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JP2005158944A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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JP2005158944A
JP2005158944A JP2003394032A JP2003394032A JP2005158944A JP 2005158944 A JP2005158944 A JP 2005158944A JP 2003394032 A JP2003394032 A JP 2003394032A JP 2003394032 A JP2003394032 A JP 2003394032A JP 2005158944 A JP2005158944 A JP 2005158944A
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JP
Japan
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semiconductor device
solder ball
solder balls
solder
external terminals
Prior art date
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Pending
Application number
JP2003394032A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidemi Ozawa
英美 小澤
Mitsuru Kinoshita
満 木下
Tsuguhiko Hirano
次彦 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Technology Corp
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Renesas Northern Japan Semiconductor Inc
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Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp, Renesas Northern Japan Semiconductor Inc filed Critical Renesas Technology Corp
Priority to JP2003394032A priority Critical patent/JP2005158944A/en
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    • H10W72/0198
    • H10W72/884

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

【課題】 外部端子のスクリーニングの精度を向上し、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止する。
【解決手段】 半導体装置本体1aのテープ基板3のバンプランドに外部端子としての半田ボール5を接合した後、粘着ローラや粘着テープ21のような粘着物を半田ボール5に接触させてから移動させることで、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを除去し、半田ボール5のスクリーニングを行う。あるいは、ノズルから吐出された流体を半田ボール5に衝突させることで、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを除去し、半田ボール5のスクリーニングを行う。
【選択図】 図11
PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the accuracy of screening of external terminals and reliably prevent outflow of defective products to a subsequent process due to external terminal non-joining.
A solder ball 5 as an external terminal is joined to a bump land of a tape substrate 3 of a semiconductor device body 1a, and then an adhesive such as an adhesive roller or an adhesive tape 21 is brought into contact with the solder ball 5 and then moved. Thus, the unbonded solder balls 5b in the solder balls 5 are removed, and the solder balls 5 are screened. Alternatively, the fluid ejected from the nozzle is caused to collide with the solder ball 5 to remove the unbonded solder ball 5b from the solder ball 5, and the solder ball 5 is screened.
[Selection] FIG.

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、ボール電極のような外部端子を接合した構造を有する半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a manufacturing technique of a semiconductor device, and more particularly to a technique effective when applied to a manufacturing technique of a semiconductor device having a structure in which external terminals such as ball electrodes are joined.

半導体集積回路が形成された半導体チップを有する半導体装置において、外部端子として半田などからなるボール電極(半田ボール)が設けられ、かつ半導体チップを支持するチップ支持基板(例えば、テープ基板など)を備えたものの一例として、CSP(Chip Size Package)と呼ばれるチップサイズもしくは半導体チップより僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージが知られている。   A semiconductor device having a semiconductor chip on which a semiconductor integrated circuit is formed includes a ball electrode (solder ball) made of solder or the like as an external terminal, and a chip support substrate (for example, a tape substrate) that supports the semiconductor chip. As an example, a small semiconductor package called a CSP (Chip Size Package) or a size slightly larger than a semiconductor chip is known.

前記CSPの主な組み立て工程は、半導体チップ(ペレット)をテープ基板にマウントするダイボンディング工程、半導体チップの表面電極とテープ基板の接続端子とを接続するワイヤボンディング工程、半導体チップを樹脂封止するモールド工程、外部端子である半田ボールをテープ基板の所定箇所に整列させて配置するボール付け工程、半田ボールをテープ基板のバンプランドに接続するリフロー工程、多数個取り基板を個片に切断するテープカット工程などである。   The main assembly process of the CSP includes a die bonding process for mounting a semiconductor chip (pellet) on a tape substrate, a wire bonding process for connecting a surface electrode of the semiconductor chip and a connection terminal of the tape substrate, and resin-sealing the semiconductor chip. A molding process, a ball attaching process in which solder balls as external terminals are arranged and arranged at predetermined locations on a tape substrate, a reflow process in which solder balls are connected to bump lands of the tape substrate, and a tape for cutting a multi-piece substrate into individual pieces Such as a cutting process.

前記した技術のCSPの組み立てにおいては、リフロー工程で半田ボールをテープ基板のバンプランドに接続する際に、バンプランドと半田ボールとの間に異物が入り込んでいると、半田とバンプランドとの合金層形成が阻害され、その結果、このような半田ボールは、バンプランドに未接合状態となる。これにより、未接合状態で後工程に流れると、後工程の途中で半田ボールが欠落して、その結果、半田ボール未接合による不良が後工程で発見されることが問題となる。つまり、半田ボール未接合による不良品が後工程に流出すると、後工程での作業効率が低下することが問題となる。さらに、半田ボール未接合による不良品が客先に流出する場合があり、その結果、製品の信頼性が低下することが問題となる。このため、ボール電極未接合による不良品の後工程への流出防止と製品の信頼性向上を図ることが望まれる。   In the assembly of the CSP of the above-described technology, when a foreign matter enters between the bump land and the solder ball when the solder ball is connected to the bump land of the tape substrate in the reflow process, an alloy of the solder and the bump land. Layer formation is hindered, and as a result, such solder balls are not bonded to the bump lands. As a result, when a non-bonded state flows to the post-process, the solder ball is lost during the post-process, and as a result, a defect due to the solder ball non-bonding being found in the post-process becomes a problem. That is, if a defective product due to solder ball non-joining flows out to the post-process, there is a problem that work efficiency in the post-process decreases. Furthermore, a defective product due to solder ball non-bonding may flow out to the customer, resulting in a problem that the reliability of the product is lowered. For this reason, it is desired to prevent outflow of defective products due to unbonded ball electrodes to the subsequent process and to improve product reliability.

特開2001−358163号公報には、リフローによってCSP本体のテープ基板に複数の半田ボールを設け、その後、半田ボールのうちテープ基板に接合していない未接合半田ボールを移動させることが可能な移動力を付与するとともに半田より柔らかい材料からなる導電性の弾性シート部材を用い、弾性シート部材をそれぞれの半田ボールに接触させて前記移動力を付与して未接合半田ボールを除去することにより、ボール電極未接合による不良品の後工程への流出を防止する技術が記載されている(特許文献1参照)。
特開2001−358163号公報
In Japanese Patent Laid-Open No. 2001-358163, a plurality of solder balls are provided on a tape substrate of a CSP main body by reflow, and thereafter, unjoined solder balls that are not bonded to the tape substrate can be moved among the solder balls. A ball is formed by using a conductive elastic sheet member made of a material softer than solder and imparting a force, bringing the elastic sheet member into contact with each solder ball and applying the moving force to remove unbonded solder balls. A technique for preventing a defective product from flowing out into a subsequent process due to electrode non-bonding is described (see Patent Document 1).
JP 2001-358163 A

本発明者の検討によれば、次のことが分かった。   According to the study of the present inventor, the following has been found.

例えばゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボールに横からの剪断力(移動力)を与えて半田ボールのスクリーニングを行った場合は、各半田ボールに作用する剪断力(移動力)が均一にならずに、スクリーニング工程後に未接合半田ボールの一部が除去されずにテープ基板のバンプランド上に残存してしまう可能性がある。これは、半田ボールのスクリーニングの精度を低下させる可能性がある。このため、半田ボールのスクリーニングの精度を更に向上し、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出をより確実に防止することが望まれる。   For example, when a solder ball is screened by applying a lateral shearing force (moving force) to the solder ball using an elastic sheet such as a rubber sheet, the shearing force (moving force) acting on each solder ball is There is a possibility that a part of the unbonded solder ball is not removed after the screening process and remains on the bump land of the tape substrate without being uniform. This can reduce the accuracy of solder ball screening. For this reason, it is desirable to further improve the accuracy of solder ball screening and more reliably prevent the outflow of defective products due to unbonded solder balls to the subsequent process.

本発明の目的は、外部端子のスクリーニングの精度を向上し、半導体装置の外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止できる技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique capable of improving the accuracy of screening of external terminals and reliably preventing outflow of defective products to a subsequent process due to unbonded external terminals of a semiconductor device.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

本発明は、半導体装置本体に接合した外部端子に粘着物を接触させてから粘着物を移動させ、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うものである。   The present invention moves the adhesive after bringing the adhesive into contact with the external terminal bonded to the semiconductor device body, and removes the unbonded external terminal that is not bonded to the semiconductor device body from the external terminals. Screening.

また、本発明は、半導体装置本体に接合した外部端子に流体を衝突させて、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うものである。   The present invention also screens external terminals by causing fluid to collide with external terminals bonded to the semiconductor device body and removing unbonded external terminals that are not bonded to the semiconductor device body among the external terminals. It is.

また、本発明は、半導体装置本体に接合した複数の外部端子にそれぞれ対応する複数の部材を接触させて外力を印加し、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うものである。   Further, the present invention applies an external force by bringing a plurality of members corresponding to a plurality of external terminals bonded to the semiconductor device body into contact with each other, and unbonded external terminals that are not bonded to the semiconductor device body among the external terminals. The external terminals are screened by removing them.

また、本発明は、半導体装置本体を吸着しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うものである。   The present invention also screens external terminals joined to the semiconductor device body while adsorbing the semiconductor device body.

また、本発明は、半導体装置本体を加熱しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うものである。   The present invention also screens external terminals joined to the semiconductor device body while heating the semiconductor device body.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。   Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

半導体装置本体に接合した外部端子に粘着物を接触させてから粘着物を移動させ、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。   Screening of external terminals is performed by moving the adhesive after the adhesive is brought into contact with the external terminals bonded to the semiconductor device body, and removing unbonded external terminals that are not bonded to the semiconductor device main body from the external terminals. As a result, the accuracy of screening of the external terminals can be improved. Further, it is possible to reliably prevent outflow of defective products to the subsequent process due to external terminal non-joining.

また、半導体装置本体に接合した外部端子に流体を衝突させて、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。   In addition, the external terminals are screened by causing the fluid to collide with the external terminals joined to the semiconductor device body, removing the unjoined external terminals that are not joined to the semiconductor device body, and screening the external terminals. The accuracy of screening can be improved. Further, it is possible to reliably prevent outflow of defective products to the subsequent process due to external terminal non-joining.

また、半導体装置本体に接合した複数の外部端子にそれぞれ対応する複数の部材を接触させて外力を印加し、外部端子のうち半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去して、外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。   Further, by applying an external force by contacting a plurality of members corresponding to a plurality of external terminals bonded to the semiconductor device body, removing unbonded external terminals not bonded to the semiconductor device body among the external terminals, By screening the external terminals, it is possible to improve the accuracy of the external terminal screening. Further, it is possible to reliably prevent outflow of defective products to the subsequent process due to external terminal non-joining.

また、半導体装置本体を吸着しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。   Further, by screening the external terminals joined to the semiconductor device body while adsorbing the semiconductor device body, it is possible to improve the accuracy of the screening of the external terminals. Further, it is possible to reliably prevent outflow of defective products to the subsequent process due to external terminal non-joining.

また、半導体装置本体を加熱しながら、半導体装置本体に接合した外部端子のスクリーニングを行うことにより、外部端子のスクリーニングの精度を向上することができる。また、外部端子未接合による不良品の後工程への流出を確実に防止することができる。   Further, by screening the external terminals joined to the semiconductor device body while heating the semiconductor device body, the accuracy of the external terminal screening can be improved. Further, it is possible to reliably prevent outflow of defective products to the subsequent process due to external terminal non-joining.

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションに分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。   In the following embodiment, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections. However, unless otherwise specified, they are not irrelevant to each other, and one is a part of the other or All the modifications, details, supplementary explanations, and the like are related. Further, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), especially when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and may be more or less than the specific number. Further, in the following embodiments, the constituent elements (including element steps and the like) are not necessarily indispensable unless otherwise specified and apparently essential in principle. Needless to say. Similarly, in the following embodiments, when referring to the shapes, positional relationships, etc. of the components, etc., the shapes are substantially the same unless otherwise specified, or otherwise apparent in principle. And the like are included. The same applies to the above numerical values and ranges.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof will be omitted. In the following embodiments, the description of the same or similar parts will not be repeated in principle unless particularly necessary.

また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。   In the drawings used in the embodiments, hatching may be omitted even in a cross-sectional view so as to make the drawings easy to see. Further, even a plan view may be hatched to make the drawing easy to see.

(実施の形態1)
本実施の形態の半導体装置の製造方法を図面を参照して説明する。
(Embodiment 1)
A method for manufacturing the semiconductor device of the present embodiment will be described with reference to the drawings.

図1は、本実施の形態の半導体装置の製造方法に従って製造された半導体装置の一例であるCSP(Chip Size Package)形態の半導体装置の構造を示す断面図である。図2は、本実施の形態の半導体装置の製造工程(製造方法)の一例を示す製造プロセスフロー図であり、図3〜図9は、本実施の形態の半導体装置の製造工程(製造方法)を示す断面図(要部断面図)である。なお、図3〜図9は、図2の製造プロセスフロー図の各工程に対応する断面図が示されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a CSP (Chip Size Package) semiconductor device, which is an example of a semiconductor device manufactured according to the semiconductor device manufacturing method of the present embodiment. FIG. 2 is a manufacturing process flow chart showing an example of a manufacturing process (manufacturing method) of the semiconductor device of the present embodiment. FIGS. 3 to 9 are manufacturing processes (manufacturing method) of the semiconductor device of the present embodiment. It is sectional drawing (main part sectional drawing) which shows this. 3 to 9 are cross-sectional views corresponding to the respective steps of the manufacturing process flow diagram of FIG.

本実施の形態の半導体装置の製造方法は、例えばボール電極(半田ボール)のような外部端子を接合した構造の半導体装置の組み立てに関するものである。なお、本実施の形態では、図1に示されるような、例えばチップサイズもしくは半導体チップ2より僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージであるCSP形態の半導体装置1に本発明を適用した場合について説明する。   The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment relates to the assembly of a semiconductor device having a structure in which external terminals such as ball electrodes (solder balls) are joined. In the present embodiment, the case where the present invention is applied to a CSP type semiconductor device 1 which is a small semiconductor package having a chip size or slightly larger than the semiconductor chip 2 as shown in FIG. To do.

まず、図1に示される半導体装置1の構造について説明する。図1に示される半導体装置1は、半導体チップ2と、半導体チップ2を支持するチップ支持基板であるテープ基板3と、半導体チップ2の表面の複数の電極(ボンディングパッド、パッド電極)2aとこれに対応するテープ基板3の接続端子3cとを電気的に接続するボンディングワイヤ4と、テープ基板3のチップ支持面3aと反対側の面(以降、この面を裏面3bという)に外部端子としてエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール(ボール電極)5と、テープ基板3と半導体チップ1との間に配置されたダイボンド材(接合材)6と、半導体チップ2およびボンディングワイヤ4を樹脂封止して形成された封止部7とを備えている。   First, the structure of the semiconductor device 1 shown in FIG. 1 will be described. A semiconductor device 1 shown in FIG. 1 includes a semiconductor chip 2, a tape substrate 3 that is a chip support substrate that supports the semiconductor chip 2, a plurality of electrodes (bonding pads, pad electrodes) 2a on the surface of the semiconductor chip 2, and the same. The bonding wires 4 that electrically connect the connection terminals 3c of the tape substrate 3 corresponding to the above and the surface opposite to the chip support surface 3a of the tape substrate 3 (hereinafter, this surface is referred to as the back surface 3b) as an external terminal area A plurality of solder balls (ball electrodes) 5 provided in an array arrangement, a die bond material (bonding material) 6 arranged between the tape substrate 3 and the semiconductor chip 1, a semiconductor chip 2 and a bonding wire 4 are sealed with resin. And a sealing portion 7 formed to stop.

半導体チップ2は、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板(半導体ウエハ)に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ2に分離したものである。半導体チップ2は、その表面(半導体素子形成側の主面)2bが上方を向くようにテープ基板3のチップ支持面3a上に配置され、半導体チップ2の裏面(半導体素子形成側の面とは逆側の主面)2cがテープ基板3のチップ支持面3aにダイボンド材6を介して接着され固定されている。半導体チップ2をテープ基板3に固定しているダイボンド材6は、例えば、絶縁性の接着層であるが、導電性のペースト材などを用いてもよい。半導体チップ2の表面2bには、複数の電極2aが形成されており、電極2aは、半導体チップ2内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。   The semiconductor chip 2 is formed by forming various semiconductor elements or semiconductor integrated circuits on a semiconductor substrate (semiconductor wafer) made of, for example, single crystal silicon, and then grinding the back surface of the semiconductor substrate as necessary, followed by dicing or the like. The semiconductor substrate is separated into each semiconductor chip 2. The semiconductor chip 2 is disposed on the chip support surface 3a of the tape substrate 3 so that the surface (main surface on the semiconductor element forming side) 2b faces upward, and the back surface of the semiconductor chip 2 (what is the surface on the semiconductor element forming side) The main surface 2c on the opposite side is bonded and fixed to the chip support surface 3a of the tape substrate 3 via the die bond material 6. The die bond material 6 that fixes the semiconductor chip 2 to the tape substrate 3 is, for example, an insulating adhesive layer, but a conductive paste material or the like may be used. A plurality of electrodes 2a are formed on the surface 2b of the semiconductor chip 2, and the electrodes 2a are electrically connected to a semiconductor element or a semiconductor integrated circuit formed in the semiconductor chip 2 or on the surface layer portion.

テープ基板3には、例えば、ポリイミドなどからなるテープ基材3f上に銅箔材などによって形成されたバンプランド3gや配線リード3eおよび接続端子3cが設けられており、そのうち接続端子3cはボンディングワイヤ4との接続用に露出し、バンプランド3gや配線リード3eは絶縁膜であるレジスト膜3dによって覆われている。   The tape substrate 3 is provided with bump lands 3g, wiring leads 3e, and connection terminals 3c formed of a copper foil material on a tape base material 3f made of polyimide or the like, for example, the connection terminals 3c being bonding wires. The bump land 3g and the wiring lead 3e are covered with a resist film 3d which is an insulating film.

半導体チップ2の電極2aは、例えば金(Au)線などの金属細線などからなるボンディングワイヤ4を介してテープ基板3のチップ支持面3aに形成された接続端子3cと電気的に接続され、さらに、テープ基板3において、この接続端子3cと、外部端子である半田ボール5が搭載されたバンプランド3gとが配線リード3eによって接続されている。   The electrode 2a of the semiconductor chip 2 is electrically connected to a connection terminal 3c formed on the chip support surface 3a of the tape substrate 3 via a bonding wire 4 made of, for example, a fine metal wire such as a gold (Au) wire, In the tape substrate 3, the connection terminals 3c and the bump lands 3g on which the solder balls 5 as external terminals are mounted are connected by wiring leads 3e.

封止部7は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止部7を形成することができる。封止部7により、半導体チップ2およびボンディングワイヤ4が封止され、保護される。   The sealing portion 7 is made of, for example, a resin material such as a thermosetting resin material, and can include a filler. For example, the sealing portion 7 can be formed using an epoxy resin containing a filler. The semiconductor chip 2 and the bonding wire 4 are sealed and protected by the sealing portion 7.

次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法を、図2に示される製造プロセスフロー図および図3〜図9に示される断面図に従って説明する。なお、本実施の形態では、複数のテープ基板3が繋がって形成された多連のテープ状の多数個取り基板13を用いて個々の半導体装置1を製造する場合について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device of the present embodiment will be described with reference to a manufacturing process flow chart shown in FIG. 2 and cross-sectional views shown in FIGS. In the present embodiment, a case will be described in which individual semiconductor devices 1 are manufactured using a multiple tape-shaped multi-piece substrate 13 formed by connecting a plurality of tape substrates 3 together.

主面に所望の半導体素子または半導体集積回路が形成された半導体チップ2を準備し、さらに、半導体チップ2を支持可能なチップ支持面3aを個々に備えた複数のテープ基板3が形成された多連のテープ状の多数個取り基板13を準備する。   A semiconductor chip 2 having a main surface on which a desired semiconductor element or semiconductor integrated circuit is formed is prepared, and a plurality of tape substrates 3 each having a chip support surface 3a capable of supporting the semiconductor chip 2 are formed. A series of tape-shaped multi-piece substrate 13 is prepared.

次に、図3に示されるように、テープ基板3のチップ支持面3a上にダイボンド材6を介して半導体チップ2を接合(チップマウント、ダイボンディング)する(ステップS1)。例えば、テープ基板3のチップ支持面3aのほぼ中央部にダイボンド材6を塗布してチップ固定用の接着層を形成し、ダイボンド材6上に半導体チップ2を載置し、加熱などを行って、ダイボンド材6と半導体チップ2の裏面2cとを接合する。   Next, as shown in FIG. 3, the semiconductor chip 2 is bonded (chip mount, die bonding) to the chip support surface 3a of the tape substrate 3 via the die bonding material 6 (step S1). For example, a die bonding material 6 is applied to the substantially central portion of the chip support surface 3a of the tape substrate 3 to form an adhesive layer for fixing the chip, the semiconductor chip 2 is placed on the die bonding material 6, and heated. The die bond material 6 and the back surface 2c of the semiconductor chip 2 are joined.

次に、図4に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ2の各電極2aと、これに対応するテープ基板3に形成された接続端子3cとをボンディングワイヤ4を介して電気的に接続する(ステップS2)。   Next, as shown in FIG. 4, a wire bonding step is performed to electrically connect each electrode 2 a of the semiconductor chip 2 and the corresponding connection terminal 3 c formed on the tape substrate 3 through the bonding wire 4. (Step S2).

次に、図5に示されるように、モールド工程(例えばトランスファモールド工程)による樹脂封止を行って封止部7を形成し、半導体チップ2およびボンディングワイヤ4を封止部7によって封止する(ステップS3)。封止部7は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止部7を形成することができる。   Next, as shown in FIG. 5, resin sealing is performed by a molding process (for example, transfer molding process) to form the sealing portion 7, and the semiconductor chip 2 and the bonding wire 4 are sealed by the sealing portion 7. (Step S3). The sealing portion 7 is made of, for example, a resin material such as a thermosetting resin material, and can include a filler. For example, the sealing portion 7 can be formed using an epoxy resin containing a filler.

次に、図6に示されるように、マーキングを行って、封止部7の表面に製品番号などのマーク17を付す(ステップS4)。   Next, as shown in FIG. 6, marking is performed and a mark 17 such as a product number is attached to the surface of the sealing portion 7 (step S4).

次に、図7に示されるように、半導体チップ2を有した半導体装置本体(CSP本体)1aのテープ基板3に、外部端子としての複数の半田ボール5を配置する。ここでは、多数個取り基板13のテープ基板3の裏面3bを上方に向け、そこに、半田ボール5を供給して、ボール付けを行う(ステップS5)。その際、所定位置にマトリクス状に複数の貫通孔が形成されたマスク部材などを用いて複数の半田ボール5をテープ基板3の裏面3b上の所定箇所に整列させて配置する。   Next, as shown in FIG. 7, a plurality of solder balls 5 as external terminals are arranged on the tape substrate 3 of the semiconductor device body (CSP body) 1 a having the semiconductor chip 2. Here, the back surface 3b of the tape substrate 3 of the multi-chip substrate 13 is directed upward, and the solder balls 5 are supplied thereto to perform ball attachment (step S5). At that time, a plurality of solder balls 5 are arranged at predetermined positions on the back surface 3b of the tape substrate 3 using a mask member or the like in which a plurality of through holes are formed in a matrix at predetermined positions.

なお、各半田ボール5には、フラックスを塗布し、このフラックスによって半田ボール5を仮固定する(転写する)。ここで、フラックスは、半田の酸化皮膜を除去するとともに、再酸化を防止して表面の清浄度を保つものである。   A flux is applied to each solder ball 5, and the solder ball 5 is temporarily fixed (transferred) by this flux. Here, the flux removes the oxide film of the solder and prevents reoxidation to keep the surface clean.

次に、図8に示されるように、半導体装置本体1aのテープ基板3に複数の半田ボール5を設けるリフロー処理を行う(ステップS6)。ここでは、それぞれの半田ボール5がフラックスによって仮固定された多連のテープ状の多数個取り基板13を図示しないリフロー炉などに通し、これによって、半田を溶融して半田ボール5とバンプランド3gとを接合する。このようにして、半導体装置本体1aに外部端子としての半田ボール5が接合される。   Next, as shown in FIG. 8, a reflow process for providing a plurality of solder balls 5 on the tape substrate 3 of the semiconductor device body 1a is performed (step S6). Here, a plurality of tape-shaped multi-chip substrate 13 in which each solder ball 5 is temporarily fixed by a flux is passed through a reflow furnace or the like (not shown), thereby melting the solder and solder ball 5 and bump land 3g. And join. In this way, the solder balls 5 as external terminals are joined to the semiconductor device body 1a.

次に、フラックス洗浄を行って、テープ基板3の裏面3bに設けられた各半田ボール5を洗浄し、これによって、半田ボール5の表面に付いたフラックスを取り除く(ステップS7)。   Next, flux cleaning is performed to clean each solder ball 5 provided on the back surface 3b of the tape substrate 3, thereby removing the flux attached to the surface of the solder ball 5 (step S7).

次に、外部端子である半田ボール5のスクリーニングを行う(ステップS8)。すなわち、ステップS6のリフロー工程とステップS7のフラックス洗浄工程とを終えた多数個取り基板13上の半導体装置本体1aに接合された(設けられた)半田ボール5のうち、テープ基板3のバンプランド3gに接合していない未接合半田ボール(未接合の外部端子、後述する未接合半田ボール5bに対応)をスクリーニングによって取り除くものである。   Next, the solder balls 5 that are external terminals are screened (step S8). That is, the bump land of the tape substrate 3 among the solder balls 5 bonded (provided) to the semiconductor device main body 1a on the multi-chip substrate 13 that has undergone the reflow process of step S6 and the flux cleaning process of step S7. Unbonded solder balls not bonded to 3g (unbonded external terminals, corresponding to unbonded solder balls 5b described later) are removed by screening.

未接合半田ボール(未接合半田ボール5b)は、例えば、リフローによる半田接続を行う際に、テープ基板3のバンプランド3gと半田ボール5との間に異物などが入り込んでいると、半田とバンプランド3gとの合金層形成が阻害され、その結果、正常に接合されずに未接合状態(この状態は、見かけ上ではバンプランド3g上に配置されているが、極小さな荷重によって動く程度に配置された状態のこと)となってしまった半田ボールのことである。ステップS8に示すスクリーニング工程においては、半田ボール5のうち半導体装置本体1a(のテープ基板3のバンプランド3g)に接合していない未接合半田ボールを移動(欠落)させることが可能な移動力(外力)を付与する移動力付与手段(例えば後述する粘着テープ21や粘着ローラ22)を用い、その移動力付与手段によって半田ボール5に移動力(外力)を付与して未接合半田ボールを除去することで、未接合半田ボールをスクリーニングすることができる。   The unbonded solder ball (unbonded solder ball 5b), for example, when soldering is performed by reflow, if foreign matter or the like enters between the bump land 3g of the tape substrate 3 and the solder ball 5, the solder and bump As a result, the formation of an alloy layer with the land 3g is hindered, and as a result, it is not properly bonded but is not bonded (this state is apparently disposed on the bump land 3g, but is disposed so as to move by a very small load). It is a solder ball that has become a state of being applied. In the screening step shown in step S8, a moving force (which can move (miss)) unbonded solder balls that are not bonded to the semiconductor device body 1a (the bump lands 3g of the tape substrate 3) of the solder balls 5 ( Using a moving force applying means (for example, an adhesive tape 21 or an adhesive roller 22 described later) for applying an external force, the moving force applying means applies a moving force (external force) to the solder balls 5 to remove unbonded solder balls. As a result, unbonded solder balls can be screened.

次に、図9に示されるように、多連のテープ状の多数個取り基板13においてそれぞれの半導体装置領域(CSP領域)を切断して個々の(個片化された)半導体装置本体1a、すなわち半導体装置(CSP)1に切断分離するテープカットを行う(ステップS9)。すなわち、切断・個片化を行って、図1に示されるような半導体装置1を製造することができる。   Next, as shown in FIG. 9, each semiconductor device region (CSP region) is cut in the multiple tape-like multi-piece substrate 13 to form individual (separated) semiconductor device main bodies 1 a, That is, a tape cut to be cut and separated into the semiconductor device (CSP) 1 is performed (step S9). That is, the semiconductor device 1 as shown in FIG. 1 can be manufactured by cutting and dividing.

次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程における上記ステップS8のスクリーニング工程についてより詳細に説明する。図10〜図12は、本実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。   Next, the screening process of step S8 in the semiconductor device manufacturing process of the present embodiment will be described in more detail. 10-12 is explanatory drawing of the screening process in this Embodiment.

本実施の形態では、ステップS5およびステップS6で半導体装置本体1a(のテープ基板3のバンプランド3g)に外部端子としての半田ボール5を接合した後、ステップS8に示すスクリーニング工程において、粘着物を半田ボール5に接触させてから移動させることで、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを除去する。例えば、図10に示されるように、ステージ(載置台)20上にテープ基板3(多数個取り基板13)を半田ボール5が上方を向くように配置し、その表面に粘着材を付与するなどして粘着面(粘着性の表面)21aを有する粘着テープ(粘着テープ材)21を準備し、この粘着テープ21の粘着面21aをテープ基板3(多数個取り基板13)の裏面3b上に貼り付けて、全ての半田ボール5に粘着テープ21の粘着性の表面21aを接触させてから、図11に示されるように粘着テープ21を剥がす(移動させる)。すなわち、粘着テープ21の粘着面21aを半田ボール5に接触させてから粘着テープ21を移動させる。   In this embodiment, after bonding the solder ball 5 as an external terminal to the semiconductor device main body 1a (the bump land 3g of the tape substrate 3) in step S5 and step S6, an adhesive is removed in the screening step shown in step S8. The solder ball 5b is moved after being brought into contact with the solder ball 5, whereby the unbonded solder ball 5b in the solder ball 5 is removed. For example, as shown in FIG. 10, the tape substrate 3 (multiple substrate 13) is arranged on a stage (mounting table) 20 so that the solder balls 5 face upward, and an adhesive is applied to the surface thereof. Then, an adhesive tape (adhesive tape material) 21 having an adhesive surface (adhesive surface) 21a is prepared, and the adhesive surface 21a of the adhesive tape 21 is pasted on the back surface 3b of the tape substrate 3 (multiple substrate 13). In addition, after the adhesive surface 21a of the adhesive tape 21 is brought into contact with all the solder balls 5, the adhesive tape 21 is peeled off (moved) as shown in FIG. That is, the adhesive tape 21 is moved after the adhesive surface 21 a of the adhesive tape 21 is brought into contact with the solder ball 5.

また、図12に示されるように、ステージ20上にテープ基板3(多数個取り基板13)を半田ボール5が上方を向くように配置し、粘着テープ21の代わりに、その表面に粘着材を付与するなどして粘着面(粘着性の表面)22aを有して回転可能な粘着ローラ22を準備し、全ての半田ボール5に粘着ローラ22の粘着面22aが接触するように、この粘着ローラ22をテープ基板3(多数個取り基板13)の裏面3b上でころがす。すなわち、半田ボール5に粘着ローラ22の粘着面22aを接触させ、粘着ローラ22を回転しながら移動させる。   In addition, as shown in FIG. 12, the tape substrate 3 (multiple substrate 13) is arranged on the stage 20 so that the solder balls 5 face upward, and an adhesive material is placed on the surface instead of the adhesive tape 21. A pressure-sensitive adhesive roller 22 having a pressure-sensitive adhesive surface (adhesive surface) 22 a is prepared, and the pressure-sensitive adhesive roller 22 is in contact with all the solder balls 5. 22 is rolled on the back surface 3b of the tape substrate 3 (multiple substrate 13). That is, the adhesive surface 22a of the adhesive roller 22 is brought into contact with the solder ball 5, and the adhesive roller 22 is moved while rotating.

このようにして、テープ基板3の裏面3bに設けられた全ての半田ボール5に粘着テープ21または粘着ローラ22のような粘着物を接触させてから移動させることで、半田ボール5には粘着物によって引っ張られる外力(移動力)が作用し、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを粘着物にくっつけて移動させ各半導体装置本体1aから除去する(欠落させる)ことができる。   In this way, the adhesive material such as the adhesive tape 21 or the adhesive roller 22 is brought into contact with all the solder balls 5 provided on the back surface 3b of the tape substrate 3 and moved so that the solder ball 5 has an adhesive material. The external force (moving force) pulled by the force acts, so that the unbonded solder ball 5b of the solder balls 5 can be attached to the adhesive and moved (removed) from each semiconductor device body 1a.

すなわち、粘着テープ21または粘着ローラ22に接触した半田ボール5が、上記のような未接合半田ボール5bであれば、その未接合半田ボール5bは粘着テープ21または粘着ローラ22の粘着力によって粘着テープ21の粘着面21bまたは粘着ローラ22の粘着面22aにくっついて粘着テープ21または粘着ローラ22とともに移動し、テープ基板3のバンプランド3gから離れる。これにより、図11や図12のように未接合半田ボール5bを各半導体装置本体1aから除去することができる。   That is, if the solder ball 5 in contact with the adhesive tape 21 or the adhesive roller 22 is the unbonded solder ball 5b as described above, the unbonded solder ball 5b is bonded to the adhesive tape by the adhesive force of the adhesive tape 21 or the adhesive roller 22. The adhesive surface 21b of the adhesive 21 or the adhesive surface 22a of the adhesive roller 22 moves together with the adhesive tape 21 or the adhesive roller 22, and moves away from the bump land 3g of the tape substrate 3. As a result, unbonded solder balls 5b can be removed from each semiconductor device body 1a as shown in FIGS.

また、粘着テープ21または粘着ローラ22に接触した半田ボール5が、リフローによってテープ基板3のバンプランド3gに適切に取り付けられた(接合した)良品半田ボール5a(良品のボール電極、良品の外部端子)であれば、半田接合による接続強度が高いため、図11や図12のように粘着テープ21または粘着ローラ22による粘着力が作用してもテープ基板3のバンプランド3gから離れることはなく、半導体装置本体1aから除去される(欠落される)ことはない。   In addition, the solder balls 5 in contact with the adhesive tape 21 or the adhesive roller 22 are appropriately attached (bonded) to the bump lands 3g of the tape substrate 3 by reflowing (good solder balls 5a (good ball electrodes, good external terminals). ), Since the connection strength by solder bonding is high, even if the adhesive force by the adhesive tape 21 or the adhesive roller 22 acts as shown in FIGS. 11 and 12, it does not leave the bump land 3g of the tape substrate 3. It is not removed (lost) from the semiconductor device body 1a.

このようにして、ステップS8のスクリーニング工程において、半田ボール5のうち、未接合半田ボール5bのみを除去することができる。これにより、半田ボール未接合による不良品を自工程(スクリーニングを含む半田ボール取り付け工程)で収束させることができ、その結果、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出を防止することができる。また、半田ボール未接合による不良品の後工程への流出を防止できるため、半田ボール5が後工程の途中で欠落することが無くなり、その結果、半田ボール未接合による不良品の客先への流出を防止できる。従って、製品(半導体装置1)の信頼性を向上できる。   In this way, only the unbonded solder balls 5b among the solder balls 5 can be removed in the screening step of Step S8. As a result, defective products due to unbonded solder balls can be converged in the self-process (solder ball mounting process including screening), and as a result, outflow of defective products due to unbonded solder balls can be prevented. it can. Further, since it is possible to prevent the defective product from flowing out to the subsequent process due to the solder ball not being joined, the solder ball 5 is not lost during the subsequent process, and as a result, the defective product due to the solder ball not joining to the customer is prevented. The outflow can be prevented. Therefore, the reliability of the product (semiconductor device 1) can be improved.

本実施の形態とは異なり、例えば粘着性を有さないゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボール5に横からの剪断力(移動力)を与えて半田ボール5のスクリーニングを行った場合は、各半田ボール5に作用する剪断力(移動力)が均一にならずに、スクリーニング工程後に未接合半田ボール5bの一部が除去されずにテープ基板3のバンプランド3g上に残存してしまう可能性がある。これは、半田ボール5のスクリーニングの精度を低下させる可能性がある。   Unlike the present embodiment, the solder ball 5 was screened by applying a lateral shearing force (moving force) to the solder ball 5 using, for example, an elastic sheet such as a non-adhesive rubber sheet. In this case, the shearing force (moving force) acting on each solder ball 5 is not uniform, and a part of the unbonded solder ball 5b remains on the bump land 3g of the tape substrate 3 without being removed after the screening process. There is a possibility that. This may reduce the accuracy of screening of the solder balls 5.

本実施の形態では、粘着テープ21や粘着ローラ22のような粘着物を用いて、半田ボール5のスクリーニングを行う。全ての半田ボール5に粘着物を接触させてその粘着力を作用させることが容易に実現でき、各半田ボール5に均一な粘着力を作用させ、均一な移動力を作用させることができる。このため、半田ボール5のうち、未接合半田ボール5bを的確に除去することができ、スクリーニング工程後に未接合半田ボール5bが除去されずにテープ基板3のバンプランド3g上に残存してしまうのを防止することができる。   In the present embodiment, the solder balls 5 are screened using an adhesive such as the adhesive tape 21 or the adhesive roller 22. It is possible to easily realize that the adhesive material is brought into contact with all the solder balls 5 to apply the adhesive force, and the uniform adhesive force can be applied to each solder ball 5 and the uniform moving force can be applied. For this reason, the unbonded solder ball 5b can be accurately removed from the solder balls 5, and the unbonded solder ball 5b remains on the bump land 3g of the tape substrate 3 without being removed after the screening process. Can be prevented.

また、本実施の形態では、粘着テープ21や粘着ローラ22のような粘着物の摩耗管理や交換が容易である。また、スクリーニングを行う毎に、粘着テープ21を新しいものに交換するなどして、各スクリーニング工程で常に均一で的確な粘着力を有する粘着面を半田ボール5に接触させて未接合半田ボール5bを除去することができる。また、スクリーニングを行う毎に、粘着ローラ22の清浄化を行うかあるいは粘着ローラ22に巻かれた粘着テープを剥がして新しい粘着面を露出させるなどして、各スクリーニング工程で常に均一で的確な粘着力を有する粘着面を半田ボール5に接触させて未接合半田ボール5bを除去することができる。このため、各スクリーニング工程で半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを的確に除去することができる。   In the present embodiment, wear management and replacement of an adhesive such as the adhesive tape 21 and the adhesive roller 22 are easy. Also, each time screening is performed, the adhesive tape 21 is replaced with a new one, and the adhesive surface having a uniform and accurate adhesive force is always brought into contact with the solder ball 5 in each screening process, so that the unbonded solder ball 5b is formed. Can be removed. Also, every time screening is performed, the adhesive roller 22 is cleaned, or the adhesive tape wound around the adhesive roller 22 is peeled off to expose a new adhesive surface. The unbonded solder ball 5b can be removed by bringing the pressure-sensitive adhesive surface into contact with the solder ball 5. For this reason, unbonded solder balls 5b in the solder balls 5 can be accurately removed in each screening step.

このように、本実施の形態では、半田ボール5のスクリーニングの精度を向上し、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを的確に除去することができるので、半田ボール5のような外部端子の未接合による不良品の後工程への流出を的確に防止できる。また、半田ボール5のような外部端子が後工程の途中で欠落することを的確に防止でき、その結果、外部端子未接合による不良品の客先への流出を防止して製品の信頼性を的確に向上することができる。   Thus, in this embodiment, the accuracy of screening of the solder balls 5 can be improved and the unbonded solder balls 5b of the solder balls 5 can be accurately removed. It is possible to accurately prevent the outflow of defective products to the subsequent process due to unbonding. In addition, it is possible to accurately prevent the external terminals such as the solder balls 5 from being lost during the subsequent process. As a result, it is possible to prevent the defective product from flowing out to the customer due to the non-bonding of the external terminals, thereby improving the reliability of the product. It can be improved accurately.

また、粘着テープ21や粘着ローラ22の高さを可変する高さ制御手段(軸)を設け、手動または自動で粘着テープ21や粘着ローラ22の高さを制御(高さ制御)することができる。また、粘着テープ21や粘着ローラ22をテープ基板3の裏面3bに接触させる際の荷重を自動でセンシングし、一定の(所定の)荷重となるように制御(荷重制御)することができる。また、粘着テープ21や粘着ローラ22を移動させる速度を可変とし、所定の値に制御(速度制御)することができる。これらは、半田ボール5の直径やピッチなどに応じて調整することができ、未接合半田ボール5bを的確に除去できる条件で、半田ボール5のスクリーニングを行うことができる。   Further, a height control means (shaft) for changing the height of the adhesive tape 21 and the adhesive roller 22 is provided, and the height of the adhesive tape 21 and the adhesive roller 22 can be controlled (height control) manually or automatically. . Further, the load when the adhesive tape 21 or the adhesive roller 22 is brought into contact with the back surface 3b of the tape substrate 3 can be automatically sensed and controlled (load control) so as to be a constant (predetermined) load. Moreover, the speed at which the adhesive tape 21 and the adhesive roller 22 are moved can be made variable and controlled to a predetermined value (speed control). These can be adjusted according to the diameter, pitch, etc. of the solder balls 5, and the solder balls 5 can be screened under conditions that allow the unbonded solder balls 5b to be accurately removed.

また、本実施の形態では、ステップS8のスクリーニング工程の後にステップS9のテープカット工程を行っているが、ステップS8のスクリーニング工程の後、ステップS9のテープカット工程の前に、テープ基板3の洗浄と、半田ボール5の検査とを行うことが好ましい。図13は、ステップS8のスクリーニング工程からステップS9のテープカット工程にかけてのプロセスフロー図である。   In the present embodiment, the tape cutting process of step S9 is performed after the screening process of step S8. However, the cleaning of the tape substrate 3 is performed after the screening process of step S8 and before the tape cutting process of step S9. And inspection of the solder ball 5 is preferably performed. FIG. 13 is a process flow diagram from the screening process of step S8 to the tape cutting process of step S9.

上記のようにしてステップS8のスクリーニング工程を行って、未接合半田ボール5bを除去した(欠落させた)後、テープ基板3の洗浄を行う(ステップS10)。例えば、回転するブラシをテープ基板3(多数個取り基板13)の裏面3bに接触させ、半田ボール5が接続されたテープ基板3の裏面3bを洗浄するとともに、ステップS8のスクリーニング工程で除去または欠落された未接合半田ボール5bをテープ基板3の裏面3bから完全に取り除く。   As described above, the screening process of Step S8 is performed to remove (miss) the unbonded solder balls 5b, and then the tape substrate 3 is cleaned (Step S10). For example, the rotating brush is brought into contact with the back surface 3b of the tape substrate 3 (multiple substrate 13) to clean the back surface 3b of the tape substrate 3 to which the solder balls 5 are connected, and is removed or missing in the screening process of step S8. The unbonded solder balls 5b thus formed are completely removed from the back surface 3b of the tape substrate 3.

次に、テープ基板3(多数個取り基板13)の各バンプランド3gに半田ボール5が接続されているかどうか検査を行う(ステップS11)。例えば、画像処理またはテスタなどを用いた電気的テストなどを行って、テープ基板3の各バンプランド3gに半田ボール5が接続されているかどうか検査する。半田ボール5を接続すべきバンプランド3gの全てに半田ボール5が接続されていれば、良品としてステップS9のテープカット工程に送られ、上記のように個片の半導体装置1に分割され、製品として出荷される。ステップS8のスクリーニング工程によって未接合半田ボール5bが除去されたことにより、半田ボール5を接続すべきバンプランド3gに半田ボール5が接続されていない個所が生じていれば、その半田ボール5の数が不足する半導体装置本体1aは不良品として選別され、ステップS9のテープカット工程で個片に分割されたときに除去される。あるいは、ステップS8のスクリーニング工程によって未接合半田ボール5bが除去されたことにより、半田ボール5を接続すべきバンプランド3gに半田ボール5が接続されていない個所が生じていれば、半田ボール5が欠落しているバンプランド3gにだけ半田ボール5を再度接続し、その後ステップS9のテープカット工程で個片の半導体装置1に分割して、製品として出荷することもできる。   Next, it is inspected whether the solder ball 5 is connected to each bump land 3g of the tape substrate 3 (multiple substrate 13) (step S11). For example, an image test or an electrical test using a tester is performed to check whether the solder balls 5 are connected to the bump lands 3g of the tape substrate 3. If the solder balls 5 are connected to all of the bump lands 3g to which the solder balls 5 are to be connected, they are sent as non-defective products to the tape cutting process in step S9 and divided into individual semiconductor devices 1 as described above. Will be shipped as. If the unbonded solder balls 5b are removed by the screening process in step S8, and there are places where the solder balls 5 are not connected to the bump lands 3g to which the solder balls 5 are connected, the number of the solder balls 5 is determined. The semiconductor device main body 1a lacking is selected as a defective product and is removed when it is divided into individual pieces in the tape cutting process of step S9. Alternatively, if the unbonded solder ball 5b is removed by the screening process in step S8, and there is a portion where the solder ball 5 is not connected to the bump land 3g to which the solder ball 5 is to be connected, the solder ball 5 is It is also possible to reconnect the solder balls 5 only to the missing bump lands 3g and then divide them into individual semiconductor devices 1 in the tape cutting process of step S9 and ship them as products.

また、本実施の形態では、上記のように、ステップS8のスクリーニング工程を行ってからステップS9のテープカット工程を行っているが、他の形態として、ステップS8のスクリーニング工程の前にステップS9のテープカット工程を行って個片の半導体装置1に分割し、その後、各半導体装置1に対してステップS8のスクリーニング工程に対応する半田ボール5のスクリーニングを行うこともできる。個片の半導体装置1に分割した後に半田ボール5のスクリーニングを行うので、スクリーニング中の半導体装置1の反りを抑制または防止でき、半田ボール5のスクリーニングの際に各半田ボール5に加わる負荷(移動力、外力)をより均一にすることができる。このため、未接合半田ボール5bをより的確に除去することができる。   In the present embodiment, as described above, the tape cutting process of step S9 is performed after the screening process of step S8. However, as another form, the screening process of step S9 is performed before the screening process of step S8. It is also possible to perform the tape cutting process to divide the semiconductor device 1 into pieces, and then screen each of the semiconductor devices 1 for the solder balls 5 corresponding to the screening process in step S8. Since the solder balls 5 are screened after being divided into individual semiconductor devices 1, warping of the semiconductor device 1 during screening can be suppressed or prevented, and the load (movement) applied to each solder ball 5 during the screening of the solder balls 5. Force, external force) can be made more uniform. For this reason, the unjoined solder ball 5b can be removed more accurately.

(実施の形態2)
図14は、本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程(ステップS8)の説明図であり、上記実施の形態1における図10〜図13に対応する。
(Embodiment 2)
FIG. 14 is an explanatory diagram of the screening step (step S8) in another embodiment of the present invention, and corresponds to FIGS. 10 to 13 in the first embodiment.

本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ステップS8のスクリーニング工程(半田ボール5のスクリーニング工程)以外については上記実施の形態1と同様であるので、ここではその説明を省略する。   The present embodiment is the same as the first embodiment except for the screening process of step S8 (the screening process of the solder balls 5) in the structure of the semiconductor device and the manufacturing process of the semiconductor device. Is omitted.

本実施の形態では、ステップS5およびステップS6で半導体装置本体1a(のテープ基板3のバンプランド3g)に外部端子としての半田ボール5を接合した後、ステップS8に示すスクリーニング工程において、流体を用いて(流体を半田ボール5に衝突させて半田ボール5に外力を印加することで)、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを除去する。例えば、図14に示されるように、ステージ20上にテープ基板3(多数個取り基板13)を半田ボール5が上方を向くように配置し、流体31を放出または吐出可能なノズル(流体吐出手段)32を準備し、このノズル32から流体31をテープ基板3(多数個取り基板13)の裏面3bに対して放出または吐出させる。ノズル32から吐出された流体31はテープ基板3の裏面3bの半田ボール5に衝突する。ノズル32はテープ基板3の裏面3bの上方で水平方向(テープ基板3の裏面3bに水平な方向)に移動し、ノズル32から吐出された流体31をテープ基板3の裏面3bに設けられた全ての半田ボール5にまんべんなくあてる(供給する、衝突させる)。このようにして、流体31の圧力により、半田ボール5に外力(移動力)が作用し、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bが除去される(欠落する)。流体31は、気体または液体を用いることができ、例えばエア(空気)、水または洗浄液などを用いることができる。   In the present embodiment, after the solder ball 5 as an external terminal is joined to the semiconductor device main body 1a (the bump land 3g of the tape substrate 3) in Step S5 and Step S6, fluid is used in the screening process shown in Step S8. (By applying an external force to the solder ball 5 by causing the fluid to collide with the solder ball 5), the unbonded solder ball 5b of the solder ball 5 is removed. For example, as shown in FIG. 14, a tape substrate 3 (multiple substrate 13) is arranged on a stage 20 so that the solder balls 5 face upward, and a nozzle (fluid ejecting means) that can discharge or eject a fluid 31. ) 32 is prepared, and the fluid 31 is discharged or discharged from the nozzle 32 to the back surface 3b of the tape substrate 3 (multiple substrate 13). The fluid 31 discharged from the nozzle 32 collides with the solder ball 5 on the back surface 3 b of the tape substrate 3. The nozzle 32 moves in the horizontal direction above the back surface 3b of the tape substrate 3 (the direction horizontal to the back surface 3b of the tape substrate 3), and all the fluid 31 discharged from the nozzle 32 is provided on the back surface 3b of the tape substrate 3. The solder balls 5 are evenly applied (supplied, made to collide). In this way, an external force (moving force) acts on the solder ball 5 due to the pressure of the fluid 31, and the unbonded solder ball 5b in the solder ball 5 is removed (missed). As the fluid 31, gas or liquid can be used, for example, air (air), water, cleaning liquid, or the like can be used.

すなわち、ノズル32から吐出された流体31が衝突した半田ボール5が、未接合半田ボール5bであれば、その未接合半田ボール5bは流体31の圧力によってテープ基板3のバンプランド3gから離れる。これにより、未接合半田ボール5bを各半導体装置本体1aから除去する(欠落させる)ことができる。   That is, if the solder ball 5 collided with the fluid 31 discharged from the nozzle 32 is an unbonded solder ball 5b, the unbonded solder ball 5b is separated from the bump land 3g of the tape substrate 3 by the pressure of the fluid 31. Thereby, the unbonded solder ball 5b can be removed (missed) from each semiconductor device body 1a.

また、ノズル32から吐出された流体31が衝突した半田ボール5が、リフローによってテープ基板3のバンプランド3gに適切に取り付けられた(接合した)良品半田ボール(良品のボール電極、良品の外部端子)5aであれば、半田接合による接続強度が高いため、流体31の圧力が作用してもテープ基板3のバンプランド3gから離れることはなく、除去される(欠落する)ことはない。   In addition, the solder balls 5 with which the fluid 31 discharged from the nozzles 32 collides are appropriately attached (bonded) to the bump lands 3g of the tape substrate 3 by reflowing (good ball electrodes, good external terminals). ) 5a, since the connection strength by solder bonding is high, even if the pressure of the fluid 31 is applied, it does not leave the bump land 3g of the tape substrate 3 and is not removed (missed).

このようにして、ステップS8のスクリーニング工程において、半田ボール5のうち、未接合半田ボール5bのみを除去することができる。   In this way, only the unbonded solder balls 5b among the solder balls 5 can be removed in the screening step of Step S8.

本実施の形態とは異なり、例えばゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボール5に横からの剪断力(移動力)を与えて半田ボール5のスクリーニングを行った場合は、弾性シートが摩耗するので定期的な交換が必要になる。また、弾性シートが摩耗したままスクリーニングに用いると、スクリーニング工程毎に半田ボール5に作用する剪断力(移動力)が変動してしまう可能性がある。これは、半田ボール5のスクリーニングの精度を低下させる可能性がある。   Unlike the present embodiment, for example, when the solder ball 5 is screened by applying a shearing force (moving force) to the solder ball 5 using an elastic sheet such as a rubber sheet, the elastic sheet Since it wears out, it needs to be replaced regularly. In addition, if the elastic sheet is used for screening while being worn, there is a possibility that the shearing force (moving force) acting on the solder ball 5 may fluctuate for each screening process. This may reduce the accuracy of screening of the solder balls 5.

本実施の形態では、ノズル32から吐出された流体31を用いて半田ボール5のスクリーニングを行っているので、スクリーニング工程を繰り返し行ってもノズル32の定期的な交換は不要である。また、流体31として液体を用いる場合は循環して再利用が可能である。また、劣化や摩耗を生じることがなく、スクリーニング工程を繰り返し行ったときの各スクリーニング工程のスクリーニング条件を同じにすることが容易に実現でき、流体31により常に均一な圧力を半田ボール5に対して与えて、各半田ボール5に作用する外力(移動力)を均一にすることができる。すなわち、スクリーニング工程毎に半田ボールに作用する流体31の圧力が変動することはなく、更に、各半田ボール5に作用する流体31の圧力も均一にすることができる。このため、半田ボール5のうち、未接合半田ボール5bを的確に除去することができ、スクリーニング工程後に未接合半田ボール5bが除去されずにテープ基板3のバンプランド3g上に残存してしまうのを防止することができる。   In this embodiment, since the solder balls 5 are screened using the fluid 31 discharged from the nozzles 32, the nozzles 32 need not be periodically replaced even if the screening process is repeated. Further, when a liquid is used as the fluid 31, it can be circulated and reused. In addition, it is easy to realize the same screening conditions for each screening process when the screening process is repeatedly performed without causing deterioration or wear, and the fluid 31 always applies a uniform pressure to the solder balls 5. As a result, the external force (moving force) acting on each solder ball 5 can be made uniform. That is, the pressure of the fluid 31 acting on the solder ball does not fluctuate for each screening process, and the pressure of the fluid 31 acting on each solder ball 5 can be made uniform. For this reason, the unbonded solder ball 5b can be accurately removed from the solder balls 5, and the unbonded solder ball 5b remains on the bump land 3g of the tape substrate 3 without being removed after the screening process. Can be prevented.

このように、本実施の形態では、半田ボール5のスクリーニングの精度を向上し、スクリーニング工程で半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを的確に除去することができるので、半田ボール5のような外部端子の未接合による不良品の後工程への流出を的確に防止できる。また、半田ボール5のような外部端子が後工程の途中で欠落することを的確に防止でき、その結果、外部端子未接合による不良品の客先への流出を防止して製品の信頼性を的確に向上することができる。   Thus, in this embodiment, the accuracy of screening of the solder balls 5 is improved, and the unbonded solder balls 5b of the solder balls 5 can be accurately removed in the screening process. It is possible to prevent the outflow of defective products to the subsequent process due to unjoined external terminals. In addition, it is possible to accurately prevent the external terminals such as the solder balls 5 from being lost during the subsequent process. As a result, it is possible to prevent the defective product from flowing out to the customer due to the non-bonding of the external terminals, thereby improving the reliability of the product. It can be improved accurately.

また、流体31に水や洗浄液のような液体を用いる場合、その流体31中にビーズ材を含有させることもできる。ビーズ材としては、例えば直径0.1〜0.2mm程度の樹脂ビーズなどを用いることができる。これにより、ノズル32から吐出された流体31を半田ボール5に衝突させたときに、半田ボール5に与えられる圧力(衝撃)を大きくすることができる。このため、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。   In addition, when a liquid such as water or a cleaning liquid is used for the fluid 31, a bead material can be contained in the fluid 31. For example, resin beads having a diameter of about 0.1 to 0.2 mm can be used as the bead material. Thereby, when the fluid 31 discharged from the nozzle 32 collides with the solder ball 5, the pressure (impact) applied to the solder ball 5 can be increased. For this reason, the unjoined solder ball 5b can be removed more accurately.

また、流体31に水や洗浄液のような液体を用いる場合、ノズルから32から流体31を介して超音波振動を半田ボール5に付与することもできる。超音波を付与または印加することで、未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にし(取れやすくし)、流体31の圧力で未接合半田ボール5bを移動させて除去するので、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。   Further, when a liquid such as water or a cleaning liquid is used for the fluid 31, ultrasonic vibration can be applied to the solder ball 5 from the nozzle 32 through the fluid 31. By applying or applying ultrasonic waves, the unbonded solder ball 5b is easily moved (can be easily removed), and the unbonded solder ball 5b is moved and removed by the pressure of the fluid 31, so that the unbonded solder ball 5b is more accurately unbonded. The solder ball 5b can be removed.

また、流体31にフラックスを溶解可能な液体または洗浄液(例えばアルカリ系洗浄液)を用いることもできる。未接合半田ボール5bはフラックスによってテープ基板3のバンプランド3gに付着しているので、フラックスを溶解可能な洗浄液(流体31)を半田ボール5に供給することで、フラックスを溶解し、未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にし、流体31の圧力で未接合半田ボール5bを移動させて除去することができる。これにより、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。   Also, a liquid or a cleaning liquid (for example, an alkaline cleaning liquid) that can dissolve the flux in the fluid 31 can be used. Since the unbonded solder ball 5b is attached to the bump land 3g of the tape substrate 3 by the flux, the flux is dissolved by supplying a cleaning liquid (fluid 31) capable of dissolving the flux to the solder ball 5, and the unbonded solder The ball 5b can be moved easily, and the unbonded solder ball 5b can be moved and removed by the pressure of the fluid 31. Thereby, the unjoined solder ball 5b can be removed more accurately.

また、流体31にエア(空気)のような気体を用いる場合、加熱した気体、例えばホットエア(加熱空気)を用いることもできる。未接合半田ボール5bはフラックスによってテープ基板3のバンプランド3gに付着しているので、ホットエアのような加熱した気体からなる流体31をノズル32から吐出して半田ボール5に当てることで、フラックスを加熱して溶かし(または粘度を低下させ)、未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にし、ホットエア(流体31)の圧力によって未接合半田ボール5bを移動させて除去することができる。これにより、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。なお、この際、半田ボール5の半田材料自身は溶融せず、フラックスの粘度が低下するような温度になるようにホットエア(流体31)の温度が調整される。また、流体31にエア(空気)またはホットエア(加熱空気)を用いれば、半導体装置の製造コストの低減も可能である。   In addition, when a gas such as air (air) is used for the fluid 31, a heated gas such as hot air (heated air) can also be used. Since the unbonded solder balls 5b are attached to the bump lands 3g of the tape substrate 3 by flux, the fluid 31 made of a heated gas such as hot air is discharged from the nozzle 32 and applied to the solder balls 5 to thereby apply the flux. The unbonded solder ball 5b can be easily moved by melting by heating (or reducing the viscosity), and the unbonded solder ball 5b can be moved and removed by the pressure of hot air (fluid 31). Thereby, the unjoined solder ball 5b can be removed more accurately. At this time, the temperature of the hot air (fluid 31) is adjusted so that the solder material itself of the solder balls 5 is not melted and the temperature of the flux decreases. If air (air) or hot air (heated air) is used as the fluid 31, the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.

流体31にホットエアのような加熱した気体を用いる代わりに、ステージ20にヒータなどの加熱装置を内蔵させ、ステージ20上に配置された半導体装置本体1aを加熱しながら、エア(空気)のような気体からなる流体31をノズル32から吐出して半田ボール5に当てることもできる。これにより、フラックスを加熱して溶かし(または粘度を低下させ)て未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にし、流体31の圧力によって未接合半田ボール5bを移動させて除去することができ、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。ステージ20を加熱する際には、半田ボール5の半田材料自身は溶融せず、フラックスの粘度が低下するような温度になるようにステージ20の温度が調整される。   Instead of using a heated gas such as hot air for the fluid 31, a heating device such as a heater is built in the stage 20, and the semiconductor device main body 1a disposed on the stage 20 is heated while air (air) is used. A fluid 31 made of a gas can be discharged from the nozzle 32 and applied to the solder ball 5. Thereby, the flux is heated and melted (or the viscosity is lowered) to make the unbonded solder ball 5b easy to move, and the unbonded solder ball 5b can be moved and removed by the pressure of the fluid 31. The unbonded solder ball 5b can be removed accurately. When the stage 20 is heated, the temperature of the stage 20 is adjusted so that the solder material itself of the solder balls 5 is not melted and the viscosity of the flux is lowered.

また、ノズル32の高さを可変する高さ制御手段(軸)を設け、手動または自動でノズル32の高さを制御(高さ制御)することができる。また、ノズル32を移動させる速度を可変とし、所定の値に制御(速度制御)することができる。また、ノズル32の取り付け部にノズルの角度を可変とする部材を設けるなどしてノズル32の角度を可変とし、テープ基板3の裏面3bに対して供給される流体31の角度を所定の値に制御(角度制御)することができる。これらは、半田ボール5の直径やピッチなどに応じて調整することができ、未接合半田ボール5bを的確に除去できる条件で、半田ボール5のスクリーニングを行うことができる。   Further, a height control means (shaft) for changing the height of the nozzle 32 is provided, and the height of the nozzle 32 can be controlled (height control) manually or automatically. Also, the speed at which the nozzle 32 is moved can be made variable and controlled to a predetermined value (speed control). Further, the angle of the nozzle 32 is made variable by providing a member that makes the nozzle angle variable at the attachment portion of the nozzle 32, and the angle of the fluid 31 supplied to the back surface 3b of the tape substrate 3 is set to a predetermined value. It can be controlled (angle control). These can be adjusted according to the diameter, pitch, etc. of the solder balls 5, and the solder balls 5 can be screened under conditions that allow the unbonded solder balls 5b to be accurately removed.

(実施の形態3)
図15および図16は、本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程(ステップS8)の説明図(要部側面図)であり、上記実施の形態1における図10〜図12の部分拡大図に対応する。
(Embodiment 3)
FIGS. 15 and 16 are explanatory views (side views of essential parts) of the screening step (step S8) in another embodiment of the present invention, and are partially enlarged views of FIGS. 10 to 12 in the first embodiment. Correspond.

本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ステップS8のスクリーニング工程(半田ボール5のスクリーニング工程)以外については上記実施の形態1と同様であるので、ここではその説明を省略する。   The present embodiment is the same as the first embodiment except for the screening process of step S8 (the screening process of the solder balls 5) in the structure of the semiconductor device and the manufacturing process of the semiconductor device. Is omitted.

本実施の形態では、ステップS5およびステップS6で半導体装置本体1a(のテープ基板3のバンプランド3g)に外部端子としての半田ボール5を接合した後、ステップS8に示すスクリーニング工程において、一つの部材を用いて複数の半田ボール5に順々に外力(移動力)を作用させていくのではなく、複数の半田ボール5にそれぞれ対応する複数の部材を用いて一度に複数の半田ボール5に対して外力(移動力)を作用させて半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを除去する。例えば、図15に示されるように、ステージ20上にテープ基板3(多数個取り基板13)を半田ボール5が上方を向くように配置し、半田ボール5のピッチに対応してソケット端子41が設けられた支持板(支持部材)42を準備し、この支持板42を近づけて各ソケット端子41で半田ボール5を挟み込む。ソケット端子41で挟み込まれた半田ボール5には、ソケット端子41によって横からの外力(移動力)が加えられる。   In this embodiment, after joining the solder ball 5 as an external terminal to the semiconductor device main body 1a (the bump land 3g of the tape substrate 3) in step S5 and step S6, one member is used in the screening process shown in step S8. The external force (moving force) is not sequentially applied to the plurality of solder balls 5 by using the plurality of solder balls 5, but a plurality of members respectively corresponding to the plurality of solder balls 5 are used to apply a plurality of solder balls 5 to the solder balls 5 at a time. Then, an external force (moving force) is applied to remove the unbonded solder balls 5b from the solder balls 5. For example, as shown in FIG. 15, the tape substrate 3 (multiple substrate 13) is arranged on the stage 20 so that the solder balls 5 face upward, and the socket terminals 41 correspond to the pitch of the solder balls 5. The provided support plate (support member) 42 is prepared, the support plate 42 is brought close to, and the solder balls 5 are sandwiched between the socket terminals 41. An external force (moving force) from the side is applied to the solder balls 5 sandwiched between the socket terminals 41 by the socket terminals 41.

この際、ソケット端子41に接触して挟み込もうとされた半田ボール5が、未接合半田ボール5bであれば、その未接合半田ボール5bはソケット端子41によって加えられた外力によってテープ基板3のバンプランド3gから離れ、それによって未接合半田ボール5bを除去することができる(欠落させることができる)。また、ソケット端子41に接触して挟み込もうとされた半田ボール5が、リフローによってテープ基板3のバンプランド3gに適切に取り付けられた(接合した)良品半田ボール5aであれば、半田接合による接続強度が高いため、ソケット端子41によって外力が加えられてもテープ基板3のバンプランド3gから離れることはなく、除去されない(欠落しない)。   At this time, if the solder ball 5 that is about to be sandwiched in contact with the socket terminal 41 is an unbonded solder ball 5b, the unbonded solder ball 5b is applied to the tape substrate 3 by an external force applied by the socket terminal 41. The bump land 3g is separated, whereby the unbonded solder ball 5b can be removed (can be omitted). Further, if the solder ball 5 that is about to be sandwiched in contact with the socket terminal 41 is a non-defective solder ball 5a that is appropriately attached (joined) to the bump land 3g of the tape substrate 3 by reflow, solder bonding 5 Since the connection strength is high, even if an external force is applied by the socket terminal 41, it is not separated from the bump land 3 g of the tape substrate 3 and is not removed (not missing).

それから、図16に示されるように、支持板42を上方に移動してテープ基板3(多数個取り基板13)から離れさせると、支持板42とともにソケット端子41も上方に移動して各半田ボール5から各ソケット端子41が離れる。この際、ソケット端子41に挟み込まれていた半田ボール5がテープ基板3のバンプランド3gに適切に取り付けられた(接合した)良品半田ボール5aであれば、半田接合による接続強度が高いため、ソケット端子41が上方に移動してもテープ基板3のバンプランド3gから離れない。   Then, as shown in FIG. 16, when the support plate 42 is moved upward and separated from the tape substrate 3 (multiple substrate 13), the socket terminal 41 is also moved upward together with the support plate 42, and each solder ball 5, each socket terminal 41 is separated. At this time, if the solder ball 5 sandwiched between the socket terminals 41 is a good solder ball 5a appropriately attached (joined) to the bump land 3g of the tape substrate 3, the connection strength by solder joining is high. Even if the terminal 41 moves upward, it does not leave the bump land 3g of the tape substrate 3.

このようにして、各半田ボール5にそれに対応するソケット端子41を作用させて、半田ボール5のうちの未接合半田ボール5bを半導体装置本体1aから除去する(欠落させる)ことができる。   In this manner, the socket terminals 41 corresponding to the solder balls 5 are allowed to act on the solder balls 5 so that the unbonded solder balls 5b of the solder balls 5 can be removed (missed) from the semiconductor device body 1a.

本実施の形態とは異なり、例えばゴムシートのような弾性シートなどを用いて半田ボール5に横からの剪断力(移動力)を与えて半田ボール5のスクリーニングを行った場合は、弾性シートが摩耗するなどして一部の半田ボール5に弾性シートがうまく接触せず、外力が加わらない半田ボール5が生じてしまい、スクリーニング工程後に未接合半田ボール5bの一部が除去されずにテープ基板3のバンプランド3g上に残存してしまう可能性がある。   Unlike the present embodiment, for example, when the solder ball 5 is screened by applying a shearing force (moving force) to the solder ball 5 using an elastic sheet such as a rubber sheet, the elastic sheet The elastic sheet does not come into good contact with some of the solder balls 5 due to wear or the like, and the solder balls 5 to which no external force is applied are generated, and a part of the unbonded solder balls 5b is not removed after the screening process. 3 may remain on the bump land 3g.

本実施の形態では、複数の半田ボール5に対応して複数のソケット端子41を設け、半田ボール5のそれぞれに同時にソケット端子41を接触させて外力を作用させる。このため、全部の半田ボール5に対してソケット端子41によって外力を作用させることができ、外力が加わらない半田ボール5が生じるのを防止することができる。従って、全ての未接合半田ボール5bに外力を作用させ、的確に除去することが可能となる。これにより、半田ボール5のスクリーニングの精度を向上することができる。   In the present embodiment, a plurality of socket terminals 41 are provided corresponding to the plurality of solder balls 5, and the socket terminals 41 are simultaneously brought into contact with the solder balls 5 to apply an external force. For this reason, an external force can be applied to all the solder balls 5 by the socket terminals 41, and it is possible to prevent the solder balls 5 from being applied with no external force. Therefore, an external force can be applied to all the unbonded solder balls 5b to accurately remove them. Thereby, the precision of the screening of the solder ball 5 can be improved.

また、フラックスを溶解可能な洗浄液(例えばアルカリ系洗浄液)を用いて洗浄処理を行いながら、ステップS8の半田ボール5のスクリーニング工程を行うこともできる。未接合半田ボール5bはフラックスによってテープ基板3のバンプランド3gに付着しているので、フラックスを溶解可能な洗浄液を半田ボール5に供給することで、フラックスを溶解して未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にした状態で、上記のようにして半田ボール5のスクリーニングを行って未接合半田ボール5bを移動させて除去することができる。これにより、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。   In addition, the screening process of the solder ball 5 in step S8 can be performed while performing a cleaning process using a cleaning solution (for example, an alkaline cleaning solution) that can dissolve the flux. Since the unbonded solder balls 5b are attached to the bump lands 3g of the tape substrate 3 by the flux, by supplying a cleaning solution capable of dissolving the flux to the solder balls 5, the flux is dissolved and the unbonded solder balls 5b move. In a state in which the solder ball 5 is easily formed, the solder balls 5 are screened as described above, and the unbonded solder balls 5b can be moved and removed. Thereby, the unjoined solder ball 5b can be removed more accurately.

(実施の形態4)
図17は、本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程(ステップS8)の説明図であり、上記実施の形態1における図10〜図12に対応する。
(Embodiment 4)
FIG. 17 is an explanatory diagram of the screening step (step S8) in another embodiment of the present invention, and corresponds to FIGS. 10 to 12 in the first embodiment.

本実施の形態は、半導体装置の構造および半導体装置の製造工程のうち、ステップS8のスクリーニング工程(半田ボール5のスクリーニング工程)以外については上記実施の形態1と同様であるので、ここではその説明を省略する。なお、上記実施の形態1では、ステップS3の樹脂封止工程において多数個取り基板13の各テープ基板3の領域をそれぞれ樹脂封止し、封止部7をテープ基板3毎に、すなわち半導体装置本体1a毎に個別に形成した場合について説明したが、本実施の形態では、図17に示されるように、多数個取り基板13を構成する複数のテープ基板3の領域全体を覆うように一括して樹脂封止を行い、複数の複数のテープ基板3、すなわち複数の半導体装置本体1aに対して一括して封止部7を形成している。このため、ステップS9のテープカット工程においては、多数個取り基板13とともに封止部7も半導体装置領域(CSP領域)毎に切断され、個々の半導体装置本体1a、すなわち半導体装置1に切断分離される。   The present embodiment is the same as the first embodiment except for the screening process of step S8 (the screening process of the solder balls 5) in the structure of the semiconductor device and the manufacturing process of the semiconductor device. Is omitted. In the first embodiment, the region of each tape substrate 3 of the multi-chip substrate 13 is resin-sealed in the resin sealing step of step S3, and the sealing portion 7 is provided for each tape substrate 3, that is, a semiconductor device. Although the case where each main body 1a is formed individually has been described, in the present embodiment, as shown in FIG. 17, the whole area of the plurality of tape substrates 3 constituting the multi-chip substrate 13 is collectively covered. Resin sealing is performed to form a sealing portion 7 collectively for a plurality of tape substrates 3, that is, a plurality of semiconductor device main bodies 1a. For this reason, in the tape cut process of step S9, the sealing part 7 is cut into each semiconductor device region (CSP region) together with the multi-chip substrate 13, and is cut and separated into individual semiconductor device bodies 1a, that is, the semiconductor devices 1. The

本実施の形態では、ステップS5およびステップS6で半導体装置本体1a(のテープ基板3のバンプランド3g)に外部端子としての半田ボール5を接合した後、ステップS8に示すスクリーニング工程において、テープ基板3(多数個取り基板13)をステージ(載置台)50上に半田ボール5が上方を向くように配置するが、図17に示されるように、このステージ50には真空吸着用の吸着穴50aが形成されている。ステージ50上にテープ基板3を配置し、吸着穴50aから吸引して封止部7を真空吸着することで、封止部7およびテープ基板3(すなわち半導体装置本体1a)を固定する。そして、半導体装置本体1aを吸着して固定した状態で、半田ボール5のスクリーニングを行う。   In this embodiment, after the solder ball 5 as an external terminal is joined to the semiconductor device main body 1a (the bump land 3g of the tape substrate 3) in step S5 and step S6, the tape substrate 3 in the screening process shown in step S8. The (multiple substrate 13) is arranged on a stage (mounting table) 50 so that the solder balls 5 face upward. As shown in FIG. 17, the stage 50 has a suction hole 50a for vacuum suction. Is formed. The tape substrate 3 is disposed on the stage 50, and the sealing portion 7 and the tape substrate 3 (that is, the semiconductor device main body 1a) are fixed by sucking the sealing portion 7 by suction from the suction holes 50a. Then, the solder balls 5 are screened in a state where the semiconductor device body 1a is adsorbed and fixed.

半導体装置本体1a(封止部7)を吸着し固定した状態で半田ボール5のスクリーニングを行うこと以外は、上記実施の形態1〜3と同様にして半田ボール5のスクリーニングを行うことができる。例えば、スクリーニング部材として、上記実施の形態1のように粘着テープ21や粘着ローラ22のような粘着物を用いて行うことができ、上記実施の形態2のようにノズル32から吐出された流体31を用いて行うことができ、あるいは上記実施の形態3のように半田ボール5に対応して設けられた複数のソケット端子41を用いて行うことができるが、ここではその詳しい説明は省略する。   The solder ball 5 can be screened in the same manner as in the first to third embodiments except that the solder ball 5 is screened in a state where the semiconductor device body 1a (sealing portion 7) is adsorbed and fixed. For example, as a screening member, an adhesive such as the adhesive tape 21 and the adhesive roller 22 can be used as in the first embodiment, and the fluid 31 discharged from the nozzle 32 as in the second embodiment. Or a plurality of socket terminals 41 provided corresponding to the solder balls 5 as in the third embodiment, but detailed description thereof is omitted here.

半田ボール5のスクリーニングの際に封止部7が反っていると、テープ基板3も反ってしまい、各半田ボール5に加わる負荷(移動力)が不均一になる可能性がある。このため、スクリーニング工程後に未接合半田ボール5bの一部が除去されずにテープ基板3のバンプランド3g上に残存してしまう可能性がある。本実施の形態では、封止部7を真空吸着しながら半田ボール5のスクリーニングを行うので、半田ボール5のスクリーニングの際に封止部7およびテープ基板3(すなわち半導体装置本体1a)が反るのを防止することができる。このため、半田ボール5のスクリーニングの際に各半田ボール5に加わる負荷(移動力)をより均一にすることができ、未接合半田ボール5bをより的確に除去することができる。従って、半田ボール5のスクリーニングの精度を向上することができる。   If the sealing portion 7 is warped during the screening of the solder balls 5, the tape substrate 3 is also warped, and the load (moving force) applied to each solder ball 5 may be non-uniform. For this reason, there is a possibility that a part of the unbonded solder ball 5b is not removed after the screening process and remains on the bump land 3g of the tape substrate 3. In this embodiment, since the solder balls 5 are screened while the sealing portions 7 are vacuum-adsorbed, the sealing portions 7 and the tape substrate 3 (that is, the semiconductor device main body 1a) warp when the solder balls 5 are screened. Can be prevented. For this reason, the load (moving force) applied to each solder ball 5 during screening of the solder balls 5 can be made more uniform, and the unbonded solder balls 5b can be more accurately removed. Therefore, the accuracy of screening of the solder balls 5 can be improved.

また、封止部7の平面寸法が大きな半導体装置を製造する際には、封止部7が反りやすくなるので、本実施の形態を適用すればより好適である。また、MAP(Mold Array Package)形態の半導体装置は、切断前は封止部(封止樹脂部)の平面寸法が大きく、反りやすいので、MAP(Mold Array Package)形態の半導体装置の製造工程に本実施の形態を適用し、半田ボールの形成後、封止部の切断前に、封止部を吸着しながら半田ボールのスクリーニングを行えば、特に効果が大きい。   In addition, when manufacturing a semiconductor device having a large planar size of the sealing portion 7, the sealing portion 7 is likely to warp, and thus it is more preferable to apply this embodiment. In addition, since the semiconductor device in the MAP (Mold Array Package) form has a large planar dimension of the sealing part (sealing resin part) before cutting, it tends to warp. If this embodiment is applied and the solder ball is screened while adsorbing the sealing portion after the solder ball is formed and before the sealing portion is cut, the effect is particularly great.

また、ステージ50にヒータなどの加熱装置を内蔵させ、半導体装置本体1aを加熱しながら半田ボール5のスクリーニングを行うこともできる。未接合半田ボール5bはフラックスによってテープ基板3のバンプランド3gに付着しているので、ステージ50を加熱することによってステージ50上に配置された半導体装置本体1aに付着しているフラックスを加熱して溶かし(または粘度を低下させ)、未接合半田ボール5bが移動しやすい状態にすることができる。このような状態で半田ボール5のスクリーニングを行うことで、より的確に未接合半田ボール5bを除去することができる。従って、半田ボール5のスクリーニングの精度を向上することができる。なお、ステージ50を加熱する際には、半田ボール5の半田材料自身は溶融せず、フラックスの粘度が低下するような温度になるようにステージ50の温度が調整される。   In addition, a heating device such as a heater can be incorporated in the stage 50, and the solder balls 5 can be screened while heating the semiconductor device body 1a. Since the unbonded solder balls 5b are attached to the bump lands 3g of the tape substrate 3 by flux, the flux attached to the semiconductor device body 1a disposed on the stage 50 is heated by heating the stage 50. It can melt | dissolve (or reduce a viscosity) and can be in the state which the unjoined solder ball 5b tends to move. By screening the solder balls 5 in such a state, the unbonded solder balls 5b can be more accurately removed. Therefore, the accuracy of screening of the solder balls 5 can be improved. When the stage 50 is heated, the temperature of the stage 50 is adjusted so that the solder material itself of the solder balls 5 is not melted and the viscosity of the flux is lowered.

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

前記実施の形態では、CSP形態の半導体装置に適用した場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、外部端子を接合した構造を有した半導体装置であれば、BGA(Ball Grid Array)や、半導体ウェハ状態で再配線を形成してボール電極が設けられた後にダイシングされて製造されたウェハレベルパッケージなどの種々の半導体パッケージ形態の半導体装置に適用することができる。   In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a CSP type semiconductor device has been described. However, the present invention is not limited to this, and any semiconductor device having a structure in which external terminals are joined may be used. It can be applied to semiconductor devices in various semiconductor package forms such as a ball grid array) or a wafer level package manufactured by dicing after forming rewiring in a semiconductor wafer state and providing ball electrodes.

また、前記実施の形態では、半導体装置の外部端子として半田ボール5を用いた場合について説明したが、半田ボール以外のボール電極、例えば、金や銅などのボール電極を半導体装置の外部端子として用いた場合についても適用でき、また、外部端子としてボール電極以外の電極または端子、例えばリード端子などを用いた場合についても適用できる。   In the above embodiment, the case where the solder ball 5 is used as the external terminal of the semiconductor device has been described. However, a ball electrode other than the solder ball, for example, a ball electrode such as gold or copper is used as the external terminal of the semiconductor device. In addition, the present invention can also be applied to the case where an electrode or a terminal other than the ball electrode, such as a lead terminal, is used as the external terminal.

前記実施の形態では、半導体装置に用いられるチップ支持基板がポリイミドテープなどからなる薄膜のテープ基板3の場合を説明したが、前記チップ支持基板は、ガラス入りエポキシ樹脂などによって形成された基板などの種々の基板を用いることができる。   In the embodiment, the case where the chip support substrate used in the semiconductor device is a thin film tape substrate 3 made of polyimide tape or the like has been described. However, the chip support substrate is a substrate formed of glass-filled epoxy resin or the like. Various substrates can be used.

また、前記実施の形態では、複数のテープ基板3を有した多連のテープ状の多数個取り基板13から個々の半導体装置を製造する場合について説明したが、前記多連のテープ状の多数個取り基板13は必ずしも使用しなくてもよく、予め半導体装置1の1個分に切断分離されたテープ基板3を準備して、このテープ基板3を用い、かつ半田ボール5のスクリーニングを行って半導体装置1を製造することもできる。   In the above embodiment, the case where individual semiconductor devices are manufactured from the multiple tape-shaped multiple substrate 13 having a plurality of tape substrates 3 has been described. The substrate 13 is not necessarily used. A tape substrate 3 that has been cut and separated into one semiconductor device 1 is prepared in advance, the tape substrate 3 is used, and the solder balls 5 are screened to obtain a semiconductor. The device 1 can also be manufactured.

本発明は、例えばボール電極のような外部端子を接合した構造を有する半導体装置に適用して有効である。   The present invention is effective when applied to a semiconductor device having a structure in which external terminals such as ball electrodes are joined.

本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法に従って製造された半導体装置の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the semiconductor device manufactured according to the manufacturing method of the semiconductor device which is one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程の一例を示す製造プロセスフロー図である。It is a manufacturing process flowchart which shows an example of the manufacturing process of the semiconductor device which is one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の断面図である。It is sectional drawing in the manufacturing process of the semiconductor device which is one embodiment of this invention. 図3に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 3; 図4に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 4; 図5に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 5; 図6に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 6; 図7に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 7; 図8に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 8; スクリーニング工程の説明図である。It is explanatory drawing of a screening process. スクリーニング工程の説明図である。It is explanatory drawing of a screening process. スクリーニング工程の説明図である。It is explanatory drawing of a screening process. スクリーニング工程からテープカット工程にかけてのプロセスフロー図である。It is a process flow figure from a screening process to a tape cut process. 本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。It is explanatory drawing of the screening process in other embodiment of this invention. 本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。It is explanatory drawing of the screening process in other embodiment of this invention. 本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。It is explanatory drawing of the screening process in other embodiment of this invention. 本発明の他の実施の形態におけるスクリーニング工程の説明図である。It is explanatory drawing of the screening process in other embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 半導体装置
1a 半導体装置本体
2 半導体チップ
2a 電極
2b 表面
2c 裏面
3 テープ基板
3a チップ支持面
3b 裏面
3c 接続端子
3d レジスト膜
3e 配線リード
3f テープ基材
3g バンプランド
4 ボンディングワイヤ
5 半田ボール
5a 良品半田ボール
5b 未接合半田ボール
6 ダイボンド材
7 封止部
13 多数個取り基板
17 マーク
20 ステージ
21 粘着テープ
21a 表面
22 粘着ローラ
22a 表面
31 流体
32 ノズル
41 ソケット端子
42 支持板
50 ステージ
50a 吸着穴
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 1a Semiconductor device main body 2 Semiconductor chip 2a Electrode 2b Front surface 2c Back surface 3 Tape substrate 3a Chip support surface 3b Back surface 3c Connection terminal 3d Resist film 3e Wiring lead 3f Tape base material 3g Bump land 4 Bonding wire 5 Solder ball 5a Good product solder Ball 5b Unbonded solder ball 6 Die bond material 7 Sealing part 13 Multiple substrate 17 Mark 20 Stage 21 Adhesive tape 21a Surface 22 Adhesive roller 22a Surface 31 Fluid 32 Nozzle 41 Socket terminal 42 Support plate 50 Stage 50a Adsorption hole

Claims (5)

半導体チップを有した半導体装置本体に複数の外部端子を接合する工程と、
前記複数の外部端子に粘着物を接触させてから前記粘着物を移動させて、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Bonding a plurality of external terminals to a semiconductor device body having a semiconductor chip;
Removing the unjoined external terminals that are not joined to the semiconductor device body from among the external terminals by moving the sticky substance after bringing the sticky substance into contact with the plurality of external terminals;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の外部端子を接合する工程と、
前記複数の外部端子に流体を衝突させて、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Bonding a plurality of external terminals to a semiconductor device body having a semiconductor chip;
A step of causing a fluid to collide with the plurality of external terminals and removing unjoined external terminals that are not joined to the semiconductor device body among the external terminals;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の外部端子を接合する工程と、
前記複数の外部端子にそれぞれ対応する複数の部材を用意し、前記複数の部材をそれぞれ対応する前記外部端子に接触させて外力を印加し、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Bonding a plurality of external terminals to a semiconductor device body having a semiconductor chip;
A plurality of members respectively corresponding to the plurality of external terminals are prepared, an external force is applied by bringing the plurality of members into contact with the corresponding external terminals, and the external terminals are not joined to the semiconductor device body. Removing unbonded external terminals;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の外部端子を接合する工程と、
前記半導体装置本体を吸着しながら前記複数の外部端子に外力を印加して、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Bonding a plurality of external terminals to a semiconductor device body having a semiconductor chip;
Applying an external force to the plurality of external terminals while adsorbing the semiconductor device body, and removing unbonded external terminals not bonded to the semiconductor device body among the external terminals;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
半導体チップを有した半導体装置本体に複数の外部端子を接合する工程と、
加熱しながら前記複数の外部端子に外力を印加して、前記外部端子のうち前記半導体装置本体に接合していない未接合の外部端子を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Bonding a plurality of external terminals to a semiconductor device body having a semiconductor chip;
Applying an external force to the plurality of external terminals while heating to remove unbonded external terminals that are not bonded to the semiconductor device body among the external terminals;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
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