JP2005092804A

JP2005092804A - Power supply device and substrate processing apparatus having the same

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Publication number: JP2005092804A
Application number: JP2003329013A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Masuda; 充弘増田; Toshihiro Nakajima; 敏博中島
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-09-19
Filing date: 2003-09-19
Publication date: 2005-04-07

Abstract

【課題】小型化が実現できるとともに信頼性を向上させることができる電源装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】電源本体部２０の底面にヒートシンク２ｂが設けられる。トランジスタ６は、回路基板ＰＣ上に設けられ、ヒートシンク２ｂに密着するように取り付けられている。また、回路基板ＰＣを覆うようにヒートシンク２ｂ上にケーシング２ａが設けられている。電源本体部２０の底面に設けられたヒートシンク２ｂは、板状の水冷プレート３に密着するように配置される。水冷プレート３には、冷却水を循環させるためのステンレス製のパイプ３ａが内蔵されている。水冷プレート３上の一端には、ヒートシンク２ｂを保持するための保持金具４が設けられている。電源本体部２０は、水冷プレート３上に沿って押し込まれることにより保持金具４の傾斜部４ａに当接する。
【選択図】図１
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power supply device capable of realizing miniaturization and improving reliability and a substrate processing apparatus provided with the power supply device.
A heat sink is provided on a bottom surface of a power supply main body. The transistor 6 is provided on the circuit board PC and attached so as to be in close contact with the heat sink 2b. A casing 2a is provided on the heat sink 2b so as to cover the circuit board PC. The heat sink 2 b provided on the bottom surface of the power source main body 20 is disposed so as to be in close contact with the plate-like water-cooled plate 3. The water cooling plate 3 incorporates a stainless steel pipe 3a for circulating the cooling water. At one end on the water cooling plate 3, a holding metal fitting 4 for holding the heat sink 2b is provided. The power source main body 20 abuts on the inclined portion 4 a of the holding metal fitting 4 by being pushed along the water cooling plate 3.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、電力を供給するための電源装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。 The present invention relates to a power supply device for supplying power and a substrate processing apparatus including the power supply device.

従来より、基板の冷却処理を行うクーリングプレートを備えた基板処理装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このクーリングプレートには、基板に対して高均一でかつ高速に冷却処理を施すためにペルチェ素子が用いられている。
特開２０００−８２６５３号公報 2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus including a cooling plate that cools a substrate has been developed (see, for example, Patent Document 1). In this cooling plate, a Peltier element is used in order to perform a cooling process with high uniformity and high speed on the substrate.
JP 2000-82653 A

上記のペルチェ素子を用いた基板の冷却処理を行うためには、低電圧かつ大電流のＤＣ（直流）電源装置が必要となる。そのため、大電流を供給するＤＣ電源装置では、発熱量が大きくなるので、従来のＤＣ電源装置は大型なものであった。それにより、基板の処理を行う基板処理装置内に大型のＤＣ電源装置を収納することができない。その場合、ＤＣ電源装置を基板処理装置の外部に設置する必要がある。それにより、基板処理装置とＤＣ電源装置との配線等が煩雑となる。また、基板処理装置内に大型のＤＣ電源装置を収納するためには、基板処理装置を大型化する必要がある。 In order to perform the substrate cooling process using the Peltier element, a DC (direct current) power supply device having a low voltage and a large current is required. For this reason, in a DC power supply device that supplies a large current, the amount of heat generated is large, so that the conventional DC power supply device is large. As a result, a large DC power supply cannot be accommodated in the substrate processing apparatus for processing the substrate. In that case, it is necessary to install a DC power supply device outside the substrate processing apparatus. As a result, wiring between the substrate processing apparatus and the DC power supply apparatus becomes complicated. Further, in order to accommodate a large DC power supply in the substrate processing apparatus, it is necessary to increase the size of the substrate processing apparatus.

一方、ＤＣ電源装置を冷却するためには、換気をするためのファンが必要となる。そのため、ファンを設置するためのスペースが必要となるとともに、ファンによって粉塵（パーティクル）が舞い上がることを防止するためのパーティクル対策も必要となる。 On the other hand, in order to cool the DC power supply device, a fan for ventilation is required. For this reason, a space for installing a fan is required, and a countermeasure against particles is required to prevent dust (particles) from rising by the fan.

本発明の目的は、小型化が実現できるとともに信頼性を向上させることができる電源装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。 The objective of this invention is providing the power supply device which can implement | achieve size reduction and can improve reliability, and a substrate processing apparatus provided with the same.

第１の発明に係る電源装置は、電力を供給する電源装置であって、電源回路を内蔵する筐体と、第１の平面を有するとともに筐体内の電源回路の少なくとも一部を放熱するように設けられたヒートシンクと、ヒートシンクの第１の平面に密着する第２の平面を有する冷却部材とを備えたものである。 A power supply device according to a first aspect of the present invention is a power supply device that supplies electric power, and has a housing incorporating a power supply circuit, a first plane, and at least partially dissipates heat from the power supply circuit in the housing. A heat sink provided and a cooling member having a second plane that is in close contact with the first plane of the heat sink.

本発明に係る電源装置においては、ヒートシンクの第１の平面と冷却部材の第２の平面とが密着するように設けられている。それにより、冷却部材によりヒートシンクが低温に保たれるので、ヒートシンクによる電源回路の放熱が十分に行われる。 In the power supply device according to the present invention, the first plane of the heat sink and the second plane of the cooling member are provided in close contact with each other. Accordingly, the heat sink is kept at a low temperature by the cooling member, and thus the heat radiation of the power supply circuit by the heat sink is sufficiently performed.

また、ヒートシンクを冷却部材により冷却することにより、ファン等の送風機器が不要となる。それにより、電源装置を小型化することができる。さらに、ファン等の送風機器が不要となるので、粉塵が舞い上がることもない。したがって、信頼性が向上する。 Further, by cooling the heat sink with the cooling member, a blower device such as a fan becomes unnecessary. Thereby, a power supply device can be reduced in size. Furthermore, since a blower device such as a fan becomes unnecessary, dust does not rise. Therefore, reliability is improved.

筐体は、一端部および他端部を有し、ヒートシンクは、一端部および他端部を有する板状部材からなり、ヒートシンクの一端部および他端部は、筐体の一端部および他端部からそれぞれ外方に突出し、ヒートシンクの突出した一端部は、冷却部材の第２の平面に固定された保持部材により保持され、ヒートシンクの突出した他端部は、固定部材により冷却部材の第２の平面に固定されてもよい。 The housing has one end and the other end, the heat sink is composed of a plate-like member having one end and the other end, and the one end and the other end of the heat sink are the one end and the other end of the housing. One end projecting outward from each other, and the projecting one end of the heat sink is held by a holding member fixed to the second plane of the cooling member, and the other projecting end of the heat sink is held by the second member of the cooling member by the fixing member. It may be fixed to a plane.

この場合、ヒートシンクの突出した一端部が冷却部材の第２の平面に固定された保持部材により保持され、ヒートシンクの突出した他端部が固定部材により冷却部材の第２の平面に固定されることにより、ヒートシンクが冷却部材に密着した状態で確実に固定される。それにより、筐体内の電源回路の放熱が効率よく行われる。この場合、固定部材を取り外すことによりヒートシンクを冷却部材から容易に取り外すことができる。したがって、メンテナンスが容易となる。 In this case, the projecting one end of the heat sink is held by the holding member fixed to the second plane of the cooling member, and the projecting other end of the heat sink is fixed to the second plane of the cooling member by the fixing member. Thus, the heat sink is securely fixed in a state of being in close contact with the cooling member. Thereby, heat dissipation of the power supply circuit in the housing is efficiently performed. In this case, the heat sink can be easily detached from the cooling member by removing the fixing member. Therefore, maintenance becomes easy.

保持部材は、ヒートシンクを第２の平面側に押圧するように一端部に当接する傾斜面を有してもよい。 The holding member may have an inclined surface that abuts on one end so as to press the heat sink toward the second plane.

この場合、ヒートシンクが冷却部材の第２の平面側に押圧されるようにヒートシンクの一端部が保持部材の傾斜面に当接する。それにより、ヒートシンクと冷却部材との密着性が向上し、筐体内の電源回路の放熱がより効率よく行われる。 In this case, one end of the heat sink contacts the inclined surface of the holding member so that the heat sink is pressed toward the second plane side of the cooling member. Thereby, the adhesion between the heat sink and the cooling member is improved, and the heat radiation of the power supply circuit in the housing is performed more efficiently.

冷却部材は、冷却水を循環させる冷却水循環路を内蔵する冷却プレートを含んでもよい。 The cooling member may include a cooling plate having a cooling water circulation path for circulating the cooling water.

この場合、冷却プレートに内蔵された冷却水循環路に冷却水が循環することによりヒートシンクを効率よく冷却することができる。 In this case, the heat sink can be efficiently cooled by circulating the cooling water through the cooling water circulation path built in the cooling plate.

第２の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う複数の処理ユニットを含む処理部と、処理部内の複数の処理ユニットの少なくとも一つの処理ユニットに電力を供給する第１の発明に係る電源装置とを備えたものである。 A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention relates to the first aspect of the present invention, which supplies power to a processing unit including a plurality of processing units for processing a substrate and at least one processing unit of the plurality of processing units in the processing unit. And a power supply device.

本発明に係る基板処理装置においては、第１の発明に係る電源装置により処理部内の複数の処理ユニットの少なくとも一つの処理ユニットに電力が供給される。第１の発明に係る電源装置は、小型で信頼性が高いので、基板処理装置を大型化することなく電源装置を基板処理装置内に設けることができる。それにより、電源装置を基板処理装置の外部に設置するためのスペースが不要となる。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, power is supplied to at least one processing unit of the plurality of processing units in the processing section by the power supply device according to the first aspect of the present invention. Since the power supply device according to the first invention is small and highly reliable, the power supply device can be provided in the substrate processing apparatus without increasing the size of the substrate processing apparatus. This eliminates the need for a space for installing the power supply apparatus outside the substrate processing apparatus.

処理部は、基板に熱処理を行う熱処理部を含み、処理ユニットは、基板に熱処理を行う熱処理ユニットを含んでもよい。この場合、第１の発明に係る電源装置は、小型で信頼性が高いので、基板処理装置を大型化することなく熱処理ユニットとともに電源装置を基板処理装置内に設けることができる。 The processing unit may include a thermal processing unit that performs thermal processing on the substrate, and the processing unit may include a thermal processing unit that performs thermal processing on the substrate. In this case, since the power supply apparatus according to the first invention is small and highly reliable, the power supply apparatus can be provided in the substrate processing apparatus together with the heat treatment unit without increasing the size of the substrate processing apparatus.

熱処理ユニットは、基板に加熱処理を行う加熱処理ユニットを含み、加熱処理ユニットは、電源装置の冷却部材の側に配置されてもよい。この場合、加熱処理ユニットにより発生する熱雰囲気が電源回路に浸入することが冷却部材により阻止される。それにより、電源装置の信頼性が向上するとともに、電源装置を加熱処理ユニットの近くに配置することができる。 The heat treatment unit may include a heat treatment unit that performs heat treatment on the substrate, and the heat treatment unit may be disposed on the cooling member side of the power supply device. In this case, the cooling member prevents the thermal atmosphere generated by the heat treatment unit from entering the power supply circuit. Thereby, the reliability of the power supply device is improved, and the power supply device can be disposed near the heat treatment unit.

本発明に係る電源装置によれば、ヒートシンクによる電源回路の放熱を十分に行うことができる。また、ファン等の送風機器が不要となる。それにより、電源装置を小型化することができる。さらに、ファン等の送風機器が不要となるので、粉塵が舞い上がることもない。したがって、信頼性を向上することができる。 According to the power supply device of the present invention, the heat dissipation of the power supply circuit by the heat sink can be sufficiently performed. Further, a blower device such as a fan is not necessary. Thereby, a power supply device can be reduced in size. Furthermore, since a blower device such as a fan becomes unnecessary, dust does not rise. Therefore, reliability can be improved.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は本実施の形態に係る電源装置の縦断面図である。なお、本実施の形態に係る電源装置は、基板に冷却処理を行う後述のクーリングプレートＣＰに電力を供給する。 FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a power supply device according to the present embodiment. Note that the power supply device according to the present embodiment supplies power to a cooling plate CP (to be described later) that performs a cooling process on the substrate.

図１に示すように、電源装置２は、電源本体部２０、水冷プレート３および保持金具４を備える。電源本体部２０は、ケーシング２ａ、ヒートシンク２ｂ、ビス５、トランジスタ６および回路基板ＰＣを含む。回路基板ＰＣには、電源回路が構成されている。トランジスタ６は、電源回路に含まれる制御素子であり、電流が流れることにより発熱する。電源本体部２０の高さは、例えば１５０ｍｍである。 As shown in FIG. 1, the power supply device 2 includes a power supply main body 20, a water cooling plate 3, and a holding metal fitting 4. The power supply main body 20 includes a casing 2a, a heat sink 2b, a screw 5, a transistor 6, and a circuit board PC. A power supply circuit is configured on the circuit board PC. The transistor 6 is a control element included in the power supply circuit, and generates heat when a current flows. The height of the power supply main body 20 is, for example, 150 mm.

電源本体部２０の底面にヒートシンク２ｂが設けられる。発熱素子であるトランジスタ６は、回路基板ＰＣ上に設けられ、ヒートシンク２ｂに密着するように取り付けられている。また、回路基板ＰＣを覆うようにヒートシンク２ｂ上にケーシング２ａが設けられている。ヒートシンク２ｂは、トランジスタ６の放熱を行うものであり、本実施の形態では、板状のアルミニウムにより形成される。 A heat sink 2 b is provided on the bottom surface of the power supply main body 20. The transistor 6 as a heat generating element is provided on the circuit board PC and is attached so as to be in close contact with the heat sink 2b. A casing 2a is provided on the heat sink 2b so as to cover the circuit board PC. The heat sink 2b performs heat dissipation of the transistor 6, and is formed of plate-like aluminum in the present embodiment.

電源本体部２０の底面に設けられたヒートシンク２ｂは、板状の水冷プレート３に密着するように配置される。水冷プレート３には、冷却水を循環させるためのステンレス製のパイプ３ａが内蔵されている。水冷プレート３のパイプ３ａに冷却水が流れることにより水冷プレート３が冷却される。その結果、水冷プレート３に密着しているヒートシンク２ｂが冷却される。 The heat sink 2 b provided on the bottom surface of the power source main body 20 is disposed so as to be in close contact with the plate-like water-cooled plate 3. The water cooling plate 3 incorporates a stainless steel pipe 3a for circulating the cooling water. The cooling water flows through the pipe 3a of the water cooling plate 3 so that the water cooling plate 3 is cooled. As a result, the heat sink 2b in close contact with the water cooling plate 3 is cooled.

水冷プレート３上の一端には、ヒートシンク２ｂを保持するための保持金具４が設けられている。以下、保持金具４が設けられている位置と逆側の位置を作業位置と定義する。 At one end on the water cooling plate 3, a holding metal fitting 4 for holding the heat sink 2b is provided. Hereinafter, a position opposite to the position where the holding metal fitting 4 is provided is defined as a work position.

ここで、電源本体部２０を水冷プレート３上に設置する方法について説明する。 Here, a method of installing the power supply main body 20 on the water cooling plate 3 will be described.

電源本体部２０は、作業位置から水冷プレート３上に沿って作業者により押し込まれることにより保持金具４の傾斜部４ａに当接する。その結果、ヒートシンク２ｂに水冷プレート３に向かう力が作用する。それにより、ヒートシンク２ｂと水冷プレート３との密着性が向上する。この状態で、作業位置側のヒートシンク２ｂの端部が水冷プレート３にビス５によって固定される。これにより、ヒートシンク２ｂが水冷プレート３に確実に固定される。 The power source main body 20 abuts on the inclined portion 4 a of the holding metal fitting 4 by being pushed by the operator along the water cooling plate 3 from the work position. As a result, a force directed to the water cooling plate 3 acts on the heat sink 2b. Thereby, the adhesiveness of the heat sink 2b and the water cooling plate 3 improves. In this state, the end of the heat sink 2b on the working position side is fixed to the water cooling plate 3 with screws 5. Thereby, the heat sink 2b is securely fixed to the water cooling plate 3.

図２は複数の電源装置２が並列的に配置された状態を示す外観斜視図である。 FIG. 2 is an external perspective view showing a state in which a plurality of power supply devices 2 are arranged in parallel.

図２に示すように、水冷プレート３上に複数の電源装置２が隣接するように並列的に配置されている。この場合、後述のクーリングプレートＣＰの個数分の電源装置２が設けられる。 As shown in FIG. 2, a plurality of power supply devices 2 are arranged in parallel on the water cooling plate 3 so as to be adjacent to each other. In this case, as many power supply devices 2 as the number of cooling plates CP described later are provided.

また、水冷プレート３上にクーリングプレートＣＰの動作を制御するローカルコントローラＬＣが一つの電源装置２に隣接するように配置されている。ローカルコントローラＬＣと各電源装置２とは、それぞれケーブルＣによって接続される。 A local controller LC for controlling the operation of the cooling plate CP is arranged on the water cooling plate 3 so as to be adjacent to one power supply device 2. The local controller LC and each power supply device 2 are connected by a cable C, respectively.

なお、ローカルコントローラＬＣの内部には、後述のホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰおよび密着強化剤塗布処理部ＡＨＬに電力を供給するための電源装置（図示せず）が備えられている。 The local controller LC includes a power supply device (not shown) for supplying electric power to a hot plate HP, a heat treatment unit PHP, and an adhesion reinforcing agent application processing unit AHL, which will be described later.

上述のように、本実施の形態に係る電源装置２においては、ヒートシンク２ｂと水冷プレート３とが密着するように設けられている。それにより、水冷プレート３によりヒートシンク２ｂが低温に保たれるので、ヒートシンク２ｂによるトランジスタ６の放熱が十分に行われる。 As described above, in the power supply device 2 according to the present embodiment, the heat sink 2b and the water cooling plate 3 are provided in close contact with each other. Thereby, since the heat sink 2b is kept at a low temperature by the water cooling plate 3, the heat dissipation of the transistor 6 by the heat sink 2b is sufficiently performed.

また、ヒートシンク２ｂを水冷プレート３により冷却することにより、ファン等の送風機器が不要となる。それにより、電源装置２を小型化することができる。さらに、ファン等の送風機器が不要となるので、粉塵が舞い上がることもない。したがって、信頼性が向上する。 Further, by cooling the heat sink 2b with the water cooling plate 3, a blower device such as a fan becomes unnecessary. Thereby, the power supply device 2 can be reduced in size. Furthermore, since a blower device such as a fan becomes unnecessary, dust does not rise. Therefore, reliability is improved.

また、ヒートシンク２ｂの突出した一端部が水冷プレート３に固定された保持金具４により保持され、ヒートシンク２ｂの突出した他端部がビス５により水冷プレート３に固定されることにより、ヒートシンク２ｂが水冷プレート３に密着した状態で確実に固定される。それにより、ケーシング２ａ内の回路基板ＰＣおよびトランジスタ６の放熱が効率よく行われる。この場合、ビス５を取り外すことによりヒートシンク２ｂを水冷プレート３から容易に取り外すことができる。したがって、メンテナンスが容易となる。 In addition, one end portion of the heat sink 2b protruding is held by a holding metal fitting 4 fixed to the water cooling plate 3, and the other end portion of the heat sink 2b protruding is fixed to the water cooling plate 3 by screws 5, so that the heat sink 2b is water cooled. The plate 3 is securely fixed in close contact with the plate 3. Thereby, heat dissipation of the circuit board PC and the transistor 6 in the casing 2a is efficiently performed. In this case, the heat sink 2 b can be easily removed from the water-cooled plate 3 by removing the screws 5. Therefore, maintenance becomes easy.

また、ヒートシンク２ｂが水冷プレート３を押圧するようにヒートシンク２ｂの一端部が保持金具４の傾斜部４ａに当接する。それにより、ヒートシンク２ｂと水冷プレート３との密着性が向上し、ケーシング２ａ内の回路基板ＰＣおよびトランジスタ６の放熱がより効率よく行われる。 Further, one end portion of the heat sink 2 b comes into contact with the inclined portion 4 a of the holding metal fitting 4 so that the heat sink 2 b presses the water cooling plate 3. As a result, the adhesion between the heat sink 2b and the water cooling plate 3 is improved, and the circuit board PC and the transistor 6 in the casing 2a are radiated more efficiently.

さらに、水冷プレート３に内蔵されたパイプ３ａに冷却水が循環することによりヒートシンク２ｂを効率よく冷却することができる。 Furthermore, the cooling water circulates through the pipe 3a built in the water cooling plate 3, whereby the heat sink 2b can be efficiently cooled.

なお、本実施の形態においては、電源装置２において、トランジスタ６とヒートシンク２ｂとの間に熱伝導性に優れたシート状のシリコンを設けてもよい。それにより、放熱性がより向上する。 In the present embodiment, in the power supply device 2, a sheet-like silicon having excellent thermal conductivity may be provided between the transistor 6 and the heat sink 2b. Thereby, heat dissipation improves more.

また、本実施の形態では、基板Ｗ上に直接的にトランジスタ６が設けられているが、これに限定されず、基板Ｗとトランジスタ６を導線により接続してもよい。 In this embodiment, the transistor 6 is provided directly on the substrate W. However, the present invention is not limited to this, and the substrate W and the transistor 6 may be connected by a conductive wire.

また、本実施の形態では、後述の反射防止膜用熱処理部１０１、レジスト膜用熱処理部１１１、現像用熱処理部１２０および現像用熱処理部１２１における最上段に電源装置２を設けることとしているが、これに限定されるものではなく、例えば最下段や中間部に設けてもよい。 Further, in the present embodiment, the power supply device 2 is provided at the uppermost stage in an antireflection film heat treatment section 101, a resist film heat treatment section 111, a development heat treatment section 120, and a development heat treatment section 121, which will be described later. It is not limited to this, For example, you may provide in the lowest stage and an intermediate part.

以下、本発明の実施の形態に係る電源装置２を用いた基板処理装置について説明する。 Hereinafter, a substrate processing apparatus using the power supply device 2 according to the embodiment of the present invention will be described.

図３は本発明の実施の形態に係る電源装置２を用いた基板処理装置の一例を示す平面図である。なお、以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。 FIG. 3 is a plan view showing an example of a substrate processing apparatus using the power supply device 2 according to the embodiment of the present invention. In the following description, a substrate means a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP (plasma display panel), a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, or the like.

図３以降の各図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。 3 and subsequent figures are provided with arrows indicating the X, Y, and Z directions orthogonal to each other in order to clarify the positional relationship. The X direction and the Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction. In each direction, the direction in which the arrow points is the + direction, and the opposite direction is the-direction. Further, the rotation direction around the Z direction is defined as the θ direction.

図３に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３を含む。インターフェースブロック１３に隣接するようにステッパ部１４が配置される。 As shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus 500 includes an indexer block 9, an antireflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, and an interface block 13. A stepper unit 14 is disposed adjacent to the interface block 13.

インデクサブロック９は、複数のキャリア載置台６０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨを有する。また、インデクサブロック９には、ローカルコントローラＬＣを制御するベークユニットコントローラ３０が設けられる。反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部７０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部７０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１を有する。 The indexer block 9 includes a plurality of carrier platforms 60 and an indexer robot IR. The indexer robot IR has a hand IRH for delivering the substrate W. The indexer block 9 is provided with a bake unit controller 30 that controls the local controller LC. The anti-reflection film processing block 10 includes anti-reflection film heat treatment units 100 and 101, an anti-reflection film coating processing unit 70, and a first central robot CR1. The antireflection film coating processing unit 70 is provided opposite to the antireflection film heat treatment units 100 and 101 with the first central robot CR1 interposed therebetween. The first center robot CR1 has a hand CRH1 for delivering the substrate W.

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部８０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部８０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ２を有する。 The resist film processing block 11 includes resist film heat treatment units 110 and 111, a resist film coating processing unit 80, and a second central robot CR2. The resist film application processing unit 80 is provided opposite to the resist film heat treatment units 110 and 111 with the second central robot CR2 interposed therebetween. The second center robot CR2 has a hand CRH2 for delivering the substrate W.

現像処理用ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部９０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部９０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３を有する。 The development processing block 12 includes development heat treatment units 120 and 121, a development processing unit 90, and a third center robot CR3. The development processing unit 90 is provided to face the development heat treatment units 120 and 121 with the third central robot CR3 interposed therebetween. The third central robot CR3 has a hand CRH3 for delivering the substrate W.

インターフェースブロック１３は、第４のセンターロボットＣＲ４、バッファＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ４を有する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ８とステッパ部１４との間で基板Ｗの受け渡しを行う。 The interface block 13 includes a fourth central robot CR4, a buffer SBF, an interface transport mechanism IFR, and an edge exposure unit EEW. The fourth central robot CR4 has a hand CRH4 for delivering the substrate W. The interface transport mechanism IFR delivers the substrate W between a substrate platform PASS8 and a stepper unit 14 which will be described later.

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３の順に並設されている。 In the substrate processing apparatus 500 according to the present embodiment, an indexer block 9, an antireflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, and an interface block 13 are arranged in parallel in the Y direction. Has been.

以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理用ブロック１２およびインターフェースブロック１３の各々を処理ブロックと呼ぶ。 Hereinafter, each of the indexer block 9, the antireflection film processing block 10, the resist film processing block 11, the development processing block 12, and the interface block 13 is referred to as a processing block.

基板処理装置５００には、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（図示せず）が設けられている。 The substrate processing apparatus 500 is provided with a main controller (not shown) that controls the operation of each processing block.

また、各処理ブロックの間には隔壁が設けられている。この各隔壁には、各処理ブロック間に基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６が２台ずつ上下に近接して設けられている。 In addition, a partition is provided between the processing blocks. In each partition wall, two substrate platforms PASS1 to PASS6 for transferring the substrate W between the processing blocks are provided close to each other in the vertical direction.

また、現像処理用ブロック１２の現像用熱処理部１２１には、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７が設けられ、インターフェースブロック１３のエッジ露光部ＥＥＷには、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ８が設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。 The development heat treatment section 121 of the development processing block 12 is provided with a substrate platform PASS7 as described later, and the edge exposure section EEW of the interface block 13 includes a substrate platform as described later. PASS8 is provided. The substrate platforms PASS1 to PASS8 are provided with a plurality of support pins fixedly installed. The substrate platforms PASS1 to PASS8 are provided with optical sensors (not shown) that detect the presence or absence of the substrate W. Thereby, it is possible to determine whether or not the substrate W is placed on the substrate platforms PASS1 to PASS8.

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ５は、未処理の基板Ｗを受け渡す場合に用いられ、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ６は、処理済みの基板Ｗを受け渡す場合に用いられる。 The substrate platforms PASS1, PASS3, and PASS5 are used when delivering an unprocessed substrate W, and the substrate platforms PASS2, PASS4, and PASS6 are used when delivering a processed substrate W.

次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について簡潔に説明する。 Next, the operation of the substrate processing apparatus 500 according to the present embodiment will be briefly described.

インデクサブロック９のキャリア載置台６０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しをするためのハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に移載する。 On the carrier mounting table 60 of the indexer block 9, a carrier C that stores a plurality of substrates W in multiple stages is loaded. The indexer robot IR takes out the unprocessed substrate W stored in the carrier C by using the hand IRH for delivering the substrate W. Thereafter, the indexer robot IR rotates in the ± θ direction while moving in the ± X direction, and transfers the unprocessed substrate W to the substrate platform PASS1.

また、本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納した基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。 In this embodiment, a front opening unified pod (FOUP) is adopted as the carrier C. However, the present invention is not limited to this, and an OC that exposes a standard mechanical interface (SMIF) pod and the stored substrate W to the outside air. (Open cassette) or the like may be used. Further, the indexer robot IR, the first to fourth center robots CR1 to CR4, and the interface transport mechanism IFR are each provided with a direct-acting transport robot that slides linearly with respect to the substrate W and moves the hand back and forth. Although it is used, the present invention is not limited to this, and an articulated transfer robot that linearly moves the hand forward and backward by moving the joint may be used.

基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部７０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部７０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるためフォトレジスト膜の下部に反射防止膜が後述の塗布ユニットＢＡＲＣにより塗布形成される。 The unprocessed substrate W transferred to the substrate platform PASS1 is received by the hand CRH1 of the first central robot CR1 of the antireflection film processing block 10. The first center robot CR1 carries the substrate W into the antireflection film coating processing unit 70. In the anti-reflection film coating processing unit 70, an anti-reflection film is applied and formed below the photoresist film by an application unit BARC described later in order to reduce low standing waves and halation that occur during exposure.

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部７０から基板Ｗを取り出し、反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１において所定の処理が施された後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ３に移載する。 Thereafter, the first central robot CR1 takes out the substrate W from the antireflection film coating treatment unit 70 and carries it into the heat treatment units 100 and 101 for antireflection film. After the predetermined processing is performed in the antireflection film heat treatment units 100 and 101, the first central robot CR1 takes out the substrate W from the antireflection film heat treatment units 100 and 101 and transfers it to the substrate platform PASS3. To do.

基板載置部ＰＡＳＳ３に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部８０では、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜が後述の塗布ユニットＲＥＳにより塗布形成される。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部８０から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１において所定の処理が施された後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に移載する。 The substrate W transferred to the substrate platform PASS3 is received by the hand CRH2 of the second central robot CR2 of the resist film processing block 11. The second center robot CR2 carries the substrate W into the resist film coating processing unit 80. In the resist film coating processing unit 80, a photoresist film is coated and formed on the substrate W on which the antireflection film is coated by a coating unit RES described later. Thereafter, the second central robot CR2 takes out the substrate W from the resist film coating processing unit 80 and carries it into the resist film heat treatment units 110 and 111. After predetermined processing is performed in the resist film heat treatment units 110 and 111, the second central robot CR2 takes out the substrate W from the resist film heat treatment units 110 and 111 and transfers it to the substrate platform PASS5.

基板載置部ＰＡＳＳ５に移載された基板Ｗは、現像処理用ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいて所定の処理が施された後、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷから基板Ｗを取り出し、エッジ露光部ＥＥＷに設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。 The substrate W transferred to the substrate platform PASS5 is received by the hand CRH3 of the third central robot CR3 of the development processing block 12. The third central robot CR3 transfers the substrate W to the substrate platform PASS7. The substrate W transferred to the substrate platform PASS7 is received by the hand CRH4 of the fourth central robot CR4 of the interface block 13. The fourth center robot CR4 carries the substrate W into the edge exposure unit EEW. After predetermined processing is performed in the edge exposure unit EEW, the fourth central robot CR4 takes out the substrate W from the edge exposure unit EEW and transfers it to the substrate platform PASS8 provided in the edge exposure unit EEW.

基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより受け取られる。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗをステッパ部１４に搬入する。ステッパ部１４において、所定の処理が基板Ｗに施される。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ステッパ部１４より基板Ｗを受け取り、エッジ露光部ＥＥＷに設けられた基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。 The substrate W transferred to the substrate platform PASS8 is received by the interface transport mechanism IFR. The interface transport mechanism IFR carries the substrate W into the stepper unit 14. A predetermined process is performed on the substrate W in the stepper unit 14. Thereafter, the interface transport mechanism IFR receives the substrate W from the stepper unit 14 and transfers it to the substrate platform PASS8 provided in the edge exposure unit EEW.

基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗを現像用熱処理部１２１に搬入する。現像用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して熱処理が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。 The substrate W transferred to the substrate platform PASS8 is received by the hand CRH4 of the fourth central robot CR4 of the interface block 13. The fourth center robot CR4 carries the substrate W into the development heat treatment section 121. In the development heat treatment unit 121, heat treatment is performed on the substrate W. Thereafter, the fourth central robot CR4 takes out the substrate W from the development heat treatment unit 121 and transfers it to the substrate platform PASS7.

基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗを現像処理部９０に搬入する。現像処理部９０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部９０から基板Ｗを取り出し、現像用熱処理部１２０に搬入する。現像用熱処理部１２０において所定の処理が施された後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から基板Ｗを取り出し、レジスト膜用処理ブロック１１に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ６に移載する。 The substrate W transferred to the substrate platform PASS7 is received by the hand CRH3 of the third central robot CR3 of the development processing block 12. The third center robot CR3 carries the substrate W into the development processing unit 90. In the development processing unit 90, development processing is performed on the exposed substrate W. Thereafter, the third central robot CR3 takes out the substrate W from the development processing unit 90 and carries it into the development heat treatment unit 120. After the predetermined processing is performed in the development heat treatment section 120, the third central robot CR3 takes out the substrate W from the development heat treatment section 120 and puts it on the substrate platform PASS6 provided in the resist film processing block 11. Transfer.

基板載置部ＰＡＳＳ６に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に移載される。基板載置部ＰＡＳＳ４に移載された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に移載される。 The substrate W transferred to the substrate platform PASS6 is transferred to the substrate platform PASS4 by the second central robot CR2 of the resist film processing block 11. The substrate W transferred to the substrate platform PASS4 is transferred to the substrate platform PASS2 by the first central robot CR1 of the processing block 10 for antireflection film.

基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。 The substrate W transferred to the substrate platform PASS1 is stored in the carrier C by the indexer robot IR of the indexer block 9.

図４は図３の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。 FIG. 4 is a side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 3 as viewed from the −X direction.

インデクサブロック９のキャリア載置台６０上に基板Ｗを収納したキャリアＣが載置される。インデクサロボットＩＲのハンドＩＲＨは、±θ方向に回転または±Ｙ方向に進退してキャリアＣ内の基板Ｗを受け取る。 A carrier C containing a substrate W is placed on the carrier placement table 60 of the indexer block 9. The hand IRH of the indexer robot IR receives the substrate W in the carrier C by rotating in the ± θ direction or moving back and forth in the ± Y direction.

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の受け渡し部付き熱処理ユニットＰＨＰ（以下、単に熱処理ユニットと呼ぶ。）と３個のホットプレートＨＰが上下に積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰの動作を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。また、反射防止膜用熱処理部１０１におけるローカルコントローラＬＣと並列的に４個の電源装置２が配置される。 In the antireflection film heat treatment section 100 of the antireflection film processing block 10, two heat treatment units PHP with a transfer section (hereinafter simply referred to as heat treatment units) and three hot plates HP are stacked one above the other. In the heat treatment part 101 for antireflection film, two adhesion strengthening agent application treatment parts AHL and four cooling plates CP are stacked one above the other. Further, in the heat treatment units 100 and 101 for the antireflection film, a local controller LC for controlling the operations of the heat treatment unit PHP, the hot plate HP, the adhesion reinforcing agent application treatment unit AHL, and the cooling plate CP is arranged at the top. Further, four power supply devices 2 are arranged in parallel with the local controller LC in the antireflection film heat treatment section 101.

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、６個の熱処理ユニットＰＨＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰの動作を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１１におけるローカルコントローラＬＣと並列的に４個の電源装置２が配置される。 Six heat treatment units PHP are vertically stacked in the resist film heat treatment section 110 of the resist film processing block 11, and four cooling plates CP are vertically stacked in the resist film heat treatment section 111. The Further, in the resist film heat treatment units 110 and 111, local controllers LC for controlling the operations of the heat treatment unit PHP and the cooling plate CP are respectively arranged at the top. Further, four power supply devices 2 are arranged in parallel with the local controller LC in the resist film heat treatment section 111.

現像処理用ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、４個のホットプレートＨＰおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置され、現像熱処理部１２１には、基板載置部ＰＡＳＳ７、５個の熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの動作を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。また、現像用熱処理部１２０におけるローカルコントローラＬＣと並列的に４個の電源装置２が配置され、現像用熱処理部１２１におけるローカルコントローラＬＣと並列的に１個の電源装置２が配置される。 In the development heat treatment section 120 of the development processing block 12, four hot plates HP and four cooling plates CP are stacked one above the other, and the development heat treatment section 121 includes five substrate platforms PASS7 and five pieces. The heat treatment unit PHP and the cooling plate CP are stacked one above the other. Further, in the development heat treatment units 120 and 121, local controllers LC for controlling the operations of the heat treatment unit PHP, the hot plate HP, and the cooling plate CP are arranged at the top. Further, four power supply devices 2 are arranged in parallel with the local controller LC in the development heat treatment unit 120, and one power supply device 2 is arranged in parallel with the local controller LC in the development heat treatment unit 121.

インターフェースブロック１３には、２個のエッジ検出露光装置ＥＥＷ、バッファ部ＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ８が上下に積層配置されるとともに、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース搬送機構ＩＦＲ（図示せず）が配置される。 In the interface block 13, two edge detection exposure apparatuses EEW, a buffer unit BF, and a substrate platform PASS8 are stacked one above the other, and a fourth center robot CR4 and an interface transport mechanism IFR (not shown) are provided. Be placed.

図５は図３の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。 FIG. 5 is a side view of the substrate processing apparatus 500 of FIG. 3 viewed from the + X direction.

反射防止膜用塗布処理部７０には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。レジスト膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。現像処理部９０には、５個の現像処理装置ＤＥＶが上下に積層配置されている。 In the antireflection film coating processing section 70, three coating units BARC are stacked in a vertical direction. In the resist film coating processing unit 80, three coating units RES are stacked one above the other. In the development processing unit 90, five development processing devices DEV are vertically stacked.

上述のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、電源装置２によりクーリングプレートＣＰに電力が供給される。電源装置２は、小型で信頼性が高いので、基板処理装置５００を大型化することなく電源装置２を基板処理装置５００内に設けることができる。それにより、電源装置２を基板処理装置５００の外部に設置するためのスペースが不要となる。 As described above, in substrate processing apparatus 500 according to the present embodiment, power is supplied to cooling plate CP by power supply apparatus 2. Since the power supply device 2 is small and highly reliable, the power supply device 2 can be provided in the substrate processing apparatus 500 without increasing the size of the substrate processing apparatus 500. This eliminates the need for a space for installing the power supply device 2 outside the substrate processing apparatus 500.

また、電源装置２を小型化することにより、電源装置２と並べてローカルコントローラＬＣを配置することが可能となる。それにより、基板処理装置５００を小型化することができる。 In addition, by reducing the size of the power supply device 2, the local controller LC can be arranged side by side with the power supply device 2. Thereby, the substrate processing apparatus 500 can be reduced in size.

また、ホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰおよび密着強化剤塗布処理部ＡＨＬにより発生する熱雰囲気が回路基板ＰＣおよびトランジスタ６に進入することが水冷プレート３により阻止される。それにより、電源装置２の信頼性が向上するとともに、電源装置２をホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰまたは密着強化剤塗布処理部ＡＨＬの近くに、ホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰまたは密着強化剤塗布処理部ＡＨＬの上に積層して配置することができる。 Further, the water-cooled plate 3 prevents the thermal atmosphere generated by the hot plate HP, the heat treatment unit PHP, and the adhesion reinforcing agent application processing unit AHL from entering the circuit board PC and the transistor 6. As a result, the reliability of the power supply device 2 is improved, and the power supply device 2 is placed near the hot plate HP, the heat treatment unit PHP, or the adhesion reinforcing agent application processing unit AHL, and the hot plate HP, the heat treatment unit PHP, or the adhesion enhancer application treatment. It can be laminated on the part AHL.

本実施の形態においては、回路基板ＰＣおよびトランジスタ６が電源回路に相当し、ケーシング２ａが筐体に相当し、水冷プレート３が冷却部材および冷却プレートに相当し、パイプ３ａが冷却水循環路に相当し、保持金具４が保持部材に相当し、ビス５が固定部材に相当し、傾斜部４ａが傾斜面に相当する。 In the present embodiment, the circuit board PC and the transistor 6 correspond to a power supply circuit, the casing 2a corresponds to a casing, the water cooling plate 3 corresponds to a cooling member and a cooling plate, and the pipe 3a corresponds to a cooling water circulation path. The holding metal fitting 4 corresponds to the holding member, the screw 5 corresponds to the fixing member, and the inclined portion 4a corresponds to the inclined surface.

また、クーリングプレートＣＰ、ホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰおよび密着強化剤塗布処理部ＡＨＬが熱処理ユニットに相当し、一群のクーリングプレートＣＰ、一群のホットプレートＨＰ、一群の熱処理ユニットＰＨＰまたは一群の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬが熱処理部に相当し、ホットプレートＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰまたは密着強化剤塗布処理部ＡＨＬが加熱処理ユニットに相当する。 Further, the cooling plate CP, the hot plate HP, the heat treatment unit PHP, and the adhesion reinforcing agent application processing unit AHL correspond to the heat treatment unit, and the group of cooling plates CP, the group of hot plates HP, the group of heat treatment units PHP, or the group of adhesion reinforcement. The agent application processing unit AHL corresponds to a heat treatment unit, and the hot plate HP, the heat treatment unit PHP, or the adhesion reinforcing agent application processing unit AHL corresponds to a heat treatment unit.

なお、ローカルコントローラＬＣ内に設けられた電源装置は交流電源装置であり低電流のため発熱量が少ない。したがって、必要であれば、ローカルコントローラＬＣ内に設けられた電源装置に本実施の形態に係る電源装置２の構成を採用してもよい。 Note that the power supply device provided in the local controller LC is an AC power supply device and generates a small amount of heat due to low current. Therefore, if necessary, the configuration of the power supply device 2 according to the present embodiment may be adopted for the power supply device provided in the local controller LC.

また、ローカルコントローラＬＣ内の電源装置をローカルコントローラＬＣ外に設けるとともに、ローカルコントローラＬＣ外に設けられた電源装置に本実施の形態に係る電源装置２の構成を採用してもよい。 Further, the power supply device in the local controller LC may be provided outside the local controller LC, and the configuration of the power supply device 2 according to the present embodiment may be employed in the power supply device provided outside the local controller LC.

本発明は、電力の供給を行うための電源装置として有用である。 The present invention is useful as a power supply device for supplying power.

本実施の形態に係る電源装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the power supply device which concerns on this Embodiment. 複数の電源装置が並列的に配置された状態を示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows the state by which the several power supply device is arrange | positioned in parallel. 本発明の実施の形態に係る電源装置を用いた基板処理装置の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the substrate processing apparatus using the power supply device which concerns on embodiment of this invention. 図３の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。It is the side view which looked at the substrate processing apparatus of Drawing 3 from the -X direction. 図３の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。FIG. 4 is a side view of the substrate processing apparatus of FIG. 3 viewed from the + X direction.

Explanation of symbols

２電源装置
２ａケーシング
２ｂヒートシンク
３水冷プレート
３ａパイプ
４保持金具
４ａ傾斜部
６トランジスタ
２０電源本体部
５００基板処理装置
ＡＨＬ密着強化剤塗布処理部
ＣＰクーリングプレート
ＨＰホットプレート
ＰＨＰ熱処理ユニット
ＰＣ回路基板
Ｗ基板 2 Power supply device 2a Casing 2b Heat sink 3 Water cooling plate 3a Pipe 4 Holding metal fitting 4a Inclined portion 6 Transistor 20 Power supply main body portion 500 Substrate processing device AHL Adhesion strengthening agent application processing portion CP Cooling plate HP Hot plate PHP Heat treatment unit PC circuit board W substrate

Claims

A power supply for supplying power,
A housing containing a power supply circuit;
A heat sink having a first plane and provided to dissipate at least part of the power supply circuit in the housing;
A power supply device comprising: a cooling member having a second plane that is in close contact with the first plane of the heat sink.

The housing has one end and the other end,
The heat sink is composed of a plate-like member having one end and the other end,
The one end and the other end of the heat sink protrude outward from the one end and the other end of the housing, respectively.
The protruding one end of the heat sink is held by a holding member fixed to the second plane of the cooling member, and the protruding other end of the heat sink is fixed by the fixing member to the second of the cooling member. The power supply device according to claim 1, wherein the power supply device is fixed to a flat surface.

The power supply device according to claim 2, wherein the holding member has an inclined surface that abuts on the one end so as to press the heat sink toward the second plane.

The power supply device according to any one of claims 1 to 3, wherein the cooling member includes a cooling plate including a cooling water circulation path for circulating cooling water.

A processing unit including a plurality of processing units for processing a substrate;
A substrate processing apparatus comprising: the power supply device according to claim 1, wherein power is supplied to at least one processing unit of the plurality of processing units in the processing unit.

The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the processing unit includes a thermal processing unit that performs thermal processing on the substrate, and the processing unit includes a thermal processing unit that performs thermal processing on the substrate.

The heat treatment unit includes a heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate,
The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the heat treatment unit is disposed on the cooling member side of the power supply device.