[go: up one dir, main page]

JP2005072924A - 光電流・電圧変換回路 - Google Patents

光電流・電圧変換回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2005072924A
JP2005072924A JP2003299435A JP2003299435A JP2005072924A JP 2005072924 A JP2005072924 A JP 2005072924A JP 2003299435 A JP2003299435 A JP 2003299435A JP 2003299435 A JP2003299435 A JP 2003299435A JP 2005072924 A JP2005072924 A JP 2005072924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
amplifier
comparator
output
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2003299435A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Sakaguchi
誠 坂口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2003299435A priority Critical patent/JP2005072924A/ja
Priority to DE602004000299T priority patent/DE602004000299T2/de
Priority to US10/923,720 priority patent/US6956195B2/en
Priority to EP04020090A priority patent/EP1510828B1/en
Publication of JP2005072924A publication Critical patent/JP2005072924A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • H03F3/087Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/10Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
    • G01J1/16Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors
    • G01J1/18Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void using electric radiation detectors using comparison with a reference electric value
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45116Feedback coupled to the input of the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45138Two or more differential amplifiers in IC-block form are combined, e.g. measuring amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45528Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more passive resistors and being coupled between the LC and the IC

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

【課題】 より簡単な回路構成で比較器の非反転入力および反転入力を生成できる光電流・電圧変換回路を提供する。
【解決手段】 フォトダイオード1への光入力により発生する光電流Ipdを、反転増幅器3の反転入力端と出力端に接続された帰還抵抗により電圧変換し、比較器10で閾値電圧Vthと比較して2値信号を出力する光電流・電圧変換回路において、反転増幅器3の出力端に接続したオフセット抵抗6に定電流源7による定電流を流して得た電圧Vcを比較器10の一方の入力としたので、従来回路の比較器に入力される閾値電圧を生成するための分圧抵抗や基準電圧回路の中の非反転増幅器を用いることなく、簡単な回路構成で光電流・電圧変換回路を実現できる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、受光素子により発生する光電流を電圧に変換し2値信号として出力する光電流・電圧変換回路に関する。
フォトダイオードなどの受光素子により発生する光電流を電圧に変換し2値信号として出力する光電流・電圧変換回路が多くの分野で利用されている。例えば、FA関連等で入出力間を電気的に絶縁することを目的として、入力側の発光素子(例えば発光ダイオード)に電気信号を供給し、発光素子から出力側の受光素子へ光で信号を伝え、受光素子から電気信号を出力するフォトカプラの受光回路に用いられている。この光電流・電圧変換回路はIC化され受光ICとして使用されている。
以下、受光ICの一例の光電流・電圧変換回路200について、図3を参照して説明する。図3において、1はフォトダイオードでアノードが接地されている。12は反転増幅器13を用いた増幅器で、非反転入力端に接地電圧を基準とした電圧源15(電圧をVとする)が入力され、反転入力端にフォトダイオード1のカソードが接続され、反転入力端と出力端間に帰還抵抗14が接続されている。16はオペアンプである非反転増幅器17を用いた基準電圧回路で、反転入力端と出力端間にオフセット抵抗18が接続され、反転入力端は定電流源19を介して接地され、非反転入力端が反転増幅器13の反転入力端に接続されている。20は分圧回路で、第1、第2の分圧抵抗21、22が増幅器12の出力端と基準電圧回路16の出力端に直列接続され、その直列接続点がコンデンサ23を介して接地されている。30は比較器で、非反転入力端に増幅器12の出力端が接続され、反転入力端に第1、第2の分圧抵抗21、22の接続点が接続されている。
上記構成の光電流・電圧変換回路200の動作を説明する。フォトダイオード1に光入力が無い場合は、光電流Ipdは発生せず、従って増幅器12の帰還抵抗14にも光電流Ipdが流れないため、増幅器12の出力端は反転入力端と同一電圧となり、イマジナルショートにより非反転入力端と同一の電圧Vとなる。一方、基準電圧回路16では、オフセット抵抗18と定電流源19によりオフセット電圧VOSが生成され、反転増幅器13の反転入力端の電圧よりもこのオフセット電圧VOS分加勢側にオフセットされた高い電圧が基準電圧Vref(=V+VOS)として出力される。この増幅器12の出力端の電圧Va=Vと基準電圧Vref が分圧回路20の第1、第2の分圧抵抗21、22で分圧され閾値電圧Vthとなる。よって、増幅器12の出力端の電圧Va=Vが比較器30に出力されると、分圧回路20からの閾値電圧Vthと比較され、増幅器12出力電圧Vが閾値電圧Vthより低いので、図示例の光電流・電圧変換回路200ではLowレベルの2値信号が比較器30の出力信号Voutとして出力される。
フォトダイオード1に光が入力されると、その光量に応じた光電流Ipdが発生し、この光電流Ipdが帰還抵抗14に反転増幅器13の出力端から反転入力端の方向に流れ、その結果、光電流Ipdは、帰還抵抗14の両端に発生する電圧Vr=Ipd×Rf(Rf:帰還抵抗14の抵抗値)に変換され、出力端の電圧VaはVa=V+Vrとなる。この電圧Vaが増幅器12の出力端から比較器30へと出力されると、分圧回路20からの閾値電圧Vthと比較され、フォトダイオード1への光入力が、ある一定レベル以上であれば、Va>Vthとなり、信号が入ったものと判定し、前述の光入力が無い場合とは逆のHighレベルの2値信号が出力される。また、フォトダイオード1への光入力が、ある一定レベル以下であれば、Va<Vthとなり、前述の光入力が無い場合と同じレベルの信号が出力される(例えば、特許文献1参照。)。
上記の光電流・電圧変換回路200の動作を図4の波形図を用いて説明する。まず、図4(a)に示すように増幅器12の出力電圧Vaは、光電流の大きさに応じて電圧VからV+Vrまで変化する。一方、基準電圧Vref は、光電流Ipdに関係無くVref=Vo+VOSである。この基準電圧Vrefと出力電圧Vaとが分圧回路20の第1、第2の分圧抵抗21、22で分圧され、さらにコンデンサ23により遅延させられるため図4(a)に示すような閾値電圧Vthとなる。図4では、第1、第2の分圧抵抗比を特許文献1の例示に倣い約1:2として表した波形図である。こうして、増幅器12出力Vaの立上り、立下り直後で比較器30の出力が切り替わることとなり、図4(b)に示すような比較器30の出力信号Vout波形となる。
特許第3121339号明細書(第3−6頁、図)
このように図3に示す従来回路200では、非反転増幅器17を用いた基準電圧回路16や分圧回路20を用いて閾値電圧Vthを生成するために回路構成が大きくなり、チップサイズが大きくなるという問題がある。チップサイズ増大は、製造コスト低減の面で不利である。
本発明は上記の事情を考慮してなされたもので、より簡単な回路構成で比較器の非反転入力および反転入力を生成できる光電流・電圧変換回路を提供することを目的とする。
請求項1記載の発明は、受光素子と、入出力端間に帰還抵抗が接続され受光素子により発生する光電流を電圧に変換する増幅器と、増幅器の出力端に一端が接続されたオフセット抵抗と、オフセット抵抗の他端に接続された定電流源と、オフセット抵抗および定電流源の接続点の電圧を基準電圧と比較して2値信号を出力する比較器とを具備し、基準電圧が増幅器の入力端の電圧または帰還抵抗の途中より取出した分割電圧であることを特徴とする光電流・電圧変換回路である。
本発明の光電流・電圧変換回路によれば、反転増幅器の入力端の電圧または帰還抵抗の途中より取出した分割電圧を比較器の閾値電圧に利用し、反転増幅器の出力端に接続したオフセット抵抗に定電流を流して得た電圧と比較する構成としたので、従来回路の比較器に入力される閾値電圧を生成するための分圧抵抗や基準電圧回路の中の非反転増幅器を用いることなく、簡単な回路構成で光電流・電圧変換回路を実現できる。
光電流・電圧変換回路内の比較器の非反転入力および反転入力を生成する方法を、より簡単な回路構成で実現した。
以下、本発明の実施例1の光電流・電圧変換回路100について、図1を参照して説明する。図1において、1はフォトダイオードでアノードが接地されている。2は反転増幅器3を用いた増幅器で、非反転入力端に接地電圧を基準とした電圧源5(電圧をVとする)が入力され、反転入力端にフォトダイオード1のカソードが接続され、反転入力端と出力端間に帰還抵抗4aと帰還抵抗4bとが直列接続されている。6はオフセット抵抗で一端が反転増幅器3の出力端に接続され他端が定電流源7を介して接地されている。8は比較器で、非反転入力端にオフセット抵抗6と定電流源7との接続点が接続され、反転入力端に帰還抵抗4aと帰還抵抗4bとの直列接続点が接続されている。
上記構成の光電流・電圧変換回路100の動作を説明する。フォトダイオード1に光入力が無い場合は、光電流Ipdは発生せず、従って増幅器2の帰還抵抗4a、4bにも光電流Ipdが流れないため、増幅器2の出力端は反転入力端と同一電圧となり、イマジナルショートにより非反転入力端と同一の電圧Vとなる。したがって、帰還抵抗4a、4bの直列接続点の分割電圧をVbとするとVb=Vとなり閾値電圧Vth(=V)として比較器8の反転入力端に入力される。一方、反転増幅器3は一般的なオペアンプ回路であり出力インピーダンスが非常に小さく0と見なせるため、オフセット抵抗6に定電流源7による定電流を流すだけで増幅器2の出力電圧Vaの直流レベルをシフトさせることができる。したがって、オフセット抵抗6と定電流源7によるオフセット電圧VOSだけシフトされた低い電圧Vc(=V−VOS)が比較器8の非反転入力端に入力される。この電圧Vc(=V−VOS)と閾値電圧Vth(=V)が比較器8で比較され、電圧Vcが閾値電圧Vthより低いので、図示例の光電流・電圧変換回路100ではLowレベルの2値信号が比較器8の出力信号Voutとして出力される。
フォトダイオード1に光が入力されると、その光量に応じた光電流Ipdが発生し、この光電流Ipdが帰還抵抗4a、4bに反転増幅器3の出力端から反転入力端の方向に流れ、その結果、光電流Ipdは、電圧Vr=Ipd×Rf(Rf:帰還抵抗4a、4bの抵抗値の和)に変換され、増幅器2の出力端の電圧VaはVa=V+Vrとなる。この電圧Vaが、オフセット抵抗6と定電流源7によるオフセット電圧VOSだけオフセットされた低い電圧Vc(=V+Vr−VOS)として比較器8の非反転入力端に入力される。一方、増幅器2の反転入力端と出力端間の電圧Vrが帰還抵抗4a、4bの抵抗比に応じて分割され、これに電圧Vを加えた分割電圧Vbが閾値電圧Vthとして比較器8の反転入力端に入力される。フォトダイオード1への光入力が、ある一定レベル以上であれば、Vc>Vthとなり、信号が入ったものと判定し、前述の光入力が無い場合とは逆のHighレベルの2値信号が出力される。また、フォトダイオード1への光入力が、ある一定レベル以下であれば、Vc<Vthとなり、前述の光入力が無い場合と同じレベルの信号が出力される。
上記の光電流・電圧変換回路100の動作を図2の波形図を用いて説明する。まず、図2(a)に示すように増幅器2の出力電圧Vaは、光電流の大きさに応じて電圧VからV+Vrまで変化する。この出力電圧Vaをオフセット電圧VOSだけオフセットさせた電圧が図2(a)に示す電圧Vcである。一方、分割電圧Vbは、光電流Ipdに応じた電圧Vr(=Ipd×Rf)を帰還抵抗4a、4bの抵抗比に分割した電圧と電圧Vを加えた電圧となり図2(a)に示すような閾値電圧Vthとなる。こうして、増幅器2出力の立上り、立下り直後で比較器8の出力が切り替わることとなり、図2(b)に示すような比較器8の出力信号Vout波形となる。
以上説明したように、帰還抵抗の途中より取出した分割電圧Vbを比較器8の閾値電圧Vthに利用し、反転増幅器3の出力端に接続したオフセット抵抗6に定電流を流して得た電圧Vcと比較する構成としたので、従来回路の比較器に入力される閾値電圧を生成するための分圧抵抗や基準電圧回路の中の非反転増幅器を用いることなく、簡単な回路構成で光電流・電圧変換回路を実現できる。
尚、比較器8の反転入力端には帰還抵抗の途中の電圧に替え反転増幅器3の反転入力端の電圧でもよく、この場合、閾値電圧Vthは電圧Vで一定となる。
また、本発明の増幅器2は、例えばNch型MOSトランジスタのソースが接地されドレインと電源電圧端子との間に定電流源が接続され、ドレインと定電流源との接続点が次段への入力端となる増幅段が複数直流結合されて反転増幅器を構成し、初段の入力端と最終段の出力端に帰還抵抗が接続された構成であってもよい。また、実施例1とは逆の論理の2値信号出力が必要であれば、比較器8の反転入力端に電圧Vcを入力し、非反転入力端に閾値電圧Vthを入力する構成にすればよい。
本発明の光電流・電圧変換回路は、赤外線通信や光ケーブル通信等の光受信回路および最近の光ディスク装置でのレーザー反射光信号を電気的ディジタル信号に変換する光検出回路にも広く適用できる。
本発明の第1実施例の受光ICの回路図。 図1に示す受光ICの動作を説明する波形図。 従来の受光ICの回路図。 図3に示す受光ICの動作を説明する波形図。
符号の説明
1 フォトダイオード
2、12 増幅器
3、13 反転増幅器
4a、4b、14 帰還抵抗
5、15 電圧源
6、18 オフセット抵抗
7、19 定電流源
8、30 比較器
16 基準電圧回路
17 非反転増幅器
20 分圧回路
21、22 分圧抵抗
23 コンデンサ
100、200 光電流・電圧変換回路
Va 出力電圧
Vb 分割電圧
Vth 閾値電圧
Vref 基準電圧
OS オフセット電圧
Vout 出力信号

Claims (1)

  1. 受光素子と、
    入出力端間に帰還抵抗が接続され受光素子により発生する光電流を電圧に変換する増幅器と、
    前記増幅器の出力端に一端が接続されたオフセット抵抗と、
    前記オフセット抵抗の他端に接続された定電流源と、
    前記オフセット抵抗および定電流源の接続点の電圧を基準電圧と比較して2値信号を出力する比較器とを具備し、
    前記基準電圧が前記増幅器の入力端の電圧または前記帰還抵抗の途中より取出した分割電圧であることを特徴とする光電流・電圧変換回路。
JP2003299435A 2003-08-25 2003-08-25 光電流・電圧変換回路 Withdrawn JP2005072924A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003299435A JP2005072924A (ja) 2003-08-25 2003-08-25 光電流・電圧変換回路
DE602004000299T DE602004000299T2 (de) 2003-08-25 2004-08-24 Fotoelektrische Strom-/Spannungs-Wandlerschaltung
US10/923,720 US6956195B2 (en) 2003-08-25 2004-08-24 Photoelectric current and voltage converting circuit
EP04020090A EP1510828B1 (en) 2003-08-25 2004-08-24 Photoelectric current and voltage converting circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003299435A JP2005072924A (ja) 2003-08-25 2003-08-25 光電流・電圧変換回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005072924A true JP2005072924A (ja) 2005-03-17

Family

ID=34101146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003299435A Withdrawn JP2005072924A (ja) 2003-08-25 2003-08-25 光電流・電圧変換回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6956195B2 (ja)
EP (1) EP1510828B1 (ja)
JP (1) JP2005072924A (ja)
DE (1) DE602004000299T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008011001A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Nec Electronics Corp 電流電圧変換回路及び電流電圧変換方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7015849B2 (en) * 2002-11-08 2006-03-21 Olympus Corporation Control circuit
WO2010016449A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
JP5512635B2 (ja) * 2011-02-23 2014-06-04 シャープ株式会社 光センサおよび電子機器
DE102016005321B4 (de) * 2016-05-02 2017-11-23 Keller Hcw Gmbh Verfahren zur berührungslosen, strahlungsthermometrischen Temperaturmessung
US11867557B2 (en) * 2021-07-30 2024-01-09 Analog Devices International Unlimited Company Automatic ambient light cancellation method for optical front-end methods and apparatus
US11543292B1 (en) 2021-07-30 2023-01-03 Analog Devices International Unlimited Company Low-frequency noise cancellation in optical measurements

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1129549A (en) 1978-09-18 1982-08-10 Transaction Technology, Inc. Adaptive threshold optical reader
JPS63236971A (ja) 1987-03-26 1988-10-03 Toshiba Corp 比較装置
US5061859A (en) 1989-09-13 1991-10-29 Hewlett-Packard Company Circuits for realizing an optical isolator
US5287107A (en) * 1992-06-05 1994-02-15 Hewlett-Packard Company Optical isolation amplifier with sigma-delta modulation
US5406071A (en) * 1993-07-20 1995-04-11 Eaton Corporation Optically isolated pulse width modulation metering
US6166566A (en) * 1997-11-14 2000-12-26 Linear Technology Corporation Adaptive threshold circuit for comparators

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008011001A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Nec Electronics Corp 電流電圧変換回路及び電流電圧変換方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE602004000299T2 (de) 2006-09-28
EP1510828A1 (en) 2005-03-02
DE602004000299D1 (de) 2006-03-30
US20050045807A1 (en) 2005-03-03
EP1510828B1 (en) 2006-01-04
US6956195B2 (en) 2005-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI546641B (zh) 雪崩光電二極體的偏壓產生電路及相關的控制電路
JPH10200342A (ja) バイアス電圧供給回路
US7045762B2 (en) Photocurrent-to-voltage conversion apparatus including non-diode-connected clamping MOS transistor
JP2005072924A (ja) 光電流・電圧変換回路
JP2005072925A (ja) 光電流・電圧変換回路
KR100859780B1 (ko) 전류전압변환기 및 전류전압변환방법
JP2006074086A (ja) 光電流・電圧変換回路
JP2004260230A (ja) 光電流・電圧変換回路
JP2010141526A (ja) 受光回路
CN114499427B (zh) 用于检测信号损失的多路复用积分放大器
US6356065B1 (en) Current-voltage converter with changeable threshold based on peak inputted current
JP4083551B2 (ja) 前置増幅器
JP4079621B2 (ja) 光電流・電圧変換回路
JP2004312486A (ja) 光電流・電圧変換回路
JP2005217468A (ja) 光電流・電圧変換回路
JP2002171142A (ja) 受光装置
JP2005210558A (ja) 光電流・電圧変換回路
JP2008167312A (ja) 光信号受信装置
CN112491423A (zh) 半导体电路以及半导体系统
JP2003218645A (ja) 光電流・電圧変換回路
JP4530363B2 (ja) 光電流・電圧変換回路
JP3470887B2 (ja) 光電気変換回路
US10330723B2 (en) Operation voltage testing circuit and method
CN116888894A (zh) 通信装置
JP2004363667A (ja) 光電流・電圧変換回路

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050324

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050728

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20060424

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060710

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070614