JP2004363160A - チップの剥離方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】チップを粘着テープから剥離する場合においては、個々のチップの損傷を防止することに課題を有している。
【解決手段】一方の面が粘着テープＴ１に貼着されたウェーハを分割することにより形成された個々のチップＣ１を粘着テープＴ１から剥離する場合において、少なくとも１個の吸引孔３が形成されウェーハＷ１の外径より大きい外径を有する支持プレート１と、吸引孔３に吸引力を供給する吸引源４とを用い、支持プレート１に液体２を滴下させ、ウェーハＷ１の粘着テープＴ１が貼着されていない他方の面を液体２が滴下された面に対面させ、ウェーハＷ１を支持プレート１に載置して吸引孔３に吸引力を作用させて支持プレート１とウェーハＷ１とを液体２を介して密着させて保持し、粘着テープＴ１をウェーハＷ１の一方の面から剥離する。液体２の表面張力によりウェーハＷ１が支持プレート１と密着するため、粘着テープＴ１の剥離が容易となり、個々の半導体チップＣ１が損傷しない。
【選択図】 図２
【解決手段】一方の面が粘着テープＴ１に貼着されたウェーハを分割することにより形成された個々のチップＣ１を粘着テープＴ１から剥離する場合において、少なくとも１個の吸引孔３が形成されウェーハＷ１の外径より大きい外径を有する支持プレート１と、吸引孔３に吸引力を供給する吸引源４とを用い、支持プレート１に液体２を滴下させ、ウェーハＷ１の粘着テープＴ１が貼着されていない他方の面を液体２が滴下された面に対面させ、ウェーハＷ１を支持プレート１に載置して吸引孔３に吸引力を作用させて支持プレート１とウェーハＷ１とを液体２を介して密着させて保持し、粘着テープＴ１をウェーハＷ１の一方の面から剥離する。液体２の表面張力によりウェーハＷ１が支持プレート１と密着するため、粘着テープＴ１の剥離が容易となり、個々の半導体チップＣ１が損傷しない。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、粘着テープに貼着されたチップを損傷させることなく剥離する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェーハをダイシングすることにより形成された個々の半導体チップは、パッケージングされて補強された状態で各種の電子機器に広く利用されるが、半導体チップ自体には所定の抗折強度が要求される。
【０００３】
そこで、図１６に示すように、半導体チップを所定間隔の２本の支持棒１０で支持し、荷重棒１１によって中央部に荷重Ｗを加えることにより抗折強度を測定することが行われている。この場合、２本の支持棒１０の間隔（支点間距離）をＬ、荷重をＷ、半導体チップの厚さをｈ、幅をｂとすると、抗折強度は、（３ＬＷ／２ｂｈ２）［Ｐａ］となる。
【０００４】
上記のようにして抗折強度を測定するには、半導体ウェーハが粘着テープに貼着された状態でダイシングされた後に、形成された半導体チップを損傷させることなく粘着テープから剥離する必要がある。そこで、粘着テープとして紫外線硬化型のテープを使用し、粘着テープに紫外線を照射することにより粘着力を低下させてから半導体チップを剥離することも行われている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１２４８８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、粘着テープとして紫外線硬化型のテープを使用しても、半導体チップを粘着テープから剥離する際の損傷を完全に防止することは困難である。特に、厚さが１００μｍ以下、５０μｍ以下というように極めて薄い半導体チップについては、損傷してしまう可能性が高く、抗折強度を測定できなくなるという問題がある。
【０００７】
また、半導体ウェーハのダイシングにより形成された個々の半導体チップをダイシングテープから剥離してダイボンディングする場合にも半導体チップが損傷するおそれがある。
【０００８】
更に、半導体ウェーハの表面に半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝を予め形成しておき、切削溝が形成された表面に保護テープ（粘着テープ）を貼着して半導体ウェーハの裏面を研削して裏面から切削溝を表出させることにより個々の半導体チップに分割するいわゆる先ダイシングの技術では、半導体チップを保護テープから剥離する際に半導体チップが損傷するという問題がある。
【０００９】
上記のような問題は、半導体チップのみならず、他のチップについても同様に生じうる。従って、チップを粘着テープから剥離する場合においては、個々のチップの損傷を防止することに課題を有している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、一方の面が粘着テープに貼着されたウェーハを分割することにより形成された個々のチップを粘着テープから剥離するチップの剥離方法であって、少なくとも１個の吸引孔が形成されウェーハの外径より大きい外径を有する支持プレートと、吸引孔に吸引力を供給する吸引源とを用い、支持プレートに液体を滴下させ、ウェーハの粘着テープが貼着されていない他方の面を液体が滴下された面に対面させ、ウェーハを支持プレートに載置する載置工程と、支持プレートの吸引孔に吸引力を作用させて、支持プレートとウェーハとを液体を介して密着させる吸引工程と、吸引工程の後に、粘着テープを該ウェーハの一方の面から剥離する剥離工程とから少なくとも構成されるチップの剥離方法を提供する。
【００１１】
そしてこのチップの剥離方法は、支持プレートとウェーハとの間に介在する液体を蒸発させる蒸発工程と、支持プレートからチップをピックアップするピックアップ工程とを更に含むこと、吸引源が、支持プレートの全面を支持するチャックテーブルであること、支持プレートのウェーハを支持する側の面には保護テープが貼着されていること、蒸発工程において、支持プレートとウェーハとが加熱されること、支持プレートとウェーハとの間に介在する液体が、水またはアルコールであること、ウェーハは半導体ウェーハであることを付加的な要件とする。
【００１２】
このように構成されるチップの剥離方法によれば、粘着テープが貼着されていない分割後のウェーハの面を吸引孔が形成された支持プレートに液体を介して載置し、吸引孔に吸引力を作用させることにより液体を介してウェーハを支持プレートに密着させ、その状態でウェーハから粘着テープを剥離することができるため、個々のチップを損傷させることがない。
【００１３】
また、ウェーハと支持プレートとの間に介在する液体を蒸発させれば、ウェーハと支持プレートとの密着力がなくなるため、粘着テープの剥離後における個々のチップのピックアップを容易に行うことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態として、半導体ウェーハを粘着テープから剥離する場合を例に挙げて説明する。
【００１５】
図１に示す半導体ウェーハＷ１は、ダイシングにより個々の半導体チップＣ１に分割されているが、個々の半導体チップＣ１の裏面が透明な粘着テープＴ１の粘着面に貼着されているために、全体としてほぼ円形のウェーハ形状を維持している。また、粘着テープＴ１の粘着面の外周部分にはフレームＦが貼着されており、半導体ウェーハＷ１が粘着テープＴを介してフレームＦと一体となっている。図１において、半導体ウェーハＷ１は、回路が形成され粘着テープＴ１が貼着されていない方の面（表面）が上を向いた状態となっている。
【００１６】
このように粘着テープＴ１を介してフレームＦと一体となった半導体ウェーハＷ１を裏返して表面を下向きにし、図２に示すように、支持プレート１に載置する。このとき、支持プレート１のうち、半導体ウェーハＷ１の表面と対面する側の面には液体２を滴下させておき、半導体ウェーハＷ１と支持プレート１との間に液体２が介在するようにする（載置工程）。滴下させる液体としては、水やアルコールのように、半導体ウェーハＷ１の品質に影響を与えず、蒸発しやすいものが好ましい。
【００１７】
なお、支持プレート１の半導体ウェーハＷ１を支持する側の面には回路を保護するための保護テープを貼着することもできる。
【００１８】
支持プレート１は、例えばステンレス等の硬質部材で形成され、半導体ウェーハＷ１よりも外径が大きく形成されており、表面から裏面に至る吸引孔３が少なくとも１つ（図示の例では９個）形成されている。吸引孔３の内径は、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが望ましい。
【００１９】
半導体ウェーハＷ１が載置された支持プレート１は、吸引源４に吸引保持される。図示の例における吸引源４は、例えばポーラス部材により平面状に形成された吸引面５と、吸引面５に連通する真空源６とを備えたチャックテーブルであり、図３及び図４に示すように、真空源６から伝達される吸引力によって吸引面５において支持プレート１を吸引保持すると共に、支持プレート１に形成された吸引孔３にも吸引力を作用させて半導体ウェーハＷ１の全面を支持して吸引保持する（吸引工程）。なお、支持プレート１は、予め吸引源４に組み付けておいてもよい。また、吸引源４はチャックテーブルには限定されない。
【００２０】
支持プレート１及び半導体ウェーハＷ１を吸引することにより、図４において拡大して示すように、支持プレート１と半導体ウェーハＷ１との間に液体２が僅かな厚みで一面に介在し、液体２の表面張力によって支持プレート１と半導体ウェーハＷ１とを強固に密着させることができる。
【００２１】
こうして支持プレート１と半導体ウェーハＷ１とを液体２を介して密着させた後に、図５に示すように、粘着テープＴ１を半導体ウェーハＷ１の裏面から剥離すると、支持プレート１と半導体ウェーハＷ１とが液体２によって強固に密着しているため、剥離を容易に行うことができる（剥離工程）。従って、半導体チップＣ１に強い力が加わることがなく、半導体チップＣ１を損傷させることがない。なお、剥離の方向はストリートに対して４５度の角度とすることが好ましい。
【００２２】
剥離工程の後には、図６に示すように、個々の半導体チップＣ１をピックアップするピックアップ工程を遂行することができる。ピックアップ工程を遂行する前に、半導体ウェーハＷ１と支持プレート１との間に介在する液体２を蒸発させる蒸発工程を遂行すれば、半導体ウェーハＷ１と支持プレート１との密着力がなくなるため、半導体チップＣ１のピックアップを容易に行うことができる。
【００２３】
蒸発工程は、例えば支持プレート１または半導体ウェーハＷ１を８０°Ｃぐらいに熱することによって行うことができる。支持プレート１を加熱する場合は、加熱するための手段を吸引源４に設けておけば、容易かつ効率的である。
【００２４】
ピックアップ後に抗折強度の測定を行う場合は、半導体チップＣ１に損傷がないため、測定のための適正な試験片とすることができる。また、ピックアップした半導体チップＣ１をダイボンディングすることもでき、更に、他の粘着テープに移し替えることも容易にできる。
【００２５】
次に、本発明の第二の実施の形態として、いわゆる先ダイシングにより半導体ウェーハを分割して個々の半導体チップとする手法に本発明を適用する場合について説明する。先ダイシングの手法においては、図７に示すように、半導体ウェーハＷ２の表面に半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝７を予め形成しておき、図８及び図９に示すように、切削溝７が形成された表面に粘着テープである保護テープＴ２を貼着し、その状態で半導体ウェーハＷ２の裏面を研削して、図１０及び図１１に示すように、裏面から切削溝７を表出させることにより個々の半導体チップＣ２に分割する。
【００２６】
図１２に示すように、支持プレート１に液体２を滴下させておき、支持プレート１の液体２が滴下されている面と分割済みの半導体ウェーハＷの研削された裏面とを対面させて吸引源４によって吸引すると、図１３に示すように、支持プレート１と半導体ウェーハＷ２との間に僅かな厚みで一面に液体２が介在し、液体２の表面張力によって支持プレート１と半導体ウェーハＷ２とを強固に密着させることができる。
【００２７】
その状態で、図１４に示すように保護テープＴ２を剥離すると、支持プレート１と半導体ウェーハＷ２とが液体２によって強固に密着しているため、保護テープＴ２を容易に剥離することができる（剥離工程）。従って、半導体チップＣ２に強い力が加わることがなく、半導体チップＣ２を損傷させることがない。
【００２８】
そして、保護テープＴ２が剥離された後は、図１５に示すように、個々の半導体チップＣ２をピックアップすることができる。ピックアップを行う前に、支持プレート１または分割後の半導体ウェーハＷ２を加熱すれば、液体２が蒸発して密着力がなくなるため、ピックアップを容易かつ円滑に行うことができ、半導体チップＣ２が損傷することがない。
【００２９】
ピックアップした半導体チップＣ１が抗折強度の測定のために利用される場合は、損傷がないため、測定のための適正な試験片とすることができる。また、ピックアップした半導体チップＣ２をダイボンディングすることもでき、更に、他の粘着テープに移し替えることも容易にできる。
【００３０】
なお、本実施の形態では、粘着テープから半導体チップを剥離する場合を例に挙げて説明したが、チップは半導体チップには限定されない。また、支持プレートと真空源とを一体にしてチャックテーブルを構成し、支持プレートの下部にヒーター等の熱源を配設してもよい。更に、支持プレート１の上面にチップを保護するための保護テープ等の緩衝材を貼着して吸引孔を形成すると、チップが金属等からなる支持プレートに直接接触することがないと共に、チップにバンプ等の凹凸がある場合は保護テープが凹凸を吸収し、密着性が向上する。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るチップの剥離方法によれば、粘着テープが貼着されていない分割後のウェーハの面を吸引孔が形成された支持プレートに液体を介して載置し、吸引孔に吸引力を作用させることにより液体を介してウェーハを支持プレートに密着させ、その状態でウェーハから粘着テープを剥離することができるため、個々のチップを損傷させることがなく、安全且つ容易に剥離を行うことができる。
【００３２】
また、ウェーハと支持プレートとの間に介在する液体を蒸発させれば、ウェーハと支持プレートとの密着力がなくなるため、粘着テープの剥離後における個々のチップのピックアップを容易に行うことができる。そしてピックアップしたチップは、抗折強度を測定するための適正な試験片とすることもできるし、このチップをそのままダイボンディングしたり、他の粘着テープ等に移し替えることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】粘着テープを介してフレームと一体となった半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図２】載置工程を示す斜視図である。
【図３】吸引工程を示す斜視図である。
【図４】半導体ウェーハが吸引された状態を示す断面図である。
【図５】剥離工程を示す斜視図である。
【図６】ピックアップ工程を示す斜視図である。
【図７】切削溝が形成された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図８】同半導体ウェーハに保護テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【図９】同半導体ウェーハに保護テープを貼着した状態を示す断面図である。
【図１０】先ダイシングにより半導体チップに分割された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図１１】先ダイシングにより半導体チップに分割された半導体ウェーハを示す断面図である。
【図１２】載置工程を示す斜視図である。
【図１３】半導体ウェーハが吸引された状態を示す断面図である。
【図１４】剥離工程を示す正面図である。
【図１５】ピックアップ工程を示す斜視図である。
【図１６】抗折強度試験を示す斜視図である。
【符号の説明】
Ｗ１、Ｗ２…半導体ウェーハ Ｔ１…粘着テープ
Ｔ２…保護テープ Ｃ１、Ｃ２…半導体チップ
Ｆ…フレーム
１…支持プレート ２…液体 ３…吸引孔
４…吸引源 ５…吸引面 ６…真空源
【発明の属する技術分野】
本発明は、粘着テープに貼着されたチップを損傷させることなく剥離する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェーハをダイシングすることにより形成された個々の半導体チップは、パッケージングされて補強された状態で各種の電子機器に広く利用されるが、半導体チップ自体には所定の抗折強度が要求される。
【０００３】
そこで、図１６に示すように、半導体チップを所定間隔の２本の支持棒１０で支持し、荷重棒１１によって中央部に荷重Ｗを加えることにより抗折強度を測定することが行われている。この場合、２本の支持棒１０の間隔（支点間距離）をＬ、荷重をＷ、半導体チップの厚さをｈ、幅をｂとすると、抗折強度は、（３ＬＷ／２ｂｈ２）［Ｐａ］となる。
【０００４】
上記のようにして抗折強度を測定するには、半導体ウェーハが粘着テープに貼着された状態でダイシングされた後に、形成された半導体チップを損傷させることなく粘着テープから剥離する必要がある。そこで、粘着テープとして紫外線硬化型のテープを使用し、粘着テープに紫外線を照射することにより粘着力を低下させてから半導体チップを剥離することも行われている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１２４８８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、粘着テープとして紫外線硬化型のテープを使用しても、半導体チップを粘着テープから剥離する際の損傷を完全に防止することは困難である。特に、厚さが１００μｍ以下、５０μｍ以下というように極めて薄い半導体チップについては、損傷してしまう可能性が高く、抗折強度を測定できなくなるという問題がある。
【０００７】
また、半導体ウェーハのダイシングにより形成された個々の半導体チップをダイシングテープから剥離してダイボンディングする場合にも半導体チップが損傷するおそれがある。
【０００８】
更に、半導体ウェーハの表面に半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝を予め形成しておき、切削溝が形成された表面に保護テープ（粘着テープ）を貼着して半導体ウェーハの裏面を研削して裏面から切削溝を表出させることにより個々の半導体チップに分割するいわゆる先ダイシングの技術では、半導体チップを保護テープから剥離する際に半導体チップが損傷するという問題がある。
【０００９】
上記のような問題は、半導体チップのみならず、他のチップについても同様に生じうる。従って、チップを粘着テープから剥離する場合においては、個々のチップの損傷を防止することに課題を有している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、一方の面が粘着テープに貼着されたウェーハを分割することにより形成された個々のチップを粘着テープから剥離するチップの剥離方法であって、少なくとも１個の吸引孔が形成されウェーハの外径より大きい外径を有する支持プレートと、吸引孔に吸引力を供給する吸引源とを用い、支持プレートに液体を滴下させ、ウェーハの粘着テープが貼着されていない他方の面を液体が滴下された面に対面させ、ウェーハを支持プレートに載置する載置工程と、支持プレートの吸引孔に吸引力を作用させて、支持プレートとウェーハとを液体を介して密着させる吸引工程と、吸引工程の後に、粘着テープを該ウェーハの一方の面から剥離する剥離工程とから少なくとも構成されるチップの剥離方法を提供する。
【００１１】
そしてこのチップの剥離方法は、支持プレートとウェーハとの間に介在する液体を蒸発させる蒸発工程と、支持プレートからチップをピックアップするピックアップ工程とを更に含むこと、吸引源が、支持プレートの全面を支持するチャックテーブルであること、支持プレートのウェーハを支持する側の面には保護テープが貼着されていること、蒸発工程において、支持プレートとウェーハとが加熱されること、支持プレートとウェーハとの間に介在する液体が、水またはアルコールであること、ウェーハは半導体ウェーハであることを付加的な要件とする。
【００１２】
このように構成されるチップの剥離方法によれば、粘着テープが貼着されていない分割後のウェーハの面を吸引孔が形成された支持プレートに液体を介して載置し、吸引孔に吸引力を作用させることにより液体を介してウェーハを支持プレートに密着させ、その状態でウェーハから粘着テープを剥離することができるため、個々のチップを損傷させることがない。
【００１３】
また、ウェーハと支持プレートとの間に介在する液体を蒸発させれば、ウェーハと支持プレートとの密着力がなくなるため、粘着テープの剥離後における個々のチップのピックアップを容易に行うことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態として、半導体ウェーハを粘着テープから剥離する場合を例に挙げて説明する。
【００１５】
図１に示す半導体ウェーハＷ１は、ダイシングにより個々の半導体チップＣ１に分割されているが、個々の半導体チップＣ１の裏面が透明な粘着テープＴ１の粘着面に貼着されているために、全体としてほぼ円形のウェーハ形状を維持している。また、粘着テープＴ１の粘着面の外周部分にはフレームＦが貼着されており、半導体ウェーハＷ１が粘着テープＴを介してフレームＦと一体となっている。図１において、半導体ウェーハＷ１は、回路が形成され粘着テープＴ１が貼着されていない方の面（表面）が上を向いた状態となっている。
【００１６】
このように粘着テープＴ１を介してフレームＦと一体となった半導体ウェーハＷ１を裏返して表面を下向きにし、図２に示すように、支持プレート１に載置する。このとき、支持プレート１のうち、半導体ウェーハＷ１の表面と対面する側の面には液体２を滴下させておき、半導体ウェーハＷ１と支持プレート１との間に液体２が介在するようにする（載置工程）。滴下させる液体としては、水やアルコールのように、半導体ウェーハＷ１の品質に影響を与えず、蒸発しやすいものが好ましい。
【００１７】
なお、支持プレート１の半導体ウェーハＷ１を支持する側の面には回路を保護するための保護テープを貼着することもできる。
【００１８】
支持プレート１は、例えばステンレス等の硬質部材で形成され、半導体ウェーハＷ１よりも外径が大きく形成されており、表面から裏面に至る吸引孔３が少なくとも１つ（図示の例では９個）形成されている。吸引孔３の内径は、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが望ましい。
【００１９】
半導体ウェーハＷ１が載置された支持プレート１は、吸引源４に吸引保持される。図示の例における吸引源４は、例えばポーラス部材により平面状に形成された吸引面５と、吸引面５に連通する真空源６とを備えたチャックテーブルであり、図３及び図４に示すように、真空源６から伝達される吸引力によって吸引面５において支持プレート１を吸引保持すると共に、支持プレート１に形成された吸引孔３にも吸引力を作用させて半導体ウェーハＷ１の全面を支持して吸引保持する（吸引工程）。なお、支持プレート１は、予め吸引源４に組み付けておいてもよい。また、吸引源４はチャックテーブルには限定されない。
【００２０】
支持プレート１及び半導体ウェーハＷ１を吸引することにより、図４において拡大して示すように、支持プレート１と半導体ウェーハＷ１との間に液体２が僅かな厚みで一面に介在し、液体２の表面張力によって支持プレート１と半導体ウェーハＷ１とを強固に密着させることができる。
【００２１】
こうして支持プレート１と半導体ウェーハＷ１とを液体２を介して密着させた後に、図５に示すように、粘着テープＴ１を半導体ウェーハＷ１の裏面から剥離すると、支持プレート１と半導体ウェーハＷ１とが液体２によって強固に密着しているため、剥離を容易に行うことができる（剥離工程）。従って、半導体チップＣ１に強い力が加わることがなく、半導体チップＣ１を損傷させることがない。なお、剥離の方向はストリートに対して４５度の角度とすることが好ましい。
【００２２】
剥離工程の後には、図６に示すように、個々の半導体チップＣ１をピックアップするピックアップ工程を遂行することができる。ピックアップ工程を遂行する前に、半導体ウェーハＷ１と支持プレート１との間に介在する液体２を蒸発させる蒸発工程を遂行すれば、半導体ウェーハＷ１と支持プレート１との密着力がなくなるため、半導体チップＣ１のピックアップを容易に行うことができる。
【００２３】
蒸発工程は、例えば支持プレート１または半導体ウェーハＷ１を８０°Ｃぐらいに熱することによって行うことができる。支持プレート１を加熱する場合は、加熱するための手段を吸引源４に設けておけば、容易かつ効率的である。
【００２４】
ピックアップ後に抗折強度の測定を行う場合は、半導体チップＣ１に損傷がないため、測定のための適正な試験片とすることができる。また、ピックアップした半導体チップＣ１をダイボンディングすることもでき、更に、他の粘着テープに移し替えることも容易にできる。
【００２５】
次に、本発明の第二の実施の形態として、いわゆる先ダイシングにより半導体ウェーハを分割して個々の半導体チップとする手法に本発明を適用する場合について説明する。先ダイシングの手法においては、図７に示すように、半導体ウェーハＷ２の表面に半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝７を予め形成しておき、図８及び図９に示すように、切削溝７が形成された表面に粘着テープである保護テープＴ２を貼着し、その状態で半導体ウェーハＷ２の裏面を研削して、図１０及び図１１に示すように、裏面から切削溝７を表出させることにより個々の半導体チップＣ２に分割する。
【００２６】
図１２に示すように、支持プレート１に液体２を滴下させておき、支持プレート１の液体２が滴下されている面と分割済みの半導体ウェーハＷの研削された裏面とを対面させて吸引源４によって吸引すると、図１３に示すように、支持プレート１と半導体ウェーハＷ２との間に僅かな厚みで一面に液体２が介在し、液体２の表面張力によって支持プレート１と半導体ウェーハＷ２とを強固に密着させることができる。
【００２７】
その状態で、図１４に示すように保護テープＴ２を剥離すると、支持プレート１と半導体ウェーハＷ２とが液体２によって強固に密着しているため、保護テープＴ２を容易に剥離することができる（剥離工程）。従って、半導体チップＣ２に強い力が加わることがなく、半導体チップＣ２を損傷させることがない。
【００２８】
そして、保護テープＴ２が剥離された後は、図１５に示すように、個々の半導体チップＣ２をピックアップすることができる。ピックアップを行う前に、支持プレート１または分割後の半導体ウェーハＷ２を加熱すれば、液体２が蒸発して密着力がなくなるため、ピックアップを容易かつ円滑に行うことができ、半導体チップＣ２が損傷することがない。
【００２９】
ピックアップした半導体チップＣ１が抗折強度の測定のために利用される場合は、損傷がないため、測定のための適正な試験片とすることができる。また、ピックアップした半導体チップＣ２をダイボンディングすることもでき、更に、他の粘着テープに移し替えることも容易にできる。
【００３０】
なお、本実施の形態では、粘着テープから半導体チップを剥離する場合を例に挙げて説明したが、チップは半導体チップには限定されない。また、支持プレートと真空源とを一体にしてチャックテーブルを構成し、支持プレートの下部にヒーター等の熱源を配設してもよい。更に、支持プレート１の上面にチップを保護するための保護テープ等の緩衝材を貼着して吸引孔を形成すると、チップが金属等からなる支持プレートに直接接触することがないと共に、チップにバンプ等の凹凸がある場合は保護テープが凹凸を吸収し、密着性が向上する。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るチップの剥離方法によれば、粘着テープが貼着されていない分割後のウェーハの面を吸引孔が形成された支持プレートに液体を介して載置し、吸引孔に吸引力を作用させることにより液体を介してウェーハを支持プレートに密着させ、その状態でウェーハから粘着テープを剥離することができるため、個々のチップを損傷させることがなく、安全且つ容易に剥離を行うことができる。
【００３２】
また、ウェーハと支持プレートとの間に介在する液体を蒸発させれば、ウェーハと支持プレートとの密着力がなくなるため、粘着テープの剥離後における個々のチップのピックアップを容易に行うことができる。そしてピックアップしたチップは、抗折強度を測定するための適正な試験片とすることもできるし、このチップをそのままダイボンディングしたり、他の粘着テープ等に移し替えることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】粘着テープを介してフレームと一体となった半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図２】載置工程を示す斜視図である。
【図３】吸引工程を示す斜視図である。
【図４】半導体ウェーハが吸引された状態を示す断面図である。
【図５】剥離工程を示す斜視図である。
【図６】ピックアップ工程を示す斜視図である。
【図７】切削溝が形成された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図８】同半導体ウェーハに保護テープを貼着した状態を示す斜視図である。
【図９】同半導体ウェーハに保護テープを貼着した状態を示す断面図である。
【図１０】先ダイシングにより半導体チップに分割された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図１１】先ダイシングにより半導体チップに分割された半導体ウェーハを示す断面図である。
【図１２】載置工程を示す斜視図である。
【図１３】半導体ウェーハが吸引された状態を示す断面図である。
【図１４】剥離工程を示す正面図である。
【図１５】ピックアップ工程を示す斜視図である。
【図１６】抗折強度試験を示す斜視図である。
【符号の説明】
Ｗ１、Ｗ２…半導体ウェーハ Ｔ１…粘着テープ
Ｔ２…保護テープ Ｃ１、Ｃ２…半導体チップ
Ｆ…フレーム
１…支持プレート ２…液体 ３…吸引孔
４…吸引源 ５…吸引面 ６…真空源
Claims (7)
- 一方の面が粘着テープに貼着されたウェーハを分割することにより形成された個々のチップを該粘着テープから剥離するチップの剥離方法であって、
少なくとも１個の吸引孔が形成されウェーハの外径より大きい外径を有する支持プレートと、該吸引孔に吸引力を供給する吸引源とを用い、
該支持プレートに液体を滴下させ、該ウェーハの粘着テープが貼着されていない他方の面を該液体が滴下された面に対面させ、該ウェーハを該支持プレートに載置する載置工程と、
該支持プレートの吸引孔に吸引力を作用させて、該支持プレートと該ウェーハとを前記液体を介して密着させる吸引工程と、
該吸引工程の後に、前記粘着テープを該ウェーハの一方の面から剥離する剥離工程と
から少なくとも構成されるチップの剥離方法。 - 支持プレートとウェーハとの間に介在する液体を蒸発させる蒸発工程と、
該支持プレートからチップをピックアップするピックアップ工程と
を更に含む請求項１に記載のチップの剥離方法。 - 吸引源は、支持プレートの全面を支持するチャックテーブルである請求項１または２に記載のチップの剥離方法。
- 支持プレートのウェーハを支持する側の面には保護テープが貼着されている請求項１、２または３に記載のチップの剥離方法。
- 蒸発工程において、該支持プレートと該ウェーハとが加熱される請求項２、３または４に記載のチップの剥離方法。
- 支持プレートとウェーハとの間に介在する液体は、水またはアルコールである請求項１乃至５のいずれかに記載のチップの剥離方法。
- ウェーハは半導体ウェーハである請求項１乃至６のいずれかに記載のチップの剥離方法。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010533385A (ja) * | 2007-07-13 | 2010-10-21 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | リソグラフィシステム、クランプ方法及びウェーハテーブル |
| US8705010B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-04-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
| KR20180124757A (ko) * | 2017-05-11 | 2018-11-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| KR20180124758A (ko) * | 2017-05-11 | 2018-11-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| JP2021005678A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | 株式会社ディスコ | 試験装置 |
| JP2021048274A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 株式会社ディスコ | ピックアップ方法、ピックアップ装置、及び、試験装置 |
| JP2023128879A (ja) * | 2022-03-04 | 2023-09-14 | 合同会社ポーラス・コーポレーション | ピーリング機構 |
-
2003
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE49488E1 (en) | 2007-07-13 | 2023-04-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
| US8705010B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-04-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
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| US9665013B2 (en) | 2007-07-13 | 2017-05-30 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
| JP2010533385A (ja) * | 2007-07-13 | 2010-10-21 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | リソグラフィシステム、クランプ方法及びウェーハテーブル |
| KR20180124757A (ko) * | 2017-05-11 | 2018-11-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| JP2018190938A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2018190937A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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| KR102445608B1 (ko) | 2017-05-11 | 2022-09-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
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| JP2021005678A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | 株式会社ディスコ | 試験装置 |
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