JP2005158211A - Initialization method of phase change optical recording medium - Google Patents
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Abstract
【課題】 記録可能最低線速度が3.5m/s、記録可能最高線速度が14m/sという広い線速度範囲において記録可能な相変化光記録媒体の最適初期化方法の提供。
【解決手段】 案内溝が設けられた透明基板上に、少なくとも第一保護層、組成式AgαXβSbδTeεGeγで示される材料からなる記録層、第二保護層、反射層を有する相変化光記録媒体に対し、照射光パワー密度15〜22mW/μm2、照射光ビーム線速度8〜12m/sの条件で初期化する初期化方法。
上記組成式中、XはGa、In、Tl、Pb、Sn、Bi、Cd、Hg、Mn、Dy、Cu、Auから選ばれた少なくとも1種の元素、α、β、δ、ε、γは原子%、α+β+δ+ε+γ=100であり、α=β=0のとき、60≦δ≦90、0≦ε≦30、1≦γ≦10、α+β>0のとき、5≦α+β+γ≦10、0≦α≦2、0≦β≦8、60≦δ≦90、0≦ε≦30、1≦γ<10である。
【選択図】 図2PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optimum initialization method for a phase change optical recording medium capable of recording in a wide linear velocity range in which a recordable linear velocity is 3.5 m / s and a recordable linear velocity is 14 m / s.
A phase change optical recording medium having at least a first protective layer, a recording layer made of a material represented by the composition formula AgαXβSbδTeεGeγ, a second protective layer, and a reflective layer on a transparent substrate provided with a guide groove. An initialization method for initialization under conditions of an irradiation light power density of 15 to 22 mW / μm 2 and an irradiation light beam linear velocity of 8 to 12 m / s.
In the above composition formula, X is at least one element selected from Ga, In, Tl, Pb, Sn, Bi, Cd, Hg, Mn, Dy, Cu, and Au, and α, β, δ, ε, and γ are Atomic%, α + β + δ + ε + γ = 100, when α = β = 0, 60 ≦ δ ≦ 90, 0 ≦ ε ≦ 30, 1 ≦ γ ≦ 10, and α + β> 0, 5 ≦ α + β + γ ≦ 10, 0 ≦ α ≦ 2, 0 ≦ β ≦ 8, 60 ≦ δ ≦ 90, 0 ≦ ε ≦ 30, 1 ≦ γ <10.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、3.5〜14m/sという広い線速度範囲で記録可能な相変化光記録媒体の最適初期化方法に関する。 The present invention relates to an optimal initialization method for a phase change optical recording medium capable of recording in a wide linear velocity range of 3.5 to 14 m / s.
近年、情報量の増大に伴い高密度でかつ高速に大量のデータの記録・再生ができる記録媒体が求められている。光ビームを照射し情報の記録・再生を行う相変化光記録媒体、特に相変化光ディスクは、信号品質に優れ高密度化が可能であり、また1ビームオーバーライトが容易なことから高速アクセス性に優れた記録媒体である。
このような相変化光ディスクは一般的に、レーザー光の走査を案内する凹状の案内溝が形成された光透過性基板上に、少なくとも第一保護層、非晶質相と結晶相の可逆的相変化をする相変化記録層、第二保護層、金属からなる反射層がこの順に設けられ、更に反射層上に樹脂保護層が設けられた構造となっている。貼り合わせ型光ディスクの場合は、前記構造を一方に用いるか、又は両方に用いて、接着層を介し貼り合わせた構造となっている。データが記録された光ディスクの再生には、通常、記録層の非晶質相−結晶相間の可逆的相変化現象に伴う反射率差又は反射光位相差が利用され、結晶状態が未記録・消去状態とされている。
In recent years, a recording medium capable of recording and reproducing a large amount of data at a high density and at a high speed has been demanded as the amount of information increases. Phase change optical recording media that record and reproduce information by irradiating a light beam, especially phase change optical discs, are excellent in signal quality and can be increased in density, and can easily be overwritten by one beam for high speed access. It is an excellent recording medium.
In general, such a phase change optical disk has at least a first protective layer, a reversible phase of an amorphous phase and a crystalline phase on a light-transmitting substrate on which a concave guide groove for guiding scanning of laser light is formed. A phase change recording layer that changes, a second protective layer, and a reflective layer made of metal are provided in this order, and a resin protective layer is further provided on the reflective layer. In the case of a bonded optical disk, the above structure is used for one or both, and the structure is bonded via an adhesive layer. When reproducing an optical disc on which data has been recorded, the reflectance difference or reflected light phase difference associated with the reversible phase change phenomenon between the amorphous phase and the crystalline phase of the recording layer is usually used, and the crystalline state is not recorded or erased. It is in a state.
上記構造は一般にスパッタリング法、真空蒸着法などによる真空プロセスを経て成膜され、このようにして成膜される記録層の成膜直後の状態、即ち、as−depo(アズ・デポ)状態は非晶質である場合が多い。そのため「初期化」と呼ばれる記録層を結晶化する工程が設けられる。この工程を設ける理由は、as−depo状態の非晶質の記録層は、オーバーライト記録により形成される非晶質状態(マーク)と異なり、結晶化に要する時間が非常に長いからである。これはas−depo状態の記録層には結晶核が殆どないことが原因と考えられている。
一方、相変化光ディスクの記録原理は以下の通りである。
記録層の非晶質相/結晶相への切り替えは3つの出力レベルでパルス化された集束レーザビームが用いられる。この際、最も高い出力レベルは記録層の溶融に使用され、中間の出力レベルでは融点直下、結晶化温度よりも高い温度まで記録層を加熱するのに使用し、また最も低いレベルは記録層の加熱又は冷却の制御に使用される。最も高い出力レベルのレーザパルスにより溶融した記録層は、続く急冷により非晶質ないしは微結晶となって反射率低下が起こり、記録マークとなる。また、中間出力のレーザパルスでは全て結晶質となり消去が可能となる。このように出力レベル間で書込みレーザパルスを変化させることにより記録層に交互に結晶領域と非晶質領域を作成することができ、情報が記録される。
The above structure is generally formed through a vacuum process such as sputtering or vacuum vapor deposition, and the state immediately after film formation of the recording layer thus formed, that is, the as-depo state is not. Often it is crystalline. Therefore, a step of crystallizing the recording layer called “initialization” is provided. The reason for providing this step is that the amorphous recording layer in the as-depo state requires a very long time for crystallization, unlike the amorphous state (mark) formed by overwrite recording. This is thought to be because the as-depo state recording layer has almost no crystal nuclei.
On the other hand, the recording principle of the phase change optical disk is as follows.
The recording layer is switched to the amorphous phase / crystalline phase using a focused laser beam pulsed at three output levels. At this time, the highest output level is used for melting the recording layer, the intermediate output level is used to heat the recording layer to a temperature just below the melting point and higher than the crystallization temperature, and the lowest level is used for the recording layer. Used to control heating or cooling. The recording layer melted by the laser pulse with the highest output level becomes amorphous or microcrystalline by the subsequent rapid cooling, resulting in a decrease in reflectivity and a recording mark. Further, all laser pulses with an intermediate output become crystalline and can be erased. In this way, by changing the writing laser pulse between the output levels, crystalline regions and amorphous regions can be alternately formed in the recording layer, and information is recorded.
ところで、このような製造プロセス/記録方式によりデータが記録された光ディスクの実際の記録特性は、概ね記録層材料自体の特性に大きく依存することが多い。記録層材料の特性を表す物性値の代表的なものに、組成比、融点、結晶化温度、光学定数などがあるが、これ以外に本発明者らが経験に基づき考案/定義した値として「結晶化限界速度」というものがある。
この「結晶化限界速度」とは、回転する光ディスクに一定パワーのDC光を照射し、光ディスク反射率の照射光ビーム線速度(光ディスク回転速度)依存性を評価したとき、図1に示すような反射率の急激な低下が始まる時の線速度のことを意味する。これは「一定パワーのDC光」を前記記録原理における中間出力パルス(消去パルス)に見立て、記録/再生系の照射光ビームの線速度を上昇させた時にどの線速度まで結晶化(消去)が可能であるかについて着目した評価方法である。図1を例にとると、線速度が記録層の結晶化限界速度(図中太線)以上では反射率低下が起り、満足な結晶化(消去)が実現されていないことを意味している。そのため従来、初期化やオーバーライト(正確には消去パルス)の照射光ビームの線速度は、良好な消去比を得るためには、記録層の結晶化限界速度よりも十分遅い線速度領域で行うことが望ましいとされてきた。
By the way, the actual recording characteristics of an optical disc on which data is recorded by such a manufacturing process / recording method often largely depend on the characteristics of the recording layer material itself. Typical physical property values representing the characteristics of the recording layer material include a composition ratio, a melting point, a crystallization temperature, an optical constant, and the like. There is a "crystallization limit speed".
This “crystallization limit speed” means that when a rotating optical disk is irradiated with DC light of a constant power and the dependency of the optical disk reflectivity on the irradiated light beam linear velocity (optical disk rotation speed) is evaluated, as shown in FIG. It means the linear velocity at which the sudden decrease in reflectance starts. This is because the “constant power DC light” is regarded as an intermediate output pulse (erasing pulse) in the above recording principle, and when the linear velocity of the irradiation light beam of the recording / reproducing system is increased, crystallization (erasing) can be performed up to any linear velocity. It is an evaluation method focusing on whether it is possible. Taking FIG. 1 as an example, when the linear velocity is equal to or higher than the crystallization limit velocity (thick line in the figure) of the recording layer, the reflectance is lowered, which means that satisfactory crystallization (erasure) is not realized. Therefore, conventionally, the linear velocity of the irradiation light beam for initialization and overwriting (exactly, erase pulse) is performed in a linear velocity region sufficiently lower than the crystallization limit velocity of the recording layer in order to obtain a good erase ratio. It has been desirable.
ところが本発明の対象とする記録可能最低線速度が3.5m/sで、記録可能最高線速度が14m/sという広線速度領域で記録可能な相変化光記録媒体の場合には、低線速記録における記録特性も十分満足する高線速記録媒体を設計する必要があったため、この記録層の結晶化限界速度を、高線速記録時の線速度(14m/s)よりも4m/s程度遅い10m/s近傍に設計しなければならなかった(本発明者らの経験上、線速度14m/sの良好な高速記録特性を得るためには結晶化限界速度が14m/s付近の記録材料を用いることが望ましい事は分っていたが、そのような結晶化限界速度の速い記録材料は、現状の記録方式では良好な低線速記録特性を得ることが困難であった。)。そして従来通り、記録層の結晶化限界速度よりも十分に遅い線速度領域で初期化を行い、記録線速度14m/sでオーバーライト記録を行って特性を評価したところ、繰り返し記録初期(オーバーライト回数が1回から10回程度まで)の消去率が低く、初期化後安定した消去率を得るまでに、書換えを何回か繰り返さなければならないという不具合が生じた。
このような繰り返し記録初期の消去率低下の原因は明らかでないが、上記の事実を基に推測すると、恐らく初期化後の記録層の結晶状態と非晶質マークをオーバーライト消去により再形成した結晶状態とが異なるため反射率の不均一が生じ、その結果ジッター増大が生じてしまったのではないかと考えられる。
However, in the case of a phase change optical recording medium which can be recorded in a wide linear velocity region where the lowest recordable linear velocity is 3.5 m / s and the highest recordable linear velocity is 14 m / s. Since it was necessary to design a high linear velocity recording medium that sufficiently satisfies the recording characteristics in high speed recording, the crystallization limit speed of this recording layer is 4 m / s higher than the linear velocity (14 m / s) in high linear velocity recording. It had to be designed around 10 m / s, which is a slow rate (in our experience, in order to obtain good high-speed recording characteristics with a linear velocity of 14 m / s, recording at a crystallization limit speed of around 14 m / s is required. Although it was known that it was desirable to use a material, it was difficult for such a recording material having a high crystallization limit speed to obtain good low linear velocity recording characteristics with the current recording method. Then, as usual, initialization was performed in a linear velocity region sufficiently slower than the crystallization limit velocity of the recording layer, and overwrite recording was performed at a recording linear velocity of 14 m / s, and the characteristics were evaluated. The erasure rate is low (from about 1 to 10 times), and there is a problem that rewriting has to be repeated several times before obtaining a stable erasure rate after initialization.
The cause of such a decrease in the erasure rate at the beginning of repeated recording is not clear, but based on the above fact, the crystal state of the recording layer after initialization and the crystal formed by rewriting the amorphous mark by overwrite erasure Since the state is different, the non-uniformity of reflectance occurs, and as a result, an increase in jitter may have occurred.
本発明のような記録可能最低線速度が3.5m/sで記録可能最高線速度が14m/sの広線速記録媒体では、上述のジッター上昇の問題は、特に14m/sの記録において顕著となる。今、図1を例とし、結晶化限界速度よりも比較的遅い線速度領域にある2.4倍速の消去後の結晶状態を「結晶状態A」、結晶化限界速度よりも比較的速い線速度領域にある4倍速の消去後の結晶状態を「結晶状態B」とする。
2.4倍速領域では充分高いパワーの消去パルスを照射して「結晶状態A」を再現することができるため、ジッター上昇を抑えることができるが、アモルファス化の起こり易い4倍速領域では充分に高いパワーの消去パルスを照射することができないため、消去後の結晶状態は「結晶状態A」とは異なる「結晶状態B」となる。(一方でオーバーライト回数が10回程度以降で消去率が安定する理由は、オーバーライト回数10回までに初期化後の結晶状態が全て非晶質マークをオーバーライト消去した後の結晶状態(「結晶状態B」)へ移り、反射率が均一になるためと考えられる。)
そのため、初期化後の反射率と4倍速オーバーライト後の反射率(初回に記録されたマークをオーバーライト消去により再形成した結晶の反射率)を等価にし、繰り返し記録初期の記録特性改善を行うことが必須の課題となっていた。
In the wide linear velocity recording medium having the lowest recordable linear velocity of 3.5 m / s and the highest recordable linear velocity of 14 m / s as in the present invention, the above-mentioned problem of jitter increase is particularly noticeable in recording at 14 m / s. It becomes. Now, taking FIG. 1 as an example, the crystal state after erasing at 2.4 × speed in the linear velocity region relatively slower than the crystallization limit velocity is “crystal state A”, and the linear velocity relatively higher than the crystallization limit velocity is The crystal state after erasing at 4 × speed in the region is referred to as “crystal state B”.
In the quadruple speed region, it is possible to reproduce the “crystal state A” by irradiating a sufficiently high power erasing pulse, so that an increase in jitter can be suppressed, but it is sufficiently high in the quadruple speed region where amorphization easily occurs. Since the power erasing pulse cannot be irradiated, the crystal state after erasing becomes “crystal state B” different from “crystal state A”. (On the other hand, the reason why the erasure rate is stabilized after the overwrite frequency is about 10 times or more is that the crystal state after initialization is overwritten by overwriting the amorphous mark by the
Therefore, the reflectance after initialization and the reflectance after quadruple speed overwriting (reflectance of crystals re-formed by overwrite erasing of the marks recorded at the first time) are made equivalent to improve the recording characteristics at the initial stage of repeated recording. This has become an essential issue.
なお、オーバーライト回数が数回程度までの間に見られるジッター値の増大を抑制する相変化光記録媒体、及び、該光記録媒体の初期化方法に関する従来技術としては以下の特許文献1〜14があるが、特許文献1〜8には、具体的な初期化条件/方法(パワー密度、線速度など)の記述がなく、特許文献9〜14には、初期化方法に関する記載はあるものの、初期化条件が本発明と異なるか又は広範囲すぎて、本発明が対象とする線速度3.5〜14m/s範囲でレーザー光を照射して情報の記録/再生を行うような相変化光記録媒体の初期化条件には適していない。
Note that the following Patent Documents 1 to 14 are known as conventional techniques relating to a phase change optical recording medium that suppresses an increase in jitter value that is observed until the number of times of overwriting is several times, and a method for initializing the optical recording medium. However, Patent Documents 1 to 8 do not have a description of specific initialization conditions / methods (power density, linear velocity, etc.), and
特許文献1:初期化後の記録層の結晶化の割合Zが0.37≦Z≦0.46の範囲にある相変化光記録媒体。
特許文献2:金属粒子を誘電体中に分散させた混合膜からなり、記録層の結晶粒子サイズを制御する作用を有するシード層を設けた相変化光記録媒体。
特許文献3:ディスクを回転させ、該回転方向に対して直角方向に幅広であり、かつ該回転方向に対し2個以上のピークパワーレベルをもつ光ビームを照射することで、オーバーライト100回以上後の記録層の結晶粒径の平均値に対して、初期化後の結晶粒径の平均値を2倍以内とした相変化光記録媒体。
特許文献4:記録層が溶融するパワーレベルと結晶化するパワーレベルのレーザー光を交互に照射する工程と、最後に記録層が結晶化するパワーレベルのレーザー光照射する工程からなり、初期化直後の結晶状態と、数十回記録・消去を行った後の結晶状態が同様である初期化方法。
特許文献5:初期化後の記録層の結晶粒最大幅が、50〜500nmである相変化光記録媒体。
特許文献6:初期化後の記録層の結晶化の割合Zが0.50≦Z≦0.85の範囲にある相変化光記録媒体。
特許文献7:スパッタ直後の非晶質状態が近距離秩序を有し、結晶化後の結晶粒径に対する固数分布が複数の極大を有する相変化光記録媒体。
特許文献8:初期化後の結晶粒の最大幅が0.01〜0.1μmとなるような初期化方法。
Patent Document 1: Phase change optical recording medium in which the ratio Z of crystallization of the recording layer after initialization is in the range of 0.37 ≦ Z ≦ 0.46.
Patent Document 2: Phase change optical recording medium comprising a mixed film in which metal particles are dispersed in a dielectric and provided with a seed layer having an action of controlling the crystal grain size of the recording layer.
Patent Document 3: Overwriting 100 times or more by rotating a disk and irradiating a light beam that is wide in a direction perpendicular to the rotation direction and has two or more peak power levels in the rotation direction A phase change optical recording medium in which the average value of the crystal grain size after initialization is within twice the average value of the crystal grain size of the subsequent recording layer.
Patent Document 4: It consists of a step of alternately irradiating a laser beam at a power level at which the recording layer melts and a power level at which it is crystallized, and a step of finally irradiating a laser beam at a power level at which the recording layer is crystallized. An initialization method in which the crystal state of the crystal layer is the same as the crystal state after recording and erasing several tens of times.
Patent Document 5: Phase change optical recording medium in which the recording layer has a maximum crystal grain width of 50 to 500 nm after initialization.
Patent Document 6: Phase change optical recording medium in which the recording layer crystallization ratio Z after initialization is in the range of 0.50 ≦ Z ≦ 0.85.
Patent Document 7: Phase change optical recording medium in which the amorphous state immediately after sputtering has short-range order, and the solid number distribution with respect to the crystal grain size after crystallization has a plurality of maximums.
Patent Document 8: Initialization method in which the maximum width of crystal grains after initialization is 0.01 to 0.1 μm.
特許文献9:初期化に用いるレーザー光のビームスポット形状が記録膜面上で長円形となるようにビームを成形し、更にこの長円スポットの長軸方向を記録トラック方向に対してほぼ直角になるように配置した状態でビームを照射し、記録層の少なくとも一部を少なくとも一度は融解する初期化方法。
特許文献10:成膜直後の非晶質を改質処理後、初期化を行う方法。
特許文献11:初期化後の記録は少なくとも2回のオーバーライトにより行う方法。
特許文献12:初期化に用いるレーザー光の強度分布(トラックに対して垂直方向の分布)を、最大強度の半値幅のそれぞれの最端部から10%までの部分の平均強度を半値幅の平均強度より小さくする初期化方法。
特許文献13:光記録媒体にパワー密度P(mW/μm2)が1.0≦P≦5.0かつ照射時間T(μsec)が1≦T≦100であるレーザー光を照射する初期化方法。
特許文献14:レーザー光の焦点が光記録媒体の記録層位置から外れた状態で、7m/s以上の線速度でレーザー光を照射する初期化方法。
Patent Document 9: A beam is shaped so that the beam spot shape of the laser beam used for initialization becomes an oval shape on the recording film surface, and the major axis direction of this oval spot is substantially perpendicular to the recording track direction. An initialization method in which a beam is irradiated in such a state that at least a part of the recording layer is melted at least once.
Patent Document 10: A method of performing initialization after reforming an amorphous material immediately after film formation.
Patent Document 11: Recording after initialization is performed by overwriting at least twice.
Patent Document 12: Laser beam intensity distribution (distribution in the direction perpendicular to the track) used for initialization is obtained by calculating the average intensity of the half-value width of the maximum intensity at 10% from the end of each half-value width. Initialization method to make it smaller than strength.
Patent Document 13: Initialization method for irradiating optical recording medium with laser beam having power density P (mW / μm 2 ) of 1.0 ≦ P ≦ 5.0 and irradiation time T (μsec) of 1 ≦ T ≦ 100 .
Patent Document 14: An initialization method in which laser light is irradiated at a linear velocity of 7 m / s or more in a state where the focus of the laser light is off the recording layer position of the optical recording medium.
本発明は、記録可能最低線速度が3.5m/s、記録可能最高線速度が14m/sという広い線速度範囲において記録可能な相変化光記録媒体の最適初期化方法の提供を目的とする。 An object of the present invention is to provide an optimum initialization method for a phase change optical recording medium that can be recorded in a wide linear velocity range in which a recordable linear velocity is 3.5 m / s and a recordable linear velocity is 14 m / s. .
上記課題は、次の1)〜12)の発明(以下、本発明1〜12という)によって解決される。
1) 案内溝が設けられた透明基板上に、少なくとも第一保護層、下記の組成式で示される材料からなる記録層、第二保護層、反射層を有する相変化光記録媒体に対し、照射光パワー密度15〜22mW/μm2、照射光ビーム線速度8〜12m/s、照射光ビーム送り幅10〜50μm/rの条件で初期化することを特徴とする初期化方法。
AgαXβSbδTeεGeγ
式中、XはGa、In、Tl、Pb、Sn、Bi、Cd、Hg、Mn、Dy、Cu、Auから選ばれた少なくとも1種の元素であり、α、β、δ、ε、γは原子%であって、次の(1)又は(2)の要件を満足する。
(1) α=β=0
δ+ε+γ=100
60≦δ≦90
0≦ε≦30
1≦γ≦10
又は、
(2) α+β>0
α+β+δ+ε+γ=100
5≦α+β+γ≦10
0≦α≦2
0≦β≦8
60≦δ≦90
0≦ε≦30
1≦γ<10
2) 記録層の膜厚が8〜20nmの範囲にあることを特徴とする1)記載の初期化方法。
3) 相変化光記録媒体が、記録層と第一保護層との間及び/又は記録層と第二保護層との間に、酸化ジルコニウム(ZrO2)を必須成分として含む酸化物層を有するものであることを特徴とする1)又は2)記載の初期化方法。
4) 酸化物層の主成分が酸化ジルコニウムであることを特徴とする3)記載の初期化方法。
5) 酸化物層に、酸化チタンが含まれることを特徴とする3)又は4)記載の初期化方法。
6) 酸化チタンの含有量が、酸化物層材料全体の60モル%以下であることを特徴とする5)記載の初期化方法。
7) 酸化物層に、更に希土類酸化物又はベリリウムを除くIIa族の酸化物を含むことを特徴とする3)〜6)の何れかに記載の初期化方法。
8) 希土類酸化物又はベリリウムを除くIIa族の酸化物の含有量が、酸化ジルコニウムに対して1〜10モル%の範囲にあることを特徴とする7)記載の初期化方法。
9) 酸化物層の膜厚が、1〜20nmであることを特徴とする3)〜8)の何れかに記載の初期化方法。
10) 初期化用照射光ビームのスポットサイズが200μm2以下で、光源出力が0.7〜2.5Wであることを特徴とする1)〜9)の何れかに記載の初期化方法。
11) 初期化用照射光ビーム線速度を、記録層の結晶化限界速度に対して±2m/sの速度範囲内とすることを特徴とする1)〜10)の何れかに記載の初期化方法。
12) 楕円状のビーム形を有する初期化用照射光ビームの送り幅が、楕円長軸方向のレーザスポットサイズ(半値幅)の1/n以上、(n−1)/n以下(但し2≦n≦5)を基準に設定され、また、同一部分が複数回重複して照射されないようにすることを特徴とする1)〜11)の何れかに記載の初期化方法。
The above problems are solved by the following inventions 1) to 12) (hereinafter referred to as the present invention 1 to 12).
1) Irradiation to a phase change optical recording medium having at least a first protective layer, a recording layer made of a material represented by the following composition formula, a second protective layer, and a reflective layer on a transparent substrate provided with a guide groove. An initialization method characterized by initializing under conditions of an optical power density of 15 to 22 mW / μm 2 , an irradiation light beam linear velocity of 8 to 12 m / s, and an irradiation light beam feed width of 10 to 50 μm / r.
AgαXβSbδTeεGeγ
In the formula, X is at least one element selected from Ga, In, Tl, Pb, Sn, Bi, Cd, Hg, Mn, Dy, Cu, and Au, and α, β, δ, ε, and γ are It is atomic% and satisfies the following requirement (1) or (2).
(1) α = β = 0
δ + ε + γ = 100
60 ≦ δ ≦ 90
0 ≦ ε ≦ 30
1 ≦ γ ≦ 10
Or
(2) α + β> 0
α + β + δ + ε + γ = 100
5 ≦ α + β + γ ≦ 10
0 ≦ α ≦ 2
0 ≦ β ≦ 8
60 ≦ δ ≦ 90
0 ≦ ε ≦ 30
1 ≦ γ <10
2) The initialization method according to 1), wherein the thickness of the recording layer is in the range of 8 to 20 nm.
3) The phase change optical recording medium has an oxide layer containing zirconium oxide (ZrO 2 ) as an essential component between the recording layer and the first protective layer and / or between the recording layer and the second protective layer. The initialization method according to 1) or 2), wherein
4) The initialization method according to 3), wherein the main component of the oxide layer is zirconium oxide.
5) The initialization method according to 3) or 4), wherein the oxide layer contains titanium oxide.
6) The initialization method according to 5), wherein the content of titanium oxide is 60 mol% or less of the entire oxide layer material.
7) The initialization method according to any one of 3) to 6), wherein the oxide layer further contains a Group IIa oxide excluding rare earth oxide or beryllium.
8) The initialization method according to 7), wherein the content of the Group IIa oxide excluding rare earth oxide or beryllium is in the range of 1 to 10 mol% with respect to zirconium oxide.
9) The initialization method according to any one of 3) to 8), wherein the oxide layer has a thickness of 1 to 20 nm.
10) The initialization method according to any one of 1) to 9), wherein a spot size of the irradiation light beam for initialization is 200 μm 2 or less and a light source output is 0.7 to 2.5 W.
11) The initialization irradiation light beam linear velocity is set within a velocity range of ± 2 m / s with respect to the crystallization limit velocity of the recording layer, and the initialization according to any one of 1) to 10) Method.
12) The feed width of the initialization irradiation light beam having an elliptical beam shape is not less than 1 / n and not more than (n−1) / n of the laser spot size (half-value width) in the elliptical long axis direction (provided that 2 ≦ The initialization method according to any one of 1) to 11), wherein n ≦ 5) is set as a reference, and the same portion is prevented from being irradiated multiple times.
以下、上記本発明について詳しく説明する。
相変化光記録媒体の記録層の初期化後の結晶状態は初期化方法に大きく依存する。初期化とオーバーライト消去では用いる照射光のスポットサイズ(ビーム径)も違えば、出力パワーや送り幅も異なるため実際の光記録媒体への熱の伝わり方が大きく異なり、単純に線速度を調整するだけでは上記課題を解決することはできなかった。
そこで初期化後の反射率とオーバーライト後の反射率を等価にするために様々な初期化条件の検討を重ねた結果、特定の相変化光記録媒体に対し、特定の条件下で初期化を行えば繰り返し記録初期の消去率が向上することを突き止めた。
即ち、相変化光記録媒体としては、レーザー光の案内溝が設けられた透明基板上に、少なくとも第一保護層、非晶質相と結晶相の可逆的相変化をする上記本発明1に記載した組成式で示される材料からなる記録層、第二保護層、反射層から構成されたものを用いる。また、反射層にAgを含み、第二保護層に硫黄を含む場合には、Agの硫化反応による反射層の劣化を防止するため、両層の間に硫化防止層を設けることが望ましい。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The crystal state after initialization of the recording layer of the phase change optical recording medium greatly depends on the initialization method. If the spot size (beam diameter) of the irradiation light used for initialization and overwrite erasure is different, the output power and feed width also differ, so the way heat is transferred to the actual optical recording medium is greatly different, and the linear velocity is simply adjusted. The above problem could not be solved simply by doing.
Therefore, as a result of repeated examinations of various initialization conditions in order to make the reflectivity after initialization equivalent to the reflectivity after overwriting, initialization was performed for specific phase change optical recording media under specific conditions. It has been found that the erasure rate at the initial stage of repeated recording improves if this is done.
That is, as the phase change optical recording medium, at least the first protective layer, the amorphous phase and the crystalline phase are reversibly changed on the transparent substrate provided with the laser light guide groove. A material composed of a recording layer, a second protective layer, and a reflective layer made of a material represented by the above composition formula is used. Further, when Ag is contained in the reflective layer and sulfur is contained in the second protective layer, it is desirable to provide an anti-sulfurization layer between the two layers in order to prevent deterioration of the reflective layer due to the sulfurization reaction of Ag.
レーザー光を線速3.5〜14m/sという広い範囲で照射して情報の記録/再生を行うことができる相変化光記録媒体を実現するには、Sb、Teを主要構成元素とし、これにGeを含む記録層材料、或いは必須元素としてGeとAgを含み、更にX(Ga、In、Tl、Pb、Sn、Bi、Cd、Hg、Mn、Dy、Cu、Auから選ばれた少なくとも1種の元素)が添加された記録層材料を用いる必要がある。この記録層材料は広線速度記録を実現するだけでなく、本発明1及び本発明10〜12の初期化方法によって、初期化後反射率とオーバーライト後反射率の不均一性を解消し易い記録層材料であることが確認されている。
以下に、各元素の最適組成範囲について述べる。
SbとTeのモル比が7:3であるSb70Te30近傍組成のSb−Te二元系合金は、オーバーライトによる組成偏析が起こり難く繰り返し記録特性に優れた相変化記録材料である。SbとTeの配合比を変えることで結晶化限界速度を調整することが可能であり、Sb比率を高くすると結晶化限界速度が速くなり転送速度を高速にすることができる。本発明の対象となる相変化光記録媒体においては、Sbの組成範囲は、60≦Sb≦90(原子%)である。
In order to realize a phase change optical recording medium capable of recording / reproducing information by irradiating a laser beam in a wide range of linear velocity of 3.5 to 14 m / s, Sb and Te are used as main constituent elements. Recording layer material containing Ge, or containing Ge and Ag as essential elements, and at least one selected from X (Ga, In, Tl, Pb, Sn, Bi, Cd, Hg, Mn, Dy, Cu, Au) It is necessary to use a recording layer material to which a seed element is added. This recording layer material not only realizes wide linear velocity recording but also easily eliminates the non-uniformity of the reflectance after initialization and the reflectance after overwriting by the initialization methods of the present invention 1 and the present invention 10-12. It has been confirmed that it is a recording layer material.
Hereinafter, the optimum composition range of each element will be described.
An Sb—Te binary alloy having a composition near Sb 70 Te 30 in which the molar ratio of Sb to Te is 7: 3 is a phase change recording material that is less susceptible to compositional segregation due to overwriting and excellent in repeated recording characteristics. It is possible to adjust the crystallization limit speed by changing the blending ratio of Sb and Te. When the Sb ratio is increased, the crystallization limit speed is increased and the transfer speed can be increased. In the phase change optical recording medium that is the subject of the present invention, the composition range of Sb is 60 ≦ Sb ≦ 90 (atomic%).
本発明で用いるAgαXβSbδTeεGeγは、その殆どがSb−Teであるから、Sb−Teが母体材料で、その他のAg、X、Geは添加元素の役割を担うとみる事ができる。本発明者らは、これら添加元素の総量に着目してディスク特性との関係を調べたところ、α=β=0の場合には、1≦γ≦10を満足する必要があり、α+β>0(αとβが共に0ではない)の場合には、5≦α+β+γ≦10を満足する範囲が望ましい事を見出した。即ち、AgとXとGeの総量(以下、添加総量)が多過ぎると初期のディスク特性、特にジッターが悪くなり、添加総量が小さ過ぎると保存信頼性が悪くなる事が明らかになった。これは添加総量が多いと母体材料であるSb−Teへの影響が大きくなって相変化現象に悪影響を及ぼし、少ないとSb−Te自体の性質が顕著になってSb−Teの問題点である保存信頼性の劣化が顕著になる為と思われる。 Since most of the ααXβSbδTeεGeγ used in the present invention is Sb—Te, it can be considered that Sb—Te is a base material, and other Ag, X, and Ge play the role of additive elements. The inventors examined the relationship with the disk characteristics by paying attention to the total amount of these additive elements. When α = β = 0, it is necessary to satisfy 1 ≦ γ ≦ 10, and α + β> 0. In the case of (both α and β are not 0), it has been found that a range satisfying 5 ≦ α + β + γ ≦ 10 is desirable. That is, it has been clarified that if the total amount of Ag, X and Ge (hereinafter referred to as total addition amount) is too large, the initial disk characteristics, particularly jitter, deteriorate, and if the total addition amount is too small, the storage reliability deteriorates. If the total amount added is large, the influence on the Sb-Te which is the base material becomes large and adversely affects the phase change phenomenon. If the total amount is small, the properties of Sb-Te itself become remarkable, which is a problem of Sb-Te. This seems to be due to the remarkable deterioration of storage reliability.
GeはGa程には結晶化温度を上げずに少量の添加で相変化光記録媒体の保存信頼性を飛躍的に向上させることができるため、必須の添加元素である。
またGaは少ない添加量で結晶化限界速度を速くすることができ、記録層材料の結晶化温度を高める効果を持つことから、マークの安定性に優れた光記録媒体を提供することが可能である。しかし、Gaの添加量が多すぎると結晶化温度が高くなり過ぎ、初期化時に均一で高い反射率の結晶状態を得ることが難しくなるためGaの組成範囲は、8原子%以下とすることが好ましい。
InもGaと同様の効果を持つが、Ga程には結晶化温度を高くしないので、初期化の問題を考慮した場合、Gaを補う元素として用いると有効である。
更にGa、In以外に、Tl、Pb、Sn、Bi、Cd、Hgにも結晶化限界速度を速くする効果がある。
Ge is an indispensable additive element because the storage reliability of the phase change optical recording medium can be drastically improved by adding a small amount without increasing the crystallization temperature as much as Ga.
In addition, Ga can increase the crystallization limit speed with a small addition amount, and has the effect of increasing the crystallization temperature of the recording layer material, so that it is possible to provide an optical recording medium with excellent mark stability. is there. However, if the amount of Ga added is too large, the crystallization temperature becomes too high, and it becomes difficult to obtain a uniform and highly reflective crystal state at the time of initialization, so the Ga composition range should be 8 atomic% or less. preferable.
In has the same effect as Ga, but does not increase the crystallization temperature as high as Ga. Therefore, when considering the problem of initialization, it is effective to use it as an element supplementing Ga.
In addition to Ga and In, Tl, Pb, Sn, Bi, Cd, and Hg also have an effect of increasing the crystallization limit speed.
これらの元素を添加することにより、結晶化限界速度が速くなる理由は不明であるが、仮にSb−Te合金の結晶化が促進されることに依るならば、これらの元素の中でもSbと同じ価数を取り易いGa、In、Biはより好ましく、またSbに最も原子番号が近くSbとの親和性が高いと思われるSnも好ましい。
しかし、添加量が多すぎると再生光劣化や初期ジッターの劣化を引き起すことが予想されるため、組成範囲は何れも8原子%以下とする必要がある。
また、本発明者らの種々の添加元素の調査により、MnやDyについてもInと同様の効果を奏することが分っており、特にMnは結晶化速度を速め、かつ、Ge添加量をそれほど増やす必要のない保存信頼性にも優れた添加元素であることも分っている。
また、上記添加元素と共に、Cu及び/又はAuを含有させることが望ましい。これらの元素は保存信頼性に効果のある添加元素であることから、上記添加元素と共に適当に組み合わせることにより所望の広線速度光記録媒体を実現し、かつ初期化後反射率とオーバーライト反射率の不均一性を解消し易い記録材料を設計することができる。
以上の諸々の条件を考慮すると、本発明の初期化方法は、上記本発明1で規定する組成の記録層材料を用いた光記録媒体が対象となる。
The reason why the crystallization limit speed is increased by adding these elements is unclear, but if the crystallization of the Sb—Te alloy is promoted, among these elements, the same valence as Sb can be obtained. Ga, In, and Bi, which are easy to take numbers, are more preferable, and Sn that is closest to Sb and has a high affinity with Sb is also preferable.
However, if the addition amount is too large, it is expected to cause deterioration of reproduction light and initial jitter, so that the composition range must be 8 atomic% or less.
In addition, according to the investigation of various additive elements by the present inventors, it has been found that Mn and Dy also have the same effect as In. In particular, Mn increases the crystallization speed and increases the Ge addition amount to a great extent. It is also known that it is an additive element that does not need to be increased and has excellent storage reliability.
Moreover, it is desirable to contain Cu and / or Au together with the additive element. Since these elements are additive elements effective in storage reliability, a desired wide linear velocity optical recording medium is realized by appropriately combining with the above additive elements, and the reflectivity after initialization and the overwrite reflectivity are realized. It is possible to design a recording material that can easily eliminate the non-uniformity.
Considering the above various conditions, the initialization method of the present invention is intended for an optical recording medium using a recording layer material having the composition defined in the first aspect of the present invention.
また、記録層の膜厚は8〜20nmの範囲が望ましい。8nmより薄いと繰り返しオーバーライトによる記録特性の劣化が著しくなる。20nmより厚いと、記録層の均一な初期化が行い辛くなり、また、光透過率が不十分となるため高反射率が得られず変調度も低下してしまう。好ましい記録層の膜厚は、10〜17nm、より好ましくは10〜12nmの範囲である。
更に、成膜条件によっても記録層の成膜直後の非晶質状態(as−depo状態)は変化する。as−depo状態では基板上で原子はより乱雑に配列しており、その乱雑さが大きいほど初期化に必要な時間が長くなり所望の結晶状態を得ることが困難となる。しかし低ガス圧、高電圧でのスパッタリングでは、基板上に飛来するスパッタ粒子は通常の条件の場合に比べて大きな運動エネルギーを持っていると考えられ、ある程度の秩序性を持った配向膜が形成され易く、初期化後に所望の結晶状態を得易い。従って、記録層の成膜に際し、低ガス圧、高電圧でのスパッタリング方法を採用することが好ましい。
The film thickness of the recording layer is desirably in the range of 8 to 20 nm. When it is thinner than 8 nm, the recording characteristics are remarkably deteriorated by repeated overwriting. If it is thicker than 20 nm, uniform initialization of the recording layer becomes difficult, and the light transmittance becomes insufficient, so that a high reflectance cannot be obtained and the modulation factor is lowered. The film thickness of the preferred recording layer is in the range of 10 to 17 nm, more preferably 10 to 12 nm.
Furthermore, the amorphous state (as-depo state) immediately after the recording layer is formed changes depending on the film forming conditions. In the as-depo state, atoms are more randomly arranged on the substrate, and the larger the randomness, the longer the time required for initialization, making it difficult to obtain a desired crystal state. However, in sputtering at low gas pressure and high voltage, the sputtered particles flying on the substrate are considered to have larger kinetic energy than under normal conditions, and an alignment film with a certain degree of ordering is formed. It is easy to obtain a desired crystal state after initialization. Therefore, it is preferable to employ a sputtering method with a low gas pressure and a high voltage when forming the recording layer.
更に、上記のような記録線速度が3.5m/s〜14m/sという広い線速度領域で記録可能な相変化光記録媒体においては、酸化ジルコニウム(ZrO2)を必須成分として含む酸化物層を、記録層に接するように、即ち記録層と第一保護層との間及び/又は記録層と第二保護層との間に設けると、初期化不良が一層改善される傾向があることが分った。これはZrO2を含む酸化物層が、従来保護層として用いられているZnS−SiO2に比べて熱伝導率が低いため、初期化のエネルギーが記録層に効率よく吸収され、エネルギー不足による初期化不良を解消するためと考えられる。従って、酸化物層中の酸化ジルコニウムの含有比が高くなるにつれ、その効果は高くなる。
特に本発明4のように、酸化ジルコニウム(ZrO2)を必須成分として含む酸化物層の主成分が酸化ジルコニウムである場合には、酸化ジルコニウムの特性が酸化物層の特性として大きく反映され、更に効果的である。なお、本発明4において「主成分がZrO2である」とは、酸化物層を構成する材料のうちZrO2の含有比が最も高いことを意味する。
このような効果は、該酸化物層を例えば1nm程度設けた場合でも期待することができる。初期化不良の改善は、酸化物層中に含まれる酸化ジルコニウムの含有比を上げる以外に、膜厚を厚くすることでも達成できる。しかし一方で、膜厚が厚くなると記録媒体の保存信頼性が劣化する不具合が生じてしまうため、酸化物層の膜厚は1〜20nm程度、好ましくは2〜6nm程度に薄くして保存信頼性の劣化を防止することが望ましい。
Further, in the phase change optical recording medium capable of recording in the wide linear velocity region of the recording linear velocity of 3.5 m / s to 14 m / s as described above, an oxide layer containing zirconium oxide (ZrO 2 ) as an essential component. Is provided in contact with the recording layer, that is, between the recording layer and the first protective layer and / or between the recording layer and the second protective layer, the initialization failure tends to be further improved. I understand. This is because the oxide layer containing ZrO 2 has a lower thermal conductivity than ZnS—SiO 2 conventionally used as a protective layer, so that the initialization energy is efficiently absorbed in the recording layer, and the initial stage due to the lack of energy. This is thought to be due to the elimination of defects. Therefore, the effect increases as the content ratio of zirconium oxide in the oxide layer increases.
In particular, as in the
Such an effect can be expected even when the oxide layer is provided with a thickness of about 1 nm, for example. Improvement of initialization failure can also be achieved by increasing the film thickness in addition to increasing the content ratio of zirconium oxide contained in the oxide layer. However, on the other hand, since the storage reliability of the recording medium deteriorates when the film thickness is increased, the storage reliability is reduced by reducing the thickness of the oxide layer to about 1 to 20 nm, preferably about 2 to 6 nm. It is desirable to prevent the deterioration of the material.
また、ZrO2を主成分とする酸化物層にはZrO2以外に酸化チタンを含むことが望ましく、更には希土類酸化物又はベリリウムを除くIIa族の酸化物を含むことが望ましい。これは、酸化チタンを添加することで酸化物層の熱伝導率を更に低下させることが可能であり、また光学特性の調整や信頼性劣化の低減にも効果的であること、一方、希土類酸化物又はベリリウムを除くIIa族の酸化物に関してはZrO2の温度に対する体積変化を小さくする効果があり、初期化や記録時の温度変化に対する安定性を向上させることなどがその理由である。
このような効果を得る為には、酸化チタンの含有量は酸化物層材料全体の60モル%以下とすること、希土類酸化物又はベリリウムを除くIIa族の酸化物の含有量はZrO2に対して1〜10モル%とすることが望ましい。酸化チタンの含有量は必ずしもこの範囲に限定はされないが、60モル%を超えるとZrO2を含む酸化物層の効果が不明瞭となることから上記範囲が適している。また、好ましい希土類酸化物又はベリリウムを除くIIa族の酸化物としては、Y、Mg、Caなどの酸化物が挙げられる。ZrO2にY、Mg、Ca等の酸化物を固溶させただけの酸化物層の場合、記録媒体の保存信頼性劣化が顕著となるため、TiO2などの酸化物と併用して添加することが望ましい。
Further, the oxide layer containing ZrO 2 as a main component preferably contains titanium oxide in addition to ZrO 2 , and further preferably contains a rare earth oxide or a Group IIa oxide excluding beryllium. This is because it is possible to further reduce the thermal conductivity of the oxide layer by adding titanium oxide, and it is also effective in adjusting optical characteristics and reducing reliability deterioration, while rare earth oxidation. The group IIa oxide excluding the product or beryllium has the effect of reducing the volume change with respect to the temperature of ZrO 2 , and the reason is that the stability against the temperature change at the time of initialization and recording is improved.
In order to obtain such an effect, the content of titanium oxide should be 60 mol% or less of the entire oxide layer material, and the content of Group IIa oxides excluding rare earth oxides or beryllium is based on ZrO 2. 1 to 10 mol% is desirable. The titanium oxide content is not necessarily limited to this range, but if it exceeds 60 mol%, the above range is suitable because the effect of the oxide layer containing ZrO 2 becomes unclear. Further, preferable rare earth oxides or Group IIa oxides excluding beryllium include oxides such as Y, Mg, and Ca. In the case of an oxide layer in which an oxide such as Y, Mg, or Ca is simply dissolved in ZrO 2 , since the storage reliability of the recording medium is significantly deteriorated, it is added in combination with an oxide such as TiO 2. It is desirable.
次に、上記のような光記録媒体の初期化は、照射光パワー密度15〜22mW/μm2、照射光ビーム線速度8〜12m/sという特定の初期化条件で行う必要があり、これにより前記課題を解決し繰り返し記録初期の特性が良好な相変化光記録媒体を得ることができる。
この初期化条件は、従来の初期化条件に比べて照射光パワー密度を高くし、照射光ビーム線速度を速くしたことが特徴である。このうち照射光パワー密度については、高線速記録用に結晶化限界速度の速い記録層材料を用いると、記録層材料の結晶化限界速度が速くなるにつれて初期化し難くなる傾向が見られたため、高出力の初期化パワーが必要であったこと、また、高出力の初期化パワーでも、線速度、送り幅が一定の場合、図2に示すようにパワー密度が15〜22mW/μm2の範囲で初期化を行うと繰り返し記録初期の特性(特にDOW1特性:オーバーライト回数1回目の記録特性)が一層改善されることなどから決定した。
Next, it is necessary to initialize the optical recording medium as described above under specific initialization conditions of irradiation light power density of 15 to 22 mW / μm 2 and irradiation light beam linear velocity of 8 to 12 m / s. It is possible to obtain a phase change optical recording medium that solves the above-described problems and has good initial characteristics of repeated recording.
This initialization condition is characterized in that the irradiation light power density is increased and the irradiation light beam linear velocity is increased as compared with the conventional initialization condition. Among these, for the irradiation light power density, when a recording layer material having a high crystallization limit speed is used for high linear velocity recording, it tends to become difficult to initialize as the crystallization limit speed of the recording layer material increases. When a high output initialization power is required, and even if a high output initialization power has a constant linear velocity and feed width, the power density ranges from 15 to 22 mW / μm 2 as shown in FIG. When initialization was performed, the initial characteristics of repeated recording (particularly DOW1 characteristics: recording characteristics for the first overwriting) were further improved.
一方、初期化用照射光ビーム線速度については、図3に示すように照射光ビームのスポットサイズと、照射光ビームの送り幅を一定にし、記録線速度14m/sにおけるDOW1特性の線速度依存性を調査したところ、各出力パワーにおいて照射光ビーム線速度が速いほどDOW1特性が改善される傾向が見られ、また、線速度が8〜12m/s付近で最も高い改善効果が得られたことから決定した。
照射光パワー密度に関しては、これらの条件から外れる場合、十分な初期化を行える照射光パワーを印加した場合には複数のトラックに熱が蓄積されるため温度が必要以上に上がってアモルファス化が引き起こされ、また十分過ぎる場合はディスク全体にダメージを与えてしまう。
一方、照射光ビーム線速度に関しては、(図3には示されていないが)本発明の対象とする結晶化限界速度が10m/s近傍の記録材料を12m/sを超えた照射光線速度で初期化すると、満足な結晶化が行われず初期化不良となってしまう。
On the other hand, for the irradiation light beam linear velocity for initialization, as shown in FIG. 3, the spot size of the irradiation light beam and the feed width of the irradiation light beam are fixed, and the DOW1 characteristic depends on the linear velocity at a recording linear velocity of 14 m / s. As a result of the investigation, the DOW1 characteristic tended to improve as the irradiation light beam linear velocity increased at each output power, and the highest improvement effect was obtained when the linear velocity was around 8-12 m / s. Determined from.
Regarding the irradiation light power density, if these conditions are not met, if irradiation light power capable of sufficient initialization is applied, heat is accumulated in multiple tracks, and the temperature rises more than necessary, causing amorphousization. If it is too good, it will damage the entire disc.
On the other hand, with respect to the irradiation light beam linear velocity (not shown in FIG. 3), the recording material targeted for the present invention has an irradiation light velocity exceeding 12 m / s for a recording material having a crystallization limit velocity in the vicinity of 10 m / s. When initialized, satisfactory crystallization is not performed, resulting in initialization failure.
本発明10〜12は、更に好ましい初期化条件に関するものである。
例えば相変化光記録媒体が円盤状のディスクである場合、初期化工程は、ディスク半径方向に長い楕円状のレーザビームを照射しながら一定の線速度でディスクを回転させ、更に該楕円状のレーザビームの長軸方向のスポットサイズ(半値幅)よりも短い送り幅でビームを半径方向に移動させて徐々に記録層をアニールし結晶化する方式を採用する。
初期化に用いる光源としては、半導体レーザー、ガスレーザ等各種のものを使用できるが、大型LD(半導体レーザー)を用いた初期化は、膜の均質性、ディスク信号特性、生産性の点で優れることから好ましい。この場合、現在開発されているLDの最大出力限界値が2.5W程度である現状を考慮すると、本発明1で規定する照射光パワー密度を安定に維持して初期化を行うためには、初期化に用いる光源のサイズ(面積)を200μm2以下とすることが望ましく、例えばスポットサイズ75μm2の光源を用いてビーム出力を1.3W程度に設定すれば、ビームプロファイルが均一で安定した照射光を得ることができる。なお、スポットサイズの下限は特に限定されないが、小さ過ぎると初期化に要する時間が長くなり生産性が低下するため、LDの出力に応じた適当なサイズを選択することが望ましい。
For example, when the phase-change optical recording medium is a disk-shaped disk, the initialization process rotates the disk at a constant linear velocity while irradiating an elliptical laser beam that is long in the disk radial direction, and then the elliptical laser. A method is adopted in which the recording layer is gradually annealed and crystallized by moving the beam in the radial direction with a feed width shorter than the spot size (half width) in the major axis direction of the beam.
Various light sources such as semiconductor lasers and gas lasers can be used for initialization, but initialization using a large LD (semiconductor laser) is excellent in terms of film uniformity, disk signal characteristics, and productivity. To preferred. In this case, in consideration of the current situation where the maximum output limit value of the currently developed LD is about 2.5 W, in order to stably initialize the irradiation light power density defined in the present invention 1, It is desirable that the size (area) of the light source used for initialization is 200 μm 2 or less. For example, if a beam output is set to about 1.3 W using a light source with a spot size of 75 μm 2 , the beam profile is uniform and stable. Light can be obtained. The lower limit of the spot size is not particularly limited, but if it is too small, the time required for initialization becomes longer and the productivity is lowered. Therefore, it is desirable to select an appropriate size according to the output of the LD.
また、本発明が対象とするような線速度3.5〜14m/sの広線速度領域で記録可能な相変化光記録媒体に伴う初期化後反射率とオーバーライト後反射率の不均一性の問題に関しては、一般に、初期化の照射光ビーム線速度を、対象とする記録層材料の結晶化限界速度に対して±2m/sの範囲内で設定することにより解決可能であり、更には0〜1m/s近傍の速い線速度での改善効果が最も高いことを確認した。記録層材料の結晶化限界速度に対して2m/sを超える速い照射光ビーム線速度で初期化を行うと満足な結晶化が実現されず、また、−2m/sよりも遅い照射光ビーム線速度で初期化を行うと、初期化プロセスに時間がかかり実用的でないばかりか初期化後の反射率とオーバーライト後の反射率不均一性の問題を解消し難くなることも確認された。 Further, the non-uniformity of the reflectivity after initialization and the reflectivity after overwrite associated with the phase change optical recording medium which can be recorded in a wide linear velocity range of linear velocity of 3.5 to 14 m / s as the object of the present invention. In general, the above problem can be solved by setting the irradiation light beam linear velocity of initialization within a range of ± 2 m / s with respect to the crystallization limit velocity of the target recording layer material. It was confirmed that the improvement effect at a high linear velocity in the vicinity of 0 to 1 m / s was the highest. If initialization is performed at a high irradiation light beam linear velocity exceeding 2 m / s with respect to the crystallization limit speed of the recording layer material, satisfactory crystallization cannot be realized, and irradiation light beam rays slower than −2 m / s are also achieved. It was confirmed that initialization at a speed is not practical because the initialization process takes time, and it is difficult to solve the problems of reflectance after initialization and reflectance non-uniformity after overwriting.
照射光ビーム送り幅については、楕円ビームの短軸方向を円周方向と一致させ、光ディスクを回転させながら短軸方向に走査すると共に、1周(1回転)毎に長軸(半径)方向に移動させて全面初期化を行う。この場合、1回転当りの半径方向の移動距離(送り幅)は「初期化むら」が起らないようにビーム長軸よりも短かく設定する必要があるが、このときディスクの同一半径部分があまり多数回重複して照射されないように初期化を行うと、生産性が向上するだけでなく、ディスク半径方向のエネルギー分布に由来する初期化の不均一性が回避され、また記録線速度14m/sにおけるDOW1特性も改善できることが分った。
図4は照射光ビーム線速度を一定とし、各照射光パワー密度において記録線速度14m/sにおけるDOW1特性の照射光ビーム送り幅依存性(短軸方向のスポットサイズ(半値幅)は1μmとした)を示したものであるが、各パワー密度(或いは長軸方向のスポットサイズ径)において送り幅が大きいほどDOW1特性が改善される傾向が明らかになった。
Regarding the irradiation light beam feed width, the minor axis direction of the elliptical beam is made coincident with the circumferential direction, the optical disk is rotated and scanned in the minor axis direction, and in the major axis (radius) direction every round (one rotation). Move it to initialize the entire surface. In this case, it is necessary to set the moving distance (feed width) in the radial direction per rotation to be shorter than the long axis of the beam so that “initialization unevenness” does not occur. If initialization is performed so that the irradiation is not repeated many times, not only the productivity is improved, but also the initialization non-uniformity derived from the energy distribution in the radial direction of the disk is avoided, and the recording linear velocity is 14 m / It was found that the DOW1 characteristic in s can also be improved.
In FIG. 4, the irradiation light beam linear velocity is constant, and the irradiation light beam feed width dependency of the DOW1 characteristic at the recording linear velocity of 14 m / s at each irradiation light power density (the spot size (half width) in the minor axis direction is 1 μm). However, it has been clarified that the DOW1 characteristic tends to be improved as the feed width increases at each power density (or the spot size diameter in the major axis direction).
ディスクの同一半径部分を重複して照射せずに初期化を行うためには、照射光ビーム送り幅とビーム長軸を等しくする必要がある。しかし実際は照射光ビームがビームプロファイルを持つため、ビーム端で充分な照射光パワー密度が得られず、初期化後のディスク反射率が半径位置に依ってばらついてしまうこと(初期化むら)が懸念される。そのため、好ましくは楕円状のビーム形を有する初期化用照射光ビームの送り幅を、nを整数として楕円長軸方向のレーザスポットサイズ(半値幅)の1/n以上、(n−1)/n以下に設定する。また重複する場合(nが1でない場合)は、図4より送り幅が大きいほどDOW1特性が改善される傾向があることから、2≦n≦5程度に設定すると良い。なお、「ビーム長軸長の整数分の1」を基準とするに当り、文字通り整数分の1である必要はなく、整数分の1からビーム長軸長に対して±5%程度の誤差は差し支えなく、このような場合も本発明の実施の態様に包含される。
一方、円盤状ディスク以外の形状の場合も同様に同一部分があまり多数回重複して照射されないよう初期化を行うとよいが、円盤状ディスク以外の形状の場合は、その形状により適宜工夫する必要がある。
In order to perform initialization without irradiating the same radius portion of the disk repeatedly, it is necessary to equalize the irradiation light beam feed width and the beam long axis. However, since the irradiation light beam actually has a beam profile, sufficient irradiation light power density cannot be obtained at the beam end, and there is a concern that the disk reflectivity after initialization varies depending on the radial position (uneven initialization). Is done. Therefore, preferably, the feed width of the initialization irradiation light beam having an elliptical beam shape is 1 / n or more of the laser spot size (half-value width) in the elliptical long axis direction, where n is an integer, and (n−1) / Set to n or less. In the case of overlapping (when n is not 1), the DOW1 characteristic tends to be improved as the feed width is larger than in FIG. It is not necessary to literally be a fraction of an integer on the basis of “1 / integer of the beam long axis length”, and an error of about ± 5% from the integral fraction to the beam long axis length is Of course, such a case is also included in the embodiment of the present invention.
On the other hand, in the case of a shape other than a disk-shaped disc, it is better to initialize so that the same part is not irradiated many times in a similar manner. There is.
本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図5〜7は本発明における実施形態の構造の一例を示すものである。この相変化光記録媒体では、基板の上に、第一保護層、相変化記録層、第二保護層、硫化防止層、反射層の他、記録層界面に酸化ジルコニウム(ZrO2)を必須成分として含む酸化物層が設けられ、更に樹脂保護層を介して貼り合せ用基板が設けられている。
本発明の本質は、本発明1〜9の要件を満たす特定の相変化光記録媒体に対し、特定の条件下で初期化を行うことで繰り返し記録初期の消去率が向上することにある。それ故、本発明1〜9で規定する要件を満たす相変化光記録媒体であれば、例えば図8に示すような一般的なBlue−Ray(青色波長)ディスク型の光記録媒体に相当する場合や、図9に示すような一般的な二層光記録媒体に相当する場合に対しても、構成によらず全く同様に適用できる。なお、図9の場合には、例えば第2情報層を本発明の初期化方法によって初期化した後、第1情報層を形成することになる。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
5-7 shows an example of the structure of embodiment in this invention. In this phase change optical recording medium, zirconium oxide (ZrO 2 ) is an essential component on the interface of the recording layer in addition to the first protective layer, the phase change recording layer, the second protective layer, the antisulfuration layer, and the reflective layer on the substrate. An oxide layer is provided, and a bonding substrate is further provided through a resin protective layer.
The essence of the present invention is that the erasure rate at the initial stage of repeated recording is improved by initializing the specific phase change optical recording medium satisfying the requirements of the present invention 1 to 9 under specific conditions. Therefore, if it is a phase change optical recording medium satisfying the requirements specified in the present invention 1 to 9, for example, it corresponds to a general Blue-Ray (blue wavelength) disk type optical recording medium as shown in FIG. In addition, the present invention can be applied to the case corresponding to a general two-layer optical recording medium as shown in FIG. In the case of FIG. 9, for example, the first information layer is formed after the second information layer is initialized by the initialization method of the present invention.
本発明によれば、記録可能最低線速度が3.5m/s、記録可能最高線速度が14m/sという広い線速度範囲において記録可能な相変化光記録媒体の最適初期化方法を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide an optimal initialization method for a phase change optical recording medium that can be recorded in a wide linear velocity range in which a recordable linear velocity is 3.5 m / s and a recordable linear velocity is 14 m / s.
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
なお、実施例及び比較例の相変化光記録媒体(光ディスク)は何れも、直径12cm、厚さ0.6mmで、トラックピッチ0.74μmの案内溝付きポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第一保護層、記録層、第二保護層、硫化防止層、反射層をこの順に成膜し、その上にスピンコート法により樹脂保護層を成膜し、最後に同様な貼り合せ用基板(直径12cm、厚さ0.6mmのポリカーボネート基板)を貼り合せたものである。但し、本発明3〜9のような酸化物層を設ける場合には、記録層を成膜する工程の前及び/又は後に、該酸化物層の成膜工程を追加した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further more concretely, this invention is not limited at all by these Examples.
The phase change optical recording media (optical disks) of the examples and comparative examples are both formed by sputtering on a polycarbonate substrate with a guide groove having a diameter of 12 cm, a thickness of 0.6 mm, and a track pitch of 0.74 μm. A protective layer, a recording layer, a second protective layer, an antisulfuration layer, and a reflective layer are formed in this order, and a resin protective layer is formed thereon by spin coating, and finally a similar substrate for bonding (
実施例1
第一保護層には、ZnS(80モル%)−SiO2(20モル%)を厚さ55nm、ZrO2を主成分とする酸化物層には、8モル%のY2O3を含むZrO2(80モル%)−TiO2(20モル%)を厚さ3nm、記録層には、Ag1In4Sb71Te21Ge3を厚さ11nm、第二保護層には、ZnS(80モル%)−SiO2(20モル%)を厚さ11nm、硫化防止層には、Siを厚さ4nm、反射層には、Agを厚さ140nm成膜して光ディスクを作製し、表1の実施例1の欄に示す条件で初期化した。
初期化後、波長660nm、NA0.65のピックアップを有する光ディスク評価装置(パルステック社製DDU−1000)を用いて反射率を測定し、その周内分布、面内分布の評価を行った。また反射率測定後、記録線速度14.0m/s、線密度0.267μm/bitのもと、EFM+変調方式でランダム信号の繰り返し記録(2回)を行い、再生線速3.5m/s、再生パワー=0.7mWで記録特性(DOW1特性)、即ちジッターを評価した。このジッターとは、data to clock jitter(データ・ツー・クロック・ジッター)σを検出窓幅Twで規格化した値のことである。
また、保存信頼性を調査するため、上記ディスクを80℃85%RH恒温槽に300時間放置したのち再び記録特性を評価した。
評価結果を表2に示す。なお、評価基準は次の通りである。
反射率の周内分布については、同一周内で反射率変動幅が1%未満の場合を「均一」、1〜2%の場合を「わずかに変動」、2%を超える場合を「不均一」とした。
反射率の面内分布については、各周の平均反射率に対するばらつきが、1%未満の場合を「均一」、1〜2%の場合を「わずかに変動」、2%を超える場合を「不均一」とした。
DOW1特性については、ジッターが9%以下の場合を「○」、9%より大きく10%以下の場合を「△」、10%より大きい場合を「×」とした。
保存信頼性については80℃85%RH恒温槽で300時間放置した後のジッター変動が0.5%以内の場合を「○」、0.5%より大きく1.0%以下の場合を「△」、1.0%を超えてジッターが変動した場合を「×」とした。また比較例1〜4については保存信頼性の評価を行わなかった。
表から分るように、本実施例ではディスク反射率の周内分布・面内分布・記録線速度14m/sにおけるDOW1特性の全ての項目において良好な結果を得ることができた。また、恒温槽に放置後も特性の劣化は見られず良好な保存信頼性を得ることができた。
Example 1
The first protective layer is ZnS (80 mol%)-SiO 2 (20 mol%) in thickness of 55 nm, and the oxide layer mainly composed of ZrO 2 is ZrO containing 8 mol% Y 2 O 3. 2 (80 mol%)-TiO 2 (20 mol%) with a thickness of 3 nm, the recording layer with Ag 1 In 4 Sb 71 Te 21 Ge 3 with a thickness of 11 nm, and the second protective layer with ZnS (80 mol) %)-SiO 2 (20 mol%) with a thickness of 11 nm, an anti-sulfurization layer with an Si thickness of 4 nm, and a reflective layer with an Ag thickness of 140 nm to produce an optical disc. Initialization was performed under the conditions shown in the column of Example 1.
After initialization, the reflectance was measured using an optical disk evaluation apparatus (DDU-1000 manufactured by Pulse Tech Co., Ltd.) having a pickup with a wavelength of 660 nm and NA of 0.65, and the in-peripheral distribution and in-plane distribution were evaluated. Further, after the reflectance measurement, a random signal is repeatedly recorded (twice) by the EFM + modulation method at a recording linear velocity of 14.0 m / s and a linear density of 0.267 μm / bit, and a reproducing linear velocity of 3.5 m / s. The recording characteristic (DOW1 characteristic), that is, jitter was evaluated at a reproduction power of 0.7 mW. The jitter is a value obtained by normalizing data to clock jitter (data to clock jitter) σ by the detection window width Tw.
Further, in order to investigate the storage reliability, the recording characteristics were evaluated again after the disk was left in a constant temperature bath at 80 ° C. and 85% RH for 300 hours.
The evaluation results are shown in Table 2. The evaluation criteria are as follows.
Regarding the distribution of the reflectance within the circumference, “uniform” when the reflectance fluctuation width is less than 1% within the same circumference, “slightly fluctuation” when the reflectance fluctuation is 1-2%, and “non-uniformity” when the reflectance exceeds 2%. "
Regarding the in-plane distribution of reflectivity, the variation with respect to the average reflectivity of each circumference is “uniform” when it is less than 1%, “slightly fluctuates” when it is 1-2%, and “not good” when it exceeds 2%. Uniform ”.
Regarding the DOW1 characteristic, a case where the jitter is 9% or less is “◯”, a case where the jitter is larger than 9% and 10% or less is “Δ”, and a case where the jitter is larger than 10% is “×”.
Regarding storage reliability, “◯” indicates that the jitter fluctuation after being left in an 80 ° C. and 85% RH constant temperature bath for 300 hours is within 0.5%, and “△” indicates that the jitter variation is greater than 0.5% and less than 1.0%. “,” When the jitter fluctuated in excess of 1.0% was marked “x”. In Comparative Examples 1 to 4, the storage reliability was not evaluated.
As can be seen from the table, in this example, good results could be obtained in all items of the DOW1 characteristics at the in-peripheral distribution, the in-plane distribution of the disk reflectivity, and the recording linear velocity of 14 m / s. In addition, even after being left in a thermostatic bath, the characteristics were not deteriorated, and good storage reliability could be obtained.
実施例2
実施例1と同じ光ディスクを用い、照射光パワー密度を16.0mW/μm2、照射光ビーム線速度を9m/sに変更した点以外は実施例1と同様の条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、実施例1と同様に、ディスク反射率の周内分布・面内分布・記録線速度14m/sにおけるDOW1特性・保存信頼性の全ての項目において良好な結果を得ることができた。
Example 2
The same optical disk as in Example 1 was used, and the initialization was performed under the same conditions as in Example 1 except that the irradiation light power density was changed to 16.0 mW / μm 2 and the irradiation light beam linear velocity was changed to 9 m / s. .
The evaluation results are as shown in Table 2 and, as in Example 1, are good in all items of disk reflectivity in-circumference distribution, in-plane distribution, DOW1 characteristics at 14 m / s of recording linear velocity, and storage reliability. The result was obtained.
実施例3
実施例1と同じ光ディスクを用い、照射光パワー密度を15.3mW/μm2、照射光ビーム送り幅を18μm/rに変更した点以外は実施例2と同様の条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、実施例1〜2と同様に、ディスク反射率の周内分布・面内分布・記録線速度14m/sにおけるDOW1特性・保存信頼性の全ての項目において良好な結果を得ることができた。
Example 3
The same optical disk as in Example 1 was used, and initialization was performed under the same conditions as in Example 2 except that the irradiation light power density was changed to 15.3 mW / μm 2 and the irradiation light beam feed width was changed to 18 μm / r. .
The evaluation results are as shown in Table 2, and in the same manner as in Examples 1 and 2, in all items of disk reflectivity in-circumference distribution, in-plane distribution, DOW1 characteristics and storage reliability at a recording linear velocity of 14 m / s. Good results could be obtained.
実施例4
実施例1と同じ光ディスクを用い、表1の実施例4の欄に示す条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、実施例1〜3と同様に、ディスク反射率の周内分布・面内分布・記録線速度14m/sにおけるDOW1特性・保存信頼性の全ての項目において良好な結果を得ることができた。
Example 4
Using the same optical disk as in Example 1, initialization was performed under the conditions shown in the column of Example 4 in Table 1 for evaluation.
The evaluation results are as shown in Table 2, and in the same manner as in Examples 1 to 3, in all items of disk reflectivity in-circumference distribution, in-plane distribution, DOW1 characteristics and storage reliability at a recording linear velocity of 14 m / s. Good results could be obtained.
実施例5
記録材料をAg1In3Sb72Te20Ge4に変えた点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し、実施例1と同じ条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、実施例1〜4と同様に、ディスク反射率の周内分布・面内分布・記録線速度14m/sにおけるDOW1特性・保存信頼性の全ての項目において良好な結果を得ることができた。
Example 5
An optical disc was produced in the same manner as in Example 1 except that the recording material was changed to Ag 1 In 3 Sb 72 Te 20 Ge 4 , and initialization was performed and evaluated under the same conditions as in Example 1.
The evaluation results are as shown in Table 2. As in Examples 1 to 4, in all items of disk reflectivity in-circumference distribution, in-plane distribution, DOW1 characteristics and storage reliability at a recording linear velocity of 14 m / s. Good results could be obtained.
実施例6
記録材料をAg1Ga3Sb70Te21Ge5に変えた点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し、実施例1と同じ条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、実施例1〜5と同様に、ディスク反射率の周内分布・面内分布・記録線速度14m/sにおけるDOW1特性・保存信頼性の全ての項目において良好な結果を得ることができた。
Example 6
An optical disk was produced in the same manner as in Example 1 except that the recording material was changed to Ag 1 Ga 3 Sb 70 Te 21 Ge 5 , and initialization was performed under the same conditions as in Example 1 for evaluation.
The evaluation results are as shown in Table 2, and in the same manner as in Examples 1 to 5, in all the items of the DOW1 characteristics and storage reliability of the disk reflectance in the circumferential distribution, in-plane distribution, and recording linear velocity of 14 m / s. Good results could be obtained.
実施例7
記録材料をSb74Te21Ge5に変えた点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し、実施例1と同じ条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、実施例1〜6同様に、ディスク反射率の周内分布・面内分布・記録線速度14m/sにおけるDOW1特性・保存信頼性の全ての項目において良好な結果を得ることができた。
Example 7
An optical disc was produced in the same manner as in Example 1 except that the recording material was changed to Sb 74 Te 21 Ge 5 , and initialization was performed and evaluated under the same conditions as in Example 1.
The evaluation results are as shown in Table 2. Like in Examples 1 to 6, good in all items of disk reflectivity in-circumference distribution, in-plane distribution, DOW1 characteristics and storage reliability at a recording linear velocity of 14 m / s. I was able to get a good result.
実施例8
記録層の膜厚を18nmに変えた点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し、実施例1と同じ条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、ディスク反射率の周内分布・面内分布において僅かに変動が見られ、また記録線速度14m/sにおけるDOW1特性(ジッター)も9%を超えてしまったが、ディスク全体の特性としては比較的良好な結果を得ることができた。
Example 8
Except that the film thickness of the recording layer was changed to 18 nm, an optical disc was produced in the same manner as in Example 1, and initialization was performed and evaluated under the same conditions as in Example 1.
The evaluation results are as shown in Table 2. There are slight fluctuations in the in-plane distribution and in-plane distribution of the disk reflectivity, and the DOW1 characteristic (jitter) at a recording linear velocity of 14 m / s exceeds 9%. However, relatively good results were obtained as the characteristics of the entire disk.
実施例9
ZrO2を主成分とする酸化物層を設けなかった点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し、実施例1と同じ条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、記録線速度14m/sにおけるDOW1特性・保存信頼性の2項目については良好であったが、ディスク反射率の周内分布・面内分布においては僅かに変動が見られた。
Example 9
An optical disk was produced in the same manner as in Example 1 except that the oxide layer containing ZrO 2 as a main component was not provided. The optical disk was initialized and evaluated under the same conditions as in Example 1.
The evaluation results are as shown in Table 2. The two items of DOW1 characteristics and storage reliability at a recording linear velocity of 14 m / s were good, but the disc reflectance was slightly different in the circumferential distribution and in-plane distribution. There was a change.
実施例10
ZrO2を主成分とする酸化物層の膜厚を20nmにした点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し、実施例1と同じ条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、ディスク反射率の周内分布・面内分布ついては良好であったが、記録線速度14m/sにおけるDOW1特性、及び保存信頼性の2項目については劣化してしまった。
Example 10
An optical disc was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the oxide layer containing ZrO 2 as a main component was 20 nm. The optical disc was initialized and evaluated under the same conditions as in Example 1.
The evaluation results are as shown in Table 2 and the distribution of disk reflectivity in the circumference and in-plane distribution was good, but the two items of DOW1 characteristics and storage reliability at a recording linear velocity of 14 m / s deteriorated. I have.
実施例11
ZrO2を主成分とする酸化物層の膜厚を8nmにした点以外は、実施例1と同様にして光ディスクを作製し、実施例1と同じ条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、ディスク反射率の周内分布・面内分布・記録線速度14m/sにおけるDOW1特性の項目については良好であったが、保存信頼性は劣化してしまった。
Example 11
An optical disk was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the oxide layer containing ZrO 2 as a main component was 8 nm. The optical disk was initialized and evaluated under the same conditions as in Example 1.
The evaluation results are as shown in Table 2, and the items of the DOW1 characteristic at the disc reflectance reflectance distribution, in-plane distribution, and recording linear velocity of 14 m / s were good, but the storage reliability was deteriorated. It was.
比較例1
実施例1と同じ光ディスクを用い、照射光ビーム線速度を6m/sに変えた点以外は実施例1と同様にして初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、ディスク反射率の周内分布・面内分布は均一であったが、記録線速度14m/sにおけるDOW1特性は改善されなかった。
Comparative Example 1
The same optical disk as in Example 1 was used, and initialization was performed and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the irradiation light beam linear velocity was changed to 6 m / s.
The evaluation results are as shown in Table 2. The in-peripheral distribution and in-plane distribution of the disk reflectivity were uniform, but the DOW1 characteristics at a recording linear velocity of 14 m / s were not improved.
比較例2
実施例1と同じ光ディスクを用い、照射光ビーム線速度14m/sに変えた点以外は実施例1と同様にして初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、ディスク反射率の周内分布・面内分布が不均一で反射率の変動が見られ、また記録線速度14m/sにおけるDOW1特性も改善されなかった。
Comparative Example 2
The same optical disk as in Example 1 was used, and initialization was performed and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the irradiation light beam linear velocity was changed to 14 m / s.
The evaluation results are as shown in Table 2. The in-peripheral distribution and in-plane distribution of the disk reflectivity were non-uniform and the reflectivity fluctuated, and the DOW1 characteristic at a recording linear velocity of 14 m / s was not improved.
比較例3
実施例1と同じ光ディスクを用い、表1の比較例3の欄に示す条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、ディスク反射率の周内分布・面内分布が不均一で反射率の変動が見られ、また記録線速度14m/sにおけるDOW1特性も改善されなかった。
Comparative Example 3
Using the same optical disk as in Example 1, initialization was performed under the conditions shown in the column of Comparative Example 3 in Table 1 for evaluation.
The evaluation results are as shown in Table 2. The in-peripheral distribution and in-plane distribution of the disk reflectivity were non-uniform and the reflectivity fluctuated, and the DOW1 characteristic at a recording linear velocity of 14 m / s was not improved.
比較例4
実施例1と同じ光ディスクを用い、表1の比較例4の欄に示す条件で初期化を行い評価した。
評価結果は表2に示す通りであり、ディスク反射率の周内分布・面内分布が不均一で反射率の変動が見られ、また記録線速度14m/sにおけるDOW1特性も改善されなかった。
Comparative Example 4
Using the same optical disk as in Example 1, initialization was performed under the conditions shown in the column of Comparative Example 4 in Table 1 for evaluation.
The evaluation results are as shown in Table 2. The in-peripheral distribution and in-plane distribution of the disk reflectivity were non-uniform and the reflectivity fluctuated, and the DOW1 characteristic at a recording linear velocity of 14 m / s was not improved.
Claims (12)
AgαXβSbδTeεGeγ
式中、XはGa、In、Tl、Pb、Sn、Bi、Cd、Hg、Mn、Dy、Cu、Auから選ばれた少なくとも1種の元素であり、α、β、δ、ε、γは原子%であって、次の(1)又は(2)の要件を満足する。
(1) α=β=0
δ+ε+γ=100
60≦δ≦90
0≦ε≦30
1≦γ≦10
又は、
(2) α+β>0
α+β+δ+ε+γ=100
5≦α+β+γ≦10
0≦α≦2
0≦β≦8
60≦δ≦90
0≦ε≦30
1≦γ<10 Irradiation light power to a phase change optical recording medium having at least a first protective layer, a recording layer made of a material represented by the following composition formula, a second protective layer, and a reflective layer on a transparent substrate provided with a guide groove An initialization method characterized by initializing under conditions of a density of 15 to 22 mW / μm 2 and an irradiation light beam linear velocity of 8 to 12 m / s.
AgαXβSbδTeεGeγ
In the formula, X is at least one element selected from Ga, In, Tl, Pb, Sn, Bi, Cd, Hg, Mn, Dy, Cu, and Au, and α, β, δ, ε, and γ are It is atomic% and satisfies the following requirement (1) or (2).
(1) α = β = 0
δ + ε + γ = 100
60 ≦ δ ≦ 90
0 ≦ ε ≦ 30
1 ≦ γ ≦ 10
Or
(2) α + β> 0
α + β + δ + ε + γ = 100
5 ≦ α + β + γ ≦ 10
0 ≦ α ≦ 2
0 ≦ β ≦ 8
60 ≦ δ ≦ 90
0 ≦ ε ≦ 30
1 ≦ γ <10
The feed width of the initialization irradiation light beam having an elliptical beam shape is 1 / n or more and (n−1) / n or less (where 2 ≦ n ≦ n) of the laser spot size (half-value width) in the elliptical long axis direction. The initialization method according to any one of claims 1 to 11, which is set based on 5) and prevents the same portion from being irradiated twice or more times.
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