【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、青、緑色発光ダイオード、青色レーザーダイオード等に使用される窒化物系化合物半導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
サファイア基板上に気相法で直接成長させた窒化ガリウムインジウム化合物半導体（ＧａｘＩｎ１−ｘＮ、０＜Ｘ＜１、以下ＧａＩｎＮと記す。）、あるいはサファイア基板上に高温で気相法により窒化アルミニウムガリウム化合物半導体（ＡｌｘＧ１−ｘＮ、０≦Ｘ≦１、以下ＡｌＧａＮと記す。）を成長後、該膜上に成長させたＧａＩｎＮの発光特性は悪く、青、緑色発光ダイオード、青色レーザーダイオードに使用できなかった。
そのために、５００℃程度の低温でＡｌＧａＮのバッファ層を形成させ、ついでそのバッファ層の形成温度よりも高温の１０００℃程度でＡｌＧａＮを形成させた後、ＧａＩｎＮを形成している。この方法は有機金属気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と記す。）のＧａＩｎＮ形成工程前に、基本的に低温と高温のＡｌＧａＮの形成工程が必要であり、昇温・降温によるエネルギー消費の増加、装置への負担等の問題があった。このために、微細な凹凸を有するサファイア基板上にＡｌＧａＮのバッファ層を高温で形成させ、引き続いてＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮを形成させる方法（特開２００２−１６４２９５）が提案されている。この高温バッファ層を用いた方法で製造したＧａＩｎＮの発光特性は良いが、更に結晶特性を向上させることが好ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
高温バッファー層上の形成は三次元成長をしやすく、高密度の転位が生じやすい。ＡｌＧａＮのバッファ層を高温で形成後、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮを形成させる方法において結晶特性を向上させる必要がある。
【０００４】
【問題を解決するための手段】
上記の問題を解決するために、ＡｌＧａＮの高温バッファ層を形成、引き続いてＡｌＧａＮの高温バッファ層上に窒化珪素化合物からなるバッファ体を形成する手段を採用した。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明は、基板上に形成した高温バッファ層上に、窒化珪素化合物バッファ体を形成し、ついでＡｌＧａＮを高温で形成し、引き続きＧａＩｎＮを形成させ、転位の少ない、発光特性の良いＧａＩｎＮを作成する事をはかることである。
【０００６】
高温バッファ層は、８００℃〜１１５０℃の温度でアンモニアガスとトリメチルガリウム（ＴＭＧａ、以下ＴＭＧと記す。）やトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ、以下ＴＭＡと記す。）の有機金属原料ガスを基板に単独か共供給し、厚み１から１００ｎｍのＡｌＧａＮ膜を形成する。結晶性を改善するために、更にＩｎ原料を供給してもよい。又アンモニアガスを供給する前に、短時間ＴＭＧやＴＭＡを供給し、基板表面の揮散防止或いは窒化防止をはかってもよい。
【０００７】
窒化珪素化合物バッファ体は５００℃〜１１００℃の温度でシラン等のＳｉ含有化合物とアンモニアを１００秒程度反応させ高温バッファ層上に形成する。低温で窒化珪素化合物バッファ体を形成すると、窒化物系化合物半導体膜の結晶特性が良い場合のバッファ体は電子顕微鏡観察ではサファイア基板を覆うように層状に形成されていず、ナノメータサイズの孔を有するポーラス状態である。反応時間が短く窒化珪素化合物がつながっていない状態、或いは反応時間が長く、窒化珪素化合物が微細な孔が少ない状態の表面上に形成された窒化物系化合物半導体膜の結晶性は好ましくない。高温バッファ層上に高温で窒化珪素化合物バッファ体を形成すると、バッファ体はテラス的か、若干ファセット島状的形成が見られる場合もある。窒化珪素化合物バッファ体は結晶状態あるいは非晶質状態のいずれでもよい。
【０００８】
窒化物系化合物半導体の形成は気相法、特にＭＯＣＶＤ法で行うのが好ましい。ＡｌＧａＮを成長する温度範囲は８００℃から１１５０℃で、２次元的成長がしやすい９００℃以上が好ましく、又１１５０℃以上では、ＡｌＧａＮの分解が激しくなるので、１１００℃以下が好ましい。ＧａＩｎＮの成長温度範囲は５００℃から９００℃で、発光特性を良くするために６００℃以上が好ましく、又ＧａＩｎＮの分解が８００℃以上では激しくなるので、８００℃以下が好ましい。
【０００９】
基板はサファイア基板（Ａｌ２Ｏ３）やＳｉ基板、ＺｎＯ基板、ＳｉＣ基板、ＬｉＧａＯ２基板、ＭｇＡｌ２Ｏ４基板等を用いることができる。
【００１０】
【実施例１】
サファイア基板を横型のＭＯＣＶＤ装置内部の基板ホルダに設置し、水素ガスを流しながら、基板表面温度を１０５０℃に５分間保持し基板表面のクリーニングを行なった。
【００１１】
次に基板表面温度を１０００℃まで下げ、主キャリアガスとして水素ガスを１０．７リットル／分、アンモニアガスを０．８４リットル／分を流し、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分で流して３分保持し、約２０ｎｍの厚みのＧａＮ高温バッファ層を作成した。
【００１２】
その後、基板表面温度を６００℃まで下げ、主キャリアガスとして水素ガスを６．５リットル／分、アンモニアガスを５リットル／分、シランガスを水素で１０ｐｐｍに希釈したキャリアーガスを２０ｃｃ／分で２分流しながら、窒化珪素化合物のバッファ体をＧａＮ高温バッファ層上に作成させた。
【００１３】
基板表面温度を１０００℃で、主キャリアガスとして水素ガスを８リットル／分、アンモニアガスを３．５リットル／分で流し、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分、水素ガスで１０ｐｐｍに希釈したシランガスを３ｃｃ／分で６０分同時に流しながら、１．５ミクロン厚さのｎ型ＧａＮ膜を形成した。
【００１４】
ｎ型ＧａＮ層形成後、温度を７５０℃にして、主キャリアガスを窒素ガスに切り替え、窒素ガスを８リットル／分、アンモニアガスを４リットル／分、ＴＭＧ用のキャリアガスを５ｃｃ／分、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ、以下ＴＭＩと記す。）用のキャリアガスを１５０ｃｃ／分流しながら、アンドープＧａＩｎＮを３分間成長させた。
【００１５】
次に、基板表面温度を１０００℃にして、主キャリアガスとして水素ガスを８リットル／分、アンモニアガスを３．５リットル／分を流し、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分とＭｇ源であるＣｐ２Ｍｇ用のキャリアガスを７０ｃｃ／分で１０分間同時に流しながら、０．２５ミクロン厚さのｐ型ＧａＮ膜を形成した。
【００１６】
次に、ＴＭＧ用のキャリアガス、ＴＭＩ用のキャリアガス、水素ガスを止めて窒素ガスとアンモニアガスを流しながら７５０℃まで冷却し、窒素ガスを８リットル／分、アンモニアガスを４リットル／分、ＴＭＧ用のキャリアガスを５ｃｃ／分、ＴＭＩ用のキャリアガスを１５０ｃｃ／分流しながら、アンドープＧａＩｎＮを２分間成長させた。
【００１７】
成長後、ＴＭＧ用のキャリアガス、ＴＭＩ用のキャリアガス、アンモニアガスを止めて窒素ガスを１２リットル／分で流しながら室温まで冷却し、ＭＯＣＶＤ装置からウエーハを取り出した。
【００１８】
このようにして形成したｎ型ＧａＮとアンドープＧａＩｎＮとｐ型ＧａＮとアンドープＧａＩｎＮとの積層構造のアンドープＧａＩｎＮ層とｐ型ＧａＮ層およびアンドープＧａＩｎＮ層の一部をエッチングしてｎ型ＧａＮの一部を露出させ、ｐ型ＧａＮおよびｎ型ＧａＮそれぞれの層にオーミックオーミックコンタクトがとれるＩＴＯ（ｐ電極）とＴｉ／Ａｕ（ｎ電極）を形成した。
【００１９】
この後、サファイアの基板の裏面を研磨して１００ミクロン程度まで薄くし、サファイア基板側からレーザーを照射しチップ状に分離する。このチップをｐｎ接合形成面を上向きにしてステムに接着した後、チップのｎ側電極およびｐ側電極を各々ステム上の電極にワイヤで結線し、その後樹脂モールドして発光素子を作成した。
【００２０】
この発光素子を２０ｍＡの順方向電流で駆動したところ、順方向電圧は３．５ｖ、発光出力は４ｍＷ、波長は４５０ｎｍで青色発光を呈した。
【００２１】
【実施例２】
窒化珪素化合物のバッファ体作成時間を３０秒、３分とする以外は実施例１と同様にして発光素子を作成した。この発光素子を２０ｍＡの順方向電流で駆動したところ、バッファ体作成時間３０秒の発光素子は順方向電圧は３．８ｖ、発光出力は３．０ｍＷ、波長は４５０ｎｍで青色発光を呈した。又バッファ体作成時間３分の発光素子は順方向電圧は３．８ｖ、発光出力は３．０ｍＷ、波長は４５０ｎｍで青色発光を呈した。バッファ体を電子顕微鏡観察すると作成時間３０秒の膜は窒化珪素化合物がつながりが良くなく、作成時間３分の膜は平坦な膜で、作成時間２分の膜に見られたナノサイズの孔は少なかった。
【００２２】
【実施例３】
窒化珪素化合物のバッファ体作成温度を１０００℃とする以外は実施例１と同様にして発光素子を作成した。この発光素子を２０ｍＡの順方向電流で駆動したところ、順方向電圧は３．５ｖ、発光出力は４．５ｍＷ、波長は４５０ｎｍで青色発光を呈した。
【００２３】
【実施例４】
主キャリアガスとして水素ガスを１０．７リットル／分、アンモニアガスを０．８４リットル／分を流し、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分、ＴＭＡ用のキャリアガスを５ｃｃ／分で流して３分保持し、約２０ｎｍの厚みのＧａＮ高温バッファ層を作成する以外は実施例１と同様にして発光素子を作成した。この発光素子を２０ｍＡの順方向電流で駆動したところ、順方向電圧は３．６ｖ、発光出力は３．５ｍＷ、波長は４５０ｎｍで青色発光を呈した。
【００２４】
【実施例５】
ＧａＮ高温バッファ層の厚みを５０ｎｍ程度成長後、水素ガスとアンモニアガス雰囲気中、１０００℃で１分間エッチングする以外は実施例１と同様にして発光素子を作成した。この発光素子を２０ｍＡの順方向電流で駆動したところ、順方向電圧は３．６ｖ、発光出力は３．５ｍＷ、波長は４５０ｎｍで青色発光を呈した。
【００２５】
【実施例６】
ＧａＮ高温バッファ層を成長させる前に、主キャリアガスとして水素ガスを１３．５リットル／分、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分、１０００℃で３０秒間流す以外は実施例１と同様にして発光素子を作成した。この発光素子を２０ｍＡの順方向電流で駆動したところ、順方向電圧は３．５ｖ、発光出力は４．５ｍＷ、波長は４５０ｎｍで青色発光を呈した。
【００２６】
【実施例７】
ＧａＮ高温バッファ層を成長させる前に、主キャリアガスとして水素ガスを１３．５リットル／分、ＴＭＧ用のキャリアガスを４０ｃｃ／分、１０００℃で３０秒間流し、窒化珪素化合物のバッファ体作成温度を１０００℃とする以外は実施例１と同様にして発光素子を作成した。この発光素子を２０ｍＡの順方向電流で駆動したところ、順方向電圧は３．４ｖ、発光出力は５．０ｍＷ、波長は４５０ｎｍで青色発光を呈した。
【００２７】
【比較例１】
窒化珪素化合物のバッファ体作成しない以外は実施例１と同様にして発光素子を作成した。この発光素子は抵抗が高く光らなかった。
【００２８】
【比較例２】
高温バッファ層、窒化珪素化合物のバッファ体作成せず、高温バッファ層でなく通常のＧａＮからなる低温バッファ層を５００℃で２０ｎｍ作成する以外は実施例１と同様にして発光素子を作成した。この発光素子を２０ｍＡの順方向電流で駆動したところ、順方向電圧は３．６ｖ、発光出力は３．５ｍＷ、波長は４５０ｎｍで青色発光を呈した。
【００２９】
【発明の効果】
本発明のサファイア基板上に高温バッファ層、窒化珪素化合物バッファ体を作成することにより、発光素子の性能が大幅に向上し、コスト、性能の２点で産業上の価値が大きい。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a nitride compound semiconductor used for blue, green light emitting diodes, blue laser diodes, and the like.
[0002]
[Prior art]
Indium gallium nitride compound semiconductor (Ga x In 1-x N, 0 <X <1, hereinafter referred to as GaInN) grown directly on the sapphire substrate by the vapor phase method, or vapor phase method at a high temperature on the sapphire substrate. After growing an aluminum gallium nitride compound semiconductor (Al x G 1-x N, 0 ≦ X ≦ 1, hereinafter referred to as AlGaN), the light emission characteristics of GaInN grown on the film are poor, and blue, green light emitting diodes, It could not be used for the blue laser diode.
Therefore, an AlGaN buffer layer is formed at a low temperature of about 500 ° C., and then AlGaN is formed at about 1000 ° C., which is higher than the formation temperature of the buffer layer, and then GaInN is formed. This method basically requires a low-temperature and high-temperature AlGaN formation step before the GaInN formation step of metal organic chemical vapor deposition (hereinafter referred to as MOCVD method). There was a problem such as a burden on the device. For this purpose, a method (Japanese Patent Laid-Open No. 2002-164295) has been proposed in which an AlGaN buffer layer is formed at a high temperature on a sapphire substrate having fine irregularities, and subsequently AlGaN and GaInN are formed. Although the emission characteristics of GaInN manufactured by the method using this high-temperature buffer layer are good, it is preferable to further improve the crystal characteristics.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
Formation on the high-temperature buffer layer is easy to grow three-dimensionally, and high-density dislocations are likely to occur. After forming the AlGaN buffer layer at a high temperature, it is necessary to improve crystal characteristics in the method of forming AlGaN and GaInN.
[0004]
[Means for solving problems]
In order to solve the above problem, means for forming a high-temperature buffer layer of AlGaN and subsequently forming a buffer body made of a silicon nitride compound on the high-temperature buffer layer of AlGaN was adopted.
[0005]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In the present invention, a silicon nitride compound buffer is formed on a high-temperature buffer layer formed on a substrate, then AlGaN is formed at a high temperature, GaInN is subsequently formed, and GaInN with less dislocations and good emission characteristics is produced. To do things.
[0006]
The high-temperature buffer layer is formed of an ammonia gas and an organic metal source gas such as trimethylgallium (TMGa, hereinafter referred to as TMG) or trimethylaluminum (TMAl, hereinafter referred to as TMA) at a temperature of 800 ° C. to 1150 ° C. Then, an AlGaN film having a thickness of 1 to 100 nm is formed. In order to improve crystallinity, an In raw material may be further supplied. Also, before supplying ammonia gas, TMG or TMA may be supplied for a short time to prevent volatilization or nitridation of the substrate surface.
[0007]
The silicon nitride compound buffer body is formed on the high temperature buffer layer by reacting a Si-containing compound such as silane with ammonia at a temperature of 500 ° C. to 1100 ° C. for about 100 seconds. When a silicon nitride compound buffer body is formed at a low temperature, the buffer body in the case where the crystal characteristics of the nitride compound semiconductor film are good is not formed in layers so as to cover the sapphire substrate by electron microscope observation, and has nanometer-sized holes. It is a porous state. The crystallinity of the nitride-based compound semiconductor film formed on the surface in which the reaction time is short and the silicon nitride compound is not connected, or the reaction time is long and the silicon nitride compound has few fine holes is not preferable. When the silicon nitride compound buffer body is formed on the high temperature buffer layer at a high temperature, the buffer body may have a terrace-like or slightly faceted island-like formation. The silicon nitride compound buffer body may be in a crystalline state or an amorphous state.
[0008]
The formation of the nitride-based compound semiconductor is preferably performed by a vapor phase method, in particular, an MOCVD method. The temperature range for growing AlGaN is 800 ° C. to 1150 ° C. and is preferably 900 ° C. or higher, which facilitates two-dimensional growth, and if it is 1150 ° C. or higher, decomposition of AlGaN becomes severe, so 1100 ° C. or lower is preferable. The growth temperature range of GaInN is from 500 ° C. to 900 ° C., preferably 600 ° C. or higher for improving the light emission characteristics, and is preferably 800 ° C. or lower because decomposition of GaInN becomes severe at 800 ° C. or higher.
[0009]
As the substrate, a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), a Si substrate, a ZnO substrate, a SiC substrate, a LiGaO 2 substrate, a MgAl 2 O 4 substrate, or the like can be used.
[0010]
[Example 1]
The sapphire substrate was placed on the substrate holder inside the horizontal MOCVD apparatus, and the substrate surface was cleaned by maintaining the substrate surface temperature at 1050 ° C. for 5 minutes while flowing hydrogen gas.
[0011]
Next, the substrate surface temperature is lowered to 1000 ° C., hydrogen gas is supplied as the main carrier gas at 10.7 liter / minute, ammonia gas is supplied at 0.84 liter / minute, and TMG carrier gas is supplied at 40 cc / minute. The GaN high temperature buffer layer having a thickness of about 20 nm was prepared.
[0012]
Thereafter, the substrate surface temperature is lowered to 600 ° C., hydrogen gas is 6.5 liters / minute as main carrier gas, ammonia gas is 5 liters / minute, and carrier gas diluted with silane gas to 10 ppm with hydrogen is 20 cc / minute for 2 minutes. While flowing, a silicon nitride compound buffer was formed on the GaN high-temperature buffer layer.
[0013]
Silane gas with substrate surface temperature of 1000 ° C, hydrogen gas as main carrier gas at 8 liters / minute, ammonia gas at 3.5 liters / minute, carrier gas for TMG at 40 cc / minute, diluted to 10 ppm with hydrogen gas Was simultaneously flown at 3 cc / min for 60 minutes to form an n-type GaN film having a thickness of 1.5 microns.
[0014]
After forming the n-type GaN layer, the temperature is set to 750 ° C., the main carrier gas is switched to nitrogen gas, nitrogen gas is 8 liters / minute, ammonia gas is 4 liters / minute, carrier gas for TMG is 5 cc / minute, trimethyl Undoped GaInN was grown for 3 minutes while flowing a carrier gas for indium (TMIn, hereinafter referred to as TMI) at 150 cc / minute.
[0015]
Next, the substrate surface temperature is set to 1000 ° C., hydrogen gas is supplied as a main carrier gas at 8 liters / minute, ammonia gas is supplied at 3.5 liters / minute, carrier gas for TMG is 40 cc / minute, and Mg source. A p-type GaN film having a thickness of 0.25 microns was formed while simultaneously flowing a carrier gas for Cp 2 Mg at 70 cc / min for 10 minutes.
[0016]
Next, the carrier gas for TMG, the carrier gas for TMI, and the hydrogen gas are turned off and cooled to 750 ° C. while flowing nitrogen gas and ammonia gas, the nitrogen gas is 8 liters / minute, the ammonia gas is 4 liters / minute, Undoped GaInN was grown for 2 minutes while flowing a carrier gas for TMG at 5 cc / min and a carrier gas for TMI at 150 cc / min.
[0017]
After the growth, the carrier gas for TMG, the carrier gas for TMI, and the ammonia gas were stopped and cooled to room temperature while flowing nitrogen gas at 12 liters / minute, and the wafer was taken out from the MOCVD apparatus.
[0018]
The n-type GaN, the undoped GaInN, the p-type GaN, and the undoped GaInN layer, and the p-type GaN layer and a part of the undoped GaInN layer, which are formed in this way, are etched to remove a part of the n-type GaN. Exposed, ITO (p electrode) and Ti / Au (n electrode) were formed in each layer of p-type GaN and n-type GaN so that ohmic ohmic contact can be made.
[0019]
Thereafter, the back surface of the sapphire substrate is polished to a thickness of about 100 microns, and laser is irradiated from the sapphire substrate side to separate it into chips. After bonding this chip to the stem with the pn junction formation surface facing upward, the n-side electrode and p-side electrode of the chip were each connected to the electrode on the stem with a wire, and then resin molded to produce a light emitting device.
[0020]
When this light emitting device was driven with a forward current of 20 mA, the forward voltage was 3.5 v, the light emission output was 4 mW, the wavelength was 450 nm, and blue light emission was exhibited.
[0021]
[Example 2]
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the time for producing the buffer body of the silicon nitride compound was 30 seconds and 3 minutes. When this light-emitting element was driven with a forward current of 20 mA, the light-emitting element with a buffer body creation time of 30 seconds exhibited blue light emission with a forward voltage of 3.8 v, a light emission output of 3.0 mW, and a wavelength of 450 nm. The light emitting device with a buffer body creation time of 3 minutes emitted blue light with a forward voltage of 3.8 v, a light output of 3.0 mW, and a wavelength of 450 nm. When the buffer body is observed with an electron microscope, the silicon nitride compound is not well connected to the film with a creation time of 30 seconds, the film with a creation time of 3 minutes is a flat film, and the nano-sized pores seen in the film with a creation time of 2 minutes are There were few.
[0022]
[Example 3]
A light-emitting element was produced in the same manner as in Example 1 except that the silicon nitride compound buffer temperature was 1000 ° C. When this light emitting device was driven with a forward current of 20 mA, the forward voltage was 3.5 v, the light emission output was 4.5 mW, the wavelength was 450 nm, and blue light emission was exhibited.
[0023]
[Example 4]
The main carrier gas was hydrogen gas at 10.7 liters / minute, ammonia gas at 0.84 liters / minute, TMG carrier gas at 40 cc / minute, and TMA carrier gas at 5 cc / minute for 3 minutes. A light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the GaN high temperature buffer layer having a thickness of about 20 nm was formed. When this light emitting device was driven with a forward current of 20 mA, the forward voltage was 3.6 v, the light emission output was 3.5 mW, the wavelength was 450 nm, and blue light emission was exhibited.
[0024]
[Example 5]
A light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the GaN high-temperature buffer layer was grown to a thickness of about 50 nm and then etched in a hydrogen gas and ammonia gas atmosphere at 1000 ° C. for 1 minute. When this light emitting device was driven with a forward current of 20 mA, the forward voltage was 3.6 v, the light emission output was 3.5 mW, the wavelength was 450 nm, and blue light emission was exhibited.
[0025]
[Example 6]
Before growing the GaN high-temperature buffer layer, light emission was performed in the same manner as in Example 1 except that hydrogen gas was supplied as the main carrier gas at 13.5 liters / minute, TMG carrier gas was supplied at 40 cc / minute, and at 1000 ° C. for 30 seconds. A device was created. When this light emitting device was driven with a forward current of 20 mA, the forward voltage was 3.5 v, the light emission output was 4.5 mW, the wavelength was 450 nm, and blue light emission was exhibited.
[0026]
[Example 7]
Before growing the GaN high-temperature buffer layer, hydrogen gas as the main carrier gas was flowed at 13.5 liters / minute, carrier gas for TMG at 40 cc / minute, at 1000 ° C. for 30 seconds, and the buffer body temperature of the silicon nitride compound was set. A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the temperature was 1000 ° C. When this light emitting device was driven with a forward current of 20 mA, the forward voltage was 3.4 v, the light emission output was 5.0 mW, the wavelength was 450 nm, and blue light emission was exhibited.
[0027]
[Comparative Example 1]
A light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the buffer body of the silicon nitride compound was not fabricated. This light emitting element had high resistance and did not shine.
[0028]
[Comparative Example 2]
A light-emitting element was fabricated in the same manner as in Example 1 except that a high-temperature buffer layer and a silicon nitride compound buffer were not formed, and a low-temperature buffer layer made of ordinary GaN was formed at 500 ° C. instead of a high-temperature buffer layer. When this light emitting device was driven with a forward current of 20 mA, the forward voltage was 3.6 v, the light emission output was 3.5 mW, the wavelength was 450 nm, and blue light emission was exhibited.
[0029]
【The invention's effect】
By producing a high-temperature buffer layer and a silicon nitride compound buffer body on the sapphire substrate of the present invention, the performance of the light-emitting element is greatly improved, and the industrial value is great in terms of cost and performance.