【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の実装用テープ基板の製造方法に関し、より詳しく言えば、テープ状のベースを使用してその上に配線を形成することにより半導体装置実装用のテープ基板を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話やＰＤＡなどの小型電子機器に使用される半導体装置実装用の基板は、絶縁テープをベースとしてその片面あるいは両面に配線を形成することで、薄型化の要請に応えている。そのようなテープ基板の従来の製造方法を、図５を参照して説明する。
【０００３】
図５（ａ）に示したように、基板のコアとなる絶縁テープ１００に、レーザー加工（あるいはプレス成形又はエッチングなど）によりビア孔１０２を形成する。次いで、テープ１００の片面に配線用の金属層を形成し、パターニングして、図５（ｂ）に示したように配線層１０４を形成する。次に、図５（ｃ）に示したように、配線層１０４を形成した側に保護層１０６を形成し、めっき法を利用してビア孔１０２に金属１０８を充填する。続いて、テープ１００の裏面側に形成した金属層をパターニングして、図５（ｄ）に示したように配線層１１０を形成する。最後に、図５（ｅ）に示したように裏面に保護層１１２を形成する。
【０００４】
半導体装置実装用のテープ基板の製造において、ベースとして絶縁テープでなく、導体材料のテープ（金属テープ）を用いることはこれまで知られていない。導体（金属材料）をベースとして使用する公知の技術として、例えば特許文献１には、ベースとして使用する金属板にくぼみを形成し、くぼみに導体を充填し、金属板の上に多層配線層を形成し、半導体素子を実装後に、ベースの金属板を除去してくぼみ内の導体によりはんだバンプを形成する半導体装置の製造方法が記載されている。
【０００５】
特許文献２には、導電性支持基体上に回路パターンの積層形成体を形成後に、回路パターン積層形成体を導電性支持基体から剥離することによりプリント配線板を製造する方法が記載されている。この方法において、上下の配線層を接続するビアは、下層配線層に通じる開口を持つめっきレジストパターンを使用して、上層配線層とともに形成される。
【０００６】
特許文献３には、半導体装置用多層基板の製造に、後にエッチングにより除去される金属板をベースとして使用することが記載されている。この特許文献に記載の技術で、上下配線層の接続用のビアの作製には、配線層の間の絶縁層に下層配線層に通じるようレーザ加工で形成した凹部が使用されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−２８３９２５号公報
【特許文献２】
特開平５−２５９６３９号公報
【特許文献３】
特開２０００−３２３６１３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
特に携帯電話、ＰＤＡなどの小型電子機器に使用される半導体装置実装用のテープ基板は、機器内の限られたスペースに収容するため薄型化が求められている。これまでのテープ基板を更に薄型化するためには、ベースとなる絶縁テープを薄くしなければならない。この場合、５０μｍ未満（例えば２５μｍといったような）の薄い絶縁テープを使用すると、ベースの硬度が不足して、工程間の搬送やベース上への配線形成を含めた、ハンドリングが困難となる。また、製造過程で有機材料を基にした絶縁テープに大きな張力がかかると、テープのエッジ部がガイドローラ等との接触で損傷を受けることもある。更に、絶縁テープにレーザ加工によりビア孔をあける工程は煩雑であり、それに代わるより簡単な方法が望まれている。
【０００９】
本発明の目的は、これらの問題を解消した半導体装置実装用テープ基板の新しい製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置実装用テープ基板の製造方法は、（１）少なくとも片面に金属層を有するテープ状キャリアの片面にパターン化した配線層を形成する工程、（２）配線層の所定の箇所にビア用のポスト（柱状部材）を形成する工程、（３）配線層の上に、ビア用ポストの上面を露出するように絶縁層を形成する工程、（４）絶縁層の上に、絶縁層の下の配線層にビアを通して電気的に接続する別の配線層を形成する工程、（５）工程（２）〜（４）を繰り返すことにより所定の数の配線層を形成する工程、（６）その後、最初に工程（１）で形成した配線層の下にあるキャリアの材料を除去する工程、を含むことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１を参照して、本発明の基本的な半導体装置実装用テープ基板製造方法を説明する。図１（ａ）に示したように、配線形成時のキャリアとして、金属フィルム１０の上に配線層用の金属層（金属フィルム）１２が位置するテープ状のベースを用意する。このようなテープ状ベース材料は、二つの金属フィルム１０、１２の間に中間層（図示せず）を含む３層構造の連続テープとして商業的に入手できる。例えば、２枚の銅フィルムの間に異種金属層としてのチタン層、又は有機樹脂層を含むもの、あるいは銅フィルムとアルミニウムフィルムの間にチタン層又は有機樹脂層を含むもの、などを利用することができる。また、銅などの金属材料のフィルムとポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの有機材料のフィルムを積層したテープも使用可能である。ここで説明する例では、２枚の銅フィルムの間にチタン層を挟んだ積層テープを使用する。
【００１２】
図１（ｂ）に示したように、ベースの上側の銅層１２をパターニングして配線層１４を形成する。次に、形成した配線層の所定の箇所を露出する開口を備えたレジストパターン（図示せず）を使用して、配線層１４を給電層とする電解銅めっきにより図１（ｃ）に示すビア用のポスト（柱状部材）１６を形成し、その後レジスタパターンを除去する。次いで、図１（ｄ）に示したように、配線層１４を覆いそしてポスト１６の頭部を露出するように、絶縁層１８を形成する。絶縁層１８の形成は、エポキシやポリイミド等の樹脂を塗布するか、これらの樹脂のフィルムを積層して行うことができる。
【００１３】
次に、絶縁層１８の上に無電解銅めっきと電解銅めっきにより銅層を形成し、これをパターニングして、図１（ｅ）に示す上層配線層２０を形成する。続いて、図１（ｆ）に示したように上層配線層２０の上に保護膜２２を形成する。保護膜２２は、ソルダレジストであり、感光性樹脂を塗布したり、感光性樹脂フィルムを積層したりした後、露光・現像し、上側配線層２０の半導体チップとの接続部が露出した、所要のパターンに形成する。次いで、配線層形成側（保護膜２２を形成した側）の全面をレジスト膜（図示せず）で覆ってから、図１（ｆ）に示したように、キャリアの金属フィルム（銅フィルム）１０をエッチングにより除去する。それにより、キャリア１０の銅フィルムと配線層形成用の銅フィルム１２との間のチタン中間層（図示せず）が露出され、このチタン中間層をエッチングにより除去する。チタンを溶解するエッチング液と、銅を溶解するエッチング液は異なるため、チタン中間層をエッチングにより除去する際に、銅からなる配線層１４は溶解しない。有機樹脂中間層の場合は、溶解もしくは剥離により容易に除去することができる。キャリアのテープが金属材料と樹脂材料のフィルムの積層テープの場合も、樹脂材料のフィルムを剥離などにより簡単に除去することができる。キャリアの金属フィルムと中間層の除去は、キャリアが連続テープの状態であるときに行ってもよく、あるいは個々の基板単位にテープを切断後に行ってもよい。
【００１４】
図１（ｇ）に示したように、露出された下層配線層１４の上に保護膜２４を形成して、半導体装置実装用テープ基板が得られる。保護膜２４は、ソルダレジストであり、感光性樹脂を塗布したり、感光性樹脂フィルムを積層したりした後、露光・現像し、配線層１４の外部接続端子接合部が露出した、所要のパターンに形成する。
【００１５】
上の説明では２つの配線層１４と２０を有するテープ基板を製造した。より多くの配線層を含むテープ基板が所望される場合には、図１（ｃ）で説明したビア用ポスト形成工程から図１（ｅ）で説明した上層の配線層形成工程までを必要とされる回数だけ繰り返して、所定数の配線層を備えた多層配線テープ基板を製造することができる。
【００１６】
図２に、そのようにして３つの配線層を形成して得られた多層配線テープ基板を示す。この図において、図１に示したのと同じ部材はそれらと同じ符号により示されており、そしてこの図の多層配線テープ基板は、図１（ｇ）のテープ基板の配線層２０の上にポストとして形成したビア２６と、絶縁層２８を有し、且つビア２６により配線層２０に電気的に接続される最上層の配線層３０を有する。
【００１７】
テープ状キャリアとしては、上で説明した積層テープ以外に、単一材料の金属テープを使用することも可能である。この金属テープは、その上に形成する配線層の材料とは異なる材料製であり、例えば配線層を銅で形成する場合にはアルミニウム又はアルミニウム合金などで製作することができる。
【００１８】
単一材料の金属テープをキャリアとして使用するテープ基板の製造を、図３を参照して説明する。図３（ａ）に示したように、アルミニウム製の金属テープ４０を用意する。アルミニウムテープ４０上に、配線層となる部分が開口するよう、めっきレジストパターンを形成し、次いでアルミニウムテープを給電層として電解銅めっきを施し、最後にめっきレジストパターンを除去して、図３（ｂ）に示したように配線層４２を形成する。次に、形成した配線層４２の所定の箇所を露出する開口を備えたレジストパターン（図示せず）をマスクとする電解銅めっきにより、図３（ｃ）に示したビア用のポスト４４を形成し、その後レジスタパターンを除去する。続いて、図３（ｄ）に示したように、配線層４２を覆いそしてポスト４４の頭部を露出するように、絶縁層４６を形成する。絶縁層４６の形成は、エポキシやポリイミド等の樹脂を塗布するか、これら樹脂のフィルムを積層して行うことができる。
【００１９】
次に、絶縁層４６の上に無電解銅めっきと電解銅めっきにより銅層を形成し、これをパターニングして、図３（ｅ）に示す上層配線層４８を形成する。続いて、図３（ｆ）に示したように上層配線層４８の上に保護膜５０を形成する。保護膜５０は、ソルダレジストであり、感光性樹脂を塗布したり、感光性樹脂フィルムを積層したりした後、露光・現像し、上側配線層４８の半導体チップとの接続部が露出した、所要のパターンに形成する。次に、配線層形成側の全面をレジスト膜（図示せず）で覆ってから、図３（ｆ）に示したように、キャリアのアルミニウムテープ４０をエッチングにより除去する。アルミニウムを溶解するエッチング液と、銅を溶解するエッチング液は異なるため、アルミニウムテープ４０をエッチングにより除去する際に、銅からなる配線層４２は溶解しない。露出された下層配線層４２の上に、図３（ｇ）に示したように保護膜５２を形成して、半導体装置実装用テープ基板が得られる。保護膜５２は、ソルダレジストであり、感光性樹脂を塗布したり、感光性樹脂フィルムを積層したりした後、露光・現像し、配線層４２の外部接続端子接合部が露出した、所要のパターンに形成する。
【００２０】
この場合にも、図３（ｃ）で説明したビア用ポスト形成工程から図３（ｅ）で説明した上層の配線形成工程までを必要とされる回数だけ繰り返して、先に図２を参照して説明したような所定数の配線層を備えた多層配線テープ基板を製造することができる。
【００２１】
もう一つの態様として、異種の金属材料のフィルムを積層した２層構造の積層テープの使用も可能である。この場合の積層テープには、例えば図３（ａ）に示したアルミニウムテープ４０の上に配線層形成用の銅のフィルム（図示せず）が位置することになり、この銅フィルムをパターニングすることにより、図３（ｂ）に示した配線層４２が形成される。その後は、図３（ｃ）〜３（ｇ）で説明したようにテープ基板を作製することができる。同様に、図３（ｃ）〜３（ｅ）の工程を繰り返すことにより、所定数の配線層を持つ多層配線テープ基板を製造できる。
【００２２】
図４に、本発明により製造したテープ基板に半導体チップを搭載して得られる半導体パッケージを示す。この図の半導体パッケージにおいては、テープ基板６０の上に半導体チップ６２が搭載され、テープ基板６０の配線層６１とワイヤ６４を用いたワイヤボンディングにより電気的に接続され、封止樹脂６６により封止されている。テープ基板の外部接続端子接合部には、外部接続端子としてのはんだボール６８が接合されている。
【００２３】
本発明の半導体装置実装用テープ基板製造方法においては、多層配線を上に形成するためのベースとしてテープ状キャリアを使用し、その上に、多層配線テープ基板のコア層となる絶縁層（図１（ｄ）で形成される絶縁層１８、又は図３（ｄ）で形成される絶縁層４６）が形成される。それに対し、絶縁テープを用いた従来の方法では絶縁テープ自体がコア層として製品テープ基板に残る。そのため、本発明の方法による場合には、ベースのテープ状キャリアはコア層となる絶縁層の厚さと無関係に、キャリアとして必要とされる強度をもたらすのに十分な厚さ持つことができるのに対し、従来の方法による場合には、コア層が薄くなればベースの絶縁テープも呼応して薄くしなければならず、キャリアとして要求される強度を保証することができなくなってしまう。十分な厚さのキャリアを使用できる本発明によれば、キャリアのエッジ部がガイドローラ等と接触しても損傷を受けにくくなり、仮に損傷したとしてもその部分は後に除去されて製品テープ基板には残らないので重大な問題にはならない。
【００２４】
更に、本発明の製造方法では、上下配線層の接続用のビアを柱状部材のポストとして形成し、その形成にはめっき法などを利用できるため、ビアを一括して形成することができる。それに対し、従来の方法の場合、上下配線層の接続用のビアは、レーザ加工でビア孔を一つずつ形成後、ビア孔へめっき法で金属材料を充填することにより行われる。このように、レーザ加工を用いずにビアを形成可能な本発明の方法は、ビアの形成に関して従来の方法よりも簡便になっている。
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、形成した配線層を保持するキャリアの厚さを十分に確保できるため、製造過程の中間製品の工程間の搬送やベース上への配線形成を含めた、ハンドリング性を向上させることができる。更に、本発明の方法には、レーザ加工を用いずにビアを形成できるという長所もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるテープ基板の製造の一例を説明する図である。
【図２】本発明の方法により製造した多層配線テープ基板を説明する図である。
【図３】本発明によるテープ基板の製造のもう一つの例を説明する図である。
【図４】本発明により製造したテープ基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージの例を説明する図である。
【図５】従来のテープ基板の製造を説明する図である。
【符号の説明】
１０…金属フィルム
１２…配線層用金属フィルム
１４、２０、３０…配線層
１６…ビア用のポスト
１８、２８…絶縁層
２２、２４…保護膜
２６…ビア
４０…金属テープ
４２、４８…配線層
４４…ビア用ポスト
４６…絶縁層
５０、５２…保護膜[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a tape substrate for mounting a semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a tape substrate for mounting a semiconductor device by forming a wiring thereon using a tape-shaped base. .
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art A substrate for mounting a semiconductor device used in a small electronic device such as a mobile phone or a PDA has responded to a demand for thinning by forming wiring on one surface or both surfaces based on an insulating tape. A conventional method for manufacturing such a tape substrate will be described with reference to FIG.
[0003]
As shown in FIG. 5A, via holes 102 are formed in the insulating tape 100 serving as the core of the substrate by laser processing (or press molding or etching). Next, a metal layer for wiring is formed on one surface of the tape 100, and is patterned to form a wiring layer 104 as shown in FIG. 5B. Next, as shown in FIG. 5C, a protective layer 106 is formed on the side where the wiring layer 104 is formed, and the via hole 102 is filled with a metal 108 by using a plating method. Subsequently, the metal layer formed on the back side of the tape 100 is patterned to form a wiring layer 110 as shown in FIG. Finally, a protective layer 112 is formed on the back surface as shown in FIG.
[0004]
In the manufacture of a tape substrate for mounting a semiconductor device, it has not been known to use a tape of a conductive material (metal tape) instead of an insulating tape as a base. As a known technique using a conductor (metal material) as a base, for example, Patent Literature 1 discloses forming a depression in a metal plate used as a base, filling the depression with a conductor, and forming a multilayer wiring layer on the metal plate. It describes a method of manufacturing a semiconductor device in which after forming and mounting a semiconductor element, a base metal plate is removed and a solder bump is formed by a conductor in a recess.
[0005]
Patent Literature 2 discloses a method of manufacturing a printed wiring board by forming a circuit pattern laminated body on a conductive support base and then peeling the circuit pattern laminated body from the conductive support base. In this method, the via connecting the upper and lower wiring layers is formed together with the upper wiring layer using a plating resist pattern having an opening communicating with the lower wiring layer.
[0006]
Patent Literature 3 describes that a metal plate which is later removed by etching is used as a base for manufacturing a multilayer substrate for a semiconductor device. In the technology described in this patent document, a recess formed by laser processing is used in an insulating layer between the wiring layers so as to communicate with the lower wiring layer in manufacturing vias for connecting the upper and lower wiring layers.
[0007]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-283925 [Patent Document 2]
Japanese Patent Application Laid-Open No. H5-259639 [Patent Document 3]
JP 2000-323613 A
[Problems to be solved by the invention]
In particular, a tape substrate for mounting a semiconductor device used in a small electronic device such as a mobile phone and a PDA is required to be thinner in order to accommodate it in a limited space in the device. In order to further reduce the thickness of a conventional tape substrate, the base insulating tape must be thinned. In this case, when a thin insulating tape having a thickness of less than 50 μm (for example, 25 μm) is used, the hardness of the base is insufficient, and handling including transfer between processes and formation of wiring on the base becomes difficult. Further, if a large tension is applied to the insulating tape based on the organic material during the manufacturing process, the edge of the tape may be damaged by contact with a guide roller or the like. Furthermore, the process of forming a via hole in an insulating tape by laser processing is complicated, and a simpler alternative is desired.
[0009]
An object of the present invention is to provide a new manufacturing method of a tape substrate for mounting a semiconductor device, which solves these problems.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The method of manufacturing a tape substrate for mounting a semiconductor device according to the present invention includes: (1) forming a patterned wiring layer on one surface of a tape-shaped carrier having a metal layer on at least one surface; and (2) forming a patterned wiring layer on a predetermined portion of the wiring layer. Forming a via post (columnar member); (3) forming an insulating layer on the wiring layer so as to expose the upper surface of the via post; and (4) forming an insulating layer on the insulating layer. (5) forming a predetermined number of wiring layers by repeating steps (2) to (4) to form another wiring layer electrically connected to the lower wiring layer through vias; Thereafter, a step of first removing a material of the carrier under the wiring layer formed in the step (1) is included.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
With reference to FIG. 1, a basic method of manufacturing a tape substrate for mounting a semiconductor device according to the present invention will be described. As shown in FIG. 1A, a tape-shaped base in which a metal layer (metal film) 12 for a wiring layer is located on a metal film 10 is prepared as a carrier during wiring formation. Such a tape-like base material is commercially available as a continuous tape having a three-layer structure including an intermediate layer (not shown) between two metal films 10 and 12. For example, using a titanium layer as a dissimilar metal layer or an organic resin layer between two copper films, or using a titanium layer or an organic resin layer between a copper film and an aluminum film, etc. Can be. Also, a tape in which a film of a metal material such as copper and a film of an organic material such as polyethylene terephthalate (PET) are laminated can be used. In the example described here, a laminated tape in which a titanium layer is sandwiched between two copper films is used.
[0012]
As shown in FIG. 1B, the wiring layer 14 is formed by patterning the copper layer 12 on the upper side of the base. Then, using a resist pattern (not shown) having an opening exposing a predetermined portion of the formed wiring layer, the via shown in FIG. 1C is formed by electrolytic copper plating using the wiring layer 14 as a power supply layer. Post (columnar member) 16 is formed, and then the register pattern is removed. Next, as shown in FIG. 1D, an insulating layer 18 is formed so as to cover the wiring layer 14 and expose the head of the post 16. The insulating layer 18 can be formed by applying a resin such as epoxy or polyimide, or by laminating films of these resins.
[0013]
Next, a copper layer is formed on the insulating layer 18 by electroless copper plating and electrolytic copper plating, and is patterned to form an upper wiring layer 20 shown in FIG. 1E. Subsequently, a protection film 22 is formed on the upper wiring layer 20 as shown in FIG. The protective film 22 is a solder resist, and is coated with a photosensitive resin or laminated with a photosensitive resin film, and then exposed and developed to expose a connection portion between the upper wiring layer 20 and the semiconductor chip. In a pattern of Next, the entire surface on the wiring layer forming side (the side on which the protective film 22 is formed) is covered with a resist film (not shown), and then, as shown in FIG. Is removed by etching. Thereby, a titanium intermediate layer (not shown) between the copper film of the carrier 10 and the copper film 12 for forming the wiring layer is exposed, and the titanium intermediate layer is removed by etching. Since the etching solution that dissolves titanium and the etching solution that dissolves copper are different, the wiring layer 14 made of copper does not dissolve when the titanium intermediate layer is removed by etching. In the case of an organic resin intermediate layer, it can be easily removed by dissolution or peeling. Even when the carrier tape is a laminated tape of a metal material and a resin material film, the resin material film can be easily removed by peeling or the like. The removal of the metal film and the intermediate layer of the carrier may be performed when the carrier is in a continuous tape state, or may be performed after cutting the tape into individual substrate units.
[0014]
As shown in FIG. 1G, a protective film 24 is formed on the exposed lower wiring layer 14 to obtain a semiconductor device mounting tape substrate. The protective film 24 is a solder resist, and after applying a photosensitive resin or laminating a photosensitive resin film, it is exposed and developed to expose a required pattern in which an external connection terminal joint portion of the wiring layer 14 is exposed. Formed.
[0015]
In the above description, a tape substrate having two wiring layers 14 and 20 was manufactured. If a tape substrate including more wiring layers is desired, the steps from the via post forming step described in FIG. 1C to the upper wiring layer forming step described in FIG. 1E are required. By repeating this process a certain number of times, a multilayer wiring tape substrate having a predetermined number of wiring layers can be manufactured.
[0016]
FIG. 2 shows a multilayer wiring tape substrate obtained by forming three wiring layers in this manner. In this figure, the same members as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the multilayer wiring tape substrate of this figure has a post on the wiring layer 20 of the tape substrate of FIG. 1 (g). And an uppermost wiring layer 30 electrically connected to the wiring layer 20 by the via 26.
[0017]
As the tape-shaped carrier, a metal tape of a single material can be used in addition to the laminated tape described above. This metal tape is made of a material different from the material of the wiring layer formed thereon. For example, when the wiring layer is formed of copper, it can be manufactured of aluminum or an aluminum alloy.
[0018]
The manufacture of a tape substrate using a single material metal tape as a carrier will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3A, a metal tape 40 made of aluminum is prepared. A plating resist pattern is formed on the aluminum tape 40 so that a portion serving as a wiring layer is opened. Then, electrolytic copper plating is performed using the aluminum tape as a power supply layer. Finally, the plating resist pattern is removed. The wiring layer 42 is formed as shown in FIG. Next, the via post 44 shown in FIG. 3C is formed by electrolytic copper plating using a resist pattern (not shown) having an opening for exposing a predetermined portion of the formed wiring layer 42 as a mask. Then, the register pattern is removed. Subsequently, as shown in FIG. 3D, an insulating layer 46 is formed so as to cover the wiring layer 42 and expose the head of the post 44. The insulating layer 46 can be formed by applying a resin such as epoxy or polyimide, or by laminating films of these resins.
[0019]
Next, a copper layer is formed on the insulating layer 46 by electroless copper plating and electrolytic copper plating, and is patterned to form an upper wiring layer 48 shown in FIG. Subsequently, a protection film 50 is formed on the upper wiring layer 48 as shown in FIG. The protective film 50 is a solder resist. After coating a photosensitive resin or laminating a photosensitive resin film, the protective film 50 is exposed and developed to expose a connection portion of the upper wiring layer 48 with the semiconductor chip. In a pattern of Next, after covering the entire surface on the wiring layer formation side with a resist film (not shown), as shown in FIG. 3F, the aluminum tape 40 of the carrier is removed by etching. Since the etchant that dissolves aluminum and the etchant that dissolves copper are different, the wiring layer 42 made of copper does not dissolve when the aluminum tape 40 is removed by etching. On the exposed lower wiring layer 42, a protective film 52 is formed as shown in FIG. 3G, and a tape substrate for mounting a semiconductor device is obtained. The protective film 52 is a solder resist, is coated with a photosensitive resin or laminated with a photosensitive resin film, and is then exposed and developed to expose the external connection terminal joint of the wiring layer 42 to a required pattern. Formed.
[0020]
In this case as well, the steps from the via post forming step described in FIG. 3C to the upper layer wiring forming step described in FIG. 3E are repeated as many times as necessary, and FIG. Thus, a multilayer wiring tape substrate having a predetermined number of wiring layers as described above can be manufactured.
[0021]
As another embodiment, it is possible to use a laminated tape having a two-layer structure in which films of different kinds of metal materials are laminated. In the laminated tape in this case, for example, a copper film (not shown) for forming a wiring layer is located on the aluminum tape 40 shown in FIG. 3A, and the copper film is patterned. Thereby, the wiring layer 42 shown in FIG. 3B is formed. Thereafter, a tape substrate can be manufactured as described with reference to FIGS. Similarly, by repeating the steps of FIGS. 3C to 3E, a multilayer wiring tape substrate having a predetermined number of wiring layers can be manufactured.
[0022]
FIG. 4 shows a semiconductor package obtained by mounting a semiconductor chip on a tape substrate manufactured according to the present invention. In the semiconductor package of this figure, a semiconductor chip 62 is mounted on a tape substrate 60, electrically connected to the wiring layer 61 of the tape substrate 60 by wire bonding using wires 64, and sealed by a sealing resin 66. Have been. A solder ball 68 as an external connection terminal is joined to the external connection terminal joint of the tape substrate.
[0023]
In the method of manufacturing a tape substrate for mounting a semiconductor device according to the present invention, a tape carrier is used as a base for forming a multilayer wiring thereon, and an insulating layer serving as a core layer of the multilayer wiring tape substrate (see FIG. The insulating layer 18 formed in (d) or the insulating layer 46 formed in FIG. 3D is formed. In contrast, in the conventional method using an insulating tape, the insulating tape itself remains on the product tape substrate as a core layer. Therefore, according to the method of the present invention, the base tape-shaped carrier can have a thickness sufficient to provide the strength required for the carrier, regardless of the thickness of the insulating layer serving as the core layer. On the other hand, according to the conventional method, if the core layer becomes thinner, the base insulating tape must also be made thinner, and the strength required for the carrier cannot be guaranteed. According to the present invention in which a carrier having a sufficient thickness can be used, even if the edge portion of the carrier is in contact with a guide roller or the like, the carrier is not easily damaged. Does not remain a serious problem.
[0024]
Furthermore, in the manufacturing method of the present invention, the vias for connecting the upper and lower wiring layers are formed as posts of the columnar member, and the formation can be performed by plating or the like, so that the vias can be formed collectively. On the other hand, in the case of the conventional method, vias for connecting the upper and lower wiring layers are formed by forming via holes one by one by laser processing and then filling the via holes with a metal material by plating. As described above, the method of the present invention capable of forming a via without using laser processing is simpler than the conventional method for forming a via.
[0025]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, since the thickness of the carrier holding the formed wiring layer can be sufficiently ensured, the method includes the transportation between the steps of the intermediate product in the manufacturing process and the formation of the wiring on the base. In addition, the handleability can be improved. Furthermore, the method of the present invention has the advantage that vias can be formed without using laser processing.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of manufacturing a tape substrate according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a multilayer wiring tape substrate manufactured by the method of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating another example of manufacturing a tape substrate according to the present invention.
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a semiconductor package in which a semiconductor chip is mounted on a tape substrate manufactured according to the present invention.
FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional production of a tape substrate.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Metal film 12 ... Wiring layer metal films 14, 20, 30 ... Wiring layer 16 ... Via post 18, 28 ... Insulating layer 22, 24 ... Protective film 26 ... Via 40 ... Metal tape 42, 48 ... Wiring layer 44: via post 46: insulating layer 50, 52: protective film