール5を接合した後、粘着ローラや粘着テープ21のような粘着物を半田ボール5に接触させてから移動させることで、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを除去し、半田ボール5のスクリーニングを行う。あるいは、ノズルから吐出された流体を半田ボール5に衝突させることで、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを除去し、半田ボール5のスクリーニングを行う。
【選択図】 図11PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the accuracy of screening of external terminals and reliably prevent outflow of defective products to a subsequent process due to external terminal non-joining.
A solder ball 5 as an external terminal is joined to a bump land of a tape substrate 3 of a semiconductor device body 1a, and then an adhesive such as an adhesive roller or an adhesive tape 21 is brought into contact with the solder ball 5 and then moved. Thus, the unbonded solder balls 5b in the solder balls 5 are removed, and the solder balls 5 are screened. Alternatively, the fluid ejected from the nozzle is caused to collide with the solder ball 5 to remove the unbonded solder ball 5b from the solder ball 5, and the solder ball 5 is screened.
[Selection] FIG.
Description
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、ボール電極のような外部端子を接合した構造を有する半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a manufacturing technique of a semiconductor device, and more particularly to a technique effective when applied to a manufacturing technique of a semiconductor device having a structure in which external terminals such as ball electrodes are joined.
半導体集積回路が形成された半導体チップを有する半導体装置において、外部端子として半田などからなるボール電極(半田ボール)が設けられ、かつ半導体チップを支持するチップ支持基板(例えば、テープ基板など)を備えたものの一例として、CSP(Chip Size Package)と呼ばれるチップサイズもしくは半導体チップより僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージが知られている。 A semiconductor device having a semiconductor chip on which a semiconductor integrated circuit is formed includes a ball electrode (solder ball) made of solder or the like as an external terminal, and a chip support substrate (for example, a tape substrate) that supports the semiconductor chip. As an example, a small semiconductor package called a CSP (Chip Size Package) or a size slightly larger than a semiconductor chip is known.
前記CSPの主な組み立て工程は、半導体チップ(ペレット)をテープ基板にマウントするダイボンディング工程、半導体チップの表面電極とテープ基板の接続端子とを接続するワイヤボンディング工程、半導体チップを樹脂封止するモールド工程、外部端子である半田ボールをテープ基板の所定箇所に整列させて配置するボール付け工程、半田ボールをテープ基板のバンプランドに接続するリフロー工程、多数個取り基板を個片に切断するテープカット工程などである。 The main assembly process of the CSP includes a die bonding process for mounting a semiconductor chip (pellet) on a tape substrate, a wire bonding process for connecting a surface electrode of the semiconductor chip and a connection terminal of the tape substrate, and resin-sealing the semiconductor chip. A molding process, a ball attaching process in which solder balls as external terminals are arranged and arranged at predetermined locations on a tape substrate, a reflow process in which solder balls are connected to bump lands of the tape substrate, and a tape for cutting a multi-piece substrate into individual pieces Such as a cutting process.
前記した技術のCSPの組み立てにおいては、リフロー工程で半田ボールをテープ基板のバンプランドに接続する際に、バンプランドと半田ボールとの間に異物が入り込んでいると、半田とバンプランドとの合金層形成が阻害され、その結果、このような半田ボールは、バンプランドに未接合状態となる。これにより、未接合状態で後工程に流れると、後工程の途中で半田ボールが欠落して、その結果、半田ボール未接合による不良が後工程で発見されることが問題となる。つまり、半田ボール未接合による不良品が後工程に流出すると、後工程での作業効率が低下することが問題となる。さらに、半田ボール未接合による不良品が客先に流出する場合があり、その結果、製品の信頼性が低下することが問題となる。このため、ボール電極未接合による不良品の後工程への流出防止と製品の信頼性向上を図ることが望まれる。 In the assembly of the CSP of the above-described technology, when a foreign matter enters between the bump land and the solder ball when the solder ball is connected to the bump land of the tape substrate in the reflow process, an alloy of the solder and the bump land. Layer formation is hindered, and as a result, such solder balls are not bonded to the bump lands. As a result, when a non-bonded state flows to the post-process, the solder ball is lost during the post-process, and as a result, a defect due to the solder ball non-bonding being found in the post-process becomes a problem. That is, if a defective product due to solder ball non-joining flows out to the post-process, there is a problem that work efficiency in the post-process decreases. Furthermore, a defective product due to solder ball non-bonding may flow out to the customer, resulting in a problem that the reliability of the product is lowered. For this reason, it is desired to prevent outflow of defective products due to unbonded ball electrodes to the subsequent process and to improve product reliability.
特開2001−358163号公報には、リフローによってCSP本体のテープ基板に複数の半田ボールを設け、その後、半田ボールのうちテープ基板に接合していない未接合半田ボールを移動させることが可能な移動力を付与するとともに半田より柔らかい材料からなる導電性の弾性シート部材を用い、弾性シート部材をそれぞれの半田ボールに接触させて前記移動力を付与して未接合半田ボールを除去することにより、ボール電極未接合による不良品の後工程への流出を防止する技術が記載されている(特許文献1参照)。
本発明者の検討によれば、次のことが分かった。 According to the study of the present inventor, the following has been found.
例えばゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボールに横からの剪断力(移動力)を与えて半田ボールのスクリーニングを行った場合は、各半田ボールに作用する剪断力(移動力)が均一にならずに、スクリーニング工程後に未接合半田ボールの一部が除去されずにテープ基板のバンプランド上に残存してしまう可能性がある。これは、半田ボールのスクリーニングの精度を低下させる可能性がある。このため、半田ボールのスクリーニングの精度を更に向上し、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出をより確実に防止することが望まれる。 For example, when a solder ball is screened by applying a lateral shearing force (moving force) to the solder ball using an elastic sheet such as a rubber sheet, the shearing force (moving force) acting on each solder ball is There is a possibility that a part of the unbonded solder ball is not removed after the screening process and remains on the bump land of the tape substrate without being uniform. This can reduce the accuracy of solder ball screening. For this reason, it is desirable to further improve the accuracy of solder ball screening and more reliably prevent the outflow of defective products due to unbonded solder balls to the subsequent process.
本発明の目的は、外部端子のスクリーニングの精度を向上し、半導体装置の外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止できる技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a technique capable of improving the accuracy of screening of external terminals and reliably preventing outflow of defective products to a subsequent process due to unbonded external terminals of a semiconductor device.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
本発明は、半導体装置本体に接合した外部端子に粘着物を接触させてから粘着物を移動させ、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うものである。 The present invention moves the adhesive after bringing the adhesive into contact with the external terminal bonded to the semiconductor device body, and removes the unbonded external terminal that is not bonded to the semiconductor device body from the external terminals. Screening.
また、本発明は、半導体装置本体に接合した外部端子に流体を衝突させて、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うものである。 The present invention also screens external terminals by causing fluid to collide with external terminals bonded to the semiconductor device body and removing unbonded external terminals that are not bonded to the semiconductor device body among the external terminals. It is.
また、本発明は、半導体装置本体に接合した複数の外部端子にそれぞれ対応する複数の部材を接触させて外力を印加し、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うものである。 Further, the present invention applies an external force by bringing a plurality of members corresponding to a plurality of external terminals bonded to the semiconductor device body into contact with each other, and unbonded external terminals that are not bonded to the semiconductor device body among the external terminals. The external terminals are screened by removing them.
また、本発明は、半導体装置本体を吸着しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うものである。 The present invention also screens external terminals joined to the semiconductor device body while adsorbing the semiconductor device body.
また、本発明は、半導体装置本体を加熱しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うものである。 The present invention also screens external terminals joined to the semiconductor device body while heating the semiconductor device body.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。 Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
半導体装置本体に接合した外部端子に粘着物を接触させてから粘着物を移動させ、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。 Screening of external terminals is performed by moving the adhesive after the adhesive is brought into contact with the external terminals bonded to the semiconductor device body, and removing unbonded external terminals that are not bonded to the semiconductor device main body from the external terminals. As a result, the accuracy of screening of the external terminals can be improved. Further, it is possible to reliably prevent outflow of defective products to the subsequent process due to external terminal non-joining.
また、半導体装置本体に接合した外部端子に流体を衝突させて、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。 In addition, the external terminals are screened by causing the fluid to collide with the external terminals joined to the semiconductor device body, removing the unjoined external terminals that are not joined to the semiconductor device body, and screening the external terminals. The accuracy of screening can be improved. Further, it is possible to reliably prevent outflow of defective products to the subsequent process due to external terminal non-joining.
また、半導体装置本体に接合した複数の外部端子にそれぞれ対応する複数の部材を接触させて外力を印加し、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。 Further, by applying an external force by contacting a plurality of members corresponding to a plurality of external terminals bonded to the semiconductor device body, removing unbonded external terminals not bonded to the semiconductor device body among the external terminals, By screening the external terminals, it is possible to improve the accuracy of the external terminal screening. Further, it is possible to reliably prevent outflow of defective products to the subsequent process due to external terminal non-joining.
また、半導体装置本体を吸着しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。 Further, by screening the external terminals joined to the semiconductor device body while adsorbing the semiconductor device body, it is possible to improve the accuracy of the screening of the external terminals. Further, it is possible to reliably prevent outflow of defective products to the subsequent process due to external terminal non-joining.
また、半導体装置本体を加熱しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。 Further, by screening the external terminals joined to the semiconductor device body while heating the semiconductor device body, the accuracy of the external terminal screening can be improved. Further, it is possible to reliably prevent outflow of defective products to the subsequent process due to external terminal non-joining.
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションに分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。 In the following embodiment, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections. However, unless otherwise specified, they are not irrelevant to each other, and one is a part of the other or All the modifications, details, supplementary explanations, and the like are related. Further, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), especially when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and may be more or less than the specific number. Further, in the following embodiments, the constituent elements (including element steps and the like) are not necessarily indispensable unless otherwise specified and apparently essential in principle. Needless to say. Similarly, in the following embodiments, when referring to the shapes, positional relationships, etc. of the components, etc., the shapes are substantially the same unless otherwise specified, or otherwise apparent in principle. And the like are included. The same applies to the above numerical values and ranges.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof will be omitted. In the following embodiments, the description of the same or similar parts will not be repeated in principle unless particularly necessary.
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。 In the drawings used in the embodiments, hatching may be omitted even in a cross-sectional view so as to make the drawings easy to see. Further, even a plan view may be hatched to make the drawing easy to see.
(実施の形態1)
本実施の形態の半導体装置の製造方法を図面を参照して説明する。
(Embodiment 1)
A method for manufacturing the semiconductor device of the present embodiment will be described with reference to the drawings.
図1は、本実施の形態の半導体装置の製造方法に従って製造された半導体装置の一例であるCSP(Chip Size Package)形態の半導体装置の構造を示す断面図である。図2は、本実施の形態の半導体装置の製造工程(製造方法)の一例を示す製造プロセスフロー図であり、図3〜図9は、本実施の形態の半導体装置の製造工程(製造方法)を示す断面図(要部断面図)である。なお、図3〜図9は、図2の製造プロセスフロー図の各工程に対応する断面図が示されている。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a CSP (Chip Size Package) semiconductor device, which is an example of a semiconductor device manufactured according to the semiconductor device manufacturing method of the present embodiment. FIG. 2 is a manufacturing process flow chart showing an example of a manufacturing process (manufacturing method) of the semiconductor device of the present embodiment. FIGS. 3 to 9 are manufacturing processes (manufacturing method) of the semiconductor device of the present embodiment. It is sectional drawing (main part sectional drawing) which shows this. 3 to 9 are cross-sectional views corresponding to the respective steps of the manufacturing process flow diagram of FIG.
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、例えばボール電極(半田ボール)のような外部端子を接合した構造の半導体装置の組み立てに関するものである。なお、本実施の形態では、図1に示されるような、例えばチップサイズもしくは半導体チップ2より僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージであるCSP形態の半導体装置1に本発明を適用した場合について説明する。
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment relates to the assembly of a semiconductor device having a structure in which external terminals such as ball electrodes (solder balls) are joined. In the present embodiment, the case where the present invention is applied to a CSP
まず、図1に示される半導体装置1の構造について説明する。図1に示される半導体装置1は、半導体チップ2と、半導体チップ2を支持するチップ支持基板であるテープ基板3と、半導体チップ2の表面の複数の電極(ボンディングパッド、パッド電極)2aとこれに対応するテープ基板3の接続端子3cとを電気的に接続するボンディングワイヤ4と、テープ基板3のチップ支持面3aと反対側の面(以降、この面を裏面3bという)に外部端子としてエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール(ボール電極)5と、テープ基板3と半導体チップ1との間に配置されたダイボンド材(接合材)6と、半導体チップ2およびボンディングワイヤ4を樹脂封止して形成された封止部7とを備えている。
First, the structure of the
半導体チップ2は、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板(半導体ウエハ)に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ2に分離したものである。半導体チップ2は、その表面(半導体素子形成側の主面)2bが上方を向くようにテープ基板3のチップ支持面3a上に配置され、半導体チップ2の裏面(半導体素子形成側の面とは逆側の主面)2cがテープ基板3のチップ支持面3aにダイボンド材6を介して接着され固定されている。半導体チップ2をテープ基板3に固定しているダイボンド材6は、例えば、絶縁性の接着層であるが、導電性のペースト材などを用いてもよい。半導体チップ2の表面2bには、複数の電極2aが形成されており、電極2aは、半導体チップ2内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。
The
テープ基板3には、例えば、ポリイミドなどからなるテープ基材3f上に銅箔材などによって形成されたバンプランド3gや配線リード3eおよび接続端子3cが設けられており、そのうち接続端子3cはボンディングワイヤ4との接続用に露出し、バンプランド3gや配線リード3eは絶縁膜であるレジスト膜3dによって覆われている。
The
半導体チップ2の電極2aは、例えば金(Au)線などの金属細線などからなるボンディングワイヤ4を介してテープ基板3のチップ支持面3aに形成された接続端子3cと電気的に接続され、さらに、テープ基板3において、この接続端子3cと、外部端子である半田ボール5が搭載されたバンプランド3gとが配線リード3eによって接続されている。
The electrode 2a of the
封止部7は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止部7を形成することができる。封止部7により、半導体チップ2およびボンディングワイヤ4が封止され、保護される。
The sealing
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法を、図2に示される製造プロセスフロー図および図3〜図9に示される断面図に従って説明する。なお、本実施の形態では、複数のテープ基板3が繋がって形成された多連のテープ状の多数個取り基板13を用いて個々の半導体装置1を製造する場合について説明する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device of the present embodiment will be described with reference to a manufacturing process flow chart shown in FIG. 2 and cross-sectional views shown in FIGS. In the present embodiment, a case will be described in which
主面に所望の半導体素子または半導体集積回路が形成された半導体チップ2を準備し、さらに、半導体チップ2を支持可能なチップ支持面3aを個々に備えた複数のテープ基板3が形成された多連のテープ状の多数個取り基板13を準備する。
A
次に、図3に示されるように、テープ基板3のチップ支持面3a上にダイボンド材6を介して半導体チップ2を接合(チップマウント、ダイボンディング)する(ステップS1)。例えば、テープ基板3のチップ支持面3aのほぼ中央部にダイボンド材6を塗布してチップ固定用の接着層を形成し、ダイボンド材6上に半導体チップ2を載置し、加熱などを行って、ダイボンド材6と半導体チップ2の裏面2cとを接合する。
Next, as shown in FIG. 3, the
次に、図4に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ2の各電極2aと、これに対応するテープ基板3に形成された接続端子3cとをボンディングワイヤ4を介して電気的に接続する(ステップS2)。
Next, as shown in FIG. 4, a wire bonding step is performed to electrically connect each electrode 2 a of the
次に、図5に示されるように、モールド工程(例えばトランスファモールド工程)による樹脂封止を行って封止部7を形成し、半導体チップ2およびボンディングワイヤ4を封止部7によって封止する(ステップS3)。封止部7は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止部7を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 5, resin sealing is performed by a molding process (for example, transfer molding process) to form the sealing
次に、図6に示されるように、マーキングを行って、封止部7の表面に製品番号などのマーク17を付す(ステップS4)。
Next, as shown in FIG. 6, marking is performed and a
次に、図7に示されるように、半導体チップ2を有した半導体装置本体(CSP本体)1aのテープ基板3に、外部端子としての複数の半田ボール5を配置する。ここでは、多数個取り基板13のテープ基板3の裏面3bを上方に向け、そこに、半田ボール5を供給して、ボール付けを行う(ステップS5)。その際、所定位置にマトリクス状に複数の貫通孔が形成されたマスク部材などを用いて複数の半田ボール5をテープ基板3の裏面3b上の所定箇所に整列させて配置する。
Next, as shown in FIG. 7, a plurality of
なお、各半田ボール5には、フラックスを塗布し、このフラックスによって半田ボール5を仮固定する(転写する)。ここで、フラックスは、半田の酸化皮膜を除去するとともに、再酸化を防止して表面の清浄度を保つものである。
A flux is applied to each
次に、図8に示されるように、半導体装置本体1aのテープ基板3に複数の半田ボール5を設けるリフロー処理を行う(ステップS6)。ここでは、それぞれの半田ボール5がフラックスによって仮固定された多連のテープ状の多数個取り基板13を図示しないリフロー炉などに通し、これによって、半田を溶融して半田ボール5とバンプランド3gとを接合する。このようにして、半導体装置本体1aに外部端子としての半田ボール5が接合される。
Next, as shown in FIG. 8, a reflow process for providing a plurality of
次に、フラックス洗浄を行って、テープ基板3の裏面3bに設けられた各半田ボール5を洗浄し、これによって、半田ボール5の表面に付いたフラックスを取り除く(ステップS7)。
Next, flux cleaning is performed to clean each
次に、外部端子である半田ボール5のスクリーニングを行う(ステップS8)。すなわち、ステップS6のリフロー工程とステップS7のフラックス洗浄工程とを終えた多数個取り基板13上の半導体装置本体1aに接合された(設けられた)半田ボール5のうち、テープ基板3のバンプランド3gに接合していない未接合半田ボール(未接合の外部端子、後述する未接合半田ボール5bに対応)をスクリーニングによって取り除くものである。
Next, the
未接合半田ボール(未接合半田ボール5b)は、例えば、リフローによる半田接続を行う際に、テープ基板3のバンプランド3gと半田ボール5との間に異物などが入り込んでいると、半田とバンプランド3gとの合金層形成が阻害され、その結果、正常に接合されずに未接合状態(この状態は、見かけ上ではバンプランド3g上に配置されているが、極小さな荷重によって動く程度に配置された状態のこと)となってしまった半田ボールのことである。ステップS8に示すスクリーニング工程においては、半田ボール5のうち半導体装置本体1a(のテープ基板3のバンプランド3g)に接合していない未接合半田ボールを移動(欠落)させることが可能な移動力(外力)を付与する移動力付与手段(例えば後述する粘着テープ21や粘着ローラ22)を用い、その移動力付与手段によって半田ボール5に移動力(外力)を付与して未接合半田ボールを除去することで、未接合半田ボールをスクリーニングすることができる。
The unbonded solder ball (
次に、図9に示されるように、多連のテープ状の多数個取り基板13においてそれぞれの半導体装置領域(CSP領域)を切断して個々の(個片化された)半導体装置本体1a、すなわち半導体装置(CSP)1に切断分離するテープカットを行う(ステップS9)。すなわち、切断・個片化を行って、図1に示されるような半導体装置1を製造することができる。
Next, as shown in FIG. 9, each semiconductor device region (CSP region) is cut in the multiple tape-
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程における上記ステップS8のスクリーニング工程についてより詳細に説明する。図10〜図12は、本実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。 Next, the screening process of step S8 in the semiconductor device manufacturing process of the present embodiment will be described in more detail. 10-12 is explanatory drawing of the screening process in this Embodiment.
本実施の形態では、ステップS5およびステップS6で半導体装置本体1a(のテープ基板3のバンプランド3g)に外部端子としての半田ボール5を接合した後、ステップS8に示すスクリーニング工程において、粘着物を半田ボール5に接触させてから移動させることで、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを除去する。例えば、図10に示されるように、ステージ(載置台)20上にテープ基板3(多数個取り基板13)を半田ボール5が上方を向くように配置し、その表面に粘着材を付与するなどして粘着面(粘着性の表面)21aを有する粘着テープ(粘着テープ材)21を準備し、この粘着テープ21の粘着面21aをテープ基板3(多数個取り基板13)の裏面3b上に貼り付けて、全ての半田ボール5に粘着テープ21の粘着性の表面21aを接触させてから、図11に示されるように粘着テープ21を剥がす(移動させる)。すなわち、粘着テープ21の粘着面21aを半田ボール5に接触させてから粘着テープ21を移動させる。
In this embodiment, after bonding the
また、図12に示されるように、ステージ20上にテープ基板3(多数個取り基板13)を半田ボール5が上方を向くように配置し、粘着テープ21の代わりに、その表面に粘着材を付与するなどして粘着面(粘着性の表面)22aを有して回転可能な粘着ローラ22を準備し、全ての半田ボール5に粘着ローラ22の粘着面22aが接触するように、この粘着ローラ22をテープ基板3(多数個取り基板13)の裏面3b上でころがす。すなわち、半田ボール5に粘着ローラ22の粘着面22aを接触させ、粘着ローラ22を回転しながら移動させる。
In addition, as shown in FIG. 12, the tape substrate 3 (multiple substrate 13) is arranged on the
このようにして、テープ基板3の裏面3bに設けられた全ての半田ボール5に粘着テープ21または粘着ローラ22のような粘着物を接触させてから移動させることで、半田ボール5には粘着物によって引っ張られる外力(移動力)が作用し、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを粘着物にくっつけて移動させ各半導体装置本体1aから除去する(欠落させる)ことができる。
In this way, the adhesive material such as the
すなわち、粘着テープ21または粘着ローラ22に接触した半田ボール5が、上記のような未接合半田ボール5bであれば、その未接合半田ボール5bは粘着テープ21または粘着ローラ22の粘着力によって粘着テープ21の粘着面21bまたは粘着ローラ22の粘着面22aにくっついて粘着テープ21または粘着ローラ22とともに移動し、テープ基板3のバンプランド3gから離れる。これにより、図11や図12のように未接合半田ボール5bを各半導体装置本体1aから除去することができる。
That is, if the
また、粘着テープ21または粘着ローラ22に接触した半田ボール5が、リフローによってテープ基板3のバンプランド3gに適切に取り付けられた(接合した)良品半田ボール5a(良品のボール電極、良品の外部端子)であれば、半田接合による接続強度が高いため、図11や図12のように粘着テープ21または粘着ローラ22による粘着力が作用してもテープ基板3のバンプランド3gから離れることはなく、半導体装置本体1aから除去される(欠落される)ことはない。
In addition, the
このようにして、ステップS8のスクリーニング工程において、半田ボール5のうち、未接合半田ボール5bのみを除去することができる。これにより、半田ボール未接合による不良品を自工程(スクリーニングを含む半田ボール取り付け工程)で収束させることができ、その結果、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出を防止することができる。また、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出を防止できるため、半田ボール5が後工程の途中で欠落することが無くなり、その結果、半田ボール未接合による不良品の客先への流出を防止できる。従って、製品(半導体装置1)の信頼性を向上できる。
In this way, only the
本実施の形態とは異なり、例えば粘着性を有さないゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボール5に横からの剪断力(移動力)を与えて半田ボール5のスクリーニングを行った場合は、各半田ボール5に作用する剪断力(移動力)が均一にならずに、スクリーニング工程後に未接合半田ボール5bの一部が除去されずにテープ基板3のバンプランド3g上に残存してしまう可能性がある。これは、半田ボール5のスクリーニングの精度を低下させる可能性がある。
Unlike the present embodiment, the
本実施の形態では、粘着テープ21や粘着ローラ22のような粘着物を用いて、半田ボール5のスクリーニングを行う。全ての半田ボール5に粘着物を接触させてその粘着力を作用させることが容易に実現でき、各半田ボール5に均一な粘着力を作用させ、均一な移動力を作用させることができる。このため、半田ボール5のうち、未接合半田ボール5bを的確に除去することができ、スクリーニング工程後に未接合半田ボール5bが除去されずにテープ基板3のバンプランド3g上に残存してしまうのを防止することができる。
In the present embodiment, the
また、本実施の形態では、粘着テープ21や粘着ローラ22のような粘着物の摩耗管理や交換が容易である。また、スクリーニングを行う毎に、粘着テープ21を新しいものに交換するなどして、各スクリーニング工程で常に均一で的確な粘着力を有する粘着面を半田ボール5に接触させて未接合半田ボール5bを除去することができる。また、スクリーニングを行う毎に、粘着ローラ22の清浄化を行うかあるいは粘着ローラ22に巻かれた粘着テープを剥がして新しい粘着面を露出させるなどして、各スクリーニング工程で常に均一で的確な粘着力を有する粘着面を半田ボール5に接触させて未接合半田ボール5bを除去することができる。このため、各スクリーニング工程で半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを的確に除去することができる。
In the present embodiment, wear management and replacement of an adhesive such as the
このように、本実施の形態では、半田ボール5のスクリーニングの精度を向上し、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを的確に除去することができるので、半田ボール5のような外部端子の未接合による不良品の後工程への流出を的確に防止できる。また、半田ボール5のような外部端子が後工程の途中で欠落することを的確に防止でき、その結果、外部端子未接合による不良品の客先への流出を防止して製品の信頼性を的確に向上することができる。
Thus, in this embodiment, the accuracy of screening of the
また、粘着テープ21や粘着ローラ22の高さを可変する高さ制御手段(軸)を設け、手動または自動で粘着テープ21や粘着ローラ22の高さを制御(高さ制御)することができる。また、粘着テープ21や粘着ローラ22をテープ基板3の裏面3bに接触させる際の荷重を自動でセンシングし、一定の(所定の)荷重となるように制御(荷重制御)することができる。また、粘着テープ21や粘着ローラ22を移動させる速度を可変とし、所定の値に制御(速度制御)することができる。これらは、半田ボール5の直径やピッチなどに応じて調整することができ、未接合半田ボール5bを的確に除去できる条件で、半田ボール5のスクリーニングを行うことができる。
Further, a height control means (shaft) for changing the height of the
また、本実施の形態では、ステップS8のスクリーニング工程の後にステップS9のテープカット工程を行っているが、ステップS8のスクリーニング工程の後、ステップS9のテープカット工程の前に、テープ基板3の洗浄と、半田ボール5の検査とを行うことが好ましい。図13は、ステップS8のスクリーニング工程からステップS9のテープカット工程にかけてのプロセスフロー図である。
In the present embodiment, the tape cutting process of step S9 is performed after the screening process of step S8. However, the cleaning of the
上記のようにしてステップS8のスクリーニング工程を行って、未接合半田ボール5bを除去した(欠落させた)後、テープ基板3の洗浄を行う(ステップS10)。例えば、回転するブラシをテープ基板3(多数個取り基板13)の裏面3bに接触させ、半田ボール5が接続されたテープ基板3の裏面3bを洗浄するとともに、ステップS8のスクリーニング工程で除去または欠落された未接合半田ボール5bをテープ基板3の裏面3bから完全に取り除く。
As described above, the screening process of Step S8 is performed to remove (miss) the
次に、テープ基板3(多数個取り基板13)の各バンプランド3gに半田ボール5が接続されているかどうか検査を行う(ステップS11)。例えば、画像処理またはテスタなどを用いた電気的テストなどを行って、テープ基板3の各バンプランド3gに半田ボール5が接続されているかどうか検査する。半田ボール5を接続すべきバンプランド3gの全てに半田ボール5が接続されていれば、良品としてステップS9のテープカット工程に送られ、上記のように個片の半導体装置1に分割され、製品として出荷される。ステップS8のスクリーニング工程によって未接合半田ボール5bが除去されたことにより、半田ボール5を接続すべきバンプランド3gに半田ボール5が接続されていない個所が生じていれば、その半田ボール5の数が不足する半導体装置本体1aは不良品として選別され、ステップS9のテープカット工程で個片に分割されたときに除去される。あるいは、ステップS8のスクリーニング工程によって未接合半田ボール5bが除去されたことにより、半田ボール5を接続すべきバンプランド3gに半田ボール5が接続されていない個所が生じていれば、半田ボール5が欠落しているバンプランド3gにだけ半田ボール5を再度接続し、その後ステップS9のテープカット工程で個片の半導体装置1に分割して、製品として出荷することもできる。
Next, it is inspected whether the
また、本実施の形態では、上記のように、ステップS8のスクリーニング工程を行ってからステップS9のテープカット工程を行っているが、他の形態として、ステップS8のスクリーニング工程の前にステップS9のテープカット工程を行って個片の半導体装置1に分割し、その後、各半導体装置1に対してステップS8のスクリーニング工程に対応する半田ボール5のスクリーニングを行うこともできる。個片の半導体装置1に分割した後に半田ボール5のスクリーニングを行うので、スクリーニング中の半導体装置1の反りを抑制または防止でき、半田ボール5のスクリーニングの際に各半田ボール5に加わる負荷(移動力、外力)をより均一にすることができる。このため、未接合半田ボール5bをより的確に除去することができる。
In the present embodiment, as described above, the tape cutting process of step S9 is performed after the screening process of step S8. However, as another form, the screening process of step S9 is performed before the screening process of step S8. It is also possible to perform the tape cutting process to divide the
(実施の形態2)
図14は、本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程(ステップS8)の説明図であり、上記実施の形態1における図10〜図13に対応する。
(Embodiment 2)
FIG. 14 is an explanatory diagram of the screening step (step S8) in another embodiment of the present invention, and corresponds to FIGS. 10 to 13 in the first embodiment.
本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ステップS8のスクリーニング工程(半田ボール5のスクリーニング工程)以外については上記実施の形態1と同様であるので、ここではその説明を省略する。 The present embodiment is the same as the first embodiment except for the screening process of step S8 (the screening process of the solder balls 5) in the structure of the semiconductor device and the manufacturing process of the semiconductor device. Is omitted.
本実施の形態では、ステップS5およびステップS6で半導体装置本体1a(のテープ基板3のバンプランド3g)に外部端子としての半田ボール5を接合した後、ステップS8に示すスクリーニング工程において、流体を用いて(流体を半田ボール5に衝突させて半田ボール5に外力を印加することで)、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを除去する。例えば、図14に示されるように、ステージ20上にテープ基板3(多数個取り基板13)を半田ボール5が上方を向くように配置し、流体31を放出または吐出可能なノズル(流体吐出手段)32を準備し、このノズル32から流体31をテープ基板3(多数個取り基板13)の裏面3bに対して放出または吐出させる。ノズル32から吐出された流体31はテープ基板3の裏面3bの半田ボール5に衝突する。ノズル32はテープ基板3の裏面3bの上方で水平方向(テープ基板3の裏面3bに水平な方向)に移動し、ノズル32から吐出された流体31をテープ基板3の裏面3bに設けられた全ての半田ボール5にまんべんなくあてる(供給する、衝突させる)。このようにして、流体31の圧力により、半田ボール5に外力(移動力)が作用し、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bが除去される(欠落する)。流体31は、気体または液体を用いることができ、例えばエア(空気)、水または洗浄液などを用いることができる。
In the present embodiment, after the
すなわち、ノズル32から吐出された流体31が衝突した半田ボール5が、未接合半田ボール5bであれば、その未接合半田ボール5bは流体31の圧力によってテープ基板3のバンプランド3gから離れる。これにより、未接合半田ボール5bを各半導体装置本体1aから除去する(欠落させる)ことができる。
That is, if the
また、ノズル32から吐出された流体31が衝突した半田ボール5が、リフローによってテープ基板3のバンプランド3gに適切に取り付けられた(接合した)良品半田ボール(良品のボール電極、良品の外部端子)5aであれば、半田接合による接続強度が高いため、流体31の圧力が作用してもテープ基板3のバンプランド3gから離れることはなく、除去される(欠落する)ことはない。
In addition, the
このようにして、ステップS8のスクリーニング工程において、半田ボール5のうち、未接合半田ボール5bのみを除去することができる。
In this way, only the
本実施の形態とは異なり、例えばゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボール5に横からの剪断力(移動力)を与えて半田ボール5のスクリーニングを行った場合は、弾性シートが摩耗するので定期的な交換が必要になる。また、弾性シートが摩耗したままスクリーニングに用いると、スクリーニング工程毎に半田ボール5に作用する剪断力(移動力)が変動してしまう可能性がある。これは、半田ボール5のスクリーニングの精度を低下させる可能性がある。
Unlike the present embodiment, for example, when the
本実施の形態では、ノズル32から吐出された流体31を用いて半田ボール5のスクリーニングを行っているので、スクリーニング工程を繰り返し行ってもノズル32の定期的な交換は不要である。また、流体31として液体を用いる場合は循環して再利用が可能である。また、劣化や摩耗を生じることがなく、スクリーニング工程を繰り返し行ったときの各スクリーニング工程のスクリーニング条件を同じにすることが容易に実現でき、流体31により常に均一な圧力を半田ボール5に対して与えて、各半田ボール5に作用する外力(移動力)を均一にすることができる。すなわち、スクリーニング工程毎に半田ボールに作用する流体31の圧力が変動することはなく、更に、各半田ボール5に作用する流体31の圧力も均一にすることができる。このため、半田ボール5のうち、未接合半田ボール5bを的確に除去することができ、スクリーニング工程後に未接合半田ボール5bが除去されずにテープ基板3のバンプランド3g上に残存してしまうのを防止することができる。
In this embodiment, since the
このように、本実施の形態では、半田ボール5のスクリーニングの精度を向上し、スクリーニング工程で半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを的確に除去することができるので、半田ボール5のような外部端子の未接合による不良品の後工程への流出を的確に防止できる。また、半田ボール5のような外部端子が後工程の途中で欠落することを的確に防止でき、その結果、外部端子未接合による不良品の客先への流出を防止して製品の信頼性を的確に向上することができる。
Thus, in this embodiment, the accuracy of screening of the
また、流体31に水や洗浄液のような液体を用いる場合、その流体31中にビーズ材を含有させることもできる。ビーズ材としては、例えば直径0.1〜0.2mm程度の樹脂ビーズなどを用いることができる。これにより、ノズル32から吐出された流体31を半田ボール5に衝突させたときに、半田ボール5に与えられる圧力(衝撃)を大きくすることができる。このため、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。
In addition, when a liquid such as water or a cleaning liquid is used for the fluid 31, a bead material can be contained in the
また、流体31に水や洗浄液のような液体を用いる場合、ノズルから32から流体31を介して超音波振動を半田ボール5に付与することもできる。超音波を付与または印加することで、未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にし(取れやすくし)、流体31の圧力で未接合半田ボール5bを移動させて除去するので、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。
Further, when a liquid such as water or a cleaning liquid is used for the fluid 31, ultrasonic vibration can be applied to the
また、流体31にフラックスを溶解可能な液体または洗浄液(例えばアルカリ系洗浄液)を用いることもできる。未接合半田ボール5bはフラックスによってテープ基板3のバンプランド3gに付着しているので、フラックスを溶解可能な洗浄液(流体31)を半田ボール5に供給することで、フラックスを溶解し、未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にし、流体31の圧力で未接合半田ボール5bを移動させて除去することができる。これにより、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。
Also, a liquid or a cleaning liquid (for example, an alkaline cleaning liquid) that can dissolve the flux in the fluid 31 can be used. Since the
また、流体31にエア(空気)のような気体を用いる場合、加熱した気体、例えばホットエア(加熱空気)を用いることもできる。未接合半田ボール5bはフラックスによってテープ基板3のバンプランド3gに付着しているので、ホットエアのような加熱した気体からなる流体31をノズル32から吐出して半田ボール5に当てることで、フラックスを加熱して溶かし(または粘度を低下させ)、未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にし、ホットエア(流体31)の圧力によって未接合半田ボール5bを移動させて除去することができる。これにより、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。なお、この際、半田ボール5の半田材料自身は溶融せず、フラックスの粘度が低下するような温度になるようにホットエア(流体31)の温度が調整される。また、流体31にエア(空気)またはホットエア(加熱空気)を用いれば、半導体装置の製造コストの低減も可能である。
In addition, when a gas such as air (air) is used for the fluid 31, a heated gas such as hot air (heated air) can also be used. Since the
流体31にホットエアのような加熱した気体を用いる代わりに、ステージ20にヒータなどの加熱装置を内蔵させ、ステージ20上に配置された半導体装置本体1aを加熱しながら、エア(空気)のような気体からなる流体31をノズル32から吐出して半田ボール5に当てることもできる。これにより、フラックスを加熱して溶かし(または粘度を低下させ)て未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にし、流体31の圧力によって未接合半田ボール5bを移動させて除去することができ、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。ステージ20を加熱する際には、半田ボール5の半田材料自身は溶融せず、フラックスの粘度が低下するような温度になるようにステージ20の温度が調整される。
Instead of using a heated gas such as hot air for the fluid 31, a heating device such as a heater is built in the
また、ノズル32の高さを可変する高さ制御手段(軸)を設け、手動または自動でノズル32の高さを制御(高さ制御)することができる。また、ノズル32を移動させる速度を可変とし、所定の値に制御(速度制御)することができる。また、ノズル32の取り付け部にノズルの角度を可変とする部材を設けるなどしてノズル32の角度を可変とし、テープ基板3の裏面3bに対して供給される流体31の角度を所定の値に制御(角度制御)することができる。これらは、半田ボール5の直径やピッチなどに応じて調整することができ、未接合半田ボール5bを的確に除去できる条件で、半田ボール5のスクリーニングを行うことができる。
Further, a height control means (shaft) for changing the height of the
(実施の形態3)
図15および図16は、本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程(ステップS8)の説明図(要部側面図)であり、上記実施の形態1における図10〜図12の部分拡大図に対応する。
(Embodiment 3)
FIGS. 15 and 16 are explanatory views (side views of essential parts) of the screening step (step S8) in another embodiment of the present invention, and are partially enlarged views of FIGS. 10 to 12 in the first embodiment. Correspond.
本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ステップS8のスクリーニング工程(半田ボール5のスクリーニング工程)以外については上記実施の形態1と同様であるので、ここではその説明を省略する。 The present embodiment is the same as the first embodiment except for the screening process of step S8 (the screening process of the solder balls 5) in the structure of the semiconductor device and the manufacturing process of the semiconductor device. Is omitted.
本実施の形態では、ステップS5およびステップS6で半導体装置本体1a(のテープ基板3のバンプランド3g)に外部端子としての半田ボール5を接合した後、ステップS8に示すスクリーニング工程において、一つの部材を用いて複数の半田ボール5に順々に外力(移動力)を作用させていくのではなく、複数の半田ボール5にそれぞれ対応する複数の部材を用いて一度に複数の半田ボール5に対して外力(移動力)を作用させて半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを除去する。例えば、図15に示されるように、ステージ20上にテープ基板3(多数個取り基板13)を半田ボール5が上方を向くように配置し、半田ボール5のピッチに対応してソケット端子41が設けられた支持板(支持部材)42を準備し、この支持板42を近づけて各ソケット端子41で半田ボール5を挟み込む。ソケット端子41で挟み込まれた半田ボール5には、ソケット端子41によって横からの外力(移動力)が加えられる。
In this embodiment, after joining the
この際、ソケット端子41に接触して挟み込もうとされた半田ボール5が、未接合半田ボール5bであれば、その未接合半田ボール5bはソケット端子41によって加えられた外力によってテープ基板3のバンプランド3gから離れ、それによって未接合半田ボール5bを除去することができる(欠落させることができる)。また、ソケット端子41に接触して挟み込もうとされた半田ボール5が、リフローによってテープ基板3のバンプランド3gに適切に取り付けられた(接合した)良品半田ボール5aであれば、半田接合による接続強度が高いため、ソケット端子41によって外力が加えられてもテープ基板3のバンプランド3gから離れることはなく、除去されない(欠落しない)。
At this time, if the
それから、図16に示されるように、支持板42を上方に移動してテープ基板3(多数個取り基板13)から離れさせると、支持板42とともにソケット端子41も上方に移動して各半田ボール5から各ソケット端子41が離れる。この際、ソケット端子41に挟み込まれていた半田ボール5がテープ基板3のバンプランド3gに適切に取り付けられた(接合した)良品半田ボール5aであれば、半田接合による接続強度が高いため、ソケット端子41が上方に移動してもテープ基板3のバンプランド3gから離れない。
Then, as shown in FIG. 16, when the
このようにして、各半田ボール5にそれに対応するソケット端子41を作用させて、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを半導体装置本体1aから除去する(欠落させる)ことができる。
In this manner, the
本実施の形態とは異なり、例えばゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボール5に横からの剪断力(移動力)を与えて半田ボール5のスクリーニングを行った場合は、弾性シートが摩耗するなどして一部の半田ボール5に弾性シートがうまく接触せず、外力が加わらない半田ボール5が生じてしまい、スクリーニング工程後に未接合半田ボール5bの一部が除去されずにテープ基板3のバンプランド3g上に残存してしまう可能性がある。
Unlike the present embodiment, for example, when the
本実施の形態では、複数の半田ボール5に対応して複数のソケット端子41を設け、半田ボール5のそれぞれに同時にソケット端子41を接触させて外力を作用させる。このため、全部の半田ボール5に対してソケット端子41によって外力を作用させることができ、外力が加わらない半田ボール5が生じるのを防止することができる。従って、全ての未接合半田ボール5bに外力を作用させ、的確に除去することが可能となる。これにより、半田ボール5のスクリーニングの精度を向上することができる。
In the present embodiment, a plurality of
また、フラックスを溶解可能な洗浄液(例えばアルカリ系洗浄液)を用いて洗浄処理を行いながら、ステップS8の半田ボール5のスクリーニング工程を行うこともできる。未接合半田ボール5bはフラックスによってテープ基板3のバンプランド3gに付着しているので、フラックスを溶解可能な洗浄液を半田ボール5に供給することで、フラックスを溶解して未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にした状態で、上記のようにして半田ボール5のスクリーニングを行って未接合半田ボール5bを移動させて除去することができる。これにより、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。
In addition, the screening process of the
(実施の形態4)
図17は、本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程(ステップS8)の説明図であり、上記実施の形態1における図10〜図12に対応する。
(Embodiment 4)
FIG. 17 is an explanatory diagram of the screening step (step S8) in another embodiment of the present invention, and corresponds to FIGS. 10 to 12 in the first embodiment.
本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ステップS8のスクリーニング工程(半田ボール5のスクリーニング工程)以外については上記実施の形態1と同様であるので、ここではその説明を省略する。なお、上記実施の形態1では、ステップS3の樹脂封止工程において多数個取り基板13の各テープ基板3の領域をそれぞれ樹脂封止し、封止部7をテープ基板3毎に、すなわち半導体装置本体1a毎に個別に形成した場合について説明したが、本実施の形態では、図17に示されるように、多数個取り基板13を構成する複数のテープ基板3の領域全体を覆うように一括して樹脂封止を行い、複数の複数のテープ基板3、すなわち複数の半導体装置本体1aに対して一括して封止部7を形成している。このため、ステップS9のテープカット工程においては、多数個取り基板13とともに封止部7も半導体装置領域(CSP領域)毎に切断され、個々の半導体装置本体1a、すなわち半導体装置1に切断分離される。
The present embodiment is the same as the first embodiment except for the screening process of step S8 (the screening process of the solder balls 5) in the structure of the semiconductor device and the manufacturing process of the semiconductor device. Is omitted. In the first embodiment, the region of each
本実施の形態では、ステップS5およびステップS6で半導体装置本体1a(のテープ基板3のバンプランド3g)に外部端子としての半田ボール5を接合した後、ステップS8に示すスクリーニング工程において、テープ基板3(多数個取り基板13)をステージ(載置台)50上に半田ボール5が上方を向くように配置するが、図17に示されるように、このステージ50には真空吸着用の吸着穴50aが形成されている。ステージ50上にテープ基板3を配置し、吸着穴50aから吸引して封止部7を真空吸着することで、封止部7およびテープ基板3(すなわち半導体装置本体1a)を固定する。そして、半導体装置本体1aを吸着して固定した状態で、半田ボール5のスクリーニングを行う。
In this embodiment, after the
半導体装置本体1a(封止部7)を吸着し固定した状態で半田ボール5のスクリーニングを行うこと以外は、上記実施の形態1〜3と同様にして半田ボール5のスクリーニングを行うことができる。例えば、スクリーニング部材として、上記実施の形態1のように粘着テープ21や粘着ローラ22のような粘着物を用いて行うことができ、上記実施の形態2のようにノズル32から吐出された流体31を用いて行うことができ、あるいは上記実施の形態3のように半田ボール5に対応して設けられた複数のソケット端子41を用いて行うことができるが、ここではその詳しい説明は省略する。
The
半田ボール5のスクリーニングの際に封止部7が反っていると、テープ基板3も反ってしまい、各半田ボール5に加わる負荷(移動力)が不均一になる可能性がある。このため、スクリーニング工程後に未接合半田ボール5bの一部が除去されずにテープ基板3のバンプランド3g上に残存してしまう可能性がある。本実施の形態では、封止部7を真空吸着しながら半田ボール5のスクリーニングを行うので、半田ボール5のスクリーニングの際に封止部7およびテープ基板3(すなわち半導体装置本体1a)が反るのを防止することができる。このため、半田ボール5のスクリーニングの際に各半田ボール5に加わる負荷(移動力)をより均一にすることができ、未接合半田ボール5bをより的確に除去することができる。従って、半田ボール5のスクリーニングの精度を向上することができる。
If the sealing
また、封止部7の平面寸法が大きな半導体装置を製造する際には、封止部7が反りやすくなるので、本実施の形態を適用すればより好適である。また、MAP(Mold Array Package)形態の半導体装置は、切断前は封止部(封止樹脂部)の平面寸法が大きく、反りやすいので、MAP(Mold Array Package)形態の半導体装置の製造工程に本実施の形態を適用し、半田ボールの形成後、封止部の切断前に、封止部を吸着しながら半田ボールのスクリーニングを行えば、特に効果が大きい。
In addition, when manufacturing a semiconductor device having a large planar size of the sealing
また、ステージ50にヒータなどの加熱装置を内蔵させ、半導体装置本体1aを加熱しながら半田ボール5のスクリーニングを行うこともできる。未接合半田ボール5bはフラックスによってテープ基板3のバンプランド3gに付着しているので、ステージ50を加熱することによってステージ50上に配置された半導体装置本体1aに付着しているフラックスを加熱して溶かし(または粘度を低下させ)、未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にすることができる。このような状態で半田ボール5のスクリーニングを行うことで、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。従って、半田ボール5のスクリーニングの精度を向上することができる。なお、ステージ50を加熱する際には、半田ボール5の半田材料自身は溶融せず、フラックスの粘度が低下するような温度になるようにステージ50の温度が調整される。
In addition, a heating device such as a heater can be incorporated in the
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
前記実施の形態では、CSP形態の半導体装置に適用した場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、外部端子を接合した構造を有した半導体装置であれば、BGA(Ball Grid Array)や、半導体ウェハ状態で再配線を形成してボール電極が設けられた後にダイシングされて製造されたウェハレベルパッケージなどの種々の半導体パッケージ形態の半導体装置に適用することができる。 In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a CSP type semiconductor device has been described. However, the present invention is not limited to this, and any semiconductor device having a structure in which external terminals are joined may be used. It can be applied to semiconductor devices in various semiconductor package forms such as a ball grid array) or a wafer level package manufactured by dicing after forming rewiring in a semiconductor wafer state and providing ball electrodes.
また、前記実施の形態では、半導体装置の外部端子として半田ボール5を用いた場合について説明したが、半田ボール以外のボール電極、例えば、金や銅などのボール電極を半導体装置の外部端子として用いた場合についても適用でき、また、外部端子としてボール電極以外の電極または端子、例えばリード端子などを用いた場合についても適用できる。
In the above embodiment, the case where the
前記実施の形態では、半導体装置に用いられるチップ支持基板がポリイミドテープなどからなる薄膜のテープ基板3の場合を説明したが、前記チップ支持基板は、ガラス入りエポキシ樹脂などによって形成された基板などの種々の基板を用いることができる。
In the embodiment, the case where the chip support substrate used in the semiconductor device is a thin
また、前記実施の形態では、複数のテープ基板3を有した多連のテープ状の多数個取り基板13から個々の半導体装置を製造する場合について説明したが、前記多連のテープ状の多数個取り基板13は必ずしも使用しなくてもよく、予め半導体装置1の1個分に切断分離されたテープ基板3を準備して、このテープ基板3を用い、かつ半田ボール5のスクリーニングを行って半導体装置1を製造することもできる。
In the above embodiment, the case where individual semiconductor devices are manufactured from the multiple tape-shaped
本発明は、例えばボール電極のような外部端子を接合した構造を有する半導体装置に適用して有効である。 The present invention is effective when applied to a semiconductor device having a structure in which external terminals such as ball electrodes are joined.
1 半導体装置
1a 半導体装置本体
2 半導体チップ
2a 電極
2b 表面
2c 裏面
3 テープ基板
3a チップ支持面
3b 裏面
3c 接続端子
3d レジスト膜
3e 配線リード
3f テープ基材
3g バンプランド
4 ボンディングワイヤ
5 半田ボール
5a 良品半田ボール
5b 未接合半田ボール
6 ダイボンド材
7 封止部
13 多数個取り基板
17 マーク
20 ステージ
21 粘着テープ
21a 表面
22 粘着ローラ
22a 表面
31 流体
32 ノズル
41 ソケット端子
42 支持板
50 ステージ
50a 吸着穴
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記複数の外部端子に粘着物を接触させてから前記粘着物を移動させて、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Bonding a plurality of external terminals to a semiconductor device body having a semiconductor chip;
Removing the unjoined external terminals that are not joined to the semiconductor device body from among the external terminals by moving the sticky substance after bringing the sticky substance into contact with the plurality of external terminals;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記複数の外部端子に流体を衝突させて、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Bonding a plurality of external terminals to a semiconductor device body having a semiconductor chip;
A step of causing a fluid to collide with the plurality of external terminals and removing unjoined external terminals that are not joined to the semiconductor device body among the external terminals;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記複数の外部端子にそれぞれ対応する複数の部材を用意し、前記複数の部材をそれぞれ対応する前記外部端子に接触させて外力を印加し、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Bonding a plurality of external terminals to a semiconductor device body having a semiconductor chip;
A plurality of members respectively corresponding to the plurality of external terminals are prepared, an external force is applied by bringing the plurality of members into contact with the corresponding external terminals, and the external terminals are not joined to the semiconductor device body. Removing unbonded external terminals;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記半導体装置本体を吸着しながら前記複数の外部端子に外力を印加して、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Bonding a plurality of external terminals to a semiconductor device body having a semiconductor chip;
Applying an external force to the plurality of external terminals while adsorbing the semiconductor device body, and removing unbonded external terminals not bonded to the semiconductor device body among the external terminals;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
加熱しながら前記複数の外部端子に外力を印加して、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 Bonding a plurality of external terminals to a semiconductor device body having a semiconductor chip;
Applying an external force to the plurality of external terminals while heating to remove unbonded external terminals that are not bonded to the semiconductor device body among the external terminals;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
Priority Applications (1)
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| JP2003394032A JP2005158944A (en) | 2003-11-25 | 2003-11-25 | Manufacturing method of semiconductor device |
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| JP2005158944A true JP2005158944A (en) | 2005-06-16 |
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| Country | Link |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009267353A (en) * | 2007-12-19 | 2009-11-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Conductive ball removing method, conductive ball mounting method, conductive ball removing apparatus, and conductive ball mounting apparatus |
| JP2010147411A (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Athlete Fa Kk | Substrate correcting device |
| US7854366B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-12-21 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of mounting conductive ball and conductive ball mounting apparatus |
-
2003
- 2003-11-25 JP JP2003394032A patent/JP2005158944A/en active Pending
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