JP2005079111A - 電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005079111A JP2005079111A JP2003209623A JP2003209623A JP2005079111A JP 2005079111 A JP2005079111 A JP 2005079111A JP 2003209623 A JP2003209623 A JP 2003209623A JP 2003209623 A JP2003209623 A JP 2003209623A JP 2005079111 A JP2005079111 A JP 2005079111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- pattern
- drawing data
- data
- data generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】多重描画用の描画データのデータ量を低減させ、その作成時間や描画時間も短縮することが可能な電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置を提供することを目的とする。
【解決手段】パターン毎にその寸法や形状、周辺のパターンとの関係を分析し、多重描画が不要と判断した場合は、多重描画用の重複パターンの出力を省略する。多重描画を省略したパターンについては、電子線のドーズ量を多くすることなどの方法によって描画の調整をする。また、多重描画が必要な場合でも、描画フィールド境界や、微小図形の発生等のように異なる分割形状のパターンを重ねる効果がある場合以外は、パターンの分割形状を同一とし、その描画データの圧縮表現を利用して、多重に出力する。
【選択図】 図1
【解決手段】パターン毎にその寸法や形状、周辺のパターンとの関係を分析し、多重描画が不要と判断した場合は、多重描画用の重複パターンの出力を省略する。多重描画を省略したパターンについては、電子線のドーズ量を多くすることなどの方法によって描画の調整をする。また、多重描画が必要な場合でも、描画フィールド境界や、微小図形の発生等のように異なる分割形状のパターンを重ねる効果がある場合以外は、パターンの分割形状を同一とし、その描画データの圧縮表現を利用して、多重に出力する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置に関し、特に、多重描画のための電子線描画データのデータ容量を減少し、データ作成時間も短縮できる電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の性能の向上に伴い、そのパターンの微細化が急速に進められている。電子線(electron beam:EB)を用いた露光方式は、今後必要とされる長さ0.25マイクロメータ以下の微細なパターンを形成できる点で重要な役割を有する。
【0003】
図6は、半導体集積回路の製造工程の一部を表すフロー図である。すなわち、同図は、いわゆる「マスターレチクル」などの露光マスクMを形成する工程を表す。
まず、ステップS1において半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータLDが生成される。レイアウトデータLDは、「CAD(computer aided design)データ」などと呼ばれることもある。次に、ステップS2においてレイアウトデータLDが変換され、電子線描画装置において用いられる描画データDDが生成される。この描画データDDが、電子線描画装置ELに入力される。一方、例えば石英などの透光性基板上にクロム(Cr)などの遮光層が積層され、さらにその上にレジスト層が形成されたマスク素材が電子線描画装置に導入される。そして、描画データDDに基づいてマスク素材のレジスト層が電子線により露光される。その後、レジスト層を現像することによりその一部を選択的に除去してレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとしてクロムなどの遮光層を選択的にエッチング除去することにより、所定のパターンが形成されたマスクMを形成することができる。
【0004】
当初は、描画データDDにより1枚のマスクMに描画する回数は1回であった。つまり、電子線描画装置ELは、一回の電子線露光によりマスクMの表面のレジスト層に必要な電子線を照射していた。
しかしその後、マスクの高精度化の一環として、電子線の位置決め誤差の低減などを目的に、電子線描画装置で同じパターンを重ねて描画する「多重描画」が行なわれるようになった。
【0005】
図7は、多重描画を概念的に表す模式図である。
すなわち、「多重描画」とは、レジストの感光に必要な電子線の照射量を複数に分割し、それぞれの照射量で同一のパターンを重ね打ちすることで、いわゆる「平均化」による精度の向上を可能としたものである。照射量を分割した数を「多重度」と呼ぶ。
【0006】
この場合、精度の向上のために、各回の電子線照射量、最大ショットサイズを変化させることによって最適な描画条件で描画する提案がされている(特許文献1)。さらに、多重描画でのパターン寸法・接続精度向上のため、同一パターンではなく、異なる形状に分割したパターンを多重描画する手法も実現されている。
【0007】
図8は、異なる形状に分割した多重描画を表す模式図である。すなわち、同図に表した具体例の場合、2回の描画にそれぞれ対応する描画データDD1及びDD2が生成される。そして、それぞれの描画データは、描画フィールド境界FIでパターンが分割される。そして、これら描画フィールド境界FIにおけるパターンの「つなぎ目」の発生を抑制するために、描画データDD1と描画データDD2との間で、描画フィールド境界FIをずらしている。
【0008】
またさらに、単純でないパターンを台形分割処理する場合にも、微小図形の発生を考慮し、さらに平均化の効果を得るために、台形分割方向を変えることができる。
図9は、台形分割方向を変えた多重描画を表す模式図である。すなわち、レイアウトデータLDのパターンA、Bは、単純な四角形ではないため、複数の台形に分割する処理を施す必要がある。そして、この場合にも、描画データDD1と描画データDD2とで、台形分割方向を変えることにより、微小図形が発生した時にも精度の低下を抑制することができ、さらに「平均化」の効果も得られる。すなわち、図9に表した具体例の場合には、描画データDD1においては、パターンA1、B1をX方向に分割し、一方、描画データDD2においては、これらに対応するパターンA2、B2をY方向に分割している。
また、微小図形に対してのみ、形状を変化させて2重描画を行う方法も提案されている(特許文献2)
以上説明したように、電子線描画装置においてレジストヒーティングを避け、且つパターン精度を上げるためには、多重描画が有効である。さらにまた、描画フィールドをずらしたり、台形分割方向を変えることにより、平均化の効果が得られ、微細パターンを高い精度で形成することが可能となる。
【0009】
【特許文献1】
特開平9−251940号公報
【特許文献2】
特開2002−296759号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の多重描画方式においては、原則としてマスクの全パターンについて多重描画を実行していた。このため、描画データの作成時間やそのデータ量、また描画の時間が、2重描画の場合には最大で2倍、4重描画の場合には最大で4倍に増大するという問題があった。LSIの大規模化、高集積化が今後も進展することを考慮すると、このままの多重描画方式を実施しつづけることが困難になると予想される。
【0011】
また、前述した特許文献2に開示されている方法の場合、微小図形に対してのみ、形状を変形させて2重描画を行うが、そうすると、一つのパターンが、一重描画部分と多重描画部分とに分割されることとなり、変形条件の設定などが複雑であり、処理時間の増加などの問題が生ずるおそれがある。
【0012】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、多重描画用の描画データのデータ量を低減させ、その作成時間や描画時間も短縮することが可能な電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明においては、パターン毎にその寸法や形状、周辺のパターンとの関係を分析し、多重描画が不要と判断した場合は、多重描画用の重複パターンの出力を省略する。多重描画を省略したパターンについては、電子線のドーズ量を多くすることなどの方法によって描画の調整をする。また、多重描画が必要な場合でも、描画フィールド境界や、微小図形の発生等のように異なる分割形状のパターンを重ねる効果がある場合以外は、パターンの分割形状を同一とし、その描画データの圧縮表現を利用して、多重に出力する。
【0014】
このようにして、多重描画の描画データ量を効果的に低減させ、描画データの生成時間を短縮すると共に、描画時間も短縮することが可能となる。
【0015】
すなわち、本発明によれば、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成方法であって、描画すべきパターンごとに多重度を決定し、多重度が異なるパターンの混在を可能としたことを特徴とする電子線描画データ生成方法が提供される。
【0016】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成方法であって、描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定し、多重描画するパターンと多重描画しないパターンとの混在を可能としたことを特徴とする電子線描画データ生成方法が提供される。
【0017】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成方法であって、レイアウトデータが有するパターンのそれぞれについて、多重描画の要否を判定するステップと、前記判定の結果、多重描画しないパターンについて、電子線のドーズ量を第1の値に設定するステップと、前記判定の結果、多重描画するパターンについて、電子線のドーズ量を前記第1の値よりも小なる第2の値に設定するステップと、を備えたことを特徴とする電子線描画データ生成方法が提供される。
【0018】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成装置であって、描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定し、多重描画するパターンと多重描画しないパターンとの混在を可能としたことを特徴とする電子線描画データ生成装置が提供される。
【0019】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データをコンピュータに生成させる電子線描画データ生成プログラムであって、コンピュータに、描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定させ、その結果に応じて、多重描画するパターンのための描画データの生成と、多重描画しないパターンのための描画データの生成と、のいずれかを選択し実行させることを特徴とする電子線描画データ生成プログラムが提供される。
【0020】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データをコンピュータに生成させる電子線描画データ生成プログラムであって、コンピュータに、レイアウトデータが有するパターンのそれぞれについて、多重描画の要否を判定させるステップと、前記判定の結果、多重描画しないパターンについて、電子線のドーズ量を第1の値に設定させるステップと、前記判定の結果、多重描画するパターンについて、電子線のドーズ量を前記第1の値よりも小なる第2の値に設定させるステップと、を備えたことを特徴とする電子線描画データ生成プログラムが提供される。
【0021】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画を実施可能とした電子線描画装置であって、描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定し、多重描画するパターンと多重描画しないパターンとの混在を可能とした描画データ生成部を備え、前記描画データ生成部により生成された描画データに基づき、前記多重描画による描画を実行可能とした電子線描画装置が提供される。
【0022】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画を実施可能とした電子線描画装置であって、レイアウトデータが有するパターンのそれぞれについて、多重描画の要否を判定する手段と、前記判定の結果、多重描画しないパターンについて、電子線のドーズ量を第1の値に設定する手段と、前記判定の結果、多重描画するパターンについて、電子線のドーズ量を前記第1の値よりも小なる第2の値に設定する手段と、を有する描画データ生成部を備え、前記描画データ生成部により生成された描画データに基づき、前記多重描画しないパターンについては、電子線のドーズ量を前記第1の値に設定して描画を実施し、前記多重描画するパターンについては、電子線のドーズ量を前記第2の値に設定して多重描画を実施することを特徴とする電子線描画装置データ生成方法が提供される。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0024】
図1は、本発明の実施の形態によって生成される多重描画の描画データを概念的に表すフローチャートである。すなわち、同図は、半導体集積回路の製造工程の一部を表すフロー図であり、いわゆる「マスターレチクル」などの露光マスクMを形成する工程を表す。
すなわち、ステップS1において生成された半導体集積回路などのレイアウトデータLDが生成される。このレイアウトデータLDには、集積回路のレイアウトに対応するパターンA〜Eが形成されている。レイアウトデータLDは、ステップS2において変換され、電子線による多重描画用の描画データDD1及びDD2が生成される。
【0025】
そして、本発明においては、レイアウトデータLDに含まれるパターンA〜Eの全てが多重化されるとは限らない。例えば、図1に例示した具体例の場合、レイアウトデータLDのパターンA及びDに対応するパターンは、描画データDD1にのみパターンa、dとして形成され、描画データDD2には形成されていない。つまり、パターンA及びEは、多重化されず、一回の露光によって描画される。パターンが単純な形状で高精度を要求されず、また、描画フィールド境界FIによって分割されないような場合には、このように一回の露光により描画することが可能である。このように、単純なパターンを多重化しなければ、描画データ量を低減し、描画データの生成時間や電子線の露光時間を短縮することができる。
【0026】
またこの場合、例えば多重度が「4」すなわち4回に分けて露光するような時には1回で露光せず、2回に分けて露光してもよい。つまり、多重化を実施しないのではなく、多重度を下げる。このようにしても、データ量の低減などの効果を得ることができる。
【0027】
また一方、レイアウトデータのパターンBを見ると、描画データDD1とDD2において、分割形態が同一である。つまり、パターンBは、四角形などの単純な形状ではなく、辺長や面積などの条件により多重化が必要であるが、図1に例示した如くX方向に2分割すると微小図形などが発生しないため、描画データDD1とDD2とおいて、同一の方向に分割され、同一の図形に分割されている。
【0028】
このような場合には、描画データDD1とDD2とに同一の分割図形を出力できるので、データを圧縮することができる。圧縮の方法としては、当業者に公知の各種のデータ圧縮方法を用いることができる。その最も簡単なものは、データを共通化し引用する方法である。つまり、描画データDD2のパターンb2を実行するとき、描画データDD1のパターンb1のデータを引用することにより、パターンBに対応する描画データ量をほぼ半減することも可能である。
また、描画データのフォーマットは電子線描画装置によって異なり、そのフォーマットに応じて各種の圧縮をすることも可能である。そのひとつの方法として、「モーダル化」がある。モーダル化によれば、例えば、「図形種」、「XY座標」、「幅」、「高さ」、「ドーズ量」の順にデータが配列されている。そして、これらの図形毎に、これらのパラメータのうちで同一のものを省略し、異なるもののみを記述すればよい。例えば、「長方形」、「X座標値」、「Y座標値」、「幅」、「高さ」、「ドーズ量」のパラメータで指定された図形の次に、ドーズ量のみがこれらと異なり、他のパラメータが同一の図形を描画するような場合には、「ドーズ量」のみを記述すればよい。
また、「繰り返し法」という方法もある。これは、同じ形状・寸法の図形を等間隔で繰り返し配置する場合に、例えば、「図形種(例えば、長方形)」、「始点のX座標値」、「始点のY座標値」、「幅」、「高さ」、「ドーズ量」、「X方向の配列ピッチ」、「Y方向の配列ピッチ」、「X方向の繰り返し数」、「Y方向の繰り返し数」の如くパラメータを列挙することにより記述することができる。
これら、「モーダル化」や「繰り返し法」のいずれも、本発明における圧縮方法として用いることが可能である。
【0029】
以上説明したように、本発明によれば、レイアウトデータLDに含まれるパターンのうちで、多重化が必要なもののみについて多重化し、また、多重化した場合でも、描画データを適宜圧縮することにより、描画データのデータ量を低減し、データ生成速度及び露光時間を短縮することができる。
【0030】
また、本発明においては、レイアウトデータLDのパターン(あるいはそのパターンを分割した図形)毎に多重化の有無やデータ圧縮の有無を区別できるので、データ変換処理が無用に複雑化せず、迅速なデータ変換処理を確保することができる。
【0031】
以下、本発明の描画データ生成方法についてさらに詳細に説明する。
図2は、本発明の実施の形態にかかる電子線描画データ生成方法を表すフローチャートである。
【0032】
すなわちまず、ステップS202においてレイアウトデータLDを入力する。次に、ステップS204において、レイアウトデータLDについて所定の図形演算を実行する。図形演算によって、レイアウトデータLDに含まれているそれぞれのパターン(例えば、パターンA〜E)を認識する。そして、必要があれば、これらパターンについて、スケーリングやサイジングなどの処理を実行する。
【0033】
次に、図形演算で得られた各パターン(または分割された図形)について、ステップS206において、多重描画の要否判定を行う。その判定条件としては、例えば、各パターン(図形)の形状や最小幅、面積を用いることができる。例えば、各パターンの最小幅が所定値以下の場合には多重化を実施する、というように判定することができる。これら判定条件は、電子線描画装置の特性や描画プロセスの条件などに応じて適宜決定することができる。
【0034】
多重描画が不要であると判定されたパターンについては、露光を一度だけにするため、多重描画するパターンに比べて電子線のドーズ量を多くする必要がある。そこで、ステップS220に進み、ドーズ量の変更の処理を行う。
【0035】
一方、多重描画が必要と判定されたパターンについては、ステップS208に進み、描画フィールド境界FIと交差するか否かの判定を行う。
【0036】
パターンが描画フィールド境界FIと交差する場合(ステップS208:yes)には、描画フィールド境界FIが変化(移動)するとパターンの分割形状も変化するため、圧縮表現を使って出力することができない。そこで、ステップS214及びステップS216に進み、X方向の台形分割処理(ステップS214)とY方向の台形分割処理(ステップS216)をそれぞれ実行する。
【0037】
一方、パターンが描画フィールド境界FIと交差しない場合(ステップS208:no)は、ステップS210に進み、仮台形分割処理を実行する。そしてさらに、仮台形分割の結果について、ステップS212において微小図形の有無の判定を実行する。
【0038】
仮台形分割によって微小図形が発生している場合(ステップS212:yes)は、多重描画により異なる分割図形を描画して精度の向上を図ることが望ましい。そこで、ステップS214及びステップS216に進み、X方向の台形分割処理(ステップS214)とY方向の台形分割処理(ステップS216)をそれぞれ実行する。
【0039】
一方、仮台形分割によって微小図形が発生していない場合(ステップS212:no)は、同じ分割図形を多重に出力することができる。そこで、ステップS218に進み、描画データの圧縮表現を利用した多重出力を行う。圧縮の方法は、前述したように、データ引用をはじめとして各種の圧縮方法を用いることができる。
【0040】
なお、ステップS212における微小図形の判定条件としては、分割された図形の幅、高さや隣接図形の有無などを挙げることができ、描画装置の特性や描画プロセス条件などに応じて適宜決定することができる。
【0041】
選択したパターンについて、以上説明した流れに基づいて描画データへの変換が終了したら、ステップS222に進み、処理すべきパターンの有無を判定する。処理すべきパターンがある場合(ステップS222:yes)は、ステップS206に戻り、そのパターンについて多重描画の要否を判定する。一方、処理すべきパターンがない場合(ステップS222:no)には、全てのパターンに対して、上述の変換処理が終了しているので、ステップS224に進み、各台形分割パターンなどを合成し、描画データに変換し、出力する処理を実行する。
【0042】
このようにして生成された描画データは電子線描画装置に入力され、その描画データにしたがって、圧縮データの展開、電子線のドーズ量の調整、描画フィールド境界FIの移動などを行いながら、マスク素材に多重描画パターンが描画される。
【0043】
図3は、本発明の電子線描画データ生成方法を用いてレイアウトデータから変換された描画データを例示する模式図である。
すなわち、レイアウトデータLDは、多重度が「2」の多重描画を実施するための、描画データDD1及びDD2に変換されている。ここで、レイアウトデータLDには、大文字のアルファベットA〜Eにより分類される各種のパターンが設けられている。
【0044】
これらのうちで、パターンA及びパターンBは、四角形などの単純な形状であり、そのサイズも多重化が必要なほど小さくない。そこで、これらのパターンは、多重化することなく、描画データDD1及びDD2のいずれかのみに生成することができる。この時、パターンAは、描画データDD1にパターンaとして生成され、一方、パターンBは、描画データDD2にパターンbとして生成される。
【0045】
パターンbが描画データDD2に生成される理由は、描画フィールド境界FIと交差しないようにするためである。つまり、描画データDD1とDD2とでは、描画フィールド境界FIが異なる位置に形成されている。そこで、描画フィールド境界FIと交差しないように、パターンをいずれかの描画データに生成することができる。このようにして描画フィールド境界FIと交差しないように生成すれば、パターンを多重化する必要がなくなり、データ量を低下させることができる。
【0046】
なお、これらパターンa、bは、一度の露光により形成されるのであるから、後に説明する多重化されたパターンよりも電子線のドーズ量を高くするように、データが設定される。
【0047】
次に、レイアウトデータLDにおけるパターンCは、描画データDD1及びDD2において、それぞれパターンc1、c2として分割して生成されている。ただし、これら分割パターンは、多重化されていないので、やはり描画データのデータ量を低下させることができる。パターンc2が描画データDD2に生成される理由は、やはり描画フィールド境界FIと交差しないようにするためである。
【0048】
そして、これらパターンc1、c2も、それぞれ一度の露光により形成されるのであるから、後に説明する多重化されたパターンよりも電子線のドーズ量を高くするように、データが設定される。
【0049】
次に、レイアウトデータにおけるパターンDは、台形分割する必要はないのであるが、多重化され、描画データDD1とDD2とにそれぞれd1、d2として生成されている。これは、これらパターンDは、描画データDD1とDD2のいずれにおいても、描画フィールド境界FIをまたいでしまうからである。これらパターンd1、d2は、多重化され、2回の露光で形成されるので、その電子線ドーズ量は、パターンa、b、c1及びc2よりも低く設定される。
【0050】
最後に、レイアウトデータLDにおけるパターンEは、多重化され、描画データDD1、DD2にそれぞれパターンe1、e2として生成されている。これらパターンe1、e2は、台形分割され、さらに微小図形が発生しているので、描画データDD1においてはX方向に分割され、描画データDD2においてはY方向に分割されている。これらパターンe1、e2も2回の露光で形成されるので、その電子線ドーズ量は、パターンd1、d2と同様に低く設定される。
【0051】
以上説明したように、本具体例においても、多重描画するパターンを限定することにより、描画図形数を削減できている。すなわち、本具体例のパターンの場合、全てのパターンを多重描画する場合と比較すると、描画図形数は、178図形から147図形にまで削減されている。その結果として、描画データのデータ量を低下させ、変換時間を短縮し、露光時間も短縮することができる。
【0052】
以上説明したように、本発明によれば、多重描画のための描画データを生成するにあたって、多重化が必要であるか否かをパターン毎に判定し、不要であると判定したパターンについては、多重化せずに一回の露光で処理するデータを生成する。また、多重化が必要な場合であっても、データの圧縮を実施することにより、データ量を低下させることができる。
その結果として、描画データのデータ量が低下すると同時に、データの生成に必要なCPUパワーやメモリ容量などのリソースが少なくて済む。従って、比較的小型のコンピュータを用いて迅速な検証を実施することが可能となる。
【0053】
図4は、本発明の実施の形態にかかる電子線描画データ生成装置の外観を例示する模式図である。すなわち、この生成装置80の本体は、CPU(central processing unit)とメモリを内蔵した計算手段と、ディスプレイなどの表示手段と、を適宜備えている。さらに、ハードディスク磁気記録再生装置などの記録再生手段を適宜内蔵する。
【0054】
また、磁気記録媒体や光磁気記録媒体などの磁気記録媒体83を駆動する記録再生装置81や、CD(compact disc)あるいはDVD(digital versatile disc)などの光ディスク84を駆動する光ディスクドライブ82などを適宜備える。
【0055】
記録再生装置81に対しては磁気記録媒体83を、また光ディスクドライブ82に対しては光ディスク84をその挿入口から挿入し、所定の読み出し操作を行うことにより、これらの記録媒体に格納されたプログラムやデータをシステム内に入力しインストールすることができる。
【0056】
また、所定のドライブ装置を接続することにより、例えばメモリ装置としてのROM85や、磁気テープ86を用いることもできる。
またさらに、電話回線やLAN(local area network)などの有線あるいは無線による伝送媒体87を介して、プログラムやデータを適宜ダウンロード可能としてもよい。
【0057】
本具体例の描画データ生成装置によれば、図1乃至図3に関して前述した描画データの生成を実行することができる。例えば、前述した描画データ生成方法を実行させるための回路がハードウエアとして実現されていてもよく、または、プログラム、すなわちCPUに本発明の検証方法の一連のステップを実行させるソフトウエアとして実現されていてもよい。
【0058】
また、描画データの生成の対象とすべきレイアウトデータは、磁気記録媒体83、光ディスク84、ROM85、磁気テープ86、伝送媒体87などを介して外部から入力可能としてもよい。または、生成装置80がCAD装置を兼ねており、デバイスのレイアウト設計を実行してレイアウトデータを生成し、内部でそのレイアウトデータを変換することにより多重描画のための電子線描画データを生成するようにしてもよい。
本発明によれば、前述したように、パターン毎に多重化を省略可能とするので、検証プロセスに必要なCPUパワーやメモリ容量などのリソースが少なくて済む。従って、小型のコンピュータを用いて迅速な検証を実施することが可能となる。
【0059】
次に、本発明の実施の形態にかかる電子線描画装置について説明する。
図5は、本発明の実施の形態にかかる電子線描画装置のブロック図である。すなわち、電子線描画装置は、電子銃2、絞り3、電子レンズ4、ブランカ5、偏光器8、を介して電子線1をマスク基板15に照射し露光を実施する。コンピュータ11は位置制御系12に目標位置信号を送り、モータ制御系13を介してサーボモータ14を制御し移動台16を移動する。また、位置制御系12はレーザ干渉計17が計測する移動台16の位置信号をコンピュータ11からの目標位置信号と比較し、移動台16を所定精度で停止させる。記移動台16の停止位置精度は、例えば約0.005μmである。
【0060】
マスク基板15の描画にあたっては、コンピュータ11は偏向制御系7に制御信号を送り、偏向制御系7は偏向器8に電子線1の位置情報を送り、また、電子線1のオン(ON)オフ(OFF)信号をブランキング制御系6に伝達する。ブランカー5はこれらオン(ON)オフ(OFF)信号に応じて電子線1をオン(ON)オフ(OFF)制御する。すなわち、偏向器8により電子線1をマスク基板15の所定位置に位置決めし、ブランカー5をオフ(OFF)にして偏向器8に描画信号を送り描画を開始する。
本発明によれば、このような電子線描画装置において、コンピュータ11の前段あるいはコンピュータ11の一部として、描画データ生成部20が設けられている。レイアウトデータLDは、描画データ生成部20に入力され、図1乃至図3に関して前述したように多重描画のための描画データが生成される。そして、この描画データに基づき、多重化されていないパターンは、電子線のドーズ量を上げた条件で描画が実行され、多重化されたパターンは電子線のドーズ量を下げた条件で描画が実行される。
【0061】
本具体例によれば、パターン毎に多重化を省略可能とするので、描画時間を短縮でき、電子線描画工程のループットを向上させることができる電子線描画装置を提供できる。
【0062】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【0063】
例えば、レイアウトデータを描画データに変換する時、多重描画の多重度は「2」以外にも、「4」やその他の数値とすることができる。また、描画フィールドの分割や台形処理、ショット分割などの処理の順序やその分割数あるいは分割形状などの内容について、当業者が公知の範囲で適宜偏向したものも、本発明の要旨を含む範囲で本発明の範囲に包含される。ベクトル化の方向や、スライスの方向あるいはその頻度についても同様である。
【0064】
また、本発明は、マスクの製造のみに限定されるものではなく、半導体集積回路のウェーハ上にレジストを形成した被処理体に電子線描画を行うこともできる。
【0065】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての電子線描画装置、及びその描画データ生成方法、生成装置、生成プログラムは本発明の範囲に包含される。
【0066】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、多重描画を用いた電子線描画データを生成する場合に、描画データに出力されるパターン数が削減され、また、描画データの圧縮表現を有効に利用することが可能となる。その結果、多重描画に伴う描画データ量および描画時間の増大を抑止できる。マスクなどのコストの削減が期待でき、半導体集積回路などの先端デバイスの高性能化と開発効率の向上と低コスト化を促進でき産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態によって生成される多重描画の描画データを概念的に表すフローチャートである。
【図2】本発明の実施の形態にかかる電子線描画データ生成方法を表すフローチャートである。
【図3】本発明の電子線描画データ生成方法を用いてレイアウトデータから変換された描画データを例示する模式図である。
【図4】本発明の実施の形態にかかる描画データ生成装置の外観を例示する模式図である。
【図5】本発明の実施の形態にかかる電子線描画装置のブロック図である。
【図6】半導体集積回路の製造工程の一部を表すフロー図である。
【図7】多重描画を概念的に表す模式図である。
【図8】異なる形状に分割した多重描画を表す模式図である。
【図9】台形分割方向を変えた多重描画を表す模式図である。
【符号の説明】
1 電子線
2 電子銃
3 絞り
4 電子レンズ
5 ブランカ
6 ブランキング制御系
7 偏向制御系
8 偏向器
11 コンピュータ
12 位置制御系
13 モータ制御系
14 サーボモータ
15 マスク基板
16 移動台
17 レーザ干渉計
20 描画データ検証部
80 検証装置
81 記録再生装置
82 光ディスクドライブ
83 磁気記録媒体
84 光ディスク
86 磁気テープ
87 伝送媒体
DD、DD1、DD2 描画データ
EL 電子線描画装置
FI 描画フィールド境界(境界線)
LD レイアウトデータ
M マスク
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置に関し、特に、多重描画のための電子線描画データのデータ容量を減少し、データ作成時間も短縮できる電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の性能の向上に伴い、そのパターンの微細化が急速に進められている。電子線(electron beam:EB)を用いた露光方式は、今後必要とされる長さ0.25マイクロメータ以下の微細なパターンを形成できる点で重要な役割を有する。
【0003】
図6は、半導体集積回路の製造工程の一部を表すフロー図である。すなわち、同図は、いわゆる「マスターレチクル」などの露光マスクMを形成する工程を表す。
まず、ステップS1において半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータLDが生成される。レイアウトデータLDは、「CAD(computer aided design)データ」などと呼ばれることもある。次に、ステップS2においてレイアウトデータLDが変換され、電子線描画装置において用いられる描画データDDが生成される。この描画データDDが、電子線描画装置ELに入力される。一方、例えば石英などの透光性基板上にクロム(Cr)などの遮光層が積層され、さらにその上にレジスト層が形成されたマスク素材が電子線描画装置に導入される。そして、描画データDDに基づいてマスク素材のレジスト層が電子線により露光される。その後、レジスト層を現像することによりその一部を選択的に除去してレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとしてクロムなどの遮光層を選択的にエッチング除去することにより、所定のパターンが形成されたマスクMを形成することができる。
【0004】
当初は、描画データDDにより1枚のマスクMに描画する回数は1回であった。つまり、電子線描画装置ELは、一回の電子線露光によりマスクMの表面のレジスト層に必要な電子線を照射していた。
しかしその後、マスクの高精度化の一環として、電子線の位置決め誤差の低減などを目的に、電子線描画装置で同じパターンを重ねて描画する「多重描画」が行なわれるようになった。
【0005】
図7は、多重描画を概念的に表す模式図である。
すなわち、「多重描画」とは、レジストの感光に必要な電子線の照射量を複数に分割し、それぞれの照射量で同一のパターンを重ね打ちすることで、いわゆる「平均化」による精度の向上を可能としたものである。照射量を分割した数を「多重度」と呼ぶ。
【0006】
この場合、精度の向上のために、各回の電子線照射量、最大ショットサイズを変化させることによって最適な描画条件で描画する提案がされている(特許文献1)。さらに、多重描画でのパターン寸法・接続精度向上のため、同一パターンではなく、異なる形状に分割したパターンを多重描画する手法も実現されている。
【0007】
図8は、異なる形状に分割した多重描画を表す模式図である。すなわち、同図に表した具体例の場合、2回の描画にそれぞれ対応する描画データDD1及びDD2が生成される。そして、それぞれの描画データは、描画フィールド境界FIでパターンが分割される。そして、これら描画フィールド境界FIにおけるパターンの「つなぎ目」の発生を抑制するために、描画データDD1と描画データDD2との間で、描画フィールド境界FIをずらしている。
【0008】
またさらに、単純でないパターンを台形分割処理する場合にも、微小図形の発生を考慮し、さらに平均化の効果を得るために、台形分割方向を変えることができる。
図9は、台形分割方向を変えた多重描画を表す模式図である。すなわち、レイアウトデータLDのパターンA、Bは、単純な四角形ではないため、複数の台形に分割する処理を施す必要がある。そして、この場合にも、描画データDD1と描画データDD2とで、台形分割方向を変えることにより、微小図形が発生した時にも精度の低下を抑制することができ、さらに「平均化」の効果も得られる。すなわち、図9に表した具体例の場合には、描画データDD1においては、パターンA1、B1をX方向に分割し、一方、描画データDD2においては、これらに対応するパターンA2、B2をY方向に分割している。
また、微小図形に対してのみ、形状を変化させて2重描画を行う方法も提案されている(特許文献2)
以上説明したように、電子線描画装置においてレジストヒーティングを避け、且つパターン精度を上げるためには、多重描画が有効である。さらにまた、描画フィールドをずらしたり、台形分割方向を変えることにより、平均化の効果が得られ、微細パターンを高い精度で形成することが可能となる。
【0009】
【特許文献1】
特開平9−251940号公報
【特許文献2】
特開2002−296759号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の多重描画方式においては、原則としてマスクの全パターンについて多重描画を実行していた。このため、描画データの作成時間やそのデータ量、また描画の時間が、2重描画の場合には最大で2倍、4重描画の場合には最大で4倍に増大するという問題があった。LSIの大規模化、高集積化が今後も進展することを考慮すると、このままの多重描画方式を実施しつづけることが困難になると予想される。
【0011】
また、前述した特許文献2に開示されている方法の場合、微小図形に対してのみ、形状を変形させて2重描画を行うが、そうすると、一つのパターンが、一重描画部分と多重描画部分とに分割されることとなり、変形条件の設定などが複雑であり、処理時間の増加などの問題が生ずるおそれがある。
【0012】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、多重描画用の描画データのデータ量を低減させ、その作成時間や描画時間も短縮することが可能な電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明においては、パターン毎にその寸法や形状、周辺のパターンとの関係を分析し、多重描画が不要と判断した場合は、多重描画用の重複パターンの出力を省略する。多重描画を省略したパターンについては、電子線のドーズ量を多くすることなどの方法によって描画の調整をする。また、多重描画が必要な場合でも、描画フィールド境界や、微小図形の発生等のように異なる分割形状のパターンを重ねる効果がある場合以外は、パターンの分割形状を同一とし、その描画データの圧縮表現を利用して、多重に出力する。
【0014】
このようにして、多重描画の描画データ量を効果的に低減させ、描画データの生成時間を短縮すると共に、描画時間も短縮することが可能となる。
【0015】
すなわち、本発明によれば、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成方法であって、描画すべきパターンごとに多重度を決定し、多重度が異なるパターンの混在を可能としたことを特徴とする電子線描画データ生成方法が提供される。
【0016】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成方法であって、描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定し、多重描画するパターンと多重描画しないパターンとの混在を可能としたことを特徴とする電子線描画データ生成方法が提供される。
【0017】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成方法であって、レイアウトデータが有するパターンのそれぞれについて、多重描画の要否を判定するステップと、前記判定の結果、多重描画しないパターンについて、電子線のドーズ量を第1の値に設定するステップと、前記判定の結果、多重描画するパターンについて、電子線のドーズ量を前記第1の値よりも小なる第2の値に設定するステップと、を備えたことを特徴とする電子線描画データ生成方法が提供される。
【0018】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成装置であって、描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定し、多重描画するパターンと多重描画しないパターンとの混在を可能としたことを特徴とする電子線描画データ生成装置が提供される。
【0019】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データをコンピュータに生成させる電子線描画データ生成プログラムであって、コンピュータに、描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定させ、その結果に応じて、多重描画するパターンのための描画データの生成と、多重描画しないパターンのための描画データの生成と、のいずれかを選択し実行させることを特徴とする電子線描画データ生成プログラムが提供される。
【0020】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データをコンピュータに生成させる電子線描画データ生成プログラムであって、コンピュータに、レイアウトデータが有するパターンのそれぞれについて、多重描画の要否を判定させるステップと、前記判定の結果、多重描画しないパターンについて、電子線のドーズ量を第1の値に設定させるステップと、前記判定の結果、多重描画するパターンについて、電子線のドーズ量を前記第1の値よりも小なる第2の値に設定させるステップと、を備えたことを特徴とする電子線描画データ生成プログラムが提供される。
【0021】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画を実施可能とした電子線描画装置であって、描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定し、多重描画するパターンと多重描画しないパターンとの混在を可能とした描画データ生成部を備え、前記描画データ生成部により生成された描画データに基づき、前記多重描画による描画を実行可能とした電子線描画装置が提供される。
【0022】
または、被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画を実施可能とした電子線描画装置であって、レイアウトデータが有するパターンのそれぞれについて、多重描画の要否を判定する手段と、前記判定の結果、多重描画しないパターンについて、電子線のドーズ量を第1の値に設定する手段と、前記判定の結果、多重描画するパターンについて、電子線のドーズ量を前記第1の値よりも小なる第2の値に設定する手段と、を有する描画データ生成部を備え、前記描画データ生成部により生成された描画データに基づき、前記多重描画しないパターンについては、電子線のドーズ量を前記第1の値に設定して描画を実施し、前記多重描画するパターンについては、電子線のドーズ量を前記第2の値に設定して多重描画を実施することを特徴とする電子線描画装置データ生成方法が提供される。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0024】
図1は、本発明の実施の形態によって生成される多重描画の描画データを概念的に表すフローチャートである。すなわち、同図は、半導体集積回路の製造工程の一部を表すフロー図であり、いわゆる「マスターレチクル」などの露光マスクMを形成する工程を表す。
すなわち、ステップS1において生成された半導体集積回路などのレイアウトデータLDが生成される。このレイアウトデータLDには、集積回路のレイアウトに対応するパターンA〜Eが形成されている。レイアウトデータLDは、ステップS2において変換され、電子線による多重描画用の描画データDD1及びDD2が生成される。
【0025】
そして、本発明においては、レイアウトデータLDに含まれるパターンA〜Eの全てが多重化されるとは限らない。例えば、図1に例示した具体例の場合、レイアウトデータLDのパターンA及びDに対応するパターンは、描画データDD1にのみパターンa、dとして形成され、描画データDD2には形成されていない。つまり、パターンA及びEは、多重化されず、一回の露光によって描画される。パターンが単純な形状で高精度を要求されず、また、描画フィールド境界FIによって分割されないような場合には、このように一回の露光により描画することが可能である。このように、単純なパターンを多重化しなければ、描画データ量を低減し、描画データの生成時間や電子線の露光時間を短縮することができる。
【0026】
またこの場合、例えば多重度が「4」すなわち4回に分けて露光するような時には1回で露光せず、2回に分けて露光してもよい。つまり、多重化を実施しないのではなく、多重度を下げる。このようにしても、データ量の低減などの効果を得ることができる。
【0027】
また一方、レイアウトデータのパターンBを見ると、描画データDD1とDD2において、分割形態が同一である。つまり、パターンBは、四角形などの単純な形状ではなく、辺長や面積などの条件により多重化が必要であるが、図1に例示した如くX方向に2分割すると微小図形などが発生しないため、描画データDD1とDD2とおいて、同一の方向に分割され、同一の図形に分割されている。
【0028】
このような場合には、描画データDD1とDD2とに同一の分割図形を出力できるので、データを圧縮することができる。圧縮の方法としては、当業者に公知の各種のデータ圧縮方法を用いることができる。その最も簡単なものは、データを共通化し引用する方法である。つまり、描画データDD2のパターンb2を実行するとき、描画データDD1のパターンb1のデータを引用することにより、パターンBに対応する描画データ量をほぼ半減することも可能である。
また、描画データのフォーマットは電子線描画装置によって異なり、そのフォーマットに応じて各種の圧縮をすることも可能である。そのひとつの方法として、「モーダル化」がある。モーダル化によれば、例えば、「図形種」、「XY座標」、「幅」、「高さ」、「ドーズ量」の順にデータが配列されている。そして、これらの図形毎に、これらのパラメータのうちで同一のものを省略し、異なるもののみを記述すればよい。例えば、「長方形」、「X座標値」、「Y座標値」、「幅」、「高さ」、「ドーズ量」のパラメータで指定された図形の次に、ドーズ量のみがこれらと異なり、他のパラメータが同一の図形を描画するような場合には、「ドーズ量」のみを記述すればよい。
また、「繰り返し法」という方法もある。これは、同じ形状・寸法の図形を等間隔で繰り返し配置する場合に、例えば、「図形種(例えば、長方形)」、「始点のX座標値」、「始点のY座標値」、「幅」、「高さ」、「ドーズ量」、「X方向の配列ピッチ」、「Y方向の配列ピッチ」、「X方向の繰り返し数」、「Y方向の繰り返し数」の如くパラメータを列挙することにより記述することができる。
これら、「モーダル化」や「繰り返し法」のいずれも、本発明における圧縮方法として用いることが可能である。
【0029】
以上説明したように、本発明によれば、レイアウトデータLDに含まれるパターンのうちで、多重化が必要なもののみについて多重化し、また、多重化した場合でも、描画データを適宜圧縮することにより、描画データのデータ量を低減し、データ生成速度及び露光時間を短縮することができる。
【0030】
また、本発明においては、レイアウトデータLDのパターン(あるいはそのパターンを分割した図形)毎に多重化の有無やデータ圧縮の有無を区別できるので、データ変換処理が無用に複雑化せず、迅速なデータ変換処理を確保することができる。
【0031】
以下、本発明の描画データ生成方法についてさらに詳細に説明する。
図2は、本発明の実施の形態にかかる電子線描画データ生成方法を表すフローチャートである。
【0032】
すなわちまず、ステップS202においてレイアウトデータLDを入力する。次に、ステップS204において、レイアウトデータLDについて所定の図形演算を実行する。図形演算によって、レイアウトデータLDに含まれているそれぞれのパターン(例えば、パターンA〜E)を認識する。そして、必要があれば、これらパターンについて、スケーリングやサイジングなどの処理を実行する。
【0033】
次に、図形演算で得られた各パターン(または分割された図形)について、ステップS206において、多重描画の要否判定を行う。その判定条件としては、例えば、各パターン(図形)の形状や最小幅、面積を用いることができる。例えば、各パターンの最小幅が所定値以下の場合には多重化を実施する、というように判定することができる。これら判定条件は、電子線描画装置の特性や描画プロセスの条件などに応じて適宜決定することができる。
【0034】
多重描画が不要であると判定されたパターンについては、露光を一度だけにするため、多重描画するパターンに比べて電子線のドーズ量を多くする必要がある。そこで、ステップS220に進み、ドーズ量の変更の処理を行う。
【0035】
一方、多重描画が必要と判定されたパターンについては、ステップS208に進み、描画フィールド境界FIと交差するか否かの判定を行う。
【0036】
パターンが描画フィールド境界FIと交差する場合(ステップS208:yes)には、描画フィールド境界FIが変化(移動)するとパターンの分割形状も変化するため、圧縮表現を使って出力することができない。そこで、ステップS214及びステップS216に進み、X方向の台形分割処理(ステップS214)とY方向の台形分割処理(ステップS216)をそれぞれ実行する。
【0037】
一方、パターンが描画フィールド境界FIと交差しない場合(ステップS208:no)は、ステップS210に進み、仮台形分割処理を実行する。そしてさらに、仮台形分割の結果について、ステップS212において微小図形の有無の判定を実行する。
【0038】
仮台形分割によって微小図形が発生している場合(ステップS212:yes)は、多重描画により異なる分割図形を描画して精度の向上を図ることが望ましい。そこで、ステップS214及びステップS216に進み、X方向の台形分割処理(ステップS214)とY方向の台形分割処理(ステップS216)をそれぞれ実行する。
【0039】
一方、仮台形分割によって微小図形が発生していない場合(ステップS212:no)は、同じ分割図形を多重に出力することができる。そこで、ステップS218に進み、描画データの圧縮表現を利用した多重出力を行う。圧縮の方法は、前述したように、データ引用をはじめとして各種の圧縮方法を用いることができる。
【0040】
なお、ステップS212における微小図形の判定条件としては、分割された図形の幅、高さや隣接図形の有無などを挙げることができ、描画装置の特性や描画プロセス条件などに応じて適宜決定することができる。
【0041】
選択したパターンについて、以上説明した流れに基づいて描画データへの変換が終了したら、ステップS222に進み、処理すべきパターンの有無を判定する。処理すべきパターンがある場合(ステップS222:yes)は、ステップS206に戻り、そのパターンについて多重描画の要否を判定する。一方、処理すべきパターンがない場合(ステップS222:no)には、全てのパターンに対して、上述の変換処理が終了しているので、ステップS224に進み、各台形分割パターンなどを合成し、描画データに変換し、出力する処理を実行する。
【0042】
このようにして生成された描画データは電子線描画装置に入力され、その描画データにしたがって、圧縮データの展開、電子線のドーズ量の調整、描画フィールド境界FIの移動などを行いながら、マスク素材に多重描画パターンが描画される。
【0043】
図3は、本発明の電子線描画データ生成方法を用いてレイアウトデータから変換された描画データを例示する模式図である。
すなわち、レイアウトデータLDは、多重度が「2」の多重描画を実施するための、描画データDD1及びDD2に変換されている。ここで、レイアウトデータLDには、大文字のアルファベットA〜Eにより分類される各種のパターンが設けられている。
【0044】
これらのうちで、パターンA及びパターンBは、四角形などの単純な形状であり、そのサイズも多重化が必要なほど小さくない。そこで、これらのパターンは、多重化することなく、描画データDD1及びDD2のいずれかのみに生成することができる。この時、パターンAは、描画データDD1にパターンaとして生成され、一方、パターンBは、描画データDD2にパターンbとして生成される。
【0045】
パターンbが描画データDD2に生成される理由は、描画フィールド境界FIと交差しないようにするためである。つまり、描画データDD1とDD2とでは、描画フィールド境界FIが異なる位置に形成されている。そこで、描画フィールド境界FIと交差しないように、パターンをいずれかの描画データに生成することができる。このようにして描画フィールド境界FIと交差しないように生成すれば、パターンを多重化する必要がなくなり、データ量を低下させることができる。
【0046】
なお、これらパターンa、bは、一度の露光により形成されるのであるから、後に説明する多重化されたパターンよりも電子線のドーズ量を高くするように、データが設定される。
【0047】
次に、レイアウトデータLDにおけるパターンCは、描画データDD1及びDD2において、それぞれパターンc1、c2として分割して生成されている。ただし、これら分割パターンは、多重化されていないので、やはり描画データのデータ量を低下させることができる。パターンc2が描画データDD2に生成される理由は、やはり描画フィールド境界FIと交差しないようにするためである。
【0048】
そして、これらパターンc1、c2も、それぞれ一度の露光により形成されるのであるから、後に説明する多重化されたパターンよりも電子線のドーズ量を高くするように、データが設定される。
【0049】
次に、レイアウトデータにおけるパターンDは、台形分割する必要はないのであるが、多重化され、描画データDD1とDD2とにそれぞれd1、d2として生成されている。これは、これらパターンDは、描画データDD1とDD2のいずれにおいても、描画フィールド境界FIをまたいでしまうからである。これらパターンd1、d2は、多重化され、2回の露光で形成されるので、その電子線ドーズ量は、パターンa、b、c1及びc2よりも低く設定される。
【0050】
最後に、レイアウトデータLDにおけるパターンEは、多重化され、描画データDD1、DD2にそれぞれパターンe1、e2として生成されている。これらパターンe1、e2は、台形分割され、さらに微小図形が発生しているので、描画データDD1においてはX方向に分割され、描画データDD2においてはY方向に分割されている。これらパターンe1、e2も2回の露光で形成されるので、その電子線ドーズ量は、パターンd1、d2と同様に低く設定される。
【0051】
以上説明したように、本具体例においても、多重描画するパターンを限定することにより、描画図形数を削減できている。すなわち、本具体例のパターンの場合、全てのパターンを多重描画する場合と比較すると、描画図形数は、178図形から147図形にまで削減されている。その結果として、描画データのデータ量を低下させ、変換時間を短縮し、露光時間も短縮することができる。
【0052】
以上説明したように、本発明によれば、多重描画のための描画データを生成するにあたって、多重化が必要であるか否かをパターン毎に判定し、不要であると判定したパターンについては、多重化せずに一回の露光で処理するデータを生成する。また、多重化が必要な場合であっても、データの圧縮を実施することにより、データ量を低下させることができる。
その結果として、描画データのデータ量が低下すると同時に、データの生成に必要なCPUパワーやメモリ容量などのリソースが少なくて済む。従って、比較的小型のコンピュータを用いて迅速な検証を実施することが可能となる。
【0053】
図4は、本発明の実施の形態にかかる電子線描画データ生成装置の外観を例示する模式図である。すなわち、この生成装置80の本体は、CPU(central processing unit)とメモリを内蔵した計算手段と、ディスプレイなどの表示手段と、を適宜備えている。さらに、ハードディスク磁気記録再生装置などの記録再生手段を適宜内蔵する。
【0054】
また、磁気記録媒体や光磁気記録媒体などの磁気記録媒体83を駆動する記録再生装置81や、CD(compact disc)あるいはDVD(digital versatile disc)などの光ディスク84を駆動する光ディスクドライブ82などを適宜備える。
【0055】
記録再生装置81に対しては磁気記録媒体83を、また光ディスクドライブ82に対しては光ディスク84をその挿入口から挿入し、所定の読み出し操作を行うことにより、これらの記録媒体に格納されたプログラムやデータをシステム内に入力しインストールすることができる。
【0056】
また、所定のドライブ装置を接続することにより、例えばメモリ装置としてのROM85や、磁気テープ86を用いることもできる。
またさらに、電話回線やLAN(local area network)などの有線あるいは無線による伝送媒体87を介して、プログラムやデータを適宜ダウンロード可能としてもよい。
【0057】
本具体例の描画データ生成装置によれば、図1乃至図3に関して前述した描画データの生成を実行することができる。例えば、前述した描画データ生成方法を実行させるための回路がハードウエアとして実現されていてもよく、または、プログラム、すなわちCPUに本発明の検証方法の一連のステップを実行させるソフトウエアとして実現されていてもよい。
【0058】
また、描画データの生成の対象とすべきレイアウトデータは、磁気記録媒体83、光ディスク84、ROM85、磁気テープ86、伝送媒体87などを介して外部から入力可能としてもよい。または、生成装置80がCAD装置を兼ねており、デバイスのレイアウト設計を実行してレイアウトデータを生成し、内部でそのレイアウトデータを変換することにより多重描画のための電子線描画データを生成するようにしてもよい。
本発明によれば、前述したように、パターン毎に多重化を省略可能とするので、検証プロセスに必要なCPUパワーやメモリ容量などのリソースが少なくて済む。従って、小型のコンピュータを用いて迅速な検証を実施することが可能となる。
【0059】
次に、本発明の実施の形態にかかる電子線描画装置について説明する。
図5は、本発明の実施の形態にかかる電子線描画装置のブロック図である。すなわち、電子線描画装置は、電子銃2、絞り3、電子レンズ4、ブランカ5、偏光器8、を介して電子線1をマスク基板15に照射し露光を実施する。コンピュータ11は位置制御系12に目標位置信号を送り、モータ制御系13を介してサーボモータ14を制御し移動台16を移動する。また、位置制御系12はレーザ干渉計17が計測する移動台16の位置信号をコンピュータ11からの目標位置信号と比較し、移動台16を所定精度で停止させる。記移動台16の停止位置精度は、例えば約0.005μmである。
【0060】
マスク基板15の描画にあたっては、コンピュータ11は偏向制御系7に制御信号を送り、偏向制御系7は偏向器8に電子線1の位置情報を送り、また、電子線1のオン(ON)オフ(OFF)信号をブランキング制御系6に伝達する。ブランカー5はこれらオン(ON)オフ(OFF)信号に応じて電子線1をオン(ON)オフ(OFF)制御する。すなわち、偏向器8により電子線1をマスク基板15の所定位置に位置決めし、ブランカー5をオフ(OFF)にして偏向器8に描画信号を送り描画を開始する。
本発明によれば、このような電子線描画装置において、コンピュータ11の前段あるいはコンピュータ11の一部として、描画データ生成部20が設けられている。レイアウトデータLDは、描画データ生成部20に入力され、図1乃至図3に関して前述したように多重描画のための描画データが生成される。そして、この描画データに基づき、多重化されていないパターンは、電子線のドーズ量を上げた条件で描画が実行され、多重化されたパターンは電子線のドーズ量を下げた条件で描画が実行される。
【0061】
本具体例によれば、パターン毎に多重化を省略可能とするので、描画時間を短縮でき、電子線描画工程のループットを向上させることができる電子線描画装置を提供できる。
【0062】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【0063】
例えば、レイアウトデータを描画データに変換する時、多重描画の多重度は「2」以外にも、「4」やその他の数値とすることができる。また、描画フィールドの分割や台形処理、ショット分割などの処理の順序やその分割数あるいは分割形状などの内容について、当業者が公知の範囲で適宜偏向したものも、本発明の要旨を含む範囲で本発明の範囲に包含される。ベクトル化の方向や、スライスの方向あるいはその頻度についても同様である。
【0064】
また、本発明は、マスクの製造のみに限定されるものではなく、半導体集積回路のウェーハ上にレジストを形成した被処理体に電子線描画を行うこともできる。
【0065】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての電子線描画装置、及びその描画データ生成方法、生成装置、生成プログラムは本発明の範囲に包含される。
【0066】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、多重描画を用いた電子線描画データを生成する場合に、描画データに出力されるパターン数が削減され、また、描画データの圧縮表現を有効に利用することが可能となる。その結果、多重描画に伴う描画データ量および描画時間の増大を抑止できる。マスクなどのコストの削減が期待でき、半導体集積回路などの先端デバイスの高性能化と開発効率の向上と低コスト化を促進でき産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態によって生成される多重描画の描画データを概念的に表すフローチャートである。
【図2】本発明の実施の形態にかかる電子線描画データ生成方法を表すフローチャートである。
【図3】本発明の電子線描画データ生成方法を用いてレイアウトデータから変換された描画データを例示する模式図である。
【図4】本発明の実施の形態にかかる描画データ生成装置の外観を例示する模式図である。
【図5】本発明の実施の形態にかかる電子線描画装置のブロック図である。
【図6】半導体集積回路の製造工程の一部を表すフロー図である。
【図7】多重描画を概念的に表す模式図である。
【図8】異なる形状に分割した多重描画を表す模式図である。
【図9】台形分割方向を変えた多重描画を表す模式図である。
【符号の説明】
1 電子線
2 電子銃
3 絞り
4 電子レンズ
5 ブランカ
6 ブランキング制御系
7 偏向制御系
8 偏向器
11 コンピュータ
12 位置制御系
13 モータ制御系
14 サーボモータ
15 マスク基板
16 移動台
17 レーザ干渉計
20 描画データ検証部
80 検証装置
81 記録再生装置
82 光ディスクドライブ
83 磁気記録媒体
84 光ディスク
86 磁気テープ
87 伝送媒体
DD、DD1、DD2 描画データ
EL 電子線描画装置
FI 描画フィールド境界(境界線)
LD レイアウトデータ
M マスク
Claims (16)
- 被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成方法であって、
描画すべきパターンごとに多重度を決定し、多重度が異なるパターンの混在を可能としたことを特徴とする電子線描画データ生成方法。 - 被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成方法であって、
描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定し、多重描画するパターンと多重描画しないパターンとの混在を可能としたことを特徴とする電子線描画データ生成方法。 - 被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成方法であって、
レイアウトデータが有するパターンのそれぞれについて、多重描画の要否を判定するステップと、
前記判定の結果、多重描画しないパターンについて、電子線のドーズ量を第1の値に設定するステップと、
前記判定の結果、多重描画するパターンについて、電子線のドーズ量を前記第1の値よりも小なる第2の値に設定するステップと、
を備えたことを特徴とする電子線描画データ生成方法。 - 前記多重描画しないパターンを、前記多重描画により重ねられる複数の描画データのいずれかに含ませることを特徴とする請求項2または3に記載の電子線描画データ生成方法。
- 前記多重描画しないパターンを、前記多重描画により重ねられる複数の描画データのうちの、描画フィールド境界と交差しない描画データに含ませることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の電子線描画データ生成方法。
- 前記多重描画により重ねられるパターンの分割形態が同一であるパターンと、前記多重描画により重ねられるパターンの分割形態が異なるパターンと、の混在を可能としたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の電子線描画データ生成方法。
- 前記分割形態が同一であるパターンのデータを圧縮することを特徴とする請求項6記載の電子線描画データ生成方法。
- 被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データを生成する電子線描画データ生成装置であって、
描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定し、多重描画するパターンと多重描画しないパターンとの混在を可能としたことを特徴とする電子線描画データ生成装置。 - 被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データをコンピュータに生成させる電子線描画データ生成プログラムであって、
コンピュータに、
描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定させ、その結果に応じて、多重描画するパターンのための描画データの生成と、多重描画しないパターンのための描画データの生成と、のいずれかを選択し実行させることを特徴とする電子線描画データ生成プログラム。 - 被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画するための描画データをコンピュータに生成させる電子線描画データ生成プログラムであって、
コンピュータに、
レイアウトデータが有するパターンのそれぞれについて、多重描画の要否を判定させるステップと、
前記判定の結果、多重描画しないパターンについて、電子線のドーズ量を第1の値に設定させるステップと、
前記判定の結果、多重描画するパターンについて、電子線のドーズ量を前記第1の値よりも小なる第2の値に設定させるステップと、
を備えたことを特徴とする電子線描画データ生成プログラム。 - 前記多重描画しないパターンを、前記多重描画により重ねられる複数の描画データのいずれかに含ませることを特徴とする請求項9または10に記載の電子線描画データ生成プログラム。
- 前記多重描画しないパターンを、前記多重描画により重ねられる複数の描画データのうちの、描画フィールド境界と交差しない描画データに含ませることを特徴とする請求項9〜11のいずれか1つに記載の電子線描画データ生成プログラム。
- 前記多重描画により重ねられるパターンの分割形態が同一であるパターンと、前記多重描画により重ねられるパターンの分割形態が異なるパターンと、の混在を可能とさせたことを特徴とする請求項9〜12のいずれか1つに記載の電子線描画データ生成プログラム。
- 前記分割形態が同一であるパターンのデータを圧縮させることを特徴とする請求項13記載の電子線描画データ生成プログラム。
- 被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画を実施可能とした電子線描画装置であって、
描画すべきパターンごとに多重描画の要否を判定し、多重描画するパターンと多重描画しないパターンとの混在を可能とした描画データ生成部を備え、
前記描画データ生成部により生成された描画データに基づき、前記多重描画による描画を実行可能とした電子線描画装置。 - 被露光体に対して電子線を用いた多重描画により描画を実施可能とした電子線描画装置であって、
レイアウトデータが有するパターンのそれぞれについて、多重描画の要否を判定する手段と、
前記判定の結果、多重描画しないパターンについて、電子線のドーズ量を第1の値に設定する手段と、
前記判定の結果、多重描画するパターンについて、電子線のドーズ量を前記第1の値よりも小なる第2の値に設定する手段と、
を有する描画データ生成部を備え、
前記描画データ生成部により生成された描画データに基づき、前記多重描画しないパターンについては、電子線のドーズ量を前記第1の値に設定して描画を実施し、前記多重描画するパターンについては、電子線のドーズ量を前記第2の値に設定して多重描画を実施することを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003209623A JP2005079111A (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003209623A JP2005079111A (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005079111A true JP2005079111A (ja) | 2005-03-24 |
Family
ID=34402486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003209623A Pending JP2005079111A (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005079111A (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212456A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、及びデータ処理方式選択装置 |
| JP2010267723A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2011066036A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2011066035A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2012501476A (ja) * | 2008-09-01 | 2012-01-19 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド | 2次元ドーズマップおよび荷電粒子ビームリソグラフィを用いたレチクルの設計および製造のための方法 |
| JP2012015245A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2012084659A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| US8669023B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-03-11 | D2S, Inc. | Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using shaped beam lithography |
| US8828628B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-09-09 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
| US8900778B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-12-02 | D2S, Inc. | Method for forming circular patterns on a surface |
| US8916315B2 (en) | 2009-08-26 | 2014-12-23 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| US9038003B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography |
| US9034542B2 (en) | 2011-06-25 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
| US9043734B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-05-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography |
| US9057956B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-16 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9091946B2 (en) | 2011-04-26 | 2015-07-28 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9164372B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-10-20 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9323140B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
| US9372391B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-06-21 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
| US9400857B2 (en) | 2011-09-19 | 2016-07-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
-
2003
- 2003-08-29 JP JP2003209623A patent/JP2005079111A/ja active Pending
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9268214B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-02-23 | D2S, Inc. | Method for forming circular patterns on a surface |
| US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9372391B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-06-21 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
| US9625809B2 (en) | 2008-09-01 | 2017-04-18 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
| JP2012501476A (ja) * | 2008-09-01 | 2012-01-19 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド | 2次元ドーズマップおよび荷電粒子ビームリソグラフィを用いたレチクルの設計および製造のための方法 |
| US9715169B2 (en) | 2008-09-01 | 2017-07-25 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9323140B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US8669023B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-03-11 | D2S, Inc. | Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using shaped beam lithography |
| US8828628B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-09-09 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
| US8900778B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-12-02 | D2S, Inc. | Method for forming circular patterns on a surface |
| US9274412B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-03-01 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
| JP2015043472A (ja) * | 2008-09-01 | 2015-03-05 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッドD2S, Inc. | 2次元ドーズマップおよび荷電粒子ビームリソグラフィを用いたレチクルの設計および製造のための方法 |
| US10101648B2 (en) | 2008-09-01 | 2018-10-16 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9043734B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-05-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography |
| JP2010212456A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、及びデータ処理方式選択装置 |
| JP2010267723A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| US9164372B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-10-20 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| US8916315B2 (en) | 2009-08-26 | 2014-12-23 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| JP2011066035A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2011066036A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2012015245A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2012084659A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| US9057956B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-16 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9091946B2 (en) | 2011-04-26 | 2015-07-28 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9465297B2 (en) | 2011-06-25 | 2016-10-11 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
| US9034542B2 (en) | 2011-06-25 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
| US9400857B2 (en) | 2011-09-19 | 2016-07-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| US10031413B2 (en) | 2011-09-19 | 2018-07-24 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
| US9859100B2 (en) | 2012-04-18 | 2018-01-02 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
| US9038003B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography |
| US10431422B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-10-01 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005079111A (ja) | 電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置 | |
| US7194704B2 (en) | Design layout preparing method | |
| JP3396629B2 (ja) | マスクパターン補正方法 | |
| US8745550B2 (en) | Fracture aware OPC | |
| JP4009459B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法及びマスクの作製方法 | |
| US8332784B2 (en) | Semiconductor device | |
| US20080149859A1 (en) | Irradiation Pattern Data Generation Method, Mask Fabrication Method, and Plotting System | |
| JP2005518569A (ja) | 全位相マスクおよびトリムマスクを用いた微小寸法制御 | |
| JPH117120A (ja) | マスクパターン作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置 | |
| JP4160203B2 (ja) | マスクパターン補正方法及びマスクパターン補正プログラムを記録した記録媒体 | |
| JP2008218767A (ja) | データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
| US6200710B1 (en) | Methods for producing segmented reticles | |
| JP3998458B2 (ja) | 波長に依存しないリソグラフィ用の露光パターン生成方法及び露光パターン生成装置 | |
| TWI806311B (zh) | 光學微影方法 | |
| JP4831390B2 (ja) | 電子線描画データ作成方法、作成装置及び作成プログラム並びに電子線描画装置 | |
| JP2007102207A (ja) | 複雑度低減のためのルールベース光学近接効果補正における可変バイアス・ルールの作成および適用 | |
| JP5810642B2 (ja) | マスクデータ生成方法及びそれを用いたマスクの製造方法 | |
| JP4521076B2 (ja) | パターン描画方法 | |
| JP3368198B2 (ja) | Vlsi回路設計におけるゲート長補償方法およびシステム | |
| JP2005079112A (ja) | 電子線描画データ編集方法、編集装置及び編集プログラム並びに電子線描画装置 | |
| JP2006156864A (ja) | レジストパターン・ライン幅の算出方法、マスクパターン・ライン幅の補正方法、光近接効果補正方法、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、及び、半導体装置の製造方法 | |
| JPH11133585A (ja) | 露光用マスク及びその製造方法 | |
| JP3592105B2 (ja) | マスクパターン作成方法および装置 | |
| JP2000066370A (ja) | マスクパターン作成方法および装置 | |
| JP5068549B2 (ja) | 描画データの作成方法及びレイアウトデータファイルの作成方法 |