JP2004310059A - Circuit element, signal processing circuit, controller, display device, method of driving display device, circuit element, and the controller - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、簡単な構成で様々な用途の回路に利用することができる回路素子と、該回路素子を含んだ信号処理回路と、前記回路素子を含んだ制御装置と、前記回路素子を画素として適用した表示装置と、該表示装置の駆動方法と、前記回路素子の駆動方法と、制御装置の駆動方法に関する。 The present invention provides a circuit element that can be used for circuits for various applications with a simple configuration, a signal processing circuit including the circuit element, a control device including the circuit element, and a pixel including the circuit element. The present invention relates to an applied display device, a method for driving the display device, a method for driving the circuit element, and a method for driving a control device.
一般に、多数の回路素子をマトリックス状に配列し、これら回路素子のうち、任意の回路素子を選択的に駆動する場合、図43に示すパッシブマトリックス駆動方式や、図44に示す非線形抵抗素子1000を用いたアクティブマトリックス駆動方式等が考えられる。
In general, when a large number of circuit elements are arranged in a matrix and any one of these circuit elements is selectively driven, a passive matrix driving method shown in FIG. 43 or a
これらの駆動方式においては、容量性負荷1002を有する回路素子1004がマトリックス状に配列された構成を有する。そして、図43の例では、容量性負荷1002の一方の端子が選択線1006に接続され、他方の端子が信号線1008に接続されている。図44の例では、容量性負荷1002の一方の端子が非線形抵抗素子1000を介して選択線1006に接続され、他方の端子が信号線1008に接続されている。
These driving methods have a configuration in which
パッシブマトリックス駆動方式を表示装置に適用した従来のシステムは、例えば特許文献1に記載があり、アクティブマトリックス駆動方式を表示装置に適用した従来のシステムは、例えば特許文献2に記載がある。
A conventional system in which a passive matrix driving method is applied to a display device is described in, for example,
ところで、図43に示す方式は、非選択行の回路素子1004が、選択行の回路素子1004に供給される信号の影響を受ける。これは、消費電力が増大につながる。また、表示装置として適用した場合に、非選択行の画素が、選択行の画素への信号によって影響を受けることから、各画素でのメモリ効果(容量性負荷1002での電荷の蓄積)はなく、高輝度化、高コントラスト化に不利になる。
By the way, in the method shown in FIG. 43, the
図44に示す方式は、非線形抵抗素子1000が、図45に示す電流−電圧特性を有することから、容量性負荷1002の電圧保持(電荷蓄積)のために、しきい値電圧Vthが保持電圧より大きな値を有する非線形抵抗素子1000を用意する必要がある。そのため、高い駆動電圧が必要になり、消費電力も増大するという問題がある。
In the method shown in FIG. 44, since the
また、安定したしきい値電圧Vth、急峻な非線形特性、遮断時の静電容量が小さいこと等、非線形抵抗素子1000に対する要求特性が厳しく、製作が困難になる。
In addition, the required characteristics of the
また、非選択行の回路素子1004においては、非線形抵抗素子1000の静電容量と容量性負荷1002の静電容量との間で分圧され、容量性負荷1002の電圧が低下する。従って、非選択時の電圧低下を考慮して、より大きな充電電圧が必要となる上、分圧による容量性負荷1002への電圧レベルが回路素子1004ごとにばらつくことから、各容量性負荷1002に安定した充電電圧を印加することができないという問題もある。
In the
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、非選択状態にある回路素子が、選択状態にある回路素子に供給される信号によって影響を受けることがなく、低消費電力を図ることができ、しかも、低電圧駆動が可能な回路素子、信号処理回路及び制御装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and a circuit element in a non-selected state is not affected by a signal supplied to a circuit element in a selected state, and low power consumption is achieved. It is another object of the present invention to provide a circuit element, a signal processing circuit, and a control device which can be driven at a low voltage.
また、本発明の他の目的は、非選択状態の画素が、選択状態の画素への信号によって影響を受けることなく、各画素でのメモリ効果を実現でき、高輝度化、高コントラスト化を図ることができる表示装置及び表示装置の駆動方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to realize a memory effect in each pixel without affecting a pixel in a non-selected state by a signal to the pixel in a selected state, thereby achieving high luminance and high contrast. And a method of driving the display device.
また、本発明の他の目的は、非選択状態にある回路素子が、選択状態にある回路素子に供給される信号によって影響を受けることがなく、低消費電力を図ることができ、しかも、低電圧駆動が可能な回路素子の駆動方法及び制御装置の駆動方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to reduce the power consumption of a circuit element in a non-selected state without being affected by a signal supplied to the circuit element in a selected state. It is an object of the present invention to provide a method for driving a circuit element capable of voltage driving and a method for driving a control device.
本発明に係る回路素子は、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、前記第1及び第2の整流素子の接続点と前記第3の配線との間に接続された負荷とを有することを特徴とする。 The circuit element according to the present invention includes a first wiring, a second wiring, a third wiring, and a first wiring connected in series in a forward direction between the first wiring and the second wiring. It has a first and a second rectifying element, and a load connected between a connection point of the first and the second rectifying element and the third wiring.
この発明において、複数の回路素子をマトリックス状に配列したシステムに適用し、例えば第1の配線からの信号によって任意の回路素子の選択/非選択を行わせる場合を想定したとき、非選択状態の回路素子について、2つの整流素子がそれぞれ逆バイアスとなって、電流を遮断するように機能させることが可能となる。そのため、非選択状態にある回路素子は、選択状態にある回路素子に供給される信号によって影響を受けることがない。その結果、低消費電力を図ることができ、低電圧駆動が可能となる。 The present invention is applied to a system in which a plurality of circuit elements are arranged in a matrix. For example, when it is assumed that an arbitrary circuit element is selected / unselected by a signal from a first wiring, a non-selected state is assumed. With respect to the circuit element, the two rectifying elements are reverse biased, and can function to cut off the current. Therefore, a circuit element in a non-selected state is not affected by a signal supplied to a circuit element in a selected state. As a result, low power consumption can be achieved and low-voltage driving can be performed.
しかも、整流素子は、1方向のみに電流を流すというごく単純で一般的な機能を有していればよいため、安定した特性を得やすい。整流素子は、順方向のしきい値電圧が小さく、逆方向の等価静電容量が小さいため、非選択時に負荷に印加される電圧を精度の高い電圧(ほぼ設計通りの電圧)にすることができる。整流素子を挿入しても、駆動電圧を増加させる必要はほとんどない。 Moreover, since the rectifying element only needs to have a very simple and general function of flowing a current in only one direction, stable characteristics can be easily obtained. Since the rectifier element has a small forward threshold voltage and a small equivalent capacitance in the reverse direction, the voltage applied to the load when it is not selected can be a highly accurate voltage (almost as designed). it can. Even if a rectifying element is inserted, there is almost no need to increase the drive voltage.
また、従来のパッシブマトリックス駆動方式や非線形抵抗素子によるアクティブマトリックス駆動方式と比較して低電圧駆動が可能である。また、従来のTFT(Thin Film Transistor)を用いたアクティブマトリックス駆動方式と比較して、回路構成が単純であり、低コスト化に有利になる。しかも、従来のTFTでは困難な、より高耐圧を必要とする場合にも適用できる。 Further, lower voltage driving is possible as compared with a conventional passive matrix driving method or an active matrix driving method using a non-linear resistance element. Further, as compared with a conventional active matrix driving method using a TFT (Thin Film Transistor), the circuit configuration is simple, which is advantageous for cost reduction. Moreover, the present invention can be applied to a case where a higher withstand voltage is required, which is difficult with a conventional TFT.
そして、前記第1の配線の電位をV1、前記第2の配線の電位をV2としたとき、動作期間の全期間にわたって、V1≧V2であることが好ましい。 When the potential of the first wiring is V1 and the potential of the second wiring is V2, it is preferable that V1 ≧ V2 throughout the entire operation period.
また、前記動作期間に、前記第3の配線から前記負荷に電流が流れる第1の期間が設定されている場合、前記接続点の電位をV3としたとき、前記第1の期間において、V1<V3であることが好ましい。 Further, when a first period in which a current flows from the third wiring to the load is set in the operation period, when the potential of the connection point is V3, V1 < V3 is preferred.
前記動作期間に、前記第2の配線から前記負荷に電流が流れる第2の期間が設定されている場合、該第2の期間において、V2>V3であることが好ましい。 When a second period in which a current flows from the second wiring to the load is set in the operation period, it is preferable that V2> V3 in the second period.
前記動作期間に、前記負荷への導通を禁止する第3の期間が設定されている場合、該第3の期間において、V2≦V3≦V1であることが好ましい。 When a third period in which conduction to the load is prohibited is set in the operation period, it is preferable that V2 ≦ V3 ≦ V1 in the third period.
前記整流素子は、ダイオードであってもよい。この場合、ダイオードは薄膜ダイオードであってもよい。薄膜ダイオードはMIM(Metal Insulator Metal)素子であってもよい。また、TFTやバイポーラトランジスタ、あるいはMOSトランジスタ等の3端子素子を用いて整流素子を形成するようにしてもよい。 The rectifying element may be a diode. In this case, the diode may be a thin-film diode. The thin film diode may be a MIM (Metal Insulator Metal) element. Further, a rectifying element may be formed using a three-terminal element such as a TFT, a bipolar transistor, or a MOS transistor.
特に、整流素子をMIM素子にて構成した場合は、多数の回路素子を配列、集積する場合や、薄型の回路素子や装置を構成する場合等において特に効果的である。セラミック基板やシリコンウェーハ等の上に多数の回路素子を形成してもよいし、それらの基板上に整流素子を形成したものと、負荷とを接続することで形成しても好ましい。 In particular, when the rectifying element is configured by the MIM element, it is particularly effective when a large number of circuit elements are arranged and integrated, or when a thin circuit element or device is configured. A large number of circuit elements may be formed on a ceramic substrate, a silicon wafer, or the like, or may be formed by connecting a rectifying element formed on those substrates and a load.
また、第1及び第2の整流素子の間には、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、何らかの素子が存在していてもよい。例えば異常電圧によって貫通電流が生じた場合の保護の目的や、突入電流防止あるいはノイズ低減の目的等で、抵抗素子やインダクタ等が挿入接続されていてもよい。これは、第1の配線と第1の整流素子、第2の配線と第2の整流素子、第3の配線と負荷、負荷と第1の整流素子あるいは負荷と第2の整流素子との間に存在していてもよい。 Some element may exist between the first and second rectifying elements without departing from the spirit of the present invention. For example, a resistance element, an inductor, or the like may be inserted and connected for the purpose of protection when a through current occurs due to an abnormal voltage, the purpose of preventing inrush current, or reducing noise. This is between the first wiring and the first rectifier, the second wiring and the second rectifier, the third wiring and the load, the load and the first rectifier, or the load and the second rectifier. May be present.
また、第2の配線の電位が、第1の配線の電位より高くなった場合に、貫通電流が流れて回路素子が破壊されるおそれがあるが、これを防止するために、回路素子とは別に、第1の配線と第2の配線との間にバイパスコンデンサやツェナーダイオード、バリスタ等の素子を挿入して、回路素子を保護するようにすることも好ましい。 Further, when the potential of the second wiring is higher than the potential of the first wiring, a through current may flow and the circuit element may be destroyed. Separately, it is also preferable that elements such as a bypass capacitor, a zener diode, and a varistor are inserted between the first wiring and the second wiring to protect the circuit elements.
次に、本発明に係る信号処理回路は、回路素子と制御回路とを有する信号処理回路であって、(1)前記回路素子は、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、前記第1及び第2の整流素子の接続点と前記第3の配線との間に接続された負荷とを有し、(2)前記制御回路は、少なくとも前記第1の配線の電位と前記第2の配線の電位を制御することを特徴とする。 Next, a signal processing circuit according to the present invention is a signal processing circuit having a circuit element and a control circuit, wherein (1) the circuit element includes a first wiring, a second wiring, and a third wiring. A wiring, first and second rectifying elements serially connected in a forward direction between the first wiring and the second wiring, and a connection point between the first and second rectifying elements. A load connected between the third wiring and the third wiring; and (2) the control circuit controls at least a potential of the first wiring and a potential of the second wiring.
これにより、本発明に係る信号処理回路を用いれば、低消費電力を図ることができ、低電圧駆動が可能なシステムを構築することができる。この場合、多数の回路素子を用意し、これら回路素子を任意に配列させて、各回路素子の電圧、電流を制御することができる。 Thus, by using the signal processing circuit according to the present invention, low power consumption can be achieved and a system capable of low voltage driving can be constructed. In this case, it is possible to prepare a large number of circuit elements, arrange these circuit elements arbitrarily, and control the voltage and current of each circuit element.
また、本発明に係る信号処理回路は、マトリックス状に配列された多数の回路素子の駆動にも適用することができる。特に電流を双方向に流すことが求められる用途に対して好適である。負荷として容量性負荷を用いた回路素子の駆動についても好適である。すなわち、容量性負荷の場合には、電流を双方向に流せる特徴と、非選択時に電荷を保持する特徴の両方の効果が高いためである。 Further, the signal processing circuit according to the present invention can be applied to driving a large number of circuit elements arranged in a matrix. In particular, it is suitable for applications that require a current to flow in both directions. It is also suitable for driving a circuit element using a capacitive load as a load. That is, in the case of a capacitive load, the effect of both the feature of allowing a current to flow in both directions and the feature of retaining charges when not selected is high.
また、本発明に係る信号処理回路は、伝送システム、例えば、多数のバスから任意のバスを選択し、該選択されたバスに信号を供給する伝送システムに適用する場合にも好適である。この場合、スイッチング回路を用いることなく、しかも、バス間でのクロストークを発生させることなく、スムーズに切り替えを行うことができる伝送システムを得ることができる。 The signal processing circuit according to the present invention is also suitable for a transmission system, for example, when applied to a transmission system that selects an arbitrary bus from a large number of buses and supplies a signal to the selected bus. In this case, it is possible to obtain a transmission system that can smoothly perform switching without using a switching circuit and without generating crosstalk between buses.
次に、本発明に係る制御装置は、複数の回路素子と制御回路とを有する制御装置であって、(1)前記回路素子は、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、前記第1及び第2の整流素子の接続点と前記第3の配線との間に接続された負荷とを有し、(2)前記制御回路は、前記第1の配線、前記第2の配線及び前記第3の配線の電位を制御することを特徴とする。 Next, a control device according to the present invention is a control device having a plurality of circuit elements and a control circuit, wherein (1) the circuit element includes a first wiring, a second wiring, and a third wiring. A wiring, first and second rectifying elements serially connected in a forward direction between the first wiring and the second wiring, and a connection point between the first and second rectifying elements. And (2) the control circuit controls potentials of the first wiring, the second wiring, and the third wiring. And
これにより、本発明に係る制御装置を用いれば、低消費電力を図ることができ、低電圧駆動が可能なシステムを構築することができる。この場合、多数の回路素子を用意し、これら回路素子を任意に配列させて、各回路素子の電圧、電流を制御することができる。 Thus, by using the control device according to the present invention, low power consumption can be achieved, and a system capable of low voltage driving can be constructed. In this case, it is possible to prepare a large number of circuit elements, arrange these circuit elements arbitrarily, and control the voltage and current of each circuit element.
また、本発明に係る制御装置は、後述する表示装置のほか、光スイッチ、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)、メモリ、プリンタ、位置制御素子、空間光変調素子等にも利用できる。 Further, the control device according to the present invention can be used for an optical switch, a MEMS (micro electro mechanical system), a memory, a printer, a position control element, a spatial light modulation element, and the like, in addition to a display device described later.
そして、前記第1の配線の電位をV1、前記第2の配線の電位をV2としたとき、動作期間の全期間にわたってV1≧V2であることが好ましい。 When the potential of the first wiring is V1 and the potential of the second wiring is V2, it is preferable that V1 ≧ V2 throughout the entire operation period.
また、前記動作期間中に、各々の前記回路素子に対して選択期間と非選択期間を設定し、前記接続点の電位をV3としたとき、前記非選択期間には、V2≦V3≦V1を満足することが好ましい。前記選択期間には、V1<V3又はV2>V3を満足しうることが好ましい。 In the operation period, a selection period and a non-selection period are set for each of the circuit elements, and when the potential of the connection point is set to V3, V2 ≦ V3 ≦ V1 is set in the non-selection period. It is preferable to satisfy. It is preferable that V1 <V3 or V2> V3 be satisfied during the selection period.
ここで、「満足しうる」の意味について説明する。まず、選択期間は、実際に回路素子を選択状態にする期間を含む。この選択状態にする期間と選択期間の各時間的長さの関係は、選択期間≧選択状態にする期間である。この場合、選択期間の開始時点と選択状態にする期間の開始時点が異なる場合や、前記選択状態にする期間がゼロ、すなわち、全くない場合もある。そして、この発明の特徴であるV1<V3又はV2>V3の関係は、前記選択状態にする期間における電位関係を示す。つまり、選択期間と選択状態にする期間との時間的長さが同じであれば、選択期間においてV1<V3又はV2>V3を満足すると定義できるが、選択状態にする期間が選択期間よりも時間的長さが短い、あるいはゼロであれば、選択期間においてV1<V3又はV2>V3を満足すると必ずしも定義できるわけではない。そこで、この発明では、「前記選択期間には、V1<V3又はV2>V3を満足しうる」と定義したわけである。 Here, the meaning of “satisfiable” will be described. First, the selection period includes a period in which a circuit element is actually in a selected state. The relationship between the period in which the selection state is set and each time length of the selection period is the selection period ≧ the period in which the selection state is set. In this case, the start time of the selection period may be different from the start time of the period to be in the selected state, or the period to be in the selected state may be zero, that is, may not exist at all. The relationship of V1 <V3 or V2> V3, which is a feature of the present invention, indicates the potential relationship during the period of the selection state. That is, if the time length of the selection period and the period of the selection state are the same, it can be defined that V1 <V3 or V2> V3 is satisfied in the selection period, but the period of the selection state is longer than the selection period. If the target length is short or zero, it cannot always be defined that V1 <V3 or V2> V3 is satisfied in the selection period. Therefore, in the present invention, it is defined that "V1 <V3 or V2> V3 can be satisfied during the selection period".
また、前記動作期間中に、各々の前記回路素子に対してリセット期間を設定した場合、前記リセット期間には、V1<V3又はV2>V3を満足しうることが好ましい。ここでの「満足しうる」についても、上述した事項と同趣旨である。 When a reset period is set for each of the circuit elements during the operation period, it is preferable that V1 <V3 or V2> V3 be satisfied during the reset period. Here, “satisfiable” has the same meaning as described above.
そして、前記負荷は、該負荷に印加された電圧に基づいて制御対象を変位させる変位制御素子であってもよい。この場合、前記変位制御素子は、圧電素子を有するようにしてもよいし、あるいは、少なくとも一対の対向する電極を有し、前記少なくとも一対の電極間に電圧を印加したときに働く静電気力を利用するようにしてもよい。前記変位制御素子は、インダクタを有し、該インダクタに印加された電圧に基づく磁力によって前記制御対象の変位を制御するようにしてもよい。前記インダクタは、磁束密度−磁界特性曲線がヒステリシスを持ち、飽和磁束密度と残留磁束密度がほぼ同じである特性を有するようにしてもよい。 The load may be a displacement control element that displaces a control target based on a voltage applied to the load. In this case, the displacement control element may have a piezoelectric element, or may have at least a pair of opposing electrodes, and use an electrostatic force that acts when a voltage is applied between the at least one pair of electrodes. You may make it. The displacement control element may include an inductor, and control the displacement of the controlled object by a magnetic force based on a voltage applied to the inductor. The inductor may have a characteristic in which a magnetic flux density-magnetic field characteristic curve has hysteresis, and a saturation magnetic flux density and a residual magnetic flux density are substantially the same.
次に、本発明に係る表示装置は、多数の画素を有する表示部と、各画素に対してそれぞれ選択/非選択を指示する多数の選択線と、選択状態にある各画素に対してそれぞれ画素信号を供給する多数の信号線と、選択状態にある各画素に対してそれぞれリセット信号を供給する多数のリセット線とを有し、前記各画素は、前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、いずれか2つの線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、前記第1及び第2の整流素子の接続点と残りの線との間に接続された負荷とを有することを特徴とする。ここで、リセット信号とは、負荷において放電を行わせたり、充電を行わせたりするための信号等を含み、負荷をある基準状態にさせるための信号を含むものとする。 Next, the display device according to the present invention includes a display unit having a large number of pixels, a large number of selection lines for instructing selection / non-selection for each pixel, and a pixel for each pixel in a selected state. A plurality of signal lines for supplying signals, and a number of reset lines for supplying a reset signal to each pixel in a selected state, wherein each pixel includes the selection line, the signal line, and the reset line. Of the first and second rectifiers connected in series in the forward direction between any two lines, and between the connection point of the first and second rectifiers and the remaining lines. And a connected load. Here, the reset signal includes a signal for causing the load to perform discharging or charging, and the like, and includes a signal for setting the load to a certain reference state.
これにより、非選択行の画素について、2つの整流素子がそれぞれ逆バイアスとなって、電流を遮断するように機能させることが可能となる。そのため、非選択行の画素は、選択行の画素に供給される画素信号によって影響を受けることがない。その結果、低消費電力を図ることができ、低電圧駆動が可能となる。しかも、各画素にメモリ効果を持たせた駆動を行うことができ、高輝度、高コントラストな表示装置を実現できる。 This makes it possible for the two rectifying elements to be reverse-biased for the pixels in the non-selected rows, and to function to cut off the current. Therefore, the pixels in the non-selected row are not affected by the pixel signals supplied to the pixels in the selected row. As a result, low power consumption can be achieved and low-voltage driving can be performed. In addition, it is possible to drive each pixel with a memory effect, and to realize a display device with high luminance and high contrast.
もちろん、上述したように、従来のパッシブマトリックス駆動方式や非線形抵抗素子によるアクティブマトリックス駆動方式と比較して低電圧駆動が可能である。また、従来のTFTを用いたアクティブマトリックス駆動方式と比較して、回路構成が単純であり、低コスト化に有利になる上、従来のTFTでは困難な、より高耐圧を必要とする場合にも適用できる。 Of course, as described above, lower voltage driving is possible as compared with the conventional passive matrix driving method and the active matrix driving method using a non-linear resistance element. In addition, compared to the active matrix driving method using a conventional TFT, the circuit configuration is simple, which is advantageous for cost reduction. Applicable.
そして、前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、前記第1の整流素子のカソードが接続される線を第1の線と定義し、前記第2の整流素子のアノードが接続される線を第2の線と定義し、前記第1の線の電位をV1、前記第2の線の電位をV2としたとき、動作期間の全期間にわたって、V1≧V2であることが好ましい。 Then, of the selection line, the signal line, and the reset line, a line to which a cathode of the first rectifier is connected is defined as a first line, and an anode of the second rectifier is connected. When the line is defined as a second line and the potential of the first line is V1 and the potential of the second line is V2, it is preferable that V1 ≧ V2 over the entire operation period.
前記動作期間中に、各々の前記画素に対して選択期間と非選択期間を設定し、前記接続点の電位をV3としたとき、前記非選択期間には、V2≦V3≦V1を満足することが好ましい。 During the operation period, a selection period and a non-selection period are set for each of the pixels, and when the potential of the connection point is set to V3, V2 ≦ V3 ≦ V1 is satisfied during the non-selection period. Is preferred.
前記選択期間には、V1<V3又はV2>V3を満足しうることが好ましい。また、前記動作期間中に、各々の前記画素に対してリセット期間を設定している場合は、前記リセット期間には、V1<V3又はV2>V3を満足しうることが好ましい。 It is preferable that V1 <V3 or V2> V3 be satisfied during the selection period. When a reset period is set for each of the pixels during the operation period, it is preferable that V1 <V3 or V2> V3 can be satisfied during the reset period.
次に、本発明に係る表示装置の駆動方法は、多数の画素を有する表示部と、各画素に対してそれぞれ選択/非選択を指示する多数の選択線と、選択状態にある各画素に対してそれぞれ画素信号を供給する多数の信号線と、選択状態にある各画素に対してそれぞれリセット信号を供給する多数のリセット線とを有し、前記各画素は、前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、いずれか2つの線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、前記第1及び第2の整流素子の接続点と残りの線との間に接続された負荷とを有する表示装置の駆動方法であって、前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、前記第1の整流素子のカソードが接続される線を第1の線と定義し、前記第2の整流素子のアノードが接続される線を第2の線と定義し、前記第1の線の電位をV1、前記第2の線の電位をV2、前記接続点の電位をV3としたとき、前記画素のうち、選択状態の画素については、V1<V3又はV2>V3となるように駆動し、非選択状態の画素については、V2≦V3≦V1となるように駆動することを特徴とする。 Next, the driving method of the display device according to the present invention includes a display unit having a large number of pixels, a large number of selection lines for instructing selection / non-selection for each pixel, and A plurality of signal lines that respectively supply pixel signals, and a number of reset lines that respectively supply a reset signal to each pixel in a selected state, wherein each of the pixels includes the selection line, the signal line, First and second rectifiers connected in series in the forward direction between any two of the reset lines, a connection point between the first and second rectifiers, and a remaining line; And a load connected between the select line, the signal line, and the reset line, a line to which a cathode of the first rectifying element is connected to a first line. The anode of the second rectifier element When a connected line is defined as a second line, and the potential of the first line is V1, the potential of the second line is V2, and the potential of the connection point is V3, a selected line is selected from among the pixels. The pixels in the state are driven so as to satisfy V1 <V3 or V2> V3, and the pixels in the non-selected state are driven so as to satisfy V2 ≦ V3 ≦ V1.
これにより、非選択状態の画素が、選択状態の画素への信号によって影響を受けることなく、各画素でのメモリ効果を実現でき、高輝度化、高コントラスト化を図ることができる。 Thus, a memory effect in each pixel can be realized without affecting a pixel in a non-selected state by a signal to the pixel in a selected state, and high luminance and high contrast can be achieved.
そして、前記画素として以下の発光特性を有する画素を用いてもよい。すなわち、この画素は、前記負荷に対して、第1電圧状態と第2電圧状態が印加されることで、前記第2電圧状態の印加期間で発光が行われる発光特性を有する。 Then, a pixel having the following emission characteristics may be used as the pixel. That is, this pixel has a light emission characteristic in which light is emitted during the application period of the second voltage state by applying the first voltage state and the second voltage state to the load.
この場合、前記画素に供給される前記画素信号のパルス幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第2電圧状態の終了時点を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させるようにしてもよい。 In this case, the end point of the second voltage state is changed by modulating the pulse width of the pixel signal supplied to the pixel in accordance with the gradation level of the pixel, so that the light emission luminance of the pixel is changed. You may make it change according to the said gradation level.
前記画素に供給される前記画素信号の振幅を該画素の階調レベルに応じて制御することによって、前記第2電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させるようにしてもよい。 By controlling the amplitude of the pixel signal supplied to the pixel according to the gray level of the pixel, the amplitude of the second voltage state is changed, so that the light emission luminance of the pixel is changed to the gray level. You may make it change according to it.
前記画素に供給される前記画素信号に含まれるトリガ信号の位相を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第2電圧状態の開始時点を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させるようにしてもよい。 By modulating the phase of the trigger signal included in the pixel signal supplied to the pixel according to the gray level of the pixel, the start time of the second voltage state is changed, and the light emission luminance of the pixel is changed. May be changed according to the gradation level.
前記画素に供給される前記画素信号のパルス幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第2電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させるようにしてもよい。 By modulating the pulse width of the pixel signal supplied to the pixel in accordance with the gradation level of the pixel, thereby changing the amplitude of the second voltage state, the light emission luminance of the pixel is reduced to the gradation level. May be changed according to the condition.
また、前記画素が、所定期間に対する前記第1電圧状態の期間のデューティ比に応じて光量が変化する特性を有する場合に、前記画素に供給される前記画素信号に含まれるトリガ信号の位相を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態のパルス幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させるようにしてもよい。 Further, when the pixel has a characteristic that a light amount changes in accordance with a duty ratio in a period of the first voltage state with respect to a predetermined period, a phase of a trigger signal included in the pixel signal supplied to the pixel is changed to a predetermined value. The light emission luminance of the pixel may be changed according to the gradation level by changing the pulse width of the first voltage state by modulating according to the gradation level of the pixel.
前記画素が、前記第1電圧状態での蓄積電圧に応じて光量が変化する特性を有する場合に、前記画素に供給される前記画素信号のパルス幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させるようにしてもよい。 When the pixel has a characteristic that a light amount changes according to an accumulation voltage in the first voltage state, a pulse width of the pixel signal supplied to the pixel is modulated according to a gradation level of the pixel. In this case, the luminance of the pixel may be changed according to the gray level by changing the amplitude of the first voltage state.
前記画素が、前記第1電圧状態での蓄積電圧に応じて光量が変化する特性を有する場合に、前記画素に供給される前記画素信号の振幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させるようにしてもよい。 Modulating the amplitude of the pixel signal supplied to the pixel according to the gradation level of the pixel, when the pixel has a characteristic in which the amount of light changes according to the accumulated voltage in the first voltage state. By changing the amplitude of the first voltage state, the light emission luminance of the pixel may be changed in accordance with the gradation level.
これらの場合に、前記負荷に対して、前記第1電圧状態と前記第2電圧状態とを連続して印加するようにすれば、より強く安定した発光が得られるので、好ましい。 In these cases, it is preferable to continuously apply the first voltage state and the second voltage state to the load, since stronger and stable light emission can be obtained.
また、前記画素として、以下の発光特性を有する画素を用いてもよい。すなわち、この画素は、前記負荷に対して、第1電圧状態と、基準電圧状態と、前記第1電圧状態とは逆極性の第2電圧状態とが印加されることで、少なくとも前記第1電圧状態の印加期間と前記第2電圧状態の印加期間で発光が行われる発光特性を有する。 Further, a pixel having the following emission characteristics may be used as the pixel. That is, this pixel is configured to apply at least the first voltage state to the load by applying a first voltage state, a reference voltage state, and a second voltage state having a polarity opposite to the first voltage state. Light emission is performed during a state application period and during the second voltage state application period.
この場合、前記画素に供給される前記画素信号に含まれるトリガ信号の位相を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態の開始時点と前記第2電圧状態の開始時点を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させるようにしてもよい。 In this case, by modulating the phase of the trigger signal included in the pixel signal supplied to the pixel according to the gray level of the pixel, the start point of the first voltage state and the start point of the second voltage state By changing the time point, the light emission luminance of the pixel may be changed according to the gradation level.
前記画素に供給される前記画素信号のパルス幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態の振幅と前記第2電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させるようにしてもよい。 The amplitude of the first voltage state and the amplitude of the second voltage state are changed by modulating a pulse width of the pixel signal supplied to the pixel in accordance with a gradation level of the pixel, whereby the pixel May be changed according to the gradation level.
前記画素に供給される前記画素信号の振幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態の振幅と前記第2電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させるようにしてもよい。 By modulating the amplitude of the pixel signal supplied to the pixel in accordance with the gray level of the pixel, the amplitude of the first voltage state and the amplitude of the second voltage state are changed, so that the The light emission luminance may be changed according to the gradation level.
次に、本発明に係る回路素子の駆動方法は、複数の回路素子と、複数の第1の配線と、複数の第2の配線と、複数の第3の配線とを有し、前記第1の配線と前記第2の配線の少なくとも一方が、各回路素子に対してそれぞれ選択/非選択を指示するための配線であって、前記各回路素子は、前記第1の配線、前記第2の配線及び前記第3の配線のうち、いずれか2つの配線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、前記第1及び第2の整流素子の接続点と残りの配線との間に接続された負荷とを有する回路素子の駆動方法であって、前記第1の配線、前記第2の配線及び前記第3の配線のうち、前記第1の整流素子のカソードが接続される線を第1の線と定義し、前記第2の整流素子のアノードが接続される線を第2の線と定義し、前記第1の線の電位をV1、前記第2の線の電位をV2、前記接続点の電位をV3としたとき、前記回路素子のうち、選択状態の回路素子については、V1<V3又はV2>V3となるように駆動し、非選択状態の回路素子については、V2≦V3≦V1となるように駆動することを特徴とする。 Next, a method for driving a circuit element according to the present invention includes a plurality of circuit elements, a plurality of first wirings, a plurality of second wirings, and a plurality of third wirings, And at least one of the second wiring and the second wiring are wirings for instructing selection / non-selection of each circuit element, and each of the circuit elements includes the first wiring and the second wiring. A first and a second rectifying element serially connected in a forward direction between any two of the wiring and the third wiring, and a connection point between the first and the second rectifying elements. A method for driving a circuit element having a load connected between the remaining wirings and the first wiring, the first wiring, the second wiring, and the third wiring. The line to which the cathode is connected is defined as a first line, and the line to which the anode of the second rectifier is connected is defined. 2, the potential of the first line is V1, the potential of the second line is V2, and the potential of the connection point is V3. Are driven so that V1 <V3 or V2> V3, and the circuit elements in the non-selected state are driven so that V2 ≦ V3 ≦ V1.
これにより、回路素子の低消費電力を図ることができ、低電圧駆動が可能となる。従って、この回路素子の駆動方法を様々なアプリケーションに適用することによって、これらアプリケーションの低消費電力並びに低電圧駆動を実現させることができる。 As a result, low power consumption of the circuit element can be achieved and low-voltage driving can be performed. Therefore, by applying this method of driving circuit elements to various applications, low power consumption and low voltage driving of these applications can be realized.
次に、本発明に係る制御装置の駆動方法は、複数の回路素子と、各回路素子に対してそれぞれ選択/非選択を指示する多数の選択線と、選択状態にある各回路素子に対してそれぞれ信号を供給する多数の信号線と、選択状態にある各回路素子に対してそれぞれリセット信号を供給する多数のリセット線とを有し、前記各回路素子は、前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、いずれか2つの線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、前記第1及び第2の整流素子の接続点と残りの線との間に接続された負荷とを有する制御装置の駆動方法であって、前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、前記第1の整流素子のカソードが接続される線を第1の線と定義し、前記第2の整流素子のアノードが接続される線を第2の線と定義し、前記第1の線の電位をV1、前記第2の線の電位をV2、前記接続点の電位をV3としたとき、前記回路素子のうち、選択状態の回路素子については、V1<V3又はV2>V3となるように駆動し、非選択状態の回路素子については、V2≦V3≦V1となるように駆動することを特徴とする。 Next, the driving method of the control device according to the present invention includes a plurality of circuit elements, a large number of selection lines for instructing selection / non-selection of each circuit element, and a plurality of selection lines. It has a number of signal lines for supplying signals, and a number of reset lines for supplying a reset signal to each circuit element in a selected state. Each of the circuit elements includes the selection line, the signal line and First and second rectifiers connected in series in the forward direction between any two of the reset lines, a connection point between the first and second rectifiers, and a remaining line; And a load connected between the select line, the signal line, and the reset line, wherein a line to which a cathode of the first rectifying element is connected is connected to a first line. The second rectifier element Is defined as a second line, and the potential of the first line is V1, the potential of the second line is V2, and the potential of the connection point is V3. The circuit elements in the selected state are driven so as to satisfy V1 <V3 or V2> V3, and the circuit elements in the non-selected state are driven so as to satisfy V2 ≦ V3 ≦ V1.
この場合、前記負荷は、圧電素子を有し、該圧電素子での逆圧電効果によって制御対象を変位制御するようにしてもよい。あるいは、少なくとも一対の対向する電極を有し、前記少なくとも一対の電極間に電圧を印加したときに働く静電気力によって制御対象を変位制御するようにしてもよい。 In this case, the load may include a piezoelectric element, and the displacement of the control target may be controlled by an inverse piezoelectric effect of the piezoelectric element. Alternatively, at least a pair of opposed electrodes may be provided, and the displacement of the control target may be controlled by an electrostatic force acting when a voltage is applied between the at least one pair of electrodes.
また、本発明に係る制御装置の駆動方法は、複数の回路素子を有し、前記各回路素子は、正方向変位を選択指示するための第1の配線と、負方向変位を選択指示するための第2の配線と、変位量を指示するための第3の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、前記第1及び第2の整流素子の接続点と前記第3の配線との間に接続された負荷とを有する制御装置の駆動方法であって、前記第1の配線の電位をV1、前記第2の配線の電位をV2、前記負荷の接続点の電位をV3としたとき、正方向変位が選択指示された回路素子については、変位開始時点においてV1≧V2及びV3>V1となるように駆動し、負方向変位が選択指示された回路素子については、変位開始時点においてV1≧V2及びV3<V2となるように駆動し、非選択状態の回路素子については、V2≦V3≦V1となるように駆動することを特徴とする。 In addition, the driving method of the control device according to the present invention includes a plurality of circuit elements, wherein each of the circuit elements includes a first wiring for selectively instructing a positive displacement and a first wiring for selectively instructing a negative displacement. A second wiring, a third wiring for indicating a displacement amount, and first and second rectifiers connected in series in a forward direction between the first wiring and the second wiring, respectively. A method for driving a control device, comprising: an element and a load connected between a connection point of the first and second rectifying elements and the third wiring, wherein the potential of the first wiring is V1 Assuming that the potential of the second wiring is V2 and the potential of the connection point of the load is V3, for the circuit element for which the positive displacement is selected and instructed, V1 ≧ V2 and V3> V1 at the displacement start time. The circuit element for which the negative displacement has been selected and instructed to open. Driven so that V1 ≧ V2 and V3 <V2 at the time, for the circuit elements of the non-selected state, and drives so that V2 ≦ V3 ≦ V1.
この場合、前記負荷は、インダクタを有し、電圧により該インダクタに流れる電流によって制御されるインダクタの磁化によって、制御対象の変位を制御するようにしてもよい。前記インダクタは、磁束密度−磁界特性曲線がヒステリシスを持ち、飽和磁束密度と残留磁束密度がほぼ同じである特性を有するようにしてもよい。前記負荷は、圧電素子を有し、該圧電素子での逆圧電効果によって制御対象を変位制御するようにしてもよいし、あるいは、少なくとも一対の対向する電極を有し、前記少なくとも一対の電極間に電圧を印加したときに働く静電気力によって制御対象を変位制御するようにしてもよい。 In this case, the load may include an inductor, and the displacement of the control target may be controlled by magnetization of the inductor controlled by a current flowing through the inductor by a voltage. The inductor may have a characteristic in which a magnetic flux density-magnetic field characteristic curve has hysteresis, and a saturation magnetic flux density and a residual magnetic flux density are substantially the same. The load may include a piezoelectric element, and the displacement of the control target may be controlled by an inverse piezoelectric effect of the piezoelectric element. Alternatively, the load may include at least a pair of opposed electrodes, and the load may be applied between the at least one pair of electrodes. The displacement of the control target may be controlled by the electrostatic force acting when a voltage is applied to the control object.
上述の制御装置の駆動方法においては、非選択状態にある回路素子が、選択状態にある回路素子に供給される信号によって影響を受けることがなく、低消費電力を図ることができ、しかも、低電圧駆動が可能となる。 In the driving method of the control device described above, the circuit element in the non-selected state is not affected by the signal supplied to the circuit element in the selected state, and low power consumption can be achieved. Voltage drive becomes possible.
以上説明したように、本発明に係る回路素子、信号処理回路及び制御装置によれば、非選択状態にある回路素子が、選択状態にある回路素子に供給される信号によって影響を受けることがなく、低消費電力を図ることができ、しかも、低電圧駆動が可能となる。 As described above, according to the circuit element, the signal processing circuit, and the control device of the present invention, the circuit element in the non-selected state is not affected by the signal supplied to the circuit element in the selected state. In addition, low power consumption can be achieved, and low-voltage driving can be achieved.
また、本発明に係る表示装置及び表示装置の駆動方法によれば、非選択状態の画素が、選択状態の画素への信号によって影響を受けることなく、各画素でのメモリ効果を実現でき、高輝度化、高コントラスト化を図ることができる。 Further, according to the display device and the method for driving the display device of the present invention, a memory effect in each pixel can be realized without affecting a pixel in a non-selected state by a signal to the pixel in a selected state. Brightness and high contrast can be achieved.
また、本発明に係る回路素子の駆動方法及び制御装置の駆動方法によれば、非選択状態にある回路素子が、選択状態にある回路素子に供給される信号によって影響を受けることがなく、低消費電力を図ることができ、しかも、低電圧駆動が可能となる。 According to the method for driving a circuit element and the method for driving a control device according to the present invention, a circuit element in a non-selected state is not affected by a signal supplied to a circuit element in a selected state, so Power consumption can be improved, and low-voltage driving can be performed.
以下、本発明に係る回路素子、信号処理回路、制御装置、表示装置、表示装置の駆動方法、回路素子の駆動方法及び制御装置の駆動方法の実施の形態例を図1〜図42を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of a circuit element, a signal processing circuit, a control device, a display device, a method of driving a display device, a method of driving a circuit element, and a method of driving a control device according to the present invention will be described with reference to FIGS. I will explain it.
本実施の形態に係る回路素子10は、図1に示すように、第1の配線12と、第2の配線14と、第3の配線16と、第1の配線12と第2の配線14との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子D1及びD2と、第1及び第2の整流素子D1及びD2の接続点18と第3の配線16との間に接続された負荷20とを有する。
As shown in FIG. 1, the
また、本実施の形態に係る信号処理回路30は、図2に示すように、上述した1以上の回路素子10と制御回路32とを有する。図示の例では、2つの回路素子10と1つの制御回路32を示す。
Further, the
そして、制御回路32は、第1の配線12の電位をV1、第2の配線14の電位をV2としたとき、図3に示すように、動作期間の全期間にわたって、V1≧V2となるように制御している。
When the potential of the
また、制御回路32は、動作期間のうち、第3の配線16から負荷20に電流が流れる第1の期間においては、V1<V3となるように制御し、第2の配線14から負荷20に電流が流れる第2の期間においては、V2>V3となるように制御し、負荷20への導通を禁止する第3の期間においては、V2≦V3≦V1となるように制御する。
The
ここで、例えば第1の配線12からの信号によって任意の回路素子10の選択/非選択を行わせる場合を想定したとき、非選択状態の回路素子10については、上述の動作期間のうち、第3の期間にあることから、2つの整流素子D1及びD2がそれぞれ逆バイアスとなって、電流を遮断するように機能させることが可能となる。なお、選択状態にある回路素子10は、第1の期間あるいは第2の期間にある。そのため、非選択状態にある回路素子10は、選択状態にある回路素子10に供給される信号によって影響を受けることがない。従って、本実施の形態に係る回路素子10及び信号処理回路30においては、低消費電力を図ることができ、低電圧駆動が可能となる。
Here, for example, assuming a case where selection / non-selection of an
しかも、整流素子D1及びD2は、1方向のみに電流を流すというごく単純で一般的な機能を有していればよいため、安定した特性を得やすい。整流素子D1及びD2は、順方向のしきい値電圧が小さく、逆方向の等価静電容量が小さいため、非選択時に負荷20に印加される電圧を精度の高い電圧(ほぼ設計通りの電圧)にすることができる。整流素子D1及びD2を挿入しても、駆動電圧を増加させる必要はほとんどない。
In addition, since the rectifying elements D1 and D2 only need to have a very simple and general function of flowing a current in only one direction, stable characteristics can be easily obtained. Since the rectifiers D1 and D2 have a small forward threshold voltage and a small equivalent capacitance in the reverse direction, the voltage applied to the
また、従来のパッシブマトリックス駆動方式や非線形抵抗素子によるアクティブマトリックス駆動方式と比較して低電圧駆動が可能である。また、従来のTFTを用いたアクティブマトリックス駆動方式と比較して、回路構成が単純であり、低コスト化に有利になる。しかも、従来のTFTでは困難な、より高耐圧を必要とする場合にも適用できる。 Further, lower voltage driving is possible as compared with a conventional passive matrix driving method or an active matrix driving method using a non-linear resistance element. Further, as compared with the conventional active matrix driving method using TFTs, the circuit configuration is simple, which is advantageous for cost reduction. Moreover, the present invention can be applied to a case where a higher withstand voltage is required, which is difficult with a conventional TFT.
また、本実施の形態に係る信号処理回路30においては、多数の回路素子10を用意し、これら回路素子10を任意に配列させて、各回路素子10の電圧、電流を制御することができることから、変位、位置、温度、光、圧力等の制御システムとしても利用することができる。
Further, in the
また、信号処理回路30は、伝送システム、例えば、多数のバスから任意のバスを選択し、該選択されたバスに信号を供給する伝送システムに適用する場合にも好適である。この場合、スイッチング回路を用いることなく(ノイズの発生がない)、しかも、バス間でのクロストークを発生させることなく、スムーズに切り替えを行うことができる伝送システムを得ることができる。
The
第1及び第2の整流素子D1及びD2は、ダイオードであってもよい。この場合、ダイオードは薄膜ダイオードであってもよい。薄膜ダイオードはMIM素子であってもよい。また、TFTやバイポーラトランジスタ、あるいはMOSトランジスタ等の3端子素子を用いて整流素子を形成するようにしてもよい。 The first and second rectifiers D1 and D2 may be diodes. In this case, the diode may be a thin-film diode. The thin film diode may be a MIM element. Further, a rectifying element may be formed using a three-terminal element such as a TFT, a bipolar transistor, or a MOS transistor.
特に、第1及び第2の整流素子D1及びD2をMIM素子にて構成した場合は、多数の回路素子10を配列、集積する場合や、薄型の回路素子10や装置を構成する場合等において特に効果的である。セラミック基板やシリコンウェーハ等の上に多数の回路素子10を形成してもよいし、それらの基板上に第1及び第2の整流素子D1及びD2を形成したものと、負荷20とを接続することで形成しても好ましい。
In particular, when the first and second rectifying elements D1 and D2 are configured by MIM elements, particularly when a large number of
また、第1及び第2の整流素子D1及びD2の間には、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、何らかの素子が存在していてもよい。例えば異常電圧によって貫通電流が生じた場合の保護の目的や、突入電流防止あるいはノイズ低減の目的等で、抵抗素子やインダクタ等が挿入接続されていてもよい。これは、第1の配線12と第1の整流素子D1、第2の配線14と第2の整流素子D2、第3の配線16と負荷20、負荷20と第1の整流素子D1あるいは負荷20と第2の整流素子D2との間に存在していてもよい。
Some element may exist between the first and second rectifying elements D1 and D2 without departing from the spirit of the present invention. For example, a resistance element, an inductor, or the like may be inserted and connected for the purpose of protection when a through current occurs due to an abnormal voltage, the purpose of preventing inrush current, or reducing noise. This is because the
また、第2の配線14の電位が、第1の配線12の電位より高くなった場合に、貫通電流が流れて回路素子10が破壊されるおそれがあるが、これを防止するために、回路素子10とは別に、第1の配線12と第2の配線14との間にバイパスコンデンサやツェナーダイオード、バリスタ等の素子を挿入して、回路素子10を保護するようにすることも好ましい。
Also, when the potential of the
次に、本実施の形態に係る回路素子10と信号処理回路30を表示装置に適用した実施の形態例について図4〜図29Cを参照しながら説明する。
Next, an embodiment in which the
まず、第1の実施の形態に係る表示装置40Aは、図4に示すように、多数の画素42がマトリックス状に配列された表示部44と、多数の画素42の行数に応じた本数の選択線46と、多数の画素42の列数に応じた本数の信号線48と、多数の画素42の列数に応じた本数のリセット線50とを有する。
First, as shown in FIG. 4, the display device 40 </ b> A according to the first embodiment includes a
また、この表示装置40Aは、垂直シフト回路52と、水平シフト回路54と、信号制御回路56とを有する。
The
垂直シフト回路52は、選択線46に選択的に選択信号Ssを供給して、1行単位に画素42を順次選択する。水平シフト回路54は、信号線48にパラレルに画素信号Sdを出力する。各リセット線50には、信号制御回路56を通じて共通のリセット信号Srが供給される。
The
画素42は、選択線46とリセット線50との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子D1及びD2と、第1及び第2の整流素子D1及びD2の接続点58と信号線48との間に接続された容量性負荷60とを有する。
The
容量性負荷60における両端電圧Vcと蓄積電荷Qとの関係は、図5の特性に示すように、両端電圧Vc=0(V)を基準としたヒステリシス曲線を描く。例えば両端電圧Vcを100Vから−150Vにした場合、点P1→P2→P3の順番で変化し、点P3に到達した時点で発光が行われる。その後、両端電圧Vcを100Vに上昇させた場合、点P3→P4→P1の順番で変化して、元の点P1に戻る。
The relationship between the voltage Vc across the
ここで、この表示装置40Aの駆動方式について、2行走査を例にとって図6を参照しながら説明する。なお、図6は、1行目の画素に関するタイミングチャートを示す。
Here, the driving method of the
まず、時点t0において、1行目の画素42の選択期間Ts1に入る。このとき、リセット信号Srは低レベル(例えば0V)に変化し、選択信号Ssは高レベル(例えば260V)を維持し、画素信号Sdは低レベル(例えば0V)を維持している。接続点58での電位Vaは100Vとなっている。この状態は、第1及び第2の整流素子D1及びD2が共に逆バイアスされて非導通の状態であり、容量性負荷60の両端に、正極性の電圧(例えば100V)が印加された状態(第1の電圧状態)が維持される。
First, at a time point t0, a selection period Ts1 for the
次の時点t1において、画素信号Sdが高レベル(例えば150V)に変化すると、接続点58の電位Vaが250Vまで立ち上がるが、選択信号Ssが高レベルを維持しているため、容量性負荷60の両端電圧Vcは変化しない。
At the next time point t1, when the pixel signal Sd changes to a high level (for example, 150 V), the potential Va at the
次の時点t2において、選択信号Ssが低レベル(例えば0V)に変化すると、第1の整流素子D1が順バイアスされて導通状態となり、接続点58の電位Vaは250Vから0Vまで急峻に下がる。これにより、容量性負荷60の両端電圧Vcが−150Vまで急峻に低下すると同時に該容量性負荷60にて発光が行われる。この発光状態は、画素信号Sdが立ち下がるまで(時点t3まで)維持される。つまり、この容量性負荷60は、印加される第2の電圧状態Pnの開始時点で発光が開始され、該第2の電圧状態Pnの終了時点で発光が終了する発光特性を有することになる。従って、画素信号Sdのパルス幅、特に、立ち下がりのタイミングを、信号制御回路56において当該画素42の階調レベルに応じて変調することによって、当該画素42の階調レベルに応じた発光輝度を得ることができる。
At the next time point t2, when the selection signal Ss changes to a low level (for example, 0V), the first rectifying element D1 is forward-biased and becomes conductive, and the potential Va at the
次の時点t3において、画素信号Sdが低レベル(例えば0V)に変化すると、接続点58の電位Vaが−150V付近まで低下し、これに伴って、第2の整流素子D2が導通し、容量性負荷60の両端電圧は0Vとなる。
At the next time point t3, when the pixel signal Sd changes to a low level (for example, 0 V), the potential Va at the
次の時点t4において、1行目の画素42のリセット期間Tr1に入り、その後の時点t5において、リセット信号Srが高レベル(例えば100V)に変化すると、この画素42のCR時定数に応じた時間で充電が行われ、容量性負荷60の両端電圧Vcは100Vまで復帰する。
At the next time point t4, the reset period Tr1 of the
そして、次の時点t7から2行目の画素42の選択期間Ts2並びにリセット期間Tr2(1行目の画素の非選択期間)に入るが、この期間Ts2及びTr2では、1行目の選択信号Ssが高レベルを維持しているため、画素信号Sdのレベルが変化して、接続点58の電位Vaが変化しても、これらのレベルは1行目の選択信号Ssの高レベル以下となっているため、1行目の画素42に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2には逆バイアスがかかり、共に非導通状態が維持される。
Then, from the next time point t7, the selection period Ts2 of the
そのため、1行目の画素42は、2行目の画素42に対する画素信号Sdの影響を受けることがない。また、この1行目の非選択期間において、1行目の画素42の容量性負荷60には電荷が保持されているため、この非選択期間において容量性負荷60での充放電で生じる消費電力はほぼゼロである。寄生容量(<<負荷容量)によるのみとなる。
Therefore, the
上述の駆動方法は、第2の電圧状態Pnの開始時点で発光が開始し、終了時点で発光終了する特性を有する場合に特に好ましく用いられる。また、第2の電圧状態Pnの印加期間に、パルス状の発光特性を有する場合でも効果がある。パルス状の発光特性の波高値や継続時間が、第2の電圧状態Pnでの電圧値や時間幅で変化する場合には、より効果的に用いられる。 The above-described driving method is particularly preferably used when light emission starts at the start of the second voltage state Pn and ends at the end. In addition, there is an effect even in a case where pulsed light emission characteristics are provided during the application period of the second voltage state Pn. In the case where the peak value and the duration of the pulse-like light emission characteristic change with the voltage value and the time width in the second voltage state Pn, the pulse width is more effectively used.
この駆動方式を例えば4行走査の場合に適用すると、図7に示すように、1枚の画像の表示期間を1フレームとしたとき、該1フレームを4つの期間に分離し、最初の期間に選択期間及びリセット期間を設定し、残りの期間にそれぞれ非選択期間(選択信号Ssが高レベルを維持した期間)及びリセット期間を設定すればよい。なお、図7の例では、リセット期間は、1フレーム内の選択期間の直後並びに非選択期間の直後に挿入設定するようにしているが、1フレーム内で1つ又はそれ以上間引いてもよい。 When this driving method is applied to, for example, the case of four-row scanning, as shown in FIG. 7, when the display period of one image is one frame, the one frame is divided into four periods, and the first period is divided into four periods. A selection period and a reset period may be set, and a non-selection period (a period in which the selection signal Ss is maintained at a high level) and a reset period may be set in the remaining periods. In the example of FIG. 7, the reset period is inserted and set immediately after the selection period and immediately after the non-selection period in one frame. However, one or more reset periods may be thinned out in one frame.
そして、画素42の階調制御としては、図8A〜図8Cに示すパルス幅変調による方式や図9A〜図9Cに示す電圧制御による方式がある。
The gradation control of the
パルス幅変調方式は、画素信号Sdのパルス幅を画素の階調レベルに応じて変調することによって(図6参照)、第2の電圧状態Pnの終了時点を変化させることで、画素42の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させる。このときの光出力波形は、図8B及び図8Cに示すように、光の出力期間TLが画素信号Sdのパルス幅に応じて変化する。
The pulse width modulation method modulates the pulse width of the pixel signal Sd in accordance with the gray level of the pixel (see FIG. 6), thereby changing the end point of the second voltage state Pn, so that the
電圧制御方式は、画素信号Sdの振幅を画素の階調レベルに応じて制御することによって、図9Aに示すように、第2の電圧状態Pnの振幅を変化させることで、画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させる。このときの光出力波形は、図9B及び図9Cに示すように、光の出力レベルが画素信号Sdの振幅に応じて変化する。 The voltage control method controls the amplitude of the pixel signal Sd according to the gray level of the pixel, thereby changing the amplitude of the second voltage state Pn as shown in FIG. It is changed according to the gradation level. In the light output waveform at this time, as shown in FIGS. 9B and 9C, the light output level changes according to the amplitude of the pixel signal Sd.
このように、第1の実施の形態に係る表示装置40Aにおいては、非選択行の画素42について、第1及び第2の整流素子D1及びD2がそれぞれ逆バイアスとなって、電流を遮断するように機能させることが可能となる。そのため、非選択行の画素42は、選択行の画素42に供給される画素信号Sdによって影響を受けることがない。その結果、低消費電力を図ることができ、低電圧駆動が可能となる。しかも、各画素42にメモリ効果を持たせた駆動を行うことができ、非選択時にある一定のバイアス電圧を印加しておくことができるため、画像パターンによらない安定した動作が可能となる。
As described above, in the
もちろん、上述したように、従来のパッシブマトリックス駆動方式や非線形抵抗素子によるアクティブマトリックス駆動方式と比較して低電圧駆動が可能である。また、従来のTFTを用いたアクティブマトリックス駆動方式と比較して、回路構成が単純であり、低コスト化に有利になる上、従来のTFTでは困難な、より高耐圧を必要とする場合にも適用できる。 Of course, as described above, lower voltage driving is possible as compared with the conventional passive matrix driving method and the active matrix driving method using a non-linear resistance element. In addition, compared to the active matrix driving method using a conventional TFT, the circuit configuration is simple, which is advantageous for cost reduction. Applicable.
次に、第2の実施の形態に係る表示装置40Bについて図10〜図16Cを参照しながら説明する。
Next, a
この第2の実施の形態に係る表示装置40Bは、上述した第1の実施の形態に係る表示装置40Aとほぼ同様の構成を有するが、図10に示すように、リセット線50が画素42の行数に応じた本数だけ配線され、しかも、選択線46とリセット線50とが一対となっている点で異なる。各リセット線50には、その行に関するリセット信号Srが例えば垂直シフト回路52を通じて供給されるようになっている。また、画素42の構成並びに容量性負荷60の発光特性も若干異なる。
The
画素42は、リセット線50と信号線48との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子D1及びD2と、第1及び第2の整流素子D1及びD2の接続点58と選択線46との間に接続された容量性負荷60とを有する。
The
この容量性負荷60は、図11A及び図11Bに示すように、印加される第2の電圧状態Pn(例えば−10V)の開始時点で発光が開始され、該第2の電圧状態Pnの終了時点で発光が終了する発光特性を有する。
As shown in FIGS. 11A and 11B, the
ここで、この表示装置40Bの駆動方式について、2行走査を例にとって図12を参照しながら説明する。なお、図12は、1行目の画素に関するタイミングチャートを示す。
Here, the driving method of the
まず、時点t10において、1行目の画素の選択期間Ts1に入る。このとき、リセット信号Srは高レベル(例えば140V)を維持し、選択信号Ssは低レベル(例えば50V)に変化し、画素信号Sdは低レベル(例えば0V)を維持している。この状態は、第1及び第2の整流素子D1及びD2が共に逆バイアスされて非導通の状態であり、接続点58での電位Vaは画素信号Sdのレベル(0V)となる。容量性負荷60の両端には、正極性の電圧(例えば50V)が印加された状態が維持される。
First, at a time point t10, a selection period Ts1 of the pixel of the first row is entered. At this time, the reset signal Sr maintains a high level (for example, 140 V), the selection signal Ss changes to a low level (for example, 50 V), and the pixel signal Sd maintains a low level (for example, 0 V). This state is a state in which the first and second rectifying elements D1 and D2 are both reverse-biased and non-conductive, and the potential Va at the
次の時点t11において、画素信号Sdが高レベル(例えば60V)に変化すると、第2の整流素子D2が順バイアスされて導通状態となり、接続点58の電位Vaは0Vから60Vまで急峻に上がる。これにより、容量性負荷60の両端電圧Vcが−10Vまで急峻に降下すると同時に該容量性負荷60にて発光が行われる。この発光状態は、リセット信号Srが立ち下がるまで(時点t16まで)維持される。
At the next time point t11, when the pixel signal Sd changes to a high level (for example, 60V), the second rectifying element D2 is forward-biased and becomes conductive, and the potential Va at the
次の時点t12において、画素信号Sdが低レベル(0V)に変化すると、再び第2の整流素子D2が逆バイアスされて非導通の状態となり、接続点58での電位Vaは60Vを維持し、容量性負荷60の両端電圧Vcも−10Vが維持される。
At the next time point t12, when the pixel signal Sd changes to a low level (0 V), the second rectifying element D2 is again reverse-biased and becomes non-conductive, and the potential Va at the
次の時点t13において、選択信号Ssが高レベル(例えば120V)に変化すると、接続点58の電位Vaが130Vまで立ち上がるが、リセット信号Srが高レベルを維持しているため、容量性負荷60の両端電圧Vcは変化しない。
At the next time point t13, when the selection signal Ss changes to a high level (for example, 120V), the potential Va of the
そして、次の時点t14から2行目の画素42の選択期間Ts2(1行目の非選択期間)に入るが、この選択期間Ts2では、1行目のリセット信号Srが高レベルを維持しているため、画素信号Sdのレベルが変化しても、接続点58での電位Vaは変化せず、しかも、これらのレベルは1行目のリセット信号Srの高レベル以下となっているため、1行目の画素42に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2には逆バイアスがかかり、共に非導通状態が維持される。
Then, from the next time point t14, a selection period Ts2 (a non-selection period of the first row) of the
そのため、1行目の画素42は、2行目の画素42に対する画素信号Sdの影響を受けることがない。しかも、非選択期間において容量性負荷60で消費される電力はほぼゼロであり、低消費電力の効果が大きい。また、容量性負荷60は、非選択期間に電荷を保持し続けることから、発光を持続させることができ、高輝度化、高コントラスト化を実現できる。なお、1行目の画素が消光したままとする場合においても、選択期間Ts2の間には、接続点58の電位Vaは70Vのままであり、1行目の画素42に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2には逆バイアスがかかり、共に非導通状態が維持される。
Therefore, the
時点t15から1行目の画素のリセット期間Tr1に入り、選択信号Ssが低レベルに変化すると、接続点58の電位Vaが60Vまで下がる。このとき、リセット信号Srが高レベルを維持しているため、容量性負荷60の両端電圧Vcは変化しない。
When the reset period Tr1 of the pixels in the first row starts at time t15 and the selection signal Ss changes to a low level, the potential Va at the
次の時点t16において、1行目のリセット信号Srが低レベル(例えば0V)に変化すると、第1の整流素子D1が順バイアスされて導通状態となり、接続点58の電位Vaは60Vから0Vまで急峻に下がる。これにより、容量性負荷60の両端電圧Vcが50Vまで急峻に上昇し、最初のリセット状態となる。
At the next time point t16, when the reset signal Sr in the first row changes to a low level (for example, 0 V), the first rectifying element D1 is forward-biased and becomes conductive, and the potential Va at the
この駆動方式を例えば4行走査に適用する場合、図13Aに示す方式あるいは図13Bに示す方式を採用することができる。 When this driving method is applied to, for example, four-row scanning, the method shown in FIG. 13A or the method shown in FIG. 13B can be adopted.
図13Aに示す方式は、1フレームを4つの期間(サブフィールド)に分離し、さらに、1サブフィールドを4つの期間に分離する。最初の3つのサブフィールドについては、各サブフィールドについて、最初の期間に選択期間を設定し、残りの3つの期間に非選択期間を設定する。残りの1つのサブフィールドについては、最初の期間にリセット期間を設定し、残りの3つの期間に非選択期間を設定する。この方式の場合、時間階調制御に好適である。 The method shown in FIG. 13A divides one frame into four periods (subfields), and further divides one subfield into four periods. For the first three subfields, a selection period is set for the first period and a non-selection period is set for the remaining three periods for each subfield. For the remaining one subfield, a reset period is set in the first period, and a non-selection period is set in the remaining three periods. This method is suitable for time gradation control.
一方、図13Bに示す方式は、1フレームを8つ以上の期間に分離し、各フレームの第1の期間に選択期間を設定し、各フレームの最終期間にリセット期間を設定し、残りの期間に非選択期間を設定する。この方式によれば、リセット期間後の非選択期間における消光時間をなくし、輝度向上の効果がある。 On the other hand, in the method shown in FIG. 13B, one frame is divided into eight or more periods, a selection period is set in a first period of each frame, a reset period is set in a final period of each frame, and a remaining period is set. Set the non-selection period. According to this method, the extinction time in the non-selection period after the reset period is eliminated, and there is an effect of improving luminance.
なお、図13Aに示す方式と図13Bに示す方式とを組み合わせるようにしてもよい。 Note that the system shown in FIG. 13A and the system shown in FIG. 13B may be combined.
そして、画素の階調制御としては、図14A〜図14Cに示す位相変調による方式(時間階調制御)や図15A〜図15Cに示すパルス幅変調による方式、並びに図16A〜図16Cに示す電圧制御による方式がある。 14A to 14C, the pulse width modulation shown in FIGS. 15A to 15C, and the voltage shown in FIGS. 16A to 16C. There is a control method.
位相変調による方式は、図16Aに示すように、画素信号Sdに含まれるトリガ信号Ptの位相を画素の階調レベルに応じて変調することによって、図14Bに示すように、第2の電圧状態Pnの開始時点を変化させる。このときの光出力波形は、図14Cに示すように、光の出力期間TLがトリガ信号Ptの位相に応じて変化する。 The method based on the phase modulation modulates the phase of the trigger signal Pt included in the pixel signal Sd in accordance with the gray level of the pixel as shown in FIG. 16A, thereby obtaining the second voltage state as shown in FIG. 14B. The start time of Pn is changed. In the light output waveform at this time, as shown in FIG. 14C, the light output period TL changes according to the phase of the trigger signal Pt.
パルス幅変調方式は、図15Aに示すように、画素信号Sdのパルス幅Wを画素の階調レベルに応じて変調することによって、図15Bに示すように、第2の電圧状態Pnの振幅を変化させることで、画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させる。このときの光出力波形は、図15Cに示すように、光の出力レベルが画素信号Sdのパルス幅Wに応じて変化する。 The pulse width modulation method modulates the pulse width W of the pixel signal Sd according to the gray level of the pixel as shown in FIG. 15A, thereby changing the amplitude of the second voltage state Pn as shown in FIG. 15B. By changing the light emission luminance, the light emission luminance of the pixel is changed according to the gradation level. In the light output waveform at this time, as shown in FIG. 15C, the light output level changes according to the pulse width W of the pixel signal Sd.
電圧制御方式は、図16Aに示すように、画素信号Sdの振幅を画素の階調レベルに応じて制御することによって、図16Bに示すように、第2の電圧状態Pnの振幅を変化させることで、画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させる。このときの光出力波形は、図16Cに示すように、光の出力レベルが画素信号Sdの振幅に応じて変化する。なお、発光/非発光と第2の電圧状態Pnの極性は、上述の例と逆であってもよい。また、第2の電圧状態Pnの極性を反転させないで発光/非発光の制御ができる画素であっても、適切に電圧を決めるだけで同様の効果を得ることができる。 The voltage control method is to change the amplitude of the second voltage state Pn as shown in FIG. 16B by controlling the amplitude of the pixel signal Sd according to the gray level of the pixel as shown in FIG. 16A. Then, the light emission luminance of the pixel is changed according to the gradation level. In the light output waveform at this time, as shown in FIG. 16C, the light output level changes according to the amplitude of the pixel signal Sd. Note that the polarity of light emission / non-light emission and the second voltage state Pn may be opposite to the above-described example. Further, even in a pixel in which light emission / non-light emission can be controlled without inverting the polarity of the second voltage state Pn, the same effect can be obtained only by appropriately determining the voltage.
次に、第3の実施の形態に係る表示装置40Cについて図17〜図23を参照しながら説明する。
Next, a
この第3の実施の形態に係る表示装置40Cは、上述した第2の実施の形態に係る表示装置40Bとほぼ同様の構成を有するが、図17に示すように、リセット線50の代わりに容量性負荷60の放電を指示する放電指示線70が画素の行数に応じた本数だけ配線されている点で異なる。各放電指示線70には、その行に関する放電指示信号Shが例えば垂直シフト回路52を通じて供給されるようになっている。また、容量性負荷60の発光特性も若干異なる。
The
この容量性負荷60は、図18及び図19Bに示すように、所定期間(例えば1フレーム:T)に対する第1の電圧状態Ppの出力期間τのデューティ比{(τ/T)×100(%)}に応じて光量が変化する特性を有する。
As shown in FIGS. 18 and 19B, this
従って、階調制御として位相変調による方式を容易に適用させることができる。すなわち、図19Aに示すように、画素信号Sdに含まれるトリガ信号Ptの位相を画素の階調レベルに応じて変調することによって、図19Bに示すように、第1の電圧状態Ppの開始時点を変化させる。このときの光出力波形は、図19Cに示すように、容量性負荷60の放電期間Thに出力される光の出力レベルがトリガ信号Ptの位相に応じて変化する。
Therefore, a method based on phase modulation can be easily applied as gradation control. That is, as shown in FIG. 19A, by modulating the phase of the trigger signal Pt included in the pixel signal Sd in accordance with the gray level of the pixel, the start point of the first voltage state Pp as shown in FIG. To change. In the light output waveform at this time, as shown in FIG. 19C, the output level of light output during the discharge period Th of the
また、この容量性負荷60として、図20及び図21Bに示すように、第1の電圧状態Ppの蓄積電圧Vcsに応じて光量が変化する特性を有するものを使用することができる。
As the
この場合、図21A〜図21Cに示すパルス幅変調による方式や図22A〜図22Cに示す電圧制御による方式を採用することができる。 In this case, a method based on pulse width modulation shown in FIGS. 21A to 21C or a method based on voltage control shown in FIGS. 22A to 22C can be adopted.
パルス幅変調方式は、図21Aに示すように、画素信号Sdのパルス幅Wを画素の階調レベルに応じて変調することによって、図21Bに示すように、第1の電圧状態Ppの振幅を変化させることで、画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させる。このときの光出力波形は、図21Cに示すように、容量性負荷60の放電期間Thに出力される光の出力レベルが画素信号Sdのパルス幅Wに応じて変化する。
The pulse width modulation method modulates the pulse width W of the pixel signal Sd according to the gray level of the pixel as shown in FIG. 21A, thereby changing the amplitude of the first voltage state Pp as shown in FIG. 21B. By changing the light emission luminance, the light emission luminance of the pixel is changed according to the gradation level. In the light output waveform at this time, as shown in FIG. 21C, the output level of light output during the discharge period Th of the
電圧制御方式は、図22Aに示すように、画素信号Sdの振幅を画素の階調レベルに応じて制御することによって、図22Bに示すように、第1の電圧状態Ppの振幅を変化させることで、画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させる。このときの光出力波形は、図22Cに示すように、容量性負荷60の放電期間Thに出力される光の出力レベルが画素信号Sdの振幅に応じて変化する。
The voltage control method is to change the amplitude of the first voltage state Pp as shown in FIG. 22B by controlling the amplitude of the pixel signal Sd according to the gray level of the pixel as shown in FIG. 22A. Then, the light emission luminance of the pixel is changed according to the gradation level. In the light output waveform at this time, as shown in FIG. 22C, the output level of light output during the discharge period Th of the
ここで、この表示装置40Cの駆動方式について、2行走査を例にとって図23を参照しながら説明する。なお、図23は、1行目の画素に関するタイミングチャートを示す。
Here, the driving method of the
まず、時点t20において、1行目の画素の選択期間Ts1に入る。このとき、放電指示信号Shは高レベル(例えば260V)を維持し、選択信号Ssは高レベル(例えば150V)を維持し、画素信号Sdは高レベル(例えば100V)に変化する。この状態は、第1及び第2の整流素子D1及びD2が共に逆バイアスされて非導通の状態であり、接続点58での電位Vaは選択信号Ssのレベル(150V)となる。容量性負荷60の両端には、基準電圧(例えば0V)が印加された状態が維持される。
First, at time t20, the process enters the selection period Ts1 of the pixel in the first row. At this time, the discharge instruction signal Sh maintains a high level (for example, 260 V), the selection signal Ss maintains a high level (for example, 150 V), and the pixel signal Sd changes to a high level (for example, 100 V). In this state, both the first and second rectifying elements D1 and D2 are reverse-biased and are in a non-conductive state, and the potential Va at the
次の時点t21において、選択信号Ssが低レベル(例えば0V)に変化すると、第1の整流素子D1が順バイアスされて導通状態となり、接続点58の電位Vaは150Vから0Vまで急峻に下がるが、続いて容量性負荷60での充電が開始され、接続点58の電位Vaが徐々に上昇する。この充電は、画素信号Sdが低レベルになる時点t22まで行われる。この時点t22において、例えば容量性負荷60に100Vが充電された場合、再び第1の整流素子D1が逆バイアスされて非導通の状態となり、接続点58の電位Vaも100Vとなる。この充電状態は、放電指示信号Shが立ち下がるまで(時点t25まで)維持される。
At the next time point t21, when the selection signal Ss changes to a low level (for example, 0V), the first rectifying element D1 is forward-biased and becomes conductive, and the potential Va at the
次の時点t23において、選択信号Ssが高レベル(例えば150V)に変化すると、接続点58の電位Vaが250Vまで立ち上がるが、放電指示信号Shが高レベルを維持しているため、容量性負荷60の両端電圧Vcは変化しない。
At the next time point t23, when the selection signal Ss changes to a high level (for example, 150V), the potential Va at the
そして、次の時点t24から2行目の画素の選択期間Ts2に入るが、この選択期間Ts2では、1行目の放電指示信号Shが高レベルを維持しているため、画素信号Sdのレベルが変化しても、接続点58での電位Vaは変化せず、しかも、これらのレベルは1行目の放電指示信号Shの高レベル以下となっているため、1行目の画素42に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2には逆バイアスがかかり、共に非導通状態が維持される。
Then, from the next time point t24, the pixel enters the selection period Ts2 of the second row. In the selection period Ts2, the level of the pixel signal Sd is changed because the discharge instruction signal Sh of the first row is maintained at a high level. Even if it changes, the potential Va at the
そのため、1行目の画素42は、2行目の画素42に対する画素信号Sdの影響を受けることがない。また、非選択期間において容量性負荷60で消費される電力はほぼゼロであり、低消費電力の効果も大きい。なお、1行目の画素信号Sdが0Vのままだった場合でも、2行目の選択期間Ts2に接続点58の電位Vaは150Vとなって、1行目の画素に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2には逆バイアスがかかり、共に非導通状態が維持される。
Therefore, the
時点t25から1行目の画素42の放電期間Thに入り、1行目の放電指示信号Shが低レベル(例えば0V)に変化すると、第1の整流素子D1が順バイアスされて導通状態となり、接続点58の電位Vaは250Vから0Vまで急峻に下がる。これにより、容量性負荷60の両端電圧Vcが−150Vまで急峻に降下すると同時に該容量性負荷60にて発光が行われる。この発光状態は、選択信号Ssが立ち下がるまで(時点t26まで)維持される。
When the discharge instruction signal Sh of the first row changes to a low level (for example, 0 V) from the time t25 into the discharge period Th of the
時点t26において、1行目の選択信号Ssが低レベル(例えば0V)に変化すると、第2の整流素子D2が順バイアスされて導通状態となり、接続点58の電位Vaは0Vから−150Vまで急峻に下がるが、続いて容量性負荷60での充電が開始されることから、接続点58の電位Vaが徐々に上昇し、接続点58及び容量性負荷60の両端電圧Vcは共に0Vとなる。
At time t26, when the selection signal Ss in the first row changes to a low level (for example, 0 V), the second rectifying element D2 is forward-biased and becomes conductive, and the potential Va at the
なお、この駆動方式を例えば4行走査に適用する場合、上述した図13Aに示す方式あるいは図13Bに示す方式を採用することができる。 When this driving method is applied to, for example, four-row scanning, the above-described method shown in FIG. 13A or the method shown in FIG. 13B can be adopted.
次に、第4の実施の形態に係る表示装置40Dについて図24を参照しながら説明する。 Next, a display device 40D according to a fourth embodiment will be described with reference to FIG.
この第4の実施の形態に係る表示装置40Dは、上述した第2の実施の形態に係る表示装置40Bとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
The display device 40D according to the fourth embodiment has substantially the same configuration as the
すなわち、画素42は、第1の線80と第2の線82との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子D1及びD2と、第1及び第2の整流素子D1及びD2の接続点58と信号線48との間に接続された容量性負荷60とを有する。
That is, the
また、図25や図27A〜図27C等に示すように、1フレームが2つのフィールド(第1及び第2のフィールドF1及びF2)に分離され、第1のフィールドF1と第2のフィールドF2とにおいて、画素信号Sdがそれぞれ論理反転するように制御される。 As shown in FIG. 25 and FIGS. 27A to 27C, one frame is divided into two fields (first and second fields F1 and F2), and the first field F1 and the second field F2 Is controlled so that the pixel signal Sd is logically inverted.
例えば図27B及び図27Cに示すように、第1のフィールドF1では、容量性負荷60に第2の電圧状態Pnが印加されている期間において発光が行われ、第2のフィールドF2では、容量性負荷60に第1の電圧状態Ppが印加されている期間において発光が行われるように制御される。
For example, as shown in FIG. 27B and FIG. 27C, in the first field F1, light emission is performed during the period when the second voltage state Pn is applied to the
従って、第1のフィールドF1では、第1の線80が選択線として機能し、第2の線82がリセット線として機能する。第2のフィールドF2では、反対に、第1の線80がリセット線として機能し、第2の線82が選択線として機能する。このことから、以下の説明では、第1の線80を伝送する信号を第1の信号S1と記し、第2の線82を伝送する信号を第2の信号S2と記す。
Therefore, in the first field F1, the
ここで、この表示装置40Dの駆動方式について、2行走査を例にとって図25を参照しながら説明する。なお、図25は、1行目の画素に関するタイミングチャートを示す。 Here, the driving method of the display device 40D will be described with reference to FIG. 25 by taking two-row scanning as an example. FIG. 25 is a timing chart for the pixels in the first row.
まず、時点t30において、第1のフィールドF1における1行目の画素の選択期間Ts11に入る。このとき、第1の信号S1は低レベル(例えば0V)に変化し、第2の信号S2は低レベル(例えば−110V)を維持し、画素信号Sdは低レベル(例えば0V)を維持している。この状態は、第1及び第2の整流素子D1及びD2が共に逆バイアスされて非導通の状態であり、接続点58での電位Vaは画素信号Sdのレベル(0V)となる。容量性負荷60の両端には、0Vが印加された状態が維持される。
First, at time t30, the pixel enters a selection period Ts11 of a pixel in the first row in the first field F1. At this time, the first signal S1 changes to a low level (for example, 0 V), the second signal S2 maintains a low level (for example, -110 V), and the pixel signal Sd maintains a low level (for example, 0 V). I have. This state is a state in which the first and second rectifying elements D1 and D2 are both reverse-biased and non-conductive, and the potential Va at the
次の時点t31において、画素信号Sdが高レベル(例えば100V)に変化すると、第1の整流素子D1が順バイアスされて導通状態となり、容量性負荷60の両端電圧Vcが−100Vまで急峻に降下すると同時に該容量性負荷60にて発光が行われる。この発光状態は、第2の信号S2が立ち上がるまで(時点t36まで)維持される。
At the next time point t31, when the pixel signal Sd changes to a high level (for example, 100V), the first rectifying element D1 is forward-biased and becomes conductive, and the voltage Vc across the
次の時点t32において、画素信号Sdが低レベル(0V)に変化すると、再び第1の整流素子D1が逆バイアスされて非導通の状態となり、接続点58での電位Vaは容量性負荷60の両端電圧Vcと同じ、−100Vになる。
At the next time point t32, when the pixel signal Sd changes to a low level (0 V), the first rectifying element D1 is again reverse-biased and becomes non-conductive, and the potential Va at the
次に時点t33において、第1の信号S1が高レベル(例えば210V)に変化する。これは、次の2行目の選択期間Ts12(1行目の非選択期間)において、2行目の画素42への画素信号Sdが1行目の画素42に影響を与えないようにするための準備処理である。
Next, at time t33, the first signal S1 changes to a high level (for example, 210 V). This is to prevent the pixel signal Sd to the
そして、次の時点t34から2行目の画素の選択期間Ts12(1行目の非選択期間)に入るが、この選択期間Ts12では、1行目の第1の信号S1が高レベルを維持しているため、画素信号Sdのレベルが変化して、接続点58の電位Vaが変化しても、これらのレベルは1行目の第1の信号S1の高レベル以下となっているため、1行目の画素42に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2には逆バイアスがかかり、共に非導通状態が維持される。
Then, the pixel enters a selection period Ts12 (non-selection period of the first row) of the pixels in the second row from the next time point t34. In the selection period Ts12, the first signal S1 in the first row maintains a high level. Therefore, even if the level of the pixel signal Sd changes and the potential Va of the
そのため、1行目の画素42は、2行目の画素42に対する画素信号Sdの影響を受けることがない。しかも、非選択期間において容量性負荷60で消費される電力はほぼゼロであり、低消費電力の効果が大きい。また、容量性負荷60は、非選択期間に電荷を保持し続けることから、発光を持続させることができ、高輝度化、高コントラスト化を実現できる。
Therefore, the
時点t35から1行目の画素42のリセット期間Tr11に入り、画素信号Sdが高レベル(例えば100V)に変化すると、接続点58の電位Vaが0Vまで上昇する。このとき、第1の信号S1が高レベルを維持しているため、容量性負荷60の両端電圧Vcは変化しない。
When the reset period Tr11 of the
次の時点t36において、1行目の第2の信号S2が高レベル(例えば100V)に変化すると、第2の整流素子D2が順バイアスされて導通状態となり、接続点58の電位Vaは0Vから100Vまで急峻に上昇する。これにより、容量性負荷60の両端電圧Vcが0Vまで急峻に上昇し、最初のリセット状態となる。
At the next time point t36, when the second signal S2 in the first row changes to a high level (for example, 100V), the second rectifying element D2 is forward-biased and becomes conductive, and the potential Va at the
次の時点t37において、1行目の第2の信号S2が低レベル(例えば−110V)に変化すると、再び第2の整流素子D2が逆バイアスされて非導通の状態となり、接続点58での電位Vaは100Vを維持し、容量性負荷60の両端電圧Vcも0Vに維持される。
At the next time point t37, when the second signal S2 in the first row changes to a low level (for example, −110 V), the second rectifying element D2 is reverse-biased again to be in a non-conductive state. The potential Va is maintained at 100V, and the voltage Vc across the
次の2行目の画素42に対するリセット期間Tr12を経て、次の時点t38において、第2のフィールドF2における1行目の画素42の選択期間Ts21に入る。このとき、第1の信号S1は高レベル(例えば210V)を維持し、第2の信号S2は高レベル(例えば100V)に変化し、画素信号Sdは高レベル(例えば100V)を維持している。この状態は、第1及び第2の整流素子D1及びD2が共に逆バイアスされて非導通の状態であり、接続点58での電位Vaは画素信号Sdのレベル(100V)となる。容量性負荷60の両端には、0Vが印加された状態が維持される。
After a reset period Tr12 for the
次の時点t39において、画素信号Sdが低レベル(例えば0V)に変化すると、第2の整流素子D2が順バイアスされて導通状態となり、容量性負荷60の両端電圧Vcが100Vまで急峻に上昇すると同時に該容量性負荷60にて発光が行われる。この発光状態は、第1の信号S1が立ち下がるまで(時点t44まで)維持される。
At the next time point t39, when the pixel signal Sd changes to a low level (for example, 0V), the second rectifying element D2 is forward-biased and becomes conductive, and when the voltage Vc across the
次の時点t40において、画素信号Sdが高レベル(100V)に変化すると、再び第2の整流素子D2が逆バイアスされて非導通の状態となり、接続点58での電位Vaは、容量性負荷60の両端電圧Vcに画素信号Sdの電圧が加わった電圧と同じ、200Vになる。
At the next time point t40, when the pixel signal Sd changes to a high level (100 V), the second rectifying element D2 is again reverse-biased and becomes non-conductive, and the potential Va at the
次の時点t41において、第2の信号S2が低レベル(例えば−110V)に変化する。 At the next time point t41, the second signal S2 changes to a low level (for example, -110 V).
そして、次の時点t42から2行目の画素の選択期間Ts22(1行目の非選択期間)に入るが、この選択期間Ts22では、1行目の第1の信号S1が高レベルを維持しているため、画素信号Sdのレベルが変化して、接続点58の電位Vaが変化しても、これらのレベルは1行目の第1の信号S1の高レベル以下となっているため、1行目の画素42に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2には逆バイアスがかかり、共に非導通状態が維持される。
Then, a selection period Ts22 (non-selection period of the first row) of the pixels of the second row is entered from the next time point t42. In the selection period Ts22, the first signal S1 of the first row is maintained at a high level. Therefore, even if the level of the pixel signal Sd changes and the potential Va of the
そのため、1行目の画素42は、2行目の画素42に対する画素信号Sdの影響を受けることがない。
Therefore, the
時点t43から1行目の画素42のリセット期間Tr21に入り、画素信号Sdが低レベル(例えば0V)に変化すると、接続点58の電位Vaが100Vまで降下する。このとき、第1の信号S1が高レベルを維持しているため、容量性負荷60の両端電圧Vcは変化しない。
When the reset period Tr21 of the
次の時点t44において、1行目の第1の信号S1が低レベル(例えば0V)に変化すると、第1の整流素子D1が順バイアスされて導通状態となり、接続点58の電位Vaは100Vから0Vまで急峻に下がる。これにより、容量性負荷60の両端電圧Vcが0Vまで急峻に降下し、最初のリセット状態となる。
At the next time point t44, when the first signal S1 in the first row changes to a low level (for example, 0V), the first rectifying element D1 is forward-biased and becomes conductive, and the potential Va at the
次の時点t45において、1行目の第1の信号S1が高レベル(例えば210V)に変化すると、再び第1の整流素子D1が逆バイアスされて非導通の状態となり、接続点58での電位Vaは0Vを維持し、容量性負荷60の両端電圧Vcも0Vが維持される。
At the next time point t45, when the first signal S1 in the first row changes to a high level (for example, 210 V), the first rectifying element D1 is reverse-biased again and becomes non-conductive, and the potential at the
この駆動方式を例えば4行走査に適用する場合、図26Aに示す方式あるいは図26Bに示す方式を採用することができる。 When this driving method is applied to, for example, four-row scanning, the method shown in FIG. 26A or the method shown in FIG. 26B can be adopted.
図26Aに示す方式は、第1のフィールドF1及び第2のフィールドF2をそれぞれ4つの期間(サブフィールド)に分離し、さらに、1サブフィールドを4つの期間に分離する。最初の3つのサブフィールドでは、各サブフィールドについて、最初の期間に選択期間を設定し、残りの3つの期間に非選択期間を設定する。残りのサブフィールドについては、最初の期間にリセット期間を設定し、残りの3つの期間に非選択期間を設定する。第2のフィールドF2も同様に設定する。この方式の場合、時間階調制御に好適である。 The method shown in FIG. 26A divides each of the first field F1 and the second field F2 into four periods (subfields), and further divides one subfield into four periods. In the first three subfields, for each subfield, a selection period is set in the first period, and a non-selection period is set in the remaining three periods. For the remaining subfields, a reset period is set in the first period, and a non-selection period is set in the remaining three periods. The second field F2 is set similarly. This method is suitable for time gradation control.
一方、図26Bに示す方式は、第1のフィールドF1及び第2のフィールドF2をそれぞれ8つ以上の期間に分離する。例えば第1のフィールドF1において、第1の期間に選択期間を設定し、各フレームの最終期間にリセット期間を設定し、残りの期間に非選択期間を設定する。第2のフィールドF2も同様に設定する。この方式によれば、リセット期間後の非選択期間における消光時間をなくし、輝度向上の効果がある。 On the other hand, the method shown in FIG. 26B divides each of the first field F1 and the second field F2 into eight or more periods. For example, in the first field F1, a selection period is set in the first period, a reset period is set in the last period of each frame, and a non-selection period is set in the remaining periods. The second field F2 is set similarly. According to this method, the extinction time in the non-selection period after the reset period is eliminated, and there is an effect of improving luminance.
なお、図26Aに示す方式と図26Bに示す方式とを組み合わせるようにしてもよい。 The method shown in FIG. 26A and the method shown in FIG. 26B may be combined.
そして、画素の階調制御としては、図27A〜図27Cに示す位相変調による方式(時間階調制御)や図28A〜図28Cに示すパルス幅変調による方式、並びに図29A〜図29Cに示す電圧制御による方式がある。 As the gradation control of the pixel, a method based on phase modulation (time gradation control) shown in FIGS. 27A to 27C, a method based on pulse width modulation shown in FIGS. 28A to 28C, and a voltage shown in FIGS. 29A to 29C are used. There is a control method.
位相変調による方式は、図27Aに示すように、画素信号Sdに含まれる正極性のトリガ信号Pt1並びに負極性のトリガ信号Pt2の位相を画素の階調レベルに応じて変調することによって、図27Bに示すように、第2の電圧状態Pn並びに第1の電圧状態Ppの開始時点を変化させる。このときの光出力波形は、図27Cに示すように、光の出力期間がトリガ信号Pt1及びPt2の位相に応じて変化する。 As shown in FIG. 27A, the phase modulation method modulates the phases of the positive trigger signal Pt1 and the negative trigger signal Pt2 included in the pixel signal Sd according to the gray level of the pixel. As shown in (1), the start point of the second voltage state Pn and the start point of the first voltage state Pp are changed. In the light output waveform at this time, as shown in FIG. 27C, the light output period changes according to the phases of the trigger signals Pt1 and Pt2.
パルス幅変調方式は、図28Aに示すように、画素信号Sdのパルス幅W1及びW2を画素の階調レベルに応じて変調することによって、図28Bに示すように、第2の電圧状態Pn並びに第1の電圧状態Ppの振幅を変化させることで、画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させる。このときの光出力波形は、図28Cに示すように、光の出力レベルがパルス幅に応じて変化する。 The pulse width modulation method modulates the pulse widths W1 and W2 of the pixel signal Sd in accordance with the gray level of the pixel as shown in FIG. 28A, and thereby, as shown in FIG. By changing the amplitude of the first voltage state Pp, the light emission luminance of the pixel is changed according to the gradation level. In the light output waveform at this time, as shown in FIG. 28C, the light output level changes according to the pulse width.
電圧制御方式は、図29Aに示すように、画素信号Sdの振幅を画素の階調レベルに応じて制御することによって、図29Bに示すように、第2の電圧状態Pn並びに第1の電圧状態Ppの振幅を変化させることで、画素42の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させる。このときの光出力波形は、図29Cに示すように、光の出力レベルが画素信号Sdの振幅に応じて変化する。
The voltage control method controls the amplitude of the pixel signal Sd according to the gray level of the pixel as shown in FIG. 29A, and thereby the second voltage state Pn and the first voltage state as shown in FIG. 29B. By changing the amplitude of Pp, the light emission luminance of the
この電圧制御方式では、第1のフィールドF1において、画素信号SdのONレベルを例えば80V、OFFレベルを0Vとしたとき、第2のフィールドF2において論理反転して、画素信号SdのONレベルを例えば20V、OFFレベルを100Vというように、任意の階調を表現することができる。 In this voltage control method, when the ON level of the pixel signal Sd is, for example, 80 V and the OFF level is 0 V in the first field F1, it is logically inverted in the second field F2, and the ON level of the pixel signal Sd is changed, for example. Arbitrary gradations can be expressed, for example, 20 V and the OFF level is 100 V.
特に、この第4の実施の形態に係る表示装置40Dでは、第1のフィールドF1において、容量性負荷60に第2の電圧状態Pnが印加されて発光が行われると、第2の信号S2が高レベルになるまでその発光を維持し、さらに、第2のフィールドF2において、容量性負荷60に第1の電圧状態Ppが印加されて発光が行われると、第1の信号S1が低レベルになるまでその発光を維持する。つまり、2つのフィールドF1及びF2においてメモリ効果を持たせることができる。
In particular, in the display device 40D according to the fourth embodiment, when the second voltage state Pn is applied to the
従って、高輝度を図る上でより有利になる。また、発光が電圧の実効値によって変化する場合も、実効値のダイナミックレンジを大きくとることができ、高輝度化、高コントラスト化をより図ることができる。しかも、容量性負荷として液晶セルを好ましく採用することができる。また、同じ実効値を得るための電圧が小さくて済むことから、低電圧化が可能となる。すなわち、マトリックス駆動では、行走査をしながら各画素に対して所定の電圧を印加していくが、画素の接続される行の選択期間内だけ所定の実効値を得るには、画素への印加電圧として高い電圧が必要となる。それに対して、第1〜第4の実施の形態に係る表示装置40A〜40Dにおいては、行の選択期間のみならず、画素が非選択状態の時間も電圧を保持し続けるため、同じ実効値を得るのに印加電圧(絶対値)が小さくて済むという利点がある。
Therefore, it is more advantageous in achieving high luminance. Further, even when the light emission changes according to the effective value of the voltage, the dynamic range of the effective value can be widened, and higher luminance and higher contrast can be achieved. In addition, a liquid crystal cell can be preferably used as the capacitive load. In addition, since the voltage for obtaining the same effective value can be reduced, the voltage can be reduced. That is, in the matrix driving, a predetermined voltage is applied to each pixel while performing row scanning. However, in order to obtain a predetermined effective value only during a selection period of a row to which the pixel is connected, it is necessary to apply a predetermined voltage to the pixel. A high voltage is required as the voltage. On the other hand, in the
なお、第1の電圧と第2の電圧とで、上述のように電圧値の絶対値やパルス幅を同じに設定することもできるし、異なる値やパルス幅に設定することも容易である。すなわち、第1のフィールドF1と第2のフィールドF2とで、画素信号Sdをそれぞれ論理反転するように制御しているところを、別々の信号として制御すればよい。 The absolute value of the voltage value and the pulse width can be set to the same value for the first voltage and the second voltage, as described above, or it is easy to set different values and pulse widths. In other words, it is only necessary to control the pixel signal Sd in the first field F1 and the second field F2 so that they are logically inverted, as separate signals.
上述した第2の実施の形態に係る表示装置40B並びに第4の実施の形態に係る表示装置40Dにおいて、容量性負荷60に並列に抵抗を接続し、選択時に容量性負荷60に充電された電荷を、非選択時に抵抗を通じて放電させるようにしてもよい。
In the
この場合、容量性負荷60と前記抵抗の時定数を適当に設定しておき、放電時間を有効に利用する。例えば、液晶表示素子においては、非選択期間に電圧が放電されてゼロに戻り、光透過率も元の値に戻るが、上述した例では、光透過率の時間平均値が選択期間に充電する電圧によって(又は選択期間に充電する回数によって)制御可能であるため、階調表現が可能である。しかも、リセット期間を設けることなく、容量性負荷60に充電された電荷をゼロに戻すことができるという利点がある。
In this case, the time constant of the
なお、例えば圧電材料を用いて変位を制御する場合においては、変位−電圧特性がヒステリシスを有しており、電圧を印加して変位を生じさせ、その後、電圧をゼロに戻しても変位が保持されている場合等にも有効である。また、例えば液晶表示素子において、電圧を印加して光透過率を低下させ、その後、電圧をゼロに戻しても光透過率が低下した状態を保持している場合にも有効である。 In the case of controlling displacement using a piezoelectric material, for example, the displacement-voltage characteristic has hysteresis, the displacement is generated by applying a voltage, and then the displacement is maintained even when the voltage is returned to zero. It is also effective in the case where it is done. Further, for example, in a liquid crystal display element, the present invention is also effective in a case where a voltage is applied to lower the light transmittance, and then the state where the light transmittance is lowered is maintained even when the voltage is returned to zero.
さらに、第1〜第4の実施の形態に係る表示装置40A〜40Dでは、画素に交番的に電圧を印加することができる。画像パターンによらず画素の印加電圧から直流成分を排除したい場合に、効果的に用いられる。交流駆動方式を利用する表示素子に特に好ましく用いられ、液晶表示素子、エレクトロルミネッセンス表示素子には特に好適である。
Further, in the
次に、本実施の形態に係る回路素子10と信号処理回路30を位置制御系の装置に適用した実施の形態例について図30〜図35Bを参照しながら説明する。
Next, an embodiment in which the
この実施の形態に係る位置制御装置90の回路素子10は、図30に示すように、第1の線80と第2の線82との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子D1及びD2と、第1及び第2の整流素子D1及びD2の接続点58と信号線48との間に接続された負荷92とを有する。この負荷92は、インダクタ94と抵抗96とが直列接続された構成を有する。
As shown in FIG. 30, the
インダクタ94と抵抗96とから構成される位置制御系のモデル98を図31に示す。このモデルは、天井からばね100を介して接続された制御対象102の位置Pが、インダクタ94に流れる電流iにより生成される磁界によって制御されることを示す。すなわち、図32に示すように、インダクタ94に流れる電流iの大きさ並びに方向によって、前記位置Pを正方向(上方向)並びに負方向(下方向)に変化させることができる。つまり、少なくともインダクタ94は、制御対象の変位制御素子として機能することになる。
FIG. 31 shows a
インダクタに流れる電流iは、負荷92の両端電圧Vcと抵抗Rによって決まる。過渡状態を除けば、前記両端電圧VcはVc=Riとなる。
The current i flowing through the inductor is determined by the voltage Vc across the
そして、この位置制御装置90では、図33に示すように、例えば1行目の回路素子10の選択期間Ts1を2つの期間(正方向期間Ts1pと負方向期間Ts1n)に分離し、制御対象102を正方向に移動させる場合は、正方向期間Ts1pにおいて制御対象102を駆動し、制御対象102を負方向に移動させる場合は、負方向期間Ts1nにおいて制御対象102を駆動するように制御する。
In the
ここで、前記位置制御装置90の駆動方式について、2行走査を例にとって図33及び図34を参照しながら説明する。なお、図33及び図34の波形は、1行目の回路素子10に関するタイミングチャートであって、特に、図33は、制御対象を正方向に変位駆動させる場合のタイミングチャートを示し、図34は、制御対象を負方向に変位駆動させる場合のタイミングチャートを示す。
Here, the driving method of the
まず、図33の時点t60において、1行目の回路素子10の選択期間Ts1における正方向期間Ts1pに入る。このとき、第1の信号S1は高レベル(例えば10V)を維持し、第2の信号S2は低レベル(例えば0V)を維持し、データ信号SDは高レベル(例えば10V)を維持している。この状態は、第1及び第2の整流素子D1及びD2が共に逆バイアスされて非導通の状態であり、接続点58での電位Vaは、データ信号SDのレベル(10V)と同じになる。その結果、負荷92の両端電圧Vcは0Vの状態が維持される。
First, at time t60 in FIG. 33, the operation enters the positive direction period Ts1p in the selection period Ts1 of the
次の時点t61において、第1の信号S1が低レベル(例えば0V)に変化すると、第1の整流素子D1が順バイアスされて導通状態となり、接続点58の電位Vaが0Vまで急峻に降下すると同時に、負荷92の両端電圧Vcが高レベル(例えば10V)まで急峻に上昇し、これにより、インダクタ94に正方向に電流が流れ、制御対象102は正方向に移動する。
At the next time point t61, when the first signal S1 changes to a low level (for example, 0V), the first rectifying element D1 is forward-biased and becomes conductive, and when the potential Va of the
次の時点t62において、第1の信号S1が高レベル(例えば10V)に変化すると、再び第1の整流素子D1が逆バイアスされて非導通状態となり、接続点58の電位Vaが10Vまで急峻に上昇すると同時に、負荷92の両端電圧Vcが低レベル(例えば0V)まで急峻に降下し、制御対象102は元の位置(ゼロ点)に向かって移動する。
At the next time point t62, when the first signal S1 changes to a high level (for example, 10 V), the first rectifying element D1 is reverse-biased again and becomes non-conductive, and the potential Va of the
次の時点t63において、1行目の回路素子10の負方向期間Ts1nに入る。この期間Ts1nでは、データ信号SDが高レベル(例えば10V)を維持していることから、その後の時点t64において、第2の信号S2が高レベル(例えば10V)に変化したとしても、第1及び第2の整流素子D1及びD2は共に非導通の状態のままであり、負荷92の両端電圧Vcは0Vの状態が維持される。すなわち、制御対象102はゼロ点に停止したままである。
At the next time point t63, the operation enters the negative direction period Ts1n of the
次の時点t65において、2行目の回路素子10の選択期間Ts2(1行目の非選択期間)に入るが、この選択期間Ts2では、1行目の第1の信号S1が高レベルを維持しているため、データ信号SDのレベルが変化して、接続点58の電位Vaが変化しても、これらのレベルは1行目の第1の信号S1の高レベル以下となっているため、1行目の回路素子10に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2は共に非導通状態が維持される。
At the next time point t65, the selection period Ts2 (non-selection period of the first row) of the
そのため、1行目の回路素子10は、2行目の回路素子10に対するデータ信号SDの影響を受けることがない。しかも、非選択期間において負荷92へ流れる電流iはほぼゼロであり、消費電力も小さくできる。
Therefore, the
次に、負方向への変位制御は、まず、図34の時点t70において、1行目の回路素子10の選択期間Ts1に入る。この時点t70では、第1の信号S1は高レベル(例えば10V)を維持し、第2の信号S2は低レベル(例えば0V)を維持し、データ信号SDは低レベル(例えば0V)に変化する。このとき、第1及び第2の整流素子D1及びD2が共に非導通状態となっていることから、接続点の電位Vaは0Vまで急峻に降下する。その結果、負荷92の両端電圧Vcは0Vの状態が維持される。
Next, in the displacement control in the negative direction, first, at a time point t70 in FIG. 34, a selection period Ts1 of the
次の時点t71において、第1の信号S1が低レベル(例えば0V)に変化しても、接続点の電位Vaは依然0Vが維持されることから、負荷92の両端電圧Vcは0Vの状態が維持される。
At the next time point t71, even if the first signal S1 changes to a low level (for example, 0V), the potential Va at the connection point is still maintained at 0V, so that the voltage Vc across the
次の時点t72において、第1の信号S1が高レベルに変化すると、第1の整流素子D1が逆バイアスされて非導通となり、接続点の電位Vaは依然0Vが維持され、負荷92の両端電圧Vcは0Vの状態が維持される。
At the next time point t72, when the first signal S1 changes to a high level, the first rectifying element D1 is reverse-biased and becomes non-conductive, the potential Va at the connection point is still maintained at 0 V, and the voltage across the
次の時点t73において、1行目の回路素子10の負方向期間Ts1nに入り、続く時点t74において、第2の信号S2が高レベル(例えば10V)に変化すると、第2の整流素子D2が導通状態となり、接続点58の電位Vaが10Vまで急峻に上昇すると同時に、負荷92の両端電圧Vcが低レベル(例えば−10V)まで急峻に降下し、これにより、インダクタ94に負方向に電流が流れ、制御対象102は負方向に移動する。
At the next time point t73, the negative direction period Ts1n of the
次の時点t75において、第2の信号S2が低レベル(例えば0V)に変化すると、再び第2の整流素子D2が逆バイアスされて非導通状態となり、接続点58の電位Vaが0Vまで急峻に降下すると同時に、負荷92の両端電圧Vcが高レベル(例えば0V)まで急峻に上昇し、制御対象102は元の位置(ゼロ点)に向かって移動する。
At the next time point t75, when the second signal S2 changes to a low level (for example, 0 V), the second rectifying element D2 is reverse-biased again and becomes non-conductive, and the potential Va of the
次の時点t76において、2行目の回路素子10の選択期間Ts2(1行目の非選択期間)に入るが、この選択期間Ts2では、1行目の第1の信号S1が高レベルを維持しているため、データ信号SDのレベルが変化して、接続点58の電位Vaが変化しても、これらのレベルは1行目の第1の信号S1の高レベル以下となっているため、1行目の回路素子10に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2は共に非導通状態が維持される。
At the next time point t76, the selection period Ts2 (the non-selection period of the first row) of the
そのため、1行目の回路素子10は、2行目の回路素子10に対するデータ信号SDの影響を受けることがない。しかも、非選択期間において負荷92へ流れる電流iはほぼゼロであり、消費電力も小さくできる。
Therefore, the
この駆動方式を例えば4行走査の場合に適用する場合、図35Aに示す方式あるいは図35Bに示す方式を採用することができる。 When this driving method is applied to, for example, the case of four-row scanning, the method shown in FIG. 35A or the method shown in FIG. 35B can be adopted.
図35Aに示す方式は、4行の回路素子10に対してすべて位置制御が完了する期間を1フレームとしたとき、該1フレームを4つの期間に分離し、さらに、第1の期間に正方向期間と負方向期間を設定し、残りの3つの期間に非選択期間を設定する。
In the method shown in FIG. 35A, when the period in which the position control is completed for all four rows of
一方、図35Bに示す方式は、1フレームを2つの期間(第1及び第2のフィールドF1及びF2)に分離し、さらに、第1及び第2のフィールドF1及びF2をそれぞれ4つの期間に分離する。そして、第1のフィールドF1については、第1の期間に正方向期間を設定し、残りの3つの期間に非選択期間を設定する。第2のフィールドF2については、第1の期間に負方向期間を設定し、残りの3つの期間に非選択期間を設定する。 On the other hand, the method shown in FIG. 35B separates one frame into two periods (first and second fields F1 and F2), and further separates the first and second fields F1 and F2 into four periods. I do. Then, for the first field F1, a forward period is set in the first period, and a non-selection period is set in the remaining three periods. For the second field F2, a negative direction period is set in the first period, and a non-selection period is set in the remaining three periods.
また、制御対象102の位置制御としては、電圧制御による方式が好ましく採用される。例えば、制御対象102を正方向に負荷92の両端電圧Vcが10Vに対応する位置まで移動させる場合は、正方向期間において、第1の信号S1のレベルを0V、データ信号SDのレベルを10Vに設定することで、図36Aに示すように、負荷92の両端電圧Vcを正方向に10Vとすることができる。
As the position control of the
一方、制御対象102を負方向に負荷92の両端電圧Vcが8Vに対応する位置まで移動させる場合は、負方向期間において、第2の信号S2のレベルを10V、データ信号SDのレベルを2Vに設定することで、図36Bに示すように、負荷92の両端電圧Vcを負方向に8V(すなわち、−8V)とすることができる。
On the other hand, when the
上述の例では、図32に示すように、電流−位置特性が線形状に変化する場合を示したが、その他、電流i=0を基準としたヒステリシス曲線を描くような特性でもよい。例えば磁化されたコイルが、電流をゼロに戻しても、残留磁化を有している場合にも有効である。この場合、選択期間に流れた電流で所定の位置に移動した後、非選択期間となって電流がゼロとなった場合、残留磁化によって所定の位置をほぼ保持することが可能となる。 In the above-described example, as shown in FIG. 32, the case where the current-position characteristic changes linearly is shown. However, a characteristic that draws a hysteresis curve based on the current i = 0 may be used. For example, the present invention is effective when the magnetized coil has a residual magnetization even if the current is returned to zero. In this case, after moving to a predetermined position by the current flowing in the selection period, when the current becomes zero in the non-selection period, the predetermined position can be substantially held by the residual magnetization.
次に、例えば、変位制御素子として、例えば図37や図38に示す圧電素子の変位−電圧特性と同様の特性を有する素子を容量性負荷に用いて変位制御、位置制御をすることができる。 Next, for example, as a displacement control element, displacement control and position control can be performed by using, as a capacitive load, an element having characteristics similar to the displacement-voltage characteristics of the piezoelectric element shown in, for example, FIGS.
図37の変位−電圧特性を有する圧電素子においては、例えばa点とc点を結ぶ線分で示す部分を利用したり、d点とe点を結ぶ線分で示す部分を利用することで、ほぼ線形的な電圧−変位特性を得ることができ、制御が容易になる。また、図38の変位−電圧特性を有する圧電素子においては、電圧の変化に対する伸びの変位量の変化と、電圧の変化に対する縮みの変位量の変化が異なり、電圧−変位特性にヒステリシスを有することから、カム動作を行わせる場合等に有利である。 In the piezoelectric element having the displacement-voltage characteristic of FIG. 37, for example, by using a portion indicated by a line segment connecting points a and c, or by using a portion indicated by a line segment connecting points d and e, A substantially linear voltage-displacement characteristic can be obtained, and control becomes easy. In the piezoelectric element having the displacement-voltage characteristic shown in FIG. 38, the change in the amount of elongation with respect to the change in voltage is different from the change in the amount of contraction with respect to the change in voltage, and the voltage-displacement characteristic has hysteresis. Therefore, it is advantageous when performing a cam operation.
図37や図38に示す圧電素子の変位−電圧特性と同様の特性を有する変位制御素子を用いた装置の例としては、図39に示すように、縦方向に複数の光導波路110a〜110eを並べ、横方向に複数の光導波路112a〜112dを並べ、さらに、各交差部分に光スイッチ114を配置した光スイッチアレイ116が挙げられる。この光スイッチアレイ116は、縦方向に並べられた複数の光導波路110a〜110eにそれぞれ光118a〜118eが入射され、そのうちのいくつかが縦方向に並べられた光導波路112a〜112dから光が出射される例を示す。図39では、1行目の光導波路110aに入射された光118aが2列目の光導波路112bから出射され、2行目の光導波路110bに入射された光118bがそのまま横方向に出射され、3行目の光導波路110cに入射された光118cが1列目の光導波路112aから出射され、4行目の光導波路110dに入射された光118dが3列目の光導波路112cから出射され、5行目の光導波路110eに入射された光118eが4列目の光導波路112dから出射された例を示す。また、図39において、○は、光スイッチ114が第1の状態(114a)にあって、入射された光を横方向に導いている状態を示し、●は、光スイッチ114が第2の状態(114b)にあって、入射された光を縦方向に導いている状態を示す。
As an example of a device using a displacement control element having characteristics similar to the displacement-voltage characteristics of the piezoelectric element shown in FIGS. 37 and 38, as shown in FIG. 39, a plurality of
第1の状態(114a)を実現するには、図40Aに示すように、変位制御素子(図示せず)に接続された反射板120を、行方向に延びる光導波路110と列方向に延びる光導波路112との交差部分122に挿入させないようにすればよく、第2の状態(114b)を実現するには、図40Bに示すように、変位制御素子に接続された反射板120を前記交差部分122に挿入させればよい。
To realize the first state (114a), as shown in FIG. 40A, a reflecting
この変位制御素子の駆動方法は、上述した第1〜第4の実施の形態に係る表示装置40A〜40Dと同様の駆動方法によって容易に実現させることができる。
The driving method of the displacement control element can be easily realized by the same driving method as the
変位を制御するために、上記のような圧電材料のほかに、一対の電極を対向させ、電極間に電圧を印加したときに働く静電気力によって電極間の距離を変化させる方法を用いてもよい。 In order to control the displacement, in addition to the above-described piezoelectric material, a method in which a pair of electrodes are opposed to each other and a distance between the electrodes is changed by an electrostatic force acting when a voltage is applied between the electrodes may be used. .
次に、図41に示すように、残留磁束の大きい(ヒステリシスの大きい)B−H特性を持つコイルを使用した変位制御素子の駆動方法について説明する。残留磁束が大きいとは、B−H曲線にヒステリシスを持ち、飽和磁束密度と残留磁束密度がほぼ同じになることを示す。なお、この変位制御素子を有する位置制御装置の回路構成は図30に示す構成とほぼ同じ構成を有する。 Next, a method of driving a displacement control element using a coil having a BH characteristic having a large residual magnetic flux (a large hysteresis) as shown in FIG. 41 will be described. A large residual magnetic flux indicates that the BH curve has a hysteresis and that the saturation magnetic flux density and the residual magnetic flux density are substantially the same. The circuit configuration of the position control device having this displacement control element has almost the same configuration as the configuration shown in FIG.
まず、図41に示すB−H曲線のうち、磁界(H)はコイルに流れる電流iに相当し、磁束密度(B)は制御対象の変位量に相当することから、例えば点Fに示す残留磁束密度を得たい場合、選択期間にe点の電流を流すように電圧レベルを設定する。この場合、変位制御素子の動作点は点Eに動く。非選択期間に電流が遮断されると、動作点は点Fに動く。すなわち、制御対象は、点Fに示す残留磁束密度に対応した位置に変位する。 First, in the BH curve shown in FIG. 41, the magnetic field (H) corresponds to the current i flowing through the coil, and the magnetic flux density (B) corresponds to the amount of displacement of the control object. To obtain a magnetic flux density, the voltage level is set so that the current at point e flows during the selection period. In this case, the operating point of the displacement control element moves to the point E. When the current is cut off during the non-selection period, the operating point moves to the point F. That is, the control target is displaced to a position corresponding to the residual magnetic flux density shown at the point F.
この変位制御素子への駆動電圧の印加は、交番的に印加して、例えばF点とその極性を反転させた点Hとを対にして使用してもよい。あるいは正負で異なる電圧レベルを有する駆動電圧を印加して、例えば負極性側はリセット状態として、点Dを常に通り、正極性側で点B、点F又は点Jを通るように制御するようにしてもよい。 The drive voltage may be applied to the displacement control element alternately, and for example, point F and point H whose polarity is inverted may be used as a pair. Alternatively, a drive voltage having a different voltage level between positive and negative is applied, and for example, the negative polarity side is controlled to be in a reset state so as to always pass through the point D and pass through the point B, F or J on the positive polarity side. You may.
ここで、図41に示すB−H特性を持つコイルを使用した変位制御素子を含む回路素子10の駆動方法の一例について図42を参照しながら説明する。
Here, an example of a method of driving the
この駆動方法では、図42に示すように、例えば1行目の回路素子10の選択期間であって、かつ、正方向期間Ts1pが到来し、その後、例えば2行目の回路素子10の選択期間であって、かつ、正方向期間Ts2p(1行目の回路素子10の非選択期間Ts1u)となり、その後、1行目の回路素子10の選択期間であって、かつ、負方向期間Ts1nが到来し、その後、例えば2行目の回路素子の選択期間であって、かつ、負方向期間Ts2n(1行目の回路素子10の非選択期間Ts1u)となる。
In this driving method, as shown in FIG. 42, for example, the selection period of the first row of
まず、図42の時点t80において、1行目の回路素子10の正方向期間Ts1pに入る。このとき、第1の信号S1は低レベル(例えば0V)を維持し、第2の信号S2も低レベル(例えば0V)を維持し、データ信号SDも低レベル(例えば0V)を維持している。この状態は、第1及び第2の整流素子D1及びD2が共に非導通の状態であり、図30に示すように、接続点58での電位Vaは、データ信号SDのレベル(0V)と同じになる。その結果、負荷92の両端電圧は0Vの状態が維持される。
First, at time t80 in FIG. 42, the operation enters the positive direction period Ts1p of the
次の時点t81において、データ信号SDが高レベル(例えば10V)に変化すると、第1の整流素子D1が順バイアスされて導通状態となり、負荷92の両端電圧Vcが高レベル(例えば10V)まで急峻に上昇し、これにより、インダクタ94に正方向に電流が流れ、制御対象102は正方向に移動する。例えば図41の点Aに示す磁束密度に対応した正方向の位置まで移動する。このとき、接続点の電位Vaは0Vを維持している。
At the next time point t81, when the data signal SD changes to a high level (for example, 10 V), the first rectifying element D1 is forward-biased and becomes conductive, and the voltage Vc across the
次の時点t82において、データ信号SDが低レベル(例えば0V)に変化すると、再び第1の整流素子D1が逆バイアスされて非導通状態となり、負荷92の両端電圧Vcが低レベル(例えば0V)まで急峻に降下するが、制御対象は、図41の点Bに示す残留磁束密度に対応した位置に停止している。
At the next time point t82, when the data signal SD changes to a low level (for example, 0V), the first rectifying element D1 is again reverse-biased and becomes non-conductive, and the voltage Vc across the
次の時点t83において、2行目の回路素子10の正方向期間Ts2p(1行目の回路素子の非選択期間Ts1u)に入る。このとき、第1の信号S1は高レベル(例えば10V)に変化する。従って、この正方向期間Ts2pにおいては、データ信号SDのレベルが変化して、接続点58の電位Vaが変化しても、これらのレベルは1行目の第1の信号S1の高レベル以下で、且つ、1行目の第2の信号S2の低レベル以上となっているため、1行目の回路素子10に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2は共に非導通状態が維持される。つまり、制御対象102は、図41の点Bに示す残留磁束密度に対応した位置に停止している。
At the next time point t83, it enters the positive direction period Ts2p of the
次の時点t84において、1行目の回路素子10の負方向期間Ts1nに入る。このとき、第1の信号S1は高レベルを維持し、第2の信号S2は高レベル(例えば10V)に変化し、データ信号SDは高レベル(例えば10V)に変化する。この場合、接続点58での電位Vaは、データ信号SDのレベル(10V)と同じになり、1行目の回路素子10に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2は共に非導通状態が維持される。つまり、制御対象は、図41の点Bに示す残留磁束密度に対応した位置に停止している。
At the next time point t84, the operation enters the negative direction period Ts1n of the
次の時点t85において、データ信号SDが低レベル(例えば0V)に変化すると、第2の整流素子D2が順バイアスされて導通状態となり、負荷92の両端電圧Vcが低レベル(例えば−10V)まで急峻に下降し、これにより、インダクタ94に負方向に電流が流れ、制御対象102は負方向に移動する。例えば図41の点Cに示す磁束密度に対応した負方向の位置まで移動する。このとき、接続点の電位Vaは10Vを維持している。
At the next time point t85, when the data signal SD changes to a low level (for example, 0 V), the second rectifying element D2 is forward-biased and becomes conductive, and the voltage Vc across the
次の時点t86において、データ信号SDが高レベル(例えば10V)に変化すると、再び第2の整流素子D2が逆バイアスされて非導通状態となり、負荷92の両端電圧Vcが0Vまで急峻に上昇するが、制御対象は、図41の点Dに示す残留磁束密度に対応した位置に停止している。
At the next time point t86, when the data signal SD changes to a high level (for example, 10 V), the second rectifying element D2 is again reverse-biased and becomes non-conductive, and the voltage Vc across the
次の時点t87において、2行目の回路素子10の負方向期間Ts2n(1行目の回路素子の非選択期間Ts1u)に入る。このとき、第2の信号S2は低レベル(例えば0V)に変化する。従って、この負方向期間Ts2nにおいては、データ信号SDのレベルが変化しても、そのレベルは1行目の第1の信号S1の高レベル以下で、且つ、1行目の第2の信号S2の低レベル以上となっているため、1行目の回路素子10に関する第1及び第2の整流素子D1及びD2は共に非導通状態が維持される。つまり、制御対象は、図41の点Dに示す残留磁束密度に対応した位置に停止している。
At the next time point t87, it enters the negative direction period Ts2n of the
このように、1行目の回路素子10は、2行目の回路素子10に対するデータ信号SDの影響を受けることがなく、しかも、図41に示すB−H特性の残留磁束密度を利用して、制御対象の位置を維持することができる。つまり、非選択期間にはインダクタ94には電流が流れないため、残留磁化によって制御対象102の位置が変化することなく保持される。また、非選択期間において負荷92へ流れる電流iはほぼゼロであり、消費電力も小さくできる。
As described above, the
なお、本発明に係る回路素子、信号処理回路、制御装置、表示装置、表示装置の駆動方法、回路素子の駆動方法及び制御装置の駆動方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。 Note that the circuit element, the signal processing circuit, the control device, the display device, the display device driving method, the circuit element driving method, and the control device driving method according to the present invention are not limited to the above-described embodiments. Of course, various configurations can be adopted without departing from the gist.
10…回路素子 12…第1の配線
14…第2の配線 16…第3の配線
18、58…接続点 20、92…負荷
30…信号処理回路 40A〜40D…表示装置
42…画素 44…表示部
46…選択線 48…信号線
50…リセット線 60…容量性負荷
70…放電指示線 80…第1の線
82…第2の線 90…位置制御装置
94…インダクタ D1…第1の整流素子
D2…第2の整流素子
DESCRIPTION OF
Claims (43)
第2の配線と、
第3の配線と、
前記第1の配線と前記第2の配線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、
前記第1及び第2の整流素子の接続点と前記第3の配線との間に接続された負荷とを有することを特徴とする回路素子。 A first wiring;
A second wiring;
A third wiring;
First and second rectifying elements serially connected in a forward direction between the first wiring and the second wiring, respectively;
A circuit element having a load connected between a connection point of the first and second rectifiers and the third wiring.
前記第1の配線の電位をV1、前記第2の配線の電位をV2としたとき、
動作期間の全期間にわたって
V1≧V2
であることを特徴とする回路素子。 The circuit element according to claim 1,
When the potential of the first wiring is V1 and the potential of the second wiring is V2,
V1 ≧ V2 over the entire operation period
A circuit element, characterized in that:
前記動作期間に、前記第3の配線から前記負荷に電流が流れる第1の期間が設定されていることを特徴とする回路素子。 The circuit element according to claim 2,
A circuit element, wherein a first period in which a current flows from the third wiring to the load is set in the operation period.
前記接続点の電位をV3としたとき、
前記第1の期間に、
V1<V3
を満足することを特徴とする回路素子。 The circuit element according to claim 3,
When the potential at the connection point is V3,
In the first period,
V1 <V3
A circuit element characterized by satisfying the following.
前記動作期間に、前記第2の配線から前記負荷に電流が流れる第2の期間が設定されていることを特徴とする回路素子。 The circuit element according to claim 2,
A circuit element, wherein a second period in which a current flows from the second wiring to the load is set in the operation period.
前記接続点の電位をV3としたとき、
前記第2の期間に、
V2>V3
を満足することを特徴とする回路素子。 The circuit element according to claim 5,
When the potential at the connection point is V3,
In the second period,
V2> V3
A circuit element characterized by satisfying the following.
前記動作期間に、前記負荷への導通を禁止する第3の期間が設定されていることを特徴とする回路素子。 The circuit element according to claim 2,
A circuit element, wherein a third period for inhibiting conduction to the load is set in the operation period.
前記接続点の電位をV3としたとき、
前記第3の期間に、
V2≦V3≦V1
を満足することを特徴とする回路素子。 The circuit element according to claim 7,
When the potential at the connection point is V3,
In the third period,
V2 ≦ V3 ≦ V1
A circuit element characterized by satisfying the following.
前記整流素子がダイオードであることを特徴とする回路素子。 The circuit element according to any one of claims 1 to 8,
A circuit element, wherein the rectifying element is a diode.
前記ダイオードが薄膜ダイオードであることを特徴とする回路素子。 The circuit element according to claim 9,
A circuit element, wherein the diode is a thin film diode.
前記薄膜ダイオードがMIM素子であることを特徴とする回路素子。 The circuit element according to claim 10,
A circuit element, wherein the thin film diode is an MIM element.
(1)前記回路素子は、
第1の配線と、
第2の配線と、
第3の配線と、
前記第1の配線と前記第2の配線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、
前記第1及び第2の整流素子の接続点と前記第3の配線との間に接続された負荷とを有し、
(2)前記制御回路は、
少なくとも前記第1の配線の電位と前記第2の配線の電位を制御することを特徴とする信号処理回路。 A signal processing circuit having a circuit element and a control circuit,
(1) The circuit element includes:
A first wiring;
A second wiring;
A third wiring;
First and second rectifying elements serially connected in a forward direction between the first wiring and the second wiring, respectively;
A load connected between a connection point of the first and second rectifying elements and the third wiring,
(2) The control circuit includes:
A signal processing circuit which controls at least a potential of the first wiring and a potential of the second wiring.
(1)前記回路素子は、
第1の配線と、
第2の配線と、
第3の配線と、
前記第1の配線と前記第2の配線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、
前記第1及び第2の整流素子の接続点と前記第3の配線との間に接続された負荷とを有し、
(2)前記制御回路は、前記第1の配線、前記第2の配線及び前記第3の配線の電位を制御することを特徴とする制御装置。 A control device having a plurality of circuit elements and a control circuit,
(1) The circuit element includes:
A first wiring;
A second wiring;
A third wiring;
First and second rectifying elements serially connected in a forward direction between the first wiring and the second wiring, respectively;
A load connected between a connection point of the first and second rectifying elements and the third wiring,
(2) The control device, wherein the control circuit controls potentials of the first wiring, the second wiring, and the third wiring.
前記第1の配線の電位をV1、前記第2の配線の電位をV2としたとき、
動作期間の全期間にわたって
V1≧V2
であることを特徴とする制御装置。 The control device according to claim 13,
When the potential of the first wiring is V1 and the potential of the second wiring is V2,
V1 ≧ V2 over the entire operation period
A control device, characterized in that:
前記動作期間中に、各々の前記回路素子に対して選択期間と非選択期間を設定し、
前記接続点の電位をV3としたとき、
前記非選択期間には、
V2≦V3≦V1
を満足することを特徴とする制御装置。 The control device according to claim 14,
During the operation period, a selection period and a non-selection period are set for each of the circuit elements,
When the potential at the connection point is V3,
In the non-selection period,
V2 ≦ V3 ≦ V1
A control device characterized by satisfying the following.
前記選択期間には、
V1<V3又はV2>V3
を満足しうることを特徴とする制御装置。 The control device according to claim 15,
In the selection period,
V1 <V3 or V2> V3
A control device characterized by satisfying the following.
前記動作期間中に、各々の前記回路素子に対してリセット期間を設定し、
前記リセット期間には、
V1<V3又はV2>V3
を満足しうることを特徴とする制御装置。 The control device according to claim 16,
During the operation period, a reset period is set for each of the circuit elements,
In the reset period,
V1 <V3 or V2> V3
A control device characterized by satisfying the following.
前記負荷は、該負荷に印加された電圧に基づいて制御対象を変位させる変位制御素子であることを特徴とする制御装置。 The control device according to any one of claims 13 to 17,
The control device, wherein the load is a displacement control element that displaces a control target based on a voltage applied to the load.
前記変位制御素子は、圧電素子を有することを特徴とする制御装置。 The control device according to claim 18,
The said displacement control element has a piezoelectric element, The control apparatus characterized by the above-mentioned.
前記変位制御素子は、インダクタを有し、電圧により該インダクタに流れる電流によって制御される前記インダクタの磁化によって、前記制御対象の変位を制御することを特徴とする制御装置。 The control device according to claim 18,
The control device, wherein the displacement control element has an inductor, and controls a displacement of the control target by magnetization of the inductor, which is controlled by a current flowing through the inductor by a voltage.
前記変位制御素子は、少なくとも一対の対向する電極を有し、前記少なくとも一対の電極間に電圧を印加したときに働く静電気力を利用することを特徴とする制御装置。 The control device according to claim 18,
The control device, wherein the displacement control element has at least a pair of opposing electrodes, and utilizes an electrostatic force that acts when a voltage is applied between the at least one pair of electrodes.
各画素に対してそれぞれ選択/非選択を指示する多数の選択線と、
選択状態にある各画素に対してそれぞれ画素信号を供給する多数の信号線と、
選択状態にある各画素に対してそれぞれリセット信号を供給する多数のリセット線とを有し、
前記各画素は、
前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、いずれか2つの線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、
前記第1及び第2の整流素子の接続点と残りの線との間に接続された負荷とを有することを特徴とする表示装置。 A display unit having a number of pixels,
A large number of selection lines indicating selection / non-selection for each pixel,
A number of signal lines for supplying pixel signals to each pixel in the selected state,
A number of reset lines for supplying a reset signal to each pixel in a selected state,
Each of the pixels is
First and second rectifying elements serially connected in a forward direction between any two of the selection line, the signal line, and the reset line;
A display device comprising: a load connected between a connection point of the first and second rectifying elements and a remaining line.
前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、前記第1の整流素子のカソードが接続される線を第1の線と定義し、前記第2の整流素子のアノードが接続される線を第2の線と定義し、
前記第1の線の電位をV1、前記第2の線の電位をV2としたとき、
動作期間の全期間にわたって
V1≧V2
であることを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 22,
Of the selection line, the signal line, and the reset line, a line to which a cathode of the first rectifier is connected is defined as a first line, and a line to which an anode of the second rectifier is connected. Defined as the second line,
When the potential of the first line is V1 and the potential of the second line is V2,
V1 ≧ V2 over the entire operation period
A display device, characterized in that:
前記動作期間中に、各々の前記画素に対して選択期間と非選択期間を設定し、
前記接続点の電位をV3としたとき、
前記非選択期間には、
V2≦V3≦V1
を満足することを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 23,
During the operation period, a selection period and a non-selection period are set for each of the pixels,
When the potential at the connection point is V3,
In the non-selection period,
V2 ≦ V3 ≦ V1
A display device characterized by satisfying the following.
前記選択期間には、
V1<V3又はV2>V3
を満足しうることを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 24,
In the selection period,
V1 <V3 or V2> V3
A display device characterized by satisfying the following.
前記動作期間中に、各々の前記画素に対してリセット期間を設定し、
前記リセット期間には、
V1<V3又はV2>V3
を満足しうることを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 25,
During the operation period, a reset period is set for each of the pixels,
In the reset period,
V1 <V3 or V2> V3
A display device characterized by satisfying the following.
各画素に対してそれぞれ選択/非選択を指示する多数の選択線と、
選択状態にある各画素に対してそれぞれ画素信号を供給する多数の信号線と、
選択状態にある各画素に対してそれぞれリセット信号を供給する多数のリセット線とを有し、
前記各画素は、
前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、いずれか2つの線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、
前記第1及び第2の整流素子の接続点と残りの線との間に接続された負荷とを有する表示装置の駆動方法であって、
前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、前記第1の整流素子のカソードが接続される線を第1の線と定義し、前記第2の整流素子のアノードが接続される線を第2の線と定義し、
前記第1の線の電位をV1、前記第2の線の電位をV2、前記接続点の電位をV3としたとき、
前記画素のうち、選択状態の画素については、V1<V3又はV2>V3となるように駆動し、
非選択状態の画素については、V2≦V3≦V1となるように駆動することを特徴とする表示装置の駆動方法。 A display unit having a number of pixels,
A large number of selection lines indicating selection / non-selection for each pixel,
A number of signal lines for supplying pixel signals to each pixel in the selected state,
A number of reset lines for supplying a reset signal to each pixel in a selected state,
Each of the pixels is
First and second rectifying elements serially connected in a forward direction between any two of the selection line, the signal line, and the reset line;
A driving method of a display device having a load connected between a connection point of the first and second rectifying elements and a remaining line,
Of the selection line, the signal line, and the reset line, a line to which a cathode of the first rectifier is connected is defined as a first line, and a line to which an anode of the second rectifier is connected. Defined as the second line,
When the potential of the first line is V1, the potential of the second line is V2, and the potential of the connection point is V3,
Of the pixels, the selected pixels are driven so that V1 <V3 or V2> V3,
A method for driving a display device, wherein pixels in a non-selected state are driven so that V2 ≦ V3 ≦ V1.
前記画素は、
前記負荷に対して、第1電圧状態と第2電圧状態が印加されることで、前記第2電圧状態の印加期間で発光が行われる発光特性を有することを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 27,
The pixel is
A driving method of a display device, characterized by having a light emission characteristic in which light is emitted during an application period of the second voltage state by applying a first voltage state and a second voltage state to the load.
前記画素に供給される前記画素信号のパルス幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第2電圧状態の終了時点を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 28,
The end point of the second voltage state is changed by modulating the pulse width of the pixel signal supplied to the pixel in accordance with the gray level of the pixel, so that the light emission luminance of the pixel is adjusted to the gray level. A method for driving a display device, wherein the method is changed according to a level.
前記画素に供給される前記画素信号の振幅を該画素の階調レベルに応じて制御することによって、前記第2電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 28,
By controlling the amplitude of the pixel signal supplied to the pixel according to the gray level of the pixel, the amplitude of the second voltage state is changed, so that the light emission luminance of the pixel is changed to the gray level. A method for driving a display device, wherein the method is changed in accordance with the method.
前記画素に供給される前記画素信号に含まれるトリガ信号の位相を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第2電圧状態の開始時点を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 28,
By modulating the phase of the trigger signal included in the pixel signal supplied to the pixel according to the gray level of the pixel, the start time of the second voltage state is changed, and the light emission luminance of the pixel is changed. Is changed according to the gradation level.
前記画素に供給される前記画素信号のパルス幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第2電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 28,
By modulating the pulse width of the pixel signal supplied to the pixel in accordance with the gradation level of the pixel, thereby changing the amplitude of the second voltage state, the light emission luminance of the pixel is reduced to the gradation level. A method for driving a display device, the method comprising:
前記画素が、所定期間に対する前記第1電圧状態の期間のデューティ比に応じて光量が変化する特性を有する場合に、
前記画素に供給される前記画素信号に含まれるトリガ信号の位相を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態のパルス幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 28,
When the pixel has a characteristic that a light amount changes according to a duty ratio in a period of the first voltage state with respect to a predetermined period,
By modulating the phase of a trigger signal included in the pixel signal supplied to the pixel in accordance with the gray level of the pixel, the pulse width of the first voltage state is changed, so that the light emission luminance of the pixel is changed. Is changed according to the gradation level.
前記画素が、前記第1電圧状態での蓄積電圧に応じて光量が変化する特性を有する場合に、
前記画素に供給される前記画素信号のパルス幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 28,
When the pixel has a characteristic that a light amount changes according to an accumulation voltage in the first voltage state,
By modulating the pulse width of the pixel signal supplied to the pixel in accordance with the gradation level of the pixel, thereby changing the amplitude of the first voltage state, the light emission luminance of the pixel is reduced to the gradation level. A method for driving a display device, the method comprising:
前記画素が、前記第1電圧状態での蓄積電圧に応じて光量が変化する特性を有する場合に、
前記画素に供給される前記画素信号の振幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 28,
When the pixel has a characteristic that a light amount changes according to an accumulation voltage in the first voltage state,
By modulating the amplitude of the pixel signal supplied to the pixel according to the gray level of the pixel, the amplitude of the first voltage state is changed, so that the light emission luminance of the pixel is changed to the gray level. A method for driving a display device, wherein the method is changed in accordance with the method.
前記負荷に対して、前記第1電圧状態と前記第2電圧状態を連続して印加することを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to any one of claims 28 to 35,
A driving method for a display device, wherein the first voltage state and the second voltage state are continuously applied to the load.
前記画素は、
前記負荷に対して、第1電圧状態と、基準電圧状態と、前記第1電圧状態とは逆極性の第2電圧状態とが印加されることで、少なくとも前記第1電圧状態の印加期間と前記第2電圧状態の印加期間で発光が行われる発光特性を有することを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 27,
The pixel is
By applying a first voltage state, a reference voltage state, and a second voltage state having a polarity opposite to the first voltage state to the load, at least an application period of the first voltage state and the A method for driving a display device, wherein the display device has a light emission characteristic in which light emission is performed in an application period of a second voltage state.
前記画素に供給される前記画素信号に含まれるトリガ信号の位相を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態の開始時点と前記第2電圧状態の開始時点を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 37,
The start time of the first voltage state and the start time of the second voltage state are changed by modulating the phase of a trigger signal included in the pixel signal supplied to the pixel according to the gray level of the pixel. A driving method of the display device, wherein the light emission luminance of the pixel is changed in accordance with the gradation level.
前記画素に供給される前記画素信号のパルス幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態の振幅と前記第2電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 37,
The amplitude of the first voltage state and the amplitude of the second voltage state are changed by modulating a pulse width of the pixel signal supplied to the pixel in accordance with a gradation level of the pixel, whereby the pixel Wherein the light emission luminance of the display device is changed according to the gradation level.
前記画素に供給される前記画素信号の振幅を該画素の階調レベルに応じて変調することによって、前記第1電圧状態の振幅と前記第2電圧状態の振幅を変化させることで、前記画素の発光輝度を前記階調レベルに応じて変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 The method for driving a display device according to claim 37,
By modulating the amplitude of the pixel signal supplied to the pixel in accordance with the gray level of the pixel, the amplitude of the first voltage state and the amplitude of the second voltage state are changed, so that the A method for driving a display device, wherein light emission luminance is changed according to the gradation level.
前記各回路素子は、
前記第1の配線、前記第2の配線及び前記第3の配線のうち、いずれか2つの配線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、
前記第1及び第2の整流素子の接続点と残りの配線との間に接続された負荷とを有する回路素子の駆動方法であって、
前記第1の配線、前記第2の配線及び前記第3の配線のうち、前記第1の整流素子のカソードが接続される線を第1の線と定義し、前記第2の整流素子のアノードが接続される線を第2の線と定義し、
前記第1の線の電位をV1、前記第2の線の電位をV2、前記接続点の電位をV3としたとき、
前記回路素子のうち、選択状態の回路素子については、V1<V3又はV2>V3となるように駆動し、
非選択状態の回路素子については、V2≦V3≦V1となるように駆動することを特徴とする回路素子の駆動方法。 It has a plurality of circuit elements, a plurality of first wirings, a plurality of second wirings, and a plurality of third wirings, and at least one of the first wiring and the second wiring is Wiring for instructing selection / non-selection of each circuit element,
Each of the circuit elements,
First and second rectifying elements serially connected in series in a forward direction between any two of the first wiring, the second wiring, and the third wiring;
A driving method of a circuit element having a load connected between a connection point of the first and second rectifying elements and a remaining wiring,
Of the first wiring, the second wiring, and the third wiring, a line to which a cathode of the first rectifying element is connected is defined as a first line, and an anode of the second rectifying element is defined as a first line. Is defined as a second line,
When the potential of the first line is V1, the potential of the second line is V2, and the potential of the connection point is V3,
Among the circuit elements, the circuit elements in the selected state are driven so that V1 <V3 or V2> V3,
A method of driving a circuit element, comprising driving a circuit element in a non-selected state so that V2 ≦ V3 ≦ V1.
各回路素子に対してそれぞれ選択/非選択を指示する多数の選択線と、
選択状態にある各回路素子に対してそれぞれ信号を供給する多数の信号線と、
選択状態にある各回路素子に対してそれぞれリセット信号を供給する多数のリセット線とを有し、
前記各回路素子は、
前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、いずれか2つの線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、
前記第1及び第2の整流素子の接続点と残りの線との間に接続された負荷とを有する制御装置の駆動方法であって、
前記選択線、前記信号線及び前記リセット線のうち、前記第1の整流素子のカソードが接続される線を第1の線と定義し、前記第2の整流素子のアノードが接続される線を第2の線と定義し、
前記第1の線の電位をV1、前記第2の線の電位をV2、前記接続点の電位をV3としたとき、
前記回路素子のうち、選択状態の回路素子については、V1<V3又はV2>V3となるように駆動し、
非選択状態の回路素子については、V2≦V3≦V1となるように駆動することを特徴とする制御装置の駆動方法。 A plurality of circuit elements;
A large number of selection lines for instructing selection / non-selection for each circuit element,
A number of signal lines for supplying signals to each circuit element in the selected state,
A plurality of reset lines for supplying a reset signal to each circuit element in a selected state,
Each of the circuit elements,
First and second rectifying elements serially connected in a forward direction between any two of the selection line, the signal line, and the reset line;
A driving method of a control device having a load connected between a connection point of the first and second rectifying elements and a remaining line,
Of the selection line, the signal line, and the reset line, a line to which a cathode of the first rectifier is connected is defined as a first line, and a line to which an anode of the second rectifier is connected. Defined as the second line,
When the potential of the first line is V1, the potential of the second line is V2, and the potential of the connection point is V3,
Among the circuit elements, the circuit elements in the selected state are driven so that V1 <V3 or V2> V3,
A driving method for a control device, wherein a circuit element in a non-selected state is driven so that V2 ≦ V3 ≦ V1.
前記各回路素子は、正方向変位を選択指示するための第1の配線と、負方向変位を選択指示するための第2の配線と、変位量を指示するための第3の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線との間にそれぞれ順方向に直列接続された第1及び第2の整流素子と、前記第1及び第2の整流素子の接続点と前記第3の配線との間に接続された負荷とを有する制御装置の駆動方法であって、
前記第1の配線の電位をV1、前記第2の配線の電位をV2、前記接続点の電位をV3としたとき、
正方向変位が選択指示された回路素子については、変位開始時点においてV1≧V2及びV3>V1となるように駆動し、
負方向変位が選択指示された回路素子については、変位開始時点においてV1≧V2及びV3<V2となるように駆動し、
非選択状態の回路素子については、V2≦V3≦V1となるように駆動することを特徴とする制御装置の駆動方法。
Having a plurality of circuit elements,
Each of the circuit elements includes a first wiring for selecting and instructing a positive displacement, a second wiring for selecting and instructing a negative displacement, a third wiring for indicating a displacement amount, First and second rectifying elements serially connected in a forward direction between a first wiring and the second wiring, a connection point between the first and second rectifying elements, and the third wiring And a load connected between the control device and a driving method,
When the potential of the first wiring is V1, the potential of the second wiring is V2, and the potential of the connection point is V3,
The circuit element for which the forward displacement has been selected and instructed is driven such that V1 ≧ V2 and V3> V1 at the start of displacement,
The circuit element for which the negative direction displacement is selected and instructed is driven such that V1 ≧ V2 and V3 <V2 at the displacement start time,
A driving method for a control device, wherein a circuit element in a non-selected state is driven so that V2 ≦ V3 ≦ V1.
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- 2004-03-23 EP EP20040251654 patent/EP1463021A2/en not_active Withdrawn
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