JP2004128105A - X線発生装置及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ミラーの交換が簡単にできる等の利点を有するX線発生装置及びそれを備える露光装置を提供する。
【解決手段】X線発生装置1は、球状の真空容器2を備えている。真空容器2上流側の開口2a内には、ミラー(第1ミラー)10が組み込まれている。このミラー10は、真空容器2上流側の壁の一部を構成している。ミラー10の反射面10aは真空容器2内に位置しており、ミラー10の裏面10bは真空容器2外の大気側に露出している。ミラー10の裏面10bには、水冷ジャケット15が取り付けられている。水冷ジャケット15は、ミラー裏面10bの大気側に設けられているため、配管15aの引き回し等が容易で構成が簡素である。また、水冷ジャケット15が大気側に露出しているため、交換やメンテナンスも容易である。
【選択図】 図1
【解決手段】X線発生装置1は、球状の真空容器2を備えている。真空容器2上流側の開口2a内には、ミラー(第1ミラー)10が組み込まれている。このミラー10は、真空容器2上流側の壁の一部を構成している。ミラー10の反射面10aは真空容器2内に位置しており、ミラー10の裏面10bは真空容器2外の大気側に露出している。ミラー10の裏面10bには、水冷ジャケット15が取り付けられている。水冷ジャケット15は、ミラー裏面10bの大気側に設けられているため、配管15aの引き回し等が容易で構成が簡素である。また、水冷ジャケット15が大気側に露出しているため、交換やメンテナンスも容易である。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、X線顕微鏡やX線分析装置、X線露光装置等のX線機器に装備されるX線発生装置と、それを備える露光装置に関する。特には、ミラーの交換が簡単にできる等の利点を有するX線発生装置等に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
近年、X線分析装置やX線露光装置等のX線機器の光源として、レーザープラズマX線源や放電プラズマX線源が注目されている。
レーザープラズマX線源(以下、LPXと呼ぶ)は、励起用のレーザー光を真空容器内の標的材料に集光照射してプラズマを生成し、このプラズマからX線を輻射させるものである。このLPXは、小型でありながらアンジュレータ(シンクロトロンラジエーション)に匹敵するほどの輝度をもつ。
【0003】
放電プラズマX線源は、電極にパルス高電圧を印加して放電を起こし、この放電で動作ガスをイオン化してプラズマを生成し、このプラズマから輻射されるX線を利用する。この放電プラズマX線源は、小型であり、輻射されるX線量が多く、低コストであり、さらにLPXに比べて投入電力に対するX線の変換効率が高いという特徴がある。放電プラズマX線源の代表的なものは、デンスプラズマフォーカスX線源(以下、DPFXと呼ぶ)である。
【0004】
このようなLPXやDPFXにおいては、標的材料やプラズマ近傍の部材(電極等)が、プラズマ生成時に原子やイオン状の粒子となって周囲に飛び散る(このような粒子を飛散粒子あるいはデブリと呼ぶ)。飛散粒子は、プラズマの周囲に配置された多層膜ミラー等のX線ミラーに付着・堆積し易く、ミラーの反射率を低下させる。このため、LPXやDPFXにおいては、多層膜ミラーをある一定期間ごとに新たなミラーに交換する必要がある。
【0005】
前述のX線源を備えるX線発生装置においては、プラズマから輻射されるX線が最初に入射するミラー(第1ミラー)は、プラズマ発生チャンバ(真空容器)の内部に取り付けられている。そのため、以下に述べるような問題がある。
(1)第1ミラーを交換する際には、チャンバ内部で第1ミラーの取り外し・再取り付けを行わなければならず、ミラー交換作業に時間と手間がかかる。
(2)第1ミラーを内包する構成上、プラズマ発生チャンバが大型化してしまう。さらに、ミラーはプラズマX線源からの熱負荷を受けて温度が上昇するため、適宜冷却する必要があるが、それ用の冷却機構も複雑化してしまう。
【0006】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、ミラーの交換が簡単にできる等の利点を有するX線発生装置及びそれを備える露光装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決するため、本発明のX線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからX線を輻射させるX線源と、 該X線源を収容する真空容器と、 前記X線源から輻射されるX線が入射するミラーと、を具備し、 前記ミラーあるいはミラーを保持している部材が、前記真空容器の壁の一部を構成していることを特徴とする。
【0008】
本発明によれば、ミラーあるいはミラーを保持している部材が真空容器の壁の一部を構成しているので、性能の劣化したミラーを大気側から素早く新しいミラーと交換できる。
【0009】
本発明のX線発生装置においては、前記ミラーあるいはミラーを保持している部材の裏面が真空容器外側に露出しているものとすることができる。
この場合、ミラーあるいはミラー保持部材を真空容器外から冷却することができるため、冷却手段を配置することが容易になる。特に真空容器外が大気の場合は、ミラーの熱が裏面側から大気に放熱されるので、ミラーの温度上昇を抑えることができる。
【0010】
本発明のX線発生装置においては、前記ミラーあるいはミラーを保持している部材の裏面にミラー冷却機構を設けることができる。
この場合、ミラー冷却機構を用いてミラーの温度上昇を抑えることができる。さらに、ミラー冷却機構を大気側(ミラー裏面側)に設けることができるので、冷却機構の構成が簡素化する(例えば冷却機構が水冷ジャケットである場合は、配管の引き回しが簡単になる)。また、冷却機構が大気側に露出していると、メンテナンスも容易になる。
【0011】
本発明のX線発生装置においては、前記標的材料をプラズマ化するレーザー光を発生させるレーザー光源を具備し、 前記レーザー光が、前記ミラーあるいはミラーを保持している部材の一部を透過、あるいは、前記ミラーに開けられた開口部を通過して、前記真空容器内に入射するものとすることができる。
固体ターゲットの場合、プラズマから輻射されるX線は、レーザー光の入射方向に強い強度をもつ。したがって、本手段によれば、X線源で発生したX線を有効にミラーに導くことができ、X線発生装置から射出するX線の光量を高めることができる。
【0012】
本発明のX線発生装置においては、前記ミラーの位置及び姿勢を検出する検出手段と、 該ミラーの位置及び姿勢を調整する調整手段と、 前記検出手段からの信号を受けて、該ミラーが所定の位置及び姿勢をとるように、前記調整手段を制御する制御手段と、 をさらに具備するものとすることができる。
この場合、ミラーを正規の位置及び姿勢に正確にセットすることができる。したがって、ミラーの交換時やメンテナンス時等に装置のアライメントを崩すことがなく、装置の精度を維持することができる。
【0013】
本発明の露光装置は、請求項1〜4いずれか1項記載のX線発生装置と、 該X線発生装置から発生されたX線をマスクに当てる照明光学系と、 該マスクから反射した光を感応基板上に投影結像させる投影光学系と、 を具備することを特徴とする。
本発明によれば、性能の劣化したミラーを素早く簡単に新たなミラーと交換でき、X線発生装置を素早く正常状態に復帰できるので、メンテナンスに要する時間や費用を削減できるとともに、装置稼動率を向上させることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
図1は、本発明の一実施の形態に係るX線発生装置を有する露光装置を模式的に示す図である。
図2は、図1のX線発生装置におけるミラー位置・姿勢調整部を示す図である。
なお、以下の説明では、レーザー光及びX線の光路に沿って、図1の左側を上流側といい、図1の右側を下流側(後段の光学系側)という。
【0015】
本実施の形態では、本発明に係るX線発生装置をレーザープラズマX線源に適用した例について述べる。
図1の露光装置の上流側には、X線発生装置1が配置されている。このX線発生装置1は、球状の真空容器2を備えている。この真空容器2には、真空ポンプ(真空排気装置)3が付設されている。真空容器2内は、真空ポンプ3で排気されている。真空容器2内が真空ポンプ3で減圧されることで、プラズマPから輻射されたX線が減衰しないようになっている。
【0016】
真空容器2内には、ステンレス製のガスジェットノズル4が配置されている。このガスジェットノズル4は、ガスボンベに繋がるバルブ(ともに図示されず)に接続されている。ガスボンベ内にはキセノン(Xe)等のターゲットガスが充填されている。ガスボンベ内のターゲットガスは、配管等を介してバルブに送られ、ガスジェットノズル4から真空容器2内に噴出される。この噴出されたターゲットガスが、プラズマPを生成する際の標的材料となる。
【0017】
真空容器2の上流側には、開口2aが形成されている。この開口2a内には、ミラー(第1ミラー)10が組み込まれている。このミラー10は、真空容器2上流側の壁の一部を構成している。ミラー10の反射面10aは真空容器2内に位置しており、ミラー10の裏面10bは真空容器2外の大気側に露出している。なお、真空容器2の開口2aとミラー10の側周面間には、磁性流体シール9が介装されており、両者間はシールされている。
【0018】
ミラー10は、この例では回転放物面形状の反射面10aを有する低熱膨張ガラス製(例えばゼロデュアーやULE等)ミラーである。ミラー10の反射面10aには、面中心の一部を除いてMo/Si製の多層膜12がコートされている。この多層膜12は、波長13.5nmのX線を反射するように構成されている。ミラー10は、その焦点位置にプラズマPが位置するように配置されている。プラズマPから輻射されたX線のうち、波長13.5nmのX線がミラー10の反射面10aで反射し、X線光束Eとなって後段の光学系に導かれる。
【0019】
ミラー10の裏面10bには、水冷ジャケット(ミラー冷却機構)15が取り付けられている。水冷ジャケット15の配管15aは、図示せぬ水源・ポンプに繋がっている。水冷ジャケット15は、プラズマPからの輻射熱を受けて温度が上昇したミラー10を冷却するためのものである。この水冷ジャケット15は、ミラー裏面10bの大気側に設けられているため、配管15aの引き回し等が容易で構成が簡素である。また、水冷ジャケット15が大気側に露出しているため、メンテナンスも容易である。
【0020】
ミラー10の裏面10bよりも上流側には、レーザー光源5が配置されている。ミラー10とレーザー光源5間には、レンズ6が配置されている。このレンズ6は、レーザー光源5から放出されたYAGレーザー光Lを、ガスジェットノズル4の先に集光する。この際、YAGレーザー光Lは、ミラー10の中心(多層膜12がコートされていない箇所)を透過する。集光されたYAGレーザー光Lがターゲットガスに照射されることで、プラズマPが生成され、このプラズマPからX線が輻射される。なお、この際ガスジェットノズル4から噴出されたターゲットガスは、プラズマPが生成された後に、真空ポンプ3で真空容器2外に排気される。なお、本実施例では、レンズ6を別途設けたが、ミラー10のレーザー光が通過する部分を凸形状としてレンズの役割を兼ねるものとし、レンズ6を省くこともできる。
【0021】
ミラー10の裏面10b側には、鍔状に張り出したフランジ部13が形成されている。このフランジ部13は、真空容器2外面に形成された係合突起14に係合している。真空容器2とミラー10のフランジ部13間には、ピエゾ素子8(調整手段)が取り付けられている。このピエゾ素子8は、ミラーを交換した後、ミラーを正規の位置・姿勢に調整するためのアクチュエータである。図2に示すように、ピエゾ素子8は制御装置33に接続されており、この制御装置33からの信号に応じて作動する。なお、本実施例では、ミラー部材としてレーザー光に対して透明な材料を用いているが、シリコンやアルミニウム、銅等の不透明材料を用いてもよい。この場合には、ミラーのレーザー光が通過する部分に開口を設け、その部分にレーザー光に対して透明な部材(例えば石英等)を取り付けるようにしてもよい。シリコンやアルミニウム、銅等の金属をミラー部材として用いると、熱伝導率が高いため冷却効率が高くなる。
【0022】
図2に示すように、真空容器2内には、半導体レーザー30及びフォトダイオード31(検出手段)が配置されている。これら半導体レーザー30・フォトダイオード31で、ミラー10の位置や姿勢を検出する。半導体レーザー30は、一例でミラー10の周囲に3個以上配置されている。フォトダイオード31は、各半導体レーザー30に対応して、ミラー10の周囲に配置されている。これら半導体レーザー30及びフォトダイオード31は、ミラー10の反射面10a側に配置されており、ミラー10で反射したX線を遮らない位置に配置されている。半導体レーザー30及びフォトダイオード31は、前述のピエゾ素子8と同様に制御装置33に接続されており、この制御装置33にミラー10の位置・姿勢検出信号を出力する。なお、図2では、図1のガスジェットノズル4やレーザー光源5、レンズ6等は描かれていない。
【0023】
各半導体レーザー30から出たビームは、ミラー10の反射面10aの一点に当たって反射し、それぞれ対応するフォトダイオード31に入射する。各フォトダイオード31の受光面は4分割されており、これら4分割された各受光面のそれぞれから検出信号を取り出すことができる。1つのフォトダイオードからの4つの検出信号は、制御装置33に入力される。制御装置33は、この検出信号に基づいてピエゾ素子8を制御し、ガスジェットノズル4やミラー10の位置、後段の光学系(図1参照)のアライメントが調整される。
【0024】
ここで、前述の構成を有するX線発生装置1の総合的な作用について述べる。レーザー光源5から放出されたYAGレーザー光Lは、レンズ6及びミラー10の中央を透過してガスジェットノズル4の直上に集光される。ガスジェットノズル4から超音速で噴出されたターゲットガスは、集光されたYAGレーザー光Lのエネルギを受けて高温になり、プラズマPを生成する。このプラズマ中のイオンが低ポテンシャル状態へ遷移する際に、X線を放出する。ミラー10に入射したX線のうち、波長13.5nm付近のX線がミラー反射面10aに形成された多層膜12で反射してX線光束Eとなり、真空容器2の下流側から後段の光学系(図1参照)へと導かれる。
【0025】
ミラー10の反射面10aには、プラズマPからの輻射熱で熱負荷が加わるが、ミラー10は水冷ジャケット15で冷却されているため、温度上昇が低く抑えられる。あるいは、ミラー10の裏面10bが大気側に露出しているため、ミラー10の熱が大気に放熱され、これによっても温度上昇が抑えられる。
【0026】
X線発生装置1の長時間の稼動に伴い、プラズマPからの飛散粒子がミラー10の反射面10aに堆積すると、ミラー10の反射面10aで反射されるX線の光量が低下してくる。こうなると、元のミラーを新たなミラーに交換する必要がある。この交換作業の際は、ミラー10が真空容器2の壁の一部を構成しているので、性能の劣化したミラーを大気側から素早く簡単に新たなミラーと交換できる。そのため、X線発生装置1を素早く元の状態に復帰できる。
【0027】
ここで、新たに設置したミラーの位置は、元のミラーがあった位置とは僅かにずれる可能性がある。このような位置ずれが生じた場合、図2に示す半導体レーザー30からのレーザーの反射光の、フォトダイオード31上で検出される位置が変化する。そのため、フォトダイオード31から出力される検出値も変化する。そこで、フォトダイオード31の出力値が、元のミラーを調整した時の初期状態の条件とほぼ一致するように、制御装置33がピエゾ素子8を駆動する。こうすることにより、元のミラー位置と同じ位置に新たなミラーを配置することができる。なお、本実施例では、ミラー位置調整手段としてピエゾ素子を用いたが、これに限らず、モーター等のミラー位置を変化させることができるものであれば、他の様々なものを用いることができる。
【0028】
図1に戻って、X線発生装置1を有するX線露光装置の全体構成について説明する。
真空容器2の下流側には、真空室20が接続されている。この真空室20内には、フィルター21及び開口板23が配置されている。フィルター21は、例えば厚さ0.1μmのジルコニウム(Zr)からなり、プラズマPからの可視・紫外光をカットする。開口板23は、円盤状をしており、フィルター21の下流側に配置されている。この開口板23の中心には、ピンホール23aが形成されている。開口板23のピンホール23a周囲の箇所は、散乱したX線や、ミラー10によって反射されずに直接下流側に放出されているX線等を遮る役割を果たす。また、ピンホールの上流側と下流側で差動排気を行い、下流側の真空度を上げるためにも使用される。
【0029】
真空室20において、開口板23の下方にはゲートバルブ25が設けられている。X線発生装置1のミラー交換等のメンテナンスの際には、このゲートバルブ25を閉じて、下流の照明光学系41と真空容器2とを隔離する。なお、この実施例では、フィルター21をピンホール23aの上流側に配置しているが、フィルター21をピンホール23aの下流側に配置してもよい。このようにすると、フィルター21に照射されるX線はミラー10で反射されたX線のみとなるため、フィルター21に吸収されるX線による熱負荷が小さくなる利点がある。
【0030】
真空室20の下方には、露光チャンバ40が設置されている。露光チャンバ40内には、照明光学系41やマスク43、投影光学系45等が配置されている。照明光学系41は、フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており、ミラー10で反射したX線光束を成形し、図1の右上に向かって照射する。照明光学系41の図1の右上には、反射型マスク43が配置されている。反射型マスク43の反射面にも多層膜からなる反射膜が形成されている。この反射膜には、ウェハ49に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成されている。反射型マスク43の下流側には、順に投影光学系45、ウェハ49が配置されている。投影光学系45は、複数の反射鏡等からなり、反射型マスク43で反射されたX線を所定の縮小倍率(例えば1/4)に縮小し、ウェハ49上に投影する。なお、図1では、照明光学系41や投影光学系45の寸法は、X線発生装置1に対して小さく描かれている。
【0031】
露光動作を行う際には、照明光学系41により反射型マスク43の反射面にX線を照射する。その際、投影光学系45に対して反射型マスク43及びウェハ49を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の速度比で相対的に同期走査する。これにより、反射型マスク43の回路パターンの全体をウェハ49上の複数のショット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転写する。なお、ウェハ49のチップは例えば25×25mm角である。
【0032】
なお、前述の実施の形態においては、以下のような改変を行うこともできる。
図3は、ミラー位置・姿勢調整部の他の例を示す平面図である。
前述の実施の形態では、ミラー10の位置・姿勢を検出する半導体レーザー30・フォトダイオード31を真空容器2内に配置している(図2参照)が、このフォトダイオード31に代えて、図3に示すように、開口板23の上流側の面に4分割されたフォトダイオード31a〜31dを配置することもできる。この場合、ミラー10の位置がずれると、X線がピンホール23a内側を通過せず、フォトダイオード31a〜31dのいずれかに当たる。あるいは、いずれかのフォトダイオードに照射される面積が大きくなり、各フォトダイオードの出力信号強度が変化する。この際のフォトダイオードの検出結果に基づき、ミラーの位置・姿勢を調整することができる。さらに、フォトダイオードの分割数を多くすることにより、一層精密にミラー位置を調整することができる。
【0033】
なお、この例では検出器としてフォトダイオードを用いているが、他の検出手段でもよい。例えば、ピンホールの周囲に、図3のように周囲から電気的に絶縁された金属板(例えば金等)を配置し、各金属板とグランドとの間に個々に電流計を接続したものでもよい。この場合は、ミラーの位置がずれて各金属板に照射される面積が変わると、金属板から放出される光電子数が変化し、各金属板に接続されている各電流計の指示値が変化するので、これを元にミラーの位置、姿勢を調整することができる。また、金属板に流入する電流量ではなく、金属板から放出される光電子数をモニターしてもよい。
【0034】
図4は、X線発生装置の他の例を示す図である。
前述の実施の形態では、レーザー光源5から放出されたYAGレーザー光Lが、ミラー10の中心を透過して集光される構成であるが、図4に示すように、ミラー10を通さず、ミラー10の側方からYAGレーザー光Lを照射して集光させることもできる。このように構成した場合は、YAGレーザー光Lの透過に伴うミラー10の温度上昇が起こらないので、ミラー反射面10aの多層膜12の温度上昇も起こりにくくなる。そのため、多層膜12が劣化しにくく、ミラー10の反射率の低下を抑えることができる。
【0035】
図5(A)はX線発生装置の他の例を示す図であり、図5(B)は図5(A)のX線発生装置のミラーの正面図である。
図1や図2、図4に示す前述の各実施の形態では、ミラー10の裏面10b側に、フランジ部13が一体に形成され、ミラー自体が真空容器2の一部をなす構成であるが、図5(A)に示すように、ミラー10´を真空容器2に対して保持するミラー保持部材16を用いる構成とすることもできる。このミラー保持部材16は、前述と同様のフランジ部13を有し、真空容器2の一部をなす。ミラー10´は、真空容器2内においてミラー保持部材16に取り付けられている。図5(B)に示すように、この例のミラー10´は、複数(図では6個)のセグメントミラーからなっており、全セグメントミラーで回転放物面状のミラーが構成される。各セグメントミラーは、それぞれピエゾ素子(位置調整機構)17を介してミラー保持部材16に取り付けられている。図5のような例は、予め一体のミラーではなく、複数のセグメントミラーで一つのミラーを構成する場合等に適している。
【0036】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ミラーの交換時間を短縮できる、あるいは、ミラーの冷却が容易である等の利点を有するX線発生装置及びそれを備える露光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係るX線発生装置を有する露光装置を模式的に示す図である。
【図2】図1のX線発生装置におけるミラー位置・姿勢調整部を示す図である。
【図3】ミラー位置・姿勢調整部の他の例を示す平面図である。
【図4】X線発生装置の他の例を示す図である。
【図5】図5(A)はX線発生装置の他の例を示す図であり、図5(B)は図5(A)のX線発生装置のミラーの正面図である。
【符号の説明】
1 X線発生装置 2 真空容器
3 真空ポンプ 4 ガスジェットノズル
5 レーザー光源 6 レンズ
8 ピエゾ素子(調整手段) 9 磁性流体シール
10 ミラー(第1ミラー)
10a 反射面 10b 裏面
12 多層膜
15 水冷ジャケット(ミラー冷却機構) 15a 配管
20 真空室 21 フィルター
23 開口板 23a ピンホール
25 ゲートバルブ 33 制御装置
30 半導体レーザー(検出手段)
31(31a〜31d) フォトダイオード(検出手段)
40 露光チャンバ 41 照明光学系
43 反射型マスク 45 投影光学系
49 ウェハ
P プラズマ E X線光束
L YAGレーザー光
【発明の属する技術分野】
本発明は、X線顕微鏡やX線分析装置、X線露光装置等のX線機器に装備されるX線発生装置と、それを備える露光装置に関する。特には、ミラーの交換が簡単にできる等の利点を有するX線発生装置等に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
近年、X線分析装置やX線露光装置等のX線機器の光源として、レーザープラズマX線源や放電プラズマX線源が注目されている。
レーザープラズマX線源(以下、LPXと呼ぶ)は、励起用のレーザー光を真空容器内の標的材料に集光照射してプラズマを生成し、このプラズマからX線を輻射させるものである。このLPXは、小型でありながらアンジュレータ(シンクロトロンラジエーション)に匹敵するほどの輝度をもつ。
【0003】
放電プラズマX線源は、電極にパルス高電圧を印加して放電を起こし、この放電で動作ガスをイオン化してプラズマを生成し、このプラズマから輻射されるX線を利用する。この放電プラズマX線源は、小型であり、輻射されるX線量が多く、低コストであり、さらにLPXに比べて投入電力に対するX線の変換効率が高いという特徴がある。放電プラズマX線源の代表的なものは、デンスプラズマフォーカスX線源(以下、DPFXと呼ぶ)である。
【0004】
このようなLPXやDPFXにおいては、標的材料やプラズマ近傍の部材(電極等)が、プラズマ生成時に原子やイオン状の粒子となって周囲に飛び散る(このような粒子を飛散粒子あるいはデブリと呼ぶ)。飛散粒子は、プラズマの周囲に配置された多層膜ミラー等のX線ミラーに付着・堆積し易く、ミラーの反射率を低下させる。このため、LPXやDPFXにおいては、多層膜ミラーをある一定期間ごとに新たなミラーに交換する必要がある。
【0005】
前述のX線源を備えるX線発生装置においては、プラズマから輻射されるX線が最初に入射するミラー(第1ミラー)は、プラズマ発生チャンバ(真空容器)の内部に取り付けられている。そのため、以下に述べるような問題がある。
(1)第1ミラーを交換する際には、チャンバ内部で第1ミラーの取り外し・再取り付けを行わなければならず、ミラー交換作業に時間と手間がかかる。
(2)第1ミラーを内包する構成上、プラズマ発生チャンバが大型化してしまう。さらに、ミラーはプラズマX線源からの熱負荷を受けて温度が上昇するため、適宜冷却する必要があるが、それ用の冷却機構も複雑化してしまう。
【0006】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、ミラーの交換が簡単にできる等の利点を有するX線発生装置及びそれを備える露光装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決するため、本発明のX線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからX線を輻射させるX線源と、 該X線源を収容する真空容器と、 前記X線源から輻射されるX線が入射するミラーと、を具備し、 前記ミラーあるいはミラーを保持している部材が、前記真空容器の壁の一部を構成していることを特徴とする。
【0008】
本発明によれば、ミラーあるいはミラーを保持している部材が真空容器の壁の一部を構成しているので、性能の劣化したミラーを大気側から素早く新しいミラーと交換できる。
【0009】
本発明のX線発生装置においては、前記ミラーあるいはミラーを保持している部材の裏面が真空容器外側に露出しているものとすることができる。
この場合、ミラーあるいはミラー保持部材を真空容器外から冷却することができるため、冷却手段を配置することが容易になる。特に真空容器外が大気の場合は、ミラーの熱が裏面側から大気に放熱されるので、ミラーの温度上昇を抑えることができる。
【0010】
本発明のX線発生装置においては、前記ミラーあるいはミラーを保持している部材の裏面にミラー冷却機構を設けることができる。
この場合、ミラー冷却機構を用いてミラーの温度上昇を抑えることができる。さらに、ミラー冷却機構を大気側(ミラー裏面側)に設けることができるので、冷却機構の構成が簡素化する(例えば冷却機構が水冷ジャケットである場合は、配管の引き回しが簡単になる)。また、冷却機構が大気側に露出していると、メンテナンスも容易になる。
【0011】
本発明のX線発生装置においては、前記標的材料をプラズマ化するレーザー光を発生させるレーザー光源を具備し、 前記レーザー光が、前記ミラーあるいはミラーを保持している部材の一部を透過、あるいは、前記ミラーに開けられた開口部を通過して、前記真空容器内に入射するものとすることができる。
固体ターゲットの場合、プラズマから輻射されるX線は、レーザー光の入射方向に強い強度をもつ。したがって、本手段によれば、X線源で発生したX線を有効にミラーに導くことができ、X線発生装置から射出するX線の光量を高めることができる。
【0012】
本発明のX線発生装置においては、前記ミラーの位置及び姿勢を検出する検出手段と、 該ミラーの位置及び姿勢を調整する調整手段と、 前記検出手段からの信号を受けて、該ミラーが所定の位置及び姿勢をとるように、前記調整手段を制御する制御手段と、 をさらに具備するものとすることができる。
この場合、ミラーを正規の位置及び姿勢に正確にセットすることができる。したがって、ミラーの交換時やメンテナンス時等に装置のアライメントを崩すことがなく、装置の精度を維持することができる。
【0013】
本発明の露光装置は、請求項1〜4いずれか1項記載のX線発生装置と、 該X線発生装置から発生されたX線をマスクに当てる照明光学系と、 該マスクから反射した光を感応基板上に投影結像させる投影光学系と、 を具備することを特徴とする。
本発明によれば、性能の劣化したミラーを素早く簡単に新たなミラーと交換でき、X線発生装置を素早く正常状態に復帰できるので、メンテナンスに要する時間や費用を削減できるとともに、装置稼動率を向上させることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
図1は、本発明の一実施の形態に係るX線発生装置を有する露光装置を模式的に示す図である。
図2は、図1のX線発生装置におけるミラー位置・姿勢調整部を示す図である。
なお、以下の説明では、レーザー光及びX線の光路に沿って、図1の左側を上流側といい、図1の右側を下流側(後段の光学系側)という。
【0015】
本実施の形態では、本発明に係るX線発生装置をレーザープラズマX線源に適用した例について述べる。
図1の露光装置の上流側には、X線発生装置1が配置されている。このX線発生装置1は、球状の真空容器2を備えている。この真空容器2には、真空ポンプ(真空排気装置)3が付設されている。真空容器2内は、真空ポンプ3で排気されている。真空容器2内が真空ポンプ3で減圧されることで、プラズマPから輻射されたX線が減衰しないようになっている。
【0016】
真空容器2内には、ステンレス製のガスジェットノズル4が配置されている。このガスジェットノズル4は、ガスボンベに繋がるバルブ(ともに図示されず)に接続されている。ガスボンベ内にはキセノン(Xe)等のターゲットガスが充填されている。ガスボンベ内のターゲットガスは、配管等を介してバルブに送られ、ガスジェットノズル4から真空容器2内に噴出される。この噴出されたターゲットガスが、プラズマPを生成する際の標的材料となる。
【0017】
真空容器2の上流側には、開口2aが形成されている。この開口2a内には、ミラー(第1ミラー)10が組み込まれている。このミラー10は、真空容器2上流側の壁の一部を構成している。ミラー10の反射面10aは真空容器2内に位置しており、ミラー10の裏面10bは真空容器2外の大気側に露出している。なお、真空容器2の開口2aとミラー10の側周面間には、磁性流体シール9が介装されており、両者間はシールされている。
【0018】
ミラー10は、この例では回転放物面形状の反射面10aを有する低熱膨張ガラス製(例えばゼロデュアーやULE等)ミラーである。ミラー10の反射面10aには、面中心の一部を除いてMo/Si製の多層膜12がコートされている。この多層膜12は、波長13.5nmのX線を反射するように構成されている。ミラー10は、その焦点位置にプラズマPが位置するように配置されている。プラズマPから輻射されたX線のうち、波長13.5nmのX線がミラー10の反射面10aで反射し、X線光束Eとなって後段の光学系に導かれる。
【0019】
ミラー10の裏面10bには、水冷ジャケット(ミラー冷却機構)15が取り付けられている。水冷ジャケット15の配管15aは、図示せぬ水源・ポンプに繋がっている。水冷ジャケット15は、プラズマPからの輻射熱を受けて温度が上昇したミラー10を冷却するためのものである。この水冷ジャケット15は、ミラー裏面10bの大気側に設けられているため、配管15aの引き回し等が容易で構成が簡素である。また、水冷ジャケット15が大気側に露出しているため、メンテナンスも容易である。
【0020】
ミラー10の裏面10bよりも上流側には、レーザー光源5が配置されている。ミラー10とレーザー光源5間には、レンズ6が配置されている。このレンズ6は、レーザー光源5から放出されたYAGレーザー光Lを、ガスジェットノズル4の先に集光する。この際、YAGレーザー光Lは、ミラー10の中心(多層膜12がコートされていない箇所)を透過する。集光されたYAGレーザー光Lがターゲットガスに照射されることで、プラズマPが生成され、このプラズマPからX線が輻射される。なお、この際ガスジェットノズル4から噴出されたターゲットガスは、プラズマPが生成された後に、真空ポンプ3で真空容器2外に排気される。なお、本実施例では、レンズ6を別途設けたが、ミラー10のレーザー光が通過する部分を凸形状としてレンズの役割を兼ねるものとし、レンズ6を省くこともできる。
【0021】
ミラー10の裏面10b側には、鍔状に張り出したフランジ部13が形成されている。このフランジ部13は、真空容器2外面に形成された係合突起14に係合している。真空容器2とミラー10のフランジ部13間には、ピエゾ素子8(調整手段)が取り付けられている。このピエゾ素子8は、ミラーを交換した後、ミラーを正規の位置・姿勢に調整するためのアクチュエータである。図2に示すように、ピエゾ素子8は制御装置33に接続されており、この制御装置33からの信号に応じて作動する。なお、本実施例では、ミラー部材としてレーザー光に対して透明な材料を用いているが、シリコンやアルミニウム、銅等の不透明材料を用いてもよい。この場合には、ミラーのレーザー光が通過する部分に開口を設け、その部分にレーザー光に対して透明な部材(例えば石英等)を取り付けるようにしてもよい。シリコンやアルミニウム、銅等の金属をミラー部材として用いると、熱伝導率が高いため冷却効率が高くなる。
【0022】
図2に示すように、真空容器2内には、半導体レーザー30及びフォトダイオード31(検出手段)が配置されている。これら半導体レーザー30・フォトダイオード31で、ミラー10の位置や姿勢を検出する。半導体レーザー30は、一例でミラー10の周囲に3個以上配置されている。フォトダイオード31は、各半導体レーザー30に対応して、ミラー10の周囲に配置されている。これら半導体レーザー30及びフォトダイオード31は、ミラー10の反射面10a側に配置されており、ミラー10で反射したX線を遮らない位置に配置されている。半導体レーザー30及びフォトダイオード31は、前述のピエゾ素子8と同様に制御装置33に接続されており、この制御装置33にミラー10の位置・姿勢検出信号を出力する。なお、図2では、図1のガスジェットノズル4やレーザー光源5、レンズ6等は描かれていない。
【0023】
各半導体レーザー30から出たビームは、ミラー10の反射面10aの一点に当たって反射し、それぞれ対応するフォトダイオード31に入射する。各フォトダイオード31の受光面は4分割されており、これら4分割された各受光面のそれぞれから検出信号を取り出すことができる。1つのフォトダイオードからの4つの検出信号は、制御装置33に入力される。制御装置33は、この検出信号に基づいてピエゾ素子8を制御し、ガスジェットノズル4やミラー10の位置、後段の光学系(図1参照)のアライメントが調整される。
【0024】
ここで、前述の構成を有するX線発生装置1の総合的な作用について述べる。レーザー光源5から放出されたYAGレーザー光Lは、レンズ6及びミラー10の中央を透過してガスジェットノズル4の直上に集光される。ガスジェットノズル4から超音速で噴出されたターゲットガスは、集光されたYAGレーザー光Lのエネルギを受けて高温になり、プラズマPを生成する。このプラズマ中のイオンが低ポテンシャル状態へ遷移する際に、X線を放出する。ミラー10に入射したX線のうち、波長13.5nm付近のX線がミラー反射面10aに形成された多層膜12で反射してX線光束Eとなり、真空容器2の下流側から後段の光学系(図1参照)へと導かれる。
【0025】
ミラー10の反射面10aには、プラズマPからの輻射熱で熱負荷が加わるが、ミラー10は水冷ジャケット15で冷却されているため、温度上昇が低く抑えられる。あるいは、ミラー10の裏面10bが大気側に露出しているため、ミラー10の熱が大気に放熱され、これによっても温度上昇が抑えられる。
【0026】
X線発生装置1の長時間の稼動に伴い、プラズマPからの飛散粒子がミラー10の反射面10aに堆積すると、ミラー10の反射面10aで反射されるX線の光量が低下してくる。こうなると、元のミラーを新たなミラーに交換する必要がある。この交換作業の際は、ミラー10が真空容器2の壁の一部を構成しているので、性能の劣化したミラーを大気側から素早く簡単に新たなミラーと交換できる。そのため、X線発生装置1を素早く元の状態に復帰できる。
【0027】
ここで、新たに設置したミラーの位置は、元のミラーがあった位置とは僅かにずれる可能性がある。このような位置ずれが生じた場合、図2に示す半導体レーザー30からのレーザーの反射光の、フォトダイオード31上で検出される位置が変化する。そのため、フォトダイオード31から出力される検出値も変化する。そこで、フォトダイオード31の出力値が、元のミラーを調整した時の初期状態の条件とほぼ一致するように、制御装置33がピエゾ素子8を駆動する。こうすることにより、元のミラー位置と同じ位置に新たなミラーを配置することができる。なお、本実施例では、ミラー位置調整手段としてピエゾ素子を用いたが、これに限らず、モーター等のミラー位置を変化させることができるものであれば、他の様々なものを用いることができる。
【0028】
図1に戻って、X線発生装置1を有するX線露光装置の全体構成について説明する。
真空容器2の下流側には、真空室20が接続されている。この真空室20内には、フィルター21及び開口板23が配置されている。フィルター21は、例えば厚さ0.1μmのジルコニウム(Zr)からなり、プラズマPからの可視・紫外光をカットする。開口板23は、円盤状をしており、フィルター21の下流側に配置されている。この開口板23の中心には、ピンホール23aが形成されている。開口板23のピンホール23a周囲の箇所は、散乱したX線や、ミラー10によって反射されずに直接下流側に放出されているX線等を遮る役割を果たす。また、ピンホールの上流側と下流側で差動排気を行い、下流側の真空度を上げるためにも使用される。
【0029】
真空室20において、開口板23の下方にはゲートバルブ25が設けられている。X線発生装置1のミラー交換等のメンテナンスの際には、このゲートバルブ25を閉じて、下流の照明光学系41と真空容器2とを隔離する。なお、この実施例では、フィルター21をピンホール23aの上流側に配置しているが、フィルター21をピンホール23aの下流側に配置してもよい。このようにすると、フィルター21に照射されるX線はミラー10で反射されたX線のみとなるため、フィルター21に吸収されるX線による熱負荷が小さくなる利点がある。
【0030】
真空室20の下方には、露光チャンバ40が設置されている。露光チャンバ40内には、照明光学系41やマスク43、投影光学系45等が配置されている。照明光学系41は、フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており、ミラー10で反射したX線光束を成形し、図1の右上に向かって照射する。照明光学系41の図1の右上には、反射型マスク43が配置されている。反射型マスク43の反射面にも多層膜からなる反射膜が形成されている。この反射膜には、ウェハ49に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成されている。反射型マスク43の下流側には、順に投影光学系45、ウェハ49が配置されている。投影光学系45は、複数の反射鏡等からなり、反射型マスク43で反射されたX線を所定の縮小倍率(例えば1/4)に縮小し、ウェハ49上に投影する。なお、図1では、照明光学系41や投影光学系45の寸法は、X線発生装置1に対して小さく描かれている。
【0031】
露光動作を行う際には、照明光学系41により反射型マスク43の反射面にX線を照射する。その際、投影光学系45に対して反射型マスク43及びウェハ49を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の速度比で相対的に同期走査する。これにより、反射型マスク43の回路パターンの全体をウェハ49上の複数のショット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転写する。なお、ウェハ49のチップは例えば25×25mm角である。
【0032】
なお、前述の実施の形態においては、以下のような改変を行うこともできる。
図3は、ミラー位置・姿勢調整部の他の例を示す平面図である。
前述の実施の形態では、ミラー10の位置・姿勢を検出する半導体レーザー30・フォトダイオード31を真空容器2内に配置している(図2参照)が、このフォトダイオード31に代えて、図3に示すように、開口板23の上流側の面に4分割されたフォトダイオード31a〜31dを配置することもできる。この場合、ミラー10の位置がずれると、X線がピンホール23a内側を通過せず、フォトダイオード31a〜31dのいずれかに当たる。あるいは、いずれかのフォトダイオードに照射される面積が大きくなり、各フォトダイオードの出力信号強度が変化する。この際のフォトダイオードの検出結果に基づき、ミラーの位置・姿勢を調整することができる。さらに、フォトダイオードの分割数を多くすることにより、一層精密にミラー位置を調整することができる。
【0033】
なお、この例では検出器としてフォトダイオードを用いているが、他の検出手段でもよい。例えば、ピンホールの周囲に、図3のように周囲から電気的に絶縁された金属板(例えば金等)を配置し、各金属板とグランドとの間に個々に電流計を接続したものでもよい。この場合は、ミラーの位置がずれて各金属板に照射される面積が変わると、金属板から放出される光電子数が変化し、各金属板に接続されている各電流計の指示値が変化するので、これを元にミラーの位置、姿勢を調整することができる。また、金属板に流入する電流量ではなく、金属板から放出される光電子数をモニターしてもよい。
【0034】
図4は、X線発生装置の他の例を示す図である。
前述の実施の形態では、レーザー光源5から放出されたYAGレーザー光Lが、ミラー10の中心を透過して集光される構成であるが、図4に示すように、ミラー10を通さず、ミラー10の側方からYAGレーザー光Lを照射して集光させることもできる。このように構成した場合は、YAGレーザー光Lの透過に伴うミラー10の温度上昇が起こらないので、ミラー反射面10aの多層膜12の温度上昇も起こりにくくなる。そのため、多層膜12が劣化しにくく、ミラー10の反射率の低下を抑えることができる。
【0035】
図5(A)はX線発生装置の他の例を示す図であり、図5(B)は図5(A)のX線発生装置のミラーの正面図である。
図1や図2、図4に示す前述の各実施の形態では、ミラー10の裏面10b側に、フランジ部13が一体に形成され、ミラー自体が真空容器2の一部をなす構成であるが、図5(A)に示すように、ミラー10´を真空容器2に対して保持するミラー保持部材16を用いる構成とすることもできる。このミラー保持部材16は、前述と同様のフランジ部13を有し、真空容器2の一部をなす。ミラー10´は、真空容器2内においてミラー保持部材16に取り付けられている。図5(B)に示すように、この例のミラー10´は、複数(図では6個)のセグメントミラーからなっており、全セグメントミラーで回転放物面状のミラーが構成される。各セグメントミラーは、それぞれピエゾ素子(位置調整機構)17を介してミラー保持部材16に取り付けられている。図5のような例は、予め一体のミラーではなく、複数のセグメントミラーで一つのミラーを構成する場合等に適している。
【0036】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ミラーの交換時間を短縮できる、あるいは、ミラーの冷却が容易である等の利点を有するX線発生装置及びそれを備える露光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係るX線発生装置を有する露光装置を模式的に示す図である。
【図2】図1のX線発生装置におけるミラー位置・姿勢調整部を示す図である。
【図3】ミラー位置・姿勢調整部の他の例を示す平面図である。
【図4】X線発生装置の他の例を示す図である。
【図5】図5(A)はX線発生装置の他の例を示す図であり、図5(B)は図5(A)のX線発生装置のミラーの正面図である。
【符号の説明】
1 X線発生装置 2 真空容器
3 真空ポンプ 4 ガスジェットノズル
5 レーザー光源 6 レンズ
8 ピエゾ素子(調整手段) 9 磁性流体シール
10 ミラー(第1ミラー)
10a 反射面 10b 裏面
12 多層膜
15 水冷ジャケット(ミラー冷却機構) 15a 配管
20 真空室 21 フィルター
23 開口板 23a ピンホール
25 ゲートバルブ 33 制御装置
30 半導体レーザー(検出手段)
31(31a〜31d) フォトダイオード(検出手段)
40 露光チャンバ 41 照明光学系
43 反射型マスク 45 投影光学系
49 ウェハ
P プラズマ E X線光束
L YAGレーザー光
Claims (6)
- 標的材料をプラズマ化し、該プラズマからX線を輻射させるX線源と、
該X線源を収容する真空容器と、
前記X線源から輻射されるX線が入射するミラーと、
を具備し、
前記ミラーあるいはミラーを保持している部材が、前記真空容器の壁の一部を構成していることを特徴とするX線発生装置。 - 前記ミラーあるいはミラーを保持している部材の裏面が真空容器外側に露出していることを特徴とする請求項1記載のX線発生装置。
- 前記ミラーあるいはミラーを保持している部材の裏面にミラー冷却機構が設けられていることを特徴とする請求項2記載のX線発生装置。
- 前記標的材料をプラズマ化するレーザー光を発生させるレーザー光源を具備し、
前記レーザー光が、前記ミラーあるいはミラーを保持している部材の一部を透過、あるいは、前記ミラーに開けられた開口部を通過して、前記真空容器内に入射することを特徴とする請求項1、2又は3記載のX線発生装置。 - 前記ミラーの位置及び姿勢を検出する検出手段と、
該ミラーの位置及び姿勢を調整する調整手段と、
前記検出手段からの信号を受けて、該ミラーが所定の位置及び姿勢をとるように、前記調整手段を制御する制御手段と、
をさらに具備することを特徴とする請求項1〜4いずれか1項記載のX線発生装置。 - 請求項1〜5いずれか1項記載のX線発生装置と、
該X線発生装置から発生されたX線をマスクに当てる照明光学系と、
該マスクから反射した光を感応基板上に投影結像させる投影光学系と、
を具備することを特徴とする露光装置。
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032578A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Canon Inc | 光源装置、当該光源装置を有する露光装置 |
| JP2006310520A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Ushio Inc | 極端紫外光露光装置および極端紫外光光源装置 |
| JP2007179881A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
| JP2007200671A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| JP2008506238A (ja) * | 2004-07-09 | 2008-02-28 | エナジェティック・テクノロジー・インコーポレーテッド | 誘導駆動プラズマ光源 |
| JP2008071547A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 高エネルギー粒子発生装置及び管状部材非破壊検査装置並びに高エネルギー粒子発生方法 |
| JP2008270533A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| JP2009205952A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| US7948185B2 (en) | 2004-07-09 | 2011-05-24 | Energetiq Technology Inc. | Inductively-driven plasma light source |
| US8143790B2 (en) | 2004-07-09 | 2012-03-27 | Energetiq Technology, Inc. | Method for inductively-driven plasma light source |
| WO2018229855A1 (ja) * | 2017-06-13 | 2018-12-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4574211B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 光源装置、当該光源装置を有する露光装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3311126B2 (ja) * | 1993-12-20 | 2002-08-05 | キヤノン株式会社 | ミラーユニットおよび該ミラーユニットを備えた露光装置 |
| JPH113858A (ja) * | 1997-04-17 | 1999-01-06 | Canon Inc | X線光学装置、x線露光装置および半導体デバイス製造方法 |
| US6285743B1 (en) * | 1998-09-14 | 2001-09-04 | Nikon Corporation | Method and apparatus for soft X-ray generation |
| JP2000286189A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法 |
-
2002
- 2002-10-01 JP JP2002288282A patent/JP2004128105A/ja active Pending
-
2003
- 2003-08-20 WO PCT/JP2003/010537 patent/WO2004032211A1/ja not_active Ceased
- 2003-08-20 AU AU2003262256A patent/AU2003262256A1/en not_active Abandoned
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008506238A (ja) * | 2004-07-09 | 2008-02-28 | エナジェティック・テクノロジー・インコーポレーテッド | 誘導駆動プラズマ光源 |
| US8143790B2 (en) | 2004-07-09 | 2012-03-27 | Energetiq Technology, Inc. | Method for inductively-driven plasma light source |
| US7948185B2 (en) | 2004-07-09 | 2011-05-24 | Energetiq Technology Inc. | Inductively-driven plasma light source |
| EP1617292A3 (en) * | 2004-07-14 | 2009-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Light source unit and exposure apparatus having the same |
| JP2006032578A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Canon Inc | 光源装置、当該光源装置を有する露光装置 |
| JP2006310520A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Ushio Inc | 極端紫外光露光装置および極端紫外光光源装置 |
| JP2007179881A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
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