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JP2004306035A - Thin film removing device - Google Patents

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JP2004306035A
JP2004306035A JP2004214591A JP2004214591A JP2004306035A JP 2004306035 A JP2004306035 A JP 2004306035A JP 2004214591 A JP2004214591 A JP 2004214591A JP 2004214591 A JP2004214591 A JP 2004214591A JP 2004306035 A JP2004306035 A JP 2004306035A
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義広 川口
Kiyohisa Tateyama
清久 立山
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the amount of solvent to be discharged in a device for dissolving and removing a film by discharging the solvent on a useless film on a substrate. <P>SOLUTION: A concave part 65 and a metal-made sheet 66 on an upper head 63 and a lower head 64 constitute a solvent holding part X. A discharge nozzle 67 is molded in the sheet 66. In the case of the pressure feed of the solvent from a solvent supplying source 71 to the solvent holding part X, the solvent is discharged from the nozzle 67 molded in the sheet 66 to the peripheral part of a substrate G in which a useless resist film R is dissolved and removed. There is little pressure loss in getting through the nozzle 67. The solvent can be discharged under a stable pressure even if the nozzle 67 is small, by which the amount of the solvent to be used can be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は,例えば表面にレジスト膜が形成された矩形のLCD基板の縁部の不要なレジスト膜を除去するのに使用する薄膜除去装置に関するものである。   The present invention relates to a thin film removing apparatus used for removing an unnecessary resist film at an edge of a rectangular LCD substrate having a resist film formed on a surface, for example.

一般に,液晶表示装置(LCD)の製造工程においては,ガラス製の基板の表面に,例えばITO(Indium Tin Oxide)の薄膜や電極パターンを形成するために,半導体製造工程の場合と同様,フォトリソグラフィ技術によって所定の処理が施されている。例えば基板の表面にレジスト液を塗布するレジスト液塗布処理や,形成されたレジスト膜に回路パターンを露光する露光処理や,露光処理後の基板を現像する現像処理がなされている。   In general, in a manufacturing process of a liquid crystal display device (LCD), a thin film or an electrode pattern of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) is formed on a surface of a glass substrate by photolithography, similarly to the semiconductor manufacturing process. Predetermined processing is performed by technology. For example, a resist solution coating process of applying a resist solution to the surface of a substrate, an exposure process of exposing a formed resist film to a circuit pattern, and a developing process of developing the exposed substrate are performed.

ここでレジスト液塗布処理を行う際には,いわゆるスピンコーティング方法が広く採用されている。この方法は,処理容器内に設けられたスピンチャック上に基板を保持させ,その状態で基板をスピンチャックによって回転させることで,基板表面に供給された溶剤と感光性樹脂からなるレジスト液を遠心力によって拡散させて,基板表面に均一の厚さでレジスト膜を塗布するものである。   Here, when performing the resist liquid coating process, a so-called spin coating method is widely adopted. In this method, a substrate is held on a spin chuck provided in a processing container, and the substrate is rotated by the spin chuck in this state, whereby a resist solution comprising a solvent and a photosensitive resin supplied to the substrate surface is centrifuged. The resist is diffused by force to apply a resist film on the substrate surface with a uniform thickness.

ところが前記スピンコーティング方式でレジスト液塗布処理を行った場合,塗布直後における膜厚は均一であっても,スピンチャックの回転が停止して遠心力が働かなくなった後や,時間の経過にしたがって表面張力の影響によって基板周縁部のレジスト液が盛り上がるように厚くなったり,レジスト液が基板の下面周縁部まで回り込んで不要な膜が形成されることがある。このように基板の周縁部に不均一な膜が形成されると,回路パターン等の現像時に周縁部のレジストが完全に除去されずに残存することになり,その後の処理に悪影響を与えたり,また搬送中に残存レジストが剥がれてパーティクルが発生するおそれがある。   However, when the resist coating process is performed by the spin coating method, even if the film thickness is uniform immediately after the coating, the spin chuck stops rotating and the centrifugal force stops working. Due to the influence of the tension, the resist liquid at the peripheral portion of the substrate may be thickened so as to swell, or the resist liquid may flow to the peripheral portion of the lower surface of the substrate to form an unnecessary film. If a non-uniform film is formed on the peripheral portion of the substrate as described above, the resist on the peripheral portion is not completely removed at the time of development of a circuit pattern or the like and remains, which adversely affects subsequent processing, In addition, there is a possibility that the remaining resist is peeled off during transportation and particles are generated.

そのため従来では,レジスト液塗布後にエッジリムーバと呼ばれる基板周縁部の不要な膜を除去する装置を使用して,基板周縁部の不要な膜を除去する処理が行われている。   Therefore, conventionally, a process for removing an unnecessary film on the peripheral portion of the substrate using an apparatus called an edge remover for removing an unnecessary film on the peripheral portion of the substrate after the application of the resist solution is performed.

前記従来の除去装置は,図12に示したような構成を有していた。この除去装置101は,例えばアングル形状の上部ヘッド構成材102aと下部ヘッド構成材102bとを上下に対向させて,縦断面が略コ字形に形成されたノズルヘッド102と,ノズルヘッド102の基部側に設けられた吸引口103とを有している。そして上部ヘッド構成材102aと下部ヘッド構成材102bには,図13に示したように,上部ヘッド構成材102aと下部ヘッド構成材102bとの間の処理空間S内に基板Gの縁部を位置させた際に,不要な膜を除去する部分に向けて溶剤を吐出するためのニードルノズル104が固定されている。これら各ニードルノズル104には,別設の例えばタンク105などの溶剤供給源から,窒素ガスによる圧送によって溶剤が所定圧の下で供給されるようになっている。   The conventional removing device has a configuration as shown in FIG. The removing device 101 includes, for example, a nozzle head 102 having a substantially U-shaped vertical section formed by vertically facing an upper head component 102a and a lower head component 102b having an angle, and a base side of the nozzle head 102. And a suction port 103 provided at the bottom. Then, as shown in FIG. 13, the edge of the substrate G is positioned in the processing space S between the upper head component 102a and the lower head component 102b. At this time, a needle nozzle 104 for discharging a solvent toward a portion from which an unnecessary film is removed is fixed. A solvent is supplied to each of the needle nozzles 104 at a predetermined pressure from a separately provided solvent supply source such as a tank 105 by pressure feeding with nitrogen gas.

前記従来のニードルノズル104は,細い線材の中に吐出口と同径の流通部(図示せず)が形成された中空構造であり,一般的に使用されているニードルノズル104の吐出口の直径は約260μm程度である。そしてタンク105に加えられる窒素ガスの圧力は,約1kg/cm程度であり,これによって毎分40cc程度の溶剤をニードルノズル104から,基板Gの表裏面の周縁部に吐出させ,不要なレジスト膜を溶解除去するようにしていたのである。なお吐出された溶剤や溶解したレジスト液は,前記吸引口103から吸引されて外部へと排出されるようになっている。 The conventional needle nozzle 104 has a hollow structure in which a flow portion (not shown) having the same diameter as the discharge port is formed in a thin wire, and the diameter of the discharge port of the generally used needle nozzle 104 is used. Is about 260 μm. The pressure of the nitrogen gas applied to the tank 105 is about 1 kg / cm 2 , whereby a solvent of about 40 cc / min is discharged from the needle nozzle 104 to the periphery of the front and back surfaces of the substrate G, and unnecessary resist is removed. The film was dissolved and removed. The discharged solvent and dissolved resist liquid are sucked from the suction port 103 and discharged to the outside.

そして実際に基板G周縁部の不要な膜を除去するにあたっては,図13に示したように,基板Gの4辺の各縁部に各々除去装置101を配置し,各辺の長手方向に沿って各々除去装置101移動させながら,前記ニードルノズル104から溶剤を周縁部に吐出させることで,各辺全ての周縁部の不要な膜を除去するようにしている。   Then, when actually removing the unnecessary film on the peripheral portion of the substrate G, as shown in FIG. 13, the removing devices 101 are arranged at the four edges of the substrate G, respectively, and along the longitudinal direction of each side. The solvent is discharged from the needle nozzle 104 to the peripheral portion while moving the removing device 101 to remove unnecessary films on the peripheral portion on all sides.

ところで使用する溶剤は揮発性が高く,その蒸気が周囲に拡散してしまうので,安全性の面からなるべく少量に抑える必要がある。また溶剤の使用量を低減することは,ランニングコストの低減にもなり,この点からも望まれることである。   By the way, since the solvent used is highly volatile and its vapor diffuses to the surroundings, it is necessary to minimize the amount of the solvent from the viewpoint of safety. Reducing the amount of solvent used also reduces running costs, and is desirable from this point as well.

この点従来の技術によって溶剤の使用量を低減させるには,例えば窒素ガスによる加圧の圧力を低くして吐出量を減らすことになるが,従来のニードルノズル104では,ニードルノズル104内の流路の内部抵抗による圧力損失が大きく,
窒素ガスによる加圧の圧力を低くすると,吐出圧が大幅に低くなり,吸引口103からの吸引によって所定の縁部に吐出できなかったり,また当該吸引によって所定の縁部に対して吸引口103側に斜めに引かれた格好で吐出して,不要な膜を直角に除去できないおそれがあった。
In this regard, in order to reduce the amount of the solvent used by the conventional technique, for example, the pressure of nitrogen gas is reduced to reduce the discharge amount. However, in the conventional needle nozzle 104, the flow in the needle nozzle 104 is reduced. The pressure loss due to the internal resistance of the road is large,
If the pressure of the pressurization by the nitrogen gas is reduced, the discharge pressure is greatly reduced, and the discharge from the suction port 103 cannot be performed to a predetermined edge by suction. There is a possibility that the unnecessary film may not be removed at a right angle by discharging in a state of being pulled obliquely to the side.

ニードルノズル104内の流通部及び吐出口の径を小さくしようとしても,加工上小さくするにも限界があり,また内部抵抗による圧力損失の問題が依然として残っており,安定した圧力の下で吐出させることは困難であった。   Even if the diameters of the flow portion and the discharge port in the needle nozzle 104 are reduced, there is a limit to the reduction in processing, and the problem of pressure loss due to internal resistance still remains. It was difficult.

以上の点から,前記従来技術のままでは,溶剤の使用量を単純に低減させることは難しかったのである。本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,吸引口からの吸引構成を変えたり,窒素ガスの加圧による供給系自体を変えることなく,溶剤を基板の所定の周縁部に対して直角に吐出でき,しかも溶剤の使用量を大幅に低減できる新規な薄膜除去装置を提供して問題の解決を図ることをその目的としている。   From the above points, it has been difficult to simply reduce the amount of the solvent used in the conventional technique. The present invention has been made in view of the above point, and the solvent is applied to a predetermined peripheral portion of the substrate without changing the suction configuration from the suction port or changing the supply system itself by pressurizing nitrogen gas. It is an object of the present invention to provide a novel thin film removing apparatus that can discharge at a right angle and that can significantly reduce the amount of solvent used to solve the problem.

前記従来の技術で大きな問題となっているのは,ニードルノズルを使用することによる圧力損失,及び微小径の吐出孔を形成する加工上の問題である。そこで発明者らは,そのようなニードルノズルを使用せずに,溶剤を吐出させる構成を採用した。   The major problems in the conventional technique are a pressure loss due to the use of the needle nozzle and a processing problem of forming a discharge hole having a small diameter. Therefore, the inventors have adopted a configuration in which the solvent is discharged without using such a needle nozzle.

前記課題を解決するため,本発明は,薄膜が形成された基板の周縁部の不要な膜に対して,当該周縁部の少なくとも一部を覆う溶剤吐出部材から溶剤を吐出させて前記不要な膜を除去する装置であって,前記溶剤吐出部材には,溶剤供給源から供給される溶剤を溜める溶剤溜部が設けられ,前記溶剤溜部は,溶剤吐出部材に形成されて開口部が基板に面している凹部と,当該開口部を液密に閉鎖して基板と平行に対面する金属製の薄板とを有し,前記溶剤溜部に通ずる吐出孔が前記薄板に穿設されて形成されていることを特徴とする,薄膜除去装置である。   In order to solve the above-mentioned problem, the present invention provides a method for discharging a solvent from a solvent discharging member that covers at least a part of the peripheral portion of the unnecessary film on the peripheral portion of the substrate on which the thin film is formed. A solvent reservoir for storing a solvent supplied from a solvent supply source, wherein the solvent reservoir is formed in the solvent discharge member and an opening is formed in the substrate. A concave portion facing the substrate, and a metal thin plate which is closed in a liquid-tight manner and which faces the substrate in parallel with the opening, and a discharge hole communicating with the solvent reservoir is formed by drilling the thin plate. A thin film removing apparatus characterized in that:

この薄膜除去装置においては,例えば前記したノズルヘッドのような吐出部材自体に溶剤溜部が設けられているので,溶剤供給源から供給された溶剤は,溶剤溜部でバッファされて吐出孔から吐出される。したがって,吐出孔と溶剤溜部との間の距離を短く設定しても,安定した圧力で溶剤が吐出され,圧力損失も大幅に抑えることができる。   In this thin film removing apparatus, for example, the discharge member itself such as the nozzle head is provided with a solvent reservoir, so that the solvent supplied from the solvent supply source is buffered in the solvent reservoir and discharged from the discharge hole. Is done. Therefore, even if the distance between the discharge hole and the solvent reservoir is set short, the solvent is discharged at a stable pressure, and the pressure loss can be largely suppressed.

また溶剤溜部は,溶剤吐出部材に形成されて開口部が基板に面している凹部と,当該開口部を液密に閉鎖して基板と平行に対面する金属製の薄板とを有し,前記溶剤溜部に通ずる吐出孔が前記薄板に穿設されて形成されているので,簡単に前記作用効果を奏する溶剤溜部を実現できる。しかも吐出孔は薄板に穿設されて形成したものであるから,吐出孔の長さは薄板の厚さ分となり,吐出する際の吐出孔内部での抵抗による圧力損失を殆どなくすことが可能である。しかも吐出孔の形成にあたっては,金属製の薄板に穿設するだけの加工で済むので,吐出孔を形成する加工が容易であり,しかも従来よりも極めて小径の吐出孔を形成することが可能である。したがって,従来の吐出圧の下で吐出孔の径を小さくして溶剤の吐出量を低減させても,吐出された溶剤が吸引口側に引かれてしまうことはない。
なお吐出孔の直径は,これを200μm以下とすれば,本発明の効果をより顕著に享受することが可能である。
The solvent reservoir has a concave portion formed in the solvent discharge member and having an opening facing the substrate, and a metal thin plate facing the substrate in parallel with the substrate by closing the opening in a liquid-tight manner. Since the discharge hole communicating with the solvent reservoir is formed by drilling in the thin plate, a solvent reservoir having the above-mentioned effects can be easily realized. In addition, since the discharge hole is formed by drilling in a thin plate, the length of the discharge hole is equal to the thickness of the thin plate, and pressure loss due to resistance inside the discharge hole at the time of discharge can be almost eliminated. is there. Moreover, in forming the discharge hole, it is only necessary to form a hole in a metal thin plate, so that the process of forming the discharge hole is easy, and it is possible to form a discharge hole having an extremely small diameter as compared with the conventional case. is there. Therefore, even if the diameter of the discharge hole is reduced under the conventional discharge pressure to reduce the discharge amount of the solvent, the discharged solvent is not drawn to the suction port side.
If the diameter of the discharge hole is set to 200 μm or less, the effect of the present invention can be more remarkably enjoyed.

また前記薄板を,前記溶剤吐出部材に対して着脱自在とすれば,メンテナンスや交換等が容易になる。   Further, if the thin plate is made detachable with respect to the solvent discharging member, maintenance and replacement can be easily performed.

ところでこの種の溶剤は揮発性が高いので,吐出された際にある程度蒸発するが,その際に蒸発潜熱によって周囲の温度を低下させてしまう。そうすると,基板周縁部に温度むらが生じ,その結果当該温度むらによって基板に転写が発生するおそれがある。しかしながら,この場合前記薄板における少なくとも基板に面した部分であって,かつ吐出口を除いた部分の一部又は全部を,樹脂性のカバーで覆うようにすれば,樹脂は金属よりも熱伝導率が低いので,前記蒸発潜熱による吐出口近傍の温度低下を抑えることが可能になる。したがって,前記転写の発生を抑制することが可能になる。   By the way, since this kind of solvent has a high volatility, it evaporates to some extent when it is ejected. At that time, latent heat of evaporation lowers the surrounding temperature. In this case, temperature unevenness occurs in the peripheral portion of the substrate, and as a result, there is a possibility that the temperature unevenness causes transfer to the substrate. However, in this case, if at least a part of the thin plate facing the substrate and a part or all of the part except the discharge port is covered with a resin cover, the resin has a higher thermal conductivity than metal. , It is possible to suppress a decrease in temperature near the discharge port due to the latent heat of evaporation. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of the transfer.

吐出孔を複数形成すれば,すなわち複数の吐出孔を溶剤溜部に連通した構成とすれば,各吐出孔から同一の吐出圧で溶剤を吐出させることができる。したがって,例えばノズルヘッドのような溶剤吐出部材に溶剤溜部を設ける場合,当該溶剤溜部は1つで済む。すなわち1つの溶剤溜部によって複数の吐出孔から同一吐出圧で基板の縁部に対して溶剤を吐出させることができ,より確実に膜を除去することができる。   If a plurality of discharge holes are formed, that is, if a plurality of discharge holes are connected to the solvent reservoir, the solvent can be discharged from each discharge hole at the same discharge pressure. Therefore, when a solvent discharging member such as a nozzle head is provided with a solvent storing portion, only one solvent storing portion is required. In other words, the solvent can be discharged from the plurality of discharge holes to the edge of the substrate from the plurality of discharge holes by one solvent reservoir, and the film can be more reliably removed.

そして前記溶剤吐出部材を,基板の周縁に沿って移動する移動機構に設ければ,移動機構の移動によって基板周縁部の不要な膜を基板の辺と平行に直線状に除去することが可能である。   If the solvent discharging member is provided in a moving mechanism that moves along the periphery of the substrate, unnecessary films on the peripheral portion of the substrate can be removed in a straight line parallel to the sides of the substrate by moving the moving mechanism. is there.

この場合において,吐出孔を複数形成するときには,前記移動機構に移動方向に沿って複数形成してもよい。すなわち,吐出孔を複数形成すると共に,これら複数の吐出孔を,移動機構による移動方向前方から後方に向かって所定の間隔で設けるようにしてもよい。そうすれば,移動機構によって溶剤吐出部材を基板の周縁に対して出入り移動させることにより,例えばある程度幅のある不要な膜の領域に対して縁部の内側から外側に向けて,これを逐次除去していくことが可能である。もちろん吐出孔が単数の場合でも,そのように溶剤吐出部材の基板の周縁に対する出入り移動によって不要な膜を内側から外側に逐次除去していくことが可能であるが,より確実に除去させることが可能である。   In this case, when forming a plurality of discharge holes, a plurality of discharge holes may be formed in the moving mechanism along the moving direction. That is, a plurality of ejection holes may be formed, and the plurality of ejection holes may be provided at predetermined intervals from the front to the rear in the moving direction of the moving mechanism. By moving the solvent ejecting member in and out of the peripheral edge of the substrate by the moving mechanism, for example, an unnecessary film region having a certain width is sequentially removed from the inside to the outside of the edge portion. It is possible to continue. Of course, even in the case of a single discharge hole, it is possible to remove unnecessary films sequentially from the inside to the outside by moving the solvent discharge member in and out of the periphery of the substrate, but it is possible to remove the film more reliably. It is possible.

さらに以上の各薄膜除去装置において,基板の裏面に対向する裏面洗浄機構を設ければ,同時にまた個別に基板の裏面も洗浄することが可能である。   Further, in each of the above thin film removing apparatuses, if a back surface cleaning mechanism facing the back surface of the substrate is provided, the back surface of the substrate can be simultaneously and individually cleaned.

本発明によれば,溶剤吐出の際の圧力損失を大幅に抑えることができるから,吐出圧を従来と同一レベルに保ったまま吐出孔を小径にして溶剤の使用量の低減を図ることが可能である。また吐出孔近傍に吸引口があっても,吐出方向が吸引口側に引かれることを抑えることができる。また吐出する際の吐出孔内部での抵抗による圧力損失を殆どなくすことが可能である。そのうえ極めて小径の吐出孔を形成することが容易である。樹脂性のカバーで覆うようにすれば,吐出孔周辺の温度低下を抑えて温度差に基づく転写が基板に発生することを抑えることができる。また1つの溶剤溜部によって複数の吐出孔から同一吐出圧で基板の縁部に対して溶剤を吐出させたり,基板周縁部の不要な膜を基板の辺と平行に直線状に除去することが可能である。
例えば移動機構によって溶剤吐出部材を基板の周縁に対して出入り移動させることで,周縁に沿って幅のある不要な膜を除去することが可能になる。
According to the present invention, the pressure loss at the time of solvent discharge can be greatly suppressed, so that it is possible to reduce the amount of solvent used by reducing the diameter of the discharge hole while maintaining the discharge pressure at the same level as before. It is. Further, even if there is a suction port near the discharge port, it is possible to prevent the discharge direction from being pulled toward the suction port. Further, it is possible to almost eliminate the pressure loss due to the resistance inside the ejection hole at the time of ejection. In addition, it is easy to form a discharge hole having a very small diameter. When covered with a resinous cover, it is possible to suppress the temperature drop around the ejection holes and suppress the occurrence of transfer on the substrate based on the temperature difference. In addition, one solvent reservoir can be used to discharge a solvent from a plurality of discharge holes to the edge of the substrate at the same discharge pressure, or to remove unnecessary films on the periphery of the substrate in a straight line parallel to the sides of the substrate. It is possible.
For example, by moving the solvent ejection member in and out of the peripheral edge of the substrate by the moving mechanism, it becomes possible to remove an unnecessary film having a width along the peripheral edge.

以下,添付図面を参照しながら本発明の好ましい実施の形態を説明する。この実施の形態は,塗布現像処理装置内に組み込まれた塗布・周縁部除去装置内の除去部に設けられている。図1は塗布現像処理装置の外観を,図2は塗布現像処理装置の平面からみた様子をそれぞれ示している。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. This embodiment is provided in a removing section in a coating / peripheral portion removing device incorporated in a coating and developing apparatus. FIG. 1 shows the appearance of the coating and developing apparatus, and FIG. 2 shows the appearance of the coating and developing apparatus as viewed from above.

塗布現像処理装置1は図1,2に示すように,例えば矩形状のLCD用の基板Gを搬入出するローダ部2と,基板Gを処理する第1の処理部3と,この第1の処理部3とインターフェイス部4とを介して連設された第2の処理部5と,この第2の処理部5と露光装置(図示せず)との間で基板Gを授受するためのインターフェイス部7とを備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the coating and developing apparatus 1 includes, for example, a loader unit 2 for loading and unloading a rectangular LCD substrate G, a first processing unit 3 for processing the substrate G, and a first processing unit 3 for processing the substrate G. A second processing unit 5 connected via the processing unit 3 and the interface unit 4; and an interface for exchanging the substrate G between the second processing unit 5 and an exposure apparatus (not shown). And a unit 7.

ローダ部2にはカセット載置台10が設けられており,このカセット載置台10には,例えば未処理の基板Gを収納するカセット11,11と,処理済みの基板Gが収納されるカセット12,12とが基板Gの出入口を第1の処理部3側に向けて一列に載置自在である。またローダ部2には,基板を搬送自在な副搬送装置13が備えられている。   The loader unit 2 is provided with a cassette mounting table 10. The cassette mounting table 10 includes, for example, cassettes 11 for storing unprocessed substrates G, cassettes 12 for storing processed substrates G, Numerals 12 can be placed in a line with the entrance of the substrate G facing the first processing unit 3 side. Further, the loader unit 2 is provided with a sub-transport device 13 capable of transporting a substrate.

副搬送装置13は搬送レール13aに沿った方向(Y方向)と,各カセット11,12内の基板Gの収納方向(Z方向;垂直方向)に移動自在であり,かつθ方向にも回転自在となるように構成されている。   The sub-transport device 13 is movable in the direction along the transport rail 13a (Y direction) and in the direction of storing the substrate G in each of the cassettes 11 and 12 (Z direction; vertical direction), and is also rotatable in the θ direction. It is configured so that

第1の処理部3には,基板Gに対して所定の処理を施す各種の処理装置が主搬送装置15の搬送レール16を挟んだ両側に配置されている。即ち,搬送レール16の一側には,各カセット11,11から取り出された基板Gを洗浄するスクラバ洗浄装置17と,基板Gに対して現像処理を施す現像処理装置18とが並んで配置され,搬送レール16の他側には紫外線オゾン洗浄装置19と,基板Gを冷却処理する冷却処理装置20,21と,基板Gを加熱処理する加熱処理装置22とが適宜多段に配置されている。これら各種の処理装置に対する基板Gの搬入出は,主搬送装置15に装備された搬送アーム15aにより行われる。なお,かかる第1の処理部3と後述する第2の処理部5との間に形成された前記インターフェイス部4には,基板Gを載置自在な受け渡し台23が備えられている。   In the first processing unit 3, various processing apparatuses for performing a predetermined processing on the substrate G are arranged on both sides of the transport rail 16 of the main transport unit 15. That is, on one side of the transport rail 16, a scrubber cleaning device 17 for cleaning the substrate G taken out of each of the cassettes 11, 11 and a developing device 18 for performing a developing process on the substrate G are arranged side by side. On the other side of the transport rail 16, an ultraviolet ozone cleaning device 19, cooling processing devices 20 and 21 for cooling the substrate G, and a heat processing device 22 for heating the substrate G are appropriately arranged in multiple stages. The loading and unloading of the substrate G to and from these various processing apparatuses is performed by a transfer arm 15 a provided in the main transfer device 15. The interface unit 4 formed between the first processing unit 3 and a second processing unit 5 described later is provided with a transfer table 23 on which the substrate G can be placed.

第2の処理部5には,主搬送装置25の搬送レール26を挟んだ一側に,塗布・周縁部除去装置27が配置され,この搬送レール26を挟んだ他側には,基板Gに疎水化処理を施す疎水化処理装置28と,基板Gを冷却する冷却処理装置29と,加熱処理装置30,30とが多段に配置されている。なお,上記主搬送装置25には第2の処理部5に属する各種処理装置に基板Gを搬入出する搬送アーム25aが装備されている。   In the second processing unit 5, a coating / periphery removing unit 27 is disposed on one side of the main transport unit 25 across the transport rail 26, and on the other side of the substrate G on the other side across the transport rail 26. A hydrophobizing device 28 for performing a hydrophobizing process, a cooling device 29 for cooling the substrate G, and heating devices 30 and 30 are arranged in multiple stages. The main transfer device 25 is provided with a transfer arm 25a for transferring the substrate G into and out of various processing devices belonging to the second processing unit 5.

インターフェイス部7には塗布現像処理装置1と露光装置(図示せず)とのタクトを調整するために,基板Gを一時的に収納して待機させるカセット31,31と,基板Gを載置自在な受け渡し台32と,各カセット31,31,受け渡し台32,前記露光装置に対して基板Gを搬送自在な副搬送装置33とが装備されている。   In order to adjust the tact time between the coating and developing processing apparatus 1 and an exposure apparatus (not shown), cassettes 31 and 31 for temporarily storing and waiting the substrates G, and the substrates G can be placed on the interface section 7. A transfer table 32, a cassette 31, 31, a transfer table 32, and a sub-transport device 33 capable of transporting the substrate G to the exposure apparatus are provided.

塗布現像処理装置1は以上のように構成されている。次に,塗布・周縁部除去装置27の詳細について説明する。この塗布・周縁部除去装置27は,ケーシング27a内にレジスト塗布部41と,周縁部除去部51とが隣接して配置されている。レジスト塗布部41は,処理容器としての回転カップ42内でスピンチャック43によって吸着保持した基板Gの中心上方にレジストノズル44を移動させてレジスト液を供給し,基板Gをスピンチャック43で回転させることによって,基板G上のレジスト液を拡散して塗布する構成を有している。そのようにしてレジスト液が塗布された基板Gは,搬送レール45に沿って移動する一対の搬送アーム46によって周縁部除去部51にまで搬送される。   The coating and developing treatment apparatus 1 is configured as described above. Next, details of the coating / peripheral portion removing device 27 will be described. In the coating / periphery removing unit 27, a resist coating unit 41 and a peripheral removing unit 51 are arranged adjacent to each other in a casing 27a. The resist coating unit 41 supplies a resist liquid by moving a resist nozzle 44 above the center of the substrate G sucked and held by the spin chuck 43 in a rotating cup 42 serving as a processing container, and rotates the substrate G by the spin chuck 43. Thereby, the resist liquid on the substrate G is diffused and applied. The substrate G coated with the resist liquid in this manner is transported to the peripheral edge removing unit 51 by a pair of transport arms 46 that move along the transport rail 45.

周縁部除去装部51は,搬送された基板Gを載置自在な載置台52を有し,この載置台52上に載置された基板Gの各角部近傍をホームポジションとするように配置された,本実施の形態にかかる薄膜除去装置61とを備えている。基本的に各薄膜除去装置61は,同一の構成を有している。各薄膜除去装置61は,基板Gの対応する各辺,すなわち各周縁部に沿って移動自在な移動機構Mに取り付けられている。   The peripheral portion removing unit 51 has a mounting table 52 on which the transported substrate G can be mounted, and is arranged so that the vicinity of each corner of the substrate G mounted on the mounting table 52 is set as a home position. And a thin film removing device 61 according to the present embodiment. Basically, each of the thin film removing devices 61 has the same configuration. Each thin film removing device 61 is attached to a moving mechanism M that can move along each side of the substrate G, that is, along each peripheral edge.

本実施の形態にかかる薄膜除去装置61は,図5に示したように,吸引口62aを有する吸引部材62を上下に挟んで溶剤吐出部材としての略アングル状の上ヘッド63と下ヘッド64とを対向させて構成され,上ヘッド63と下ヘッド64とによって挟まれた空間が処理空間Sを形成している。上ヘッド63における下面側には,下ヘッド64との対向面,すなわち後で基板Gが挿入される処理空間Sに面した部分に開口する凹部65が形成されている。   As shown in FIG. 5, the thin film removing apparatus 61 according to the present embodiment includes a substantially angled upper head 63 and a lower head 64 serving as a solvent discharging member sandwiching a suction member 62 having a suction port 62a vertically. Are opposed to each other, and a space sandwiched between the upper head 63 and the lower head 64 forms a processing space S. On the lower surface side of the upper head 63, a concave portion 65 is formed which is open to a surface facing the lower head 64, that is, a portion facing the processing space S into which the substrate G is inserted later.

前記凹部65の開口部を液密に閉鎖する金属製,例えばステンレス鋼の薄板66が上ヘッド63の下面に取り付けられ,薄板66の下面側には,薄板66に形成された吐出孔67を除いた部分を覆う合成樹脂性のカバー68が取り付けられている。これら薄板66,カバー68は,ボルト69a,埋込ナット69bによって上ヘッド63に対して固定されているので,薄板66,カバー68は,上ヘッド63に対して着脱自在である。   A thin plate 66 made of metal, for example, stainless steel, which closes the opening of the concave portion 65 in a liquid-tight manner is attached to the lower surface of the upper head 63, and the lower surface side of the thin plate 66 except for a discharge hole 67 formed in the thin plate 66. A cover 68 made of a synthetic resin is attached to cover the portion. Since the thin plate 66 and the cover 68 are fixed to the upper head 63 by bolts 69a and embedded nuts 69b, the thin plate 66 and the cover 68 are detachable from the upper head 63.

本実施の形態においては,薄板66の厚さは0.2mm,吐出孔67は,直径が50μmの円形の孔を採用している。吐出孔67の形態は,このような円形の孔に限らず,平面形態が三角,四角,その他の多角形など任意の形態を採用できる。また吐出孔57は,基板Gの辺方向に沿って所定のピッチDの下で一列,すなわち基板Gの周縁部に沿った方向に計4カ所形成されている。本実施の形態では,D=4mmに設定した。もちろんこの吐出孔67の数,ピッチDは任意に設定できる。   In the present embodiment, the thickness of the thin plate 66 is 0.2 mm, and the discharge hole 67 is a circular hole having a diameter of 50 μm. The shape of the discharge hole 67 is not limited to such a circular hole, and any shape such as a triangular shape, a square shape, or another polygonal shape can be adopted. In addition, the discharge holes 57 are formed in a row at a predetermined pitch D along the side direction of the substrate G, that is, a total of four discharge holes are formed in the direction along the periphery of the substrate G. In the present embodiment, D is set to 4 mm. Of course, the number of the ejection holes 67 and the pitch D can be arbitrarily set.

前記凹部65及び薄板66で形成された空間は,溶剤溜部Xを構成する。そしてこの溶剤溜部Xには,外部に設置されているタンクなどの溶剤供給源71から,窒素ガスやその他の不活性ガスの加圧によって,溶剤が流路72,溶剤溜部Xに通ずる供給部73通じて所定の圧力の下で供給される。供給部73は,溶剤溜部Xに供給できる場所であれば,上ヘッド63の任意の位置に設定できる。   The space formed by the concave portion 65 and the thin plate 66 constitutes a solvent reservoir X. The solvent is supplied to the solvent reservoir X from a solvent supply source 71 such as an external tank by pressurizing nitrogen gas or other inert gas so that the solvent passes through the flow path 72 and the solvent reservoir X. It is supplied under a predetermined pressure through the section 73. The supply section 73 can be set at an arbitrary position of the upper head 63 as long as it can supply the solvent to the solvent storage section X.

下ヘッド64も上ヘッド63と全く同一の構成を有しており,凹部65及び吐出孔67が形成された薄板66で溶剤溜部Xが形成され,薄板66は,吐出孔67を除いてカバー68で覆われている。溶剤溜部Xには,溶剤供給源71から窒素ガス等で加圧されて流路72,供給部73を通じて所定の圧力下で溶剤が送られるようになっている。   The lower head 64 also has exactly the same configuration as the upper head 63. The solvent reservoir X is formed by a thin plate 66 in which a concave portion 65 and a discharge hole 67 are formed. 68. The solvent reservoir X is pressurized with a nitrogen gas or the like from a solvent supply source 71 and the solvent is sent under a predetermined pressure through a flow path 72 and a supply unit 73.

なお吸引部材62は,例えばバキュームジェネレータなどの吸引手段(図示せず)に通じており,該吸引手段による吸引によって,処理空間S内の雰囲気を吸引口62aから吸引排気するようになっている。   The suction member 62 communicates with a suction means (not shown) such as a vacuum generator, and the atmosphere in the processing space S is suctioned and exhausted from the suction port 62a by suction by the suction means.

以上の構成にかかる4つの薄膜除去装置61は,既述したように,移動機構Mの駆動によって,基板Gの各辺の縁部に沿って移動自在であり,さらに上下方向,基板Gに対する前後方向へも移動自在である。   As described above, the four thin film removing devices 61 according to the above configuration are movable along the edges of the respective sides of the substrate G by driving the moving mechanism M, and are further movable in the vertical direction and the front and rear directions with respect to the substrate G. It can be moved in any direction.

本実施の形態にかかる薄膜除去装置61は以上のように構成されており,次にその動作等について説明すると,まず塗布現像処理装置1におけるカセット載置台10のカセット11から,処理すべき基板Gが副搬送装置13によって1枚取り出され,次いでこの基板Gは主搬送装置15の搬送アーム15aに移載される。その後この基板Gは,紫外線オゾン洗浄装置19,スクラバ洗浄装置17,疎水化処理装置28に順次搬送され,これらの装置において所定の処理が順次施される。そして疎水化処理が終了した基板Gは,搬送アーム25aによって塗布・周縁部除去装置27に搬送される。   The thin film removing apparatus 61 according to the present embodiment is configured as described above. Next, the operation and the like will be described. First, the substrate G to be processed is loaded from the cassette 11 of the cassette mounting table 10 in the coating and developing apparatus 1. Is taken out by the sub-transport device 13, and then the substrate G is transferred to the transport arm 15 a of the main transport device 15. Thereafter, the substrate G is sequentially transported to the ultraviolet / ozone cleaning device 19, the scrubber cleaning device 17, and the hydrophobizing device 28, where predetermined processing is sequentially performed. Then, the substrate G that has been subjected to the hydrophobizing process is transferred to the coating / periphery removing unit 27 by the transfer arm 25a.

塗布・周縁部除去装置27では,まずレジスト塗布部46において基板Gに対してスピンコーティング方法によってレジスト液が塗布される。その後レジスト液による膜,即ちレジスト膜が形成された基板Gは,搬送アーム46によって周縁部除去部51の載置台52へと搬送される。   In the coating / peripheral part removing device 27, first, a resist liquid is applied to the substrate G by a spin coating method in the resist coating unit 46. Thereafter, the substrate G on which the film made of the resist solution, that is, the resist film is formed, is transferred by the transfer arm 46 to the mounting table 52 of the peripheral edge removing unit 51.

基板Gが載置台52に載置されると,各薄膜除去装置61は,移動機構Mの移動によって,図7に示したように,基板Gにおける各辺の縁部の一端を各処理空間S内に納入するようにして,所定のスタート位置まで移動する。図4に示された手前側の薄膜除去装置61を例にとって説明すると,図に示したSTART位置まで移動する。   When the substrate G is mounted on the mounting table 52, each thin film removing device 61 moves one end of the edge of each side of the substrate G to each processing space S by the movement of the moving mechanism M as shown in FIG. And move it to the predetermined start position. Taking the thin film removing apparatus 61 on the near side shown in FIG. 4 as an example, the apparatus moves to the START position shown in the figure.

その後吸引口62aから処理空間S内の雰囲気が吸引された状態で,溶剤供給源71から溶剤が溶剤溜部Xに所定圧力,例えば1kg/cmの圧力で供給されると,図7,図8に示したように,上ヘッド63,下ヘッド64の各吐出孔67から基板Gの周縁部表裏面の不要なレジスト膜に対して溶剤が直角にかつ細い糸状に吐出され,当該不要レジスト膜Rを溶解除去する。吐出された溶剤,溶解したレジスト液,各液のミスト等は吸引口62aから排出される。そして各薄膜除去装置61を移動機構Mによって基板Gの各辺に沿って移動させることにより,基板Gの各辺の周縁部の不要なレジスト膜は薄膜除去装置61に沿って直線状に溶解除去されて行くのである。図4に示した例に即していえば,START位置からEND位置まで薄膜除去装置61を周縁部に沿って移動させることで,当該周縁部の不要なレジスト膜Rが除去されるのである。 Thereafter, when the solvent is supplied from the solvent supply source 71 to the solvent reservoir X at a predetermined pressure, for example, a pressure of 1 kg / cm 2 in a state where the atmosphere in the processing space S is sucked from the suction port 62a, FIG. As shown in FIG. 8, the solvent is discharged from the discharge holes 67 of the upper head 63 and the lower head 64 to the unnecessary resist films on the front and back surfaces of the peripheral portion of the substrate G in a right angle and in a thin thread form, and the unnecessary resist films are formed. R is dissolved away. The discharged solvent, dissolved resist solution, mist of each solution and the like are discharged from the suction port 62a. Then, by moving each thin film removing device 61 along each side of the substrate G by the moving mechanism M, unnecessary resist films on the periphery of each side of the substrate G are dissolved and removed linearly along the thin film removing device 61. It is being done. According to the example shown in FIG. 4, by moving the thin film removing device 61 along the periphery from the START position to the END position, the unnecessary resist film R on the periphery is removed.

なおレジスト膜の除去は,溶剤の吐出位置を基板Gの縁部側にずらしながら前記薄膜除去装置61を数回往復させることで行っても良い。この場合,図4において,前記薄膜除去装置61をSTART点からEND点に移動させることでレジスト膜を切り離した後,溶剤の吐出を図8に点線矢印で示す方向にずらしながら数回,START点からEND点に移動させる動作を行うようにする。つまりSTART点→END点への移動毎に,適宜前記点線矢印で示す方向に溶剤の吐出位置をずらすのである。この場合,例えば図4中の手前側の薄膜除去装置61についていえば,X方向手前側の方に,前記移動毎に薄膜除去装置61自体をずらす動作を実施すればよい。   The removal of the resist film may be performed by reciprocating the thin film removing device 61 several times while shifting the solvent discharge position toward the edge of the substrate G. In this case, in FIG. 4, after the resist film is separated by moving the thin film removing device 61 from the START point to the END point, the discharge of the solvent is shifted several times in the direction indicated by the dotted arrow in FIG. The operation to move from to the END point is performed. That is, every time the movement from the START point to the END point is performed, the discharge position of the solvent is appropriately shifted in the direction indicated by the dotted arrow. In this case, for example, in the case of the thin film removing device 61 on the near side in FIG. 4, an operation of shifting the thin film removing device 61 itself for each of the movements may be performed toward the near side in the X direction.

かかる溶解除去において,吐出される溶剤は,溶剤溜部Xから薄板66に形成された吐出孔67を通じて基板Gのレジスト膜に対して直角方向に吐出されているが,従来のような圧力損失は殆どないので安定した前記所定の圧力で吐出されている。したがって,吸引口62aからの雰囲気の吸引があっても,ほぼ垂直に吐出されているから,不要なレジスト膜Rを好適な形状で溶解除去できる。   In such dissolution and removal, the solvent to be discharged is discharged from the solvent reservoir X through a discharge hole 67 formed in the thin plate 66 in a direction perpendicular to the resist film of the substrate G. Since there is almost no discharge, the liquid is discharged at the stable predetermined pressure. Therefore, even if the atmosphere is suctioned from the suction port 62a, the resist is discharged almost vertically, so that the unnecessary resist film R can be dissolved and removed in a suitable shape.

しかも溶剤溜部Xがヘッダとしても機能しているので,上ヘッド63,下ヘッド64に各々4カ所形成されている各吐出孔67からは,同一の圧力で同一量の溶剤が吐出されている。したがって,この点からも好適な不要レジスト膜Rの溶解除去作業が実施できる。   Moreover, since the solvent reservoir X also functions as a header, the same amount of solvent is discharged at the same pressure from each of the discharge holes 67 formed at four locations in the upper head 63 and the lower head 64, respectively. . Accordingly, the dissolving and removing operation of the unnecessary unnecessary resist film R can be performed from this point.

そのうえ,前記吐出孔67の径は50μmと従来よりも大幅に小径に形成されているから,当然のことながら従来と同一吐出圧の下で吐出する溶剤の量を低減させている。発明者らの知見によれば,直径が260μmの従来のニードルノズルを用いた場合,1kg/cmの吐出圧で40cc/minの溶剤を吐出していたが,本実施の形態のように50μm径の吐出孔67によれば,同じく1kg/cmの吐出圧で約1/10の量にまで吐出する溶剤の量を低減することができた。 In addition, since the diameter of the discharge hole 67 is 50 μm, which is much smaller than the conventional one, the amount of the solvent to be discharged under the same discharge pressure as the conventional one is naturally reduced. According to the knowledge of the inventors, when a conventional needle nozzle having a diameter of 260 μm was used, a solvent of 40 cc / min was discharged at a discharge pressure of 1 kg / cm 2. According to the discharge hole 67 having the diameter, the amount of the solvent to be discharged can be reduced to about 1/10 at the discharge pressure of 1 kg / cm 2 .

ところで本実施の形態においては,薄板としてステンレス鋼を使用しているので,極めて微小な径の吐出孔67を形成することが可能であるが,ステンレス鋼は熱伝達率が高いので,揮発性の溶剤が蒸発するときの蒸発潜熱で冷却されやすく,時として処理空間S内における周囲の雰囲気を冷却して,大気との温度差を生じ,当該温度差によって基板Gに転写を発生させることが考えられる。しかしながら,本実施の形態では,合成樹脂性のカバー68が薄板66を覆っているので,かかる蒸発潜熱による温度差に基づく転写は防止される。   By the way, in the present embodiment, since stainless steel is used as the thin plate, it is possible to form the discharge hole 67 having an extremely small diameter. However, since stainless steel has a high heat transfer coefficient, it has a high heat transfer coefficient. It is conceivable that the solvent is easily cooled by the latent heat of evaporation when the solvent evaporates, and sometimes the surrounding atmosphere in the processing space S is cooled to generate a temperature difference from the atmosphere, and the temperature difference causes transfer to the substrate G. Can be However, in the present embodiment, since the cover 68 made of synthetic resin covers the thin plate 66, the transfer based on the temperature difference due to the latent heat of evaporation is prevented.

また薄板66,及びカバー66は,ボルト69で固定されているので,上ヘッド63,下ヘッド64に対してこれらは着脱自在であり,メンテナンス,洗浄,交換等が容易に行える。その他,構造的にみても上ヘッド63,下ヘッド64に凹部65を形成し,開口部を吐出孔67が穿設された薄板66で液密に閉鎖するだけで溶剤溜部Xを簡単に構成することができるので,製造も容易である。   Further, since the thin plate 66 and the cover 66 are fixed by bolts 69, they can be freely attached to and detached from the upper head 63 and the lower head 64, so that maintenance, cleaning, replacement and the like can be easily performed. In addition, in terms of structure, the solvent reservoir X can be simply configured by forming the concave portions 65 in the upper head 63 and the lower head 64 and closing the opening liquid-tightly with a thin plate 66 having a discharge hole 67 formed therein. Manufacturing is also easy.

本発明は,もちろん以上の実施の形態に限られるものではなく,その要旨を変更しない範囲で,種々の実施の形態を提案できる。
例えば,上記実施の形態では,図6に示すように,前記吐出孔67は薄膜除去装置61の移動方向に沿う直線上に所定の間隔で設けられていたが,これに限定されるものではなく,例えば図9に示すような構成であっても良い。
The present invention is, of course, not limited to the above embodiments, and various embodiments can be proposed without changing the gist of the invention.
For example, in the above embodiment, as shown in FIG. 6, the discharge holes 67 are provided at predetermined intervals on a straight line along the moving direction of the thin film removing device 61, but the present invention is not limited to this. For example, a configuration as shown in FIG.

すなわち図9に示す構成においては,複数の第1〜第4の吐出孔67a〜67dが,薄膜除去装置61の進行方向前方から後方に行くに従って次第に基板Gの外縁74に近づくように設けられていている。このような構成では,まず,第1の吐出孔67aからの溶剤の吐出でレジスト液膜を切り,次に,第2〜第4の吐出孔67a〜67dからの溶剤の吐出で基板Gの外縁74に向かって除去していくことができる。すなわちSTART点→END点への1回の移動によって,幅のある不要なレジスト膜を一括して除去することが可能になる。   That is, in the configuration shown in FIG. 9, the first to fourth discharge holes 67 a to 67 d are provided so as to gradually approach the outer edge 74 of the substrate G as going from the front to the rear in the traveling direction of the thin film removing device 61. ing. In such a configuration, first, the resist liquid film is cut by discharging the solvent from the first discharge holes 67a, and then the outer edge of the substrate G is discharged by discharging the solvent from the second to fourth discharge holes 67a to 67d. 74 can be removed. That is, by moving once from the START point to the END point, it becomes possible to remove unnecessary wide resist films in a lump.

このような構成によれば,同じ箇所にのみ溶剤が吹き付けられることがないから,残留レジスト膜の縁部が膨潤により盛り上がる現象を防止することができる。すなわち,LCD基板Gの場合のようにレジスト液膜から溶剤が蒸発しづらい場合において,同じ箇所に溶剤を吹き付け続けるとこの部分のレジスト液膜に溶剤が吸収されこれにより盛り上がりが生じることがある。これに対し,上記構成では,このような現象が生じることを防止することができる。また既述した実施の形態のように,薄膜除去装置61自体を基板Gの辺と直交する方向に移動させる必要はない。   According to such a configuration, since the solvent is not sprayed only on the same portion, it is possible to prevent the edge of the residual resist film from rising due to swelling. That is, in a case where the solvent is hard to evaporate from the resist liquid film as in the case of the LCD substrate G, if the solvent is continuously sprayed on the same portion, the solvent is absorbed by the resist liquid film in this portion, which may cause swelling. On the other hand, the above configuration can prevent such a phenomenon from occurring. Further, it is not necessary to move the thin film removing device 61 itself in a direction orthogonal to the side of the substrate G as in the above-described embodiment.

また,この膨潤を防ぐには,図10に示すように,レジスト塗布部41と周辺部除去部51との間に減圧乾燥装置80(DV)を設けることも有効である。この減圧乾燥装置80は,前記レジスト塗布部41からアーム46を介してレジスト液が塗布されたLCD基板Gを受け取り,このLCD基板Gの周囲の雰囲気を減圧することによってレジスト液に含まれる溶剤を揮発させ,このレジスト液を乾燥させる機能を有する   In order to prevent this swelling, it is effective to provide a reduced-pressure drying device 80 (DV) between the resist coating unit 41 and the peripheral part removing unit 51 as shown in FIG. The reduced-pressure drying device 80 receives the LCD substrate G coated with the resist solution from the resist coating unit 41 via the arm 46, and reduces the atmosphere around the LCD substrate G to remove the solvent contained in the resist solution. Has the function of volatilizing and drying this resist solution

この減圧乾燥装置80によって減圧乾燥された基板Gは,前記アーム46によって前記周辺部除去部51に受け渡される。この基板G上のレジスト膜は,既にある程度乾燥されているから,前記薄膜除去装置61を用いてレジスト膜の除去を行う場合に,膨潤が生じることが少なくなる効果がある。   The substrate G dried under reduced pressure by the reduced-pressure drying device 80 is transferred to the peripheral portion removing unit 51 by the arm 46. Since the resist film on the substrate G has already been dried to some extent, when the resist film is removed using the thin film removing device 61, there is an effect that swelling is less likely to occur.

また前記した実施の形態では,上下ヘッド63,64は同じ形状に形成されていたが,そのように上下ヘッド63,64を同一形状に構成する必要はない。例えば,図11で示すように,下ヘッド64のみがより長く突き出すように形成し,突き出した側に吐出孔83,84を追加しても良い。このような構成によれば,より広い範囲で基板Gの裏面を洗浄することが可能になる。   In the above-described embodiment, the upper and lower heads 63 and 64 are formed in the same shape. However, it is not necessary that the upper and lower heads 63 and 64 have the same shape. For example, as shown in FIG. 11, only the lower head 64 may be formed to protrude longer, and the ejection holes 83 and 84 may be added to the protruding side. According to such a configuration, the back surface of the substrate G can be cleaned in a wider range.

また,上ヘッド63,下ヘッド64から各々同じタイミングで溶剤を吐出しなくてもよく,例えば裏面洗浄については,汚れの激しい縁部のみを重点的に洗えるように,図4におけるSTART点,END点付近でのみ下ヘッド64から溶剤を基板Gの裏面に向けて吐出するようにしてもよい。   Further, the solvent does not have to be discharged from the upper head 63 and the lower head 64 at the same timing. For example, for the back surface cleaning, the START point and the END point in FIG. The solvent may be discharged from the lower head 64 toward the back surface of the substrate G only near the point.

なお前記実施の形態は,LCD用の基板の周縁部の不要なレジスト膜を除去する装置として具体化されていたが,本発明はこれに限らず他の種類の基板に形成されている各種薄膜を,溶剤,すなわち該薄膜を溶解する溶解液の吐出によって除去させる装置に適用することが可能である。   Although the above embodiment has been embodied as an apparatus for removing an unnecessary resist film on the periphery of an LCD substrate, the present invention is not limited to this, and various types of thin film formed on other types of substrates may be used. Can be applied to an apparatus that removes the solvent by discharging a solvent, that is, a solution for dissolving the thin film.

本実施の形態にかかる薄膜除去装置が採用されている塗布現像処理装置の外観を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an external appearance of a coating and developing apparatus employing a thin film removing apparatus according to the present embodiment. 図1の塗布現像処理装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the coating and developing apparatus of FIG. 1. 本実施の形態にかかる薄膜除去装置を有する塗布・周縁部除去装置の内部の様子を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the inside of a coating / peripheral-portion removing device having the thin-film removing device according to the present embodiment. 本実施の形態にかかる薄膜除去装置の動きを説明する周縁部除去部の斜視図である。It is a perspective view of a peripheral part removal part explaining operation of a thin film removal device concerning this embodiment. 本実施の形態にかかる薄膜除去装置の縦断面図である。It is a longitudinal section of a thin film removing device concerning this embodiment. 図5のA−A線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line AA of FIG. 5. 基板上の不要なレジスト膜を除去しているときの本実施の形態にかかる薄膜除去装置の縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the thin film removing apparatus according to the present embodiment when an unnecessary resist film on the substrate is removed. 図7の薄膜除去装置の要部拡大縦断面図である。FIG. 8 is an enlarged vertical sectional view of a main part of the thin film removing apparatus of FIG. 7. 各吐出孔の位置を薄膜除去装置の移動方向前方から後方に従って,基板の縁部側にずらせた例を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing an example in which the positions of the ejection holes are shifted from the front to the rear in the moving direction of the thin film removing apparatus toward the edge of the substrate. 減圧乾燥装置を有する周縁部除去装置の内部の様子を示す平面図である。It is a top view which shows the inside of a peripheral part removal apparatus which has a reduced-pressure drying apparatus. 下ヘッドが上ヘッドよりも突き出た構造の薄膜除去装置の縦断面の説明図である。It is explanatory drawing of the longitudinal cross section of the thin film removal apparatus of the structure in which the lower head protruded from the upper head. 従来技術にかかる薄膜除去装置の縦断面図である。It is a longitudinal section of a thin film removing device concerning a conventional technology. 従来技術にかかる薄膜除去装置の動きを説明する説明図である。る。It is explanatory drawing explaining operation | movement of the thin film removal apparatus concerning a prior art. You.

符号の説明Explanation of reference numerals

1 塗布現像処理装置
27 塗布・周縁部除去装置
51 周縁部除去部
61 薄膜除去装置
62 吸引部材
62a 吸引口
63 上ヘッド
64 下ヘッド
65 凹部
66 薄板
67 吐出孔
68 カバー
69 ボルト
71 溶剤供給源
72 流路
73 供給部
G 基板
S 処理空間
X 溶剤溜部
REFERENCE SIGNS LIST 1 coating / developing device 27 coating / peripheral portion removing device 51 peripheral portion removing portion 61 thin film removing device 62 suction member 62 a suction port 63 upper head 64 lower head 65 concave portion 66 thin plate 67 discharge hole 68 cover 69 bolt 71 solvent supply source 72 flow Road 73 Supply unit G Substrate S Processing space X Solvent reservoir

Claims (8)

薄膜が形成された基板の周縁部の不要な膜に対して,当該周縁部の少なくとも一部を覆う溶剤吐出部材から溶剤を吐出させて前記不要な膜を除去する装置であって,
前記溶剤吐出部材には,溶剤供給源から供給される溶剤を溜める溶剤溜部が設けられ,
前記溶剤溜部は,溶剤吐出部材に形成されて開口部が基板に面している凹部と,
当該開口部を液密に閉鎖して基板と平行に対面する金属製の薄板とを有し,
前記溶剤溜部に通ずる吐出孔が前記薄板に穿設されて形成されていることを特徴とする,薄膜除去装置。
An apparatus for removing an unnecessary film by discharging a solvent from a solvent discharging member covering at least a part of the peripheral portion of the unnecessary film on the peripheral portion of the substrate on which the thin film is formed,
The solvent discharging member is provided with a solvent reservoir for storing a solvent supplied from a solvent supply source,
A recess formed in the solvent discharging member and having an opening facing the substrate;
A metal sheet facing the substrate in parallel with the opening closed in a liquid-tight manner,
A thin film removing apparatus, wherein a discharge hole communicating with the solvent reservoir is formed by drilling in the thin plate.
薄板は,溶剤吐出部材に対して着脱自在であることを特徴とする,請求項1に記載の薄膜除去装置。 2. The thin film removing apparatus according to claim 1, wherein the thin plate is detachable from the solvent discharging member. 薄板における少なくとも基板に面した部分であって,かつ吐出孔を除いた部分の一部又は全部は,樹脂性のカバーで覆われていることを特徴とする,請求項1又は2に記載の薄膜除去装置。 3. The thin film according to claim 1, wherein at least a part of the thin plate facing the substrate and a part or all of the part excluding the discharge holes is covered with a resin cover. Removal device. 吐出孔の直径は,200μm以下であることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の薄膜除去装置。 4. The thin film removing apparatus according to claim 1, wherein the diameter of the discharge hole is 200 [mu] m or less. 吐出孔は複数形成されていることを特徴とする,請求項1〜4のいずれかに記載の薄膜除去装置。 5. The thin film removing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of discharge holes are formed. 前記溶剤吐出部材は,基板の周縁に沿って移動する移動機構に設けられていることを特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載の薄膜除去装置。 The apparatus according to claim 1, wherein the solvent discharging member is provided in a moving mechanism that moves along a peripheral edge of the substrate. 吐出孔は複数形成されており,これら複数の吐出孔は,移動機構による移動方向前方から後方に向かって所定の間隔で設けられていることを特徴とする,請求項6に記載の薄膜除去装置。 7. The thin film removing apparatus according to claim 6, wherein a plurality of discharge holes are formed, and the plurality of discharge holes are provided at predetermined intervals from the front to the rear in the moving direction by the moving mechanism. . 基板の裏面に対向する裏面洗浄機構を有することを特徴とする,請求項1〜7のいずれかに記載の薄膜除去装置。 8. The thin film removing apparatus according to claim 1, further comprising a back surface cleaning mechanism facing the back surface of the substrate.
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