JP2005158668A

JP2005158668A - 高温特性が優秀な有機電界発光表示装置

Info

Publication number: JP2005158668A
Application number: JP2004015980A
Authority: JP
Inventors: Joon Yeop Lee; 俊▲ヨプ▼ 李; Yongjoong Choi; 鎔中崔; Jang-Hyuk Kwon; 章赫權; Ho-Kyoon Chung; 昊均鄭
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung SDI Co Ltd
Priority date: 2003-11-25
Filing date: 2004-01-23
Publication date: 2005-06-16
Also published as: EP1535981A3; KR100560790B1; US20090195153A1; US20050112401A1; US7521130B2; EP1535981A2; KR20050050489A; CN1622720A

Abstract

【課題】有機電界発光表示装置を形成する時発光層を改善して高温安定性が優秀で駆動時画素縮小問題を解決し安定性が向上した平板表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は有機電界発光表示素子に係り、基板、基板上に形成されている第１電極、第２電極と第１電極及び第２電極間に少なくとも一つの発光層を含む有機膜層を含み、発光層は少なくとも一つの燐光ドーパントを含み、ドーパントはＬ_３Ｍ、Ｌ_２ＭＬ’で表現されることを特徴とする有機電界発光表示装置を提供することによって、高温駆動特性及び保管特性を向上させてｓデバイスの画素縮小現象を防止する。Ｍは、転移金属であってＩｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、及びＯｓで構成された群から選択された１種の金属であって、ＬとＬ’との炭素と窒素で配位される二座（ｂｉｄｅｎｄａｔｅ）配位子であってＬとＬ’のうち少なくとも一つは配位子内Ｃの数が１５以上である。
【選択図】図１

Description

本発明は有機電界発光表示装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、既存の発光層を改善し、高温特性が優秀で、画素縮小現象が解決され、駆動による特性安定性が優秀な有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。

最近、有機電界発光表示装置は、ＣＲＴやＬＣＤに比べて薄形、広い視野角、軽量、小型、速い応答速度、及び消費電力などの長所によって、次世代表示装置として注目を浴びている。特に有機電界発光表示装置は、陽極、有機物層、陰極の単純な構造になっているために、簡単な製造工程を通じて容易に製造することができる利点がある。有機物層はその機能によって多層で構成されることができるが、一般的に正孔注入層、正孔伝達層、発光層、電子輸送層、電子注入層で構成されている。

図１は、一般的な有機電界発光表示装置の構造を概略的に示した断面図である。

図１を参照すれば、透明電極である陽極７から正孔が注入されて、注入された正孔が正孔注入層６と正孔伝達層５を通じて発光層４に伝えられて、陰極１からは電子が注入されて電子注入層２と電子伝達層３を通じて発光層４に伝えられる。伝えられた電子と正孔は、発光層で結合して光を放出するようになる。発光層４は、ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）がホスト（ｈｏｓｔ）にドーピングされている構造で形成されて、電子と正孔がホストを通して不純物に伝えられて発光するようになる。

燐光有機電界発光表示素子の場合イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む燐光物質がドーパントで用いられるようになる。蛍光有機電界発光表示素子の場合には有機蛍光物質が発光物質で用いられるようになる。

有機電界発光表示素子の高温安定性を向上させるための方法として、発光層を改善する方法がある。ＵＳ６，３９２，３３９号（特許文献１）では、高温安定性を向上させるために、発光層のホストを正孔輸送層と電子輸送層の混合物で構成して、高温寿命を向上させた。正孔輸送層と電子輸送層の混合物の発光層を用いることによって、正孔の電子輸送層への移動を抑制して、デバイスの高温安定性を向上させた。ＵＳ６，３９２，２５０号（特許文献２）では、正孔輸送層と電子輸送層の混合物を発光層のホストとして用いて、ドーパントをドーピングすることによって、高温における駆動安定性を向上させた。

しかし前記の方法は、蛍光物質に適用されて高温安定性を向上させることが確認されたが、燐光デバイスではむしろデバイスの特性を減少させる特性がある。特に燐光デバイスで電子輸送性を有するホスト材料が限定されているために、デバイスの高温特性を改善するのに限界がある。そして高温特性改善のためには、発光層のホストだけでなくドーパントの特性を改善しなければならない必要がある。
ＵＳ６，３９２，３３９号ＵＳ６，３９２，２５０号

したがって、本発明の目的は有機電界発光表示装置を形成する時、発光層を改善して、高温安定性が優秀で、駆動時画素縮小問題を解決し、安定性が向上した平板表示装置を提供することにある。

このような目的を達成するために本発明は、
基板と；前記基板上に形成されている第１電極と；第２電極と前記第１電極及び第２電極間に少なくとも一つの発光層を含む有機膜層を含み、前記発光層は少なくとも一つの燐光ドーパントを含み、前記ドーパントはＬ_２ＭＬ’で表現されることを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
前記Ｍは、転移金属であって、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、及びＯｓで構成された群から選択された１種の金属であって、前記ＬとＬ’との炭素と窒素で配位される二座（ｂｉｄｅｎｄａｔｅ）配位子であって、ＬとＬ’のうち少なくとも一つは配位子内Ｃの数が１５以上である。

また、本発明は、
基板と；前記基板上に形成されている第１電極と；第２電極と前記第１電極及び第２電極間に少なくとも一つの発光層を含む有機膜層を含み、前記発光層は少なくとも一つの燐光ドーパントを含み、前記ドーパントはＬ_３Ｍで表現されることを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。

また、本発明は、
Ｌ_２ＭＬ’またはＬ_３Ｍで表現され、前記Ｍは転移金属であってＩｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、及びＯｓで構成された群から選択された１種の金属であって、前記ＬとＬ’との炭素と窒素で配位される二座（ｂｉｄｅｎｄａｔｅ）配位子であってＬとＬ’のうち少なくとも一つは配位子内Ｃの数が１５以上であることを特徴とする発光化合物を提供する。
前記Ｍは、転移金属であって、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、及びＯｓで構成された群から選択された１種の金属であって、前記Ｌは炭素と窒素で配位される二座（ｂｉｄｅｎｄａｔｅ）配位子であって配位子内Ｃの数が１５以上である。

このように、本発明においては、既存の発光層物質を改善して発光層のホストにドーピングされるドーパントに、高温安定性が優秀なドーパントを用いて、高温特性及び画素縮小現象を改善した。

燐光ドーパントの場合、一般的に金属と配位子の有機金属錯体化合物が用いられ、燐光ドーパントの金属としては、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｏｓなどの転移金属が用いられ、配位子は有機化合物形態の配位子が用いられる。有機化合物配位子の場合、一般的に二座（ｂｉｄｅｎｄａｔｅ）形態の配位子が主に用いられ、Ｌ_２ＭＬ’、またはＬ_３Ｍの形態のドーパントが主に用いられるようになる。

ＬとＬ’は、二座（ｂｉｄｅｎｄａｔｅ）配位子（ｌｉｇａｎｄ）であり、Ｍは転移金属を意味する。前記の構造は燐光の三重項状態を発光に利用するために、効率が優秀で輝度も優秀な特性を有している。しかし、高温における安定性及び画素縮小現象は、燐光有機金属錯体化合物の構造に大きく依存する。

Ｌ_２ＭＸ（ここでＸは補助配位子であって、例えばアセチルアセトナトである）形態の配位子の場合、補助配位子であるＸが、金属との結合力が小さいために、高温では補助配位子と金属との結合力が弱くなり、常温では駆動による発光効率の減少が徐々に現れるが、高温では駆動によって発光効率が急激に減少するようになる。

Ｌ_３Ｍ形態の配位子の場合には、配位子の構造によって高温特性が決定されるようになる。配位子がＣの数が１５個未満に柔軟な構造を有する低いガラス転移温度を有する場合には、高温で配位子の変形によって高温安定性が低下するようになって、配位子をガラス転移温度が高いＣを１５個以上含む強直な構造の配位子を用いるようになれば、高温における駆動にも安定になる。

Ｌ_２ＭＬ’の場合にも高温安定性は、ＬとＬ’の配位子の強直度により決定されるようになってＬとＬ’のうち少なくとも一個の配位子はＣが１５個以上である強直な構造を用いてこそ高温安定性が向上するようになる。

画素縮小現象は、デバイス内に存在する酸素または残留ガス等により現れるようになり、したがって酸素または残留ガスに安定したドーパントを用いる場合画素縮小現象が減少するようになる。したがって、補助配位子を用いるＬ_２ＭＸの構造を用いるようになれば、補助配位子の転移金属に対する結合力が弱いために、残留ガスによって結合が容易に分解されて画素縮小現象が現れるようになる。

これに反して、転移金属と配位子の結合力が強いＬ_３ＭとＬ_２ＭＬ’の場合には、残留ガスに安定で画素縮小現象が顕著に減少するようになる。

したがって、高温における駆動安定性が優秀で画素縮小現象を減少させるためには、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｏｓなどの転移金属と有機錯体化合物を形成する燐光ドーパントの配位子構造がＬ_３ＭまたはＬ_２ＭＬ’の構造を有するべきであり、Ｌ_３Ｍ構造の配位子であるＬは配位子内のＣの数が１５個以上でなければならない。Ｌ_２ＭＬ’の場合には、ＬとＬ’のうち少なくとも一つは配位子内のＣの数が１５個以上であるものが望ましい。

したがって、本発明においては、基板と前記基板上に形成されている第１電極と第２電極と前記第１電極及び第２電極間に少なくとも一つの発光層を含む有機膜層を含み、前記発光層は少なくとも一つの燐光ドーパントを含み、前記ドーパントはＬ_２ＭＬ’またはＬ_３Ｍで表現されることを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。

前記Ｍは、転移金属であって、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、及びＯｓで構成された群から選択された１種の金属であって、前記ＬとＬ’との炭素と窒素で配位される二座（ｂｉｄｅｎｄａｔｅ）配位子であって、ＬとＬ’のうち少なくとも一つは配位子内Ｃの数が１５以上である。
前記ＬとＬ’のうち少なくとも一つは、配位子内六角形のリング構造を少なくとも二個を有することが望ましい。

一方、前記ドーパントＬ_２ＭＬ’の場合前記ＬとＬ’は、下記式１ないし１５で表現される配位子のうちいずれか一つである。

また、前記Ｌ_２ＭＬ’の望ましい化合物としては下記式１６ないし２２で表現されるドーパントのうちいずれか一つである。

前記式１６ないし２２で表現されるドーパントは、Ｌで表現される配位子には炭素数が１５以上のもので構成されていて、Ｌ’で表現される配位子は炭素数が１５以下のものも含まれている。

前記ドーパントＬ_３Ｍの場合前記Ｌは下記式１ないし１４で表現される配位子のうちいずれか一つである。

また、前記Ｌ_３Ｍの望ましい化合物としては下記式２３ないし３１で表現されるドーパントのうちいずれか一つである。

前記式２３ないし３１で表現されるドーパントは、Ｌに含まれる炭素数が１５以上の物質だけで構成されている。

一方、前記発光層は、各々副画素として赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層で構成されており、前記発光層のうち前記青色発光層は蛍光発光物質で構成されることができる。

本発明においてはまた、前記青色発光層としては燐光ドーパントを用いる燐光発光層を含むことができ、前記青色発光層が燐光発光層である場合前記燐光ドーパントは前記ＬとＬ’のうちいずれか一つは配位子内Ｃの数が１５未満であるドーパントを含む。

一方、前記有機膜層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層のうち１以上の層をさらに含むことができる。特に、発光層が燐光発光層の場合、正孔の移動が電子の移動より速いために、発光層上部に正孔抑制層を含むことが望ましい。

したがって、前記副画素であるＲ、Ｇ、Ｂ発光層各々が燐光発光層で形成される場合には、前記正孔抑制層を共通層として基板全面にかけて形成することができる。一方、前記発光層のうち青色発光層を蛍光発光物質で形成する場合には、前記青色発光層上部には正孔抑制層を形成しなかったり、青色発光層を共通層として赤色及び緑色燐光発光層上部に形成することができる。

一方、前記第１電極がアノード電極である場合、第２電極はカソード電極であって、前記第１電極がカソード電極である場合、第２電極はアノード電極になり、第１電極または第２電極のうちいずれか一つの電極が反射電極を含めば、他の電極は透明電極を含む。

以上のように、本発明における構造の燐光ドーパントを用いると、既存の一般的な燐光ドーパントをホストにドーピングする構造に比べて、高温における安定性を大幅に向上させて、画素縮小現象が減少された有機電界発光表示装置を製造することができる。

前記の比較実施例の結果で見られるように、本発明におけるイリジウム（Ｉｒ）が含まれたＬ_３Ｍ及びＬ_２ＭＬ’構造の配位子にＣが１５個以上含まれる燐光ドーパントを用いると、高温における駆動安定性を確保することができて、駆動時画素縮小現象を抑制できる効果がある。

以下、本発明の望ましい実施例を提示する。ただし、下記する実施例は、本発明をよく理解するために提示されているにすぎず、本発明が下記する実施例に限定されることはない。

実施例１
ＩＴＯ透明電極上に、有機電界発光表示装置の正孔注入層として、フタロシアニン銅（ｃｏｐｐｅｒｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）を１０^−６トール（ｔｏｒｒ）の真空下で１０ｎｍ厚さに蒸着した後、正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ；ＮＰＤ）を、１０^−６トールの真空下で５０ｎｍの厚さに蒸着した。ＮＰＤ蒸着後、発光層としてカルバゾルビフェニル（ｃａｒｂａｚｏｌｅｂｉｐｈｅｎｙｌ；ＣＢＰ）に下記式２７のトリス（１−フェニルキノリン）イリジウム（ｔｒｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）Ｉｒｉｄｉｕｍ）を１０％の濃度に蒸着して、発光層を３０ｎｍ厚さに形成した。発光層蒸着後、正孔阻止層としてビフェノキシ−ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＢＡｌｑ）を５ｎｍ厚さに蒸着後、電子輸送層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）を１０^−６トールの真空下で２０ｎｍ厚さに蒸着した。電子輸送層蒸着後、電子注入層としてＬｉＦを１ｎｍの厚さに蒸着した。最後に金属電極としてＡｌをＬｉＦ電子注入層上に３００ｎｍの厚さに蒸着した後、メタル缶（ｍｅｔａｌｃａｎ）及び酸化バリウム（ＢａＯ）を利用して封止した。

前記のような工程を利用して製作した有機電界発光表示素子は、６Ｖにおいて輝度３００ｃｄ／ｍ^２、効率８．０ｃｄ／Ａ、色座標（０．６２，０．３７）を見せた。そして、７０℃で高温寿命を評価した結果、７０℃における寿命は８００ｃｄ／ｍ^２で３，５００時間を見せた。そして、駆動時画素縮小現象は観察できなかった。

実施例２
ＩＴＯ透明電極上に、有機電界発光表示装置の正孔注入層として、フタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）を１０^−６トールの真空下で１０ｎｍ厚さに蒸着した後、正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ；ＮＰＤ）を１０^−６トールの真空下で５０ｎｍの厚さに蒸着した。ＮＰＤ蒸着後、発光層としてカルバゾルビフェニル（ｃａｒｂａｚｏｌｅｂｉｐｈｅｎｙｌ；ＣＢＰ）に下記式２８のトリス（１−フェニルキノリン）イリジウム（ｔｒｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）Ｉｒｉｄｉｕｍ）を１０％の濃度に蒸着して、発光層を３０ｎｍ厚さに形成した。発光層蒸着後、正孔阻止層としてビフェノキシ−ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＢＡｌｑ）を５ｎｍ厚さに蒸着後、電子輸送層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）を１０^−６トールの真空下で２０ｎｍ厚さに蒸着した。電子輸送層蒸着後、電子注入層としてＬｉＦを１ｎｍの厚さに蒸着した。最後に金属電極としてＡｌをＬｉＦ電子注入層上に３００ｎｍの厚さに蒸着した後、メタル缶及び酸化バリウムを利用して封止した。

前記のような工程を利用して製作した有機電界発光表示素子は、６Ｖにおいて輝度２３０ｃｄ／ｍ^２、効率５．０ｃｄ／Ａ、色座標（０．６７，０．３２）を見せた。そして、７０℃で高温寿命を評価した結果、７０℃における寿命は８００ｃｄ／ｍ^２で４，０００時間を見せた。そして、駆動時画素縮小現象は観察できなかった。

比較例１
ＩＴＯ透明電極上に、有機電界発光表示装置の正孔注入層としてフタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）を１０^−６トールの真空下で１０ｎｍ厚さに蒸着した後、正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ；ＮＰＤ）を１０^−６トールの真空下で５０ｎｍの厚さに蒸着した。ＮＰＤ蒸着後、発光層としてカルバゾルビフェニル（ｃａｒｂａｚｏｌｅｂｉｐｈｅｎｙｌ；ＣＢＰ）にビス（１−フェニルイソキノリン）イリジウムアセチルアセトナト（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）Ｉｒｉｄｉｕｍａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）を１０％の濃度に蒸着して発光層を３０ｎｍ厚さに形成した。発光層蒸着後、正孔阻止層としてビフェノキシ−ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＢＡｌｑ）を５ｎｍ蒸着後電子輸送層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）を１０^−６トールの真空下で２０ｎｍ厚さに蒸着した。電子輸送層蒸着後、電子注入層としてＬｉＦを１ｎｍの厚さに蒸着した。最後に金属電極としてＡｌをＬｉＦ電子注入層上に３００ｎｍの厚さに蒸着した後、メタル缶及び酸化バリウムを利用して封止した。

前記のような工程を利用して製作した有機電界発光表示素子は、６Ｖにおいて輝度３００ｃｄ／ｍ^２、効率１１．０ｃｄ／Ａ、色座標（０．６２，０．３７）を見せた。そして、７０℃で高温寿命を評価した結果、７０℃における寿命は８００ｃｄ／ｍ^２で１，０００時間を見せた。そして、駆動後１００時間経過後、画素縮小現象が現れ始めた。

比較例２
ＩＴＯ透明電極上に、有機電界発光表示装置の正孔注入層としてフタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）を１０^−６トールの真空下で１０ｎｍ厚さに蒸着した後、正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ；ＮＰＤ）を１０^−６トールの真空下で５０ｎｍの厚さに蒸着した。ＮＰＤ蒸着後、発光層としてカルバゾルビフェニル（ｃａｒｂａｚｏｌｅｂｉｐｈｅｎｙｌ；ＣＢＰ）にビス（１−フェニルキノリン）イリジウムテトラメチルヘプタンジオン（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｈｅｐｔａｎｅｄｉｏｎｅ）を１０％の濃度に蒸着して発光層を３０ｎｍ厚さに形成した。発光層蒸着後、正孔阻止層としてビフェノキシ−ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＢＡｌｑ）を５ｎｍ厚さに蒸着後、電子輸送層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）を１０^−６トールの真空下で２０ｎｍ厚さに蒸着する。電子輸送層蒸着後、電子注入層としてＬｉＦを１ｎｍの厚さに蒸着した。最後に金属電極としてＡｌをＬｉＦ電子注入層上に３００ｎｍの厚さに蒸着した後、メタル缶及び酸化バリウムを利用して封止した。

前記のような工程を利用して製作した有機電界発光表示素子は、６Ｖにおいて輝度２８０ｃｄ／ｍ^２、効率１０．０ｃｄ／Ａ、色座標（０．６２，０．３７）を見せた。そして、７０℃で高温寿命を評価した結果、７０℃における寿命は８００ｃｄ／ｍ^２で５００時間を見せた。そして駆動後３０時間経過後、画素縮小現象が現れ始めた。

比較例３
ＩＴＯ透明電極上に、有機電界発光表示装置の正孔注入層としてフタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）を１０^−６トールの真空下で１０ｎｍ厚さに蒸着した後、正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ；ＮＰＤ）を１０^−６トールの真空下で５０ｎｍの厚さに蒸着した。ＮＰＤ蒸着後、発光層としてカルバゾルビフェニル（ｃａｒｂａｚｏｌｅｂｉｐｈｅｎｙｌ；ＣＢＰ）にトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）を５％の濃度に蒸着して発光層を３０ｎｍ厚さに形成した。発光層蒸着後、正孔阻止層としてビフェノキシ−ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）を５ｎｍ厚さに蒸着後、電子輸送層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）を１０^−６トールの真空下で２０ｎｍ厚さに蒸着した。電子輸送層蒸着後、電子注入層としてＬｉＦを１ｎｍの厚さに蒸着した。最後に金属電極としてＡｌをＬｉＦ電子注入層上に３００ｎｍの厚さに蒸着した後、メタル缶及び酸化バリウムを利用して封止した。

前記のような工程を利用して製作した有機電界発光表示素子は、６Ｖにおいて輝度２５０ｃｄ／ｍ^２、効率２４．０ｃｄ／Ａ、色座標（０．２９，０．６２）を見せた。そして、７０℃で高温寿命を評価した結果、７０℃における寿命は８００ｃｄ／ｍ^２で７００時間を見せた。そして駆動後１００時間経過後、画素縮小現象が現れ始めた。

一般的な有機電界発光表示装置の構造を概略的に示した断面図である。

符号の説明

１陰極
２電子注入層
３電子伝達層
４発光層
５正孔伝達層
６正孔注入層
７陽極

Claims

基板と前記基板上に形成されている第１電極と第２電極と前記第１電極及び第２電極間に少なくとも一つの発光層を含む有機膜層を含み、前記発光層は少なくとも一つの燐光ドーパントを含み、前記ドーパントはＬ_２ＭＬ’（前記Ｍは、転移金属であってＩｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、及びＯｓで構成された群から選択された１種の金属であって、前記ＬとＬ’との炭素と窒素で配位される二座配位子であってＬとＬ’のうち少なくとも一つは配位子内Ｃの数が１５以上である）で表現されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
前記ＬとＬ’のうち少なくとも一つは、配位子内六角形のリング構造を少なくとも二個を有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
前記発光層は、各々副画素として赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層で構成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
前記青色発光層は、蛍光発光層であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
前記青色発光層は、前記燐光ドーパントを含んで前記ＬとＬ’のうちいずれか一つは配位子内Ｃの数が１５未満であるドーパントを含むことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
前記Ｌ及びＬ’は、相互に同一でなく、下記式１ないし１５：

のうちいずれか一つの化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
前記Ｌ_２ＭＬ’は、下記式１６ないし２２：

で示す化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置：
前記有機膜層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層のうち１以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
前記青色発光層が蛍光発光層である場合には前記正孔抑制層は赤色及び緑色発光層上部にだけ形成されるものであることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
前記青色蛍光発光層は共通層であって、基板全面にかけて前記赤色及び緑色燐光発光層上部に形成されるものであることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置。
前記第１電極がアノード電極である場合第２電極はカソード電極であって、前記第１電極がカソード電極である場合第２電極はアノード電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
基板と；前記基板上に形成されている第１電極と；第２電極と前記第１電極及び第２電極間に少なくとも一つの発光層を含む有機膜層を含み、前記発光層は少なくとも一つの燐光ドーパントを含み、前記ドーパントはＬ_３Ｍ（前記Ｍは、転移金属であってＩｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、及びＯｓで構成された群から選択された１種の金属であって、前記Ｌは炭素と窒素で配位される二座配位子であって配位子内Ｃの数が１５以上である）で表現されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
前記Ｌは、配位子内六角形のリング構造を少なくとも二個を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
前記Ｌは、下記式１ないし１４：

で表示される化合物のうち一つであることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置：
前記Ｌ_３Ｍは、下記式２３ないし３１で表現される化合物のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置：
前記発光層は、各々副画素として赤色、緑色、及び青色を具現する発光層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
前記青色発光層は、蛍光発光層であることを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。
前記青色蛍光発光層は共通層であって、基板全面にかけて赤色及び緑色燐光発光層上部に形成されるものであることを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光表示装置。
前記有機膜層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層のうち１以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
前記青色発光層が蛍光発光層である場合には前記正孔抑制層は、赤色及び緑色発光層上部にだけ形成されるものであることを特徴とする請求項１９に記載の有機電界発光表示装置。
前記第１電極がアノード電極である場合第２電極はカソード電極であって、前記第１電極がカソード電極である場合第２電極はアノード電極であることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
Ｌ_２ＭＬ’またはＬ_３Ｍで表現され、前記Ｍは転移金属であってＩｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、及びＯｓで構成された群から選択された１種の金属であって、前記ＬとＬ’との炭素と窒素で配位される二座配位子であってＬとＬ’のうち少なくとも一つは配位子内Ｃの数が１５以上であることを特徴とする発光化合物。
前記Ｌ及びＬ’は、相互に同一でなくて下記式１ないし１５のうちいずれか一つの化合物であることを特徴とする請求項２２に記載の発光化合物：
前記Ｌ_２ＭＬ’は、下記式１６ないし２２で示す化合物のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項２２に記載の発光化合物：
Ｌ_３Ｍは、下記式２３ないし３１で表現される化合物のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項２２に記載の発光化合物：