JP2005079244A - Light emitting diode - Google Patents
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Abstract
【構成】 LED10はLED素子12を含み、LED素子12は樹脂からなるレンズ20で覆われる。レンズ20表面に反射防止用微細構造22が形成されており、LED素子12から発せられた光は反射防止用微細構造22を通過して、外部に放射される。一方、外部からLED10へ照射された外光も反射防止用微細構造22を通過して、レンズ20内に入射される。
【効果】 反射防止用微細構造22によってレンズ20から空気層へ屈折率が連続的に変化するようにされているため、LED素子12から発せられる光および外部からLED10へ照射される光に対して反射を防止することができ、LEDの発光効率を向上させ、かつ発光と反射光とによる干渉を抑えることができる。
【選択図】 図1[Structure] The LED 10 includes an LED element 12, and the LED element 12 is covered with a lens 20 made of resin. An antireflection microstructure 22 is formed on the surface of the lens 20, and light emitted from the LED element 12 passes through the antireflection microstructure 22 and is emitted to the outside. On the other hand, external light applied to the LED 10 from the outside also passes through the antireflection microstructure 22 and enters the lens 20.
[Effect] Since the refractive index continuously changes from the lens 20 to the air layer by the antireflection microstructure 22, the light emitted from the LED element 12 and the light emitted to the LED 10 from the outside are applied. Reflection can be prevented, the light emission efficiency of the LED can be improved, and interference due to light emission and reflected light can be suppressed.
[Selection] Figure 1
Description
この発明は、発光ダイオード(以下「LED」)に関し、特にたとえば、照明および液晶用光源などに使用され、LED素子を封止する樹脂レンズを備えるLEDに関する。 The present invention relates to a light emitting diode (hereinafter referred to as “LED”), and more particularly, to an LED that is used in, for example, an illumination and a liquid crystal light source and includes a resin lens that seals an LED element.
従来のLEDの一例が、特許文献1に開示されている。この特許文献1の半導体発光装置は半導体発光素子を含み、半導体発光素子はコア層、内皮層および外皮層で順番に覆われている。これら発光素子、コア層、内皮層、外皮層および空気層(外部)の屈折率を順番に小さくすることにより、外部から半導体発光装置へ照射される光を発光装置内へ取り込むと同時に、発光素子から発せられた光を外部へ放射する。さらに、外皮層の厚さを5〜15μmにすることにより、外部から入射される光の透過率を最大に設定している。
特許文献1の従来技術では、半導体発光素子をコア層、内皮層および外皮層で順番に覆うため、各層に対応する3種類の材料を用意し、それぞれの層を重ねなければならないので、製造工程および生産コストが増えて、生産性に問題がある。
これら発光素子、コア層、内皮層および外皮層の屈折率を順番に小さくしているが、コア層、内皮層および外皮層は屈折率以外に光透過性など半導体発光装置の部品として別の要件も備えなければならず、コア層、内皮層および外皮層に対応する最適な材料は限られてしまう。また、各層を形成する際に層間の物理的および化学的性質により層を重ねることができない場合があり、さらに材料の選択は限定される。
In the prior art of
The refractive index of these light emitting elements, core layer, endothelial layer and outer skin layer is made smaller in order, but the core layer, inner skin layer and outer skin layer have different requirements as parts of semiconductor light emitting devices such as light transmittance in addition to the refractive index. And the optimum materials corresponding to the core layer, the endothelial layer and the outer skin layer are limited. In addition, when forming each layer, the layers may not be stacked due to the physical and chemical properties between the layers, and the selection of materials is further limited.
外皮層の厚さを5〜15μmと限定しているが、層の厚さを制御すると、外皮層の生産管理が厳しくなり、半導体発光素子の歩留りが悪くなる。 Although the thickness of the outer skin layer is limited to 5 to 15 μm, when the thickness of the outer skin layer is controlled, production control of the outer skin layer becomes strict and the yield of the semiconductor light emitting device is deteriorated.
外皮層の厚さおよび屈折率を制御することにより、各界面で生じる反射光同士をそれぞれ干渉させて界面での光反射全体を弱めている。このため、特定の厚さおよび屈折率を持つ層により反射を防止できる光の波長域は狭く、波長域が広い外光および多種の半導体素子から発せられる光の波長に対応することはできない。 By controlling the thickness and refractive index of the outer skin layer, reflected light generated at each interface is caused to interfere with each other to weaken the entire light reflection at the interface. For this reason, the wavelength range of light that can be prevented from being reflected by the layer having a specific thickness and refractive index is narrow, and it is not possible to cope with the wavelength of external light having a wide wavelength range and light emitted from various semiconductor elements.
それゆえに、この発明の主たる目的は、容易に製造することができ、かつLEDのレンズ表面での反射を抑えながら、高い発光効率のLEDを提供することである。 Therefore, a main object of the present invention is to provide an LED that can be easily manufactured and has high luminous efficiency while suppressing reflection on the lens surface of the LED.
請求項1の発明は、LED素子を封止し、かつ樹脂からなるレンズを備えたLEDにおいて、レンズの表面に反射防止用微細構造を形成したことを特徴とするLEDである。
The invention of
請求項1の発明では、たとえばLEDはLED素子を含み、LED素子は一対の端子の一方上にマウントされ、その上面は他方の端子と金線で接続される。そして、LED素子、金線および一対の端子上部は樹脂で覆われ、レンズが形成される。
In the invention of
このようなLEDを製造する場合、一方の端子上にLED素子をマウントした後、銀ペーストなどの導電材料で固定する。このLED素子と他方の端子とを金線により接続する。 When manufacturing such an LED, the LED element is mounted on one terminal and then fixed with a conductive material such as silver paste. This LED element and the other terminal are connected by a gold wire.
その後、反射防止用微細構造の型が形成されたレンズ用金型にLED素子、金線、端子の上端部を入れて、たとえばエポキシ樹脂を金型内に注入して熱硬化させる。これにより、レンズ表面に反射防止用微細構造が形成されるため、LED素子から発せられた光がレンズ表面を通過する際、レンズと空気層との界面で急激な屈折率の変化がなく、この界面で光の反射が抑制される。このため、LEDは高い発光効率を得ることができる。 Thereafter, the LED element, the gold wire, and the upper end of the terminal are placed in the lens mold on which the antireflection microstructure has been formed, and, for example, epoxy resin is injected into the mold and thermally cured. As a result, an antireflection microstructure is formed on the lens surface, so that when the light emitted from the LED element passes through the lens surface, there is no sudden refractive index change at the interface between the lens and the air layer. Light reflection is suppressed at the interface. For this reason, LED can obtain high luminous efficiency.
また、外部からLEDへ照射される際も同様に、レンズと空気層との界面で急激な屈折率の変化がないため、この界面で外光は反射せず、外光はレンズ表面を通過する。このため、LED素子から発せられた光と外光によりレンズ表面で生じる反射光とが干渉することがない。 Similarly, when the LED is irradiated from the outside, since there is no sudden refractive index change at the interface between the lens and the air layer, external light is not reflected at this interface and the external light passes through the lens surface. . For this reason, the light emitted from the LED element and the reflected light generated on the lens surface by external light do not interfere with each other.
レンズ用金型に予め反射防止用微細構造の型を形成しておけば、この金型に樹脂を注入するだけで、反射防止用微細構造とレンズとを一体成型することができる。また、この構造は多くの樹脂の材料に適応することができる。 If a mold having an antireflection microstructure is formed in advance on the lens mold, the antireflection microstructure and the lens can be integrally molded simply by injecting resin into the mold. In addition, this structure can be applied to many resin materials.
請求項2の発明は、請求項1記載の発明において、反射防止用微細構造は、LED素子を中心にレンズの頂点における法線に対するなす角が指向角の1.33〜2.8倍の角度範囲で形成されるLEDである。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the antireflection microstructure has an angle of 1.33 to 2.8 times the directivity angle with respect to the normal line at the apex of the lens centering on the LED element. LED formed in a range.
請求項2の発明では、LED素子から発せされる光は指向性を有するため、この光はLED素子の真正面であるレンズの頂点を中心に狭い範囲しか通過しない。そこで、発光素子を中心にレンズの頂点における法線に対するなす角が指向角の1.33〜2.8倍の角度範囲で反射防止用微細構造を形成するだけで、十分にLED素子から発せられる光の反射を防止することができる。
In the invention of
請求項3の発明は、請求項1または2記載の発明において、反射防止用微細構造は錐体の集合体であるLEDである。 A third aspect of the present invention is the LED according to the first or second aspect, wherein the antireflection microstructure is an aggregate of cones.
請求項3の発明では、反射防止用微細構造を錐体にすることにより、LED素子から発せられた光がレンズから外側の空気層へ放射される際、レンズから空気層へ屈折率が連続的に変化するため、広い波長域の入射光に対してレンズと空気層との界面で生じる反射を防止し、LEDの発光効率を向上させることができる。よって、この反射防止効果は発光素子から発せられる光の波長、つまり発光素子の種類を選ばない。また、外側からレンズへ照射される外光に対しても同様に、広い波長域の光反射を防止できる。 In the invention of claim 3, by forming the antireflection microstructure into a cone, when the light emitted from the LED element is emitted from the lens to the outer air layer, the refractive index is continuous from the lens to the air layer. Therefore, reflection that occurs at the interface between the lens and the air layer with respect to incident light in a wide wavelength range can be prevented, and the luminous efficiency of the LED can be improved. Therefore, this antireflection effect does not select the wavelength of light emitted from the light emitting element, that is, the type of the light emitting element. Similarly, it is possible to prevent light reflection in a wide wavelength range with respect to external light applied to the lens from the outside.
請求項4の発明は、レーザダイオード(以下「LD」)素子を覆うカバーガラスを備えるLDユニットにおいて、カバーガラスの表面に反射防止用反射防止用微細構造を形成したことを特徴とするLDユニットである。
The invention of
請求項4の発明では、カバーガラスの表面に反射防止用微細構造が形成されるため、LD素子から発せられたレーザ光はカバーガラスを通過する際、カバーガラスと空気層との間で急激な屈折率の変化がなく、この界面でレーザ光は反射しない。このため、LDユニットは高い発光効率を得ることができる。また、外側からカバーガラスへ照射される外光に対しても同様に、光反射を防止できる。
In the invention of
この発明によれば、レンズ表面に反射防止用微細構造を形成したため、LED素子から発せられた光および外部からLEDへ照射される光はレンズと空気層との界面で反射せず、または反射が抑制されるため、LEDは高い発光効率を得ることができ、かつLEDから発せられた光と外光によりレンズ表面で生じる反射光とが干渉しない。 According to the present invention, since the antireflection microstructure is formed on the lens surface, the light emitted from the LED element and the light emitted to the LED from the outside do not reflect or reflect at the interface between the lens and the air layer. Therefore, the LED can obtain high luminous efficiency, and the light emitted from the LED does not interfere with the reflected light generated on the lens surface by external light.
反射防止用微細構造とレンズとを一体成型することができるため、LEDを容易に製造することができる。 Since the antireflection microstructure and the lens can be integrally molded, the LED can be easily manufactured.
この発明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。 The above object, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.
図1に示すこの発明の一実施例であるLED10はLED素子12を含み、LED素子12は第1端子14上にボンディングされ、このLED素子12の下面電極(図示せず)が第1端子14に接続される。LED素子12の上面には図示しない上面電極が形成され、この上面電極は別の第2端子16と金線18でワイヤボンディングされる。LED素子12、金線18および2本の端子14および16の上部を樹脂で覆うことによって、中実のレンズ20が形成される。
An
レンズ20はエポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂およびポリメチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂など透明な樹脂から形成され、ドーム状である。レンズ20表面に反射防止用微細構造22が形成される。
The
反射防止用微細構造22の形成範囲Wは発光中心であるLED素子12を中心にレンズ20の頂点20aにおける法線24に対するなす角θが指向角αの1.33〜2.8倍の角度範囲であり、好適には表1に示す値である。たとえば、指向角αが20度に対して反射防止用微細構造22の形成範囲の角度θは26.6〜56度であり、その中でも最適は40〜45度である。指向角αは相対発光強度が1/2となる角度である。反射防止用微細構造22は図2に示すように、均一な四角錘の突起26が横および縦方向に連続的に配列される集合体である。突起26のピッチpは入射光の波長λおよび突起26の屈折率nとの関係において数1を満たし、その高さhはアスペクト比が1以上になるように設定される。
The formation range W of the
たとえば、屈折率nが1.5の樹脂20で覆われるLED素子12が、最短波長λが400nmの光を発光した場合、突起26のピッチpは267nmであり、これに加工精度を考慮するとピッチpは300nm以下となり、高さhは300nm以上となる。
For example, when the
LED10を製造する場合、まず、第1端子14のリフレクタ28底面上に、LED素子12をマウントした後、銀ペーストなどで固定する。このLED素子12と第2端子16とを金線18により接続する。次に、図3に示す金型30にLED素子12、金線18、第1端子14及び第2端子16の上端部を入れた後、エポキシ樹脂を注入して熱硬化させてレンズ20を形成する。この金型30の内面はドーム状であり、この内表面には反射防止用微細構造22をレンズ20表面上に形成するための型32(これは図2の反射防止用微細構造に対してネガの構造を有する)が設けられる。形成範囲WはLED素子12の配置される点34を中心にドーム状の頂点30aにおける法線24に対するなす角θが指向角αの1.33〜2.8倍の角度である。
When manufacturing the
このようなLED10を使用する場合、1対の端子14および16を通じてLED素子12に電力が供給されると、LED素子12の上面から光が発せられる。LED素子12から発せられた光は前方にあるレンズ20に到達し、その光はレンズ効果により集束されてLED10外部へ放射される。LED素子12から発せられた光は指向性を持つため、特にLED素子12の真正面であるレンズ20の頂点20aを中心とした狭い範囲、つまりレンズ20表面に反射防止用微細構造22が形成される範囲Wを通過する。光が反射防止用微細構造22を通過する際、空気に対する樹脂すなわちレンズ20の体積が徐々に減少するのに伴い、屈折率も連続的に変化する。このため、レンズ20と空気層との界面で光の反射が生じず、LED素子12から発せられた光は外部(空気層)へ放射される。
When such an
一方、空気層からレンズ20へ照射される外光は、空気に対するレンズ20の体積が徐々に増加するのに伴い、屈折率も連続的に変化するため、レンズ20と空気層との界面で外光の反射が生じず、空気層から照射される外光はレンズ20内へ入射される。
On the other hand, since the refractive index of the external light irradiated from the air layer to the
反射防止用微細構造22に錐体を用いることにより、レンズ20表面でレンズ20から空気層へ空気に対して反射防止用微細構造22が占める体積は徐々に減少するのに伴い、屈折率が連続的に変化するため、広い波長域の光に対して反射を防止することができる。つまり、LED素子12から発せられた光がレンズから外側の空気層へ放射される場合、反対に外部からLED10のレンズ20内へ入射される場合に、レンズ20表面で光反射を防止できるため、LEDの発光効率を向上させ、かつ発光と反射光とによる干渉を抑えることができる。
このように、LED素子12から発せられた光がレンズ20の表面を通過する範囲Wに反射防止用微細構造22が形成されるため、レンズ20の屈折率が連続的に変化して、LED素子12から発せられた光はレンズ20と空気層との界面で反射しない。このため、レンズ20の表面における光損失を低減し、LED10の発光効率を向上させることができる。
たとえば、図4に示すように、反射防止膜を蒸着したガラス(蒸着AR)では反射率は波長依存性を有し、波長500nm付近では低い反射率を示すが、400nm以下および600nm以上の波長域では急激に反射率が増加している。これに対して、ガラスの表面に反射防止用微細構造22(微細AR)を設けると、全波長領域で低い反射率を示す。このため、反射防止用微細構造22を設けたガラスの表面では波長に影響されず、高い反射防止効果を得ることができる。
By using a cone for the
As described above, since the
For example, as shown in FIG. 4, in a glass (deposition AR) on which an antireflection film is deposited, the reflectance has a wavelength dependency and shows a low reflectance near a wavelength of 500 nm, but the wavelength range of 400 nm or less and 600 nm or more. Then, the reflectance increases rapidly. On the other hand, when the antireflection microstructure 22 (fine AR) is provided on the glass surface, the reflectance is low in the entire wavelength region. For this reason, the surface of the glass provided with the
また、空気層からLED10へ照射された外光がレンズ20表面の反射防止用微細構造22が形成される範囲Wを通過する際、レンズ20と空気層との界面で外光は反射しないため、この範囲WでLEDから発せられた光と外光によりレンズ表面で生じる反射光とが干渉しないため、LEDの点滅を見分けることができる。
Further, when the external light irradiated from the air layer to the
反射防止用微細構造22の型が形成されるレンズ20の金型30に樹脂を注入するだけで、反射防止用微細構造22とレンズ20とを一体成型することができるため、新たな製造工程や材料を必要としなく、迅速かつ容易に発光効率を向上させたLED10を製造することができる。また、この構成は多くの樹脂の材料に適応することができるため、容易に製造することができる。
The
なお、反射防止用微細構造22を四角錘の突起26としたが、円錐形などを用いてもよい。
Although the
図5に示すこの発明の他の一実施例であるLDユニット100はLD素子102を含む。LD素子102はステム104の一方面上にマウントされたヒートシンク106に接合され、キャップ108で覆われて不活性ガス雰囲気内に密封される。ステム104の他方面にリード線110が取り付けられる。キャップ108は円柱状で、円形の底面は空いており、側面の底面側の端部はステム104と結合する。キャップ108の上面の中心に上面と同心円の穴112が空いており、その裏側にカバーガラス114が設けられる。
An
カバーガラス114は円板であり、その両面には図2に示す反射防止用微細構造22が形成される。カバーガラス114は高い透光性を有する樹脂であり、たとえばポリカーボネート、アクリル樹脂、PET(ポリエチレンテレフタレート)、TAC(トリアセチルセルロース)などの樹脂から形成される。反射防止用微細構造22は図1に示すLED10の場合と同様であるため、説明は省略する。
The
このように、カバーガラス114の両面に反射防止用微細構造22を設けると、カバーガラス114の表面でLD素子102から発せられる光を反射しないため、LDユニット100の発光効率が良い。つまり、LD素子102から外部へ放射される光がカバーガラス114を通過する際、LD素子102側からカバーガラス114に向かって空気に対して反射防止用微細構造22が占める体積は徐々に増加するに伴い、屈折率も徐々に変化するため、光は急激な屈折率の変化を受けず、カバーガラス114の表面でLD素子102側へ反射しない。また、カバーガラス114内から外部に向かって空気に対して反射防止用微細構造22が占める体積は徐々に減少するに伴い、屈折率も徐々に変化するため、光はカバーガラス114内へ反射しない。このため、LD素子102から発せられた光はカバーガラス114表面で光量を損失することなく、高い発光効率を得ることができる。
As described above, when the
なお、反射防止用微細構造22はカバーガラス114全体またはLD素子102から発せられる光が通る部分など一部だけに設けてもよい。
The
10…LED
12…LED素子
20…レンズ
22…反射防止用微細構造
100…LDユニット
102…LD素子
114…カバーガラス
10 ... LED
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記レンズの表面に反射防止用微細構造を形成したことを特徴とする、発光ダイオード。 In a light-emitting diode that seals a light-emitting diode element and includes a lens made of resin,
A light emitting diode, wherein an antireflection microstructure is formed on a surface of the lens.
前記カバーガラスの表面に反射防止用微細構造を形成したことを特徴とする、レーザダイオードユニット。 In the laser diode unit comprising a cover glass covering the laser diode element,
A laser diode unit, wherein an antireflection microstructure is formed on the surface of the cover glass.
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