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JP2004101678A - Micro mirror and method for manufacturing the same - Google Patents

Micro mirror and method for manufacturing the same Download PDF

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Publication number
JP2004101678A
JP2004101678A JP2002260943A JP2002260943A JP2004101678A JP 2004101678 A JP2004101678 A JP 2004101678A JP 2002260943 A JP2002260943 A JP 2002260943A JP 2002260943 A JP2002260943 A JP 2002260943A JP 2004101678 A JP2004101678 A JP 2004101678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
micromirror
exposure
optical waveguide
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002260943A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Aratake
荒武 淳
Shinji Aoyama
青山 眞二
Tomoyuki Akeyoshi
明吉 智幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2002260943A priority Critical patent/JP2004101678A/en
Publication of JP2004101678A publication Critical patent/JP2004101678A/en
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  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a micro mirror with high exactness in a position and an angle, and to shift from an active alignment to a passive alignment by giving a condensing effect to a micro mirror. <P>SOLUTION: A manufacturing method is composed of a resist process and an etching process. In the resist process, a tapered resist 40 is formed by exposure shifting a focus from a surface of the resist, on a substrate 10 on which optical waveguides 21, 22, and 23 are manufactured. In the etching process, etching of the optical waveguide layers 21, 22 and 23, and the resist 40 is performed. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロミラー及びその製造方法に関する。例えば、光通信における送信用あるいは受信用の光部品に適用されるものである。
【0002】
【従来の技術】
インターネットの爆発的普及に伴い、通信基幹系トラヒックが爆発的に増大している。
きたる超高速大容量通信に備えた様々な電気デバイス・光デバイスを用いた光通信研究が進んでいる。
【0003】
光信号のやりとりにおいて、ボード間・チップ間・チップ内と云った比較的短距離の部分は光導波路を通して行われ、その光導波路はガラス・半導体・ポリマーなど様々な材料を用いて作製されている。
現在の電気インタフェースを用いた信号処理系ICにおいては、40Gb/sの信号処理が限界であると云われている。
【0004】
これはパッケージ化されたICの電気信号の入出力速度により律速されているものであり、この問題解決する方法として、40Gb/s以上の高速信号は光による入出力、それ以下の低速信号は電気信号で入出力を行うことが研究されている。
このような光入出力を行う際、光配線を自由に引き回すための光路変更技術が必要であり、その方法としてマイクロミラーを用いるものがある。
【0005】
マイクロミラーを作製する方法としては、図10に示すように、基板1上に作製された光導波路層2にダイシングブレード3によりミラー面を形成するものがあるが(例えば、非特許文献1参照)、例えばシングルモード導波路のように数μm以下の非常に精度が必要なものにはダイシングの誤差が大きく適用できなかった。
【0006】
また、光入出力を行う光ファイバーと光デバイスとの結合効率・トレランスを得るためにコリメートレンズ、集光レンズを用いることが多いがアクティブアライメントによる実装が必要となり、光部品の製造コストを押し上げる一因となっている。
【0007】
【非特許文献1】
吉村、疋田、碓氷、金子、都丸、今村著、”45°マイクロミラー付きポリマ光導波路フィルムの作製”信学技報、OCS 96−94, OPE96−94, LQE96−95, pp.113−119, 1996
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明においては、光通信における光信号の送受信における光路変換をする際必要なマイクロミラーの作製において、位置精度及び角度精度よく作製できること、及びマイクロミラーに集光効果を持たせることによりアクティブアライメントからパッシブアライメントヘの移行を図ることが解決しようとする課題である。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の請求項1に係るマイクロミラーの製造方法は、光導波路の作製された基板上に、レジスト表面より焦点をずらした露光によりテーパー状レジストを形成するレジスト行程と、前記光導波路及び前記レジストをエッチングするエッチング行程による少なくとも2つの工程を含むことを特徴とする。
【0010】
上記課題を解決する本発明の請求項2に係るマイクロミラーの製造方法は、請求項1において、前記レジスト工程おいて、同一露光マスクを用いて露光量やフォーカス位置を変化させた露光を複数回行うことにより多段階露光を行うことを特徴とする。
【0011】
上記課題を解決する本発明の請求項3に係るマイクロミラーの製造方法は、請求項2において、多段階露光で最も焦点をずらした時の露光量が他の焦点時における露光量よりも大きいことを特徴とする。
【0012】
上記課題を解決する本発明の請求項4に係るマイクロミラーの製造方法は、請求項1において、前記光導波路と前記レジストとのエッチングにおける選択比が0.5〜1.5であることを特徴とする。
【0013】
上記課題を解決する本発明の請求項5に係るマイクロミラーは、請求項1,2,3又は4において作製されたマイクロミラーであって、前記レジスト工程でテーパー状レジストに代えてある曲率半径を持つレジストを形成することにより、集光作用を有することを特徴とする。
【0014】
上記課題を解決する本発明の請求項6に係るマイクロミラーは、請求項1,2,3又は4において作製されたマイクロミラーであって、前記光導波路がシングルモード導波路であることを特徴とする。
【0015】
上記課題を解決する本発明の請求項7に係るマイクロミラーは、請求項1,2,3又は4において作製されたマイクロミラーであって、前記光導波路が有機材料であることを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
〔実施例1〕
本発明の第1の実施例に係るマイクロミラー及びその製造方法について、図1〜4に示す。
図1は、光導波路の作製された基板10で、ミラー構造を作製する前のものであり、基板10上には、下部クラッド21、コア22、上部クラッド23よりなる光導波路20が作製されている。
【0017】
基板10については、半導体基板のみならず、ガラス、金属、セラミックなど何でもよく、その種類を限定するものではない。
またベアの基板のみならず、ICなどの半導体プロセスを経た基板であってもかまわない。
【0018】
図1では、埋め込み型導波路を代表に上げたが、導波路はリブ型導波路やフォトニック結晶を使った導波路など何でもよく、その種類や材料を限定するものではない。
図2は、図1の基板10上に、マスクであるレジスト40を塗布した状態を表している。
図3は、レチクル80を利用して図2のレジスト40を露光している状態をあらわしている。
【0019】
ミラーの位置は露光機の精度(ステッパならば0.1μm以下)で決まり、通常のマイクロレンズやマイクロミラーにおけるメカニカルな位置合わせに比べて非常に精度が高い。
ここでレジスト40の例として厚膜レジストが10μmあるとする。
露光は3段階で行い、1回目の露光におけるフォーカスをレジスト40表面から上に距離aだけずらし(以下F=−aと表記)、図3(a)に示すようにi線をA(J/m)照射(以下E=Aと表記)し、図3(b)に示すように2回目の露光においてF=−b,E=B、図3(c)に示すように3回目の露光においてF=0,E=Cとする。
ここでa>b>0の関係がある。
【0020】
図4は、レジスト現像後の形状である。
上記の場合、図4(a)に示すように、角度45度平面状のテーパー加工が可能である。
上記露光条件のa,bの値、及びA,B,Cの値を変化させることで、テーパー角をコントロールしたり、図4(b)に示すように、ある曲率半径を持たせることが可能である。
例えば、図3における1回目の露光におけるaの値を大きくすればミラー角度θは小さくなり、逆に小さくすればミラー角度θは大きくなる。
また、最もフォーカスをずらした時の露光量を、他の焦点時における露光量よりも大きくすることも可能である。
【0021】
更に、予めレチクルパタンとして曲面パタンを入れておけば水平方向にも曲率をもったレジスト加工が可能である。
これらを組み合わせれば、所望の曲率を持った曲面加工が可能となり、図4(c)に示すように、厚膜レジスト41に半円弧状の凸部を形成することもできる。
【0022】
図5(a)は、図4(a)のパタンをエッチングした形状である。
光導波路層を構成する有機材料とレジスト40のエッチング速度比(選択比)を1とした反応性イオンエッチング(RIE)を行えば、レジスト40の形状を反映したマイクロミラー形状を得ることができる。
有機材料とレジスト40の選択比を1より大きくすれば、光導波路層のエッチングレートが速いなりミラー角度θは大きくなる。
【0023】
逆に選択比を1より小さくすれば、厚膜レジストのエッチングレートが速くなりミラー角度θは小さくなる。
選択比が0.5〜1.5であればレジスト40の形状を反映させながら、RIEによってもミラーの形状を制御することが可能となる。
レジスト残りがあれば、有機洗浄等で除去する。
【0024】
これで図5(a)で示すように、左から来た入射光がテーパー面で反射されて下方に進行するようなミラーが完成する。
図4(b)、図4(c)のような曲面形状を持ったレジストパタンの場合も同様にエッチングされ、曲面パタンが転写される。
この場合、図5(b)に示すように、マイクロミラーは集光効果を持つ。
【0025】
〔実施例2〕
実施例1で示したミラー構造を面型受光デバイスに適用した例を図6に示す。基板10上に作製された上面入射可能な面型受光素子50は、面型フォトダイオード(Photodiode:PD)のようなデバイスで、PDアノード電極が円環状若しくはITO透明電極のように上面入射の可能なものに適用できる。
【0026】
加えて、デバイスはフォトダイオードのみならず、面発光レーザダイオード(vertical cavity surface−emitting laser diode:VCSEL)のような面型レーザーにも適用可能であり、図7に示すように、基板10上に面型発光素子60を設けることができ、PDとは逆向きのパスを通って光が伝搬されることとなる。
尚、図8に示すように、チップ裏面に光導波路層が或る場合、反射面から面型受光素子50までの距離が遠くなり、反射光の拡散が無視できなくなるので、実施例1の図5(b)で示した曲面ミラーによる集光が必須と考えられる。
【0027】
このようにデバイス50,60の作製された基板10上に本発明を適用する場合には、光導波路は有機材料をスピンコート法で塗布して作製することが可能である。
超高速光デバイスになると、光導波路はシングルモード導波路となる。
次世代の超100G対応OIECのような場合、その受光素子であるPDはその面積が小さくなり、光ファイバーのビームより小さくなってしまう。
これらの場合、実施例1の図5(b)で示した曲面ミラーによる集光が必須と考えられる。
【0028】
〔実施例3〕
上記実施例に係るマイクロミラーは導波路材料と空気との全反射を利用して反射させるものであった。
しかし、45度ミラーで光導波路層の屈折率がsin45°を下回った場合、若しくは45度より大きなミラー角度が必要な場合、全反射条件が崩れてしまい、反射効率を取ることができない。
【0029】
このような場合、実施例1の最後の工程の後、図9に示すように、蒸着やスパッタ製膜により金属薄膜70でコートすることで反射効率を上げることが可能である。
【0030】
このように説明したように、本実施例は、マイクロミラーの製造方法及び構造に関するものであり、レジストの露光を多段階に分けて行うことにより、レジストをテーパー状にしたり、更には曲率を持たせることが可能となり、その形状をそのまま光導波路に転写して様々なマイクロミラーを形成できる利点がある。
【0031】
【発明の効果】
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように、本発明は、光導波路層に集光性のあるマイクロミラーを作製する技術であり、従来のマイクロミラーにはない作製精度、反射効率を得ることが可能となり、現在の面型光デバイスのインターフェースとなることはもちろんのこと、将来の微細構造を持った光デバイス実装実現に貢献することが期待される。
【図面の簡単な説明】
【図1】マイクロミラー作製前の基板を示す側面図である。
【図2】基板上のフォトレジストを示す側面図である。
【図3】図3(a)はフォーカスを距離aずらした1回目の露光を示す側面図、図3(b)はフォーカスを距離bずらした2回目の露光を示す側面図、図3(c)はフォーカスをずらさない3回目の露光を示す側面図である。
【図4】図4(a)はレジスト現像後の平面テーパー状レジストを示す側面図、図4(b)はレジスト現像後の曲面テーパー状レジストを示す側面図、図4(C)はレジスト現像後の水平方向曲面状レジストを示す平面図である
【図5】図5(a)は平面ミラー形状を示す側面図、図5(b)は集光効果を持つ曲面ミラー形状を示す側面図である。
【図6】光導波路を伝搬した入射光がミラーで反射され面型受光素子に入射する様子を示す側面図である。
【図7】面型発光素子から発射された光がミラーで反射され光導波路を伝搬する様子を示す側面図である。
【図8】裏面に形成された光導波路を伝搬した入射光がミラーで反射し、集光しながら表面の受光素子に入射する様子を示す側面図である。
【図9】全反射しないミラーの反射効率を上げる為の金属薄膜コートを形成した状態を示す側面図である。
【図10】ダイシングにより作製されたマイクロミラーを示す側面図である。
【符号の説明】
1,10 基板
2,20 光導波路
21 下部クラッド
22 コア
23 上部クラッド
3 ダイシングブレード
40 レジスト
41 厚膜レジスト
50 上面入射可能な面型受光素子
60 面型発光素子
70 金属薄膜
80 レチクル
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a micro mirror and a method for manufacturing the same. For example, the present invention is applied to an optical component for transmission or reception in optical communication.
[0002]
[Prior art]
With the explosive spread of the Internet, communication backbone traffic has exploded.
Optical communication research using various electric devices and optical devices prepared for the coming ultra-high-speed and large-capacity communication is in progress.
[0003]
In the exchange of optical signals, relatively short distances such as between boards, between chips, and inside chips are performed through optical waveguides, and the optical waveguides are manufactured using various materials such as glass, semiconductor, and polymer. .
It is said that a signal processing IC using a current electric interface has a limit of 40 Gb / s signal processing.
[0004]
This is controlled by the input / output speed of the electric signal of the packaged IC. As a method for solving this problem, a high-speed signal of 40 Gb / s or more is input / output by light, and a low-speed signal of less than 40 Gb / s is an electric signal. It has been studied to input and output signals.
When performing such optical input / output, an optical path changing technique for freely routing optical wiring is required, and there is a method using a micromirror as a method.
[0005]
As a method for manufacturing a micromirror, as shown in FIG. 10, there is a method in which a mirror surface is formed by a dicing blade 3 on an optical waveguide layer 2 formed on a substrate 1 (for example, see Non-Patent Document 1). For example, a dicing error cannot be largely applied to a single-mode waveguide such as a single-mode waveguide which requires extremely high accuracy of several μm or less.
[0006]
In addition, collimating lenses and condensing lenses are often used to obtain the coupling efficiency and tolerance between the optical fiber that performs optical input and output and the optical device, but mounting by active alignment is required, which is a factor that increases the manufacturing cost of optical components It has become.
[0007]
[Non-patent document 1]
Yoshimura, Hikita, Usui, Kaneko, Toshima, Imamura, "Preparation of Polymer Optical Waveguide Film with 45 ° Micromirror", IEICE Technical Report, OCS 96-94, OPE96-94, LQE96-95, pp. 113-119, 1996
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In the present invention, in the manufacture of a micromirror necessary for performing optical path conversion in transmission and reception of an optical signal in optical communication, it is possible to manufacture the micromirror with high positional accuracy and angular accuracy, and by providing the micromirror with a light collecting effect, from active alignment. The problem to be solved is to shift to passive alignment.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
A method for manufacturing a micromirror according to claim 1 of the present invention for solving the above-mentioned problems, comprising: a resist step of forming a tapered resist on a substrate on which an optical waveguide is formed by exposure shifted from the resist surface; The method includes at least two steps of an etching step of etching the optical waveguide and the resist.
[0010]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a micromirror manufacturing method according to the first aspect, wherein in the resist step, exposure is performed a plurality of times by changing an exposure amount and a focus position using the same exposure mask. The multi-step exposure is performed by performing the step.
[0011]
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a micromirror according to the second aspect, wherein the exposure amount when the focus is most deviated in the multi-stage exposure is larger than the exposure amount when the other focuses. It is characterized by.
[0012]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a micromirror according to the first aspect, wherein the etching ratio between the optical waveguide and the resist is 0.5 to 1.5. And
[0013]
A micromirror according to claim 5 of the present invention that solves the above-mentioned problem is the micromirror manufactured according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein a radius of curvature that has been changed to a tapered resist in the resist process is changed. It is characterized by having a light collecting effect by forming a resist having the same.
[0014]
A micromirror according to a sixth aspect of the present invention for solving the above-mentioned problems is the micromirror manufactured in the first, second, third or fourth aspect, wherein the optical waveguide is a single mode waveguide. I do.
[0015]
A micromirror according to a seventh aspect of the present invention for solving the above-mentioned problems is the micromirror manufactured in the first, second, third or fourth aspect, wherein the optical waveguide is made of an organic material.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[Example 1]
1 to 4 show a micromirror and a method of manufacturing the same according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 1 shows a substrate 10 on which an optical waveguide is manufactured, before a mirror structure is manufactured. An optical waveguide 20 including a lower clad 21, a core 22, and an upper clad 23 is formed on the substrate 10. I have.
[0017]
The substrate 10 is not limited to a semiconductor substrate, but may be glass, metal, ceramic, or any other material, and the type is not limited.
Further, not only a bare substrate but also a substrate which has undergone a semiconductor process such as an IC may be used.
[0018]
In FIG. 1, a buried waveguide is shown as a representative, but the waveguide may be any type such as a rib-type waveguide or a waveguide using a photonic crystal, and the type and material are not limited.
FIG. 2 shows a state in which a resist 40 serving as a mask is applied on the substrate 10 of FIG.
FIG. 3 shows a state in which the resist 40 of FIG. 2 is exposed using the reticle 80.
[0019]
The position of the mirror is determined by the accuracy of the exposure apparatus (0.1 μm or less for a stepper), and is much higher in accuracy than the mechanical alignment of a normal microlens or micromirror.
Here, it is assumed that a thick film resist has a thickness of 10 μm as an example of the resist 40.
Exposure is performed in three stages, and the focus in the first exposure is shifted upward from the surface of the resist 40 by a distance a (hereinafter referred to as F = −a), and as shown in FIG. m 2 ) (hereinafter referred to as E = A), F = −b, E = B in the second exposure as shown in FIG. 3B, and the third exposure as shown in FIG. 3C. , F = 0 and E = C.
Here, there is a relationship of a>b> 0.
[0020]
FIG. 4 shows the shape after resist development.
In the above case, as shown in FIG. 4A, it is possible to perform a flat taper processing at an angle of 45 degrees.
By changing the values of a and b and the values of A, B and C in the above exposure conditions, it is possible to control the taper angle and to give a certain radius of curvature as shown in FIG. It is.
For example, when the value of a in the first exposure in FIG. 3 is increased, the mirror angle θ is reduced, and conversely, when the value is reduced, the mirror angle θ is increased.
It is also possible to make the exposure amount when the focus is most shifted larger than the exposure amount at other focuses.
[0021]
Further, if a curved surface pattern is previously inserted as a reticle pattern, resist processing having a curvature in the horizontal direction can be performed.
When these are combined, a curved surface having a desired curvature can be processed, and a semicircular convex portion can be formed in the thick film resist 41 as shown in FIG.
[0022]
FIG. 5A shows a shape obtained by etching the pattern of FIG.
If reactive ion etching (RIE) is performed by setting the etching rate ratio (selectivity) between the organic material constituting the optical waveguide layer and the resist 40 to 1, a micromirror shape reflecting the shape of the resist 40 can be obtained.
If the selection ratio between the organic material and the resist 40 is larger than 1, the etching rate of the optical waveguide layer is increased and the mirror angle θ is increased.
[0023]
Conversely, if the selectivity is smaller than 1, the etching rate of the thick film resist is increased and the mirror angle θ is reduced.
When the selection ratio is 0.5 to 1.5, the shape of the mirror can be controlled by RIE while reflecting the shape of the resist 40.
If any resist remains, it is removed by organic washing or the like.
[0024]
Thus, as shown in FIG. 5A, a mirror is completed in which incident light coming from the left is reflected by the tapered surface and travels downward.
In the case of a resist pattern having a curved surface shape as shown in FIGS. 4B and 4C, the resist pattern is similarly etched and the curved surface pattern is transferred.
In this case, as shown in FIG. 5B, the micro mirror has a light collecting effect.
[0025]
[Example 2]
FIG. 6 shows an example in which the mirror structure shown in the first embodiment is applied to a surface light receiving device. The surface-type light receiving element 50 capable of top-surface incidence manufactured on the substrate 10 is a device such as a surface-type photodiode (Photodiode: PD), in which the PD anode electrode is capable of top-surface incidence like an annular or ITO transparent electrode. Can be applied to
[0026]
In addition, the device is applicable not only to a photodiode but also to a surface-emitting laser such as a vertical cavity surface-emitting laser diode (VCSEL). As shown in FIG. The surface light emitting element 60 can be provided, and light is propagated through a path opposite to the PD.
As shown in FIG. 8, when an optical waveguide layer is provided on the back surface of the chip, the distance from the reflection surface to the surface-type light receiving element 50 becomes long, and the diffusion of the reflected light cannot be ignored. It is considered that light collection by the curved mirror shown in FIG.
[0027]
When the present invention is applied to the substrate 10 on which the devices 50 and 60 are manufactured as described above, the optical waveguide can be manufactured by applying an organic material by a spin coating method.
In the case of an ultra-high speed optical device, the optical waveguide becomes a single mode waveguide.
In the case of a next-generation super 100G-compatible OIEC, the PD, which is the light receiving element, has a small area and is smaller than an optical fiber beam.
In these cases, it is considered essential to collect light using the curved mirror shown in FIG. 5B of the first embodiment.
[0028]
[Example 3]
The micromirror according to the above embodiment reflects light by utilizing the total reflection of the waveguide material and air.
However, when the refractive index of the optical waveguide layer falls below sin 45 ° with a 45-degree mirror, or when a mirror angle larger than 45 degrees is required, the total reflection condition is broken and the reflection efficiency cannot be obtained.
[0029]
In such a case, after the last step of the first embodiment, as shown in FIG. 9, it is possible to increase the reflection efficiency by coating the metal thin film 70 by vapor deposition or sputter deposition.
[0030]
As described above, the present embodiment relates to a method and a structure for manufacturing a micromirror.By performing exposure of the resist in multiple stages, the resist is tapered or further has a curvature. There is an advantage that various micromirrors can be formed by transferring the shape as it is to the optical waveguide.
[0031]
【The invention's effect】
As described above in detail, based on the embodiments, the present invention is a technology for manufacturing a micromirror capable of condensing light in an optical waveguide layer, and has a manufacturing accuracy and a reflection efficiency that are not available in a conventional micromirror. It is expected to contribute to the realization of optical device mounting with a fine structure in the future, as well as being an interface for current planar optical devices.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side view showing a substrate before a micromirror is manufactured.
FIG. 2 is a side view showing a photoresist on a substrate.
3A is a side view showing a first exposure in which a focus is shifted by a distance a, FIG. 3B is a side view showing a second exposure in which a focus is shifted a distance b, and FIG. () Is a side view showing the third exposure without shifting the focus.
4A is a side view showing a planar tapered resist after resist development, FIG. 4B is a side view showing a curved tapered resist after resist development, and FIG. 4C is resist development. FIG. 5A is a side view showing a plane mirror shape, and FIG. 5B is a side view showing a curved mirror shape having a light condensing effect. is there.
FIG. 6 is a side view showing a state in which incident light propagating through an optical waveguide is reflected by a mirror and enters a surface-type light receiving element.
FIG. 7 is a side view showing a state in which light emitted from a surface light emitting element is reflected by a mirror and propagates through an optical waveguide.
FIG. 8 is a side view showing a state in which incident light propagating through an optical waveguide formed on the back surface is reflected by a mirror, and is incident on a light receiving element on the front surface while being collected.
FIG. 9 is a side view showing a state in which a metal thin film coat for improving the reflection efficiency of a mirror that does not totally reflect is formed.
FIG. 10 is a side view showing a micro mirror manufactured by dicing.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 10 Substrate 2, 20 Optical waveguide 21 Lower clad 22 Core 23 Upper clad 3 Dicing blade 40 Resist 41 Thick film resist 50 Surface light receiving element 60 which can be incident on the upper surface Surface light emitting element 70 Metal thin film 80 Reticle

Claims (7)

光導波路の作製された基板上に、レジスト表面よりフォーカスをずらした露光によりテーパー状レジストを形成するレジスト行程と、前記光導波路及び前記レジストをエッチングするエッチング行程からなることを特徴とするマイクロミラーの製造方法。A micromirror comprising a resist step of forming a tapered resist by exposure shifted from the resist surface on a substrate on which an optical waveguide is manufactured, and an etching step of etching the optical waveguide and the resist. Production method. 請求項1において、前記レジスト工程おいて、同一露光マスクを用いて露光量やフォーカス位置を変化させた露光を複数回行うことにより多段階露光を行うことを特徴とするマイクロミラーの製造方法。2. The method according to claim 1, wherein, in the resist step, multi-stage exposure is performed by performing a plurality of times of exposures with different exposure amounts and focus positions using the same exposure mask. 請求項2において、多段階露光で最もフォーカスをずらした時の露光量が他の焦点時における露光量よりも大きいことを特徴とするマイクロミラーの製造方法。3. The method according to claim 2, wherein the exposure amount when the focus is shifted most in the multi-stage exposure is larger than the exposure amount when the other focus is performed. 請求項1において、前記光導波路と前記レジストとのエッチングにおける選択比が0.5〜1.5であることを特徴とするマイクロミラーの製造方法。2. The method according to claim 1, wherein a selectivity in etching the optical waveguide and the resist is 0.5 to 1.5. 請求項1,2,3又は4において作製されたマイクロミラーであって、前記レジスト工程でテーパー状レジストに代えてある曲率半径を持つレジストを形成することにより、集光作用を有することを特徴とするマイクロミラー。5. The micromirror manufactured according to claim 1, wherein the micromirror has a condensing function by forming a resist having a certain radius of curvature instead of the tapered resist in the resist process. Micro mirror to do. 請求項1,2,3又は4において作製されたマイクロミラーであって、前記光導波路がシングルモード導波路であることを特徴とするマイクロミラー。The micromirror manufactured according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the optical waveguide is a single mode waveguide. 請求項1,2,3又は4において作製されたマイクロミラーであって、前記光導波路が有機材料であることを特徴とするマイクロミラー。The micromirror manufactured according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the optical waveguide is made of an organic material.
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