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JP2005093280A - Organic el display - Google Patents

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JP2005093280A
JP2005093280A JP2003326060A JP2003326060A JP2005093280A JP 2005093280 A JP2005093280 A JP 2005093280A JP 2003326060 A JP2003326060 A JP 2003326060A JP 2003326060 A JP2003326060 A JP 2003326060A JP 2005093280 A JP2005093280 A JP 2005093280A
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JP
Japan
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electrode
organic
insulating layer
substrate
wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP2003326060A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihiro Ninomiya
利博 二ノ宮
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Japan Display Central Inc
Original Assignee
Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP2003326060A priority Critical patent/JP2005093280A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display having superior thickness uniformity of an organic layer. <P>SOLUTION: The organic EL display device 1 comprises a substrate 11, an electrode wiring 13 prepared on the main surface of the substrate 11, a first insulating layer 12 prepared on the main surface of the substrate 11, a first electrode 15 which is opposed to both the electrode wiring 13 and the first insulating layer 12 and is in contact with the electrode wiring 13, a second insulating layer 16a which covers the first electrode 15 and the first insulating layer 12 and has a through-hole 52 at a position corresponding to the center of the first electrode 15, an organic layer 17 which covers the part inside the through-hole 52 of the first electrode 15 exposed from the second insulating layer 16a and includes a luminescent layer 17a, and a second electrode 18 prepared on the organic layer 17. The electrode wiring 13 and the first insulating layer 12 are arranged so that they do not overlap each other inside the area sandwiched between the substrate 11 and the first electrode 15. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、表示装置に係り、特には有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置に関する。   The present invention relates to a display device, and more particularly to an organic EL (electroluminescence) display device.

有機EL表示装置は、自己発光表示装置である。そのため、有機EL表示装置は、視野角が広く、応答速度が速い。また、バックライトが不要であるため、薄型軽量化が可能である。これらの理由から、近年、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。   The organic EL display device is a self-luminous display device. Therefore, the organic EL display device has a wide viewing angle and a fast response speed. In addition, since a backlight is not necessary, it is possible to reduce the thickness and weight. For these reasons, in recent years, organic EL display devices have attracted attention as display devices that replace liquid crystal display devices.

ところで、有機EL表示装置の製造プロセスでは、有機物層を構成する発光層やバッファ層を形成する際、その材料として低分子有機材料を使用する場合には真空蒸着法を利用している。また、発光層やバッファ層の材料として高分子有機材料を使用する場合には、高分子有機材料を含有した溶液を塗布してなる塗膜を乾燥するという方法を採用している。   By the way, in the manufacturing process of an organic EL display device, when a light emitting layer or a buffer layer constituting an organic material layer is formed, a vacuum evaporation method is used when a low molecular organic material is used as the material. Moreover, when using a polymeric organic material as a material of a light emitting layer or a buffer layer, the method of drying the coating film formed by apply | coating the solution containing a polymeric organic material is employ | adopted.

後者の方法では、具体的には、まず、各画素に対応して貫通孔を有する親水性絶縁層と疎水性絶縁層との積層体を基板上に形成する。次に、これら貫通孔を液溜めとして利用して、ディッピング、インクジェット、或いは、スピンコート法などの溶液塗布法により、高分子有機材料を含有した溶液でそれら貫通孔を満たす。その後、貫通孔内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去する。以上のようにして発光層やバッファ層を得る。   Specifically, in the latter method, first, a laminate of a hydrophilic insulating layer and a hydrophobic insulating layer having through holes corresponding to each pixel is formed on a substrate. Next, using these through holes as a liquid reservoir, the through holes are filled with a solution containing a polymer organic material by a solution coating method such as dipping, ink jetting, or spin coating. Thereafter, the liquid film in the through holes is dried to remove the solvent from the liquid film. A light emitting layer and a buffer layer are obtained as described above.

この方法は、簡便ではあるものの、発光層やバッファ層の厚さが不均一になり易い。それらの膜厚が不均一な場合には、膜厚が薄い部分に電流が集中することとなる。このような電流集中は、画素内での均一な発光を妨げるだけでなく、膜厚が薄い部分においてそれらの早期劣化をもたらし、表示装置の発光寿命を低下させる。   Although this method is simple, the thickness of the light emitting layer and the buffer layer tends to be non-uniform. If these film thicknesses are non-uniform, the current concentrates on the portion where the film thickness is thin. Such current concentration not only prevents uniform light emission within the pixel, but also causes early deterioration of the thin film thickness portion, thereby reducing the light emission lifetime of the display device.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、有機物層の膜厚均一性に優れた有機EL表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL display device excellent in film thickness uniformity of an organic material layer.

本発明の第1の側面によると、基板と、前記基板の一方の主面上に設けられた電極配線と、前記基板の前記主面上に設けられた第1絶縁層と、前記電極配線及び前記第1絶縁層に対向するとともに前記電極配線に接触した第1電極と、前記第1電極及び前記第1絶縁層を被覆し且つ前記第1電極の中央に対応した位置に貫通孔を有する第2絶縁層と、前記第1電極の前記貫通孔内で前記第2絶縁層から露出した部分を被覆し且つ発光層を含んだ有機物層と、前記有機物層上に設けられた第2電極とを具備し、前記基板と前記第1電極とに挟まれた領域内で前記電極配線と前記第1絶縁層とは重なり合うことなく並置されていることを特徴とする有機EL表示装置が提供される。   According to a first aspect of the present invention, a substrate, an electrode wiring provided on one main surface of the substrate, a first insulating layer provided on the main surface of the substrate, the electrode wiring, and A first electrode facing the first insulating layer and in contact with the electrode wiring; a first electrode covering the first electrode and the first insulating layer and having a through hole at a position corresponding to the center of the first electrode Two insulating layers; an organic layer that covers a portion exposed from the second insulating layer in the through hole of the first electrode and includes a light emitting layer; and a second electrode provided on the organic layer. An organic EL display device is provided, wherein the electrode wiring and the first insulating layer are juxtaposed without overlapping in a region sandwiched between the substrate and the first electrode.

本発明の第2の側面によると、基板と、前記基板の一方の主面上に設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に設けられた電極配線と、前記電極配線及び前記第1絶縁層の前記電極配線から露出した部分に対向するとともに前記電極配線に接触した第1電極と、前記第1電極及び前記第1絶縁層を被覆し且つ前記第1電極の中央に対応した位置に貫通孔を有する第2絶縁層と、前記第1電極の前記貫通孔内で前記第2絶縁層から露出した部分を被覆し且つ発光層を含んだ有機物層と、前記有機物層上に設けられた第2電極とを具備し、前記電極配線の側壁の前記基板側の端部と前記貫通孔の側壁の前記基板側端部との間の基板面に平行な方向の最短距離は5μm以上であることを特徴とする有機EL表示装置が提供される。   According to a second aspect of the present invention, a substrate, a first insulating layer provided on one main surface of the substrate, an electrode wiring provided on the first insulating layer, the electrode wiring, and the A first electrode facing a portion exposed from the electrode wiring of the first insulating layer and contacting the electrode wiring, and covering the first electrode and the first insulating layer and corresponding to the center of the first electrode A second insulating layer having a through hole at a position; an organic layer covering a portion exposed from the second insulating layer in the through hole of the first electrode; and including a light emitting layer; and provided on the organic layer A shortest distance in a direction parallel to the substrate surface between the substrate-side end of the side wall of the electrode wiring and the substrate-side end of the side wall of the through hole is 5 μm or more. An organic EL display device is provided.

本発明の第3の側面によると、基板と、前記基板の一方の主面上に設けられた第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に設けられた電極配線と、前記第1絶縁層上で前記電極配線に対して並置されたダミー配線と、前記電極配線と前記ダミー配線と前記第1絶縁層の前記電極配線及び前記ダミー配線から露出した部分に対向するとともに前記電極配線に接触した第1電極と、前記第1電極及び前記第1絶縁層を被覆し且つ前記第1電極の中央に対応した位置に貫通孔を有する第2絶縁層と、前記第1電極の前記貫通孔内で前記第2絶縁層から露出した部分を被覆し且つ発光層を含んだ有機物層と、前記有機物層上に設けられた第2電極とを具備し、前記第1絶縁層上で前記電極配線と前記ダミー配線との集合体は基板面に垂直な方向から観察した場合に略点対称形状を有する凸部を形成していることを特徴とする有機EL表示装置が提供される。   According to a third aspect of the present invention, a substrate, a first insulating layer provided on one main surface of the substrate, an electrode wiring provided on the first insulating layer, and the first insulating layer Dummy wiring juxtaposed with respect to the electrode wiring above, facing the electrode wiring, the dummy wiring, the electrode wiring of the first insulating layer and the portion exposed from the dummy wiring, and in contact with the electrode wiring Within the through hole of the first electrode, a second insulating layer covering the first electrode and the first insulating layer and having a through hole at a position corresponding to the center of the first electrode, An organic material layer covering a portion exposed from the second insulating layer and including a light emitting layer; and a second electrode provided on the organic material layer, the electrode wiring and the electrode on the first insulating layer When the assembly with the dummy wiring is observed from the direction perpendicular to the substrate surface, The organic EL display apparatus is provided, characterized in that to form a convex portion having a substantially point symmetric shape.

本発明の第4の側面によると、基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された複数の第1電極と、前記第1電極の一部を露出する第1貫通孔を有する親水性絶縁膜と、前記親水性絶縁膜上に配置され、前記第1貫通孔よりも径の大きい第2貫通孔を有し、前記第1電極および前記親水性絶縁膜の一部を露出する撥水性絶縁膜と、前記第1電極に対向配置される第2電極と、前記第1電極および前記第2電極間に狭持される有機物層とを備え、前記第2貫通孔での前記親水性絶縁膜の露出部分の大きさが、前記基板と垂直な断面において左右等しいことを特徴とする有機EL表示装置が提供される。   According to a fourth aspect of the present invention, a hydrophilic insulating film having a substrate, a plurality of first electrodes arranged in a matrix on the substrate, and a first through hole exposing a part of the first electrode. And a water repellent insulating film disposed on the hydrophilic insulating film, having a second through hole having a diameter larger than that of the first through hole, and exposing a part of the first electrode and the hydrophilic insulating film. A second electrode disposed opposite to the first electrode, and an organic material layer sandwiched between the first electrode and the second electrode, the hydrophilic insulating film in the second through hole An organic EL display device is provided in which the size of the exposed portion is equal on the right and left in a cross section perpendicular to the substrate.

第1の側面において、基板と第1電極とに挟まれた領域内で電極配線と第1絶縁層とは互いから離間していてもよい。第3の側面において、電極配線の材料とダミー配線の材料とは同一であってもよい。第4の側面において、親水性絶縁膜の露出部分は、基板と垂直な断面において、左右ほぼ等しい高さであってもよい。また、親水性絶縁膜の露出部分は、ほぼ等しい幅の環状形状であってもよい。   In the first aspect, the electrode wiring and the first insulating layer may be separated from each other in a region sandwiched between the substrate and the first electrode. In the third aspect, the electrode wiring material and the dummy wiring material may be the same. In the fourth aspect, the exposed portion of the hydrophilic insulating film may have substantially the same left and right heights in a cross section perpendicular to the substrate. Further, the exposed portion of the hydrophilic insulating film may have an annular shape having substantially the same width.

以上説明したように、本発明によると、有機物層の膜厚均一性に優れた有機EL表示装置が提供される。   As described above, according to the present invention, an organic EL display device excellent in film thickness uniformity of an organic material layer is provided.

以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same referential mark is attached | subjected to the same or similar component, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1(a)は、本発明の第1の態様に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図である。また、図1(b)は、図1(a)に示す有機EL表示装置のA−A線に沿った断面図である。なお、図1(a)及び(b)では、一部の構成要素を省略している。   FIG. 1A is a plan view schematically showing an organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of the organic EL display device shown in FIG. In FIGS. 1A and 1B, some components are omitted.

図1(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1は、基板11を備えている。基板11は、例えばガラス等の絶縁性透明基板である。   An organic EL display device 1 shown in FIGS. 1A and 1B includes a substrate 11. The substrate 11 is an insulating transparent substrate such as glass.

基板11上には、図示しないアンダーコート層として、例えば、SiNx層とSiO2層とが順次積層されている。アンダーコート層上には、図示しない薄膜トランジスタ(以下、TFTという)が形成されている。 On the substrate 11, for example, a SiN x layer and a SiO 2 layer are sequentially laminated as an undercoat layer (not shown). On the undercoat layer, a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) (not shown) is formed.

基板11のTFTなどが形成された面には、必要に応じて図示しない絶縁層を介して、層間絶縁膜12と電極配線13とが並置されている。層間絶縁膜12と電極配線13とは、それらの間に凹部50が形成されるように、互いから少なくとも部分的に離間している。なお、電極配線13は、後述する第1電極15に接触した配線であり、例えば、電源と第1電極15との間に介在し且つ第1電極15に最も近い配線として定義され得る。   An interlayer insulating film 12 and an electrode wiring 13 are juxtaposed on the surface of the substrate 11 on which a TFT or the like is formed, with an insulating layer (not shown) interposed as necessary. The interlayer insulating film 12 and the electrode wiring 13 are at least partially separated from each other so that a recess 50 is formed between them. The electrode wiring 13 is a wiring in contact with a first electrode 15 described later, and can be defined as a wiring that is interposed between the power source and the first electrode 15 and is closest to the first electrode 15, for example.

層間絶縁膜12及び電極配線13上には、パッシベーション膜14が設けられている。パッシベーション膜14は、層間絶縁膜12と電極配線13との間の凹部50を埋め込んでいる。また、パッシベーション膜14には、電極配線13の位置に貫通孔51が設けられている。   A passivation film 14 is provided on the interlayer insulating film 12 and the electrode wiring 13. The passivation film 14 fills the recess 50 between the interlayer insulating film 12 and the electrode wiring 13. The passivation film 14 has a through hole 51 at the position of the electrode wiring 13.

パッシベーション膜14上には、第1電極15が設けられている。第1電極15は、例えば透明導電材料からなる透明電極である。第1電極15は、パッシベーション膜14を部分的に被覆するとともに、貫通孔51を介して電極配線13に接続されている。ここでは、第1電極15は陽極として機能する。   A first electrode 15 is provided on the passivation film 14. The first electrode 15 is a transparent electrode made of, for example, a transparent conductive material. The first electrode 15 partially covers the passivation film 14 and is connected to the electrode wiring 13 through the through hole 51. Here, the first electrode 15 functions as an anode.

第1電極15及びパッシベーション膜14上には、第1電極15の中央に対応した位置に貫通孔52を有する親水性絶縁膜16aが設けられている。親水性絶縁膜16aは、例えば、親水性の無機絶縁層である。隣り合う第1電極15同士は、親水性絶縁膜16aによって絶縁されている。   On the first electrode 15 and the passivation film 14, a hydrophilic insulating film 16 a having a through hole 52 is provided at a position corresponding to the center of the first electrode 15. The hydrophilic insulating film 16a is, for example, a hydrophilic inorganic insulating layer. Adjacent first electrodes 15 are insulated from each other by a hydrophilic insulating film 16a.

親水性絶縁膜16a上には、貫通孔52を取り囲む貫通孔53を有する撥水性絶縁膜16bが設けられている。撥水性絶縁膜16bは、例えば、撥水性の有機絶縁層である。なお、親水性絶縁膜16aと撥水性絶縁膜16bとの積層体は、第1電極15に対応した位置に貫通孔を有する隔壁絶縁層16を構成している。   On the hydrophilic insulating film 16a, a water repellent insulating film 16b having a through hole 53 surrounding the through hole 52 is provided. The water repellent insulating film 16b is, for example, a water repellent organic insulating layer. The laminated body of the hydrophilic insulating film 16a and the water repellent insulating film 16b constitutes a partition insulating layer 16 having a through hole at a position corresponding to the first electrode 15.

隔壁絶縁層16の貫通孔内で露出した第1電極15上には、発光層17aを含む有機物層17が設けられている。発光層17aは、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。有機物層17は、発光層17aに加え、例えば、第1電極(陽極)15から発光層17aへの正孔の注入を媒介する役割を果たすバッファ層17bなどをさらに含むことができる。   On the first electrode 15 exposed in the through hole of the partition insulating layer 16, an organic material layer 17 including a light emitting layer 17a is provided. The light emitting layer 17a is a thin film containing a luminescent organic compound whose emission color is red, green, or blue, for example. In addition to the light emitting layer 17a, the organic layer 17 can further include, for example, a buffer layer 17b that plays a role in mediating injection of holes from the first electrode (anode) 15 to the light emitting layer 17a.

隔壁絶縁層16及び有機物層17上には第2電極18が設けられている。ここでは、第2電極18は、共通電極として設けられた陰極であるとする。   A second electrode 18 is provided on the partition insulating layer 16 and the organic material layer 17. Here, it is assumed that the second electrode 18 is a cathode provided as a common electrode.

以上説明した有機EL表示装置1において、第1電極15と有機物層17と第2電極18とは有機EL素子20を構成している。なお、有機物層17及び第2電極18は、図1(b)のみに描いており、図1(a)では省略している。   In the organic EL display device 1 described above, the first electrode 15, the organic material layer 17, and the second electrode 18 constitute an organic EL element 20. The organic layer 17 and the second electrode 18 are illustrated only in FIG. 1B, and are omitted in FIG.

さて、本態様では、先に説明したように、層間絶縁膜12と電極配線13とを基板11の同一平面層上に並置する。こうすると、有機物層17の膜厚均一性を高めることができる。これについては、図1(a)及び(b)と図2(a)及び(b)とを対比しながら説明する。   In this aspect, as described above, the interlayer insulating film 12 and the electrode wiring 13 are juxtaposed on the same plane layer of the substrate 11. In this way, the film thickness uniformity of the organic layer 17 can be improved. This will be described by comparing FIGS. 1A and 1B with FIGS. 2A and 2B.

図2(a)は、比較例に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図である。また、図2(b)は、図2(a)に示す有機EL表示装置のB−B線に沿った断面図である。なお、図2(a)及び(b)では、一部の構成要素を省略している。   FIG. 2A is a plan view schematically showing an organic EL display device according to a comparative example. FIG. 2B is a cross-sectional view of the organic EL display device shown in FIG. 2A and 2B, some components are omitted.

図2(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1では、電極配線13は、層間絶縁膜12上に設けられている。そのため、図2(b)に示すように、電極配線13が層間絶縁膜12上に形成する凸構造により、有機物層17の下地表面は、電極配線13の近傍でより高くなることがある。この場合、図2(b)に示すように、有機物層17の厚さが不均一となり易い。   In the organic EL display device 1 shown in FIGS. 2A and 2B, the electrode wiring 13 is provided on the interlayer insulating film 12. Therefore, as shown in FIG. 2B, the underlying surface of the organic layer 17 may be higher in the vicinity of the electrode wiring 13 due to the convex structure formed by the electrode wiring 13 on the interlayer insulating film 12. In this case, as shown in FIG. 2B, the thickness of the organic layer 17 tends to be non-uniform.

これに対し、図1(a)及び(b)に示すように、電極配線13と層間絶縁膜12とを同一の下地上に設けると、有機物層17の下地表面が電極配線13の近傍でより高くなるのを抑制することができる。つまり、基板と垂直な各断面で画素を切ったときに、親水性絶縁膜16aの貫通孔への露出する部分の大きさが有機層に対して対称となる。そのため、図1(b)に示すように、有機物層17の厚さをより均一にすることができる。したがって、画素内で均一に発光させること、及び、発光寿命を向上させることが可能となる。   On the other hand, as shown in FIGS. 1A and 1B, when the electrode wiring 13 and the interlayer insulating film 12 are provided on the same ground, the underlying surface of the organic layer 17 is closer to the vicinity of the electrode wiring 13. It can suppress becoming high. That is, when a pixel is cut in each cross section perpendicular to the substrate, the size of the exposed portion of the hydrophilic insulating film 16a to the through hole is symmetric with respect to the organic layer. Therefore, as shown in FIG.1 (b), the thickness of the organic substance layer 17 can be made more uniform. Therefore, it is possible to emit light uniformly within the pixel and to improve the light emission lifetime.

本態様において、電極配線13と層間絶縁膜12とは、互いから離間させてもよい。図1(a)及び(b)に示すように電極配線13の近傍以外で第1電極15の端縁が貫通孔52の側壁と貫通孔53の側壁との間に位置している場合、第1電極15によって親水性絶縁膜16aの表面に生じた凸部と撥水性絶縁膜16bに設けられた貫通孔53の側壁とは、一部で開いた環状の溝を形成する。図1(b)に示すように電極配線13と層間絶縁膜12とを互いから離間させると、電極配線13と層間絶縁膜12との間に凹部が生じ、この凹部は親水性絶縁膜16aの表面にも凹部を生じさせ得る。そのため、この凹部と一部で開いた環状の溝とにより、貫通孔52,53間に略環状の凹部を生じさせることができる。したがって、有機物層17の下地表面の形状を電極配線13の近傍とそれ以外の位置とでほぼ等しくすることができ、有機物層17の膜厚均一性をさらに高めることができる。   In this embodiment, the electrode wiring 13 and the interlayer insulating film 12 may be separated from each other. As shown in FIGS. 1A and 1B, when the edge of the first electrode 15 is located between the side wall of the through hole 52 and the side wall of the through hole 53 except in the vicinity of the electrode wiring 13, A convex portion generated on the surface of the hydrophilic insulating film 16a by the one electrode 15 and a side wall of the through hole 53 provided in the water repellent insulating film 16b form an annular groove partially opened. As shown in FIG. 1B, when the electrode wiring 13 and the interlayer insulating film 12 are separated from each other, a recess is formed between the electrode wiring 13 and the interlayer insulating film 12, and this recess is formed in the hydrophilic insulating film 16a. Recesses can also be created on the surface. For this reason, a substantially annular recess can be formed between the through holes 52 and 53 by the recess and the annular groove partially opened. Therefore, the shape of the underlying surface of the organic layer 17 can be made substantially equal between the vicinity of the electrode wiring 13 and other positions, and the film thickness uniformity of the organic layer 17 can be further improved.

第1の態様において、層間絶縁膜12の厚さと電極配線13の厚さとは、互いに異なっていてもよいが、ほぼ等しいことが好ましい。例えば、電極配線13の厚さと層間絶縁膜12の厚さとの差が、層間絶縁膜12の厚さの−10%乃至+10%の範囲内にあることが好ましい。この場合、先の効果がより顕著に得られる。   In the first embodiment, the thickness of the interlayer insulating film 12 and the thickness of the electrode wiring 13 may be different from each other, but are preferably substantially equal. For example, the difference between the thickness of the electrode wiring 13 and the thickness of the interlayer insulating film 12 is preferably in the range of −10% to + 10% of the thickness of the interlayer insulating film 12. In this case, the previous effect can be obtained more remarkably.

また、親水性絶縁膜の貫通孔への露出部分の大きさは各画素内で均一であることが望ましいが、つまり同一幅の環状形状で露出されることが望ましいが、少なくとも、基板と垂直な断面で切ったときに、第1電極を介して左右対称となっていればよい。   Further, the size of the exposed portion of the hydrophilic insulating film to the through hole is desirably uniform within each pixel, that is, it is desirably exposed in an annular shape having the same width, but at least perpendicular to the substrate. What is necessary is just to be left-right symmetric via the 1st electrode, when cut in a cross section.

次に、本発明の第2の態様について説明する。
図3(a)は、本発明の第2の態様に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図である。また、図3(b)は、図3(a)に示す有機EL表示装置のC−C線に沿った断面図である。なお、図3(a)及び(b)では、一部の構成要素を省略している。
Next, the second aspect of the present invention will be described.
FIG. 3A is a plan view schematically showing an organic EL display device according to the second aspect of the present invention. FIG. 3B is a cross-sectional view of the organic EL display device shown in FIG. In FIGS. 3A and 3B, some components are omitted.

図3(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1では、電極配線13を層間絶縁膜12上に設けてるとともに、電極配線13の側壁の基板11側端部と貫通孔53の側壁の基板11側端部との間の基板面に平行な方向の最短距離Lを所定値以上に設定している。本態様に係る有機EL表示装置1は、このような構成を採用したこと以外は第1の態様に係る有機EL表示装置1と同様の構造を有している。すなわち、本態様に係る有機EL表示装置1は、所定値以上に設定したこと以外は図2(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1と同様の構造を有している。   In the organic EL display device 1 shown in FIGS. 3A and 3B, the electrode wiring 13 is provided on the interlayer insulating film 12, and the side walls of the electrode wiring 13 on the substrate 11 side and the side walls of the through holes 53 are provided. The shortest distance L in the direction parallel to the substrate surface between the end portion on the substrate 11 side is set to a predetermined value or more. The organic EL display device 1 according to the present embodiment has the same structure as the organic EL display device 1 according to the first embodiment except that such a configuration is adopted. That is, the organic EL display device 1 according to this aspect has the same structure as the organic EL display device 1 shown in FIGS. 2A and 2B except that the organic EL display device 1 is set to a predetermined value or more.

図2(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1では、電極配線13が層間絶縁膜12上に形成する凸構造により、有機物層17の下地表面は、電極配線13の近傍でより高くなっている。これは、距離Lが短いために生じたものと考えられる。   In the organic EL display device 1 shown in FIGS. 2A and 2B, the underlying surface of the organic layer 17 is higher in the vicinity of the electrode wiring 13 due to the convex structure formed by the electrode wiring 13 on the interlayer insulating film 12. It has become. This is considered to have occurred because the distance L is short.

これに対し、本態様では、図3(a)及び(b)に示すように、有機物層17の下地表面が電極配線13の近傍でより高くなるのを抑制するのに十分な程度に距離Lを長くする。そのため、図1(a)及び(b)に示す構造を採用しなくとも、第1の態様で説明したのと同様の効果を得ることができる。   In contrast, in this embodiment, as shown in FIGS. 3A and 3B, the distance L is sufficient to suppress the underlying surface of the organic layer 17 from becoming higher near the electrode wiring 13. Lengthen. Therefore, even if the structure shown in FIGS. 1A and 1B is not adopted, the same effect as described in the first aspect can be obtained.

有機物層17の下地表面が電極配線13の近傍でより高くなるのを抑制可能とする距離Lの最小値は、電極配線13の厚さに加え、パッシベーション膜14、第1電極15、及び親水性絶縁膜16aの厚さなどにもよるが、通常、5μm程度である。   The minimum value of the distance L that can suppress the underlying surface of the organic material layer 17 from becoming higher in the vicinity of the electrode wiring 13 is in addition to the thickness of the electrode wiring 13, the passivation film 14, the first electrode 15, and the hydrophilicity. Although it depends on the thickness of the insulating film 16a, it is usually about 5 μm.

また、距離Lの最大値に特に制限はないが、距離Lが長くなると、画素を高密度に配列させることが難しくなる。したがって、通常、距離Lは10μm以下とする。   The maximum value of the distance L is not particularly limited, but as the distance L increases, it becomes difficult to arrange pixels at high density. Therefore, the distance L is usually 10 μm or less.

次に、本発明の第3の態様について説明する。
図4(a)は、本発明の第3の態様に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図である。また、図4(b)は、図4(a)に示す有機EL表示装置のD−D線に沿った断面図である。なお、図4(a)及び(b)では、一部の構成要素を省略している。
Next, a third aspect of the present invention will be described.
FIG. 4A is a plan view schematically showing an organic EL display device according to the third aspect of the present invention. FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line DD of the organic EL display device shown in FIG. In FIGS. 4A and 4B, some components are omitted.

図4(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1では、層間絶縁膜12とパッシベーション膜14との間にダミー配線23が介在している。ダミー配線23は電極配線13とともに、基板面に垂直な方向から観察した場合に略点対称形状,ここでは環状,を有する凸部を層間絶縁膜12上に形成している。本態様に係る有機EL表示装置1は、このような構成を採用したこと以外は図2(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1と同様の構造を有している。   In the organic EL display device 1 shown in FIGS. 4A and 4B, the dummy wiring 23 is interposed between the interlayer insulating film 12 and the passivation film 14. The dummy wiring 23 and the electrode wiring 13 are formed on the interlayer insulating film 12 with a convex portion having a substantially point-symmetrical shape, here, a ring shape when observed from a direction perpendicular to the substrate surface. The organic EL display device 1 according to this aspect has the same structure as the organic EL display device 1 shown in FIGS. 2A and 2B except that such a configuration is adopted.

上記のダミー配線23を設けると、有機物層17の下地表面の形状は、第1電極15の中心またはその近傍を対称中心として概略点対称となる。そのため、発光層17aやバッファ層17bの厚さが不均一になるのを抑制することができる。したがって、本態様でも、第1の態様で説明したのと同様の効果を得ることができる。   When the dummy wiring 23 is provided, the shape of the underlying surface of the organic layer 17 is substantially point-symmetric with the center of the first electrode 15 or the vicinity thereof as the center of symmetry. Therefore, it is possible to prevent the thickness of the light emitting layer 17a and the buffer layer 17b from becoming uneven. Therefore, in this aspect, the same effect as described in the first aspect can be obtained.

本態様において、ダミー配線23は、導電性であってもよく、或いは、絶縁性であってもよい。ダミー配線23が導電性である場合、電極配線13とダミー配線23とを同一のプロセスで形成することができる。
本態様において、ダミー配線23は、図3(a)に示すように略環状であってもよい。或いは、ダミー配線23は、貫通孔52を挟んで電極配線13と対向する位置のみに設けてもよい。
In this embodiment, the dummy wiring 23 may be conductive or insulating. When the dummy wiring 23 is conductive, the electrode wiring 13 and the dummy wiring 23 can be formed by the same process.
In this embodiment, the dummy wiring 23 may be substantially annular as shown in FIG. Alternatively, the dummy wiring 23 may be provided only at a position facing the electrode wiring 13 with the through hole 52 interposed therebetween.

本態様において、ダミー配線23は、複数の部分へと分割されていてもよい。また、ダミー配線23の幅は一定である必要はない。   In this aspect, the dummy wiring 23 may be divided into a plurality of portions. Further, the width of the dummy wiring 23 does not have to be constant.

本態様において、ダミー配線23は、電極配線13と接触していてもよく、或いは、接触していなくてもよい。ダミー配線23が導電性であり且つ電極配線13と接触している場合、例えば、貫通孔51を電極配線13の上部だけでなくダミー配線23の上部にも設けるか、或いは、貫通孔51を電極配線13とダミー配線23とに対応して環状に設けてもよい。この場合、電極配線13及びダミー配線23の双方を覆うように第1電極15を形成すれば、ダミー配線23を、第1電極15に駆動電流を供給するための導電パスの一部として利用可能となる。   In this aspect, the dummy wiring 23 may be in contact with the electrode wiring 13 or may not be in contact. When the dummy wiring 23 is conductive and is in contact with the electrode wiring 13, for example, the through hole 51 is provided not only on the electrode wiring 13 but also on the dummy wiring 23, or the through hole 51 is formed on the electrode. It may be provided in an annular shape corresponding to the wiring 13 and the dummy wiring 23. In this case, if the first electrode 15 is formed so as to cover both the electrode wiring 13 and the dummy wiring 23, the dummy wiring 23 can be used as a part of a conductive path for supplying a driving current to the first electrode 15. It becomes.

本態様において、電極配線13の厚さとダミー配線23の厚さは、互いに異なっていてもよいが、ほぼ等しいことが好ましい。例えば、電極配線13の厚さとダミー配線23の厚さとの差が、電極配線13の厚さの−10%乃至+10%の範囲内にあることが好ましい。この場合、先の効果がより顕著に得られる。   In this embodiment, the thickness of the electrode wiring 13 and the thickness of the dummy wiring 23 may be different from each other, but are preferably substantially equal. For example, the difference between the thickness of the electrode wiring 13 and the thickness of the dummy wiring 23 is preferably in the range of −10% to + 10% of the thickness of the electrode wiring 13. In this case, the previous effect can be obtained more remarkably.

次に、第1乃至第3の態様に係る有機EL表示装置1の主要な構成要素に使用可能な材料などについて説明する。
基板11としては、その上に形成される構造を保持可能なできるものであれば、どのようなものを用いてもよい。基板11としては、ガラス基板のように硬質な基板が一般的であるが、有機EL表示装置1の用途によっては、プラスチックシートなどのようにフレキシブルな基板を使用してもよい。
Next, materials that can be used for main components of the organic EL display device 1 according to the first to third aspects will be described.
Any substrate 11 may be used as long as it can hold the structure formed thereon. The substrate 11 is generally a hard substrate such as a glass substrate. However, depending on the application of the organic EL display device 1, a flexible substrate such as a plastic sheet may be used.

層間絶縁膜12の材料としては、例えばシリコン酸化物などの透明な無機絶縁体を使用することができる。この層間絶縁膜12の膜厚は、通常、500nm乃至700nm程度である。   As a material of the interlayer insulating film 12, a transparent inorganic insulator such as silicon oxide can be used. The film thickness of the interlayer insulating film 12 is usually about 500 nm to 700 nm.

電極配線13の材料としては、例えば、アルミニウムなどの金属または合金を使用することができる。この電極配線13の膜厚は、通常、500nm乃至700nm程度である。   As a material of the electrode wiring 13, for example, a metal such as aluminum or an alloy can be used. The thickness of the electrode wiring 13 is usually about 500 nm to 700 nm.

パッシベーション膜14の材料としては、例えばシリコン窒化物などの透明な無機絶縁体を使用することができる。このパッシベーション膜14の膜厚は、通常、400nm乃至500nm程度である。   As a material for the passivation film 14, for example, a transparent inorganic insulator such as silicon nitride can be used. The thickness of the passivation film 14 is usually about 400 nm to 500 nm.

第1電極15は、例えば、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料としては、ITO(インジウム・スズ酸化物)等の透明導電材料を使用することができる。透明電極の膜厚は、通常、10nm乃至150nm程度である。透明電極は、例えば、ITO等の透明導電材料を蒸着法やスパッタリング等により堆積し、それにより得られる薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得ることができる。   The first electrode 15 is, for example, a transparent electrode having optical transparency. As a material for the transparent electrode, a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide) can be used. The film thickness of the transparent electrode is usually about 10 nm to 150 nm. The transparent electrode can be obtained, for example, by depositing a transparent conductive material such as ITO by vapor deposition or sputtering, and patterning a thin film obtained thereby by using a photolithography technique.

親水性絶縁膜16aの材料としては、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物のような無機絶縁材料を使用することができる。これら無機絶縁材料からなる親水性絶縁膜16aは比較的高い親水性を示す。   As a material of the hydrophilic insulating film 16a, for example, an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide can be used. The hydrophilic insulating film 16a made of these inorganic insulating materials exhibits relatively high hydrophilicity.

撥水性絶縁膜16bの材料としては、例えば、ポリイミドなどの有機絶縁材料を使用することができる。撥水性絶縁膜16bに使用可能な有機絶縁材料に特に制限はないが、感光性樹脂を使用した場合、貫通孔が設けられた絶縁層26bを容易に形成可能である。例えば、絶縁層16bは、感光性樹脂を基板11の陽極25などが形成された面にスピンコート法などにより塗布し、それにより得られた塗膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得られる。   As a material of the water repellent insulating film 16b, for example, an organic insulating material such as polyimide can be used. There is no particular limitation on the organic insulating material that can be used for the water repellent insulating film 16b, but when a photosensitive resin is used, the insulating layer 26b provided with a through hole can be easily formed. For example, the insulating layer 16b is obtained by applying a photosensitive resin to the surface of the substrate 11 on which the anode 25 or the like is formed by a spin coating method or the like, and patterning the resulting coating film using a photolithography technique. It is done.

隔壁絶縁層16の膜厚は、有機物層17の膜厚以上であることが望ましく、通常、0.09μm乃至0.13μm程度である。また、親水性絶縁膜16aの膜厚は、通常、0.05乃至0.1μm程度である。なお、バッファ層17bや発光層17aを形成する際には、インクジェット法による溶液塗布時の位置精度向上のため、絶縁層26bの表面を予めCF4・O2などのプラズマガスで撥水処理しておくことが望ましい。 The film thickness of the partition insulating layer 16 is preferably equal to or greater than the film thickness of the organic material layer 17 and is usually about 0.09 μm to 0.13 μm. The film thickness of the hydrophilic insulating film 16a is usually about 0.05 to 0.1 μm. When forming the buffer layer 17b and the light emitting layer 17a, the surface of the insulating layer 26b is subjected to a water repellent treatment with a plasma gas such as CF 4 .O 2 in advance in order to improve the positional accuracy during solution application by the ink jet method. It is desirable to keep it.

バッファ層17bの材料としては、例えば、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を使用することができる。ドナー性の高分子有機化合物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(以下、PEDOTという)のようなポリチオフェン誘導体及び/またはポリアニリンのようなポリアニリン誘導体などを使用することができる。また、アクセプタ性の有機化合物としては、例えば、ポリスチレンスルホン酸(以下、PSSという)などを使用することができる。   As a material of the buffer layer 17b, for example, a mixture of a donor high molecular organic compound and an acceptor high molecular organic compound can be used. As the donor high molecular organic compound, for example, a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene (hereinafter referred to as PEDOT) and / or a polyaniline derivative such as polyaniline can be used. As the acceptor organic compound, for example, polystyrene sulfonic acid (hereinafter referred to as PSS) can be used.

バッファ層17bは、隔壁絶縁層16が形成する液溜めを、溶液塗布法により、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を有機溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。バッファ層17bを形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、ディッピング、インクジェット、及びスピンコート法などを挙げることができるが、なかでも、インクジェット法を利用することが好ましい。また、上記液膜の乾燥は、熱及び/または減圧のもとで行ってもよく、或いは、自然乾燥により行ってもよい。   The buffer layer 17b is a solution obtained by dissolving a liquid reservoir formed by the partition insulating layer 16 by dissolving a mixture of a donor polymer organic compound and an acceptor polymer organic compound in an organic solvent by a solution coating method. It is obtained by filling and drying the liquid film in the liquid reservoir to remove the solvent from the liquid film. Examples of the solution coating method that can be used to form the buffer layer 17b include dipping, ink jetting, and spin coating, among which the ink jet method is preferably used. Further, the liquid film may be dried under heat and / or reduced pressure, or may be naturally dried.

発光層17aの材料としては、有機EL表示装置で一般に使用されているルミネセンス性有機化合物を用いることができる。そのような有機化合物のうち赤色のルミネセンスを発するものとしては、例えば、ポリビニレンスチレン誘導体のベンゼン環にアルキルまたはアルコキシ置換基を有する高分子化合物や、ポリビニレンスチレン誘導体のビニレン基にシアノ基を有する高分子化合物などを挙げることができる。緑色のルミネセンスを発する有機化合物としては、例えば、アルキルまたはアルコキシまたはアリール誘導体置換基をベンゼン環に導入したポリビニレンスチレン誘導体などを挙げることができる。青色のルミネセンスを発する有機化合物としては、例えば、ジアルキルフルオレンとアントラセンの共重合体のようなポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。また、発光層28には、これらの高分子のルミネセンス性有機化合物に低分子のルミネセンス性有機化合物などをさらに添加してもよい。   As a material of the light emitting layer 17a, a luminescent organic compound generally used in an organic EL display device can be used. Among such organic compounds, those that emit red luminescence include, for example, polymer compounds having an alkyl or alkoxy substituent on the benzene ring of a polyvinylene styrene derivative, and cyano groups on the vinylene group of a polyvinylene styrene derivative. And the like. Examples of the organic compound that emits green luminescence include a polyvinylene styrene derivative in which an alkyl, alkoxy, or aryl derivative substituent is introduced into a benzene ring. Examples of the organic compound that emits blue luminescence include polyfluorene derivatives such as a copolymer of dialkylfluorene and anthracene. In addition, the light emitting layer 28 may be further added with a low molecular luminescent organic compound or the like to these high molecular luminescent organic compounds.

発光層17aは、上記の通り、隔壁絶縁層16が形成する液溜めを、溶液塗布法により、ルミネセンス性有機化合物を溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。発光層17aを形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、ディッピング、インクジェット、及びスピンコート法などを挙げることができるが、なかでも、インクジェット法を利用することが好ましい。また、上記液膜の乾燥は、熱及び/または減圧のもとで行ってもよく、或いは、自然乾燥により行ってもよい。   As described above, the light emitting layer 17a fills the liquid reservoir formed by the partition insulating layer 16 with a solution obtained by dissolving a luminescent organic compound in a solvent by a solution coating method, and dries the liquid film in the liquid reservoir. Thus, the solvent is removed from the liquid film. Examples of the solution coating method that can be used to form the light emitting layer 17a include dipping, ink jetting, and spin coating, among which the ink jet method is preferably used. Further, the liquid film may be dried under heat and / or reduced pressure, or may be naturally dried.

発光層17aの膜厚は、使用する材料に応じて適宜設定する。通常、発光層17a全体の膜厚は50nm乃至200nmの範囲内である。   The thickness of the light emitting layer 17a is appropriately set according to the material used. Usually, the film thickness of the entire light emitting layer 17a is in the range of 50 nm to 200 nm.

陰極18は、単層構造を有していてもよく、或いは、多層構造を有していてもよい。陰極18を多層構造とする場合、例えば、有機物層17上にバリウムやカルシウムなどを含有した主導体層と銀やアルミニウムなどを含有した保護導体層とを順次積層してなる二層構造としてもよい。また、有機物層17上にフッ化バリウムなどを含有した非導体層と銀やアルミニウムなどを含有した導体層とを順次積層してなる二層構造としてもよい。さらに、有機物層17上にフッ化バリウムなどを含有した非導体層とバリウムやカルシウムなどを含有した主導体層と銀やアルミニウムなどを含有した保護導体層とを順次積層してなる三層構造としてもよい。   The cathode 18 may have a single layer structure or may have a multilayer structure. When the cathode 18 has a multilayer structure, for example, a two-layer structure in which a main conductor layer containing barium or calcium and a protective conductor layer containing silver or aluminum are sequentially laminated on the organic material layer 17 may be used. . Alternatively, a two-layer structure in which a non-conductor layer containing barium fluoride or the like and a conductor layer containing silver or aluminum or the like are sequentially stacked on the organic layer 17 may be used. Further, a three-layer structure in which a non-conductor layer containing barium fluoride or the like, a main conductor layer containing barium or calcium, and a protective conductor layer containing silver or aluminum are sequentially laminated on the organic material layer 17. Also good.

以下、本発明の実施例について説明する。
(実施例1)
本例では、図1(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1を以下の方法により作製した。なお、ここでは、表示領域の寸法は対角6インチとし、精細度は150ppi(pixel per inch)とした。
Examples of the present invention will be described below.
(Example 1)
In this example, the organic EL display device 1 shown in FIGS. 1A and 1B was manufactured by the following method. Here, the size of the display area is 6 inches diagonal, and the definition is 150 ppi (pixel per inch).

まず、ガラス基板11のアンダーコート層(図示せず)が形成された面に対し、通常のTFT形成プロセスと同様に成膜とパターニングとを繰り返し、ポリシリコンTFT(図示せず)及びシリコン酸化物からなる層間絶縁膜12を順次形成した。次に、層間絶縁膜12をパターニングして溝状の開口部を形成し、この開口部内にMo/Al/Moの三層構造を有する電極配線13を形成した。この電極配線13の一端は、TFTのソース・ドレインに接続した。また、電極配線13と層間絶縁膜12とは、それらの間に凹部50が形成されるように互いから離間して配置した。   First, film formation and patterning are repeated on the surface of the glass substrate 11 on which an undercoat layer (not shown) is formed, in the same manner as in a normal TFT forming process, so that polysilicon TFT (not shown) and silicon oxide are formed. The interlayer insulating film 12 made of was sequentially formed. Next, the interlayer insulating film 12 was patterned to form a groove-shaped opening, and an electrode wiring 13 having a three-layer structure of Mo / Al / Mo was formed in the opening. One end of the electrode wiring 13 was connected to the source / drain of the TFT. In addition, the electrode wiring 13 and the interlayer insulating film 12 were disposed apart from each other so that a recess 50 was formed between them.

次いで、基板11の電極配線13及び層間絶縁膜12を形成した面に、シリコン窒化物からなるパッシベーション膜14を成膜した。このパッシベーション膜14には、電極配線13の位置に貫通孔51を設けた。   Next, a passivation film 14 made of silicon nitride was formed on the surface of the substrate 11 on which the electrode wiring 13 and the interlayer insulating film 12 were formed. In the passivation film 14, a through hole 51 was provided at the position of the electrode wiring 13.

その後、パッシベーション膜24上に、スパッタリング法を用いてITO膜を形成した。続いて、このITO膜を、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより第1電極(陽極)15を得た。なお、第1電極15は、マスクスパッタリング法により形成してもよい。   Thereafter, an ITO film was formed on the passivation film 24 by sputtering. Subsequently, the ITO film was patterned using a photolithography technique to obtain a first electrode (anode) 15. The first electrode 15 may be formed by a mask sputtering method.

次いで、基板11の第1電極15を形成した面に、各画素の発光部に対応して貫通孔52を有する親水性の無機絶縁膜16aを形成した。ここでは、電極配線13の側壁の基板11側端部と貫通孔53の側壁の基板11側端部との間の基板面に平行な方向の最短距離Lは600nmとした。続いて、基板11の第1電極15を形成した面に、感光性樹脂を塗布し、得られた塗膜をパターン露光及び現像することにより、各画素の発光部に対応して貫通孔53を有する撥水性の有機絶縁膜16bを形成した。   Next, a hydrophilic inorganic insulating film 16a having a through hole 52 corresponding to the light emitting portion of each pixel was formed on the surface of the substrate 11 on which the first electrode 15 was formed. Here, the shortest distance L in the direction parallel to the substrate surface between the end portion on the substrate 11 side of the side wall of the electrode wiring 13 and the end portion on the substrate 11 side of the side wall of the through hole 53 is 600 nm. Subsequently, a photosensitive resin is applied to the surface of the substrate 11 on which the first electrode 15 is formed, and the obtained coating film is subjected to pattern exposure and development, so that the through holes 53 are formed corresponding to the light emitting portions of the respective pixels. A water-repellent organic insulating film 16b was formed.

以上のようにして、絶縁膜16aと絶縁膜16bとを積層してなる隔壁絶縁層16を得た。なお、隔壁絶縁層16を形成した基板11にはCF4/O2プラズマガスを用いた表面処理を施し、絶縁膜16bの表面をフッ素化した。 As described above, the partition insulating layer 16 formed by laminating the insulating film 16a and the insulating film 16b was obtained. Note that the substrate 11 on which the partition insulating layer 16 was formed was subjected to a surface treatment using CF 4 / O 2 plasma gas to fluorinate the surface of the insulating film 16b.

次に、隔壁絶縁層16が形成するそれぞれの液溜めに、インクジェット法によりバッファ層形成用インクを吐出して液膜を形成した。ここでは、バッファ層形成用インクとして、PEDOTと有機溶剤とを含有した溶液を使用した。続いて、これら液膜を加熱して有機溶剤を除去することによりバッファ層17bを得た。   Next, a liquid film was formed by discharging the ink for forming the buffer layer into each liquid reservoir formed by the partition insulating layer 16 by an ink jet method. Here, as the buffer layer forming ink, a solution containing PEDOT and an organic solvent was used. Then, the buffer layer 17b was obtained by heating these liquid films and removing the organic solvent.

その後、バッファ層17b上に、それぞれ、発光層形成用インクをインクジェット法により吐出して液膜を形成した。ここでは、発光層形成用インクとして、赤色のルミネセンスを発する有機化合物と有機溶剤とを含有した溶液を使用した。続いて、これら液膜を加熱して有機溶剤を除去することにより発光層17aを得た。   Thereafter, a liquid film was formed on the buffer layer 17b by ejecting the light emitting layer forming ink by the ink jet method. Here, a solution containing an organic compound emitting red luminescence and an organic solvent was used as the light emitting layer forming ink. Then, the light emitting layer 17a was obtained by heating these liquid films and removing the organic solvent.

次いで、基板11の発光層17aを形成した面にバリウムを真空蒸着し、続いてアルミニウムを蒸着することにより陰極18を形成した。以上のようにして、図1(a)及び(b)に示す構造を得た。   Next, the cathode 18 was formed by vacuum-depositing barium on the surface of the substrate 11 on which the light-emitting layer 17a was formed, and subsequently evaporating aluminum. As described above, the structure shown in FIGS. 1A and 1B was obtained.

その後、別途用意したガラス基板(図示せず)の一方の主面の周縁部に紫外線硬化型樹脂を塗布してシール層(図示せず)を形成した。次いで、図1(a)及び(b)に示す構造とシール層を形成したガラス基板とを、基板間にシール層が介在するように不活性ガス中で貼り合せた。さらに、紫外線照射によりしてシール層を硬化させた。さらに、外部接続端子を実装することにより、有機EL表示装置1を完成した。   Thereafter, an ultraviolet curable resin was applied to a peripheral portion of one main surface of a separately prepared glass substrate (not shown) to form a seal layer (not shown). Next, the structure shown in FIGS. 1A and 1B and the glass substrate on which the sealing layer was formed were bonded in an inert gas so that the sealing layer was interposed between the substrates. Further, the seal layer was cured by ultraviolet irradiation. Furthermore, the organic EL display device 1 was completed by mounting external connection terminals.

次に、この有機EL表示装置1の表示特性,特には点欠陥(滅点欠陥),を評価した。その結果、点欠陥は発生しておらず、表示特性に優れていることが確認された。   Next, the display characteristics of the organic EL display device 1, in particular, point defects (dark spot defects) were evaluated. As a result, it was confirmed that no point defect occurred and the display characteristics were excellent.

(比較例)
本例では、まず、図2(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1を実施例1で説明したのと同様の方法により作製した。なお、本例で作製した有機EL表示装置1と実施例1で作製した有機EL表示装置1とでは、各種薄膜の膜厚・寸法や距離Lなどは同一である。
(Comparative example)
In this example, first, the organic EL display device 1 shown in FIGS. 2A and 2B was manufactured by the same method as described in Example 1. The organic EL display device 1 manufactured in this example and the organic EL display device 1 manufactured in Example 1 have the same film thickness, dimensions, distance L, and the like of various thin films.

次に、この有機EL表示装置1の表示特性,特には点欠陥(滅点欠陥),を評価した。その結果、点欠陥が発生しており、実施例1に係る有機EL表示装置1に比べて表示特性に劣っていることが確認された。   Next, the display characteristics of the organic EL display device 1, in particular, point defects (dark spot defects) were evaluated. As a result, point defects were generated, and it was confirmed that the display characteristics were inferior to those of the organic EL display device 1 according to Example 1.

(実施例2)
本例では、まず、図1(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1を、バッファ層17b及び発光層17aを以下の方法により形成したこと以外は実施例1で説明したのと同様の方法により作製した。すなわち、本例では、第1電極15上に、TPD(N,N’−ビフェニル−N,N’−ビスメチル−ビフェニルジアミン)とAlq3(トリスヒドロキシキノンアルミニウム)とを連続蒸着することによりバッファ層17b及び発光層17aを形成した。
(Example 2)
In this example, first, the organic EL display device 1 shown in FIGS. 1A and 1B is the same as that described in Example 1 except that the buffer layer 17b and the light emitting layer 17a are formed by the following method. It was produced by the method. That is, in this example, a buffer layer is formed by continuously depositing TPD (N, N′-biphenyl-N, N′-bismethyl-biphenyldiamine) and Alq 3 (trishydroxyquinone aluminum) on the first electrode 15. 17b and the light emitting layer 17a were formed.

次に、この有機EL表示装置1の表示特性,特には点欠陥(滅点欠陥),を評価した。その結果、点欠陥は発生しておらず、表示特性に優れていることが確認された。   Next, the display characteristics of the organic EL display device 1, in particular, point defects (dark spot defects) were evaluated. As a result, it was confirmed that no point defect occurred and the display characteristics were excellent.

(実施例3)
本例では、まず、図3(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1を実施例1で説明したのと同様の方法により作製した。なお、本例で作製した有機EL表示装置1と実施例1で作製した有機EL表示装置1とでは、距離Lを5μm以上としたこと以外は各種薄膜の膜厚・寸法などは同一である。
(Example 3)
In this example, first, the organic EL display device 1 shown in FIGS. 3A and 3B was manufactured by the same method as described in Example 1. The organic EL display device 1 manufactured in this example and the organic EL display device 1 manufactured in Example 1 have the same film thickness, dimensions, and the like of various thin films except that the distance L is set to 5 μm or more.

次に、この有機EL表示装置1の表示特性,特には点欠陥(滅点欠陥),を評価した。その結果、点欠陥は発生しておらず、表示特性に優れていることが確認された。   Next, the display characteristics of the organic EL display device 1, in particular, point defects (dark spot defects) were evaluated. As a result, it was confirmed that no point defect occurred and the display characteristics were excellent.

(実施例4)
本例では、まず、図4(a)及び(b)に示す有機EL表示装置1を、ダミー配線23を以下の方法により形成したこと以外は実施例1で説明したのと同様の方法により作製した。すなわち、本例では、電極配線13と同一のプロセスで、ダミー配線23を形成した。
Example 4
In this example, first, the organic EL display device 1 shown in FIGS. 4A and 4B is manufactured by the same method as described in Example 1 except that the dummy wiring 23 is formed by the following method. did. That is, in this example, the dummy wiring 23 is formed by the same process as the electrode wiring 13.

次に、この有機EL表示装置1の表示特性,特には点欠陥(滅点欠陥),を評価した。その結果、点欠陥は発生しておらず、表示特性に優れていることが確認された。   Next, the display characteristics of the organic EL display device 1, in particular, point defects (dark spot defects) were evaluated. As a result, it was confirmed that no point defect occurred and the display characteristics were excellent.

(a)は本発明の第1の態様に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図、(b)は(a)に示す有機EL表示装置のA−A線に沿った断面図。(A) is a top view which shows roughly the organic electroluminescence display which concerns on the 1st aspect of this invention, (b) is sectional drawing along the AA of the organic electroluminescence display shown to (a). (a)は比較例に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図、(b)は(a)に示す有機EL表示装置のB−B線に沿った断面図。(A) is a top view which shows schematically the organic electroluminescence display concerning a comparative example, (b) is sectional drawing along the BB line of the organic electroluminescence display shown in (a). (a)は本発明の第2の態様に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図、(b)は(a)に示す有機EL表示装置のC−C線に沿った断面図。(A) is a top view which shows schematically the organic electroluminescence display which concerns on the 2nd aspect of this invention, (b) is sectional drawing along CC line of the organic electroluminescence display shown to (a). (a)は本発明の第3の態様に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図、(b)は(a)に示す有機EL表示装置のD−D線に沿った断面図。(A) is a top view which shows schematically the organic electroluminescence display which concerns on the 3rd aspect of this invention, (b) is sectional drawing along the DD line | wire of the organic electroluminescence display shown in (a).

符号の説明Explanation of symbols

1…有機EL表示装置、11…基板、12…層間絶縁膜、13…電極配線、14…パッシベーション膜、15…第1電極、16…隔壁絶縁層、16a…親水性絶縁膜、16b…撥水性絶縁膜、17…有機物層、17a…発光層、17b…バッファ層、18…第2電極、20…有機EL素子、23…ダミー配線、50…凹部、51…貫通孔、52…貫通孔、53…貫通孔。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display device, 11 ... Board | substrate, 12 ... Interlayer insulation film, 13 ... Electrode wiring, 14 ... Passivation film, 15 ... 1st electrode, 16 ... Partition insulation layer, 16a ... Hydrophilic insulation film, 16b ... Water repellency Insulating film, 17 ... organic layer, 17a ... light emitting layer, 17b ... buffer layer, 18 ... second electrode, 20 ... organic EL element, 23 ... dummy wiring, 50 ... concave, 51 ... through hole, 52 ... through hole, 53 ... through hole.

Claims (8)

基板と、
前記基板の一方の主面上に設けられた電極配線と、
前記基板の前記主面上に設けられた第1絶縁層と、
前記電極配線及び前記第1絶縁層に対向するとともに前記電極配線に接触した第1電極と、
前記第1電極及び前記第1絶縁層を被覆し且つ前記第1電極の中央に対応した位置に貫通孔を有する第2絶縁層と、
前記第1電極の前記貫通孔内で前記第2絶縁層から露出した部分を被覆し且つ発光層を含んだ有機物層と、
前記有機物層上に設けられた第2電極とを具備し、
前記基板と前記第1電極とに挟まれた領域内で前記電極配線と前記第1絶縁層とは重なり合うことなく並置されていることを特徴とする有機EL表示装置。
A substrate,
Electrode wiring provided on one main surface of the substrate;
A first insulating layer provided on the main surface of the substrate;
A first electrode facing the electrode wiring and the first insulating layer and in contact with the electrode wiring;
A second insulating layer covering the first electrode and the first insulating layer and having a through hole at a position corresponding to the center of the first electrode;
An organic material layer covering a portion exposed from the second insulating layer in the through hole of the first electrode and including a light emitting layer;
A second electrode provided on the organic layer,
An organic EL display device, wherein the electrode wiring and the first insulating layer are juxtaposed without overlapping in a region sandwiched between the substrate and the first electrode.
前記基板と前記第1電極とに挟まれた前記領域内で前記電極配線と前記第1絶縁層とは互いから離間していることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the electrode wiring and the first insulating layer are separated from each other in the region sandwiched between the substrate and the first electrode. 基板と、
前記基板の一方の主面上に設けられた第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に設けられた電極配線と、
前記電極配線及び前記第1絶縁層の前記電極配線から露出した部分に対向するとともに前記電極配線に接触した第1電極と、
前記第1電極及び前記第1絶縁層を被覆し且つ前記第1電極の中央に対応した位置に貫通孔を有する第2絶縁層と、
前記第1電極の前記貫通孔内で前記第2絶縁層から露出した部分を被覆し且つ発光層を含んだ有機物層と、
前記有機物層上に設けられた第2電極とを具備し、
前記電極配線の側壁の前記基板側の端部と前記貫通孔の側壁の前記基板側端部との間の基板面に平行な方向の最短距離は5μm以上であることを特徴とする有機EL表示装置。
A substrate,
A first insulating layer provided on one main surface of the substrate;
An electrode wiring provided on the first insulating layer;
A first electrode opposed to the electrode wiring and a portion exposed from the electrode wiring of the first insulating layer and in contact with the electrode wiring;
A second insulating layer covering the first electrode and the first insulating layer and having a through hole at a position corresponding to the center of the first electrode;
An organic material layer covering a portion exposed from the second insulating layer in the through hole of the first electrode and including a light emitting layer;
A second electrode provided on the organic layer,
The organic EL display characterized in that the shortest distance in the direction parallel to the substrate surface between the end of the electrode wiring on the substrate side and the end of the through hole on the substrate side is 5 μm or more. apparatus.
基板と、
前記基板の一方の主面上に設けられた第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に設けられた電極配線と、
前記第1絶縁層上で前記電極配線に対して並置されたダミー配線と、
前記電極配線と前記ダミー配線と前記第1絶縁層の前記電極配線及び前記ダミー配線から露出した部分に対向するとともに前記電極配線に接触した第1電極と、
前記第1電極及び前記第1絶縁層を被覆し且つ前記第1電極の中央に対応した位置に貫通孔を有する第2絶縁層と、
前記第1電極の前記貫通孔内で前記第2絶縁層から露出した部分を被覆し且つ発光層を含んだ有機物層と、
前記有機物層上に設けられた第2電極とを具備し、
前記第1絶縁層上で前記電極配線と前記ダミー配線との集合体は基板面に垂直な方向から観察した場合に略点対称形状を有する凸部を形成していることを特徴とする有機EL表示装置。
A substrate,
A first insulating layer provided on one main surface of the substrate;
An electrode wiring provided on the first insulating layer;
Dummy wiring juxtaposed with respect to the electrode wiring on the first insulating layer;
A first electrode facing the electrode wiring and facing the electrode wiring, the dummy wiring, the electrode wiring of the first insulating layer, and a portion exposed from the dummy wiring;
A second insulating layer covering the first electrode and the first insulating layer and having a through hole at a position corresponding to the center of the first electrode;
An organic material layer covering a portion exposed from the second insulating layer in the through hole of the first electrode and including a light emitting layer;
A second electrode provided on the organic layer,
An assembly of the electrode wiring and the dummy wiring on the first insulating layer forms a convex portion having a substantially point symmetrical shape when observed from a direction perpendicular to the substrate surface. Display device.
前記電極配線と前記ダミー配線とは同一の材料からなることを特徴とする請求項4に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 4, wherein the electrode wiring and the dummy wiring are made of the same material. 基板と、
前記基板上にマトリクス状に配置された複数の第1電極と、
前記第1電極の一部を露出する第1貫通孔を有する親水性絶縁膜と、
前記親水性絶縁膜上に配置され、前記第1貫通孔よりも径の大きい第2貫通孔を有し、前記第1電極および前記親水性絶縁膜の一部を露出する撥水性絶縁膜と、
前記第1電極に対向配置される第2電極と、
前記第1電極および前記第2電極間に狭持される有機物層とを備え、
前記第2貫通孔での前記親水性絶縁膜の露出部分の大きさが、前記基板と垂直な断面において左右等しいことを特徴とする有機EL表示装置。
A substrate,
A plurality of first electrodes arranged in a matrix on the substrate;
A hydrophilic insulating film having a first through hole exposing a part of the first electrode;
A water repellent insulating film disposed on the hydrophilic insulating film, having a second through-hole having a diameter larger than that of the first through-hole, and exposing a part of the first electrode and the hydrophilic insulating film;
A second electrode disposed opposite to the first electrode;
An organic layer sandwiched between the first electrode and the second electrode,
2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the size of the exposed portion of the hydrophilic insulating film in the second through hole is equal in right and left in a cross section perpendicular to the substrate.
前記親水性絶縁膜の露出部分は、前記基板と垂直な断面において、左右ほぼ等しい高さであることを特徴とする請求項6に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 6, wherein the exposed portion of the hydrophilic insulating film has substantially the same left and right heights in a cross section perpendicular to the substrate. 前記親水性絶縁膜の露出部分は、ほぼ等しい幅の環状形状であることを特徴とする請求項6に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 6, wherein the exposed portion of the hydrophilic insulating film has an annular shape having substantially the same width.
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