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JP2005062724A - 光学位相差板および液晶表示装置 - Google Patents

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雄三 久武
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Abstract

【課題】液晶分子を垂直配列状態とハイブリッド配列状態との間で遷移させる電界により液晶層の位相差および旋光性を制御する液晶表示モードで視角−コントラスト特性を損なわずに中間階調での視角−輝度特性を向上させる。
【解決手段】液晶表示装置は、液晶層LQが一対の電極基板AR,CT間に挟持される構造の液晶パネルと、液晶パネルを挟持する一対の偏光板PLと、液晶パネルと一対の偏光板PL間に配置される一対の光学位相差板RTとを備える。各光学位相差板RTは互いに直交するx軸方向およびy軸方向、z軸方向の平均屈折率nx,ny,nzがz軸方向を法線方向に一致させた状態でnx>ny>nzの関係にある屈折率異方性を有する。各光学位相差板RTのx軸方向とこの光学位相差板RTに隣接する偏光板PLの透過軸とは略平行である。
【選択図】図1

Description

本発明は、液晶分子が黒表示のために例えば略垂直に配向される液晶パネルに適用される光学位相差板およびこの光学位相差板を用いる液晶表示装置に関する。
液晶表示装置は軽量、薄型、低消費電力という特徴を有し、この特徴からOA機器、情報端末、時計、テレビのような様々な分野で応用されている。特にアクティブマトリクス型液晶表示装置は、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor)を用いて画素のスイッチングを行うことにより優れた応答性を得ることができる液晶表示装置であるため、多くの画像情報を表示しなくてはならない携帯テレビあるいはコンピュータの表示モニタとして利用されている。
近年では、液晶表示装置の精細度および表示速度の向上が情報量の増大に伴って要求され始めている。高精細化は、例えば薄膜トランジスタのアレイ構造を微細化して画素数を増大することにより実現されている。
一方、表示速度の高速化に関しては、従来の表示モードに代わって、例えばネマティック液晶を用いたOCB(Optically Compensated Birefringence)モード、VAN(Vertically Aligned Nematic)モード、HAN(Hybrid Aligned Nematic)モード、およびπ配列モード、並びにスメクチック液晶を用いた界面安定型強誘電性液晶(SSFLC: Surface-Stabilized Ferroelectric Liquid Crystal)モードおよび反強誘電性液晶(AFLC: Anti-Ferroelectric Liquid Crystal)モードが検討されている。
これら表示モードのうち、特にVANモードは従来のツイストネマチック(Twisted Nematic)モードよりも速い応答速度を得ることができ、さらに静電気破壊のような不良発生の原因となるラビング処理を垂直配向により不要にできるという特長を有する。なかでも、マルチドメイン型VANモード(以下、MVAモードという)は視野角の拡大が比較的容易なことから特に注目されている。
マルチドメイン構造を得る方式としては、アレイ基板上の画素電極および対向基板上の対向電極に配向分割用の電極スリットや突起を設け、これらによって画素電極および対向電極から画素領域に印加される電界の傾きを制御することが一般的に行われている(例えば特許文献1参照)。この場合、液晶層の画素領域は液晶分子の配向方向が電圧印加状態で互いに90°の角度をなすような例えば4つのドメインに配向分割され、これにより視角特性の対称性改善と反転現象の抑止を実現している。また、負の光学位相差板が、電極基板に対して垂直に液晶分子を配列させる黒表示状態で液晶層に生じる位相差の視角依存性を補償するために用いられ、これにより視角に対するコントラスト(CR)を良好なものとしている。この負の光学位相差板が偏光板の視角依存性も補償するような面内位相差を持つ2軸位相差板であれば、さらに優れた視角−コントラスト特性を実現することができる。
特許第2565639号公報
しかしながら、上述したMVAモードでは、視角補償が黒表示(最小)階調以外で不十分であり、輝度(透過率)特性がパネル正面の方位と斜めの方位との間で異なる。液晶表示装置が画素領域を4つのドメインに配向分割するMVAモードである場合、例えば図24〜図26に示すようなパネル正面の方位を0°とした視角−輝度特性が様々な階調に対応する液晶印加電圧の下で得られる。図24はパネル正面の方位に対して左右方位において得られる視角−輝度特性を示し、図25はパネル正面の方位に対して斜め方位において得られる視角−輝度特性を示し、図26はパネル正面の方位に対して上下方位において得られる視角−輝度特性を示す。ここでは、0Vから4.7Vの範囲の電圧が液晶層LQに印加された。図24〜図26では、横軸がパネル正面の方位を0°とした視角を示し、縦軸がパネルの輝度を透過率で示す。これらの視角輝度特性によれば、中間階調での輝度差がパネル正面に対して斜めの方位となる視角において縮小し、さらに白表示(最大)階調での輝度も視角依存性によって低下することから、多色表示であるときに全体的に白茶けて見えるという問題を有することがわかる。
また、上述したMVAモードにおいて4つのドメインを得るために設置される突起や電極スリット、並びにこれらドメイン間の配向境界に発生するシュリーレン配向の影響により、液晶表示装置の輝度が配向分割を行わない場合よりも著しく劣化するという問題も生じている。この問題を改善するために配向分割数を少なくすることも考えられるが、次のような理由から難しい。すなわち、画素領域の配向分割数が4である場合、液晶表示装置は図30に示すような視角−コントラスト特性を有する。この視角−コントラスト特性はコントラスト(CR)が全方位において10以上である点で優れている。
また、画素領域の配向分割数が2である場合、液晶表示装置は図27〜図29に示すような視角−コントラスト特性を有する。この視角−コントラスト特性は、配向分割数が4である液晶表示装置のそれと同等である。しかしながら、この液晶表示装置は図27〜図29に示すような視角−輝度特性を有する。これらの図によれば、輝度反転が中間階調において生じることがわかる。中間階調における位相差の異方性は液晶分子の配向方向が2つのドメイン間で反平行となる上下方位で補償しあうが、左右方位で一様に作用する。すなわち、輝度反転は印加電圧に対する位相差の変化度がパネル正面と視角方位との間で変わるために生じる。従って、配向分割数が2の場合、液晶表示装置の輝度は改善されるが、視角−輝度特性は中間階調で劣ってしまうという問題が生じる。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、液晶層の液晶分子を黒表示用の垂直配列状態と白表示用の水平配列状態またはハイブリッド配列状態との間で遷移させる電界により液晶層の位相差および旋光性を制御する液晶表示モードにおいて視角−コントラスト特性を損なうことなく中間階調での視角−輝度特性を向上させることが可能な光学位相差板および液晶表示装置を提供することにある。
本発明によれば、円盤状の高分子からなり厚さ方向に直角な平面に対して徐々に傾斜して厚さ方向にハイブリッド配列される一群の屈折率楕円体をそれぞれ含む少なくとも一対の第1および第2光学フィルムを備え、屈折率楕円体の傾斜方位は第1光学フィルムおよび第2光学フィルム間で互いに反平行な関係にある光学位相差板が提供される。
さらに本発明によれば、液晶層が一対の電極基板間に挟持される構造の液晶パネルと、液晶パネルを挟持する一対の偏光板と、液晶パネルと一対の偏光板間に配置される一対の光学位相差板とを備え、各光学位相差板は互いに直交するx軸方向およびy軸方向、z軸方向の平均屈折率nx,ny,nzがz軸方向を法線方向に一致させた状態でnx>ny>nzの関係にある屈折率異方性を有し、各光学位相差板のx軸方向とこの光学位相差板に隣接する偏光板の透過軸とは略平行である液晶表示装置が提供される。
これら光学位相差板および液晶表示装置では、光学位相差板が配列遷移中において全ての液晶分子の配列状態に対して液晶層の位相差の視角依存性および偏光板の視角依存性を補償することができる。従って、視角−コントラスト特性を損なうことなく中間階調での視角−輝度特性を向上させることが可能である。特に、液晶層がMVAモードのように配向分割される場合において、配向分割数が2分割であっても、視角−コントラスト特性を損なうことなく中間階調での視角−輝度特性を向上させることが可能である。
本発明によれば、液晶層の液晶分子を黒表示用の垂直配列状態と白表示用の水平配列状態またはハイブリッド配列状態との間で遷移させる電界により液晶層の位相差および旋光性を制御する液晶表示モードにおいて視角−コントラスト特性を損なうことなく中間階調での視角−輝度特性を向上させることが可能な光学位相差板および液晶表示装置を提供することができる。
以下、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置について添付図面を参照して説明する。この液晶表示装置はMVAモードで表示を行う透過型液晶表示装置である。
図1はこの液晶表示装置TMDの外観を示し、図2は図1に示す液晶表示装置TMDの回路構造を概略的に示し、図3は図1に示す液晶表示装置TMDの断面構造を示す。
図1に示すように、液晶表示装置TMDは第1電極基板となるアレイ基板ARと、第1電極基板に対向する第2電極基板となる対向基板CTと、負の誘電率異方性を有するネマティック液晶材料を含みアレイ基板ARおよび対向基板CT間に挟持される液晶層LQと、アレイ基板AR,対向基板CT,および液晶層LQからなる液晶パネルDPを挟持する第1および第2偏光板PLと、液晶パネルDPおよび第1偏光板PL間および液晶パネルDPおよび第2偏光板PL間にそれぞれ配置される第1および第2光学位相差板RTとを備える。アレイ基板ARと対向基板CTとは液晶層LQを取り囲むように配置される外縁シール部材11により貼り合わされる。液晶表示装置TMDでは、画像を表示するための表示領域DAが外縁シール部材11の内側に配置され、駆動回路を配置するための周辺領域EAがこの表示領域DAの周囲に配置される。液晶材料はアレイ基板ARと対向基板CTとの貼合わせ後に液晶注入口12から注入され、この注入後に封止部材13により封止される。
アレイ基板ARは、表示領域DAにおいて、図2に示すように、マトリクス状に配置されたm×n個の画素電極PE、これら画素電極PEの行に沿って配置されたm本の走査線Y(Y1〜Ym)、これら画素電極PEの列方向に沿って配置されたn本の信号線X(X1〜Xn)、m×n個の画素電極PEに対応して走査線Y1〜Ymおよび信号線X1〜Xnの交差位置近傍に配置されたm×n個の画素スイッチ15を有し、さらに画素電極PEの行に沿って配置されるm本の補助容量線16を有する。走査線Y1〜Ymは信号線X1〜Xnと略直交し、補助容量線16と略平行に配置される。各補助容量線16は対向電極駆動回路等から対向電位VCOMとして得られる所定電位に設定され、対応行の画素電極PEと容量結合してそれぞれ補助容量Csを構成する。
また、アレイ基板ARは、周辺領域EAにおいて、走査線Y1〜Ymを駆動する走査線駆動回路YD、信号線X1〜Xnを駆動する信号線駆動回路XDを有する。各画素スイッチ15は例えばポリシリコン薄膜トランジスタからなり、対応走査線Yおよび対応信号線Xに接続され、この走査線Yからの駆動電圧により導通し、信号線Xからの信号電圧を対応画素電極PEに印加する。尚、各画素スイッチ15は、ポリシリコン薄膜トランジスタ以外に、アモルファスシリコン薄膜トランジスタで構成することもできる。
画素電極PEは金属等の遮光性導電部材からなる信号線Xおよび走査線Yによって区画され、電気的に絶縁された状態でこれら信号線Xおよび走査線Yに僅かに重なる。画素電極PEはガラス基板などの光透過性絶縁基板GL上に形成されるITO等の透明導電部材からなり、その平面的な広がりによって液晶層LQの画素領域に電界を形成する。
図3に示すように、アレイ基板ARでは、それぞれの画素スイッチ15が光透過性絶縁基板GL上に形成され、カラーフィルタCFにより覆われる。カラーフィルタCFは、複数の画素電極PEの列毎に繰り返し並べられ各々複数の画素電極PEの1つに対向する赤カラーフィルタ層R、緑カラーフィルタ層G、青カラーフィルタ層Bにより構成される。また、複数の柱状スペーサ17がこれら画素電極PE相互間においてカラーフィルタCF上に形成される。カラーフィルタCF、画素電極PE、および柱状スペーサ17は配向膜18により全体的に覆われる。配向膜18は例えばポリイミドなどの透明樹脂からなり、ラビング処理は施さずに垂直配向性を付与されている。配向膜18は、電圧無印加状態において液晶層LQの液晶材料に含まれる液晶分子20をアレイ基板ARに対して略垂直な方向に配向させる。
画素スイッチ15は絶縁基板GL上のポリシリコン半導体層21にゲート絶縁膜22を介して重なるゲート電極15G、半導体層21においてゲート電極15Gの下方に配置されるチャネル領域21C、不純物のドープにより半導体層21においてチャネル領域21Cの両側に配置されるドレイン領域21Dおよびソース領域21S、ドレイン領域21Dに接続されるドレイン電極15D、並びにソース領域21Sに接続されるソース電極15Sを有する。信号線X、走査線Y、および補助容量線16等の配線部、画素スイッチ15のゲート電極15G、ドレイン電極15D、およびソース電極15Sは、アルミニウム、モリブデン、銅、タンタルなどの遮光性導電部材を用いて形成される。具体的には、走査線Y、補助容量線16、およびゲート電極15Gは、ゲート絶縁膜22を覆う導電層をパターニングすることによりそれぞれ形成される。本実施形態において、ゲート電極15Gは走査線Yの一部となっている。
信号線X、ドレイン電極15D、およびソース電極15Sは、走査線Y、補助容量線16、ゲート電極15G、およびゲート絶縁膜22を覆う層間絶縁膜23上に形成される導電層をパターニングすることによりそれぞれ形成される。ここで、ドレイン電極15Dはゲート絶縁膜22および層間絶縁膜23を貫通するコンタクトホール内でドレイン領域21Dにコンタクトして信号線Xと一体的に形成され、ソース電極15Sはゲート絶縁膜22および層間絶縁膜23を貫通するコンタクトホール内でソース領域21Sにコンタクトして形成される。ソース領域21Sはゲート絶縁膜22を介して補助容量線16と対向する。カラーフィルタCFは信号線X、ドレイン電極15D、およびソース電極15Sを覆って形成される。画素電極PEは、カラーフィルタCFを貫通するコンタクトホール24内で画素スイッチ15のソース電極15Sにコンタクトするように形成される。ソース領域21Sおよび画素電極PEは補助容量線16と容量結合して補助容量Csを構成する。
他方、対向基板CTでは、対向電極CEがガラス基板などの光透過性絶縁基板GL上に形成されるITO等の透明導電部材からなり、配向膜19がこの対向電極CEを覆って形成される。配向膜19は例えばポリイミドなどの透明樹脂からなり、ラビング処理は施さずに垂直配向性を付与されている。対向電極CEは、アレイ基板AR側に配置された複数の画素電極PE全体に対向するように配置される。配向膜19は、液晶層LQの液晶材料に含まれる液晶分子20を対向基板CTに対して略垂直な方向に配向する。
第1および第2光学位相差板RTは、液晶層LQとは反対側においてアレイ基板ARおよび対向基板CTにそれぞれ貼り付けられ、第1および第2偏光板PLは第1および第2光学位相差板RTにそれぞれ貼り付けられる。
本実施形態では、カラーフィルタCFがアレイ基板ARに配置されたCOA(Colorfilter On Array substrate)構造を採用したが、カラーフィルタCFは対向基板CTに配置されてもよい。但し、COA構造は、アレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせて液晶パネルDPを構成する際にアライメントマーク等を利用して行われる高精度な位置合わせを不要にすることができる。
次に、各光学位相差板RTの構造について図4から図8を参照して説明する。光学位相差板RTは液晶パネルDPの液晶層LQで生じる位相差の視角依存性を補償するために少なくとも一対の第1および第2光学フィルムRT1,RT2を有し、図4に示すように互いに直交するx軸,y軸,およびz軸のうちのz軸に厚さ方向を一致させた状態にある。光学フィルムRT1,RT2の各々は図5に示すようにx軸方向、y軸方向、およびz軸方向の平均屈折率nx,ny,nzがnx=ny>nzの関係にある円盤状の高分子からなる一群の屈折率楕円体を含む。
図6はx軸およびz軸を含むxz平面に平行な光学位相差板RTのy方位プロファイルを示し、図7はy軸およびz軸を含むyz平面に平行な光学位相差板のx方位プロファイルを示し、図8はx軸およびy軸を含むxy平面に平行な光学位相差板のz方位プロファイルを示す。
第1光学フィルムRT1内の屈折率楕円体DKは厚さ方向に直角なxy平面に対して徐々に傾斜して厚さ方向にハイブリッド配列された状態にあり、第2光学フィルムRT2内の屈折率楕円体DKは第1光学フィルムRT1内の屈折率楕円体DKの傾斜方位に対してそれぞれ反平行となるように徐々に傾斜して厚さ方向にハイブリッド配列された状態にある。ここでは、富士写真フィルム(株)製の広視野フィルム(WVF)が第1および第2光学フィルムRT1,RT2として用いられている。これら広視野フィルムはディスコティック液晶をハイブリッド配列でポリマー化したもので、ディスコティック液晶分子DKの傾斜方位を互いに反平行にするようにして2枚の広視野フィルムを重ね合わせることにより光学位相差板RTを構成することができる。
各広視野フィルムは、x軸方向およびy軸方向の平均屈折率nx,nyがフィルム内の全ディスコティック液晶分子DKの平均傾き角に対応してnx>nyの関係となる屈折率異方性を有する。さらに平均傾き角をxy平面に対して45°以下とすればnx>ny>nzの関係が実現される。このような広視野フィルムを上述のように2枚重ねて光学位相差板RTを構成した場合、ディスコティック液晶分子DKの傾き角がxy平面に対して正の値を取るものと負の値を取るものが対となって存在する。この状態は、光学位相差板RT全体の屈折率楕円体がxy平面に対して傾斜してない状態と等価になる。従って、この光学位相差板RTは2軸延伸して屈折率楕円体の屈折率異方性をnx>ny>nzとした例えば(株)ジェイエスアール製の2軸アートンフィルムと同等の機能を有する。本実施形態の場合、光学フィルムRT1,RT2が全体としてx軸方向に遅相軸を有する光学位相差板RTを構成する。
第1および第2偏光板PLが直交偏光板である場合、図9に示すように第1および第2光学位相差板RTを直交配置すると、4枚の広視野フィルム(WVF)を合計した平均屈折率の異方性がnx=ny>nzとなり、一対の第1および第2光学位相差板RTが負の一軸性フィルムとして機能する。液晶パネルDPは、液晶層LQの液晶分子20が黒表示用に略垂直に配列された状態で正の一軸性フィルムとみなせる。従って、負の一軸性フィルムおよび正の一軸性フィルムはそれぞれの屈折率異方性を補償しあい、黒表示状態で液晶層LQに生じる位相差の視角依存性を解消する。さらに図9に示すように、第1および第2光学位相差板RTがこれら光学位相差板RTの上面および下面にそれぞれ配置される第1および第2偏光板PLの吸収軸30と直交する遅相軸31を持つことによりこれら偏光板PLの視角依存性も補償することができる。
図9に示す第1および第2偏光板PLは直交偏光板であるが、これらは平行偏光板に置き換えてもよい。第1および第2光学位相差板RTがこのような平行偏光板間に配置される場合にも、上述したような効果を得ることができる。また、液晶分子20が電圧印加時および電圧無印加時のいずれかで略垂直に配列された状態になれば、この液晶層LQに生じる位相差の視角依存性を解消することができる。
ディスコティック液晶分子DKは2枚の広視野フィルムの一方において液晶層LQの平面に対して正の傾き角となり、他方において液晶層LQの平面に対して負の傾き角となる。このような2枚の広視野フィルムが重ねて光学位相差板RTを構成した場合、光学位相差板RTにおいて正の傾き角のディスコティック液晶分子DKと負の傾き角のディスコティック液晶分子DKとが対となって存在し、傾き角の値は光学位相差板RTの厚さ方向に略連続的に変化した状態となる。一般にTNモード、VAモード(MVAモードを含む)、ホモジニアスモード、ハイブリツドアラインモード、オプテイカルコンペンセイテツドベンドモード、スーパートゥイステッドネマティックモードは法線方向において液晶層LQに電界を印加することによりこの液晶層LQの位相差や旋光性を制御する液晶表示モードである。このような液晶表示モードを採用した場合、中間階調および直交偏光板構成時の白表示、平行偏光板構成時の黒表示、逆極性円偏光板間に液晶パネルを配置した構成時の白表示、同極性円偏光板間に液晶パネルを配置した構成時の黒表示時の液晶分子配列において、液晶層LQの平面に対して正の傾き角のネマティック液晶分子20と負の傾き角のネマティック液晶分子20とが対となって存在し、傾き角の値は液晶層LQの厚さ方向に略連続的に変化した状態となる。従って、液晶層LQのネマティック液晶分子20の傾き角および位相差量がディスコティック液晶分子DKの傾き角および位相差量によってそれぞれ相殺されるように光学位相差板RTを構成すれば、液晶表示装置全体としては中間階調および直交偏光板構成時の白表示、平行偏光板構成時の黒表示、逆極性円偏光板間に液晶パネルを配置した構成時の白表示、同極性円偏光板間に液晶パネルを配置した構成時の黒表示時の視角依存性も補償される。
光学位相差板RTの位相差の値は、光学位相差板RTの厚さをtとしたときに、(nx−ny)t=50nm、(nx−nz)t=120nmとしてある。これは、液晶層LQの厚さdと液晶材料の屈折率異方性△nを乗じた値△ndを290nmとした場合の設計値である。
MVAモードは液晶層LQの位相差を電界制御するECBモード(Electrically Controlled Birefringence mode)であり、クロスニコル下における液晶層LQの透過率T(LC)は次式で表わされる。
T(LC)=I・sin(2θ)・sin((△n(λ,V)・d/λ)・π)…(式1)
ここで、Iは偏光板PLの平行透過率、θは液晶層LQの遅相軸と偏光板PLの透過軸とのなす角度、Vは印加電圧、dは液晶層LQの厚さ、λは入射光波長である。式1において、屈折率異方性△n(λ,V)はその領域における実効的な印加電圧およびネマティック液晶分子20の各々の傾き角に依存する。T(LC)を0からIに変化させるには△n(λ,V)d/λを0からλ/2のレンジで変化させる必要がある。MVAモードの場合、配向膜界面のネマティック液晶分子20は電圧を印加しても殆ど傾斜しない。前述した△n(λ,V)d/λのレンジを0からλ/2とするには、液晶層の厚さdと液晶材料の屈折率異方性△nを乗じた値△ndを視角度の高い550nmの波長の半分より十分大きい値、具体的には270nm以上とする必要がある。但し、これを大きくしすぎると電気光学特性が急峻になりすぎるため上限は350nm程度である。この範囲の△ndからなる液晶層LQの液晶分子20が略垂直に配列された状態にある場合、−350nmから−270nmの負の位相差が液晶層LQの正の位相差を補償するために必要となる。偏光板PLのベースフィルムであるTACは略一軸の負の位相差を有し、具体的には−70nmの負の位相差を有する。2枚の偏光板PL間には偏光層の内側に2枚のベースフィルムが配置されるので2枚の偏光板PL間には−140nmの負の位相差層が存在することとなる。従って、上述した△ndからなる液晶層LQの液晶分子20が略垂直に配列された状態にある場合、液晶層LQの正の位相差を補償するには、2枚の偏光板PL間に別途、−280nmから−200nmの負の光学位相差板RTを設ける必要がある。
これを第1および第2光学位相差板RTで実現するには、第1および第2光学位相差板RTを直交配置し、各々の光学位相差板RTの(nx−nz)tを100nm≦(nx−nz)t≦140nmとすればよい。同時に第1および第2偏光板PLの視角依存性を補償するには(nx−nz)t-(nx-ny)t=70nmとすればよく、従って(nx−ny)tは30nm≦(nx−ny)t≦70nmとすればよい。
図10は画素電極PEの平面構造を示し、図11は画素電極PEからの電圧無印加時に液晶層LQに得られる液晶分子配列を示し、図12は画素電極PEからの電圧印加時に液晶層LQに得られる液晶分子配列を示す。図10〜図12では、薄膜トランジスタ15、配向膜18、カラーフィルタCF等は省略されている。液晶パネルDPにおいて、複数の画素電極PEは液晶分子20が電圧の印加に伴って垂直配列状態と厚さ方向において徐々に傾斜したハイブリッド配列状態との間で遷移する複数の画素領域をそれぞれ規定する。各画素領域はハイブリッド配列状態で液晶分子20の配向方向を互いに異ならせた例えば4個のドメインに区分される。この配向分割を行うため、図10〜図12に示すように、複数のスリットSLが画素電極PEに配置され、突起PSがスリットSLに平行して対向基板CTの対向電極CE上に配置されている。突起PSは1μmの高さで(株)ジェイエスアール製の透明レジストをパターニングすることにより形成される。図10において、PS’は画素電極PEに対する突起PSの平面的な配置を表し、34は配向分割のために画素電極PEを覆う配向膜18をラビング処理する場合のラビング方向を表し、35は異なる方向にラビングされた領域が隣接するラビング境界を表す。このような構造では、画素領域内の液晶分子20が電圧無印加時に図11に示すように略垂直に配列され、電圧印加時に図12に示すように突起PSおよびスリットSLに直交する方位に傾き突起PSおよびスリットSLの両側で対称的に配列される。従って、図10に示すように突起PSおよびスリットSLの向きを直交する2方向に設定することにより4個のドメイン間で液晶分子20の配向方向を互いに90°の角度ずつ異ならせることができる。各液晶分子20の配向方向に対して偏光板PLの吸収軸のなす角度θを45°となるよう配置すれば、液晶層LQの透過率T(LC)を0からIの範囲で変化させることができる。
図13はパネル正面の方位に対して左右方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示し、図14はパネル正面の方位に対して斜め方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示し、図15はパネル正面の方位に対して上下方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す。ここでは、0Vから4.7Vの範囲の電圧が液晶層LQに印加された。横軸はパネル正面の方位を0°とした視角を示し、縦軸はパネルの輝度を透過率で示す。0Vは黒表示(最小)階調用の電圧であり、4.7Vは白表示(最大)階調用の電圧である。図13〜図15では、特性曲線の間隔が各視角においてほぼ一定の比率に維持されている。これらの視角−輝度特性は、従来のMVAモード液晶表示装置で得られ図24〜図26に示す視角−輝度特性と比較して明らかに改善されている。これに伴い、従来のMVAモード液晶表示装置で多色表示された画像が斜め視野で全体的に白茶けて見えるという問題が解消されている。図16は本実施形態に係る液晶表示装置の視角−コントラスト特性の実測値である。ここでは、液晶表示装置が白表示(最大)階調用の電圧である4.7Vで駆動されている。この視角−コントラスト特性では、コントラスト(CR)が全方位において10以上である。すなわち、図30に示す従来のMVAモード液晶表示装置とほぼ同等に優れた視角特性を実現できることがわかる。
次に本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置について説明する。この液晶表示装置は配向分割数を2とする以外、第1実施形態と同様の構造、製法、および材料で構成される。
図17は画素電極PEの平面構造を示し、図18は画素電極PEからの電圧無印加時に液晶層LQに得られる液晶分子配列を示し、図19は画素電極PEからの電圧印加時に液晶層LQに得られる液晶分子配列を示す。図17〜図19では、薄膜トランジスタ15、配向膜18、カラーフィルタCF等は省略されている。液晶パネルDPにおいて、複数の画素電極PEは、第1実施形態と同様に液晶分子20が電圧の印加に伴って垂直配列状態と厚さ方向において徐々に傾斜したハイブリッド配列状態との間で遷移する複数の画素領域をそれぞれ規定する。各画素領域はハイブリッド配列状態で液晶分子20の配向方向を互いに異ならせた2個のドメインに区分される。この配向分割を行うため、アレイ基板ARおよび対向基板CTがマスクラビング法にて図18および図19に示すように画素領域をラビング境界35で2分するようにラビングされる。すなわち、ラビング境界35の両側でラビング方向を異ならせ、液晶層LQに電圧を印加した際に液晶分子20がラビング境界を軸として対称となる方向に液晶分子20が傾くようにしてある。従って、液晶分子20の傾く方位は互いに180°の角度をなす2方位となる。各々の液晶分子20の傾く方位と偏光板PLの吸収軸とのなす角度θを45°となるよう配置すればT(LC)を0からIの範囲で変化させることができる。
図20はパネル正面の方位に対して左右方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示し、図21はパネル正面の方位に対して斜め方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示し、図22はパネル正面の方位に対して上下方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す。ここでは、0Vから4.7Vの範囲の電圧が液晶層LQに印加された。横軸はパネル正面の方位を0°とした視角を示し、縦軸はパネルの輝度を透過率で示す。0Vは黒表示(最小)階調用の電圧であり、4.7Vは白表示(最大)階調用の電圧である。図20〜図22では、特性曲線の間隔が各視角においてほぼ一定の比率に維持されている。これらの視角−輝度特性は、配向分割数が2である従来のMVAモード液晶表示装置で得られ図27〜図29に示す視角−輝度特性と比較して階調反転を解消している上に、配向分割数が4である従来のMVAモード液晶表示装置で得られ図24〜図26に示す視角−輝度特性と比較しても明らかに改善されている。これに伴い、従来のMVAモード液晶表示装置において多色表示された画像が斜め視野で全体的に白茶けて見えるという問題が解消されている。
図23はこの液晶表示装置の視角−コントラスト特性の実測値である。ここでは、液晶表示装置が白表示(最大)階調用の電圧である4.7Vで駆動されている。この結果として、図30および図31に示す従来のMVAモード液晶表示装置や図16に示す第1実施形態に係る液晶表示装置とほぼ同等に優れた視角特性を実現できることがわかる。
本実施形態の液晶表示装置では、配向分割数が2とされている。従って、第1実施形態と比較すると、前述した配向分割数に起因した実質的開口率の低下を解消でき、絶対輝度上も第1実施形態以上にすることができる。従来の技術では、配向分割数を2にすると、斜め視野で階調反転が生じたりするため、優れた視野角特性が求められる用途には適していなかったが、本実施形態の液晶表示装置はこのような用途にも適用できる。
本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の外観を示す図である。 図1に示す液晶表示装置の回路構造を概略的に示す図である。 図1に示す液晶表示装置の断面構造を示す図である。 図2に示す光学位相差板の構造を説明するための図である。 図4に示す光学フィルムにおいて屈折率楕円体を構成する円盤状の高分子を示す図である。 図4に示すx軸およびz軸を含むxz平面に平行な光学位相差板RTのy方位プロファイルを示す図である。 図4に示すy軸およびz軸を含むyz平面に平行な光学位相差板のx方位プロファイルを示す図である。 図4に示すx軸およびy軸を含むxy平面に平行な光学位相差板のz方位プロファイルを示す図である。 図3に示す液晶パネルに対する偏光板の吸収軸および光学位相差板の遅相軸との関係を示す図である。 図3に示す画素電極の平面構造を示す図である。 図10に示す画素電極からの電圧無印加時に液晶層に得られる液晶分子配列を示す図である。 図10に示す画素電極からの電圧印加時に液晶層に得られる液晶分子配列を示す図である。 図1に示すパネル正面の方位に対して左右方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図1に示すパネル正面の方位に対して斜め方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図1に示すパネル正面の方位に対して上下方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図1に示す液晶表示装置の視角−コントラスト特性の実測値を示す図である。 本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の平面構造を示す図である。 図17に示す画素電極からの電圧無印加時に液晶層に得られる液晶分子配列を示す図である。 図17に示す画素電極からの電圧印加時に液晶層に得られる液晶分子配列を示す図である。 図17に示す画素電極を用いた場合にパネル正面の方位に対して左右方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図17に示す画素電極を用いた場合にパネル正面の方位に対して斜め方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図17に示す画素電極を用いた場合にパネル正面の方位に対して上下方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図17に示す画素電極を用いた場合に得られる液晶表示装置の視角−コントラスト特性の実測値を示す図である。 配向分割数が4である従来のMVAモード液晶表示装置のパネル正面の方位に対して左右方位において得られる視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図24の場合と同一のMVAモード液晶表示装置のパネル正面の方位に対して斜め方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図24の場合と同一のMVAモード液晶表示装置のパネル正面の方位に対して上下方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す図である。 配向分割数が2である従来のMVAモード液晶表示装置のパネル正面の方位に対して左右方位において得られる視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図27の場合と同一のMVAモード液晶表示装置のパネル正面の方位に対して斜め方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図27の場合と同一のMVAモード液晶表示装置のパネル正面の方位に対して上下方位において得られる液晶表示装置の視角−輝度特性の実測値を示す図である。 図24の場合と同一のMVAモード液晶表示装置の視角−コントラスト特性の実測値を示す図である。 図27の場合と同一のMVAモード液晶表示装置の視角−コントラスト特性の実測値を示す図である。
符号の説明
TMD…液晶表示装置、AR…アレイ基板、CT…対向基板、LQ…液晶層、DP…液晶パネル、PL…第1および第2偏光板、RT…第1および第2光学位相差板、RT1,RT2…第1および第2光学フィルム、PE…画素電極、CE…対向電極、SL…スリット、PS…突起、DK…ディスコティック液晶分子、20…ネマチィック液晶分子、30…偏光板吸収軸、31…位相差板面内遅相軸、34…ラビング方向、35…ラビング境界。

Claims (9)

  1. 円盤状の高分子からなる一群の屈折率楕円体をそれぞれ含む少なくとも一対の第1および第2光学フィルムを備え、前記第1光学フィルム内の屈折率楕円体は厚さ方向に直角な平面に対して徐々に傾斜して厚さ方向にハイブリッド配列された状態にあり、前記第2光学フィルム内の屈折率楕円体は前記第1光学フィルム内の屈折率楕円体の傾斜方位に対してそれぞれ反平行となるように徐々に傾斜して厚さ方向にハイブリッド配列された状態にあることを特徴とする光学位相差板。
  2. 液晶層が一対の電極基板間に挟持される構造の液晶パネルと、前記液晶パネルを挟持する一対の偏光板と、前記液晶パネルと前記一対の偏光板間に配置される一対の光学位相差板とを備え、各光学位相差板は互いに直交するx軸方向およびy軸方向、z軸方向の平均屈折率nx,ny,nzがz軸方向を法線方向に一致させた状態でnx>ny>nzの関係にある屈折率異方性を有し、各光学位相差板のx軸方向とこの光学位相差板に隣接する偏光板の透過軸とは略平行であることを特徴とする液晶表示装置。
  3. 前記一対の偏光板の透過軸は互いに直交していることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記液晶パネルは、液晶分子が電圧の印加に伴って垂直配列状態と厚さ方向において徐々に傾斜したハイブリッド配列状態との間で遷移する複数の画素領域を含むことを特徴とした請求項2に記載の液晶表示装置。
  5. 各画素領域は前記ハイブリッド配列状態で液晶分子の配向方向を互いに異ならせた複数のドメインに区分されることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。
  6. 前記複数のドメインは2つのドメインであることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
  7. 前記液晶層は液晶分子が電圧無印加時に垂直配列状態に設定される負の誘電率異方性を有する液晶材料を含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
  8. 各光学位相差板の厚さtは30nm ≦ (nx-ny)t ≦ 70nmおよび100nm ≦ (nx-nz)t ≦ 140nmの関係を満足することを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。
  9. 前記一対の電極基板は各画素領域に電圧を印加する電極を駆動する能動素子を備えることを特徴とした請求項2に記載の液晶表示装置。
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