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JP2005088495A - Storage device that can read and write in multiple modes - Google Patents

Storage device that can read and write in multiple modes Download PDF

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JP2005088495A
JP2005088495A JP2003327840A JP2003327840A JP2005088495A JP 2005088495 A JP2005088495 A JP 2005088495A JP 2003327840 A JP2003327840 A JP 2003327840A JP 2003327840 A JP2003327840 A JP 2003327840A JP 2005088495 A JP2005088495 A JP 2005088495A
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Abstract


【課題】 通信制御モードの切替が可能な記憶装置において、外部機器から受信した受信信号に応じて通信制御モードを自動的に切り替えるための技術を提供する。
【解決手段】 本発明は、外部機器との通信における通信制御モードの切替が可能な記憶装置である。ここで、通信制御モードには、比較的に高速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの高速書き込みを行うための高速制御モードと、比較的に低速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの低速書き込みを行うための低速制御モードとを含む。この記憶装置は、高速制御モードと低速制御モードのいずれのモードによっても書き込みが可能な不揮発性メモリと、外部機器から受信した受信信号に応じて、通信制御モードを自動的に切り替える通信制御部とを備えることを特徴とする。
【選択図】 図6

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for automatically switching a communication control mode according to a received signal received from an external device in a storage device capable of switching a communication control mode.
The present invention is a storage device capable of switching a communication control mode in communication with an external device. Here, the communication control mode includes a high-speed control mode for performing high-speed data writing to a non-volatile memory capable of relatively high-speed data writing, and a relatively low-speed data writing. And a low-speed control mode for performing low-speed data writing to the nonvolatile memory. The storage device includes a non-volatile memory that can be written in either a high-speed control mode or a low-speed control mode, a communication control unit that automatically switches a communication control mode in accordance with a received signal received from an external device, It is characterized by providing.
[Selection] Figure 6

Description

本発明は、メモリの読み出しと書き込みの制御に関する。   The present invention relates to memory read and write control.

インクジェットプリンタの消耗品であるインクカートリッジに対して、消耗品の残存量その他の属性情報を格納する不揮発性メモリを装備することが行われている。不揮発性メモリには、従来は、EEPROM(ELECTRONICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY)といったDRAMの数百倍の長い時間を書き込みに要するメモリしかなかった。   Ink cartridges that are consumables for inkjet printers are equipped with a non-volatile memory that stores the remaining amount of consumables and other attribute information. Conventionally, there is only a non-volatile memory such as an EEPROM (ELECTRONICLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY) that requires several hundred times longer than a DRAM.

ところが、近年、消去処理を要するが書き込み速度の速いフラッシュメモリが実用化されるとともに、MRAM(Magnetoresistive RAM)やFeRAM(Ferroelectric RAM)といったSRAM並の速度で高速に書き込みが可能な高速不揮発性メモリについても実用化に向かっている。   However, in recent years, flash memories that require an erasing process but have a high writing speed have been put into practical use, and high-speed non-volatile memories that can be written at a high speed at the same speed as an SRAM such as MRAM (Magnetoretic RAM) and FeRAM (Ferroelectric RAM). Is also moving toward practical use.

特許公開2002−14870号公報Japanese Patent Publication No. 2002-14870

しかし、高速不揮発性メモリに対応した読み書き方法は、一般に、従来の不揮発性メモリに対応した読み書き方法とは異なるため、従来の不揮発性メモリから高速不揮発性メモリへの移行期においては、同一のインクに対して通信モードが異なる複数種類のインクカートリッジを用意しなければならないという問題が生ずる。さらに、この問題は、インクカートリッジに限られずトナーその他の消耗品を収容する消耗品容器一般に生じ得る問題である。   However, since the read / write method corresponding to the high-speed nonvolatile memory is generally different from the read / write method compatible with the conventional nonvolatile memory, the same ink is used in the transition period from the conventional nonvolatile memory to the high-speed nonvolatile memory. However, there arises a problem that a plurality of types of ink cartridges having different communication modes must be prepared. Furthermore, this problem is not limited to the ink cartridge, and may be a problem that can occur in general in a consumable container that contains toner and other consumables.

この発明は、従来技術における上述の課題を解決するためになされたものであり、通信制御モードの切替が可能な記憶装置において、外部機器から受信した受信信号に応じて通信制御モードを自動的に切り替えるための技術を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems in the prior art, and in a storage device capable of switching the communication control mode, the communication control mode is automatically set according to the received signal received from the external device. It aims at providing the technology for switching.

本発明は、外部機器との通信における通信制御モードの切替が可能な記憶装置であって、
前記通信制御モードは、比較的に高速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの高速書き込みを行うための高速制御モードと、比較的に低速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの低速書き込みを行うための低速制御モードとを含み、
前記記憶装置は、
前記高速制御モードと前記低速制御モードのいずれのモードによっても書き込みが可能な不揮発性メモリと、
前記外部機器から受信した受信信号に応じて、前記通信制御モードを自動的に切り替える通信制御部と、
を備えることを特徴とする。
The present invention is a storage device capable of switching the communication control mode in communication with an external device,
The communication control mode includes a high-speed control mode for performing high-speed data writing to a non-volatile memory capable of writing data at a relatively high speed, and a non-volatile memory capable of writing data at a relatively low speed. Including a low-speed control mode for performing low-speed data writing,
The storage device
A non-volatile memory capable of writing in any of the high-speed control mode and the low-speed control mode;
In accordance with a received signal received from the external device, a communication control unit that automatically switches the communication control mode,
It is characterized by providing.

本発明の記憶装置では、外部機器から受信した受信信号に応じて通信制御モードが自動的に切り替えられるので、外部機器が高速制御モードと低速制御モードのいずれで通信を行ってもデータの読み書きを行うことができる。   In the storage device of the present invention, the communication control mode is automatically switched according to the received signal received from the external device, so that data can be read and written regardless of whether the external device performs communication in the high speed control mode or the low speed control mode. It can be carried out.

上記記憶装置において、前記受信信号は、前記記憶装置に書き込むべきデータと同期して受信されるクロック信号を含み、
前記通信制御部は、前記クロック信号に含まれる特定のパルスの長さに基づいて前記切り替えを行うようにしても良い。
In the storage device, the reception signal includes a clock signal received in synchronization with data to be written to the storage device,
The communication control unit may perform the switching based on a length of a specific pulse included in the clock signal.

記憶装置に書き込むべきデータと同期するクロック信号のパルスの長さは、不揮発性メモリへの書き込みに要する時間に応じて変動するので、この変動に応じて受信した信号の通信モードを判別するようにすれば、記憶装置側に本発明を適用するだけで通信モードの自動切り替えが可能となる。   Since the length of the pulse of the clock signal synchronized with the data to be written to the storage device varies depending on the time required for writing to the nonvolatile memory, the communication mode of the received signal is determined according to this variation. Then, the communication mode can be automatically switched only by applying the present invention to the storage device side.

上記記憶装置において、前記記憶装置は、クロック信号線、データ信号線、およびリセット信号線と接続されており、
前記クロック信号線は、前記クロック信号の受信のための配線であり、
前記データ信号線は、前記データの送受信のための配線であり、
前記リセット信号線は、前記記憶装置を初期化するためのリセット信号を受信するための配線であり、
前記特定のパルスは、前記リセット信号を受信した後に所定の番目に受信されるパルスであるようにしても良い。
In the storage device, the storage device is connected to a clock signal line, a data signal line, and a reset signal line,
The clock signal line is a wiring for receiving the clock signal;
The data signal line is a wiring for transmitting and receiving the data,
The reset signal line is a wiring for receiving a reset signal for initializing the storage device,
The specific pulse may be a pulse received a predetermined number after receiving the reset signal.

なお、記憶装置と、クロック信号線その他の各信号性との間の接続方法は、バス接続であってもディスクリート接続であっても良い。   Note that a connection method between the storage device and the clock signal line and other signal characteristics may be a bus connection or a discrete connection.

上記記憶装置において、前記高速制御モードは、前記不揮発性メモリの書き込みの対象となる特定の領域に格納されたデータを一括して消去した後に、前記特定の領域に前記高速書き込みを行うモードであるようにしても良い。   In the storage device, the high-speed control mode is a mode in which the high-speed writing is performed in the specific area after erasing data stored in the specific area to be written to the nonvolatile memory in a batch. You may do it.

このように、不揮発性メモリの書き込みの対象となる特定の領域全体に対して一括して消去処理を行えば、消去の処理速度を速くすることができる。   As described above, if the erasing process is collectively performed on the entire specific area to be written to the nonvolatile memory, the erasing process speed can be increased.

なお、本発明は、記憶装置や通信装置、それらの方法または装置の機能をコンピュータに実現させるためのコンピュータプログラム、そのコンピュータプログラムを記録した記録媒体、そのコンピュータプログラムを含み搬送波内に具現化されたデータ信号、記憶装置を備える消耗品容器等の種々の形態で実現することができる。   The present invention is embodied in a carrier wave including a storage device, a communication device, a computer program for causing a computer to realize the functions of the method or device, a recording medium storing the computer program, and the computer program. It can be realized in various forms such as a consumable container equipped with a data signal and a storage device.

A.装置の構成:
図1は、本発明の実施例における複数の記憶装置とホストコンピュータを含む記憶システムの構成例を示す説明図である。この記憶システムは、ホストコンピュータ10と、5個の記憶装置20、21、22、23、24を有するメモリモジュール基板200とを備えている。
A. Device configuration:
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration example of a storage system including a plurality of storage devices and a host computer in an embodiment of the present invention. This storage system includes a host computer 10 and a memory module substrate 200 having five storage devices 20, 21, 22, 23, 24.

ホストコンピュータ10とメモリモジュール基板200は、電力供給線VDLと、クロック信号線CLと、データ信号線DLと、リセット信号線RLと、カートリッジアウト信号線COLとで接続されている。これらの線は、たとえばフレキシブル・フィード・ケーブル(FFC)として実装することができる。   The host computer 10 and the memory module substrate 200 are connected by a power supply line VDL, a clock signal line CL, a data signal line DL, a reset signal line RL, and a cartridge out signal line COL. These wires can be implemented, for example, as a flexible feed cable (FFC).

電力供給線VDLは、5個の記憶装置20、21、22、23、24の各々に接続されている。クロック信号線CL、データ信号線DL、およびリセット信号線RLは、それぞれクロックバスCB、データバスDB、およびリセットバスRBを介して5個の記憶装置20、21、22、23、24の各々にバス接続されている。カートリッジアウト信号線COLは、直列に接続された5個の記憶装置20、21、22、23、24を介して接地されている。   The power supply line VDL is connected to each of the five storage devices 20, 21, 22, 23, 24. The clock signal line CL, the data signal line DL, and the reset signal line RL are connected to each of the five storage devices 20, 21, 22, 23, and 24 via the clock bus CB, the data bus DB, and the reset bus RB, respectively. Bus connected. The cartridge-out signal line COL is grounded via five storage devices 20, 21, 22, 23, 24 connected in series.

電力供給線VDLは、ホストコンピュータ10から各記憶装置20、21、22、23、24に電力を供給するための線である。クロック信号線CLとリセット信号線RLは、それぞれクロック信号SCKとリセット信号RSTとをホストコンピュータ10から各記憶装置20、21、22、23、24に送信するための線である。データ信号線DLは、ホストコンピュータ10と各記憶装置20、21、22、23、24の間でデータやコマンドを授受するための線である。カートリッジアウト信号線COLは、ホストコンピュータ10がカートリッジアウト信号COを受信するための線である。   The power supply line VDL is a line for supplying power from the host computer 10 to each storage device 20, 21, 22, 23, 24. The clock signal line CL and the reset signal line RL are lines for transmitting the clock signal SCK and the reset signal RST from the host computer 10 to the storage devices 20, 21, 22, 23, and 24, respectively. The data signal line DL is a line for exchanging data and commands between the host computer 10 and the storage devices 20, 21, 22, 23, and 24. The cartridge out signal line COL is a line for the host computer 10 to receive the cartridge out signal CO.

図2は、本発明の実施例における記憶装置20の内部回路構成を示すブロック図である。記憶装置20は、メモリアレイ201、IDコンパレータ203、I/Oコントローラ205、オペレーションコードデコーダ204、およびアドレスカウンタ202を備えている。記憶装置20は、電源正極端子VDDMを介して電力供給線VDLと接続されており、また、クロック信号端子CT、データ信号端子DT、およびリセット信号端子RTを介して、それぞれクロックバスCB、データバスDB、およびリセットバスRBにバス接続されている。なお、記憶装置21、22、23、24は、記憶装置20と同一の構成を有している。   FIG. 2 is a block diagram showing an internal circuit configuration of the storage device 20 according to the embodiment of the present invention. The storage device 20 includes a memory array 201, an ID comparator 203, an I / O controller 205, an operation code decoder 204, and an address counter 202. The storage device 20 is connected to the power supply line VDL via the power supply positive terminal VDDM, and is connected to the clock bus CB and the data bus via the clock signal terminal CT, the data signal terminal DT, and the reset signal terminal RT, respectively. The bus is connected to the DB and the reset bus RB. Note that the storage devices 21, 22, 23, and 24 have the same configuration as the storage device 20.

アドレスカウンタ202は、クロック信号SCKに同期してそのカウンタ値をインクリメントする回路である。カウンタ値は、メモリアレイ201の記憶領域位置(アドレス)と関連付けられている。このように、本実施例では、シーケンシャルにメモリアレイ201における書き込み位置や読み出し位置が指定される。   The address counter 202 is a circuit that increments the counter value in synchronization with the clock signal SCK. The counter value is associated with the storage area position (address) of the memory array 201. Thus, in this embodiment, the write position and read position in the memory array 201 are specified sequentially.

メモリアレイ201は、本実施例では、図3(a)に示されるような256ビットの記憶領域を有している。この記憶領域は、識別データ格納用の記憶領域(先頭から3ビット)と、空白領域(先頭から4ビット目)と、データ格納領域(先頭から5ビット目以降)とに区分されている。データ格納領域には、インク消費量その他の情報が格納される。この記憶領域は、シーケンシャルに読み書きされるホストコンピュータ10から記憶装置が受信するデータフィールド(図3(b))に対応するように構成されている。なお、メモリアレイ201は、フラッシュメモリその他の高速不揮発メモリである。   In this embodiment, the memory array 201 has a 256-bit storage area as shown in FIG. This storage area is divided into a storage area for storing identification data (3 bits from the top), a blank area (4th bit from the top), and a data storage area (from the 5th bit onward). The data storage area stores ink consumption and other information. This storage area is configured to correspond to a data field (FIG. 3B) received by the storage device from the host computer 10 that is read and written sequentially. The memory array 201 is a flash memory or other high-speed nonvolatile memory.

ホストコンピュータ10から記憶装置が受信するデータフィールド(図3(b))は、識別データ送信用のフィールド(先頭から3ビット)と、書き込み/読み出しコマンド送信用のフィールド(先頭から4ビット目)と、データ送信用フィールド(先頭から5ビット目以降)とに区分されている。なお、ホストコンピュータ10による信号の通信制御モードには、メモリアレイ201がEEPROMその他の低速不揮発メモリであることを想定した低速通信制御モードと、フラッシュメモリその他の高速不揮発メモリであることを想定した高速通信制御モードとがある。   A data field (FIG. 3B) received by the storage device from the host computer 10 includes an identification data transmission field (3 bits from the top), a write / read command transmission field (the 4th bit from the top), and , And a data transmission field (after the 5th bit from the top). The signal communication control mode by the host computer 10 includes a low-speed communication control mode assuming that the memory array 201 is an EEPROM or other low-speed nonvolatile memory, and a high-speed assumed to be a flash memory or other high-speed nonvolatile memory. There is a communication control mode.

IDコンパレータ203は、ホストコンピュータ10からデータ信号端子DTを介して入力されたデータ列に含まれる識別データとメモリアレイ201に格納されている識別データとが一致するか否かを判定する。両識別データが一致する場合には、IDコンパレータ203はアクセス許可信号ENをオペレーションコードデコーダ204に送信する。   The ID comparator 203 determines whether or not the identification data included in the data string input from the host computer 10 via the data signal terminal DT matches the identification data stored in the memory array 201. If the two identification data match, the ID comparator 203 transmits an access permission signal EN to the operation code decoder 204.

オペレーションコードデコーダ204は、アクセス許可信号ENを受信すると、取得した書き込み/読み出しコマンドに応じて、I/Oコントローラ205に対して書き込み処理要求または読み出し処理要求を送信する。   When the operation code decoder 204 receives the access permission signal EN, the operation code decoder 204 transmits a write processing request or a read processing request to the I / O controller 205 in accordance with the acquired write / read command.

I/Oコントローラ205は、オペレーションコードデコーダ204からの要求に従ってメモリアレイ201に対するデータ転送方向を切り換え制御する。I/Oコントローラ205は、さらに、転送されるデータを一時的に格納するバッファメモリ(図示しない)を備えている。I/Oコントローラ205は、さらに内部クロック305を有している。   The I / O controller 205 switches and controls the data transfer direction with respect to the memory array 201 in accordance with a request from the operation code decoder 204. The I / O controller 205 further includes a buffer memory (not shown) that temporarily stores data to be transferred. The I / O controller 205 further has an internal clock 305.

内部クロック305は、リングオシレータとして簡易に構成されている。リングオシレータとは、トランジスタの素子遅延を使用したクロック回路であり、インバータ回路(反転回路)を奇数個組み合わせることによって構成されている。   The internal clock 305 is simply configured as a ring oscillator. The ring oscillator is a clock circuit using element delay of a transistor, and is configured by combining an odd number of inverter circuits (inversion circuits).

I/Oコントローラ205は、ホストコンピュータ10から受信した信号に応じて、ホストコンピュータ10が使用している通信制御方法が低速不揮発メモリ用であるか高速不揮発メモリ用であるかを判別することができる。なお、判別方法については後述する。なお、I/Oコントローラ205は、特許請求の範囲における「通信制御部」として機能している。   The I / O controller 205 can determine whether the communication control method used by the host computer 10 is for a low-speed nonvolatile memory or a high-speed nonvolatile memory in accordance with a signal received from the host computer 10. . The determination method will be described later. The I / O controller 205 functions as a “communication control unit” in the claims.

B.記憶装置が行う処理の内容:
図4は、本発明の実施例において各記憶装置20、21、22、23、24が行う処理の内容を示すフローチャートである。各記憶装置20、21、22、23、24は、ホストコンピュータ10からの信号に応じて、受動的に以下の処理を行う。
B. Contents of processing performed by the storage device:
FIG. 4 is a flowchart showing the contents of processing performed by each storage device 20, 21, 22, 23, 24 in the embodiment of the present invention. Each of the storage devices 20, 21, 22, 23, 24 passively performs the following processing in response to a signal from the host computer 10.

ステップS100では、各記憶装置20、21、22、23、24のアドレスカウンタ202(図2)は、カウンタ値を初期値に戻す。この処理は、ホストコンピュータ10からのリセット信号RSTの受信に応じて行われる。これにより、各記憶装置20、21、22、23、24は、ホストコンピュータ10からのデータの受信とその処理が可能な状態となる。   In step S100, the address counter 202 (FIG. 2) of each storage device 20, 21, 22, 23, 24 returns the counter value to the initial value. This process is performed in response to reception of the reset signal RST from the host computer 10. As a result, each of the storage devices 20, 21, 22, 23, and 24 is ready to receive data from the host computer 10 and process the data.

ステップS200では、各記憶装置20、21、22、23、24のIDコンパレータ203は、ホストコンピュータ10から受信したデータのうちの先頭から3ビット(識別データ送信用フィールド(図3(b)))に含まれる識別データを読み込む。読み込みの制御は、I/Oコントローラ205によって行われる。   In step S200, the ID comparator 203 of each storage device 20, 21, 22, 23, 24 has 3 bits from the head of the data received from the host computer 10 (identification data transmission field (FIG. 3B)). The identification data contained in is read. Reading control is performed by the I / O controller 205.

ステップS300では、各記憶装置20、21、22、23、24のIDコンパレータ203は、受信した識別データとメモリアレイ201の識別データ格納用の記憶領域(図3(a))に格納されている識別データとが一致するか否かを判定する。この判定の結果、各記憶装置20、21、22、23、24のうちのIDが一致しなかった記憶装置については処理が完了し、新たにリセット信号RSTを受信するまで待機することになる。   In step S300, the ID comparator 203 of each storage device 20, 21, 22, 23, 24 is stored in the storage area (FIG. 3A) for storing the received identification data and the identification data of the memory array 201. It is determined whether or not the identification data matches. As a result of this determination, the storage device whose ID does not match among the storage devices 20, 21, 22, 23, 24 is completed, and waits until a new reset signal RST is received.

一方、IDが一致した記憶装置については、IDコンパレータ203がアクセス許可信号ENをオペレーションコードデコーダ204に送信し、これにより読み書きの処理が可能とされる。このような処理によって、ホストコンピュータ10は、読み書きの対象とする記憶装置を指定することができる。なお、本明細書では、記憶装置20のIDが一致したものとして説明を進める。   On the other hand, for the storage devices with the matching IDs, the ID comparator 203 transmits an access permission signal EN to the operation code decoder 204, thereby enabling read / write processing. By such processing, the host computer 10 can designate a storage device to be read / written. In the present specification, the description will be made assuming that the IDs of the storage devices 20 match.

ステップS400では、オペレーションコードデコーダ204は、先頭から4ビット目(書き込み/読み出しコマンド送信用フィールド)のコマンドに応じて、メモリアレイ201へのデータの書き込み処理とメモリアレイ201からのデータの読み出し処理のいずれかに処理を進める。   In step S400, the operation code decoder 204 performs a data write process to the memory array 201 and a data read process from the memory array 201 in accordance with the command of the fourth bit from the top (write / read command transmission field). Proceed to one of the processes.

受信したコマンドが読み出しコマンドのときには、記憶装置20のオペレーションコードデコーダ204は、メモリ201からデータを読み出してホストコンピュータ10に転送できるようなデータ転送方向をI/Oコントローラ205に要求する。これに応じて、メモリ201からのデータの読み出しが開始される(ステップS600)。   When the received command is a read command, the operation code decoder 204 of the storage device 20 requests the I / O controller 205 for a data transfer direction in which data can be read from the memory 201 and transferred to the host computer 10. In response to this, reading of data from the memory 201 is started (step S600).

受信したコマンドが読み出しコマンドのときには、記憶装置20のオペレーションコードデコーダ204は、ホストコンピュータ10から受信したデータをメモリ201に転送できるようなデータ転送方向をI/Oコントローラ205に要求する。これに応じて、メモリ201へのデータの書き込みが開始される(ステップS500)。   When the received command is a read command, the operation code decoder 204 of the storage device 20 requests the I / O controller 205 for a data transfer direction in which the data received from the host computer 10 can be transferred to the memory 201. In response to this, data writing to the memory 201 is started (step S500).

図5は、ホストコンピュータ10によって指定された記憶装置20が行う書き込み処理の内容を示すフローチャートである。書き込み処理には、低速互換モードと高速モードの2つのモードがある。低速互換モードは、メモリ201がEEPROMその他の書き込み速度が遅い低速不揮発メモリであるときと、フラッシュメモリその他の高速不揮発メモリであるときの双方に使用可能な処理モードである。一方、高速モードは、メモリ201がフラッシュメモリその他の高速メモリであるときにのみ使用可能な処理モードである。   FIG. 5 is a flowchart showing the contents of the writing process performed by the storage device 20 designated by the host computer 10. There are two writing processes, a low-speed compatible mode and a high-speed mode. The low-speed compatible mode is a processing mode that can be used both when the memory 201 is an EEPROM or other low-speed nonvolatile memory with a low writing speed and when it is a flash memory or other high-speed nonvolatile memory. On the other hand, the high-speed mode is a processing mode that can be used only when the memory 201 is a flash memory or other high-speed memory.

図6は、低速互換モードにおけるリセット信号RST、クロック信号SCK、およびデータ信号CDAの時間的関係を示すタイミングチャートである。クロックC1〜C6は、それぞれリセット信号RSTがハイとなってから1番目から6番目のクロックパルスである。   FIG. 6 is a timing chart showing a temporal relationship between the reset signal RST, the clock signal SCK, and the data signal CDA in the low-speed compatibility mode. The clocks C1 to C6 are the first to sixth clock pulses after the reset signal RST goes high.

データ信号CDAは、このクロックパルスに同期してホストコンピュータ10から送信される。たとえば識別データの3ビットは、クロックC1、C2、C3に同期して送信される。一方、記憶装置20は、クロックC1、C2、C3の立ち上がりエッジや立ち下がりエッジを制御信号として使用してデータ信号を受信する。   The data signal CDA is transmitted from the host computer 10 in synchronization with this clock pulse. For example, 3 bits of identification data are transmitted in synchronization with clocks C1, C2, and C3. On the other hand, the storage device 20 receives a data signal using the rising edges and falling edges of the clocks C1, C2, and C3 as control signals.

ステップ510では、I/Oコントローラ205は、リセット信号を受信してから5番目に受信されるパルスであるクロックC5の立ち上がりエッジからの時間を計測する。この計測は、内部クロック305(図2)から出力されるクロック信号に基づいて行われる。なお、クロックC5は、特許請求の範囲における「特定のパルス」に相当する。   In step 510, the I / O controller 205 measures the time from the rising edge of the clock C5, which is the fifth pulse received after receiving the reset signal. This measurement is performed based on the clock signal output from the internal clock 305 (FIG. 2). The clock C5 corresponds to a “specific pulse” in the claims.

ステップ520では、I/Oコントローラ205は、立ち上がりエッジからの時間が2μSを超えたか否かを判断する。立ち上がりエッジからの時間が2μSを超えた時点で、I/Oコントローラ205は、ホストコンピュータ10が低速通信制御モードで通信していると決定する。この決定に応じて、I/Oコントローラ205は、低速通信制御モードに対応した低速互換モードに書き込み処理モードを切り替える。なお、デフォルトのモードは、高速モードである。   In step 520, the I / O controller 205 determines whether the time from the rising edge has exceeded 2 μS. When the time from the rising edge exceeds 2 μS, the I / O controller 205 determines that the host computer 10 is communicating in the low-speed communication control mode. In response to this determination, the I / O controller 205 switches the write processing mode to the low speed compatible mode corresponding to the low speed communication control mode. The default mode is the high speed mode.

ステップ530では、I/Oコントローラ205は、低速互換モードでの書き込み処理を行う。低速互換モードでは、I/Oコントローラ205は、各ビット毎に「消去処理」と「記録処理」とが2500μSの時間をかけて行われる。これらの処理は、記憶装置20が低速不揮発メモリを備えていることを想定してホストコンピュータ10が行う処理であるが、高速不揮発メモリにもそのまま適用することができる。   In step 530, the I / O controller 205 performs a writing process in the low-speed compatibility mode. In the low-speed compatible mode, the I / O controller 205 performs “erase processing” and “recording processing” over a time of 2500 μS for each bit. These processes are processes performed by the host computer 10 on the assumption that the storage device 20 includes a low-speed nonvolatile memory, but can be applied to a high-speed nonvolatile memory as it is.

一方、立ち上がりエッジからの時間が2μSを超える前に立ち下がりエッジが検出されると、I/Oコントローラ205は、ホストコンピュータ10が高速通信制御モードで通信していると決定する。この決定に応じて、I/Oコントローラ205は、デフォルトとして設定されている高速通信制御モードに対応した高速モードでの書き込み処理を行う(ステップ540)。なお、高速モードをデフォルトとして設定しているのは、処理時間がクリティカルな高速モードにおいて、処理の切替に伴う制御の遅延を回避するためである。   On the other hand, if the falling edge is detected before the time from the rising edge exceeds 2 μS, the I / O controller 205 determines that the host computer 10 is communicating in the high-speed communication control mode. In response to this determination, the I / O controller 205 performs a writing process in a high speed mode corresponding to the high speed communication control mode set as a default (step 540). The reason why the high speed mode is set as a default is to avoid a control delay associated with the process switching in the high speed mode in which the processing time is critical.

図7は、ホストコンピュータ10によって指定された記憶装置20が行う高速モードの内容を示すフローチャートである。図8と図9は、それぞれ高速モードでの消去処理と書き込み処理におけるリセット信号RST、クロック信号SCK、およびデータ信号CDAの時間的関係を示すタイミングチャートである。   FIG. 7 is a flowchart showing the contents of the high-speed mode performed by the storage device 20 designated by the host computer 10. 8 and 9 are timing charts showing temporal relationships of the reset signal RST, the clock signal SCK, and the data signal CDA in the erase process and the write process in the high-speed mode, respectively.

高速モードは、メモリアレイ201の内容を一括して消去した後に、メモリアレイ201に高速でデータを書き込むことによって行われる。このように、「消去」と「書き込み」の処理を分離しているのは、「消去」の処理をメモリアレイ201の書き込み対象となる格納領域の全体に対して一括して行うことによって処理速度を速くするためである。なお、書き込み対象となる格納領域は、データの格納領域だけでなく、IDやコマンドといった情報を格納する領域をも含むようにしても良い。   The high-speed mode is performed by writing data to the memory array 201 at high speed after erasing the contents of the memory array 201 at once. As described above, the “erase” and “write” processes are separated from each other because the “erase” process is performed on the entire storage area to be written in the memory array 201 in a batch. This is to speed up the process. The storage area to be written may include not only a data storage area but also an area for storing information such as an ID and a command.

ステップ541では、I/Oコントローラ205は、クロックC5〜C12に同期してホストコンピュータ10からの信号を8ビット分バッファする。本実施例では、8ビット毎にデータの転送が行われる。   In step 541, the I / O controller 205 buffers the signal from the host computer 10 for 8 bits in synchronization with the clocks C5 to C12. In this embodiment, data is transferred every 8 bits.

ステップ542では、I/Oコントローラ205は、最初にバッファされた8ビットのデータに基づいて、ホストコンピュータ10からの信号が「消去」と「データの書き込み」のいずれを命令しているかを決定する。具体的には、たとえば8ビットのデータが全て「1」である場合には、「消去命令」であると決定することができる。この決定に応じて、I/Oコントローラ205は、メモリアレイ201の内容を一括して消去するとともに(ステップS523)、次のリセット信号RSTの立ち上がりまで待機する。   In step 542, the I / O controller 205 determines whether the signal from the host computer 10 instructs “erase” or “data write” based on the first buffered 8-bit data. . Specifically, for example, when all the 8-bit data is “1”, it can be determined that it is an “erase instruction”. In response to this determination, the I / O controller 205 erases the contents of the memory array 201 all at once (step S523) and waits for the next rise of the reset signal RST.

ステップ544では、I/Oコントローラ205は、高速モードでデータの書き込みを行う。このデータの書き込みは、I/Oコントローラ205へのバッファとメモリアレイ201への書き込みと8ビット毎に繰り返すことにより高速に行われる。   In step 544, the I / O controller 205 writes data in the high speed mode. This data writing is performed at high speed by repeating the writing to the buffer to the I / O controller 205 and the memory array 201 and every 8 bits.

このように、本実施例の記憶装置20は、データと同期するクロック信号に含まれる特定のパルスの長さに基づいて通信制御モードの切り替えが行われるので、ホストコンピュータ10に変更を加えることなく通信モードの自動切り替えが可能となる。これにより、特に高速不揮発性メモリの普及期において、高速不揮発性メモリと低速不揮発性メモリが混在するような場合にも互角性を確保して円滑な高速不揮発性メモリの普及を実現することができる。なお、本実施例では、高速モードと低速互換モードとは、それぞれ特許請求の範囲における「高速制御モード」と「低速制御モード」とに相当する。   As described above, the storage device 20 according to the present embodiment switches the communication control mode based on the length of the specific pulse included in the clock signal synchronized with the data, so that the host computer 10 is not changed. Automatic switching of communication mode is possible. As a result, particularly in the period when high-speed non-volatile memories are popularized, even when high-speed non-volatile memories and low-speed non-volatile memories are mixed, it is possible to ensure the homogeneity and realize the smooth popularization of high-speed non-volatile memories. . In the present embodiment, the high speed mode and the low speed compatible mode correspond to the “high speed control mode” and the “low speed control mode” in the claims, respectively.

C.変形例:
なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、たとえば次のような変形も可能である。
C. Variation:
The present invention is not limited to the above-described examples and embodiments, and can be implemented in various modes without departing from the gist thereof. For example, the following modifications are possible.

C−1.上述の実施例では、記憶装置は、内部クロックを有しているが、外部から別途クロック信号が供給されるように構成されていても良い。 C-1. In the above-described embodiment, the storage device has an internal clock, but may be configured such that a separate clock signal is supplied from the outside.

C−2.上述の実施例では、高速モードでは、消去と書き込みの処理が分離されているが、低速互換モードと同様に消去と書き込みを逐次行うようにしても良い。 C-2. In the above-described embodiment, the erasing and writing processes are separated in the high-speed mode, but erasing and writing may be performed sequentially as in the low-speed compatibility mode.

C−3.上述の実施例では、特定のクロックのパルスの長さに基づいて通信制御モードを判別しているが、たとえば記憶装置の外部の機器であるホストコンピュータに通信モードの判別のための特定の回路(たとえばRC回路やジャンパ)を設けるようにしても良い。さらに、上述の実施例のように消去と書き込みの処理が分離されている場合には、「消去命令」の受信の有無に応じて通信制御モードを切り替えるようにしても良い。 C-3. In the above-described embodiment, the communication control mode is determined based on the pulse length of a specific clock. For example, a specific circuit (for determining the communication mode is provided to a host computer that is an external device of the storage device). For example, an RC circuit or a jumper may be provided. Further, when the erase and write processes are separated as in the above-described embodiment, the communication control mode may be switched according to whether or not the “erase command” has been received.

本発明で使用する通信制御部は、一般に、外部機器から受信した受信信号に応じて、通信制御モードを自動的に切り替えることができるように構成されていれば良い。   In general, the communication control unit used in the present invention only needs to be configured so that the communication control mode can be automatically switched in accordance with a received signal received from an external device.

C−4.上述の実施例では、高速モードにおいて、最初にバッファされるデータの内容に基づいて「消去」と「データの書き込み」のいずれかが決定されているが、たとえば特定のクロックのパルスの長さに基づいて決定するようにしても良い。 C-4. In the above-described embodiment, in the high-speed mode, either “erase” or “data write” is determined based on the contents of the first buffered data. For example, the pulse length of a specific clock is determined. It may be determined based on this.

C−5.上述の実施例では、メモリアレイ201は、フラッシュメモリその他の消去処理が必要なメモリであるが、たとえばMRAMやFeRAMといったオーバーライトが可能で消去処理が不要なメモリであっても良い。ただし、この場合には、I/Oコントローラ205は、たとえば消去処理が要求されるコマンドを無効化するように構成されていることが好ましい。 C-5. In the above-described embodiment, the memory array 201 is a flash memory or other memory that needs to be erased, but may be a memory that can be overwritten, such as MRAM or FeRAM, and does not need to be erased. However, in this case, the I / O controller 205 is preferably configured to invalidate, for example, a command that requires erasure processing.

C−6.上述の実施例では、利用可能な通信制御モードには、メモリアレイ201がEEPROMその他の低速不揮発メモリであることを想定した低速互換モードと、フラッシュメモリその他の高速不揮発メモリであることを想定した高速モードと、の2つの通信モードがあるが、たとえばメモリアレイ201がRAMやFeRAMといったオーバーライトが可能なメモリであることを想定した3番目の通信制御モードがあっても良い。 C-6. In the above-described embodiment, the available communication control modes include a low-speed compatible mode that assumes that the memory array 201 is an EEPROM or other low-speed nonvolatile memory, and a high-speed that is assumed to be a flash memory or other high-speed nonvolatile memory. Mode, there may be a third communication control mode assuming that the memory array 201 is an overwritable memory such as RAM or FeRAM.

本発明では、一般に、通信制御モードは、比較的に高速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの高速書き込みを行うための高速制御モードと、比較的に低速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの低速書き込みを行うための低速制御モードとを含むように構成されていれば良く、通信制御モードの数は問わない。   In the present invention, in general, the communication control mode includes a high-speed control mode for performing high-speed data writing to a non-volatile memory capable of relatively high-speed data writing, and a relatively low-speed data writing. The number of communication control modes is not limited as long as it is configured to include a low-speed control mode for performing low-speed data writing to a possible non-volatile memory.

本発明の機能の一部または全部がソフトウェアで実現される場合には、そのソフトウェア(コンピュータプログラム)は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納された形で提供することができる。この発明において、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスクやCD−ROMのような携帯型の記録媒体に限らず、各種のRAMやROM等のコンピュータ内の内部記憶装置や、ハードディスク等のコンピュータに固定されている外部記憶装置も含んでいる。   When some or all of the functions of the present invention are realized by software, the software (computer program) can be provided in a form stored in a computer-readable recording medium. In the present invention, the “computer-readable recording medium” is not limited to a portable recording medium such as a flexible disk or a CD-ROM, but an internal storage device in a computer such as various RAMs and ROMs, a hard disk, and the like. An external storage device fixed to the computer is also included.

本発明の実施例における複数の記憶装置とホストコンピュータを含む記憶システムの構成例を示す説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a configuration example of a storage system including a plurality of storage devices and a host computer according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例における記憶装置20の内部回路構成を示すブロック図。The block diagram which shows the internal circuit structure of the memory | storage device 20 in the Example of this invention. ホストコンピュータ10から記憶装置が受信するデータフィールド。A data field received by the storage device from the host computer 10. 本発明の実施例において各記憶装置20、21、22、23、24が行う処理の内容を示すフローチャート。The flowchart which shows the content of the process which each memory | storage device 20, 21, 22, 23, 24 performs in the Example of this invention. ホストコンピュータ10によって指定された記憶装置20が行う書き込み処理の内容を示すフローチャート。5 is a flowchart showing the contents of a write process performed by the storage device 20 designated by the host computer 10. 低速互換モードにおけるリセット信号RST、クロック信号SCK、およびデータ信号CDAの時間的関係を示すタイミングチャート。4 is a timing chart showing a temporal relationship among a reset signal RST, a clock signal SCK, and a data signal CDA in a low-speed compatible mode. ホストコンピュータ10によって指定された記憶装置20が行う高速モードの内容を示すフローチャート。4 is a flowchart showing the contents of a high-speed mode performed by the storage device 20 designated by the host computer 10. 高速モードでの消去処理におけるリセット信号RST、クロック信号SCK、およびデータ信号CDAの時間的関係を示すタイミングチャート。4 is a timing chart showing a temporal relationship among a reset signal RST, a clock signal SCK, and a data signal CDA in an erasing process in a high speed mode. 高速モードでの書き込み処理におけるリセット信号RST、クロック信号SCK、およびデータ信号CDAの時間的関係を示すタイミングチャート。5 is a timing chart showing a temporal relationship among a reset signal RST, a clock signal SCK, and a data signal CDA in a writing process in a high-speed mode.

符号の説明Explanation of symbols

10…ホストコンピュータ
20、21、22、23、24…記憶装置
200…メモリモジュール基板
201…メモリアレイ
202…アドレスカウンタ
203…IDコンパレータ
204…オペレーションコードデコーダ
205…I/Oコントローラ
305…内部クロック
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Host computer 20, 21, 22, 23, 24 ... Storage device 200 ... Memory module board 201 ... Memory array 202 ... Address counter 203 ... ID comparator 204 ... Operation code decoder 205 ... I / O controller 305 ... Internal clock

Claims (8)

外部機器との通信における通信制御モードの切替が可能な記憶装置であって、
前記通信制御モードは、比較的に高速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの高速書き込みを行うための高速制御モードと、比較的に低速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの低速書き込みを行うための低速制御モードとを含み、
前記記憶装置は、
前記高速制御モードと前記低速制御モードのいずれのモードによっても書き込みが可能な不揮発性メモリと、
前記外部機器から受信した受信信号に応じて、前記通信制御モードを自動的に切り替える通信制御部と、
を備えることを特徴とする、記憶装置。
A storage device capable of switching the communication control mode in communication with an external device,
The communication control mode includes a high-speed control mode for performing high-speed data writing to a non-volatile memory capable of writing data at a relatively high speed, and a non-volatile memory capable of writing data at a relatively low speed. Including a low-speed control mode for performing low-speed data writing,
The storage device
A non-volatile memory capable of writing in any of the high-speed control mode and the low-speed control mode;
In accordance with a received signal received from the external device, a communication control unit that automatically switches the communication control mode,
A storage device comprising:
請求項1記載の記憶装置であって、
前記受信信号は、前記記憶装置に書き込むべきデータと同期して受信されるクロック信号を含み、
前記通信制御部は、前記クロック信号に含まれる特定のパルスの長さに基づいて前記切り替えを行う、記憶装置。
The storage device according to claim 1,
The received signal includes a clock signal received in synchronization with data to be written to the storage device,
The said communication control part is a memory | storage device which performs the said switching based on the length of the specific pulse contained in the said clock signal.
請求項2記載の記憶装置であって、
前記記憶装置は、クロック信号線、データ信号線、およびリセット信号線と接続されており、
前記クロック信号線は、前記クロック信号の受信のための配線であり、
前記データ信号線は、前記データの送受信のための配線であり、
前記リセット信号線は、前記記憶装置を初期化するためのリセット信号を受信するための配線であり、
前記特定のパルスは、前記リセット信号を受信した後に所定の番目に受信されるパルスである、記憶装置。
The storage device according to claim 2,
The storage device is connected to a clock signal line, a data signal line, and a reset signal line,
The clock signal line is a wiring for receiving the clock signal;
The data signal line is a wiring for transmitting and receiving the data,
The reset signal line is a wiring for receiving a reset signal for initializing the storage device,
The storage device according to claim 1, wherein the specific pulse is a pulse received a predetermined number after receiving the reset signal.
請求項1ないし3のいずれかに記載の記憶装置であって、
前記高速制御モードは、前記不揮発性メモリの書き込みの対象となる特定の領域に格納されたデータを一括して消去した後に、前記特定の領域に前記高速書き込みを行うモードである、記憶装置。
The storage device according to any one of claims 1 to 3,
The high-speed control mode is a storage device in which the high-speed writing is performed in the specific area after erasing data stored in the specific area to be written in the nonvolatile memory in a batch.
消耗品容器であって、
請求項1ないし4のいずれかに記載の記憶装置と、
前記消耗品を格納する消耗品格納部と、
を備えることを特徴とする、消耗品容器。
A consumable container,
A storage device according to any one of claims 1 to 4,
A consumable storage unit for storing the consumables;
A consumable container, comprising:
請求項5記載の消耗品容器であって、
前記消耗品は、インクジェットプリンタに供給するためのインクである、消耗品容器。
The consumable container according to claim 5,
The consumable item is a consumable item container that is ink to be supplied to an inkjet printer.
比較的に高速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの高速書き込みを行うための高速制御モードと、比較的に低速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの低速書き込みを行うための低速制御モードの切替方法であって、
(a)前記高速制御モードと前記低速制御モードのいずれのモードによっても書き込みが可能な不揮発性メモリを準備する工程と、
(b)前記外部機器から受信した受信信号に応じて、前記通信制御モードを自動的に切り替える工程と、
を備えることを特徴とする、通信制御モードの切替方法。
High-speed control mode for high-speed data writing to non-volatile memory capable of relatively high-speed data writing, and low-speed data for non-volatile memory capable of relatively low-speed data writing A method of switching a low-speed control mode for writing,
(A) preparing a nonvolatile memory capable of writing in any of the high-speed control mode and the low-speed control mode;
(B) automatically switching the communication control mode according to a received signal received from the external device;
A method for switching a communication control mode, comprising:
比較的に高速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの高速書き込みを行うための高速制御モードと、比較的に低速にデータの書き込みが可能な不揮発性メモリに対してデータの低速書き込みを行うための低速制御モードの切替処理を記憶装置に実行させるためのコンピュータプログラムであって、
前記記憶装置は、前記高速制御モードと前記低速制御モードのいずれのモードによっても書き込みが可能な不揮発性メモリを備え、
前記コンピュータプログラムは、前記外部機器から受信した受信信号に応じて、前記通信制御モードを自動的に切り替える機能を前記コンピュータに実現させるプログラムを備えることを特徴とする、コンピュータプログラム。
High-speed control mode for high-speed data writing to non-volatile memory capable of relatively high-speed data writing, and low-speed data for non-volatile memory capable of relatively low-speed data writing A computer program for causing a storage device to execute a low-speed control mode switching process for writing,
The storage device includes a nonvolatile memory that can be written in any of the high-speed control mode and the low-speed control mode,
The computer program comprises a program for causing the computer to realize a function of automatically switching the communication control mode in accordance with a received signal received from the external device.
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