JP2004214260A - 熱処理装置及び基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥発生を少なくし、もって高品質な基板を製造する。
【解決手段】基板支持体３０は、複数の支柱３８及び支持部６０からなる本体部５６と、移動部５８とを有する。この本体部５６には、支持部６０が本体部５６の長手方向内側に連続して形成されている。支持部６０は溝から構成され、奥壁６２、上壁６４及び下壁６６を有する。この支持部６０には、下壁６６に接触するように移動部５８が移動自在に設けられている。支持部６０には移動部５８を介し、基板６８が挿入自在に配置されるようになっている。よって、基板６８は、基板６８の下面７０が移動部５８と接触し、移動部５８を介して支持部６０に支持される。移動部５８は、基板６８の下面７０に接触する基板接触部と、支持部６０の下壁６６に接触する本体接触部とを有する。この本体接触部は、基板接触部より優先して滑るように構成されている。
【選択図】 図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハやガラス基板等を熱処理するための熱処理装置、及び半導体ウェハやガラス基板等を熱処理する工程を有する基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば縦型熱処理炉を用いて、複数のシリコンウェハ等の基板を熱処理する場合、炭化珪素製の基板支持体（ボート）が用いられている。この基板支持体には、例えば４本の支柱にそれぞれ基板を支持する挿入溝が設けられている。
【０００３】この場合、１０００°Ｃ程度以上で熱処理すると、挿入溝付近で、基板にスリップ転位欠陥が発生し、これがスリップラインとなるという問題があった。スリップラインが発生すると、基板の平坦度が劣化する。これらのため、ＬＳＩ製造工程における重要な工程の一つであるリソグラフィ工程で、マスク合わせずれ（焦点ずれ又は変形によるマスク合わせずれ）が生じ、所望パターンを有するＬＳＩの製造が困難であるという問題が発生していた。
【０００４】このような問題を解決する手段として、挿入溝にまずシリコンウェハの半径方向に転動するコロを配置し、このコロの上に処理すべき基板を載置する技術が知られている（特許文献１参照）。これは、従来の４点支持から転動するコロによる支持に変えることにより、シリコンウェハの熱膨張による変形を防止し、スリップ転位欠陥が発生するのを防止しようとするものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１２９５６７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、処理すべきシリコンウェハの直径が大きくなる（例えば３００ｍｍ）と、スリップ転位欠陥が発生することがある。この原因は、基板に対するコロの実効接触面積が小さいことにより、自重によって静荷重集中するため、及び熱処理時にシリコンウェハが弾性変形運動する過程で動荷重集中するためと考えられる。
【０００７】そこで、本発明は、熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥発生を少なくし、高品質な基板を製造することができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の特徴とするところは、基板を基板支持体に支持した状態で熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体は、本体部と、この本体部に設けられた移動部とを有し、この移動部は、前記基板に接触する基板接触部と、前記本体部に接触する本体接触部とを有し、この本体接触部が前記基板接触部より優先して滑るように構成されてなる熱処理装置にある。
【０００９】前記移動部を構成する構成物は、シリコン、炭化珪素、窒化珪素、石英若しくは非晶質炭素又はこれらの複合物から選択することが好ましい。これらの材料は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハ、水素アニールウェハ、エピタキシャルウェハ等のウェハの製造工程又はシリコンＬＳＩ若しくはＬＣＤの製造工程で、汚染物質として影響を与えにくいためである。
また、移動部の本体接触部は、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）又は微結晶ダイヤモンド等でコートして構成することが好ましい。移動部の基板接触部は、シリコン、炭化珪素又は窒化珪素などでコートして構成することが好ましい。本体接触部は、本体部との間で生じる摩擦が基板接触部と基板との間で生じる摩擦より小さくなるような構成にすることが好ましい。本体接触部は、例えば、ほぼ点接触するような曲面に加工し、基板接触部が基板に接触する面積よりも、本体接触部が本体部に接触する面積が小さくなるようにしてもよいし、基板接触部より滑らかな面となるように研磨されてもよい。逆に、基板接触部は、表面粗さを本体接触部の表面粗さより粗くし、基板が熱処理によって弾性変形運動をしても、摩擦などによって移動部が基板に固定され、移動部の本体接触部が本体部との間でのみ滑りを生じるようにしてもよい。
よって、移動部は、例えば、１０００°Ｃ以上の熱処理中に基板が弾性変形運動をしても、本体接触部が本体部との間で滑ることにより、基板に応力がかかることを防止することができる。
【００１０】さらに、基板支持体は、例えば、垂直方向に所望の間隔で複数枚の基板を略水平の状態で支持する３本の支柱を有し、それぞれの基板に対して移動部を設けることが好ましい。
また、本体部は、移動部を載置する介在物を３本の支柱にそれぞれ有し、移動部の本体接触部は介在物との間で滑るように構成してもよい。移動部は、３本の支柱によって支えられるホルダ上に載置され、このホルダとの間で滑るようにしてもよい。ホルダの形状は、プレート状、リング状又はその他の形状であってもよい。
【００１１】本発明は、上記の熱処理装置を用いて基板を製造する方法、又は半導体装置を製造する方法を含み、本発明の第２の特徴とするところは、本体部と、この本体部及び基板に接触する移動部とを有する基板支持体であって、前記移動部と前記基板との間より、前記移動部と前記本体部との間が優先して滑るように構成された前記基板支持体に前記基板を支持する工程と、前記基板を前記基板支持体に支持した状態で熱処理する工程と、を有する基板の製造方法、又は半導体装置の製造方法にある。
【００１２】上記基板の製造方法は、例えばＳＯＩウェハの一種であるＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）ウェハを製造する製造工程の一工程に適用することができる。ＳＩＭＯＸウェハは、ウェハの内部にＳｉＯ_２層が形成された（埋め込まれた）ものであって、イオン注入装置等により単結晶シリコンウェハ内に酸素イオンをイオン注入し、この酸素イオンが注入されたウェハを上記熱処理装置によって、例えばアルゴン（Ａｒ）及び酸素（Ｏ_２）を雰囲気として、１３００〜１４００°Ｃ程度の高温でアニール処理を行うことにより製造される。
また、上記基板の製造方法は、水素アニールウェハを製造する製造工程の一工程に適用することもできる。水素アニールウェハは、上記熱処理装置により、水素（Ｈ_２）を雰囲気として、１２００°Ｃ程度以上の高温でアニール処理を行うことによって製造される。水素アニールウェハは、ＩＣが形成されるウェハ表面層の結晶欠陥が低減され、ウェハの結晶性が向上されている。
さらに、上記基板の製造方法は、エピタキシャルウェハを製造する製造工程の一工程に適用することもできる。
上記のように、基板の製造工程の一工程として行う高温アニール処理において、上記基板の製造方法は、上記熱処理装置が用いられることにより、基板にスリップ転位欠陥が発生することを防止することができる。
【００１３】上記半導体装置の製造方法は、半導体デバイスの製造工程の一工程であり、比較的高い温度で行われる、例えばウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、ＨＣＩ酸化等の熱酸化工程、及び、硼素（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等の熱処理工程に適用されることが好ましい。
上記のように、半導体デバイスの製造工程の一工程として行う熱処理工程において、上記半導体装置の製造方法は、上記熱処理装置が用いられることにより、基板にスリップ転位欠陥が発生することを防止することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る熱処理装置１０が示されている。この熱処理装置１０は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体１２を有する。この筺体１２には、ポッドステージ１４が接続されており、このポッドステージ１４にポッド１６が搬送される。ポッド１６は、例えば２５枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ１４にセットされる。
【００１５】筺体１２内において、ポッドステージ１４に対向する位置には、ポッド搬送装置１８が配置されている。また、このポッド搬送装置１８の近傍には、ポッド棚２０、ポッドオープナ２２及び基板枚数検知器２４が配置されている。ポッド搬送装置１８は、ポッドステージ１４とポッド棚２０とポッドオープナ２２との間でポッド１６を搬送する。ポッドオープナ２２は、ポッド１６の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド１６内の基板枚数が基板枚数検知器２４により検知される。
【００１６】さらに、筺体１２内には、基板移載機２６、ノッチアライナ２８及び基板支持体３０（ボート）が配置されている。基板移載機２６は、例えば５枚の基板を取り出すことができるアーム３２を有し、このアーム３２を動かすことにより、ポッドオープナ２２の位置に置かれたポッド１６、ノッチアライナ２８及び基板支持体３０間で基板を搬送する。ノッチアライナ２８は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板を揃えるものである。基板支持体３０は、上部板３４及び下部板３６を有し、この上部板３４と下部板３６との間を例えば３本の支柱３８により接続されて構成されており、この支柱３８に例えば７５枚の基板が支持され、後述する反応炉４０に投入されるようになっている。
なお、支柱３８は、３本に限らず、基板を支持できれば何本であってもよい。
【００１７】図２において、反応炉４０が示されている。この反応炉４０は、反応管４２を有し、この反応管４２内に基板支持体３０が挿入される。反応管４２の下方は、基板支持体３０を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ４４により密閉されるようにしてある。また、反応管４２の周囲は、均熱管４６により覆われ、さらに均熱管４６の周囲にヒータ４８が配置されている。熱電対５０は、反応管４２と均熱管４６との間に配置され、反応炉４０内の温度をモニタできるようにしてある。そして、反応管４２には、処理ガスを導入する導入管５２と、処理ガスを排気する排気管５４とが接続されている。
【００１８】次に上述したように構成された熱処理装置１０の作用について説明する。
まず、ポッドステージ１４に複数枚の基板を収容したポッド１６がセットされると、ポッド搬送装置１８によりポッド１６をポッドステージ１４からポッド棚２０へ搬送し、このポッド棚２０にストックする。次に、ポッド搬送装置１８により、このポッド棚２０にストックされたポッド１６をポッドオープナ２２に搬送してセットし、このポッドオープナ２２によりポッド１６の蓋を開き、基板枚数検知器２４によりポッド１６に収容されている基板の枚数を検知する。
【００１９】次に、基板移載機２６により、ポッドオープナ２２の位置にあるポッド１６から基板を取り出し、ノッチアライナ２８に移載する。このノッチアライナ２８においては、基板を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数の基板を同じ位置に整列させる。次に、基板移載機２６により、ノッチアライナ２８から基板を取り出し、基板支持体３０に移載する。
【００２０】このようにして、１バッチ分の基板を基板支持体３０に移載すると、例えば７００°Ｃ程度の温度に設定された反応炉４０内に複数枚の基板を装填した基板支持体３０を装入し、シールキャップ４４により反応管４２内を密閉する。次に、導入管５２から処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素、アルゴン、水素、酸素等が含まれる。この際、基板は例えば１０００°Ｃ程度以上の温度に加熱される。なお、この間、熱電対５０により反応管４２内の温度をモニタしながら、予め設定された昇温、降温プログラムに従って基板の熱処理を実施する。
【００２１】基板の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を７００°Ｃ程度の温度に降温した後、基板支持体３０を反応炉４０からアンロードし、基板支持体３０に支持された全ての基板が冷えるまで、基板支持体３０を所定位置で待機させる。次に、待機させた基板支持体３０の基板が所定温度まで冷却されると、基板移載機２６により、基板支持体３０から基板を取り出し、ポッドオープナ２２にセットされている空のポッド１６に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置１８により基板が収容されたポッド１６をポッド棚２０に搬送し、さらにポッドステージ１４に搬送して完了する。
【００２２】次に上記基板支持体について詳述する。
図３及び図４において、基板支持体３０に関する第一例が示されている。基板支持体３０は、前述したように、例えば３本の支柱３８及び支持部６０からなる本体部５６と、移動部５８とを有する。本体部５６を構成する構成物は、炭化珪素、シリコン又は石英である。この本体部５６には、支持部６０が本体部５６の長手方向内側に連続して形成されている。支持部６０は溝から構成され、奥壁６２、上壁６４及び下壁６６を有する。この支持部６０には、下壁６６に接触するように、移動部５８が移動自在に設けられている。支持部６０には、移動部５８を介し基板６８が挿入自在に配置されるようになっている。よって、基板６８は、基板６８の下面７０が移動部５８と接触し、移動部５８を介して支持部６０に支持される。
ただし、支持部６０の断面形状は４角形に限られるものではなく、他の多角形や楕円の一部であってもよい。
【００２３】
図５は、移動部５８の第一例を示す図であって、図５（Ａ）は移動部５８の第一例の斜視図であり、図５（Ｂ）は移動部５８の第一例の断面を示す図である。移動部５８は、シリコンから構成されている。移動部５８を構成する構成物は、前述したように、シリコンを含めて、炭化珪素、窒化珪素、石英若しくは非晶質炭素又はこれらの複合物から構成されてもよい。これらの材料は、ＳＯＩウェハ、水素アニールウェハ、エピタキシャルウェハ等のウェハの製造工程又はシリコンＬＳＩ若しくはＬＣＤの製造工程で、汚染物質として影響を与えにくいためである。
また、移動部５８は、基板６８の下面７０に接触する基板接触部７２と、支持部６０の下壁６６に接触する本体接触部７４とを有する。本体接触部７４は、微結晶ダイヤモンド膜７６で表面をコートされており、表面がシリコンである基板接触部７２よりも静止摩擦係数が小さくなるようにしてある。本体接触部７４は、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）でコートされてもよい。
なお、移動部５８の形状は、円柱形に限られるものではなく、他の多角柱や楕円柱などであってもよい。さらに、移動部５８は、基板接触部７２及び本体接触部７４の周縁部分を曲面にし、外力などが集中することを防止できる形状としてもよい。
【００２４】次に、上記実施形態における移動部５８の作用原理について説明する。
図６において、移動部５８が、例えば熱処理中の基板６８の熱膨張によって移動する状態が示されている。移動部５８は、支持部６０の下壁６６に本体接触部７４が接触するように載置されている。また、基板６８は、下面７０が移動部５８の基板接触部７２と接触するように配置され、移動部５８を介して支持部６０に支持されている。
【００２５】基板６８は、熱処理中に、例えば１０００°Ｃ以上となるように加熱されると、半径方向で周縁（図６の左方向）に向かって膨張する。基板６８が膨張すると、下面７０は、基板接触部７２との間で生じる摩擦により、移動部５８に対し、基板６８が膨張する方向へ押す力を加える。下面７０と基板接触部７２との接触面において、基板６８が移動部５８に加える力Ｆ１が下面７０と基板接触部７２との接触面で生じる最大静止摩擦力Ｆ１’を超える大きさとなるまで滑りは生じない。
【００２６】また、基板６８が膨張し、基板６８が移動部５８に対して膨張する方向へ押す力を加えると、本体接触部７４は、下壁６６との間で生じる摩擦により、支持部６０に対し、基板６８が膨張する方向へ押す力を加える。本体接触部７４と下壁６６との接触面において、移動部５８が下壁６６に加える力Ｆ２が本体接触部７４と下壁６６との接触面で生じる最大静止摩擦力Ｆ２’を超える大きさとなるまで滑りは生じない。
【００２７】ところが、本体接触部７４は前述のように微結晶ダイヤモンド膜７６で表面をコートされており、基板接触部７２よりも静止摩擦係数が小さく、最大静止摩擦力Ｆ２’が最大静止摩擦力Ｆ１’よりも小さくなるようにされている。また、基板６８の熱膨張により移動部５８に対して加えられる力は、昇温などによって徐々に大きくなる。よって、移動部５８は、最大静止摩擦力Ｆ１’未満の力で、かつ、最大静止摩擦力Ｆ２’を超える力が基板６８の膨張によって加わえられると、本体部５６が下部板３６に固定されているため、本体接触部７４と下壁６６との間で優先して滑りが生じ、基板６８の膨張する方向に移動させられる。
また、移動部５８は、熱処理後の降温時などで基板６８が収縮する場合には、基板接触部７２及び本体接触部７４にそれぞれ膨張時の逆方向に力が加えられ、上記同様に本体接触部７４と下壁６６との間で優先して滑りが生じ、基板６８の半径方向で中心（図６の右方向）に向かって移動させられる。
【００２８】図７は、移動部５８の変形例を示す図であって、図７（Ａ）は移動部５８の第二例を示し、図７（Ｂ）は移動部５８の第三例を示し、図７（Ｃ）は移動部５８の第四例を示す断面図である。移動部５８は、図７（Ａ）に示すように、本体接触部７４が基板接触部７２よりも滑らかな面になるように研磨されてもよい。また、移動部５８は、図７（Ｂ）に示すように、本体接触部７４が下壁６６にほぼ点接触するような曲面に加工され、基板接触部７２が基板６８に接触する面積よりも、本体接触部７４が下壁６６に接触する面積が小さくしてもよい。さらに、移動部５８は、図７（Ｃ）に示すように、例えばエピタキシャル成長技術によって基板接触部７２にエピタキシャル層７８を形成し、原子レベルで平滑化された基板接触部７２を下面７０に接着させてもよい。
これらの変形例は、熱処理中において、基板接触部７２が下面７０と接触する面よりも、本体接触部７４が下壁６６と接触する面で優先して滑りが生じるように構成されている。また、基板接触部７２と下面７０との接触面は、基板６８の熱処理による弾性変形運動では滑りが生じないように、上記の摩擦や接着の力を強くすることによって固定されてもよい。本体部５６は、それぞれの下壁６６と移動部５８との間に、例えば、移動部５８の本体接触部７４が移動自在となる介在物を有し、基板接触部７２が下面７０と接触する面よりも、本体接触部７４が介在物と接触する面で優先して滑りが生じるように構成されてもよい。
【００２９】図８及び図９において、基板支持体３０に関する第二例が示されている。この第二例において、本体部５６は、前述した支持部６０に載置されたホルダ８０を有する。このホルダ８０は、基板６８よりやや大きい径を有する円板状のもので、炭化珪素、シリコン又は石英からなる。このホルダ８０には、挿入溝８２が形成されており、基板６８を基板支持体３０に移載する際、この挿入溝８２に前述した基板移載機２６のアーム先端に設けられるツィーザが挿入されるようになっている。よって、基板移載機２６は、ホルダ８０を基板支持体３０に高速で搬入出することができる。ホルダ８０の形状は、円板状に限らず、リング状などに形成されてもよい。移動部５８は、ホルダ８０に移動自在に載置されている。よって、基板６８は、移動部５８及びホルダ８０を介して支持部６０に支持される。
なお、第一例と実質的に同じ部分には、図面に同一番号を付してある。
【００３０】なお、上記実施形態の説明にあっては、熱処理装置として、複数の基板を熱処理するバッチ式のものを用いたが、これに限定するものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【００３１】以上のように、本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次のような実施形態が含まれる。
（１）前記移動部は、シリコン、炭化珪素、窒化珪素、石英若しくは非晶質炭素又はこれらの複合物からなることを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
（２）前記基板接触部は、周縁を曲面にされてなることを特徴とする請求項１又は（１）記載の熱処理装置。
（３）前記本体接触部は、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）又は微結晶ダイヤモンドでコートされてなることを特徴とする請求項１、（１）又は（２）記載の熱処理装置。
（４）前記基板接触部は、シリコン、炭化珪素又は窒化珪素でコートされてされてなることを特徴とする請求項１又は（１）乃至（３）記載の熱処理装置。
（５）前記本体接触部は、本体部との間で生じる摩擦が前記基板接触部と前記基板との間で生じる摩擦より小さくなるように構成されてなることを特徴とする請求項１又は（１）乃至（４）記載の熱処理装置。
（６）前記本体接触部は、前記基板接触部が前記基板に接触する面積よりも、前記本体接触部が前記本体部に接触する面積が小さくなるように構成されてなることを特徴とする請求項１又は（１）乃至（４）記載の熱処理装置。
（７）前記本体接触部は、前記基板接触部より滑らかな面となるように研磨されてなることを特徴とする請求項１又は（１）乃至（４）記載の熱処理装置。
（８）前記基板接触部は、前記基板に固定され、前記移動部が前記本体接触部でのみ滑りを生じるように構成されてなることを特徴とする請求項１又は（１）乃至（４）記載の熱処理装置。
（９）前記基板支持体は、垂直方向に所望の間隔で複数枚の基板を略水平の状態で支持することを特徴とする請求項１又は（１）乃至（８）記載の熱処理装置。
（１０）前記本体部は、複数の支柱と、この支柱に形成され、溝から構成される複数の支持部とを有し、前記支持部は、それぞれ前記移動部を載置する介在物を有することを特徴とする請求項１又は（１）乃至（９）記載の熱処理装置。
（１１）前記本体部は、複数の前記移動部を載置するホルダを有することを特徴とする請求項１又は（１）乃至（９）記載の熱処理装置。
（１２）請求項１又は（１）乃至（１１）いずれか記載の熱処理装置を用いて半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（１３）熱処理工程として、基板を１０００°Ｃ以上に加熱する工程を有することを特徴とする請求項２又は（１２）記載の半導体装置の製造方法。
（１４）請求項１又は（１）乃至（１１）いずれか記載の熱処理装置を用いて基板を製造することを特徴とする基板の製造方法。
（１５）熱処理工程として、基板を１０００°Ｃ以上に加熱する工程を有することを特徴とする請求項２又は（１４）記載の基板の製造方法。
【００３２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、移動部の本体接触部が基板接触部より優先して滑るようにしたので、熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥発生を少なくし、高品質な基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る熱処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた反応炉を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体の第一例を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体の第一例を示し、図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】移動部の第一例を示す図であって、図５（Ａ）は移動部の第一例の斜視図であり、図５（Ｂ）は移動部の第一例の断面を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体の第一例の作用原理を模式的に示し、移動部の第一例が熱処理中の基板の熱膨張によって移動する状態を示す図である。
【図７】移動部の変形例を示す図であって、図７（Ａ）は移動部の第二例を示し、図７（Ｂ）は移動部の第三例を示し、図７（Ｃ）は移動部の第四例を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体の第二例を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体の第二例を示し、図８のＢ−Ｂ線断面図である。
【符号の説明】
１０ 熱処理装置
３０ 基板支持体
３８ 支柱
５６ 本体部
５８ 移動部
６０ 支持部
６６ 下壁
６８ 基板
７０ 下面
７２ 基板接触部
７４ 本体接触部
８０ ホルダ

Claims (2)

1. 基板を基板支持体に支持した状態で熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体は、本体部と、この本体部に設けられた移動部とを有し、この移動部は、前記基板に接触する基板接触部と、前記本体部に接触する本体接触部とを有し、この本体接触部が前記基板接触部より優先して滑るように構成されてなることを特徴とする熱処理装置。
2. 本体部と、この本体部及び基板に接触する移動部とを有する基板支持体であって、前記移動部と前記基板との間より、前記移動部と前記本体部との間が優先して滑るように構成された前記基板支持体に前記基板を支持する工程と、前記基板を前記基板支持体に支持した状態で熱処理する工程と、を有することを特徴とする基板の製造方法。

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