JP2005079250A - Substrate processing equipment - Google Patents
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Abstract
【課題】ポッドの開放時におけるウエハへの自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着、筐体内側空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生を防止する。
【解決手段】ドア10aがウエハ出し入れ口10bに着脱自在に装着されるポッド10を取り扱うバッチ式CVD装置において、ドア10aを着脱するポッドオープナ20がポッド10に対してウエハ9を出し入れするポートに設けられており、ポッドオープナ20のチャンバ60には窒素ガス64を噴出するノズル66を備えた給気管65が挿入され、ノズル66は窒素ガス64をウエハ出し入れ口10bの片側から反対側に向けて20度〜30度の傾斜角Θをもってウエハ収納室10cに噴き込み、反対側に達した窒素ガス64の流れをウエハ収納室10cの奥側に反射させてウエハ出し入れ口10bに戻すように構成されている。
【選択図】 図11An object of the present invention is to prevent the occurrence of adverse effects such as deposition of a natural oxide film on a wafer, adhesion of particles, contamination of a space inside a housing, and increase in oxygen concentration when a pod is opened.
In a batch type CVD apparatus that handles a pod 10 in which a door 10a is detachably mounted in a wafer loading / unloading port 10b, a pod opener 20 for detaching the door 10a is provided at a port for loading / unloading a wafer 9 into / from the pod 10. An air supply pipe 65 having a nozzle 66 for ejecting nitrogen gas 64 is inserted into the chamber 60 of the pod opener 20, and the nozzle 66 directs the nitrogen gas 64 from one side to the opposite side of the wafer loading / unloading port 10b. It is configured such that it is injected into the wafer storage chamber 10c with an inclination angle Θ of 30 ° to 30 °, and the flow of the nitrogen gas 64 reaching the opposite side is reflected back to the back side of the wafer storage chamber 10c and returned to the wafer loading / unloading port 10b. Yes.
[Selection] FIG.
Description
本発明は、基板処理装置に関し、特に、ドアを有するキャリアを開閉する技術に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路を作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したりするバッチ式縦形拡散・CVD装置に利用して有効なものに関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a technique for opening and closing a carrier having a door. For example, in a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC), a semiconductor integrated circuit including a semiconductor element is incorporated. The present invention relates to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) that is effective for use in a batch type vertical diffusion / CVD apparatus for forming a CVD film such as an insulating film or a metal film or diffusing impurities.
基板処理装置の一例であるバッチ式縦形拡散・CVD装置(以下、バッチ式CVD装置という。)においては、複数枚のウエハがキャリア(ウエハ収納容器)に収納された状態で扱われる。従来のこの種のキャリアとしては、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオープンカセットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成されて開口面にドアが着脱自在に装着されているFOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)とがある。 In a batch type vertical diffusion / CVD apparatus (hereinafter referred to as a batch type CVD apparatus) which is an example of a substrate processing apparatus, a plurality of wafers are handled in a state of being stored in a carrier (wafer storage container). Conventional carriers of this type include an open cassette that is formed in a substantially cubic box shape with a pair of opposite faces open, and a substantially cubic box shape that is open on one face. There is a FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as a pod) in which a door is detachably mounted on the surface.
ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度は維持することができる。したがって、バッチ式CVD装置が設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなるために、クリーンルームに要するコストを低減することができる。そこで、最近のバッチ式CVD装置においてはウエハのキャリアとしてポッドが使用されて来ている。 When a pod is used as a wafer carrier, the wafer is transported in a sealed state, so that the cleanliness of the wafer can be maintained even if particles are present in the surrounding atmosphere. it can. Therefore, since it is not necessary to set the cleanliness in the clean room where the batch-type CVD apparatus is installed, the cost required for the clean room can be reduced. Therefore, pods have been used as wafer carriers in recent batch type CVD apparatuses.
ウエハのキャリアとしてポッドを使用するバッチ式CVD装置においては、ドアを着脱してポッドのウエハ出し入れ口を開閉するポッド開閉装置(以下、ポッドオープナという。)が、ポッドに対してウエハを出し入れするためのウエハ授受ポートに設置されている。従来のこの種のポッドオープナはポッドを保持する載置台と、載置台が保持したポッドのドアを保持するクロージャとを備えており、クロージャがドアを保持した状態でポッドに対して進退することにより、ドアをポッドのウエハ出し入れ口に対して着脱するように構成されている(例えば、特許文献1参照)。
従来のバッチ式CVD装置においては、ポッドがポッドオープナによって開放されると、ポッドのウエハ収納室が大気雰囲気に晒される状態になるため、ウエハ収納室に収納されたウエハに自然酸化膜が堆積したりパーティクルが付着したりする場合がある。そこで、ポッドのウエハ収納室に不活性ガスを充填する場合があるが、ポッドのウエハ収納室は大気雰囲気になっているのが通例である。大気雰囲気になっている場合には、ポッドが開放された際に、ポッドのウエハ収納室の大気がバッチ式CVD装置におけるウエハ授受ポートの内側空間に侵入してしまうため、内側空間を汚染したり酸素濃度を上昇させてしまうという問題点が発生する。 In the conventional batch type CVD apparatus, when the pod is opened by the pod opener, the wafer storage chamber of the pod is exposed to the air atmosphere, so that a natural oxide film is deposited on the wafer stored in the wafer storage chamber. Or particles may adhere. Thus, the wafer storage chamber of the pod may be filled with an inert gas, but the wafer storage chamber of the pod is usually in an air atmosphere. When the pod is opened, the atmosphere in the wafer storage chamber of the pod will enter the inner space of the wafer transfer port in the batch type CVD apparatus when the pod is opened. The problem of increasing the oxygen concentration occurs.
本発明の目的は、基板の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着、内側空間の汚染や酸素濃度の上昇等のポッドの開放時における弊害の発生を防止することができる基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing the occurrence of harmful effects when the pod is opened, such as deposition of a natural oxide film on a substrate, adhesion of particles, contamination of an inner space, and an increase in oxygen concentration. It is in.
前記した課題を解決するための手段は、複数枚の基板が基板出し入れ口から収納されこの基板出し入れ口にはドアが着脱自在に装着されたキャリアを取り扱う基板処理装置であって、前記キャリアに対して前記基板を出し入れする基板授受ポートが設けられているとともに、この基板授受ポートには前記ドアを着脱して前記キャリアを開閉するキャリア開閉装置が設けられており、前記基板授受ポートには前記キャリアの前記基板出し入れ口を被覆するチャンバが設置され、このチャンバには前記キャリアの内部に前記基板出し入れ口から不活性ガスを導入させる給気管が接続されており、
前記給気管は前記キャリアの一方の側面側から他方の側面側に向けて前記不活性ガスを噴出し、前記他方の側面に達した前記不活性ガスの流れが前記キャリアの奥側に反射するように配置されていることを特徴とする。
Means for solving the above-mentioned problem is a substrate processing apparatus for handling a carrier in which a plurality of substrates are accommodated from a substrate loading / unloading port and a door is detachably attached to the substrate loading / unloading port. A substrate transfer port for inserting and removing the substrate, and a carrier opening and closing device for opening and closing the carrier by attaching and detaching the door to the substrate transfer port. A chamber for covering the substrate loading / unloading port is installed, and an air supply pipe for introducing an inert gas from the substrate loading / unloading port to the inside of the carrier is connected to the chamber,
The air supply pipe ejects the inert gas from one side surface of the carrier toward the other side surface, and the flow of the inert gas reaching the other side surface is reflected to the back side of the carrier. It is characterized by being arranged in.
前記した手段によれば、ドアが外されてキャリアの基板出し入れ口が開放された際に、チャンバに不活性ガスを供給することにより、不活性ガスをキャリアの内部に基板出し入れ口から流通させて不活性ガスによってパージすることができるため、基板の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着、内側空間の汚染や酸素濃度の上昇等のポッドの開放時における弊害の発生を防止することができる。この際、不活性ガスはキャリアの片側から他の片側に向けて噴出され、キャリアの内部の隅々まで行き渡るために、キャリアの内部の空気を確実に排出して充満することができる。 According to the above means, when the door is removed and the substrate loading / unloading port of the carrier is opened, an inert gas is supplied to the chamber so that the inert gas is circulated into the carrier from the substrate loading / unloading port. Since it can be purged with an inert gas, it is possible to prevent the occurrence of harmful effects at the time of opening the pod, such as deposition of a natural oxide film on the substrate, adhesion of particles, contamination of the inner space, and increase in oxygen concentration. At this time, the inert gas is ejected from one side of the carrier toward the other side and reaches every corner inside the carrier, so that the air inside the carrier can be reliably discharged and filled.
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、バッチ式CVD装置すなわちバッチ式縦形拡散・CVD装置として図1に示されているように構成されている。図1に示されているバッチ式CVD装置1は気密室構造に構築された筐体2を備えている。筐体2内の一端部(以下、後端部とする。)の上部にはヒータユニット3が垂直方向に据え付けられており、ヒータユニット3の内部にはプロセスチューブ4が同心に配置されている。プロセスチューブ4にはプロセスチューブ4内に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管5と、プロセスチューブ4内を真空排気するための排気管6とが接続されている。筐体2の後端部の下部にはボートエレベータ7が設置されており、ボートエレベータ7はプロセスチューブ4の真下に配置されたボート8を垂直方向に昇降させるように構成されている。ボート8は多数枚のウエハ9を中心を揃えて水平に配置した状態で支持して、プロセスチューブ4の処理室に対して搬入搬出するように構成されている。
In the present embodiment, the substrate processing apparatus according to the present invention is configured as a batch type CVD apparatus, that is, a batch type vertical diffusion / CVD apparatus, as shown in FIG. The batch type CVD apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a housing 2 constructed in an airtight chamber structure. A
筐体2の正面壁にはポッド出し入れ口(図示せず)が開設されており、ポッド出し入れ口はフロントシャッタによって開閉されるようになっている。ポッド出し入れ口にはポッド10の位置合わせを実行するポッドステージ11が設置されており、ポッド10はポッド出し入れ口を通してポッドステージ11に出し入れされるようになっている。
A pod loading / unloading port (not shown) is opened on the front wall of the housing 2, and the pod loading / unloading port is opened and closed by a front shutter. A pod stage 11 for performing positioning of the
筐体2内の前後方向の中央部の上部には回転式のポッド棚12が設置されており、回転式のポッド棚12は合計十六個のポッド10を保管するように構成されている。すなわち、回転式のポッド棚12は略卍形状に形成された四段の棚板が上下方向に配置されて水平面内で回転自在に支承されており、モータ等の間欠回転駆動装置(図示せず)によってピッチ送り的に一方向に回転されるようになっている。筐体2内のポッド棚12の下側には基板としてのウエハ9をポッド10に対して授受するためのウエハ授受ポート13が一対、垂直方向に上下二段に配置されて設置されており、両ウエハ授受ポート13、13には後記するポッドオープナ20がそれぞれ設置されている。
A rotary pod shelf 12 is installed in the upper part of the central portion in the front-rear direction in the housing 2, and the rotary pod shelf 12 is configured to store a total of 16
筐体2内のポッドステージ11とポッド棚12およびウエハ授受ポート13との間には、ポッド搬送装置14が設置されており、ポッド搬送装置14はポッドステージ11とポッド棚12およびウエハ授受ポート13との間、およびポッド棚12とウエハ授受ポート13との間でポッド10を搬送するように構成されている。また、ウエハ授受ポート13とボート8との間にはウエハ移載装置15が設置されており、ウエハ移載装置15はウエハ授受ポート13とボート8との間でウエハ9を搬送するように構成されている。さらに、ボートエレベータ7の脇にはボートチェンジャ16が設置されており、ボートチェンジャ16は二台のボート8、8をボートエレベータ7に対して入れ替えるように構成されている。
A
上下のウエハ授受ポート13、13に設置されたポッドオープナ20、20は同一に構成されているため、ポッドオープナ20の構成については上段のウエハ授受ポート13に設置されたものについて説明する。
Since the
図1に示されているように、キャリア開閉装置としてのポッドオープナ20は筐体2内においてウエハ授受ポート13とウエハ移載装置15とを仕切るように垂直に立脚された側壁をなすベース21を備えている。図2および図3に示されているように、ベース21にはポッド10のドア10aに対して若干大きめに相似する四角形に形成されたウエハ出し入れ口22が開設されている。ベース21は上下のポッドオープナ20、20で共用されているため、ベース21には上下で一対のウエハ出し入れ口22、22が垂直方向で縦に並ぶように開設されている。
As shown in FIG. 1, a
図2に示されているように、ベース21のウエハ授受ポート13側の主面(以下、正面とする。)におけるウエハ出し入れ口22の下側には、アングル形状の支持台23が水平に固定されており、支持台23の平面視の形状は一部が切り欠かれた略正方形の枠形状に形成されている。支持台23の上面には一対のガイドレール24、24がベース21の正面と平行方向(以下、左右方向とする。)に配置されて、ベース21の正面と直角方向(以下、前後方向とする。)に延在するように敷設されており、左右のガイドレール24、24には載置台27が複数個のガイドブロック25を介して前後方向に摺動自在に支承されている。載置台27は支持台23の上面に据え付けられたエアシリンダ装置26によって前後方向に往復移動されるようになっている。
As shown in FIG. 2, an angle-
図2に示されているように、載置台27は一部が切り欠かれた略正方形の枠形状に形成されており、載置台27の上面には位置決めピン28が三本、正三角形の頂点に配置されて垂直に突設されている。三本の位置決めピン28はポッド10が図3に示されているように載置台27の上に載置された状態において、ポッド10の下面に没設された三箇所の位置決め凹部(図示せず)に嵌入するようになっている。
As shown in FIG. 2, the mounting table 27 is formed in a substantially square frame shape with a part cut away, and three
図4に示されているように、ベース21のウエハ移載装置15側の主面(以下、背面とする。)におけるウエハ出し入れ口22の下側には、ガイドレール30が左右方向に水平に敷設されており、ガイドレール30にはアングル形状に形成された左右方向移動台31が、左右方向に往復移動し得るように摺動自在に支承されている。左右方向移動台31の垂直部材にはエアシリンダ装置32が左右方向に水平に据え付けられており、エアシリンダ装置32のピストンロッド32aの先端はベース21に固定されている。すなわち、左右方向移動台31はエアシリンダ装置32の往復作動によって左右方向に往復駆動されるようになっている。
As shown in FIG. 4, a
図5に示されているように、左右方向移動台31の水平部材の上面には一対のガイドレール33、33が左右に配されて前後方向に延在するように敷設されており、両ガイドレール33、33には前後方向移動台34が前後方向に往復移動し得るように摺動自在に支承されている。前後方向移動台34の片側端部にはガイド孔35が左右方向に延在するように開設されている。左右方向移動台31の一側面にはブラケット36が固定されており、ブラケット36にはロータリーアクチュエータ37が垂直方向上向きに据え付けられている。ロータリーアクチュエータ37のアーム37aの先端に垂直に立脚されたガイドピン38は、前後方向移動台34のガイド孔35に摺動自在に嵌入されている。すなわち、前後方向移動台34はロータリーアクチュエータ37の往復回動によって前後方向に往復駆動されるように構成されている。
As shown in FIG. 5, a pair of
前後方向移動台34の上面にはクロージャ40を支持するブラケット39が垂直に立脚されており、ブラケット39の正面にはウエハ出し入れ口22に若干大きめに相似する長方形の平盤形状に形成されたクロージャ40が垂直に固定されている。つまり、クロージャ40は前後方向移動台34によって前後方向に往復移動されるようになっているとともに、左右方向移動台31によって左右方向に往復移動されるようになっている。クロージャ40は前進移動してそのベース側を向いた主面(以下、正面とする。)がベース21の背面に当接することにより、ウエハ出し入れ口22を閉塞し得るようになっている。
A
なお、図5に示されているように、ベース21の正面におけるウエハ出し入れ口22の周りには、ポッド10の押し付け時にポッド10のウエハ出し入れ口およびベース21のウエハ出し入れ口22をシールするパッキン54が敷設されている。クロージャ40の正面における外周縁近傍には、クロージャ40の押し付け時にベース21のウエハ出し入れ口22をシールするためのパッキン55が敷設されている。クロージャ40の正面における外周縁のパッキン55の内側には、ドア10aに付着した異物がウエハ移載装置15の設置室側へ侵入するのを防止するためのパッキン56が敷設されている。クロージャ40の背面における外周縁には、チャンバ60のウエハ出し入れ口62をシールするためのパッキンが敷設されている。便宜上、図4および図5においては、後記するチャンバの図示が省略されている。
As shown in FIG. 5, around the wafer loading / unloading
図4に示されているように、クロージャ40の上下方向の中心線上には、一対の解錠軸41、41が左右に配置され前後方向に挿通されて回転自在に支承されている。両解錠軸41、41におけるクロージャ40のベースと反対側の主面(以下、背面とする。)側の端部には、一対のプーリー42、42が固定されており、両プーリー42、42間には連結片44を有するベルト43が巻き掛けられている。クロージャ40の背面における一方のプーリー42の上側にはエアシリンダ装置45が水平に据え付けられており、エアシリンダ装置45のピストンロッドの先端はベルト43の連結片44に連結されている。すなわち、両解錠軸41、41はエアシリンダ装置45の伸縮作動によって往復回動されるようになっている。図2に示されているように、両解錠軸41、41のクロージャ40の正面側の端部には、ドア10aの錠前(図示せず)に係合する係合部41aが直交して突設されている。
As shown in FIG. 4, a pair of unlocking
図2に示されているように、クロージャ40の正面における一方の対角付近には、ドア10aの表面に吸着する吸着具(吸盤)46が二個、吸込口部材47によってそれぞれ固定されている。吸着具46を固定する吸込口部材47は中空軸によって構成されており、吸込口部材47の背面側端は給排気路(図示せず)に接続されている。吸込口部材47の正面側端の外径はドア10aに没設された位置決め穴(図示せず)に嵌入するように設定されている。すなわち、吸込口部材47はドア10aの位置決め穴に嵌入してドア10aを機械的に支持するための支持ピンを兼用するように構成されている。
As shown in FIG. 2, two suction tools (suction cups) 46 that are attracted to the surface of the
図2、図4および図6に示されているように、ベース21の正面におけるウエハ出し入れ口22の片脇にはロータリーアクチュエータ50が、その回転軸50aが垂直方向になるように据え付けられており、回転軸50aには略C字形状に形成されたアーム51の一端が水平面内で一体回動するように固定されている。アーム51はベース21に開設された挿通孔52を挿通されており、アーム51のベース21の背面側の先端部にはマッピング装置53が固定されている。
As shown in FIGS. 2, 4 and 6, a
図6および図7に示されているように、ベース21の背面にはチャンバ60が上下のポッドオープナ20、20のクロージャ40、40を収容するように敷設されており、チャンバ60のクロージャ収容室61の水平方向の長さは、クロージャ40が横に移動してウエハ出し入れ口22を完全に開口させるのを許容し得るように設定されている。チャンバ60の背面壁における上下のウエハ出し入れ口22、22に対向する位置には、チャンバ60のウエハ出し入れ口62、62がそれぞれ開設されており、各ウエハ出し入れ口62はクロージャ40の背面部を挿入し得る大きさの四角形の開口に形成されている。また、ウエハ出し入れ口62はマッピング装置53を背面側から挿入し得るように設定されている。チャンバ60の背面壁におけるウエハ出し入れ口62と反対側の位置には、クロージャ収容室61を排気する排気管63がクロージャ収容室61に連通するように接続されている。チャンバ60の背面壁における排気管63と反対側の位置には、不活性ガスとしての窒素ガス64を供給する給気管65が挿入されており、給気管65のクロージャ収容室61の吐出端には図8に示されたノズル66が接続されている。図8に示されているようにノズル66は上端が閉塞された円筒形状の本体67を備えており、本体67の下端開口が給気管65の吐出端に接続されることにより、ノズル66はクロージャ収容室61の内部において垂直に配管されている。ノズル66の本体67には複数個の噴出口68が長手方向に等間隔に配置されて開設されており、図11に示されているように、各噴出口68は窒素ガス64をポッド10のウエハ出し入れ口10bの片側からウエハ収納室10cにウエハ出し入れ口10bの平面に対して20度〜30度の傾斜角Θをもって他の片側に向けて噴出して、他の片側の内面に達した窒素ガス64の流れがポッド10の奥側に反射させるようになっている。これにより、見かけ上、窒素ガス64の流れは噴出口68側から噴出口68と反対側の内面に達した後に奥側へ反射する方向に回転すること(図11では反時計回り)となる。
As shown in FIGS. 6 and 7, a
次に、ICの製造方法における前記構成に係るバッチ式CVD装置による成膜工程を説明する。なお、説明を理解し易くするため、以下の説明においては、一方のウエハ授受ポート13を上段ポートAとし、他方のウエハ授受ポート13を下段ポートBとする。 Next, a film forming process by the batch type CVD apparatus according to the above configuration in the IC manufacturing method will be described. In order to facilitate understanding of the description, in the following description, one wafer transfer port 13 is an upper port A and the other wafer transfer port 13 is a lower port B.
図1に示されているように、筐体2内のポッドステージ11にポッド出し入れ口から搬入されたポッド10は、ポッド搬送装置14によって指定されたポッド棚12に適宜に搬送されて保管される。ポッド棚12に保管されたポッド10はポッド搬送装置14によって適宜にピックアップされ、上段ポートAに搬送されて、図3に示されているように、ポッドオープナ20の載置台27に移載される。この際、ポッド10の下面に没設された位置決め凹部が載置台27の三本の位置決めピン28とそれぞれ嵌合されることにより、ポッド10と載置台27との位置合わせが実行される。
As shown in FIG. 1, the
ポッド10が載置台27に載置されて位置合わせされると、載置台27がエアシリンダ装置26によってベース21の方向に押され、図9に示されているように、ポッド10の開口側端面がベース21の正面におけるウエハ出し入れ口22の開口縁辺部に押し付けられる。また、ポッド10がベース21の方向に押されると、クロージャ40の解錠軸41がドア10aの鍵穴に挿入される。続いて、負圧がクロージャ40の吸込口部材47に給排気路から供給されることにより、ポッド10のドア10aが吸着具46によって真空吸着保持される。この状態で、解錠軸41がエアシリンダ装置45によって回動されると、解錠軸41はドア10a側の錠前に係合した係合部41aによってドア10aの錠前の施錠を解除する。
When the
次いで、前後方向移動台34がベース21から離れる方向にロータリーアクチュエータ37の作動によって移動されると、図10で参照されるように、クロージャ40はポッド10のドア10aを真空吸着保持した状態でチャンバ60のクロージャ収容室61に後退することにより、ドア10aをポッド10のウエハ出し入れ口10bから抜き出す。これにより、ポッド10のウエハ出し入れ口10bは開放された状態になる。クロージャ40が前後方向移動台34によってさらに後退されると、図10に示されているように、クロージャ40はチャンバ60の背面壁に開設されたウエハ出し入れ口62にクロージャ収容室61の内側から当接することにより、クロージャ収容室61を密封した状態になる。
Next, when the back-and-forth moving table 34 is moved in the direction away from the base 21 by the operation of the
クロージャ40がクロージャ収容室61を密封すると、図11に示されているように、ポッド10のウエハ収容室10cには窒素ガス64が給気管65に接続されたノズル66の噴出口68から供給され、排気管63によって排気されることにより流通される。クロージャ収容室61を流通する窒素ガス64はウエハ出し入れ口10bからポッド10のウエハ収納室10cに流入した後に流出することにより、ウエハ収納室10cの大気を排気するとともに、ウエハ収納室10cに充満する。この際、窒素ガス64はノズル66の噴出口68から20度〜30度の傾斜角Θをもってウエハ収納室10cに噴き込まれるため、ウエハ収納室10cの向い側の内面で奥側に反射して奥面に達した後にウエハ出し入れ口10bに還流し、ウエハ収納室10cの大気を澱みなく確実に排気するとともに、隅々まで充満する。その結果、チャンバ60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cにおける大気中の空気や水分は、窒素ガス64によってパージされた状態になる。さらに、窒素ガス64の流れを上述のようにすることにより、窒素ガス64の噴出量や流速を速めることができ、より一層ポッド10内のパージ時間を短縮することもできる。このとき、酸素濃度は20ppm以下であることが好ましい。なお、参考に300mmウエハ対応のポッドで、ウエハを25枚載置した場合、ノズル66のサイズを9.52mm径、噴出口68のサイズを1mm径、ノズル噴出口68を13個(ウエハ2枚を1個の噴出口でカバー)とし、給気管ヘの窒素ガスの流量を200L/min、0.5Mpaとしたとき、置換時間が短縮し、良好の結果が得られた。
When the
チャンバ60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cが窒素ガス64によってパージされると、左右方向移動台31がエアシリンダ装置32の作動によってウエハ出し入れ口22から離れる方向に移動される。これにより、図12で参照されるように、ドア10aを吸着具46によって真空吸着保持したクロージャ40はクロージャ収容室61をウエハ出し入れ口62から離間した退避位置に移動される。このクロージャ40の退避移動により、チャンバ60のウエハ出し入れ口62、ベース21のウエハ出し入れ口22およびポッド10のウエハ出し入れ口10bがそれぞれ開放された状態になる。この際、予め、チャンバ60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cが窒素ガス64によってパージされているため、大気中の空気や水分がベース21の背面側空間であるウエハ移載装置15の設置空間に放出されることはなく、それらによるウエハ移載装置15の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生は防止されることになる。
When the
クロージャ40が退避されると、図12に示されているように、マッピング装置53がロータリーアクチュエータ50の作動によって移動されて、マッピング装置53がポッド10のウエハ収納室10cへチャンバ60のウエハ出し入れ口62、ベース21のウエハ出し入れ口22およびポッド10のウエハ出し入れ口10bを潜り抜けて挿入される。ポッド10のウエハ収納室10cへ挿入されたマッピング装置53はウエハ収納室10cに収納された複数枚のウエハ9を検出することによってマッピングする。なお、マッピングはポッド10の中のウエハ9の所在位置(ウエハ9がどの保持溝にあるのか。)を確認する作業のことである。指定されたマッピング作業が終了すると、マッピング装置53はロータリーアクチュエータ50の作動によって元の待機位置に戻される。
When the
マッピング装置53が待機位置に戻ると、上段ポートAにおいて開けられたポッド10の複数枚のウエハ9はボート8にウエハ移載装置15によって順次装填(チャージング)されて行く。この際、ウエハ移載装置15の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生は防止されているため、移載中のウエハ9の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着等の弊害の発生は防止されることになる。
When the
この上段ポートAにおけるウエハ移載装置15によるウエハ9のボート8への装填作業中に、下段ポートBにはポッド棚12から別のポッド10がポッド搬送装置14によって搬送されて移載され、ポッドオープナ20による前述した位置決め作業からマッピング作業が同時進行される。このように下段ポートBにおいてマッピング作業迄が同時進行されると、上段ポートAにおけるウエハ9のボート8への装填作業の終了と同時に、下段ポートBに待機させたポッド10についてのウエハ移載装置15によるウエハ9のボート8への装填作業を開始することができる。すなわち、ウエハ移載装置15はポッド10の入替え作業についての待ち時間を浪費することなくウエハ移載作業を連続して実施することができるため、バッチ式CVD装置1のスループットを高めることができる。
During the loading operation of the wafer 9 to the
翻って、上段ポートAにおいてウエハ移載装置15によるウエハ9のボート8への装填作業が終了すると、空ポッド閉じ作業が前述したポッド開放作業と略逆の順序で実行される。すなわち、クロージャ40に保持されて退避されていたドア10aがウエハ出し入れ口22の位置に左右方向移動台31によって戻され、前後方向移動台34によってウエハ出し入れ口22に挿入されて、ポッド10のウエハ出し入れ口10bに嵌入される。ドア10aがウエハ出し入れ口10bに嵌入されると、解錠軸41がエアシリンダ装置45によって回動され、ドア10aの錠前を施錠する。ドア10aの施錠が終了すると、給排気路から吸込口部材47へ供給されていた負圧が切られて大気に開放されることにより、吸着具46の真空吸着保持が解除される。続いて、載置台27がエアシリンダ装置26によってベース21から離れる方向に移動され、ポッド10の開口側端面がベース21の正面から離座される。
In turn, when the loading operation of the wafers 9 into the
ドア10aによりウエハ出し入れ口10bが閉塞された上段ポートAの空のポッド10は、ポッド棚12にポッド搬送装置14によって搬送されて一時的に戻される。空のポッド10が上段ポートAから搬出されると、次の実ポッド10が上段ポートAに搬入される。以降、上段ポートAおよび下段ポートBにおいて、前述した作業が必要回数繰り返される。
The
以上のようにして上段ポートAと下段ポートBとに対するウエハ移載装置15によるウエハ9のボート8への装填作業が交互に繰り返されることによって、複数枚のウエハ9がポッド10からボート8に装填されて行く。この際、バッチ処理するウエハ9の枚数(例えば、百枚〜百五十枚)は一台のポッド10に収納されたウエハ9の枚数(例えば、二十五枚)よりも何倍も多いため、複数台のポッド10が上段ポートAと下段ポートBとにポッド搬送装置14によって交互に繰り返し供給されることになる。
As described above, the loading operation of the wafer 9 to the
予め指定された複数枚のウエハ9がポッド10からボート8に移載されると、ウエハ授受ポート13にとっては実質的に待機中となる成膜ステップがプロセスチューブ4において実行される。すなわち、ボート8はボートエレベータ7によって上昇されてプロセスチューブ4の処理室に搬入(ボートローディング)される。ボート8が上限に達すると、ボート8を保持したシールキャップの上面の周辺部がプロセスチューブ4をシール状態に閉塞するため、処理室は気密に閉じられた状態になる。プロセスチューブ4の処理室が気密に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管6によって真空排気され、ヒータユニット3によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管5によって所定の流量だけ供給される。これにより、所定の膜がウエハ9に形成される。そして、予め設定された処理時間が経過すると、ボート8がボートエレベータ7によって下降されることにより、処理済みウエハ9を保持したボート8が元の装填および脱装ステーション(以下、装填ステーションという。)に搬出(ボートアンローディング)される。
When a plurality of wafers 9 designated in advance are transferred from the
以上の成膜ステップの実行中に上段ポートAおよび下段ポートBにおいては、他方のボート8に保持された処理済みウエハ9の脱装(ディスチャージング)作業が同時進行されている。すなわち、装填ステーションに搬出されたボート8の処理済みウエハ9は、ウエハ移載装置15によってピックアップされ、上段ポートAに予め搬入されてドア10aを外されて開放された空のポッド10に収納される。上段ポートAでの空のポッド10への所定の枚数のウエハ9の収容が終了すると、クロージャ40に保持されて退避されていたドア10aがウエハ出し入れ口22の位置に左右方向移動台31によって戻され、前後方向移動台34によってウエハ出し入れ口22に挿入され、ポッド10のウエハ出し入れ口10bに嵌入される。この際にも、窒素ガス64がクロージャ収容室61に給気管65と排気管63とによって流通されることにより、クロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cが窒素ガス64によってパージされ、ポッド収納室10cに窒素ガス64が充填される。ドア10aがウエハ出し入れ口10bに嵌入されると、解錠軸41がエアシリンダ装置45によって回動され、ドア10aの錠前を施錠する。これにより、ウエハ収納室10cには窒素ガス64が密封された状態になる。ドア10aの施錠が終了すると、給排気路から吸込口部材47に供給されていた負圧が切られて大気に開放されることにより、吸着具46のドア10aの真空吸着保持が解除される。続いて、載置台27がエアシリンダ装置26によってベース21から離れる方向に移動され、ポッド10の開口側端面がベース21の正面から離座される。次いで、処理済みのウエハ9が収納された処理済み実ポッド10はポッド棚12にポッド搬送装置14によって搬送されて戻される。
During the above film forming steps, in the upper port A and the lower port B, the removal (discharging) work of the processed wafers 9 held in the
処理済みウエハ9を収納してポッド棚12に戻されたポッド10は、ポッド棚12からポッドステージ11へポッド搬送装置14によって搬送される。ポッドステージ11に移載されたポッド10はポッド出し入れ口から筐体2の外部に搬出されて、洗浄工程や成膜検査工程等の次工程へ搬送される。そして、新規のウエハ9を収納したポッド10が筐体2内のポッドステージ11にポッド出し入れ口から搬入される。
The
なお、新旧ポッド10のポッドステージ11への搬入搬出(ポッドローディングおよびポッドアンローディング)作業およびポッドステージ11とポッド棚12との間の入替え作業は、プロセスチューブ4におけるボート8の搬入搬出(ボートローディングおよびボートアンローディング)作業や成膜処理の間すなわち成膜待機ステップの実行中に同時進行されるため、バッチ式CVD装置1の全体としての作業時間が延長されるのを防止することができる。
The loading and unloading (pod loading and pod unloading) work of the old and
以降、以上説明したウエハ装填脱装方法および成膜方法が繰り返されて、CVD膜がウエハ9にバッチ式CVD装置1によって形成され、ICの製造方法における成膜工程が実施されて行く。 Thereafter, the wafer loading / unloading method and the film forming method described above are repeated to form a CVD film on the wafer 9 by the batch-type CVD apparatus 1, and the film forming process in the IC manufacturing method is performed.
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.
1) ポッドオープナ20のベース21にポッド10のウエハ出し入れ口10bを被覆するチャンバ60を敷設し、このチャンバ60には窒素ガス64をクロージャ収容室61に流通させるための給気管65および排気管63を接続することにより、ポッドオープナ20によるポッド10の開放時に窒素ガス64をチャンバ60のクロージャ収容室61に充填することができるため、ポッド10のウエハ収納室10cに閉じ込められていた大気を窒素ガス64によって排気するとともに、クロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cにおける大気中の空気や水分を窒素ガス64によってパージすることができる。
1) A
2) チャンバ60のクロージャ収容室61やポッド10のウエハ収納室10cを窒素ガス64によってパージすることにより、ポッド10のウエハ収納室10cに閉じ込められていた大気中の空気や水分がベース21の背面側空間であるウエハ移載装置15の設置空間に放出されるのを防止することができるため、それらによるウエハ移載装置15の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生は防止することができる。
2) By purging the
3) ポッド10のウエハ出し入れ口10bの開放時にウエハ収納室10cのウエハ9が大気中の空気や水分に接触するのを防止することができるため、それらによるウエハ9の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着等の弊害の発生を防止することができる。さらに、ポッド10のウエハ出し入れ口10bの閉鎖時に、ポッド10のウエハ収納室10cに窒素ガス64を充填して密封することにより、収納中のウエハの自然酸化等を抑制することができる。
3) It is possible to prevent the wafer 9 in the
4) 窒素ガス64をノズル66の噴出口68から20度〜30度の傾斜角Θをもってウエハ収納室10cに噴き込んで、ウエハ収納室10cの向い側の内面で奥側に反射して奥面に達した後にウエハ出し入れ口10bに還流させることにより、ウエハ収納室10cの大気を澱みなく確実に排気するとともに、窒素ガス64を隅々まで充満させることができるので、チャンバ60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cにおける大気中の空気や水分を窒素ガス64によってパージすることができる。すなわち、窒素ガスをウエハ収納室へ傾斜角Θをもって噴き込むことにより、スムースな置換が可能となり、パージ置換時間を短縮することができる。
4)
図13は本発明の他の実施の形態であるバッチ式CVD装置のポッドオープナを示す平面断面図である。本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、チャンバ60のウエハ出し入れ口62を開閉するためのゲートバルブ70が設備されている点である。
FIG. 13 is a plan sectional view showing a pod opener of a batch type CVD apparatus according to another embodiment of the present invention. The present embodiment is different from the above embodiment in that a
本実施の形態においては、図13に示されているように、チャンバ60のウエハ出し入れ口62がゲートバルブ70によって閉じられ、ベース21のウエハ出し入れ口22がクロージャ40によって閉じられた状態で、窒素ガス64がクロージャ収容室61に給気管65およびノズル66を通じて供給され、クロージャ収容室61が排気管63によって排気されることにより、クロージャ収容室61が窒素ガス64によってパージされる。このとき、クロージャ収容室61の酸素濃度は20ppmであることが好ましい。
In the present embodiment, as shown in FIG. 13, the wafer loading / unloading
次に、図14で参照されるように、ポッド10のドア10aがクロージャ40によって取り外され、ポッド10のウエハ出し入れ口62が開放される。続いて、図14に示されているように、窒素ガス64が給気管65によって供給され、ノズル66の噴出口68からポッド10のウエハ収納室10cに20度〜30度の傾斜角Θをもって吹き込まれ、ウエハ収納室10cが窒素ガス64によってパージされる。このとき、ウエハ収納室10cの酸素濃度は20ppmであることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 14, the
その後、図15で参照されるように、チャンバ60のウエハ出し入れ口62がゲートバルブ70によって開かれる。このとき、チャンバ60の背面側の筐体2の内部は窒素ガス64によってパージされる。図15に示されているように、ゲートバルブ70がウエハ出し入れ口62から退避されるとともに、クロージャ40がベース21のウエハ出し入れ口22から退避されると、ウエハ9がポッド10のウエハ収納室10cからウエハ出し入れ口10b、22、62を通じてウエハ移載装置15によって取り出される。これ以外の作動は前記実施の形態と略同様である。
Thereafter, as shown in FIG. 15, the wafer loading / unloading
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
窒素ガス等の不活性ガスをポッドのウエハ収納室に吹き込むノズルの具体的な構造は、前記実施の形態の構造に限らない。例えば、複数個の噴出口を本体に一列に等間隔に配置して開設するに限らず、細長い噴出口を本体に縦に開設してもよい。 The specific structure of the nozzle that blows an inert gas such as nitrogen gas into the wafer storage chamber of the pod is not limited to the structure of the above embodiment. For example, a plurality of jet outlets are not limited to be arranged at equal intervals in the main body and may be opened vertically in the main body.
基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。 The substrate is not limited to a wafer, but may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.
バッチ式CVD装置は成膜処理に使用するに限らず、酸化膜形成処理や拡散処理等の他の熱処理(thermal treatment )にも使用することができる。 The batch-type CVD apparatus is not limited to use for film formation, but can also be used for other thermal treatment such as oxide film formation or diffusion.
前記実施の形態ではバッチ式縦形拡散・CVD装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板処理装置全般に適用することができる。 In the above embodiment, the case of a batch type vertical diffusion / CVD apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to all substrate processing apparatuses.
1…バッチ式CVD装置(基板処理装置)、2…筐体、3…ヒータユニット、4…プロセスチューブ、5…ガス導入管、6…排気管、7…ボートエレベータ、8…ボート、9…ウエハ(基板)、10…ポッド、10a…ドア、10b…ウエハ出し入れ口、10c…ウエハ収納室、11…ポッドステージ、12…ポッド棚、13…ウエハ授受ポート、14…ポッド搬送装置、15…ウエハ移載装置、16…ボートチェンジャ、20…ポッドオープナ(開閉装置)、21…ベース、22…ウエハ出し入れ口、23…支持台、24…ガイドレール、25…ガイドブロック、26…エアシリンダ装置、27…載置台、28…位置決めピン、30…ガイドレール、31…左右方向移動台、32…エアシリンダ装置、32a…ピストンロッド、33…ガイドレール、34…前後方向移動台、35…ガイド孔、36…ブラケット、37…ロータリーアクチュエータ、37a…アーム、38…ガイドピン、39…ブラケット、40…クロージャ、41…解錠軸、41a…係合部、42…プーリー、43…ベルト、44…連結片、45…エアシリンダ装置、46…吸着具、47…吸込口部材、50…ロータリーアクチュエータ、50a…回転軸、51…アーム、52…挿通孔、53…マッピング装置、54、55、56…パッキン、60…チャンバ、61…クロージャ収容室、62…ウエハ出し入れ口、63…排気管、64…窒素ガス(不活性ガス)、65…給気管、66…ノズル、67…本体、68…噴出口、70…ゲートバルブ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Batch type CVD apparatus (substrate processing apparatus), 2 ... Housing, 3 ... Heater unit, 4 ... Process tube, 5 ... Gas introduction pipe, 6 ... Exhaust pipe, 7 ... Boat elevator, 8 ... Boat, 9 ... Wafer (Substrate) 10 ...
Claims (1)
前記給気管は前記キャリアの一方の側面側から他方の側面側に向けて前記不活性ガスを噴出し、前記他方の側面に達した前記不活性ガスの流れが前記キャリアの奥側に反射するように配置されていることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for handling a carrier in which a plurality of substrates are housed from a substrate loading / unloading port and a door is detachably attached to the substrate loading / unloading port, and a substrate transfer port for loading / unloading the substrate to / from the carrier is provided. The substrate transfer port is provided with a carrier opening / closing device that opens and closes the carrier by attaching and detaching the door, and the substrate transfer port is provided with a chamber that covers the substrate loading / unloading port of the carrier. And an air supply pipe for introducing an inert gas from the substrate inlet / outlet to the inside of the carrier.
The air supply pipe ejects the inert gas from one side surface of the carrier toward the other side surface, and the flow of the inert gas reaching the other side surface is reflected to the back side of the carrier. A substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus is disposed on the substrate.
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