[go: up one dir, main page]

JP2005079250A - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2005079250A
JP2005079250A JP2003306187A JP2003306187A JP2005079250A JP 2005079250 A JP2005079250 A JP 2005079250A JP 2003306187 A JP2003306187 A JP 2003306187A JP 2003306187 A JP2003306187 A JP 2003306187A JP 2005079250 A JP2005079250 A JP 2005079250A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pod
wafer
loading
port
unloading port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003306187A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Ogawa
洋行 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2003306187A priority Critical patent/JP2005079250A/en
Publication of JP2005079250A publication Critical patent/JP2005079250A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】ポッドの開放時におけるウエハへの自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着、筐体内側空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生を防止する。
【解決手段】ドア10aがウエハ出し入れ口10bに着脱自在に装着されるポッド10を取り扱うバッチ式CVD装置において、ドア10aを着脱するポッドオープナ20がポッド10に対してウエハ9を出し入れするポートに設けられており、ポッドオープナ20のチャンバ60には窒素ガス64を噴出するノズル66を備えた給気管65が挿入され、ノズル66は窒素ガス64をウエハ出し入れ口10bの片側から反対側に向けて20度〜30度の傾斜角Θをもってウエハ収納室10cに噴き込み、反対側に達した窒素ガス64の流れをウエハ収納室10cの奥側に反射させてウエハ出し入れ口10bに戻すように構成されている。
【選択図】 図11
An object of the present invention is to prevent the occurrence of adverse effects such as deposition of a natural oxide film on a wafer, adhesion of particles, contamination of a space inside a housing, and increase in oxygen concentration when a pod is opened.
In a batch type CVD apparatus that handles a pod 10 in which a door 10a is detachably mounted in a wafer loading / unloading port 10b, a pod opener 20 for detaching the door 10a is provided at a port for loading / unloading a wafer 9 into / from the pod 10. An air supply pipe 65 having a nozzle 66 for ejecting nitrogen gas 64 is inserted into the chamber 60 of the pod opener 20, and the nozzle 66 directs the nitrogen gas 64 from one side to the opposite side of the wafer loading / unloading port 10b. It is configured such that it is injected into the wafer storage chamber 10c with an inclination angle Θ of 30 ° to 30 °, and the flow of the nitrogen gas 64 reaching the opposite side is reflected back to the back side of the wafer storage chamber 10c and returned to the wafer loading / unloading port 10b. Yes.
[Selection] FIG.

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に、ドアを有するキャリアを開閉する技術に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路を作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したりするバッチ式縦形拡散・CVD装置に利用して有効なものに関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a technique for opening and closing a carrier having a door. For example, in a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC), a semiconductor integrated circuit including a semiconductor element is incorporated. The present invention relates to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) that is effective for use in a batch type vertical diffusion / CVD apparatus for forming a CVD film such as an insulating film or a metal film or diffusing impurities.

基板処理装置の一例であるバッチ式縦形拡散・CVD装置(以下、バッチ式CVD装置という。)においては、複数枚のウエハがキャリア(ウエハ収納容器)に収納された状態で扱われる。従来のこの種のキャリアとしては、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオープンカセットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成されて開口面にドアが着脱自在に装着されているFOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)とがある。   In a batch type vertical diffusion / CVD apparatus (hereinafter referred to as a batch type CVD apparatus) which is an example of a substrate processing apparatus, a plurality of wafers are handled in a state of being stored in a carrier (wafer storage container). Conventional carriers of this type include an open cassette that is formed in a substantially cubic box shape with a pair of opposite faces open, and a substantially cubic box shape that is open on one face. There is a FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as a pod) in which a door is detachably mounted on the surface.

ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度は維持することができる。したがって、バッチ式CVD装置が設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなるために、クリーンルームに要するコストを低減することができる。そこで、最近のバッチ式CVD装置においてはウエハのキャリアとしてポッドが使用されて来ている。   When a pod is used as a wafer carrier, the wafer is transported in a sealed state, so that the cleanliness of the wafer can be maintained even if particles are present in the surrounding atmosphere. it can. Therefore, since it is not necessary to set the cleanliness in the clean room where the batch-type CVD apparatus is installed, the cost required for the clean room can be reduced. Therefore, pods have been used as wafer carriers in recent batch type CVD apparatuses.

ウエハのキャリアとしてポッドを使用するバッチ式CVD装置においては、ドアを着脱してポッドのウエハ出し入れ口を開閉するポッド開閉装置(以下、ポッドオープナという。)が、ポッドに対してウエハを出し入れするためのウエハ授受ポートに設置されている。従来のこの種のポッドオープナはポッドを保持する載置台と、載置台が保持したポッドのドアを保持するクロージャとを備えており、クロージャがドアを保持した状態でポッドに対して進退することにより、ドアをポッドのウエハ出し入れ口に対して着脱するように構成されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−7801号公報
In a batch-type CVD apparatus that uses a pod as a wafer carrier, a pod opening / closing device (hereinafter referred to as a pod opener) that opens and closes a pod wafer loading / unloading port by attaching / detaching a door is used to load / unload a wafer into / from the pod Is installed at the wafer transfer port. This type of conventional pod opener has a mounting table for holding the pod and a closure for holding the door of the pod held by the mounting table, and the closure moves forward and backward with respect to the pod while holding the door. The door is configured to be attached to and detached from the wafer inlet / outlet of the pod (see, for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-7801

従来のバッチ式CVD装置においては、ポッドがポッドオープナによって開放されると、ポッドのウエハ収納室が大気雰囲気に晒される状態になるため、ウエハ収納室に収納されたウエハに自然酸化膜が堆積したりパーティクルが付着したりする場合がある。そこで、ポッドのウエハ収納室に不活性ガスを充填する場合があるが、ポッドのウエハ収納室は大気雰囲気になっているのが通例である。大気雰囲気になっている場合には、ポッドが開放された際に、ポッドのウエハ収納室の大気がバッチ式CVD装置におけるウエハ授受ポートの内側空間に侵入してしまうため、内側空間を汚染したり酸素濃度を上昇させてしまうという問題点が発生する。   In the conventional batch type CVD apparatus, when the pod is opened by the pod opener, the wafer storage chamber of the pod is exposed to the air atmosphere, so that a natural oxide film is deposited on the wafer stored in the wafer storage chamber. Or particles may adhere. Thus, the wafer storage chamber of the pod may be filled with an inert gas, but the wafer storage chamber of the pod is usually in an air atmosphere. When the pod is opened, the atmosphere in the wafer storage chamber of the pod will enter the inner space of the wafer transfer port in the batch type CVD apparatus when the pod is opened. The problem of increasing the oxygen concentration occurs.

本発明の目的は、基板の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着、内側空間の汚染や酸素濃度の上昇等のポッドの開放時における弊害の発生を防止することができる基板処理装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing the occurrence of harmful effects when the pod is opened, such as deposition of a natural oxide film on a substrate, adhesion of particles, contamination of an inner space, and an increase in oxygen concentration. It is in.

前記した課題を解決するための手段は、複数枚の基板が基板出し入れ口から収納されこの基板出し入れ口にはドアが着脱自在に装着されたキャリアを取り扱う基板処理装置であって、前記キャリアに対して前記基板を出し入れする基板授受ポートが設けられているとともに、この基板授受ポートには前記ドアを着脱して前記キャリアを開閉するキャリア開閉装置が設けられており、前記基板授受ポートには前記キャリアの前記基板出し入れ口を被覆するチャンバが設置され、このチャンバには前記キャリアの内部に前記基板出し入れ口から不活性ガスを導入させる給気管が接続されており、
前記給気管は前記キャリアの一方の側面側から他方の側面側に向けて前記不活性ガスを噴出し、前記他方の側面に達した前記不活性ガスの流れが前記キャリアの奥側に反射するように配置されていることを特徴とする。
Means for solving the above-mentioned problem is a substrate processing apparatus for handling a carrier in which a plurality of substrates are accommodated from a substrate loading / unloading port and a door is detachably attached to the substrate loading / unloading port. A substrate transfer port for inserting and removing the substrate, and a carrier opening and closing device for opening and closing the carrier by attaching and detaching the door to the substrate transfer port. A chamber for covering the substrate loading / unloading port is installed, and an air supply pipe for introducing an inert gas from the substrate loading / unloading port to the inside of the carrier is connected to the chamber,
The air supply pipe ejects the inert gas from one side surface of the carrier toward the other side surface, and the flow of the inert gas reaching the other side surface is reflected to the back side of the carrier. It is characterized by being arranged in.

前記した手段によれば、ドアが外されてキャリアの基板出し入れ口が開放された際に、チャンバに不活性ガスを供給することにより、不活性ガスをキャリアの内部に基板出し入れ口から流通させて不活性ガスによってパージすることができるため、基板の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着、内側空間の汚染や酸素濃度の上昇等のポッドの開放時における弊害の発生を防止することができる。この際、不活性ガスはキャリアの片側から他の片側に向けて噴出され、キャリアの内部の隅々まで行き渡るために、キャリアの内部の空気を確実に排出して充満することができる。   According to the above means, when the door is removed and the substrate loading / unloading port of the carrier is opened, an inert gas is supplied to the chamber so that the inert gas is circulated into the carrier from the substrate loading / unloading port. Since it can be purged with an inert gas, it is possible to prevent the occurrence of harmful effects at the time of opening the pod, such as deposition of a natural oxide film on the substrate, adhesion of particles, contamination of the inner space, and increase in oxygen concentration. At this time, the inert gas is ejected from one side of the carrier toward the other side and reaches every corner inside the carrier, so that the air inside the carrier can be reliably discharged and filled.

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、バッチ式CVD装置すなわちバッチ式縦形拡散・CVD装置として図1に示されているように構成されている。図1に示されているバッチ式CVD装置1は気密室構造に構築された筐体2を備えている。筐体2内の一端部(以下、後端部とする。)の上部にはヒータユニット3が垂直方向に据え付けられており、ヒータユニット3の内部にはプロセスチューブ4が同心に配置されている。プロセスチューブ4にはプロセスチューブ4内に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管5と、プロセスチューブ4内を真空排気するための排気管6とが接続されている。筐体2の後端部の下部にはボートエレベータ7が設置されており、ボートエレベータ7はプロセスチューブ4の真下に配置されたボート8を垂直方向に昇降させるように構成されている。ボート8は多数枚のウエハ9を中心を揃えて水平に配置した状態で支持して、プロセスチューブ4の処理室に対して搬入搬出するように構成されている。   In the present embodiment, the substrate processing apparatus according to the present invention is configured as a batch type CVD apparatus, that is, a batch type vertical diffusion / CVD apparatus, as shown in FIG. The batch type CVD apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a housing 2 constructed in an airtight chamber structure. A heater unit 3 is installed in the vertical direction above one end (hereinafter referred to as a rear end) in the housing 2, and a process tube 4 is disposed concentrically inside the heater unit 3. . Connected to the process tube 4 are a gas introduction pipe 5 for introducing a raw material gas, a purge gas and the like into the process tube 4 and an exhaust pipe 6 for evacuating the inside of the process tube 4. A boat elevator 7 is installed at a lower portion of the rear end portion of the housing 2, and the boat elevator 7 is configured to raise and lower a boat 8 arranged directly below the process tube 4 in the vertical direction. The boat 8 is configured to support a large number of wafers 9 in a state where they are horizontally aligned with their centers aligned, and to carry in and out of the processing chamber of the process tube 4.

筐体2の正面壁にはポッド出し入れ口(図示せず)が開設されており、ポッド出し入れ口はフロントシャッタによって開閉されるようになっている。ポッド出し入れ口にはポッド10の位置合わせを実行するポッドステージ11が設置されており、ポッド10はポッド出し入れ口を通してポッドステージ11に出し入れされるようになっている。   A pod loading / unloading port (not shown) is opened on the front wall of the housing 2, and the pod loading / unloading port is opened and closed by a front shutter. A pod stage 11 for performing positioning of the pod 10 is installed at the pod loading / unloading port, and the pod 10 is inserted into and removed from the pod stage 11 through the pod loading / unloading port.

筐体2内の前後方向の中央部の上部には回転式のポッド棚12が設置されており、回転式のポッド棚12は合計十六個のポッド10を保管するように構成されている。すなわち、回転式のポッド棚12は略卍形状に形成された四段の棚板が上下方向に配置されて水平面内で回転自在に支承されており、モータ等の間欠回転駆動装置(図示せず)によってピッチ送り的に一方向に回転されるようになっている。筐体2内のポッド棚12の下側には基板としてのウエハ9をポッド10に対して授受するためのウエハ授受ポート13が一対、垂直方向に上下二段に配置されて設置されており、両ウエハ授受ポート13、13には後記するポッドオープナ20がそれぞれ設置されている。   A rotary pod shelf 12 is installed in the upper part of the central portion in the front-rear direction in the housing 2, and the rotary pod shelf 12 is configured to store a total of 16 pods 10. That is, the rotary pod shelf 12 has four steps of shelves formed in a substantially bowl shape and is arranged in the vertical direction so as to be rotatably supported in a horizontal plane, and an intermittent rotation drive device such as a motor (not shown). ) Is rotated in one direction in a pitch feed manner. Below the pod shelf 12 in the housing 2, a pair of wafer transfer ports 13 for transferring a wafer 9 as a substrate to the pod 10 are installed in two vertical stages. Both wafer transfer ports 13 and 13 are respectively provided with pod openers 20 described later.

筐体2内のポッドステージ11とポッド棚12およびウエハ授受ポート13との間には、ポッド搬送装置14が設置されており、ポッド搬送装置14はポッドステージ11とポッド棚12およびウエハ授受ポート13との間、およびポッド棚12とウエハ授受ポート13との間でポッド10を搬送するように構成されている。また、ウエハ授受ポート13とボート8との間にはウエハ移載装置15が設置されており、ウエハ移載装置15はウエハ授受ポート13とボート8との間でウエハ9を搬送するように構成されている。さらに、ボートエレベータ7の脇にはボートチェンジャ16が設置されており、ボートチェンジャ16は二台のボート8、8をボートエレベータ7に対して入れ替えるように構成されている。   A pod transfer device 14 is installed between the pod stage 11 in the housing 2, the pod shelf 12, and the wafer transfer port 13, and the pod transfer device 14 includes the pod stage 11, the pod shelf 12, and the wafer transfer port 13. And the pod 10 between the pod shelf 12 and the wafer transfer port 13. A wafer transfer device 15 is installed between the wafer transfer port 13 and the boat 8, and the wafer transfer device 15 is configured to transfer the wafer 9 between the wafer transfer port 13 and the boat 8. Has been. Further, a boat changer 16 is installed beside the boat elevator 7, and the boat changer 16 is configured to replace two boats 8 and 8 with respect to the boat elevator 7.

上下のウエハ授受ポート13、13に設置されたポッドオープナ20、20は同一に構成されているため、ポッドオープナ20の構成については上段のウエハ授受ポート13に設置されたものについて説明する。   Since the pod openers 20 and 20 installed in the upper and lower wafer transfer ports 13 and 13 have the same configuration, the configuration of the pod opener 20 will be described for the upper wafer transfer port 13.

図1に示されているように、キャリア開閉装置としてのポッドオープナ20は筐体2内においてウエハ授受ポート13とウエハ移載装置15とを仕切るように垂直に立脚された側壁をなすベース21を備えている。図2および図3に示されているように、ベース21にはポッド10のドア10aに対して若干大きめに相似する四角形に形成されたウエハ出し入れ口22が開設されている。ベース21は上下のポッドオープナ20、20で共用されているため、ベース21には上下で一対のウエハ出し入れ口22、22が垂直方向で縦に並ぶように開設されている。   As shown in FIG. 1, a pod opener 20 as a carrier opening / closing device has a base 21 that forms a side wall vertically standing so as to partition the wafer transfer port 13 and the wafer transfer device 15 in the housing 2. I have. As shown in FIGS. 2 and 3, the base 21 is provided with a wafer loading / unloading port 22 formed in a rectangular shape that is slightly larger than the door 10 a of the pod 10. Since the base 21 is shared by the upper and lower pod openers 20, 20, a pair of wafer loading / unloading ports 22, 22 are opened on the base 21 so as to be vertically arranged in the vertical direction.

図2に示されているように、ベース21のウエハ授受ポート13側の主面(以下、正面とする。)におけるウエハ出し入れ口22の下側には、アングル形状の支持台23が水平に固定されており、支持台23の平面視の形状は一部が切り欠かれた略正方形の枠形状に形成されている。支持台23の上面には一対のガイドレール24、24がベース21の正面と平行方向(以下、左右方向とする。)に配置されて、ベース21の正面と直角方向(以下、前後方向とする。)に延在するように敷設されており、左右のガイドレール24、24には載置台27が複数個のガイドブロック25を介して前後方向に摺動自在に支承されている。載置台27は支持台23の上面に据え付けられたエアシリンダ装置26によって前後方向に往復移動されるようになっている。   As shown in FIG. 2, an angle-shaped support base 23 is fixed horizontally below the wafer loading / unloading port 22 on the main surface (hereinafter referred to as the front surface) of the base 21 on the wafer transfer port 13 side. The shape of the support base 23 in plan view is a substantially square frame shape with a part cut away. A pair of guide rails 24, 24 are arranged on the upper surface of the support base 23 in a direction parallel to the front surface of the base 21 (hereinafter referred to as the left-right direction), and are perpendicular to the front surface of the base 21 (hereinafter referred to as the front-rear direction). The mounting table 27 is supported on the left and right guide rails 24 and 24 through a plurality of guide blocks 25 so as to be slidable in the front-rear direction. The mounting table 27 is reciprocated in the front-rear direction by an air cylinder device 26 installed on the upper surface of the support table 23.

図2に示されているように、載置台27は一部が切り欠かれた略正方形の枠形状に形成されており、載置台27の上面には位置決めピン28が三本、正三角形の頂点に配置されて垂直に突設されている。三本の位置決めピン28はポッド10が図3に示されているように載置台27の上に載置された状態において、ポッド10の下面に没設された三箇所の位置決め凹部(図示せず)に嵌入するようになっている。   As shown in FIG. 2, the mounting table 27 is formed in a substantially square frame shape with a part cut away, and three positioning pins 28 are provided on the upper surface of the mounting table 27, and are apexes of an equilateral triangle. It is arranged in the vertical projection. The three positioning pins 28 have three positioning recesses (not shown) submerged in the lower surface of the pod 10 in a state where the pod 10 is mounted on the mounting table 27 as shown in FIG. ).

図4に示されているように、ベース21のウエハ移載装置15側の主面(以下、背面とする。)におけるウエハ出し入れ口22の下側には、ガイドレール30が左右方向に水平に敷設されており、ガイドレール30にはアングル形状に形成された左右方向移動台31が、左右方向に往復移動し得るように摺動自在に支承されている。左右方向移動台31の垂直部材にはエアシリンダ装置32が左右方向に水平に据え付けられており、エアシリンダ装置32のピストンロッド32aの先端はベース21に固定されている。すなわち、左右方向移動台31はエアシリンダ装置32の往復作動によって左右方向に往復駆動されるようになっている。   As shown in FIG. 4, a guide rail 30 is horizontally arranged in the left-right direction below the wafer loading / unloading port 22 on the main surface (hereinafter referred to as the back surface) of the base 21 on the wafer transfer device 15 side. The guide rail 30 is supported by a guide rail 30 in a slidable manner so that it can move back and forth in the left-right direction. An air cylinder device 32 is installed horizontally on the vertical member of the left / right moving base 31 in the left / right direction, and the tip of the piston rod 32 a of the air cylinder device 32 is fixed to the base 21. That is, the left-right moving table 31 is reciprocated in the left-right direction by the reciprocating operation of the air cylinder device 32.

図5に示されているように、左右方向移動台31の水平部材の上面には一対のガイドレール33、33が左右に配されて前後方向に延在するように敷設されており、両ガイドレール33、33には前後方向移動台34が前後方向に往復移動し得るように摺動自在に支承されている。前後方向移動台34の片側端部にはガイド孔35が左右方向に延在するように開設されている。左右方向移動台31の一側面にはブラケット36が固定されており、ブラケット36にはロータリーアクチュエータ37が垂直方向上向きに据え付けられている。ロータリーアクチュエータ37のアーム37aの先端に垂直に立脚されたガイドピン38は、前後方向移動台34のガイド孔35に摺動自在に嵌入されている。すなわち、前後方向移動台34はロータリーアクチュエータ37の往復回動によって前後方向に往復駆動されるように構成されている。   As shown in FIG. 5, a pair of guide rails 33, 33 are arranged on the upper surface of the horizontal member of the left-right direction moving base 31 so as to extend in the front-rear direction. A rail 34 is slidably supported on the rails 33 and 33 so as to reciprocate in the front-rear direction. A guide hole 35 is formed at one end of the front-rear direction moving table 34 so as to extend in the left-right direction. A bracket 36 is fixed to one side surface of the left-right direction moving base 31, and a rotary actuator 37 is installed on the bracket 36 in the vertical direction upward. A guide pin 38 standing vertically on the tip of the arm 37 a of the rotary actuator 37 is slidably fitted into the guide hole 35 of the front-rear direction moving table 34. In other words, the front-rear moving table 34 is configured to be reciprocated in the front-rear direction by the reciprocating rotation of the rotary actuator 37.

前後方向移動台34の上面にはクロージャ40を支持するブラケット39が垂直に立脚されており、ブラケット39の正面にはウエハ出し入れ口22に若干大きめに相似する長方形の平盤形状に形成されたクロージャ40が垂直に固定されている。つまり、クロージャ40は前後方向移動台34によって前後方向に往復移動されるようになっているとともに、左右方向移動台31によって左右方向に往復移動されるようになっている。クロージャ40は前進移動してそのベース側を向いた主面(以下、正面とする。)がベース21の背面に当接することにより、ウエハ出し入れ口22を閉塞し得るようになっている。   A bracket 39 for supporting the closure 40 is vertically erected on the upper surface of the front / rear moving table 34, and a closure formed in a rectangular flat plate shape that resembles the wafer loading / unloading port 22 on the front surface of the bracket 39. 40 is fixed vertically. That is, the closure 40 is reciprocated in the front-rear direction by the front-rear direction moving table 34, and is reciprocated in the left-right direction by the left-right direction moving table 31. The main surface of the closure 40 moving forward and facing the base side (hereinafter referred to as a front surface) comes into contact with the back surface of the base 21 so that the wafer loading / unloading port 22 can be closed.

なお、図5に示されているように、ベース21の正面におけるウエハ出し入れ口22の周りには、ポッド10の押し付け時にポッド10のウエハ出し入れ口およびベース21のウエハ出し入れ口22をシールするパッキン54が敷設されている。クロージャ40の正面における外周縁近傍には、クロージャ40の押し付け時にベース21のウエハ出し入れ口22をシールするためのパッキン55が敷設されている。クロージャ40の正面における外周縁のパッキン55の内側には、ドア10aに付着した異物がウエハ移載装置15の設置室側へ侵入するのを防止するためのパッキン56が敷設されている。クロージャ40の背面における外周縁には、チャンバ60のウエハ出し入れ口62をシールするためのパッキンが敷設されている。便宜上、図4および図5においては、後記するチャンバの図示が省略されている。   As shown in FIG. 5, around the wafer loading / unloading port 22 on the front surface of the base 21, a packing 54 that seals the wafer loading / unloading port of the pod 10 and the wafer loading / unloading port 22 of the base 21 when the pod 10 is pressed. Is laid. A packing 55 for sealing the wafer loading / unloading port 22 of the base 21 when the closure 40 is pressed is laid near the outer peripheral edge of the front surface of the closure 40. Inside the packing 55 on the outer peripheral edge of the front surface of the closure 40, a packing 56 for preventing foreign matter adhering to the door 10a from entering the installation chamber side of the wafer transfer device 15 is laid. A packing for sealing the wafer loading / unloading port 62 of the chamber 60 is laid on the outer peripheral edge of the back surface of the closure 40. For convenience, the chambers to be described later are not shown in FIGS. 4 and 5.

図4に示されているように、クロージャ40の上下方向の中心線上には、一対の解錠軸41、41が左右に配置され前後方向に挿通されて回転自在に支承されている。両解錠軸41、41におけるクロージャ40のベースと反対側の主面(以下、背面とする。)側の端部には、一対のプーリー42、42が固定されており、両プーリー42、42間には連結片44を有するベルト43が巻き掛けられている。クロージャ40の背面における一方のプーリー42の上側にはエアシリンダ装置45が水平に据え付けられており、エアシリンダ装置45のピストンロッドの先端はベルト43の連結片44に連結されている。すなわち、両解錠軸41、41はエアシリンダ装置45の伸縮作動によって往復回動されるようになっている。図2に示されているように、両解錠軸41、41のクロージャ40の正面側の端部には、ドア10aの錠前(図示せず)に係合する係合部41aが直交して突設されている。   As shown in FIG. 4, a pair of unlocking shafts 41, 41 are arranged on the left and right on the center line in the vertical direction of the closure 40 and are rotatably supported by being inserted in the front-rear direction. A pair of pulleys 42 and 42 are fixed to the ends of the unlocking shafts 41 and 41 on the main surface (hereinafter referred to as the back surface) side opposite to the base of the closure 40, and both pulleys 42 and 42 are fixed. A belt 43 having a connecting piece 44 is wound around. An air cylinder device 45 is installed horizontally above one pulley 42 on the back surface of the closure 40, and the tip of the piston rod of the air cylinder device 45 is connected to a connecting piece 44 of the belt 43. That is, the unlocking shafts 41 and 41 are reciprocally rotated by the expansion and contraction operation of the air cylinder device 45. As shown in FIG. 2, an engaging portion 41a that engages with a lock (not shown) of the door 10a is orthogonal to the front end of the closure 40 of both unlocking shafts 41, 41. Projected.

図2に示されているように、クロージャ40の正面における一方の対角付近には、ドア10aの表面に吸着する吸着具(吸盤)46が二個、吸込口部材47によってそれぞれ固定されている。吸着具46を固定する吸込口部材47は中空軸によって構成されており、吸込口部材47の背面側端は給排気路(図示せず)に接続されている。吸込口部材47の正面側端の外径はドア10aに没設された位置決め穴(図示せず)に嵌入するように設定されている。すなわち、吸込口部材47はドア10aの位置決め穴に嵌入してドア10aを機械的に支持するための支持ピンを兼用するように構成されている。   As shown in FIG. 2, two suction tools (suction cups) 46 that are attracted to the surface of the door 10 a are fixed by suction port members 47 in the vicinity of one diagonal in the front of the closure 40. . The suction port member 47 that fixes the suction tool 46 is constituted by a hollow shaft, and the rear side end of the suction port member 47 is connected to a supply / exhaust passage (not shown). The outer diameter of the front side end of the suction port member 47 is set so as to be fitted into a positioning hole (not shown) submerged in the door 10a. That is, the suction port member 47 is configured to be fitted into a positioning hole of the door 10a and also serve as a support pin for mechanically supporting the door 10a.

図2、図4および図6に示されているように、ベース21の正面におけるウエハ出し入れ口22の片脇にはロータリーアクチュエータ50が、その回転軸50aが垂直方向になるように据え付けられており、回転軸50aには略C字形状に形成されたアーム51の一端が水平面内で一体回動するように固定されている。アーム51はベース21に開設された挿通孔52を挿通されており、アーム51のベース21の背面側の先端部にはマッピング装置53が固定されている。   As shown in FIGS. 2, 4 and 6, a rotary actuator 50 is installed on one side of the wafer loading / unloading port 22 on the front surface of the base 21 so that the rotation shaft 50a thereof is vertical. One end of an arm 51 formed in a substantially C shape is fixed to the rotary shaft 50a so as to rotate integrally in a horizontal plane. The arm 51 is inserted through an insertion hole 52 provided in the base 21, and a mapping device 53 is fixed to the tip of the arm 51 on the back side of the base 21.

図6および図7に示されているように、ベース21の背面にはチャンバ60が上下のポッドオープナ20、20のクロージャ40、40を収容するように敷設されており、チャンバ60のクロージャ収容室61の水平方向の長さは、クロージャ40が横に移動してウエハ出し入れ口22を完全に開口させるのを許容し得るように設定されている。チャンバ60の背面壁における上下のウエハ出し入れ口22、22に対向する位置には、チャンバ60のウエハ出し入れ口62、62がそれぞれ開設されており、各ウエハ出し入れ口62はクロージャ40の背面部を挿入し得る大きさの四角形の開口に形成されている。また、ウエハ出し入れ口62はマッピング装置53を背面側から挿入し得るように設定されている。チャンバ60の背面壁におけるウエハ出し入れ口62と反対側の位置には、クロージャ収容室61を排気する排気管63がクロージャ収容室61に連通するように接続されている。チャンバ60の背面壁における排気管63と反対側の位置には、不活性ガスとしての窒素ガス64を供給する給気管65が挿入されており、給気管65のクロージャ収容室61の吐出端には図8に示されたノズル66が接続されている。図8に示されているようにノズル66は上端が閉塞された円筒形状の本体67を備えており、本体67の下端開口が給気管65の吐出端に接続されることにより、ノズル66はクロージャ収容室61の内部において垂直に配管されている。ノズル66の本体67には複数個の噴出口68が長手方向に等間隔に配置されて開設されており、図11に示されているように、各噴出口68は窒素ガス64をポッド10のウエハ出し入れ口10bの片側からウエハ収納室10cにウエハ出し入れ口10bの平面に対して20度〜30度の傾斜角Θをもって他の片側に向けて噴出して、他の片側の内面に達した窒素ガス64の流れがポッド10の奥側に反射させるようになっている。これにより、見かけ上、窒素ガス64の流れは噴出口68側から噴出口68と反対側の内面に達した後に奥側へ反射する方向に回転すること(図11では反時計回り)となる。   As shown in FIGS. 6 and 7, a chamber 60 is laid on the back surface of the base 21 so as to accommodate the closures 40, 40 of the upper and lower pod openers 20, 20. The horizontal length 61 is set so as to allow the closure 40 to move sideways and completely open the wafer loading / unloading port 22. Wafer loading / unloading ports 62 and 62 of the chamber 60 are respectively opened at positions facing the upper and lower wafer loading / unloading ports 22 and 22 on the back wall of the chamber 60, and each wafer loading / unloading port 62 is inserted into the back portion of the closure 40. It is formed in a square opening of a size that can be. The wafer loading / unloading port 62 is set so that the mapping device 53 can be inserted from the back side. An exhaust pipe 63 for exhausting the closure housing chamber 61 is connected to a position on the back wall of the chamber 60 opposite to the wafer loading / unloading port 62 so as to communicate with the closure housing chamber 61. An air supply pipe 65 for supplying nitrogen gas 64 as an inert gas is inserted in a position opposite to the exhaust pipe 63 on the back wall of the chamber 60, and is provided at the discharge end of the closure housing chamber 61 of the air supply pipe 65. The nozzle 66 shown in FIG. 8 is connected. As shown in FIG. 8, the nozzle 66 includes a cylindrical main body 67 whose upper end is closed. The lower end opening of the main body 67 is connected to the discharge end of the air supply pipe 65, whereby the nozzle 66 is closed. A pipe is vertically arranged inside the storage chamber 61. In the main body 67 of the nozzle 66, a plurality of jet outlets 68 are opened at equal intervals in the longitudinal direction. As shown in FIG. 11, each jet outlet 68 supplies nitrogen gas 64 to the pod 10. Nitrogen that has been blown from one side of the wafer loading / unloading port 10b toward the other side with an inclination angle Θ of 20 ° to 30 ° with respect to the plane of the wafer loading / unloading port 10b into the wafer storage chamber 10c. The flow of the gas 64 is reflected on the back side of the pod 10. As a result, the flow of the nitrogen gas 64 apparently rotates in the direction in which it reflects to the back side after reaching the inner surface on the side opposite to the jet port 68 from the jet port 68 side (counterclockwise in FIG. 11).

次に、ICの製造方法における前記構成に係るバッチ式CVD装置による成膜工程を説明する。なお、説明を理解し易くするため、以下の説明においては、一方のウエハ授受ポート13を上段ポートAとし、他方のウエハ授受ポート13を下段ポートBとする。   Next, a film forming process by the batch type CVD apparatus according to the above configuration in the IC manufacturing method will be described. In order to facilitate understanding of the description, in the following description, one wafer transfer port 13 is an upper port A and the other wafer transfer port 13 is a lower port B.

図1に示されているように、筐体2内のポッドステージ11にポッド出し入れ口から搬入されたポッド10は、ポッド搬送装置14によって指定されたポッド棚12に適宜に搬送されて保管される。ポッド棚12に保管されたポッド10はポッド搬送装置14によって適宜にピックアップされ、上段ポートAに搬送されて、図3に示されているように、ポッドオープナ20の載置台27に移載される。この際、ポッド10の下面に没設された位置決め凹部が載置台27の三本の位置決めピン28とそれぞれ嵌合されることにより、ポッド10と載置台27との位置合わせが実行される。   As shown in FIG. 1, the pod 10 carried into the pod stage 11 in the housing 2 from the pod loading / unloading port is appropriately conveyed to the pod shelf 12 designated by the pod conveying device 14 and stored. . The pod 10 stored in the pod shelf 12 is appropriately picked up by the pod transfer device 14, transferred to the upper port A, and transferred to the mounting table 27 of the pod opener 20 as shown in FIG. . At this time, the positioning recesses embedded in the lower surface of the pod 10 are respectively fitted with the three positioning pins 28 of the mounting table 27, whereby the positioning of the pod 10 and the mounting table 27 is executed.

ポッド10が載置台27に載置されて位置合わせされると、載置台27がエアシリンダ装置26によってベース21の方向に押され、図9に示されているように、ポッド10の開口側端面がベース21の正面におけるウエハ出し入れ口22の開口縁辺部に押し付けられる。また、ポッド10がベース21の方向に押されると、クロージャ40の解錠軸41がドア10aの鍵穴に挿入される。続いて、負圧がクロージャ40の吸込口部材47に給排気路から供給されることにより、ポッド10のドア10aが吸着具46によって真空吸着保持される。この状態で、解錠軸41がエアシリンダ装置45によって回動されると、解錠軸41はドア10a側の錠前に係合した係合部41aによってドア10aの錠前の施錠を解除する。   When the pod 10 is mounted on the mounting table 27 and aligned, the mounting table 27 is pushed toward the base 21 by the air cylinder device 26, and as shown in FIG. Is pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 22 in front of the base 21. When the pod 10 is pushed in the direction of the base 21, the unlocking shaft 41 of the closure 40 is inserted into the key hole of the door 10a. Subsequently, the negative pressure is supplied from the air supply / exhaust passage to the suction port member 47 of the closure 40, whereby the door 10 a of the pod 10 is held by vacuum suction by the suction tool 46. In this state, when the unlocking shaft 41 is rotated by the air cylinder device 45, the unlocking shaft 41 releases the locking of the door 10a by the engaging portion 41a engaged with the locking on the door 10a side.

次いで、前後方向移動台34がベース21から離れる方向にロータリーアクチュエータ37の作動によって移動されると、図10で参照されるように、クロージャ40はポッド10のドア10aを真空吸着保持した状態でチャンバ60のクロージャ収容室61に後退することにより、ドア10aをポッド10のウエハ出し入れ口10bから抜き出す。これにより、ポッド10のウエハ出し入れ口10bは開放された状態になる。クロージャ40が前後方向移動台34によってさらに後退されると、図10に示されているように、クロージャ40はチャンバ60の背面壁に開設されたウエハ出し入れ口62にクロージャ収容室61の内側から当接することにより、クロージャ収容室61を密封した状態になる。   Next, when the back-and-forth moving table 34 is moved in the direction away from the base 21 by the operation of the rotary actuator 37, as shown in FIG. 10, the closure 40 holds the door 10a of the pod 10 in a vacuum suction-held state. The door 10a is pulled out from the wafer loading / unloading port 10b of the pod 10 by retreating to the 60 closure housing chambers 61. As a result, the wafer loading / unloading port 10b of the pod 10 is opened. When the closure 40 is further retracted by the front / rear moving table 34, as shown in FIG. 10, the closure 40 contacts the wafer loading / unloading opening 62 formed in the back wall of the chamber 60 from the inside of the closure accommodating chamber 61. By contacting, the closure housing 61 is sealed.

クロージャ40がクロージャ収容室61を密封すると、図11に示されているように、ポッド10のウエハ収容室10cには窒素ガス64が給気管65に接続されたノズル66の噴出口68から供給され、排気管63によって排気されることにより流通される。クロージャ収容室61を流通する窒素ガス64はウエハ出し入れ口10bからポッド10のウエハ収納室10cに流入した後に流出することにより、ウエハ収納室10cの大気を排気するとともに、ウエハ収納室10cに充満する。この際、窒素ガス64はノズル66の噴出口68から20度〜30度の傾斜角Θをもってウエハ収納室10cに噴き込まれるため、ウエハ収納室10cの向い側の内面で奥側に反射して奥面に達した後にウエハ出し入れ口10bに還流し、ウエハ収納室10cの大気を澱みなく確実に排気するとともに、隅々まで充満する。その結果、チャンバ60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cにおける大気中の空気や水分は、窒素ガス64によってパージされた状態になる。さらに、窒素ガス64の流れを上述のようにすることにより、窒素ガス64の噴出量や流速を速めることができ、より一層ポッド10内のパージ時間を短縮することもできる。このとき、酸素濃度は20ppm以下であることが好ましい。なお、参考に300mmウエハ対応のポッドで、ウエハを25枚載置した場合、ノズル66のサイズを9.52mm径、噴出口68のサイズを1mm径、ノズル噴出口68を13個(ウエハ2枚を1個の噴出口でカバー)とし、給気管ヘの窒素ガスの流量を200L/min、0.5Mpaとしたとき、置換時間が短縮し、良好の結果が得られた。   When the closure 40 seals the closure housing chamber 61, as shown in FIG. 11, the nitrogen gas 64 is supplied to the wafer housing chamber 10 c of the pod 10 from the outlet 68 of the nozzle 66 connected to the air supply pipe 65. Then, it is circulated by being exhausted by the exhaust pipe 63. The nitrogen gas 64 flowing through the closure storage chamber 61 flows into the wafer storage chamber 10c of the pod 10 from the wafer loading / unloading port 10b and then flows out, thereby exhausting the atmosphere of the wafer storage chamber 10c and filling the wafer storage chamber 10c. . At this time, since the nitrogen gas 64 is injected from the outlet 68 of the nozzle 66 into the wafer storage chamber 10c with an inclination angle Θ of 20 degrees to 30 degrees, it is reflected to the inner side on the opposite side of the wafer storage chamber 10c. After reaching the inner surface, the wafer is returned to the wafer loading / unloading port 10b, and the air in the wafer storage chamber 10c is surely exhausted without stagnation and filled to every corner. As a result, air and moisture in the atmosphere in the closure storage chamber 61 of the chamber 60 and the wafer storage chamber 10 c of the pod 10 are purged by the nitrogen gas 64. Furthermore, by making the flow of the nitrogen gas 64 as described above, it is possible to increase the ejection amount and flow velocity of the nitrogen gas 64 and further shorten the purge time in the pod 10. At this time, the oxygen concentration is preferably 20 ppm or less. For reference, when 25 wafers are placed on a 300 mm wafer compatible pod, the size of the nozzle 66 is 9.52 mm diameter, the size of the ejection port 68 is 1 mm diameter, and 13 nozzle ejection ports 68 (2 wafers) And a single nozzle outlet), and the flow rate of nitrogen gas to the air supply pipe was 200 L / min, 0.5 Mpa, the replacement time was shortened and good results were obtained.

チャンバ60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cが窒素ガス64によってパージされると、左右方向移動台31がエアシリンダ装置32の作動によってウエハ出し入れ口22から離れる方向に移動される。これにより、図12で参照されるように、ドア10aを吸着具46によって真空吸着保持したクロージャ40はクロージャ収容室61をウエハ出し入れ口62から離間した退避位置に移動される。このクロージャ40の退避移動により、チャンバ60のウエハ出し入れ口62、ベース21のウエハ出し入れ口22およびポッド10のウエハ出し入れ口10bがそれぞれ開放された状態になる。この際、予め、チャンバ60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cが窒素ガス64によってパージされているため、大気中の空気や水分がベース21の背面側空間であるウエハ移載装置15の設置空間に放出されることはなく、それらによるウエハ移載装置15の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生は防止されることになる。   When the closure storage chamber 61 of the chamber 60 and the wafer storage chamber 10c of the pod 10 are purged by the nitrogen gas 64, the left / right moving table 31 is moved away from the wafer loading / unloading port 22 by the operation of the air cylinder device 32. As a result, as shown in FIG. 12, the closure 40 in which the door 10 a is vacuum-sucked and held by the suction tool 46 is moved to the retracted position in which the closure housing chamber 61 is separated from the wafer loading / unloading port 62. With the retracting movement of the closure 40, the wafer loading / unloading port 62 of the chamber 60, the wafer loading / unloading port 22 of the base 21, and the wafer loading / unloading port 10b of the pod 10 are opened. At this time, since the closure storage chamber 61 of the chamber 60 and the wafer storage chamber 10c of the pod 10 are purged with the nitrogen gas 64 in advance, the wafer transfer apparatus in which air or moisture in the atmosphere is the back side space of the base 21. 15 is not released into the installation space, and the occurrence of adverse effects such as contamination of the transfer space of the wafer transfer device 15 and an increase in the oxygen concentration due to them is prevented.

クロージャ40が退避されると、図12に示されているように、マッピング装置53がロータリーアクチュエータ50の作動によって移動されて、マッピング装置53がポッド10のウエハ収納室10cへチャンバ60のウエハ出し入れ口62、ベース21のウエハ出し入れ口22およびポッド10のウエハ出し入れ口10bを潜り抜けて挿入される。ポッド10のウエハ収納室10cへ挿入されたマッピング装置53はウエハ収納室10cに収納された複数枚のウエハ9を検出することによってマッピングする。なお、マッピングはポッド10の中のウエハ9の所在位置(ウエハ9がどの保持溝にあるのか。)を確認する作業のことである。指定されたマッピング作業が終了すると、マッピング装置53はロータリーアクチュエータ50の作動によって元の待機位置に戻される。   When the closure 40 is retracted, as shown in FIG. 12, the mapping device 53 is moved by the operation of the rotary actuator 50, and the mapping device 53 enters the wafer storage chamber 10 c of the pod 10 into the wafer loading / unloading port of the chamber 60. 62, the wafer 21 is inserted through the wafer loading / unloading port 22 of the base 21 and the wafer loading / unloading port 10b of the pod 10. The mapping device 53 inserted into the wafer storage chamber 10c of the pod 10 performs mapping by detecting a plurality of wafers 9 stored in the wafer storage chamber 10c. The mapping is an operation for confirming the location of the wafer 9 in the pod 10 (which holding groove the wafer 9 is in). When the designated mapping operation is completed, the mapping device 53 is returned to the original standby position by the operation of the rotary actuator 50.

マッピング装置53が待機位置に戻ると、上段ポートAにおいて開けられたポッド10の複数枚のウエハ9はボート8にウエハ移載装置15によって順次装填(チャージング)されて行く。この際、ウエハ移載装置15の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生は防止されているため、移載中のウエハ9の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着等の弊害の発生は防止されることになる。   When the mapping device 53 returns to the standby position, the plurality of wafers 9 of the pod 10 opened at the upper port A are sequentially loaded (charged) into the boat 8 by the wafer transfer device 15. At this time, since adverse effects such as contamination of the transfer space of the wafer transfer device 15 and an increase in oxygen concentration are prevented, adverse effects such as deposition of a natural oxide film and adhesion of particles on the wafer 9 being transferred are prevented. The occurrence of is prevented.

この上段ポートAにおけるウエハ移載装置15によるウエハ9のボート8への装填作業中に、下段ポートBにはポッド棚12から別のポッド10がポッド搬送装置14によって搬送されて移載され、ポッドオープナ20による前述した位置決め作業からマッピング作業が同時進行される。このように下段ポートBにおいてマッピング作業迄が同時進行されると、上段ポートAにおけるウエハ9のボート8への装填作業の終了と同時に、下段ポートBに待機させたポッド10についてのウエハ移載装置15によるウエハ9のボート8への装填作業を開始することができる。すなわち、ウエハ移載装置15はポッド10の入替え作業についての待ち時間を浪費することなくウエハ移載作業を連続して実施することができるため、バッチ式CVD装置1のスループットを高めることができる。   During the loading operation of the wafer 9 to the boat 8 by the wafer transfer device 15 in the upper port A, another pod 10 is transferred from the pod shelf 12 to the lower port B by the pod transfer device 14 and transferred. The mapping operation proceeds simultaneously from the positioning operation described above by the opener 20. When the mapping operation is simultaneously performed in the lower port B as described above, the wafer transfer device for the pod 10 placed in the lower port B at the same time as the operation of loading the wafer 9 into the boat 8 in the upper port A is completed. The loading operation of the wafer 9 to the boat 8 by 15 can be started. That is, since the wafer transfer device 15 can continuously perform the wafer transfer operation without wasting a waiting time for the replacement operation of the pod 10, the throughput of the batch type CVD apparatus 1 can be increased.

翻って、上段ポートAにおいてウエハ移載装置15によるウエハ9のボート8への装填作業が終了すると、空ポッド閉じ作業が前述したポッド開放作業と略逆の順序で実行される。すなわち、クロージャ40に保持されて退避されていたドア10aがウエハ出し入れ口22の位置に左右方向移動台31によって戻され、前後方向移動台34によってウエハ出し入れ口22に挿入されて、ポッド10のウエハ出し入れ口10bに嵌入される。ドア10aがウエハ出し入れ口10bに嵌入されると、解錠軸41がエアシリンダ装置45によって回動され、ドア10aの錠前を施錠する。ドア10aの施錠が終了すると、給排気路から吸込口部材47へ供給されていた負圧が切られて大気に開放されることにより、吸着具46の真空吸着保持が解除される。続いて、載置台27がエアシリンダ装置26によってベース21から離れる方向に移動され、ポッド10の開口側端面がベース21の正面から離座される。   In turn, when the loading operation of the wafers 9 into the boat 8 by the wafer transfer device 15 is completed at the upper port A, the empty pod closing operation is executed in a substantially reverse order to the above-described pod opening operation. That is, the door 10a that has been retracted by being held by the closure 40 is returned to the position of the wafer loading / unloading port 22 by the left / right moving table 31 and inserted into the wafer loading / unloading port 22 by the front / rear moving table 34. It is inserted in the entrance / exit 10b. When the door 10a is inserted into the wafer loading / unloading port 10b, the unlocking shaft 41 is rotated by the air cylinder device 45 to lock the door 10a. When the door 10a is locked, the negative pressure supplied to the suction port member 47 from the air supply / exhaust passage is cut and released to the atmosphere, whereby the vacuum suction holding of the suction tool 46 is released. Subsequently, the mounting table 27 is moved away from the base 21 by the air cylinder device 26, and the opening side end surface of the pod 10 is separated from the front surface of the base 21.

ドア10aによりウエハ出し入れ口10bが閉塞された上段ポートAの空のポッド10は、ポッド棚12にポッド搬送装置14によって搬送されて一時的に戻される。空のポッド10が上段ポートAから搬出されると、次の実ポッド10が上段ポートAに搬入される。以降、上段ポートAおよび下段ポートBにおいて、前述した作業が必要回数繰り返される。   The empty pod 10 in the upper port A with the wafer loading / unloading port 10b blocked by the door 10a is transferred to the pod shelf 12 by the pod transfer device 14 and temporarily returned. When the empty pod 10 is carried out from the upper port A, the next real pod 10 is carried into the upper port A. Thereafter, the above-described operation is repeated at the upper port A and the lower port B as many times as necessary.

以上のようにして上段ポートAと下段ポートBとに対するウエハ移載装置15によるウエハ9のボート8への装填作業が交互に繰り返されることによって、複数枚のウエハ9がポッド10からボート8に装填されて行く。この際、バッチ処理するウエハ9の枚数(例えば、百枚〜百五十枚)は一台のポッド10に収納されたウエハ9の枚数(例えば、二十五枚)よりも何倍も多いため、複数台のポッド10が上段ポートAと下段ポートBとにポッド搬送装置14によって交互に繰り返し供給されることになる。   As described above, the loading operation of the wafer 9 to the boat 8 by the wafer transfer device 15 for the upper port A and the lower port B is alternately repeated, whereby a plurality of wafers 9 are loaded from the pod 10 to the boat 8. Going to be. At this time, the number of wafers 9 to be batch processed (for example, one hundred to one hundred fifty) is many times larger than the number of wafers 9 (for example, twenty-five) stored in one pod 10. A plurality of pods 10 are alternately and repeatedly supplied to the upper port A and the lower port B by the pod transfer device 14.

予め指定された複数枚のウエハ9がポッド10からボート8に移載されると、ウエハ授受ポート13にとっては実質的に待機中となる成膜ステップがプロセスチューブ4において実行される。すなわち、ボート8はボートエレベータ7によって上昇されてプロセスチューブ4の処理室に搬入(ボートローディング)される。ボート8が上限に達すると、ボート8を保持したシールキャップの上面の周辺部がプロセスチューブ4をシール状態に閉塞するため、処理室は気密に閉じられた状態になる。プロセスチューブ4の処理室が気密に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管6によって真空排気され、ヒータユニット3によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管5によって所定の流量だけ供給される。これにより、所定の膜がウエハ9に形成される。そして、予め設定された処理時間が経過すると、ボート8がボートエレベータ7によって下降されることにより、処理済みウエハ9を保持したボート8が元の装填および脱装ステーション(以下、装填ステーションという。)に搬出(ボートアンローディング)される。   When a plurality of wafers 9 designated in advance are transferred from the pod 10 to the boat 8, a film forming step that is substantially waiting for the wafer transfer port 13 is executed in the process tube 4. That is, the boat 8 is lifted by the boat elevator 7 and carried into the processing chamber of the process tube 4 (boat loading). When the boat 8 reaches the upper limit, the periphery of the upper surface of the seal cap that holds the boat 8 closes the process tube 4 in a sealed state, so that the processing chamber is hermetically closed. In a state where the processing chamber of the process tube 4 is hermetically closed, the exhaust pipe 6 is evacuated to a predetermined vacuum degree, heated to a predetermined temperature by the heater unit 3, and a predetermined source gas is predetermined by the gas introduction pipe 5. Only the flow rate is supplied. As a result, a predetermined film is formed on the wafer 9. When a preset processing time elapses, the boat 8 is lowered by the boat elevator 7 so that the boat 8 holding the processed wafers 9 is the original loading and unloading station (hereinafter referred to as a loading station). The boat is unloaded (boat unloading).

以上の成膜ステップの実行中に上段ポートAおよび下段ポートBにおいては、他方のボート8に保持された処理済みウエハ9の脱装(ディスチャージング)作業が同時進行されている。すなわち、装填ステーションに搬出されたボート8の処理済みウエハ9は、ウエハ移載装置15によってピックアップされ、上段ポートAに予め搬入されてドア10aを外されて開放された空のポッド10に収納される。上段ポートAでの空のポッド10への所定の枚数のウエハ9の収容が終了すると、クロージャ40に保持されて退避されていたドア10aがウエハ出し入れ口22の位置に左右方向移動台31によって戻され、前後方向移動台34によってウエハ出し入れ口22に挿入され、ポッド10のウエハ出し入れ口10bに嵌入される。この際にも、窒素ガス64がクロージャ収容室61に給気管65と排気管63とによって流通されることにより、クロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cが窒素ガス64によってパージされ、ポッド収納室10cに窒素ガス64が充填される。ドア10aがウエハ出し入れ口10bに嵌入されると、解錠軸41がエアシリンダ装置45によって回動され、ドア10aの錠前を施錠する。これにより、ウエハ収納室10cには窒素ガス64が密封された状態になる。ドア10aの施錠が終了すると、給排気路から吸込口部材47に供給されていた負圧が切られて大気に開放されることにより、吸着具46のドア10aの真空吸着保持が解除される。続いて、載置台27がエアシリンダ装置26によってベース21から離れる方向に移動され、ポッド10の開口側端面がベース21の正面から離座される。次いで、処理済みのウエハ9が収納された処理済み実ポッド10はポッド棚12にポッド搬送装置14によって搬送されて戻される。   During the above film forming steps, in the upper port A and the lower port B, the removal (discharging) work of the processed wafers 9 held in the other boat 8 is simultaneously performed. That is, the processed wafer 9 of the boat 8 that has been unloaded to the loading station is picked up by the wafer transfer device 15, loaded in advance into the upper port A, and stored in the empty pod 10 that is opened by removing the door 10 a. The When the predetermined number of wafers 9 are accommodated in the empty pod 10 at the upper port A, the door 10a held and retracted by the closure 40 is returned to the position of the wafer loading / unloading port 22 by the left / right moving table 31. Then, it is inserted into the wafer loading / unloading port 22 by the front / rear direction moving table 34 and inserted into the wafer loading / unloading port 10 b of the pod 10. Also in this case, the nitrogen gas 64 is circulated through the supply chamber 65 and the exhaust tube 63 to the closure storage chamber 61, whereby the closure storage chamber 61 and the wafer storage chamber 10c of the pod 10 are purged by the nitrogen gas 64, and the pod The storage chamber 10c is filled with nitrogen gas 64. When the door 10a is inserted into the wafer loading / unloading port 10b, the unlocking shaft 41 is rotated by the air cylinder device 45 to lock the door 10a. As a result, the nitrogen gas 64 is sealed in the wafer storage chamber 10c. When the door 10a is locked, the negative pressure supplied to the suction port member 47 from the air supply / exhaust passage is cut and released to the atmosphere, whereby the vacuum suction holding of the door 10a of the suction tool 46 is released. Subsequently, the mounting table 27 is moved in a direction away from the base 21 by the air cylinder device 26, and the opening side end surface of the pod 10 is separated from the front surface of the base 21. Next, the processed real pod 10 containing the processed wafer 9 is transferred to the pod shelf 12 by the pod transfer device 14 and returned.

処理済みウエハ9を収納してポッド棚12に戻されたポッド10は、ポッド棚12からポッドステージ11へポッド搬送装置14によって搬送される。ポッドステージ11に移載されたポッド10はポッド出し入れ口から筐体2の外部に搬出されて、洗浄工程や成膜検査工程等の次工程へ搬送される。そして、新規のウエハ9を収納したポッド10が筐体2内のポッドステージ11にポッド出し入れ口から搬入される。   The pod 10 containing the processed wafer 9 and returned to the pod shelf 12 is transferred from the pod shelf 12 to the pod stage 11 by the pod transfer device 14. The pod 10 transferred to the pod stage 11 is carried out of the housing 2 from the pod loading / unloading port, and is carried to the next process such as a cleaning process or a film formation inspection process. Then, the pod 10 storing the new wafer 9 is carried into the pod stage 11 in the housing 2 from the pod loading / unloading port.

なお、新旧ポッド10のポッドステージ11への搬入搬出(ポッドローディングおよびポッドアンローディング)作業およびポッドステージ11とポッド棚12との間の入替え作業は、プロセスチューブ4におけるボート8の搬入搬出(ボートローディングおよびボートアンローディング)作業や成膜処理の間すなわち成膜待機ステップの実行中に同時進行されるため、バッチ式CVD装置1の全体としての作業時間が延長されるのを防止することができる。   The loading and unloading (pod loading and pod unloading) work of the old and new pods 10 and the replacement work between the pod stage 11 and the pod shelf 12 are carried in and out of the boat 8 in the process tube 4 (boat loading). And boat unloading), and during the film formation process, that is, during the film formation standby step, it is possible to prevent the entire work time of the batch type CVD apparatus 1 from being extended.

以降、以上説明したウエハ装填脱装方法および成膜方法が繰り返されて、CVD膜がウエハ9にバッチ式CVD装置1によって形成され、ICの製造方法における成膜工程が実施されて行く。   Thereafter, the wafer loading / unloading method and the film forming method described above are repeated to form a CVD film on the wafer 9 by the batch-type CVD apparatus 1, and the film forming process in the IC manufacturing method is performed.

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。   According to the embodiment, the following effects can be obtained.

1) ポッドオープナ20のベース21にポッド10のウエハ出し入れ口10bを被覆するチャンバ60を敷設し、このチャンバ60には窒素ガス64をクロージャ収容室61に流通させるための給気管65および排気管63を接続することにより、ポッドオープナ20によるポッド10の開放時に窒素ガス64をチャンバ60のクロージャ収容室61に充填することができるため、ポッド10のウエハ収納室10cに閉じ込められていた大気を窒素ガス64によって排気するとともに、クロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cにおける大気中の空気や水分を窒素ガス64によってパージすることができる。 1) A chamber 60 for covering the wafer inlet / outlet port 10b of the pod 10 is laid on the base 21 of the pod opener 20, and an air supply pipe 65 and an exhaust pipe 63 for allowing nitrogen gas 64 to flow into the closure accommodating chamber 61 are laid in the chamber 60. , The nitrogen gas 64 can be filled into the closure housing chamber 61 of the chamber 60 when the pod 10 is opened by the pod opener 20, so that the atmosphere confined in the wafer housing chamber 10 c of the pod 10 is nitrogen gas. The air in the atmosphere in the closure storage chamber 61 and the wafer storage chamber 10 c of the pod 10 can be purged with the nitrogen gas 64 while being exhausted by the nitrogen gas 64.

2) チャンバ60のクロージャ収容室61やポッド10のウエハ収納室10cを窒素ガス64によってパージすることにより、ポッド10のウエハ収納室10cに閉じ込められていた大気中の空気や水分がベース21の背面側空間であるウエハ移載装置15の設置空間に放出されるのを防止することができるため、それらによるウエハ移載装置15の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生は防止することができる。 2) By purging the closure storage chamber 61 of the chamber 60 and the wafer storage chamber 10c of the pod 10 with the nitrogen gas 64, air and moisture in the atmosphere confined in the wafer storage chamber 10c of the pod 10 are removed from the back surface of the base 21. Since it can be prevented from being released into the installation space of the wafer transfer device 15 which is the side space, the occurrence of adverse effects such as contamination of the transfer space of the wafer transfer device 15 and an increase in oxygen concentration due to them can be prevented. can do.

3) ポッド10のウエハ出し入れ口10bの開放時にウエハ収納室10cのウエハ9が大気中の空気や水分に接触するのを防止することができるため、それらによるウエハ9の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着等の弊害の発生を防止することができる。さらに、ポッド10のウエハ出し入れ口10bの閉鎖時に、ポッド10のウエハ収納室10cに窒素ガス64を充填して密封することにより、収納中のウエハの自然酸化等を抑制することができる。 3) It is possible to prevent the wafer 9 in the wafer storage chamber 10c from coming into contact with air or moisture in the atmosphere when the wafer loading / unloading port 10b of the pod 10 is opened. It is possible to prevent the occurrence of harmful effects such as adhesion. Furthermore, when the wafer loading / unloading port 10b of the pod 10 is closed, the wafer storage chamber 10c of the pod 10 is filled with a nitrogen gas 64 and sealed, thereby suppressing natural oxidation of the wafer being stored.

4) 窒素ガス64をノズル66の噴出口68から20度〜30度の傾斜角Θをもってウエハ収納室10cに噴き込んで、ウエハ収納室10cの向い側の内面で奥側に反射して奥面に達した後にウエハ出し入れ口10bに還流させることにより、ウエハ収納室10cの大気を澱みなく確実に排気するとともに、窒素ガス64を隅々まで充満させることができるので、チャンバ60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cにおける大気中の空気や水分を窒素ガス64によってパージすることができる。すなわち、窒素ガスをウエハ収納室へ傾斜角Θをもって噴き込むことにより、スムースな置換が可能となり、パージ置換時間を短縮することができる。 4) Nitrogen gas 64 is injected from the jet outlet 68 of the nozzle 66 into the wafer storage chamber 10c with an inclination angle Θ of 20 ° to 30 °, and reflected to the inner side on the opposite side of the wafer storage chamber 10c and reflected to the inner surface. By recirculating to the wafer loading / unloading port 10b after reaching the value, the atmosphere in the wafer storage chamber 10c can be surely exhausted without stagnation and the nitrogen gas 64 can be filled to every corner. Further, air and moisture in the atmosphere in the wafer storage chamber 10 c of the pod 10 can be purged with the nitrogen gas 64. That is, by injecting nitrogen gas into the wafer storage chamber at an inclination angle Θ, smooth replacement is possible and the purge replacement time can be shortened.

図13は本発明の他の実施の形態であるバッチ式CVD装置のポッドオープナを示す平面断面図である。本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、チャンバ60のウエハ出し入れ口62を開閉するためのゲートバルブ70が設備されている点である。   FIG. 13 is a plan sectional view showing a pod opener of a batch type CVD apparatus according to another embodiment of the present invention. The present embodiment is different from the above embodiment in that a gate valve 70 for opening and closing the wafer loading / unloading port 62 of the chamber 60 is provided.

本実施の形態においては、図13に示されているように、チャンバ60のウエハ出し入れ口62がゲートバルブ70によって閉じられ、ベース21のウエハ出し入れ口22がクロージャ40によって閉じられた状態で、窒素ガス64がクロージャ収容室61に給気管65およびノズル66を通じて供給され、クロージャ収容室61が排気管63によって排気されることにより、クロージャ収容室61が窒素ガス64によってパージされる。このとき、クロージャ収容室61の酸素濃度は20ppmであることが好ましい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 13, the wafer loading / unloading port 62 of the chamber 60 is closed by the gate valve 70, and the wafer loading / unloading port 22 of the base 21 is closed by the closure 40. The gas 64 is supplied to the closure accommodating chamber 61 through the air supply pipe 65 and the nozzle 66, and the closure accommodating chamber 61 is exhausted by the exhaust pipe 63, whereby the closure accommodating chamber 61 is purged with the nitrogen gas 64. At this time, the oxygen concentration in the closure accommodating chamber 61 is preferably 20 ppm.

次に、図14で参照されるように、ポッド10のドア10aがクロージャ40によって取り外され、ポッド10のウエハ出し入れ口62が開放される。続いて、図14に示されているように、窒素ガス64が給気管65によって供給され、ノズル66の噴出口68からポッド10のウエハ収納室10cに20度〜30度の傾斜角Θをもって吹き込まれ、ウエハ収納室10cが窒素ガス64によってパージされる。このとき、ウエハ収納室10cの酸素濃度は20ppmであることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 14, the door 10a of the pod 10 is removed by the closure 40, and the wafer loading / unloading port 62 of the pod 10 is opened. Subsequently, as shown in FIG. 14, nitrogen gas 64 is supplied through the supply pipe 65, and blown into the wafer storage chamber 10 c of the pod 10 from the nozzle 68 at an inclination angle Θ of 20 degrees to 30 degrees. Then, the wafer storage chamber 10 c is purged with the nitrogen gas 64. At this time, the oxygen concentration in the wafer storage chamber 10c is preferably 20 ppm.

その後、図15で参照されるように、チャンバ60のウエハ出し入れ口62がゲートバルブ70によって開かれる。このとき、チャンバ60の背面側の筐体2の内部は窒素ガス64によってパージされる。図15に示されているように、ゲートバルブ70がウエハ出し入れ口62から退避されるとともに、クロージャ40がベース21のウエハ出し入れ口22から退避されると、ウエハ9がポッド10のウエハ収納室10cからウエハ出し入れ口10b、22、62を通じてウエハ移載装置15によって取り出される。これ以外の作動は前記実施の形態と略同様である。   Thereafter, as shown in FIG. 15, the wafer loading / unloading port 62 of the chamber 60 is opened by the gate valve 70. At this time, the inside of the housing 2 on the back side of the chamber 60 is purged with the nitrogen gas 64. As shown in FIG. 15, when the gate valve 70 is retracted from the wafer loading / unloading port 62 and the closure 40 is retracted from the wafer loading / unloading port 22 of the base 21, the wafer 9 is moved to the wafer storage chamber 10 c of the pod 10. Is taken out by the wafer transfer device 15 through the wafer loading / unloading ports 10b, 22 and 62. The other operations are substantially the same as those in the above embodiment.

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。   Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

窒素ガス等の不活性ガスをポッドのウエハ収納室に吹き込むノズルの具体的な構造は、前記実施の形態の構造に限らない。例えば、複数個の噴出口を本体に一列に等間隔に配置して開設するに限らず、細長い噴出口を本体に縦に開設してもよい。   The specific structure of the nozzle that blows an inert gas such as nitrogen gas into the wafer storage chamber of the pod is not limited to the structure of the above embodiment. For example, a plurality of jet outlets are not limited to be arranged at equal intervals in the main body and may be opened vertically in the main body.

基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。   The substrate is not limited to a wafer, but may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.

バッチ式CVD装置は成膜処理に使用するに限らず、酸化膜形成処理や拡散処理等の他の熱処理(thermal treatment )にも使用することができる。   The batch-type CVD apparatus is not limited to use for film formation, but can also be used for other thermal treatment such as oxide film formation or diffusion.

前記実施の形態ではバッチ式縦形拡散・CVD装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板処理装置全般に適用することができる。   In the above embodiment, the case of a batch type vertical diffusion / CVD apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to all substrate processing apparatuses.

本発明の一実施の形態であるバッチ式CVD装置を示す一部省略斜視図である。1 is a partially omitted perspective view showing a batch type CVD apparatus according to an embodiment of the present invention. ポッドオープナを示す正面側から見た斜視図である。It is the perspective view seen from the front side which shows a pod opener. そのポッド載置状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the pod mounting state. ポッドオープナを示す背面側から見たチャンバを取り除いた一部省略斜視図である。It is a partially omitted perspective view with the chamber viewed from the back side showing the pod opener. 図4の省略したV部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the V section which abbreviate | omitted FIG. ポッドオープナを示す背面側から見たチャンバを敷設した斜視図である。It is the perspective view which laid the chamber seen from the back side which shows a pod opener. その一部省略平面断面図である。FIG. ノズルを示す背面側から見た一部切断斜視図である。It is the partially cut perspective view seen from the back side which shows a nozzle. ポッドオープナの作用を説明するための各一部省略平面断面図であり、ドアの取外し前を示している。It is each partially abbreviated plan sectional view for explaining operation of a pod opener, and shows the state before removing a door. 同じくチャンバの密封時を示す一部省略平面断面図である。FIG. 6 is a partially omitted plan cross-sectional view showing the chamber sealed in the same manner. 同じく窒素ガスパージ時を示す一部省略平面断面図である。FIG. 6 is a partially omitted plan cross-sectional view showing the same nitrogen gas purge. 同じくマッピング時を示す一部省略平面断面図である。It is a partially omitted plan sectional view showing the same mapping. 本発明の一実施の形態であるバッチ式CVD装置のポッドオープナを示す平面断面図であり、チャンバの密封時を示している。It is a top sectional view showing the pod opener of the batch type CVD apparatus which is one embodiment of the present invention, and shows when the chamber is sealed. 同じく窒素ガスパージ時を示す一部省略平面断面図である。FIG. 6 is a partially omitted plan cross-sectional view showing the same nitrogen gas purge. 同じくウエハ出し入れ時を示す一部省略平面断面図である。FIG. 6 is a partially omitted plan cross-sectional view showing the same when the wafer is taken in and out.

符号の説明Explanation of symbols

1…バッチ式CVD装置(基板処理装置)、2…筐体、3…ヒータユニット、4…プロセスチューブ、5…ガス導入管、6…排気管、7…ボートエレベータ、8…ボート、9…ウエハ(基板)、10…ポッド、10a…ドア、10b…ウエハ出し入れ口、10c…ウエハ収納室、11…ポッドステージ、12…ポッド棚、13…ウエハ授受ポート、14…ポッド搬送装置、15…ウエハ移載装置、16…ボートチェンジャ、20…ポッドオープナ(開閉装置)、21…ベース、22…ウエハ出し入れ口、23…支持台、24…ガイドレール、25…ガイドブロック、26…エアシリンダ装置、27…載置台、28…位置決めピン、30…ガイドレール、31…左右方向移動台、32…エアシリンダ装置、32a…ピストンロッド、33…ガイドレール、34…前後方向移動台、35…ガイド孔、36…ブラケット、37…ロータリーアクチュエータ、37a…アーム、38…ガイドピン、39…ブラケット、40…クロージャ、41…解錠軸、41a…係合部、42…プーリー、43…ベルト、44…連結片、45…エアシリンダ装置、46…吸着具、47…吸込口部材、50…ロータリーアクチュエータ、50a…回転軸、51…アーム、52…挿通孔、53…マッピング装置、54、55、56…パッキン、60…チャンバ、61…クロージャ収容室、62…ウエハ出し入れ口、63…排気管、64…窒素ガス(不活性ガス)、65…給気管、66…ノズル、67…本体、68…噴出口、70…ゲートバルブ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Batch type CVD apparatus (substrate processing apparatus), 2 ... Housing, 3 ... Heater unit, 4 ... Process tube, 5 ... Gas introduction pipe, 6 ... Exhaust pipe, 7 ... Boat elevator, 8 ... Boat, 9 ... Wafer (Substrate) 10 ... Pod 10a ... Door 10b ... Wafer loading / unloading port 10c ... Wafer storage chamber 11 ... Pod stage 12 ... Pod shelf 13 ... Wafer transfer port 14 ... Pod transfer device 15 ... Wafer transfer Loading device, 16 ... boat changer, 20 ... pod opener (opening / closing device), 21 ... base, 22 ... wafer loading / unloading port, 23 ... support base, 24 ... guide rail, 25 ... guide block, 26 ... air cylinder device, 27 ... Mounting table, 28 ... Positioning pin, 30 ... Guide rail, 31 ... Moving table in left / right direction, 32 ... Air cylinder device, 32a ... Piston rod, 33 ... Guy Rails 34: Front / rear moving table 35 ... Guide holes 36 ... Brackets 37 ... Rotary actuators 37a ... Arms 38 ... Guide pins 39 ... Brackets 40 ... Closures 41 ... Unlocking shafts 41a ... Engagement , 42 ... pulley, 43 ... belt, 44 ... connecting piece, 45 ... air cylinder device, 46 ... suction tool, 47 ... suction port member, 50 ... rotary actuator, 50a ... rotating shaft, 51 ... arm, 52 ... insertion hole 53 ... Mapping device, 54, 55, 56 ... Packing, 60 ... Chamber, 61 ... Closure storage chamber, 62 ... Wafer loading / unloading port, 63 ... Exhaust pipe, 64 ... Nitrogen gas (inert gas), 65 ... Air supply pipe, 66 ... nozzle, 67 ... main body, 68 ... spout, 70 ... gate valve.

Claims (1)

複数枚の基板が基板出し入れ口から収納されこの基板出し入れ口にはドアが着脱自在に装着されたキャリアを取り扱う基板処理装置であって、前記キャリアに対して前記基板を出し入れする基板授受ポートが設けられているとともに、この基板授受ポートには前記ドアを着脱して前記キャリアを開閉するキャリア開閉装置が設けられており、前記基板授受ポートには前記キャリアの前記基板出し入れ口を被覆するチャンバが設置され、このチャンバには前記キャリアの内部に前記基板出し入れ口から不活性ガスを導入させる給気管が接続されており、
前記給気管は前記キャリアの一方の側面側から他方の側面側に向けて前記不活性ガスを噴出し、前記他方の側面に達した前記不活性ガスの流れが前記キャリアの奥側に反射するように配置されていることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for handling a carrier in which a plurality of substrates are housed from a substrate loading / unloading port and a door is detachably attached to the substrate loading / unloading port, and a substrate transfer port for loading / unloading the substrate to / from the carrier is provided. The substrate transfer port is provided with a carrier opening / closing device that opens and closes the carrier by attaching and detaching the door, and the substrate transfer port is provided with a chamber that covers the substrate loading / unloading port of the carrier. And an air supply pipe for introducing an inert gas from the substrate inlet / outlet to the inside of the carrier.
The air supply pipe ejects the inert gas from one side surface of the carrier toward the other side surface, and the flow of the inert gas reaching the other side surface is reflected to the back side of the carrier. A substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus is disposed on the substrate.
JP2003306187A 2003-08-29 2003-08-29 Substrate processing equipment Pending JP2005079250A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003306187A JP2005079250A (en) 2003-08-29 2003-08-29 Substrate processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003306187A JP2005079250A (en) 2003-08-29 2003-08-29 Substrate processing equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005079250A true JP2005079250A (en) 2005-03-24

Family

ID=34409332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003306187A Pending JP2005079250A (en) 2003-08-29 2003-08-29 Substrate processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005079250A (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765850B1 (en) 2006-04-18 2007-10-29 뉴영엠테크 주식회사 Hoop Opener for Nitrogen Gas Filling in Semiconductor Manufacturing Equipment
WO2009078354A1 (en) 2007-12-18 2009-06-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Processing method and semiconductor device manufacturing method
JP2013219314A (en) * 2012-04-12 2013-10-24 Tokyo Electron Ltd Substrate delivery device, substrate delivery method, and storage medium
KR101398440B1 (en) * 2012-11-21 2014-06-19 주식회사 케이씨텍 Foup purge apparatus and substrate processing apparatus comprising the same
JP2014207306A (en) * 2013-04-12 2014-10-30 東京エレクトロン株式会社 Method of atmosphere management within housing container
KR20160005822A (en) * 2014-07-07 2016-01-18 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
JP2018037543A (en) * 2016-08-31 2018-03-08 Tdk株式会社 Load port device
CN109560009A (en) * 2017-09-26 2019-04-02 株式会社国际电气 The manufacturing method of substrate processing device and semiconductor devices
US10967045B2 (en) 1998-11-02 2021-04-06 Secretary of State for Health and Social Care Multicomponent meningococcal vaccine
CN112970098A (en) * 2018-10-26 2021-06-15 应用材料公司 Side storage compartment, electronic device processing system and operation method thereof
JP2021521656A (en) * 2018-05-11 2021-08-26 ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッドBeijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,LTD Door openers, transport chambers, and semiconductor processing devices

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10967045B2 (en) 1998-11-02 2021-04-06 Secretary of State for Health and Social Care Multicomponent meningococcal vaccine
KR100765850B1 (en) 2006-04-18 2007-10-29 뉴영엠테크 주식회사 Hoop Opener for Nitrogen Gas Filling in Semiconductor Manufacturing Equipment
WO2009078354A1 (en) 2007-12-18 2009-06-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Processing method and semiconductor device manufacturing method
JP2013219314A (en) * 2012-04-12 2013-10-24 Tokyo Electron Ltd Substrate delivery device, substrate delivery method, and storage medium
KR101398440B1 (en) * 2012-11-21 2014-06-19 주식회사 케이씨텍 Foup purge apparatus and substrate processing apparatus comprising the same
JP2014207306A (en) * 2013-04-12 2014-10-30 東京エレクトロン株式会社 Method of atmosphere management within housing container
US10096504B2 (en) 2013-04-12 2018-10-09 Tokyo Electron Limited Method for managing atmosphere in storage container
KR101731144B1 (en) * 2013-04-12 2017-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Method for managing atmosphere in storage container
KR20160005822A (en) * 2014-07-07 2016-01-18 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
KR101654619B1 (en) * 2014-07-07 2016-09-23 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
JP2018037543A (en) * 2016-08-31 2018-03-08 Tdk株式会社 Load port device
CN109560009A (en) * 2017-09-26 2019-04-02 株式会社国际电气 The manufacturing method of substrate processing device and semiconductor devices
JP2019062191A (en) * 2017-09-26 2019-04-18 株式会社Kokusai Electric Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP7018370B2 (en) 2017-09-26 2022-02-10 株式会社Kokusai Electric Manufacturing methods and programs for substrate processing equipment and semiconductor equipment
CN109560009B (en) * 2017-09-26 2024-02-02 株式会社国际电气 Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2021521656A (en) * 2018-05-11 2021-08-26 ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッドBeijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,LTD Door openers, transport chambers, and semiconductor processing devices
JP7223123B2 (en) 2018-05-11 2023-02-15 ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッド Door openers, transport chambers, and semiconductor processing devices
CN112970098A (en) * 2018-10-26 2021-06-15 应用材料公司 Side storage compartment, electronic device processing system and operation method thereof
CN112970098B (en) * 2018-10-26 2024-04-19 应用材料公司 Side storage compartment, electronic device processing system and operation method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4583461B2 (en) Substrate transport method, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, and substrate processing apparatus
JP4977228B2 (en) Substrate loading / unloading method and semiconductor device manufacturing method
KR101518103B1 (en) Lid opening and closing device
KR101761445B1 (en) Apparatus for opening and closing cover, thermal processing apparatus using the same, and method for opening and closing cover
CN107851598B (en) Door opening/closing system and load port provided with same
CN104103558B (en) Accommodate the atmosphere management method in container
US20050111935A1 (en) Apparatus and method for improved wafer transport ambient
CN101409220A (en) Inlet port mechanism for introducing object and treatment system
JP4255222B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method
JP2006086308A (en) Semiconductor manufacturing equipment
CN107017190A (en) Load port device and clean gas introduction method into the container of load port device
JP2005079250A (en) Substrate processing equipment
JP2012015530A (en) Substrate treatment device and substrate detection method
JP4155722B2 (en) Substrate processing apparatus, pod opening / closing apparatus, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, and substrate transfer method
JP4728383B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
KR100717990B1 (en) Transfer system for semiconductor material processing
JP4790326B2 (en) Processing system and processing method
JP2011061156A (en) Substrate processing apparatus, gas introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP4847032B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate detection method
JP5313639B2 (en) Substrate transport method, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method
JP2005347667A (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP2011061155A (en) Substrate processing apparatus, method of transferring substrate, and method of manufacturing semiconductor device
KR101688621B1 (en) Apparatus for removing fume

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060823

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080430

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080507

A02 Decision of refusal

Effective date: 20080909

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02