JP2005079504A - 内部電極用金属レジネート組成物 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 25
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 5
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 3
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 3
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 3-(4-ethylcyclohexyl)propanoic acid 3-(3-ethylcyclopentyl)propanoic acid Chemical compound CCC1CCC(CCC(O)=O)C1.CCC1CCC(CCC(O)=O)CC1 HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTXXTMOWISPQSJ-UHFFFAOYSA-N 4,4,4-trifluorobutan-2-one Chemical compound CC(=O)CC(F)(F)F BTXXTMOWISPQSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 7,7-dimethyloctanoic acid Chemical compound CC(C)(C)CCCCCC(O)=O YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQACOLQNOUYJCE-FYZZASKESA-N Abietic acid Natural products CC(C)C1=CC2=CC[C@]3(C)[C@](C)(CCC[C@@]3(C)C(=O)O)[C@H]2CC1 BQACOLQNOUYJCE-FYZZASKESA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 1
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDFRDWFLWVCOGP-UHFFFAOYSA-N carbonothioic O,S-acid Chemical class OC(S)=O HDFRDWFLWVCOGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 1
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- UIEKYBOPAVTZKW-UHFFFAOYSA-L naphthalene-2-carboxylate;nickel(2+) Chemical compound [Ni+2].C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21 UIEKYBOPAVTZKW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
【課題】 印刷および乾燥の際にセラミック未焼成物質に影響を及ぼさず、焼成後は、薄くクラックのない緻密な金属層を形成する、積層セラミックコンデンサ用内部電極を製造するための金属レジネート組成物を提供する。
【解決手段】 (A)オクチル酸ニッケルなど、金属レジネート5〜80重量%、(B)例えばアーク放電法などで得られた、カーボンナノチューブ0.05〜5重量%を必須成分とする組成物であって、積層セラミックコンデンサの内部電極を作製するに適用されるものである金属レジネート組成物であり、また、この組成物に更に(C)アクリル樹脂など、有機バインダー0〜30重量%あるいは(D)BaTiO3 など、セラミック粉末0〜30重量%を含有する金属レジネート組成物でもある。
【選択図】 なし
【解決手段】 (A)オクチル酸ニッケルなど、金属レジネート5〜80重量%、(B)例えばアーク放電法などで得られた、カーボンナノチューブ0.05〜5重量%を必須成分とする組成物であって、積層セラミックコンデンサの内部電極を作製するに適用されるものである金属レジネート組成物であり、また、この組成物に更に(C)アクリル樹脂など、有機バインダー0〜30重量%あるいは(D)BaTiO3 など、セラミック粉末0〜30重量%を含有する金属レジネート組成物でもある。
【選択図】 なし
Description
本発明は、カーボンナノチューブを利用することによって均一で緻密な金属薄膜が得られるという、積層セラミックコンデンサの内部電極を作製するに適用される金属レジネート組成物に関する。
従来、通常の金属レジネートを用いてコンデンサ基材にメタライズする場合、導体の金属膜に部分的にクラックを生じることがあった。
この問題を解決するために、金のレジネート材料や0.5〜2%の範囲で有機バインダーを金属レジネートに添加することによって、クラックが低減できるという報告がなされている(特許文献1)。しかしながら、金属レジネート中の有機部分の揮発や有機バインダーを分解させるために、実際にはメタライズ化温度以上の温度を必要とし、とりわけ有機基材上での低温焼成を要する転写法の場合には適さなかった。
一方、カーボンナノチューブは、導電性(黒鉛より導電性が高い)、熱伝導性、電磁波シールド性等の機能性材料として、ポリイミドをはじめとする樹脂あるいはガラス等の無機化合物をマトリックスとして用い、それらを混合して前記機能を有する材料とする手法はここ数年公知である。しかし、未だ、カーボンナノチューブをクラック防止剤、とりわけ基材上に緻密な金属薄膜を容易に形成させるための組成物の一成分として用いた例はない。なお、カーボンナノチューブは、その歴史は浅く、またその特異な特性からして、多くの領域で利用することが期待されてはいる。その一例として、機能性被膜材料の分野に利用することが熱望されている。なかでも、ドクターブレード法等によって容易に均一な塗布ができ、焼成後、緻密な金属薄膜が容易に形成できる、カーボンナノチューブを利用した被覆用組成物が求められている。
特願平11−309300号明細書
上述したとおり、金属レジネート単独あるいは、有機バインダー等を添加して作った組成物をセラミック基材上に塗布し、塗布したセラミック基材を積層して焼成することにより積層セラミックコンデンサの内部電極としての金属薄膜を作ることができるが、このようにして形成した金属薄膜は、クラックができやすいことがあり、このクラックの解消が本発明の課題である。
本発明者らは、上記の課題を達成しようと鋭意研究をすすめた結果、積層セラミックコンデサ用内部電極を形成する金属レジネート組成物にカーボンナノチューブを配合することにより、所望の厚さで均一に容易に塗布し得て、均一で緻密な金属薄膜を容易に形成できるという目的が達成できることを見いだし、本発明を完成したものである。
また、カーボンナノチューブは、かなり高い温度まで酸化しにくいものとなっている。従って、メタライズをより高い温度で行えるので、金属レジネートの分解物や有機バインダーなどのビヒクルをほぼ完全に除去できるようにもなる。
即ち、本発明は、
(A)金属レジネート5〜80重量%、
(B)カーボンナノチューブ0.05〜5重量%および
を必須成分とする組成物であって、積層セラミックコンデンサの内部電極を作製するに適用されるものであることを特徴とする金属レジネート組成物であり、また、この組成物に更に(C)有機バインダー0〜30重量%あるいは(D)セラミック粉末0〜30重量%を含有する金属レジネート組成物でもある。
(A)金属レジネート5〜80重量%、
(B)カーボンナノチューブ0.05〜5重量%および
を必須成分とする組成物であって、積層セラミックコンデンサの内部電極を作製するに適用されるものであることを特徴とする金属レジネート組成物であり、また、この組成物に更に(C)有機バインダー0〜30重量%あるいは(D)セラミック粉末0〜30重量%を含有する金属レジネート組成物でもある。
本発明によれば、組成物にカーボンナノチューブを用いることにより、有機レジネートが150〜300℃で分解し、析出した金属表面のクラックをカーボンナノチューブが埋めることから、分子レベルの均一な金属を焼成面上で得ることができる。このため、セラミックグリーンシート表面にできる内部電極による凹凸は激減し、シート圧着時にシート全体に圧力が加わるので、シート間の接着性が向上する。その結果、より多くのセラミックグリーンシートを積層することができる。
以上のことから本発明は、薄膜電極を容易に製造することを可能とし、積層セラミックコンデンサの小形化、大容量化の要求を容易に満たし、かつ、クラック等の構造欠陥を抑制することができ、生産性と信頼性を大幅に向上させることができる。
本発明の金属レジネート組成物とそれを用いた金属化の実施の形態を以下に説明する。
本発明において、積層セラミックコンデンサの内部電極を形成する金属レジネート組成物は、下記に説明するような主成分の金属レジネート、カーボンナノチューブおよび有機溶剤からなる成分、更にはバインダー用ポリマーヤ、セラミック粉末を混合し、下記に示す条件によって混練、加熱、加圧することにより導電性ペースト状態で生成される。
本発明の金属レジネート組成物は、金属粒子を用いず、(A)金属レジネートを必須主成分としている。金属レジネートは熱分解性を有する金属有機化合物であって、好ましく使用できる金属レジネートとしては、2−エチルヘキサン酸、アビエチン酸、オレイン酸、ナフテン酸、リノレン酸、ネオデカン酸等の金属塩が挙げられるが、これ以外のスルホン酸塩、アルキルメルカプチド、アリールメルカプチド、メルカプトカルボン酸エステルなどの熱分解性を有する金属レジネートも使用できる。
本発明に用いる(A)金属レジネートとしては、上記の群から選択される1種または複数種の金属レジネートであり、金属レジネート以外には、アクリル樹脂等の有機バインダー樹脂、ガラス粉末、有機溶剤、チタン酸バリウム(BaTiO3 )等のセラミック粉末を含むことができる。本発明は、上記の金属レジネートを主成分とする金属塗料を使用することを特徴とする請求項1、2または3記載の積層セラミックコンデンサ製造のための組成物である。
最も好ましい貴金属レジネートとして、パラジウム、銀および金が、カルボン酸塩、スルホン酸塩、アルキルメルカプチド、アリールメルカプチド、メルカプトカルボン酸エステルの形で使用される。しかしまた、白金、ロジウム、ルテニウムおよびイリジウムのレジネートも用いることができる。卑金属レジネートとしては、例えば、ニッケル、ビスマス、亜鉛、コバルト、クロム、マンガン、チタン、ジルコニウム、錫、セリウム、珪素等を用いることができる。
前記(C)有機バインダーとしては、アクリル系樹脂、セルロース、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリウレタン系樹脂、または塩ビ系樹脂、酢ビ系樹脂が用いられる。その配合割合は、有機溶剤1重量部に対し、0.025〜0.1重量部である。これらの有機バインダーは、ペースト製造前に予め下記有機溶剤に溶解混合させておくことが望ましい。
本発明に用いる(B)カーボンナノチューブとしては、種々の既存のカーボンナノチューブを用いることができるが、実施例においては特開2000−63726の方法に従った。即ち、ヘリウムガス中で2本の炭素電極を1〜2mm程度離した状態で直流アーク放電を起こさせたときに、陽極側の炭素が蒸発して陰極側の炭素電極先端に凝集した堆積物中に形成される。即ち、炭素電極間の距離を1mmにして、ヘリウムガス中でアーク放電を持続させると、陽極の炭素電極の直径と殆ど同じ径の円柱状の堆積物が陰極先端に形成される。カーボンナノチューブは炭素で構成される、直径2〜50nm、長さ1〜10μmの円筒中空繊維状であり、上記アーク放電法のほか、化学気相成長法、熱分解法、レーザー蒸発法等によっても生成させることができる。また、カーボンナノチューブの上記電極形成性成分への配合割合は、必要に応じて適宜選択することができるが、一般に電極形成性成分100重量部に対して0.05〜5重量部である。
本発明に用いる金属薄膜用材料としては、(A)金属レジネート化合物と(B)カーボンナノチューブを必須成分とするが、本発明の目的に反しない限り、有機バインダー、ガラス、また必要に応じて有機溶剤、消泡剤、カップリング剤、その他化の添加剤や内部電極の焼結性を抑制するために、例えば粒径0.1μmのBaTiO3 等を共剤として配合することができる。
有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、エチルセロソルブ、シクロヘキサノン、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、α−テルピネオール、ベンジルアルコール等が挙げられ、これらは単独または2種以上混合して使用することができる。
本発明の金属レジネート組成物は、上述した各成分を常法に従い十分混合した後、さらにボールミル、ヘンシェルミキサー、オープンロールミキサー、バンバリー混合機等により混練処理を行うことができる。その後、減圧下脱泡して製造することがてきる。
得られた金属レジネート組成物は、グリーンシート上に、スクリーン印刷法、スピンコート法、ディッピングコート法、スプレーコート法、バーコート法、ロールコート法、インクジェット方式等、既存の塗布方法により電極パターン上に塗布・乾燥させるか、あるいは離型性を有する基材に同様に塗布・乾燥させてシート状にし、グリーンシートに転写させる方式で、グリーンシートと内部電極とを交互にその一端側では奇数番目の内部電極群の端面を、また他端側では偶数番目の内部電極群の端面をそれぞれ位置合せを行った後、多数枚積層させ、焼結させることにより、積層セラミックコンデンサを完成させる。
本発明の金属レジネート組成物を乾燥あるいは金属化させて形成された金属膜は、優れた電気伝導性を有する。従って、本発明の金属レジネート組成物は、電極をはじめとして種々の電子機器部品分野に好適に使用することができる。
次に、本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。以下の実施例および比較例において、「部」とは「重量部」を意味する。
アクリル樹脂3部を、ベンジルアルコール25部、α−テルピネオール20部中で100℃,1時間で溶解を行い粘稠な樹脂を得た。この樹脂48部に、オクチル酸ニッケル40部を加え、これにカーボンナノチューブ1部、粒径0.1μmのBaTiO3 を2部、粘度調整用にブチルセロソルブ10部を混合し、さらに80℃,1時間の混合処理を行い、ニッケルレジネート塗料を調製した。
アクリル樹脂3部を、ベンジルアルコール25部、ジエチレングリコールモノブチルエーテル20部中で100℃,1時間で溶解を行い、粘稠な樹脂を得た。この樹脂48部に、ナフテン酸ニッケル40部、カーボンナノチューブ2部を加え、粘度調整用にブチルセロソルブ12部を混合し、さらに80℃,1時間の混合処理を行い、ニッケルレジネート塗料を調製した。
エチルセルロース樹脂10部を、α−テルピネオール90部中で90℃,4時間で溶解を行い、粘稠な樹脂を得た。この樹脂30部に、SEM粒径0.5μm,比表面積1.9m2 /g,タップ密度5.8g/cm2 の球状ニッケル粉を50部、内部電極の焼結性を抑制するために粒径0.1μmのBaTiO3 を10部、粘度調整用にブチルセロソルブ10部を混合し、さらにチルド三本ロールにより混合処理を行い、減圧脱泡してニッケルペーストを調製した。
別途、BaTiO3 を主成分とする誘電体粉末120部、ポリビニルブチラール樹脂30部、ブチルカルビトール150部、フタル酸ジオクチル4部を配合し、チルドロールで混練してセラミック誘電体層用スラリーを作成した。このスラリーを用いてドクターブレード法で、所定の厚さのセラミックグリーンシートを作成した。
実施例1〜2で作成したニッケルレジネート塗料および比較例で作成したニッケルペーストを、前記セラミックグリーンシート上に所定の厚さになるように印刷してオーブンで乾燥させた。これらの内部電極を印刷したセラミックグリーンシートを150層積層し、熱圧着により1.0t/cm2 の圧力で各セラミックグリーンシートを接着し、グリーン基板を形成した。
実施例1のニッケルレジネート塗料を、離型処理を施した基材(PET)上に、ドクターブレード法で乾燥後の膜厚が所定の厚さになるように塗布乾燥し、導電性フィルムを得た。この導電性フィルムから基材を剥離して、セラミックグリーンシート上に転写し、セラミックグリーンシートと導電性フィルムのセットを150層積層し、熱圧着により1.0t/cm2 の圧力で各セラミックグリーンシートを接着し、グリーン基板を形成した。
以上のようにして完成した実施例1〜3および比較例の未焼成セラミック基板(グリーン基板)をチップ状に切断し、グリーンチップを得た。このグリーンチップを280℃の空気で8時間脱脂処理後に酸素濃度を制御したN2 +H2 雰囲気で1250℃にて焼成処理し、外部電極としてCuペーストを塗布焼付けし、その後Ni、Snを電気メッキして、内部電極厚み0.1〜1.0μm、セラミック誘電体層厚み4〜8μm、積層数150層で1.6×1.6×3.2mmの積層セラミックコンデンサを作製した。
得られた積層セラミックコンデンサについて、断面研磨による焼成後の内部欠陥発生率(サンプル数1000個に対するクラック発生数)を調べた。その結果を表1に示した。表1からも明らかなように、本発明は、内部電極厚み0.1〜1.5μm、セラミック誘電体層厚み4〜8μmの範囲で150層以上の積層が可能であり、金属ニッケル粉を充填した従来のニッケルペーストと比較すると、積層セラミックコンデンサの高積層化に有効であり、本発明の効果が確認することができた。
Claims (3)
- (A)金属レジネート5〜80重量%、
(B)カーボンナノチューブ0.05〜5重量%および
を必須成分とする組成物であって、積層セラミックコンデンサの内部電極を作製するに適用されるものであることを特徴とする金属レジネート組成物。 - 請求項1記載の組成物に更に(C)有機バインダー0〜30重量%を含有する請求項1記載の金属レジネート組成物。
- 請求項1又は2記載の組成物に更に(D)セラミック粉末0.1〜30重量%を含有する請求項1又は2記載の金属レジネート組成物。
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ID=34412833
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| KR20180053603A (ko) * | 2018-05-02 | 2018-05-23 | 삼성전기주식회사 | 내부 전극, 및 상기 내부 전극을 포함하는 적층형 세라믹 캐패시터 |
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| US12500033B2 (en) * | 2022-11-21 | 2025-12-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor including metal-carbon composite |
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- 2003-09-03 JP JP2003311217A patent/JP2005079504A/ja active Pending
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