JP2004342151A - 磁気ヘッドスライダの浮上制御方法および磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ヘッドスライダに備えられた加熱用抵抗体への通電により浮上量を調整する磁気ディスク装置において、浮上量変化の応答速度を改善することができる制御方法を提供する。
【解決手段】磁気ディスクに情報を記録再生する記録再生素子の浮上量を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ヘッドスライダの浮上制御方法であって、加熱用抵抗体に電力供給を開始する時に、記録再生素子の浮上調整に必要な所定の電力（矩形電力波形５３）を超過した超過電力（超過電力波形５２）を所定時間印加することにより、浮上量調整に要する時間を短縮する。
【選択図】 図７

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ギャップ浮上量を調整可能な磁気ヘッドスライダを搭載した磁気ディスク装置に係わり、特に磁気ヘッドスライダの浮上量の制御方法に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本発明者が検討したところによれば、磁気ヘッドスライダを搭載した磁気ディスク装置に関しては、以下のような技術が考えられる。
【０００３】
例えば、磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、記録再生素子を搭載し、ロードビームによって支持された磁気ヘッドスライダ（以下、スライダ）を有する。このスライダは、相対的に磁気ディスク上を走行して磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。
【０００４】
このような磁気ディスク装置において、高記録密度化の為には、磁気ディスクとスライダの距離、すなわちスライダ浮上量を低減する必要がある。特に、磁気ディスクとスライダの記録再生素子部分との距離であるギャップ浮上量（ｈｇ）を狭小化する必要がある。このギャップ浮上量（ｈｇ）は、加工誤差や使用される環境の違いにより変化する。この変化量を低減できれば、浮上量（ｈｇ）を狭小化することが可能となる。
【０００５】
そこで、加工誤差や環境変化に伴う浮上量（ｈｇ）の変化を低減する方法として、例えば特許文献１などに、浮上量（ｈｇ）を調整する機能を有するスライダが提案されている。この特許文献１の技術では、記録再生素子の近傍に加熱用抵抗体を設け、加熱用抵抗体への通電発熱による熱膨張によって記録再生素子を突出させてギャップ浮上量（ｈｇ）を調整するスライダが提案されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−２０６３５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記のようなディスク装置では、加熱用抵抗体への電力印加を開始してからギャップ浮上量（ｈｇ）が目標の浮上量に達するまでの時間、すなわち応答時間は浮上量調整型スライダの重要な特性であり、その利用範囲を大きく左右するはずであるが、前記特許文献１の技術ではそのような観点からの検討はなされていない。
【０００８】
そこで、本発明は、上記の課題を鑑みてなされたもので、スライダに備えられた加熱用抵抗体への通電により浮上量を調整する磁気ディスク装置において、浮上量変化の応答速度を改善することができる制御方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するために、磁気ディスクに情報を記録再生する記録再生素子と、記録再生素子の浮上量を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ヘッドスライダと、加熱用抵抗体に電流または電圧を供給する電流源または電圧源とを備えた磁気ディスク装置に適用され、磁気ヘッドスライダの浮上制御方法および磁気ディスク装置として、以下のような特徴を有するものである。
【００１０】
（１）加熱用抵抗体に浮上量を調整するための電力供給を開始する時に、記録再生素子の浮上調整に必要な所定の電力よりも増加された電力を所定時間供給する。
【００１１】
（２）磁気ヘッドスライダの浮上量変化の時定数をτ、浮上調整に必要な所定の電力よりも増加された電力を印加する時間をＴ、浮上調整に必要な所定の電力に対する、浮上調整に必要な所定の電力よりも増加された電力の比をαとした場合に、α（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））≦１、を満たす関係にある。
【００１２】
（３）磁気ヘッドスライダの浮上量変化の時定数をτ、浮上調整に必要な所定の電力よりも増加された電力を印加する時間をＴ、浮上調整に必要な所定の電力に対する、浮上調整に必要な所定の電力よりも増加された電力の比をαとした場合に、０．７≦α（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））≦１、かつ１．２≦α≦３．０、かつＴ≦２τ、を満たす関係にある。
【００１３】
（４）加熱用抵抗体に供給する電流の立ち上がり時間または立ち下がり時間を２μｓｅｃ以上５０μｓｅｃ以下、または加熱用抵抗体に供給する電流の立ち上がり傾きまたは立ち下がり傾きを０．５ｍＡ／μｓｅｃ以上１３ｍＡ／μｓｅｃ以下に制限されている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１５】
まず、図１および図２により、本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置におけるスライダの構成の一例を説明する。図１および図２は本実施の形態によるスライダの概略構成を示し、図１はスライダの平面図（ディスク面側から見た状態）、図２はスライダの側面図である。
【００１６】
図１、図２に示すように、本実施の形態によるスライダ１は、磁気ディスクに情報を記録再生する記録再生素子の浮上量を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ヘッドスライダとされ、空気流入端２と空気流出端３と浮上面４とから構成される。浮上面４は、流入ステップ軸受け６と一対のサイドステップ軸受け７ａ，７ｂとセンターステップ軸受け８と一対の流入パッド５ａ，５ｂとセンターパッド９と負圧溝１１から構成される。センターパッド９の空気流出端３の近傍に記録再生素子１０が備えられている。さらに、記録再生素子１０の近傍に加熱用抵抗体１３が形成されている。
【００１７】
一対の流入パッド５ａ，５ｂとセンターパッド９は、スライダ１をディスク１２上に浮上させるための正圧発生面として作用する。流入ステップ軸受け６と一対のサイドステップ軸受け７ａ，７ｂとセンターステップ軸受け８は、いわゆるステップ軸受けであり、平面上において概略同一面内に形成され、かつ流入パッド５ａ，５ｂとセンターパッド９よりディスク面から遠ざかる方向に引っ込んでいる。負圧溝１１も、流入パッド５ａ，５ｂとセンターパッド９およびステップ軸受けよりディスク面から遠ざかる方向に引っ込んでいる。
【００１８】
以上のように構成されるスライダ１において、このスライダ１の浮上量とは、ディスク１２のディスク面とスライダ１の浮上面４との距離のことであるが、図２に示すように、特に記録再生素子１０の位置での浮上量をギャップ浮上量（ｈｇ）と呼ぶ。このギャップ浮上量（ｈｇ）は、加熱用抵抗体１３へ電流源１５または電圧源１６により電流または電圧が印加されることで調整される。この加熱用抵抗体１３への通電により発熱することでスライダ１の空気流出端３の近傍が熱膨張し、スライダ１の浮上面４においてディスク１２側への突出１４が発生する。
【００１９】
次に、図３および図４により、加熱用抵抗体１３の発熱量が５０ｍＷ時の、スライダ中心線上（Ｙ＝０）での長手方向に対するディスク面側（Ｚ方向）への熱膨張による突出量（図３）、スライダ流出端（Ｘ＝０）での幅方向に対するディスク面側（Ｚ方向）への熱膨張による突出量（図４）の一例を説明する。図３はスライダ浮上面の長手方向の変形形状を示し、図４はスライダ浮上面の幅方向の変形形状を示す。
【００２０】
この例では、センターパッド９のスライダ中心線上からの長手方向の寸法は、図３に示すように約０．２ｍｍであり、この範囲で突出量は約７ｎｍから約１．５ｎｍまで変化している。また、スライダ流出端からの幅方向の寸法は、図４に示すように約０．１２ｍｍであり、この範囲で突出量は約７ｎｍから約３．５ｎｍまで変化している。
【００２１】
この結果から、特に加熱用抵抗体１３が形成されたセンターパッド９での突出量が大きいことがわかる。突出１４により記録再生素子１０のギャップ浮上量ｈｇはｈｇ’に変化する（図２）。加熱用抵抗体１３の発熱量、すなわち加熱用抵抗体１３へ印加する電力と突出１４の大きさはほぼ比例し、突出１４の大きさと浮上変化量ｈｇ−ｈｇ’も比例する。また、加熱用抵抗体１３の電流源１５または電圧源１６は、電流値または電圧値を自由に変えることができ、さらに任意の波形をパターンで印加することができる。したがって、加熱用抵抗体１３へ印加する電力を調整することにより、記録再生素子１０のギャップ浮上量ｈｇを任意に調整することが可能である。
【００２２】
本実施の形態の例では、加熱用抵抗体１３は記録再生素子１０の近傍に１つ形成されているが、個数および配置は一意ではない。突出１４を大きくするために、加熱用抵抗体１３を浮上面近傍に配置してもよいし、突出１４の形状の自由度を高めるために、加熱用抵抗体１３を複数形成してもよい。
【００２３】
また、記録再生素子１０の発熱に伴う温度上昇からの保護を考慮して、加熱用抵抗体１３と記録再生素子１０の距離を離すか、間に断熱効果の高い物質を形成してもよい。加熱用抵抗体１３と記録再生素子１０の間に断熱効果の高い物質を形成した場合、記録再生素子１０の保護だけではなく、熱変形の局所化により変位が大きくなり、結果として加熱用抵抗体１３の消費電力削減効果も期待できる。
【００２４】
また、本実施の形態の例では、ステップ型スライダを例にしているが、浮上量調整機能は記録再生素子１０の突出によるもので、スライダ形状に限定されるものではない。
【００２５】
次に、図５により、加熱用抵抗体１３に電力を印加したときの記録再生素子１０の再生出力値の一例を説明する。図５は加熱用抵抗体の発熱量に対する再生出力を示す。
【００２６】
この例では、加熱用抵抗体１３の発熱量が約０ｍＷから約２００ｍＷに大きくなると、再生出力が約１４２０μＶｐ−ｐから約１５７０μＶｐ−ｐまで、ほぼ直線的に大きくなっている。
【００２７】
この結果から、加熱用抵抗体１３に印加した電力が大きくなるにつれ、ギャップ浮上量（ｈｇ）が狭小化して再生出力値が向上しており、加熱用抵抗体１３による浮上量調整機能の効果が確かめられた。
【００２８】
次に、図６により、浮上量（ｈｇ）を変化させた場合の時間応答の一例を説明する。図６は印加電流の立ち上がりに対する記録再生素子の浮上量変化を示す。
【００２９】
この例では、加熱用抵抗体１３への印加電流を変えながらセンターパッドの流出端近傍の浮上量変化を測定した。印加電流波形５１は、約１９ｍＡの矩形波とした。具体的に、加熱用抵抗体１３の発熱量が５０ｍＷ、１００ｍＷ、２００ｍＷの場合について測定し、約４ｍｓｅｃで約９５％に到達し、約５ｍｓｅｃでそれぞれ、５０ｍＷは約３ｎｍ、１００ｍＷは約７ｎｍ、２００ｍＷは約１３ｎｍで飽和した。
【００３０】
この結果、加熱用抵抗体１３への印加電流の大きさにかかわらず、浮上量変化の時定数は約１．３ｍｓｅｃであった。いずれの印加電流の場合も、浮上量（ｈｇ）が最終的に目標とする浮上調整量の９５％程度まで変化するためには、通電開始後、約４ｍｓｅｃ必要であることがわかった。
【００３１】
一般に、磁気ディスク装置はスライダを搭載したロードビームを複数本備えており、動作中には、あるヘッドから他のヘッドへの切り替えが発生する。浮上量の調整をヘッド切り替え中に行う場合、浮上量の調整完了に約４ｍｓｅｃもかかることになり、その間は記録再生の待ち時間となり、磁気ディスク装置の性能を劣化させる。
【００３２】
そこで、本発明では、浮上量変化の応答時間を短縮するために、加熱用抵抗体１３へ電力印加を開始した直後は、浮上調整に必要な所定の電力よりも増加された電力（以下、超過電力）を印加することを特徴としている。この機能を実現するための手段は、加熱用抵抗体１３へ電流または電圧を印加する電流源１５または電圧源１６に含まれている。以下において、この機能を実現するための具体例を説明する。
【００３３】
次に、図７により、浮上変化量（ｈｇ−ｈｇ’）の時間応答の一例を説明する。図７は超過電力の立ち上がりに対する記録再生素子の浮上量変化を示す。
【００３４】
超過電力波形５２は、本発明の実施の形態による電力波形である。併せて、通常の矩形電力波形５３も示す。最終的に目標とする浮上調整量と同等な浮上変化量（１００％）を得るのに必要な電力を１００％とする。
【００３５】
通常、矩形電力波形５３を印加するのと同時に、浮上変化量５５は変化し始め、約１．３ｍｓｅｃ（時定数）経過した時点で目標とする浮上変化量の約６３％に達し、最終的に約４ｍｓｅｃ程度で変化量の約９５％に達する。
【００３６】
一方、本発明の最も大きな特徴は、超過電力波形５２の電力印加を開始した直後の超過電力にある。電力の印加開始直後、所定の時間（この例では約１．４２ｍｓｅｃ）、加熱用抵抗体１３に浮上調整に必要な所定の電力よりも増加された電力（この例では約１５０％）を印加している。加熱用抵抗体１３に超過電力波形５２を印加している間、浮上変化量５４は通常の矩形電力波形５３による浮上変化量５５を上回る大きさで推移し、超過電力の印加終了時には最終的に目標とする浮上調整量と同等な浮上変化量に達している。
【００３７】
つまり、矩形電力波形５３を印加した時、浮上変化は徐々に目標とする浮上変化量に推移するのと比べ、超過電力波形５２を印加した時は、超過電力を印加する間に目的とする浮上変化量を達成しており、超過電力の印加終了後は矩形電流波形５３と同じ電力で浮上量を維持するだけである。このように、超過電力の印加によって、浮上調整時間は約１．４２ｍｓｅｃに短縮され、ヘッド切り替え時の記録再生待ち時間を大幅に短縮することができた。
【００３８】
次に、本発明の実施の形態において、浮上制御方法に用いる制御設定値の一例について説明する。浮上制御方法による浮上変化量の時定数をτ、浮上調整量をΔｈａｄｊ、超過電力の印加時間をＴとする。浮上量の変化ｈｇ−ｈｇ’は、
ｈｇ−ｈｇ’＝Δｈａｄｊ（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））・・・（１）
式（１）のように表すことができる。
【００３９】
さらに、浮上調整に必要な所定の電力に対する超過電力の比をαとする（α＞１）。浮上変化量は、加熱抵抗体１３に印加する電力に比例するので、超過電力による最終的な浮上変化量はαΔｈａｄｊになる。浮上量の変化ｈｇ−ｈｇ’は、
ｈｇ−ｈｇ’＝αΔｈａｄｊ（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））・・・（２）
式（２）のように表すことができる。
【００４０】
したがって、前記時間Ｔと、超過電力の印加を開始してから時間Ｔ後にｈｇ−ｈｇ’＝Δｈａｄｊとなるαとの関係は、
Δｈａｄｊ＝αΔｈａｄｊ（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））・・・（３）
式（３）のようになり、よって、
α＝１／（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））・・・（４）
式（４）からαが導き出される。
【００４１】
この式（４）により、浮上調整量Δｈａｄｊに達するのに要する、前記時間Ｔと前記比αとの関係が求められる。
【００４２】
しかし、実際は以下に述べるような制限をいくつか設け、その制限の範疇で任意の前記時間Ｔと前記比αの組み合わせを決めたほうがよい。
【００４３】
まず、α（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））には以下のような制限を設けることが望ましい。記録再生素子の調整後の浮上量ｈｇ’は、スライダとディスクが接触する下限程度になる。したがって、超過電力印加時に、浮上変化のアンダーシュート、つまり最終的な浮上量を下回ることがあると、スライダとディスクが接触する恐れがある。これを防ぐためには、α（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））≦１が成立していることが必要条件である。
【００４４】
また、十分な応答速度改善効果を得るためには、浮上量がほぼｈｇ’になるまで超過電力を印加する必要がある。少なくとも、浮上調整量の７０％以上、より望ましくは９０％以上の浮上量変化が得られるまで、超過電力を印加することが望ましい。したがって、α（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））≧０．７、より望ましくはα（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））≧０．９という条件を付加することが望ましい。
【００４５】
また、前記比αに以下のような制限を設けてもよい。電流源１５または電圧源１６などの装置には許容される最大出力があり、高出力を瞬間的に与えることは装置の負担になるし、ノイズの原因にもなり得る。したがって、α≦３、より望ましくはα≦２という条件を付加することが望ましい。また、αが１に非常に近いと十分な応答速度の改善効果が得られないので、α≧１．２という条件を付加してもよい。
【００４６】
また、前記時間Ｔに以下のような制限を設けてもよい。浮上調整に必要な所定の電力を３τ時間印加した時点で、浮上量変化は浮上調整量の９５％に達することから、Ｔはそれより小さくしないと十分な応答速度の改善効果を得られず、超過させる意味が無い。したがって、応答速度を効果的に短縮するためには、超過電流または電圧の最長印加時間に制限を設け、Ｔ≦２τ、より望ましくはＴ≦１．５τとすることが望ましい。
【００４７】
次に、図８により、前述の各制限を考慮して、選択可能なαとＴ／τの分布の一例を説明する。図８は浮上調整に必要な所定の電力に対する超過電力の比αと、超過電力の印加時間Ｔの選択可能な組み合わせの分布を示す。
【００４８】
図８の斜線部分が、前述の全ての制限に合致した領域である。すなわち、０．７≦α（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））≦１、かつ１．２≦α≦３、かつＴ≦２τの条件を満たす領域である。この斜線部分の領域に含まれるように比αと印加時間Ｔを選択することによって、ディスクに接触することなく、十分に効果的な応答速度の改善が可能となる。
【００４９】
次に、図９により、本実施の形態の浮上制御方法を用いた制御設定値の決定シーケンスの一例を説明する。図９は時定数、浮上調整量、超過電力の印加時間、超過電力を決定するシーケンスの流れを示す。
【００５０】
本実施の形態の浮上量制御に必要なパラメータは、時定数、浮上調整量、超過電力を印加する所定の時間、超過電力である。
【００５１】
ステップＳ１０１は、スライダの浮上変化の時定数を決定するシーケンスである。時定数は、スライダの形状や加熱用抵抗体の大きさや位置によってほぼ決まるので、事前に測定した時定数を既知の固定データとして与えておいてもよい。また、磁気ディスク装置を使用する前の初期調整の一つとして、スライダ毎に時定数を求めておいてもよい。具体的な方法としては、加熱用抵抗体１３に電力を印加すると、浮上量とともに再生出力値が変化することを利用してスライダ毎に時定数を求めることができる。この求められたスライダ毎の時定数は、他の制御設定値を決定するときに適宜利用する。
【００５２】
ステップＳ１０２は、浮上調整量を決定するシーケンスである。記録再生素子の浮上量はヘッド毎にバラツキがあるので、浮上調整量、すなわち浮上調整に必要な電力をヘッド毎に求める必要がある。磁気ディスク装置を使用する前の初期調整時に、スライダがディスクに接触を開始する電力を求め、それ以下の電力を基準印加電力としてヘッド毎に設定する。したがって、浮上調整量はディスクに接触しない程度になる。スライダとディスクの接触検知は、位置決め誤差信号やリード信号の変化などで行えばよい。
【００５３】
ここでは、環境によって基準印加電力を変化させてもよい。例えば、磁気ディスク装置内の温度に合わせて基準印加電力を加減することが望ましい。また、位置決め動作や記録動作などの動作条件に合わせて基準印加電力を加減してもよい。例えば、記録動作時はライトコイル自体の発熱を伴うので、基準印加電力を小さめにすることが望ましい。また、浮上条件が異なるディスク半径毎に、基準印加電力を加減することも考えられる。
【００５４】
ステップＳ１０３は、超過電力の印加時間を決定するシーケンスである。超過電力を印加する所定の時間は前述の制限が設定されており、その範囲の中で任意に決定することが望ましい。
【００５５】
ステップＳ１０４は、超過電力を決定するシーケンスである。超過電力は、基準印加電力に前記αをかけて求める。時定数τと前のシーケンスで求められた超過電力を印加する所定の時間Ｔを使用して、前述の式（４）のα＝１／（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））から求められる。また、前述の制限範囲の中でαを決定してもよい。
【００５６】
次に、図１０および図１１により、加熱用抵抗体１３へ２５ｍＡの電流を印加した場合において、電流の立ち上がり時間が０．１μｓｅｃ（電流立ち上がり傾きが２５０ｍＡ／μｓｅｃ）の場合の再生出力（図１０）、加熱用抵抗体１３への電流の立ち上がり時間が２μｓｅｃ（電流立ち上がり傾きが１２．５ｍＡ／μｓｅｃ）の場合の再生出力（図１１）の一例を説明する。図１０は加熱用抵抗体への電流印加開始時の電流立ち上がり時間が０．１μｓｅｃの場合の再生波形を示し、図１１は加熱用抵抗体への電流印加開始時の電流立ち上がり時間が２μｓｅｃの場合の再生波形を示す。
【００５７】
ところで、加熱用抵抗体１３へ印加する電力の立ち上がりおよび立ち下がりが急峻だと、再生出力に信号雑音を生じる場合がある。例えば、図１０のように電流の立ち上がり時間が０．１μｓｅｃ、すなわち電流立ち上がり傾きが２５０ｍＡ／μｓｅｃのように、印加電流の立ち上がりが急峻である場合、再生出力に信号雑音が生じている。これに対し、図１１のように電流の立ち上がり時間が２μｓｅｃ、すなわち電流立ち上がり傾きが１２．５ｍＡ／μｓｅｃのように、印加電流の立ち上がりが急峻でない場合では、再生出力に信号雑音は全く生じていない。
【００５８】
したがって、信号雑音の発生を防ぐためには、電流の立ち上がり時間および立ち下がり時間、または電流の立ち上がり傾きおよび立ち下がり傾きを制限することが望ましい。一方で、浮上量の調整に影響を与えてしまうので、極端に電流の立ち上がり時間および立ち下がり時間を長くすることはできない。同様に電流の立ち上がり傾きおよび立ち下がり傾きも極端に小さくすることはできない。そこで、電流の立ち上がり時間および電流の立ち上がり傾きに対するノイズレベルの変化を後述する。
【００５９】
次に、図１２により、電流の立ち上がり時間および電流の立ち上がり傾きに対するノイズレベルの変化の一例を説明する。図１２は加熱用抵抗体への印加電流立ち上がり時間または加熱用抵抗体への印加電流立ち上がり傾きに対する再生ノイズレベルを示す。
【００６０】
電流の立ち上がり時間だと１μｓｅｃより短い時、電流の立ち上がり傾きだと２５ｍＡ／μｓｅｃより大きい時、ノイズレベルは再生の妨げになるほどの大きさとなっている。よって、電流の立ち上がりまたは立ち下がり時間は２μｓｅｃ以上とするのが望ましい。浮上量調整の時定数は１ｍｓ程度であるため、ここでの立ち上がり時間はその制御に影響を与えないように５０μｓｅｃ以下、より望ましくは１０μｓｅｃ以下に制限することが望ましい。また、電流の立ち上がりまたは立ち下がり傾きは１３ｍＡ／μｓｅｃ以下とし、かつ浮上量の調整に影響を与えないように０．５ｍＡ／μｓｅｃ以上、より望ましくは３ｍＡ／μｓｅｃ以上に制限することが望ましい。
【００６１】
以上、本発明の実施の形態による磁気ディスク装置によれば、スライダに備えられた加熱用抵抗体１３への電力印加により浮上量を調整するとき、不要な信号雑音を生じることなく、浮上量変化の応答速度を改善することができる。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、スライダに備えられた加熱用抵抗体への通電により浮上量を調整する磁気ディスク装置において、浮上量変化の応答速度を改善することができる制御方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置における磁気ヘッドスライダを示す平面図である。
【図２】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置における磁気ヘッドスライダを示す側面図である。
【図３】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、磁気ヘッドスライダ浮上面の長手方向の変形形状を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、磁気ヘッドスライダ浮上面の幅方向の変形形状を示す図である。
【図５】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、磁気ヘッドスライダの加熱用抵抗体の発熱量に対する再生出力を示す図である。
【図６】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、印加電流の立ち上がりに対する記録再生素子の浮上量変化を示す図である。
【図７】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、超過電力の立ち上がりに対する記録再生素子の浮上量変化を示す図である。
【図８】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、浮上調整に必要な所定の電力に対する超過電力の比αと、超過電力の印加時間Ｔの選択可能な組み合わせの分布を示す図である。
【図９】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、時定数、浮上調整量、超過電力の印加時間、超過電力を決定するシーケンスの流れを示す図である。
【図１０】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、加熱用抵抗体への電流印加開始時の電流立ち上がり時間が０．１μｓｅｃの場合の再生波形を示す図である。
【図１１】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、加熱用抵抗体への電流印加開始時の電流立ち上がり時間が２μｓｅｃの場合の再生波形を示す図である。
【図１２】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、加熱用抵抗体への印加電流立ち上がり時間または加熱用抵抗体への印加電流立ち上がり傾きに対する再生ノイズレベルを示す図である。
【符号の説明】
１…スライダ、２…空気流入端、３…空気流出端、４…浮上面、５ａ，５ｂ…流入パッド、６…流入ステップ軸受け、７ａ，７ｂ…サイドステップ軸受け、８…センターステップ軸受け、９…センターパッド、１０…記録再生素子、１１…負圧溝、１２…ディスク、１３…加熱用抵抗体、１４…突出、１５…電流源、１６…電圧源、５１…印加電流波形、５２…超過電力波形、５３…矩形電力波形、５４…浮上変化量（超過電力）、５５…浮上変化量（矩形電力）。

Claims (5)

1. 磁気ディスクに情報を記録再生する記録再生素子の浮上量を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ヘッドスライダの浮上制御方法であって、
   前記記録再生素子の浮上量の調整に必要な電力が第１の電力である場合において、前記加熱用抵抗体に浮上量を調整するための電力供給を開始する時に、前記第１の電力よりも増加された第２の電力を所定時間供給することを特徴とする磁気ヘッドスライダの浮上制御方法。
2. 請求項１記載の磁気ヘッドスライダの浮上制御方法において、
   前記磁気ヘッドスライダの浮上量変化の時定数をτ、前記第２の電力を印加する時間をＴ、前記第１の電力に対する前記第２の電力の比をαとした場合に、α（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））≦１、を満たす関係にあることを特徴とする磁気ヘッドスライダの浮上制御方法。
3. 請求項１記載の磁気ヘッドスライダの浮上制御方法において、
   前記磁気ヘッドスライダの浮上量変化の時定数をτ、前記第２の電力を印加する時間をＴ、前記第１の電力に対する前記第２の電力の比をαとした場合に、０．７≦α（１−ｅｘｐ（−Ｔ／τ））≦１、かつ１．２≦α≦３．０、かつＴ≦２τ、を満たす関係にあることを特徴とする磁気ヘッドスライダの浮上制御方法。
4. 請求項１記載の磁気ヘッドスライダの浮上制御方法において、
   前記加熱用抵抗体に供給する電流の立ち上がり時間または立ち下がり時間を２μｓｅｃ以上５０μｓｅｃ以下、または前記加熱用抵抗体に供給する電流の立ち上がり傾きまたは立ち下がり傾きを０．５ｍＡ／μｓｅｃ以上１３ｍＡ／μｓｅｃ以下に制限されていることを特徴とする磁気ヘッドスライダの浮上制御方法。
5. 磁気ディスクに情報を記録再生する記録再生素子と、
   前記記録再生素子の浮上量を調整するための加熱用抵抗体を有する磁気ヘッドスライダと、
   前記加熱用抵抗体に電流または電圧を印加する電流源または電圧源とを備えた磁気ディスク装置であって、
   前記記録再生素子の浮上量の調整に必要な電力が第１の電力である場合において、前記加熱用抵抗体に浮上量を調整するための電力供給を開始する時に、前記第１の電力よりも増加された第２の電力を所定時間供給する手段を有することを特徴とする磁気ディスク装置。

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