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JP2004279725A - Laser processing apparatus and laser processing method - Google Patents

Laser processing apparatus and laser processing method Download PDF

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Publication number
JP2004279725A
JP2004279725A JP2003070817A JP2003070817A JP2004279725A JP 2004279725 A JP2004279725 A JP 2004279725A JP 2003070817 A JP2003070817 A JP 2003070817A JP 2003070817 A JP2003070817 A JP 2003070817A JP 2004279725 A JP2004279725 A JP 2004279725A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
phase
laser light
processing apparatus
laser processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003070817A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Fujita
雅之 藤田
Masaki Hashida
昌樹 橋田
Noriaki Miyanaga
憲明 宮永
Koji Tsubakimoto
孝治 椿本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Original Assignee
Japan Science and Technology Agency
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Science and Technology Agency filed Critical Japan Science and Technology Agency
Priority to JP2003070817A priority Critical patent/JP2004279725A/en
Publication of JP2004279725A publication Critical patent/JP2004279725A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

【課題】高いエネルギー密度のレーザー光を自在に制御できるレーザー加工装置およびレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】レーザー発振器1から発振するレーザー光の光路上に、位相変調器2、偏光制御素子3、偏光回転素子4、レーザー増幅器5、位相共役鏡6を配置する。そして、レーザー発振器1からのレーザー光を順に位相変調器2、偏光制御素子3、偏光回転素子4、レーザー増幅器5を通過させ、位相共役鏡6で反射させ、再びレーザー増幅器5、偏光回転素子4を通過させる。そして、偏光制御素子3で反射されたレーザー光を集光光学素子7で集光し、集光されたレーザー光を用いて被加工物8のパターン加工を行う。
【選択図】 図1
A laser processing apparatus and a laser processing method capable of freely controlling laser light having a high energy density are provided.
A phase modulator, a polarization control element, a polarization rotation element, a laser amplifier, and a phase conjugate mirror are disposed on an optical path of laser light oscillated from a laser oscillator. Then, the laser light from the laser oscillator 1 is sequentially passed through the phase modulator 2, the polarization control element 3, the polarization rotation element 4, and the laser amplifier 5, reflected by the phase conjugate mirror 6, and again the laser amplifier 5 and the polarization rotation element 4. Pass through. Then, the laser beam reflected by the polarization control element 3 is condensed by the condensing optical element 7, and pattern processing of the workpiece 8 is performed using the collected laser light.
[Selection] Figure 1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザー加工装置およびレーザー加工方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
微小面積に高密度のレーザー光を照射し材料の溶融や蒸発を行うことで被加工物に穴を開けたり切断を行ったりするレーザー加工方法は、微細な加工が可能であり、切れ味が良いことから様々な分野で活用されている。
【0003】
レーザー加工方法は、金型や表面、繊維等へのパターニング加工にも応用されているが、その際、ステージやミラーを用いてレーザー光を掃引する必要があるため時間がかかってしまう。また繊維等をレーザー光以外でパターニング加工する場合には、繊維の種類毎にパターンを切り出すための金刃が必要となるが、金刃の製造には数ヶ月かかってしまう。
【0004】
そこで、例えば特許文献1や非特許文献1では、位相板によりレーザー光に位相変調を与えパターンを転写している。しかしながらこの場合には、レーザー光の光路長を選択的に変化させるために位相板のホログラムパターンに微小な凹凸パターンを設ける必要があるため、位相板の製作するのに長期間かかり位相板のコストが高くなってしまう。よってこの方法は大量生産に対しては適しているが、試作品製作や少量生産には不向きであるといえる。
【0005】
また、特許文献2では、レーザー光の光路にランダムなパターンの位相板を設置してレーザー光の転写を行っているが、この場合はレーザー光の強度分布を均一化するために用いられており任意のパターニングに用いられることはない。
【0006】
また例えば特許文献3には、液晶パネルを用いてレーザー光の位相を制御し、パターンを発生させる方法が開示されている。けれどもこの場合には、液晶パネルのレーザー光に対するダメージの閾値が低いために、エネルギー密度の高いレーザー光が得られない。
【0007】
また非特許文献2には、レーザー増幅器でレーザー光のエネルギーを増幅し、増幅されたレーザー光を位相共役鏡で反射させ、再度逆方向からレーザー増幅器を通過させることで、増幅器による歪みを補償し、この歪みの補償されたレーザー光を用いてパターンを得る方法が開示されている。しかしながら、この方法では、レーザー光を自在に制御することができないので、被加工物に対して最適なレーザー光を実現することが困難である。
【0008】
【特許文献1】
特許第3216987号公報
【0009】
【特許文献2】
特開平11−295649号公報(公開日:平成11年10月29日)
【0010】
【特許文献3】
特開2000−223766号公報(公開日:平成12年8月11日)
【0011】
【非特許文献1】
レーザー技術総合研究所 大阪大学レーザー核融合研究セン東洋精密工業 地域新生コンソーシアム研究開発事業 即効型地域新生コンソーシアムIT用微細部品加工におけるドライプロセス化技術開発 成果報告書 NEDO技術情報データーベース[平成15年3月13日検索]、インターネット<URL:http://www.tech.nedo.go.jp/servlet/HoukokushoKensakuServlet7db=n&kensakuHoho=Barcode_Kensaku&SERCHBARCODE=010020144>
【0012】
【非特許文献2】
D.M.ペッパー著 「光位相共役の応用」 日経サイエンス社刊、1986年 3月号、P.44〜P.56
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように従来のレーザー加工方法はいずれも何らかの問題がある。そこで、本発明は微細加工が容易で試作品製作や少量生産に対しても好適に用いられると共に、高いエネルギー密度のレーザー光を自在に制御できるレーザー加工装置およびレーザー加工方法を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明にかかるレーザー加工装置は、レーザー光を発生するレーザー発振手段と、レーザー光のエネルギーを増幅する増幅手段と、レーザー光を被加工物に集光照射する集光手段とを備えたレーザー加工装置において、電気的または光学的に制御されるホログラムパターンから構成され、レーザー光の位相を変調する位相変調手段と、レーザー光の位相を反転させて反射する位相反転手段とを備えていることを特徴としている。
【0015】
また本発明にかかるレーザー加工装置は、ホログラムパターンが、液晶によって構成されていることを特徴としている。
【0016】
また本発明にかかるレーザー加工装置は、ホログラムパターンが、有機フォトリフラクティブ結晶によって構成されていることを特徴としている。
【0017】
また本発明にかかるレーザー加工装置は、位相反転手段が、位相共役鏡であることを特徴としている。
【0018】
上記の構成によれば、位相変調手段はホログラムパターンから構成されているので、ホログラムパターンを制御することでレーザー光を自在に制御することができる。また位相変調手段によって位相が変調されたレーザー光が増幅手段を通過するときに、増幅手段の熱的、機械的影響を受けてレーザー光は波面に歪みを受けるが、位相反転手段によって歪みを受けたレーザー光の位相を反転するとともにそのレーザー光が再度増幅手段を通過するようにすることで、レーザー光の歪みは相殺され、位相変調手段によって変調されたときのレーザー光の位相が復元される。このように増幅手段を往復したレーザー光の位相は揃っており、高いエネルギー密度を有している。したがってレーザー発振手段から発振されるレーザー光のエネルギーを低くしても、被加工物をパターン加工するのに充分なエネルギーのレーザー光を得ることができる。またこれによれば、レーザー光によって位相変調手段がダメージを受けることはない。
【0019】
それゆえ、上記の構成によれば、高いエネルギー密度をもつとともに、自在に制御することの可能なレーザー光を用いて、被加工物のパターン加工を一括して行えるレーザー加工装置を提供することができる。
【0020】
上記の課題を解決するために、本発明にかかるレーザー加工方法は、レーザー光を被加工物に集光照射することで、被加工物のパターン加工を行うレーザー加工方法において、レーザー光の位相を変調する変調工程と、位相の変調されたレーザー光のエネルギーを増幅する第1増幅工程と、エネルギーが増幅されたレーザー光の位相を反転して反射する反転反射工程と、反射されたレーザー光を増幅する第2増幅工程とを含むことを特徴としている。
【0021】
上記の構成によれば、レーザー光の位相を変調させることでレーザー光にパターン情報を埋め込むとともにレーザー光のエネルギーを増幅し、さらにレーザー光の位相を反転して反射し、反射されたレーザー光のエネルギーを再び増幅することで、パターン情報の埋め込まれた高いエネルギー密度のレーザー光を得ることができる。これによれば、エネルギー密度の高いレーザー光を用いてパターン加工を一括して行うことができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について、図1に基づいて説明すれば以下の通りである。図1は、本実施の形態にかかるレーザー加工装置の構成を概略的に示している。同図に示すように、本実施の形態にかかるレーザー加工装置は、レーザー発振器(レーザー発振手段)1と、位相変調器(位相変調手段)2と、偏光制御素子3と、偏光回転素子4と、レーザー増幅器(増幅手段)5と、位相共役鏡(位相反転手段)6と、集光光学素子(集光手段)7とを備えて構成されている。
【0023】
本実施の形態では、図1に示すように、レーザー発振器1から発振されるレーザー光の光路上に、位相変調器2、偏光制御素子3、偏光回転素子4、レーザー増幅器5、位相共役鏡6が順次配置されている。
【0024】
レーザー発振器1は、レーザー光を発振するものである。位相変調器2は、電気的または光学的に制御されるホログラムパターンから構成され、屈折率分布を書き込めるようになっている。本実施の形態では、ホログラムパターンは、例えば、電気的に制御される結晶、あるいは紫外線により制御される有機フォトリフラクティブ結晶から構成することができる。
【0025】
ホログラムパターンを液晶から構成する場合には、液晶に印加する電圧を変化させて液晶の配向方向(配向角度)を変化させる。電圧の大きさによって液晶の配向方向が変われば、レーザー発振器1から発振されたレーザー光が位相変調器2を通過するとき、液晶の配向方向に対応してレーザー光の位相は2次元的に変調される。なおホログラムパターンを液晶から構成する場合には、液晶ディスプレイパネルと同様に、配線を液晶板表面に2次元的に施すことで液晶の配向方向を変化させればよい。
【0026】
液晶から構成されるホログラムパターンからなる位相変調器2とする場合には、位相変調器2として、例えば、市販されているプログラマブル位相変調ユニット(浜松ホトニクス株式会社製)を用いることもできる。
【0027】
本実施の形態において、上記液晶の階調は特に限定されるものではないが、2のべき乗とすることが好ましい。液晶が2階調の場合には、本実施の形態にかかるレーザー加工装置を用いて非対称なパターンが作れなくなるという制限が生じることから、液晶の階調が4階調以上、より好ましくは8階調以上、さらに好ましくは16階調以上である。液晶の階調が大きくなるほど、得られるパターンのコントラストが向上する。
【0028】
また液晶の画素数は特に限定されるものではないが、計算が容易になるという点から、画素数は2のべき乗とすることが好ましい。実用的な面からいえば、画素数を512または1024とすることが好ましい。
【0029】
ホログラムパターンを有機フォトリフラクティブ結晶から構成する場合には、紫外線を照射して結晶内の屈折率分布を変化させればよい。照射する紫外線のエネルギーの大きさによって、結晶内の屈折率分布が変化すると、位相変調器2を通過するレーザー光の位相は、結晶内の屈折率分布に対応して2次元的に変調される。
【0030】
本実施の形態では、位相変調器2のホログラムパターンを約20ミリ秒で切り替えることが好ましい。これにより、逐次異なるパターンを効率よく得ることができるため、本実施の形態にかかるレーザー加工装置をいわゆる少量多品種生産の目的に対応させることができる。
【0031】
偏光制御素子3は、例えば、縦偏光を透過し、横偏光を反射する光学素子である。偏光回転素子4はレーザー光の偏光方向を45°回転させるものである。レーザー光が偏光回転素子4を往復2回通過することで、レーザー光の偏光方向が90°回転されるようになっている。
【0032】
レーザー増幅器5は、レーザー光のエネルギーを増幅するものである。レーザー増幅器は、増幅媒質のもつ利得の大きさや出力レベル(冷却方法)等によって形状が最適されるが、本実施の形態で用いるレーザー増幅器5の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、ロッド型あるいはディスク型の2パス増幅器を使用すればよい。ここで、ロッド型レーザー増幅器およびディスク型レーザー増幅器についてそれぞれ説明すれば、以下の通りである。
【0033】
(ロッド型レーザー増幅器)
円柱状のレーザー媒質を側面からフラッシュランプやレーザーダイオードで励起する構造のレーザー増幅器である。レーザー媒質の周囲に冷却水を流し、媒質を冷却するとともにレーザー媒質内部の寄生発振を抑制する構造を有する。励起光がロッドの外周から径方向に入射する構造なので、大口径になると中心部まで励起光が侵入できない。そのために、外周では利得が高く内部では低いといった利得の不均一が生じる。この利得の均一性のため、ロッド直径は80mm程度が実用上の上限となる。
【0034】
(ディスク型レーザー増幅器)
ロッド型レーザー増幅器では口径が大きくなると、中心部まで十分に励起ができないため、高い性能が得られなくなる。そこでレーザー媒質の形状を励起光の吸収長程度の厚さの楕円(ディスク)形状にし、透明損失低減のためにブリュースター角に配置したものがディスク型レーザー増幅器である。励起光が媒質に対してレーザービームの入出射面と同じ面から入射するために、ロッド型のように励起光の不均一による口径の制限は受けない。ディスク型は活性ドープイオン濃度を高くして励起光の吸収を高くしたり、また強励起を行うことが可能であるため、利得係数を高くできる。ただしレーザー媒質内部の寄生発振のためにロッド径の制限がある。この場合レーザー媒質のエッジ処理や形状によって異なるが、利得係数をα(m−1)、レーザー媒質の長径をD(m)とすると、αDは4程度の制限の目安となる。ガラスレーザー増幅器では口径40cm程度が制限の目安となる。
【0035】
位相共役鏡6は、入射するレーザー光の位相を反転して反射するものである。本実施の形態にかかる位相共役鏡6は、例えば、ガラス、石英、サファイア等からなるセルに、媒質を充填することで形成すればよい。
【0036】
このときセルに充填される媒質としては、可視光に対して透明な媒質あるいは広くレーザー光に対して透明な媒質を用いればよく、媒質の種類は特に限定されるものではないが、音波の緩和時間が波長の2乗に反比例することから、音波の伝搬速度が速い材料を用いれば、位相共役鏡6に高速性の応答性を持たせることができる。またレーザー発振器1から発振されるレーザー光の波長を短くすることで、位相共役鏡6の応答性を高速にすることができる。
【0037】
このように位相共役鏡6に高速性を持たせることの可能な材料としては、例えば、イーアイデュポンドゥヌムールアンドカンパニー製の液体のフレオン(FREON)(登録商標)や、スリーエムカンパニー製のフルオリナート(FLUORINERT)(登録商標)等が挙げられる。フルオリナートは、理論的には1ナノ秒の応答性を有しているので媒質として好適に使用される。
【0038】
なお、上記媒質の濃度は特に限定されるものではないが、媒質の濃度は100%とすることが好ましく、媒質が不純物を含む場合には、不純物を濾過し、純度を高めることが好ましい。位相共役鏡6に数ナノ秒の応答性を持たせれば、レーザー発振器1として短パルス幅のレーザーを好適に使用することができる。
【0039】
集光光学素子7は、被加工物8に照射するレーザー光を集光するためのものであり、例えばレンズ等から構成されている。本実施の形態では、偏光回転素子4を往復2回通過することで偏光方向が90°回転したレーザー光が、集光光学素子7に入射されるようになっている。
【0040】
ここで、本実施の形態にかかるレーザー加工方法によってパターンが形成されるまでについて説明する。
【0041】
(1)レーザー発振器1から発振されたレーザー光は位相変調器2に到達する。そして位相変調器2によってレーザー光の位相が2次元的に変調される。
【0042】
(2)位相の変調されたレーザー光は、偏光制御素子3、偏光回転素子4を順に通過してレーザー増幅器5へ至る。
【0043】
(3)レーザー増幅器5でレーザー光のエネルギーが増幅される。そしてレーザー増幅器5の熱的および機械的影響により歪みを受けたレーザー光が、位相共役鏡6へ向けて出射される。
【0044】
(4)位相共役鏡6によって歪みを受けたレーザー光の位相が反転され、位相の反転されたレーザー光として反射される。
【0045】
(5)レーザー光が再びレーザー増幅器5を通過し、さらにエネルギー増幅を受ける。ここでも上記(3)のようにレーザー光はレーザー増幅器5の熱的および機械的影響を受けるが、このときのレーザー光の位相は位相共役鏡6によって反転されているため、レーザー増幅器5を通過することでレーザー光の歪みは相殺される。
【0046】
(6)歪みが相殺され、かつエネルギーが増幅されたレーザー光は、再び偏光回転素子4を通過し、偏光方向が45°回転する。
【0047】
(7)偏光回転素子4を往復2回通過したレーザー光は、偏光制御素子3によって反射される。この時点でのレーザー光は、上記(1)で位相変調器2によって変調されたときの位相を復元しており、かつレーザー光のエネルギーは増幅されている。
【0048】
(8)レーザー光を集光光学素子7で集光することで、被加工物8をパターン加工するための所望の強度分布を備えるパターンを得る。このときのレーザー光は、被加工物8を加工するための充分な高エネルギー密度をもっている。
【0049】
以上のように、本実施の形態によればレーザー発振器1から発振されるレーザー光のエネルギーを低くしても被加工物8をパターニング加工するのに充分な、高密度のエネルギーをもつ光エネルギーを得ることができる。
【0050】
また、レーザー発振器1から発振されるエネルギーを低くすることで、位相変調器2がレーザー光によるダメージを受けることはなくなる。
【0051】
本実施の形態によれば、例えばレーザー発振器1から発振されるレーザー光の波長を200nm〜1500nm、好ましくは266nm〜1500nmの範囲内に設定して、被加工物8をパターン加工するのに充分なレーザー光を効率よく得ることができる。したがって、本実施の形態によれば、レーザー発振器1として、例えば、Nd:YAG(1064nm)の第2高調波(532nm)や、第3高調波(355nm)、第4高調波(266nm)等、低エネルギーのレーザー光を、パターンの緻密さに応じて適宜選択することで被加工物8のパターン加工を行うことができる。また、被加工物8を構成する材料の吸収特性に応じて、レーザー発振器1としてチタンサファイア、Nd:ガラス(1063nm)、炭酸ガスレーザーを用いることもできる。
【0052】
なお、本実施の形態にかかるレーザー発振器1の仕様は、特に限定されるものではなく、例えば、繰り返し:1kHz〜10kHz、パルス当たりのエネルギー:0.01J/cm〜1J/cm、パルス幅:1ナノ秒〜1マイクロ秒、平均パワー:100W〜10kWとすることで、パターン加工を効率よく行うことができる。
【0053】
このように、本実施の形態によれば、ホログラムパターンの制御によりレーザー光の位相を変調させることでレーザー光にパターン情報を埋め込み、さらにレーザー増幅器8を往復通過させることで、パターン情報の埋め込まれた高いエネルギー密度のレーザー光を用いてパターン加工を一括して行うことができる。
【0054】
本実施の形態にかかるレーザー加工方法は、電子機器のパターン加工をはじめ、繊維・金型等の数μm〜数百μmの加工に応用することができる。また本発明は、特に試作段階での一品製作に有用である。また薬品で加工しにくい材料や、劇薬を用いざるを得ない高耐久合金であっても、容易にゼロエミッションで加工することができる。
【0055】
したがって本実施の形態にかかるレーザー加工方法を、液晶パネルや、金属微細部品、半導体製造等のパターン加工、服飾業、生活繊維加工業等の低コスト多品種生産、自動車、コンタクトレンズ、ホログラムを利用したセキュリティ対策に応用させることができる。
【0056】
【実施例】
以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
【0057】
〔実施例1〕
本発明にかかるレーザー加工方法と、従来のフォトリソグラフィーによるエッチング、ホログラフィ露光エッチング、レーザーアブレーションそれぞれを行った場合の最小線幅、深さ制御、アスペクト比、生産性、コスト、加工対象物の制約、および用途について調べた。そしてそれぞれの結果に対して、優れている場合を「◎」、良い場合を「○」、やや劣る場合を「△」、劣る場合を「×」として評価した。その結果を表1に示す。
【0058】
【表1】

Figure 2004279725
【0059】
表1に示すように、本発明にかかるレーザー加工方法によれば、短時間、低コスト、低環境負荷で加工が可能となる。本発明にかかるレーザー加工方法は、工程全体で比較した加工速度の向上が最大のメリットとなるので、瞬時に一品一品異なるパターンを効率よく加工することができる。
【0060】
【発明の効果】
本発明にかかるレーザー加工装置は、以上のように、レーザー光を発生するレーザー発振手段と、レーザー光のエネルギーを増幅する増幅手段と、レーザー光を被加工物に集光照射する集光手段とを備えたレーザー加工装置において、電気的または光学的に制御されるホログラムパターンから構成され、レーザー光の位相を変調する変調手段と、レーザー光の位相を反転させて反射する位相反転手段とを備えている構成である。
【0061】
また本発明にかかるレーザー加工装置は、以上のように、ホログラムパターンが、液晶によって構成されている構成である。
【0062】
また本発明にかかるレーザー加工装置は、以上のように、ホログラムパターンが、有機フォトリフラクティブ結晶によって構成されている構成である。
【0063】
また本発明にかかるレーザー加工装置は、以上のように、位相反転手段が、位相共役鏡である構成である。
【0064】
それゆえ、自在に制御できるとともに高いエネルギー密度をもつレーザー光を用いて被加工物のパターン加工を一括して行えるレーザー加工装置を提供することができるという効果を奏する。
【0065】
本発明にかかるレーザー加工方法は、以上のように、レーザー光を被加工物に集光照射することで、被加工物のパターン加工を行うレーザー加工方法において、レーザー光の位相を変調する変調工程と、位相の変調されたレーザー光のエネルギーを増幅する第1増幅工程と、エネルギーが増幅されたレーザー光の位相を反転して反射する反転反射工程と、反射されたレーザー光を増幅する第2増幅工程とを含む構成である。
【0066】
それゆえ、レーザー光の位相を変調させることでレーザー光にパターン情報を埋め込むとともにレーザー光のエネルギーを増幅し、さらにレーザー光の位相を反転して反射し、反射されたレーザー光を再び増幅することで、パターン情報の埋め込まれた高いエネルギー密度のレーザー光を得ることができる。そして、これにより、エネルギー密度の高いレーザー光を用いてパターン加工を一括して行うことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態にかかるレーザー加工装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【符号の説明】
1 レーザー発振器
2 位相変調器(位相変調手段)
3 偏光制御素子
4 偏光回転素子
5 レーザー増幅器(増幅手段)
6 位相共役鏡(位相反転手段)
7 集光光学素子(集光手段)
8 被加工物[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a laser processing apparatus and a laser processing method.
[0002]
[Prior art]
The laser processing method that pierces or cuts the workpiece by irradiating a minute area with high-density laser light and melting or evaporating the material is capable of fine processing and has good sharpness. It is used in various fields.
[0003]
The laser processing method is also applied to patterning processing on a mold, a surface, a fiber, and the like. However, at that time, it is necessary to sweep the laser light using a stage or a mirror, which takes time. Further, when patterning a fiber or the like other than laser light, a gold blade for cutting out a pattern for each fiber type is required, but it takes several months to manufacture the gold blade.
[0004]
Therefore, for example, in Patent Document 1 and Non-Patent Document 1, phase modulation is applied to laser light by a phase plate to transfer a pattern. However, in this case, in order to selectively change the optical path length of the laser beam, it is necessary to provide a minute uneven pattern on the hologram pattern of the phase plate. Becomes higher. Therefore, this method is suitable for mass production, but unsuitable for prototype production and small-scale production.
[0005]
In Patent Document 2, a laser light is transferred by installing a phase plate with a random pattern in the optical path of the laser light. In this case, it is used to make the intensity distribution of the laser light uniform. It is not used for any patterning.
[0006]
For example, Patent Document 3 discloses a method of generating a pattern by controlling the phase of laser light using a liquid crystal panel. However, in this case, since the threshold of damage to the laser light of the liquid crystal panel is low, laser light with high energy density cannot be obtained.
[0007]
In Non-Patent Document 2, the laser amplifier amplifies the energy of the laser beam, the amplified laser beam is reflected by the phase conjugate mirror, and again passes through the laser amplifier from the opposite direction, thereby compensating for distortion caused by the amplifier. A method of obtaining a pattern by using the laser beam compensated for distortion is disclosed. However, in this method, since the laser beam cannot be freely controlled, it is difficult to realize an optimum laser beam for the workpiece.
[0008]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 3216987 gazette
[Patent Document 2]
JP 11-295649 A (publication date: October 29, 1999)
[0010]
[Patent Document 3]
JP 2000-223766 A (publication date: August 11, 2000)
[0011]
[Non-Patent Document 1]
Laser Technology Research Institute Osaka University Laser Fusion Research Center Toyo Seimitsu Kogyo Regional Renewal Consortium Research and Development Project Rapid-acting Regional Renewal Consortium Development of Dry Process Technology for Fine Parts Processing for IT Results Report NEDO Technical Information Database [2003 3 Month 13 Search], Internet <URL: http: // www. tech. nedo. go. jp / servlet / HokokushoKensakuServlet7db = n & kensakuHhoho = Barcode_Kensaku & SERCHBARCODE = 000010020144>
[0012]
[Non-Patent Document 2]
D. M.M. Pepper, “Application of optical phase conjugation”, published by Nikkei Science, March 1986, p. 44-P. 56
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, all the conventional laser processing methods have some problems. Therefore, the present invention has an object to provide a laser processing apparatus and a laser processing method that can be easily finely processed and can be suitably used for prototype production and small-scale production, and that can freely control high energy density laser light. It is said.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, a laser processing apparatus according to the present invention includes a laser oscillation unit that generates laser light, an amplification unit that amplifies the energy of the laser beam, and a laser beam that is focused on the workpiece. In a laser processing apparatus having a condensing unit, a phase modulation unit configured to modulate a phase of a laser beam and a phase reflected by inverting the phase of the laser beam, which is composed of a hologram pattern controlled electrically or optically And a reversing means.
[0015]
The laser processing apparatus according to the present invention is characterized in that the hologram pattern is composed of liquid crystals.
[0016]
The laser processing apparatus according to the present invention is characterized in that the hologram pattern is composed of an organic photorefractive crystal.
[0017]
The laser processing apparatus according to the present invention is characterized in that the phase inversion means is a phase conjugate mirror.
[0018]
According to the above configuration, since the phase modulation means is composed of a hologram pattern, the laser beam can be freely controlled by controlling the hologram pattern. When laser light whose phase is modulated by the phase modulation means passes through the amplification means, the laser light is distorted by the wavefront due to the thermal and mechanical influences of the amplification means, but is distorted by the phase inversion means. By inverting the phase of the laser light and allowing the laser light to pass through the amplification means again, the distortion of the laser light is canceled and the phase of the laser light when it is modulated by the phase modulation means is restored. . Thus, the phases of the laser beams reciprocating through the amplification means are aligned and have a high energy density. Therefore, even if the energy of the laser beam oscillated from the laser oscillation means is lowered, it is possible to obtain a laser beam having sufficient energy for patterning the workpiece. According to this, the phase modulation means is not damaged by the laser beam.
[0019]
Therefore, according to the above configuration, it is possible to provide a laser processing apparatus that can perform pattern processing on a workpiece in a batch using laser light that has high energy density and can be freely controlled. it can.
[0020]
In order to solve the above-described problems, a laser processing method according to the present invention is a laser processing method for performing pattern processing on a workpiece by condensing and irradiating the workpiece with laser light. A modulation step for modulating, a first amplification step for amplifying the energy of the laser light whose phase is modulated, a reverse reflection step for inverting and reflecting the phase of the laser light whose energy has been amplified, and a reflected laser light And a second amplification step for amplification.
[0021]
According to the above configuration, pattern information is embedded in the laser light by modulating the phase of the laser light, the energy of the laser light is amplified, the phase of the laser light is inverted and reflected, and the reflected laser light is reflected. By amplifying the energy again, it is possible to obtain a laser beam with a high energy density in which pattern information is embedded. According to this, pattern processing can be performed collectively using a laser beam having a high energy density.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 schematically shows a configuration of a laser processing apparatus according to the present embodiment. As shown in the figure, the laser processing apparatus according to the present embodiment includes a laser oscillator (laser oscillation means) 1, a phase modulator (phase modulation means) 2, a polarization control element 3, and a polarization rotation element 4. A laser amplifier (amplifying means) 5, a phase conjugate mirror (phase inverting means) 6, and a condensing optical element (condensing means) 7 are provided.
[0023]
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, a phase modulator 2, a polarization control element 3, a polarization rotation element 4, a laser amplifier 5, and a phase conjugate mirror 6 are arranged on the optical path of the laser light oscillated from the laser oscillator 1. Are arranged sequentially.
[0024]
The laser oscillator 1 oscillates laser light. The phase modulator 2 is composed of a hologram pattern that is controlled electrically or optically, and can write a refractive index distribution. In the present embodiment, the hologram pattern can be composed of, for example, an electrically controlled crystal or an organic photorefractive crystal controlled by ultraviolet rays.
[0025]
When the hologram pattern is composed of liquid crystal, the voltage applied to the liquid crystal is changed to change the alignment direction (alignment angle) of the liquid crystal. If the orientation direction of the liquid crystal changes depending on the voltage, when the laser light oscillated from the laser oscillator 1 passes through the phase modulator 2, the phase of the laser light is modulated two-dimensionally in accordance with the orientation direction of the liquid crystal. Is done. When the hologram pattern is composed of liquid crystal, the liquid crystal alignment direction may be changed by two-dimensionally providing wiring on the surface of the liquid crystal plate as in the case of the liquid crystal display panel.
[0026]
In the case of the phase modulator 2 made of a hologram pattern made of liquid crystal, for example, a commercially available programmable phase modulation unit (manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) can be used as the phase modulator 2.
[0027]
In the present embodiment, the gradation of the liquid crystal is not particularly limited, but is preferably a power of 2. When the liquid crystal has two gradations, there is a restriction that an asymmetric pattern cannot be created using the laser processing apparatus according to the present embodiment. Therefore, the liquid crystal has four or more gradations, more preferably the eighth floor. A tone or more, more preferably 16 gradations or more. As the gradation of the liquid crystal increases, the contrast of the obtained pattern improves.
[0028]
The number of pixels of the liquid crystal is not particularly limited, but the number of pixels is preferably a power of 2 from the viewpoint of easy calculation. From a practical standpoint, the number of pixels is preferably 512 or 1024.
[0029]
When the hologram pattern is composed of an organic photorefractive crystal, the refractive index distribution in the crystal may be changed by irradiating with ultraviolet rays. When the refractive index distribution in the crystal changes depending on the magnitude of the energy of the irradiated ultraviolet light, the phase of the laser light passing through the phase modulator 2 is two-dimensionally modulated corresponding to the refractive index distribution in the crystal. .
[0030]
In the present embodiment, it is preferable to switch the hologram pattern of the phase modulator 2 in about 20 milliseconds. Thereby, since sequentially different patterns can be obtained efficiently, the laser processing apparatus according to the present embodiment can be adapted to the purpose of so-called small-volume, multi-product production.
[0031]
The polarization control element 3 is, for example, an optical element that transmits longitudinally polarized light and reflects laterally polarized light. The polarization rotation element 4 rotates the polarization direction of the laser light by 45 °. When the laser beam passes through the polarization rotation element 4 twice, the polarization direction of the laser beam is rotated by 90 °.
[0032]
The laser amplifier 5 amplifies the energy of the laser beam. The shape of the laser amplifier is optimized depending on the gain of the amplification medium, the output level (cooling method), etc., but the shape of the laser amplifier 5 used in the present embodiment is not particularly limited. A rod-type or disk-type two-pass amplifier may be used. Here, the rod type laser amplifier and the disk type laser amplifier will be described as follows.
[0033]
(Rod type laser amplifier)
This laser amplifier has a structure in which a cylindrical laser medium is excited from the side by a flash lamp or a laser diode. Cooling water is allowed to flow around the laser medium to cool the medium and suppress parasitic oscillation inside the laser medium. Since the excitation light is incident in the radial direction from the outer periphery of the rod, the excitation light cannot enter the central portion when the aperture is large. For this reason, gain non-uniformity occurs such that the gain is high at the outer periphery and low at the inside. Due to the uniformity of the gain, the practical upper limit is about 80 mm for the rod diameter.
[0034]
(Disk type laser amplifier)
In the rod type laser amplifier, when the aperture is increased, high excitation cannot be obtained up to the central portion, so that high performance cannot be obtained. Therefore, a disk-type laser amplifier is configured such that the shape of the laser medium is an ellipse (disk) having a thickness approximately equal to the absorption length of the excitation light and is arranged at the Brewster angle to reduce the transparent loss. Since the excitation light is incident on the medium from the same surface as the laser beam entrance / exit surface, the aperture is not limited by the nonuniformity of the excitation light unlike the rod type. The disk type can increase the absorption coefficient of active light by increasing the concentration of active doped ions, and can increase the gain coefficient because it can perform strong excitation. However, the rod diameter is limited due to parasitic oscillation inside the laser medium. In this case, although it depends on the edge processing and shape of the laser medium, αD is a guideline for restriction of about 4 when the gain coefficient is α (m −1 ) and the long diameter of the laser medium is D (m). For glass laser amplifiers, a diameter of about 40 cm is a standard for restriction.
[0035]
The phase conjugate mirror 6 inverts the phase of incident laser light and reflects it. The phase conjugate mirror 6 according to the present embodiment may be formed by filling a cell made of glass, quartz, sapphire, or the like with a medium.
[0036]
At this time, as a medium filled in the cell, a medium transparent to visible light or a medium transparent to laser light may be used, and the type of medium is not particularly limited. Since the time is inversely proportional to the square of the wavelength, the phase conjugate mirror 6 can be provided with high-speed responsiveness by using a material having a high sound wave propagation speed. Further, by shortening the wavelength of the laser light oscillated from the laser oscillator 1, the responsiveness of the phase conjugate mirror 6 can be increased.
[0037]
As a material capable of providing the phase conjugate mirror 6 with high speed as described above, for example, liquid Freon (registered trademark) manufactured by EI du Pont de Nemours and Company, or fluorinate (manufactured by 3M Company) ( FLUORINERT) (registered trademark) and the like. Fluorinate has a response of 1 nanosecond in theory and is therefore preferably used as a medium.
[0038]
The concentration of the medium is not particularly limited, but the concentration of the medium is preferably 100%. When the medium contains impurities, it is preferable to increase the purity by filtering the impurities. If the phase conjugate mirror 6 has a response of several nanoseconds, a laser having a short pulse width can be suitably used as the laser oscillator 1.
[0039]
The condensing optical element 7 is for condensing the laser beam irradiated to the workpiece 8, and is composed of, for example, a lens. In the present embodiment, the laser light whose polarization direction is rotated by 90 ° by passing through the polarization rotation element 4 twice is incident on the condensing optical element 7.
[0040]
Here, a description will be given until the pattern is formed by the laser processing method according to the present embodiment.
[0041]
(1) The laser light oscillated from the laser oscillator 1 reaches the phase modulator 2. Then, the phase of the laser light is two-dimensionally modulated by the phase modulator 2.
[0042]
(2) The phase-modulated laser light sequentially passes through the polarization control element 3 and the polarization rotation element 4 and reaches the laser amplifier 5.
[0043]
(3) The laser amplifier 5 amplifies the energy of the laser beam. Laser light that has been distorted by the thermal and mechanical effects of the laser amplifier 5 is emitted toward the phase conjugate mirror 6.
[0044]
(4) The phase of the laser beam that has been distorted by the phase conjugate mirror 6 is inverted and reflected as a laser beam with the phase inverted.
[0045]
(5) The laser beam again passes through the laser amplifier 5 and further undergoes energy amplification. Again, as in (3) above, the laser beam is affected by the thermal and mechanical effects of the laser amplifier 5, but the phase of the laser beam at this time is inverted by the phase conjugate mirror 6, and therefore passes through the laser amplifier 5. By doing so, distortion of the laser beam is canceled out.
[0046]
(6) The laser beam in which the distortion is canceled and the energy is amplified passes through the polarization rotation element 4 again, and the polarization direction is rotated by 45 °.
[0047]
(7) The laser light that has passed through the polarization rotation element 4 twice is reflected by the polarization control element 3. The laser light at this time has recovered the phase when modulated by the phase modulator 2 in (1) above, and the energy of the laser light is amplified.
[0048]
(8) By condensing the laser beam with the condensing optical element 7, a pattern having a desired intensity distribution for patterning the workpiece 8 is obtained. The laser beam at this time has a sufficiently high energy density for processing the workpiece 8.
[0049]
As described above, according to the present embodiment, light energy having high-density energy sufficient for patterning the workpiece 8 even if the energy of the laser light oscillated from the laser oscillator 1 is lowered. Can be obtained.
[0050]
Further, by reducing the energy oscillated from the laser oscillator 1, the phase modulator 2 is not damaged by the laser light.
[0051]
According to the present embodiment, for example, the wavelength of the laser light oscillated from the laser oscillator 1 is set in the range of 200 nm to 1500 nm, preferably 266 nm to 1500 nm, and is sufficient to pattern the workpiece 8. Laser light can be obtained efficiently. Therefore, according to the present embodiment, as the laser oscillator 1, for example, the second harmonic (532 nm) of Nd: YAG (1064 nm), the third harmonic (355 nm), the fourth harmonic (266 nm), etc. Pattern processing of the workpiece 8 can be performed by appropriately selecting low energy laser light according to the density of the pattern. Further, titanium sapphire, Nd: glass (1063 nm), or a carbon dioxide laser can be used as the laser oscillator 1 in accordance with the absorption characteristics of the material constituting the workpiece 8.
[0052]
The specifications of the laser oscillator 1 according to the present embodiment are not particularly limited. For example, repetition: 1 kHz to 10 kHz, energy per pulse: 0.01 J / cm 2 to 1 J / cm 2 , pulse width Pattern processing can be efficiently performed by setting 1 nanosecond to 1 microsecond and average power 100 W to 10 kW.
[0053]
As described above, according to the present embodiment, pattern information is embedded in the laser light by modulating the phase of the laser light by controlling the hologram pattern, and the pattern information is embedded by reciprocating the laser amplifier 8. In addition, pattern processing can be performed at once using a laser beam having a high energy density.
[0054]
The laser processing method according to the present embodiment can be applied to pattern processing of electronic equipment and processing of several μm to several hundred μm of fibers and molds. In addition, the present invention is particularly useful for manufacturing one product at the trial production stage. Even materials that are difficult to process with chemicals or highly durable alloys that must use powerful drugs can be easily processed with zero emissions.
[0055]
Therefore, the laser processing method according to the present embodiment uses liquid crystal panels, metal micro-parts, pattern processing for semiconductor manufacturing, low-cost, multi-product production such as clothing industry, textile processing industry, automobiles, contact lenses, and holograms. It can be applied to security measures.
[0056]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by this.
[0057]
[Example 1]
Laser processing method according to the present invention and conventional line lithography, holographic exposure etching, laser line ablation, minimum line width, depth control, aspect ratio, productivity, cost, processing object constraints, And investigated for use. For each result, an excellent case was evaluated as “◎”, a good case as “◯”, a slightly inferior case as “Δ”, and an inferior case as “X”. The results are shown in Table 1.
[0058]
[Table 1]
Figure 2004279725
[0059]
As shown in Table 1, according to the laser processing method of the present invention, processing can be performed in a short time, at low cost and with low environmental load. In the laser processing method according to the present invention, since the improvement of the processing speed compared with the whole process becomes the greatest merit, it is possible to efficiently process different patterns for each product instantaneously.
[0060]
【The invention's effect】
As described above, the laser processing apparatus according to the present invention includes a laser oscillation means for generating laser light, an amplification means for amplifying the energy of the laser light, and a light collecting means for condensing and irradiating the workpiece with the laser light. A laser processing apparatus comprising a hologram pattern that is controlled electrically or optically, and comprising a modulation means for modulating the phase of the laser light and a phase inversion means for reflecting the light by inverting the phase of the laser light. It is the composition which is.
[0061]
Moreover, the laser processing apparatus according to the present invention has a configuration in which the hologram pattern is composed of liquid crystal as described above.
[0062]
Moreover, the laser processing apparatus concerning this invention is the structure by which the hologram pattern is comprised by the organic photorefractive crystal as mentioned above.
[0063]
The laser processing apparatus according to the present invention has a configuration in which the phase inversion means is a phase conjugate mirror as described above.
[0064]
Therefore, there is an effect that it is possible to provide a laser processing apparatus that can be freely controlled and can collectively perform pattern processing of a workpiece using laser light having a high energy density.
[0065]
In the laser processing method according to the present invention, as described above, in the laser processing method for performing pattern processing of a workpiece by condensing and irradiating the workpiece with laser light, the modulation step of modulating the phase of the laser light A first amplification step of amplifying the energy of the phase-modulated laser light, a reverse reflection step of inverting and reflecting the phase of the laser light whose energy has been amplified, and a second of amplifying the reflected laser light And an amplification step.
[0066]
Therefore, by modulating the phase of the laser beam, the pattern information is embedded in the laser beam, the energy of the laser beam is amplified, the phase of the laser beam is inverted and reflected, and the reflected laser beam is amplified again. Thus, it is possible to obtain a laser beam with high energy density in which pattern information is embedded. As a result, there is an effect that pattern processing can be performed collectively using laser light having a high energy density.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram schematically showing a configuration of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Laser oscillator 2 Phase modulator (phase modulation means)
3 Polarization control element 4 Polarization rotation element 5 Laser amplifier (amplifying means)
6 Phase conjugate mirror (phase inversion means)
7 Condensing optical element (condensing means)
8 Workpiece

Claims (5)

レーザー光を発生するレーザー発振手段と、レーザー光のエネルギーを増幅する増幅手段と、レーザー光を被加工物に集光照射する集光手段とを備えたレーザー加工装置において、
電気的または光学的に制御されるホログラムパターンから構成され、レーザー光の位相を変調する位相変調手段と、
レーザー光の位相を反転させて反射する位相反転手段とを備えていることを特徴とするレーザー加工装置。
In a laser processing apparatus comprising a laser oscillation means for generating laser light, an amplifying means for amplifying the energy of the laser light, and a condensing means for condensing and irradiating the workpiece with the laser light,
A phase modulation means that is composed of a hologram pattern controlled electrically or optically and modulates the phase of the laser beam;
A laser processing apparatus comprising phase inversion means for inverting the phase of laser light to reflect the laser light.
ホログラムパターンが、液晶によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザー加工装置。The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the hologram pattern is made of liquid crystal. ホログラムパターンが、有機フォトリフラクティブ結晶によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザー加工装置。The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the hologram pattern is made of an organic photorefractive crystal. 位相反転手段が、位相共役鏡であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザー加工装置。The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the phase inversion unit is a phase conjugate mirror. レーザー光を被加工物に集光照射することで、被加工物のパターン加工を行うレーザー加工方法において、
レーザー光の位相を変調する変調工程と、
位相の変調されたレーザー光のエネルギーを増幅する第1増幅工程と、
エネルギーが増幅されたレーザ光の位相を反転して反射する反転反射工程と、
反射されたレーザー光を増幅する第2増幅工程とを含むことを特徴とするレーザー加工方法。
In a laser processing method for pattern processing of a workpiece by condensing and irradiating the workpiece with laser light,
A modulation process for modulating the phase of the laser beam;
A first amplification step of amplifying the energy of the phase-modulated laser beam;
A reversal reflection step of reversing and reflecting the phase of the laser light with amplified energy;
And a second amplification step of amplifying the reflected laser beam.
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WO2025220773A1 (en) * 2024-04-19 2025-10-23 주식회사 이오테크닉스 Laser device and processing device including same

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