JP2004356290A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】原版(レチクル)のパターン形成面の平坦度を高精度で制御できる露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】レチクルステージ3には、レチクル(原版)を保持するチャック33と基準平面部材43が備えられている。基準平面部材33の表面の平坦度は予め準備されている。最初に、原版表面の高さを検出する複数のセンサを用いて、基準平面部材33の表面の平坦度を計測し、計測した結果に、基準平面部材33の平坦度に応じた修正を加えて複数のセンサのキャリブレーションを行う。そして、キャリブレーションした複数のセンサによって計測した原版表面の平坦度に応じて原版表面の高さを制御しながら露光する。
【選択図】 図1
【解決手段】レチクルステージ3には、レチクル(原版)を保持するチャック33と基準平面部材43が備えられている。基準平面部材33の表面の平坦度は予め準備されている。最初に、原版表面の高さを検出する複数のセンサを用いて、基準平面部材33の表面の平坦度を計測し、計測した結果に、基準平面部材33の平坦度に応じた修正を加えて複数のセンサのキャリブレーションを行う。そして、キャリブレーションした複数のセンサによって計測した原版表面の平坦度に応じて原版表面の高さを制御しながら露光する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、EUV光(Extreme Ultra Violet 光、極端紫外光)や紫外光レーザ、荷電粒子線等のエネルギ線を用いる露光装置及び露光方法に関する。特には、パターンが形成された原版の平坦度を高精度で制御できる露光装置及び露光方法に関する。
【0002】
【従来技術】
EUV露光装置を例にとって説明する。
EUV露光装置は、通常4〜8枚の反射ミラーで構成される反射縮小投影光学系を備える。また、パターンが形成される原版(レチクル)も、反射式のものが用いられる。円弧状に成形された照明光は、レチクルに対して斜めから照射される。これは、EUV光の波長(13nm程度)において、有効なビームスプリッタやハーフミラーが存在しないため、照明光と反射光の光路を変えるには光軸を斜めにするしかないからである。
【0003】
反射式のレチクルを使用した場合、レチクル表面に光軸方向(高さ方向)の変位(上がり下がり、傾き)があると、ウェハ上に投影されるパターンに横ずれが生じ、その結果パターン像の倍率や位置が変化してしまう。このため、反射式のレチクルのパターン形成面は、できる限り平坦に保つ必要があり、光軸方向の変位を、例えば数十nm内の高精度に制御する必要がある。
【0004】
そのためには、レチクルのパターン形成面の高さを最低でも2点で測定する必要がある。2点で計測することにより、パターン形成面の傾きを求めることができるからである。ところで、レチクル上の露光領域は、長手方向の長さが少なくとも100mm以上であるため、ウェハの高さ測定に使用されるセンサ(AFセンサ)と同様のセンサを用いてレチクルのパターン形成面の高さを計測する場合は複数のセンサが必要になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、複数のセンサを用いると、センサ間のゼロ点ドリフトによる計測誤差が問題となる。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、原版(レチクル)のパターン形成面の平坦度を高精度で制御できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するため、本発明の露光装置は、 原版上に形成されたパターンを感応基板上に転写する露光装置であって、 前記原版表面の高さを検出する複数のセンサと、 予め平坦度が分かっている前記複数のセンサで同時高さ検出可能な基準平面部材と、を具備することを特徴とする。
予め平坦度が分かっている基準平面部材の高さを複数のセンサで検出して、センサ間のキャリブレーションを行う。これにより、複数のセンサを用いた場合に発生するセンサ間のドリフトを校正することができる。そして、キャリブレーション済みのセンサで原版(レチクル)の平坦度を計測するため、計測結果の精度が向上する。
【0007】
本発明においては、 前記原版を保持するチャックに前記基準平面部材が一体化されていることとすれば、チャックと基準平面部材とをレチクルステージに保持する機構を共通化できるため、レチクルステージを小型化できるとともに、レチクルステージのストロークを短くできる。
【0008】
本発明においては、 さらに、前記基準平面部材に、前記パターン像の平面位置を検出するための基準マークが形成されており、 前記パターンが投影される位置に、前記基準マークの空間像を検出するセンサが設けられていることとすれば、投影光学系の倍率やディストーションも同時にモニタできる。
【0009】
本発明の露光方法は、 原版上に形成されたパターンを感応基板上に転写する露光方法であって、 前記原版表面の高さを検出する複数のセンサを用いて、予め平坦度が分かっている基準平面部の平坦度を計測し、 計測した結果に、前記基準平面部の平坦度に応じた修正を加えて前記複数のセンサのキャリブレーションを行い、 キャリブレーションした前記複数のセンサによって計測した前記原版表面の平坦度に応じて前記原版表面の高さを制御しながら露光することを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
まず、EUV露光装置の一例について説明する。
図3は、本発明の実施の形態に係るEUV露光装置(4枚投影系)の構成を概略的に示す図である。
EUV露光装置は、光源を含む照明系ILを備えている。照明系ILから放射されたEUV光(一般に5〜20nmの波長の光が用いられ、具体的には、13.5nmの波長の光が使用される)は、折り返しミラー1で反射してレチクル2に照射される。
【0011】
レチクル2は、パターン形成面を重力方向下側に向けた状態で、レチクルステージ3に吸着保持されている。レチクルステージ3の構成については後述する。このレチクルステージ3は、走査方向(Y方向)に100mm以上のストロークをもち、この走査方向と直交する方向(X方向)に微小ストロークをもち、光軸方向(Z方向)にも微小ストロークをもっている。XY方向の位置は、図示せぬレーザ干渉計によって高精度にモニタされ、Z方向位置はレチクルフォーカス送光系4とレチクルフォーカス受光系5からなるレチクルフォーカスセンサでモニタされている。
【0012】
なお、図3には、レチクルフォーカスセンサは1つしか描かれていないが、実際は、複数(この例では5個)のレチクルフォーカスセンサが配置されている。これらのセンサは、円弧状の露光領域内のできるだけ広い範囲にスポットが当たるように配置されている。
【0013】
レチクル2で反射したEUV光は、図中下側の光学鏡筒14内に入射する。このEUV光は、レチクル2に描かれた回路パターンの情報を含んでいる。レチクル2には、EUV光を反射する多層膜(例えば、Mo/SiやMo/Be)が成膜されており、この多層膜上に吸着層(例えばNiやAl)の有無でパターニングされている。
【0014】
光学鏡筒14内に入射したEUV光は、第1ミラー6で反射した後、第2ミラー7、第3ミラー8、第4ミラー9で順次反射し、最終的にはウェハ10に対して垂直に入射する。これらのミラー等からなる投影光学系の縮小倍率は、例えば1/4や1/5である。この図では、ミラーは4枚であるが、N.A.をより大きくするためには、ミラーを6枚あるいは8枚にすると効果的である。鏡筒14の近傍には、アライメント用のオフアクシス顕微鏡15が配置されている。
【0015】
ウェハ10は、ウェハステージ11上に載置されている。ウェハステージ11は、光軸と直交する面内(XY平面)で移動することができ、移動ストロークは例えば300〜400mmである。ウェハステージ11は、光軸方向にも微小のストロークで上下移動でき、光軸方向位置(Z方向位置)はウェハオートフォーカス送光系12とウェハオートフォーカス受光系13からなるウェハオートフォーカスセンサでモニタされている。ウェハステージ11のXY方向位置は、図示せぬレーザ干渉計によって高精度でモニタされている。露光動作において、レチクルステージ3とウェハステージ11は、投影光学系の縮小倍率と同じ速度比、すなわち、4:1あるいは5:1で同期走査する。
【0016】
次に、レチクルステージ3の構成を説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの平面図である。
レチクルステージ3には、チャック保持用の保持部31と、基準平面板保持用の保持部41が開けられている。基準平面板保持部41と、チャック保持部31はスキャン方向(Y方向)に並んで配置されている。
【0017】
チャック33は、チャック保持部31に、3ヶ所で板バネなどの固定部材35によって支持されている。基準平面板43は、基準平面板保持部41に、3ヶ所で固定部材45によって支持されている。チャック33及び基準平面板43を3ヶ所で保持することにより、チャック33や基準平面板43の保持変形を少なくし、また保持変形に再現性を与えることができる。
【0018】
基準平面板43は、熱による線膨張係数の小さい、低膨張ガラスや低膨張セラミックスで作製される。基準平面板43の表面は、チャック33と同程度の平面度をもち、予め平坦度マップが準備されている。同板43の表面には、レチクルフォーカスセンサのAF光を反射する物質がコーティングされている。なお、レチクルフォーカスセンサが静電容量式の場合は、このコーティングは必要でない。
【0019】
次に、基準平面板43を用いたレチクルのパターン面の測定方法を説明する。
まず、レチクルステージ3をY方向に移動して、基準平面板43の表面を露光位置に移動させる。図1において、基準平面板43上の斜線でハッチングされているのが、円弧状の照明光束IBである。この照明光束IBは、露光装置の投影光学系の光軸に対しては固定されているが、レチクルステージ3のY方向移動に応じてレチクルステージ3上でY方向に走査される。照明光束IBの当たっている領域内に示されている5つの点Pが、5個のレチクルフォーカスセンサのセンシングスポットを示す。図1から分かるように、スポットPは、同領域内の中央に1つ、両端付近に1つずつ、中央と両端の間に1つずつ当たっている。
【0020】
このような状態で、基準平面板43の表面を各レチクルオートフォーカスセンサで計測する。そして、計測結果と前述の基準平面板43の平坦度マップを参照して、センサ間の相対位置キャリブレーションを行う。
【0021】
次に、レチクルステージ3をY方向に移動して、レチクル2のパターン面を露光位置に移動させる。その後、レチクルステージ3を移動してレチクル2のパターン面をスキャン露光する。露光中に、レチクルオートフォーカスセンサによってレチクル2のパターン面の高さを計測する。検出された値は制御部に送られて、必要であれば、レチクルステージ3をZ方向に移動して、レチクルのZ方向高さを制御する。この際、上述のように、各センサはキャリブレーション済みであり、センサ間の点ドリフトが校正されているため、レチクルのZ方向位置を高精度で計測することができる。
【0022】
図2は、基準平面板の他の例を説明する図であり、図2(A)は平面図、図2(B)は側面図である。
この例の基準平面板は、レチクルチャック50に一体化されている。チャック50には、図2(B)に示すように、レチクル吸着領域51と、基準平面領域53とが形成されている。チャック50は、レチクルステージ3´のチャック保持部31´に、3ヶ所で固定部材35によって支持されている。
【0023】
レチクル吸着領域51と基準平面領域53との間は、溝55で区切られている。レチクル吸着領域51には、一般的なチャックと同様に、例えば静電式のレチクル吸着機構が設けられている。基準平面領域53は、上述の例と同様に、チャックと同程度の平面度をもち、予め平坦度マップが準備されている。
なお、レチクル吸着領域51と基準平面領域53は、一つの部材を加工して作製することができる。また、別々に加工されたものを接着などによって一体化してもよい。この場合は、両者は同じ材質であることが望ましい。
【0024】
レチクルチャックや基準平面板(基準平面領域)は、保持変形に注意してレチクルステージに支持する必要がある。そのためには、チャックや基準平面板をステージに保持する機構が複雑になり、レチクルチャックと基準平面板とを別々にレチクルステージに配置した場合、このような保持機構の寸法の分だけ両者の間隔が広くなることが予想される。しかし、この例においては、チャック51と基準平面板(基準平面領域)53とを共通の保持機構(固定部材)35でレチクルステージ3´に支持しているため、チャックと基準平面板との間隔を狭くすることができる。したがって、オートフォーカスセンサで両者のZ方向高さを計測する際に、レチクルステージ3´のストロークを短くすることができる。このため、露光装置内のスペース効率を上げることができる。
【0025】
次に、本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージ付近の構成を説明する。この例は、レチクルステージの下方の空間内に複数のレチクルオートフォーカスセンサを配置できない場合を示す。
図4は、本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージ付近の構成を示す図である。レチクルステージ3としては、図1や図2に示すレチクルステージを使用する。図中には、左右の2ヶ所にレチクルステージ3が示されているが、左の二点鎖線で示す位置を露光位置、右の実線で示す位置をキャリブレーション位置とする。左の露光位置において、レチクル2の下方に複数のレチクルオートフォーカスセンサが配置できない場合、レチクルステージ3を露光位置からY方向(図の右方向)に移動させたキャリブレーション位置に、複数のZ方向センサ61を配置する。このセンサ61としては、干渉計を使用できる。センサとしては、他に、オートフォーカスセンサや静電容量センサを使用できる。
【0026】
この例においては、まず、レチクルステージ3をY方向に移動してZ方向計測位置に位置させ、上述の例と同様に、センサ61を用いて基準平面領域43のZ方向位置を計測してセンサ間のキャリブレーションを行う。その後、レチクル2のパターン形成面のZ方向位置を、キャリブレーション済みのセンサ61を用いて計測する。そして、露光時には、事前に計測されたレチクル2のパターン形成面の平坦度(フラットネスプロファイル)を用いてレチクル2のZ方向変位を制御する。
【0027】
この方法においては、レチクルステージ3の下方の狭いスペースに複数のZ方向センサを配置する必要がない。また、レチクル2の下面(パターン形成面)に近接して視野スリットが配置される場合も、斜め入射のオートフォーカスセンサを配置しづらいため、有効である。
【0028】
上述の例では、基準平面板を使用してZ方向高さを計測したが、同板を使用してXY位置の計測を行い、倍率やディストーションの評価を行うこともできる。
図5、図6は、本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの構成を示す平面図である。
図5のレチクルステージ3は、図1のレチクルステージと同様の構成を有するが、基準平面板73の表面に多数の基準マークMが設けられている。
図6のレチクルステージ3´は、図2のレチクルステージと同様の構成を有するが、チャック80にレチクルチャック領域51と、多数の基準マークMが設けられた基準平面領域83とが形成されている。
基準マークMは、基準平面板73及び基準平面領域83の円弧状の照明光ビームIBの形状に対応した領域R内のできるだけ広い範囲内に配置されている。この例では、領域R内を、X方向の端から端まで、上下2段に渡って配置されている。
【0029】
これらの基準マークMは、露光装置の露光光で検出される。このため、基準平面板73の表面及び基準平面領域83は、上述の例と同様にチャック面と同等の平面度をもち、かつ、基準マークMを反射する構成を有する。基準マークMを反射するために、基準平面板73の表面と基準平面領域83には、レチクルと同様の多層膜が成膜されている。そして、基準マークMとなる+状の部分以外の部分に吸収膜が成膜されて、+状の基準マークの部分は、多層膜が露出している。露光光が基準マークに照射されると、マークの部分で露光光が反射する。
なお、このように、基準マークとして基準平面板や基準平面領域に膜厚が異なる部分を形成しても、Z方向高さ計測に使用されるオートフォーカスセンサの空間分解能はこの基準マークの線幅に比べて格段に大きいので、膜厚の差はZ方向高さ計測結果には影響しない。
【0030】
露光光で照射された基準マークMの像は、ウェハステージ11上の空間像センサ17(図3参照)で検出される。空間像センサ17は、例えば、ウェハステージ11上に形成されたスリットと、同スリット11の下流に配置されたフォトディテクタ等で構成される。
なお、このような、レチクル上の基準マークを用いて投影光学系の倍率やディストーションを評価する方法は、例えば、特開平8−78313号公報、特開平11−219900号公報等に記されている。
【0031】
この例では、基準平面板73や基準平面領域83に基準マークを設けることにより、レチクル面の平坦度だけでなく、投影光学系の倍率やディストーションの経時変化などをモニタすることができる。
【0032】
また、上述の例では複数のオートフォーカスセンサを用いたが、このようなセンサの代わりに、面形状を計測する干渉計(例えば、Zygo社等により製品化されているもの)を用いてもよい。
【0033】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基準平面部材を用いて複数の高さセンサのキャリブレーションを行った後、レチクルのパターン形成面の高さを計測するため、精度の高い計測結果を得ることができる。したがって、露光時のレチクル面の高さ制御を高精度で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの平面図である。
【図2】基準平面板の他の例を説明する図であり、図2(A)は平面図、図2(B)は側面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係るEUV露光装置(4枚投影系)の構成を概略的に示す図である。
【図4】本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージ付近の構成を示す図である。
【図5】本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの構成を示す平面図である。
【図6】図6は、本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
1 折り返しミラー 2 レチクル
3 レチクルステージ 4 レチクルフォーカス送光系
5 レチクルフォーカス受光系 6 第1ミラー
7 第2ミラー 8 第3ミラー
9 第4ミラー 10 ウェハ
11 ウェハステージ 12 ウェハオートフォーカス送光系
13 ウェハオートフォーカス受光系 14 光学鏡筒
15 オフアクシス顕微鏡 17 空間像センサ
31 チャック保持部 33 チャック
35 固定部材 41 基準平面板保持部
43 基準平面板 45 固定部材
50 チャック 51 レチクル吸着領域
53 基準平面領域 55 溝
61 センサ 73 基準平面板
80 チャック 83 基準平面領域
【発明の属する技術分野】
本発明は、EUV光(Extreme Ultra Violet 光、極端紫外光)や紫外光レーザ、荷電粒子線等のエネルギ線を用いる露光装置及び露光方法に関する。特には、パターンが形成された原版の平坦度を高精度で制御できる露光装置及び露光方法に関する。
【0002】
【従来技術】
EUV露光装置を例にとって説明する。
EUV露光装置は、通常4〜8枚の反射ミラーで構成される反射縮小投影光学系を備える。また、パターンが形成される原版(レチクル)も、反射式のものが用いられる。円弧状に成形された照明光は、レチクルに対して斜めから照射される。これは、EUV光の波長(13nm程度)において、有効なビームスプリッタやハーフミラーが存在しないため、照明光と反射光の光路を変えるには光軸を斜めにするしかないからである。
【0003】
反射式のレチクルを使用した場合、レチクル表面に光軸方向(高さ方向)の変位(上がり下がり、傾き)があると、ウェハ上に投影されるパターンに横ずれが生じ、その結果パターン像の倍率や位置が変化してしまう。このため、反射式のレチクルのパターン形成面は、できる限り平坦に保つ必要があり、光軸方向の変位を、例えば数十nm内の高精度に制御する必要がある。
【0004】
そのためには、レチクルのパターン形成面の高さを最低でも2点で測定する必要がある。2点で計測することにより、パターン形成面の傾きを求めることができるからである。ところで、レチクル上の露光領域は、長手方向の長さが少なくとも100mm以上であるため、ウェハの高さ測定に使用されるセンサ(AFセンサ)と同様のセンサを用いてレチクルのパターン形成面の高さを計測する場合は複数のセンサが必要になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、複数のセンサを用いると、センサ間のゼロ点ドリフトによる計測誤差が問題となる。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、原版(レチクル)のパターン形成面の平坦度を高精度で制御できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するため、本発明の露光装置は、 原版上に形成されたパターンを感応基板上に転写する露光装置であって、 前記原版表面の高さを検出する複数のセンサと、 予め平坦度が分かっている前記複数のセンサで同時高さ検出可能な基準平面部材と、を具備することを特徴とする。
予め平坦度が分かっている基準平面部材の高さを複数のセンサで検出して、センサ間のキャリブレーションを行う。これにより、複数のセンサを用いた場合に発生するセンサ間のドリフトを校正することができる。そして、キャリブレーション済みのセンサで原版(レチクル)の平坦度を計測するため、計測結果の精度が向上する。
【0007】
本発明においては、 前記原版を保持するチャックに前記基準平面部材が一体化されていることとすれば、チャックと基準平面部材とをレチクルステージに保持する機構を共通化できるため、レチクルステージを小型化できるとともに、レチクルステージのストロークを短くできる。
【0008】
本発明においては、 さらに、前記基準平面部材に、前記パターン像の平面位置を検出するための基準マークが形成されており、 前記パターンが投影される位置に、前記基準マークの空間像を検出するセンサが設けられていることとすれば、投影光学系の倍率やディストーションも同時にモニタできる。
【0009】
本発明の露光方法は、 原版上に形成されたパターンを感応基板上に転写する露光方法であって、 前記原版表面の高さを検出する複数のセンサを用いて、予め平坦度が分かっている基準平面部の平坦度を計測し、 計測した結果に、前記基準平面部の平坦度に応じた修正を加えて前記複数のセンサのキャリブレーションを行い、 キャリブレーションした前記複数のセンサによって計測した前記原版表面の平坦度に応じて前記原版表面の高さを制御しながら露光することを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
まず、EUV露光装置の一例について説明する。
図3は、本発明の実施の形態に係るEUV露光装置(4枚投影系)の構成を概略的に示す図である。
EUV露光装置は、光源を含む照明系ILを備えている。照明系ILから放射されたEUV光(一般に5〜20nmの波長の光が用いられ、具体的には、13.5nmの波長の光が使用される)は、折り返しミラー1で反射してレチクル2に照射される。
【0011】
レチクル2は、パターン形成面を重力方向下側に向けた状態で、レチクルステージ3に吸着保持されている。レチクルステージ3の構成については後述する。このレチクルステージ3は、走査方向(Y方向)に100mm以上のストロークをもち、この走査方向と直交する方向(X方向)に微小ストロークをもち、光軸方向(Z方向)にも微小ストロークをもっている。XY方向の位置は、図示せぬレーザ干渉計によって高精度にモニタされ、Z方向位置はレチクルフォーカス送光系4とレチクルフォーカス受光系5からなるレチクルフォーカスセンサでモニタされている。
【0012】
なお、図3には、レチクルフォーカスセンサは1つしか描かれていないが、実際は、複数(この例では5個)のレチクルフォーカスセンサが配置されている。これらのセンサは、円弧状の露光領域内のできるだけ広い範囲にスポットが当たるように配置されている。
【0013】
レチクル2で反射したEUV光は、図中下側の光学鏡筒14内に入射する。このEUV光は、レチクル2に描かれた回路パターンの情報を含んでいる。レチクル2には、EUV光を反射する多層膜(例えば、Mo/SiやMo/Be)が成膜されており、この多層膜上に吸着層(例えばNiやAl)の有無でパターニングされている。
【0014】
光学鏡筒14内に入射したEUV光は、第1ミラー6で反射した後、第2ミラー7、第3ミラー8、第4ミラー9で順次反射し、最終的にはウェハ10に対して垂直に入射する。これらのミラー等からなる投影光学系の縮小倍率は、例えば1/4や1/5である。この図では、ミラーは4枚であるが、N.A.をより大きくするためには、ミラーを6枚あるいは8枚にすると効果的である。鏡筒14の近傍には、アライメント用のオフアクシス顕微鏡15が配置されている。
【0015】
ウェハ10は、ウェハステージ11上に載置されている。ウェハステージ11は、光軸と直交する面内(XY平面)で移動することができ、移動ストロークは例えば300〜400mmである。ウェハステージ11は、光軸方向にも微小のストロークで上下移動でき、光軸方向位置(Z方向位置)はウェハオートフォーカス送光系12とウェハオートフォーカス受光系13からなるウェハオートフォーカスセンサでモニタされている。ウェハステージ11のXY方向位置は、図示せぬレーザ干渉計によって高精度でモニタされている。露光動作において、レチクルステージ3とウェハステージ11は、投影光学系の縮小倍率と同じ速度比、すなわち、4:1あるいは5:1で同期走査する。
【0016】
次に、レチクルステージ3の構成を説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの平面図である。
レチクルステージ3には、チャック保持用の保持部31と、基準平面板保持用の保持部41が開けられている。基準平面板保持部41と、チャック保持部31はスキャン方向(Y方向)に並んで配置されている。
【0017】
チャック33は、チャック保持部31に、3ヶ所で板バネなどの固定部材35によって支持されている。基準平面板43は、基準平面板保持部41に、3ヶ所で固定部材45によって支持されている。チャック33及び基準平面板43を3ヶ所で保持することにより、チャック33や基準平面板43の保持変形を少なくし、また保持変形に再現性を与えることができる。
【0018】
基準平面板43は、熱による線膨張係数の小さい、低膨張ガラスや低膨張セラミックスで作製される。基準平面板43の表面は、チャック33と同程度の平面度をもち、予め平坦度マップが準備されている。同板43の表面には、レチクルフォーカスセンサのAF光を反射する物質がコーティングされている。なお、レチクルフォーカスセンサが静電容量式の場合は、このコーティングは必要でない。
【0019】
次に、基準平面板43を用いたレチクルのパターン面の測定方法を説明する。
まず、レチクルステージ3をY方向に移動して、基準平面板43の表面を露光位置に移動させる。図1において、基準平面板43上の斜線でハッチングされているのが、円弧状の照明光束IBである。この照明光束IBは、露光装置の投影光学系の光軸に対しては固定されているが、レチクルステージ3のY方向移動に応じてレチクルステージ3上でY方向に走査される。照明光束IBの当たっている領域内に示されている5つの点Pが、5個のレチクルフォーカスセンサのセンシングスポットを示す。図1から分かるように、スポットPは、同領域内の中央に1つ、両端付近に1つずつ、中央と両端の間に1つずつ当たっている。
【0020】
このような状態で、基準平面板43の表面を各レチクルオートフォーカスセンサで計測する。そして、計測結果と前述の基準平面板43の平坦度マップを参照して、センサ間の相対位置キャリブレーションを行う。
【0021】
次に、レチクルステージ3をY方向に移動して、レチクル2のパターン面を露光位置に移動させる。その後、レチクルステージ3を移動してレチクル2のパターン面をスキャン露光する。露光中に、レチクルオートフォーカスセンサによってレチクル2のパターン面の高さを計測する。検出された値は制御部に送られて、必要であれば、レチクルステージ3をZ方向に移動して、レチクルのZ方向高さを制御する。この際、上述のように、各センサはキャリブレーション済みであり、センサ間の点ドリフトが校正されているため、レチクルのZ方向位置を高精度で計測することができる。
【0022】
図2は、基準平面板の他の例を説明する図であり、図2(A)は平面図、図2(B)は側面図である。
この例の基準平面板は、レチクルチャック50に一体化されている。チャック50には、図2(B)に示すように、レチクル吸着領域51と、基準平面領域53とが形成されている。チャック50は、レチクルステージ3´のチャック保持部31´に、3ヶ所で固定部材35によって支持されている。
【0023】
レチクル吸着領域51と基準平面領域53との間は、溝55で区切られている。レチクル吸着領域51には、一般的なチャックと同様に、例えば静電式のレチクル吸着機構が設けられている。基準平面領域53は、上述の例と同様に、チャックと同程度の平面度をもち、予め平坦度マップが準備されている。
なお、レチクル吸着領域51と基準平面領域53は、一つの部材を加工して作製することができる。また、別々に加工されたものを接着などによって一体化してもよい。この場合は、両者は同じ材質であることが望ましい。
【0024】
レチクルチャックや基準平面板(基準平面領域)は、保持変形に注意してレチクルステージに支持する必要がある。そのためには、チャックや基準平面板をステージに保持する機構が複雑になり、レチクルチャックと基準平面板とを別々にレチクルステージに配置した場合、このような保持機構の寸法の分だけ両者の間隔が広くなることが予想される。しかし、この例においては、チャック51と基準平面板(基準平面領域)53とを共通の保持機構(固定部材)35でレチクルステージ3´に支持しているため、チャックと基準平面板との間隔を狭くすることができる。したがって、オートフォーカスセンサで両者のZ方向高さを計測する際に、レチクルステージ3´のストロークを短くすることができる。このため、露光装置内のスペース効率を上げることができる。
【0025】
次に、本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージ付近の構成を説明する。この例は、レチクルステージの下方の空間内に複数のレチクルオートフォーカスセンサを配置できない場合を示す。
図4は、本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージ付近の構成を示す図である。レチクルステージ3としては、図1や図2に示すレチクルステージを使用する。図中には、左右の2ヶ所にレチクルステージ3が示されているが、左の二点鎖線で示す位置を露光位置、右の実線で示す位置をキャリブレーション位置とする。左の露光位置において、レチクル2の下方に複数のレチクルオートフォーカスセンサが配置できない場合、レチクルステージ3を露光位置からY方向(図の右方向)に移動させたキャリブレーション位置に、複数のZ方向センサ61を配置する。このセンサ61としては、干渉計を使用できる。センサとしては、他に、オートフォーカスセンサや静電容量センサを使用できる。
【0026】
この例においては、まず、レチクルステージ3をY方向に移動してZ方向計測位置に位置させ、上述の例と同様に、センサ61を用いて基準平面領域43のZ方向位置を計測してセンサ間のキャリブレーションを行う。その後、レチクル2のパターン形成面のZ方向位置を、キャリブレーション済みのセンサ61を用いて計測する。そして、露光時には、事前に計測されたレチクル2のパターン形成面の平坦度(フラットネスプロファイル)を用いてレチクル2のZ方向変位を制御する。
【0027】
この方法においては、レチクルステージ3の下方の狭いスペースに複数のZ方向センサを配置する必要がない。また、レチクル2の下面(パターン形成面)に近接して視野スリットが配置される場合も、斜め入射のオートフォーカスセンサを配置しづらいため、有効である。
【0028】
上述の例では、基準平面板を使用してZ方向高さを計測したが、同板を使用してXY位置の計測を行い、倍率やディストーションの評価を行うこともできる。
図5、図6は、本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの構成を示す平面図である。
図5のレチクルステージ3は、図1のレチクルステージと同様の構成を有するが、基準平面板73の表面に多数の基準マークMが設けられている。
図6のレチクルステージ3´は、図2のレチクルステージと同様の構成を有するが、チャック80にレチクルチャック領域51と、多数の基準マークMが設けられた基準平面領域83とが形成されている。
基準マークMは、基準平面板73及び基準平面領域83の円弧状の照明光ビームIBの形状に対応した領域R内のできるだけ広い範囲内に配置されている。この例では、領域R内を、X方向の端から端まで、上下2段に渡って配置されている。
【0029】
これらの基準マークMは、露光装置の露光光で検出される。このため、基準平面板73の表面及び基準平面領域83は、上述の例と同様にチャック面と同等の平面度をもち、かつ、基準マークMを反射する構成を有する。基準マークMを反射するために、基準平面板73の表面と基準平面領域83には、レチクルと同様の多層膜が成膜されている。そして、基準マークMとなる+状の部分以外の部分に吸収膜が成膜されて、+状の基準マークの部分は、多層膜が露出している。露光光が基準マークに照射されると、マークの部分で露光光が反射する。
なお、このように、基準マークとして基準平面板や基準平面領域に膜厚が異なる部分を形成しても、Z方向高さ計測に使用されるオートフォーカスセンサの空間分解能はこの基準マークの線幅に比べて格段に大きいので、膜厚の差はZ方向高さ計測結果には影響しない。
【0030】
露光光で照射された基準マークMの像は、ウェハステージ11上の空間像センサ17(図3参照)で検出される。空間像センサ17は、例えば、ウェハステージ11上に形成されたスリットと、同スリット11の下流に配置されたフォトディテクタ等で構成される。
なお、このような、レチクル上の基準マークを用いて投影光学系の倍率やディストーションを評価する方法は、例えば、特開平8−78313号公報、特開平11−219900号公報等に記されている。
【0031】
この例では、基準平面板73や基準平面領域83に基準マークを設けることにより、レチクル面の平坦度だけでなく、投影光学系の倍率やディストーションの経時変化などをモニタすることができる。
【0032】
また、上述の例では複数のオートフォーカスセンサを用いたが、このようなセンサの代わりに、面形状を計測する干渉計(例えば、Zygo社等により製品化されているもの)を用いてもよい。
【0033】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基準平面部材を用いて複数の高さセンサのキャリブレーションを行った後、レチクルのパターン形成面の高さを計測するため、精度の高い計測結果を得ることができる。したがって、露光時のレチクル面の高さ制御を高精度で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの平面図である。
【図2】基準平面板の他の例を説明する図であり、図2(A)は平面図、図2(B)は側面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係るEUV露光装置(4枚投影系)の構成を概略的に示す図である。
【図4】本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージ付近の構成を示す図である。
【図5】本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの構成を示す平面図である。
【図6】図6は、本発明の他の実施の形態に係る露光装置のレチクルステージの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
1 折り返しミラー 2 レチクル
3 レチクルステージ 4 レチクルフォーカス送光系
5 レチクルフォーカス受光系 6 第1ミラー
7 第2ミラー 8 第3ミラー
9 第4ミラー 10 ウェハ
11 ウェハステージ 12 ウェハオートフォーカス送光系
13 ウェハオートフォーカス受光系 14 光学鏡筒
15 オフアクシス顕微鏡 17 空間像センサ
31 チャック保持部 33 チャック
35 固定部材 41 基準平面板保持部
43 基準平面板 45 固定部材
50 チャック 51 レチクル吸着領域
53 基準平面領域 55 溝
61 センサ 73 基準平面板
80 チャック 83 基準平面領域
Claims (4)
- 原版上に形成されたパターンを感応基板上に転写する露光装置であって、
前記原版表面の高さを検出する複数のセンサと、
予め平坦度が分かっている前記複数のセンサで同時高さ検出可能な基準平面部材と、
を具備することを特徴とする露光装置。 - 前記原版を保持するチャックに前記基準平面部材が一体化されていることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- さらに、前記基準平面部材に、前記パターン像の平面位置を検出するための基準マークが形成されており、
前記パターンが投影される位置に、前記基準マークの空間像を検出するセンサが設けられていることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 原版上に形成されたパターンを感応基板上に転写する露光方法であって、
前記原版表面の高さを検出する複数のセンサを用いて、予め平坦度が分かっている基準平面部の平坦度を計測し、
計測した結果に、前記基準平面部の平坦度に応じた修正を加えて前記複数のセンサのキャリブレーションを行い、
キャリブレーションした前記複数のセンサによって計測した前記原版表面の平坦度に応じて前記原版表面の高さを制御しながら露光することを特徴とする露光方法。
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