【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体のウェハを洗浄または乾燥するとき、ウェハを保持して高速回転させるためのウェハ保持機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハの表面に残存しているフォトレジスト・研磨剤・不要膜などを洗浄・エッチングして、純水洗浄し、遠心乾燥することが、半導体ウェハプロセスでひんぱんに行なわれている。図３はその工程で使われる自動ウェハ洗浄乾燥装置２０の斜視図である。まずローダー側キャリア２１からウェハ２２を一枚ずつ取出し、薬液洗浄区域２３に送り込む。薬液洗浄区域２３ではウェハ２２に薬液を吹き付けてウェハ２２の表面の残留物を除去ないしエッチングする。洗浄後ウェハ２２を高速回転させて薬液を振り切る。次にウェハ２２を純水洗浄区域２４に送り込み、ウェハ２２に純水のシャワーを吹き付け薬液を洗い流す。その後エアーナイフで純水を振り切る。次にウェハ２２を乾燥区域２５に送り込み、遠心乾燥させる。最後にウェハ２２をアンローダー側キャリア２６に収納する。
【０００３】
自動ウェハ洗浄乾燥装置２０では、Ｏリングで空気漏れを防止した真空チャック機構（図示せず）に、ウェハ２２の中心部を吸着固定するのが一般的である。しかしそのような真空チャック機構による吸着固定はウェハ２２の裏面のみ可能である。半導体素子の形成されているウェハ２２のおもて面を真空チャックすれば、チャック機構と接触した半導体素子が破壊されてしまうから、ウェハ２２のおもて面は真空チャックできない。このため真空チャック機構を用いる限りウェハ２２の裏面洗浄（特にウェハ２２の中心部）は困難である。
【０００４】
そのため昔はウェハをキャリアに立てて薬液や純水にディップし、エッチングや洗浄を行なっていた。しかしいくらウェハを遥動させたり超音波をかけたりしても、シャワーほどの効果はないし、その前後の工程が一枚ずつの枚葉処理なのに、この工程だけがバッチ処理となるとウェハの流れも悪い。
【０００５】
そこでウェハの表裏を同時に洗浄できるようなウェハ保持機構の発明がいろいろなされてきた。たとえば特開平５−２６７２６１号公報には、ウェハの端面を複数のローラーではさみ、そのローラーを同期回転させてウェハを回転させる機構が記載されている。このようにすればウェハのおもて面・裏面が完全に露出しているので両面に完全にシャワーがかけられる。もっともオリエンテーションフラットのあるウェハをこの機構で回転させるのは難しそうである。また遠心乾燥できるほどの高速回転も困難であろう。
【０００６】
また特開平８−１８１０９８号公報には、ウェハの端面を回転しない複数のローラーで挟んで固定しておいて、全体を回転させる機構が記載されている。これにより高速回転で遠心乾燥できるとのことだが、オリエンテーションフラットのあるウェハはバランスが崩れてしまい難しいであろう。
【０００７】
また特開平１０−２８９８９２号公報には、ウェハの端面を複数のローラーではさみ、そのローラーを同期回転させてウェハを回転させる機構が記載されている。特開平５−２６７２６１号公報との違いは、ローラーの断面に直線部があり、その直線部がウェハ端面と接するのでウェハ端面が削れにくいことである。しかしオリエンテーションフラットのあるウェハを回転させるのは難しそうなこと、遠心乾燥できるほどの高速回転も困難そうなことは変わらない。
【０００８】
また特開２０００−２６９１７８号公報には、ウェハの端面を複数のローラーではさみ、そのローラーを同期回転させてウェハを回転させる機構、およびウェハの端面を複数のピンで保持し、全体を回転させる機構が記載されている。この機構でウェハの洗浄は問題なさそうだが、遠心乾燥は無理であろう。またオリエンテーションフラットのあるウェハはやはり扱えないと思われる。
【０００９】
以上の従来技術はウェハ裏面を完全に露出させようとしたため、遠心乾燥が無理とか、オリエンテーションフラットのあるウェハが扱えないとかの問題が生じた。そこでウェハ裏面を１００％露出させることをあきらめる代りに、オリエンテーションフラットのあるウェハでも問題無く扱え、洗浄と遠心乾燥を同じ機構で一枚ずつ行なえるウェハ保持機構が発明された。次にその詳細を図４を用いて説明する。
【００１０】
図４は従来のウェハ保持機構３０の平面図および正面図である。Ｈ形の基台３１の四隅近くにウェハ支持チップ３２があり、この上にウェハ３３を載せる。つまりウェハ支持チップ３２でウェハ３３の裏面を支える。また基台３１の四隅には四本のウェハ止めピン３４ａ、３４ｂがある。右の二本のウェハ止めピン３４ａは背が高く上部が太く、下部が細い逆テーパー形状であり、左の二本のウェハ止めピン３４ｂは背の低いストレートピンである。基台３１の中心３１ｃは回転軸３５に取り付けられている。図４の従来のウェハ保持機構３０は、図３の自動ウェハ洗浄乾燥装置２０の薬液洗浄区域２３、乾燥区域２５に備えられている。
【００１１】
次に図４の従来のウェハ保持機構３０の使用法を説明する。ウェハ３３は図４の左側から、左側のウェハ止めピン３４ｂを乗り越え、右のウェハ止めピン３４ａに当る位置まで移送され、その位置で降ろされてウェハ支持チップ３２の上に載せられる。従ってウェハ３３は四隅をウェハ止めピン３４ａ、３４ｂで挟まれ、ウェハ支持チップ３２の上に載った状態となる。
【００１２】
左右のウェハ止めピン３４ａ、３４ｂの直径を比較すると、ウェハ３３の高さでは右のウェハ止めピン３４ａの方が細い。このためウェハ３３は基台３１の中心より数ｍｍ右に寄った位置に落ち着く。このためウェハ保持機構３０が回転すると、ウェハ３３は右に数ｍｍ偏心して回転し、ウェハ３３には右寄りの遠心力が加わる。右のウェハ止めピン３４ａは逆テーパーになっているので、右寄りの遠心力はウェハ３３をウェハ支持チップ３２に押さえつけるように働く。この結果ウェハ３３は飛び出さずに安定して回転することができる。そのため洗浄・エッチングも遠心乾燥もこのウェハ保持機構３０でできる。
【００１３】
図５はウェハ３３を洗浄・エッチングするときの模式図である。図５ではウェハ保持機構を図示していないが、実際はウェハ３３は図４のウェハ保持機構３０に載っている。洗浄・エッチングのさいはウェハ３３を数十〜数百ｒｐｍで回転させながら、ウェハ３３のおもて面・裏面におもて面用ノズル３６・裏面用ノズル３７から薬液または純水３８を吹き付ける。洗浄後はウェハ３３を数百ｒｐｍ〜数千ｒｐｍで高速回転させて薬液・純水３８を振り切る。
【００１４】
図４の従来のウェハ保持機構３０は、オリエンテーションフラットのあるウェハ３３および一部割れ欠けのあるウェハ３３でも保持でき、さらに洗浄も遠心乾燥も載せ替え無しでできる点が優れている。
【００１５】
【特許文献１】
特開平５−２６７２６１号公報
【特許文献２】
特開平８−１８１０９８号公報
【特許文献３】
特開平１０−２８９８９２号公報
【特許文献４】
特開２０００−２６９１７８号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上に説明したように図４の従来のウェハ保持機構３０は優れた機能を持っているが、ウェハ支持チップ３２に弱点がある。それはウェハ３３の裏面がウェハ支持チップ３２に密着しやすいことである。ウェハ支持チップ３２がウェハ３３裏面に密着してしまうと、ウェハ３３裏面洗浄液がウェハ支持チップ３２とウェハ３３の間に入らなくなるので、ウェハ３３裏面が洗浄（ないしエッチング）不足になる。
【００１７】
具体的な例をあげると、ウェハ３３に金バンプを形成する場合、まずウェハ３３おもて面に厚さ０．３μｍ程度のチタンおよび厚さ０．１μｍ程度の薄い金のスパッタリング膜をつける。次に厚いフォトレジストでめっきしない部分を覆っておいて、この金スパッタリング膜を電極として厚さ１０μｍ以上もある厚い金電気めっきをおこなう。このときウェハ３３のおもて面だけにめっき液が当る噴流式めっきをおこなうが、多少はウェハ３３裏面にめっき液が回り込むので、裏面の特に周辺部にめっきが付着する。フォトレジストを取り去ってから、チタン・金スパッタリング膜をエッチングして取り除く。このとき図３の自動ウェハ洗浄乾燥装置２０を使い、チタン・金スパッタリング膜のエッチングを薬液洗浄区域２３でおこなう。このとき図５のように、おもて面・裏面に同時にエッチング液３８を当て、ウェハ３３裏面のめっき付着も同時に取り除く。エッチング液３８は（ヨウ素＋ヨウ化カリウム）の水溶液である。
【００１８】
ここで問題はウェハ３３裏面のウェハ支持チップ３２に密着している所である。エッチング液３８がウェハ支持チップ３２に邪魔されてウェハ３３裏面に十分届かないので、ウェハ支持チップ３２の所だけ裏面めっき付着が残ってしまうことがある。
【００１９】
本発明はこの問題を解決するために考えられたもので、ウェハ支持チップ３２の形状を改良し、ウェハ支持チップ３２がウェハ３３裏面に密着する面積を少なくすることにより、ウェハ３３裏面のめっき付着のエッチング残りをほぼゼロにするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明のウェハ支持機構では上記の問題を解決するため、ウェハ支持チップのウェハ支持面に溝を設ける。この溝の働きにより、ウェハがウェハ支持チップに密着しにくくなる。また、エッチング液、洗浄液が溝を流れ、そこからあふれてウェハの裏面も流れるので、ウェハの裏面のエッチング残り、洗浄不足がほぼ解消される。
【００２１】
請求項１記載の発明は、基台の隅近くにウェハ支持チップを有し、基台の隅にウェハ止めピンを有し、基台の中心を回転軸に取り付けたウェハ保持機構において、ウェハ支持チップのウェハ支持面に溝を設けたことを特徴とするウェハ保持機構である。
【００２２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載のウェハ保持機構において、基台がＨ形であり、ウェハ止めピンの一部は背が高く上部が太く、下部が細い逆テーパー形状であり、残りのウェハ止めピンは背の低いストレートピンであり、ウェハの高さでは逆テーパー形状ピンの径がストレートピンの径より細いため、ウェハの中心が逆テーパー形状ピン側に偏心することを特徴とするウェハ保持機構である。
【００２３】
請求項３記載の発明は、請求項１記載のウェハ保持機構において、ウェハ支持チップのウェハ支持面の溝が互いに直交するクロス溝であることを特徴とするウェハ保持機構である。
【００２４】
請求項４記載の発明は、請求項１記載のウェハ保持機構において、ウェハ支持チップのウェハ支持面の溝が一方向の平行溝であることを特徴とするウェハ保持機構である。
【００２５】
請求項５記載の発明は、請求項３〜４記載のウェハ保持機構において、ウェハ支持チップのウェハ支持面の溝の間隔が５±２ｍｍ、溝の幅が１±０．５ｍｍ、溝の深さが１±０．５ｍｍであることを特徴とするウェハ保持機構である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明のウェハ保持機構の一実施例１０の平面図および正面図である。Ｈ形の基台１１の四隅近くにウェハ支持チップ１２があり、この上にウェハ１３を載せる。つまりウェハ支持チップ１２でウェハ１３の裏面を支える。また基台１１の四隅には四本のウェハ止めピン１４ａ、１４ｂがある。右のウェハ止めピン１４ａは背が高く上部が太く、下部が細い逆テーパー形状であり、左のウェハ止めピン１４ｂは背の低いストレートピンである。基台１１の中心１１ｃは回転軸１５に取り付けられている。本発明のウェハ保持機構１０は、図３の自動ウェハ洗浄乾燥装置の薬液洗浄区域２３、乾燥区域２５に備えられている。
【００２７】
次に図１の本発明のウェハ保持機構１０の使用法を説明する。ウェハ１３は図１の左側から、左側のウェハ止めピン１４ｂを乗り越え、右のウェハ止めピン１４ａに当る位置まで移送され、その位置で降ろされてウェハ支持チップ１２の上に載せられる。従ってウェハ１３は四隅をウェハ止めピン１４ａ、１４ｂで挟まれ、ウェハ支持チップ１２の上に載った状態となる。
【００２８】
左右のウェハ止めピン１４ａ、１４ｂの直径を比較すると、ウェハ１３の高さでは右のウェハ止めピン１４ａの方が細い。このためウェハ１３は基台１１の中心１１ｃより数ｍｍ右に寄った位置に落ち着く。このためウェハ保持機構１０が回転すると、ウェハ１３は右に数ｍｍ偏心して回転し、ウェハ１３には右寄りの遠心力が加わる。右のウェハ止めピン１４ａは逆テーパーになっているので、右寄りの遠心力はウェハ１３をウェハ支持チップ１２に押さえつけるように働く。この結果ウェハ１３は飛び出さずに安定して回転することができる。そのため洗浄も遠心乾燥もこのウェハ保持機構１０でできる。
【００２９】
本発明のウェハ保持機構の一実施例１０と従来のウェハ保持機構３０の違いはウェハ支持チップ１２の形状にある。それを明確にするため、図２に従来のウェハ支持チップ３２と本発明のウェハ支持チップ１２の一例の斜視図を示す。図２のように、従来のウェハ支持チップ３２はウェハを支える面（ウェハ支持チップ３２の上面）が単なる平面であったが、本発明のウェハ支持チップ１２は平面に溝１２ａを切った形状である。この溝１２ａの働きにより、ウェハ１３がウェハ支持チップ１２に密着しにくくなる。また、エッチング液、洗浄液が溝１２ａを流れ、そこからあふれてウェハ１３の裏面も流れるので、ウェハ１３の裏面のエッチング残り、洗浄不足がほぼ解消される。
【００３０】
ウェハ支持チップ１２の溝１２ａの形状は、図２では互いに直交するクロス溝であるが、これは一例である。最適な溝の形状はエッチング液、洗浄液の当て方により異なるので、実験により見出す必要がある。しかし本願発明者の実験によると、図２のような互いに直交するクロス溝であって、溝間隔が５±２ｍｍ、溝幅が１±０．５ｍｍ、溝深さが１±０．５ｍｍのものがほとんどの場合問題なかったので、これを標準とするのが良い。また簡便にするためウェハ支持チップ１２の溝１２ａを一方向の平行溝にしても、それほど洗浄効果は落ちなかった。
【００３１】
図１の本発明のウェハ保持機構１０も、従来の保持機構３０と同様、オリエンテーションフラットのあるウェハ１３および一部割れ欠けのあるウェハ１３でも保持でき、さらに洗浄も遠心乾燥も載せ替え無しでできる。
【００３２】
【発明の効果】
本発明のウェハ支持機構では、ウェハ支持チップのウェハ支持面に溝を設けた。この溝の働きにより、ウェハがウェハ支持チップに密着しにくくなった。また、エッチング液、洗浄液が溝を流れ、そこからあふれてウェハの裏面も流れるので、ウェハの裏面のエッチング残り、洗浄不足がほぼ解消された。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウェハ保持機構の一実施例１０の平面図および正面図
【図２】従来のウェハ支持チップ３２と本発明のウェハ支持チップ１２の一例の斜視図
【図３】自動ウェハ洗浄乾燥装置２０の斜視図
【図４】従来のウェハ保持機構３０の平面図および正面図
【図５】ウェハ３３を洗浄するときの模式図
【符号の説明】
１０ 本発明のウェハ保持機構
１１ 基台
１１ｃ 基台の中心
１２ ウェハ支持チップ
１２ａ ウェハ支持チップの溝
１３ ウェハ
１４ａ、１４ｂ ウェハ止めピン
１５ 回転軸
２０ 自動ウェハ洗浄乾燥装置
２１ ローダー側キャリア
２２ ウェハ
２３ 薬液洗浄区域
２４ 純水洗浄区域
２５ 乾燥区域
２６ アンローダー側キャリア
３０ 従来のウェハ保持機構
３１ 基台
３１ｃ 基台の中心
３２ ウェハ支持チップ
３３ ウェハ
３４ａ、３４ｂ ウェハ止めピン
３５ 回転軸
３６ おもて面用ノズル
３７ 裏面用ノズル
３８ エッチング液・薬液・純水[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer holding mechanism for holding and rotating a semiconductor wafer at high speed when cleaning or drying a semiconductor wafer.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Cleaning, etching, pure water cleaning, and centrifugal drying of photoresist, abrasives, unnecessary films, and the like remaining on the surface of a semiconductor wafer are frequently performed in a semiconductor wafer process. FIG. 3 is a perspective view of an automatic wafer cleaning / drying apparatus 20 used in the process. First, the wafers 22 are taken out one by one from the loader-side carrier 21 and sent to the chemical solution cleaning area 23. In the chemical cleaning section 23, a chemical is sprayed on the wafer 22 to remove or etch residues on the surface of the wafer 22. After the cleaning, the wafer 22 is rotated at a high speed to shake off the chemical solution. Next, the wafer 22 is sent to the pure water cleaning area 24, and a shower of pure water is sprayed on the wafer 22 to wash away the chemical solution. Then shake off the pure water with an air knife. Next, the wafer 22 is sent to the drying section 25 and centrifugally dried. Finally, the wafer 22 is stored in the unloader side carrier 26.
[0003]
In the automatic wafer cleaning / drying apparatus 20, the central part of the wafer 22 is generally fixed by suction to a vacuum chuck mechanism (not shown) in which air leakage is prevented by an O-ring. However, the suction and fixing by such a vacuum chuck mechanism is possible only on the back surface of the wafer 22. If the front surface of the wafer 22 on which the semiconductor elements are formed is vacuum-chucked, the semiconductor elements in contact with the chuck mechanism are destroyed, so that the front surface of the wafer 22 cannot be vacuum-chucked. Therefore, as long as a vacuum chuck mechanism is used, it is difficult to clean the back surface of the wafer 22 (particularly, the central portion of the wafer 22).
[0004]
For this reason, in the past, wafers were set up as carriers and dipped in chemicals or pure water for etching and cleaning. However, no matter how much the wafer is moved or the ultrasonic wave is applied, it is not as effective as a shower.While the preceding and subsequent processes are single-wafer processing, if this process alone is a batch process, the flow of the wafer will also be reduced. bad.
[0005]
Therefore, various inventions of a wafer holding mechanism capable of simultaneously cleaning the front and back of the wafer have been made. For example, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 5-267261 describes a mechanism in which an end face of a wafer is sandwiched between a plurality of rollers, and the rollers are rotated synchronously to rotate the wafer. In this way, the front and back surfaces of the wafer are completely exposed, so that both surfaces can be completely showered. However, it seems difficult to rotate a wafer having an orientation flat by this mechanism. It will also be difficult to spin at a high speed enough to allow centrifugal drying.
[0006]
Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-181098 describes a mechanism for rotating an entire end surface of a wafer by fixing the end surface of the wafer with a plurality of non-rotating rollers. According to this, centrifugal drying can be performed at high speed, but wafers with an orientation flat will be out of balance and difficult.
[0007]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-289892 discloses a mechanism in which an end face of a wafer is sandwiched between a plurality of rollers, and the rollers are rotated synchronously to rotate the wafer. The difference from Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-267261 is that the roller has a straight portion in the cross section, and the straight portion is in contact with the wafer end surface, so that the wafer end surface is hardly scraped. However, it is still difficult to rotate a wafer having an orientation flat, and it is also difficult to rotate the wafer at a high speed enough to perform centrifugal drying.
[0008]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-269178 discloses a mechanism in which an end surface of a wafer is sandwiched between a plurality of rollers, the roller is rotated synchronously to rotate the wafer, and an end surface of the wafer is held by a plurality of pins and the whole is rotated. The mechanism is described. Although cleaning of the wafer by this mechanism does not seem to be a problem, centrifugal drying will not be possible. Also, it seems that a wafer having an orientation flat cannot be handled.
[0009]
In the above prior art, since the back surface of the wafer was completely exposed, there was a problem that centrifugal drying was impossible or a wafer having an orientation flat could not be handled. Therefore, instead of giving up exposing 100% of the back surface of the wafer, a wafer holding mechanism capable of handling a wafer having an orientation flat without any problem and performing cleaning and centrifugal drying one by one with the same mechanism was invented. Next, the details will be described with reference to FIG.
[0010]
FIG. 4 is a plan view and a front view of a conventional wafer holding mechanism 30. The wafer support chip 32 is located near the four corners of the H-shaped base 31, and the wafer 33 is placed thereon. That is, the back surface of the wafer 33 is supported by the wafer support chip 32. There are four wafer fixing pins 34a and 34b at four corners of the base 31. The two right wafer stopper pins 34a are tall, the upper part is thicker, and the lower part is reverse tapered, and the two left wafer stopper pins 34b are short pins. The center 31c of the base 31 is attached to the rotation shaft 35. The conventional wafer holding mechanism 30 of FIG. 4 is provided in the chemical liquid cleaning section 23 and the drying section 25 of the automatic wafer cleaning and drying apparatus 20 of FIG.
[0011]
Next, how to use the conventional wafer holding mechanism 30 shown in FIG. 4 will be described. The wafer 33 is transported from the left side of FIG. 4 to the position where the wafer 33 gets over the left wafer stopper pin 34b and hits the right wafer stopper pin 34a, is lowered at that position, and is mounted on the wafer support chip 32. Accordingly, the wafer 33 is placed on the wafer support chip 32 with the four corners sandwiched between the wafer fixing pins 34a and 34b.
[0012]
Comparing the diameters of the right and left wafer stopper pins 34a and 34b, the right wafer stopper pin 34a is thinner at the height of the wafer 33. Therefore, the wafer 33 is settled at a position shifted to the right by several mm from the center of the base 31. Therefore, when the wafer holding mechanism 30 rotates, the wafer 33 rotates eccentrically by several mm to the right, and a rightward centrifugal force is applied to the wafer 33. Since the right wafer stopper pin 34a is reversely tapered, the rightward centrifugal force acts to press the wafer 33 against the wafer support chip 32. As a result, the wafer 33 can rotate stably without popping out. Therefore, the wafer holding mechanism 30 can perform both cleaning / etching and centrifugal drying.
[0013]
FIG. 5 is a schematic diagram when the wafer 33 is cleaned and etched. Although the wafer holding mechanism is not shown in FIG. 5, the wafer 33 is actually mounted on the wafer holding mechanism 30 in FIG. During cleaning and etching, a chemical solution or pure water 38 is sprayed from the front surface nozzle 36 and the back surface nozzle 37 onto the front and back surfaces of the wafer 33 while rotating the wafer 33 at several tens to several hundreds rpm. . After cleaning, the wafer 33 is rotated at a high speed of several hundred rpm to several thousand rpm to shake off the chemical solution / pure water 38.
[0014]
The conventional wafer holding mechanism 30 shown in FIG. 4 is excellent in that it can hold a wafer 33 having an orientation flat and a wafer 33 having a partially cracked portion, and can perform cleaning and centrifugal drying without replacement.
[0015]
[Patent Document 1]
JP-A-5-267261 [Patent Document 2]
JP-A-8-181098 [Patent Document 3]
JP-A-10-289892 [Patent Document 4]
JP 2000-269178 A
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the conventional wafer holding mechanism 30 shown in FIG. 4 has excellent functions, but has a weak point in the wafer support chip 32. That is, the back surface of the wafer 33 is easily brought into close contact with the wafer support chip 32. If the wafer support chip 32 comes into close contact with the back surface of the wafer 33, the cleaning liquid for the back surface of the wafer 33 will not enter between the wafer support chip 32 and the wafer 33, and the back surface of the wafer 33 will be insufficiently cleaned (or etched).
[0017]
As a specific example, when forming a gold bump on the wafer 33, first, a sputtering film of titanium having a thickness of about 0.3 μm and thin gold having a thickness of about 0.1 μm is formed on the front surface of the wafer 33. Next, a portion that is not to be plated is covered with a thick photoresist, and a thick gold electroplating having a thickness of 10 μm or more is performed using the gold sputtering film as an electrode. At this time, the jet plating in which the plating solution is applied only to the front surface of the wafer 33 is performed. However, since the plating solution slightly wraps around the back surface of the wafer 33, the plating adheres to the back surface, particularly to the peripheral portion. After removing the photoresist, the titanium / gold sputtering film is etched away. At this time, the titanium / gold sputtering film is etched in the chemical cleaning area 23 using the automatic wafer cleaning / drying apparatus 20 shown in FIG. At this time, as shown in FIG. 5, the etching liquid 38 is simultaneously applied to the front surface and the back surface, and the plating adhesion on the back surface of the wafer 33 is simultaneously removed. The etching solution 38 is an aqueous solution of (iodine + potassium iodide).
[0018]
The problem here is that the wafer 33 is in close contact with the wafer support chip 32 on the back surface. Since the etching solution 38 is disturbed by the wafer support chip 32 and does not sufficiently reach the back surface of the wafer 33, the back surface plating adhesion may remain only at the wafer support chip 32.
[0019]
The present invention has been conceived in order to solve this problem. By improving the shape of the wafer support chip 32 and reducing the area in which the wafer support chip 32 is in close contact with the back surface of the wafer 33, the plating adhesion on the back surface of the wafer 33 is improved. Is made almost zero.
[0020]
[Means for Solving the Problems]
In the wafer support mechanism of the present invention, in order to solve the above problem, a groove is provided on the wafer support surface of the wafer support chip. The function of the groove makes it difficult for the wafer to adhere to the wafer support chip. Further, since the etching solution and the cleaning solution flow through the groove and overflow from the groove, and also flow on the back surface of the wafer, the etching on the back surface of the wafer and insufficient cleaning are almost eliminated.
[0021]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a wafer holding mechanism having a wafer support chip near a corner of a base, a wafer fixing pin at a corner of the base, and a center of the base mounted on a rotation shaft. A wafer holding mechanism in which a groove is provided on a wafer support surface of a chip.
[0022]
According to a second aspect of the present invention, in the wafer holding mechanism according to the first aspect, the base is H-shaped, and some of the wafer retaining pins are tall, upper portions are thicker, lower portions are inversely tapered, and the remaining portions are thin. Is a straight pin with a short height, and at the height of the wafer, since the diameter of the reverse tapered pin is smaller than the diameter of the straight pin, the center of the wafer is eccentric to the reverse tapered pin side. This is a wafer holding mechanism.
[0023]
A third aspect of the present invention is the wafer holding mechanism according to the first aspect, wherein the grooves on the wafer supporting surface of the wafer supporting chips are cross grooves orthogonal to each other.
[0024]
According to a fourth aspect of the present invention, in the wafer holding mechanism of the first aspect, the groove on the wafer supporting surface of the wafer supporting chip is a parallel groove in one direction.
[0025]
According to a fifth aspect of the present invention, in the wafer holding mechanism of the third or fourth aspect, the interval between the grooves on the wafer supporting surface of the wafer supporting chip is 5 ± 2 mm, the width of the groove is 1 ± 0.5 mm, and the depth of the groove. Is 1 ± 0.5 mm.
[0026]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a plan view and a front view of a tenth embodiment of a wafer holding mechanism according to the present invention. The wafer support chip 12 is located near the four corners of the H-shaped base 11, and the wafer 13 is placed thereon. That is, the back surface of the wafer 13 is supported by the wafer support chip 12. There are four wafer fixing pins 14a and 14b at four corners of the base 11. The right wafer stopper pin 14a has a tall, upper part is thick and the lower part has an inverse tapered shape, and the left wafer stopper pin 14b is a short straight pin. The center 11 c of the base 11 is attached to the rotating shaft 15. The wafer holding mechanism 10 of the present invention is provided in the chemical cleaning section 23 and the drying section 25 of the automatic wafer cleaning and drying apparatus shown in FIG.
[0027]
Next, how to use the wafer holding mechanism 10 of the present invention shown in FIG. 1 will be described. The wafer 13 is transferred from the left side of FIG. 1 to the position where the wafer 13 passes over the left wafer stopper pin 14b and hits the right wafer stopper pin 14a, where it is lowered and placed on the wafer support chip 12. Accordingly, the four corners of the wafer 13 are sandwiched between the wafer fixing pins 14a and 14b, and are placed on the wafer supporting chip 12.
[0028]
Comparing the diameters of the right and left wafer stopper pins 14a and 14b, the right wafer stopper pin 14a is thinner at the height of the wafer 13. Therefore, the wafer 13 is settled at a position shifted to the right by several mm from the center 11c of the base 11. Therefore, when the wafer holding mechanism 10 rotates, the wafer 13 rotates eccentrically by several mm to the right, and a rightward centrifugal force is applied to the wafer 13. Since the right wafer stopper pin 14a is reversely tapered, the rightward centrifugal force acts to press the wafer 13 against the wafer support chip 12. As a result, the wafer 13 can rotate stably without popping out. Therefore, cleaning and centrifugal drying can be performed by the wafer holding mechanism 10.
[0029]
The difference between the tenth embodiment of the wafer holding mechanism of the present invention and the conventional wafer holding mechanism 30 lies in the shape of the wafer support chip 12. To clarify this, FIG. 2 shows a perspective view of an example of the conventional wafer support chip 32 and an example of the wafer support chip 12 of the present invention. As shown in FIG. 2, the surface of the conventional wafer support chip 32 that supports the wafer (the upper surface of the wafer support chip 32) is merely a plane, but the wafer support chip 12 of the present invention has a shape in which a groove 12a is cut in a plane. is there. The function of the groove 12 a makes it difficult for the wafer 13 to adhere to the wafer support chip 12. Further, since the etching liquid and the cleaning liquid flow through the groove 12a and overflow from the groove 12a, the back surface of the wafer 13 also flows, so that the etching on the back surface of the wafer 13 and insufficient cleaning are almost eliminated.
[0030]
The shape of the groove 12a of the wafer support chip 12 is a cross groove orthogonal to each other in FIG. 2, but this is an example. The optimum groove shape depends on how to apply the etching liquid and the cleaning liquid, so it is necessary to find out through experiments. However, according to an experiment performed by the inventor of the present application, cross grooves that are orthogonal to each other as shown in FIG. 2 and have a groove interval of 5 ± 2 mm, a groove width of 1 ± 0.5 mm, and a groove depth of 1 ± 0.5 mm Was fine in most cases, so it's good to use this as a standard. In addition, even if the grooves 12a of the wafer support chips 12 were made parallel in one direction for the sake of simplicity, the cleaning effect was not so reduced.
[0031]
The wafer holding mechanism 10 of the present invention shown in FIG. 1 can hold a wafer 13 having an orientation flat and a partially cracked wafer 13 similarly to the conventional holding mechanism 30, and can perform both washing and centrifugal drying without replacement. .
[0032]
【The invention's effect】
In the wafer support mechanism of the present invention, a groove is provided on the wafer support surface of the wafer support chip. The function of the groove made it difficult for the wafer to adhere to the wafer support chip. Further, since the etching solution and the cleaning solution flowed through the groove and overflowed from the groove, the back surface of the wafer also flowed, so that etching residue on the back surface of the wafer and insufficient cleaning were almost eliminated.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view and a front view of a wafer holding mechanism according to a tenth embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of an example of a conventional wafer supporting chip 32 and an example of a wafer supporting chip 12 of the present invention. FIG. 4 is a plan view and a front view of a conventional wafer holding mechanism 30. FIG. 5 is a schematic view when cleaning a wafer 33.
Reference Signs List 10 Wafer holding mechanism 11 of the present invention Base 11c Center of base 12 Wafer support chip 12a Wafer support chip groove 13 Wafer 14a, 14b Wafer retaining pin 15 Rotation axis 20 Automatic wafer cleaning and drying apparatus 21 Loader side carrier 22 Wafer 23 Chemical liquid Cleaning area 24 Pure water cleaning area 25 Drying area 26 Unloader side carrier 30 Conventional wafer holding mechanism 31 Base 31c Center of base 32 Wafer support chip 33 Wafers 34a, 34b Wafer retaining pin 35 Rotation axis 36 Front surface Nozzle 37 Nozzle for back side 38 Etching solution / chemical solution / pure water