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JP2004191660A - Exposure apparatus - Google Patents

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Publication number
JP2004191660A
JP2004191660A JP2002359738A JP2002359738A JP2004191660A JP 2004191660 A JP2004191660 A JP 2004191660A JP 2002359738 A JP2002359738 A JP 2002359738A JP 2002359738 A JP2002359738 A JP 2002359738A JP 2004191660 A JP2004191660 A JP 2004191660A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dmd
modulation element
spatial modulation
light beam
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002359738A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuto Sumi
克人 角
Takeshi Fujii
武 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP2002359738A priority Critical patent/JP2004191660A/en
Publication of JP2004191660A publication Critical patent/JP2004191660A/en
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure apparatus which extends the life of a spatial modulation element without exchanging spatial modulation elements against deterioration in the spatial modulation element due to light energy or the like. <P>SOLUTION: A DMD (digital micromirror device) 42 is held by a DMD guide frame 60 and is made slidable (in the plane direction of the DMD 42) relative to the DMD guide frame 60 by using a screw 62 so that the irradiation region 68 of a light beam entering from a reflection mirror 40 can be varied in accordance with the screwing depth of the screw 62. Even when the irradiation region 68 of the DMD 42 deteriorates to render the DMD 42 no more usable, the DMD 42 can be continuously used by changing the irradiation region 68 of the light beam entering from the reflection mirror 40 onto the DMD 42. Thus, the life of the DMD 42 is improved several times and the running cost can be significantly decreased. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、空間変調素子を用いた露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
DMD等の空間光変調素子を用いた露光装置がいくつか提案されている。それらの中で、空間光変調素子の変調速度が律則となり、生産性に制限がある場合に、空間光変調素子の全画素数の中の一部のみを使用することで、データ転送速度を高速化し、変調速度を上げ、その結果、生産性を向上させる方式が提案されている。また、そもそも、空間光変調素子の全画素数は必要なく、部分的な少ない画素数のみであれば十分である場合もある。
【0003】
一方、生産性の向上は常に要求される事項であり、そのため、露光装置の露光パワーは増大する傾向にある。そして、光学系の各素子に照射される光のパワー密度も増大の傾向にある。また、近紫外の波長域での露光装置として、PWB露光装置、光造形装置などが発表/提案されている。
【0004】
これらの大パワー密度、あるいは、高エネルギーな短波長により、光学素子の中で特に空間光変調素子が影響を受ける。すなわち、空間光変調素子は一般的に面積が小さいために、エネルギー密度はより高くなり、空間光変調素子の変調部分が劣化してしまう。
【0005】
具体的には、反射型空間光変調素子の場合は、反射表面の変化による反射率の低下、可動部分の動作不良、また、透過型空間光変調素子の場合は、透過部分の性質の変化による透過率の低下などがある。このように、空間光変調素子が劣化してしまうと、使用不能となり、空間光変調素子の交換が必要となる。このため、ランニングコストが高くなってしまう。
【0006】
【特許文献1】
特願2002−149886号
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事実を考慮し、光エネルギーなどによる空間変調素子の劣化に対し、空間変調素子を交換することなく、空間変調素子の寿命を長くした露光装置を得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、被描画媒体と相対移動し前記被描画媒体を露光する露光ヘッドを備え、前記露光ヘッドに配設され描画情報に応じて変調状態が変化する複数の画素部が基板上に2次元状に配列された空間変調素子と、前記露光ヘッドに配設され光源から出射された光ビームを前記空間変調素子へ照射する第1の光学系と、前記露光ヘッドに配設され前記空間変調素子で変調された光ビームを前記被描画媒体上に結像させる第2の光学系と、前記空間変調素子における光ビームの照射領域を変える照射領域変更手段と、を有することを特徴としている。
【0009】
請求項1に記載の発明では、光源から出射された光ビームは、第1の光学系によって空間変調素子へ照射される。空間変調素子は、描画情報に応じて変調状態が変化する複数の画素部が基板上に2次元状に配列されており、この空間変調素子によって変調された光ビームは、第2の光学系によって被描画媒体上で結像され、被描画媒体上に描画が形成される。
【0010】
ここで、空間変調素子において、照射領域変更手段によって光ビームの照射領域を変えている。空間変調素子の照射領域が劣化し、空間変調素子が使用不能の状態になったとしても、この照射領域を変えることで、空間変調素子をそのまま継続して使用することができる。これにより、空間変調素子としての寿命を数倍に向上させることができ、ランニングコストを大幅に低減させることができる。
【0011】
請求項2に記載の発明では、空間変調素子を、ガイド手段によって空間変調素子の面内方向にガイドし、ガイド手段に沿って空間変調素子をスライドさせる。これにより、空間変調素子の照射領域を変えることができる。
【0012】
請求項3に記載の発明では、光ビームの入射側に、空間変調素子の照射領域を区画するマスクを配置しており、ガイド手段によって空間変調素子の面内方向にマスクをガイドし、ガイド手段に沿って空間変調素子をスライドさせる。このように、マスクをスライドさせることで、マスクを介して照射される空間変調素子の照射領域を変えることができる。
【0013】
請求項4に記載の発明では、空間変調素子の劣化状態を測定する劣化状態測定手段を設けている。この劣化状態測定手段と照射領域変更手段とを連動させることで、空間変調素子の劣化状態に応じて、空間変調素子の光ビームの照射領域を変えることができる。これにより、空間変調素子が劣化していないにも拘らず照射領域を変えてしまうなどの無駄も無く、効率良く、空間変調素子の長寿命化を図ることができる。
【0014】
請求項5に記載の発明では、空間変調素子の劣化状態又は使用経過時間に応じて空間変調素子における光ビームの照射領域を変えている。
【0015】
請求項6に記載の発明では、使用経過時間が、光源の動作時間又は空間変調素子が照射される時間としている。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0017】
まず、露光装置の構成について説明する。
【0018】
図1に示すように、本発明の実施の形態に係る露光装置10には、4本の脚部12によって支持された直方体状の設置台14が備えられており、この設置台14の上面には、設置台14の長手方向に沿って延びた一対のガイド16が配設されている。
【0019】
ガイド16の上面には、平板状のステージ18が、ガイド16を架け渡した状態で載置されており、ステージ18の上面には、プリント基板20が保持されている。
【0020】
一方、設置台14の長手方向の中央部には、略コ字状のゲート22が、ステージ18の上面との間に隙間を設けた状態で設置台14を跨いで固定されている。このゲート22の一方の側面には、スキャナ24が設けられており、他方の側面には、ステージ18の上面に保持されたプリント基板20の側端部を検知する複数(例えば、2個)の検知センサ26が設けられている。
【0021】
ここで、ステージ18は、図示しない駆動手段によって、ガイド16に沿って移動可能となっており、スキャナ24及び検知センサ26は、図示しないコントローラに接続されている。
【0022】
スキャナ24は、図2及び図3に示すように、複数の露光ヘッド28によって構成されており、各露光ヘッド28には、光源波長が350〜450nm(但し、ヒートモードの場合は、波長範囲が広がり350〜950nmとなる)のファイバアレイ光源30が備えられている。
【0023】
このファイバアレイ光源30から出射されたレーザ光は、レンズ系32を構成する1対の組合せレンズ34によって平行光化され、1対の組合せレンズ36へ入射される。
【0024】
組合せレンズ36は、レーザ出射端の配列方向に対しては、レンズの光軸に近い部分は光束を広げ、且つ光軸から離れた部分は光束を縮め、配列方向と直交する方向に対しては、レーザ光をそのまま通過させる機能を備えており、光量分布が均一となるようにレーザ光を補正する。
【0025】
この組合せレンズ36によって、光量分布が均一となるように補正されたレーザ光は、集光レンズ38によって集光され、反射ミラー40を介して、入射されたレーザ光を画像データに応じて各画素毎に変調する空間光変調素子であるデジタル・マイクロミラー・デバイス42(以下、「DMD42」という)へ入射される。そして、DMD42へ入射されたレーザ光は、レンズ系44、46によりプリント基板20上に結像される。
【0026】
ここで、DMD42は、図4に示すように、SRAMセル(メモリセル)48上に、微小ミラー(マイクロミラー)50が支柱により支持されて配置されたものであり、画素(ピクセル)を構成する多数の(例えば、600個×800個)の微小ミラーを格子状に配列して構成されたミラーデバイスである。
【0027】
各ピクセルには、最上部に支柱に支えられたマイクロミラー50が設けられており、マイクロミラー50の表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着され、マイクロミラー50の反射率は90%以上である。
【0028】
また、マイクロミラー50の直下には、ヒンジ及びヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのCMOSのSRAMセル48が配置されており、全体はモノリシック(一体型)に構成されている。
【0029】
DMD42のSRAMセル48にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられたマイクロミラー50が、対角線を中心としてDMD42が配置された基板側に対して±α度(例えば±10度)の範囲で傾けられる。
【0030】
ここで、図5(A)は、マイクロミラー50がオン状態である+α度に傾いた状態を示し、図5(B)は、マイクロミラー50がオフ状態である−α度に傾いた状態を示している。
【0031】
それぞれのマイクロミラー50は、露光装置10に備えられた図示しない制御部からの画像信号に応じて、DMD42の各ピクセルにおけるマイクロミラー50の傾きが制御され、DMD42に入射された光はそれぞれのマイクロミラー50の傾き方向へ反射される。なお、オフ状態のマイクロミラー50によって光ビームが反射される方向には、光吸収体(図示せず)が配置されている。
【0032】
ここで、DMD42は、長手方向に800個のマイクロミラー50が配列されており、短手方向に600個のマイクロミラー50が配列されている。この短手方向を副走査方向に対して所定角度θ(例えば、1°〜5°)僅かに傾斜させて配置する方が好ましい。
【0033】
図6(A)はDMD42を傾斜させない場合の各マイクロミラー50(図4参照)による反射光像(露光ビーム)54の走査軌跡を示し、図6(B)はDMD42を傾斜させた場合の露光ビーム54の走査軌跡を示している。ここで、DMD42の傾斜角は微小であるので、DMD42を傾斜させた場合の走査幅W2と、DMD42を傾斜させない場合の走査幅W1とは略同一である。
【0034】
図6(B)に示すように、DMD42を傾斜させることにより、各マイクロミラー50による露光ビーム54の走査軌跡(走査線)のピッチP2が、DMD42を傾斜させない場合の走査線のピッチP1より狭くなり、解像度を大幅に向上させることができる。
【0035】
また、異なるマイクロミラー50列により同じ走査線上が重ねて露光(多重露光)されることになる。このように、多重露光されることで、露光位置の微少量をコントロールすることができ、高精細な露光を実現することができる。さらに、主走査方向に配列された複数の露光ヘッド28の間のつなぎ目を微少量の露光位置制御により段差無くつなぐことができる。
【0036】
なお、DMD42を傾斜させる代わりに、各マイクロミラー50列を副走査方向と直交する方向に所定間隔ずらして千鳥状に配置しても、同様の効果を得ることができる。
【0037】
ところで、DMD42は、図7及び図8に示すように、矩形状のDMDガイド枠60(ガイド手段)に保持されている。このDMDガイド枠60は、反射ミラー40とDMD42との間で設けられる角度と同じ角度となるように配設されている。
【0038】
また、DMDガイド枠60の内面側の上下には、DMDガイド枠60の長手方向(DMDガイド枠60の左右方向)に沿って溝部60Aが形成されており、DMD42の上縁部及び下縁部が溝部60Aに係合可能となっている。
【0039】
また、DMDガイド枠60の右側壁中央には、ボールネジ62(スライド手段)がねじ込まれており、ボールネジ62の先端部には、略コ字状のクランプ部64が設けられている。このクランプ部64によってDMD42の側縁部が挟持され、手動によるボールネジ62のねじ込みによって、クランプ部64を介して溝部60Aに沿ってDMD42が、DMD42の面内方向でスライド可能となっている。
【0040】
ここで、DMDガイド枠60は、反射ミラー40とDMD42との間で設けられる角度と同じ角度となるように配置しているため、DMDガイド枠60内でDMD42をスライドさせても反射ミラー40からの入射角度は変わらない。
【0041】
一方、図7及び図10(A)に示すように、ファイバアレイ光源30には、劣化状態測定手段としての光ビーム出射時間累積カウンタ66(以下、「カウンタ66」という)が接続されており、DMD42の劣化状態を測定する。
【0042】
具体的には、ファイバアレイ光源30からの出射時間を累積し、この出射時間が所定時間以上になると、DMD42が劣化したものとして、外部に報知するようにしている。
【0043】
また、老化状態の別の検出手段としては、被描画媒体に相当する位置で光パワーを測定し、光パワーの低下などの変化を検出したり、描画領域毎に設けた光検出器で散乱光を測定し、その増大の変化を検出したりすることでも可能である。
【0044】
次に、本形態に係る露光装置の作用について説明する。
【0045】
図7に示すように、DMD42をDMDガイド枠60に保持させ、ボールネジ62によってDMDガイド枠60に対してDMD42をスライド可能(DMD42の面内方向でスライド可能)とすることで、ボールネジ62のねじ込み量に応じて、反射ミラー40から入射される光ビームの照射領域68を変えることができる。
【0046】
例えば、図7及び図9(A)、(B)、(C)に示すように、ボールネジ62を時計回りに回転させると、DMD42がDMDガイド枠60に対して左方向へスライドする。DMD42に対する反射ミラー40の入射角は変わらないため、反射ミラー40によって入射されるDMD42の光ビームの照射領域68が右方向へスライドする。
【0047】
DMD42の照射領域68が劣化し、DMD42が使用不能の状態になったとしても、反射ミラー40から入射されるDMD42の光ビームの照射領域68を変えることで、DMD42をそのまま継続して使用することができる。これにより、DMD42としての寿命を数倍に向上させることができ、ランニングコストを大幅に低減させることができる。
【0048】
一方、DMD42の劣化状態を測定するカウンタ66を設けることで、DMD42の劣化状態を判断することができ、DMD42の劣化に応じてDMD42の照射領域68を変えることができる。このため、DMD42が劣化していないにも拘らず照射領域68を変えてしまうなどの無駄も無く、効率良くDMD42の長寿命化を図ることができる。
【0049】
また、ここでは、手動によるボールネジ62のねじ込み量によって、DMD42をスライドさせたが、これに限るものではない。例えば、図7及び図10(B)に示すように、カウンタ66と駆動装置67とを接続し、駆動装置67をボールネジ62に連結させる。
【0050】
そして、ファイバアレイ光源30からの出射時間が所定時間以上になると、駆動装置67を駆動させて、ボールネジ62を回転させ、DMD42の照射領域を変えるようにしても良い。
【0051】
なお、カウンタ66は、DMD42の劣化状態が判れば良いため、これに限るものではなく、例えば、DMD42の反射率を測定し、DMD42の反射率が所定以下になると、ランプの点灯により外部に報知するようにしても良い。さらに、DMD42の劣化状態に応じて、効率良くDMD42の照射領域68を変えることができれば良いため、カウンタ66は必ずしも必要ではない。
【0052】
また、本形態では、DMDガイド枠60の左右方向に対してDMD42をスライドさせるようにしたが、DMD42の面内方向にスライドできれば良いため、これに限るものではない。
【0053】
例えば、図11に示すように、DMD42(図7参照)よりも高さ方向で約2倍大きいDMD70を用いて、DMD70を上下方向にもスライド可能となるようにしても良い。
【0054】
この場合、DMD42の場合と同様に、DMD70の左右方向のスライドを可能とするDMDガイド枠72を用いると共に、高さ方向でDMDガイド枠72よりも長くした状態で、DMDガイド枠72を取り囲む枠体74を用いる。
【0055】
ここで、枠体74の一方の側壁には、長穴74Aを貫通させ、ボールネジ76が長穴74Aに沿って上下移動できるようにする。また、枠体74の他方の側壁には、溝部74Bを凹設し、DMDガイド枠72の側壁の外面に突設させた図示しない突設部を溝部74Bに係合させて枠体74の上下移動をガイドするようにする。
【0056】
一方、枠体74の下面中央部には、ボールネジ78をねじ込み、ボールネジ78の先端部をDMDガイド枠72の下面に固定する。これにより、ボールネジ78のねじ込み量に応じて、DMDガイド枠72を枠体74の上下方向に対してスライドさせる。
【0057】
これにより、ボールネジ76を時計回りに回転させると、図11及び図12(A)、(B)、(C)に示すように、DMD70がDMDガイド枠72内を左方向へスライドする。このため、反射ミラー40によって入射される光ビームの照射領域68が、DMD70の左側から右側へスライドする。
【0058】
また、ボールネジ78を時計回りに回転させると、図11及び図12(C)、(D)に示すように、DMDガイド枠72を介して、DMD70が枠体74内を上方向へスライドする。これにより、反射ミラー40によって入射される光ビームの照射領域68が、DMD70の上側から下側へスライドする。
【0059】
そして、ボールネジ76を反時計回りに回転させると、図11及び図12(D)、(E)、(F)に示すように、DMD70がDMDガイド枠72内を右方向へスライドする。これにより、反射ミラー40によって入射される光ビームの照射領域68が、DMD70の右側から左側へスライドする。このように、DMD70を上下左右にスライドさせ、光ビームの照射領域68を変えても良い。
【0060】
また、本形態では、DMD42、70をスライドさせることで、光ビームの照射領域68をそれぞれ変えるようにしたが、これに限るものではない。
【0061】
例えば、図13に示すように、反射ミラー40によって入射される光ビームの入射側に、DMD82の照射領域84を区画するマスク80をDMD82と平行に配置し、このマスク80をDMD82の面に対して平行な面内でスライドさせるようにしても良い。
【0062】
この場合、DMD42(図7参照)の場合と同様に、マスク80をマスクガイド枠86によってスライド可能に保持させ、マスクガイド枠86を介してマスク80をDMD82の面に対して平行な面内方向へスライドさせる。このように、マスク80をスライドさせることで、マスク80を介して照射されるDMD82の照射領域84を変えることができる。
【0063】
また、上記の露光装置では、プリント基板以外にも、フラットパネルディスプレイ(FPD)や、プリント配線基板(PWB;Printed Wiring Board)の製造工程におけるドライ・フィルム・レジスト(DFR;Dry Film Resist)の露光、液晶表示装置(LCD)の製造工程におけるカラーフィルタの形成、TFTの製造工程におけるDFRの露光、プラズマ・ディスプレイ・パネル(PDP)の製造工程におけるDFRの露光等の用途に好適に用いることができる。
【0064】
なお、TFTのパターニングに使用される液体レジストやカラーフィルタをパターニングするために使用される液体レジストを露光する場合には、酸素阻害による感度低下(減感)を無くすために、窒素雰囲気下で被露光材料を露光することが好ましい。窒素雰囲気下で露光することで光重合反応の酸素阻害が抑制されてレジストが高感度化し、高速露光が可能となる。
【0065】
また、上記の露光装置には、露光により直接情報が記録されるフォトンモード感光材料、露光により発生した熱で情報が記録されるヒートモード感光材料の何れも使用することができる。
【0066】
フォトンモード感光材料を使用する場合、レーザ装置にはGaN系半導体レーザ、波長変換固体レーザ等が使用され、ヒートモード感光材料を使用する場合、レーザ装置にはAlGaAs系半導体レーザ(赤外レーザ)、固体レーザが使用される。
【0067】
さらに、上記の実施の形態では、DMDを備えた露光ヘッドについて説明したが、例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)タイプの空間変調素子(SLM;Spacial Light Modulator)や、電気光学効果により透過光を変調する光学素子(PLZT素子)や液晶光シャッタ(FLC)等を用いても良い。
【0068】
また、MEMSタイプ以外の空間変調素子を用いた場合にも、基板上に配列された全画素部に対し一部の画素部を使用することで、1画素当り、1主走査ライン当たりの変調速度を速くすることができるので、同様の効果を得ることができる。
【0069】
なお、MEMSとは、IC製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、そして制御回路を集積化した微細システムの総称であり、MEMSタイプの空間変調素子とは、静電気力を利用した電気機械動作により駆動される空間変調素子を意味している。
【0070】
【発明の効果】
本発明は、上記構成としたので、請求項1に記載の発明では、空間変調素子の照射領域が劣化し、空間変調素子が使用不能の状態になったとしても、この照射領域を変えることで、空間変調素子をそのまま継続して使用することができるため、空間変調素子としての寿命を数倍に向上させることができ、ランニングコストを大幅に低減させることができる。
【0071】
請求項2に記載の発明では、保持体をスライドさせることで、空間変調素子の照射領域を変えることができる。請求項3に記載の発明では、マスクをスライドさせることで、マスクを介して照射される空間変調素子の照射領域を変えることができる。
【0072】
請求項4〜請求項6に記載の発明では、少なくとも空間変調素子の劣化状態に応じて、空間変調素子の光ビームの照射領域を変えることができるため、空間変調素子が劣化していないにも拘らず照射領域を変えてしまうなどの無駄も無く、効率良く空間変調素子の長寿命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る露光装置を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施の形態に係る露光装置のスキャナの構成を示す斜視図である。
【図3】(A)は図2のスキャナを構成する露光ヘッドの構成を示す正面図であり、(B)は(A)の平面図である。
【図4】デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)の構成を示す部分拡大図である。
【図5】(A)及び(B)はDMDの動作説明図である。
【図6】(A)は、DMDを傾斜配置させない場合を示す平面図であり、(B)はDMDを傾斜配置させた場合を示す平面図である。
【図7】露光ヘッドの構成を示すと共に、DMD及びDMDガイド枠を示す斜視図である。
【図8】DMD及びDMDガイド枠を示す断面図である。
【図9】(A)〜(C)は、DMDのスライド状態を示す説明図である。
【図10】(A)、(B)は光ビーム出射累積カウンターを用いた場合の説明図である。
【図11】露光ヘッドの構成を示すと共に、DMD及びDMDガイド枠の変形例を示す斜視図である。
【図12】(A)〜(F)は、DMDのスライド状態を示す説明図である。
【図13】DMD及びマスクガイド枠を示す斜視図である。
【符号の説明】
10 露光装置
28 露光ヘッド
32 レンズ系(第1の光学系)
42 DMD(空間変調素子)
44 レンズ系(第2の光学系)
46 レンズ系(第2の光学系)
60 DMDガイド枠(ガイド手段、照射領域変更手段)
62 ボールネジ(スライド手段、照射領域変更手段)
66 光ビーム出射時間累積カウンタ(劣化状態測定手段)
68 照射領域
72 DMDガイド枠(ガイド手段、照射領域変更手段)
74 枠体(ガイド手段、照射領域変更手段)
76 ボールネジ(スライド手段、照射領域変更手段)
78 ボールネジ(スライド手段、照射領域変更手段)
80 マスク
84 照射領域
86 マスクガイド枠(ガイド手段、照射領域変更手段)
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an exposure apparatus using a spatial modulation element.
[0002]
[Prior art]
Several exposure apparatuses using spatial light modulation elements such as DMD have been proposed. Among them, when the modulation speed of the spatial light modulation element becomes a rule and productivity is limited, the data transfer speed can be reduced by using only a part of the total number of pixels of the spatial light modulation element. Methods have been proposed that increase speed, increase modulation speed, and as a result, improve productivity. In the first place, the total number of pixels of the spatial light modulator is not necessary, and only a small number of pixels may be sufficient.
[0003]
On the other hand, improvement in productivity is a constantly required item, and therefore, the exposure power of the exposure apparatus tends to increase. And the power density of the light irradiated to each element of the optical system also tends to increase. Also, PWB exposure apparatuses, stereolithography apparatuses, and the like have been announced / suggested as exposure apparatuses in the near ultraviolet wavelength region.
[0004]
Among these optical elements, spatial light modulation elements are particularly affected by these large power densities or high energy short wavelengths. That is, since the spatial light modulation element generally has a small area, the energy density becomes higher and the modulation portion of the spatial light modulation element deteriorates.
[0005]
Specifically, in the case of a reflective spatial light modulator, the reflectivity decreases due to a change in the reflective surface, the operation of the movable part is poor, and in the case of a transmissive spatial light modulator, due to a change in the properties of the transmissive part. There is a decrease in transmittance. As described above, when the spatial light modulation element deteriorates, it becomes unusable and the spatial light modulation element needs to be replaced. For this reason, running cost will become high.
[0006]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application No. 2002-149886 [0007]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above facts, an object of the present invention is to obtain an exposure apparatus that extends the lifetime of a spatial modulation element without replacing the spatial modulation element against deterioration of the spatial modulation element due to light energy or the like.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to claim 1 includes an exposure head that moves relative to the drawing medium and exposes the drawing medium, and includes a plurality of pixel units that are arranged in the exposure head and whose modulation state changes according to drawing information. A spatial modulation element arranged two-dimensionally on a substrate, a first optical system that is disposed on the exposure head and that irradiates the spatial modulation element with a light beam emitted from a light source, and is disposed on the exposure head. A second optical system that forms an image of the light beam modulated by the spatial modulation element on the drawing medium, and an irradiation area changing unit that changes the irradiation area of the light beam in the spatial modulation element. It is a feature.
[0009]
According to the first aspect of the present invention, the light beam emitted from the light source is irradiated to the spatial modulation element by the first optical system. In the spatial modulation element, a plurality of pixel portions whose modulation states change according to drawing information are two-dimensionally arranged on the substrate, and the light beam modulated by the spatial modulation element is transmitted by the second optical system. An image is formed on the drawing medium, and a drawing is formed on the drawing medium.
[0010]
Here, in the spatial modulation element, the irradiation region of the light beam is changed by the irradiation region changing means. Even if the irradiation area of the spatial modulation element deteriorates and the spatial modulation element becomes unusable, the spatial modulation element can be continuously used as it is by changing the irradiation area. Thereby, the lifetime as a spatial modulation element can be improved several times, and a running cost can be reduced significantly.
[0011]
In the invention according to claim 2, the spatial modulation element is guided in the in-plane direction of the spatial modulation element by the guide means, and the spatial modulation element is slid along the guide means. Thereby, the irradiation area | region of a spatial modulation element can be changed.
[0012]
According to the third aspect of the present invention, a mask that divides the irradiation region of the spatial modulation element is disposed on the incident side of the light beam, the mask is guided in the in-plane direction of the spatial modulation element by the guide means, and the guide means Slide the spatial modulation element along In this way, by sliding the mask, the irradiation area of the spatial modulation element irradiated through the mask can be changed.
[0013]
In the invention according to claim 4, there is provided a deterioration state measuring means for measuring the deterioration state of the spatial modulation element. By linking the deterioration state measuring means and the irradiation area changing means, the irradiation area of the light beam of the spatial modulation element can be changed according to the deterioration state of the spatial modulation element. As a result, there is no waste such as changing the irradiation area even though the spatial modulation element is not deteriorated, and the lifetime of the spatial modulation element can be extended efficiently.
[0014]
In the fifth aspect of the present invention, the irradiation region of the light beam in the spatial modulation element is changed in accordance with the deterioration state of the spatial modulation element or the usage elapsed time.
[0015]
In the invention described in claim 6, the elapsed use time is the operation time of the light source or the time for which the spatial modulation element is irradiated.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0017]
First, the configuration of the exposure apparatus will be described.
[0018]
As shown in FIG. 1, an exposure apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a rectangular parallelepiped installation table 14 supported by four legs 12, and an upper surface of the installation table 14. Are provided with a pair of guides 16 extending along the longitudinal direction of the installation table 14.
[0019]
A flat stage 18 is placed on the upper surface of the guide 16 in a state where the guide 16 is bridged. A printed circuit board 20 is held on the upper surface of the stage 18.
[0020]
On the other hand, a substantially U-shaped gate 22 is fixed across the installation table 14 in a state where a gap is provided between the upper surface of the stage 18 and a central portion in the longitudinal direction of the installation table 14. A scanner 24 is provided on one side surface of the gate 22, and a plurality (for example, two) of side edges of the printed circuit board 20 held on the upper surface of the stage 18 are detected on the other side surface. A detection sensor 26 is provided.
[0021]
Here, the stage 18 can be moved along the guide 16 by driving means (not shown), and the scanner 24 and the detection sensor 26 are connected to a controller (not shown).
[0022]
As shown in FIGS. 2 and 3, the scanner 24 includes a plurality of exposure heads 28. Each exposure head 28 has a light source wavelength of 350 to 450 nm (however, the wavelength range is set in the heat mode). A fiber array light source 30 having a spread of 350 to 950 nm is provided.
[0023]
Laser light emitted from the fiber array light source 30 is converted into parallel light by a pair of combination lenses 34 constituting a lens system 32 and is incident on a pair of combination lenses 36.
[0024]
In the arrangement direction of the laser emitting ends, the combination lens 36 spreads the light beam at a portion close to the optical axis of the lens and contracts the light beam at a portion away from the optical axis, and in a direction orthogonal to the arrangement direction. The laser beam has a function to pass through as it is, and the laser beam is corrected so that the light quantity distribution is uniform.
[0025]
The laser light corrected so that the light quantity distribution is made uniform by the combination lens 36 is condensed by the condenser lens 38, and the incident laser light is converted into each pixel according to the image data via the reflection mirror 40. The light is incident on a digital micromirror device 42 (hereinafter referred to as “DMD 42”), which is a spatial light modulation element that modulates each time. The laser light incident on the DMD 42 is imaged on the printed circuit board 20 by the lens systems 44 and 46.
[0026]
Here, as shown in FIG. 4, the DMD 42 is configured by a micromirror (micromirror) 50 supported by a support column on an SRAM cell (memory cell) 48 and constitutes a pixel. This is a mirror device configured by arranging a large number (for example, 600 × 800) of micromirrors in a lattice pattern.
[0027]
Each pixel is provided with a micromirror 50 supported by a support at the top, and a material having high reflectivity such as aluminum is deposited on the surface of the micromirror 50, and the reflectivity of the micromirror 50 is 90%. That's it.
[0028]
A silicon gate CMOS SRAM cell 48 manufactured on a normal semiconductor memory manufacturing line is disposed directly below the micromirror 50 via a support including a hinge and a yoke, and is entirely monolithic (integrated type). ).
[0029]
When a digital signal is written to the SRAM cell 48 of the DMD 42, the micromirror 50 supported by the support is tilted in a range of ± α degrees (for example, ± 10 degrees) with respect to the substrate side on which the DMD 42 is disposed with the diagonal line as the center. It is done.
[0030]
Here, FIG. 5A shows a state in which the micromirror 50 is tilted to + α degrees when the micromirror 50 is in an on state, and FIG. 5B shows a state in which the micromirror 50 is tilted to −α degrees that is in an off state. Show.
[0031]
Each micromirror 50 controls the inclination of the micromirror 50 in each pixel of the DMD 42 according to an image signal from a control unit (not shown) provided in the exposure apparatus 10, and the light incident on the DMD 42 is transmitted to each micromirror 50. Reflected in the tilt direction of the mirror 50. Note that a light absorber (not shown) is arranged in the direction in which the light beam is reflected by the micromirror 50 in the off state.
[0032]
Here, the DMD 42 has 800 micromirrors 50 arranged in the longitudinal direction and 600 micromirrors 50 arranged in the short direction. It is preferable that the short direction is slightly inclined with respect to the sub-scanning direction by a predetermined angle θ (for example, 1 ° to 5 °).
[0033]
6A shows the scanning trajectory of the reflected light image (exposure beam) 54 by each micromirror 50 (see FIG. 4) when the DMD 42 is not tilted, and FIG. 6B shows the exposure when the DMD 42 is tilted. The scanning trajectory of the beam 54 is shown. Here, since the tilt angle of the DMD 42 is very small, the scan width W 2 when the DMD 42 is tilted and the scan width W 1 when the DMD 42 is not tilted are substantially the same.
[0034]
As shown in FIG. 6B, when the DMD 42 is tilted, the pitch P 2 of the scanning locus (scanning line) of the exposure beam 54 by each micromirror 50 is equal to the pitch P 1 of the scanning line when the DMD 42 is not tilted. It becomes narrower and the resolution can be greatly improved.
[0035]
Further, the same scanning line is overlapped and exposed (multiple exposure) by different micromirror 50 rows. In this way, by performing multiple exposure, it is possible to control a minute amount of the exposure position and to realize high-definition exposure. Further, the joints between the plurality of exposure heads 28 arranged in the main scanning direction can be connected without any step by a very small exposure position control.
[0036]
Note that the same effect can be obtained by arranging the micromirrors 50 in a staggered manner by shifting the micromirrors 50 by a predetermined interval in a direction orthogonal to the sub-scanning direction instead of inclining the DMD 42.
[0037]
Incidentally, the DMD 42 is held by a rectangular DMD guide frame 60 (guide means) as shown in FIGS. The DMD guide frame 60 is disposed so as to have the same angle as that provided between the reflection mirror 40 and the DMD 42.
[0038]
In addition, on the upper and lower sides of the inner surface side of the DMD guide frame 60, groove portions 60A are formed along the longitudinal direction of the DMD guide frame 60 (the left-right direction of the DMD guide frame 60), and the upper and lower edges of the DMD 42 Is engageable with the groove 60A.
[0039]
A ball screw 62 (sliding means) is screwed into the center of the right side wall of the DMD guide frame 60, and a substantially U-shaped clamp portion 64 is provided at the tip of the ball screw 62. The side edges of the DMD 42 are clamped by the clamp 64, and the DMD 42 can slide in the in-plane direction of the DMD 42 along the groove 60A through the clamp 64 by screwing the ball screw 62 manually.
[0040]
Here, since the DMD guide frame 60 is disposed so as to have the same angle as that provided between the reflection mirror 40 and the DMD 42, the DMD guide frame 60 is separated from the reflection mirror 40 even if the DMD 42 is slid in the DMD guide frame 60. The incident angle of is not changed.
[0041]
On the other hand, as shown in FIG. 7 and FIG. 10A, the fiber array light source 30 is connected with a light beam emission time accumulation counter 66 (hereinafter referred to as “counter 66”) as a deterioration state measuring means. The degradation state of DMD 42 is measured.
[0042]
Specifically, the emission time from the fiber array light source 30 is accumulated, and when this emission time exceeds a predetermined time, it is reported to the outside that the DMD 42 has deteriorated.
[0043]
As another means for detecting the aging state, the optical power is measured at a position corresponding to the drawing medium to detect a change such as a decrease in the optical power, or the scattered light is detected by a photodetector provided for each drawing area. It is also possible to measure the change and detect the change in the increase.
[0044]
Next, the operation of the exposure apparatus according to this embodiment will be described.
[0045]
As shown in FIG. 7, the DMD 42 is held on the DMD guide frame 60, and the DMD 42 can be slid with respect to the DMD guide frame 60 by the ball screw 62 (slidable in the in-plane direction of the DMD 42). The irradiation area 68 of the light beam incident from the reflection mirror 40 can be changed according to the amount.
[0046]
For example, as shown in FIGS. 7 and 9A, 9B, and 9C, when the ball screw 62 is rotated clockwise, the DMD 42 slides to the left with respect to the DMD guide frame 60. Since the incident angle of the reflection mirror 40 with respect to the DMD 42 does not change, the irradiation area 68 of the light beam of the DMD 42 incident by the reflection mirror 40 slides to the right.
[0047]
Even if the irradiation area 68 of the DMD 42 is deteriorated and the DMD 42 becomes unusable, the DMD 42 can be used as it is by changing the irradiation area 68 of the light beam of the DMD 42 incident from the reflection mirror 40. Can do. Thereby, the lifetime as DMD42 can be improved several times, and a running cost can be reduced significantly.
[0048]
On the other hand, by providing the counter 66 for measuring the degradation state of the DMD 42, the degradation state of the DMD 42 can be determined, and the irradiation area 68 of the DMD 42 can be changed according to the degradation of the DMD 42. For this reason, there is no waste such as changing the irradiation region 68 even though the DMD 42 is not deteriorated, and it is possible to efficiently extend the life of the DMD 42.
[0049]
Here, the DMD 42 is slid according to the amount of the ball screw 62 screwed in manually, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIGS. 7 and 10B, the counter 66 and the driving device 67 are connected, and the driving device 67 is coupled to the ball screw 62.
[0050]
Then, when the emission time from the fiber array light source 30 reaches a predetermined time or longer, the driving device 67 may be driven to rotate the ball screw 62 and change the irradiation area of the DMD 42.
[0051]
The counter 66 is not limited to this as long as the degradation state of the DMD 42 is known. For example, the reflectivity of the DMD 42 is measured, and when the reflectivity of the DMD 42 falls below a predetermined value, the counter 66 notifies the outside by lighting the lamp. You may make it do. Furthermore, the counter 66 is not necessarily required because it is sufficient that the irradiation area 68 of the DMD 42 can be efficiently changed according to the deterioration state of the DMD 42.
[0052]
In the present embodiment, the DMD 42 is slid with respect to the left-right direction of the DMD guide frame 60. However, the present invention is not limited to this as long as it can slide in the in-plane direction of the DMD 42.
[0053]
For example, as shown in FIG. 11, the DMD 70 may be slidable in the vertical direction using a DMD 70 that is about twice as large in the height direction as the DMD 42 (see FIG. 7).
[0054]
In this case, as in the case of the DMD 42, the DMD guide frame 72 that allows the DMD 70 to slide in the left-right direction is used, and a frame that surrounds the DMD guide frame 72 in a state of being longer than the DMD guide frame 72 in the height direction. A body 74 is used.
[0055]
Here, an elongated hole 74A is passed through one side wall of the frame body 74 so that the ball screw 76 can move up and down along the elongated hole 74A. A groove 74B is recessed in the other side wall of the frame body 74, and a projecting portion (not shown) that projects from the outer surface of the side wall of the DMD guide frame 72 is engaged with the groove portion 74B to Try to guide the movement.
[0056]
On the other hand, a ball screw 78 is screwed into the center of the lower surface of the frame 74, and the tip of the ball screw 78 is fixed to the lower surface of the DMD guide frame 72. Accordingly, the DMD guide frame 72 is slid in the vertical direction of the frame body 74 in accordance with the screwing amount of the ball screw 78.
[0057]
Thus, when the ball screw 76 is rotated clockwise, the DMD 70 slides leftward in the DMD guide frame 72 as shown in FIGS. 11 and 12A, 12B, and 12C. For this reason, the irradiation region 68 of the light beam incident by the reflection mirror 40 slides from the left side of the DMD 70 to the right side.
[0058]
When the ball screw 78 is rotated clockwise, the DMD 70 slides upward in the frame body 74 via the DMD guide frame 72 as shown in FIGS. 11 and 12C and 12D. As a result, the irradiation area 68 of the light beam incident by the reflection mirror 40 slides from the upper side to the lower side of the DMD 70.
[0059]
When the ball screw 76 is rotated counterclockwise, the DMD 70 slides to the right in the DMD guide frame 72 as shown in FIGS. 11 and 12D, 12E, and 12F. As a result, the irradiation area 68 of the light beam incident by the reflection mirror 40 slides from the right side to the left side of the DMD 70. As described above, the DMD 70 may be slid vertically and horizontally to change the light beam irradiation area 68.
[0060]
In this embodiment, the DMD 42 and 70 are slid to change the light beam irradiation area 68, but the present invention is not limited to this.
[0061]
For example, as shown in FIG. 13, a mask 80 that divides the irradiation region 84 of the DMD 82 is arranged in parallel with the DMD 82 on the incident side of the light beam incident by the reflecting mirror 40, and the mask 80 is arranged with respect to the surface of the DMD 82. Alternatively, it may be slid in a parallel plane.
[0062]
In this case, as in the case of the DMD 42 (see FIG. 7), the mask 80 is slidably held by the mask guide frame 86, and the mask 80 is parallel to the surface of the DMD 82 via the mask guide frame 86. Slide to. In this way, by sliding the mask 80, the irradiation area 84 of the DMD 82 irradiated through the mask 80 can be changed.
[0063]
In addition to the printed circuit board, the exposure apparatus described above exposes a dry film resist (DFR) in a manufacturing process of a flat panel display (FPD) and a printed wiring board (PWB). It can be suitably used for applications such as color filter formation in liquid crystal display (LCD) manufacturing processes, DFR exposure in TFT manufacturing processes, and DFR exposure in plasma display panel (PDP) manufacturing processes. .
[0064]
When exposing a liquid resist used for patterning a TFT and a liquid resist used for patterning a color filter, in order to eliminate sensitivity reduction (desensitization) due to oxygen inhibition, the exposure is performed in a nitrogen atmosphere. It is preferable to expose the exposure material. Exposure in a nitrogen atmosphere suppresses oxygen inhibition of the photopolymerization reaction, increases the sensitivity of the resist, and enables high-speed exposure.
[0065]
In the exposure apparatus, either a photon mode photosensitive material in which information is directly recorded by exposure or a heat mode photosensitive material in which information is recorded by heat generated by exposure can be used.
[0066]
When using a photon mode photosensitive material, a GaN-based semiconductor laser, a wavelength conversion solid-state laser, or the like is used for the laser device. When using a heat mode photosensitive material, an AlGaAs-based semiconductor laser (infrared laser), A solid state laser is used.
[0067]
Furthermore, in the above embodiment, the exposure head provided with the DMD has been described. For example, a micro electro mechanical systems (SMEM) type spatial modulation element (SLM; Spatial Light Modulator) or transmitted light by an electro-optic effect is used. A modulating optical element (PLZT element), a liquid crystal optical shutter (FLC), or the like may be used.
[0068]
Further, even when a spatial modulation element other than the MEMS type is used, by using a part of the pixel portions for all the pixel portions arranged on the substrate, the modulation speed per pixel and per main scanning line is used. The same effect can be obtained.
[0069]
Note that MEMS is a general term for micro systems that integrate micro-sized sensors, actuators, and control circuits based on micro-machining technology based on the IC manufacturing process. It means a spatial modulation element that is driven by the electromechanical operation used.
[0070]
【The invention's effect】
Since the present invention is configured as described above, in the invention according to claim 1, even if the irradiation area of the spatial modulation element deteriorates and the spatial modulation element becomes unusable, the irradiation area is changed. Since the spatial modulation element can be continuously used as it is, the lifetime as the spatial modulation element can be improved several times, and the running cost can be greatly reduced.
[0071]
In the second aspect of the invention, the irradiation area of the spatial modulation element can be changed by sliding the holding body. According to the third aspect of the present invention, the irradiation area of the spatial modulation element irradiated through the mask can be changed by sliding the mask.
[0072]
In the inventions according to claims 4 to 6, since the irradiation region of the light beam of the spatial modulation element can be changed at least according to the degradation state of the spatial modulation element, the spatial modulation element is not degraded. Regardless of this, there is no waste such as changing the irradiation region, and the lifetime of the spatial modulation element can be increased efficiently.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of a scanner of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
3A is a front view showing a configuration of an exposure head constituting the scanner of FIG. 2, and FIG. 3B is a plan view of FIG.
FIG. 4 is a partially enlarged view showing a configuration of a digital micromirror device (DMD).
FIGS. 5A and 5B are explanatory diagrams of DMD operation. FIGS.
6A is a plan view showing a case where the DMD is not inclined, and FIG. 6B is a plan view showing a case where the DMD is inclined.
FIG. 7 is a perspective view showing a configuration of an exposure head and showing a DMD and a DMD guide frame.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a DMD and a DMD guide frame.
FIGS. 9A to 9C are explanatory views showing a sliding state of the DMD.
FIGS. 10A and 10B are explanatory diagrams when a light beam emission accumulation counter is used.
FIG. 11 is a perspective view showing a configuration of the exposure head and a modification of the DMD and the DMD guide frame.
FIGS. 12A to 12F are explanatory views showing a sliding state of the DMD.
FIG. 13 is a perspective view showing a DMD and a mask guide frame.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Exposure apparatus 28 Exposure head 32 Lens system (1st optical system)
42 DMD (Spatial Modulation Element)
44 Lens system (second optical system)
46 Lens system (second optical system)
60 DMD guide frame (guide means, irradiation area changing means)
62 Ball screw (sliding means, irradiation area changing means)
66 Light beam emission time accumulation counter (deterioration state measuring means)
68 Irradiation area 72 DMD guide frame (guide means, irradiation area changing means)
74 Frame (guide means, irradiation area changing means)
76 Ball screw (sliding means, irradiation area changing means)
78 Ball screw (sliding means, irradiation area changing means)
80 Mask 84 Irradiation area 86 Mask guide frame (guide means, irradiation area changing means)

Claims (6)

被描画媒体と相対移動し前記被描画媒体を露光する露光ヘッドを備え、
前記露光ヘッドに配設され、描画情報に応じて変調状態が変化する複数の画素部が基板上に2次元状に配列された空間変調素子と、
前記露光ヘッドに配設され、光源から出射された光ビームを前記空間変調素子へ照射する第1の光学系と、
前記露光ヘッドに配設され、前記空間変調素子で変調された光ビームを前記被描画媒体上に結像させる第2の光学系と、
前記空間変調素子における光ビームの照射領域を変える照射領域変更手段と、
を有することを特徴とする露光装置。
An exposure head that moves relative to the drawing medium and exposes the drawing medium;
A spatial modulation element disposed in the exposure head and having a plurality of pixel portions whose modulation states change according to drawing information arranged in a two-dimensional manner on a substrate;
A first optical system disposed in the exposure head and irradiating the spatial light modulator with a light beam emitted from a light source;
A second optical system that is disposed in the exposure head and forms an image of the light beam modulated by the spatial modulation element on the drawing medium;
Irradiation region changing means for changing the irradiation region of the light beam in the spatial modulation element;
An exposure apparatus comprising:
前記照射領域変更手段が、
前記空間変調素子の面内方向に空間変調素子をガイドするガイド手段と、
前記ガイド手段に沿って前記空間変調素子をスライドさせるスライド手段と、
で構成されたことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
The irradiation region changing means is
Guide means for guiding the spatial modulation element in an in-plane direction of the spatial modulation element;
Slide means for sliding the spatial modulation element along the guide means;
The exposure apparatus according to claim 1, comprising:
前記照射領域変更手段が、
光ビームの入射側に配置され、前記空間変調素子の照射領域を区画するマスクと、
前記空間変調素子の面内方向に前記マスクをガイドするガイド手段と、
前記ガイド手段に沿って前記マスクをスライドさせるスライド手段と、
で構成されたことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
The irradiation region changing means is
A mask disposed on the incident side of the light beam and defining an irradiation region of the spatial modulation element;
Guide means for guiding the mask in an in-plane direction of the spatial modulation element;
Slide means for sliding the mask along the guide means;
The exposure apparatus according to claim 1, comprising:
前記空間変調素子の劣化状態を測定する劣化状態測定手段を設けたことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a deterioration state measuring unit that measures a deterioration state of the spatial modulation element. 前記空間変調素子の劣化状態又は使用経過時間に応じて前記空間変調素子における光ビームの照射領域を変えることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 1, wherein an irradiation area of the light beam in the spatial modulation element is changed according to a deterioration state of the spatial modulation element or a usage elapsed time. 前記使用経過時間が、前記光源の動作時間又は前記空間変調素子が照射される時間であることを特徴とする請求項5に記載の露光装置。6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the elapsed use time is an operation time of the light source or a time during which the spatial modulation element is irradiated.
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