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JP2004038658A - Electronic equipment, backup power supply control method and device for electronic equipment, control program and storage medium - Google Patents

Electronic equipment, backup power supply control method and device for electronic equipment, control program and storage medium Download PDF

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JP2004038658A
JP2004038658A JP2002195961A JP2002195961A JP2004038658A JP 2004038658 A JP2004038658 A JP 2004038658A JP 2002195961 A JP2002195961 A JP 2002195961A JP 2002195961 A JP2002195961 A JP 2002195961A JP 2004038658 A JP2004038658 A JP 2004038658A
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memory
power supply
electronic device
backup power
temperature
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JP2002195961A
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Japanese (ja)
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Eiichiro Kaneto
金戸 英一郎
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Original Assignee
Canon Electronics Inc
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide electronic equipment capable of stabilizing a power supply, enhancing the data holding performance of a memory, and preventing the progress of a work by use of error data or the abnormal restart of the electronic equipment in ON of the power supply of an electronic equipment body, a backup power supply control method and device for the electronic equipment, a control program and a storage medium. <P>SOLUTION: This electronic equipment comprises a temperature sensor 7 for measuring the ambient environmental temperature of the electronic equipment body 1, and a power supply controller 13 for controlling the backup power supply of the memory 9 to change its voltage value in conformation to the ambient environmental temperature measured by the temperature sensor 7. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器本体の電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器及び電子機器のバックアップ電源制御方法及び装置及び制御プログラム及び記憶媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、携帯用の電子機器には、電子機器本体の電源として、ニッケル水素電池やリチウムイオン電池等のメインバッテリーを備えており、前記メインバッテリーから電子機器の電源回路を介して各回路に対して電源を、予め設定された電圧に変換して供給するようになっている。
【0003】
前記電源回路は、電子機器本体の電源がオンになった場合には、動作可能な所定の電圧の電源をメモリに対して供給するが、前記電源がオフの場合には、前記メインバッテリーの消費電力を低くするために、前記電圧を前記電源がオン時の供給電圧値よりも低く設定する場合がある。
【0004】
また、一般に電子機器には、前記メインバッテリーとは別の電源供給源としてサブバッテリーを備えている。そして、前記電子機器本体の電源がオフ時において、前記メインバッテリーの交換作業や前記メインバッテリーの残量が少なくなることにより電源供給ができなくなった場合に、前記サブバッテリーから電源供給を行うことが可能となるが、一般的に前記サブバッテリーは前記メインバッテリーよりも容量が小さく、バッテリー標準電圧値も低くなっており、そのためにメモリに対するバックアップ電源電圧値を、前記電子機器本体の電源がオン時の供給電圧値よりも低電圧に設定する場合がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
電子機器本体の電源がオフ状態で、バックアップ電源回路からメモリに対して電源が供給されている場合において、電子機器の周囲環境温度が常温或いは常温以上でメモリのデータ保持保証温度範囲内であった場合には、バックアップ電源の電圧値についても安定して供給することが可能となる。
【0006】
しかしながら、前記周囲環境温度が低温で且つメモリのデータ保持保証温度範囲内である場合には、バックアップ電源供給回路を構成するコンデンサの容量低下やダイオードの順方向電圧の上昇或いはメモリの内部抵抗値の減少に伴う漏れ電流の増加により、バックアップ電源電圧が維持できなくなり、メモリのデータ保持電圧値の保証範囲を下回ってしまうことが考えられる。
【0007】
この場合、メモリに保持されていたデータが全て消去されてしまうことが考えられる。
【0008】
また、瞬間的な電圧低下が発生した場合には、メモリ内部の一部分が破壊されることが考えられ、この場合には、電子機器本体の電源をオンした場合には、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、プログラムの一部が破壊された場合には、電子機器が正常に再起動しなくなることもあり得る。
【0009】
また、バックアップ電源が所定の電圧を維持して電源の供給を行っていたとしても、前記周囲環境温度がメモリのデータ保持保証温度範囲を超えてしまった場合においては、当然メモリ内部のデータが正常か否かの保証はされず、前述したようなメモリ内部の一部分が破壊されることが考えられる。
【0010】
この場合には、同様に電子機器本体の電源をオンした場合に、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、プログラムの一部が破壊された場合に、電子機器が正常に再起動しなくなることもあり得る。
【0011】
本発明は、上述した従来技術の有する問題点を解消するためになされたもので、その目的は、電源の安定化を図ることができると共に、メモリのデータ保持性能を高めることができ、また、電子機器本体の電源がオンされた場合に、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、電子機器が正常に再起動しなくなることを防ぐことができる電子機器及び電子機器のバックアップ電源制御方法及び装置及び制御プログラム及び記憶媒体を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の電子機器は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0013】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも2種類以上の値に設定可能な電圧値設定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0014】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を0Vに設定可能な電圧値設定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を0Vに設定するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0015】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御方法は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする。
【0016】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御方法は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも2種類以上の値に設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする。
【0017】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御方法は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を0Vに設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を0Vに設定するように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする。
【0018】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御装置は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0019】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御装置は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも2種類以上の値に設定可能な電圧値設定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0020】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御装置は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を0Vに設定可能な電圧値設定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を0Vに設定するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0021】
また、上記目的を達成するために本発明の制御プログラムは、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする。
【0022】
また、上記目的を達成するために本発明の制御プログラムは、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも2種類以上の値に設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする。
【0023】
また、上記目的を達成するために本発明の制御プログラムは、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を0Vに設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を0Vに設定するように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする。
【0024】
更に、上記目的を達成するために本発明の記憶媒体は、前記制御プログラムを格納したことを特徴とする。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施の形態を図面に基づき説明する。
【0026】
(第一実施の形態)
まず、本発明の第一実施の形態を図1乃至図5に基づき説明する。
【0027】
尚、以下の説明では、本発明の好適例として、メインメモリ及びバックアップメモリとしてSRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)を備えた電子機器及び電子機器のバックアップ電源制御方法及び装置について述べることとする。
【0028】
図1は、本実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を備えた電子機器の構成を示すブロック図である。
【0029】
図1において、1は電子機器本体で、システム部2、メインバッテリー(メイン電源)3、サブバッテリー(サブ電源)4、電源オン・オフスイッチ5、電源回路部6及び温度センサー(温度測定手段)7を有している。
【0030】
システム部2は、CPU(中央演算処理装置)8、主記憶装置(メモリ)9、表示装置10、補助記憶装置11及び入力装置12を有している。CPU8は、電子機器全体の制御を司るものである。主記憶装置9は、アプリケーションプログラムやデータを格納するものであり、本実施の形態においては、SRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)で構成されている。表示装置10は、文字等を表示するものである。補助記憶装置11は、メモリカードやハードディスク等のファイルを読み書き可能なものである。入力装置12は、キーボードやタッチパネル等によりデータを入力するものである。
【0031】
メインバッテリー3は、電子機器本体1に電源を供給するものである。サブバッテリー4は、メインバッテリー3からの電源供給が行われない場合にバックアップ用電源の供給源となるものである。電源オン・オフスイッチ5は、電子機器本体1の電源をオン・オフするものである。電源回路部6は、システム部1に対して予め設定された電源を供給するためのもので、電源コントローラ(制御手段)13を有している。この電源コントローラ13は、電子機器本体1の電源オン・オフやLow・Battery電圧検出時に電源をオフする機能を備えたワンチップマイコン等で構成されている。温度センサー7は、電子機器本体1の周囲環境温度を検出するものであり、本実施の形態では、温度に対して抵抗値が変化する感温抵抗素子であるサーミスタにより構成されている。
【0032】
図1において、14はバックアップ用電源VBBで、主に電子機器本体1の電源がオフになっている場合に、メモリ9や図示しないRTC(リアルタイムクロック)等に供給されるものであり、本実施の形態においては、電子機器本体1の電源がオフされている場合についても、メモリ9に対しては電源供給を行うものとし、メインバッテリー3及びサブバッテリー4を電源供給源とする。
【0033】
また、図1において、15はメイン電源VCCで、電子機器本体1の電源がオンされている場合にシステム部2に供給されるものである。
【0034】
尚、本実施の形態において、メモリ9にSRAMを使用することにより、電子機器本体1の電源がオフであっても、クロックやリフレッシュ信号をCPU8から供給することなく、所定の電圧を有する電源を前記SRAMに対して供給し続けることにより、該SRAMに記憶されたデータやプログラム等を保持することが可能となる。
【0035】
また、本実施の形態における前記SRAMに関しては、書き込みや読み込み等の動作時には5.0Vの電圧値を有する電源が必要であり、電子機器本体1の電源がオフ時におけるデータを保持するモードでは3.3V〜5.0Vの電圧値を有する電源の供給を必要とするメモリ9である。
【0036】
図2は、本実施の形態に係る電子機器における電源回路部6の構成を示すブロック図である。
【0037】
図2において、Q1は第一のPchのFET(電界効果トランジスタ)で、メインバッテリー3と後述するDC−DCコンバータ20との間に接続されている。Q2は第一のNPNトランジスタで、第一のPchのFETQ1を駆動するものである。Q3は第二のPchのFETで、サブバッテリー4とバックアップ用電源供給回路との間に接続されている。Q4は第二のNPNトランジスタで、第二のPchのFETQ3を駆動するものである。
【0038】
R1は第一のPchのFETQ1の駆動用抵抗、R2は第二のPchのFETQ3の駆動用抵抗、R3は後述するシャントレギュレータ24の第一の電流制限用抵抗、R4,R5は第一及び第二の分圧用抵抗で、電源コントローラ13のADコンバータに接続された後述するLow・Battery電圧値MBAT28を検出するものである。R6は第二の電流制限抵抗で、後述する第四のダイオード(電源漏れ防止用)D4に接続されたサブバッテリー4の充電電流を制限するものである。
【0039】
D1は第一のダイオード(逆流防止用)で、電子機器本体1の電源がオンの場合に動作する後述するDC−DCコンバータ20に接続されている。D2は第二のダイオード(逆流防止用)で、後述する第一のボルテージレギュレータ(REG1)21に接続されている。D3は第三のダイオード(逆流防止用)で、後述する第二のボルテージレギュレータ(REG2)22に接続されている。D4は第四のダイオード(電源漏れ防止用)で、後述する第三のボルテージレギュレータ(REG3)31と第二の電流制限抵抗R6との間に接続されている。第四のダイオードD4は、メインバッテリー3の電圧が極端に低下した場合や、電子機器本体1からメインバッテリー3が取り外された場合に、サブバッテリー4からメインバッテリー3の電源供給ラインへの電源の漏れを防ぐためのものである。D5,D6は第五及び第六のダイオード(逆流防止用)で、メインバッテリー3及びサブバッテリー4の両方からバックアップ電源回路へ電源を供給可能にするものである。
【0040】
尚、本実施の形態においては、サブバッテリー4は充電可能な二次バッテリーであり、メインバッテリー3の電圧値が一定以上ある場合には、後述する第三のボルテージレギュレータ31を経由してサブバッテリー4に対してトリクル充電を行うものとする。
【0041】
20はDC−DCコンバータで、第1のFETQ1に接続され、電子機器本体1の電源がオン時において,システム部2にメイン電源VCCを供給するものである。21は第一のボルテージレギュレータで、メインバッテリー3またはサブバッテリー4からの供給された電源電圧からメモリ9がデータの保持(バックアップ)を行うために必要な電圧値VRG1を供給するものであり、本実施の形態では、VRG1=3.3Vの電圧値に設定されているものとする。
【0042】
22は第二のボルテージレギュレータで、メインバッテリー3またはサブバッテリー4からの供給された電源電圧からメモリ9がデータの保持(バックアップ)を行うために必要な電圧値VRG2を供給するためのものであり、本実施の形態では、VRG2=5.0Vの電圧値に設定されているものとする。
【0043】
23は電圧検出器で、サブバッテリー4に接続されている。電圧検出器23は、サブバッテリー4の出力電圧を検出する。電圧検出器23は、正常電圧値以上の電圧を検出した場合には、出力信号SBINをHighレベルにして、第二のPchのFETQ3をオンにして、サブバッテリー4からの電源供給を行う。また、電圧検出器23は、正常電圧値以上の電圧が検出できない場合には、つまりサブバッテリー4が接続されていない場合や必要な電圧を出力していない場合には、出力信号SBINをLowレベルにすることにより、第二のPchのFETQ3をオフにして、サブバッテリー4からの電源供給を停止する過放電防止機能を有する。
【0044】
24はシャントレギュレータで、基準電圧値Vrefを出力するものである。25は第一の制御信号REG1_ENで、第一のボルテージレギュレータ21の電源出力のオン・オフ制御を行うための信号である。26は第二の制御信号REG2_ENで、第二のボルテージレギュレータ22の電源出力のオン・オフ制御を行うための信号である。27は制御信号PWONで、電子機器本体1の電源出力のオン・オフを制御するための信号である。電子機器本体1の電源がオンされた場合には、制御信号PWON27がHighレベルとなって第一のPchのFETQ1をオンにし、DC−DCコンバータ20に電源供給を行うことによって、システム部2に対して所定のメイン電源VCCを供給する。また、電子機器本体1の電源がオフされた場合には、制御信号PWON27がLowレベルとなって第一のPchのFETQ1をオフにし、システム部2に対する電源供給を停止させる。
【0045】
尚、REG1_EN25、REG2_EN26及びPWON27の各制御信号は、何れも電源コントローラ13が制御しているものとする。
【0046】
28は電圧MBATで、メインバッテリー3の電圧値が抵抗R4と抵抗R5とで分圧され、電源コントローラ13のA/D変換機能を有する端子に接続されている。電圧MBAT28の電圧値とシャントレギュレータ24から出力される基準電圧値Vrefからメインバッテリー3の出力電圧を検出し、該出力電圧が所定の電圧以下となっている場合には、メインバッテリー3の容量が少なくなったものとして、システム部2に対してロー(Low)バッテリー信号等を出力して、電子機器本体1の電源をオフする機能を有するものとする。
【0047】
29は基準電圧Vrefで、シャントレギュレータ24から出力されるものであり、入力電圧や電子機器の周囲環境温度に対しては非依存性の機能を持ち、常に一定の電圧を出力できる機能を有するものとする。基準電圧Vrefを電源コントローラ13のA/D変換機能におけるリファレンス電源端子に接続することにより、メインバッテリー3の電圧の分圧値である電圧MBAT28やサーミスタTH1による分圧値である後述する電圧THV30の測定精度を高めることが可能となる。
【0048】
30は電圧THVで、温度非依存性の分圧抵抗R7と、温度依存性抵抗素子であるサーミスタTH1とによって基準電圧Vrefを分圧したものである。この電圧THV30を、電源コントローラ13のA/D変換機能を有する端子に接続することにより、電圧THV30の電圧値の検出が可能となる。分圧抵抗R7と、サーミスタTH1とによって、温度センサー7が構成されている。
【0049】
31は第三のボルテージレギュレータで、メインバッテリー3に接続されており、該メインバッテリー3から所定の電圧値以上の電源供給がある場合には、サブバッテリー4に対して第四のダイオードD4と第二の電流制限抵抗R6とを用いてトリクル充電を行うものとする。
【0050】
32は電源VLNで、メインバッテリー3が供給するものである。33は第四のボルテージレギュレータ(REG4)で、メインバッテリー3及びサブバッテリー4の両方に接続されているものである。34は電源VDDで、第四のボルテージレギュレータ33から出力されるものであり、電源コントローラ13の電源として供給される。
【0051】
図3は、本実施の形態に係る電子機器における温度センサーの一部を構成するサーミスタTH1の抵抗値−温度特性を表わした図であり、同図において、縦軸は抵抗値を、横軸は温度を、それぞれ示す。
【0052】
本実施の形態に係る電子機器におけるサーミスタTH1は、負の温度係数を有するタイプであり、図3に示すように、温度が上昇すると抵抗値が減少し、温度が下降すると抵抗値が増加する特性を有する抵抗素子である。
【0053】
このサーミスタTH1と温度非依存特性の分圧抵抗R7とにより、温度検出値THVが温度に対応して変化する。この電圧値THVを電源コントローラ13のA/D変換機能を用いて数値化し、予め用意されている変換式から算出する手段や、変換テーブル値と比較する手段等を用いることにより、電子機器本体1の周囲環境温度TMPを検出することが可能となる。
【0054】
図4は、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度TMPとメモリ9に供給されるバックアップ電源VBBの電圧値の制御結果を示す図であり、同図において、縦軸はバックアップ電源VBBの電圧値を、横軸は温度を、それぞれ示す。
【0055】
本実施の形態において、SRAMのデータ保持における温度保証範囲が−20℃〜70℃となっているものとする。
【0056】
また、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度が0℃以下においては、バックアップ電源VBBの供給を行う電源回路部6において、コンデンサの容量低下やダイオードの順方向電圧の上昇等により出力電圧値の精度が落ちると共に、SRAMの内部抵抗値が下がり始めることにより漏れ電流が大きくなるため、バックアップ電源VBBの安定度が低下し、SRAMのデータ保持に必要な最低電圧の保証値である3.3Vより低くなる場合が起こり得るものとする。
【0057】
まず、周囲環境温度TMPが0℃≦TMP≦70℃の範囲では、バックアップ電源VBBを通常のデータ保持電圧として、低電圧モードであるVBB=3.3Vに設定する。
【0058】
周囲環境温度TMPが−20℃≦TMP<0℃の範囲では、バックアップ電源VBBの電圧をVBB=5.0Vに設定することにより、メモリ9のデータ保持機能の信頼性を高めることが可能となる。
【0059】
周囲環境温度TMPが、TMP<−20℃或いは70℃<TMPの範囲においては、メモリ9のメモリ保持機能の保証対象外温度であるとして、VBB=0Vに設定することにより、SRAMで構成されているメモリ9の保持している内容を全て初期化する。
【0060】
このバックアップ電源VBBの前記供給制御を実現するために、電源コントローラ13は、図5に示すフローチャートに従って処理を行う。
【0061】
図5に示すフローチャートは、電源コントローラ13が一定時間毎に実行する処理動作の流れを示したものであり、電源コントローラ13内部のタイマー割り込みを用い、割り込み発生後に本フローチャートに係る処理を行い、該処理を終了後は、割り込み処理を終了させる。
【0062】
また、電子機器本体1の電源がオンされている場合は、電源オン信号PWONをHighにしてDC−DCコンバータ20を動作させているために、メイン電源VCCが常にシステム部2に供給されると共に、メモリ9に供給しているバックアップ電源VBBについても第一のダイオード(逆流防止用)D1を通して供給されるため、常にVBB=VCCとなる。
【0063】
また、電子機器本体1の電源がオンされている場合については、タイマー割り込みは発生せず、図5に示すフローチャートに係る処理は行われないものとする。
【0064】
尚、図5に示すフローチャートに係るプログラムは、電源コントローラ13に内蔵されている記憶装置に記憶されているものとする。
【0065】
以下、図5を用いて、本実施の形態に係る電子機器の動作を説明する。
【0066】
本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度に対応したバックアップ電源VBB制御を実行するための本プログラムの処理動作が、タイマー割り込みにより開始すると、まず、ステップS501で、サーミスタTH1と分圧抵抗R7とで分圧された電圧値THVを内蔵のA/D変換入力端子より検出する。次に、ステップS502で、予め用意されている変換式から算出する手段や、変換テーブル値と比較する手段等を用いることにより、周囲環境温度TMPを検知する。
【0067】
次に、ステップS503で、周囲環境温度TMPが0℃≦TMP≦70℃の範囲であるか否かを判断する。そして、周囲環境温度TMPが0℃≦TMP≦70℃の範囲である(通常環境状態)と判断された場合はステップS506へ進み、それ以外の場合にはステップS504へ進む。
【0068】
ステップS506においては、電子機器本体1の周囲環境温度は通常環境温度であると判断されたことにより、REG1_EN信号をHigh、REG2_EN信号をLowにすることにより、バックアップ電源VBBをボルテージレギュレータ(REG1)21の出力電圧のVRG1=3.3Vに設定した後、本プログラムによる割り込み処理を終了する。
【0069】
一方、ステップS504においては、周囲環境温度TMPが−20℃≦TMP<0℃の範囲であるか否かを判断する。そして、周囲環境温度TMPが−20℃≦TMP<0℃の範囲である(低温環境状態)と判断された場合はステップS507へ進み、それ以外(保証範囲温度外)の場合にはステップS505へ進む。
【0070】
ステップS507においては、電子機器本体1の周囲環境温度は低温環境温度状態であると判断されたことにより、REG1_EN信号をLow、REG2_EN信号をHighにすることにより、バックアップ電源VBBをボルテージレギュレータ(REG2)22の出力電圧(VRG2)のVRG2=5.0Vに設定した後、本プログラムによる割り込み処理を終了する。
【0071】
一方、ステップS505においては、周囲環境温度TMPがTMP<−20℃或いは70℃<TMPの範囲であると判断されたため、メモリ9のメモリ保持機能の保証対象外温度であるとして、REG1_EN信号及びREG2_EN信号をいずれもLowにして、バックアップ電源VBB=0Vに設定することにより、メモリ9のデータ保持における温度保証範囲外になったものとして、メモリ9の保持している内容を全て初期化した後、本処理動作を終了する。
【0072】
このような図5に示すフローチャートに従ったプログラムを電源コントローラ13内の記憶装置に格納して動作させることにより、上述した本発明の電源制御方法を実施することが可能となる。
【0073】
以上のように、電子機器の周囲環境温度が通常の温度保証範囲内である場合には、バックアップ電圧値を低下させて低電圧状態でのメモリのデータ保持を行い、周囲環境温度がメモリの温度補償範囲内での低温時の場合にはバックアップ電圧値を上昇させることにより、バックアップ電源供給回路を構成するコンデンサの容量低下やダイオードの順方向電圧の上昇、或いはメモリの内部抵抗値の減少に伴う漏れ電流の増加により、バックアップ電源電圧が維持できなくなり、メモリのデータ保持電圧値の保証範囲を下回ってしまうことを防ぐことが可能となり、メモリのデータ保持性能を高めることが可能となる。
【0074】
また、周囲環境温度がメモリのデータ保持可能な温度保証値の範囲外になった場合には、当然メモリ内部のデータが正常か否かの保証はされないため、バックアップ電源を0V、つまりオフにしてメモリ内のデータを初期化することにより、電子機器本体が電源をオンされた場合に、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、電子機器が正常に再起動しなくなることを防ぐことが可能となる。
【0075】
(第二実施の形態)
次に、本発明の第二の実施の形態を、図6乃至図8に基づき説明する。
【0076】
上述した第一実施の形態において、バックアップ電源VBBの電圧値を3.3Vまたは5.0V、更には0Vにする制御については、全て電源コントローラ13が行うことになっており、且つ検出された周囲環境温度TMPが−20℃≦TMP<0℃の場合は、バックアップ電源VBBを5.0Vのみの設定にして、メモリ9に供給を行うものとした。
【0077】
これに対して、本実施の形態においては、周囲環境温度TMPが−20℃≦TMP≦70℃の場合は、周囲環境温度TMPに対応してバックアップ電源VBBの電圧値を変化させることにより、メモリ保持機能の安定度を高めると共に、バックアップ電源VBBの電圧値をなるべく低く制御することにより、バックアップ時の消費電力を抑えることを可能にしたものである。
【0078】
以下、本実施の形態について説明する。
【0079】
尚、本実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器の構成には、上述した第一実施の形態における図1と同一であるから、同図を流用して説明する。
【0080】
図6は、本実施の形態に係る電子機器における電源回路部6の構成を示すブロック図であり、同図において上述した第一実施の形態における図2と同一部分には同一符号を付してある。
【0081】
本実施の形態に係る電子機器における温度センサー7は、温度依存性抵抗素子であるサーミスタTH2と温度非依存性の分圧抵抗R10とによって基準電圧Vrefを分圧した電圧THV2を出力するものである。この電圧THV2を電源コントローラ13のA/D変換機能を有する端子に接続することにより、電圧THV2の電圧値の検出が可能となる。
【0082】
上述した第一実施の形態と同様に、サーミスタTH2をGND(グランド)側に接続しているため、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度TMPが高くなると、サーミスタTH2の抵抗値が低下するために電圧値(THV2)41は低下する。
【0083】
また、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度TMPが低くなるとサーミスタTH2の抵抗値が増加するために電圧値(THV2)41は上昇する。
【0084】
図6において、40はコンパレータ(比較回路)、Q5は第三のPchのFETで、メインバッテリー3またはサブバッテリー4からの電源供給ラインとインダクタL1との間に接続されている。R11は第三のPchのFETQ5の駆動用抵抗、L1はインダクタで、第三のPchのFETQ5と平滑コンデンサC1との間に接続されている。D7は第七のダイオードで、第三のPchのFETQ5とインダクタL1とのラインにアノード端子が接続され、且つカソード端子がGND側に接続されている。第七のダイオードD7は、第三のPchのFETQ5がオンした時にインダクタL1に電磁エネルギーを蓄積し、また、第三のPchのFETQ5がオフした時に前記電磁エネルギーをインダクタL1から放出し、負荷であるメモリ9に供給する通路を得るためのものである。
【0085】
R12及びR13は分圧抵抗で、インダクタL1の出力電圧を分圧するものである。43は電圧値FBVで、分圧抵抗R12及びR13によって分圧されたものである。C1は平滑コンデンサで、インダクタL1より出力された電源の変動を平滑化するためのものである。D8は第八のダイオードで、メイン電源VCCからの逆流を防止するものである。
【0086】
42はコントロール信号(CONT_EN)で、コンパレータ40の動作をオン・オフさせるものであり、電源コントローラ13から出力され、CONT_EN=Highの場合は、コンパレータ40をオンにしてバックアップ電源VBBへの電源供給を行い、CONT_EN=Lowの場合は、コンパレータ40をオフにしてバックアップ電源VBBへの電源供給を停止する。
【0087】
コンパレータ40は、分圧された電圧FBVを(+)端子へ、サーミスタTH2より出力された電圧(THV2)41を(―)端子へ、それぞれ接続することにより、分圧電圧(FBV)43がサーミスタ電圧(THV2)41よりも高くなるとコンパレータ40の出力はHighレベルになり、第三のPchのFETQ5がオフになる。また、分圧電圧(FBV)43が電圧(THV2)41よりも低くなるとコンパレータ40の出力はLowレベルになり、第三のPchのFETQ5がオンになる。
【0088】
このような一連の動作を繰り返すことにより、供給電源を所望の電圧値に設定することが可能になる。
【0089】
尚、本実施の形態においては、サーミスタTH2の出力電圧(THV2)41が本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度によって変化するために、メモリ9に供給するバックアップ電源VBBの電圧値を周囲環境温度TMPに合わせて変化させることが可能となる。
【0090】
図7は、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度TMPとメモリ9に供給されるバックアップ電源VBBの電圧値の制御結果を示す図であり、同図において、縦軸はバックアップ電源VBBの電圧値を、横軸は温度を、それぞれ示す。
【0091】
本実施の形態においても、上述した第一実施の形態と同様に、SRAMのデータ保持における温度保証範囲が−20℃〜70℃になっているものとする。
【0092】
更に、上述の第一実施の形態と同様に、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度が0℃以下においては、バックアップ電源VBBの供給を行う電源回路部において、コンデンサの容量低下やダイオードの順方向電圧の上昇等により、出力電圧値の精度が落ちると共に、SRAMの内部抵抗値が下がり始めるために漏れ電流が大きくなり、バックアップ電源VBBの安定度が低下するため、SRAMのデータ保持に必要な最低電圧の保証値である3.3Vより低くなる場合が起こり得るものとする。
【0093】
まず、周囲環境温度TMPが−20℃≦TMP≦70℃の範囲では、コンパレータ40の比較結果により設定された電圧値の電源をデータ保持電圧としてバックアップ電源VBBへの電源供給を行う。
【0094】
尚、本実施の形態において、バックアップ電源VBBの電圧値が図7の特性を示すように、サーミスタTH2と非温度依存性の分圧抵抗R10の抵抗値とを、それぞれ設定する。
【0095】
この図7に示す出力電圧値特性を備えることにより、周囲環境温度TMPが0℃≦TMP≦70℃の範囲では、バックアップ電源VBBが約3.3Vを維持することで、消費電力を抑えることができる。
【0096】
しかし、周囲環境温度TMPが−20℃≦TMP<0℃の場合においては、前述のサーミスタTH2の特性と非温度依存性の分圧抵抗R10の抵抗値の設定により、温度が低下するに従ってバックアップ電源VBBの電圧値も上昇し、最終的に周囲環境温度TMPが−20℃の場合はVBB=5.0Vの電圧値となることにより、低温時でのバックアップ電源VBBの安定化を図ることが可能となる。
【0097】
また、周囲環境温度TMPが、TMP<−20℃或いは70℃<TMPの範囲においては、メモリ9のメモリ保持機能の保証対象外温度であるとして、VBB=0Vに設定することにより、メモリ9のデータ保持における温度保証範囲外になったものとして、メモリ9の保持している内容を全て初期化する。
【0098】
このバックアップ電源VBBの前記供給制御を実現するために、電源コントローラ13は、図8に示すフローチャートに従って処理を行う。
【0099】
図8に示すフローチャートは、上述した第一実施の形態と同様に、電源コントローラ13が一定時間毎に実行する処理動作の流れを示したものであり、電源コントローラ13の内部のタイマー割り込みを用い、割り込み発生後に、本フローチャートに係る処理を行い、該処理を終了後は、割り込み処理を終了させる。
【0100】
また、電子機器本体1の電源がオンされている場合は、電源オン信号PWON27をHighにしてDC−DCコンバータ20を動作させているために、メイン電源VCCが常にシステム部2に供給されると共に、メモリ9に供給しているバックアップ電源VBBについても、第一のダイオード(逆流防止用)D1を通して供給されるため、常にVBB=VCCとなる。
【0101】
また、電子機器本体1の電源がオンされている場合については、タイマー割り込みは発生せず、図8に示すフローチャートに係る処理は行われないものとする。
【0102】
尚、図8に示すフローチャートに係るプログラムは、電源コントローラ13に内蔵されている記憶装置に記憶されているものとする。
【0103】
以下、本実施の形態に係る電子機器の動作を、図8に基づき説明する。
【0104】
本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度に対応したバックアップ電源VBB制御を実行するための本プログラムの処理動作がタイマー割り込みにより開始すると、まず、ステップS801でサーミスタTH2と分圧抵抗R10とで分圧された電圧値THV2を内蔵のA/D変換入力端子より検出する。次に、ステップS802で予め用意されている変換式から算出する手段や、変換テーブル値と比較する手段等を用いることにより、周囲環境温度TMPを検知する。
【0105】
次に、ステップS803で周囲環境温度TMPが−20℃≦TMP≦70℃の範囲であるか否かを判断する。そして、周囲環境温度TMPが−20℃≦TMP≦70℃の範囲(データ保持状態)であると判断された場合はステップS805へ進み、それ以外の場合にはステップS804へ進む。
【0106】
ステップS805においては、電子機器本体1の周囲環境温度は通常環境温度であると判断されたため、CONT_EN信号をHighにすることにより、バックアップ電源VBBの供給を行った後、本プログラムによる割り込み処理を終了する。
【0107】
尚、供給されるバックアップ電源VBBの電圧値に関しては、上述したコンパレータ40での比較結果に基づいた、周囲環境温度に対応した電圧値が出力される。
【0108】
一方、ステップS804においては、周囲環境温度TMPがTMP<−20℃或いは70℃<TMPの範囲であると判断されたため、メモリ9のメモリ保持機能の保証対象外温度であるとして、CONT_EN信号をLowにすることによりバックアップ電源VBB=0Vに設定し、メモリ9のデータ保持における温度保証範囲外になったものとして、メモリ9の保持している内容を全て初期化した後、本プログラムによる割り込み処理を終了する。
【0109】
このような図8に示すフローチャートに従ったプログラムを電源コントローラ13内の記憶装置に格納して動作させることにより、上述した本発明のバックアップ電源制御方法を実行することが可能となる。
【0110】
(その他の実施の形態)
上述した第一及び第二実施の形態における各機能を実現するフローチャートを基にしたソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、システムまたは装置に供給し、そのシステムまたは装置の電源コントローラが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても、本発明の目的が達成されることは云うまでもない。
【0111】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が本発明の新規な機能を実現することになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
【0112】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、前記補助記憶装置に設置される記憶媒体、例えば、ハードディスク、フロッピー(登録商標)ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM等を用いることができる。
【0113】
また、通信インターフェースを設け、通信ネットワークを介してサーバコンピュータからプログラムコードが供給されるようにしても良い。
【0114】
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した各実施の形態における各機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOS(オペレーティングシステム)等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態における各機能が実現される場合も含まれることは云うまでもない。
【0115】
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態における各機能が実現される場合も含まれることは云うまでもない。
【0116】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電源の安定化を図ることができると共に、メモリのデータ保持性能を高めることができ、また、電子機器本体の電源がオンされた場合に、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、電子機器が正常に再起動しなくなることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の第一実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電源回路部の構成を示すブロック図である。
【図3】本発明の第一実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器におけるサーミスタの抵抗値―温度特性を示す図である。
【図4】本発明の第一実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電子機器の周囲環境温度TMPとメモリに供給されるバックアップ電源VBBの電圧値の制御結果の一例を示す図である。
【図5】本発明の第一実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電源コントローラの動作の流れを示すフローチャートである。
【図6】本発明の第二実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電源回路部の構成を示す図である。
【図7】本発明の第二実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電子機器の周囲環境温度TMPとメモリに供給されるバックアップ電源VBBの電圧値の制御結果の一例を示す図である。
【図8】本発明の第二実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電源コントローラの動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1  電子機器本体
2  システム部
3  メインバッテリー
4  サブバッテリー
5  電源オン・オフスイッチ
6  電源回路部
7  温度センサー(温度測定手段)
8  CPU
9  主記憶装置
10 表示装置
11 補助記憶装置
12 入力装置
13 電源コントローラ(制御手段)
14 バックアップ用電源VBB
15 メイン電源VCC
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electronic apparatus having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power of the electronic apparatus body is off, a method and apparatus for controlling a backup power supply of the electronic apparatus, a control program, and storage. Media related.
[0002]
[Prior art]
Generally, a portable electronic device is provided with a main battery such as a nickel-metal hydride battery or a lithium ion battery as a power source of the electronic device main body, and the main battery is connected to each circuit via a power supply circuit of the electronic device. The power is converted into a preset voltage and supplied.
[0003]
The power supply circuit supplies an operable power of a predetermined voltage to the memory when the power of the electronic device main body is turned on, but consumes the main battery when the power is off. In order to reduce power, the voltage may be set lower than a supply voltage value when the power supply is turned on.
[0004]
In general, an electronic device includes a sub-battery as a power supply source different from the main battery. Then, when the power supply of the electronic device main body is turned off and the power supply cannot be performed due to the replacement work of the main battery or the remaining amount of the main battery decreases, the power supply may be performed from the sub-battery. In general, the sub-battery has a smaller capacity and a lower battery standard voltage value than the main battery, so that a backup power supply voltage value for the memory is set when the power of the electronic device main body is turned on. May be set to a lower voltage than the supply voltage value.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
When the power of the electronic device body is off and power is supplied to the memory from the backup power supply circuit, the ambient environment temperature of the electronic device is room temperature or higher than normal temperature and is within the memory data retention guaranteed temperature range. In this case, it is possible to stably supply the voltage value of the backup power supply.
[0006]
However, when the ambient temperature is low and within the temperature range for guaranteeing the data retention of the memory, the capacity of the capacitor constituting the backup power supply circuit decreases, the forward voltage of the diode increases, or the internal resistance value of the memory decreases. It is conceivable that the backup power supply voltage cannot be maintained due to the increase in leakage current accompanying the decrease, and the data retention voltage value of the memory falls below the guaranteed range.
[0007]
In this case, all the data held in the memory may be erased.
[0008]
In addition, when an instantaneous voltage drop occurs, it is conceivable that a part of the inside of the memory is destroyed. In this case, when the power of the electronic device body is turned on, incorrect data is used. If the work is advanced or if a part of the program is destroyed, the electronic device may not be able to restart normally.
[0009]
Even if the backup power supply supplies power while maintaining a predetermined voltage, if the ambient environment temperature exceeds the guaranteed data retention temperature range of the memory, the data in the memory naturally becomes normal. However, there is no guarantee that this is the case, and it is conceivable that a portion of the inside of the memory as described above is destroyed.
[0010]
In this case, if the power of the electronic device itself is turned on in the same way, the work may proceed with incorrect data, or if part of the program is destroyed, the electronic device will restart normally It may not be.
[0011]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems of the related art, and has an object to stabilize a power supply and to improve data retention performance of a memory. When the power of the electronic device is turned on, the electronic device and the backup power supply control for the electronic device can prevent the work from being performed using incorrect data and preventing the electronic device from being restarted normally. It is to provide a method and an apparatus, a control program and a storage medium.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an electronic apparatus according to the present invention includes an electronic apparatus having a function of supplying backup power to a memory even when the power is off and holding data in the memory. And a control means for controlling so as to change the voltage value of the backup power supply of the memory in accordance with the ambient temperature measured by the temperature measuring means.
[0013]
According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus having a function of supplying backup power to a memory and holding data in the memory even when the power is off. A temperature measuring means for measuring an environmental temperature; a voltage value setting means capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to at least two types of values; and a temperature corresponding to an ambient environmental temperature measured by the temperature measuring means. Control means for controlling the backup power supply to change to a preset voltage value.
[0014]
According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus having a function of supplying backup power to a memory and holding data in the memory even when the power is off. Temperature measuring means for measuring an environmental temperature; voltage value setting means capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to 0 V; and 0 V corresponding to the ambient environment temperature measured by the temperature measuring means. And control means for controlling so as to be set to.
[0015]
According to another aspect of the present invention, there is provided a backup power supply control method for an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off. In the control method, a temperature measurement step of measuring an ambient environment temperature of the electronic device main body, and control for controlling to change a voltage value of a backup power supply of the memory in accordance with the ambient environment temperature measured in the temperature measurement step. And a step.
[0016]
According to another aspect of the present invention, there is provided a backup power supply control method for an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off. In the control method, a temperature measuring step of measuring a surrounding environment temperature of the electronic device main body by a temperature measuring means; a voltage value setting step of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to at least two or more types of values; A control step of controlling the backup power supply to change to a preset voltage value in accordance with the ambient environment temperature measured in the measurement step.
[0017]
According to another aspect of the present invention, there is provided a backup power supply control method for an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off. In the control method, the temperature is measured by a temperature measurement step of measuring an ambient temperature of the electronic device body by a temperature measurement unit, a voltage value setting step of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to 0 V, and the temperature measurement step. And controlling the backup power supply to be set to 0 V in accordance with the ambient environment temperature.
[0018]
In order to achieve the above object, a backup power supply control device for an electronic device according to the present invention includes a backup power supply for an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off. In the control device, a temperature measurement unit that measures an ambient environment temperature of the electronic device main body, and control that controls to change a voltage value of a backup power supply of the memory in accordance with the ambient environment temperature measured by the temperature measurement unit. Means.
[0019]
In order to achieve the above object, a backup power supply control device for an electronic device according to the present invention includes a backup power supply for an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off. In the control device, a temperature measuring means for measuring an ambient environment temperature of the electronic device main body, a voltage value setting means capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to at least two kinds of values, and a measurement by the temperature measuring means Control means for controlling the backup power supply to change to a preset voltage value in accordance with the set ambient environment temperature.
[0020]
In order to achieve the above object, a backup power supply control device for an electronic device according to the present invention includes a backup power supply for an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off. In the control device, a temperature measuring means for measuring an ambient environmental temperature of the electronic device main body, a voltage value setting means capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to 0 V, and an ambient environmental temperature measured by the temperature measuring means And control means for controlling the backup power supply to be set to 0 V in response to the above.
[0021]
Further, in order to achieve the above object, a control program of the present invention controls a backup power supply control device of an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off. In a computer-readable control program, a temperature measuring step of measuring an ambient temperature of the electronic device main body, and changing a voltage value of a backup power supply of the memory according to the ambient temperature measured by the temperature measuring step. And a control step for causing the computer to execute the control step.
[0022]
Further, in order to achieve the above object, a control program of the present invention controls a backup power supply control device of an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off. In a computer-readable control program, a temperature measuring step of measuring an ambient temperature of the electronic device by a temperature measuring means, and a voltage value setting step of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to at least two or more values. And a control step of causing a computer to execute a control step of changing the backup power supply to a preset voltage value in accordance with the ambient environment temperature measured by the temperature measurement step. Features.
[0023]
Further, in order to achieve the above object, a control program of the present invention controls a backup power supply control device of an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off. A computer-readable control program for measuring a temperature of an ambient environment of the electronic device main body by a temperature measuring means; a voltage value setting step of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to 0 V; And a control step of controlling the backup power supply to be set to 0 V in accordance with the ambient environment temperature measured by the step.
[0024]
Further, in order to achieve the above object, a storage medium of the present invention stores the control program.
[0025]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0026]
(First embodiment)
First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0027]
In the following description, as a preferred example of the present invention, an electronic device including an SRAM (static random access memory) as a main memory and a backup memory, and a backup power supply control method and apparatus for the electronic device will be described.
[0028]
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an electronic device including the backup power supply control device according to the present embodiment.
[0029]
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an electronic device main body, a system unit 2, a main battery (main power supply) 3, a sub-battery (sub power supply) 4, a power on / off switch 5, a power supply circuit unit 6, and a temperature sensor (temperature measuring means). 7.
[0030]
The system unit 2 has a CPU (central processing unit) 8, a main storage device (memory) 9, a display device 10, an auxiliary storage device 11, and an input device 12. The CPU 8 controls the entire electronic device. The main storage device 9 stores application programs and data, and in the present embodiment, is constituted by an SRAM (static random access memory). The display device 10 displays characters and the like. The auxiliary storage device 11 can read and write files such as a memory card and a hard disk. The input device 12 inputs data using a keyboard, a touch panel, or the like.
[0031]
The main battery 3 supplies power to the electronic device body 1. The sub-battery 4 serves as a backup power supply when power is not supplied from the main battery 3. The power on / off switch 5 is for turning on / off the power of the electronic device body 1. The power supply circuit section 6 is for supplying a preset power supply to the system section 1, and has a power supply controller (control means) 13. The power controller 13 is configured by a one-chip microcomputer or the like having a function of turning off the power when the power of the electronic device main body 1 is turned on / off or a Low Battery voltage is detected. The temperature sensor 7 detects the ambient temperature of the electronic device body 1, and in the present embodiment, is constituted by a thermistor, which is a temperature-sensitive resistance element whose resistance changes with respect to temperature.
[0032]
In FIG. 1, reference numeral 14 denotes a backup power supply VBB, which is mainly supplied to the memory 9 and an unshown RTC (real-time clock) when the power of the electronic device body 1 is turned off. In the embodiment, even when the power of the electronic device body 1 is turned off, the power is supplied to the memory 9 and the main battery 3 and the sub-battery 4 are used as the power supply sources.
[0033]
In FIG. 1, reference numeral 15 denotes a main power supply VCC, which is supplied to the system unit 2 when the power of the electronic device main body 1 is turned on.
[0034]
In the present embodiment, by using an SRAM as the memory 9, even if the power of the electronic device main body 1 is off, a power supply having a predetermined voltage can be supplied without supplying a clock or a refresh signal from the CPU 8. By continuing to supply the data to the SRAM, data, programs, and the like stored in the SRAM can be held.
[0035]
In addition, the SRAM according to the present embodiment requires a power supply having a voltage value of 5.0 V during operations such as writing and reading, and 3 in the mode for holding data when the power of the electronic device body 1 is off. The memory 9 requires a power supply having a voltage value of 0.3 V to 5.0 V.
[0036]
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of power supply circuit unit 6 in the electronic device according to the present embodiment.
[0037]
In FIG. 2, Q1 is a first Pch FET (field effect transistor), which is connected between the main battery 3 and a DC-DC converter 20 described later. Q2 is a first NPN transistor for driving the first Pch FET Q1. Q3 is a second Pch FET, which is connected between the sub-battery 4 and the backup power supply circuit. Q4 is a second NPN transistor for driving the second Pch FET Q3.
[0038]
R1 is a driving resistance of the first Pch FET Q1, R2 is a driving resistance of the second Pch FET Q3, R3 is a first current limiting resistance of a shunt regulator 24 described later, and R4 and R5 are first and second resistances. The second voltage dividing resistor detects a low battery voltage value MBAT28, which will be described later, connected to the AD converter of the power supply controller 13. R6 is a second current limiting resistor that limits the charging current of the sub-battery 4 connected to a fourth diode (for preventing power leakage) D4 described later.
[0039]
D1 is a first diode (for preventing backflow), which is connected to a DC-DC converter 20 described later that operates when the power of the electronic device main body 1 is on. D2 is a second diode (for preventing backflow), which is connected to a first voltage regulator (REG1) 21 described later. D3 is a third diode (for preventing backflow), which is connected to a second voltage regulator (REG2) 22 described later. D4 is a fourth diode (for preventing power leakage), which is connected between a third voltage regulator (REG3) 31 described later and a second current limiting resistor R6. The fourth diode D4 serves to supply power from the sub-battery 4 to the power supply line of the main battery 3 when the voltage of the main battery 3 drops extremely or when the main battery 3 is removed from the electronic device body 1. This is to prevent leakage. D5 and D6 are fifth and sixth diodes (for preventing backflow), which enable power to be supplied from both the main battery 3 and the sub-battery 4 to the backup power supply circuit.
[0040]
In the present embodiment, the sub-battery 4 is a rechargeable secondary battery, and when the voltage value of the main battery 3 is equal to or more than a certain value, the sub-battery 4 4 is to be trickle charged.
[0041]
Reference numeral 20 denotes a DC-DC converter, which is connected to the first FET Q1 and supplies the main power VCC to the system unit 2 when the power of the electronic device body 1 is turned on. Reference numeral 21 denotes a first voltage regulator, which supplies a voltage value VRG1 necessary for the memory 9 to hold (back up) data from the power supply voltage supplied from the main battery 3 or the sub-battery 4. In the embodiment, it is assumed that VRG1 is set to a voltage value of 3.3V.
[0042]
Reference numeral 22 denotes a second voltage regulator for supplying a voltage value VRG2 necessary for the memory 9 to hold (back up) data from the power supply voltage supplied from the main battery 3 or the sub-battery 4. In this embodiment, it is assumed that VRG2 is set to a voltage value of 5.0V.
[0043]
A voltage detector 23 is connected to the sub-battery 4. Voltage detector 23 detects an output voltage of sub-battery 4. When detecting a voltage equal to or higher than the normal voltage value, the voltage detector 23 sets the output signal SBIN to a high level, turns on the second Pch FET Q3, and supplies power from the sub-battery 4. When the voltage detector 23 cannot detect a voltage equal to or higher than the normal voltage value, that is, when the sub-battery 4 is not connected or does not output a necessary voltage, the output signal SBIN is set to a low level. Thus, the second Pch FET Q3 is turned off, and the power supply from the sub-battery 4 is stopped.
[0044]
A shunt regulator 24 outputs a reference voltage value Vref. Reference numeral 25 denotes a first control signal REG1_EN, which is a signal for performing on / off control of the power output of the first voltage regulator 21. Reference numeral 26 denotes a second control signal REG2_EN, which is a signal for performing on / off control of the power supply output of the second voltage regulator 22. Reference numeral 27 denotes a control signal PWON, which is a signal for controlling on / off of a power output of the electronic device main body 1. When the power of the electronic device main body 1 is turned on, the control signal PWON27 becomes High level to turn on the first Pch FET Q1 and supply power to the DC-DC converter 20. A predetermined main power supply VCC is supplied thereto. Further, when the power of the electronic device main body 1 is turned off, the control signal PWON27 goes low, turning off the first Pch FET Q1 and stopping the power supply to the system unit 2.
[0045]
The control signals REG1_EN25, REG2_EN26, and PWON27 are all controlled by the power supply controller 13.
[0046]
Reference numeral 28 denotes a voltage MBAT. The voltage value of the main battery 3 is divided by the resistors R4 and R5, and is connected to a terminal of the power supply controller 13 having an A / D conversion function. The output voltage of the main battery 3 is detected from the voltage value of the voltage MBAT28 and the reference voltage value Vref output from the shunt regulator 24. If the output voltage is equal to or lower than a predetermined voltage, the capacity of the main battery 3 is reduced. It is assumed that the electronic apparatus main body 1 has a function of outputting a low battery signal or the like to the system unit 2 to turn off the power of the electronic apparatus body 1.
[0047]
Reference numeral 29 denotes a reference voltage Vref, which is output from the shunt regulator 24 and has a function independent of an input voltage or an ambient temperature of an electronic device and has a function of constantly outputting a constant voltage. And By connecting the reference voltage Vref to a reference power supply terminal in the A / D conversion function of the power supply controller 13, the voltage MBAT 28 which is a divided value of the voltage of the main battery 3 and the voltage THV 30 which will be described later, which is a divided value of the thermistor TH 1. Measurement accuracy can be improved.
[0048]
Reference numeral 30 denotes a voltage THV obtained by dividing the reference voltage Vref by a temperature-independent voltage-dividing resistor R7 and a thermistor TH1 which is a temperature-dependent resistance element. By connecting the voltage THV30 to a terminal having an A / D conversion function of the power supply controller 13, the voltage value of the voltage THV30 can be detected. The temperature sensor 7 is constituted by the voltage dividing resistor R7 and the thermistor TH1.
[0049]
Reference numeral 31 denotes a third voltage regulator, which is connected to the main battery 3 and, when power is supplied from the main battery 3 to a predetermined voltage value or higher, a fourth diode D4 and a fourth diode D4 are connected to the sub-battery 4. Trickle charging is performed using the second current limiting resistor R6.
[0050]
Reference numeral 32 denotes a power supply VLN supplied by the main battery 3. Reference numeral 33 denotes a fourth voltage regulator (REG4), which is connected to both the main battery 3 and the sub-battery 4. Reference numeral 34 denotes a power supply VDD, which is output from the fourth voltage regulator 33 and is supplied as power to the power supply controller 13.
[0051]
FIG. 3 is a diagram illustrating a resistance-temperature characteristic of the thermistor TH1 forming a part of the temperature sensor in the electronic device according to the present embodiment. In FIG. 3, the vertical axis represents the resistance value, and the horizontal axis represents the resistance value. The temperatures are indicated respectively.
[0052]
The thermistor TH1 in the electronic device according to the present embodiment is of a type having a negative temperature coefficient. As shown in FIG. 3, the resistance decreases as the temperature rises and increases as the temperature falls. Is a resistance element.
[0053]
With the thermistor TH1 and the voltage dividing resistor R7 having a temperature-independent characteristic, the temperature detection value THV changes in accordance with the temperature. The voltage value THV is converted into a numerical value using the A / D conversion function of the power supply controller 13, and a means for calculating from a conversion formula prepared in advance or a means for comparing with a conversion table value is used. Can be detected.
[0054]
FIG. 4 is a diagram showing a control result of the ambient temperature TMP of the electronic device according to the present embodiment and the voltage value of the backup power supply VBB supplied to the memory 9, wherein the vertical axis indicates the backup power supply VBB. The voltage value and the horizontal axis indicate the temperature, respectively.
[0055]
In the present embodiment, it is assumed that the temperature guarantee range in the data retention of the SRAM is −20 ° C. to 70 ° C.
[0056]
Further, when the ambient temperature of the electronic device according to the present embodiment is 0 ° C. or less, the output voltage of the power supply circuit unit 6 that supplies the backup power supply VBB is reduced due to a decrease in the capacitance of the capacitor or an increase in the forward voltage of the diode. As the accuracy of the value decreases and the internal resistance value of the SRAM starts to decrease, the leakage current increases, so that the stability of the backup power supply VBB decreases and the minimum voltage required for holding the data of the SRAM is guaranteed. It is assumed that a case where the voltage is lower than 3 V may occur.
[0057]
First, when the ambient environment temperature TMP is in a range of 0 ° C. ≦ TMP ≦ 70 ° C., the backup power supply VBB is set as a normal data holding voltage and VBB = 3.3 V in the low voltage mode is set.
[0058]
When the ambient temperature TMP is in the range of −20 ° C. ≦ TMP <0 ° C., the reliability of the data holding function of the memory 9 can be improved by setting the voltage of the backup power supply VBB to VBB = 5.0 V. .
[0059]
When the ambient temperature TMP is in the range of TMP <−20 ° C. or 70 ° C. <TMP, it is determined that the temperature is not guaranteed for the memory holding function of the memory 9 and VBB = 0 V is set, thereby configuring the SRAM. All the contents held in the memory 9 are initialized.
[0060]
In order to realize the supply control of the backup power supply VBB, the power supply controller 13 performs processing according to a flowchart shown in FIG.
[0061]
The flow chart shown in FIG. 5 shows the flow of the processing operation executed by the power supply controller 13 at regular time intervals. Using the timer interrupt inside the power supply controller 13, the processing according to this flow chart is performed after the occurrence of the interruption. After the processing is completed, the interrupt processing is completed.
[0062]
Further, when the power of the electronic device body 1 is turned on, the main power VCC is always supplied to the system unit 2 because the DC-DC converter 20 is operated by setting the power-on signal PWON to High. Since the backup power supply VBB supplied to the memory 9 is also supplied through the first diode (for backflow prevention) D1, VBB = VCC always holds.
[0063]
Also, when the power of the electronic device main body 1 is turned on, no timer interrupt occurs, and the processing according to the flowchart shown in FIG. 5 is not performed.
[0064]
Note that the program according to the flowchart shown in FIG. 5 is stored in a storage device built in the power supply controller 13.
[0065]
Hereinafter, the operation of the electronic device according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
[0066]
When the processing operation of this program for executing the backup power supply VBB control corresponding to the ambient environmental temperature of the electronic device according to the present embodiment is started by a timer interrupt, first, in step S501, the thermistor TH1 and the voltage dividing resistor R7 are started. Are detected from the built-in A / D conversion input terminal. Next, in step S502, the ambient environment temperature TMP is detected by using a means for calculating from a conversion formula prepared in advance, a means for comparing with a conversion table value, and the like.
[0067]
Next, in step S503, it is determined whether the ambient temperature TMP is in the range of 0 ° C. ≦ TMP ≦ 70 ° C. If it is determined that the ambient environment temperature TMP is in the range of 0 ° C. ≦ TMP ≦ 70 ° C. (normal environment state), the process proceeds to step S506; otherwise, the process proceeds to step S504.
[0068]
In step S506, since the ambient environment temperature of the electronic device body 1 is determined to be the normal environment temperature, the REG1_EN signal is set to High and the REG2_EN signal is set to Low, so that the backup power supply VBB is changed to the voltage regulator (REG1) 21. After the output voltage VRG1 is set to 3.3 V, the interrupt processing by this program is terminated.
[0069]
On the other hand, in step S504, it is determined whether the ambient temperature TMP is in the range of −20 ° C. ≦ TMP <0 ° C. If it is determined that the ambient temperature TMP is in the range of −20 ° C. ≦ TMP <0 ° C. (low-temperature environment state), the process proceeds to step S507; otherwise (out of the guaranteed range temperature), the process proceeds to step S505. move on.
[0070]
In step S507, since it is determined that the ambient environment temperature of the electronic device main body 1 is in the low temperature environment state, the REG1_EN signal is set to Low and the REG2_EN signal is set to High, so that the backup power supply VBB is set to the voltage regulator (REG2). After setting VRG2 of the output voltage (VRG2) of VRG2 to 5.0 V, the interrupt processing by this program ends.
[0071]
On the other hand, in step S505, since it is determined that the ambient environment temperature TMP is in the range of TMP <−20 ° C. or 70 ° C. <TMP, the REG1_EN signal and the REG2_EN By setting all the signals to Low and setting the backup power supply VBB to 0 V, it is determined that the temperature is out of the temperature guarantee range in the data holding of the memory 9, and after all the contents held in the memory 9 are initialized, This processing operation ends.
[0072]
By storing such a program according to the flowchart shown in FIG. 5 in a storage device in the power supply controller 13 and operating the same, the above-described power supply control method of the present invention can be implemented.
[0073]
As described above, when the ambient temperature of the electronic device is within the normal temperature guarantee range, the backup voltage value is reduced to hold data in the memory in a low voltage state, and the ambient temperature is set to the temperature of the memory. In the case of a low temperature within the compensation range, the backup voltage value is increased to reduce the capacitance of the capacitor constituting the backup power supply circuit, increase the forward voltage of the diode, or decrease the internal resistance value of the memory. Due to the increase in the leakage current, the backup power supply voltage cannot be maintained, it is possible to prevent the data retention voltage value of the memory from falling below the guaranteed range, and the data retention performance of the memory can be improved.
[0074]
Also, if the ambient environment temperature is out of the range of the temperature guarantee value at which data can be held in the memory, it is not guaranteed that the data inside the memory is normal. By initializing the data in the memory, when the power of the electronic device is turned on, it is possible to prevent work from being performed using incorrect data or prevent the electronic device from restarting normally. Becomes possible.
[0075]
(Second embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0076]
In the first embodiment described above, the control to set the voltage value of the backup power supply VBB to 3.3 V or 5.0 V, and further to 0 V is performed by the power supply controller 13, and the detected surroundings are controlled. When the ambient temperature TMP is −20 ° C. ≦ TMP <0 ° C., the backup power supply VBB is set to only 5.0 V, and power is supplied to the memory 9.
[0077]
On the other hand, in the present embodiment, when the ambient environment temperature TMP is −20 ° C. ≦ TMP ≦ 70 ° C., the memory value is changed by changing the voltage value of the backup power supply VBB corresponding to the ambient environment temperature TMP. By increasing the stability of the holding function and controlling the voltage value of the backup power supply VBB as low as possible, it is possible to suppress power consumption during backup.
[0078]
Hereinafter, the present embodiment will be described.
[0079]
Note that the configuration of the electronic device having the backup power supply control device according to the present embodiment is the same as that of FIG. 1 in the above-described first embodiment, and will be described with reference to FIG.
[0080]
FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the power supply circuit unit 6 in the electronic device according to the present embodiment. In FIG. 6, the same parts as those in FIG. is there.
[0081]
The temperature sensor 7 in the electronic device according to the present embodiment outputs a voltage THV2 obtained by dividing the reference voltage Vref by a thermistor TH2, which is a temperature-dependent resistance element, and a temperature-independent voltage-dividing resistor R10. . By connecting this voltage THV2 to a terminal having an A / D conversion function of the power supply controller 13, the voltage value of the voltage THV2 can be detected.
[0082]
As in the first embodiment described above, the thermistor TH2 is connected to the GND (ground) side. Therefore, when the ambient temperature TMP of the electronic device according to the present embodiment increases, the resistance of the thermistor TH2 decreases. The voltage value (THV2) 41 decreases.
[0083]
Further, when the ambient temperature TMP of the electronic device according to the present embodiment decreases, the voltage value (THV2) 41 increases because the resistance value of the thermistor TH2 increases.
[0084]
6, reference numeral 40 denotes a comparator (comparison circuit), and Q5 denotes a third Pch FET, which is connected between the power supply line from the main battery 3 or the sub-battery 4 and the inductor L1. R11 is a driving resistance of the third Pch FET Q5, and L1 is an inductor, which is connected between the third Pch FET Q5 and the smoothing capacitor C1. D7 is a seventh diode. The anode terminal is connected to the line of the third Pch FET Q5 and the inductor L1, and the cathode terminal is connected to the GND side. The seventh diode D7 stores electromagnetic energy in the inductor L1 when the third Pch FET Q5 is turned on, and releases the electromagnetic energy from the inductor L1 when the third Pch FET Q5 is turned off. This is for obtaining a path to be supplied to a certain memory 9.
[0085]
R12 and R13 are voltage dividing resistors that divide the output voltage of the inductor L1. 43 is a voltage value FBV, which is divided by the voltage dividing resistors R12 and R13. C1 is a smoothing capacitor for smoothing fluctuations in the power output from the inductor L1. D8 is an eighth diode for preventing backflow from the main power supply VCC.
[0086]
Reference numeral 42 denotes a control signal (CONT_EN) for turning on / off the operation of the comparator 40. The control signal 42 is output from the power supply controller 13. When CONT_EN = High, the comparator 40 is turned on to supply power to the backup power supply VBB. If CONT_EN = Low, the comparator 40 is turned off to stop supplying power to the backup power supply VBB.
[0087]
The comparator 40 connects the divided voltage FBV to the (+) terminal and the voltage (THV2) 41 output from the thermistor TH2 to the (−) terminal, thereby connecting the divided voltage (FBV) 43 to the thermistor. When the voltage becomes higher than the voltage (THV2) 41, the output of the comparator 40 becomes High level, and the third Pch FET Q5 is turned off. When the divided voltage (FBV) 43 becomes lower than the voltage (THV2) 41, the output of the comparator 40 becomes Low level, and the third Pch FET Q5 is turned on.
[0088]
By repeating such a series of operations, the power supply can be set to a desired voltage value.
[0089]
In the present embodiment, since the output voltage (THV2) 41 of the thermistor TH2 changes depending on the ambient temperature of the electronic device according to the present embodiment, the voltage value of the backup power supply VBB supplied to the memory 9 is changed to the surrounding value. It can be changed according to the environmental temperature TMP.
[0090]
FIG. 7 is a diagram showing a control result of the ambient environment temperature TMP of the electronic device according to the present embodiment and the voltage value of the backup power supply VBB supplied to the memory 9, where the vertical axis indicates the backup power supply VBB. The voltage value and the horizontal axis indicate the temperature, respectively.
[0091]
Also in the present embodiment, it is assumed that the temperature guarantee range in data retention of the SRAM is −20 ° C. to 70 ° C. as in the first embodiment described above.
[0092]
Further, similarly to the first embodiment described above, when the ambient temperature of the electronic device according to the present embodiment is 0 ° C. or less, the power supply circuit unit that supplies the backup power supply VBB reduces the capacity of the capacitor and the diode. , The accuracy of the output voltage value decreases, and the internal resistance value of the SRAM starts to decrease, so that the leakage current increases and the stability of the backup power supply VBB decreases. It is assumed that the voltage may be lower than 3.3 V, which is the guaranteed value of the required minimum voltage.
[0093]
First, when the ambient environment temperature TMP is in the range of −20 ° C. ≦ TMP ≦ 70 ° C., power is supplied to the backup power supply VBB using the power of the voltage value set by the comparison result of the comparator 40 as the data holding voltage.
[0094]
In this embodiment, the thermistor TH2 and the resistance value of the non-temperature-dependent voltage-dividing resistor R10 are set so that the voltage value of the backup power supply VBB shows the characteristics of FIG.
[0095]
By providing the output voltage value characteristic shown in FIG. 7, when the ambient temperature TMP is in the range of 0 ° C. ≦ TMP ≦ 70 ° C., the power consumption can be suppressed by maintaining the backup power supply VBB at about 3.3 V. it can.
[0096]
However, when the ambient temperature TMP is in the range of −20 ° C. ≦ TMP <0 ° C., the above-described characteristics of the thermistor TH2 and the setting of the non-temperature-dependent resistance value of the voltage-dividing resistor R10 cause the backup power supply to decrease as the temperature decreases. The voltage value of VBB also rises, and finally, when the ambient temperature TMP is −20 ° C., the voltage value of VBB becomes 5.0 V, thereby stabilizing the backup power supply VBB at low temperatures. It becomes.
[0097]
Further, when the ambient temperature TMP is in the range of TMP <−20 ° C. or 70 ° C. <TMP, it is determined that the temperature is not guaranteed for the memory holding function of the memory 9, and VBB = 0 V is set. Assuming that the temperature is out of the temperature guarantee range in data holding, all the contents held in the memory 9 are initialized.
[0098]
In order to realize the supply control of the backup power supply VBB, the power supply controller 13 performs a process according to a flowchart shown in FIG.
[0099]
The flow chart shown in FIG. 8 shows the flow of the processing operation executed by the power supply controller 13 at regular intervals, similarly to the first embodiment described above, and uses a timer interrupt inside the power supply controller 13 to After the interruption occurs, the processing according to this flowchart is performed, and after the processing is completed, the interruption processing is terminated.
[0100]
When the power of the electronic device body 1 is turned on, the main power VCC is always supplied to the system unit 2 because the DC-DC converter 20 is operated by setting the power-on signal PWON27 to High. Since the backup power supply VBB supplied to the memory 9 is also supplied through the first diode (for backflow prevention) D1, VBB = VCC always holds.
[0101]
When the power of the electronic device main body 1 is turned on, no timer interruption occurs, and the process according to the flowchart shown in FIG. 8 is not performed.
[0102]
It is assumed that the program according to the flowchart shown in FIG. 8 is stored in a storage device built in the power supply controller 13.
[0103]
Hereinafter, the operation of the electronic device according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
[0104]
When the processing operation of this program for executing the backup power supply VBB control corresponding to the ambient environment temperature of the electronic device according to the present embodiment is started by a timer interrupt, first, in step S801, the thermistor TH2 and the voltage dividing resistor R10 are connected. The divided voltage value THV2 is detected from a built-in A / D conversion input terminal. Next, in step S802, the ambient environment temperature TMP is detected by using a means for calculating from a conversion formula prepared in advance, a means for comparing with a conversion table value, and the like.
[0105]
Next, in step S803, it is determined whether the ambient temperature TMP is in the range of −20 ° C. ≦ TMP ≦ 70 ° C. If it is determined that the ambient temperature TMP is in the range of −20 ° C. ≦ TMP ≦ 70 ° C. (data holding state), the process proceeds to step S805; otherwise, the process proceeds to step S804.
[0106]
In step S805, since the ambient environment temperature of the electronic device body 1 is determined to be the normal environment temperature, the backup power supply VBB is supplied by setting the CONT_EN signal to High, and then the interrupt processing by this program ends. I do.
[0107]
As for the supplied voltage value of the backup power supply VBB, a voltage value corresponding to the ambient environment temperature is output based on the comparison result of the comparator 40 described above.
[0108]
On the other hand, in step S804, since it is determined that the ambient environment temperature TMP is in the range of TMP <−20 ° C. or 70 ° C. <TMP, the CONT_EN signal is determined to be a temperature not covered by the memory holding function of the memory 9 and the low level of the CONT_EN signal. Then, the backup power supply VBB is set to 0 V, and assuming that the temperature is out of the temperature guarantee range in the data holding of the memory 9, all the contents held in the memory 9 are initialized. finish.
[0109]
By storing such a program according to the flowchart shown in FIG. 8 in the storage device in the power supply controller 13 and operating the same, the above-described backup power supply control method of the present invention can be executed.
[0110]
(Other embodiments)
A storage medium storing software program codes based on the flowcharts for realizing the respective functions in the above-described first and second embodiments is supplied to a system or an apparatus, and a power supply controller of the system or the apparatus is used as a storage medium. It is needless to say that the object of the present invention can be achieved by reading and executing the stored program code.
[0111]
In this case, the program code itself read from the storage medium implements the novel function of the present invention, and the storage medium storing the program code constitutes the present invention.
[0112]
As a storage medium for supplying the program code, a storage medium installed in the auxiliary storage device, for example, a hard disk, a floppy (registered trademark) disk, an optical disk, a magneto-optical disk, a CD-ROM, a CD-R, A magnetic tape, a nonvolatile memory card, a ROM, or the like can be used.
[0113]
Further, a communication interface may be provided, and the program code may be supplied from a server computer via a communication network.
[0114]
When the computer executes the readout program code, not only each function in each of the above-described embodiments is realized, but also an OS (Operating System) running on the computer based on the instruction of the program code. ) And the like perform part or all of the actual processing, and the processing realizes each function in each of the above-described embodiments.
[0115]
Further, after the program code read from the storage medium is written to a memory provided in an expansion board inserted into the computer or a function expansion unit connected to the computer, the function expansion board is written based on the instructions of the program code. It goes without saying that a CPU or the like provided in the function extension unit performs part or all of the actual processing, and the processing realizes each function in each of the above-described embodiments.
[0116]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the power supply can be stabilized, the data retention performance of the memory can be improved, and when the power of the electronic device body is turned on, an erroneous It is possible to prevent the work from being performed using the data and prevent the electronic device from restarting normally.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an electronic device having a backup power supply control device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a power supply circuit unit in the electronic device having the backup power supply control device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing resistance-temperature characteristics of a thermistor in an electronic device having a backup power supply control device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing an example of control results of the ambient environment temperature TMP of the electronic device and the voltage value of the backup power supply VBB supplied to the memory in the electronic device having the backup power supply control device according to the first embodiment of the present invention. It is.
FIG. 5 is a flowchart showing a flow of an operation of a power supply controller in the electronic device having the backup power supply control device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a power supply circuit unit in an electronic device having a backup power supply control device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing an example of the control result of the ambient environment temperature TMP of the electronic device and the voltage value of the backup power supply VBB supplied to the memory in the electronic device having the backup power supply control device according to the second embodiment of the present invention. It is.
FIG. 8 is a flowchart illustrating an operation of a power supply controller in an electronic device having a backup power supply control device according to a second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1. Electronic equipment
2 System section
3 Main battery
4 sub-battery
5 Power on / off switch
6. Power supply circuit
7 Temperature sensor (temperature measurement means)
8 CPU
9 Main storage device
10 Display device
11 Auxiliary storage device
12 Input device
13. Power supply controller (control means)
14 Backup power supply VBB
15 Main power supply VCC

Claims (22)

電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
In an electronic device having a function of supplying backup power to a memory even when the power is off and holding data in the memory,
Temperature measuring means for measuring the ambient temperature of the electronic device body;
Control means for controlling a voltage value of a backup power supply of the memory to change in accordance with an ambient temperature measured by the temperature measuring means.
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも2種類以上の値に設定可能な電圧値設定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
In an electronic device having a function of supplying backup power to a memory even when the power is off and holding data in the memory,
Temperature measuring means for measuring the ambient temperature of the electronic device body;
Voltage value setting means capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to at least two or more values;
An electronic device, comprising: a control unit that controls the backup power supply to change to a preset voltage value in accordance with the ambient temperature measured by the temperature measuring unit.
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を0Vに設定可能な電圧値設定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を0Vに設定するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
In an electronic device having a function of supplying backup power to a memory even when the power is off and holding data in the memory,
Temperature measuring means for measuring the ambient temperature of the electronic device body;
Voltage value setting means capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to 0 V;
Control means for controlling the backup power supply to be set to 0 V in accordance with the ambient temperature measured by the temperature measuring means.
前記温度測定手段は、温度変化に対して抵抗値が変化する負の温度係数を有する温度依存性抵抗素子と、温度変化に対して抵抗値が変化しない温度非依存性抵抗素子とを直列に接続して構成したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子機器。The temperature measuring means connects a temperature-dependent resistance element having a negative temperature coefficient whose resistance value changes with temperature change and a temperature-independent resistance element whose resistance value does not change with temperature change in series. The electronic device according to claim 1, wherein the electronic device is configured as follows. 前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給することにより、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子機器。The memory has a function of retaining data stored in the memory by supplying power of a preset voltage value to the memory even when the power of the electronic device body is in an off state. The electronic device according to claim 1, wherein: 前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給され且つ予め設定された周囲環境温度の範囲内であれば、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子機器。Even if the power of the electronic device main body is in an off state, the memory is supplied with a power of a voltage value set in advance in the memory and is within a range of a preset ambient temperature. 4. The electronic device according to claim 1, further comprising a function of retaining data stored in the electronic device. 電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定ステップと、
前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御方法。
A backup power supply control method for an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off,
A temperature measuring step of measuring an ambient temperature of the electronic device body;
A control step of controlling the voltage value of the backup power supply of the memory to change in accordance with the ambient temperature measured in the temperature measurement step.
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、
電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも2種類以上の値に設定可能な電圧値設定ステップと、
前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御方法。
A backup power supply control method for an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off,
A temperature measuring step of measuring the ambient temperature of the electronic device body by temperature measuring means,
A voltage value setting step capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to at least two or more values;
A control step of controlling the backup power supply to change to a preset voltage value in accordance with the ambient environment temperature measured in the temperature measurement step. .
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、
電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を0Vに設定可能な電圧値設定ステップと、
前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を0Vに設定するように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御方法。
A backup power supply control method for an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off,
A temperature measuring step of measuring the ambient temperature of the electronic device body by temperature measuring means,
A voltage value setting step capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to 0 V;
A control step of controlling the backup power supply to be set to 0 V in accordance with the ambient temperature measured in the temperature measurement step.
前記温度測定手段は、温度変化に対して抵抗値が変化する負の温度係数を有する温度依存性抵抗素子と、温度変化に対して抵抗値が変化しない温度非依存性抵抗素子とを直列に接続して構成したことを特徴とする請求項7乃至9のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御方法。The temperature measuring means connects a temperature-dependent resistance element having a negative temperature coefficient whose resistance value changes with temperature change and a temperature-independent resistance element whose resistance value does not change with temperature change in series. The backup power supply control method for an electronic device according to any one of claims 7 to 9, wherein: 前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給することにより、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項7乃至9のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御方法。The memory has a function of retaining data stored in the memory by supplying power of a preset voltage value to the memory even when the power of the electronic device body is in an off state. The backup power supply control method for an electronic device according to any one of claims 7 to 9, wherein: 前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給され且つ予め設定された周囲環境温度の範囲内であれば、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項7乃至9のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御方法。Even if the power of the electronic device main body is in an off state, the memory is supplied with a power of a voltage value set in advance in the memory and is within a range of a preset ambient temperature. The backup power supply control method for an electronic device according to any one of claims 7 to 9, further comprising a function of retaining data stored in the electronic device. 電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御装置。
In a backup power supply control device of an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off,
Temperature measuring means for measuring the ambient temperature of the electronic device body;
A control unit for controlling the voltage value of the backup power supply of the memory to change in accordance with the ambient temperature measured by the temperature measurement unit.
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも2種類以上の値に設定可能な電圧値設定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御装置。
In a backup power supply control device of an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off,
Temperature measuring means for measuring the ambient temperature of the electronic device body;
Voltage value setting means capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to at least two or more values;
A control unit for controlling the backup power supply to change to a preset voltage value in accordance with the ambient temperature measured by the temperature measuring unit. .
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を0Vに設定可能な電圧値設定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を0Vに設定するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御装置。
In a backup power supply control device of an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off,
Temperature measuring means for measuring the ambient temperature of the electronic device body;
Voltage value setting means capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to 0 V;
Control means for controlling the backup power supply to be set to 0 V in accordance with the ambient temperature measured by the temperature measuring means.
前記温度測定手段は、温度変化に対して抵抗値が変化する負の温度係数を有する温度依存性抵抗素子と、温度変化に対して抵抗値が変化しない温度非依存性抵抗素子とを直列に接続して構成したことを特徴とする請求項13乃至15のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御装置。The temperature measuring means connects a temperature-dependent resistance element having a negative temperature coefficient whose resistance value changes with temperature change and a temperature-independent resistance element whose resistance value does not change with temperature change in series. 16. The backup power supply control device for an electronic device according to claim 13, wherein the backup power supply control device is configured as follows. 前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給することにより、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項13乃至15のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御装置。The memory has a function of retaining data stored in the memory by supplying power of a preset voltage value to the memory even when the power of the electronic device body is in an off state. 16. The backup power supply control device for an electronic device according to claim 13, wherein: 前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給され且つ予め設定された周囲環境温度の範囲内であれば、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項13乃至15のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御装置。Even if the power of the electronic device main body is in an off state, the memory is supplied with a power of a voltage value set in advance in the memory and is within a range of a preset ambient temperature. 16. The backup power supply control device for an electronic device according to claim 13, further comprising a function of retaining data stored in the backup power supply. 電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする制御プログラム。
In a computer-readable control program for controlling a backup power supply control device of an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off,
A computer, comprising: a temperature measuring step of measuring an ambient environment temperature of the electronic device body; and a control step of controlling to change a voltage value of a backup power supply of the memory in accordance with the ambient environment temperature measured by the temperature measuring step. A control program comprising a program code for causing a computer to execute the program.
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、
電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも2種類以上の値に設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする制御プログラム。
In a computer-readable control program for controlling a backup power supply control device of an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off,
A temperature measuring step of measuring an ambient temperature of the electronic device main body by a temperature measuring means, a voltage value setting step of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to at least two or more values, and measuring by the temperature measuring step And a control step of controlling the backup power supply to change to a preset voltage value in accordance with the set ambient environment temperature.
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、
電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を0Vに設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を0Vに設定するように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする制御プログラム。
In a computer-readable control program for controlling a backup power supply control device of an electronic device having a function of supplying backup power to a memory and retaining data in the memory even when the power is off,
A temperature measuring step of measuring an ambient environment temperature of the electronic device main body by a temperature measuring means; a voltage value setting step capable of setting a voltage value of a backup power supply of the memory to 0 V; and an ambient environment temperature measured by the temperature measuring step. And a control step of controlling the backup power supply to be set to 0 V in response to the control program.
請求項19乃至21に記載の制御プログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。A storage medium storing the control program according to claim 19.
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